JP6806100B2 - ガスセンサ - Google Patents
ガスセンサ Download PDFInfo
- Publication number
- JP6806100B2 JP6806100B2 JP2018014413A JP2018014413A JP6806100B2 JP 6806100 B2 JP6806100 B2 JP 6806100B2 JP 2018014413 A JP2018014413 A JP 2018014413A JP 2018014413 A JP2018014413 A JP 2018014413A JP 6806100 B2 JP6806100 B2 JP 6806100B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- gas sensor
- metal oxide
- gas
- oxide film
- film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N27/00—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N27/00—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means
- G01N27/02—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating impedance
- G01N27/04—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating impedance by investigating resistance
- G01N27/12—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating impedance by investigating resistance of a solid body in dependence upon absorption of a fluid; of a solid body in dependence upon reaction with a fluid, for detecting components in the fluid
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N27/00—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means
- G01N27/02—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating impedance
- G01N27/22—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating impedance by investigating capacitance
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Electrochemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Biochemistry (AREA)
- General Health & Medical Sciences (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Immunology (AREA)
- Pathology (AREA)
- Investigating Or Analyzing Materials By The Use Of Electric Means (AREA)
- Investigating Or Analyzing Materials By The Use Of Fluid Adsorption Or Reactions (AREA)
Description
図1は、本実施の形態におけるガスセンサ100の模式的な構成を示す図である。特に、図1(a)は、本実施の形態におけるガスセンサ100の模式的な構成を示す断面図であり、図1(b)は、本実施の形態におけるガスセンサ100の模式的な構成を示す斜視図である。図1(a)および図1(b)に示すガスセンサは、例えば、被検出ガス20である窒素酸化物ガス(NOx)のガス濃度を検出する電界効果型ガスセンサである。
次に、金属酸化物膜14と金属酸化物膜15の性質について説明する。本実施の形態における金属酸化物膜14は、イオン伝導性を有する。一方、金属酸化物膜15は、金属酸化物膜15の表面に吸着する被検出ガスの吸着種を変化させる触媒機能を有する。具体的に、金属酸化物膜15は、例えば、窒素酸化物ガス(NOx)を含むガスが金属酸化物膜15に接触すると、一酸化窒素(NO)が変性して、より吸着が容易な二酸化窒素(NO2)などの吸着種に変化させる機能を有している。そして、金属酸化物膜14は、金属酸化物膜15の表面に吸着した吸着種に起因して、イオン伝導性が変化する性質を有する。
続いて、本実施の形態におけるガスセンサによって、窒素酸化物ガスのガス濃度を検出することができる概念的な検出メカニズムについて説明する。まず、図1(a)および図1(b)に示すように、本実施の形態におけるガスセンサ100の上方には、窒素酸化物ガスを含む被検出ガス20が流れている。このとき、本実施の形態1におけるガスセンサ100では、金属酸化物膜15の表面の一部が露出している。このため、露出している金属酸化物膜15の表面には、窒素酸化物ガスが接触する。このとき、金属酸化物膜15は、金属酸化物膜15の表面に吸着する窒素酸化物ガスの吸着種を変化させる触媒機能を有する。言い換えれば、金属酸化物膜15は、金属酸化物膜15の表面に吸着した窒素酸化物ガスに対して酸素を供給する機能を有する。したがって、この金属酸化物膜15の触媒機能によって、窒素酸化物ガスに含まれる一酸化窒素(NO)が金属酸化物膜15に接触すると、一酸化窒素(NO)に対して、金属酸化物膜15から酸素が供給される。この結果、一酸化窒素(NO)は、より吸着が容易な二酸化窒素(NO2)などに変化する。そして、二酸化窒素(NO2)などが金属酸化物膜15から下層の金属酸化物膜14に移動して、金属酸化物膜14に対して、二酸化窒素(NO2)などから、酸素イオン(O2−)が供給される結果、金属酸化物膜14のイオン伝導性が変化する。これにより、ソース領域11とドレイン領域12に挟まれたチャネル形成領域に加わる電界強度が変化して、ソース領域11とドレイン領域12との間を流れる電流およびその電流を流すためのしきい値電圧(ゲート電圧)が変化する。このことから、本実施の形態におけるガスセンサ100においては、このしきい値電圧の変化に基づいて、窒素酸化物ガスのガス濃度を検出することができる。
次に、本実施の形態におけるゲート絶縁膜13を構成する材料について説明する。図1(a)および図1(b)に示す本実施の形態におけるゲート絶縁膜13は、例えば、酸化シリコンに代表されるシリコン(Si)を含む酸化物から構成される。本実施の形態におけるゲート絶縁膜13にシリコンを含む酸化物を使用することにより、ゲート電極からのリーク電流を抑制することができる。この結果、リーク電流に起因するノイズを低減できることから、本実施の形態におけるガスセンサ100の検出精度を向上できる。
続いて、本実施の形態における金属酸化物膜14を構成する材料について説明する。イオン伝導性を有する金属酸化物膜14は、例えば、ジルコニウム(Zr)を含む酸化物から構成される。また、イオン伝導性を有する金属酸化物膜14は、第1金属と第2金属とを含むように構成することもできる。このとき、第1金属は、ジルコニウム(Zr)である。一方、第2金属は、カルシウム(Ca)、マグネシウム(Mg)、イットリウム(Y)、ランタン(La)、セリウム(Ce)、プラセオジウム(Pr)、ネオジウム(Nd)、プロメチウム(Pm)、サマリウム(Sm)、ユーロピウム(Eu)、ガドリニウム(Gd)、テルビウム(Tb)、ジスプロシウム(Dy)、ホルミウム(Ho)、エルビウム(Er)、ツリウム(Tm)、イッテルビウム(Yb)、ルテチウム(Lu)、ハフニウム(Hf)から選ばれる少なくとも1種類の金属である。ここで、ジルコニウム(Zr)以外の元素の添加量は、モル比で1%以上15%以下であることが望ましい。
次に、本実施の形態における金属膜16を構成する材料について説明する。本実施の形態における金属膜16は、白金(Pt)、金(Au)、パラジウム(Pd)、ロジウム(Rh)から選ばれる少なくとも1種類の元素を含む膜から構成される。
本実施の形態におけるガスセンサ100は、電界効果型ガスセンサである。つまり、ガスセンサ100は、基本的に、nチャネル型電界効果トランジスタやpチャネル型電界効果トランジスタから構成することができる。
続いて、本実施の形態における半導体基板10を構成する材料について説明する。本実施の形態における半導体基板10は、例えば、シリコン(Si)やシリコンカーバイド(SiC)から構成することができる。特に、本実施の形態におけるガスセンサ100を自動車のエンジンから排気される排気ガスなどの高温ガス内で使用する場合、熱電子に起因するノイズを低減する観点から、バンドギャップの大きなシリコンカーバイド(SiC)を使用することが望ましい。
本実施の形態におけるガスセンサ100は、上記のように構成されており、以下に、本実施の形態におけるガスセンサ100を使用して、電気的に被検出ガス(窒素酸化物ガス)のガス濃度を検出するための回路構成について説明する。
図3は、図2に示す回路構成を使用して、被検出ガス(窒素酸化物ガス)のガス濃度を算出する方法を説明するグラフである。まず、電界効果トランジスタでは、ゲート電極にしきい値電圧よりも小さいゲート電圧を印加する場合、ソース領域11とドレイン領域12との間にチャネル(反転層)が形成されずに、電流がほとんど流れない。ところが、電界効果トランジスタでは、ゲート電極にある一定以上のゲート電圧を印加すると、ソース領域11とドレイン領域12との間にチャネル(反転層)が形成され、急激にソース領域11とドレイン領域12との間に電流が流れるようになる。そこで、本実施の形態では、ある電流値をしきい値電流とし、このしきい値電流を得るためのゲート電圧をしきい値電圧と定義する。具体的に、図3において、縦軸は、ドレイン電流を示しており、横軸は、ゲート電圧を示している。そして、縦軸には、しきい値電流I1が示されている。
次に、本実施の形態における特徴点について説明する。本実施の形態における第1特徴点は、例えば、図1(a)および図1(b)に示すように、ガスセンサ100において、互いに機能の異なる金属酸化物膜14と金属酸化物膜15とが積層膜を構成している点にある。これにより、本実施の形態におけるガスセンサ100によれば、ガスセンサ100の性能向上を図ることができる。
図6は、実施の形態の変形例1におけるガスセンサ100の模式的な構成を示す図である。特に、図6(a)は、本変形例1におけるガスセンサ100の模式的な構成を示す断面図であり、図6(b)は、本変形例1におけるガスセンサ100の模式的な構成を示す斜視図である。図6(a)および図6(b)に示すように、本変形例1におけるガスセンサ100は、金属膜16を櫛歯形状にしたこと以外は、実施の形態におけるガスセンサ100と同様の構成をしている。すなわち、本変形例1におけるガスセンサ100では、図6(a)および図6(b)に示すように、金属酸化物膜15上に金属膜16Aと金属膜16Bと金属膜16Cとが配置され、金属膜16Aと金属膜16Bと金属膜16Cとによって、櫛歯形状の電極が形成されている。このように、櫛歯形状の電極を使用することにより、下層の金属酸化物膜15への電圧印加および被検出ガスの流通が容易となる。この結果、本変形例1におけるガスセンサ100によれば、応答速度および応答感度の向上を図ることができる。
図7は、実施の形態の変形例2におけるガスセンサ100の模式的な構成を示す図である。特に、図7(a)は、本変形例2におけるガスセンサ100の模式的な構成を示す断面図であり、図7(b)は、本変形例2におけるガスセンサ100の模式的な構成を示す斜視図である。図7(a)および図7(b)に示すように、本変形例2におけるガスセンサ100は、金属膜16が金属酸化物膜15の内部に設けられている以外は、実施の形態におけるガスセンサ100と同様の構成をしている。言い換えれば、金属膜16は、被検出ガス(窒素酸化物ガス)を含む雰囲気に対して未露出となっている。このように構成されている本変形例2におけるガスセンサ100によれば、被検出ガス(窒素酸化物ガス)を含む雰囲気と接触する金属酸化物膜15の面積が大きくなる結果、ガスセンサ100の応答感度の向上を図ることができる。
図8は、実施の形態の変形例3におけるガスセンサ100の模式的な構成を示す図である。特に、図8(a)は、本変形例3におけるガスセンサ100の模式的な構成を示す断面図であり、図8(b)は、本変形例3におけるガスセンサ100の模式的な構成を示す斜視図である。図8(a)および図8(b)に示すように、本変形例3におけるガスセンサ100では、金属酸化物膜15と金属酸化物膜14とゲート絶縁膜13と半導体基板10とが雰囲気に曝されるように、実施の形態におけるガスセンサ100を横転させた構成をしている。このように構成されている本変形例3におけるガスセンサ100によれば、被検出ガス(窒素酸化物ガス)を含む雰囲気に金属酸化物膜15が接触する面積が大きくなる結果、ガスセンサ100の応答感度の向上を図ることができる。
実施の形態では、ガス濃度に応じてしきい値電圧が変化する電界効果型ガスセンサを例に挙げて説明したが、実施の形態における技術的思想は、これに限らず、例えば、ガス濃度に応じて、静電容量が変化に起因する電流−電圧特性の変化が生じる静電容量型ガスセンサにも適用することができる。例えば、静電容量型ガスセンサは、金属酸化物膜14と金属酸化物膜15と金属膜16とからなる上部電極と、半導体基板10からなる下部電極と、上部電極と前記下部電極に挟まれ、かつ、絶縁膜からなる容量絶縁膜とを有するように構成することができる。
実施の形態では、被検出ガスとして、窒素酸化物ガスを取り挙げて説明したが、実施の形態における技術的思想は、これに限らず、基本的に酸化還元反応を利用するガスセンサの検出対象となるガスのガス濃度の検出に幅広く適用することができる。例えば、被検出ガスとして、硫黄酸化物ガス(SOx)やアンモニアガス(NH3)にも適用できる。
被検出ガスの濃度を検出するガスセンサであって、
半導体基板上に形成された絶縁膜と、
前記絶縁膜上に形成された第1金属酸化物膜と、
前記第1金属酸化物膜上に形成された第2金属酸化物膜と、
前記第2金属酸化物膜と接する金属膜と、
を有し、
前記第2金属酸化物膜の一部は、露出している、ガスセンサ。
付記1に記載のガスセンサにおいて、
前記絶縁膜は、ゲート絶縁膜であり、
前記ゲート絶縁膜上に形成されたゲート電極は、
前記第1金属酸化物膜と、
前記第2金属酸化物膜と、
前記金属膜と、
から構成され、
前記ガスセンサは、さらに、
前記ゲート絶縁膜の直下の前記半導体基板内に形成されたチャネル形成領域と、
前記チャネル形成領域を挟むソース領域およびドレイン領域と、
を有する、ガスセンサ。
付記1に記載のガスセンサにおいて、
前記ガスセンサは、容量素子を構成し、
前記ガスセンサは、
前記第1金属酸化物膜と前記第2金属酸化物膜と前記金属膜とからなる上部電極と、
前記半導体基板からなる下部電極と、
前記上部電極と前記下部電極に挟まれ、かつ、前記絶縁膜からなる容量絶縁膜と、
を有する、ガスセンサ。
付記1に記載のガスセンサにおいて、
前記被検出ガスは、窒素酸化物である、ガスセンサ。
付記1に記載のガスセンサと、
被検出ガスとは異なるガス成分を除去するイオンポンプ部と、
を備え、
前記イオンポンプ部は、
イオン伝導膜と、
前記イオン伝導膜の下面に接するように形成された第1イオンポンプ電極と、
前記イオン伝導膜の上面に接するように形成された第2イオンポンプ電極と、
を有する、ガスセンサモジュール。
11 ソース領域
12 ドレイン領域
13 ゲート絶縁膜
14 金属酸化物膜
15 金属酸化物膜
16 金属膜
20 被検出ガス
100 ガスセンサ
Claims (13)
- 被検出ガスの濃度を検出するガスセンサであって、
半導体基板上に形成された絶縁膜と、
前記絶縁膜上に形成された第1金属酸化物膜と、
前記第1金属酸化物膜上に形成された第2金属酸化物膜と、
前記第2金属酸化物膜と接する金属膜と、
を有し、
前記第2金属酸化物膜の一部は、露出しており、
前記絶縁膜は、ゲート絶縁膜であり、
前記ゲート絶縁膜上に形成されたゲート電極は、
前記第1金属酸化物膜と、
前記第2金属酸化物膜と、
前記金属膜と、
から構成され、
前記ガスセンサは、さらに、
前記半導体基板内に形成されたチャネル形成領域と、
前記チャネル形成領域を挟むソース領域およびドレイン領域と、
を有し、
前記第1金属酸化物膜は、イオン伝導性を有し、
前記第2金属酸化物膜は、前記第2金属酸化物膜の表面に吸着する前記被検出ガスの吸着種を変化させる触媒機能を有し、
前記ガスセンサは、前記第2金属酸化物膜の触媒機能によって変化した前記被検出ガスの吸着種に起因する前記第1金属酸化物膜のイオン伝導性の変化から生じるしきい値電圧の変化に基づいて、前記被検出ガスのガス濃度を検出するように構成されている、ガスセンサ。 - 請求項1に記載のガスセンサにおいて、
前記金属膜は、前記金属膜の表面に吸着する前記被検出ガスの吸着種を変化させる触媒機能を有する、ガスセンサ。 - 請求項1または2に記載のガスセンサにおいて、
前記第1金属酸化物膜は、ジルコニウムを含む酸化物からなる膜である、ガスセンサ。 - 請求項1〜3の何れか1項に記載のガスセンサにおいて、
前記第1金属酸化物膜は、第1金属と第2金属とを含み、
前記第1金属は、ジルコニウムであり、
前記第2金属は、カルシウム、マグネシウム、イットリウム、ランタン、セリウム、プラセオジウム、ネオジウム、プロメチウム、サマリウム、ユーロピウム、ガドリニウム、テルビウム、ジスプロシウム、ホルミウム、エルビウム、ツリウム、イッテルビウム、ルテチウム、ハフニウムから選ばれる少なくとも1種類の金属である、ガスセンサ。 - 請求項4に記載のガスセンサにおいて、
前記第1金属酸化物膜を構成する金属酸化物の結晶構造は、正方晶または立方晶である、ガスセンサ。 - 請求項1〜5の何れか1項に記載のガスセンサにおいて、
前記第2金属酸化物膜は、ニッケルを含む酸化物からなる膜である、ガスセンサ。 - 請求項6に記載のガスセンサにおいて、
前記第2金属酸化物膜は、ロジウム、パラジウム、白金、ルテニウム、銅、鉄、コバルト、マンガン、セリウム、ジルコニウムから選ばれる少なくとも1種類の元素を含む膜である、ガスセンサ。 - 請求項1〜7の何れか1項に記載のガスセンサにおいて、
前記第2金属酸化物膜は、少なくとも一部が多孔質である、ガスセンサ。 - 請求項1〜8の何れか1項に記載のガスセンサにおいて、
前記金属膜は、白金、金、パラジウム、ロジウムから選ばれる少なくとも1種類の元素を含む膜である、ガスセンサ。 - 請求項1〜9の何れか1項に記載のガスセンサにおいて、
前記第2金属酸化物膜と前記金属膜との接触部分は、露出している、ガスセンサ。 - 請求項1〜9の何れか1項に記載のガスセンサにおいて、
前記金属膜は、未露出である、ガスセンサ。 - 請求項1〜11の何れか1項に記載のガスセンサにおいて、
前記絶縁膜は、酸化シリコン膜である、ガスセンサ。 - 請求項1〜12の何れか1項に記載のガスセンサにおいて、
前記半導体基板は、炭化珪素を主成分として含む、ガスセンサ。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2018014413A JP6806100B2 (ja) | 2018-01-31 | 2018-01-31 | ガスセンサ |
PCT/JP2018/031820 WO2019150631A1 (ja) | 2018-01-31 | 2018-08-28 | ガスセンサ |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2018014413A JP6806100B2 (ja) | 2018-01-31 | 2018-01-31 | ガスセンサ |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2019132676A JP2019132676A (ja) | 2019-08-08 |
JP6806100B2 true JP6806100B2 (ja) | 2021-01-06 |
Family
ID=67478103
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2018014413A Active JP6806100B2 (ja) | 2018-01-31 | 2018-01-31 | ガスセンサ |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6806100B2 (ja) |
WO (1) | WO2019150631A1 (ja) |
Family Cites Families (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS63128246A (ja) * | 1986-11-19 | 1988-05-31 | Seitai Kinou Riyou Kagakuhin Shinseizou Gijutsu Kenkyu Kumiai | 電界効果トランジスタ型酸素ガスセンサ |
JPH0450755A (ja) * | 1990-06-20 | 1992-02-19 | Hitachi Ltd | 半導体ガスセンサ |
SE503265C2 (sv) * | 1994-09-23 | 1996-04-29 | Forskarpatent Ab | Förfarande och anordning för gasdetektion |
JPH09218178A (ja) * | 1996-02-13 | 1997-08-19 | Ngk Spark Plug Co Ltd | ガスセンサとその製造方法 |
JP4467022B2 (ja) * | 2000-03-31 | 2010-05-26 | フィガロ技研株式会社 | ガスセンサ |
JP2002174617A (ja) * | 2000-12-07 | 2002-06-21 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | ガスセンサ |
JP4389031B2 (ja) * | 2006-12-06 | 2009-12-24 | 国立大学法人 岡山大学 | ガスセンサ |
US9389212B2 (en) * | 2011-02-28 | 2016-07-12 | Honeywell International Inc. | NOx gas sensor including nickel oxide |
DE102014226810A1 (de) * | 2014-12-22 | 2016-06-23 | Robert Bosch Gmbh | Sensor zur Messung der Kohlenstoffdioxidkonzentration in einem Gasgemisch und Verfahren zu seiner Herstellung |
EP3267187B1 (en) * | 2016-07-08 | 2020-04-15 | Volvo Car Corporation | Silicon carbide based field effect gas sensor for high temperature applications |
-
2018
- 2018-01-31 JP JP2018014413A patent/JP6806100B2/ja active Active
- 2018-08-28 WO PCT/JP2018/031820 patent/WO2019150631A1/ja active Application Filing
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
WO2019150631A1 (ja) | 2019-08-08 |
JP2019132676A (ja) | 2019-08-08 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
Di Bartolomeo et al. | Sensing mechanism of potentiometric gas sensors based on stabilized zirconia with oxide electrodes: is it always mixed potential? | |
US11933752B2 (en) | Gas sensor and fuel cell vehicle | |
JP4418672B2 (ja) | 気体混合物中の成分の濃度を測定する固体電気化学セル及び測定方法 | |
JPH05203605A (ja) | 一酸化炭素検出のための化学的センサ | |
JP4162262B2 (ja) | ガス混合物中の酸化可能な成分の濃度を測定するためのセンサ | |
EP2115402A2 (en) | Nox sensor with improved selectivity and sensitivity | |
JP5328669B2 (ja) | リッチガスの反応が抑制されているセンサ素子 | |
JP5240432B2 (ja) | 炭化水素濃度測定用センサ素子、および炭化水素濃度測定方法 | |
JP6806100B2 (ja) | ガスセンサ | |
JP5085993B2 (ja) | ガス混合物中の種々のガスを検出するための混成電位型センサおよび該センサによりガス混合物中の種々のガスを検出する方法 | |
KR101553796B1 (ko) | 트랜지스터형 수소 검출 센서 | |
JP2013068632A (ja) | 炭化水素濃度測定用センサ素子、および炭化水素濃度測定方法 | |
JP7261741B2 (ja) | ガス状または液体成分を検出するための選択的高電子移動度トランジスタを備える検出センサ | |
JP2020020737A (ja) | ガスセンサ | |
JP5168725B2 (ja) | ガスセンサ | |
ES2908886T3 (es) | Procedimiento para operar un sensor para detectar al menos una parte de un componente de gas de medición con oxígeno ligado, en un gas de medición | |
Ishihara et al. | Effects of Pt addition for SrSnO3–WO3 capacitive type sensor on NO detection at high temperature | |
ES2955035T3 (es) | Procedimiento para reducir errores de medición en la detección de amoniaco al operar un sistema de sensores | |
JP2019023601A (ja) | アンモニア濃度検出装置 | |
EP2466298A1 (en) | Method of making an electrically conductive structure, method of making a gas sensor, gas sensor obtained with the method and use of the gas sensor for sensing a gas | |
KR102654353B1 (ko) | 금 기준전극을 포함하는 이종접합 구조의 고체전해질 수소센서 | |
JP2019049444A (ja) | NOxセンサ素子及びNOxセンサ | |
JP4100984B2 (ja) | 水素センサー及び水素濃度の検出方法 | |
JP3801789B2 (ja) | ガスセンサ | |
CN110140044B (zh) | 用于感测在测量气体室中的测量气体的至少一个特性的传感器元件 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20200430 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20200818 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20201019 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20201104 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20201117 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6806100 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |