JP6792405B2 - 表示装置の作製方法 - Google Patents
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Description
本発明の一態様の表示装置100について、図面を用いて説明する。
〔構成例1〕
図1は、表示装置100の斜視概略図である。表示装置100は、基板351と基板361とが貼り合わされた構成を有する。図1では、基板361を破線で明示している。
基板351および基板361に用いる材料に大きな制限はない。目的に応じて、透光性の有無や加熱処理に耐えうる程度の耐熱性などを勘案して決定すればよい。例えばバリウムホウケイ酸ガラスやアルミノホウケイ酸ガラスなどのガラス基板、セラミック基板、石英基板、サファイア基板などを用いることができる。また、半導体基板、可撓性基板(フレキシブル基板)、貼り合わせフィルム、基材フィルムなどを用いてもよい。
トランジスタのゲート、ソースおよびドレインのほか、表示装置を構成する各種配線および電極などの導電層に用いることのできる材料としては、アルミニウム、チタン、クロム、ニッケル、銅、イットリウム、ジルコニウム、モリブデン、銀、タンタル、またはタングステンなどの金属、またはこれを主成分とする合金などが挙げられる。これらの材料を含む膜を単層で、または積層構造として用いることができる。
各絶縁層に用いることのできる絶縁材料としては、例えば、アクリル、エポキシなどの樹脂材料、酸化シリコン、酸化窒化シリコン、窒化酸化シリコン、窒化シリコン、酸化アルミニウムなどの無機絶縁材料が挙げられる。
着色層に用いることのできる材料としては、金属材料、樹脂材料、顔料または染料が含まれた樹脂材料などが挙げられる。着色層の色を画素毎に異ならせ、複数の画素を組み合わせることで、カラー表示を実現できる。
遮光層として用いることのできる材料としては、カーボンブラック、チタンブラック、金属、金属酸化物、複数の金属酸化物の固溶体を含む複合酸化物等が挙げられる。遮光層は、樹脂材料を含む膜であってもよいし、金属などの無機材料の薄膜であってもよい。また、遮光層に、着色層の材料を含む膜の積層膜を用いることもできる。例えば、ある色の光を透過する着色層に用いる材料を含む膜と、他の色の光を透過する着色層に用いる材料を含む膜との積層構造を用いることができる。着色層と遮光層の材料を共通化することで、装置を共通化できるほか工程を簡略化できるため好ましい。
表示装置100の変形例である表示装置100Aの断面を図3に示す。表示装置100Aは、液晶素子170および液晶素子180にゲスト−ホストモードで動作する液晶材料を用いる場合の断面構成例を示している。
表示装置100の変形例である表示装置100Cの断面を図5に示す。表示装置100Cは、絶縁層213と絶縁層214の間に着色層134を有する。また、着色層131と着色層134が重ならないように設けられている。その他の構成については、表示装置1001と同様のため、詳細な説明を省略する。
本発明の一態様において、表示装置が有するトランジスタの構造は特に限定されない。例えば、プレーナ型のトランジスタとしてもよいし、スタガ型のトランジスタとしてもよいし、逆スタガ型のトランジスタとしてもよい。また、トップゲート構造またはボトムゲート構造のいずれのトランジスタ構造としてもよい。または、チャネルの上下にゲート電極が設けられていてもよい。
トランジスタの半導体層に用いる半導体材料の結晶性について大きな制限はない。非晶質半導体、結晶性を有する半導体(微結晶半導体、多結晶半導体、単結晶半導体、または一部に結晶領域を有する半導体)のいずれを用いてもよい。なお、結晶性を有する半導体を用いると、トランジスタ特性の劣化を抑制できるため好ましい。
表示装置100の作製方法の一例について、図面を用いて説明する。特に、表示装置100の表示部362に着目して、作製方法を説明する。
本実施の形態に示す表示装置100は、対向基板171(図8(C)参照。)とトランジスタ基板181(図14)参照。)を組み合わせて作製する。
まず、対向基板171の作製方法について説明する。
支持基板331上に剥離層332を形成し、剥離層332上に層333を形成する(図7(A)参照。)。支持基板331としては、基板351および基板361と同様の材料を用いることができる。また、支持基板331は、光を透過する機能を有することが好ましい。特に、紫外光を透過する機能を有することが好ましい。
