JP6806457B2

JP6806457B2 - 液体吐出ヘッドおよび液体吐出ヘッドの製造方法

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Publication number: JP6806457B2
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Inventors: 雅隆加藤; 知広高橋; 新平大▲高▼
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Description

本発明は、液体吐出ヘッドおよび液体吐出ヘッドの製造方法に関する。

エネルギー発生素子により発生されるエネルギーを用いて、吐出口から液体を吐出する液体吐出ヘッドには、エネルギー発生素子を備えた記録素子基板が複数並べられたものがある。例えば特許文献１には、このような液体吐出ヘッドの一例が開示されている。この液体吐出ヘッドは、支持部材としてシリコン基板を用いており、シリコン基板がインクで浸食されることを抑制するために、記録素子基板の周りを封止材で充填している。
図８は、このような封止材を用いた液体吐出ヘッドの構成の一例を示す図である。図８（ａ）は、平面図であり、図８（ｂ）は、図８（ａ）のＣ−Ｃ断面図であり、図８（ｃ）は、図８（ａ）のＤ−Ｄ断面図である。
液体吐出ヘッドは、複数の記録素子基板９００を有し、各記録素子基板９００には複数の吐出口９０１が設けられている。記録素子基板９００の周りには、電気配線基板９０２が設けられており、記録素子基板９００同士の間の隙間と、記録素子基板９００と電気配線基板９０２との間の空間とは、封止材９０３によって充填されている。電気配線基板９０２と各記録素子基板９００との間は、リード９０４で接続されている。記録素子基板９００および電気配線基板９０２は、支持部材９０５の上に設けられている。
封止材９０３は、熱硬化型の液体が用いられ、ニードルを用いて封止材９０３を注入した後、加熱して硬化させることで、支持部材９０５上に塗布される。

特開２００６−１９８９３７号公報

しかしながら、特許文献１に開示された液体吐出ヘッドでは、記録素子基板同士の間に封止材を充填することが困難であるという問題があった。特許文献１には、記録素子基板と電気配線基板との間の空間にニードルを挿入して、このニードルを用いて封止材を注入することが記載されている。小型化、コスト抑制などの観点から、複数の記録素子基板同士は、できるだけ近づけて配置することが好ましい。このため、記録素子基板同士の間の隙間は流抵抗が高くなり、この隙間に封止材を流入させることが困難であった。特に、記録素子基板同士の間の隙間の流抵抗が記録素子基板と電気配線基板との間の流抵抗よりも高い場合、封止材が記録素子基板と電気配線基板との間の空間に先に流入するため、記録素子基板同士の間の隙間に封止材を流入させることが困難である。
したがって本発明は、複数の記録素子基板を並べて用いる液体吐出ヘッドにおいて、複数の記録素子基板の距離が近い場合であっても、記録素子基板同士の間の隙間に封止材を充填することが容易となる液体吐出ヘッドを提供することを目的とする。

本発明による液体吐出ヘッドは、
吐出口から液体を吐出するためのエネルギーを発生するエネルギー発生素子を有する複数の記録素子基板と、
各記録素子基板の周囲を充填する封止材とを備え、
各記録素子基板は、隣接する記録素子基板と対向する端面に凹部を有し、当該凹部における隣接する記録素子基板同士の間隔は、前記エネルギー発生素子が設けられた素子面における記録素子基板同士の間隔よりも広く、
前記凹部の少なくとも一部には、親水性の膜が形成されていることを特徴とする。

また、本発明による液体吐出ヘッドの製造方法は、
吐出口から液体を吐出するためのエネルギーを発生するエネルギー発生素子を有する複数の記録素子基板を備える液体吐出ヘッドの製造方法であって、
基板に溝を形成する第１のダイシング工程と、
前記第１のダイシング工程で形成された前記溝の内部で、当該溝よりも狭い幅で前記基板を分離して前記記録素子基板を形成する第２のダイシング工程と、を含み、
前記第１のダイシング工程の後、前記第２のダイシング工程の前に、前記溝の壁面に親水性の膜を形成する成膜工程をさらに含むことを特徴とする。

