JP6792960B2 - 表示装置 - Google Patents
表示装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP6792960B2 JP6792960B2 JP2016097999A JP2016097999A JP6792960B2 JP 6792960 B2 JP6792960 B2 JP 6792960B2 JP 2016097999 A JP2016097999 A JP 2016097999A JP 2016097999 A JP2016097999 A JP 2016097999A JP 6792960 B2 JP6792960 B2 JP 6792960B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- organic layer
- pixel
- electrode
- display device
- light emitting
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 claims description 126
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 38
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 claims description 19
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 5
- 229920003026 Acene Polymers 0.000 claims description 2
- MWPLVEDNUUSJAV-UHFFFAOYSA-N anthracene Chemical compound C1=CC=CC2=CC3=CC=CC=C3C=C21 MWPLVEDNUUSJAV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- IEQIEDJGQAUEQZ-UHFFFAOYSA-N phthalocyanine Chemical compound N1C(N=C2C3=CC=CC=C3C(N=C3C4=CC=CC=C4C(=N4)N3)=N2)=C(C=CC=C2)C2=C1N=C1C2=CC=CC=C2C4=N1 IEQIEDJGQAUEQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 238000010030 laminating Methods 0.000 claims 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 35
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 31
- 238000000034 method Methods 0.000 description 19
- 239000000463 material Substances 0.000 description 18
- 230000006870 function Effects 0.000 description 17
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 13
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 7
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 7
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 6
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 5
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 5
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 5
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 5
- 238000004770 highest occupied molecular orbital Methods 0.000 description 4
- 238000004768 lowest unoccupied molecular orbital Methods 0.000 description 4
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 3
- 239000003566 sealing material Substances 0.000 description 3
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000010408 film Substances 0.000 description 2
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 2
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 238000005192 partition Methods 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 1
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 1
- XMWRBQBLMFGWIX-UHFFFAOYSA-N C60 fullerene Chemical class C12=C3C(C4=C56)=C7C8=C5C5=C9C%10=C6C6=C4C1=C1C4=C6C6=C%10C%10=C9C9=C%11C5=C8C5=C8C7=C3C3=C7C2=C1C1=C2C4=C6C4=C%10C6=C9C9=C%11C5=C5C8=C3C3=C7C1=C1C2=C4C6=C2C9=C5C3=C12 XMWRBQBLMFGWIX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000862 absorption spectrum Methods 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 1
- 230000014509 gene expression Effects 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 238000000638 solvent extraction Methods 0.000 description 1
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 1
- 238000000427 thin-film deposition Methods 0.000 description 1
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/122—Pixel-defining structures or layers, e.g. banks
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/805—Electrodes
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/40—OLEDs integrated with touch screens
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/805—Electrodes
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K65/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element and at least one organic radiation-sensitive element, e.g. organic opto-couplers
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
Description
図面を参照して、本実施形態に係る表示装置について説明する。特に、本実施形態に係る表示装置の外観の構成、回路構成、駆動方法、及び画素の構成について説明する。
[外観の構成]
図1は、本実施形態に係る表示装置100の外観の構成を説明する斜視図である。図1を用いて、本実施形態に係る表示装置100の外観の構成について説明する。