次に、表面に反射防止層135が設けられた基板361を、層333上に設ける(図7(B)参照。)。この時、反射防止層135が、層333と基板361で挟まれるように配置する。基板361の厚さは、0.01mm以上0.5mm未満が好ましく、0.1mm以上0.4未満がより好ましい。基板361の厚さを0.5mm未満にすることで、表示装置100の薄型化および軽量化が実現できる。また、基板361の研磨工程を削減することができるため、表示装置100の生産性を高めることができる。
次に、基板361上に偏光板123を設け、偏光板123上に光拡散層122を設ける(図7(C)参照。)。
次に、光拡散層122上にタッチセンサ370を設ける(図8(A)参照。)。本実施の形態では、タッチセンサ370は導電層374、絶縁層375、導電層376a、導電層376b、導電層377、および絶縁層378を有する。
次に、タッチセンサ370上に着色層131と遮光層132を形成する(図8(B)参照。)。着色層131は、感光性の材料を用いて形成することで、フォトリソグラフィ法等により島状に加工することができる。なお、図2に示す表示装置100では、回路364等と重ねて遮光層132を設けている。なお、着色層131と遮光層132は、必要に応じて設ければよい。よって、着色層131と遮光層132の少なくとも一方を設けない場合もありうる。
次に、着色層131及び遮光層132上に、絶縁層121を形成する。
次に、電極113を形成する。電極113は、導電層を形成した後、レジストマスクを形成し、当該導電膜をエッチングした後にレジストマスクを除去することにより形成できる。電極113は、可視光を透過する導電材料を用いて形成する。
次に、電極113上に、絶縁層117を形成する。絶縁層117は、透光性を有する材料を用いて形成することが好ましい。絶縁層117は、有機樹脂材料を用いて形成することが好ましい。
次に、電極113及び絶縁層117上に、配向膜133bを形成する(図8(C)参照。)。配向膜133bは、樹脂等の薄膜を形成した後に、配向処理(ラビング処理または光配向処理など)を行うことで形成できる。
続いて、トランジスタ基板181の作製方法について説明する。トランジスタ基板181は、要素基板182と要素基板183を組み合わせて作製する。
支持基板334上に剥離層335を形成し、剥離層335上に層336を形成する(図9(A)参照。)。支持基板334としては、支持基板331と同様の材料を用いることができる。また、支持基板334は、紫外光を透過する機能を有することが好ましい。剥離層335は、剥離層332と同様の材料を用いることができる。層336は、層333と同様の材料を用いることができる。
次に、層336上に絶縁層337を形成し、絶縁層337上に電極311aを形成し、電極311a上に電極311bを形成する(図9(B)参照。)。電極311bは、電極311a上に開口部451を有する。電極311a及び電極311bは、それぞれ、導電膜を成膜した後、レジストマスクを形成し、当該導電膜をエッチングした後にレジストマスクを除去することにより形成できる。電極311aは、可視光を透過する導電材料を用いて形成する。電極311bは、可視光を反射する導電材料を用いて形成する。なお、絶縁層337は、必要に応じて設ければよい。よって、絶縁層337を設けない場合もありうる。
次に、絶縁層220を形成する(図9(C)参照。)。そして、絶縁層220に電極311bに達する開口を設ける。
次に、絶縁層220上に、トランジスタ206、トランジスタ205、及び容量素子203を形成する。
次に、トランジスタ206を覆う絶縁層212を形成し、絶縁層212上に導電層223を形成する。次に、絶縁層213を形成する。
次に、必要に応じて、絶縁層213上に、着色層134を形成してもよい。(図示せず。)。着色層134は、開口部451と重なるように配置する。着色層134は、着色層131と同様の方法により形成することができる。着色層134が不要な場合は、本工程は行われない。
