JP6818075B2 - 固体撮像装置 - Google Patents
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Description
ストレージ部3の電極55は、n型半導体層22、n+型半導体層51、n++型半導体層52、及びn+++型半導体層53を跨るように配置されている。したがって、ストレージ部3でのポテンシャルは、図11及び図12に示された変形例と同様に、第二方向D2に沿って、段階的に深くなる。
Claims (4)
- 第一方向に並んだ複数の光電変換部と、
対応する前記光電変換部と前記第一方向に直交する第二方向で並び、かつ、対応する前記光電変換部で発生した電荷を蓄積する複数の電荷蓄積部と、
前記複数の電荷蓄積部からそれぞれ転送された電荷を取得し、前記第一方向に転送して出力する電荷出力部と、を備え、
各前記光電変換部は、
光入射に応じて電荷を発生する光感応領域と、
前記光感応領域に対して前記第二方向に沿って高くされた電位勾配を形成し、前記光感応領域での電荷の移動を前記第二方向に促進する電位勾配形成部と、を有し、
各前記電荷蓄積部は、
不純物濃度が前記第二方向に向かい前記電荷蓄積部の全体にわたって段階的に一の方向に変化している複数の領域と、
不純物濃度が段階的に異なる前記複数の領域全体に跨るように配置され、かつ、前記複数の領域に電界を印加する一つの電極と、を有し、
前記複数の領域は、前記第二方向に並ぶ第一領域と第二領域とを含み、
前記第一領域と前記第二領域とでは、前記第一領域と前記第二領域とに不純物を注入し、かつ、不純物が注入された前記第二領域に不純物を更に注入することにより、不純物濃度が段階的に一の方向に変化しており、
前記第二領域は、前記第二方向で前記光感応領域と隣り合い、
前記光感応領域は、前記第二領域と共に不純物を注入することにより、前記第二領域と不純物濃度が同等である、固体撮像装置。 - 各前記電荷蓄積部に前記第一方向で並び、かつ、前記電荷蓄積部に蓄積される電荷を排出する複数の電荷排出部を更に備えている、請求項1に記載の固体撮像装置。
- 各前記電荷蓄積部は、前記第二方向に向かうにしたがって、前記第一方向での幅が大きくなっている、請求項2に記載の固体撮像装置。
- 各前記電荷排出部は、
電荷を排出するドレイン領域と、
前記電荷蓄積部と前記ドレイン領域との間に位置し、かつ、前記電荷蓄積部から前記ドレイン領域へ電荷の流入を制御するゲート領域と、を有し、
前記ドレイン領域は、前記第一方向で隣り合う前記電荷排出部間で共用されている、請求項2又は3に記載の固体撮像装置。
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