図2は、本実施形態に係る表示装置100の回路構成を説明する回路図である。図3は、本実施形態に係る表示装置100が有する画素110の回路構成を説明する回路図である。図3では、図2の領域Aに示す隣接した発光画素110a及び受光画素110bに配置された回路を示している。
図4は、本実施形態に係る表示装置100の駆動方法を説明する図である。本実施形態に係る表示装置100の駆動方法は、1フレーム期間において、発光画素走査期間と、受光画素走査期間とを含む。
図5は、本実施形態に係る表示装置100が有する画素110のレイアウトを説明する平面図である。図6は、本実施形態に係る表示装置100が有する画素110の構成を説明する断面図である。図14は、発光素子144及び受光素子146の層構造におけるエネルギーダイヤグラムを説明する図である。
本実施形態に係る表示装置100の一変形例について説明する。
本実施形態に係る表示装置の構成について説明する。
図9は、本実施形態に係る表示装置300が有する画素110のレイアウトを説明する平面図である。図10は、本実施形態に係る表示装置300が有する画素110の構成を説明する断面図である。本実施形態に係る表示装置300と、第1実施形態に係る表示装置100とを比べると、受光画素110bの構成及び受光画素110bのレイアウトが異なっている。以下では、第1実施形態に係る表示装置100と共通する構成については説明を省略する。
本実施形態に係る表示装置の構成について説明する。
本実施形態に係る表示装置について説明する。
[回路構成]
図12は、本実施形態に係る表示装置500の回路構成を説明する回路図である。本実施形態に係る表示装置500は、第1実施形態に係る表示装置100と比べると、画素回路132の構成及び駆動方法が異なっている。図13は、本実施形態に係る表示装置500が有する画素110の回路構成を説明する回路図である。図13では、図12の領域Aに示す隣接した発光画素110a及び受光画素110bに配置された回路を示している。以下では、本実施形態に係る表示装置500の回路構成及び駆動方法について説明する。
複数の第4走査信号線126は、マトリクス状に配列された複数の画素110の、画素行毎に配置されている。但し、一つの画素行において発光画素110aのみが配列され、受光画素110bが配列されない場合は、当該画素行に第4走査信号線126は配置されなくてもよい。
本実施形態に係る表示装置500の駆動方法は、第1実施形態に係る表示装置100と同様に、1フレーム期間において、発光画素走査期間と、受光画素走査期間とを含む。
Claims (6)
- 複数の画素電極と、
前記複数の画素電極の各々に隣接し、前記複数の画素電極の各々と離間して設けられた複数の第1電極と、
前記複数の画素電極の各々の端部、前記複数の第1電極の各々の端部、及び互いの間隙部を覆うように形成されたバンクと、
前記複数の画素電極上、前記複数の第1電極上、及び前記バンク上に連続的に設けられた第1有機層と、
前記第1有機層上の、前記複数の画素電極と重畳する領域に設けられた第2有機層と、
前記第2有機層上、前記第1電極と重畳する前記第1有機層上、及び前記バンクと重畳する前記第1有機層上に連続的に設けられた第3有機層と、
前記複数の画素電極に重畳する前記第3有機層上に設けられた対向電極と、
前記第1電極に重畳する前記第3有機層上に設けられた第2電極とを備え、
前記画素電極、前記第1有機層、前記第2有機層、前記第3有機層、及び前記対向電極の積層によって発光素子が構成され、
前記第1電極、前記第1有機層、前記第3有機層、及び前記第2電極の積層によって光電変換素子が構成され、
前記発光素子における、前記画素電極と前記対向電極との間の積層は、前記光電変換素子における、前記第1電極と前記第2電極との間の積層に含まれる全ての層を含み、
前記複数の第1電極と前記第2電極との間に挟まれる層の積層数は、前記画素電極と前記対向電極との間に挟まれる層の積層数よりも少ない、表示装置。 - マトリクス状に配列された複数の画素電極と、
前記複数の画素電極の各々の端部、及び互いの間隙部を覆うように形成されたバンクと、
前記バンク上に、前記複数の画素電極とは互いに離間して形成された複数の第1電極と、
前記複数の画素電極上、前記第1電極上、及び前記バンク上に連続的に設けられた第1有機層と、
前記第1有機層上であって、前記複数の画素電極と重畳する領域に設けられた第2有機層と、
前記第2有機層上、前記第1電極と重畳する前記第1有機層上、及び前記バンクと重畳する前記第1有機層上に連続的に設けられた第3有機層と、
前記複数の画素電極の各々に対向し、前記第3有機層上に設けられた対向電極と、
前記複数の第1電極の各々に対向し、前記第3有機層上に設けられた第2電極とを備え、
前記画素電極、前記第1有機層、前記第2有機層、前記第3有機層、及び前記対向電極の積層によって発光素子が構成され、
前記第1電極、前記第1有機層、前記第3有機層、及び前記第2電極の積層によって光電変換素子が構成され、
前記発光素子における、前記画素電極と前記対向電極との間の積層は、前記光電変換素子における、前記第1電極と前記第2電極との間の積層に含まれる全ての層を含み、
前記複数の第1電極と前記第2電極との間に挟まれる層の積層数は、前記画素電極と前記対向電極との間に挟まれる層の積層数よりも少ない、表示装置。 - 前記対向電極は、前記複数の画素電極の一に重畳する領域と、前記複数の画素電極の他の一に重畳する領域と、に亘って電気的に接続されていることを特徴とする請求項2記載の表示装置。
- 前記対向電極及び前記第2電極は、電気的に接続されていることを特徴とする請求項1乃至請求項3のいずれか一に記載の表示装置。
- 前記複数の画素電極及び前記複数の第1電極は、平面視において前記バンクを介して重畳する箇所を有することを特徴とする請求項2記載の表示装置。
- 前記第1有機層は、金属フタロシアニン、又はアセンを含むことを特徴とする請求項1乃至請求項5のいずれか一に記載の表示装置。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2016097999A JP6792960B2 (ja) | 2016-05-16 | 2016-05-16 | 表示装置 |
US15/492,093 US10115777B2 (en) | 2016-05-16 | 2017-04-20 | Display Device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2016097999A JP6792960B2 (ja) | 2016-05-16 | 2016-05-16 | 表示装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2017208173A JP2017208173A (ja) | 2017-11-24 |
JP6792960B2 true JP6792960B2 (ja) | 2020-12-02 |
Family
ID=60294743
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2016097999A Active JP6792960B2 (ja) | 2016-05-16 | 2016-05-16 | 表示装置 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US10115777B2 (ja) |
JP (1) | JP6792960B2 (ja) |
Families Citing this family (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US11196969B2 (en) * | 2018-09-14 | 2021-12-07 | Google Llc | Image capture display |
DE112020000840T5 (de) * | 2019-02-15 | 2021-11-11 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Anzeigevorrichtung, Anzeigemodul und elektronisches Gerät |
US11659758B2 (en) | 2019-07-05 | 2023-05-23 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display unit, display module, and electronic device |
CN113994477A (zh) | 2019-07-05 | 2022-01-28 | 株式会社半导体能源研究所 | 发光器件、功能面板、显示装置、输入输出装置、数据处理装置 |
US11394014B2 (en) | 2019-08-29 | 2022-07-19 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display unit, display module, and electronic device |
US11527582B1 (en) | 2019-09-24 | 2022-12-13 | Apple Inc. | Display stack with integrated photodetectors |
TW202117694A (zh) | 2019-09-27 | 2021-05-01 | 日商半導體能源研究所股份有限公司 | 顯示裝置、識別方法及程式 |
US11804064B2 (en) | 2019-09-27 | 2023-10-31 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Electronic device |
US20230103995A1 (en) * | 2020-03-27 | 2023-04-06 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device |
US20230247873A1 (en) * | 2020-07-03 | 2023-08-03 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display apparatus, display module, and electronic device |
US11839133B2 (en) * | 2021-03-12 | 2023-12-05 | Apple Inc. | Organic photodetectors for in-cell optical sensing |
JPWO2022248974A1 (ja) * | 2021-05-27 | 2022-12-01 |
Family Cites Families (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TWI249363B (en) * | 2000-02-25 | 2006-02-11 | Seiko Epson Corp | Organic electroluminescence device and manufacturing method therefor |
JP2005293074A (ja) * | 2004-03-31 | 2005-10-20 | Yokogawa Electric Corp | ポインティングデバイス |
JP2008262176A (ja) * | 2007-03-16 | 2008-10-30 | Hitachi Displays Ltd | 有機el表示装置 |
JP2009288956A (ja) | 2008-05-28 | 2009-12-10 | Canon Inc | タッチパネル機能付き有機el表示装置 |
JP2010225964A (ja) * | 2009-03-25 | 2010-10-07 | Seiko Epson Corp | 発光素子及び発光装置 |
KR101074799B1 (ko) * | 2009-08-18 | 2011-10-19 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 터치 스크린 디스플레이 장치, 및 이의 제조 방법 |
JP5644677B2 (ja) * | 2011-05-31 | 2014-12-24 | セイコーエプソン株式会社 | 有機el装置 |
JP5558446B2 (ja) * | 2011-09-26 | 2014-07-23 | 株式会社東芝 | 光電変換装置及びその製造方法 |
KR102111625B1 (ko) * | 2013-06-28 | 2020-05-18 | 삼성디스플레이 주식회사 | 터치센서 내장형 표시장치 및 그의 제조방법 |
JP6424513B2 (ja) * | 2014-08-22 | 2018-11-21 | コニカミノルタ株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
JP6546387B2 (ja) * | 2014-10-28 | 2019-07-17 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 表示装置 |
-
2016
- 2016-05-16 JP JP2016097999A patent/JP6792960B2/ja active Active
-
2017
- 2017-04-20 US US15/492,093 patent/US10115777B2/en active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US10115777B2 (en) | 2018-10-30 |
US20170330920A1 (en) | 2017-11-16 |
JP2017208173A (ja) | 2017-11-24 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6792960B2 (ja) | 表示装置 | |
US11737339B2 (en) | Touch sensible organic light emitting device | |
JP4940226B2 (ja) | 有機発光表示装置 | |
US10969911B2 (en) | Touch sensor and display device | |
JP2018036896A (ja) | タッチセンサ及び表示装置 | |
KR102443645B1 (ko) | 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법 | |
JP2018110096A (ja) | 表示装置 | |
KR102632245B1 (ko) | 터치 센서 및 표시 장치 | |
CN101833914A (zh) | 有机发光显示器 | |
US20230273702A1 (en) | Display device | |
JP4639662B2 (ja) | 電気光学装置および電子機器 | |
KR20220085929A (ko) | 표시 패널 | |
CN116301444A (zh) | 具有触摸传感器的透明显示装置 | |
KR20230048177A (ko) | 표시 장치 | |
US20120119073A1 (en) | Input/output device and driving method thereof | |
KR20210085977A (ko) | 디스플레이 장치 | |
US20230345795A1 (en) | Display device including a partition | |
US20240237475A9 (en) | Display device | |
US20240138229A1 (en) | Display device | |
KR20230151587A (ko) | 표시 장치 | |
KR20230143228A (ko) | 표시 장치 | |
JP2024036310A (ja) | 表示装置 | |
KR20240055919A (ko) | 표시 장치 | |
KR20230102197A (ko) | 표시장치 | |
CN116437717A (zh) | 发光显示装置及其修复方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20190515 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20200423 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20200519 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20200717 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20200901 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20201012 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20201027 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20201109 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6792960 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |