JP6780173B1 - マイクロプラズマ処理装置及びマイクロプラズマ加工方法 - Google Patents
マイクロプラズマ処理装置及びマイクロプラズマ加工方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP6780173B1 JP6780173B1 JP2020094455A JP2020094455A JP6780173B1 JP 6780173 B1 JP6780173 B1 JP 6780173B1 JP 2020094455 A JP2020094455 A JP 2020094455A JP 2020094455 A JP2020094455 A JP 2020094455A JP 6780173 B1 JP6780173 B1 JP 6780173B1
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- plasma
- coil
- processing
- electrode
- tube
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Landscapes
- Plasma Technology (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
Description
2…容器
3…ガス供給装置
4…真空排気装置
5…プラズマ発生管
6…RF電極
7…プラズマ発生用電源
8…コイル
9…抵抗器
10…金属筒
11…蛇腹部品
12…位置決め装置
13…RF電極昇降ユニット
14…コイル昇降ユニット
17…ガス供給装置バルブ
18…真空排気装置用バルブ
Claims (10)
- プラズマ発生管の内部にプロセスガスが導入された状態でプラズマ発生用電源よりRF電極に電力を供給することで、前記プラズマ発生管内の前記プロセスガスをプラズマ励起させ被加工物のプラズマ処理による加工を行うマイクロプラズマ処理装置において、
前記プラズマ発生用電源に接続され、前記プラズマ発生管の外周を囲むように配置された前記RF電極と、
前記プラズマ発生管の外周を囲むように、かつ前記RF電極と同軸上に配置され、前記RF電極と絶縁されたコイルと、
を備え、
前記コイルは、両端が開放とされたことを特徴とするマイクロプラズマ処理装置。 - プラズマ発生管の内部にプロセスガスが導入された状態でプラズマ発生用電源よりRF電極に電力を供給することで、前記プラズマ発生管内の前記プロセスガスをプラズマ励起させ被加工物のプラズマ処理による加工を行うマイクロプラズマ処理装置において、
前記プラズマ発生用電源に接続され、前記プラズマ発生管の外周を囲むように配置された前記RF電極と、
前記プラズマ発生管の外周を囲むように、かつ前記RF電極と同軸上に配置され、前記RF電極と絶縁されたコイルと、
を備え、
前記コイルの少なくとも一端が抵抗を介して接地されたことを特徴とするマイクロプラズマ処理装置。 - 前記抵抗が可変抵抗であることを特徴とする請求項2に記載のマイクロプラズマ処理装置。
- 前記コイルは、前記プラズマ発生管の軸方向にそれぞれ移動可能とされたことを特徴とする請求項1〜3のいずれか1項に記載のマイクロプラズマ処理装置。
- 前記プラズマ処理中に前記コイルにかかる電圧をモニターする手段を有することを特徴とする請求項1〜4のいずれか1項に記載のマイクロプラズマ処理装置。
- 少なくとも前記RF電極及び前記コイルが接地された金属筒に覆われたことを特徴とする請求項1〜5のいずれか1項に記載のマイクロプラズマ処理装置。
- 前記プラズマ発生管は、垂直に移動可能とされたことを特徴とする請求項1〜6のいずれか1項に記載のマイクロプラズマ処理装置。
- 前記プラズマ発生管から前記被加工物に前記プロセスガスを噴射しつつ前記加工を行う噴射プラズマと、前記プロセスガスを前記プラズマ発生管より排気しつつガス流とは逆行しながら前記加工を行う吸引プラズマと、を切り替えることが可能とされたことを特徴とする請求項1〜7のいずれか1項に記載のマイクロプラズマ処理装置。
- プラズマ発生管の内部にプロセスガスが導入された状態でプラズマ発生用電源よりRF電極に電力を供給することで、被加工物のプラズマ処理による加工を行うマイクロプラズマ加工方法であって、
前記RF電極を前記プラズマ発生管の外周を囲むように配置し、コイルを前記プラズマ発生管の外周を囲むように、かつ前記RF電極と同軸上に前記RF電極と絶縁して設け、前記RF電極に前記プラズマ発生用電源を接続して前記被加工物をプラズマ加工する際、前記コイルの出力電圧から現在の加工速度を算出し、設定した加工速度となるように前記コイルを前記RF電極に接近又は後退させることを特徴とするマイクロプラズマ加工方法。 - プラズマ発生管の内部にプロセスガスが導入された状態でプラズマ発生用電源よりRF電極に電力を供給することで、被加工物のプラズマ処理による加工を行うマイクロプラズマ加工方法であって、
前記RF電極を前記プラズマ発生管の外周を囲むように配置し、コイルを前記プラズマ発生管の外周を囲むように、かつ前記RF電極と同軸上に前記RF電極と絶縁して設け、前記RF電極に前記プラズマ発生用電源を接続して前記被加工物をプラズマ加工する際、前記コイルの少なくとも一端を可変抵抗を介して接地し、前記コイルの出力電圧から現在の加工速度を算出し、設定した加工速度となるように前記可変抵抗の抵抗値を変更することを特徴とするマイクロプラズマ加工方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2020094455A JP6780173B1 (ja) | 2020-05-29 | 2020-05-29 | マイクロプラズマ処理装置及びマイクロプラズマ加工方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2020094455A JP6780173B1 (ja) | 2020-05-29 | 2020-05-29 | マイクロプラズマ処理装置及びマイクロプラズマ加工方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP6780173B1 true JP6780173B1 (ja) | 2020-11-04 |
JP2021190309A JP2021190309A (ja) | 2021-12-13 |
Family
ID=73022363
