JP6783985B2 - 発光装置 - Google Patents
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Description
図1は、第1の実施の形態に係る発光装置1の斜視図である。図2(a)は、蛍光体層14を省略して図示した発光装置1の平面図であり、図2(b)は、図2(a)の線分A−Aにおいて切断された発光装置1の垂直断面図である。
以下、本発明の実施例を説明する。
図2(a)、(b)に示すように、12個の第1の発光素子11と4個の第2の発光素子12を基板10として準備した配線基板上に格子状に、かつ、第1の発光素子11と第2の発光素子12で部分的に市松模様を構成するような配列パターンで搭載し、第1の発光素子11の電極11a、11b及び第2の発光素子12の電極12a、12bと基板10上の配線パターン13を接続した。
実施例1における発光装置1とは、第1及び第2の発光素子11、12のピーク波長と、蛍光体層14の蛍光体が異なる点を除き、略同一の構成を有する。したがって、実施例1との相違点を除き、詳細な説明は省略する。
図5は、第2の実施の形態に係る発光装置1の平面図である。この発光装置1は、第1の実施の形態における発光装置1と蛍光体層14の構成が異なる点を除き、略同一の構成を有する。したがって、第1の実施の形態との相違点を除き、詳細な説明は省略する。
図6は、第3の実施の形態に係る発光装置1の平面図である。この発光装置1は、第1の実施の形態における発光装置1と蛍光体層14の構成が異なる点を除き、略同一の構成を有する。したがって、第1の実施の形態との相違点を除き、詳細な説明は省略する。
上記の実施の形態によれば、第1の発光素子11から出射される出射光と蛍光体層14から出射される複数の波長変換光の発光スペクトルにおける、最も深いディップを減らすための第2の発光素子12を用いることにより、太陽光に近い発光スペクトルが得られる。
々変形実施が可能である。
実施の形態の中で説明した特徴の組合せの全てが発明の課題を解決するための手段に必須
であるとは限らない点に留意すべきである。
10 基板
11 第1の発光素子
12 第2の発光素子
12a、12b 電極
13 配線パターン
14 蛍光体層
14A 短波長蛍光体部
14B 長波長蛍光体部
15 蛍光体低濃度部
Claims (6)
- 第1のピーク波長を有する第1の出射光を出射する第1の所定数の第1の発光素子と、
前記第1のピーク波長より長波長側の第2のピーク波長を有する第2の出射光を出射する第2の所定数の第2の発光素子と、
前記第1の所定数の第1の発光素子上と前記第2の所定数の第2の発光素子上に共通して設けられた、前記第2のピーク波長より長波長側に分布している異なった波長スペクトルを有した波長変換光を出射する複数の蛍光体を含む蛍光体層と、
を有し、
前記第1の発光素子と前記第2の発光素子は、市松模様を有する格子パターンを形成するように配置され、
前記第2の発光素子は、前記第2の所定数の間で異なった前記第2のピーク波長を有し、かつ、前記第1の発光素子と前記蛍光体層の合成発光スペクトルにおける、少なくとも1つのディップのうち最も深いディップの深さを低減する発光スペクトルを有し、
前記蛍光体層の前記複数の蛍光体は、前記第2の発光素子上の含有濃度が、前記第1の発光素子上の含有濃度より低くなるように調整された、
発光装置。 - 前記第2の発光素子の前記発光スペクトルは、前記第2のピーク波長が前記合成発光スペクトルにおいて、前記少なくとも1つのディップのうち最も深いディップを形成する、その両側のピーク波長の間に位置する、
請求項1に記載の発光装置。 - 前記第2の発光素子の前記第2のピーク波長は、前記少なくとも1つのディップのうち最も深いディップの底の波長からのずれが5nm以内の波長である、
請求項1又は2に記載の発光装置。 - 第1のピーク波長を有する第1の出射光を出射する第1の所定数の第1の発光素子と、
前記第1のピーク波長より長波長側の第2のピーク波長を有する第2の出射光を出射する第2の所定数の第2の発光素子と、
前記第1の所定数の第1の発光素子上と前記第2の所定数の第2の発光素子上に共通して設けられた、前記第2のピーク波長より長波長側に分布している異なった波長スペクトルを有した波長変換光を出射する複数の蛍光体を含む蛍光体層と、
を有し、
前記第1の発光素子と前記第2の発光素子は、市松模様を有する格子パターンを形成するように配置され、
前記第2の発光素子は、前記第2の所定数の間で異なった前記第2のピーク波長を有し、かつ、前記第1の発光素子と前記蛍光体層の合成発光スペクトルにおける、少なくとも1つのディップのうち最も深いディップの深さを低減する発光スペクトルを有し、
前記蛍光体層の前記複数の蛍光体は、前記第2の発光素子上に、前記複数の蛍光体のうち長波長の出射光を出射する長波長蛍光体が位置し、前記第1の発光素子上に、前記複数の蛍光体のうち短波長の出射光を出射する短波長蛍光体が位置するように調整された、
発光装置。 - 前記第2の発光素子の前記発光スペクトルは、前記第2のピーク波長が前記合成発光スペクトルにおいて、前記少なくとも1つのディップのうち最も深いディップを形成する、その両側のピーク波長の間に位置する、
請求項4に記載の発光装置。 - 前記第2の発光素子の前記第2のピーク波長は、前記少なくとも1つのディップのうち最も深いディップの底の波長からのずれが5nm以内の波長である、
請求項4又は5に記載の発光装置。
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