本発明を実施するための形態(実施形態)につき、図面を参照しつつ詳細に説明する。以下の実施形態に記載した内容により本発明が限定されるものではない。また、以下に記載した構成要素には、当業者が容易に想定できるもの、実質的に同一のものが含まれる。さらに、以下に記載した構成は適宜組み合わせることが可能である。また、本発明の要旨を逸脱しない範囲で構成の種々の省略、置換又は変更を行うことができる。
〔実施形態1〕
実施形態1に係るパッケージデバイスチップの製造方法及び加工装置であるレーザー加工装置を説明する。図1は、実施形態1に係るレーザー加工装置の概略の構成例を示す斜視図である。図2(a)は、実施形態1に係るレーザー加工装置の加工対象のパッケージウエーハを構成するウエーハの斜視図である。図2(b)は、図2(a)に示されたウエーハのデバイスの斜視図である。図3は、実施形態1に係るレーザー加工装置の加工対象のパッケージウエーハの要部の断面図である。図4は、図3に示されたパッケージウエーハが分割されて得られるパッケージデバイスチップを示す斜視図である。
実施形態1に係るパッケージデバイスチップの製造方法は、製造工程の一部において、図1に示すレーザー加工装置1を用いる。図1に示すレーザー加工装置1は、被加工物である図3に示すパッケージウエーハPWの分割予定ラインLにアブレーション加工を施して、図4に示すパッケージデバイスチップPDに分割する装置である。実施形態1に係るレーザー加工装置1の加工対象であるパッケージウエーハPWは、図2に示すウエーハWにより構成される。図2(a)に示すウエーハWは、実施形態1ではシリコン、サファイア、ガリウムヒ素などを基板SBとする円板状の半導体ウエーハや光デバイスウエーハである。ウエーハWを構成する基板SBは、赤外線を透過するものである。ウエーハWは、図2(a)に示すように、交差(実施形態1では、直交)する複数の分割予定ラインLが表面WS側に形成されている。ウエーハWは、分割予定ラインLに区画された複数の領域にデバイスDが形成されるデバイス領域DRと、デバイス領域DRを囲繞する外周余剰領域GRとを表面WSに備える。デバイスDの表面には、図2(b)に示すように、複数の突起電極であるバンプBPが形成されている。
ウエーハWは、図3に示すように、デバイス領域DRの表面WS、及び分割予定ラインLに沿って分割予定ラインLに形成された加工すべき領域である溝DTがモールド樹脂MRで覆われてパッケージウエーハPWに構成される。即ち、パッケージウエーハPWは、基板SBの表面WSに設けられたデバイスD上とデバイスD間の溝DTとにモールド樹脂MRが充填されている。モールド樹脂MRは、合成樹脂にカーボン(炭素)が混合されて構成され、赤外線を透過しにくい黒色に形成されている。パッケージウエーハPWは、図1に示すように、外周縁のモールド樹脂MRが全周に亘って除去されて外周余剰領域GRの基板SBが露出された後、アブレーション加工が施される。
パッケージウエーハPWの外周余剰領域GRのモールド樹脂MRが全周に亘って除去されて外周余剰領域GRの基板SBが露出された領域のうちの溝DT内に充填されたモールド樹脂MRは、モールド樹脂MRが赤外線を透過しにくいので、赤外線を透過しない領域である。また、パッケージウエーハPWの外周余剰領域GRのモールド樹脂MRが全周に亘って除去されて外周余剰領域GRの基板SBが露出された領域のうちの露出した基板SBは、基板SBが赤外線を透過するので、赤外線を透過する領域である。
パッケージウエーハPWは、分割予定ラインLに形成された溝DT内に充填されたモールド樹脂MRが分割されて、図4に示すパッケージデバイスチップPDに分割される。パッケージデバイスチップPDは、基板SBの表面WS上に設けられたデバイスD上と全ての側面SDとがモールド樹脂MRにより被覆され、バンプBPがモールド樹脂MRから突出して、バンプBPが露出している。
なお、実施形態1において、パッケージウエーハPWの溝DTの幅は、切削ブレードによりパッケージデバイスチップPDに分割されるパッケージウエーハPWよりも狭く、例えば40μm〜80μmである。実施形態1において、パッケージウエーハPWの厚さ(仕上がり厚さともいう)は、デバイスに分割される半導体ウエーハよりも厚く、例えば、700μm〜200μmである。実施形態1において、パッケージデバイスチップPDの平面形状は、例えば、一辺が3mmの四角形に形成されている。また、実施形態1において、パッケージウエーハPWは、溝DT内に充填されたモールド樹脂MRにレーザー加工装置1の加工ユニットであるレーザー光線照射ユニット20により、図3に示すように、パルスレーザー光線LRが照射されて、溝DT内に充填されたモールド樹脂MRに幅が15μm〜30μmの分割溝PGが形成される。実施形態1において、パッケージデバイスチップPDの基板SBの側面SD上のモールド樹脂MRの厚さは、7.5μm〜25μmである。
次に、実施形態1に係るレーザー加工装置1の構成を図面を参照して説明する。図5は、図1に示されたレーザー加工装置のチャックテーブルの構成を示す図である。図6は、図1に示されたレーザー加工装置のアライメントを実施する状態を示す要部の断面図である。図7は、図1に示されたレーザー加工装置のアライメント時の赤外線カメラが撮像した画像の一例を示す図である。
レーザー加工装置1は、パッケージウエーハPWの溝DT内のモールド樹脂MRにパルスレーザー光線LR(図3に示す)を照射し、パッケージウエーハPWにアブレーション加工を施して、パッケージウエーハPWをパッケージデバイスチップPDに分割する装置である。レーザー加工装置1は、図1に示すように、パッケージウエーハPWを保持面11aで保持するチャックテーブル10と、加工ユニットであるレーザー光線照射ユニット20と、加工送りユニットであるX軸移動手段30と、割り出し送りユニットであるY軸移動手段40と、赤外線カメラ50と、制御ユニット60とを備える。
X軸移動手段30は、チャックテーブル10を装置本体2の水平方向と平行な加工送り方向であるX軸方向に移動させることで、チャックテーブル10とレーザー光線照射ユニット20とをX軸方向に相対的に移動させるものである。Y軸移動手段40は、チャックテーブル10を水平方向と平行でX軸方向と直交する割り出し送り方向であるY軸方向に移動させることで、チャックテーブル10とレーザー光線照射ユニット20とをY軸方向に相対的に移動させるものである。
X軸移動手段30及びY軸移動手段40は、軸心回りに回転自在に設けられた周知のボールねじ31,41、ボールねじ31,41を軸心回りに回転させる周知のパルスモータ32,42及びチャックテーブル10をX軸方向又はY軸方向に移動自在に支持する周知のガイドレール33,43を備える。また、X軸移動手段30は、チャックテーブル10のX軸方向の位置を検出するため図示しないX軸方向位置検出手段を備え、Y軸移動手段40は、チャックテーブル10のY軸方向の位置を検出するための図示しないY軸方向位置検出手段を備える。X軸方向位置検出手段及びY軸方向位置検出手段は、X軸方向又はY軸方向と平行なリニアスケールと、読み取りヘッドとにより構成することができる。X軸方向位置検出手段及びY軸方向位置検出手段は、チャックテーブル10のX軸方向又はY軸方向の位置を制御ユニット60に出力する。また、レーザー加工装置1は、チャックテーブル10をX軸方向とY軸方向との双方と直交するZ軸方向と平行な中心軸線回りに回転する回転駆動源16を備える。回転駆動源16は、X軸移動手段30によりX軸方向に移動される移動テーブル15上に配置されている。
レーザー光線照射ユニット20は、チャックテーブル10の保持面11aに保持されたパッケージウエーハPWの表面WSに向けて上方からパルスレーザー光線LRを照射して、パッケージウエーハPWをアブレーション加工(加工に相当)して、分割予定ラインLの溝DTに充填されたモールド樹脂MRに分割溝PG(図3に示す)を形成するものである。パルスレーザー光線LRは、パッケージウエーハPWの溝DT内に充填されたモールド樹脂MRに対して吸収性を有する波長(例えば、355nm)でかつレーザーパワーが一定なパルス状のレーザー光線である。レーザー光線照射ユニット20は、装置本体2から立設した壁部3に連なった支持柱4の先端に取り付けられている。
レーザー光線照射ユニット20は、パッケージウエーハPWの表面に照射するパルスレーザー光線LRを集光する図示しない集光レンズと、パルスレーザー光線LRの集光点をZ軸方向に移動させる図示しない駆動機構と、パルスレーザー光線LRを発振する図示しないレーザー光線発振ユニットとを備える。レーザー光線発振ユニットは、波長が355nmのパルスレーザー光線LRを設定された繰り返し周波数で発振する。実施形態1において、レーザー光線照射ユニット20がパッケージウエーハPWの表面WSに向けて照射するパルスレーザー光線LRの光軸は、Z軸方向と平行である。
レーザー光線照射ユニット20は、X軸移動手段30とY軸移動手段40とによりチャックテーブル10に保持されたパッケージウエーハPWに対して相対的に移動されながら、各分割予定ラインLの溝DT内のモールド樹脂MRにパルスレーザー光線LRを照射して、各分割予定ラインLに沿った分割溝PG(図17に示す)を溝DT内のモールド樹脂MRに形成する。レーザー光線照射ユニット20は、X軸方向に沿ってパッケージウエーハPWに対して相対的に複数回移動される間に、各分割予定ラインLの溝DT内のモールド樹脂MRにパルスレーザー光線LRを照射する。
赤外線カメラ50は、チャックテーブル10に保持されたパッケージウエーハPWを撮像するものである。赤外線カメラ50は、レーザー光線照射ユニット20とX軸方向に並列する位置に配設されている。実施形態1では、赤外線カメラ50は、支持柱4の先端に取り付けられている。赤外線カメラ50は、波長感度範囲が0.9μm〜1.7μmのInGaAs、波長感度範囲が1.5μm〜5.0μmのInSb、又は波長感度範囲が7μm〜14μmのアモルファスSi製マイクロボロメータにより構成された赤外線検出素子を有するカメラである。
また、レーザー加工装置1は、ダイシングテープTにより環状フレームFに支持されたパッケージウエーハPWを複数枚収容するカセット71と、カセット71が載置されかつカセット71をZ軸方向に移動させるカセットエレベータ70とを備える。レーザー加工装置1は、カセット71からアブレーション加工前のパッケージウエーハPWを取り出しカセット71にアブレーション加工後のパッケージウエーハPWを収容する図示しな搬出入手段と、カセット71から取り出されたアブレーション加工前のパッケージウエーハPW及びアブレーション加工後のカセット71に収容前のパッケージウエーハPWを仮置きする一対のレール72とを備える。レーザー加工装置1は、アブレーション加工後のパッケージウエーハPWを洗浄する洗浄ユニット90と、一対のレール72とチャックテーブル10と洗浄ユニット90との間でパッケージウエーハPWを搬送する搬送ユニット80とを備える。
チャックテーブル10は、図5に示すように、保持面11aを形成する透明又は半透明な保持部材11と、保持部材11を囲繞して形成された環状フレーム部12と、保持部材11の保持面11aと反対側の面側に設置された発光体13とを有する。保持部材11は、厚さが2mm〜5mmの円盤状に形成され、例えば石英により構成されている。保持部材11は、その上面がパッケージウエーハPWを保持する保持面11aとして機能する。
環状フレーム部12は、保持部材11の外周及び下面側を囲繞して形成されている。環状フレーム部12は、図5に示すように、その表面WSが保持面11aと同一平面状に配置されている。環状フレーム部12は、回転駆動源16に取り付けられている。また、環状フレーム部12は、保持部材11の外縁に開口しかつ図示しない真空吸引源と接続された吸引路12aが設けられている。
発光体13は、環状フレーム部12に取り付けられ、かつ保持部材11の下面と対向して配設されて、保持部材11を介してパッケージウエーハPWを照明するものである。発光体13は、複数のLED(Light Emitting Diode)13aにより構成されている。各LED13aは、図示しない電源回路に接続されている。発光体13は、各LED13aに電源回路から電力が供給されると、発光し、保持部材11の下面側から光を上面側に向けて照射する。チャックテーブル10は、発光体13が発光することにより保持面11aが光る。
チャックテーブル10は、環状フレーム部12が回転駆動源16に取り付けられていることにより、X軸移動手段30によりX軸方向に移動自在でかつ回転駆動源16により軸心回りに回転自在に設けられている。また、チャックテーブル10は、保持面11aに環状フレームFに保持されたパッケージウエーハPWがダイシングテープTを介して載置され、真空吸引源により吸引されることで、パッケージウエーハPWを吸引保持する。また、チャックテーブル10の外周には、環状フレームFをクランプするクランプ部14が設けられている。
制御ユニット60は、レーザー加工装置1の上述した構成要素をそれぞれ制御して、パッケージウエーハPWに対する加工動作をレーザー加工装置1に実施させるものである。なお、制御ユニット60は、コンピュータである。制御ユニット60は、加工動作の状態や画像などを表示する液晶表示装置などにより構成される図示しない表示装置及びオペレータが加工内容情報などを登録する際に用いる図示しない入力装置と接続されている。入力装置は、表示装置設けられたタッチパネルと、キーボード等の外部入力装置とのうち少なくとも一つにより構成される。
制御ユニット60は、チャックテーブル10に保持されたパッケージウエーハPWを赤外線カメラ50で撮像し加工すべき領域を検出するアライメントユニット61を備える。アライメントユニット61は、パッケージウエーハPWのアブレーション加工前にパッケージウエーハPWのパルスレーザー光線LRを照射すべき位置を検出するアライメントを実施する。アライメントユニット61は、アライメントを実施する際には、図6に示すように、チャックテーブル10の発光体13の全てのLED13aを点灯させ、パッケージウエーハPWの外周余剰領域GRの外周縁で露出した溝DTの各々を赤外線カメラ50で撮像する。アライメントユニット61は、撮像して得た図7に一例を示す画像IPと、X軸方向位置検出手段及びY軸方向位置検出手段の検出結果とに基づいて、各分割予定ラインLに形成された溝DTのパルスレーザー光線LRを照射すべき位置を検出即ち分割溝PGの位置を割り出す。
赤外線カメラ50が撮像した画像IPは、モールド樹脂MRが赤外線を透過しにくく、基板SBが赤外線を透過するので、外周余剰領域GRの露出した基板SBが、溝DT内に充填されたモールド樹脂MRよりも明るい。即ち、図7に示す画像IPにおいて、外周余剰領域GRの露出した基板SBが発光体13の光で明るく、溝DT内に充填されたモールド樹脂MRが暗く撮像される。実施形態1では、アライメントユニット61は、基板SBを通して赤外線カメラ50が受光する赤外線の光量と、溝DT内に充填されたモールド樹脂MRを通して赤外線カメラ50が受光する赤外線の光量との間に予め設定された閾値を記憶し、閾値以上の領域を図7に示すように白地で示し、閾値を下回る領域を図7に平行斜線で示すように黒地で示す。アライメントユニット61は、閾値を下回る領域のエッジを検出することで、溝DT内に充填されたモールド樹脂MRの位置を検出し、アライメントを遂行する。このように、アライメントユニット61は、赤外線カメラ50で撮像し、赤外線を透過する基板SBは発光体13の光で明るく、赤外線を透過しないモールド樹脂MRは暗く撮像される特性を利用してパッケージウエーハPWのアライメントを実施する。
次に、実施形態1に係るパッケージデバイスチップの製造方法を図面を参照して説明する。図8は、実施形態1に係るパッケージデバイスチップの製造方法の流れを示すフローチャートである。図9(a)は、図8に示されたパッケージデバイスチップの製造方法の溝形成ステップ中のウエーハの要部の断面図である。図9(b)は、図8に示されたパッケージデバイスチップの製造方法の溝形成ステップ後のウエーハの要部の断面図である。図9(c)は、図8に示されたパッケージデバイスチップの製造方法の溝形成ステップ後のウエーハの斜視図である。図10は、図8に示されたパッケージデバイスチップの製造方法のモールド樹脂層形成ステップ後のパッケージウエーハの斜視図である。図11は、図8に示されたパッケージデバイスチップの製造方法のモールド樹脂層形成ステップ後のパッケージウエーハの要部の断面図である。図12(a)は、図8に示されたパッケージデバイスチップの製造方法の薄化ステップを示す側面図である。図12(b)は、図8に示されたパッケージデバイスチップの製造方法の薄化ステップ後のパッケージウエーハの断面図である。図13は、図8に示されたパッケージデバイスチップの製造方法の貼り替えステップを示す斜視図である。図14(a)は、図8に示されたパッケージデバイスチップの製造方法の外周縁除去ステップを示す斜視図である。図14(b)は、図8に示されたパッケージデバイスチップの製造方法の外周縁除去ステップ後のパッケージウエーハの斜視図である。図15は、図8に示されたパッケージデバイスチップの製造方法のアライメントステップを示す斜視図である。図16は、図8に示されたパッケージデバイスチップの製造方法の分割ステップを示す図である。図17は、図8に示されたパッケージデバイスチップの製造方法の分割ステップ後のパッケージウエーハの要部の断面図である。
実施形態1に係るパッケージデバイスチップPDの製造方法(以下、単に製造方法と記す)は、ウエーハWからパッケージウエーハPWを製造した後、パッケージウエーハPWをパッケージデバイスチップPDに分割する方法である。実施形態1に係る製造方法は、図8に示すように、溝形成ステップST1と、モールド樹脂層形成ステップST21と、薄化ステップST22と、貼り替えステップST3と、外周縁除去ステップST4と、アライメントステップST5と、分割ステップST6とを備える。
溝形成ステップST1は、ウエーハWの表面WS側に分割予定ラインLに沿った溝DTを形成するステップである。溝形成ステップST1で形成される溝DTの深さは、パッケージウエーハPWの仕上がり厚さ以上である。実施形態1において、溝形成ステップST1は、切削装置110のチャックテーブルの保持面にウエーハWの表面WSの裏側の裏面WRを吸引保持して、図9(a)に示すように、切削装置110の切削手段112の切削ブレード113を用いて、図9(b)に示すように、ウエーハWの表面WSの各分割予定ラインLに溝DTを形成する。
溝形成ステップST1は、チャックテーブルを図示しないX軸移動手段により水平方向と平行なX軸方向に移動させ、切削手段112の切削ブレード113をY軸移動手段により水平方向と平行でかつX軸方向と直交するY軸方向に移動させ、切削手段112の切削ブレード113をZ軸移動手段により鉛直方向と平行なZ軸方向に移動させて、図9(c)に示すように、ウエーハWの各分割予定ラインLの表面WSに溝DTを形成する。なお、本発明では、溝形成ステップST1は、レーザー光線を用いたアブレーション加工で溝DTを形成しても良い。
モールド樹脂層形成ステップST21は、図10及び図11に示すように、ウエーハWのデバイス領域DRの表面WSをモールド樹脂MRで被覆し、溝DTにモールド樹脂MRを充填するステップである。実施形態1において、モールド樹脂層形成ステップST21は、図示しない樹脂被覆装置の保持テーブルにウエーハWの裏面WRを保持し、ウエーハWの表面WSにモールド樹脂MRを滴下して、保持テーブルを鉛直方向と平行な軸心回りに回転することで、モールド樹脂MRで表面WS全体及び溝DTを覆う。実施形態1において、モールド樹脂MRとして熱硬化性樹脂を用いる。モールド樹脂層形成ステップST21は、ウエーハWの表面WS全体及び溝DTを覆ったモールド樹脂MRを加熱して、硬化させる。また、実施形態1は、モールド樹脂MRで表面WS全体及び溝DTを覆った際に、バンプBPが露出しているが、本発明は、硬化したモールド樹脂MRに研磨加工を施して、バンプBPを確実に露出させるようにしても良い。
薄化ステップST22は、ウエーハWがモールド樹脂MRで覆われて構成されたパッケージウエーハPWの基板SBを仕上がり厚さまで薄化するステップである。薄化ステップST22は、図12(a)に示すように、パッケージウエーハPWのモールド樹脂MR側に保護部材PPを貼着した後、保護部材PPを研削装置120のチャックテーブル121の保持面121aに吸引保持し、パッケージウエーハPWの裏面WRに研削砥石122を当接させて、チャックテーブル121及び研削砥石122を軸心回りに回転して、パッケージウエーハPWの裏面WRに研削加工を施す。薄化ステップST22は、図12(b)に示すように、溝DTの充填したモールド樹脂MRが露出するまでパッケージウエーハPWを薄化する。前述したモールド樹脂層形成ステップST21と薄化ステップST22とは、溝DTにモールド樹脂MRを充填するとともにウエーハWの表面WSをモールド樹脂MRで被覆し、パッケージウエーハPWを形成するパッケージウエーハ形成ステップST2を構成する。
貼り替えステップST3は、パッケージウエーハPWから保護部材PPを剥がすとともに、ダイシングテープTを貼着するステップである。貼り替えステップST3は、図13に示すように、外周に環状フレームFが貼着されたダイシングテープTにパッケージウエーハPWの裏面WRを貼着し、保護部材PPを表面WSから剥がす。
外周縁除去ステップST4は、パッケージウエーハPWの外周縁に沿って、モールド樹脂MRとウエーハWの表面WS側を図14(a)に示す切削ブレード115で除去し、モールド樹脂MRが充填された溝DTとウエーハWの基板SBを外周余剰領域GRの外周縁で露出させるステップである。実施形態1において、外周縁除去ステップST4は、パッケージウエーハPWの外周余剰領域GRの外周縁の全周に亘ってモールド樹脂MRを除去する。
実施形態1において、外周縁除去ステップST4は、溝形成ステップST1と同様に、図14(a)に示すように、切削装置110のチャックテーブル111の保持面111aにパッケージウエーハPWの裏面WRを吸引保持し、チャックテーブル111を回転駆動源114にZ軸方向と平行な軸心回りに回転させながら切削ブレード115を基板SBに達するまで外周余剰領域GRの外周縁上のモールド樹脂MRに切り込ませて、外周余剰領域GRの外周縁上にモールド樹脂MRが充填された溝DTを露出させる。外周縁除去ステップST4は、図14(b)に示すように、パッケージウエーハPWの外周余剰領域GRの外周縁のモールド樹脂MRを除去する。なお、図13、図14(a)及び図14(b)は、バンプBPを省略している。また、外周縁除去ステップST4で、外周余剰領域GRで露出した基板SBの表面には、切削ブレード115により形成された図示しない切削痕(ソーマークともいう)が形成されている。
アライメントステップST5と分割ステップST6とは、レーザー加工装置1により実施される。外周縁除去ステップST4が実施されたパッケージウエーハPWは、オペレータによりカセット71内に複数枚収容され、パッケージウエーハPWを複数枚収容したカセット71がオペレータによりレーザー加工装置1のカセットエレベータ70に載置される。オペレータが加工内容情報をレーザー加工装置1の制御ユニット60に登録し、オペレータから加工動作の開始指示があった場合に、レーザー加工装置1が加工動作を開始して、アライメントステップST5を実施する。
アライメントステップST5は、モールド樹脂MRが充填され外周縁で露出した溝DTに基づいて、溝DTに沿って形成するパッケージウエーハPWの分割溝PGの位置を割り出すステップである。アライメントステップST5では、制御ユニット60が搬出入手段にカセット71からアブレーション加工前のパッケージウエーハPWを1枚取り出させ、一対のレール72上に載置させる。制御ユニット60は、搬送ユニット80に一対のレール72上のパッケージウエーハPWをチャックテーブル10の保持部材11の保持面11aに載置させ、チャックテーブル10の保持部材11の保持面11aに吸引保持し、発光体13を発光させる。
制御ユニット60は、X軸移動手段30によりチャックテーブル10をレーザー光線照射ユニット20の下方に向かって移動して、図15に示すように、赤外線カメラ50の下方にチャックテーブル10に保持されたパッケージウエーハPWを位置付ける。アライメントステップST5では、アライメントユニット61は、外周縁で溝DTが露出したパッケージウエーハPWの裏面WR側をチャックテーブル10で保持し、パッケージウエーハPWの表面を外周縁に沿って赤外線カメラ50で撮像する。
アライメントステップST5では、アライメントユニット61は、赤外線カメラ50で撮像する際に、パッケージウエーハPWの外周余剰領域GRで露出した各分割予定ラインLに形成された溝DTを赤外線カメラ50に順に撮像させる。アライメントステップST5では、アライメントユニット61は、赤外線カメラ50が受光した赤外線の光量に基づいて、図7に示す画像IPを生成する。図7に示す画像IPは、赤外線カメラ50が受光した赤外線の光量に基づいて生成されるために、ソーマークが画像IPに映ることを抑制できる。ソーマークは、パッケージウエーハPWのウエーハWの基板SBの表面などに形成された切削痕であるために、赤外線の透過率に対して影響を与えないからである。
アライメントステップST5では、アライメントユニット61は、画像IPから各分割予定ラインLに形成する分割溝PGの位置を割り出して、アライメントを実施する。このように、アライメントステップST5は、図7に示す画像IPに基づいてアライメントを実施することにより、モールド樹脂MRが充填された溝DTは赤外線が透過しないため暗く、溝DTの両脇で露出するウエーハWの基板SBは赤外線を透過し発光体13の光で明るく撮影される事で、外周縁を除去した切削ブレード113のソーマークが画像IPにおいて溝DTとウエーハW基板SBとの境界に形成され、ソーマークが境界即ち分割溝PGのエッジの検出を妨げるのを防ぐことができる。
分割ステップST6は、アライメントステップST5で割り出した位置に基づいて分割溝PGを形成するステップである。分割ステップST6では、制御ユニット60は、アライメントユニット61のアライメント結果に基づいて、X軸移動手段30とY軸移動手段40とを制御してチャックテーブル10を移動させて、図16に示すように、レーザー光線照射ユニット20からレーザー光線LRを各溝DTに充填されたモールド樹脂MRに照射させる。分割ステップST6では、制御ユニット60は、図17に示すように、各溝DTに充填されたモールド樹脂MRに分割溝PGを形成する。
分割ステップST6を実施した後、制御ユニット60は、チャックテーブル10をレーザー光線照射ユニット20の下方から退避させて、一対のレール72寄りの位置で停止させ、発光体13を消灯するとともに、チャックテーブル10の吸引保持を解除する。そして、制御ユニット60は、搬送ユニット80を用いてアブレーション加工済みのパッケージウエーハPWを洗浄ユニット90に搬送し、洗浄ユニット90で洗浄した後、洗浄済みのパッケージウエーハPWをカセット71内に収容する。
制御ユニット60は、カセット71内の全てのパッケージウエーハPWに順にアブレーション加工を施す。制御ユニット60は、カセット71内の全てのパッケージウエーハPWにアブレーション加工を施すと、加工動作を終了する。
前述した制御ユニット60は、CPU(central processing unit)のようなマイクロプロセッサを有する演算処理装置と、ROM(read only memory)又はRAM(random access memory)のようなメモリを有する記憶装置と、入出力インターフェース装置とを有する。制御ユニット60の演算処理装置は、記憶装置に記憶されているコンピュータプログラムに従って演算処理を実施して、レーザー加工装置1を制御するための制御信号を、入出力インターフェース装置を介してレーザー加工装置1の上述した構成要素に出力する。また、制御ユニット60及びアライメントユニット61の機能は、演算処理装置が記憶装置に記憶されているコンピュータプログラムを実行し、必要な情報を記憶装置に記憶することにより実現される。
実施形態1に係る製造方法及びレーザー加工装置1は、アライメントステップST5において、チャックテーブル10の発光体13を発光させて、赤外線カメラ50が撮像した得た画像IPに基づいて、アライメントユニット61が分割溝PGの位置の割り出しを行う。パッケージウエーハPWのウエーハWの基板SBの表面などに形成されたソーマークは、赤外線の透過率に影響を与えないために、画像IPにおいてモールド樹脂MRが充填された溝DTが暗く、それ以外のウエーハWの基板SBが発光体13の光が透過して明るく映る。赤外線カメラ50が撮像して、ソーマークの影響を受けない画像IPは、溝DT内に充填されたモールド樹脂MRとウエーハWの基板SBの表面との境界が溝DTの外縁に沿って直線状となる。その結果、実施形態1に係る製造方法及びレーザー加工装置1は、分割溝PGの位置を正確に割り出すことができる。
なお、本発明は、上記実施形態に限定されるものではない。即ち、本発明の骨子を逸脱しない範囲で種々変形して実施することができる。