JP6783569B2 - 光半導体素子 - Google Patents
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- シリコンからなる基板と、
前記基板の上に形成されたIII−V族化合物半導体からなる光導波路型の光素子と、
前記光素子と前記基板との間に形成されて前記光素子を構成するコアより屈折率が低く、かつ熱伝導率が絶縁体より大きい中間層と
を備え、
前記コアは、コア層と前記コア層に埋め込まれた活性層とを有し、
前記光素子は、前記活性層が形成されている部分において、基板面内方向に前記コア層を挟む状態に配置されたp型半導体層およびn型半導体層を有し、
前記中間層は、前記光素子を導波する光のモードが前記基板にかからない厚さとされ、
前記絶縁体は、酸化シリコン,窒化シリコン,ベンゾシクロブテンのいずれかである
ことを特徴とする光半導体素子。 - 請求項1記載の光半導体素子において、
前記中間層は、GaPxN1-x(0<x≦1)またはAlPxN1-x(0<x≦1)から構成されていることを特徴とする光半導体素子。 - 請求項1または2記載の光半導体素子において、
前記中間層と前記光素子との間に形成された絶縁層を備え、
前記絶縁層は、前記光素子が前記中間層に接して形成されている場合に比較して前記光素子から前記基板への熱伝導が変化しない範囲の厚さとされている
ことを特徴とする光半導体素子。 - 請求項3記載の光半導体素子において、
前記絶縁層は、酸化シリコンから構成され、厚さが100nm以下とされていることを特徴とする光半導体素子。
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