次に、絶縁層214を形成する(図10(A)参照。)。絶縁層214は、後に形成する表示素子の被形成面となる層であるため、平坦化層として機能することが好ましい。絶縁層214は、絶縁層121に用いることのできる樹脂または無機絶縁膜を援用できる。
次に、絶縁層212、絶縁層213、及び絶縁層214に、トランジスタ205が有する導電層222bに達する開口を形成する。
次に、電極191を形成する。電極191は、導電膜を成膜した後、レジストマスクを形成し、当該導電膜をエッチングした後にレジストマスクを除去することにより形成できる。ここで、トランジスタ205が有する導電層222bと電極191が電気的に接続する。電極191は、可視光を透過する導電材料を用いて形成する。
次に、絶縁層214上に絶縁層118を形成する(図10(B)参照。)。絶縁層118は、絶縁層117と同様の材料および方法で形成することができる。
次に、電極191及び絶縁層118上に、配向膜194aを形成する。配向膜194aは、樹脂等の薄膜を形成した後に、配向処理(ラビング処理または光配向処理など)を行うことで形成できる。
支持基板381上に剥離層382を形成し、剥離層382上に層383を形成する(図11(A)参照。)。支持基板381としては、支持基板331と同様の材料を用いることができる。
次に、層383上に基板351を設ける(図11(B)参照。)。基板351は、基板361と同様の材料を用いればよい。
次に、基板351上に電極193を形成する。電極193は、電極191と同様の材料および方法で作製すればよい。
次に、電極193上に、配向膜194bを形成する。配向膜194bは、樹脂等の薄膜を形成した後に、配向処理(ラビング処理または光配向処理など)を行うことで形成できる。
要素基板182と要素基板183を、配向膜194aと配向膜194bが向かい合うように液晶192を挟んで貼り合わせる(図12(A)参照。)。なお、図12(A)では示さないが、図2などに示すように、要素基板182と要素基板183は接着層142で貼り合わされる。接着層142には、紫外線硬化型等の光硬化型接着剤、反応硬化型接着剤、熱硬化型接着剤、嫌気型接着剤等の各種硬化型接着剤を用いることができる。また、接着シート等を用いてもよい。
次に、支持基板334を剥離層335とともに層336から分離する。
続いて、支持基板334を剥離層335とともに層336から分離する(図11(B)参照。)。
次に、層336と絶縁層337を除去する。例えば、ドライエッチング法などを用いて層336と絶縁層337を除去することができる。これにより、電極311aが露出する(図12(B)参照。)。図12(B)では、除去された層336および絶縁層337を破線で示している。
次に、露出した電極311aの表面に、配向膜133aを形成する(図13参照。)。配向膜133aは、樹脂等の薄膜を成膜した後に、配向処理(ラビング処理または光配向処理など)を行うことにより形成できる。このようにして、トランジスタ基板181を作製することができる。
次に、対向基板171とトランジスタ基板181を用いた表示装置100の作製方法について説明する。
対向基板171とトランジスタ基板181を、液晶112を挟んで貼り合わせる(図15参照。)。なお、図15では示さないが、図2などに示すように、基板351と基板361とは接着層141で貼り合わされる。接着層141は、接着層142に用いることのできる材料を援用できる。
次に、支持基板331を剥離層332とともに層333から分離するために、支持基板331側から剥離層332に紫外光を照射する(図15参照。)。紫外光の照射は、工程D2と同様に行えばよい。
次に、支持基板331を剥離層332とともに層333から分離する(図16および工程D3参照。)。
次に、層333を除去する。例えば、ドライエッチング法などを用いて層333を除去することができる。これにより、反射防止層135が露出する(図17(A)参照。)。なお、図17(A)では除去された層333を破線で示している。
次に、支持基板381を剥離層382とともに層383から分離するために、支持基板381側から剥離層382に紫外光を照射する(図17(B)参照。)。紫外光の照射は、工程D2と同様に行えばよい。
次に、支持基板381を剥離層382とともに層383から分離する(図18(A)および工程D3参照。)。
次に、層383を除去する。例えば、ドライエッチング法などを用いて層383を除去することができる。これにより、基板351が露出する。
次に、基板351に偏光板124を設ける。
本実施の形態では、対向基板171と異なる構成を有する対向基板171Aについて図面を用いて説明する。なお、説明の繰り返しを減らすため、対向基板171と異なる点について主に説明する。
まず、対向基板172の作製方法について説明する。
支持基板341上に剥離層342を形成し、剥離層342上に層343を形成する(図19(A)参照。)。支持基板341には、支持基板331と同様の材料を用いればよい。剥離層342は、剥離層332と同様の材料および方法で形成すればよい。層343は、層333と同様の材料および方法で形成すればよい。
次に、層343上に絶縁層338を形成する(図19(B)参照。)。絶縁層338は、上記実施の形態に示した絶縁層と同様の材料および方法で形成すればよい。なお、絶縁層338として、無機絶縁層を用いることが好ましい。なお、絶縁層338は必要に応じて設ければよい。よって、絶縁層338を設けない場合もありうる。
次に、絶縁層338上に電極113を形成する(図19(B)参照。)。電極113は、導電層を形成した後、レジストマスクを形成し、当該導電膜をエッチングした後にレジストマスクを除去することにより形成できる。電極113は、可視光を透過する導電材料を用いて形成する。
次に、電極113上に着色層131と遮光層132を形成する(図19(C)参照。)。なお、着色層131と遮光層132は、必要に応じて設ければよい。よって、着色層131と遮光層132の少なくとも一方を設けない場合もありうる。
次に、着色層131及び遮光層132上に、絶縁層121を形成する(図19(C)参照。)。
次に、光拡散層122上にタッチセンサ370を設ける(図20(A)参照。)。本実施の形態においても、タッチセンサ370は導電層374、絶縁層375、導電層376a、導電層376b、導電層377、および絶縁層378を有する。なお、本実施の形態では、タッチセンサ370を対向基板172側に設けているが、タッチセンサ370をトランジスタ基板181側に設けてもよい。また、目的、用途によっては、タッチセンサ370を設けなくてもよい。
次に、タッチセンサ370上に光拡散層122を設け、光拡散層122上に偏光板123を設ける(図20(B)参照。)。
続いて、対向基板173の作製方法について説明する。
工程A1と同様に、支持基板331上に剥離層332を形成し、剥離層332上に層333を形成する(図21(A)参照。)。
次に、工程A2と同様に、表面に反射防止層135が設けられた基板361を、層333上に設ける(図21(B)参照。)。このようにして、対向基板173を作製することができる。
次に、対向基板172と対向基板173を用いた対向基板171Aの作製方法について説明する。
基板361と偏光板123が向かい合うように、対向基板172と対向基板173を、接着層143で貼り合わせる(図22(A)参照。)。接着層143は、接着層142に用いることのできる材料を援用できる。
次に、支持基板341を剥離層342とともに層343から剥離するために、支持基板341側から剥離層342に紫外光を照射する。紫外光の照射は、工程B14と同様に行えばよい。
次に、支持基板341を剥離層342とともに層343から分離する(図22(B)および工程B15参照。)。
次に、層343と絶縁層338を除去する。例えば、ドライエッチング法などを用いて層336と絶縁層337を除去することができる。これにより、電極113が露出する(図23(A)参照。)。図23(A)では、除去された層343および絶縁層338を破線で示している。
次に、電極113上に絶縁層117を形成する。
次に、電極113及び絶縁層117上に、配向膜133bを形成する(図23(B)参照。)。配向膜133bは、樹脂等の薄膜を形成した後に、配向処理(ラビング処理または光配向処理など)を行うことで形成できる。
対向基板171Aとトランジスタ基板181を用いて、上記実施の形態に示した表示装置100の作製方法と同様の方法で表示装置100Dを作製することができる。表示装置100Dの断面を図24に示す。表示装置100Dは表示装置100の変形例である。対向基板171Aに関連する構成以外の構成については表示装置100と同様のため、詳細な説明を省略する。
一般に、表示装置の生産性を高めるため、1つのマザー基板(支持基板)上に複数の表示装置を同時に作製し、後の工程で分離する方法(「多面取り法」ともいう。)が行われている。本実施の形態では、本発明の一態様の表示装置を多面取り法で作製する方法について説明する。
本実施の形態では、表示装置100の構成例について説明する。
図27は、画素230の構成例を示す回路図である。図27では、隣接する2つの画素230を示している。
表示装置100は、3つの表示モードで動作させることができる。第1の表示モード(mode1)は、反射型の液晶表示装置として画像を表示する表示モードである。第2の表示モード(mode2)は、透過型の液晶表示装置として画像を表示する表示モードである。第3の表示モード(mode3)は、第1の表示モードと第2の表示モードを同時に作用させる表示モードである。
第1の表示モードは光源が不要であるため、極めて低消費電力な表示モードである。例えば、外光の照度が十分大きく、且つ外光が白色光またはその近傍の光である場合に特に有効である。また、第1の表示モードは、照度が300lx程度より大きい環境下、例えば日中下で使用する場合に特に有効である。ただし、目的または用途などによって、照度が300lx程度より小さい環境下であっても、表示装置100を第1の表示モードで動作させる場合がありうる。
第2の表示モードは、外光の照度や色度によらず、極めて鮮やかな(コントラストが高く、且つ色再現性の高い)表示を行うことができる表示モードである。例えば、夜間や室内など、外光の照度が小さい場合などに有効である。第2の表示モードは、照度が5000lx程度より小さい環境下での使用時に特に有効である。ただし、目的または用途などによって、照度が5000lx程度より大きい環境下であっても、表示装置100を第2の表示モードで動作させる場合がありうる。また、外光の照度が小さい場合、明るい表示を行うと使用者が眩しく感じてしまう場合がある。これを防ぐために、第2の表示モードでは輝度を抑えた表示を行うことが好ましい。これにより、眩しさを抑えることに加え、消費電力も低減することができる。第2の表示モードは、鮮やかな画像や滑らかな動画などを表示することに適したモードである。
第3の表示モードは、第1の表示モードによる反射光と、第2の表示モードによる透過光の両方を利用して表示を行う表示モードである。例えば、第1の表示モードの最大反射輝度以上の光を表示装置100から射出する必要が生じた場合に、必要な光量を第2の表示モードによる透過光で補うことができる。また、例えば、第1の表示モードによる反射光と、第2の表示モードによる透過光を混合することにより、1つの色を表現するように駆動することができる。
ここで、上述した第1乃至第3の表示モードを用いる場合の具体例について、図30および図31を用いて説明する。
次に、第1乃至第3の表示モードの状態遷移について、図30(D)を用いて説明を行う。図(D)は、第1の表示モード、第2の表示モード、および第3の表示モードの状態遷移図である。図30(D)に示す、状態C1は第1の表示モードに相当し、状態C2は第2の表示モードに相当し、状態C3は第3の表示モードに相当する。
次に、第1の表示素子および第2の表示素子で行うことができる動作モードについて、図31用いて説明を行う。
本実施の形態では、タッチセンサの駆動方法の例について、図面を参照して説明する。
図32(A)は、相互容量方式のタッチセンサの構成を示すブロック図である。図32(A)では、パルス電圧出力回路551、電流検出回路552を示している。なお図32(A)では、パルス電圧が与えられる電極521、電流の変化を検知する電極522をそれぞれ、X1−X6、Y1−Y6のそれぞれ6本の配線として示している。また図32(A)は、電極521および電極522が重畳することで形成される容量553を図示している。なお、電極521と電極522とはその機能を互いに置き換えてもよい。
図34(A)は、表示装置の構成例を示すブロック図である。図34(A)ではゲート駆動回路GD(走査線駆動回路)、ソース駆動回路SD(信号線駆動回路)、複数の画素pixを有する表示部を示している。なお図34(A)では、ゲート駆動回路GDに電気的に接続されるゲート線x_1乃至x_m(mは自然数)、ソース駆動回路SDに電気的に接続されるソース線y_1乃至y_n(nは自然数)に対応して、画素pixではそれぞれに(1,1)乃至(n,m)の符号を付している。
