JP6773056B2 - Light emitting device - Google Patents

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JP6773056B2 JP2018004886A JP2018004886A JP6773056B2 JP 6773056 B2 JP6773056 B2 JP 6773056B2 JP 2018004886 A JP2018004886 A JP 2018004886A JP 2018004886 A JP2018004886 A JP 2018004886A JP 6773056 B2 JP6773056 B2 JP 6773056B2
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Description

本発明は、発光装置に関する。 The present invention relates to a light emitting device.

従来から、チップと略同等サイズのチップスケールパッケージ（ＣＳＰ）の発光装置が
提案されている（例えば、特許文献１）。この発光装置は、トップビュー型の実装形態で
の発光装置であり、その用途によっては、発光装置自体の厚みが薄く、非常に有効に利用
することができる。また、この発光装置は、パッケージに利用されているリード電極上に
突起部を形成することにより、量産効率を向上させて、より一層の薄型化を実現している
。
一方、電子機器の表示パネルのバックライト光源等として、サイドビュー型の発光装置
が使用されている。
サイドビュー型の発光装置は、その実装形態が、上述したトップビュー型とは異なるた
めに、実装の安定性、配光状態などにおいて、トップビュー型をそのまま適用することが
できない種々の制約がある。 Conventionally, a light emitting device having a chip scale package (CSP) having a size substantially equal to that of a chip has been proposed (for example, Patent Document 1). This light emitting device is a light emitting device in a top-view type mounting form, and depending on its application, the light emitting device itself is thin and can be used very effectively. Further, this light emitting device improves mass production efficiency by forming a protrusion on the lead electrode used in the package, and realizes further thinning.
On the other hand, a side-view type light emitting device is used as a backlight source for a display panel of an electronic device.
Since the mounting form of the side-view type light emitting device is different from that of the top-view type described above, there are various restrictions that the top-view type cannot be applied as it is in terms of mounting stability, light distribution state, and the like. ..

特開２００１−２２３３９１号公報Japanese Unexamined Patent Publication No. 2001-223391

特に、近年、より小型化及び薄膜化が要求されている発光装置では、チップスケールの
パッケージ自体の占有空間を最小限にするために、基体の平坦化及び縮小化が進められて
いる。そのために、端子として利用される金属部材が、板状のリード電極から基体自体に
直接極薄膜状に成膜された金属膜に移行している。このような金属膜をパッケージに利用
してもなお、特にサイドビュー型の発光装置において、発光素子のパッケージへの搭載、
発光装置の実装基板への実装において、素子不良が発生することなく、安定的かつ高精度
に搭載又は実装し得るものが求められている。
また、より小型のチップによって、さらなる高出力又は高輝度等が求められる状況下、
より一層の光取り出し効率の向上を実現する必要がある。 In particular, in recent years, in light emitting devices that are required to be smaller and thinner, the flattening and reduction of the substrate are being promoted in order to minimize the occupied space of the chip scale package itself. Therefore, the metal member used as the terminal is transferred from the plate-shaped lead electrode to the metal film formed in the form of an ultra-thin film directly on the substrate itself. Even if such a metal film is used for the package, the light emitting element can be mounted on the package, especially in the side view type light emitting device.
In mounting a light emitting device on a mounting substrate, there is a demand for a device that can be mounted or mounted stably and with high accuracy without causing element defects.
In addition, under the circumstances where higher output or higher brightness is required by a smaller chip.
It is necessary to further improve the light extraction efficiency.

本発明は、上記課題に鑑みてなされたものであり、小型かつ薄型の発光装置であっても
、発光素子のパッケージへの搭載、発光装置の実装基板への実装において、素子不良が発
生することなく、安定的かつ高精度に搭載又は実装し得る発光装置を提供することを目的
とする。 The present invention has been made in view of the above problems, and even if the light emitting device is small and thin, element defects may occur in mounting the light emitting element on the package and mounting the light emitting device on the mounting substrate. It is an object of the present invention to provide a light emitting device that can be mounted or mounted stably and with high accuracy.

本発明は、
少なくとも第１主面上に一対の接続端子を備える基体と、
前記接続端子と溶融性部材によって接続された発光素子と、
該発光素子を被覆する光反射性部材と、を備える発光装置であって、
前記接続端子は、前記第１主面上において、前記発光素子と接続される部位が前記接続
端子から突出した凸部を備えており、
該凸部及び前記溶融性部材は、前記光反射性部材に埋め込まれている発光装置である。
また、本発明は、
少なくとも第１主面上に凸部を有する一対の接続端子を備える基体を準備し、
基板上に半導体積層体を有し、かつ半導体積層体の同一面側に一対の電極を有する発光
素子を、前記基体の第１主面上の凸部に載置し、溶融性部材によって前記発光素子の一対
の電極と一対の接続端子とをそれぞれ接続し、
該接続端子の凸部及び前記溶融性部材の表面ならびに前記基体と前記発光素子との間を
光反射性部材で埋め込む工程を備える発光装置の製造方法である。 The present invention
A substrate having a pair of connection terminals on at least the first main surface,
A light emitting element connected to the connection terminal by a meltable member,
A light emitting device including a light reflecting member that covers the light emitting element.
The connection terminal has a convex portion on the first main surface where a portion connected to the light emitting element protrudes from the connection terminal.
The convex portion and the meltable member are light emitting devices embedded in the light reflecting member.
In addition, the present invention
Prepare a substrate having a pair of connection terminals having at least a convex portion on the first main surface.
A light emitting device having a semiconductor laminate on a substrate and a pair of electrodes on the same surface side of the semiconductor laminate is placed on a convex portion on the first main surface of the substrate, and the light emitting member is used to emit light. Connect the pair of electrodes of the element and the pair of connection terminals, respectively.
It is a method of manufacturing a light emitting device including a step of embedding the convex portion of the connection terminal, the surface of the meltable member, and the space between the substrate and the light emitting element with a light reflecting member.

本発明の発光装置によれば、小型かつ薄型の発光装置であっても、発光素子のパッケー
ジへの搭載、発光装置の実装基板への実装において、素子不良が発生することなく、安定
的かつ高精度に搭載又は実装が実現される。
本発明の発光装置の製造方法によれば、上述した発光装置を簡便かつ確実に製造するこ
とができる。 According to the light emitting device of the present invention, even if it is a small and thin light emitting device, it is stable and high in mounting the light emitting element on the package and on the mounting substrate of the light emitting device without causing element failure. Mounting or mounting is realized with high accuracy.
According to the method for manufacturing a light emitting device of the present invention, the above-mentioned light emitting device can be manufactured easily and reliably.

本発明の一実施の形態の発光装置の概略斜視図である。It is a schematic perspective view of the light emitting device of one Embodiment of this invention. 図１の発光装置のＡ−Ａ’線断面図である。FIG. 5 is a cross-sectional view taken along the line AA'of the light emitting device of FIG. 図１の発光装置の平面透視図である。It is a plan perspective view of the light emitting device of FIG. 図１の発光装置が実装部材に実装された状態を示す概略斜視図である。It is a schematic perspective view which shows the state which the light emitting device of FIG. 1 is mounted on the mounting member. 図１の発光装置の製造方法を説明するための概略平面図である。It is a schematic plan view for demonstrating the manufacturing method of the light emitting device of FIG. 図５ＡのＢ−Ｂ’線断面図である。FIG. 5A is a cross-sectional view taken along the line BB'of FIG. 5A. 本発明の別の実施の形態の発光装置の概略断面図である。It is the schematic sectional drawing of the light emitting device of another embodiment of this invention. 本発明のさらに別の実施の形態の発光装置の概略断面である。It is a schematic cross section of the light emitting device of still another embodiment of the present invention. 本発明のさらに別の実施の形態の発光装置の概略平面図である。It is a schematic plan view of the light emitting device of still another embodiment of this invention. 図８Ａの矢印Ｅ側から見た側面図である。It is a side view seen from the arrow E side of FIG. 8A. 図８ＡのＦ−Ｆ’線断面図である。FIG. 8 is a cross-sectional view taken along the line FF'of FIG. 8A. 図８ＡのＧ−Ｇ’線断面図である。FIG. 8 is a cross-sectional view taken along the line GG'of FIG. 8A. 図８Ａの発光装置における基体の平面図である。It is a top view of the substrate in the light emitting device of FIG. 8A. 図８Ｅの基体の矢印Ｅ側から見た透視図である。It is a perspective view seen from the arrow E side of the substrate of FIG. 8E. 図８Ｅの基体の裏面透視図である。It is a back view perspective view of the substrate of FIG. 8E. 本発明のさらに別の実施の形態の発光装置の概略平面図である。It is a schematic plan view of the light emitting device of still another embodiment of this invention. 図９Ａの矢印Ｅ側から見た側面図である。It is a side view seen from the arrow E side of FIG. 9A. 図９ＡのＦ−Ｆ’線断面図である。9A is a cross-sectional view taken along the line FF'of FIG. 9A. 図９ＡのＧ−Ｇ’線断面図である。9A is a cross-sectional view taken along the line GG'of FIG. 9A. 図９Ａの発光装置における基体の平面図である。9 is a plan view of the substrate in the light emitting device of FIG. 9A. 本発明のさらに別の実施の形態の発光装置における接続端子の凸部の形状を示す概略平面図である。It is a schematic plan view which shows the shape of the convex part of the connection terminal in the light emitting device of still another embodiment of this invention. 本発明のさらに別の実施の形態の発光装置の概略断面図である。It is the schematic sectional drawing of the light emitting device of still another embodiment of this invention. 本発明のさらに別の実施の形態の発光装置の概略部分平面透視図である。It is a schematic partial plan perspective view of the light emitting device of still another embodiment of the present invention. 図１２Ａの側面図である。It is a side view of FIG. 12A. 図１２Ａの断面図である。It is sectional drawing of FIG. 12A. 図１２Ａの発光装置における基体の平面図である。It is a top view of the substrate in the light emitting device of FIG. 12A. 図１２Ａの発光装置における基体の断面図である。It is sectional drawing of the substrate in the light emitting device of FIG. 12A. 図１２Ａの発光装置における基体の裏面図である。It is a back view of the substrate in the light emitting device of FIG. 12A. 図１２Ａの発光装置の製造方法を説明するための基体の概略部分平面図である。It is a schematic partial plan view of the substrate for demonstrating the manufacturing method of the light emitting device of FIG. 12A. 本発明のさらに別の実施の形態の発光装置の概略平面透視図である。It is a schematic plan perspective view of the light emitting device of still another embodiment of the present invention. 図１３Ａの側面図である。It is a side view of FIG. 13A. 図１３Ａの断面図である。It is sectional drawing of FIG. 13A. 図１３Ａの発光装置における基体の平面図である。It is a top view of the substrate in the light emitting device of FIG. 13A. 図１３Ａの発光装置における基体の断面図である。It is sectional drawing of the substrate in the light emitting device of FIG. 13A. 図１３Ａの発光装置における基体の裏面図である。It is a back view of the substrate in the light emitting device of FIG. 13A. 図１３Ａの発光装置の製造方法を説明するための基体の概略部分平面図である。It is a schematic partial plan view of the substrate for demonstrating the manufacturing method of the light emitting device of FIG. 13A.

以下、発明の実施の形態について適宜図面を参照して説明する。ただし、以下に説明す
る発光装置は、本発明の技術思想を具体化するためのものであって、特定的な記載がない
限り、本発明を以下のものに限定しない。また、一の実施の形態、実施例において説明す
る内容は、他の実施の形態、実施例にも適用可能である。
各図面が示す部材の大きさや位置関係等は、説明を明確にするため、誇張していること
がある。 Hereinafter, embodiments of the invention will be described with reference to the drawings as appropriate. However, the light emitting device described below is for embodying the technical idea of the present invention, and the present invention is not limited to the following unless otherwise specified. Further, the contents described in one embodiment and the embodiment can be applied to other embodiments and the embodiments.
The size and positional relationship of the members shown in each drawing may be exaggerated for the sake of clarity.

本発明の発光装置は、一対の接続端子を備える基体と、発光素子と、光反射性部材とを
備える。この発光装置は、どのような実装形態に利用されるものでもよいが、サイドビュ
ー型、いわゆる側面発光型と称される実装形態で実装される発光装置、つまり、光取り出
し面に隣接する面を実装面とするものであることが好ましい。 The light emitting device of the present invention includes a substrate having a pair of connection terminals, a light emitting element, and a light reflecting member. This light emitting device may be used in any mounting form, but a light emitting device mounted in a side view type, a so-called side light emitting type, that is, a surface adjacent to a light extraction surface is used. It is preferably a mounting surface.

本明細書においては、発光装置の光取り出し面を上面、光取り出し面に隣接又は交差す
る面を側面と称し、側面のうちの１つを発光装置の実装面と称する。これに伴って、発光
装置を構成する各要素又は各部材の面のうち、発光装置の光取り出し面に対応する面を第
１主面（つまり、上面）と、第１主面の反対側の面を第２主面（つまり、下面）と、第１
主面と第２主面に隣接又は交差する面（つまり、発光装置の側面に対応する面）を端面と
称することがある。 In the present specification, the light extraction surface of the light emitting device is referred to as an upper surface, the surface adjacent to or intersecting the light extraction surface is referred to as a side surface, and one of the side surfaces is referred to as a mounting surface of the light emitting device. Along with this, among the surfaces of each element or each member constituting the light emitting device, the surface corresponding to the light extraction surface of the light emitting device is the surface opposite to the first main surface (that is, the upper surface) and the first main surface. The surfaces are the second main surface (that is, the lower surface) and the first surface.
The surface adjacent to or intersecting the main surface and the second main surface (that is, the surface corresponding to the side surface of the light emitting device) may be referred to as an end surface.

〔基体〕
基体は、少なくとも第１主面に正負に対応する一対の接続端子を備える。これら接続端
子は、通常、母材の少なくとも第１主面に形成されている。ここでの第１主面とは、基体
又は母材の一方の表面を指す。
基体の形状は特に限定されないが、通常、後述する母材の形状に相当する形状となる。
例えば、少なくとも第１主面が、長手方向に長いことが好ましく、さらに、長手方向に直
交する短手方向を備えることがより好ましい。 [Hypokeimenon]
The substrate includes at least a pair of connection terminals corresponding to positive and negative on the first main surface. These connection terminals are usually formed on at least the first main surface of the base metal. The first main surface here refers to one surface of the substrate or the base material.
The shape of the substrate is not particularly limited, but it is usually a shape corresponding to the shape of the base material described later.
For example, it is preferable that at least the first main surface is long in the longitudinal direction, and more preferably it is provided with a lateral direction orthogonal to the longitudinal direction.

（母材）
母材は、どのような材料によって形成されていてもよい。例えば、金属、セラミック、
樹脂、誘電体、パルプ、ガラス、紙又はこれらの複合材料、あるいはこれら材料と導電材
料（例えば、金属、カーボン等）との複合材料等が挙げられる。金属としては、銅、鉄、
ニッケル、クロム、アルミニウム、銀、金、チタン又はこれらの合金を含むものが挙げら
れる。樹脂としては、エポキシ樹脂、ビスマレイミドトリアジン（ＢＴ）樹脂、ポリイミ
ド樹脂等が挙げられる。樹脂には、酸化チタンなどの白色顔料が含有されていてもよい。
なかでも、セラミック、複合樹脂であることが好ましい。
母材がこのような材料によって形成される場合には、公知の製造技術を適用することで
安価に調達することができる。 (Base material)
The base material may be made of any material. For example, metal, ceramic,
Examples thereof include resin, dielectric, pulp, glass, paper or a composite material thereof, or a composite material of these materials and a conductive material (for example, metal, carbon, etc.). Metals include copper, iron,
Examples include those containing nickel, chromium, aluminum, silver, gold, titanium or alloys thereof. Examples of the resin include epoxy resin, bismaleimide triazine (BT) resin, polyimide resin and the like. The resin may contain a white pigment such as titanium oxide.
Of these, ceramics and composite resins are preferable.
When the base material is formed of such a material, it can be procured at low cost by applying a known manufacturing technique.

セラミックは、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、酸化ジルコニウム、窒化ジルコ
ニウム、酸化チタン、窒化チタン又はこれらの混合物を含むものが挙げられ、放熱性の高
い窒化アルミ等を用いることが好ましい。複合樹脂は、ガラスエポキシ樹脂を用いること
が好ましい。なお、母材は適度の強度を確保したものであってもよいし、いわゆるフレキ
シブル性を有するものであってもよい。 Examples of the ceramic include aluminum oxide, aluminum nitride, zirconium oxide, zirconium nitride, titanium oxide, titanium nitride or a mixture thereof, and it is preferable to use aluminum nitride having high heat dissipation. As the composite resin, it is preferable to use a glass epoxy resin. The base material may have an appropriate strength or may have so-called flexibility.

１つの発光装置における母材の形状、大きさ、厚み等は特に限定されるものではなく、
適宜設定することができる。その第１主面の（平面）形状は、例えば、円形、四角形等の
多角形又はこれらに近い形状が挙げられ、なかでも長方形が好ましい。大きさは、後述す
る発光素子よりも大きい平面積であることが好ましく、特に、発光素子の一辺の２〜５倍
程度の長さを有する大きさが好ましい。厚みは、５０〜３００μｍ程度が挙げられる。 The shape, size, thickness, etc. of the base material in one light emitting device are not particularly limited.
It can be set as appropriate. The (planar) shape of the first main surface may be, for example, a polygon such as a circle or a quadrangle, or a shape close to these, and a rectangle is preferable. The size is preferably a flat area larger than that of the light emitting element described later, and particularly preferably a size having a length of about 2 to 5 times one side of the light emitting element. The thickness may be about 50 to 300 μm.

（接続端子）
一対の接続端子は、基体の少なくとも第１主面上に形成されていればよい。
例えば、接続端子は、第１主面から、第１主面と第２主面との間に存在する面（つまり
、端面）の上に延長して設けられているか、第１主面から、第１主面と第２主面との間に
存在する端面の上を通って、さらに、第２主面上に延長して（例えば、断面視、Ｕ字状に
）設けられていることが好ましい（図２の接続端子３、図８Ｃの接続端子４３等参照）。
ここで端面とは、第１主面と第２主面との間に存在する１つの端面の一部又は全部を意味
するが、第１主面と第２主面との間に存在する特定の端面の一部又は全部に加えて、この
特定の端面に隣接する１つ又は２つの端面の一部を含んでいてもよい。 (Connecting terminal)
The pair of connection terminals may be formed on at least the first main surface of the substrate.
For example, the connection terminal may be provided extending from the first main surface onto a surface (that is, an end surface) existing between the first main surface and the second main surface, or from the first main surface. It may be provided (for example, in a cross-sectional view, in a U shape) by passing over an end surface existing between the first main surface and the second main surface and further extending on the second main surface. It is preferable (see the connection terminal 3 in FIG. 2, the connection terminal 43 in FIG. 8C, and the like).
Here, the end face means a part or all of one end face existing between the first main surface and the second main surface, but is specified between the first main surface and the second main surface. In addition to a part or all of the end faces of the above, a part of one or two end faces adjacent to this particular end face may be included.

接続端子は、基体の第１主面上において、発光素子と接続される部位が、接続端子の表
面から突出した凸部を備えている。以下、この部位を「素子接続部」ということがある。
凸部の形状、高さ、大きさ等は特に限定されるものではなく、基体の大きさ、接続端子
の厚み、発光素子の大きさ等によって適宜調整することができる。
凸部は、例えば、後述する発光素子に形成されている一対の電極のそれぞれに対応する
形状、大きさ及び位置に配置されていることが好ましい。また、凸部の平面形状は、円、
楕円又は環、三角形又は四角形等の多角形あるいはこれらの角が丸められた形状、Ｘ、Ｌ
、Ｅ、Ｖ字状等の多角形あるいはこれらの角が丸められた形状等が挙げられる。なかでも
、凸部の平面視における外形の少なくとも一部が発光素子の電極の外形と一致する形状で
あることが好ましい。これによって、後述するように、セルフアライメント効果で実装性
を向上させることができる。また、Ｘ形状等のように多角形の辺の一部（例えば、中央部
）が内側に凹んだ形状が好ましい。凹んだ部分において溶融性部材を貯めやすく、発光素
子の実装を安定させることができる。
凸部の側面における傾斜は垂直に近いほうが好ましい。これにより、その上に載置する
発光素子が移動しにくくなり、発光素子の実装を安定させることができる。 The connection terminal has a convex portion on the first main surface of the substrate in which a portion connected to the light emitting element protrudes from the surface of the connection terminal. Hereinafter, this portion may be referred to as an “element connection portion”.
The shape, height, size, etc. of the convex portion are not particularly limited, and can be appropriately adjusted depending on the size of the substrate, the thickness of the connection terminal, the size of the light emitting element, and the like.
It is preferable that the convex portions are arranged in a shape, size and position corresponding to each of the pair of electrodes formed on the light emitting element described later, for example. The planar shape of the convex part is a circle,
Ellipse or ring, polygon such as triangle or quadrangle or shape with rounded corners, X, L
, E, V-shaped or other polygonal shapes, or shapes with rounded corners and the like. Above all, it is preferable that at least a part of the outer shape of the convex portion in the plan view matches the outer shape of the electrode of the light emitting element. As a result, as will be described later, the mountability can be improved by the self-alignment effect. Further, it is preferable that a part of the side of the polygon (for example, the central portion) is recessed inward, such as an X shape. It is easy to store the meltable member in the recessed portion, and the mounting of the light emitting element can be stabilized.
The inclination on the side surface of the convex portion is preferably close to vertical. As a result, the light emitting element placed on the light emitting element becomes difficult to move, and the mounting of the light emitting element can be stabilized.

発光素子と接続される部位は、一対の接続端子では、通常、基体の第１主面上において
、互いに離間している。従って、凸部は、接続端子の縁部に隣接して又は縁部から離間し
て、一部隣接して又は一部離間して配置することができる。なかでも、凸部の全縁部が、
接続端子の縁部から離間してその内側に配置されていることが好ましい（例えば、図３の
凸部３ａ、図５Ａの凸部１３ａ、図８Ｅ及び図９Ｅの凸部４３ａ参照）。このような凸部
の配置により、発光素子の実装時において、後述する溶融状態の溶融性部材が凸部上から
流れたとしても、凸部の周りに貯まりやすく、一対の接続端子の短絡、意図しない領域へ
の溶融性部材の浸入を防止することができる。よって、意図する部位に正確に発光素子を
固定することができる。また、発光素子の実装のための溶融性部材等又はこれらに含まれ
るフラックスなどが、接続端子表面に沿って、後述する光反射性部材下、さらに発光素子
下にまで浸入することを抑制することができる。 The portions connected to the light emitting element are usually separated from each other on the first main surface of the substrate in the pair of connection terminals. Therefore, the convex portion can be arranged adjacent to or separated from the edge portion of the connection terminal, and partially adjacent to or partially separated from the edge portion. Above all, all the edges of the convex part
It is preferable that the connection terminal is arranged inside the connection terminal so as to be separated from the edge portion (see, for example, the convex portion 3a in FIG. 3, the convex portion 13a in FIG. 5A, and the convex portion 43a in FIGS. 8E and 9E). Due to such an arrangement of the convex portions, even if the molten member in a molten state, which will be described later, flows from above the convex portions at the time of mounting the light emitting element, it is likely to accumulate around the convex portions, and a short circuit between the pair of connection terminals is intended. It is possible to prevent the infiltration of the meltable member into the non-existing region. Therefore, the light emitting element can be accurately fixed to the intended portion. Further, it is possible to prevent the meltable member or the like for mounting the light emitting element or the flux contained therein from infiltrating along the surface of the connection terminal under the light reflecting member described later and further under the light emitting element. Can be done.

凸部の高さは、例えば、基体の第１主面上における接続端子の最も薄膜の部位よりも突
出していればよく、最も薄膜の部位の厚みの１０％以上、２０％以上、３０％以上、４０
％以上、５０％以上、１００％以上であることが好ましい。言い換えると、接続端子は、
通常、第１主面における最も薄膜部分の厚みが１０〜４０μｍ程度である場合、凸部の厚
みは１〜４０μｍ程度が挙げられる。 The height of the convex portion may be, for example, projecting from the thinnest film portion of the connection terminal on the first main surface of the substrate, and is 10% or more, 20% or more, 30% or more of the thickness of the thinnest film portion. , 40
% Or more, 50% or more, and 100% or more are preferable. In other words, the connection terminal is
Usually, when the thickness of the thinnest portion on the first main surface is about 10 to 40 μm, the thickness of the convex portion is about 1 to 40 μm.

接続端子は、例えば、Ａｕ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｒｈ、Ｎｉ、Ｗ、Ｍｏ、Ｃｒ、Ｔｉ、Ｆｅ、
Ｃｕ、Ａｌ、Ａｇ等の金属又はこれらの合金の単層膜又は積層膜によって形成することが
できる。なかでも、導電性及び実装性に優れているものが好ましく、発光装置の実装に用
いられる半田との接合性及び濡れ性の良い材料がより好ましい。特に、放熱性の観点にお
いては銅又は銅合金が好ましい。接続端子の表面には、銀、プラチナ、錫、金、銅、ロジ
ウム又はこれらの合金などの光反射性の高い被膜が形成されていてもよい。接続端子は、
具体的には、Ｗ／Ｎｉ／Ａｕ、Ｗ／Ｎｉ／Ｐｄ／Ａｕ、Ｗ／ＮｉＣｏ／Ｐｄ／Ａｕなどの
積層構造が挙げられる。
接続端子は、部分的に厚み又は積層数が異なっていてもよい（図８Ｂ及び図９Ｂの接続
端子４３、図８Ｃ及び図９Ｃの凸部４３ａ参照）。 The connection terminals are, for example, Au, Pt, Pd, Rh, Ni, W, Mo, Cr, Ti, Fe,
It can be formed by a single-layer film or a laminated film of a metal such as Cu, Al, Ag or an alloy thereof. Among them, those having excellent conductivity and mountability are preferable, and materials having good bondability and wettability with solder used for mounting a light emitting device are more preferable. In particular, copper or a copper alloy is preferable from the viewpoint of heat dissipation. A highly light-reflecting film such as silver, platinum, tin, gold, copper, rhodium, or an alloy thereof may be formed on the surface of the connection terminal. The connection terminal is
Specific examples thereof include laminated structures such as W / Ni / Au, W / Ni / Pd / Au, and W / NiCo / Pd / Au.
The connection terminals may be partially different in thickness or number of layers (see connection terminals 43 in FIGS. 8B and 9B, and convex portions 43a in FIGS. 8C and 9C).

接続端子は、配線、リードフレーム等を利用してもよいし、母材の表面への蒸着、スパ
ッタリング法、メッキ等によって形成することができる。なかでも、メッキを利用するこ
とが好ましい。特に、凸部は、少なくとも第１主面上に、上述した金属又は合金の単層膜
又は積層膜を形成した後、マスクを利用して、その単層膜又は積層膜の上に金属又は合金
の単層膜又は積層膜をさらに積層することにより形成することができる。また、凸部は、
基体表面メッキ等で厚膜を形成した後、エッチングで凸部以外の部分を除去して形成する
ことができる。この方法によれば、凸部の側面の傾斜を垂直に近づけ易い。また、複合基
板を用いる場合でも、メッキの厚み（凸部の高さ）のばらつきを少なくすることができる
ため、量産性を向上させることができる。接続端子の厚みは、数μｍから数百μｍが挙げ
られる。 The connection terminal may use wiring, a lead frame or the like, or may be formed by vapor deposition on the surface of the base material, a sputtering method, plating or the like. Of these, it is preferable to use plating. In particular, the convex portion forms a single-layer film or laminated film of the above-mentioned metal or alloy on at least the first main surface, and then uses a mask to form the metal or alloy on the single-layer film or laminated film. It can be formed by further laminating a single-layer film or a laminated film of. Also, the convex part is
After forming a thick film by plating the surface of the substrate or the like, it can be formed by removing a portion other than the convex portion by etching. According to this method, the inclination of the side surface of the convex portion can be easily brought close to vertical. Further, even when a composite substrate is used, the variation in the plating thickness (height of the convex portion) can be reduced, so that mass productivity can be improved. The thickness of the connection terminal may range from several μm to several hundred μm.

接続端子の縁部の一部は、基体の第１主面の縁部の一部に一致するように形成すること
が好ましい。言い換えると、接続端子の端面の一部と基体の端面の一部とが同一面を形成
するように形成することが好ましい。これにより、発光装置の実装性を向上させることが
できる。ここで同一面とは、段差がない又はほとんどないことを意味し、数μｍから数十
μｍ程度の凹凸は許容されることを意味する。本願明細書において以下同じである。 It is preferable that a part of the edge portion of the connection terminal is formed so as to coincide with a part of the edge portion of the first main surface of the substrate. In other words, it is preferable to form a part of the end face of the connection terminal and a part of the end face of the substrate so as to form the same surface. Thereby, the mountability of the light emitting device can be improved. Here, the same surface means that there is no or almost no step, and unevenness of about several μm to several tens of μm is allowed. The same shall apply hereinafter in the specification of the present application.

接続端子は、第１主面において、上述した発光素子の電極と接続される素子接続部と、
発光装置の外部と接続される外部接続部とを有することが好ましい。特に、外部接続部は
、基体の第１主面に加えて、さらに基体の第２主面上に延長していることがより好ましい
。通常、素子接続部は第１主面上に配置され、外部接続部は、第１主面上、第１主面及び
端面上又は第１主面、端面及び第２主面上に配置される。 The connection terminal has an element connection portion connected to the electrode of the light emitting element described above on the first main surface, and an element connection portion.
It is preferable to have an external connection portion connected to the outside of the light emitting device. In particular, it is more preferable that the external connection portion extends on the second main surface of the substrate in addition to the first main surface of the substrate. Usually, the element connection portion is arranged on the first main surface, and the external connection portion is arranged on the first main surface, the first main surface and the end surface, or on the first main surface, the end surface and the second main surface. ..

接続端子は、第１主面上、端面上及び／又は第２主面上にわたって、必ずしも同じ幅（
例えば、基体の短手方向の長さ）でなくてもよく、一部のみ幅狭又は幅広に形成されてい
てもよい。あるいは、基体の第１主面及び／又は第２主面において、幅狭となるように、
接続端子の一部が絶縁材料（例えば、母材等）により被覆されていてもよい。このような
幅狭部位は、基体の少なくとも第１主面上に配置されることが好ましく（図３の接続端子
３参照）、第１主面及び第２主面上の双方に配置されていてもよい（図８Ｄ及び図８Ｆの
接続端子４３参照）。特に、幅狭部位は、基体の第１主面上では、後述する光反射性部材
の近傍において配置されることがより好ましい。幅狭部位を配置することにより、接続端
子に接続される、後述するような半田等又はこれらに含まれるフラックスなどが、端子表
面に沿って、後述する光反射性部材下、さらに発光素子下にまで浸入することを抑制する
ことができる。 The connection terminals are necessarily the same width (on the first main surface, on the end surface and / or on the second main surface).
For example, it does not have to be the length of the substrate in the lateral direction), and only a part of the substrate may be formed narrow or wide. Alternatively, the width may be narrowed on the first main surface and / or the second main surface of the substrate.
A part of the connection terminal may be covered with an insulating material (for example, a base material). Such a narrow portion is preferably arranged on at least the first main surface of the substrate (see connection terminal 3 in FIG. 3), and is arranged on both the first main surface and the second main surface. It may be possible (see the connection terminal 43 of FIGS. 8D and 8F). In particular, it is more preferable that the narrow portion is arranged on the first main surface of the substrate in the vicinity of the light-reflecting member described later. By arranging the narrow portion, the solder or the like described later or the flux contained therein, which is connected to the connection terminal, flows along the terminal surface under the light reflective member described later and further under the light emitting element. It is possible to suppress the infiltration.

幅狭部位は、素子接続部よりも幅狭であることが好ましい。また、幅狭部位は、なだら
かに幅狭になることが好ましい（例えば、図８Ｅの接続端子４３参照）。 The narrow portion is preferably narrower than the element connection portion. Further, it is preferable that the narrow portion is gently narrowed (see, for example, the connection terminal 43 in FIG. 8E).

なお、接続端子が第１主面上から第２主面にそれぞれ延長する場合、必ずしも端面上を
通らず、母材に設けられたスルーホールを経て延長していてもよい。 When the connection terminals extend from the first main surface to the second main surface, they may extend through the through holes provided in the base material without necessarily passing over the end faces.

また、発光素子に電気的に接続される接続端子の他に、さらに、放熱用の端子、ヒート
シンク、補強部材等を有していてもよい（例えば、図８Ｂ及び図９Ｂの補強端子４３ｃ参
照）。これらは、第１主面、第２主面、端面のいずれに配置されていてもよく、特に、発
光素子及び／又は光反射性部材の下方に配置されていることが好ましい。これにより、発
光装置の強度を高め、信頼性を高めることができる。また、光反射性部材が金型を用いて
成形される場合には、基体のゆがみが低減され、光反射性部材の成形性を向上させること
ができる。
放熱用の端子又は補強端子が接続端子の間に設けられる場合、ソルダーレジスト等の絶
縁性の膜で被覆されていること又はそれぞれの端子の間に絶縁性の膜が設けられているこ
とが好ましい。これにより、接続端子間と放熱用の端子または補強端子との溶融性部材の
ブリッジを防止することができる。 Further, in addition to the connection terminal electrically connected to the light emitting element, a terminal for heat dissipation, a heat sink, a reinforcing member, and the like may be further provided (see, for example, the reinforcing terminal 43c in FIGS. 8B and 9B). .. These may be arranged on any of the first main surface, the second main surface, and the end surface, and it is particularly preferable that they are arranged below the light emitting element and / or the light reflecting member. As a result, the strength of the light emitting device can be increased and the reliability can be increased. Further, when the light-reflecting member is molded using a mold, the distortion of the substrate can be reduced and the moldability of the light-reflecting member can be improved.
When a terminal for heat dissipation or a reinforcing terminal is provided between the connection terminals, it is preferable that the terminal is covered with an insulating film such as a solder resist or an insulating film is provided between the respective terminals. .. As a result, it is possible to prevent bridging of the meltable member between the connection terminals and the heat dissipation terminal or the reinforcing terminal.

さらに、１つの発光装置に発光素子が複数配置される場合、複数の発光素子を電気的に
接続するさらなる接続端子を１以上備えていてもよい。この場合、１つの基体に実装され
る発光素子の数、その配列、接続形態（並列及び直列）等によって、接続端子の形状及び
位置等を適宜設定することができる（図６の端子２５参照）。この接続端子は、発光素子
と接続する部位において、上述した凸部を備える。 Further, when a plurality of light emitting elements are arranged in one light emitting device, one or more additional connection terminals for electrically connecting the plurality of light emitting elements may be provided. In this case, the shape and position of the connection terminals can be appropriately set depending on the number of light emitting elements mounted on one substrate, their arrangement, the connection form (parallel and series), and the like (see terminal 25 in FIG. 6). .. This connection terminal includes the above-mentioned convex portion at a portion connected to the light emitting element.

接続端子は、凸部以外の第１主面は、平坦であることが好ましい。また、接続端子の第
１主面及び凸部の表面は、発光素子が基体に搭載された場合に、発光面を水平に配置する
ことができるように、基体の第１主面に水平であることが好ましい。 It is preferable that the first main surface of the connection terminal other than the convex portion is flat. Further, the surface of the first main surface and the convex portion of the connection terminal is horizontal to the first main surface of the substrate so that the light emitting surface can be arranged horizontally when the light emitting element is mounted on the substrate. Is preferable.

基体は、それ自体がコンデンサ、バリスタ、ツェナーダイオード、ブリッジダイオード
等の保護素子を構成するものであってもよいし、これら素子の機能を果たす構造をその一
部に備えるものでもよい。このような素子機能を果たすものを利用することにより、別途
部品を搭載することなく、発光装置として機能させることができる。その結果、静電耐圧
等を向上させた高性能の発光装置を、より小型化することが可能となる。 The substrate itself may constitute a protective element such as a capacitor, a varistor, a Zener diode, or a bridge diode, or may have a structure that functions as a part of the substrate. By using a device that fulfills such an element function, it can function as a light emitting device without mounting a separate component. As a result, it becomes possible to further miniaturize a high-performance light emitting device having improved electrostatic withstand voltage and the like.

〔発光素子〕
発光素子は、基体上に搭載されており、基体の第１主面において、第１主面上の接続端
子と接続されている。
１つの発光装置に搭載される発光素子は１つでもよいし、複数でもよい。発光素子の大
きさ、形状、発光波長は適宜選択することができる。複数の発光素子が搭載される場合、
その配置は不規則でもよく、行列など規則的又は周期的に配置されてもよい。また、複数
の発光素子は、直列、並列、直並列又は並直列のいずれの接続形態でもよい。 [Light emitting element]
The light emitting element is mounted on the substrate and is connected to the connection terminal on the first main surface on the first main surface of the substrate.
The number of light emitting elements mounted on one light emitting device may be one or a plurality. The size, shape, and emission wavelength of the light emitting element can be appropriately selected. When multiple light emitting elements are mounted
The arrangement may be irregular, and may be arranged regularly or periodically such as in a matrix. Further, the plurality of light emitting elements may be connected in any of series, parallel, serial parallel and parallel series.

本発明の発光装置における発光素子は、半導体積層体として、第１半導体層（例えば、
ｎ型半導体層）、発光層、第２半導体層（例えば、ｐ型半導体層）がこの順に積層され、
同一面側（例えば、第２半導体層側の面）に、第１半導体層に電気的に接続される第１電
極と、第２半導体層に電気的に接続される第２電極との双方を有する。半導体積層体は、
通常、半導体層の成長用の基板上に積層されるが、発光素子としては、成長用の基板を伴
っていてもよいし、基板が除去されたものでもよい。 The light emitting element in the light emitting device of the present invention is a first semiconductor layer (for example, as a semiconductor laminate).
The n-type semiconductor layer), the light emitting layer, and the second semiconductor layer (for example, the p-type semiconductor layer) are laminated in this order.
On the same surface side (for example, the surface on the second semiconductor layer side), both the first electrode electrically connected to the first semiconductor layer and the second electrode electrically connected to the second semiconductor layer are provided. Have. The semiconductor laminate is
Normally, it is laminated on a substrate for growth of a semiconductor layer, but the light emitting element may be accompanied by a substrate for growth or may have the substrate removed.

第１半導体層、発光層及び第２半導体層の種類、材料は特に限定されるものではなく、
例えば、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体、ＩＩ−ＶＩ族化合物半導体等、種々の半導体が挙げ
られる。具体的には、ＩｎＸＡｌＹＧａ１−Ｘ−ＹＮ（０≦Ｘ、０≦Ｙ、Ｘ＋Ｙ≦１）等
の窒化物系の半導体材料が挙げられ、ＩｎＮ、ＡｌＮ、ＧａＮ、ＩｎＧａＮ、ＡｌＧａＮ
、ＩｎＧａＡｌＮ等を用いることができる。各層の膜厚及び層構造は、当該分野で公知の
ものを利用することができる。 The types and materials of the first semiconductor layer, the light emitting layer and the second semiconductor layer are not particularly limited, and are not particularly limited.
For example, various semiconductors such as group III-V compound semiconductors and group II-VI compound semiconductors can be mentioned. Specific examples thereof include nitride-based semiconductor materials such as In X Al Y Ga 1-XY N (0 ≦ X, 0 ≦ Y, X + Y ≦ 1), and include InN, AlN, GaN, InGaN, and AlGaN.
, InGaAlN and the like can be used. As the film thickness and layer structure of each layer, those known in the art can be used.

半導体層の成長用の基板としては、半導体層をエピタキシャル成長させることができる
ものが挙げられる。このような基板の材料としては、サファイア（Ａｌ２Ｏ３）、スピネ
ル（ＭｇＡ１２Ｏ４）のような絶縁性基板、上述した窒化物系の半導体基板等が挙げられ
る。半導体層の成長用の基板として、サファイア基板のような透光性を有する基板を用い
ることにより、半導体積層体から除去せず発光装置に用いることができる。
基板は、表面に複数の凸部又は凹凸を有するものであってもよい。また、Ｃ面、Ａ面等
の所定の結晶面に対して０〜１０°程度のオフ角を有するものであってもよい。
基板は、第１半導体層との間に、中間層、バッファ層、下地層等の半導体層又は絶縁層
等を有していてもよい。 Examples of the substrate for growing the semiconductor layer include those capable of epitaxially growing the semiconductor layer. Examples of such a substrate material include an insulating substrate such as sapphire (Al 2 O 3 ) and spinel (Mg A1 2 O 4 ), and the above-mentioned nitride-based semiconductor substrate. By using a light-transmitting substrate such as a sapphire substrate as the substrate for growing the semiconductor layer, it can be used in a light emitting device without being removed from the semiconductor laminate.
The substrate may have a plurality of protrusions or irregularities on the surface. Further, it may have an off angle of about 0 to 10 ° with respect to a predetermined crystal plane such as the C plane and the A plane.
The substrate may have a semiconductor layer such as an intermediate layer, a buffer layer, a base layer, or an insulating layer between the substrate and the first semiconductor layer.

半導体層の成長用の基板は、この成長用の基板側から半導体層に、基板を透過するレー
ザ光（例えば、ＫｒＦエキシマレーザ）を照射し、半導体層と基板との界面で分解反応を
生じさせ、基板を半導体層から分離する、レーザリフトオフ法等を利用して除去すること
ができる。ただし、成長用の基板は、半導体層から完全に除去されたものに加えて、半導
体層の端部又は隅部に若干の基板が残存したものであってもよい。成長用の基板の除去は
、発光素子が基体に実装された前後のいずれに行ってもよい。 The substrate for growth of the semiconductor layer irradiates the semiconductor layer with laser light (for example, KrF excimer laser) transmitted through the substrate from the substrate side for growth to cause a decomposition reaction at the interface between the semiconductor layer and the substrate. , The substrate can be removed by using a laser lift-off method or the like that separates the substrate from the semiconductor layer. However, the growth substrate may be one in which a small amount of substrate remains at the end or corner of the semiconductor layer in addition to the one completely removed from the semiconductor layer. The substrate for growth may be removed before or after the light emitting element is mounted on the substrate.

半導体積層体は、半導体層の成長用の基板が除去されたものである場合、より薄型化、
小型化を実現する発光装置を得ることができる。また、発光に直接寄与しない層を除去す
ることにより、これに起因する発光層から出射される光の吸収を阻止することができる。
よって、より発光効率を向上させることができる。その結果、発光輝度を高めることが可
能となる。 The semiconductor laminate is thinner when the substrate for growth of the semiconductor layer is removed.
It is possible to obtain a light emitting device that realizes miniaturization. Further, by removing the layer that does not directly contribute to light emission, it is possible to prevent the absorption of light emitted from the light emitting layer due to this.
Therefore, the luminous efficiency can be further improved. As a result, it is possible to increase the emission brightness.

半導体積層体は、平面視における形状は特に限定されるものではなく、四角形又はこれ
に近似する形状が好ましい。半導体積層体の大きさは、発光装置の大きさによって、その
上限を適宜調整することができる。具体的には、半導体積層体の一辺の長さが、数百μｍ
から１０ｍｍ程度が挙げられる。 The shape of the semiconductor laminate in a plan view is not particularly limited, and a quadrangle or a shape similar thereto is preferable. The upper limit of the size of the semiconductor laminate can be appropriately adjusted depending on the size of the light emitting device. Specifically, the length of one side of the semiconductor laminate is several hundred μm.
About 10 mm can be mentioned.

（第１電極及び第２電極）
第１電極及び第２電極は、半導体積層体の同一面側（基板が存在する場合にはその反対
側の面）に形成されていることが好ましい。これにより、基体の正負の接続端子と発光素
子の第１電極と第２電極を対向させて接合するフリップチップ実装を行うことができる。 (1st electrode and 2nd electrode)
It is preferable that the first electrode and the second electrode are formed on the same surface side of the semiconductor laminate (the surface opposite to the substrate if present). This makes it possible to mount a flip chip in which the positive and negative connection terminals of the substrate and the first electrode and the second electrode of the light emitting element are joined so as to face each other.

第１電極及び第２電極は、例えば、Ａｕ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｒｈ、Ｎｉ、Ｗ、Ｍｏ、Ｃｒ、
Ｔｉ等の金属又はこれらの合金の単層膜又は積層膜によって形成することができる。具体
的には、半導体層側からＴｉ／Ｒｈ／Ａｕ、Ｗ／Ｐｔ／Ａｕ、Ｒｈ／Ｐｔ／Ａｕ、Ｗ／Ｐ
ｔ／Ａｕ、Ｎｉ／Ｐｔ／Ａｕ、Ｔｉ／Ｒｈ等のように積層された積層膜が挙げられる。膜
厚は、当該分野で用いられる膜の膜厚のいずれでもよい。 The first electrode and the second electrode are, for example, Au, Pt, Pd, Rh, Ni, W, Mo, Cr,
It can be formed of a metal such as Ti or a single-layer film or a laminated film of an alloy thereof. Specifically, from the semiconductor layer side, Ti / Rh / Au, W / Pt / Au, Rh / Pt / Au, W / P
Examples thereof include laminated films laminated such as t / Au, Ni / Pt / Au, Ti / Rh and the like. The film thickness may be any of the film thicknesses used in the art.

また、第１電極及び第２電極は、それぞれ第１半導体層及び第２半導体層に近い側に、
発光層から出射される光に対する反射率が電極のその他の材料より高い材料層が、これら
電極の一部として配置されることが好ましい。
反射率が高い材料としては、銀又は銀合金やアルミニウムを有する層が挙げられる。銀
合金としては、当該分野で公知の材料のいずれを用いてもよい。この材料層の厚みは、特
に限定されるものではなく、発光素子から出射される光を効果的に反射することができる
厚み、例えば、２０ｎｍ〜１μｍ程度が挙げられる。この材料層の第１半導体層又は第２
半導体層との接触面積は大きいほど好ましい。 Further, the first electrode and the second electrode are located on the side closer to the first semiconductor layer and the second semiconductor layer, respectively.
It is preferable that a material layer having a higher reflectance for light emitted from the light emitting layer than the other materials of the electrode is arranged as a part of these electrodes.
Materials with high reflectance include layers with silver or silver alloys or aluminum. As the silver alloy, any material known in the art may be used. The thickness of this material layer is not particularly limited, and examples thereof include a thickness capable of effectively reflecting light emitted from a light emitting element, for example, about 20 nm to 1 μm. The first semiconductor layer or the second semiconductor layer of this material layer
The larger the contact area with the semiconductor layer, the more preferable.

なお、銀又は銀合金を用いる場合には、銀のマイグレーションを防止するために、その
表面（好ましくは、上面及び端面）を被覆する被覆層を形成することが好ましい。
このような被覆層としては、通常、導電材料として用いられている金属及び合金によっ
て形成されるものであればよく、例えば、アルミニウム、銅、ニッケル等の金属を含有す
る単層又は積層層が挙げられる。なかでも、ＡｌＣｕを用いることが好ましい。被覆層の
厚みは、効果的に銀のマイグレーションを防止するために、数百ｎｍ〜数μｍ程度が挙げ
られる。 When silver or a silver alloy is used, it is preferable to form a coating layer that covers the surface (preferably the upper surface and the end surface) in order to prevent the migration of silver.
Such a coating layer may be one formed of a metal or alloy usually used as a conductive material, and examples thereof include a single layer or a laminated layer containing a metal such as aluminum, copper, and nickel. Be done. Of these, it is preferable to use AlCu. The thickness of the coating layer is about several hundred nm to several μm in order to effectively prevent the migration of silver.

第１電極及び第２電極は、それぞれ第１半導体層及び第２半導体層に電気的に接続され
ている限り、電極の全面が半導体層に接触されていなくてもよいし、第１電極の一部が第
１半導体層の上に及び／又は第２電極の一部が第２半導体層の上に位置していなくてもよ
い。つまり、例えば、絶縁膜等を介して、第１電極が第２半導体層上に配置されていても
よいし、第２電極が第１半導体層上に配置されていてもよい。これにより、第１電極また
は第２電極の形状を容易に変更することができるため、一対の接続端子に容易に実装する
ことができる。 As long as the first electrode and the second electrode are electrically connected to the first semiconductor layer and the second semiconductor layer, respectively, the entire surface of the electrodes may not be in contact with the semiconductor layer, and one of the first electrodes. The part may not be located on the first semiconductor layer and / or a part of the second electrode may not be located on the second semiconductor layer. That is, for example, the first electrode may be arranged on the second semiconductor layer or the second electrode may be arranged on the first semiconductor layer via an insulating film or the like. As a result, the shape of the first electrode or the second electrode can be easily changed, so that the first electrode or the second electrode can be easily mounted on a pair of connection terminals.

