JP6773457B2 - How to process electrostatic chuck sheet and wafer - Google Patents

Description

本発明は、静電チャックシート及びウエーハの加工方法に関する。 The present invention relates to a method for processing an electrostatic chuck sheet and a wafer.

半導体回路、ＭＥＭＳ（Micro Electro Mechanical Systems）構造やＬＥＤ（Light Emitting Diode）素子などが分割予定ラインによって区画された領域に形成されたウエーハにレーザー光線を照射し、形成した改質層に沿って破断する加工方法が知られている（特許文献１及び特許文献２参照）。 A semiconductor circuit, a MEMS (Micro Electro Mechanical Systems) structure, an LED (Light Emitting Diode) element, etc. irradiate a wafer formed in an area partitioned by a planned division line with a laser beam and break along the formed modified layer. The processing method is known (see Patent Document 1 and Patent Document 2).

特開２００５−３３２８４１号公報Japanese Unexamined Patent Publication No. 2005-332841 特開２００４−３４９６２３号公報Japanese Unexamined Patent Publication No. 2004-349623

ウエーハの破断には、ウエーハを貼着したダイシングテープを拡張することでウエーハに外力を付与して破断する方法があり、この工程では、必ずウエーハの径より大きいダイシングテープにウエーハを貼着しておく必要がある。とくに、ウエーハに改質層を形成後薄化して、薄化による外力で改質層から亀裂を伸展させてウエーハを個々のデバイスチップに分割する加工方法では、分割後、チップ間の距離を空けてからピックアップするピックアップ装置に投入するためや、ＤＡＦ（Die Attach Film）テープを貼着するために、ウエーハより径の大きいテープに張り替え、拡張する工程が発生する。この張り替え作業では、すでにチップに破断しているため、作業中にチップ同士が擦れて破損したりする恐れがある。 There is a method of breaking the wafer by applying an external force to the wafer by expanding the dicing tape to which the wafer is attached. In this process, the wafer is always attached to the dicing tape larger than the diameter of the wafer. Need to keep. In particular, in the processing method in which a modified layer is formed on a wafer and then thinned, cracks are extended from the modified layer by an external force due to the thinning, and the wafer is divided into individual device chips, the distance between the chips is increased after the division. In order to put it in the pickup device to be picked up afterwards, or to attach a DAF (Die Attach Film) tape, a process of changing to a tape having a diameter larger than that of the wafer and expanding the tape is required. In this re-covering work, since the chips are already broken, there is a risk that the chips may rub against each other and be damaged during the work.

本発明は、かかる問題点に鑑みてなされたものであり、その目的は、ウエーハの破損リスクを抑えたウエーハの加工を可能にする静電チャックシート及びウエーハの加工方法を提供することである。 The present invention has been made in view of such a problem, and an object of the present invention is to provide an electrostatic chuck sheet and a method for processing a wafer, which enables processing of the wafer while suppressing the risk of damage to the wafer.

上述した課題を解決し、目的を達成するために、本発明の静電チャックシートは、伸縮性のあるベースシートと、該ベースシートの上面に形成された電極回路と、該ベースシートの上面及び該電極回路を覆いウエーハを載置する保持面を構成する非導電性樹脂層と、該電極回路に接続する給電端子部と、を備え、該電極回路は、該給電端子部と接続する幹部と、該幹部から複数に別れ波型に延出する枝部と、からなり、波型の該枝部は正極と負極が互い違いに配置され、伸縮性のあることを特徴とする。 In order to solve the above-mentioned problems and achieve the object, the electrostatic chuck sheet of the present invention includes an elastic base sheet, an electrode circuit formed on the upper surface of the base sheet, an upper surface of the base sheet, and the like. e Bei a nonconductive resin layer constituting the holding surface for placing the wafer covering the electrode circuit, and the power-supply-terminal portion to be connected to the electrode circuit, and the electrode circuit, trunk to be connected to the power feeding terminal section The corrugated branch portion is composed of a branch portion that is divided into a plurality of parts from the trunk portion and extends in a wavy shape, and the corrugated branch portion is characterized in that positive electrodes and negative electrodes are alternately arranged and have elasticity.

本発明のウエーハの加工方法は、表面の交差する分割予定ラインによって区画された領域にデバイスが形成されたウエーハを加工するウエーハの加工方法であって、前記静電チャックシートで保持したウエーハにレーザー光線を照射し、ウエーハの内部に該分割予定ラインに沿った改質層を形成する改質層形成ステップと、該改質層形成ステップの後、ウエーハを保持したまま該静電チャックシートを拡張し、該改質層に沿ってウエーハを破断し複数のデバイスチップに分割する拡張ステップと、を備えることを特徴とする。 The wafer processing method of the present invention is a wafer processing method for processing a wafer in which a device is formed in a region partitioned by intersecting scheduled division lines on the surface, and a laser beam is applied to the wafer held by the electrostatic chuck sheet. After the modified layer forming step of forming a modified layer along the planned division line inside the wafer and the modified layer forming step, the electrostatic chuck sheet is expanded while holding the wafer. It is characterized by comprising an expansion step of breaking the wafer along the modified layer and dividing the wafer into a plurality of device chips.

ウエーハの加工方法は、該拡張ステップの後、該静電チャックシートの拡張を維持し、隣接する該デバイスチップの間隔が空いたウエーハの露出した面にダイシングテープを貼着するテープ貼着ステップを備えることができる。 The processing method of the wafer is to maintain the expansion of the electrostatic chuck sheet after the expansion step, and to attach the dicing tape to the exposed surface of the wafer where the adjacent device chips are spaced apart. Can be prepared.

そこで、本願発明の静電チャックシートは、ウエーハの破損リスクを抑えたウエーハの加工を可能にするという効果を奏する。 Therefore, the electrostatic chuck sheet of the present invention has the effect of enabling processing of the wafer while suppressing the risk of damage to the wafer.

図１は、実施形態１に係る静電チャックシートの平面図である。FIG. 1 is a plan view of the electrostatic chuck sheet according to the first embodiment. 図２は、図１中のＩＩ−ＩＩ線に沿う断面図である。FIG. 2 is a cross-sectional view taken along the line II-II in FIG. 図３は、図１に示された静電チャックシートに保持されるウエーハの斜視図である。FIG. 3 is a perspective view of the wafer held by the electrostatic chuck sheet shown in FIG. 図４は、実施形態１に係る静電チャックシートの製造方法のベースシート準備ステップを示す断面図である。FIG. 4 is a cross-sectional view showing a base sheet preparation step of the method for manufacturing an electrostatic chuck sheet according to the first embodiment. 図５は、実施形態１に係る静電チャックシートの製造方法の電極形成ステップを示す断面図である。FIG. 5 is a cross-sectional view showing an electrode forming step of the method for manufacturing an electrostatic chuck sheet according to the first embodiment. 図６は、実施形態１に係る静電チャックシートの製造方法の非導電性樹脂層形成ステップを示す断面図である。FIG. 6 is a cross-sectional view showing a non-conductive resin layer forming step of the method for manufacturing an electrostatic chuck sheet according to the first embodiment. 図７は、実施形態１に係るウエーハの加工方法の改質層形成ステップを示す側断面図である。FIG. 7 is a side sectional view showing a modified layer forming step of the wafer processing method according to the first embodiment. 図８は、実施形態１に係るウエーハの加工方法の拡張ステップを示す側断面図である。FIG. 8 is a side sectional view showing an expansion step of the wafer processing method according to the first embodiment. 図９は、図８に示す搬送用のフレーム等を示す斜視図である。FIG. 9 is a perspective view showing a transport frame and the like shown in FIG. 図１０は、実施形態１に係るウエーハの加工方法のテープ貼着ステップを示す側断面図である。FIG. 10 is a side sectional view showing a tape attaching step of the wafer processing method according to the first embodiment. 図１１は、実施形態１に係るウエーハの加工方法のテープ貼着ステップを示す平面図である。FIG. 11 is a plan view showing a tape application step of the wafer processing method according to the first embodiment. 図１２は、実施形態２に係るウエーハの加工方法の拡張ステップを示す斜視図である。FIG. 12 is a perspective view showing an expansion step of the wafer processing method according to the second embodiment. 図１３は、本発明の実施形態３に係る静電チャックシートの平面図である。FIG. 13 is a plan view of the electrostatic chuck sheet according to the third embodiment of the present invention.

本発明を実施するための形態（実施形態）につき、図面を参照しつつ詳細に説明する。以下の実施形態に記載した内容により本発明が限定されるものではない。また、以下に記載した構成要素には、当業者が容易に想定できるもの、実質的に同一のものが含まれる。さらに、以下に記載した構成は適宜組み合わせることが可能である。また、本発明の要旨を逸脱しない範囲で構成の種々の省略、置換又は変更を行うことができる。 An embodiment (embodiment) for carrying out the present invention will be described in detail with reference to the drawings. The present invention is not limited to the contents described in the following embodiments. In addition, the components described below include those that can be easily assumed by those skilled in the art and those that are substantially the same. Further, the configurations described below can be combined as appropriate. In addition, various omissions, substitutions or changes of the configuration can be made without departing from the gist of the present invention.

〔実施形態１〕
本発明の実施形態１に係る静電チャックシート１及びウエーハＷの加工方法を図面に基づいて説明する。図１は、実施形態１に係る静電チャックシートの平面図である。図２は、図１中のＩＩ−ＩＩ線に沿う断面図である。図３は、図１に示された静電チャックシートに保持されるウエーハの斜視図である。 [Embodiment 1]
The processing method of the electrostatic chuck sheet 1 and the wafer W according to the first embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings. FIG. 1 is a plan view of the electrostatic chuck sheet according to the first embodiment. FIG. 2 is a cross-sectional view taken along the line II-II in FIG. FIG. 3 is a perspective view of the wafer held by the electrostatic chuck sheet shown in FIG.

実施形態１に係る静電チャックシート１は、図３に示すウエーハＷを保持するものである。ウエーハＷは、本実施形態ではシリコン、サファイア、ガリウムなどを母材とする円板状の半導体ウエーハや光デバイスウエーハである。ウエーハＷは、図３に示すように、表面ＷＳの交差する複数の分割予定ラインＳによって区画された各領域にデバイスＤが形成されている。デバイスＤとして、ＩＣ（Integrated Circuit）、ＬＳＩ（Large Scale Integration）、ＭＥＭＳ（Micro Electro Mechanical Systems：微少電気機械システム）等が、各領域に形成される。 The electrostatic chuck sheet 1 according to the first embodiment holds the wafer W shown in FIG. In the present embodiment, the wafer W is a disk-shaped semiconductor wafer or optical device wafer using silicon, sapphire, gallium, or the like as a base material. As shown in FIG. 3, the wafer W has a device D formed in each region partitioned by a plurality of planned division lines S where the surface WS intersects. As the device D, an IC (Integrated Circuit), an LSI (Large Scale Integration), a MEMS (Micro Electro Mechanical Systems) and the like are formed in each region.

実施形態１に係る静電チャックシート１の平面形状は、図１に示すように、四角形に形成されている。静電チャックシート１は、伸縮性のあるシート状に形成されている。静電チャックシート１は、図２に示すように、伸縮性のあるベースシート２と、電極回路３と、非導電性樹脂層４と、電極回路３に接続する給電端子部５とを備える。 As shown in FIG. 1, the planar shape of the electrostatic chuck sheet 1 according to the first embodiment is formed in a quadrangular shape. The electrostatic chuck sheet 1 is formed in the form of a stretchable sheet. As shown in FIG. 2, the electrostatic chuck sheet 1 includes a stretchable base sheet 2, an electrode circuit 3, a non-conductive resin layer 4, and a power feeding terminal portion 5 connected to the electrode circuit 3.

ベースシート２は、ゴム、合成樹脂又は布から構成されている。ベースシート２は、合成樹脂により構成される際には、ポリイミド（Polyimide）又はポリオレフィン（Polyolefin）により構成されるのが望ましい。ベースシート２は、平面形状が四角形のシート状に形成されている。ベースシート２は、ベースシート２の表面に沿って伸縮自在である。ベースシート２の厚さは、１００μｍ〜８００μｍ程度であり、１００μｍ〜３００μｍ程度であるのが望ましい。 The base sheet 2 is made of rubber, synthetic resin or cloth. When the base sheet 2 is made of a synthetic resin, it is desirable that the base sheet 2 is made of polyimide or Polyolefin. The base sheet 2 is formed in a quadrangular sheet shape. The base sheet 2 is stretchable along the surface of the base sheet 2. The thickness of the base sheet 2 is about 100 μm to 800 μm, and preferably about 100 μm to 300 μm.

給電端子部５は、ベースシート２の上面に形成されている。給電端子部５は、図１に示すように、正極給電端子部５ａと、負極給電端子部５ｂとを備える。正極給電端子部５ａと、負極給電端子部５ｂとは、互いの間にベースシート２の中心を挟む外縁部１ａ，１ｂに設けられている。実施形態１において、正極給電端子部５ａと負極給電端子部５ｂとは、それぞれ、ベースシート２の外縁部１ａ，１ｂの中央に配置されている。正極給電端子部５ａと負極給電端子部５ｂとは、それぞれ、導電性の金属により構成されている。正極給電端子部５ａは、プラスの電圧が印加され、負極給電端子部５ｂは、マイナスの電圧が印加される。 The power supply terminal portion 5 is formed on the upper surface of the base sheet 2. As shown in FIG. 1, the power feeding terminal portion 5 includes a positive electrode feeding terminal portion 5a and a negative electrode feeding terminal portion 5b. The positive electrode feeding terminal portion 5a and the negative electrode feeding terminal portion 5b are provided on the outer edge portions 1a and 1b that sandwich the center of the base sheet 2 between them. In the first embodiment, the positive electrode feeding terminal portion 5a and the negative electrode feeding terminal portion 5b are arranged at the center of the outer edge portions 1a and 1b of the base sheet 2, respectively. The positive electrode feeding terminal portion 5a and the negative electrode feeding terminal portion 5b are each made of a conductive metal. A positive voltage is applied to the positive electrode feeding terminal portion 5a, and a negative voltage is applied to the negative electrode feeding terminal portion 5b.

電極回路３は、ベースシート２の上面に形成されている。電極回路３は、正極電極回路３ａと、負極電極回路３ｂとを備える。正極電極回路３ａは、正極給電端子部５ａに接続され、負極電極回路３ｂは、負極給電端子部５ｂに接続されている。正極電極回路３ａは、金属により構成され、かつ、正極給電端子部５ａと接続する幹部７ａと、幹部７ａから複数に別れ波型に延出する枝部６ａと、を備える。幹部７ａは、正極給電端子部５ａが設けられたベースシート２の外縁部１ａと平行に直線状に形成されている。枝部６ａは、正極給電端子部５ａが設けられたベースシート２の外縁部１ａから負極給電端子部５ｂが設けられたベースシート２の外縁部１ｂに向かって延びている。枝部６ａは、外縁部１ａ，１ｂの間に複数設けられている。枝部６ａは、外縁部１ａから外縁部１ｂに向かうにしたがって左右に交互に蛇行する波型に形成されている。 The electrode circuit 3 is formed on the upper surface of the base sheet 2. The electrode circuit 3 includes a positive electrode circuit 3a and a negative electrode circuit 3b. The positive electrode circuit 3a is connected to the positive electrode feeding terminal 5a, and the negative electrode circuit 3b is connected to the negative electrode feeding terminal 5b. The positive electrode circuit 3a includes a trunk portion 7a which is made of metal and is connected to the positive electrode feeding terminal portion 5a, and a branch portion 6a which is divided into a plurality of parts from the trunk portion 7a and extends in a wavy shape. The trunk portion 7a is formed in a straight line parallel to the outer edge portion 1a of the base sheet 2 provided with the positive electrode feeding terminal portion 5a. The branch portion 6a extends from the outer edge portion 1a of the base sheet 2 provided with the positive electrode feeding terminal portion 5a toward the outer edge portion 1b of the base sheet 2 provided with the negative electrode feeding terminal portion 5b. A plurality of branch portions 6a are provided between the outer edge portions 1a and 1b. The branch portion 6a is formed in a wavy shape that meanders alternately to the left and right from the outer edge portion 1a toward the outer edge portion 1b.

負極電極回路３ｂは、金属により構成され、かつ、負極給電端子部５ｂと接続する幹部７ｂと、幹部７ｂから複数に別れ波型に延出する枝部６ｂと、を備える。幹部７ｂは、負極給電端子部５ｂが設けられたベースシート２の外縁部１ｂと平行に直線状に形成されている。枝部６ｂは、負極給電端子部５ｂが設けられたベースシート２の外縁部１ｂから正極給電端子部５ａが設けられたベースシート２の外縁部１ａに向かって延びている。枝部６ｂは、外縁部１ａ，１ｂの間に複数設けられている。枝部６ｂは、外縁部１ｂから外縁部１ａに向かうにしたがって左右に交互に蛇行する波型に形成されている。また、正極電極回路３ａの互いに隣り合う二本の枝部６ａの間に負極電極回路３ｂの一本の枝部６ｂが配置され、負極電極回路３ｂの互いに隣り合う二本の枝部６ｂの間に正極電極回路３ａの一本の枝部６ａが配置されている。こうして、電極回路３は、枝部６ａと枝部６ｂとが交互に配置されている。電極回路３の波型の枝部６ａ，６ｂは、正極電極回路３ａの枝部６ａと負極電極回路３ｂの枝部６ｂとが互い違いに配置されている。 The negative electrode electrode circuit 3b includes a trunk portion 7b which is made of metal and is connected to the negative electrode feeding terminal portion 5b, and a branch portion 6b which is divided into a plurality of parts from the trunk portion 7b and extends in a wavy shape. The trunk portion 7b is formed in a straight line parallel to the outer edge portion 1b of the base sheet 2 provided with the negative electrode feeding terminal portion 5b. The branch portion 6b extends from the outer edge portion 1b of the base sheet 2 provided with the negative electrode feeding terminal portion 5b toward the outer edge portion 1a of the base sheet 2 provided with the positive electrode feeding terminal portion 5a. A plurality of branch portions 6b are provided between the outer edge portions 1a and 1b. The branch portion 6b is formed in a wavy shape that meanders alternately to the left and right from the outer edge portion 1b toward the outer edge portion 1a. Further, one branch portion 6b of the negative electrode circuit 3b is arranged between two branch portions 6a of the positive electrode circuit 3a adjacent to each other, and between the two branch portions 6b of the negative electrode circuit 3b adjacent to each other. A branch portion 6a of the positive electrode circuit 3a is arranged in the positive electrode circuit 3a. In this way, in the electrode circuit 3, the branch portions 6a and the branch portions 6b are alternately arranged. In the corrugated branch portions 6a and 6b of the electrode circuit 3, the branch portions 6a of the positive electrode circuit 3a and the branch portions 6b of the negative electrode circuit 3b are alternately arranged.

実施形態１において、互いに隣り合う電極回路３の波型の枝部６ａ，６ｂ間の間隔は、０．１ｍｍ以上でかつ５．０ｍｍ以下であるのが望ましく、０，５ｍｍ以上でかつ２，０ｍｍ以下であるのがさらに望ましい。また、電極回路３の枝部６ａ，６ｂは、波型に形成されて、伸縮性を有する。実施形態１において、枝部６ａ，６ｂは、波型に形成されているが、波型に限らず、鋸刃状に形成されても良い。また、給電端子部５と電極回路３は、銅ペースト又は銀ペーストにより構成されるのが望ましく、厚さが３μｍ〜３０μｍに形成されるのが望ましい。 In the first embodiment, the distance between the corrugated branch portions 6a and 6b of the electrode circuits 3 adjacent to each other is preferably 0.1 mm or more and 5.0 mm or less, and 0.5 mm or more and 2.0 mm or more. It is even more desirable that: Further, the branch portions 6a and 6b of the electrode circuit 3 are formed in a wavy shape and have elasticity. In the first embodiment, the branch portions 6a and 6b are formed in a corrugated shape, but the branch portions 6a and 6b are not limited to the corrugated shape and may be formed in a saw blade shape. Further, the power feeding terminal portion 5 and the electrode circuit 3 are preferably made of copper paste or silver paste, and are preferably formed to have a thickness of 3 μm to 30 μm.

非導電性樹脂層４は、非導電性でかつ伸縮性のある材料で構成されている。非導電性樹脂層４は、ベースシート２の上面及び電極回路３を覆いウエーハＷを載置する保持面４ａを構成する。非導電性樹脂層４は、各給電端子部５を露出させる切欠き４ｂが形成されている。切欠き４ｂは、各給電端子部５の全体又は一部を露出させる。非導電性樹脂層４は、帝国インキ製造（株）製のＵＶ（Ultraviolet）型クリアーインキにより構成されるのが望ましく、厚さが２０μｍ〜２００μｍに形成されるのが望ましい。 The non-conductive resin layer 4 is made of a non-conductive and stretchable material. The non-conductive resin layer 4 constitutes a holding surface 4a that covers the upper surface of the base sheet 2 and the electrode circuit 3 and on which the wafer W is placed. The non-conductive resin layer 4 is formed with a notch 4b that exposes each power feeding terminal portion 5. The notch 4b exposes all or part of each power feeding terminal portion 5. The non-conductive resin layer 4 is preferably composed of UV (Ultraviolet) type clear ink manufactured by Teikoku Printing Inks, Ltd., and is preferably formed to have a thickness of 20 μm to 200 μm.

静電チャックシート１は、非導電性樹脂層４の保持面４ａ上にウエーハＷが載置され、正極給電端子部５ａから正極電極回路３ａにプラスの電圧が印加され、負極給電端子部５ｂから負極電極回路３ｂにマイナスの電圧が印加されることにより、枝部６ａ，６ｂ間に発生した力によってウエーハＷを吸着保持する。なお、実施形態１において、給電端子部５ａ，５ｂから電極回路３ａ，３ｂに印加される電圧は、１０００Ｖ以上でかつ２０００Ｖ以下であるのが望ましい。 In the electrostatic chuck sheet 1, the wafer W is placed on the holding surface 4a of the non-conductive resin layer 4, a positive voltage is applied from the positive electrode feeding terminal 5a to the positive electrode circuit 3a, and the negative voltage feeding terminal 5b applies a positive voltage. When a negative voltage is applied to the negative electrode circuit 3b, the waha W is attracted and held by the force generated between the branch portions 6a and 6b. In the first embodiment, the voltage applied from the power feeding terminal portions 5a and 5b to the electrode circuits 3a and 3b is preferably 1000 V or more and 2000 V or less.

次に、静電チャックシート１の製造方法を図面に基づいて説明する。図４は、実施形態１に係る静電チャックシートの製造方法のベースシート準備ステップを示す断面図である。図５は、実施形態１に係る静電チャックシートの製造方法の電極形成ステップを示す断面図である。図６は、実施形態１に係る静電チャックシートの製造方法の非導電性樹脂層形成ステップを示す断面図である。 Next, a method of manufacturing the electrostatic chuck sheet 1 will be described with reference to the drawings. FIG. 4 is a cross-sectional view showing a base sheet preparation step of the method for manufacturing an electrostatic chuck sheet according to the first embodiment. FIG. 5 is a cross-sectional view showing an electrode forming step of the method for manufacturing an electrostatic chuck sheet according to the first embodiment. FIG. 6 is a cross-sectional view showing a non-conductive resin layer forming step of the method for manufacturing an electrostatic chuck sheet according to the first embodiment.

静電チャックシート１を製造する際には、まず、ベースシート準備ステップにおいて、図４に示すように、ベースシート２を準備する。その後、電極形成ステップにおいて、図５に示すように、スクリーン印刷又はインクジェット方式の印刷によりベースシート２の上面に給電端子部５及び電極回路３を形成する。そして、非導電性樹脂層形成ステップにおいて、図６に示すように、切欠き４ｂを除いて、帝国インキ製造（株）製のＵＶ（Ultraviolet）型クリアーインキをベースシート２の上面及び電極回路３上にスキージを用いて塗り広げる、又は、スピンコートにより塗布して、非導電性樹脂層４を形成する。 When manufacturing the electrostatic chuck sheet 1, first, in the base sheet preparation step, the base sheet 2 is prepared as shown in FIG. After that, in the electrode forming step, as shown in FIG. 5, the power feeding terminal portion 5 and the electrode circuit 3 are formed on the upper surface of the base sheet 2 by screen printing or inkjet printing. Then, in the non-conductive resin layer forming step, as shown in FIG. 6, except for the notch 4b, UV (Ultraviolet) type clear ink manufactured by Teikoku Printing Inks Co., Ltd. was applied to the upper surface of the base sheet 2 and the electrode circuit 3 The non-conductive resin layer 4 is formed by spreading it on top with a squeegee or applying it by spin coating.

次に、静電チャックシート１を用いたウエーハＷの加工方法を図面に基づいて説明する。図７は、実施形態１に係るウエーハの加工方法の改質層形成ステップを示す側断面図である。図８は、実施形態１に係るウエーハの加工方法の拡張ステップを示す側断面図である。図９は、図８に示す搬送用のフレーム等を示す斜視図である。図１０は、実施形態１に係るウエーハの加工方法のテープ貼着ステップを示す側断面図である。図１１は、実施形態１に係るウエーハの加工方法のテープ貼着ステップを示す平面図である。 Next, a method of processing the wafer W using the electrostatic chuck sheet 1 will be described with reference to the drawings. FIG. 7 is a side sectional view showing a modified layer forming step of the wafer processing method according to the first embodiment. FIG. 8 is a side sectional view showing an expansion step of the wafer processing method according to the first embodiment. FIG. 9 is a perspective view showing a transport frame and the like shown in FIG. FIG. 10 is a side sectional view showing a tape attaching step of the wafer processing method according to the first embodiment. FIG. 11 is a plan view showing a tape application step of the wafer processing method according to the first embodiment.

ウエーハＷの加工方法（以下、単に加工方法と記す）は、図３に示すウエーハＷを加工する方法であって、ウエーハＷにレーザー光線Ｌ（図７に示す）を照射して内部に改質層Ｋ（図７等に示す）を形成して個々のデバイスチップＤＴ（図８等に示す）に分割する方法である。である。デバイスチップＤＴは、デバイスＤを含む。なお、改質層Ｋとは、密度、屈折率、機械的強度やその他の物理的特性が周囲のそれとは異なる状態になった領域のことを意味し、溶融処理領域、クラック領域、絶縁破壊領域、屈折率変化領域、及びこれらの領域が混在した領域等を例示できる。 The processing method of the wafer W (hereinafter, simply referred to as a processing method) is a method of processing the wafer W shown in FIG. 3, in which the wafer W is irradiated with a laser beam L (shown in FIG. 7) and the modified layer is internally formed. This is a method in which K (shown in FIG. 7 and the like) is formed and divided into individual device chip DTs (shown in FIG. 8 and the like). Is. The device chip DT includes the device D. The modified layer K means a region in which the density, refractive index, mechanical strength and other physical properties are different from those of the surroundings, and is a melt processing region, a crack region, and a dielectric breakdown region. , A region where the refractive index changes, a region in which these regions are mixed, and the like can be exemplified.

加工方法は、改質層形成ステップと、拡張ステップと、テープ貼着ステップとを備える。改質層形成ステップは、静電チャックシート１で保持したウエーハＷにレーザー光線Ｌを照射し、ウエーハＷの内部に分割予定ラインＳに沿った改質層Ｋを形成するステップである。改質層形成ステップは、図７に示すように、レーザー加工装置１０のチャックテーブル１１のポーラス状の保持面１１ａ上に静電チャックシート１のベースシート２を載置し、静電チャックシート１の非導電性樹脂層４の保持面４ａ上にウエーハＷの表面ＷＳを載置する。チャックテーブル１１に切換え弁１２を介して接続された真空吸引源１３の吸引力を保持面１１ａに作用させて、静電チャックシート１を吸引し、静電チャックシート１を介してウエーハＷの表面ＷＳ側をチャックテーブル１１の保持面１１ａに吸引保持する。 The processing method includes a modified layer forming step, an expansion step, and a tape sticking step. The modified layer forming step is a step of irradiating the wafer W held by the electrostatic chuck sheet 1 with the laser beam L to form the modified layer K along the planned division line S inside the wafer W. In the modified layer forming step, as shown in FIG. 7, the base sheet 2 of the electrostatic chuck sheet 1 is placed on the porous holding surface 11a of the chuck table 11 of the laser processing apparatus 10, and the electrostatic chuck sheet 1 is placed. The surface WS of the wafer W is placed on the holding surface 4a of the non-conductive resin layer 4 of the above. The suction force of the vacuum suction source 13 connected to the chuck table 11 via the switching valve 12 is applied to the holding surface 11a to suck the electrostatic chuck sheet 1, and the surface of the wafer W is sucked through the electrostatic chuck sheet 1. The WS side is sucked and held on the holding surface 11a of the chuck table 11.

また、チャックテーブル１１の給電端子部１１ａ，１１ｂを給電端子部５ａ，５ｂに接続し、電極回路３ａ，３ｂに所定の電圧を印加し、静電チャックシート１にウエーハＷを吸引保持する。 Further, the power feeding terminal portions 11a and 11b of the chuck table 11 are connected to the feeding terminal portions 5a and 5b, a predetermined voltage is applied to the electrode circuits 3a and 3b, and the wafer W is sucked and held on the electrostatic chuck sheet 1.

そして、レーザー加工装置１０の図示しない撮像手段が取得した画像に基いて、アライメントを遂行する。その後、チャックテーブル１１とレーザー光線照射手段１４とを相対的に移動手段により移動させながら、図７に示すように、チャックテーブル１１に保持されたウエーハＷの裏面ＷＲからウエーハＷに対して透過性を有する波長（例えば、１０６４ｎｍ）のレーザー光線ＬをウエーハＷの内部に集光点を合わせて分割予定ラインＳに沿って照射する。そして、分割予定ラインＳに沿った改質層ＫをウエーハＷ内部に形成する。そして、拡張ステップに進む。 Then, the alignment is performed based on the image acquired by the imaging means (not shown) of the laser processing apparatus 10. After that, while the chuck table 11 and the laser beam irradiating means 14 are relatively moved by the moving means, as shown in FIG. 7, the back surface WR of the wafer W held on the chuck table 11 is made transparent to the wafer W. A laser beam L having a wavelength (for example, 1064 nm) is irradiated along the scheduled division line S at a focusing point inside the wafer W. Then, the modified layer K along the planned division line S is formed inside the wafer W. Then proceed to the expansion step.

拡張ステップは、改質層形成ステップの後、ウエーハＷを保持したまま静電チャックシート１を拡張し、改質層Ｋに沿ってウエーハＷを破断し複数のデバイスチップＤＴに分割するステップである。拡張ステップは、ウエーハＷを囲繞する環状のフレーム３０をウエーハＷの外周に位置付けつつ環状のフレーム３０により、静電チャックシート１をチャックテーブル１１の保持面１１ａに押圧しつつ（リーク防止のため）、切換え弁１２を切り換えてチャックテーブル１１に切換え弁１２を介して接続されたエアー供給源１５の加圧された気体を保持面１１ａから噴出にさせて、伸縮性により、図８に示すように、静電チャックシート１を球面状に膨らます。静電チャックシート１が、拡張されると、静電チャックシート１が球面状となり、ウエーハＷに半径方向に拡大する外力を付与して、分割予定ラインＳに沿って形成された改質層Ｋに張力を作用させる。そして、改質層Ｋを起点に、ウエーハＷは、分割予定ラインＳに沿って個々のデバイスチップＤＴに破断分割され、デバイスチップＤＴ同士は、互いに離れる。そして、テープ貼着ステップに進む。 The expansion step is a step of expanding the electrostatic chuck sheet 1 while holding the wafer W after the modified layer forming step, breaking the wafer W along the modified layer K, and dividing the wafer W into a plurality of device chip DTs. .. In the expansion step, the annular frame 30 surrounding the wafer W is positioned on the outer periphery of the wafer W, and the electrostatic chuck sheet 1 is pressed against the holding surface 11a of the chuck table 11 by the annular frame 30 (to prevent leakage). , The switching valve 12 is switched so that the pressurized gas of the air supply source 15 connected to the chuck table 11 via the switching valve 12 is ejected from the holding surface 11a, and due to the elasticity, as shown in FIG. , Inflate the electrostatic chuck sheet 1 into a spherical shape. When the electrostatic chuck sheet 1 is expanded, the electrostatic chuck sheet 1 becomes spherical, and an external force that expands in the radial direction is applied to the wafer W to form a modified layer K formed along the planned division line S. Apply tension to. Then, starting from the modified layer K, the wafer W is fractured and divided into individual device chip DTs along the planned division line S, and the device chip DTs are separated from each other. Then, the process proceeds to the tape application step.

拡張ステップからテープ貼着ステップに進む際は、ウエーハＷをレーザー加工装置１０から図１０，１１に示すテープ貼着装置２０に搬送する。このとき、レーザー加工装置１０が、静電チャックシート１を膨らました状態で、静電チャックシート１の外縁部１ａ，１ｂ，１ｃに搬送用のフレーム３１を載置する。実施形態１において。搬送用のフレーム３１は、図９に示すように、静電チャックシート１の各外縁部１ａ，１ｂ，１ｃに対応して４つ設けられている。 When proceeding from the expansion step to the tape sticking step, the wafer W is conveyed from the laser processing device 10 to the tape sticking device 20 shown in FIGS. 10 and 11. At this time, the laser processing apparatus 10 places the transport frame 31 on the outer edge portions 1a, 1b, 1c of the electrostatic chuck sheet 1 in a state where the electrostatic chuck sheet 1 is inflated. In the first embodiment. As shown in FIG. 9, four transport frames 31 are provided corresponding to the outer edge portions 1a, 1b, and 1c of the electrostatic chuck sheet 1.

搬送用のフレーム３１は、四角柱に形成され、図示しない搬送装置の搬送アームに取り付けられている。搬送用のフレーム３１は、吸引源３２からの吸引力により静電チャックシート１の非導電性樹脂層４を吸引保持する。また、４本の搬送用のフレーム３１のうち給電端子部５に重なる２本の搬送用のフレーム３１ａは、給電端子部５ａ，５ｂを介して電極回路３ａ，３ｂに所定の電圧を印加可能な電源３３が接続している。 The transport frame 31 is formed in a square column and is attached to a transport arm of a transport device (not shown). The transport frame 31 sucks and holds the non-conductive resin layer 4 of the electrostatic chuck sheet 1 by the suction force from the suction source 32. Further, of the four transport frames 31, the two transport frames 31a overlapping the power supply terminal portion 5 can apply a predetermined voltage to the electrode circuits 3a and 3b via the feed terminal portions 5a and 5b. The power supply 33 is connected.

搬送用のフレーム３１は、静電チャックシート１の外縁部１ａ，１ｂ，１ｃに載置された後、静電チャックシート１の非導電性樹脂層４を吸引保持する。そして、レーザー加工装置１０の給電端子部１１ａ，１１ｂからの給電端子部５ａ，５ｂを介した電極回路３ａ，３ｂへの所定の電力の印加を停止するとともに、２本の搬送用のフレーム３１ａに接続した電源３３から給電端子部５ａ，５ｂを介して電極回路３ａ，３ｂへの所定の電力の印加を開始する。こうして、搬送装置が、静電チャックシート１にデバイスチップＤＴに分割されたウエーハＷを吸引保持した状態で搬送可能となる。 The transport frame 31 is placed on the outer edge portions 1a, 1b, 1c of the electrostatic chuck sheet 1 and then sucks and holds the non-conductive resin layer 4 of the electrostatic chuck sheet 1. Then, the application of predetermined electric power from the power supply terminal portions 11a and 11b of the laser processing apparatus 10 to the electrode circuits 3a and 3b via the power supply terminal portions 5a and 5b is stopped, and the two transport frames 31a are stopped. From the connected power supply 33, the application of predetermined power to the electrode circuits 3a and 3b is started via the power supply terminal portions 5a and 5b. In this way, the transfer device can transfer the wafer W divided into the device chip DT to the electrostatic chuck sheet 1 while sucking and holding the wafer W.

搬送装置は、ウエーハＷを吸引保持した静電チャックシート１をレーザー加工装置１０のチャックテーブル１１から取り外す。搬送用のフレーム３１同士を若干離して、デバイスチップＤＴ間の間隔を維持することもできる。搬送装置は、テープ貼着装置２０のチャックテーブル２１のポーラス状の保持面２１ａ上にデバイスチップＤＴに分割されたウエーハＷを吸引保持した静電チャックシート１を載置し、テープ貼着ステップを実行する。 The transport device removes the electrostatic chuck sheet 1 that sucks and holds the wafer W from the chuck table 11 of the laser processing device 10. It is also possible to maintain the distance between the device chip DTs by slightly separating the transport frames 31 from each other. In the transport device, an electrostatic chuck sheet 1 that sucks and holds the wafer W divided into the device chip DT is placed on the porous holding surface 21a of the chuck table 21 of the tape sticking device 20, and the tape sticking step is performed. Execute.

テープ貼着ステップは、拡張ステップの後、静電チャックシート１の拡張を維持し、隣接するデバイスチップＤＴの間隔が空いたウエーハＷの露出した面である裏面ＷＲにダイシングテープＴを貼着するステップである。テープ貼着ステップは、静電チャックシート１の外縁部１ａ，１ｂをチャックテーブル２１のクランプ２２でクランプして、静電チャックシート１の拡張を維持する。チャックテーブル２１に切換え弁２３を介して接続された真空吸引源２４の吸引力を保持面２１ａに作用させて、静電チャックシート１を吸引し、静電チャックシート１を介してウエーハＷの表面ＷＳ側をチャックテーブル１１の保持面１１ａに吸引保持する。 In the tape attaching step, after the expansion step, the expansion of the electrostatic chuck sheet 1 is maintained, and the dicing tape T is attached to the back surface WR which is the exposed surface of the wafer W at which the adjacent device chip DTs are spaced apart. It is a step. In the tape attaching step, the outer edge portions 1a and 1b of the electrostatic chuck sheet 1 are clamped by the clamp 22 of the chuck table 21 to maintain the expansion of the electrostatic chuck sheet 1. The suction force of the vacuum suction source 24 connected to the chuck table 21 via the switching valve 23 is applied to the holding surface 21a to suck the electrostatic chuck sheet 1, and the surface of the wafer W is sucked through the electrostatic chuck sheet 1. The WS side is sucked and held on the holding surface 11a of the chuck table 11.

その後、搬送装置の搬送用のフレーム３１の吸引保持を停止し、２本の搬送用のフレーム３１ａに接続した電源３３から給電端子部５ａ，５ｂを介した電圧の印加を停止するとともに、チャックテーブル２０のクランプ２２から給電端子部５ａ，５ｂを介して電極回路３ａ，３ｂに所定の電力を印加して、搬送装置をテープ貼着装置２０から退避させる。図１０及び図１１に示すように、静電チャックシート１の外縁部１ａ，１ｂ，１ｃに環状のリングレームＦを重ねて、テープ貼着装置２０の貼着ユニット２５を用いて、ダイシングテープＴをデバイスチップＤＴに分割されたウエーハＷの裏面ＷＲとリングレームＦとに貼着する。ダイシングテープＴの貼着が完了すると、電極回路３ａ，３ｂへの印加を停止して、ダイシングテープＴを貼着したウエーハＷを次工程に搬送する。 After that, the suction holding of the transport frame 31 of the transport device is stopped, the application of the voltage from the power supply 33 connected to the two transport frames 31a via the power supply terminal portions 5a and 5b is stopped, and the chuck table is stopped. A predetermined electric power is applied from the clamp 22 of 20 to the electrode circuits 3a and 3b via the power feeding terminal portions 5a and 5b to retract the transport device from the tape sticking device 20. As shown in FIGS. 10 and 11, an annular ring lame F is superposed on the outer edge portions 1a, 1b, 1c of the electrostatic chuck sheet 1, and the dicing tape T is used by the sticking unit 25 of the tape sticking device 20. Is attached to the back surface WR of the wafer W and the ring lame F divided into the device chip DT. When the application of the dicing tape T is completed, the application to the electrode circuits 3a and 3b is stopped, and the wafer W to which the dicing tape T is attached is conveyed to the next step.

以上のように、実施形態１に係る静電チャックシート１及び加工方法は、ベースシート２、電極回路３及び非導電性樹脂層４が伸縮性を有するので、改質層Ｋが形成されたウエーハＷを保持した状態で拡張ステップにおいて拡張されることで、ウエーハＷをデバイスチップＤＴに分割することができる。また、静電チャックシート１は、ベースシート２、電極回路３及び非導電性樹脂層４が伸縮性を有するので、デバイスチップＤＴに分割した後に拡張された状態でウエーハＷを保持することができるので、デバイスチップＤＴ、即ちウエーハＷの破損リスクを抑えたウエーハＷの加工を可能にすることができる。 As described above, in the electrostatic chuck sheet 1 and the processing method according to the first embodiment, since the base sheet 2, the electrode circuit 3 and the non-conductive resin layer 4 have elasticity, the wafer on which the modified layer K is formed is formed. The wafer W can be divided into device chip DTs by being expanded in the expansion step while holding the W. Further, since the base sheet 2, the electrode circuit 3, and the non-conductive resin layer 4 of the electrostatic chuck sheet 1 have elasticity, the wafer W can be held in an expanded state after being divided into device chip DTs. Therefore, it is possible to process the device chip DT, that is, the wafer W with the risk of damage to the wafer W suppressed.

また、実施形態１に係る静電チャックシート１及び加工方法は、電極回路３ａ，３ｂの枝部６ａ，６ｂ間に発生した力によりウエーハＷを保持するので、粘着テープにウエーハＷを保持する場合に比べて、デバイスＤの表面に粘着層が貼着されないので糊残りがない、という効果がある。特に、実施形態１に係る静電チャックシート１及び加工方法は、電極バンプが配設されたウエーハＷの表面ＷＳを静電チャックシート１の保持面４ａに固定させる場合、凹凸である電極バンプを粘着テープに固定すると粘着層の糊が電極バンプに残ってしまうという課題に対し有効である。 Further, in the electrostatic chuck sheet 1 and the processing method according to the first embodiment, the wafer W is held by the force generated between the branch portions 6a and 6b of the electrode circuits 3a and 3b, so that the wafer W is held on the adhesive tape. Since the adhesive layer is not attached to the surface of the device D, there is an effect that there is no adhesive residue. In particular, in the electrostatic chuck sheet 1 and the processing method according to the first embodiment, when the surface WS of the wafer W on which the electrode bumps are arranged is fixed to the holding surface 4a of the electrostatic chuck sheet 1, the electrode bumps having irregularities are formed. It is effective for the problem that the glue of the adhesive layer remains on the electrode bumps when fixed to the adhesive tape.

また、実施形態１に係る静電チャックシート１は、電極回路３ａ，３ｂの枝部６ａ，６ｂが波型に形成されているので、電極回路３が破損することなく伸縮することができる。実施形態１に係る静電チャックシート１は、ベースシート２がゴム、合成樹脂又は布から構成されているので、伸縮自在となる。 Further, in the electrostatic chuck sheet 1 according to the first embodiment, since the branch portions 6a and 6b of the electrode circuits 3a and 3b are formed in a wavy shape, the electrode circuit 3 can be expanded and contracted without being damaged. Since the base sheet 2 of the electrostatic chuck sheet 1 according to the first embodiment is made of rubber, synthetic resin, or cloth, it can be expanded and contracted.

また、実施形態１に係る加工方法は、改質層形成ステップの後に、ウエーハＷを保持したまま静電チャックシート１を拡張してデバイスチップＤＴに分割する拡張ステップを備えるので、ウエーハＷの破損リスクを抑えたウエーハＷの加工を可能にすることができる。 Further, the processing method according to the first embodiment includes, after the modified layer forming step, an expansion step of expanding the electrostatic chuck sheet 1 while holding the wafer W and dividing the electrostatic chuck sheet 1 into a device chip DT, so that the wafer W is damaged. It is possible to process a wafer W with reduced risk.

また、実施形態１に係る加工方法は、拡張ステップの後に、デバイスチップＤＴ同士が間隔を空けたウエーハＷの裏面ＷＲにダイシングテープＴを貼着するテープ貼着ステップを備えるので、分割後にデバイスチップＤＴ同士が擦れることを抑制することができる。 Further, the processing method according to the first embodiment includes, after the expansion step, a tape sticking step of sticking the dicing tape T to the back surface WR of the wafer W in which the device chips DTs are spaced apart from each other. It is possible to prevent the DTs from rubbing against each other.

〔実施形態２〕
本発明の実施形態２に係るウエーハの加工方法を図面に基いて説明する。図１２は、実施形態２に係るウエーハの加工方法の拡張ステップを示す斜視図である。図１２において、実施形態１と同一部分には、同一符号を付して説明を省略する。 [Embodiment 2]
The method of processing the wafer according to the second embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings. FIG. 12 is a perspective view showing an expansion step of the wafer processing method according to the second embodiment. In FIG. 12, the same parts as those in the first embodiment are designated by the same reference numerals, and the description thereof will be omitted.

実施形態２に係るウエーハＷの加工方法は、図１２に示すように、改質層形成ステップの後に、搬送装置の搬送用のフレーム３１からの給電によりウエーハＷを吸引保持した静電チャックシート１をバキュームによる吸引で保持する。実施形態２に係るウエーハＷの加工方法は、その後、搬送用のフレーム３１を互いに離れる方向に相対的に移動させて、静電チャックシート１を拡張し、ウエーハＷを複数のデバイスチップＤＴに分割する。 As shown in FIG. 12, the method for processing the wafer W according to the second embodiment is an electrostatic chuck sheet 1 in which the wafer W is sucked and held by power supply from the transport frame 31 of the transport device after the modified layer forming step. Is held by suction with vacuum. In the method for processing the wafer W according to the second embodiment, the transport frames 31 are then moved relatively away from each other to expand the electrostatic chuck sheet 1 and divide the wafer W into a plurality of device chip DTs. To do.

実施形態２に係るウエーハＷの加工方法によれば、実施形態１と同様に、ベースシート２、電極回路３及び非導電性樹脂層４が伸縮性を有するので、改質層Ｋが形成されたウエーハＷを保持した状態で拡張ステップにおいて拡張されることで、ウエーハＷをデバイスチップＤＴに分割することができる。また、静電チャックシート１は、ベースシート２、電極回路３及び非導電性樹脂層４が伸縮性を有するので、デバイスチップＤＴに分割した後に拡張された状態でウエーハＷを保持することができるので、デバイスチップＤＴ、即ちウエーハＷの破損リスクを抑えたウエーハＷの加工を可能にすることができる。実施形態１及び実施形態２として、ダイシングテープＴに張り替えるステップを例示したが、本発明は、拡張ステップの後に静電チャックシート１でウエーハＷを保持したままデバイスチップＤＴをピックアップするピックアップ装置に搬入してもいい。特に、本発明は、デバイスＤがＭＥＭＳであるウエーハＷの場合、改質層形成ステップでＭＥＭＳの表面が露出しており、ダイシングテープＴに張り替えて表裏を反転する必要が無いため、拡張ステップの後にピックアップすることになる。その場合、繰り返し使用できる静電チャックシート１により、ダイシングテープＴなどの粘着テープという消耗品を使う必要が無くなり、製造コストを大幅に低減出来る。 According to the method for processing the wafer W according to the second embodiment, the modified layer K is formed because the base sheet 2, the electrode circuit 3, and the non-conductive resin layer 4 have elasticity as in the first embodiment. By expanding the wafer W in the expansion step while holding the wafer W, the wafer W can be divided into device chip DTs. Further, since the base sheet 2, the electrode circuit 3, and the non-conductive resin layer 4 of the electrostatic chuck sheet 1 have elasticity, the wafer W can be held in an expanded state after being divided into device chip DTs. Therefore, it is possible to process the device chip DT, that is, the wafer W with the risk of damage to the wafer W suppressed. Although the step of replacing the dicing tape T with the dicing tape T has been illustrated as the first embodiment and the second embodiment, the present invention provides a pickup device for picking up the device chip DT while holding the wafer W with the electrostatic chuck sheet 1 after the expansion step. You may bring it in. In particular, in the present invention, when the device D is a wafer W which is a MEMS, the surface of the MEMS is exposed in the modified layer forming step, and it is not necessary to replace the device D with the dicing tape T to invert the front and back surfaces. It will be picked up later. In that case, the electrostatic chuck sheet 1 that can be used repeatedly eliminates the need to use a consumable item such as an adhesive tape such as a dicing tape T, and can significantly reduce the manufacturing cost.

〔実施形態３〕
本発明の実施形態３に係る静電チャックシートを図面に基いて説明する。図１３は、本発明の実施形態３に係る静電チャックシートの平面図である。図１３において、実施形態１と同一部分には、同一符号を付して説明を省略する。 [Embodiment 3]
The electrostatic chuck sheet according to the third embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings. FIG. 13 is a plan view of the electrostatic chuck sheet according to the third embodiment of the present invention. In FIG. 13, the same parts as those in the first embodiment are designated by the same reference numerals, and the description thereof will be omitted.

実施形態３に係る静電チャックシート１は、図１３に示すように、複数の電極ブロック８を備える。各電極ブロック８は、給電端子部５と電極回路３とを備え、互いに独立して電極回路３に電力が印加可能な構成である。実施形態３において、静電チャックシート１は、電極ブロック８を４つ備えている。 As shown in FIG. 13, the electrostatic chuck sheet 1 according to the third embodiment includes a plurality of electrode blocks 8. Each electrode block 8 includes a power feeding terminal portion 5 and an electrode circuit 3, and has a configuration in which electric power can be applied to the electrode circuit 3 independently of each other. In the third embodiment, the electrostatic chuck sheet 1 includes four electrode blocks 8.

実施形態３に係る静電チャックシート１によれば、実施形態１と同様に、ベースシート２、電極回路３及び非導電性樹脂層４が伸縮性を有するので、改質層Ｋが形成されたウエーハＷを保持した状態で拡張ステップにおいて拡張されることで、ウエーハＷをデバイスチップＤＴに分割することができる。また、静電チャックシート１は、ベースシート２、電極回路３及び非導電性樹脂層４が伸縮性を有するので、デバイスチップＤＴに分割した後に拡張された状態でウエーハＷを保持することができるので、デバイスチップＤＴ、即ちウエーハＷの破損リスクを抑えたウエーハＷの加工を可能にすることができる。 According to the electrostatic chuck sheet 1 according to the third embodiment, since the base sheet 2, the electrode circuit 3 and the non-conductive resin layer 4 have elasticity as in the first embodiment, the modified layer K is formed. By expanding the wafer W in the expansion step while holding the wafer W, the wafer W can be divided into device chip DTs. Further, since the base sheet 2, the electrode circuit 3 and the non-conductive resin layer 4 of the electrostatic chuck sheet 1 have elasticity, the wafer W can be held in an expanded state after being divided into device chip DTs. Therefore, it is possible to process the device chip DT, that is, the wafer W with the risk of damage to the wafer W suppressed.

また、実施形態３に係る静電チャックシート１によれば、互いに独立した電極ブロック８を複数備えるので、分割後の大部分の電極ブロック８の電極回路３ａ，３ｂに電圧を印加して大部分のデバイスチップＤＴを吸着したまま、一部の電極ブロック８の電極回路３ａ，３ｂの電圧の印加を停止して、一部のデバイスチップＤＴを静電チャックシート１から取り外すことができる。 Further, according to the electrostatic chuck sheet 1 according to the third embodiment, since a plurality of electrode blocks 8 independent of each other are provided, a voltage is applied to most of the electrode blocks 3a and 3b of the electrode blocks 8 after division, and most of them are provided. While the device chip DT of No. 1 is adsorbed, the application of the voltage of the electrode circuits 3a and 3b of some of the electrode blocks 8 can be stopped, and the part of the device chip DT can be removed from the electrostatic chuck sheet 1.

なお、本発明は、上記実施形態に限定されるものではない。即ち、本発明の骨子を逸脱しない範囲で種々変形して実施することができる。 The present invention is not limited to the above embodiment. That is, it can be modified in various ways without departing from the gist of the present invention.

１ 静電チャックシート
２ ベースシート
３ 電極回路
４ 非導電性樹脂層
４ａ 保持面
５ 給電端子部
６ａ，６ｂ 枝部
７ａ，７ｂ 幹部
Ｗ ウエーハ
ＷＳ 表面
ＷＲ 裏面（露出した面）
Ｄ デバイス
ＤＴ デバイスチップ
Ｌ レーザー光線
Ｋ 改質層
Ｔ ダイシングテープ 1 Electrostatic chuck sheet 2 Base sheet 3 Electrode circuit 4 Non-conductive resin layer 4a Holding surface 5 Power supply terminal part 6a, 6b Branch part 7a, 7b Trunk part W wafer WS front side WR back side (exposed side)
D device DT device chip L laser beam K modified layer T dicing tape

Claims (3)

伸縮性のあるベースシートと、
該ベースシートの上面に形成された電極回路と、
該ベースシートの上面及び該電極回路を覆いウエーハを載置する保持面を構成する非導電性樹脂層と、
該電極回路に接続する給電端子部と、を備え、
該電極回路は、該給電端子部と接続する幹部と、該幹部から複数に別れ波型に延出する枝部と、からなり、
波型の該枝部は正極と負極が互い違いに配置され、
伸縮性のあることを特徴とする静電チャックシート。 With an elastic base sheet
An electrode circuit formed on the upper surface of the base sheet and
A non-conductive resin layer constituting the upper surface of the base sheet and a holding surface for covering the electrode circuit and placing a wafer,
A power supply terminal portion connected to the electrode circuit is provided .
The electrode circuit is composed of a trunk portion connected to the power feeding terminal portion and a branch portion extending from the trunk portion in a wavy shape.
The corrugated branch has positive and negative electrodes arranged alternately.
An electrostatic chuck sheet, characterized in that a Shin compression resistance. 表面の交差する分割予定ラインによって区画された領域にデバイスが形成されたウエーハを加工するウエーハの加工方法であって、
請求項１記載の静電チャックシートで保持したウエーハにレーザー光線を照射し、ウエーハの内部に該分割予定ラインに沿った改質層を形成する改質層形成ステップと、
該改質層形成ステップの後、ウエーハを保持したまま該静電チャックシートを拡張し、該改質層に沿ってウエーハを破断し複数のデバイスチップに分割する拡張ステップと、を備えるウエーハの加工方法。 A method for processing a wafer in which a device is formed in an area partitioned by intersecting scheduled division lines on the surface.
A modified layer forming step of irradiating a wafer held by the electrostatic chuck sheet according to claim 1 with a laser beam to form a modified layer along the planned division line inside the wafer.
After the modified layer forming step, processing of the wafer including an expansion step of expanding the electrostatic chuck sheet while holding the wafer, breaking the wafer along the modified layer and dividing the wafer into a plurality of device chips. Method. 該拡張ステップの後、該静電チャックシートの拡張を維持し、隣接する該デバイスチップの間隔が空いたウエーハの露出した面にダイシングテープを貼着するテープ貼着ステップを備える請求項２に記載のウエーハの加工方法。 After the expansion step, maintaining the extension of the electrostatic chuck sheet, according to claim 2 comprising a tape applying step of attaching a dicing tape to the exposed surface of the spacing of adjacent said device chip wafer Wafer processing method.

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