本発明によれば、複数の記録素子基板を並べて用いる液体吐出ヘッドにおいて、複数の記録素子基板の距離が近い場合であっても、記録素子基板同士の間の隙間へ容易に封止材を充填することができる液体吐出ヘッドを提供することが可能である。

本発明の第１の実施形態に係る液体吐出ヘッドの構成を示す図である。図１の液体吐出ヘッドの製造工程を示す図である。本発明の第２の実施形態に係る液体吐出ヘッドの構成を示す図である。図３の液体吐出ヘッドの製造工程を示す図である。本発明の第３の実施形態に係る液体吐出ヘッドの構成を示す図である。図５の液体吐出ヘッドの製造工程を示す図である。本発明の第４〜第６の実施形態に係る液体吐出ヘッドの構成を示す図である。本発明の比較例に係る液体吐出ヘッドの構成を示す図である。

以下、本発明の実施形態について添付の図面を参照して説明する。なお、本明細書および図面において、同一の機能を有する構成要素については同じ符号を付することにより重複説明を省略する場合がある。

＜第１の実施形態＞
（液体吐出ヘッドの構成）
図１は、本発明の第１の実施形態に係る液体吐出ヘッドの構成を示す図である。図１（ａ）は、液体吐出ヘッドの記録素子基板が複数配置されている面を液体の吐出方向からみた平面図である。図１（ｂ）は、図１（ａ）のＢ−Ｂ断面図であり、図１（ｃ）は、図１（ａ）のＣ−Ｃ断面図である。
図１に示す液体吐出ヘッドは、複数の記録素子基板１００と、電気配線基板１０２と、支持部材１０５とを有する。記録素子基板１００および電気配線基板１０２は、支持部材１０５上に配置されており、例えば接着剤を用いて支持部材１０５に接合されている。支持部材１０５の中心付近に複数の記録素子基板１００が並設されており、支持部材１０５の周縁部に複数の記録素子基板１００を取り囲むように電気配線基板１０２が設けられている。複数の記録素子基板１００は、吐出口１０１が並ぶ方向Ｘと交わる（この図では直交する）方向Ｙに並設されている。
図１では図示していないが、各記録素子基板１００は、例えばシリコンからなる基板と、複数の吐出口１０１が形成され、例えば樹脂からなる基板とから構成されている。シリコンからなる基板上には、吐出口１０１と対応する位置に、吐出口１０１から液体を吐出するためのエネルギーを発生するエネルギー発生素子が設けられている。記録素子基板１００は矩形状であり、この矩形の平行な２辺に沿って電気配線基板１０２と電気的に接続するためのコンタクトが設けられている。記録素子基板１００と電気配線基板１０２とはリード配線１０４によって電気的に接続されている。電気配線基板１０２は、不図示の液体吐出装置本体と電気的に接続されている。
各記録素子基板１００の周囲、例えば複数の記録素子基板１００の間の隙間や、記録素子基板１００と電気配線基板１０２との間の空間は、封止材１０３が充填されている。封止材１０３は、熱硬化性の樹脂組成物などを用いることが好ましく、例えば熱硬化型エポキシ樹脂組成物が挙げられる。
記録素子基板１００のエネルギー発生素子が設けられた素子面２０２同士の間隔Ｌ１は、記録素子基板１００と電気配線基板１０２との間隔Ｌ３よりも狭い。したがって、記録素子基板１００間の空間に封止材１０３を充填しやすくするために、記録素子基板１００の端面のうち、他の記録素子基板１００と隣接する端面は、凹部２０１を有する。このため、凹部２０１においては、素子面同士の間隔Ｌ１よりも、隣接する記録素子基板１００間の間隔Ｌ２の方が広い。記録素子基板１００の端面のうち、他の記録素子基板１００と隣接しない端面には、凹部２０１が形成されていない。
図１の例において、凹部２０１は、凹部２０１が設けられた端面と交わる他の端面と連通している。このため、他の端面に凹部２０１が開口しており、他の端面側から封止材１０３を凹部２０１および記録素子基板１００間の空間に流し込むことが可能になる。凹部２０１は、素子面２０２の裏面２０３と連通している。凹部２０１が裏面２０３と連通していることにより、後に詳述するように、裏面２０３からダイシングすることにより、凹部２０１を形成することが可能になる。凹部２０１は、記録素子基板１００間に封止材１０３を流し込む空間が形成される形状であればよく、例えば図１に示すように段差形状である。この構成により、記録素子基板１００間の距離は、素子面２０２間の距離よりも裏面２０３間の距離の方が広くなっている。これにより、エネルギー発生素子が設けられる素子面２０２の間隔は狭く保ちつつ、記録素子基板１００間の空間を広くすることができる。したがって、エネルギー発生素子の配置密度を高く保ちつつ、封止材１０３を記録素子基板１００間に容易に充填することが可能になる。
なお、記録素子基板１００間の狭い隙間に封止材１０３を充填する方法としては、例えば記録素子基板１００の間にニードルを差し込むことも考えられる。しかしながら、ニードルを用いる場合、記録素子基板１００間の隙間が狭くなるほど、細いニードルを用いる必要がある。ニードルが細くなると、単位時間当たりに封止材１０３を注入する量が少なくなる。このため、封止材１０３の充填にかかる時間が長くなり、工程タクトが増大する。さらに封止材１０３の粘度が高い場合には注入が困難になるため、使用することのできる封止材の種類が限られてしまう。本実施形態の構成によれば記録素子基板間の隙間に入るほど細いニードルを用いる必要がないため、これらの課題も解決することが可能である。