ここでの絶縁膜としては、特に限定されるものではなく、当該分野で使用されるものの
単層膜及び積層膜のいずれでもよい。絶縁膜等を用いることにより、第１電極及び第２電
極は、第１半導体層及び／又は第２半導体層の平面積にかかわらず、任意の大きさ及び位
置に設定することができる。 The insulating film here is not particularly limited, and may be either a single-layer film or a laminated film used in the art. By using an insulating film or the like, the first electrode and the second electrode can be set to any size and position regardless of the flat area of the first semiconductor layer and / or the second semiconductor layer.

第１電極及び第２電極の形状は、半導体積層体の形状、基体の接続端子（特に、凸部）
の形状等によって設定することができる。第１電極、第２電極及び接続端子（特に、凸部
）は、それぞれが平面視四角形又はこれに近い形状とすることが好ましい。これにより、
セルフアライメント効果により、半導体積層体と基体との接合及び位置合わせを容易に行
うことができる。この場合、少なくとも、基体と接続される半導体積層体の最表面におい
て、第１電極及び第２電極の平面形状が略同じであることが好ましい。また、半導体積層
体の中央部分を挟んで、第１電極及び第２電極がそれぞれ対向するように配置されている
ことが好ましい。 The shapes of the first electrode and the second electrode are the shape of the semiconductor laminate and the connection terminals (particularly, convex portions) of the substrate.
It can be set according to the shape of. It is preferable that the first electrode, the second electrode, and the connection terminal (particularly, the convex portion) each have a quadrangle in a plan view or a shape close thereto. This will
Due to the self-alignment effect, the semiconductor laminate and the substrate can be easily bonded and aligned. In this case, it is preferable that the plane shapes of the first electrode and the second electrode are substantially the same at least on the outermost surface of the semiconductor laminate connected to the substrate. Further, it is preferable that the first electrode and the second electrode are arranged so as to face each other with the central portion of the semiconductor laminate interposed therebetween.

第１電極及び第２電極の第１主面（半導体層とは反対側の面）は、段差を有していても
よいが、略平坦であることが好ましい。ここでの平坦とは、半導体積層体の第２主面（第
１主面と反対側の面）から第１電極の第１主面までの高さと、半導体積層体の第２主面か
ら第２電極の第１主面までの高さとが略同じであることを意味する。ここでの略同じとは
、半導体積層体の高さの±１０％程度の変動は許容される。 The first main surface (the surface opposite to the semiconductor layer) of the first electrode and the second electrode may have a step, but is preferably substantially flat. The flatness here means the height from the second main surface of the semiconductor laminate (the surface opposite to the first main surface) to the first main surface of the first electrode, and the second to second main surfaces of the semiconductor laminate. It means that the height of the two electrodes to the first main surface is substantially the same. The same as here, a fluctuation of about ± 10% in the height of the semiconductor laminate is allowed.

このように、第１電極及び第２電極の第１主面を略平坦、つまり、実質的に両者を同一
面に配置することにより、発光素子を基体に水平に実装することが容易となる。このよう
な第１電極及び第２電極を形成するためには、例えば、電極上にメッキ等で金属膜を設け
、その後、平坦となるよう研磨又は切削を行うことで実現することができる。 In this way, by arranging the first main surfaces of the first electrode and the second electrode substantially flat, that is, substantially the same surface, it becomes easy to mount the light emitting element horizontally on the substrate. In order to form such a first electrode and a second electrode, for example, a metal film is provided on the electrodes by plating or the like, and then polishing or cutting is performed so as to make the electrodes flat.

第１電極及び第２電極と第１半導体層及び第２半導体層とのそれぞれの間に、両者の電
気的な接続を阻害しない範囲で、ＤＢＲ（分布ブラッグ反射器）層等を配置してもよい。
ＤＢＲは、例えば、任意に酸化膜等からなる下地層の上に、低屈折率層と高屈折率層と
を積層させた多層構造であり、所定の波長光を選択的に反射する。具体的には屈折率の異
なる膜を１／４波長の厚みで交互に積層することにより、所定の波長を高効率に反射させ
ることができる。材料として、Ｓｉ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｔａ、Ａｌからなる群より選択
された少なくとも一種の酸化物または窒化物を含んで形成することができる。 Even if a DBR (Distributed Bragg Reflector) layer or the like is arranged between the first electrode and the second electrode and the first semiconductor layer and the second semiconductor layer within a range that does not interfere with the electrical connection between the two. Good.
The DBR has, for example, a multilayer structure in which a low refractive index layer and a high refractive index layer are laminated on a base layer optionally made of an oxide film or the like, and selectively reflects light having a predetermined wavelength. Specifically, by alternately laminating films having different refractive indexes with a thickness of 1/4 wavelength, a predetermined wavelength can be reflected with high efficiency. As the material, it can be formed by containing at least one oxide or nitride selected from the group consisting of Si, Ti, Zr, Nb, Ta and Al.

〔溶融性部材〕
発光素子は、通常、第１電極及び第２電極が、溶融性部材によって上述した基体の接続
端子、特に、凸部の上、場合によってはさらに凸部側面に接合されている。このような溶
融性部材は、当該分野で公知の材料のいずれをも用いることができる。溶融性部材として
は、加熱によって溶融し得る材料、例えば、錫-ビスマス系、錫-銅系、錫-銀系、金-錫系
などの半田、低融点金属などのろう材等が挙げられる。なかでも、半田を用いることによ
り、セルフアライメント効果によって、発光素子を適所に実装することが容易となり、量
産性を向上させ、より小型の発光装置を製造することができる。
溶融性部材は、少なくとも凸部の上面を被覆している。溶融性部材は、凸部の側面の一
部又は全部、さらに凸部周辺の接続端子の第１主面を被覆してもよい。 [Melting member]
In the light emitting element, the first electrode and the second electrode are usually joined by a meltable member to the connection terminal of the substrate described above, particularly above the convex portion and, in some cases, further to the side surface of the convex portion. As such a meltable member, any material known in the art can be used. Examples of the meltable member include materials that can be melted by heating, such as tin-bismuth-based, tin-copper-based, tin-silver-based, and gold-tin-based solders, and brazing materials such as low melting point metals. In particular, by using solder, the self-alignment effect makes it easy to mount the light emitting element in a proper place, improve mass productivity, and manufacture a smaller light emitting device.
The meltable member covers at least the upper surface of the convex portion. The meltable member may cover a part or all of the side surface of the convex portion, and further cover the first main surface of the connection terminal around the convex portion.

〔光反射性部材〕
光反射性部材は、光反射性を有し、少なくとも発光素子を被覆、固定又は封止する機能
を有する部材である。また、上述した接続端子の凸部及び溶融性部材を埋め込む部材であ
る。さらに、接続端子の凸部のうち、溶融性部材で被覆されていない部位、溶融性部材の
うち発光素子の電極と接触していない部位、発光素子のうち、基体と対向する部位であっ
て、溶融性部材と接触していない部位及びその端面の全てが、光反射性部材に接触し、被
覆されていることが好ましい。このような配置によって、発光素子から出射される光を、
基体、接続端子及び溶融性部材等によって吸収されることなく、光取り出し面側に効率的
に取り出すことが可能となる。 [Light reflective member]
The light-reflecting member is a member that has light-reflecting property and at least has a function of covering, fixing, or sealing a light emitting element. Further, it is a member for embedding the convex portion of the connection terminal and the meltable member described above. Further, among the convex portions of the connection terminal, the portion not covered with the meltable member, the portion of the meltable member that is not in contact with the electrode of the light emitting element, and the portion of the light emitting element that faces the substrate. It is preferable that all the portions that are not in contact with the meltable member and their end faces are in contact with and covered with the light reflective member. With such an arrangement, the light emitted from the light emitting element is
It can be efficiently taken out to the light taking-out surface side without being absorbed by the substrate, the connection terminal, the meltable member, or the like.

光反射性部材の材料は特に限定されるものではなく、セラミック、樹脂、誘電体、パル
プ、ガラス又はこれらの複合材料等が挙げられる。なかでも、任意の形状に容易に成形す
ることができるという観点から、樹脂が好ましい。 The material of the light-reflecting member is not particularly limited, and examples thereof include ceramics, resins, dielectrics, pulps, glasses, and composite materials thereof. Of these, resin is preferable from the viewpoint that it can be easily molded into an arbitrary shape.

樹脂としては、熱硬化性樹脂、熱可塑性樹脂などが挙げられる。具体的には、エポキシ
樹脂組成物、シリコーン樹脂組成物、シリコーン変性エポキシ樹脂などの変性エポキシ樹
脂組成物；エポキシ変性シリコーン樹脂などの変性シリコーン樹脂組成物；ポリイミド樹
脂組成物、変性ポリイミド樹脂組成物；ポリフタルアミド（ＰＰＡ）；ポリカーボネート
樹脂；ポリフェニレンサルファイド（ＰＰＳ）；液晶ポリマー（ＬＣＰ）；ＡＢＳ樹脂；
フェノール樹脂；アクリル樹脂；ＰＢＴ樹脂等の樹脂が挙げられる。 Examples of the resin include thermosetting resins and thermoplastic resins. Specifically, modified epoxy resin compositions such as epoxy resin compositions, silicone resin compositions, and silicone-modified epoxy resins; modified silicone resin compositions such as epoxy-modified silicone resins; polyimide resin compositions, modified polyimide resin compositions; Polyphthalamide (PPA); Polycarbonate resin; Polyphenylene sulfide (PPS); Liquid crystal polymer (LCP); ABS resin;
Examples thereof include resins such as phenol resin; acrylic resin; and PBT resin.

光反射性部材は、発光素子からの光に対する反射率が６０％以上である材料、より好ま
しくは７０％、８０％又は９０％以上の材料によって形成されているものが好ましい。
そのために、上述した材料、例えば、樹脂に、二酸化チタン、二酸化ケイ素、二酸化ジ
ルコニウム、チタン酸カリウム、アルミナ、窒化アルミニウム、窒化ホウ素、ムライト、
酸化ニオブ、硫酸バリウム、各種希土類酸化物（例えば、酸化イットリウム、酸化ガドリ
ニウム）などの光反射材、光散乱材又はカーボンブラック等の着色剤等を含有させること
が好ましい。
光反射性部材は、ガラスファイバー、ワラストナイトなどの繊維状フィラー、カーボン
等の無機フィラーを含有させてもよい。また、放熱性の高い材料（例えば、窒化アルミ等
）を含有させてもよい。さらに、光反射性部材には、後述する蛍光体を含有させてもよい
。
これらの添加物は、例えば、光反射性部材の全重量に対して、１０〜４０重量％程度含
有させることが好ましい。 The light-reflecting member is preferably made of a material having a reflectance of 60% or more with respect to light from the light emitting element, more preferably 70%, 80% or 90% or more.
Therefore, the above-mentioned materials, for example, resins, include titanium dioxide, silicon dioxide, zirconium dioxide, potassium titanate, alumina, aluminum nitride, boron nitride, and mullite.
It is preferable to contain a light reflecting material such as niobium oxide, barium sulfate, various rare earth oxides (for example, yttrium oxide and gadolinium oxide), a light scattering material, and a coloring agent such as carbon black.
The light-reflecting member may contain a fibrous filler such as glass fiber or wallastnite, or an inorganic filler such as carbon. Further, a material having high heat dissipation (for example, aluminum nitride or the like) may be contained. Further, the light reflecting member may contain a phosphor described later.
These additives are preferably contained, for example, in an amount of about 10 to 40% by weight based on the total weight of the light reflecting member.

これにより、発光素子からの光を効率よく反射させることができる。特に、基体よりも
光反射率の高い材料を用いる（例えば、基体に窒化アルミを用いた場合に、光反射性部材
として二酸化チタンを含有させたシリコーン樹脂を用いる）ことにより、ハンドリング性
を保ちつつ、基体の大きさを小さくして、発光装置の光取出し効率をより高めることがで
きる。 As a result, the light from the light emitting element can be efficiently reflected. In particular, by using a material having a higher light reflectance than the substrate (for example, when aluminum nitride is used for the substrate, a silicone resin containing titanium dioxide is used as the light-reflecting member), the handleability is maintained. , The size of the substrate can be reduced to further improve the light extraction efficiency of the light emitting device.

また、半導体層の成長基板などを除去、剥離するなどプロセス中の光反射性部材の強度
を向上させることができ、ひいては、発光装置においても強度を確保することができる。
さらに、放熱性の高い材料によって、発光装置の小型化を維持したまま、放熱性を向上
させることができる。 Further, the strength of the light-reflecting member during the process can be improved by removing or peeling off the growth substrate of the semiconductor layer, and the strength can be secured in the light emitting device as well.
Further, the material having high heat dissipation can improve the heat dissipation while maintaining the miniaturization of the light emitting device.

光反射性部材の形状は特に限定されるものではなく、例えば、円柱、四角形柱等の多角
形柱又はこれらに近い形状、円錐台、四角錐台等の多角錐台等が挙げられる。なかでも基
体の長手方向に細長い形状を有していることが好ましい。また、基体の短手方向に沿った
面を有することが好ましい。
光反射性部材は、発光素子の全周囲を取り囲むよう設けられることが好ましい。また、
フリップチップ実装された発光素子と基体との間を充填するよう設けられることが好まし
い。これにより、発光装置の強度を高めることができる。また、光反射性部材が発光素子
の全周囲を取り囲むように設けられる場合には、光反射性部材は、発光装置の長手方向側
において厚く、短手方向側において薄く設けられることが好ましい。これにより、発光装
置の薄型化を図ることができる。 The shape of the light-reflecting member is not particularly limited, and examples thereof include polygonal columns such as cylinders and quadrangular columns, shapes close to these, and polygonal pyramids such as truncated cones and quadrangular pyramids. Above all, it is preferable that the substrate has an elongated shape in the longitudinal direction. Further, it is preferable to have a surface along the lateral direction of the substrate.
The light reflecting member is preferably provided so as to surround the entire circumference of the light emitting element. Also,
It is preferable that it is provided so as to fill the space between the light emitting element mounted on the flip chip and the substrate. Thereby, the strength of the light emitting device can be increased. When the light-reflecting member is provided so as to surround the entire circumference of the light emitting element, it is preferable that the light-reflecting member is provided thick on the longitudinal side of the light emitting device and thin on the lateral side of the light emitting device. As a result, the light emitting device can be made thinner.

光反射性部材の平面視における縁部は、基体の縁部よりも内側又は外側に配置してもよ
い。光反射性部材が長手方向に細長い形状である場合、その長手方向に沿う１つの縁部は
、基体の長手方向に沿う縁部と一致していることが好ましい。つまり、光反射性部材の長
手方向に沿った端面の少なくとも一方は、基体の長手方向に沿った端面の一方と同一面を
形成することが好ましく、長手方向に沿った端面の双方が同一面を形成することがより好
ましい。これにより、発光装置の厚みを大きくすることなく、光取出し面の面積を大きく
することができ、光取出し効率を高めることができる。短手方向の縁部は、基体の短手方
向に沿う縁部よりも外側に配置されていてもよいが、通常、内側に配置されている。
発光装置がサイドビュータイプとして実装される場合には、基体及び光反射性部材の短
手方向の幅は、０．２ｍｍ〜０．４ｍｍであることが好ましい。 The edge portion of the light-reflecting member in a plan view may be arranged inside or outside the edge portion of the substrate. When the light-reflecting member has an elongated shape in the longitudinal direction, it is preferable that one edge along the longitudinal direction coincides with the edge along the longitudinal direction of the substrate. That is, it is preferable that at least one of the end faces along the longitudinal direction of the light-reflecting member forms the same surface as one of the end faces along the longitudinal direction of the substrate, and both end faces along the longitudinal direction have the same surface. It is more preferable to form. As a result, the area of the light extraction surface can be increased without increasing the thickness of the light emitting device, and the light extraction efficiency can be improved. The edge portion in the lateral direction may be arranged outside the edge portion along the lateral direction of the substrate, but is usually arranged inside.
When the light emitting device is mounted as a side view type, the width of the substrate and the light reflecting member in the lateral direction is preferably 0.2 mm to 0.4 mm.

光反射性部材の大きさは、発光素子よりも大きい平面積であることが好ましく、特に、
発光素子の一辺の２〜５倍程度の一辺の長さを有する大きさが好ましい。厚みは、例えば
、５０〜３００μｍ程度が挙げられる。
光反射性部材は、スクリーン印刷、ポッティング、トランスファーモールド、コンプレ
ッションモールド等により形成することができる。 The size of the light-reflecting member is preferably a flat area larger than that of the light emitting element, and in particular,
A size having a side length of about 2 to 5 times that of one side of the light emitting element is preferable. The thickness may be, for example, about 50 to 300 μm.
The light reflecting member can be formed by screen printing, potting, transfer molding, compression molding or the like.

光反射性部材は、発光素子が基体に実装される前に、発光素子の上面又は側面を被覆す
るように設けてもよいが、通常、発光素子の側面の全面、発光素子の基体と対向する面等
を封止又は被覆するために、発光素子が基体に実装された後に形成することが好ましい。 The light reflecting member may be provided so as to cover the upper surface or the side surface of the light emitting element before the light emitting element is mounted on the substrate, but usually, the entire side surface of the light emitting element faces the substrate of the light emitting element. It is preferable to form the light emitting element after it is mounted on the substrate in order to seal or cover the surface or the like.

〔透光性部材〕
発光装置の光取り出し面上には、透光性部材が設けられていることが好ましい。
透光性部材の端面は光反射性部材の端面と一致していてもよいし、透光性部材の端面は
光反射性部材で被覆されていてもよい。このような透光性部材の配置により、発光素子か
ら取り出される光を効率的に発光面に導くことができる。 [Translucent member]
It is preferable that a translucent member is provided on the light extraction surface of the light emitting device.
The end face of the translucent member may coincide with the end face of the light-reflecting member, or the end face of the translucent member may be covered with the light-reflecting member. By arranging such a translucent member, the light taken out from the light emitting element can be efficiently guided to the light emitting surface.

透光性部材は、発光層から出射される光の６０％以上を透過するもの、さらに、７０％
、８０％又は９０％以上を透過するものが好ましい。このような部材としては、例えば、
シリコーン樹脂、シリコーン変性樹脂、シリコーン変成樹脂、エポキシ樹脂、フェノール
樹脂、ポリカーボネート樹脂、アクリル樹脂、ＴＰＸ樹脂、ポリノルボルネン樹脂、又は
これらの樹脂を１種以上含むハイブリッド樹脂等の樹脂、ガラス等が挙げられる。なかで
もシリコーン樹脂又はエポキシ樹脂が好ましく、特に耐光性、耐熱性に優れるシリコーン
樹脂がより好ましい。 The translucent member transmits 60% or more of the light emitted from the light emitting layer, and further 70%.
, 80% or 90% or more permeate is preferable. Such members include, for example,
Examples thereof include silicone resins, silicone modified resins, silicone modified resins, epoxy resins, phenol resins, polycarbonate resins, acrylic resins, TPX resins, polynorbornene resins, resins such as hybrid resins containing one or more of these resins, and glass. .. Of these, a silicone resin or an epoxy resin is preferable, and a silicone resin having excellent light resistance and heat resistance is particularly preferable.

透光性部材には、蛍光体が含まれていることが好ましい。
蛍光体は、当該分野で公知のものを使用することができる。例えば、セリウムで賦活さ
れたイットリウム・アルミニウム・ガーネット（ＹＡＧ）系蛍光体、セリウムで賦活され
たルテチウム・アルミニウム・ガーネット（ＬＡＧ）系蛍光体、ユウロピウム及び／又は
クロムで賦活された窒素含有アルミノ珪酸カルシウム（ＣａＯ−Ａｌ２Ｏ３−ＳｉＯ２）
系蛍光体、ユウロピウムで賦活されたシリケート（（Ｓｒ，Ｂａ）２ＳｉＯ４）系蛍光体
、βサイアロン蛍光体、ＫＳＦ系蛍光体（Ｋ２ＳｉＦ６：Ｍｎ）、量子ドット蛍光体等と
呼ばれる半導体の微粒子などが挙げられる。これにより、可視波長の一次光及び二次光の
混色光（例えば白色系）を出射する発光装置、紫外光の一次光に励起されて可視波長の二
次光を出射する発光装置とすることができる。発光装置が液晶ディスプレイのバックライ
ト等に用いられる場合、発光素子から発せられた青色光によって励起され、赤色発光する
蛍光体（例えばKSF系蛍光体）と、緑色発光する蛍光体（例えばβサイアロン蛍光体）を
用いることが好ましい。これにより、発光装置を用いたディスプレイの色再現範囲を広げ
ることができる。
なお、蛍光体は、上記の部材中に含有されることに限られず、発光装置の種々の位置及
び部材中に設けることができる。例えば、発光素子を被覆するように形成されてもよく、
蛍光体を含有しない透光性部材の上に塗布、接着等された蛍光体層として設けられてもよ
い。 The translucent member preferably contains a phosphor.
As the phosphor, those known in the art can be used. For example, cerium-activated yttrium aluminum garnet (YAG) -based phosphors, cerium-activated lutetium aluminum garnet (LAG) -based phosphors, europium and / or chromium-activated nitrogen-containing calcium aluminosilicate (CaO-Al 2 O 3- SiO 2 )
Semiconductors called fluorofluores, europium-activated silicate ((Sr, Ba) 2 SiO 4 ) fluorofluores, β-sialone fluorophores, KSF fluorofluores (K 2 SiF 6 : Mn), quantum dot phosphors, etc. Examples include fine particles of. As a result, a light emitting device that emits mixed color light (for example, white) of visible wavelength primary light and secondary light, and a light emitting device that is excited by the primary light of ultraviolet light and emits secondary light of visible wavelength can be used. it can. When the light emitting device is used as a backlight of a liquid crystal display, a phosphor that is excited by blue light emitted from a light emitting element and emits red light (for example, a KSF-based phosphor) and a phosphor that emits green light (for example, β-sialon fluorescence) Body) is preferred. As a result, the color reproduction range of the display using the light emitting device can be expanded.
The phosphor is not limited to being contained in the above-mentioned member, and can be provided in various positions and members of the light emitting device. For example, it may be formed so as to cover the light emitting element.
It may be provided as a phosphor layer coated or adhered on a translucent member containing no phosphor.

透光性部材は、さらに、充填材（例えば、拡散剤、着色剤等）を含んでいてもよい。例
えば、シリカ、酸化チタン、酸化ジルコニウム、酸化マグネシウム、炭酸マグネシウム、
水酸化マグネシウム、炭酸カルシウム、水酸化カルシウム、珪酸カルシウム、酸化亜鉛、
チタン酸バリウム、酸化アルミニウム、酸化鉄、酸化クロム、酸化マンガン、ガラス、カ
ーボンブラック、蛍光体の結晶又は焼結体、蛍光体と無機物の結合材との焼結体等が挙げ
られる。任意に、充填材の屈折率を調整してもよい。例えば、１．８以上が挙げられ、光
を効率的に散乱し高い光取り出し効率を得るために、２以上であることが好ましく、２．
５以上であることがより好ましい。なかでも、酸化チタンは、水分などに対して比較的安
定で且つ高屈折率であり、また熱伝導性にも優れるため、好ましい。 The translucent member may further contain a filler (for example, a diffusing agent, a coloring agent, etc.). For example, silica, titanium oxide, zirconium oxide, magnesium oxide, magnesium carbonate,
Magnesium hydroxide, calcium carbonate, calcium hydroxide, calcium silicate, zinc oxide,
Examples thereof include barium titanate, aluminum oxide, iron oxide, chromium oxide, manganese oxide, glass, carbon black, a crystal or sintered body of a phosphor, and a sintered body of a phosphor and an inorganic binder. Optionally, the refractive index of the filler may be adjusted. For example, 1.8 or more is mentioned, and in order to efficiently scatter light and obtain high light extraction efficiency, it is preferably 2 or more.
More preferably, it is 5 or more. Of these, titanium oxide is preferable because it is relatively stable against moisture and has a high refractive index, and is also excellent in thermal conductivity.

充填剤の粒子の形状は、破砕状、球状、中空及び多孔質等のいずれでもよい。粒子の平
均粒径（メジアン径）は、高い効率で光散乱効果を得られる、０．０８〜１０μｍ程度が
好ましい。
充填材は、例えば、透光性部材の重量に対して１０〜６０重量％程度が好ましい。 The shape of the particles of the filler may be crushed, spherical, hollow, porous or the like. The average particle size (median diameter) of the particles is preferably about 0.08 to 10 μm, which can obtain a light scattering effect with high efficiency.
The filler is preferably, for example, about 10 to 60% by weight with respect to the weight of the translucent member.

透光性部材を形成する方法は、透光性部材をシート状に成形して、ホットメルト方式又
は接着剤により接着する方法、電気泳動堆積法、ポッティング、圧縮成型、スプレー、静
電塗布法、印刷法等が挙げられる。この際、粘度又は流動性を調整するために、シリカ（
アエロジル）などを添加してもよい。 The method of forming the translucent member is a method of molding the translucent member into a sheet and adhering it by a hot melt method or an adhesive, an electrophoresis deposition method, potting, compression molding, spraying, electrostatic coating method, etc. The printing method and the like can be mentioned. At this time, in order to adjust the viscosity or fluidity, silica (
Aerosil) and the like may be added.

透光性部材の厚みは特に限定されるものではなく、例えば、１０〜３００μｍ程度が挙
げられる。このような厚みに設定することにより、透光性部材の端面が光反射性部材の端
面と一致していても、また光反射性部材で被覆されていても、発光素子から取り出される
光を効率的に発光面に導くことができる。
透光性部材は、配光を制御するために、その第１主面及び／又は第２主面を凸面、凹面
等の凹凸面にしてもよい。
透光性部材は、発光素子が基体に実装される前に発光素子の上面に接着されて、発光装
置に設けられてもよい。特に、発光素子が、半導体層の成長用の基板が除去された半導体
積層体によって構成される場合には、例えば、ガラス、セラミック等の硬質な透光性部材
に接着又は固定されることによって発光素子の強度が高まり、ハンドリング性、発光素子
の実装の信頼性等を高めることができる。 The thickness of the translucent member is not particularly limited, and examples thereof include about 10 to 300 μm. By setting such a thickness, even if the end face of the translucent member coincides with the end face of the light-reflecting member or is covered with the light-reflecting member, the light extracted from the light emitting element is efficiently utilized. Can be guided to the light emitting surface.
In order to control the light distribution, the translucent member may have its first main surface and / or its second main surface an uneven surface such as a convex surface or a concave surface.
The translucent member may be attached to the upper surface of the light emitting element and provided in the light emitting device before the light emitting element is mounted on the substrate. In particular, when the light emitting element is composed of a semiconductor laminate from which the substrate for growing the semiconductor layer has been removed, it emits light by being adhered or fixed to a hard translucent member such as glass or ceramic. The strength of the element is increased, and the handleability, the reliability of mounting the light emitting element, and the like can be improved.

〔絶縁部材〕
本発明の発光装置には、絶縁部材が、接続端子の一部を被覆するように配置されていて
もよい。
絶縁部材は、接続端子の素子接続部と外部接続部との間に配置されていることが好まし
い。また、絶縁部材は、素子接続部から外部接続部の間で連結した領域を配置しないよう
に、素子接続部と外部接続部との間の表面領域を完全に分離するよう配置されていること
が好ましい。さらに、光反射性部材の縁部が、絶縁部材上に配置されるように接続端子の
上に配置されていることが好ましい。
これにより、後述するように、発光装置をサイドビュー型で実装基板に実装する場合に
、溶融性部材が、接続端子表面に沿って浸入して、発光装置の信頼性を低下させることを
回避することができる。溶融性部材によって発光素子を接続端子に接続する際に、凸部及
びその近傍からの溶融性部材の外部接続部への漏れを防止することができる。光反射性部
材と基体との密着性を高め、光反射性部材が剥離するおそれを低減することができる。
特に、上述したように、光反射性部材が、長手方向に長い形状を有する場合、光反射性
部材の長手方向における縁部が、絶縁部材上に配置されるように接続端子の上に配置され
ていることがより好ましい。これにより、基体が反る又は捩じれる場合にも、光反射性部
材の剥離するおそれを低減することができる。光反射性部材が金型を用いて成形させる場
合に、その金型と接続端子とが接触することに起因する、接続端子の損傷を防止すること
ができる。
上述したように、接続端子は、第１主面上において、必ずしも同じ幅を有さないことが
あるため、絶縁部材は、その一部が、接続端子の上のみならず、基体の上に配置される場
合もある。
絶縁部材は、一対の接続端子のそれぞれを被覆するよう一対設けられてもよいし、一対
の接続端子を連続して被覆してもよい。 [Insulation member]
In the light emitting device of the present invention, an insulating member may be arranged so as to cover a part of the connection terminals.
The insulating member is preferably arranged between the element connection portion of the connection terminal and the external connection portion. Further, the insulating member is arranged so as to completely separate the surface area between the element connecting portion and the external connecting portion so as not to arrange the connected region between the element connecting portion and the external connecting portion. preferable. Further, it is preferable that the edge portion of the light reflecting member is arranged on the connection terminal so as to be arranged on the insulating member.
As a result, as will be described later, when the light emitting device is mounted on the mounting substrate in the side view type, it is possible to prevent the meltable member from infiltrating along the surface of the connection terminal and lowering the reliability of the light emitting device. be able to. When the light emitting element is connected to the connection terminal by the meltable member, it is possible to prevent leakage of the meltable member from the convex portion and its vicinity to the external connection portion. It is possible to improve the adhesion between the light-reflecting member and the substrate and reduce the risk of the light-reflecting member peeling off.
In particular, as described above, when the light-reflecting member has a long shape in the longitudinal direction, the edge portion of the light-reflecting member in the longitudinal direction is arranged on the connection terminal so as to be arranged on the insulating member. Is more preferable. This makes it possible to reduce the risk of the light-reflecting member peeling off even when the substrate is warped or twisted. When the light-reflecting member is molded using a mold, it is possible to prevent damage to the connection terminal due to contact between the mold and the connection terminal.
As described above, since the connection terminals may not necessarily have the same width on the first main surface, a part of the insulating member is arranged not only on the connection terminals but also on the substrate. It may be done.
A pair of insulating members may be provided so as to cover each of the pair of connection terminals, or the pair of connection terminals may be continuously covered.

絶縁部材は、光反射性部材の縁部が、絶縁部材上に配置されるように接続端子の上に配
置されていていることが好ましい。特に、上述したように、光反射性部材が、長手方向に
長い形状を有する場合、光反射性部材の長手方向における縁部が、絶縁部材上に配置され
るように接続端子の上に配置されていることがより好ましい。上述したように、接続端子
は、第１主面上において、必ずしも同じ幅を有さないことがあるため、絶縁部材は、その
一部が、接続端子の上のみならず、基体の上に配置される場合もある。 It is preferable that the insulating member is arranged on the connection terminal so that the edge portion of the light reflecting member is arranged on the insulating member. In particular, as described above, when the light-reflecting member has a long shape in the longitudinal direction, the edge portion of the light-reflecting member in the longitudinal direction is arranged on the connection terminal so as to be arranged on the insulating member. Is more preferable. As described above, since the connection terminals may not necessarily have the same width on the first main surface, a part of the insulating member is arranged not only on the connection terminals but also on the substrate. It may be done.

絶縁部材は、絶縁性を有する限り、どのような材料で形成されていてもよい。例えば、
上述した光反射性部材、後述する透光性部材で例示した材料を用いることができる。なか
でも、耐熱性が高い白色のシリコーン樹脂が好ましい。 The insulating member may be made of any material as long as it has insulating properties. For example
The materials exemplified by the light-reflecting member described above and the translucent member described later can be used. Of these, a white silicone resin having high heat resistance is preferable.

絶縁部材の形状は、特に限定されるものではなく、素子接続部の隣接部位から、光反射
性部材の外側、つまり外部接続部にまで連続した帯状に形成されていることが好ましい。
具体的には、長手方向における絶縁部材の長さは、光反射性部材の１／１０〜１／５程
度の長さが挙げられる。
接続部材の幅は、基体及び／又は光反射性部材の幅と同じであるか、それ以下であるこ
とが好ましい。
このような幅とすることにより、基体及び／又は光反射性部材の一端面と同一面を形成
でき、さらに、基体及び光反射性部材の対向する端面の双方と同一面を形成することがで
きる。
特に、接続端子に幅狭となる部位が存在する場合には、その幅狭となる部位を完全に被
覆することが好ましい。これによって、後述するように、サイドビュー型で実装基板に実
装する場合に、半田が、接続端子表面に沿って浸入して、発光装置の信頼性を低下させる
ことを回避することができる。 The shape of the insulating member is not particularly limited, and it is preferable that the insulating member is formed in a continuous band shape from the adjacent portion of the element connecting portion to the outside of the light reflecting member, that is, the external connecting portion.
Specifically, the length of the insulating member in the longitudinal direction is about 1/10 to 1/5 of that of the light-reflecting member.
The width of the connecting member is preferably the same as or less than the width of the substrate and / or the light-reflecting member.
With such a width, it is possible to form the same surface as one end surface of the substrate and / or the light-reflecting member, and further, it is possible to form the same surface as both the opposite end surfaces of the substrate and the light-reflecting member. ..
In particular, when the connection terminal has a narrow portion, it is preferable to completely cover the narrow portion. As a result, as will be described later, when the side-view type is mounted on the mounting board, it is possible to prevent the solder from infiltrating along the surface of the connection terminal and lowering the reliability of the light emitting device.

絶縁部材は、上述した材料をシート状に成形して貼着する方法、印刷法、電気泳動堆積
法、ポッティング、圧縮成型、スプレー、静電塗布法等によって形成することができる。
絶縁部材の厚みは、特に限定されるものではなく、例えば、１０〜３００μｍ程度が挙げ
られる。
以下に本発明の発光装置の実施形態を、図面に基づいて具体的に説明する。 The insulating member can be formed by a method of molding and pasting the above-mentioned material into a sheet, a printing method, an electrophoretic deposition method, a potting, a compression molding, a spray, an electrostatic coating method, or the like.
The thickness of the insulating member is not particularly limited, and examples thereof include about 10 to 300 μm.
Hereinafter, embodiments of the light emitting device of the present invention will be specifically described with reference to the drawings.

実施の形態１
本実施形態の発光装置１は、図１〜図３に示すように、接続端子３を有する基体４と、
発光素子５と、光反射性部材７とを含んで構成されている。
基体４は、ガラスエポキシ樹脂の直方体状の母材２の表面（第１主面である上面２ａ、
短手方向に延びる端面２ｂ及び第２主面である下面２ｃ）に、母材２側からＣｕ／Ｎｉ／
Ａｕが積層されて構成された一対の接続端子３が形成されて構成される。基体４は、長手
方向の長さが２．２ｍｍ、短手方向の幅が０．４ｍｍ、厚さが０．３ｍｍの配線基板とし
て機能する。 Embodiment 1
As shown in FIGS. 1 to 3, the light emitting device 1 of the present embodiment includes a substrate 4 having a connection terminal 3 and a substrate 4 having a connection terminal 3.
It is configured to include a light emitting element 5 and a light reflecting member 7.
The substrate 4 is a surface of a rectangular parallelepiped base material 2 of a glass epoxy resin (upper surface 2a, which is the first main surface).
Cu / Ni / from the base material 2 side on the end surface 2b extending in the lateral direction and the lower surface 2c) which is the second main surface.
A pair of connection terminals 3 formed by stacking Au are formed and configured. The substrate 4 functions as a wiring board having a length of 2.2 mm in the longitudinal direction, a width of 0.4 mm in the lateral direction, and a thickness of 0.3 mm.

一対の接続端子３は、母材２の上面２ａ側の中央部において、互いに接近して、素子接
続部として凸部３ａを有する。凸部３ａは、母材２側からＣｕ／Ｎｉ／Ａｕが積層されて
形成されている。一対の接続端子３は、それぞれ、素子接続部である凸部３ａから長手方
向に延びて、母材２の上面２ａから端面２ｂを経て下面２ｃに連続して形成されている。
接続端子３は、素子接続部である凸部３ａから延長して母材２の下面２ｃに連続する部位
（断面視Ｕ字状の部位）が外部接続部３ｂとなる（図２参照）。
接続端子３の長手方向に沿った縁部は、基体４の長手方向に沿った縁部に一致しており
、接続端子３の長手方向に沿った端面は、基体４の長手方向に沿った端面と同一面を形成
している。 The pair of connection terminals 3 are close to each other in the central portion of the base material 2 on the upper surface 2a side, and have a convex portion 3a as an element connection portion. The convex portion 3a is formed by laminating Cu / Ni / Au from the base material 2 side. Each of the pair of connection terminals 3 extends in the longitudinal direction from the convex portion 3a which is the element connection portion, and is continuously formed on the lower surface 2c from the upper surface 2a of the base material 2 through the end surface 2b.
The connection terminal 3 extends from the convex portion 3a, which is the element connection portion, and is continuous with the lower surface 2c of the base material 2 (a U-shaped portion in a cross-sectional view) as the external connection portion 3b (see FIG. 2).
The edge along the longitudinal direction of the connection terminal 3 coincides with the edge along the longitudinal direction of the substrate 4, and the end face along the longitudinal direction of the connection terminal 3 is the end face along the longitudinal direction of the substrate 4. It forms the same plane as.

なお、接続端子３は、素子接続部である凸部３ａと外部接続部３ｂとの間において、幅
狭となる部位を有する（図３参照）。また、図示しないが、基体４の第２主面上の外部接
続部３ｂの一部が幅狭となる部位を有する。 The connection terminal 3 has a portion having a narrow width between the convex portion 3a, which is the element connection portion, and the external connection portion 3b (see FIG. 3). Further, although not shown, a part of the external connection portion 3b on the second main surface of the substrate 4 has a narrow portion.

基体４の凸部３ａには、１つの発光素子５が、フリップチップ実装されている。
発光素子５は、サファイア基板上に窒化物半導体の積層体が形成され、積層体のサファ
イア基板と反対側の表面に正負一対の電極を有する。発光素子５は、その正負一対の電極
が、基体４の一対の接続端子３の凸部３ａに、それぞれ、Ａｕ−Ｓｎ共晶半田である溶融
性部材６によって接続されている。
このような接続端子の凸部３ａを利用することによって、発光素子の実装時において、
溶融状態の溶融性部材が凸部上から流れたとしても、凸部の周りに貯まりやすく、一対の
接続端子の短絡、意図しない領域への溶融性部材の浸入を防止して、意図する部位にのみ
正確に発光素子を固定することができる。
発光素子５は、長手方向の長さが０．８ｍｍ、短手方向の幅が０．３ｍｍ、厚さが０．
１ｍｍの直方体状の青色発光（発光中心波長４５５ｎｍ）のＬＥＤチップである。 One light emitting element 5 is flip-chip mounted on the convex portion 3a of the substrate 4.
The light emitting element 5 has a laminate of nitride semiconductors formed on a sapphire substrate, and has a pair of positive and negative electrodes on the surface of the laminate opposite to the sapphire substrate. The light emitting element 5 has a pair of positive and negative electrodes connected to the convex portions 3a of the pair of connection terminals 3 of the substrate 4 by a meltable member 6 which is Au—Sn eutectic solder.
By using the convex portion 3a of such a connection terminal, when the light emitting element is mounted,
Even if the molten member in the molten state flows from above the convex portion, it easily accumulates around the convex portion, preventing a short circuit between the pair of connection terminals and the intrusion of the meltable member into an unintended region, and the intended portion. Only the light emitting element can be fixed accurately.
The light emitting element 5 has a length of 0.8 mm in the longitudinal direction, a width of 0.3 mm in the lateral direction, and a thickness of 0.
It is a 1 mm rectangular parallelepiped blue light emitting (emission center wavelength 455 nm) LED chip.

光反射性部材７は、長手方向の長さが１．２ｍｍ、短手方向の幅が０．４ｍｍ、厚さが
０．３ｍｍの略直方体状に成形されている。つまり、光反射性部材７の長手方向に沿った
縁部は、それぞれ、基体４の長手方向に沿った縁部と一致している。
光反射性部材７は、発光素子５に接し、その端面の全周を被覆するように、基体４の第
１主面に設けられている。また、光反射性部材７は、発光素子５の基体４と対向する面側
にも設けられている。つまり、凸部３ａを略完全に被覆した溶融性部材６との間に配置さ
れ、溶融性部材６の表面を略完全に被覆している。
これによって、発光素子５から上面に、効率良く光を取り出すことができる。 The light reflecting member 7 is formed into a substantially rectangular parallelepiped shape having a length of 1.2 mm in the longitudinal direction, a width of 0.4 mm in the lateral direction, and a thickness of 0.3 mm. That is, the edges of the light-reflecting member 7 along the longitudinal direction coincide with the edges of the substrate 4 along the longitudinal direction.
The light reflecting member 7 is provided on the first main surface of the substrate 4 so as to be in contact with the light emitting element 5 and cover the entire circumference of the end surface thereof. Further, the light reflecting member 7 is also provided on the surface side of the light emitting element 5 facing the substrate 4. That is, it is arranged between the convex portion 3a and the meltable member 6 which covers substantially completely, and covers the surface of the meltable member 6 almost completely.
As a result, light can be efficiently extracted from the light emitting element 5 to the upper surface.

光反射性部材７は、平均粒径１４μｍのシリカと、無機粒子として、平均粒径０．２５
〜０．３μｍの酸化チタンとを、それぞれ、光反射性部材７の全重量に対して、２〜２．
５ｗｔ％及び４０〜５０ｗｔ％で含有したシリコーン樹脂によって形成されている。
基体４上の光反射性部材７の両側では、接続端子３の幅狭の部位の一部と外部接続部が
光反射性部材７から露出されている。
光反射性部材７の長手方向に沿った縁部は、基体４の長手方向に沿った縁部に一致して
おり、光反射性部材７の長手方向に沿った端面は、基体４の長手方向に沿った端面と同一
面を形成している。 The light-reflecting member 7 contains silica having an average particle size of 14 μm and an average particle size of 0.25 as inorganic particles.
Titanium oxide of ~ 0.3 μm was added to the total weight of the light reflecting member 7 from 2 to 2.
It is formed of a silicone resin contained at 5 wt% and 40-50 wt%.
On both sides of the light-reflecting member 7 on the substrate 4, a part of the narrow portion of the connection terminal 3 and the external connection portion are exposed from the light-reflecting member 7.
The edge portion along the longitudinal direction of the light reflecting member 7 coincides with the edge portion along the longitudinal direction of the substrate 4, and the end face along the longitudinal direction of the light reflecting member 7 is the longitudinal direction of the substrate 4. It forms the same surface as the end surface along the line.

発光素子５上、つまり、正負一対の電極と反対側の表面に、ＹＡＧ：Ｃｅの蛍光体を含
有するシリコーン樹脂のシート（厚さ０．１ｍｍ）である透光性部材１０が配置されてい
る。
透光性部材１０の端面は、光反射性部材７によって被覆されている。透光性部材１０の
上面と、光反射性部材７の上面とは同一面を形成している。 A translucent member 10 which is a silicone resin sheet (thickness 0.1 mm) containing a phosphor of YAG: Ce is arranged on the light emitting element 5, that is, on the surface opposite to the pair of positive and negative electrodes. ..
The end face of the translucent member 10 is covered with the light reflective member 7. The upper surface of the light transmissive member 10 and the upper surface of the light reflective member 7 form the same surface.

このような発光装置１は、図４に示すように、基体４の長手方向に沿った一対の端面と
、光反射性部材７の長手方向に沿った一対の端面とが、それぞれ同一面を形成するように
配置されている。これらの同一面を形成する一方の端面を、発光装置１の実装面として、
表面に配線パターン５２を有する実装基板５１上において、サイドビュー型で実装される
。
実装は、発光装置１の一対の外部接続部３ｂが、それぞれ、実装基板５１の正極及び負
極に対応する配線パターン５２上に載置され、半田５４により接続される。半田５４は、
Ｕ字状に屈曲した外部接続部３ｂにおいて、基体４の第１主面のみならず、端面及び第２
主面にわたって、小型の接続端子３との接触面積を広げて、接続されている。これによっ
て、発光装置の側面にフィレットを形成することができ、発光装置の放熱性及び実装安定
性を向上させることができる。 In such a light emitting device 1, as shown in FIG. 4, a pair of end faces along the longitudinal direction of the substrate 4 and a pair of end faces along the longitudinal direction of the light reflecting member 7 form the same surface. It is arranged to do. One end surface forming these same surfaces is used as a mounting surface of the light emitting device 1.
It is mounted in a side view type on a mounting board 51 having a wiring pattern 52 on its surface.
In mounting, a pair of external connection portions 3b of the light emitting device 1 are placed on a wiring pattern 52 corresponding to a positive electrode and a negative electrode of the mounting substrate 51, respectively, and are connected by solder 54. The solder 54 is
In the external connecting portion 3b bent in a U shape, not only the first main surface of the substrate 4, but also the end surface and the second surface.
The contact area with the small connection terminal 3 is widened over the main surface, and the connection is made. As a result, fillets can be formed on the side surfaces of the light emitting device, and the heat dissipation and mounting stability of the light emitting device can be improved.

また、接続端子３において、凸部３ａと外部接続部３ｂとの間に幅狭となる部位を配置
することにより、外部接続部３ｂに接続される、後述するような半田等又はこれに含まれ
るフラックスなどが、光反射性部材７下に浸入するのを抑制することができる。 Further, in the connection terminal 3, the solder or the like described later, which is connected to the external connection portion 3b by arranging a portion having a narrow width between the convex portion 3a and the external connection portion 3b, or is included in the connection terminal 3. It is possible to prevent flux and the like from entering under the light-reflecting member 7.

さらに、光反射性部材の長手方向に沿った端面及び基体４の長手方向に沿った端面の双
方が実装基板１１の表面に接している。 Further, both the end face along the longitudinal direction of the light-reflecting member and the end face along the longitudinal direction of the substrate 4 are in contact with the surface of the mounting substrate 11.

光反射性部材７は、それ自体が、発光素子５の周囲において極薄い壁状で設けられるこ
とにより、発光装置の十分な小型化を図ることができる。さらに、光反射性部材を発光素
子の周辺に接触して配置することにより、発光素子から放射される光のうち、横方向に出
射する光を、光反射性部材によって上方に反射させて取り出すことができ、光の利用効率
を向上させることが可能となる。 Since the light reflecting member 7 itself is provided in the shape of an ultra-thin wall around the light emitting element 5, the light emitting device can be sufficiently miniaturized. Further, by arranging the light reflecting member in contact with the periphery of the light emitting element, among the light emitted from the light emitting element, the light emitted in the lateral direction is reflected upward by the light reflecting member and taken out. It is possible to improve the efficiency of light utilization.

このような発光装置１は、図５Ａ及び図５Ｂに示すように、母材１２に複合接続端子１
３が形成された複合基体１４を用いて製造することができる。この複合基体１４は、個片
化工程後に各発光装置の基体となるものが複数個連なって構成されている。
この複合基体１４は、母材１２において、上面から裏面に及ぶスリット１５を有してい
る。複合接続端子１３は、このスリット１５の内壁を通って、複合基体１４の母材１２の
上面から下面に連続して設けられている。
図５では、１８個の発光装置を得る複合基体１４を表しているが、生産効率を考慮して
、より多数（数百〜数千個）の発光装置を得る複合基体１４とすることができる。 As shown in FIGS. 5A and 5B, such a light emitting device 1 has a composite connection terminal 1 connected to a base material 12.
It can be produced by using the composite substrate 14 on which 3 is formed. The composite substrate 14 is configured by connecting a plurality of those that become the substrates of each light emitting device after the individualization step.
The composite substrate 14 has a slit 15 extending from the upper surface to the back surface of the base material 12. The composite connection terminal 13 is continuously provided from the upper surface to the lower surface of the base material 12 of the composite substrate 14 through the inner wall of the slit 15.
In FIG. 5, the composite substrate 14 for obtaining 18 light emitting devices is shown, but in consideration of production efficiency, the composite substrate 14 for obtaining a larger number (several hundreds to several thousand) of light emitting devices can be used. ..

このような複合基体１４上に、発光素子５を接続し、発光素子５の上に、発光素子５と
平面視において略同じ形状の透光性部材１０を接着し、発光素子と透光性部材の端面を被
覆するよう、複数の光反射性部材１７を一括で圧縮成型により成形し、複合基体１４と光
反射性部材１７とを分割予定線Ｌに沿って一方向に切断する。これによって、スリット１
５の配置により、スリットの延長方向にも分離され、比較的少ない工数で個片化した発光
装置を得ることができる。
切断には、ダイサー、レーザなどを用いることができる。 A light emitting element 5 is connected on such a composite substrate 14, and a translucent member 10 having substantially the same shape as the light emitting element 5 in a plan view is adhered on the light emitting element 5, and the light emitting element and the translucent member are adhered to each other. A plurality of light-reflecting members 17 are collectively molded by compression molding so as to cover the end faces of the composite substrate 14, and the composite substrate 14 and the light-reflecting members 17 are cut in one direction along the planned division line L. As a result, slit 1
With the arrangement of 5, the light emitting device can be separated in the extension direction of the slit and can be separated into individual pieces with a relatively small number of man-hours.
A dicer, a laser or the like can be used for cutting.

実施の形態２
本実施形態の発光装置２０は、図６に示すように、接続端子２３を有する基体２４と、
複数の発光素子５と、光反射性部材２７とを含んで構成されている。
接続端子２３は、母材２２の長手方向の両側において、上面、端面及び下面に延長して
配置されている。また、母材２２の上面においては、複数の発光素子５を、例えば、直列
接続し得る端子２５がさらに配置されている。
基体２４の一面上において、接続端子２３及び端子２５は、素子接続部として凸部２３
ａをそれぞれ有しており、この凸部２３ａ上において発光素子５が溶融性部材６によって
接続されている。 Embodiment 2
As shown in FIG. 6, the light emitting device 20 of the present embodiment includes a substrate 24 having a connection terminal 23 and a substrate 24.
It is configured to include a plurality of light emitting elements 5 and a light reflecting member 27.
The connection terminals 23 are arranged so as to extend to the upper surface, the end surface, and the lower surface on both sides in the longitudinal direction of the base material 22. Further, on the upper surface of the base material 22, for example, a terminal 25 capable of connecting a plurality of light emitting elements 5 in series is further arranged.
On one surface of the substrate 24, the connection terminal 23 and the terminal 25 have a convex portion 23 as an element connection portion.
Each has a, and the light emitting element 5 is connected by the meltable member 6 on the convex portion 23a.

発光素子５は、複数が一列に整列して配置されている。なお、一列のみならず、行列方
向に配置されていてもよい。 A plurality of light emitting elements 5 are arranged in a row. In addition, it may be arranged not only in one row but also in the matrix direction.

光反射性部材２７は、これら複数の発光素子５を一体的に封止している。光反射性部材
２７の長手方向に沿った端面は、基体２４の長手方向に沿った端面と同一面を形成してい
る。光反射性部材２７の短手方向に対向する縁部は、基体２４の内側に配置されている。 The light reflecting member 27 integrally seals the plurality of light emitting elements 5. The end face along the longitudinal direction of the light reflecting member 27 forms the same surface as the end face along the longitudinal direction of the substrate 24. The edge portion of the light reflecting member 27 facing the lateral side is arranged inside the substrate 24.

図示していないが、発光素子５の間において、基体２４に凹部又は貫通孔が形成され、
その凹部又は貫通孔に光反射性部材２７の一部が充填されて、光反射性部材２７が基体２
４に係止されていることが好ましい。これにより、光反射性部材２７と基体２４との密着
性を高めて、光反射性部材２７の基体２４からの剥離を防止することができる。 Although not shown, recesses or through holes are formed in the substrate 24 between the light emitting elements 5.
A part of the light reflecting member 27 is filled in the recess or the through hole, and the light reflecting member 27 becomes the substrate 2
It is preferably locked to 4. As a result, the adhesion between the light-reflecting member 27 and the substrate 24 can be enhanced, and the light-reflecting member 27 can be prevented from peeling from the substrate 24.

上述した構成以外は実質的に実施の形態１と同様の構成を有する。よって、実施の形態
１と同様の効果を示す。
さらに、この発光装置は、線状又はマトリクス状のサイドビュー型の発光装置として利
用することができる。従って、この発光装置は、個々のサイドビュー型の発光装置を、そ
れぞれ実装基板に実装することと比較して、実装精度を向上させることができる。また、
例えば、バックライト光源として、導光板とのアライメント性を向上させることができる
。 Except for the above-described configuration, it has substantially the same configuration as that of the first embodiment. Therefore, the same effect as that of the first embodiment is exhibited.
Further, this light emitting device can be used as a linear or matrix side view type light emitting device. Therefore, this light emitting device can improve the mounting accuracy as compared with mounting each side view type light emitting device on the mounting board. Also,
For example, as a backlight light source, the alignment with the light guide plate can be improved.

実施の形態３
この実施の形態の発光装置３０は、図７に示すように、実施の形態１の発光装置、つま
り、接続端子３３において、素子接続部として凸部３３ａを備える発光装置が、そのまま
、隣接する接続端子３３、特に外部接続部３３ｂを共有する形態で結合させたように、複
数列方向又は行列方向に配列されている。つまり、隣接する発光素子５の間において、母
材３２にスルーホールを設け、このスルーホールを介して、基体３４の接続端子３３を基
体３４の下面側に引き出している。
このような構成以外は、実質的に実施の形態１の発光装置と同様の構成を有する。よっ
て、実施の形態１と同様の効果を有する。さらに、実施の形態２と同様の効果を有する。 Embodiment 3
In the light emitting device 30 of this embodiment, as shown in FIG. 7, the light emitting device of the first embodiment, that is, the light emitting device having the convex portion 33a as the element connecting portion at the connection terminal 33, is connected as it is. The terminals 33, particularly the external connection portion 33b, are arranged in a plurality of rows or a matrix direction so as to be connected in a shared manner. That is, a through hole is provided in the base material 32 between the adjacent light emitting elements 5, and the connection terminal 33 of the base 34 is pulled out to the lower surface side of the base 34 through the through hole.
Other than such a configuration, it has substantially the same configuration as the light emitting device of the first embodiment. Therefore, it has the same effect as that of the first embodiment. Further, it has the same effect as that of the second embodiment.

実施の形態４
この実施の形態の発光装置４０は、図８Ａ〜図８Ｇに示すように、母材４２の第１主面
から端面を経て第２主面に連続して形成された接続端子４３が、Ｃｕ／Ｎｉ／Ａｕによっ
て形成されており（厚み２０μｍ）、第１主面及び第２主面においては、さらにＣｕによ
る層（厚み２０μｍ）を有しており、接続端子部としてさらにＣｕによる凸部４３ａ（厚
み４０μｍ）を有している。
なお、接続端子４３は、まず、母材４２の凸部４３ａに相当する部位にＣｕをメッキに
よって所定の形状に成膜し、その後、端面をマスクし、Ｃｕによる凸部を含む第１主面及
び第２主面にＣｕをメッキによって形成する。さらに、端面のマスクを除去して、第１主
面、端面及び第２主面にＮｉ／Ａｕをメッキによって形成することにより、接続端子４３
を形成することができる。 Embodiment 4
In the light emitting device 40 of this embodiment, as shown in FIGS. 8A to 8G, the connection terminal 43 formed continuously from the first main surface of the base material 42 to the second main surface via the end surface is Cu / It is formed of Ni / Au (thickness 20 μm), and has a layer made of Cu (thickness 20 μm) on the first and second main surfaces, and a convex portion 43a made of Cu (thickness 20 μm) as a connection terminal portion. It has a thickness of 40 μm).
In the connection terminal 43, first, Cu is formed into a predetermined shape by plating on a portion corresponding to the convex portion 43a of the base material 42, and then the end face is masked and the first main surface including the convex portion due to Cu is formed. And Cu is formed by plating on the second main surface. Further, by removing the mask on the end face and forming Ni / Au on the first main face, the end face and the second main face by plating, the connection terminal 43
Can be formed.

基体は、発光素子５ａの搭載領域に対応する第２主面に、補強端子４３ｃを備えている
。
基体の第２主面は、一対の接続端子４３の基体の中央部に近い部分から、母材４２及び
補強端子４３ｃ上にわたって、絶縁性の膜８によって被覆されている。 The substrate is provided with a reinforcing terminal 43c on the second main surface corresponding to the mounting region of the light emitting element 5a.
The second main surface of the substrate is covered with an insulating film 8 from a portion of the pair of connection terminals 43 near the center of the substrate to the base material 42 and the reinforcing terminal 43c.

接続端子４３は、図８Ｅに示すように、基体の第１主面において、一部が幅狭に形成さ
れている。また、図８Ｇに示すように、接続端子４３は、第２主面においても、一部が幅
狭に形成されている。 As shown in FIG. 8E, the connection terminal 43 is partially formed to be narrow on the first main surface of the substrate. Further, as shown in FIG. 8G, a part of the connection terminal 43 is formed to be narrow even on the second main surface.

発光素子５ａは、図８Ｃに示すように、半導体積層体と一対の電極によって形成されて
おり、半導体層の成長用の基板が除去されている。
成長用の基板の除去は、例えば、成長用の基板を有する発光素子５を一対の接続端子に
実装し、光反射性部材７を配置した後に、成長用の基板であるサファイア基板を、このサ
ファイア基板側から半導体層に、レーザ光（例えば、ＫｒＦエキシマレーザ）を照射し、
半導体層と基板との界面で分解反応を生じさせ、基板を半導体層から分離する、レーザリ
フトオフ法を利用して行われる。
この際に、光反射性部材７によって発光素子の半導体層を被覆し、さらに、接続端子４
３の凸部４３ａ及び溶融性部材６をともに被覆することによって、発光素子を確実に固定
することができ、レーザ光の照射による応力を吸収し、サファイア基板を半導体層から効
率的に除去することができる。 As shown in FIG. 8C, the light emitting element 5a is formed of a semiconductor laminate and a pair of electrodes, and a substrate for growing the semiconductor layer is removed.
To remove the growth substrate, for example, after mounting the light emitting element 5 having the growth substrate on a pair of connection terminals and arranging the light reflective member 7, the sapphire substrate which is the growth substrate is removed from the sapphire. The semiconductor layer is irradiated with laser light (for example, KrF excimer laser) from the substrate side.
This is performed by using a laser lift-off method in which a decomposition reaction is generated at the interface between the semiconductor layer and the substrate to separate the substrate from the semiconductor layer.
At this time, the semiconductor layer of the light emitting element is covered with the light reflecting member 7, and the connection terminal 4 is further covered.
By covering both the convex portion 43a of 3 and the meltable member 6, the light emitting element can be reliably fixed, the stress due to the irradiation of the laser beam is absorbed, and the sapphire substrate is efficiently removed from the semiconductor layer. Can be done.

発光素子５ａの一対の電極は、接続端子４３の凸部４３ａとＡｕ−Ｓｎの共晶半田から
なる溶融性部材６によって接合されている。
発光素子５ａの第１主面上には、透光性部材１０ａとして、蛍光体を含有したセラミッ
クス板が、透光性のシリコーン樹脂の接着材によって固定されている。透光性部材１０ａ
の端面は光反射性部材７によって被覆されている。 The pair of electrodes of the light emitting element 5a are joined by a meltable member 6 made of a convex portion 43a of the connection terminal 43 and eutectic solder of Au—Sn.
On the first main surface of the light emitting element 5a, a ceramic plate containing a phosphor as a translucent member 10a is fixed by an adhesive made of a translucent silicone resin. Translucent member 10a
The end face of is covered with a light reflecting member 7.

また、接続端子４３上であって、凸部４３ａと外部接続部との間において、絶縁部材９
が配置されている。絶縁部材９は、長手方向の長さが０．５ｍｍ、短手方向の幅が０．４
ｍｍ、厚さが０．０２ｍｍの略直方体状に成形されている。絶縁部材９は、光反射性部材
７の端面から長手方向に０．３ｍｍ露出している。絶縁部材９は、接続端子３の幅狭とな
る部位とその周辺を被覆している。
光反射性部材７の長手方向に対向する縁部は、絶縁部材９の上に配置されており、光反
射性部材７の長手方向に沿った縁部は、絶縁部材９の長手方向に沿った縁部と一致してい
る。また、絶縁部材９の長手方向に沿った縁部は、基体の長手方向に沿った縁部に一致し
ており、絶縁部材９の長手方向に沿った端面は、基体の長手方向に沿った端面と同一面を
形成している。
絶縁部材９は、二酸化チタンを含有する白色のシリコーン樹脂によって、形成されてい
る。
このように絶縁部材を配置することにより、後述するように、発光装置をサイドビュー
型で実装基板に実装する場合に、半田が、接続端子表面に沿って浸入して、発光装置の信
頼性を低下させることを回避することができる。また、溶融性部材によって発光素子を接
続端子に接続する際に、凸部及びその近傍からの溶融性部材の外部接続部への漏れを防止
することができる。 Further, on the connection terminal 43, between the convex portion 43a and the external connection portion, the insulating member 9
Is placed. The insulating member 9 has a length of 0.5 mm in the longitudinal direction and a width of 0.4 in the lateral direction.
It is molded into a substantially rectangular parallelepiped shape with a mm and a thickness of 0.02 mm. The insulating member 9 is exposed by 0.3 mm in the longitudinal direction from the end face of the light reflecting member 7. The insulating member 9 covers a portion of the connection terminal 3 having a narrow width and its periphery.
The edge portion of the light reflecting member 7 facing the longitudinal direction is arranged on the insulating member 9, and the edge portion of the light reflecting member 7 along the longitudinal direction is along the longitudinal direction of the insulating member 9. It matches the edge. Further, the edge portion along the longitudinal direction of the insulating member 9 coincides with the edge portion along the longitudinal direction of the substrate, and the end face along the longitudinal direction of the insulating member 9 is the end face along the longitudinal direction of the substrate. It forms the same plane as.
The insulating member 9 is formed of a white silicone resin containing titanium dioxide.
By arranging the insulating member in this way, as will be described later, when the light emitting device is mounted on the mounting board in a side view type, the solder penetrates along the surface of the connection terminal to improve the reliability of the light emitting device. It is possible to avoid lowering. Further, when the light emitting element is connected to the connection terminal by the meltable member, it is possible to prevent the meltable member from leaking from the convex portion and its vicinity to the external connection portion.

このような構成以外は、実質的に実施の形態１の発光装置と同様の構成を有する。よっ
て、実施の形態１と同様の効果を有する。 Other than such a configuration, it has substantially the same configuration as the light emitting device of the first embodiment. Therefore, it has the same effect as that of the first embodiment.

実施の形態５
この実施の形態の発光装置５０は、図９Ａ〜図９Ｅに示すように、発光素子５の上に、
透光性部材１０ｂとして、透明のガラス板と、その表面にスプレーによって塗布された蛍
光体層１０ｃとが配置されている。
これらの構成以外は、実質的に実施の形態４の発光装置と同様の構成を有する。よって
、実施の形態１及び４と同様の効果を有する。 Embodiment 5
The light emitting device 50 of this embodiment is placed on the light emitting element 5 as shown in FIGS. 9A to 9E.
As the translucent member 10b, a transparent glass plate and a phosphor layer 10c coated on the surface thereof by spraying are arranged.
Other than these configurations, it has substantially the same configuration as the light emitting device of the fourth embodiment. Therefore, it has the same effect as that of the first and fourth embodiments.

実施の形態６
この実施の形態の発光装置は、図１０に示すように、接続端子５３における凸部５３ａ
の平面形状がＸ字状に形成されている以外、実質的に実施の形態４及び５の発光装置と同
様の構成を有する。よって、実施の形態１、４及び５と同様の効果を有する。
加えて、凸部形状をＸ字状とすることにより、平面視において凹んだ部位へ溶融性部材
が貯まりやすく、発光素子の接続をより確実かつ強固とすることができる。 Embodiment 6
As shown in FIG. 10, the light emitting device of this embodiment has a convex portion 53a at the connection terminal 53.
It has substantially the same configuration as the light emitting devices of the fourth and fifth embodiments, except that the planar shape of the above is formed in an X shape. Therefore, it has the same effect as those of the first, fourth and fifth embodiments.
In addition, by making the convex portion shape X-shaped, the meltable member is likely to accumulate in the recessed portion in a plan view, and the connection of the light emitting element can be made more reliable and strong.

実施の形態７
この実施の形態の発光装置６０は、図１１に示すように、母材６２の長手方向の両端近
傍にスルーホール６２ａを有し、接続部材６３は、上面からスルーホール６２ａを通って
下面に延長しており、端面を被覆しないこと以外は実質的に実施形態１及び４の発光装置
と同様の構成を有する。よって、実施の形態１及び４と同様の効果を有する。 Embodiment 7
As shown in FIG. 11, the light emitting device 60 of this embodiment has through holes 62a in the vicinity of both ends in the longitudinal direction of the base material 62, and the connecting member 63 extends from the upper surface to the lower surface through the through holes 62a. It has substantially the same configuration as the light emitting devices of the first and fourth embodiments except that the end face is not covered. Therefore, it has the same effect as that of the first and fourth embodiments.

実施の形態８
本実施形態の発光装置７０は、図１２Ａ〜図１２Ｇに示すように、母材７２と、母材７
２の表面に設けられた接続端子７３とを有する基体と、１つの発光素子５と、光反射性部
材７とを含んで構成されている。発光素子５は、接続端子７３に設けられた２つの凸部７
３ａに溶融性部材６によって接続されている。また、図１２Ｃに示すように、基体の裏面
において、一対の接続端子７３の間に絶縁性の膜７８を有している。さらに、発光素子５
と封止部材７の上面とを連続して被覆する、蛍光体を含有する透光性部材１０ｄを備える
。
母材７２に配置される接続端子７３のパターンの形状及び接続端子７３の表面に形成さ
れた凸部７３ａの大きさが異なり、透光性部材１０ｄの４つの端面が光反射性部材７の４
つの端面と一致している以外は、実質的に実施形態１の発光装置と同様の構成を有する。
よって、実施の形態１と同様の効果を有する。
ここで用いた発光素子５は、長手方向の長さが１．１ｍｍ、短手方向の幅が０．２ｍｍ
、厚さが０．２ｍｍの直方体状の青色発光（発光中心波長４５５ｎｍ）のＬＥＤチップで
ある。
基体は、長手方向の長さが３．５ｍｍ、短手方向の幅が０．４ｍｍ、厚さが０．２ｍｍ
の略直方体形状である。光反射性部材７は、長手方向の長さが１．２ｍｍ、短手方向の幅
が０．４ｍｍ、厚さが０．３ｍｍの略直方体状に成形されている。 Embodiment 8
The light emitting device 70 of the present embodiment has a base material 72 and a base material 7 as shown in FIGS. 12A to 12G.
It is configured to include a substrate having a connection terminal 73 provided on the surface of No. 2, one light emitting element 5, and a light reflecting member 7. The light emitting element 5 has two convex portions 7 provided on the connection terminal 73.
It is connected to 3a by a meltable member 6. Further, as shown in FIG. 12C, an insulating film 78 is provided between the pair of connection terminals 73 on the back surface of the substrate. Further, the light emitting element 5
A translucent member 10d containing a phosphor is provided, which continuously covers and the upper surface of the sealing member 7.
The shape of the pattern of the connection terminal 73 arranged on the base material 72 and the size of the convex portion 73a formed on the surface of the connection terminal 73 are different, and the four end faces of the translucent member 10d are 4 of the light reflective member 7.
It has substantially the same configuration as the light emitting device of the first embodiment except that it coincides with one end face.
Therefore, it has the same effect as that of the first embodiment.
The light emitting element 5 used here has a length of 1.1 mm in the longitudinal direction and a width of 0.2 mm in the lateral direction.
This is a rectangular parallelepiped blue light emitting (emission center wavelength 455 nm) LED chip having a thickness of 0.2 mm.
The substrate has a length of 3.5 mm in the longitudinal direction, a width of 0.4 mm in the lateral direction, and a thickness of 0.2 mm.
It is a substantially rectangular parallelepiped shape. The light reflecting member 7 is formed into a substantially rectangular parallelepiped shape having a length of 1.2 mm in the longitudinal direction, a width of 0.4 mm in the lateral direction, and a thickness of 0.3 mm.

この発光装置７０は、図１２Ｇに示すように、母材７２ｃに複合接続端子７３ｃが形成
された複合基体を用いて、実施形態１と同様に製造することができる。この複合基体は、
個片化工程後に、図１２Ｄ及び図１２Ｅに示すような各発光装置の基体となるものが複数
個連なって構成されている。２つの発光素子５は接続端子８３と第２の接続端子８３ｅに
設けられた４つの凸部８３ａに溶融性部材６によって接合されている。 As shown in FIG. 12G, the light emitting device 70 can be manufactured in the same manner as in the first embodiment by using a composite substrate in which the composite connection terminal 73c is formed on the base material 72c. This composite substrate is
After the individualization step, a plurality of substrates of each light emitting device as shown in FIGS. 12D and 12E are arranged in a row. The two light emitting elements 5 are joined to the connection terminal 83 and the four convex portions 83a provided on the second connection terminal 83e by the meltable member 6.

実施の形態９
本実施形態の発光装置８０は、図１３Ａ〜図１３Ｇに示すように、母材８２と、母材８
２の表面に設けられた接続端子８３、第２の接続端子８３ｅとを有する基体と、２つの発
光素子５と、光反射性部材７とを含んで構成されている。
発光素子５の数と、母材８２に配置される接続端子８３のパターンの形状及び接続端子
８３の表面に形成された凸部８３ａの大きさが異なり、透光性部材１０ｄの４つの端面が
光反射性部材７の４つの端面と一致している以外は、実質的に実施形態１の発光装置と同
様の構成を有する。よって、実施の形態１と同様の効果を有する。
２つの発光素子５は、長手方向の幅が１．１ｍｍ、短手方向の幅が０．２ｍｍ、厚みが
０．２ｍｍの略直方体であり、０．４ｍｍの間隔で基体の長手方向に並んで実装されてい
る。基体は、長手方向の長さが３．５ｍｍ、短手方向の幅が０．４ｍｍ、厚みが０．１５
ｍｍの略直方体形状に成形されている。光反射性部材７は、基体の第１主面の中央に、長
手方向の長さが３．０ｍｍ、短手方向の幅が０．４ｍｍ、厚さが０．２ｍｍの略直方体状
に成形されている。
母材８２は、２つの発光素子５の間にスルーホール８２ｄを有しており、そのスルーホ
ール８２ｄを埋め込んで第２の接続端子８３ｅが裏面に及んでいる。つまり、第２の接続
端子８３ｅは、基体の裏面側において、２つの発光素子５の間に設けられている。より詳
細には、２つの発光素子の直下にそれぞれ設けられた２つの絶縁性の膜８８ｂの間に設け
られている。なお、２つの絶縁性の膜８４は、母材８２と接し、それぞれ接続端子８３と
第２の接続端子８３ｅと離間して設けられている。第２の接続端子８３ｅは、基体の裏面
側において絶縁性の膜に被覆されることなく露出しており、発光装置が実装された場合に
は、半田等の接合部材が接続されることで、放熱用の端子としても機能する。
そして、２つの発光素子５と封止部材７の上面とを連続して被覆する、蛍光体を含有す
る透光性部材１０ｄを備える。 Embodiment 9
The light emitting device 80 of the present embodiment has a base material 82 and a base material 8 as shown in FIGS. 13A to 13G.
It is configured to include a substrate having a connection terminal 83 and a second connection terminal 83e provided on the surface of No. 2, two light emitting elements 5, and a light reflecting member 7.
The number of light emitting elements 5, the shape of the pattern of the connection terminal 83 arranged on the base material 82, and the size of the convex portion 83a formed on the surface of the connection terminal 83 are different, and the four end faces of the translucent member 10d are different. It has substantially the same configuration as the light emitting device of the first embodiment except that it coincides with the four end faces of the light reflecting member 7. Therefore, it has the same effect as that of the first embodiment.
The two light emitting elements 5 are substantially rectangular parallelepipeds having a width of 1.1 mm in the longitudinal direction, a width of 0.2 mm in the lateral direction, and a thickness of 0.2 mm, and are arranged in the longitudinal direction of the substrate at intervals of 0.4 mm. It is implemented. The substrate has a length of 3.5 mm in the longitudinal direction, a width of 0.4 mm in the lateral direction, and a thickness of 0.15.
It is molded into a substantially rectangular parallelepiped shape of mm. The light-reflecting member 7 is formed in a substantially rectangular parallelepiped shape having a length of 3.0 mm in the longitudinal direction, a width of 0.4 mm in the lateral direction, and a thickness of 0.2 mm in the center of the first main surface of the substrate. ing.
The base material 82 has a through hole 82d between the two light emitting elements 5, and the through hole 82d is embedded so that the second connection terminal 83e extends to the back surface. That is, the second connection terminal 83e is provided between the two light emitting elements 5 on the back surface side of the substrate. More specifically, it is provided between two insulating films 88b provided directly below the two light emitting elements. The two insulating films 84 are in contact with the base material 82 and are provided apart from the connection terminal 83 and the second connection terminal 83e, respectively. The second connection terminal 83e is exposed on the back surface side of the substrate without being covered with an insulating film, and when a light emitting device is mounted, a joining member such as solder is connected to the second connection terminal 83e. It also functions as a terminal for heat dissipation.
Then, a translucent member 10d containing a phosphor is provided, which continuously covers the two light emitting elements 5 and the upper surface of the sealing member 7.

この発光装置８０は、図１３Ｇに示す、母材８２ｃに複合接続端子８３ｃが形成された
複合基体を用いて、実施形態１と同様に製造することができる。この複合基体は、個片化
工程後に、図１３Ｄ及び図１３Ｅに示すような各発光装置の基体となるものが複数個連な
って構成されている。 The light emitting device 80 can be manufactured in the same manner as in the first embodiment by using the composite substrate in which the composite connection terminal 83c is formed on the base material 82c shown in FIG. 13G. After the individualization step, the composite substrate is composed of a plurality of substrates that serve as substrates for each light emitting device as shown in FIGS. 13D and 13E.

本発明の発光装置は、液晶ディスプレイのバックライト光源、各種照明器具、大型ディ
スプレイ、広告、行き先案内等の各種表示装置、さらには、デジタルビデオカメラ、ファ
クシミリ、コピー機、スキャナ等における画像読取装置、プロジェクタ装置などに利用す
ることができる。 The light emitting device of the present invention includes various display devices such as a backlight source of a liquid crystal display, various lighting fixtures, a large display, an advertisement, and a destination guide, and further, an image reading device in a digital video camera, a facsimile, a copier, a scanner, or the like. It can be used for projector devices and the like.

１、２０、３０、４０、５０、６０、７０、８０ 発光装置
２、１２、２２、３２、４２、６２、７２、８２ 母材
２ａ 上面
２ｂ 端面
２ｃ 下面
３、２３、３３、４３、５３、６３、７３、８３ 接続端子
３ａ、１３ａ、２３ａ、４３ａ、５３ａ、６３ａ、７３ａ、８３ａ 凸部
３ｂ、３３ｂ 外部接続部
４、２４ 基体
５、５ａ 発光素子
６ 溶融性部材
７、１７、２７ 光反射性部材
８、７８、８４ 絶縁性の膜
９ 絶縁部材
１０、１０ａ、１０ｂ、１０ｄ 透光性部材
１０ｃ 蛍光体層
１３、７３ｃ、８３ｃ 複合接続端子
１４、７２ｃ、８２ｃ 複合基体
１５、７５、８５ スリット
２５ 端子
４３ｃ、６３ｂ 補強端子
５１ 実装基板
５２ 配線パターン
５４ 半田
６２ａ、８２ｄ スルーホール
８３ｅ 第２の接続端子 1, 20, 30, 40, 50, 60, 70, 80 Light emitting device 2, 12, 22, 32, 42, 62, 72, 82 Base material 2a Upper surface 2b End surface 2c Lower surface 3, 23, 33, 43, 53, 63, 73, 83 Connection terminals 3a, 13a, 23a, 43a, 53a, 63a, 73a, 83a Convex parts 3b, 33b External connection parts 4, 24 Bases 5, 5a Light emitting elements 6 Meltable members 7, 17, 27 Light reflection Sex members 8, 78, 84 Insulation film 9 Insulation members 10, 10a, 10b, 10d Translucent members 10c Fluorescent layer 13, 73c, 83c Composite connection terminals 14, 72c, 82c Composite substrate 15, 75, 85 slits 25 terminals 43c, 63b Reinforcing terminals 51 Mounting board 52 Wiring pattern 54 Solder 62a, 82d Through hole 83e Second connection terminal

Claims (6)

長方形の母材と、前記母材の第１主面に設けられる接続端子と、前記第１主面の反対側の第２主面に設けられる外部接続部と、を備える基体と、
前記第１主面の前記接続端子と、溶融性接合部材によって接続され、一対の電極を有する発光素子と、
前記発光素子を被覆する光反射性部材と、を備え、
前記接続端子は、前記一対の電極に対応する位置に配置された一対の凸部を有し、前記母材の長手方向の両端近傍のスルーホールを介して、前記第２主面の前記外部接続部と連結し、
前記凸部は、該凸部以外の前記接続端子の上面よりも高い位置に配置され、平面視における外形の少なくとも一部が前記発光素子の電極と一致し、かつ平面視において多角形の辺の一部が内側に凹んだ形状であり、
前記溶融性接合部材が、前記一対の凸部の側面と、前記発光素子直下の接続端子の側面の少なくとも一部を被覆し、
前記光反射性部材は、前記溶融性接合部材で被覆された一対の凸部の側面及び前記発光素子直下の接続端子の側面を被覆している発光装置。 A substrate including a rectangular base material, a connection terminal provided on the first main surface of the base material, and an external connection portion provided on the second main surface opposite to the first main surface.
A light emitting element connected to the connection terminal on the first main surface by a meltable joining member and having a pair of electrodes.
A light-reflecting member that covers the light-emitting element is provided.
The connection terminal has a pair of convex portions arranged at positions corresponding to the pair of electrodes, and the external connection of the second main surface is provided through through holes near both ends in the longitudinal direction of the base material. Connect with the department,
The convex portion is arranged at a position higher than the upper surface of the connection terminal other than the convex portion, and at least a part of the outer shape in the plan view coincides with the electrode of the light emitting element, and the side of the polygon in the plan view. Part of the shape is recessed inward,
The meltable joining member covers at least a part of the side surface of the pair of convex portions and the side surface of the connection terminal directly under the light emitting element.
The light-reflecting member is a light-emitting device that covers the side surfaces of a pair of convex portions coated with the melt-bonded member and the side surfaces of a connection terminal directly below the light-emitting element. 前記凸部は、前記第１主面上において、前記接続端子の縁部から離間している請求項１に記載の発光装置。 The light emitting device according to claim 1, wherein the convex portion is separated from the edge portion of the connection terminal on the first main surface. 前記基体と前記発光素子との間は、前記光反射性部材で埋め込まれている請求項１又は２に記載の発光装置。 The light emitting device according to claim 1 or 2, wherein a light reflecting member is embedded between the substrate and the light emitting element. 前記発光素子の第１主面は、前記光反射性部材の第１主面と同一面、又は、前記光反射性部材の第１主面よりも低い位置にある請求項１〜３のいずれか１項に記載の発光装置。 The first main surface of the light emitting element is any one of claims 1 to 3 which is the same surface as the first main surface of the light reflecting member or a position lower than the first main surface of the light reflecting member. The light emitting device according to item 1. さらに、前記発光素子の前記溶融性接合部材と接続された側と反対側に透光性部材を備え、
前記透光性部材の端面及び前記発光素子の端面が前記光反射性部材に被覆されている請求項１〜４のいずれか１項に記載の発光装置。 Further, a translucent member is provided on the side of the light emitting element opposite to the side connected to the meltable joining member.
The light emitting device according to any one of claims 1 to 4, wherein the end face of the translucent member and the end face of the light emitting element are covered with the light reflecting member. 前記発光素子は複数であり、
前記基体は、前記２つの発光素子のそれぞれの直下の前記第２主面に設けられた絶縁性の膜を備え、
前記第２主面において、前記絶縁性の膜の間に設けられる第２の接続端子を備え、前記第２の接続端子は、前記スルーホールを介して前記第１主面の接続端子と連結している請求項１〜５のいずれか１項に記載の発光装置。 There are a plurality of light emitting elements,
The substrate comprises an insulating film provided on the second main surface directly below each of the two light emitting elements.
The second main surface is provided with a second connection terminal provided between the insulating films, and the second connection terminal is connected to the connection terminal on the first main surface via the through hole. The light emitting device according to any one of claims 1 to 5.
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