JP6809188B2

JP6809188B2 - Light irradiation device

Info

Publication number: JP6809188B2
Application number: JP2016240857A
Authority: JP
Inventors: 光彦守屋; 勝友野; 諒嶋田; 早川　誠; 誠早川; 誠司永原
Original assignee: Tokyo Electron Ltd
Current assignee: Tokyo Electron Ltd
Priority date: 2016-12-13
Filing date: 2016-12-13
Publication date: 2021-01-06
Anticipated expiration: 2036-12-13
Also published as: JP2018097127A

Description

本発明は、基板の表面に光を照射して処理を行う技術に関する。 The present invention relates to a technique for irradiating the surface of a substrate with light for processing.

半導体ウエハや液晶ディスプレイ用のガラス基板などにレジストパターンを形成する手法として、光増感化学増幅型レジストを用いた手法が知られている。このレジストは、露光機によりパターンマスクを用いた露光（パターン露光）を行うと、露光された部位に酸が発生し、さらに加熱すると酸が覚醒して例えばアルカリ溶解性となる。そしてこのアルカリ溶解性となった部位に現像液が供給されることにより回路パターンが形成される。 As a method of forming a resist pattern on a semiconductor wafer, a glass substrate for a liquid crystal display, or the like, a method using a photosensitizing chemical amplification type resist is known. When this resist is exposed using a pattern mask by an exposure machine (pattern exposure), acid is generated in the exposed portion, and when further heated, the acid is awakened and becomes, for example, alkaline-soluble. Then, a circuit pattern is formed by supplying the developing solution to the alkali-soluble portion.

一方デバイスの回路パターンの微細化が進んでいることから、回路パターンにおいて高い解像度が要求されている。この要求に対応する手法として、例えば極端紫外線（ＥＶＵ）露光が知られているが、ＥＵＶ露光は、露光光源の光強度を大きくすると装置が大掛かりになりコストが嵩むため、装置を小型化せざるをえず、光強度が小さくスループットが低くなってしまう。 On the other hand, as the circuit pattern of devices is becoming finer, high resolution is required for the circuit pattern. For example, extreme ultraviolet (EVU) exposure is known as a method for meeting this demand. However, in EUV exposure, if the light intensity of the exposure light source is increased, the apparatus becomes large and costly, so the apparatus must be miniaturized. However, the light intensity is low and the throughput is low.

特許文献１には、光増感化学増幅型レジストを塗布した半導体ウエハ（以下「ウエハ」という）にパターンマスクを用いてパターン露光を行った後に、さらにパターン露光領域を一括露光して、ウエハの上のパターンの線幅の面内均一性を良好にする発光ダイオード（ＬＥＤ：Light Emitting Diode）を用いた露光装置が記載されている。この露光装置は、例えばウエハを筐体内の一方から他方に向けて移動するように構成し、ウエハの移動領域を幅方向に跨ぐようにＬＥＤから光を照射している。そして光を照射しながら、ウエハが一方から他方に移動させて、ウエハを照射領域を横切らせることで、ウエハの表面全体を照射している。 In Patent Document 1, a semiconductor wafer coated with a photosensitizing chemical amplification type resist (hereinafter referred to as "wafer") is subjected to pattern exposure using a pattern mask, and then a pattern exposure region is further collectively exposed to obtain the wafer. An exposure apparatus using a light emitting diode (LED) that improves the in-plane uniformity of the line width of the above pattern is described. In this exposure apparatus, for example, the wafer is configured to move from one side to the other in the housing, and light is emitted from the LED so as to straddle the moving region of the wafer in the width direction. Then, while irradiating the light, the wafer is moved from one side to the other, and the wafer is crossed the irradiation region to irradiate the entire surface of the wafer.

ところで光照射装置において、装置を使用しないときには、使用電力の削減やＬＥＤの使用寿命を延ばすためにＬＥＤをオフの状態にすることが好ましい。しかしながらＬＥＤの点灯直後はジャンクション温度が低いことから順電圧が高く光量が高く、発光に伴いジャンクション温度が上がり、徐々に順電圧が低くなって光量が低下して安定する特性がある。このため定電流制御を行ったとしても点灯直後からの光量変化の過度特性が避けられない。従ってウエハに対して安定した光処理を行うには、ＬＥＤをオンの状態にした後、ＬＥＤの光強度が安定するまでの待機時間が必要となり、装置のスループットが低下する。 By the way, in the light irradiation device, when the device is not used, it is preferable to turn off the LED in order to reduce the power consumption and extend the service life of the LED. However, since the junction temperature is low immediately after the LED is turned on, the forward voltage is high and the amount of light is high, the junction temperature rises with light emission, the forward voltage gradually decreases, and the amount of light decreases to stabilize. Therefore, even if constant current control is performed, an excessive characteristic of a change in the amount of light immediately after lighting cannot be avoided. Therefore, in order to perform stable light processing on the wafer, it is necessary to wait for the light intensity of the LED to stabilize after the LED is turned on, which reduces the throughput of the apparatus.

特開２０１５−１５６４７２号公報JP 2015-156472

本発明はこのような事情の下になされたものであり、その目的は、基板の表面に光を照射して基板処理（光処理）を行うにあたって、基板に対して安定した光処理ができ、しかもスループットの低下を抑えることができる技術を提供することにある。 The present invention has been made under such circumstances, and an object of the present invention is that when the surface of a substrate is irradiated with light to perform substrate treatment (light treatment), stable light treatment can be performed on the substrate. Moreover, the purpose is to provide a technology capable of suppressing a decrease in throughput.

本発明の光照射装置は、光により処理される基板を載置するための載置部と、
１個または互いに直列に接続された複数個のＬＥＤからなるＬＥＤブロックの複数が左右方向に直線状に配列され、左右方向に伸びる帯状の照射領域を形成するための光照射ユニットと、
前記載置部と光照射ユニットとを前後方向に互いに相対的に移動させるための移動機構と、
前記照射領域の照度を測定する照度測定部と、
前記ＬＥＤをオンの状態にした後、少なくともＬＥＤの光量が安定するまでの間、照度の目標値と前記照度測定部にて測定された照度測定値との偏差分に基づいてＬＥＤの電流を制御するための電流制御部と、を備え、
前記電流制御部は、照度の目標値と照度測定値との偏差分を演算する第１の演算部と、前記第１の演算部から出力される出力値とＬＥＤに供給される電流に対応する信号との偏差分を演算する第２の演算部と、を備え、前記第２の演算部の出力値に対応する電流がＬＥＤに供給されるように構成されることを特徴とする。
また本発明の光照射装置は、光により処理される基板を載置するための載置部と、
１個または互いに直列に接続された複数個のＬＥＤからなるＬＥＤブロックの複数が左右方向に直線状に配列され、左右方向に伸びる帯状の照射領域を形成するための光照射ユニットと、
前記載置部と光照射ユニットとを前後方向に互いに相対的に移動させるための移動機構と、
前記照射領域の照度を測定する照度測定部と、
前記ＬＥＤをオンの状態にした後、少なくともＬＥＤの光量が安定するまでの間、照度の目標値と前記照度測定部にて測定された照度測定値との偏差分に基づいてＬＥＤの電流を制御するための電流制御部と、を備え、
前記電流制御部は、前記ＬＥＤの光量が安定した後は、定電流制御に切り替えるように構成されていることを特徴とする。
The light irradiation device of the present invention includes a mounting portion for mounting a substrate to be processed by light, and a mounting portion.
A light irradiation unit for forming a band-shaped irradiation region in which a plurality of LED blocks consisting of one or a plurality of LEDs connected in series to each other are linearly arranged in the left-right direction and extending in the left-right direction.
A moving mechanism for moving the above-mentioned mounting portion and the light irradiation unit relative to each other in the front-rear direction,
An illuminance measuring unit that measures the illuminance of the irradiation area,
After turning on the LED, the current of the LED is controlled based on the deviation between the target value of illuminance and the measured illuminance value measured by the illuminance measuring unit, at least until the amount of light of the LED stabilizes. and a current control unit for,
The current control unit corresponds to a first calculation unit that calculates a deviation between a target value of illuminance and a measured illuminance value, an output value output from the first calculation unit, and a current supplied to the LED. It is characterized in that it includes a second calculation unit that calculates a deviation from the signal, and is configured to supply a current corresponding to the output value of the second calculation unit to the LED .
Further, the light irradiation device of the present invention includes a mounting portion for mounting a substrate to be processed by light, and a mounting portion.
A light irradiation unit for forming a band-shaped irradiation region in which a plurality of LED blocks consisting of one or a plurality of LEDs connected in series to each other are linearly arranged in the left-right direction and extending in the left-right direction.
A moving mechanism for moving the above-mentioned mounting portion and the light irradiation unit relative to each other in the front-rear direction,
An illuminance measuring unit that measures the illuminance of the irradiation area,
After turning on the LED, the current of the LED is controlled based on the deviation between the target value of illuminance and the measured illuminance value measured by the illuminance measuring unit, at least until the amount of light of the LED stabilizes. With a current control unit for
The current control unit is characterized in that it is configured to switch to constant current control after the amount of light of the LED becomes stable.

また本発明の光照射装置は、光により処理される基板を載置するための載置部と、
１個または互いに直列に接続された複数個のＬＥＤからなるＬＥＤブロックの複数が左右方向に直線状に配列され、左右方向に伸びる帯状の照射領域を形成するための光照射ユニットと、
前記載置部と光照射ユニットとを前後方向に互いに相対的に移動させる移動機構と、
前記照射領域の照度を測定する照度測定部と、
前記ＬＥＤの電流を制御する電流制御部と、を備え、
前記照度測定部の照度測定値が目標の照度に安定したときの電流を目標電流と呼ぶとすると、前記電流制御部は、ＬＥＤをオンの状態にした直後は照度測定値が安定したときに目標の照度が得られる電流値に対して８０〜９３％となる電流でＬＥＤを駆動し、その後、当該電流を徐々に前記目標電流まで増加させるように構成されていることを特徴とする。
さらに本発明の光照射装置は、により処理される基板を載置するための載置部と、
１個または互いに直列に接続された複数個のＬＥＤからなるＬＥＤブロックの複数が左右方向に直線状に配列され、左右方向に伸びる帯状の照射領域を形成するための光照射ユニットと、
前記載置部と光照射ユニットとを前後方向に互いに相対的に移動させる移動機構と、
前記照射領域の照度を測定する照度測定部と、
前記ＬＥＤの電流を制御する電流制御部と、を備え、
前記照度測定部の照度測定値が目標の照度に安定したときの電流を目標電流と呼ぶとすると、前記電流制御部は、ＬＥＤをオンの状態にした直後はＬＥＤをオンの状態にした直後の照度測定値のピーク値が、前記目標の照度に対して許容範囲となる電流でＬＥＤを駆動し、その後、当該電流を徐々に前記目標電流まで増加させるように構成されていることを特徴とする。
Further, the light irradiation device of the present invention includes a mounting portion for mounting a substrate to be processed by light, and a mounting portion.
A light irradiation unit for forming a band-shaped irradiation region in which a plurality of LED blocks consisting of one or a plurality of LEDs connected in series to each other are linearly arranged in the left-right direction and extending in the left-right direction.
A moving mechanism that moves the above-mentioned mounting part and the light irradiation unit relative to each other in the front-rear direction,
An illuminance measuring unit that measures the illuminance of the irradiation area,
A current control unit that controls the current of the LED is provided.
Assuming that the current when the illuminance measurement value of the illuminance measuring unit stabilizes at the target illuminance is called the target current, the current control unit targets when the illuminance measurement value stabilizes immediately after the LED is turned on. The LED is driven with a current that is 80 to 93% of the current value at which the illuminance is obtained , and then the current is gradually increased to the target current.
Further, the light irradiation device of the present invention includes a mounting portion for mounting a substrate to be processed by
A light irradiation unit for forming a band-shaped irradiation region in which a plurality of LED blocks consisting of one or a plurality of LEDs connected in series to each other are linearly arranged in the left-right direction and extending in the left-right direction.
A moving mechanism that moves the above-mentioned mounting part and the light irradiation unit relative to each other in the front-rear direction,
An illuminance measuring unit that measures the illuminance of the irradiation area,
A current control unit that controls the current of the LED is provided.
Assuming that the current when the illuminance measurement value of the illuminance measuring unit stabilizes at the target illuminance is called the target current, the current control unit immediately after the LED is turned on and immediately after the LED is turned on. The LED is driven by a current whose peak value of the illuminance measurement value is within an allowable range with respect to the target illuminance, and then the current is gradually increased to the target current. ..

本発明は、ＬＥＤ（発光ダイオード）を用いた光照射ユニットにより基板の左右方向の幅よりも広い領域に亘って伸びる帯状の照射領域を形成するにあたりＬＥＤをオンの状態にした直後においては、照度測定値に基づいてＬＥＤに供給する電流値（駆動電流）を制御している。そのためＬＥＤをオンの状態（点灯）した後、光照射ユニットの照度が安定するまでの時間が短くなり、基板に対する光処理を速やかに開始することができるのでスループットの向上を図ることができる。
また他の発明では、予めＬＥＤをオンの状態にした直後に目標電流よりも小さい電流でＬＥＤを駆動し、その後、当該電流を徐々に前記目標電流まで増加させている。そのためＬＥＤをオンの状態にした直後においても光の照度が照度目標値に安定するため同様の効果を得ることができる。 In the present invention, when a light irradiation unit using an LED (light emitting diode) forms a band-shaped irradiation region extending over a region wider than the width in the left-right direction of the substrate, the illuminance is immediately after the LED is turned on. The current value (drive current) supplied to the LED is controlled based on the measured value. Therefore, after the LED is turned on (lit), the time until the illuminance of the light irradiation unit stabilizes is shortened, and the light processing on the substrate can be started promptly, so that the throughput can be improved.
In another invention, the LED is driven with a current smaller than the target current immediately after the LED is turned on in advance, and then the current is gradually increased to the target current. Therefore, the same effect can be obtained because the illuminance of the light stabilizes at the illuminance target value even immediately after the LED is turned on.

第１の実施の形態に係る塗布、現像装置の平面図である。It is a top view of the coating and developing apparatus which concerns on 1st Embodiment. 第１の実施の形態に係る塗布、現像装置の斜視図である。It is a perspective view of the coating and developing apparatus which concerns on 1st Embodiment. 第１の実施の形態に係る一括露光装置を示す斜視図である。It is a perspective view which shows the batch exposure apparatus which concerns on 1st Embodiment. 位置合わせ機構を示す側面図である。It is a side view which shows the alignment mechanism. 第１の実施の形態に係る光照射ユニットを示す縦断正面図である。It is a longitudinal front view which shows the light irradiation unit which concerns on 1st Embodiment. 第１の実施の形態に係る光照射ユニットを前方から見た縦断側面図である。It is a vertical sectional side view which looked at the light irradiation unit which concerns on 1st Embodiment from the front. 第１の実施の形態に係る一括露光装置の構成図である。It is a block diagram of the batch exposure apparatus which concerns on 1st Embodiment. 第１の実施の形態に係る駆動回路部の構成を示す説明図である。It is explanatory drawing which shows the structure of the drive circuit part which concerns on 1st Embodiment. 第１の実施の形態の作用を示す説明図である。It is explanatory drawing which shows the operation of the 1st Embodiment. 第１の実施の形態の作用を示す説明図である。It is explanatory drawing which shows the operation of the 1st Embodiment. ＬＥＤの点灯後の照度及び入力電流値の経時変化を示す特性図である。It is a characteristic diagram which shows the time-dependent change of the illuminance and the input current value after lighting of an LED. 第１の実施の形態におけるＬＥＤの点灯後の照度及び入力電流値の経時変化示す特性図である。It is a characteristic diagram which shows the time-dependent change of the illuminance and the input current value after lighting of the LED in 1st Embodiment. 第１の実施の形態の作用を示す説明図である。It is explanatory drawing which shows the operation of the 1st Embodiment. ＬＥＤの点灯後の照度及び入力電流値の経時変化を示す特性図である。It is a characteristic diagram which shows the time-dependent change of the illuminance and the input current value after lighting of an LED. 第２の実施の形態に係る一括露光装置の構成図である。It is a block diagram of the batch exposure apparatus which concerns on 2nd Embodiment. 第２の実施の形態に係る電流制御部の構成を示す説明図である。It is explanatory drawing which shows the structure of the current control part which concerns on 2nd Embodiment. ＬＥＤの点灯後の照度及び入力電流値の経時変化を示す特性図である。It is a characteristic diagram which shows the time-dependent change of the illuminance and the input current value after lighting of an LED.

［第１の実施の形態］
第１の実施の形態に係る光処理装置を光増感型化学増幅型レジストをウエハＷに塗布し、露光後のウエハＷを現像してレジストパターンを形成する塗布、現像装置に適用した例について説明する。図１に示すように塗布、現像装置は、キャリアブロックＤ１と、検査ブロックＤ２と、処理ブロックＤ３と、インターフェイスブロックＤ４と、を横方向に直線状に接続することで構成されている。またインターフェイスブロックＤ４には露光装置Ｄ５が接続されている。キャリアブロックＤ１は、円形の基板であるウエハＷを格納するキャリアＣが載置される載置ステージ１１を備えている。図中１２は開閉部、図中１３は介してキャリアＣと検査ブロックＤ２との間でウエハＷを搬送するための移載機構である。 [First Embodiment]
Regarding an example in which the optical processing apparatus according to the first embodiment is applied to a coating and developing apparatus in which a photosensitizing chemically amplified resist is applied to a wafer W and the exposed wafer W is developed to form a resist pattern. explain. As shown in FIG. 1, the coating / developing apparatus is configured by connecting the carrier block D1, the inspection block D2, the processing block D3, and the interface block D4 in a straight line in the horizontal direction. An exposure device D5 is connected to the interface block D4. The carrier block D1 includes a mounting stage 11 on which a carrier C for storing a wafer W, which is a circular substrate, is mounted. 12 in the figure is an opening / closing portion, and 13 in the figure is a transfer mechanism for transporting the wafer W between the carrier C and the inspection block D2.

検査ブロックＤ２には、キャリアブロックＤ１側から見て左右に並ぶように２台の検査装置２３が設けられ、検査装置２３の間における、キャリアブロックＤ１側には、ウエハＷを一時載置する受け渡しステージ１０が設けられ、処理ブロックＤ３側には、受け渡しステージ１０と、検査装置２３と、処理ブロックＤ３との間でウエハＷの受け渡しを行うための移載機構１９が設けられている。検査装置２３においては、現像処理後においてウエハＷに形成されたパターンの線幅の検査が行われる。具体的には、ウエハＷを径方向に分割し、各分割領域におけるパターンの線幅を測定し、ウエハＷ内の分割領域の位置とパターンの線幅とを対応付けてパターン情報として後述の主制御部１００に記憶する。 The inspection block D2 is provided with two inspection devices 23 so as to be arranged side by side when viewed from the carrier block D1 side, and the wafer W is temporarily placed on the carrier block D1 side between the inspection devices 23. A stage 10 is provided, and a transfer mechanism 19 for transferring the wafer W between the transfer stage 10, the inspection device 23, and the processing block D3 is provided on the processing block D3 side. The inspection device 23 inspects the line width of the pattern formed on the wafer W after the development process. Specifically, the wafer W is divided in the radial direction, the line width of the pattern in each division region is measured, and the position of the division region in the wafer W and the line width of the pattern are associated with each other to provide pattern information, which will be described later. It is stored in the control unit 100.

処理ブロックＤ３は、図２に示すようにウエハＷに液処理を行う単位ブロックＥ１〜Ｅ６が下方から順番に積層されて構成されており、これらの単位ブロックＥ１〜Ｅ６では互いに並行してウエハＷの搬送及び処理が行われる。単位ブロックＥ１、Ｅ２が互いに同様に構成され、単位ブロックＥ３、Ｅ４が互いに同様に構成され、単位ブロックＥ５、Ｅ６が互いに同様に構成されている。 As shown in FIG. 2, the processing block D3 is configured by stacking unit blocks E1 to E6 for performing liquid treatment on the wafer W in order from the bottom, and in these unit blocks E1 to E6, the wafers W are parallel to each other. Is transported and processed. The unit blocks E1 and E2 are similarly configured, the unit blocks E3 and E4 are similarly configured, and the unit blocks E5 and E6 are similarly configured.

ここでは単位ブロックのうち代表してウエハＷに現像液を供給する現像処理ブロック（ＤＥＶ）である単位ブロックＥ５を、図１を参照しながら説明する。キャリアブロックＤ１からインターフェイスブロックＤ４へ向かう搬送領域Ｆ５の左右の一方側には棚ユニットＵが前後方向に複数配置され、他方側には２つの現像モジュール２１が前後方向に並べて設けられている。現像モジュール２１は、ウエハＷの表面に形成されたレジスト膜に現像液を供給する。この棚ユニットＵは、ウエハＷを加熱する加熱モジュール２２と、光処理装置である一括露光装置３と、を備えている。また、上記の搬送領域Ｆ５には、ウエハＷの搬送機構である搬送アーム１４が設けられており、この単位ブロックＥ５に設けられる各モジュール及び後述のタワーＴ１、Ｔ２において単位ブロックＥ５と同じ高さに設けられるモジュール間でウエハＷが搬送される。 Here, the unit block E5, which is a development processing block (DEV) that supplies a developer to the wafer W as a representative of the unit blocks, will be described with reference to FIG. A plurality of shelf units U are arranged in the front-rear direction on one side of the transport area F5 from the carrier block D1 to the interface block D4, and two development modules 21 are provided side by side in the front-rear direction on the other side. The developing module 21 supplies a developing solution to a resist film formed on the surface of the wafer W. The shelf unit U includes a heating module 22 for heating the wafer W, and a batch exposure device 3 which is an optical processing device. Further, a transfer arm 14 which is a transfer mechanism for the wafer W is provided in the transfer area F5, and each module provided in the unit block E5 and towers T1 and T2 described later have the same height as the unit block E5. The wafer W is conveyed between the modules provided in.

単位ブロックＥ１〜Ｅ４は、ウエハＷに供給する薬液が異なることを除き、単位ブロックＥ５、Ｅ６と同様に構成される。単位ブロックＥ１、Ｅ２は、現像モジュール２１の代わりにウエハＷに反射防止膜形成用の薬液を供給する反射防止膜形成モジュールを備えた反射防止膜形成ブロック（ＢＣＴ）、単位ブロックＥ３、Ｅ４は、現像モジュール２１の代わりにウエハＷに薬液として化学増幅型のレジストを供給してレジスト膜を形成するレジスト膜形成モジュールを備えたレジスト膜形成ブロック（ＣＯＴ）となる。 The unit blocks E1 to E4 are configured in the same manner as the unit blocks E5 and E6, except that the chemical solutions supplied to the wafer W are different. The unit blocks E1 and E2 are antireflection film forming blocks (BCT) provided with an antireflection film forming module that supplies a chemical solution for forming an antireflection film to the wafer W instead of the developing module 21, and the unit blocks E3 and E4 are Instead of the developing module 21, the resist film forming block (COT) is provided with a resist film forming module for forming a resist film by supplying a chemically amplified resist as a chemical solution to the wafer W.

処理ブロックＤ３における検査ブロックＤ２側には、各単位ブロックＥ１〜Ｅ６に跨って上下に伸びるタワーＴ１と、タワーＴ１に対してウエハＷの受け渡しを行うための昇降自在な受け渡し機構である受け渡しアーム１５とが設けられている。タワーＴ１は互いに積層された複数のモジュールにより構成されており、ウエハＷが載置される受け渡しモジュールを備えている。
インターフェイスブロックＤ４は、単位ブロックＥ１〜Ｅ６に跨って上下に伸びるタワーＴ２、Ｔ３、Ｔ４を備えており、タワーＴ２とタワーＴ３に対してウエハＷの受け渡しを行うための昇降自在な受け渡し機構であるインターフェイスアーム１６と、タワーＴ２とタワーＴ４に対してウエハＷの受け渡しを行うための昇降自在な受け渡し機構であるインターフェイスアーム１７と、タワーＴ２と露光装置Ｄ５の間でウエハＷの受け渡しを行うためのインターフェイスアーム１８が設けられている。露光装置Ｄ５はパターンマスクを用いてウエハＷの表面を露光する。タワーＴ２は、受け渡しモジュール、露光処理前の複数枚のウエハＷを格納して滞留させるバッファモジュール、露光処理後の複数枚のウエハＷを格納するバッファモジュール、及びウエハＷの温度調整を行う温度調整モジュールなどが互いに積層されて構成されている。
また塗布、現像装置は、塗布現像装置内において各処理モジュールへのウエハＷの搬送を制御すると共に、各モジュールにおける制御部の上位コンピュータとなる主制御部１００を備えている。 On the inspection block D2 side of the processing block D3, there is a tower T1 extending vertically across the unit blocks E1 to E6, and a transfer arm 15 which is an elevating and lowering transfer mechanism for transferring the wafer W to the tower T1. And are provided. The tower T1 is composed of a plurality of modules stacked on each other, and includes a transfer module on which the wafer W is placed.
The interface block D4 includes towers T2, T3, and T4 extending vertically across the unit blocks E1 to E6, and is an elevating and lowering transfer mechanism for transferring the wafer W to the towers T2 and T3. The interface arm 16, the interface arm 17, which is an elevating and lowering transfer mechanism for transferring the wafer W to the tower T2 and the tower T4, and the wafer W for transferring the wafer W between the tower T2 and the exposure device D5. An interface arm 18 is provided. The exposure apparatus D5 exposes the surface of the wafer W using a pattern mask. The tower T2 includes a transfer module, a buffer module for storing and retaining a plurality of wafers W before exposure processing, a buffer module for storing a plurality of wafers W after exposure processing, and a temperature adjustment for adjusting the temperature of the wafers W. Modules and the like are stacked on top of each other.
Further, the coating and developing apparatus includes a main control unit 100 that controls the transfer of the wafer W to each processing module in the coating and developing apparatus and is a higher-level computer of the control unit in each module.

続いて一括露光装置３について説明する。図３に示すように一括露光装置は、筐体３０内を備え、筐体３０には、例えば搬送領域Ｆ５側に搬入出口３４が設けられている。筐体３０の底面にはウエハＷを載置する載置部３１が設けられ、載置部３１は、筐体３０内を搬入出口３４側のウエハＷの受け渡し位置Ｐ１から筐体３０の奥側の一括露光処理前のウエハＷが待機する待機位置Ｐ２まで伸びるガイドレール３３に沿って移動自在であって、載置部３１に載置されたウエハＷを鉛直軸周りに回転させるための駆動部３２に回転軸を介して接続されている。なお駆動部３２は、載置部３１を回転させるためのモータや、モータを保持しガイドレールに沿って移動する移動機構が組み合わされたものとして記載している。 Subsequently, the batch exposure apparatus 3 will be described. As shown in FIG. 3, the batch exposure apparatus includes the inside of the housing 30, and the housing 30 is provided with, for example, a carry-in / outlet 34 on the transport region F5 side. A mounting portion 31 on which the wafer W is mounted is provided on the bottom surface of the housing 30, and the mounting portion 31 is located inside the housing 30 from the wafer W delivery position P1 on the carry-in / outlet 34 side to the back side of the housing 30. A drive unit that is movable along a guide rail 33 that extends to the standby position P2 on which the wafer W before the batch exposure process stands by, and that rotates the wafer W mounted on the mounting unit 31 around a vertical axis. It is connected to 32 via a rotation shaft. The drive unit 32 is described as a combination of a motor for rotating the mounting unit 31 and a moving mechanism that holds the motor and moves along the guide rail.

一括露光装置３の奥側の待機位置Ｐ２には、図４に示す位置合わせ機構５が設けられている。位置合わせ機構５は、枠部５０とアライメント用光源５１及びセンサ５２を備え、アライメント用光源５１と、センサ５２とは夫々枠部５０の天板部下面と、底板部の上面とに互いに対向するように固定されている。
載置部３１に載置されたウエハＷが待機位置Ｐ２に移動するとウエハＷの周縁部がアライメント用光源５１から照射された光の光路の一部を遮るように位置し、ウエハＷに遮られずウエハＷの側方を通過した光はセンサ５２に照射される。そしてウエハＷを回転させたときのセンサ５２が感知する照射領域の変化に基づいて例えばウエハＷの周縁に形成されたノッチの向きを測定し、露光処理を行うウエハＷの向きが一定になるように制御される。 The alignment mechanism 5 shown in FIG. 4 is provided at the standby position P2 on the back side of the batch exposure apparatus 3. The alignment mechanism 5 includes a frame portion 50, an alignment light source 51, and a sensor 52, and the alignment light source 51 and the sensor 52 face each other on the lower surface of the top plate portion of the frame portion 50 and the upper surface of the bottom plate portion, respectively. It is fixed as.
When the wafer W mounted on the mounting portion 31 moves to the standby position P2, the peripheral portion of the wafer W is positioned so as to block a part of the optical path of the light emitted from the alignment light source 51, and is blocked by the wafer W. The light that has passed through the side of the wafer W is applied to the sensor 52. Then, based on the change in the irradiation region sensed by the sensor 52 when the wafer W is rotated, for example, the direction of the notch formed on the peripheral edge of the wafer W is measured so that the direction of the wafer W to be exposed is constant. Is controlled by.

またウエハＷの移動する領域におけるウエハＷの受け渡し位置Ｐ１と、ウエハＷの待機位置Ｐ２との間の上方には、ウエハＷに紫外線を照射する光照射ユニット４が設けられている。ウエハＷの移動方向を前後方向とすると、光照射ユニット４は、図５、図６に示すようにウエハＷの移動領域の左右幅よりも横幅が長い矩形のケース体４０を備え、ケース体４０の底面には、左右方向に伸び、ウエハＷの移動領域を跨ぐ範囲に亘る照射口であるスリット４３が形成されている。 Further, a light irradiation unit 4 for irradiating the wafer W with ultraviolet rays is provided above the transfer position P1 of the wafer W and the standby position P2 of the wafer W in the region where the wafer W moves. Assuming that the moving direction of the wafer W is the front-rear direction, the light irradiation unit 4 includes a rectangular case body 40 having a width longer than the left-right width of the moving region of the wafer W as shown in FIGS. A slit 43, which is an irradiation port extending in the left-right direction and straddling the moving region of the wafer W, is formed on the bottom surface of the wafer.

ケース体４０の内部には、光源部であるＬＥＤ光源群４００が設けられている。ＬＥＤ光源群４００は、前後方向に複数、例えば「４個」のＬＥＤ４２を直列に接続して構成されるブロックＢ１〜Ｂ８８が左右方向に８８列並べて構成されている。なおＬＥＤの配列は図面では、作図の困難性と構造の把握の容易性を優先するため便宜上の個数として記載してある。 Inside the case body 40, an LED light source group 400, which is a light source unit, is provided. The LED light source group 400 is composed of blocks B1 to B88 formed by connecting a plurality of, for example, "4" LEDs 42 in the front-rear direction in series, and arranging 88 rows in the left-right direction. In the drawing, the arrangement of the LEDs is described as a number for convenience in order to give priority to the difficulty of drawing and the ease of grasping the structure.

ＬＥＤ光源群４００は、ケース体４０内に設けられた共通のＬＥＤ基板４１に固定され、下方に向けて紫外線を照射するように配置されている。ＬＥＤ光源群４００から発せられる紫外線は、スリット４３を介して、光照射ユニット４の下方に向けて照射される。従って光照射ユニット４から照射される光は、ウエハＷの移動領域の左右方向の幅よりも広い領域に亘って照射される。この時ＬＥＤ４２のブロックＢ１〜Ｂ８８から照射される光は、ウエハＷの移動領域に向かって光を照射する。 The LED light source group 400 is fixed to a common LED substrate 41 provided in the case body 40, and is arranged so as to irradiate ultraviolet rays downward. The ultraviolet rays emitted from the LED light source group 400 are emitted toward the lower side of the light irradiation unit 4 through the slit 43. Therefore, the light emitted from the light irradiation unit 4 is emitted over a region wider than the width in the left-right direction of the moving region of the wafer W. At this time, the light emitted from the blocks B1 to B88 of the LED 42 irradiates the light toward the moving region of the wafer W.

また一括露光装置３は、光照射ユニット４におけるＬＥＤ４２の照度を各ブロックＢ１〜Ｂ８８ごとに測定するための照度測定部６を備え、照度測定部６の先端には、集光部６０が設けられている。集光部６０はＬＥＤ４２のブロックＢ１〜Ｂ８８の長さ方向に水平に伸びる角筒状の筐体６１を備え、筐体６１の上面には、スリットが、集光部６０の長さ方向にＬＥＤ４２のブロックＢ１〜Ｂ８８の照射領域に亘って形成されている。集光部６０は光ファイバー６３を介して、照度センサ６４に接続され、照度センサ６４は、光照射ユニット４の奥側背面に形成された一括露光装置３の左右方向に伸びるガイドレール６５に沿って移動する移動機構６６に固定されている。そして照度測定部６を移動させることにより、集光部６０が左右方向に即ちＬＥＤ４２のブロックＢ１〜Ｂ８８の配列方向に水平に移動するように構成されている。 Further, the batch exposure device 3 includes an illuminance measuring unit 6 for measuring the illuminance of the LED 42 in the light irradiation unit 4 for each block B1 to B88, and a condensing unit 60 is provided at the tip of the illuminance measuring unit 6. ing. The light collecting unit 60 includes a square tubular housing 61 extending horizontally in the length direction of the blocks B1 to B88 of the LED 42, and a slit is provided on the upper surface of the housing 61 in the length direction of the light collecting unit 60. It is formed over the irradiation region of blocks B1 to B88. The light collecting unit 60 is connected to the illuminance sensor 64 via the optical fiber 63, and the illuminance sensor 64 is along a guide rail 65 extending in the left-right direction of the batch exposure device 3 formed on the back side of the light irradiation unit 4. It is fixed to a moving mechanism 66 that moves. Then, by moving the illuminance measuring unit 6, the condensing unit 60 is configured to move horizontally in the left-right direction, that is, in the arrangement direction of the blocks B1 to B88 of the LED 42.

集光部６０の筐体６１の内部には、直方体の蛍光ガラスからなる集光体が設けられ、集光体は集光部６０の上面に形成されたスリットを通して進入した光の照度に対応する照度で発光する。集光体は、その上面の高さ位置がウエハＷの表面の高さ位置なるように配置されており、ウエハＷの表面の高さ位置において吸収した光の総照度、即ち当該ブロックを構成する４つのＬＥＤ４２の合計の照度に応じて発光し、集光体の照度を光ファイバー６３を介して照度センサ６４により測定することで、ブロックを構成する４つのＬＥＤ４２の総照度を測定する。なお図５中に実線で示す照度測定部６の位置は、ウエハＷに露光処理を行うときに照度測定部６が待機する位置を示しており、当該位置にある集光部６０はウエハＷの移動領域から外れ、ウエハＷと集光部６０とが互いに干渉しないように配置されている。 A condensing body made of rectangular parallelepiped fluorescent glass is provided inside the housing 61 of the condensing unit 60, and the condensing body corresponds to the illuminance of light entering through a slit formed on the upper surface of the condensing unit 60. It emits light with illuminance. The condenser is arranged so that the height position of the upper surface thereof is the height position of the surface of the wafer W, and constitutes the total illuminance of the light absorbed at the height position of the surface of the wafer W, that is, the block. Light is emitted according to the total illuminance of the four LEDs 42, and the illuminance of the condenser is measured by the illuminance sensor 64 via the optical fiber 63 to measure the total illuminance of the four LEDs 42 constituting the block. The position of the illuminance measuring unit 6 shown by the solid line in FIG. 5 indicates the position where the illuminance measuring unit 6 stands by when the wafer W is exposed to light, and the condensing unit 60 at that position is the wafer W. The wafer W and the condensing unit 60 are arranged so as not to interfere with each other outside the moving region.

また光照射ユニット４におけるＬＥＤ基板４１の上面には、電流制御部４４が設けられている。図７に示すように電流制御部４４は、ＣＰＵ９１、プログラム格納部９２及びメモリ９３を備えたコンピュータとコンピュータに接続されたハード部分である駆動回路部９６とを備えている。なお図中９４はバスである。プログラム格納部９２には、ＬＥＤ４２の各ブロックＢ１〜Ｂ８８から照射される光の照度を調整するために必要なステップ群が組まれたプログラム９５が格納されている。またメモリ９３には、電流制御部４４に入力される電流初期値及び定電流制御時の電流設定値が記憶されている。これらのパラメータ値は、光照射ユニット４とは別個に設けられたコントローラ９から入力される。 A current control unit 44 is provided on the upper surface of the LED substrate 41 in the light irradiation unit 4. As shown in FIG. 7, the current control unit 44 includes a computer including a CPU 91, a program storage unit 92, and a memory 93, and a drive circuit unit 96 which is a hard portion connected to the computer. In the figure, 94 is a bus. The program storage unit 92 stores a program 95 in which a group of steps necessary for adjusting the illuminance of the light emitted from the blocks B1 to B88 of the LED 42 is assembled. Further, the memory 93 stores the initial current value input to the current control unit 44 and the current set value at the time of constant current control. These parameter values are input from the controller 9 provided separately from the light irradiation unit 4.

駆動回路部９６は、ＬＥＤ４２のブロックＢ１〜Ｂ８８の各々に駆動電流を供給するための回路であり、図８に示すように照度目標値と照度測定部６にて測定された照度測定値との偏差分を電流目標値として出力する第１の演算部（第１の演算増幅部）１０１と、第１の演算増幅部１０１の出力値と電流指令値の帰還信号との偏差分が入力される第２の演算部（第２の演算増幅部）１０２と、を備えている。即ち駆動回路部９６は、電流制御をマイナーループとし、照度制御をメジャーループとした制御回路を備えている。第１の演算増幅部１０１と第２の演算増幅部１０２との間にはスイッチ部１０３が設けられており、スイッチ部１０３は、第２の演算増幅部１０２に入力する信号を第１の演算増幅部１０１の出力端、電流の初期値の供給ライン及び定電流時の目標電流値の供給ラインの間で切り替えるように構成されている。
さらに駆動回路部９６は、例えば位相制御によりＬＥＤ４２の駆動電流を調整する回路を備えており、第２の演算増幅部１０２の電流指令値に応じて、当該回路のスイッチング素子のデューティー比が制御されるように構成される。なお本実施の形態では、電流制御部４４における第１の演算増幅部１０１及び第２の演算増幅部１０２は、ハードウエハにより実行するものとするが、ソフトウェアにて実行するようにしてもよい。 The drive circuit unit 96 is a circuit for supplying a drive current to each of the blocks B1 to B88 of the LED 42, and has an illuminance target value and an illuminance measurement value measured by the illuminance measurement unit 6 as shown in FIG. The deviation between the output value of the first arithmetic unit (first arithmetic amplification unit) 101 that outputs the deviation as the current target value and the feedback signal of the current command value is input. It includes a second arithmetic unit (second arithmetic amplification unit) 102. That is, the drive circuit unit 96 includes a control circuit in which the current control is a minor loop and the illuminance control is a major loop. A switch unit 103 is provided between the first arithmetic amplification unit 101 and the second arithmetic amplification unit 102, and the switch unit 103 first calculates a signal input to the second arithmetic amplification unit 102. It is configured to switch between the output end of the amplification unit 101, the supply line of the initial value of the current, and the supply line of the target current value at the time of constant current.
Further, the drive circuit unit 96 includes a circuit that adjusts the drive current of the LED 42 by, for example, phase control, and the duty ratio of the switching element of the circuit is controlled according to the current command value of the second arithmetic amplification unit 102. Is configured to. In the present embodiment, the first arithmetic amplification unit 101 and the second arithmetic amplification unit 102 in the current control unit 44 are executed by the hard wafer, but may be executed by software.

既述のコントローラ９は、一括露光装置３におけるウエハＷの処理を実行するプログラムを備え、駆動部３２によるウエハＷの移動や、光照射ユニット４のＬＥＤ光源群４００の電源のオンの状態（点灯）オフの状態（消灯）の切り替えを行うための制御信号を電流制御部４４に入力すると共に照度目標値を電流制御部４４に入力する。 The controller 9 described above includes a program for executing the processing of the wafer W in the batch exposure device 3, and the movement of the wafer W by the drive unit 32 and the power-on state (lighting) of the LED light source group 400 of the light irradiation unit 4. ) A control signal for switching the off state (off) is input to the current control unit 44, and an illuminance target value is input to the current control unit 44.

上述の塗布、現像装置及び露光装置Ｄ５からなるシステムにおけるウエハＷの処理について説明するが、まず塗布、現像装置及び露光装置Ｄ５の全体的なウエハＷの流れについて説明する。ウエハＷは、キャリアＣから移載機構１３により、検査ブロックＤ２における受け渡しステージ１０に載置され、次いで移載機構１９により処理ブロックＤ３におけるタワーＴ１の受け渡しモジュールに搬送される。この受け渡しモジュールからウエハＷは、タワーＴ１における単位ブロックＥ１、Ｅ２に各々対応する受け渡しモジュールに夫々振り分けられて搬送される。 The processing of the wafer W in the system including the coating / developing apparatus and the exposure apparatus D5 described above will be described. First, the overall flow of the wafer W in the coating / developing apparatus and the exposure apparatus D5 will be described. The wafer W is placed on the transfer stage 10 in the inspection block D2 by the transfer mechanism 13 from the carrier C, and then transferred to the transfer module of the tower T1 in the processing block D3 by the transfer mechanism 19. From this transfer module, the wafer W is distributed and transported to the transfer modules corresponding to the unit blocks E1 and E2 in the tower T1, respectively.

このように振り分けられたウエハＷは、受け渡しモジュール→反射防止膜形成モジュール→加熱モジュール→受け渡しモジュールの順に搬送され、続いて受け渡しアーム１５により単位ブロックＥ３、Ｅ４に夫々対応する受け渡しモジュールに振り分けられる。このように受け渡しモジュールに振り分けられたウエハＷは、夫々対応するレジスト膜形成モジュールに搬送されて、表面全体に光増感化学増幅型のレジストが塗布され、レジスト膜が形成される。その後、ウエハＷは、加熱モジュール→タワーＴ２の受け渡しモジュールの順で搬送され、タワーＴ３を介して露光装置Ｄ５へ搬入され、パターンマスクを用いて露光処理が行われる。これによりウエハＷにおける露光処理によりパターン露光された領域に酸と光増感剤とが発生する。 The wafer W distributed in this way is conveyed in the order of the transfer module → the antireflection film forming module → the heating module → the transfer module, and then is distributed to the transfer modules corresponding to the unit blocks E3 and E4 by the transfer arm 15. The wafers W distributed to the transfer modules in this way are conveyed to the corresponding resist film forming modules, respectively, and a photosensitizing chemical amplification type resist is applied to the entire surface to form a resist film. After that, the wafer W is conveyed in the order of the heating module → the delivery module of the tower T2, is carried into the exposure apparatus D5 via the tower T3, and the exposure process is performed using the pattern mask. As a result, acid and a photosensitizer are generated in the region exposed to the pattern by the exposure process on the wafer W.

パターン露光後のウエハＷは、単位ブロックＥ５、Ｅ６に夫々搬送される。然る後、後述する一括露光装置３にてウエハＷの表面全体が露光され、既述の光増感剤が光を吸収し、パターン露光された領域において更に酸と光増感剤とが発生する。このように一括露光が行われることによりレジスト膜においてパターン露光された領域において酸が増殖する。その後、ウエハＷは加熱モジュール２２に搬送されて加熱される。この加熱モジュール２２によってパターン露光された領域が、酸によって変質し現像液に可溶となる。続いてウエハＷは、現像モジュール２１に搬送されて現像液が供給されて、変質した領域が現像液に溶解してレジストパターンが形成される。その後、ウエハＷはタワーＴ１に搬送された後、検査ブロックＤ２を通過してキャリアブロックＤ１に搬入され、移載機構１３を介してキャリアＣに戻される。 The wafer W after pattern exposure is conveyed to the unit blocks E5 and E6, respectively. After that, the entire surface of the wafer W is exposed by the batch exposure device 3 described later, the above-mentioned photosensitizer absorbs light, and an acid and a photosensitizer are further generated in the pattern-exposed region. To do. By performing the batch exposure in this way, the acid grows in the pattern-exposed region of the resist film. After that, the wafer W is transferred to the heating module 22 and heated. The region exposed to the pattern by the heating module 22 is altered by the acid and becomes soluble in the developing solution. Subsequently, the wafer W is conveyed to the developing module 21 to be supplied with a developing solution, and the altered region is dissolved in the developing solution to form a resist pattern. After that, the wafer W is conveyed to the tower T1, passes through the inspection block D2, is carried into the carrier block D1, and is returned to the carrier C via the transfer mechanism 13.

続いて一括露光装置３の作用について説明するが、上述の塗布、現像装置及び露光装置Ｄ５からなるシステムにおいては、製品であるウエハＷの処理の前に検査用ウエハを用いて成膜を行い、検査装置２３にて取得された検査用ウエハのパターン情報に基づいて一括露光装置３におけるＬＥＤ光源群４００の各ブロックＢ１〜Ｂ８８ごとの照度が決定される。 Next, the operation of the batch exposure device 3 will be described. In the above-mentioned system including the coating / developing device and the exposure device D5, a film is formed using an inspection wafer before processing the product wafer W. The illuminance for each block B1 to B88 of the LED light source group 400 in the batch exposure device 3 is determined based on the pattern information of the inspection wafer acquired by the inspection device 23.

具体的には、塗布、現像装置内にて製品用ウエハＷの処理を開始する前に、例えばウエハＷに用いられるレジストと同一のレジスト、及びパターン露光マスクを用いて検査用ウエハにパターンを形成する。次いで検査用ウエハに対し一括露光装置３にて基準となる露光量を用いる他は、製品ウエハと同一にして一括露光を行い、次いで現像を行う。その後現像処理が行われたウエハＷは、検査ブロックＤ２に搬入され、検査装置２３に搬送される。 Specifically, before starting the processing of the product wafer W in the coating and developing apparatus, a pattern is formed on the inspection wafer using, for example, the same resist as the resist used for the wafer W and a pattern exposure mask. To do. Next, the inspection wafer is subjected to batch exposure in the same manner as the product wafer, except that the standard exposure amount is used by the batch exposure apparatus 3, and then development is performed. After that, the developed wafer W is carried into the inspection block D2 and conveyed to the inspection device 23.

そして検査用ウエハにて得られたパターンについて検査装置２３にて検査を行う。検査装置２３においては、例えば検査用ウエハを幅方向に例えば、一括露光装置３におけるＬＥＤ４２のブロックＢ１〜Ｂ８８の数と同数の領域に分割し、各領域におけるパターンの線幅の大きさとウエハＷの位置とを対応付けたパターン情報を取得する。主制御部１００は、このパターン情報を受取り、ウエハＷの位置、例えば分割領域の位置と規格化された露光量値とを対応付けたデータを作成し、一括露光装置３のコントローラ９に送信する。そして一括露光装置３において、ウエハＷの各分割領域の積算光量が揃うように、各分割領域の位置に対応し、当該領域に光を照射する各ＬＥＤ４２のブロックＢ１〜Ｂ８８の光強度を設定する。次いで照度測定部６により各ブロックごとの照度の測定を行い、ＬＥＤ４２の各ブロックＢ１〜Ｂ８８ごとに設定値通りの照度となっているかを判定し、当該ＬＥＤ４２のブロックＢ１〜Ｂ８８の照度が設定値の照度となるように光強度が調整される。 Then, the inspection device 23 inspects the pattern obtained on the inspection wafer. In the inspection device 23, for example, the inspection wafer is divided into the same number of regions as the number of blocks B1 to B88 of the LED 42 in the batch exposure apparatus 3 in the width direction, and the size of the line width of the pattern in each region and the wafer W are divided into regions. Acquires pattern information associated with the position. The main control unit 100 receives this pattern information, creates data in which the position of the wafer W, for example, the position of the divided region and the standardized exposure amount value are associated with each other, and transmits the data to the controller 9 of the batch exposure device 3. .. Then, in the batch exposure apparatus 3, the light intensity of the blocks B1 to B88 of each LED 42 that irradiates the region with light is set corresponding to the position of each division region so that the integrated light intensity of each division region of the wafer W is uniform. .. Next, the illuminance measuring unit 6 measures the illuminance for each block, determines whether the illuminance is as set for each block B1 to B88 of the LED 42, and the illuminance of the blocks B1 to B88 of the LED 42 is the set value. The light intensity is adjusted so that the illuminance is as high as.

その後パターン露光が行われた製品用のウエハＷは、図９に示すようにまず搬送アーム１４により受け渡し位置Ｐ１にある載置部３１に受け渡される。この時光照射ユニット４においては、ＬＥＤ光源群４００がオフになっている。また照度測定部６は、例えば待機位置に位置している。
そして図１０に示すようにウエハＷを受け渡し位置Ｐ１から待機位置Ｐ２に移動させる。この時ウエハＷの移動領域には、光が照射されていないためウエハＷは露光されずに待機位置Ｐ２に移動することができる。そして待機位置Ｐ２にて既述のようにウエハＷの位置合わせを行う。これにより検査装置２３にてパターン情報を取得したときの分割領域の配列方向と、ＬＥＤ光源群４００におけるＬＥＤ４２のブロックＢ１〜Ｂ８８の配列方向と、が揃う。 After that, the wafer W for the product to which the pattern exposure has been performed is first delivered to the mounting portion 31 at the delivery position P1 by the transport arm 14 as shown in FIG. At this time, in the light irradiation unit 4, the LED light source group 400 is turned off. Further, the illuminance measuring unit 6 is located at, for example, a standby position.
Then, as shown in FIG. 10, the wafer W is moved from the delivery position P1 to the standby position P2. At this time, since the moving region of the wafer W is not irradiated with light, the wafer W can be moved to the standby position P2 without being exposed. Then, the wafer W is aligned at the standby position P2 as described above. As a result, the arrangement direction of the divided region when the pattern information is acquired by the inspection device 23 and the arrangement direction of the blocks B1 to B88 of the LED 42 in the LED light source group 400 are aligned.

続いて照度測定部６を照度測定の対象となるＬＥＤ４２、例えばＬＥＤ４２のブロックＢ１の下方に移動させる。次いでＬＥＤ光源群４００を点灯、即ちオンの状態とする（例えば電源を投入する）が、まず点灯後のＬＥＤ４２の挙動について説明する。図１１（ａ）は、駆動電流を一定（図１１（ｂ））としたときの点灯後のＬＥＤ４２の光強度の時間変化を示している。この時ＬＥＤ４２に供給されている電流値は、図１１（ｂ）に示すように点灯後一定であるが、ＬＥＤ４２の光強度は、図１１（ａ）に示すように点灯直後に大きく上昇し、その後徐々に低下して目標値に近づき安定する。そのためＬＥＤ４２の点灯時の時刻をｔ０とすると、ＬＥＤ４２の照射する照度が安定し、許容値の範囲内に収まる時刻がｔａとなる。従ってウエハＷの処理を行うにあたって、安定した光照射を行うためには、ＬＥＤ４２の電源投入時の時刻ｔａ以降の照度安定期にウエハＷの処理を開始することが好ましい。 Subsequently, the illuminance measuring unit 6 is moved below the LED 42 to be measured for illuminance, for example, the block B1 of the LED 42. Next, the LED light source group 400 is turned on, that is, turned on (for example, the power is turned on). First, the behavior of the LED 42 after lighting will be described. FIG. 11A shows the time change of the light intensity of the LED 42 after lighting when the drive current is constant (FIG. 11B). At this time, the current value supplied to the LED 42 is constant after lighting as shown in FIG. 11B, but the light intensity of the LED 42 greatly increases immediately after lighting as shown in FIG. 11A. After that, it gradually decreases, approaches the target value, and stabilizes. Therefore, assuming that the time when the LED 42 is lit is t0, the time when the illuminance irradiated by the LED 42 is stable and falls within the allowable value range is ta. Therefore, when processing the wafer W, in order to perform stable light irradiation, it is preferable to start the processing of the wafer W in the illuminance stable period after the time ta when the power of the LED 42 is turned on.

これに対して上述の実施の形態におけるＬＥＤ４２の挙動について図１２（ａ）、（ｂ）を参照して説明する。まず図８に示す各駆動回路部９６のスイッチ部１０３が、電流値の初期値を第２の演算増幅部１０２に入力するように切り替わる。この電流値の初期値は、例えばＬＥＤ４２の点灯後、照度が安定したときの照度測定値が照度目標値となる電流値よりも小さい値、例えば当該電流値の３０〜５０％程度の値に設定されている。
従って第２の演算増幅部１０２には、図１２（ｂ）に示すように時刻ｔ０にて初期値の電流が供給され、図１２（ａ）に示すようにＬＥＤ４２のブロックＢ１〜Ｂ８８が目標照度よりも弱い照度となるように発光する。このため点灯直後は照度測定部６における照度測定値は、照度目標値よりも低い、いわば初期値であるＬ１となる。 On the other hand, the behavior of the LED 42 in the above-described embodiment will be described with reference to FIGS. 12 (a) and 12 (b). First, the switch unit 103 of each drive circuit unit 96 shown in FIG. 8 switches so that the initial value of the current value is input to the second arithmetic amplification unit 102. The initial value of this current value is set to a value in which the illuminance measurement value when the illuminance stabilizes after the LED 42 is lit is smaller than the current value which is the illuminance target value, for example, about 30 to 50% of the current value. Has been done.
Therefore, the current of the initial value is supplied to the second arithmetic amplification unit 102 at time t0 as shown in FIG. 12 (b), and the blocks B1 to B88 of the LED 42 have the target illuminance as shown in FIG. 12 (a). It emits light so that the illuminance is weaker than that. Therefore, immediately after lighting, the illuminance measurement value in the illuminance measurement unit 6 becomes L1, which is a so-called initial value lower than the illuminance target value.

そして各駆動回路部９６の第１の演算増幅部１０１では、照度目標値Ｌａと初期値であるＬ１との偏差分に基づく信号を目標電流値として出力すると共にスイッチ部１０３が第１の演算増幅部１０１の出力端側に切り替わる。これによりＬＥＤ４２のブロックＢ１〜Ｂ８８の照度が初期値Ｌ１の照度から照度目標値Ｌａに向かって急激に上昇する。 Then, in the first arithmetic amplification unit 101 of each drive circuit unit 96, a signal based on the deviation between the illuminance target value La and the initial value L1 is output as a target current value, and the switch unit 103 performs the first arithmetic amplification. It switches to the output end side of the unit 101. As a result, the illuminance of the blocks B1 to B88 of the LED 42 sharply increases from the illuminance of the initial value L1 toward the illuminance target value La.

そして照度測定値が照度目標値Ｌａに達すると、最初照度測定値と照度目標値Ｌａとの偏差分が大きいため、電流も急激に上昇するが、照度測定値が照度目標値Ｌａに達すると、電流は少しオーバーシュートした状態から急激に低下する。これに伴いＬＥＤ４２のブロックＢ１〜Ｂ８８の発光が弱くなるので電流は一転して上昇し、時刻ｔａ´にて照度測定値が照度目標値Ｌａを越えると、駆動回路部９６の制御ループの作用により時間的に緩やかに小さな波を打った状態で照度測定値が照度目標値Ｌａに収束していく。従って図１２（ａ）に示すように各ＬＥＤ４２のブロックＢ１〜Ｂ８８から照射される光の照度は、目標値（詳しくは許容値の範囲内）に短時間で安定する。 When the illuminance measurement value reaches the illuminance target value La, the current also rises sharply because the deviation between the illuminance measurement value and the illuminance target value La is large at first, but when the illuminance measurement value reaches the illuminance target value La, The current drops sharply from a slight overshoot. Along with this, the light emission of the blocks B1 to B88 of the LED 42 becomes weak, so the current turns and rises, and when the illuminance measurement value exceeds the illuminance target value La at the time ta', the control loop of the drive circuit unit 96 acts. The illuminance measurement value converges to the illuminance target value La in a state where a small wave is gently struck in time. Therefore, as shown in FIG. 12A, the illuminance of the light emitted from the blocks B1 to B88 of each LED 42 stabilizes in a short time to the target value (specifically, within the allowable value range).

図１２（ａ）、（ｂ）の説明では、ＬＥＤ４２のブロックＢ１〜Ｂ８８の照度が照度目標値Ｌａ（照度目標値に対する許容範囲）に安定した時刻ｔａ´の後も照度制御を行っているものとして記載しているが、この実施の形態では、時刻ｔａ´後は、スイッチ部１０３を定電流制御の電流設定値のライン側に切り替えて定電流制御を行うようにしている。
そしてＬＥＤ４２のブロックＢ１〜Ｂ８８をオンの状態にした後、時刻ｔａ´以降に照度測定部６を待機位置に退避させ、図１３に示すようにウエハＷを待機位置Ｐ２から受け渡し位置Ｐ１に移動させる。ＬＥＤ４２のブロックＢ１〜Ｂ８８は、対応するウエハＷの分割領域を夫々露光したときに、ウエハＷの表面全体で積算露光量が均一になるように設定されている。そのためウエハＷを待機位置Ｐ２から受け渡し位置Ｐ１に移動させて露光することにより、ウエハＷの表面全体が均一に露光される。そして受け渡し位置Ｐ１に戻ったウエハＷは、搬送アーム１４に取り出され、現像装置に搬送される。ウエハＷは、表面全体で積算露光量が均一になっているため、現像処理を行った時にウエハＷの表面全体における線幅が揃う。そして既述のように加熱処理が行われた後、キャリアＣに戻される。 In the description of FIGS. 12A and 12B, the illuminance is controlled even after the time ta'when the illuminance of the blocks B1 to B88 of the LED 42 is stable at the illuminance target value La (allowable range with respect to the illuminance target value). However, in this embodiment, after the time ta', the switch unit 103 is switched to the line side of the current set value of the constant current control to perform the constant current control.
Then, after the blocks B1 to B88 of the LED 42 are turned on, the illuminance measuring unit 6 is retracted to the standby position after the time ta', and the wafer W is moved from the standby position P2 to the delivery position P1 as shown in FIG. .. The blocks B1 to B88 of the LED 42 are set so that the integrated exposure amount becomes uniform over the entire surface of the wafer W when the divided regions of the corresponding wafer W are each exposed. Therefore, by moving the wafer W from the standby position P2 to the delivery position P1 and exposing the wafer W, the entire surface of the wafer W is uniformly exposed. Then, the wafer W that has returned to the delivery position P1 is taken out by the transport arm 14 and transported to the developing apparatus. Since the integrated exposure amount of the wafer W is uniform over the entire surface, the line widths on the entire surface of the wafer W are uniform when the development process is performed. Then, after the heat treatment is performed as described above, it is returned to the carrier C.

上述の実施の形態においては、一括露光装置３内のＬＥＤ４２のブロックＢ１〜Ｂ８８を点灯し、ＬＥＤ４２のブロックＢ１の照度測定値に従い、ＬＥＤ４２のブロックＢ１〜Ｂ８８に入力する電流値を調整して照度の調整を行っている。そのためＬＥＤ４２のブロックＢ１〜Ｂ８８をオンの状態（点灯）した後、光照射ユニット４の照度が安定するまでの時間が短くなる。従ってウエハＷに光処理を行うとき以外には、ＬＥＤ４２のブロックＢ１〜Ｂ８８を消灯することで省エネルギー化を図ることができると共に、ＬＥＤ４２のブロックＢ１〜Ｂ８８の点灯後、ウエハＷの光処理を速やかに開始することができるのでスループットの向上を図ることができる。 In the above-described embodiment, the blocks B1 to B88 of the LED 42 in the batch exposure device 3 are turned on, and the current value input to the blocks B1 to B88 of the LED 42 is adjusted according to the illuminance measurement value of the block B1 of the LED 42 to adjust the illuminance. Is being adjusted. Therefore, after the blocks B1 to B88 of the LED 42 are turned on (lighted), the time until the illuminance of the light irradiation unit 4 stabilizes becomes short. Therefore, energy saving can be achieved by turning off the blocks B1 to B88 of the LED 42 except when the wafer W is subjected to the light treatment, and the light treatment of the wafer W is promptly performed after the blocks B1 to B88 of the LED 42 are turned on. Since it can be started at, the throughput can be improved.

またＬＥＤ４２のブロックＢ１〜Ｂ８８を発光させたまま露光処理を行う場合に、ウエハＷに複数回露光を行わないようにするためには、図３に示す待機位置Ｐ２からウエハＷを搬出しなければならないが、ウエハＷを露光せずに待機位置Ｐ２と受け渡し位置Ｐ１との間を移動させることができるため、受け渡し位置Ｐ１にてウエハＷの搬入、搬出を行うことができる。このため図１に示すような塗布、現像装置に一括露光装置３を設置するにあたって、ウエハＷの搬送領域に臨むように設ける一括露光装置３の搬入出口３４が一か所となるため、塗布、現像装置内のモジュールの配置レイアウトが簡単になり、装置の大型化を避けることができる。 Further, when the exposure process is performed while the blocks B1 to B88 of the LED 42 are emitting light, the wafer W must be carried out from the standby position P2 shown in FIG. 3 in order to prevent the wafer W from being exposed a plurality of times. However, since the wafer W can be moved between the standby position P2 and the delivery position P1 without exposing the wafer W, the wafer W can be carried in and out at the delivery position P1. Therefore, when the batch exposure device 3 is installed in the coating / developing device as shown in FIG. 1, the carry-in / outlet 34 of the batch exposure device 3 provided so as to face the conveying region of the wafer W is one place, so that the coating is applied. The layout of the modules in the developing device is simplified, and the size of the device can be avoided.

またウエハＷの移動領域に向けて光を照射するＬＥＤ４２のブロックＢ１〜Ｂ８８に加えて、ウエハＷの移動領域から外れた位置に光を照射する照度測定用のＬＥＤ４２のブロックを設け、ウエハＷの移動領域から外れた位置に配置された集光部６０により照度測定用のＬＥＤ４２のブロックから照射される光の照度を集光し、照度測定用のＬＥＤ４２の照度測定値に基づいて、ＬＥＤ４２のブロックＢ１〜Ｂ８８の光強度の調整を行うようにしてもよい。この場合には、ウエハＷに露光処理を行うときにも照度の測定を継続することができる。そのため第１の実施の形態における時刻ｔａ´以降に定電流制御に切り替えることに代えて、継続して照度の測定を行い、ＬＥＤ４２のブロックＢ１〜Ｂ８８の照度を安定させるようにしてもよい。 Further, in addition to the blocks B1 to B88 of the LED 42 that irradiate light toward the moving region of the wafer W, a block of the LED 42 for illuminance measurement that irradiates light at a position outside the moving region of the wafer W is provided to provide the wafer W. The light condensing unit 60 arranged at a position outside the moving area collects the illuminance of the light emitted from the block of the LED 42 for illuminance measurement, and the block of the LED 42 is based on the illuminance measurement value of the LED 42 for illuminance measurement. The light intensity of B1 to B88 may be adjusted. In this case, the measurement of the illuminance can be continued even when the wafer W is exposed. Therefore, instead of switching to the constant current control after the time ta'in the first embodiment, the illuminance may be continuously measured to stabilize the illuminance of the blocks B1 to B88 of the LED 42.

また光照射ユニット４にＬＥＤ光源群４００を冷却する例えば水冷式の冷却機構を設けてもよい。ＬＥＤ光源群４００に熱を蓄積すると出力される光強度が乱れやすくなる。そのためＬＥＤ光源群４００を冷却することにより、ウエハＷの照度を正確にすることができる。
さらに照度測定部６において、温度上昇による照度測定値の誤差が生じるおそれがある。そのため照度測定部６に冷却機構を設け、温度上昇による照度測定値の誤差を抑制してもよい。 Further, the light irradiation unit 4 may be provided with, for example, a water-cooled cooling mechanism for cooling the LED light source group 400. When heat is accumulated in the LED light source group 400, the output light intensity is likely to be disturbed. Therefore, by cooling the LED light source group 400, the illuminance of the wafer W can be made accurate.
Further, in the illuminance measuring unit 6, there is a possibility that an error of the illuminance measured value may occur due to the temperature rise. Therefore, a cooling mechanism may be provided in the illuminance measuring unit 6 to suppress an error in the illuminance measurement value due to a temperature rise.

ウエハＷを受け渡し位置Ｐ１から待機位置Ｐ２に露光を目的としないでウエハＷをＬＥＤ光源群４００の下方を通過させた後、露光を目的として、受け渡し位置Ｐ１から待機位置Ｐ２との間を複数回移動させてもよい。さらに載置部３１の位置が固定され光照射ユニット４が前後方向に移動してウエハＷに光を照射する構成でも良い。 After passing the wafer W from the transfer position P1 to the standby position P2 under the LED light source group 400 without the purpose of exposure, the wafer W is moved between the transfer position P1 and the standby position P2 a plurality of times for the purpose of exposure. You may move it. Further, the position of the mounting portion 31 may be fixed and the light irradiation unit 4 may move in the front-rear direction to irradiate the wafer W with light.

また本発明の一括露光装置３は、光増感化学増幅型のレジストに限らず、通常のレジストの増感や線幅の調整を行う装置でも良い。また例えば光を照射して塗布膜に含まれるカーボン膜の架橋反応を進行させて、耐エッチング耐性を向上させる装置や、レジスト膜の硬化を促進する装置であってもよい。また有機膜を硬化させるための装置、あるいはウエハＷに光を照射することにより塗布膜中の下層膜の膜厚を調整する装置であってもよい。
［第２の実施の形態］ Further, the batch exposure apparatus 3 of the present invention is not limited to the photosensitizing chemical amplification type resist, and may be an apparatus for sensitizing a normal resist and adjusting the line width. Further, for example, an apparatus that irradiates light to promote the cross-linking reaction of the carbon film contained in the coating film to improve the etching resistance, or an apparatus that promotes the curing of the resist film may be used. Further, an apparatus for curing the organic film or an apparatus for adjusting the film thickness of the lower layer film in the coating film by irradiating the wafer W with light may be used.
[Second Embodiment]

また一括露光装置３にて露光処理を行うにあたって、予め取得したＬＥＤ４２の点灯直後の光強度の変動の傾向を利用して、ＬＥＤ４２に入力する電流値を調整して光強度を安定させるようにしてもよい。図１４（ａ）は、電源投入後の光強度の変化をＬＥＤ４２に入力する電流値ごと（駆動電流に対する規格化した電流値％））に示し、図１４（ｂ）は、図１４（ａ）に示す各グラフの電流値を示している。
既述のようにＬＥＤ４２は時刻ｔ０にて点灯させて直後に、光強度が大きく上昇し、その後徐々に光強度が弱まり、例えば時刻ｔａ以降は安定した値となる。そして図１４（ａ）に示すように電流値を１００％から下げることにより、照度も下がっていくことが分かる。 Further, when performing the exposure processing by the batch exposure apparatus 3, the current value input to the LED 42 is adjusted to stabilize the light intensity by utilizing the tendency of the light intensity fluctuation immediately after the LED 42 is turned on, which is acquired in advance. May be good. FIG. 14A shows the change in light intensity after the power is turned on for each current value input to the LED 42 (normalized current value% with respect to the drive current), and FIG. 14B shows FIG. 14A. The current value of each graph shown in is shown.
As described above, the light intensity of the LED 42 increases significantly immediately after being turned on at time t0, and then gradually weakens, and becomes a stable value after time ta, for example. Then, as shown in FIG. 14A, it can be seen that the illuminance also decreases by lowering the current value from 100%.

照度測定部６の照度測定値が目標の照度に安定したときの電流を目標電流とすると、例えば目標電流を既述の規格化した７０％の電流値に設定し、ＬＥＤ４２から照射される光にて光照射を行う場合には、図１４（ａ）に示すように電流値を目標電流よりも小さい６０％に設定して、電源を投入する。電源投入直後の照度が、電流値を７０％に設定した場合における時刻ｔａ以降の安定した照度と同等の照度となることが分かる。
その後は、時間経過に従い電流値に対応する照度は徐々に下がる。そのため時間経過に従い、電流値を６０％から徐々に上げ、時刻ｔａにて電流値が７０％まで上がるようにすることで、時刻０から時刻ｔａの間も電流値を７０％に設定したときの安定照度で光を照射することができる。 Assuming that the current when the illuminance measurement value of the illuminance measuring unit 6 stabilizes at the target illuminance is the target current, for example, the target current is set to the above-mentioned standardized 70% current value, and the light emitted from the LED 42 is used. When illuminating with light, the current value is set to 60%, which is smaller than the target current, as shown in FIG. 14A, and the power is turned on. It can be seen that the illuminance immediately after the power is turned on is equivalent to the stable illuminance after the time ta when the current value is set to 70%.
After that, the illuminance corresponding to the current value gradually decreases with the passage of time. Therefore, as time passes, the current value is gradually increased from 60% so that the current value rises to 70% at time ta, so that the current value is set to 70% even between time 0 and time ta. Light can be irradiated with stable illuminance.

従って例えば図１５に示すように電流制御部４４のメモリ９３に、電流値に対応させた電源投入後における経過時間ごとのＬＥＤ４２の光強度を示すデータテーブルを記憶する。また駆動回路部９６は、図１６に示すように、ＬＥＤ４２の点灯直後（例えば電源投入直後）に、メモリ９３に記憶されたテーブルから電流値の時系列データが入力され、電流値の時系列データと、電流指令値の帰還信号との偏差分が出力するように構成された演算増幅部１０４を備え、当該電流指令値に従って、ＬＥＤ４２の出力する光強度を制御する。 Therefore, for example, as shown in FIG. 15, a data table showing the light intensity of the LED 42 for each elapsed time after the power is turned on corresponding to the current value is stored in the memory 93 of the current control unit 44. Further, as shown in FIG. 16, the drive circuit unit 96 receives current value time-series data from the table stored in the memory 93 immediately after the LED 42 is turned on (for example, immediately after the power is turned on), and the current value time-series data. And the arithmetic amplification unit 104 configured to output the deviation of the current command value from the feedback signal is provided, and the light intensity output by the LED 42 is controlled according to the current command value.

図１７（ａ）はＬＥＤ４２のブロックＢ１〜Ｂ８８の照度の時間変化を示し、図１７（ｂ）は駆動電流の電流値の時間変化を示している。ＬＥＤ４２のブロックＢ１〜Ｂ８８の点灯直後は、電流値を６０％に設定しているが、照度が高くなるため、電流値を７０％に設定したときの安定照度で光を照射することができる。その後電流値を６０％から徐々に上げていくが、入力電流の電流値に対する照度が徐々に下がるため、ＬＥＤ４２のブロックＢ１〜Ｂ８８の照度は、略照度目標値（詳しくは許容範囲内）になる。その後時刻ｔａにおいて電流値が７０％に達するが、時刻ｔａにおいてはＬＥＤ４２のブロックＢ１〜Ｂ８８の照度は安定照度となっているため照度目標値の照度になる。 FIG. 17A shows the time change of the illuminance of the blocks B1 to B88 of the LED 42, and FIG. 17B shows the time change of the current value of the drive current. Immediately after the blocks B1 to B88 of the LED 42 are lit, the current value is set to 60%, but since the illuminance is high, the light can be irradiated with the stable illuminance when the current value is set to 70%. After that, the current value is gradually increased from 60%, but since the illuminance with respect to the current value of the input current gradually decreases, the illuminance of the blocks B1 to B88 of the LED 42 becomes a substantially illuminance target value (specifically, within the allowable range). .. After that, the current value reaches 70% at time ta, but at time ta, the illuminance of the blocks B1 to B88 of the LED 42 is stable, so that the illuminance becomes the illuminance target value.

そして時刻ｔａ以後は、例えばメモリ９３から定電流とする信号が読み出され、電流値を７０％とする定電流制御が行われる。従ってＬＥＤ４２のブロックＢ１〜Ｂ８８の点灯後（詳しくは点灯動作後）から照度が安定するため、ウエハＷを光照射ユニット４の下方を通過させる時以外はＬＥＤ４２を消灯した場合であっても、ＬＥＤ４２を点灯させてから短時間で照度を安定させることができ、速やかにウエハWの光処理を行うことができる。そのため装置のスループットを抑えながら安定した露光処理を行うことができる。この電源投入直後に入力される電流値は、照度測定値が安定したときに目標の照度が得られる電流値に対して、例えば８０〜９３％となる電流値を適用することが好ましい。
また演算増幅部１０４に入力する電流目標値の時系列データをメモリ９３から読み出すことに代えて、時系列データに相当する電流目標値を出力する関数発生器などのパターン出力部を用いるようにしてもよい。 Then, after time ta, for example, a signal having a constant current is read from the memory 93, and constant current control is performed with the current value set to 70%. Therefore, since the illuminance stabilizes after the blocks B1 to B88 of the LED 42 are turned on (more specifically, after the lighting operation), the LED 42 is turned off even when the LED 42 is turned off except when the wafer W is passed under the light irradiation unit 4. The illuminance can be stabilized in a short time after turning on the light, and the light treatment of the wafer W can be performed quickly. Therefore, stable exposure processing can be performed while suppressing the throughput of the apparatus. As the current value input immediately after the power is turned on, it is preferable to apply a current value that is, for example, 80 to 93% of the current value at which the target illuminance is obtained when the measured illuminance value is stable.
Further, instead of reading the time series data of the current target value input to the arithmetic amplification unit 104 from the memory 93, a pattern output unit such as a function generator that outputs the current target value corresponding to the time series data is used. May be good.

また例えばＬＥＤ光源群４００の電源投入後、一定時間は、メモリ９３に記憶したデータテーブルから電流値を読み出して、光照射を行い、一定時間経過後は、第１の実施の形態に示した例と同様に照度測定部６にて測定された照度測定値に基づいてＬＥＤ４２のブロックＢ１〜Ｂ８８から照射する光の照度を調整してもよい。 Further, for example, after the power of the LED light source group 400 is turned on, the current value is read out from the data table stored in the memory 93 for a certain period of time, and light irradiation is performed. After a certain period of time, the example shown in the first embodiment is shown. Similarly, the illuminance of the light emitted from the blocks B1 to B88 of the LED 42 may be adjusted based on the illuminance measurement value measured by the illuminance measuring unit 6.

３一括露光装置
４光照射ユニット
５位置合わせ機構
６照度測定部
９コントローラ
３０筐体
３１載置部
３２駆動部
３３ガイドレール
３４搬入出口
４０ケース体
４２ＬＥＤ
４４電流制御部
４００ＬＥＤ光源群
Ｂ１〜Ｂ８８ＬＥＤのブロック 3 Batch exposure device 4 Light irradiation unit 5 Alignment mechanism 6 Illuminance measurement unit 9 Controller 30 Housing 31 Mounting unit 32 Drive unit 33 Guide rail 34 Carry-in / exit 40 Case body 42 LED
44 Current control unit 400 LED light source group B1 to B88 LED block

Claims

光により処理される基板を載置するための載置部と、
１個または互いに直列に接続された複数個のＬＥＤからなるＬＥＤブロックの複数が左右方向に直線状に配列され、左右方向に伸びる帯状の照射領域を形成するための光照射ユニットと、
前記載置部と光照射ユニットとを前後方向に互いに相対的に移動させるための移動機構と、
前記照射領域の照度を測定する照度測定部と、
前記ＬＥＤをオンの状態にした後、少なくともＬＥＤの光量が安定するまでの間、照度の目標値と前記照度測定部にて測定された照度測定値との偏差分に基づいてＬＥＤの電流を制御するための電流制御部と、を備え、
前記電流制御部は、照度の目標値と照度測定値との偏差分を演算する第１の演算部と、前記第１の演算部から出力される出力値とＬＥＤに供給される電流に対応する信号との偏差分を演算する第２の演算部と、を備え、前記第２の演算部の出力値に対応する電流がＬＥＤに供給されるように構成されることを特徴とする光処理装置。 A mounting part for mounting a substrate to be processed by light,
A light irradiation unit for forming a band-shaped irradiation region in which a plurality of LED blocks consisting of one or a plurality of LEDs connected in series to each other are linearly arranged in the left-right direction and extending in the left-right direction.
A moving mechanism for moving the above-mentioned mounting portion and the light irradiation unit relative to each other in the front-rear direction,
An illuminance measuring unit that measures the illuminance of the irradiation area,
After turning on the LED, the current of the LED is controlled based on the deviation between the target value of illuminance and the measured illuminance value measured by the illuminance measuring unit, at least until the amount of light of the LED stabilizes. and a current control unit for,
The current control unit corresponds to a first calculation unit that calculates a deviation between a target value of illuminance and a measured illuminance value, an output value output from the first calculation unit, and a current supplied to the LED. An optical processing device including a second calculation unit that calculates a deviation from a signal, and configured to supply a current corresponding to an output value of the second calculation unit to the LED. ..

光により処理される基板を載置するための載置部と、 A mounting part for mounting a substrate to be processed by light,
１個または互いに直列に接続された複数個のＬＥＤからなるＬＥＤブロックの複数が左右方向に直線状に配列され、左右方向に伸びる帯状の照射領域を形成するための光照射ユニットと、 A light irradiation unit for forming a band-shaped irradiation region in which a plurality of LED blocks consisting of one or a plurality of LEDs connected in series to each other are linearly arranged in the left-right direction and extending in the left-right direction.
前記載置部と光照射ユニットとを前後方向に互いに相対的に移動させるための移動機構と、 A moving mechanism for moving the above-mentioned mounting portion and the light irradiation unit relative to each other in the front-rear direction,
前記照射領域の照度を測定する照度測定部と、 An illuminance measuring unit that measures the illuminance of the irradiation area,
前記ＬＥＤをオンの状態にした後、少なくともＬＥＤの光量が安定するまでの間、照度の目標値と前記照度測定部にて測定された照度測定値との偏差分に基づいてＬＥＤの電流を制御するための電流制御部と、を備え、 After turning on the LED, the current of the LED is controlled based on the deviation between the target value of illuminance and the measured illuminance value measured by the illuminance measuring unit, at least until the amount of light of the LED stabilizes. With a current control unit for
前記電流制御部は、前記ＬＥＤの光量が安定した後は、定電流制御に切り替えるように構成されていることを特徴とする光処理装置。 The current control unit is an optical processing device characterized in that it is configured to switch to constant current control after the amount of light of the LED becomes stable.

前記ＬＥＤをオンの状態にした後、前記照度測定部の照度測定値が目標の照度に安定したときの電流よりも小さい電流が初期値としてＬＥＤに供給されるように構成されていることを特徴とする請求項１または２に記載の光処理装置。 After the LED is turned on, a current smaller than the current when the illuminance measurement value of the illuminance measuring unit stabilizes at the target illuminance is supplied to the LED as an initial value. The optical processing apparatus according to claim 1 or 2.

前記照度測定部の照度測定値が一旦許容範囲に達し、その後低下して再度許容範囲に収まった時点を光量が安定した時点と判断することを特徴とする請求項１ないし３のいずれか一項に記載の光処理装置。 One of claims 1 to 3, wherein the time when the illuminance measurement value of the illuminance measuring unit once reaches the permissible range, then decreases and then falls within the permissible range again is determined as the time when the amount of light becomes stable. The optical processing apparatus according to.

前記照度測定部により測定された１個のＬＥＤブロックの照度測定値を、すべてのＬＥＤブロックにおいて照度測定値として取り扱うことを特徴とする請求項１ないし４のいずれか一項に記載の光処理装置。 The light processing apparatus according to any one of claims 1 to 4 , wherein the illuminance measurement value of one LED block measured by the illuminance measurement unit is treated as an illuminance measurement value in all LED blocks. ..

光により処理される基板を載置するための載置部と、
１個または互いに直列に接続された複数個のＬＥＤからなるＬＥＤブロックの複数が左右方向に直線状に配列され、左右方向に伸びる帯状の照射領域を形成するための光照射ユニットと、
前記載置部と光照射ユニットとを前後方向に互いに相対的に移動させる移動機構と、
前記照射領域の照度を測定する照度測定部と、
前記ＬＥＤの電流を制御する電流制御部と、を備え、
前記照度測定部の照度測定値が目標の照度に安定したときの電流を目標電流と呼ぶとすると、前記電流制御部は、ＬＥＤをオンの状態にした直後は照度測定値が安定したときに目標の照度が得られる電流値に対して８０〜９３％となる電流でＬＥＤを駆動し、その後、当該電流を徐々に前記目標電流まで増加させるように構成されていることを特徴とする光処理装置。 A mounting part for mounting a substrate to be processed by light,
A light irradiation unit for forming a band-shaped irradiation region in which a plurality of LED blocks consisting of one or a plurality of LEDs connected in series to each other are linearly arranged in the left-right direction and extending in the left-right direction.
A moving mechanism that moves the above-mentioned mounting part and the light irradiation unit relative to each other in the front-rear direction,
An illuminance measuring unit that measures the illuminance of the irradiation area,
A current control unit that controls the current of the LED is provided.
Assuming that the current when the illuminance measurement value of the illuminance measuring unit stabilizes at the target illuminance is called the target current, the current control unit targets when the illuminance measurement value stabilizes immediately after the LED is turned on. An optical processing device characterized in that the LED is driven with a current of 80 to 93% of the current value obtained , and then the current is gradually increased to the target current. ..

光により処理される基板を載置するための載置部と、
１個または互いに直列に接続された複数個のＬＥＤからなるＬＥＤブロックの複数が左右方向に直線状に配列され、左右方向に伸びる帯状の照射領域を形成するための光照射ユニットと、
前記載置部と光照射ユニットとを前後方向に互いに相対的に移動させる移動機構と、
前記照射領域の照度を測定する照度測定部と、
前記ＬＥＤの電流を制御する電流制御部と、を備え、
前記照度測定部の照度測定値が目標の照度に安定したときの電流を目標電流と呼ぶとすると、前記電流制御部は、ＬＥＤをオンの状態にした直後はＬＥＤをオンの状態にした直後の照度測定値のピーク値が、前記目標の照度に対して許容範囲となる電流でＬＥＤを駆動し、その後、当該電流を徐々に前記目標電流まで増加させるように構成されていることを特徴とする光処理装置。 A mounting part for mounting a substrate to be processed by light,
A light irradiation unit for forming a band-shaped irradiation region in which a plurality of LED blocks consisting of one or a plurality of LEDs connected in series to each other are linearly arranged in the left-right direction and extending in the left-right direction.
A moving mechanism that moves the above-mentioned mounting part and the light irradiation unit relative to each other in the front-rear direction,
An illuminance measuring unit that measures the illuminance of the irradiation area,
A current control unit that controls the current of the LED is provided.
Assuming that the current when the illuminance measurement value of the illuminance measuring unit stabilizes at the target illuminance is called the target current, the current control unit immediately after the LED is turned on and immediately after the LED is turned on. It is characterized in that the LED is driven by a current whose peak value of the illuminance measurement value is within an allowable range with respect to the target illuminance , and then the current is gradually increased to the target current. Light processing equipment.

前記基板が光の照射による処理を目的としないで照射ユニットの下方側を移動するときには、ＬＥＤがオフの状態とされるように構成されたことを特徴とする請求項１ないし７のいずれか一項に記載の光処理装置。 Any one of claims 1 to 7 , wherein the LED is configured to be turned off when the substrate moves below the irradiation unit without the purpose of processing by irradiation with light. The optical processing apparatus according to the section.