（液体吐出ヘッドの製造方法）
図２は、図１の液体吐出ヘッドの製造方法を説明するための図である。
まず図２（ａ）に示すように、エネルギー発生素子３０２が素子面に設けられたシリコン基板３０１を用意する。シリコン基板３０１の素子面の裏面には、第１のエッチングマスク層３０３が形成されている。第１のエッチングマスク層３０３は、シリコン酸化膜、シリコン窒化膜、シリコン酸窒化膜、感光性樹脂等であることが好ましい。第１のエッチングマスク層３０３は、図２（ｂ）に示す第１の液体供給口３０４と、溝３０５とを形成するためのマスクとして機能する。このため、第１のエッチングマスク層３０３は、裏面のうち、第１の液体供給口３０４および溝３０５が形成される部分以外を覆うようにパターニングされている。

図２（ｂ）は、第１のエッチングマスク層３０３をマスクとして用いて、反応性イオンエッチング（以下、ＲＩＥと称する。）によりシリコン基板３０１をエッチングした状態を示している。このエッチング工程は、第１のダイシング工程とも呼ばれる。第１のダイシング工程により、第１の液体供給口３０４と溝３０５とが同時に形成される。
ここでＲＩＥとは、イオンを用いた方向性エッチングである。被エッチング領域に電荷を提供しながら粒子を衝突させることにより、被エッチング領域を削って加工することができる。ＲＩＥを行うための装置は、イオンを生成するプラズマ源とエッチングを行う反応室とが分かれている。例えばプラズマ源に高密度のイオンを生成することが可能なＩＣＰ（誘導結合プラズマ）ドライエッチング装置を用いた場合、コーティングとエッチングを交互に行うこと（すなわち、堆積／エッチングプロセス）を行うことができる。これによって基板に垂直な第１の液体供給口３０４を形成することができる。堆積／エッチングプロセスでは、エッチングガスとして例えばＳＦ_６ガスを用いることができ、コーティングガスとして例えばＣ_４Ｆ_８ガスを用いることができる。コーティングとエッチングを交互に行うことで、エッチングした側壁には、スカロップと呼ばれる細かい横溝（不図示）が形成されるため、横溝に沿って封止材が入り込みやすくなる。したがって、第１のダイシング工程ではＩＣＰプラズマ装置を用いたドライエッチングを用いることが好ましいが、他の方式のプラズマ源を用いてもよい。例えば、ＥＣＲ（電子サイクロトロン共鳴）プラズマ源を有する装置を用いることができる。

図２（ｃ−１）および図２（ｃ−２）は、第１のダイシング工程の後、第１のエッチングマスク層３０３を除去して、シリコン基板３０１の素子面に第２のエッチングマスク層３０６を形成し、第２のダイシング工程を行った状態を示している。第２のエッチングマスク層３０６は、第１の液体供給口３０４と連通する第２の液体供給口３０７と、溝３０５の内部で溝３０５よりも狭い幅でシリコン基板３０１を分離する切断部分３０８とを形成するためのマスクとして機能する。このため、第２のエッチングマスク層３０６は、素子面のうち、第２の液体供給口３０７と、切断部分３０８とが形成される部分以外を覆うようにパターニングされている。図２（ｃ−２）に示すように、端面に段差を形成する必要がない領域は、第２の液体供給口３０７の形成と同時に切断部分３０８でシリコン基板３０１を切断しない。第２のダイシング工程は、例えばＲＩＥが用いられ、第２の液体供給口３０７と切断部分３０８とが形成される。

第２のダイシング工程の後、第２のエッチングマスク層３０６を除去すると、図３（ｄ）に示すように、液体流路３０９、液体吐出口１０１が形成された吐出口形成部材３１１が素子面上に設けられる。液体吐出口１０１は、エネルギー発生素子３０２と対応する位置に設けられる。
吐出口形成部材３１１を素子面上に設ける方法としては、支持体と感光性樹脂を用いる方法が考えられる（不図示）。支持体としては、フィルム、ガラス、シリコンウェハなどが挙げられるが、後で剥離することを考えるとフィルムが好ましい。例えば、フィルムとしては、ポリエチレンテレフタラート（以下、ＰＥＴと称する）フィルムや、ポリイミドフィルム、ポリアミドフィルムなどが挙げられる。このフィルムを剥離しやすくするために、離型処理が施されてもよい。
支持体上に第１の感光性樹脂を形成する方法としては、スピンコート法、スリットコート法などによる塗布や、ラミネート法、プレス法などによる転写法が挙げられる。第１の感光性樹脂は、例えば２０μｍの厚さで形成され、有機溶剤に溶解するエポキシ樹脂や、アクリル樹脂、ウレタン樹脂などが用いられる。第１の感光性樹脂をパターニング後、第２の感光性樹脂（不図示）を成膜し、第２の感光性樹脂に吐出口１０１を形成し、第１の感光性樹脂を有機溶剤により除去することで、液体流路３０９が形成される。このような手順により、第２の感光性樹脂が吐出口形成部材３１１となる。

図２（ｅ−２）に示すように、端面に凹部を形成する必要がない領域では、シリコン基板３０１をブレードダイシングで切断して記録素子基板を形成する。この工程により、記録素子基板の端部にブレードダイシング面３１２が形成される。図２（ｅ−１）に示す、凹部の高さＤ１は、例えば１００μｍから６００μｍの間であり、好ましくは、３００μｍから５００μｍの間の値である。凹部の軒幅Ｄ２は、例えば１０μｍから２００μｍの間であり、好ましくは２０μｍから１００μｍの間の値である。上記の工程により、シリコン基板３０１から記録素子基板１００が形成される。この記録素子基板１００を図１の支持部材１０５上に接合して、記録素子基板１００間および記録素子基板１００と電気配線基板１０２との間を、封止材１０３で充填する。封止材１０３は、例えば記録素子基板１００および電気配線基板１０２の間であって記録素子基板１００の凹部２０１が形成された端部から注入することができる。そして記録素子基板１００と電気配線基板１０２との間をリード配線１０４によって接続する。

＜第２の実施形態＞
図３は、本発明の第２の実施形態に係る液体吐出ヘッドの構成を示す図である。本実施形態に係る液体吐出ヘッドは、使用が想定される被記録媒体の最大幅をカバーする範囲に吐出口列が形成されるように記録素子基板が配置されている。このため、液体吐出ヘッドを幅方向に動かしてスキャンすることなく幅広の記録が可能であるフルマルチ方式と呼ばれる液体吐出装置に対応可能な液体吐出ヘッドである。フルマルチ方式に対応する液体吐出ヘッドでは、記録素子基板同士の間隔が吐出口の間隔に影響するため、高精細な記録のためには、記録素子基板同士を近づける必要がある。
本実施形態では、複数の記録素子基板１００のそれぞれは平行四辺形形状である。複数の記録素子基板１００は、図示しない支持部材の中央付近に吐出口１０１が並ぶ方向Ｘで並設される。このため、記録素子基板１００の吐出口１０１が並ぶ方向Ｘと交わる方向の端面が隣接する記録素子基板１００と対向する。記録素子基板１００同士の間隔は、約３０μｍである。この例では、記録素子基板１００は吐出口１０１が並ぶ方向Ｘと平行な一対の辺と、方向Ｘに対して直交しない一対の辺とを有する。したがって、隣接する記録素子基板１００と対向する辺は、吐出口１０１が並ぶ方向Ｘに対して直交せず斜め方向となる。
図３に示す記録素子基板１００の形状は一例である。例えば記録素子基板１００が平行四辺形のうち４つの角が全て等しい長方形である場合、千鳥状に配置してもよい。
図３（ｂ）は、図３（ａ）の記録素子基板１００が隣接する部分の断面形状を示す図である。本実施形態においても、記録素子基板１００が隣接する記録素子基板１００と対向する端面に凹部２０１を有する。

図４は、図３の液体吐出ヘッドを製造する方法を示す図である。図２に示した第１の実施形態との違いは、シリコン基板３０１を切断して記録素子基板１００ごとに分離する際に、ステルス方式のレーザーダイシングを用いる点である。このため、図４（ｃ−１）に示す第２の液体供給口３０７を形成する際に、溝３０５の部分ではＲＩＥで加工せず、吐出口形成部材３１１を形成した後に、シリコン基板３０１を分離部分５０１において記録素子基板１００ごとに分離する。隣接する記録素子基板１００と対向する端面を斜めに分離する場合、レーザーダイシングを用いることが有効である。

＜第３の実施形態＞
図５は、本発明の第３の実施形態に係る液体吐出ヘッドの構成を示す図である。第２の実施形態との違いは、凹部２０１の表面（凹部の壁面）に親水性の膜６０１が成膜されている点である。この親水性の膜６０１は、記録素子基板１００の面のうち親水性の膜６０１が形成されていない表面（シリコン面）よりも濡れ性が高い。例えば親水性の膜６０１は、金属酸化物を主成分とする膜であってよい。金属酸化物としては、例えば酸化タンタル、酸化ハフニウム、酸化ニオブ、酸化チタン、または酸化ジルコニウムなどを用いることができる。親水性の膜６０１は、複数の金属酸化物を含んでもよい。
図６は、図５の液体吐出ヘッドの製造方法を示す図である。第２の実施形態との違いは、第１の液体供給口３０４と、溝３０５とを形成する第１のダイシング工程の後、シリコン基板３０１を分離して記録素子基板１００を形成する第２のダイシング工程の前に、成膜工程を含む点である。成膜工程では、凹部２０１となる溝３０５の表面の少なくとも一部に親水性の膜６０１が成膜される。成膜工程では、例えば、ＡＬＤ（ＡｔｏｍｉｃＬａｙｅｒＤｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法や熱酸化法やプラズマＣＶＤ法などが用いられる。
成膜工程の後、図６（ｄ）に示されるように、ＲＩＥを用いて第２の液体供給口３０７を形成し、吐出口形成部材３１１を形成した後、第２のダイシング工程が行われる。第２のダイシング工程では、ステルス方式のレーザーダイシングを用いて、分離部分５０１においてシリコン基板３０１を分離して記録素子基板１００が形成される。
上記の通り、本実施形態では、凹部２０１の内面に親水性の膜が成膜されているため、封止材１０３が凹部２０１の内面に対して付着し易く、凹部２０１の内面に付着して薄く広がり易いため、封止材１０３がより凹部２０１の中に入り込む。このため、記録素子基板１００間の空間に封止材１０３をより安定的に注入することが可能になる。

＜第４の実施形態＞
図７（ｂ−１）および図７（ｂ−２）は、本発明の第４の実施形態に係る液体吐出ヘッドの構成を示す図である。具体的には、図７（ｂ−１）は本発明の第４の実施形態に係る液体吐出ヘッドの記録素子基板１００の端部の平面構成を示す透過図であり、図７（ｂ−２）は、図７（ｂ−１）のＧ−Ｇ断面図である。第４の実施形態に係る液体吐出ヘッドは、第１の実施形態に係る液体吐出ヘッドと比較して、記録素子基板１００に形成された凹部２０１の形状が異なる。図７（ａ−１）は、本発明の第１の実施形態に係る液体吐出ヘッドの記録素子基板１００の端部の平面構成を示す透過図であり、図７（ａ−２）は、図７（ａ−１）のＧ−Ｇ断面図である。第１の実施形態では、凹部２０１において、隣接する記録素子基板１００の間隔は、素子面２０２に平行な面内で一定である。これに対して、第４の実施形態では、素子面２０２に平行な面内で、所定の位置からの距離に応じて、記録素子基板１００の間隔が異なる。所定の位置は、例えば凹部２０１が設けられた端面が他の端面と交わる端部であり、封止材の注入位置８０１である。注入位置８０１からの距離が遠いほど、記録素子基板１００の間隔が狭くなっている。第４の実施形態では、２つの注入位置８０１が設けられており、近い方の注入位置８０１からの距離が遠いほど、記録素子基板１００の間隔が狭くなっている。このように注入位置８０１の付近では記録素子基板１００の間隔が広く、その後封止材が流れる方向８０２で封止材が進むにつれて、徐々に記録素子基板１００の間隔が狭くなっている。この構成により、より安定して封止材を記録素子基板１００間の空間に充填することが可能になる。素子面２０２に平行な面内における凹部２０１の形状は、図２（ｂ）に示し溝３０５を形成するための第１のエッチングマスク層３０３の開口パターンを変更することで、容易に制御することが可能である。

＜第５の実施形態＞
図７（ｃ−１）および図７（ｃ−２）は、本発明の第５の実施形態に係る液体吐出ヘッドの構成を示す図である。具体的には、図７（ｃ−１）は、本発明の第５の実施形態に係る液体吐出ヘッドの記録素子基板１００の端部の平面構成を示す透過図であり、図７（ｃ−２）は、図７（ｃ−１）のＧ−Ｇ断面図である。第５の実施形態に係る液体吐出ヘッドもまた、第１の実施形態に係る液体吐出ヘッドと比較して、記録素子基板１００に形成された凹部２０１の形状が異なる。本実施形態では、１つの注入位置８０１からの距離に応じて隣接する記録素子基板１００の間隔が変化する。具体的には、注入位置８０１は、凹部２０１が設けられた端面が他の端面と交わる端部であり、注入位置８０１からの距離が遠いほど隣接する記録素子基板１００の間隔が狭くなっている。この構成によれば、封止材は記録素子基板１００の一端部から一方向に向かって封止材が流れる。このため、封止材の流れの途中で泡溜まりが生じ難いという利点がある。

