JP6782140B2 - エッチング方法及びエッチング装置 - Google Patents
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Description
1 エッチング装置
2 処理室
3 制御部
4 基板ホルダー
5 加熱機構
6 ガス分散板
7 排気配管
8 真空ポンプ
9 APCバルブ
10 圧力センサー
11 第1配管
12 第1水蒸気流量コントローラ
13 フッ化水素ガス流量コントローラ
14 多連弁
15 第2水蒸気流量コントローラ
16 開閉バルブ
17 第2配管
Claims (9)
- シリコン酸化膜が形成された基板をエッチングするエッチング方法において、
前記基板を収容する処理室内を減圧状態にする減圧工程と、
前記減圧工程の後、フッ化水素を含むエッチングガスを前記処理室内に供給して前記基板に形成されたシリコン酸化膜をエッチングするエッチング工程と、
前記エッチング工程の後、水蒸気を前記処理室内に供給して前記基板を洗浄する洗浄工程と、
前記減圧工程の後、前記エッチング工程の前に、前記処理室内に水蒸気を供給して前記基板の表面に水膜を形成する水膜形成工程とを有することを特徴とする基板のエッチング方法。 - 請求項1に記載のエッチング方法において、
前記エッチングガスは、フッ化水素ガスと水蒸気とのエッチング混合ガスであることを特徴とする基板のエッチング方法。 - 請求項2に記載のエッチング方法において、前記エッチングガスは、前記水蒸気に対する前記フッ化水素ガスの割合が10〜60vol.%であることを特徴とする基板のエッチング方法。
- 請求項1ないし3に記載のエッチング方法において、前記エッチング工程における基板温度を30〜200℃とすることを特徴とする基板のエッチング方法。
- 請求項1ないし4に記載のエッチング方法において、前記エッチング工程における処理室内の真空度を1Pa〜100Paとすることを特徴とする基板のエッチング方法。
- シリコン酸化膜が形成された基板をエッチングするエッチング装置であって、
内部に処理空間を有する処理室と、
前記処理空間で基板を保持する基板保持手段と、
前記処理室の底部に連通接続され、前記処理室内を減圧にする減圧手段と、
前記処理室の上部に連通接続され、前記処理空間に第2の水蒸気を供給する水蒸気供給手段と、
前記処理室の上部に連通接続され、前記処理空間にフッ化水素を含むエッチングガスを供給するエッチングガス供給手段と、
前記減圧手段と前記水蒸気供給手段と前記エッチングガス供給手段とを制御する制御手段とを備え、
前記制御手段は前記減圧手段により前記処理空間を減圧した後、前記エッチングガス供給手段により前記処理空間に前記エッチングガスを供給して前記基板のエッチングを行い、その後、前記水蒸気供給手段により前記処理空間に第2の水蒸気を供給して前記基板を洗浄する洗浄処理を行い、
前記エッチングガス供給手段は第1の水蒸気とフッ化水素ガスとを混合して前記エッチングガスを生成する混合ガス配管と、
前記混合ガス配管を通して前記処理空間に前記第1の水蒸気単体と前記エッチングガスとを選択的に供給するための多連弁とを備え、
前記制御手段は、前記多連弁を制御することにより、前記減圧手段による前記処理空間の減圧後、前記混合ガス配管から前記処理空間に前記第1の水蒸気単体を供給して前記基板の表面に水膜を形成する水膜形成を行い、当該水膜形成の後に、前記多連弁を制御することにより前記混合ガス配管から前記処理空間に前記エッチングガスを供給して前記基板のエッチングを行うことを特徴とするエッチング装置。 - 請求項6に記載のエッチング装置であって、
前記水蒸気供給手段は前記混合ガス配管を通さずに前記第2の水蒸気を前記処理空間に供給することを特徴とするエッチング装置。 - シリコン酸化膜が形成された基板をエッチングするエッチング装置であって、
内部に処理空間を有する処理室と、
前記処理空間で基板を保持する基板保持手段と、
前記処理室の底部に連通接続され、前記処理室内を減圧にする減圧手段と、
前記処理室の上部に連通接続され、前記処理空間に第2の水蒸気を供給する水蒸気供給手段と、
前記処理室の上部に連通接続され、前記処理空間にフッ化水素を含むエッチングガスを供給するエッチングガス供給手段と、
前記減圧手段と前記水蒸気供給手段と前記エッチングガス供給手段とを制御する制御手段とを備え、
前記制御手段は前記減圧手段により前記処理空間を減圧した後、前記エッチングガス供給手段により前記処理空間に前記エッチングガスを供給して前記基板のエッチングを行い、その後、前記水蒸気供給手段により前記処理空間に第2の水蒸気を供給して前記基板を洗浄する洗浄処理を行い、
前記制御手段は、前記減圧手段により前記処理空間を減圧した後、前記エッチングガス供給手段により前記処理空間にエッチングガスを供給する前に、前記水蒸気供給手段を制御して前記処理空間に第2の水蒸気を供給して前記基板の表面に水膜を形成する水膜形成を行うことを特徴とするエッチング装置。 - 請求項6ないし請求項8のいずれかに記載のエッチング装置において、
処理室内の基板保持手段上部に複数の細孔を備えたガス分散板を有することを特徴とするエッチング装置。
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JP2016193198A JP6782140B2 (ja) | 2016-09-30 | 2016-09-30 | エッチング方法及びエッチング装置 |
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