JP6760678B2 - 光学フィルム及びその製造方法 - Google Patents
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Description
基材と、
前記基材上に交互に製造された誘電体層及び粒子層と、を含み、
前記粒子層は複数の粒子を含み、前記粒子の間隔の取り得る値の範囲はλ1/8からλ1/2であり、前記誘電体層の光学的厚さの取り得る値の範囲はλ2/8からλ2/2であり、且つ前記粒子層の屈折率は前記誘電体層の屈折率より大きいか又は小さく、ここで、λ1及びλ2はそれぞれ第1の波長帯域の光の中心波長及び第2の波長帯域の光の中心波長である。
図1は本発明の好ましい実施例による第1の光学フィルムの構造模式図である。好ましい実施例における光学フィルムは、ある波長帯域の光を反射して、他の波長帯域の光を透過させ、即ちある波長帯域の光をカットし、例えばLEDディスプレイの表面に貼り付けて青色光の透過を減少させるという機能を果たす。また、光波からある特定の波長帯域の光波を選択し、且つ反射により分離し、これによりある特定の波長帯域の光波を得るためにも使用できる。ここでは、好ましい実施例における光学フィルムの具体的な用途について、特に限定しない。
好ましい実施例は光学フィルムの製造方法を提供し、該方法で製造された光学フィルムは、ある波長帯域の光を反射して、他の波長帯域の光を透過させ、即ちある波長帯域の光をカットし、例えばLEDディスプレイの表面に貼り付けて青色光の透過を減少させるという機能を果たす。また、光波からある特定の波長帯域の光波を選択し、且つ反射により分離し、これによりある特定の波長帯域の光波を得るためにも使用できる。ここでは、該光学フィルムの具体的な用途について、特に限定しない。
基材と、
前記基材上に交互に製造された誘電体層及び粒子層と、を含み、前記粒子層は複数の粒子を含み、前記粒子の間隔の取り得る値の範囲はλ1/8からλ1/2であり、前記誘電体層の光学的厚さの取り得る値の範囲はλ2/8からλ2/2であり、且つ前記粒子層の屈折率は前記誘電体層の屈折率より大きいか又は小さく、ここで、λ1及びλ2はそれぞれ第1の波長帯域の光の中心波長及び第2の波長帯域の光の中心波長である。
(付記1)
ある波長帯域の光を反射するための光学フィルムであって、
基材、前記基材上に交互に設置された誘電体層及び粒子層を含み、前記粒子層は複数の粒子を含み、前記粒子の間隔の取り得る値の範囲はλ1/8からλ1/2であり、前記誘電体層の光学的厚さの取り得る値の範囲はλ2/8からλ2/2であり、且つ前記粒子層の屈折率は前記誘電体層の屈折率より大きいか又は小さく、λ1及びλ2はそれぞれ第1の波長帯域の光の中心波長及び第2の波長帯域の光の中心波長であることを特徴とする光学フィルム。
前記第1の波長帯域の光の中心波長λ1は第2の波長帯域の光の中心波長λ2に等しいことを特徴とする付記1に記載の光学フィルム。
前記基材と接触する層は前記粒子層であり、前記基材から遠い最外層は前記粒子層又は前記誘電体層であることを特徴とする付記1に記載の光学フィルム。
前記基材と接触する層は前記誘電体層であり、前記基材から遠い最外層は前記粒子層又は前記誘電体層であることを特徴とする付記1に記載の光学フィルム。
前記粒子の直径はλ1/4より小さいことを特徴とする付記1に記載の光学フィルム。
前記第1の波長帯域の光の中心波長λ1及び第2の波長帯域の光の中心波長λ2の取り得る値の範囲は100ナノメートル〜2000マイクロメートルであることを特徴とする付記5に記載の光学フィルム。
前記粒子及び前記誘電体層に使用される材料は酸化マグネシウム、酸化イットリウム、硫化亜鉛、セレン化亜鉛、ガリウムヒ素、フッ化マグネシウム、フッ化カルシウム、アルミナ、SiOx、TiOx及び/又はNbOxを含むことを特徴とする付記1に記載の光学フィルム。
前記基材は金属基材、ガラス基材、石英基材、ゴム基材又はプラスチック基材を含むことを特徴とする付記1に記載の光学フィルム。
光学フィルムの製造方法であって、前記光学フィルムは、
基材と、
前記基材上に交互に製造された誘電体層及び粒子層と、を含み、
前記粒子層は複数の粒子を含み、前記粒子の間隔の取り得る値の範囲はλ1/8からλ1/2であり、前記誘電体層の光学的厚さの取り得る値の範囲はλ2/8からλ2/2であり、且つ前記粒子層の屈折率は前記誘電体層の屈折率より大きいか又は小さく、ここで、λ1及びλ2はそれぞれ第1の波長帯域の光の中心波長及び第2の波長帯域の光の中心波長であることを特徴とする光学フィルムの製造方法。
誘電体層及び粒子層を交互に製造するために採用される方法は、真空成膜プロセス、ゾル−ゲル薄膜成膜プロセス及び/又は自己組織化薄膜成膜プロセスを含み、前記真空成膜プロセスは物理/化学気相成長、真空蒸着、マグネトロンスパッタリング、イオンプレーティング、エピタキシャル成長を含み、前記粒子の間隔の精度誤差は前記粒子の間隔の5%以下であり、前記光学的厚さの精度誤差は前記光学的厚さの5%以下であることを特徴とする付記9に記載の光学フィルムの製造方法。
Claims (10)
- 中心波長がλ 1 である第1の波長帯域の光と、中心波長がλ 2 である第2の波長帯域の光とを反射するための光学フィルムであって、
基材、前記基材上に交互に設置された誘電体層及び粒子層を含み、前記粒子層は複数の粒子を含み、前記粒子の間隔の取り得る値の範囲はλ1/8からλ1/2であり、前記誘電体層の光学的厚さの取り得る値の範囲はλ2/8からλ2/2であり、且つ前記粒子層の屈折率は前記誘電体層の屈折率より大きいか又は小さい、ことを特徴とする光学フィルム。 - 前記第1の波長帯域の光の中心波長λ1は前記第2の波長帯域の光の中心波長λ2に等しいことを特徴とする請求項1に記載の光学フィルム。
- 前記基材と接触する層は前記粒子層であり、前記基材から遠い最外層は前記粒子層又は前記誘電体層であることを特徴とする請求項1に記載の光学フィルム。
- 前記基材と接触する層は前記誘電体層であり、前記基材から遠い最外層は前記粒子層又は前記誘電体層であることを特徴とする請求項1に記載の光学フィルム。
- 前記粒子の直径はλ1/4より小さいことを特徴とする請求項1に記載の光学フィルム。
- 前記第1の波長帯域の光の中心波長λ1及び前記第2の波長帯域の光の中心波長λ2の取り得る値の範囲は100ナノメートル〜2000マイクロメートルであることを特徴とする請求項5に記載の光学フィルム。
- 前記粒子及び前記誘電体層に使用される材料は酸化マグネシウム、酸化イットリウム、硫化亜鉛、セレン化亜鉛、ガリウムヒ素、フッ化マグネシウム、フッ化カルシウム、アルミナ、SiOx、TiOx及び/又はNbOxを含むことを特徴とする請求項1に記載の光学フィルム。
- 前記基材は金属基材、ガラス基材、石英基材、ゴム基材又はプラスチック基材を含むことを特徴とする請求項1に記載の光学フィルム。
- 中心波長がλ 1 である第1の波長帯域の光と、中心波長がλ 2 である第2の波長帯域の光とを反射するための光学フィルムの製造方法であって、前記光学フィルムは、
基材と、
前記基材上に交互に製造された誘電体層及び粒子層と、を含み、
前記粒子層は複数の粒子を含み、前記粒子の間隔の取り得る値の範囲はλ1/8からλ1/2であり、前記誘電体層の光学的厚さの取り得る値の範囲はλ2/8からλ2/2であり、且つ前記粒子層の屈折率は前記誘電体層の屈折率より大きいか又は小さい、ことを特徴とする光学フィルムの製造方法。 - 誘電体層及び粒子層を交互に製造するために採用される方法は、真空成膜プロセス、ゾル−ゲル薄膜成膜プロセス及び/又は自己組織化薄膜成膜プロセスを含み、前記真空成膜プロセスは物理/化学気相成長、真空蒸着、マグネトロンスパッタリング、イオンプレーティング、エピタキシャル成長を含み、前記粒子の間隔の精度誤差は前記粒子の間隔の5%以下であり、前記光学的厚さの精度誤差は前記光学的厚さの5%以下であることを特徴とする請求項9に記載の光学フィルムの製造方法。
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