＜第６の実施形態＞
図７（ｄ−１）および図７（ｄ−２）は、本発明の第６の実施形態に係る液体吐出ヘッドの構成を示す図である。具体的には、図７（ｄ−１）は、本発明の第６の実施形態に係る液体吐出ヘッドの記録素子基板１００の端部の平面構成を示す透過図であり、図７（ｄ−２）は、図７（ｄ−１）のＧ−Ｇ断面図である。第６の実施形態に係る液体吐出ヘッドは、第２の実施形態に係る液体吐出ヘッドと比較して、記録素子基板１００に形成された凹部２０１の形状が異なる。本実施形態に係る液体吐出ヘッドは、図３（ａ）に示したように、吐出口１０１が並ぶ方向Ｘと直交する方向Ｙでは、複数の記録素子基板１００の位置はずれている。このため、記録素子基板１００の凹部２０１は、隣接する記録素子基板１００と対向する部分と対向しない部分とがある。本実施形態では、隣接する記録素子基板１００と対向する部分の凹部２０１の幅が、対向しない部分よりも広くなっている。したがって、より隣接する記録素子基板１００の間の空間に封止材を注入しやすくなっている。

以上、実施形態を参照して本願発明を説明したが、本願発明は上記実施形態に限定されるものではない。本願発明の構成や詳細には、本願発明の技術的思想の範囲内で当業者が理解し得る様々な変更をすることができる。
例えば、上記の実施形態では、凹部２０１はいずれも素子面２０２の裏面２０３と連通することとしたが、本発明はかかる例に限定されない。例えば、電気配線基板１０２の側から見たときに、記録素子基板１００同士の間の空間に封止材１０３を注入する開口部が、素子面２０２の間隔よりも広くなっていればよい。裏面２０３と凹部２０１が連通していなくてもよい。

１００記録素子基板
１０１吐出口
１０３封止材
２０１凹部
２０２素子面
２０３裏面
３０２エネルギー発生素子
６０１親水性の膜

Claims

吐出口から液体を吐出するためのエネルギーを発生するエネルギー発生素子を有する複数の記録素子基板と、
各記録素子基板の周囲に充填される封止材とを備え、
各記録素子基板は、隣接する記録素子基板と対向する端面に凹部を有し、当該凹部における隣接する記録素子基板同士の間隔は、前記エネルギー発生素子が設けられた素子面における記録素子基板同士の間隔よりも広く、
前記凹部の少なくとも一部には、親水性の膜が形成されていることを特徴とする、液体吐出ヘッド。
前記凹部は、当該凹部が設けられた端面と交わる端面に開口している、請求項１に記載の液体吐出ヘッド。
前記凹部は、前記素子面の裏面と連通している、請求項１または２に記載の液体吐出ヘッド。
前記親水性の膜は、前記記録素子基板の表面よりも濡れ性が高い、請求項１から３のいずれか１項に記載の液体吐出ヘッド。
前記素子面と平行な面内において、前記隣接する記録素子基板の間隔は、所定の位置からの距離に応じて異なる、請求項１から４のいずれか１項に記載の液体吐出ヘッド。
前記所定の位置は、前記凹部が設けられた端面が他の端面と交わる端部であり、
前記隣接する記録素子基板の間隔は、前記所定の位置からの距離が遠いほど狭い、請求項５に記載の液体吐出ヘッド。
前記所定の位置は、前記凹部が設けられた端面が他の端面と交わる２つの端部であり、
前記隣接する記録素子基板の間隔は、前記２つの端部のうち近い方の端部からの距離が遠いほど狭い、請求項５に記載の液体吐出ヘッド。
前記凹部は、隣接する記録素子基板と対向する部分と、隣接する記録素子基板と対向しない部分とを含み、
前記素子面と平行な面内において、隣接する記録素子基板と対向する部分における前記凹部の幅は、前記隣接する記録素子基板と対向しない部分における前記凹部の幅よりも広い、請求項１から４のいずれか１項に記載の液体吐出ヘッド。
吐出口から液体を吐出するためのエネルギーを発生するエネルギー発生素子を有する複数の記録素子基板と、
各記録素子基板の周囲に充填される封止材とを備え、
各記録素子基板は、隣接する記録素子基板と対向する端面に凹部を有し、当該凹部における隣接する記録素子基板同士の間隔は、前記エネルギー発生素子が設けられた素子面における記録素子基板同士の間隔よりも広く、
前記素子面と平行な面内において、前記隣接する記録素子基板の間隔は、所定の位置からの距離に応じて異なることを特徴とする、液体吐出ヘッド。
前記凹部は、当該凹部が設けられた端面と交わる端面に開口している、請求項９に記載の液体吐出ヘッド。
前記凹部は、前記素子面の裏面と連通している、請求項９または１０に記載の液体吐出ヘッド。
前記所定の位置は、前記凹部が設けられた端面が他の端面と交わる端部であり、
前記隣接する記録素子基板の間隔は、前記所定の位置からの距離が遠いほど狭い、請求項９から１１のいずれか１項に記載の液体吐出ヘッド。
前記所定の位置は、前記凹部が設けられた端面が他の端面と交わる２つの端部であり、
前記隣接する記録素子基板の間隔は、前記２つの端部のうち近い方の端部からの距離が遠いほど狭い、請求項９から１１のいずれか１項に記載の液体吐出ヘッド。
吐出口から液体を吐出するためのエネルギーを発生するエネルギー発生素子を有する複数の記録素子基板と、
各記録素子基板の周囲に充填される封止材とを備え、
各記録素子基板は、隣接する記録素子基板と対向する端面に凹部を有し、当該凹部における隣接する記録素子基板同士の間隔は、前記エネルギー発生素子が設けられた素子面における記録素子基板同士の間隔よりも広く、
前記凹部は、隣接する記録素子基板と対向する部分と、隣接する記録素子基板と対向しない部分とを含み、
前記素子面と平行な面内において、隣接する記録素子基板と対向する部分における前記凹部の幅は、前記隣接する記録素子基板と対向しない部分における前記凹部の幅よりも広いことを特徴とする、液体吐出ヘッド。
前記凹部は、当該凹部が設けられた端面と交わる端面に開口している、請求項１４に記載の液体吐出ヘッド。
前記凹部は、前記素子面の裏面と連通している、請求項１４または１５に記載の液体吐出ヘッド。
吐出口から液体を吐出するためのエネルギーを発生するエネルギー発生素子を有する複数の記録素子基板を備える液体吐出ヘッドの製造方法であって、
基板に溝を形成する第１のダイシング工程と、
前記第１のダイシング工程で形成された前記溝の内部で、当該溝よりも狭い幅で前記基板を分離して前記記録素子基板を形成する第２のダイシング工程と、を含み、
前記第１のダイシング工程の後、前記第２のダイシング工程の前に、前記溝の壁面に親水性の膜を形成する成膜工程をさらに含むことを特徴とする液体吐出ヘッドの製造方法。
前記第１のダイシング工程では、反応性イオンエッチングを用いて前記溝を形成する、請求項１７に記載の液体吐出ヘッドの製造方法。
前記第２のダイシング工程では、レーザーダイシングまたはブレードダイシングを用いて前記基板を分離する、請求項１７または１８に記載の液体吐出ヘッドの製造方法。
前記親水性の膜は、前記記録素子基板の表面よりも濡れ性が高い、請求項１７から１９のいずれか１項に記載の液体吐出ヘッドの製造方法。