図35(A)乃至(D)は、一例として図32(A)、(B)で説明したタッチセンサと、図34(A)、(B)で説明した表示部を1sec.(1秒間)駆動する場合に、連続するフレーム期間の動作について説明する図である。なお図35(A)では、表示部の1フレーム期間を16.7ms(フレーム周波数:60Hz)、タッチセンサの1フレーム期間を16.7ms(フレーム周波数:60Hz)とした場合について示している。
本実施の形態では、図37乃至図39を用いて、本発明の一態様に係る表示装置に用いることができるトランジスタの構成例について説明を行う。
まず、トランジスタの構造の一例として、トランジスタ3200aについて、図37(A)(B)(C)を用いて説明する。図37(A)はトランジスタ3200aの上面図である。図37(B)は、図37(A)に示す一点鎖線X1−X2間における切断面の断面図に相当し、図37(C)は、図37(A)に示す一点鎖線Y1−Y2間における切断面の断面図に相当する。なお、図37(A)において、煩雑になることを避けるため、トランジスタ3200aの構成要素の一部(ゲート絶縁層としての機能を有する絶縁層等)を省略して図示している。なお、以下において、一点鎖線X1−X2方向をチャネル長方向、一点鎖線Y1−Y2方向をチャネル幅方向と呼称する場合がある。なお、トランジスタの上面図においては、以降の図面においても図37と同様に、構成要素の一部を省略して図示する場合がある。
次に、トランジスタの構造の一例として、トランジスタ3200bについて、図38(A)(B)(C)を用いて説明する。図38(A)はトランジスタ3200bの上面図である。図38(B)は、図38(A)に示す一点鎖線X1−X2間における切断面の断面図に相当し、図38(C)は、図38(A)に示す一点鎖線Y1−Y2間における切断面の断面図に相当する。
次に、トランジスタの構造の一例として、トランジスタ3200cについて、図39(A)(B)(C)を用いて説明する。図39(A)はトランジスタ3200cの上面図である。図39(B)は、図39(A)に示す一点鎖線X1−X2間における切断面の断面図に相当し、図39(C)は、図39(A)に示す一点鎖線Y1−Y2間における切断面の断面図に相当する。
<CAC−OSの構成>
以下では、本発明の一態様で開示されるトランジスタに用いることができるCAC(Cloud−Aligned Composite)−OSの構成について説明する。
続いて、各種測定方法を用い、基板上に成膜した酸化物半導体について測定を行った結果について説明する。
以下では、本発明の一態様に係る9個の試料について説明する。各試料は、それぞれ、酸化物半導体を成膜する際の基板温度、および酸素ガス流量比を異なる条件で作製する。なお、試料は、基板と、基板上の酸化物半導体と、を有する構造である。
本項目では、9個の試料に対し、X線回折(XRD:X−ray diffraction)測定を行った結果について説明する。なお、XRD装置として、Bruker社製D8 ADVANCEを用いた。また、条件は、Out−of−plane法によるθ/2θスキャンにて、走査範囲を15deg.乃至50deg.、ステップ幅を0.02deg.、走査速度を3.0deg./分とした。
本項目では、成膜時の基板温度R.T.、および酸素ガス流量比10%で作製した試料を、HAADF(High−Angle Annular Dark Field)−STEM(Scanning Transmission Electron Microscope)によって観察、および解析した結果について説明する(以下、HAADF−STEMによって取得した像は、TEM像ともいう。)。
本項目では、成膜時の基板温度R.T.、および酸素ガス流量比10%で作製した試料に、プローブ径が1nmの電子線(ナノビーム電子線ともいう。)を照射することで、電子線回折パターンを取得した結果について説明する。
本項目では、エネルギー分散型X線分光法(EDX:Energy Dispersive X−ray spectroscopy)を用い、EDXマッピングを取得し、評価することによって、成膜時の基板温度R.T.、および酸素ガス流量比10%で作製した試料の元素分析を行った結果について説明する。なお、EDX測定には、元素分析装置として日本電子株式会社製エネルギー分散型X線分析装置JED−2300Tを用いる。なお、試料から放出されたX線の検出にはSiドリフト検出器を用いる。
本実施の形態では、本明細書等に開示した表示装置などを用いた電子機器の一例について説明する。
110 表示装置
112 液晶
113 電極
117 絶縁層
121 絶縁層
122 光拡散層
123 偏光板
131 着色層
132 遮光層
134 着色層
135 反射防止層
141 接着層
142 接着層
151 絶縁層
170 液晶素子
171 対向基板
180 液晶素子
181 トランジスタ基板
Claims (10)
- 第1工程乃至第7工程を有し、
前記第1工程は、
第1支持基板上に、第1剥離層と、第1樹脂層と、を設ける工程と、
前記第1樹脂層上に、第1電極を設ける工程と、
前記第1電極上に、光拡散層と、第1偏光板と、を設ける工程と、を有し、
前記第2工程は、
第2支持基板上に、第2剥離層と、第2樹脂層と、第1基板と、を設ける工程と、を有し、
前記第3工程は、
前記第1支持基板と前記第2支持基板とを、前記第1偏光板と前記第1基板とが向かい合うように第1接着層を介して重ねる工程と、
前記第1支持基板を介して前記第1剥離層に光を照射する工程と、
前記第1支持基板および前記第1剥離層を前記第1樹脂層から分離する工程と、
前記第1樹脂層を除去する工程と、を有し、
前記第4工程は、
第3支持基板上に、第3剥離層と、第3樹脂層と、第2電極と、トランジスタと、第3電極と、を設ける工程を有し、
前記第5工程は、
第4支持基板上に、第4剥離層と、第4樹脂層と、第2基板と、第4電極と、を設ける工程を有し、
前記第6工程は、
前記第3支持基板と前記第4支持基板とを、前記第3電極と前記第4電極とが向かい合うように第1液晶層を介して重ねる工程と、
前記第3支持基板を介して前記第3剥離層に光を照射する工程と、
前記第3支持基板および前記第3剥離層を前記第3樹脂層から分離する工程と、
前記第3樹脂層を除去する工程と、を有し、
前記第7工程は、
前記第1基板と前記第2基板を、前記第1電極と前記第2電極とが向かい合うように第2液晶層を介して重ねる工程と、
前記第2支持基板を介して前記第2剥離層に光を照射する工程と、
前記第2支持基板および前記第2剥離層を前記第2樹脂層から分離する工程と、
前記第2樹脂層を除去する工程と、
前記第4支持基板を介して前記第4剥離層に光を照射する工程と、
前記第4支持基板および前記第4剥離層を前記第4樹脂層から分離する工程と、
前記第4樹脂層を除去する工程と、前記第2基板上に第2偏光板を設ける工程と、
を有する表示装置の作製方法。 - 請求項1において、
前記第1基板の厚さが0.5mm未満である表示装置の作製方法。 - 請求項1または請求項2において、
前記第2基板の厚さが0.5mm未満である表示装置の作製方法。 - 請求項1乃至請求項3のいずれか一項において、
前記第1樹脂層乃至第4樹脂層がポリイミドを有する表示装置の作製方法。 - 請求項1乃至請求項4のいずれか一項において、
前記光の波長が180nm以上450nm以下である表示装置の作製方法。 - 請求項1乃至請求項5のいずれか一項において、
前記第1基板上に、反射防止層または防眩層の少なくとも一方が設けられている表示装置の作製方法。 - 請求項1乃至請求項6のいずれか一項において、
前記トランジスタが酸化物半導体を有する表示装置の作製方法。 - 請求項1乃至請求項7のいずれか一項において、
前記第1電極と前記第2液晶層の間に第1の配向膜を有し、
前記第2電極と前記第2液晶層の間に第2の配向膜を有する表示装置の作製方法。 - 請求項1乃至請求項8のいずれか一項において、
前記第3電極と前記第1液晶層の間に第3の配向膜を有し、
前記第4電極と前記第1液晶層の間に第4の配向膜を有する表示装置の作製方法。 - 請求項1乃至請求項9のいずれか一項において、
前記第1電極と前記光拡散層の間にタッチセンサを有する表示装置の作製方法。
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