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2020094455A Active JP6780173B1 (ja) | 2020-05-29 | 2020-05-29 | マイクロプラズマ処理装置及びマイクロプラズマ加工方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6780173B1 (ja) |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000144422A (ja) * | 1998-09-08 | 2000-05-26 | Mitsubishi Heavy Ind Ltd | シリコン製膜方法及びシリコン製膜装置 |
JP5295055B2 (ja) * | 2008-11-19 | 2013-09-18 | 株式会社三友製作所 | 吸引型プラズマエッチング装置およびプラズマエッチング方法 |
WO2010082561A1 (ja) * | 2009-01-13 | 2010-07-22 | リバーベル株式会社 | プラズマ生成装置及び方法 |
JP5851681B2 (ja) * | 2009-10-27 | 2016-02-03 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置 |
-
2020
- 2020-05-29 JP JP2020094455A patent/JP6780173B1/ja active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2021190309A (ja) | 2021-12-13 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US9273393B2 (en) | Torch system for depositing protective coatings on interior walls and recesses present on the flat surface of an object | |
TWI488236B (zh) | Focusing ring and plasma processing device | |
TWI505354B (zh) | Dry etching apparatus and dry etching method | |
US6426477B1 (en) | Plasma processing method and apparatus for eliminating damages in a plasma process of a substrate | |
JP4642528B2 (ja) | プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法 | |
US7224568B2 (en) | Plasma processing method and plasma processing apparatus | |
US9502219B2 (en) | Plasma processing method | |
JP4640922B2 (ja) | プラズマ処理装置 | |
KR100598631B1 (ko) | 임피던스가 감소된 챔버 | |
US6759338B2 (en) | Plasma processing apparatus and method | |
US20060207725A1 (en) | Substrate mounting table, substrate processing apparatus and substrate processing method | |
JP2004193565A (ja) | プラズマ処理装置、プラズマ処理方法及びプラズマ処理装置の電極板 | |
KR20130085984A (ko) | 플라즈마 처리 장치 | |
JP2004193567A (ja) | プラズマ処理方法及びプラズマ処理装置 | |
US20100078129A1 (en) | Mounting table for plasma processing apparatus | |
TWI791615B (zh) | 電漿處理裝置 | |
KR20170028849A (ko) | 포커스 링 및 기판 처리 장치 | |
US10847348B2 (en) | Plasma processing apparatus and plasma processing method | |
US20190051500A1 (en) | Plasma processing method and plasma processing apparatus | |
JP4584572B2 (ja) | プラズマ処理装置および処理方法 | |
JP6780173B1 (ja) | マイクロプラズマ処理装置及びマイクロプラズマ加工方法 | |
JP4123428B2 (ja) | エッチング方法 | |
US6452400B1 (en) | Method of measuring negative ion density of plasma and plasma processing method and apparatus for carrying out the same | |
JP2020077659A (ja) | 被処理体の処理方法及びプラズマ処理装置 | |
JPH06124998A (ja) | プラズマ処理装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20200529 |
|
A871 | Explanation of circumstances concerning accelerated examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A871 Effective date: 20200529 |
|
A975 | Report on accelerated examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971005 Effective date: 20200605 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20200617 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20200730 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20200812 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20200826 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6780173 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |