JP6759830B2 - Power converter - Google Patents
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Description
この発明は、電力変換装置に関し、特に、コンデンサを備える電力変換装置に関する。 The present invention relates to a power conversion device, and more particularly to a power conversion device including a capacitor.
従来、コンデンサを備える電力変換装置が知られている（たとえば、特許文献１参照）。 Conventionally, a power conversion device including a capacitor is known (see, for example, Patent Document 1).
上記特許文献１に記載の電力変換装置は、コンデンサ（電解コンデンサ）と、負荷（モータ）を駆動する半導体素子部（インバータ回路）と、半導体素子部に含まれる半導体素子の駆動を制御する制御手段と、コンデンサの温度を検出する温度センサ（温度検出手段）と、を備える。ここで、コンデンサは、低温環境下において、抵抗値（等価直列抵抗値）が上昇する傾向がある。このため、コンデンサの温度が低いとコンデンサに高電圧がかかりやすくなり、コンデンサ自身や並列に接続されている半導体素子の破壊につながるおそれが生じる。そこで、制御手段は、温度センサによって検出されたコンデンサの温度が予め定められた目標温度よりも低い場合に、負荷の通常駆動開始前に、リップル電圧が許容値内となるように制限された電流を負荷に流すように制御を行う。制限された電流を負荷に流している間に、コンデンサの温度は目標温度まで上昇する。 The power conversion device described in Patent Document 1 is a control means for controlling the drive of a capacitor (electrolytic capacitor), a semiconductor element unit (inverter circuit) for driving a load (motor), and a semiconductor element included in the semiconductor element unit. And a temperature sensor (temperature detecting means) for detecting the temperature of the capacitor. Here, the resistance value (equivalent series resistance value) of the capacitor tends to increase in a low temperature environment. Therefore, if the temperature of the capacitor is low, a high voltage is likely to be applied to the capacitor, which may lead to destruction of the capacitor itself or semiconductor elements connected in parallel. Therefore, when the temperature of the capacitor detected by the temperature sensor is lower than the predetermined target temperature, the control means limits the current so that the ripple voltage is within the allowable value before the normal drive of the load is started. Is controlled so that it flows to the load. The temperature of the capacitor rises to the target temperature while passing a limited current through the load.
しかしながら、上記特許文献１に記載の電力変換装置では、負荷（モータ）に流れる電流値が制限されている場合でも、短絡などの要因で制御された電流値以上の電流が負荷に流れた場合においては、コンデンサ（電解コンデンサ）に高電圧がかかるという問題点がある。 However, in the power conversion device described in Patent Document 1, even when the current value flowing through the load (motor) is limited, when a current exceeding the current value controlled by a factor such as a short circuit flows through the load. Has a problem that a high voltage is applied to the capacitor (electrolytic capacitor).
この発明は、上記のような課題を解決するためになされたものであり、この発明の１つの目的は、低温環境下において、コンデンサに高電圧がかかるのを抑制することが可能な電力変換装置を提供することである。 The present invention has been made to solve the above problems, and one object of the present invention is a power conversion device capable of suppressing a high voltage applied to a capacitor in a low temperature environment. Is to provide.
この発明の一の局面による電力変換装置は、平滑用のコンデンサと、コンデンサに並列に接続されている、直流電流を交流電流に変換する半導体素子部と、半導体素子部から負荷に流れる電流値が過電流検出値以上になったか否かを検出する過電流検出部と、を備え、コンデンサの温度またはコンデンサの近傍の温度が第１の温度よりも低い場合において、コンデンサの温度またはコンデンサの近傍の温度が低くなるほど、過電流検出値を小さくするように構成されている。 In the power conversion device according to one aspect of the present invention, a capacitor for smoothing, a semiconductor element unit that is connected in parallel to the capacitor and converts a DC current into an AC current, and a current value flowing from the semiconductor element unit to the load are used. It is equipped with an overcurrent detector that detects whether or not the value has exceeded the overcurrent detection value, and when the temperature of the capacitor or the temperature near the capacitor is lower than the first temperature, the temperature of the capacitor or the vicinity of the capacitor is provided. It is configured so that the lower the temperature, the smaller the overcurrent detection value.
この発明の一の局面による電力変換装置では、コンデンサの抵抗値（等価直列抵抗値）が大きくなる低温環境下において過電流検出値が小さくなるので、過大な電流が流れることを抑制することができるとともに、コンデンサに高電圧がかかるのを抑制することができる。また、低温環境下において、特許文献１のように負荷に流れる電流値を一定以下に制限する場合や、過電流検出値をコンデンサの最低動作保証温度における過電流検出値に固定する（過電流検出値を最小値に固定する）場合に比べて、より大きい電流を流すことができる。その結果、負荷の動作開始直後においてもスムーズに負荷を駆動させることができ、さらに、コンデンサの温度またはコンデンサの近傍の温度をより速やかに上昇させることができる。 In the power conversion device according to one aspect of the present invention, since the overcurrent detection value becomes small in a low temperature environment where the resistance value (equivalent series resistance value) of the capacitor becomes large, it is possible to suppress the flow of an excessive current. At the same time, it is possible to suppress the application of a high voltage to the capacitor. Further, in a low temperature environment, when the current value flowing through the load is limited to a certain level or less as in Patent Document 1, the overcurrent detection value is fixed to the overcurrent detection value at the minimum operation guaranteed temperature of the capacitor (overcurrent detection). A larger current can be passed than in the case of (fixing the value to the minimum value). As a result, the load can be driven smoothly even immediately after the start of the operation of the load, and the temperature of the capacitor or the temperature in the vicinity of the capacitor can be raised more quickly.
上記一の局面による電力変換装置において、好ましくは、半導体素子部から負荷に流れる電流値が過電流検出値以上になった場合、半導体素子部の運転を停止するように構成されている。このように構成すれば、半導体素子部から負荷に流れる電流値が過電流検出値以上になることに起因してコンデンサに高電圧がかかることを、確実に防止することができる。 The power conversion device according to the above one aspect is preferably configured to stop the operation of the semiconductor element unit when the current value flowing from the semiconductor element unit to the load becomes equal to or higher than the overcurrent detection value. With this configuration, it is possible to reliably prevent a high voltage from being applied to the capacitor due to the current value flowing from the semiconductor element portion to the load becoming equal to or higher than the overcurrent detection value.
上記一の局面による電力変換装置において、好ましくは、コンデンサの温度またはコンデンサの近傍の温度が第１の温度以上の場合には、過電流検出値を略一定にするように構成されている。コンデンサの温度が比較的高い場合には、コンデンサの抵抗値は比較的安定しているので、過電流検出値を略一定にすることによって、過電流検出値の制御を簡略化することができる。 In the power conversion device according to the above one aspect, preferably, when the temperature of the capacitor or the temperature in the vicinity of the capacitor is equal to or higher than the first temperature, the overcurrent detection value is configured to be substantially constant. When the temperature of the capacitor is relatively high, the resistance value of the capacitor is relatively stable, so that the control of the overcurrent detection value can be simplified by making the overcurrent detection value substantially constant.
上記一の局面による電力変換装置において、好ましくは、コンデンサの温度またはコンデンサの近傍の温度が第１の温度よりも低い場合において、コンデンサの温度またはコンデンサの近傍の温度が低くなるほど、過電流検出値を、指数関数的、線形関数的、または、階段状に小さくするように構成されている。このように構成すれば、比較的単純な関数に基づいて過電流検出値を小さくすることができるので、過電流検出値を容易に小さくすることができる。 In the power conversion device according to the above one aspect, preferably, when the temperature of the capacitor or the temperature in the vicinity of the capacitor is lower than the first temperature, the lower the temperature of the capacitor or the temperature in the vicinity of the capacitor, the higher the overcurrent detection value. Is configured to be exponentially, linearly functional, or stepwise smaller. With this configuration, the overcurrent detection value can be reduced based on a relatively simple function, so that the overcurrent detection value can be easily reduced.
この場合、好ましくは、過電流検出値を、線形関数的または階段状に小さくする場合において、過電流検出値の変化率を略一定にするように構成されている。このように構成すれば、温度に基づいて過電流検出値の変化率を調整する場合に比べて、過電流検出値を容易に変化させることができる。 In this case, preferably, when the overcurrent detection value is reduced linearly or stepwise, the rate of change of the overcurrent detection value is configured to be substantially constant. With this configuration, the overcurrent detection value can be easily changed as compared with the case where the rate of change of the overcurrent detection value is adjusted based on the temperature.
上記過電流検出値を、指数関数的、線形関数的、または、階段状に小さくする電力変換装置において、好ましくは、過電流検出値を、指数関数的または階段状に小さくする場合において、コンデンサの温度またはコンデンサの近傍の温度が低くなるほど、過電流検出値の変化率を大きくするように構成されている。このように構成すれば、コンデンサの温度またはコンデンサの近傍の温度に対して過電流検出値は、上に凸の関数に沿って変化するので、過電流検出値の変化率が略一定である場合に比べて、過電流検出値を大きくすることができる。 In a power conversion device that reduces the overcurrent detection value exponentially, linearly, or stepwise, preferably, when the overcurrent detection value is exponentially or stepwise reduced, the capacitor The rate of change of the overcurrent detection value increases as the temperature or the temperature in the vicinity of the capacitor decreases. With this configuration, the overcurrent detection value changes along the upwardly convex function with respect to the temperature of the capacitor or the temperature in the vicinity of the capacitor. Therefore, when the rate of change of the overcurrent detection value is substantially constant. The overcurrent detection value can be increased as compared with the above.
上記過電流検出値を、指数関数的、線形関数的、または、階段状に小さくする電力変換装置において、好ましくは、過電流検出値を、線形関数的に小さくする場合において、コンデンサの温度またはコンデンサの近傍の温度が、第１の温度よりも低い第２の温度未満の場合には、コンデンサの温度またはコンデンサの近傍の温度に対する過電流検出値の変化率を第１の変化率にするとともに、コンデンサの温度またはコンデンサの近傍の温度が、第２の温度以上でかつ第１の温度よりも低い場合には、コンデンサの温度またはコンデンサの近傍の温度に対する過電流検出値の変化率を、第１の変化率よりも小さい第２の変化率にするように構成されている。このように構成すれば、コンデンサの温度またはコンデンサの近傍の温度に対して過電流検出値は、上に凸の関数に沿って変化するので、過電流検出値の変化率を略一定にする場合に比べて、過電流検出値を大きくすることができる。 In a power conversion device that reduces the overcurrent detection value exponentially, linearly, or stepwise, preferably, when the overcurrent detection value is linearly reduced, the temperature of the capacitor or the capacitor When the temperature in the vicinity of is lower than the second temperature, which is lower than the first temperature, the rate of change of the overcurrent detection value with respect to the temperature of the capacitor or the temperature in the vicinity of the capacitor is set to the first rate of change. When the temperature of the capacitor or the temperature in the vicinity of the capacitor is equal to or higher than the second temperature and lower than the first temperature, the rate of change of the overcurrent detection value with respect to the temperature of the capacitor or the temperature in the vicinity of the capacitor is determined by the first. It is configured to have a second rate of change that is smaller than the rate of change of. With this configuration, the overcurrent detection value changes along the upwardly convex function with respect to the temperature of the capacitor or the temperature in the vicinity of the capacitor. Therefore, when the rate of change of the overcurrent detection value is made substantially constant. The overcurrent detection value can be increased as compared with the above.
上記過電流検出値の変化率を変化させる電力変換装置において、好ましくは、過電流検出値の温度依存性の関数と、コンデンサの抵抗値の温度依存性の関数との積値が略一定になる過電流検出値の温度依存性の関数の特性に沿うように、過電流検出値を小さくするように構成されている。このように構成すれば、コンデンサに流れる電流値は過電流検出値よりも小さいので、コンデンサの抵抗値とコンデンサに流れる電流値との積である、コンデンサにかかる電圧値は、コンデンサの抵抗値と過電流検出値との積値である上記略一定の値よりも小さくなる。 In the power conversion device that changes the rate of change of the overcurrent detection value, the product value of the temperature-dependent function of the overcurrent detection value and the temperature-dependent function of the resistance value of the capacitor is preferably substantially constant. The overcurrent detection value is configured to be small so as to be in line with the characteristics of the temperature-dependent function of the overcurrent detection value. With this configuration, the current value flowing through the capacitor is smaller than the overcurrent detection value, so the voltage value applied to the capacitor, which is the product of the resistance value of the capacitor and the current value flowing through the capacitor, is the resistance value of the capacitor. It is smaller than the above-mentioned substantially constant value, which is the product value of the overcurrent detection value.
上記過電流検出値以上の電流が検出された場合に半導体素子部を停止させる電力変換装置において、好ましくは、半導体素子部から負荷に流れる電流値が過電流検出値以上になることによって半導体素子部の運転が停止した場合において、半導体素子部から負荷に流れる電流値が、コンデンサの温度またはコンデンサの近傍の温度が第１の温度以上の場合の過電流検出値よりも小さい場合には、所定時間後に半導体素子部の運転を再開させるように構成されている。このように構成すれば、コンデンサの温度が低いことが原因で半導体素子部の運転が停止した場合には、コンデンサの温度が上昇するのを待って運転を再開させることができる。 In a power conversion device that stops the semiconductor element unit when a current equal to or greater than the overcurrent detection value is detected, the semiconductor element unit preferably has a current value flowing from the semiconductor element unit to the load equal to or more than the overcurrent detection value. When the current value flowing from the semiconductor element to the load is smaller than the overcurrent detection value when the temperature of the capacitor or the temperature in the vicinity of the capacitor is equal to or higher than the first temperature, the predetermined time is specified. It is configured to restart the operation of the semiconductor element unit later. With this configuration, when the operation of the semiconductor element unit is stopped due to the low temperature of the capacitor, the operation can be restarted after waiting for the temperature of the capacitor to rise.
本発明によれば、上記のように、低温環境下において、コンデンサに高電圧がかかるのを抑制することが可能な電力変換装置を提供することができる。 According to the present invention, as described above, it is possible to provide a power conversion device capable of suppressing a high voltage from being applied to a capacitor in a low temperature environment.
以下、本発明を具体化した実施形態を図面に基づいて説明する。 Hereinafter, embodiments embodying the present invention will be described with reference to the drawings.
［第１実施形態］
まず、図１〜図４を参照して、第１実施形態による電力変換装置１００の構成について説明する。
[First Embodiment]
First, the configuration of the power conversion device 100 according to the first embodiment will be described with reference to FIGS. 1 to 4.
（電力変換装置の構造）
図１に示すように、電力変換装置１００は、平滑用のコンデンサ１と、直流電流を交流電流に変換する半導体素子部２とを備えている。コンデンサ１と半導体素子部２とは並列に接続されている。
(Structure of power converter)
As shown in FIG. 1, the power conversion device 100 includes a smoothing capacitor 1 and a
半導体素子部２は、３つの半導体素子２０からなる上アームを構成する半導体素子部２ａと、３つの半導体素子２０からなる下アームを構成する半導体素子部２ｂとを含む。６つの各半導体素子２０の各々のゲート電極には、ゲート駆動回路１０１が接続されている。
The
また、電力変換装置１００には、直流電源３が設けられている。コンデンサ１および半導体素子部２には、直流電源３から電力が供給されている。
Further, the power conversion device 100 is provided with a
半導体素子部２からは、３相の交流電流がモータ１０２に出力されている。具体的には、上アームを構成する半導体素子部２ａの各相の半導体素子２０は、下アームを構成する半導体素子部２ｂのうちの対応する相の半導体素子２０と接続されている。モータ１０２は特許請求の範囲の「負荷」の一例であり、例えばＰＭモータ（永久磁石式モータ）である。
A three-phase alternating current is output to the
半導体素子部２から出力される３相の交流電流の各々の電流値は、各相用の電流検出器４によって検出される。また、電流検出器４によって検出された検出値に基づいて、電流検出回路５によって各相の電流の補正が行われる。具体的には、電流検出回路５は、各相の電流検出器４ごとに生じる誤差の補正、および、３相の交流電流の相対的なずれ等を補正する。
The current value of each of the three-phase alternating currents output from the
電流検出回路５からの出力は、過電流検出部６に入力される。過電流検出部６は、電流検出回路５からの出力値に基づき、半導体素子部２からモータ１０２に流れる電流値が過電流検出値以上になったか否かを検出する。また、過電流検出部６の過電流検出値は、後述する温度センサ８の検出結果（コンデンサ１の温度）に基づいて設定される。
The output from the
また、電力変換装置１００には、電流制御部７が設けられている。電流制御部７は、外部からモータ１０２のトルク指令の信号または回転数指令の信号を受信する。電流制御部７は、外部から受信した上記信号に基づいて、ゲート駆動回路１０１を介して半導体素子部２のオンオフを制御し、半導体素子部２からモータ１０２へ出力される電流を制御する。なお、図１では、電流制御部７から１つのゲート駆動回路１０１に信号が送られているが、実際は、電流制御部７から６つ全てのゲート駆動回路１０１に信号が送られている。
Further, the power conversion device 100 is provided with a
電力変換装置１００は、半導体素子部２からモータ１０２に流れる電流値が過電流検出値以上になった場合、半導体素子部２の運転を停止するように構成されている。具体的には、過電流検出部６は、半導体素子部２からモータ１０２に流れる各相の電流値のうちの少なくとも１つが過電流検出値以上であると判定した場合、半導体素子部２を全オフする信号をゲート駆動回路１０１に送り、過電流検出部６から上記判定結果を受けた電流制御部７は半導体素子部２のオンオフ制御を停止するように構成されている。なお、図１では、過電流検出部６から１つのゲート駆動回路１０１に信号が送られているが、実際は、過電流検出部６から６つ全てのゲート駆動回路１０１に信号が送られている。
The power conversion device 100 is configured to stop the operation of the
コンデンサ１の近傍には、コンデンサ１の温度を検出する温度センサ８が設けられている。温度センサ８はコンデンサ１の表面に接触している。 A temperature sensor 8 for detecting the temperature of the capacitor 1 is provided in the vicinity of the capacitor 1. The temperature sensor 8 is in contact with the surface of the capacitor 1.
図２に示すように、コンデンサ１（図１参照）の抵抗値（等価直列抵抗値）は、コンデンサ１の温度が低くなるほど大きくなる。典型的には、コンデンサ１の温度が−３０℃から−４０℃における抵抗値は、コンデンサ１が一般的に使用される温度である２０℃から１００℃における抵抗値の１０倍以上である。 As shown in FIG. 2, the resistance value (equivalent series resistance value) of the capacitor 1 (see FIG. 1) increases as the temperature of the capacitor 1 decreases. Typically, the resistance value of the capacitor 1 at a temperature of −30 ° C. to −40 ° C. is 10 times or more the resistance value at a temperature of 20 ° C. to 100 ° C., which is the temperature at which the capacitor 1 is generally used.
図３に示すように、電力変換装置１００（図１参照）は、コンデンサ１の温度が、コンデンサ１の最低動作温度保証値Ｔ２（たとえば−４０℃）以上でかつ温度Ｔ１（たとえば０℃）未満である場合において、コンデンサ１の温度が低くなるほど、過電流検出値を小さくするように構成されている。コンデンサ１の温度が温度Ｔ１よりも低い場合の過電流検出値は、電流制御部７内において、データベースからの参照または内部演算によって算出される。なお、温度Ｔ１は、特許請求の範囲の「第１の温度」の一例である。
As shown in FIG. 3, in the power conversion device 100 (see FIG. 1), the temperature of the capacitor 1 is equal to or higher than the minimum operating temperature guaranteed value T2 (for example, −40 ° C.) of the capacitor 1 and lower than the temperature T1 (for example, 0 ° C.). In this case, the lower the temperature of the capacitor 1, the smaller the overcurrent detection value is. The overcurrent detection value when the temperature of the capacitor 1 is lower than the temperature T1 is calculated in the
詳細には、コンデンサ１の温度が最低動作温度保証値Ｔ２の場合の過電流検出値、および、コンデンサ１の温度が温度Ｔ１の場合の過電流検出値の各々を、ＯＣ０およびＯＣ１としたとき、コンデンサ１の温度が最低動作温度保証値Ｔ２以上でかつ温度Ｔ１未満である場合の過電流検出値の変化率は、（ＯＣ１−ＯＣ０）／（Ｔ１−Ｔ２）に設定される。なお、コンデンサ１の最低動作温度保証値とは、コンデンサ１が動作可能な温度範囲のうち、最も低い温度のことである。 Specifically, when the overcurrent detection value when the temperature of the capacitor 1 is the minimum operating temperature guaranteed value T2 and the overcurrent detection value when the temperature of the capacitor 1 is the temperature T1 are OC0 and OC1, respectively, The rate of change of the overcurrent detection value when the temperature of the capacitor 1 is equal to or higher than the minimum operating temperature guaranteed value T2 and lower than the temperature T1 is set to (OC1-OC0) / (T1-T2). The minimum operating temperature guaranteed value of the capacitor 1 is the lowest temperature in the temperature range in which the capacitor 1 can operate.
また、コンデンサ１の温度が温度Ｔ１以上である場合には、過電流検出値はＯＣ１に設定される。 When the temperature of the capacitor 1 is equal to or higher than the temperature T1, the overcurrent detection value is set to OC1.
半導体素子部２からモータ１０２に流れる電流値が過電流検出値以上になることによって半導体素子部２の運転が停止した場合において、半導体素子部２からモータ１０２に流れる電流値が、コンデンサ１の温度が温度Ｔ１以上の場合の過電流検出値（ＯＣ１）よりも小さい場合には、半導体素子部２の運転が停止してから所定時間後（具体的には数ミリ秒、たとえば５ミリ秒）に半導体素子部２の運転が自動的に再開される。
When the operation of the
半導体素子部２の運転が停止してもモータ１０２の動作は急には停止しないので、コンデンサ１に回生電流が流入する。また、半導体素子部２の停止前に流れていた電流による熱が、時間差でコンデンサ１に伝わる。これらにより、半導体素子部２が停止した所定時間後には、半導体素子部２の停止前よりも、コンデンサ１の温度は上昇しているとともに、過電流検出値は大きくなっている。
Since the operation of the
（電力変換装置の運転制御フロー）
次に、図４を参照して、第１実施形態の電力変換装置１００（図１参照）の運転制御フローについて説明する。
(Operation control flow of power converter)
Next, the operation control flow of the power conversion device 100 (see FIG. 1) of the first embodiment will be described with reference to FIG.
まず、ステップＳ１において、コンデンサ１の温度が温度Ｔ１未満か否かが判定される。コンデンサ１の温度が温度Ｔ１未満である場合はステップＳ２に進む。コンデンサ１の温度が温度Ｔ１以上である場合はステップＳ３に進む。 First, in step S1, it is determined whether or not the temperature of the capacitor 1 is lower than the temperature T1. If the temperature of the capacitor 1 is lower than the temperature T1, the process proceeds to step S2. If the temperature of the capacitor 1 is equal to or higher than the temperature T1, the process proceeds to step S3.
ステップＳ２において、コンデンサ１の温度に対する過電流検出値の関数（図３参照）に基づいて、過電流検出値がコンデンサ１の温度に応じた値に設定される。設定後はステップＳ４に進む。ステップＳ４において、電力変換装置１００（半導体素子部２）（図１参照）の運転が実行される。この間にコンデンサ１の温度はある程度上昇する。次にステップＳ５に進む。ステップＳ５において、コンデンサ１の温度に対する過電流検出値の関数（図３参照）に基づいて、過電流検出値がコンデンサ１の温度に応じた値に設定される。すなわち、コンデンサ１の温度上昇に応じて、その都度、過電流検出値が大きくされる。設定後はステップＳ６に進む。 In step S2, the overcurrent detection value is set to a value corresponding to the temperature of the capacitor 1 based on the function of the overcurrent detection value with respect to the temperature of the capacitor 1 (see FIG. 3). After the setting, the process proceeds to step S4. In step S4, the operation of the power conversion device 100 (semiconductor element unit 2) (see FIG. 1) is executed. During this time, the temperature of the capacitor 1 rises to some extent. Next, the process proceeds to step S5. In step S5, the overcurrent detection value is set to a value corresponding to the temperature of the capacitor 1 based on the function of the overcurrent detection value with respect to the temperature of the capacitor 1 (see FIG. 3). That is, the overcurrent detection value is increased each time the temperature of the capacitor 1 rises. After the setting, the process proceeds to step S6.
ステップＳ６において、コンデンサ１の温度が温度Ｔ１未満か否かが判定される。コンデンサ１の温度が温度Ｔ１未満である場合はステップＳ７に進む。コンデンサ１の温度が温度Ｔ１以上である場合はステップＳ３に進む。 In step S6, it is determined whether or not the temperature of the capacitor 1 is lower than the temperature T1. If the temperature of the capacitor 1 is lower than the temperature T1, the process proceeds to step S7. If the temperature of the capacitor 1 is equal to or higher than the temperature T1, the process proceeds to step S3.
ステップＳ７において、半導体素子部２からモータ１０２に流れる電流が、現時点での過電流検出値以上か否かが判定される。過電流の検出があると判定された場合はステップＳ８に進む。過電流の検出がないと判定された場合はステップＳ５に戻る。
In step S7, it is determined whether or not the current flowing from the
ステップＳ８において、電力変換装置１００（半導体素子部２）の運転が停止される。停止後はステップＳ９に進む。ステップＳ９において、電力変換装置１００の運転停止時の過電流検出値が、ＯＣ１未満か否かが判定される。ＯＣ１未満であると判定された場合はステップＳ１０に進む。ＯＣ１以上であると判定された場合は電力変換装置１００の運転は停止状態のままである。 In step S8, the operation of the power conversion device 100 (semiconductor element unit 2) is stopped. After the stop, the process proceeds to step S9. In step S9, it is determined whether or not the overcurrent detection value when the power conversion device 100 is stopped is less than OC1. If it is determined that the value is less than OC1, the process proceeds to step S10. When it is determined that the power conversion device 100 or higher is OC1, the operation of the power conversion device 100 remains stopped.
次に、ステップＳ１０において、電力変換装置１００（半導体素子部２）の停止から所定時間後に電力変換装置１００の運転が再開され、ステップＳ５に戻る。 Next, in step S10, the operation of the power conversion device 100 is restarted after a predetermined time from the stop of the power conversion device 100 (semiconductor element unit 2), and the process returns to step S5.
ステップＳ３においては、過電流検出値がＯＣ１に設定される。設定後はステップＳ１１に進む。ステップＳ１１では、電力変換装置１００（半導体素子部２）の（通常）運転が実行される。運転が開始されたらステップＳ１２に進む。ステップＳ１２では、外部から、電力変換装置１００の停止指令があるか否かが判定される。停止指令がないと判定された場合にはステップＳ１１に戻って運転を継続する。すなわち、電力変換装置１００の停止指令がない限り、過電流検出値はＯＣ１に固定される。ステップＳ１１において、停止指令があると判定された場合には電力変換装置１００は停止される。なお、ステップＳ３において、過電流検出値がＯＣ１に設定された場合、電力変換装置１００の運転中は、過電流検出値が変更されることはない。 In step S3, the overcurrent detection value is set to OC1. After the setting, the process proceeds to step S11. In step S11, the (normal) operation of the power conversion device 100 (semiconductor element unit 2) is executed. When the operation is started, the process proceeds to step S12. In step S12, it is determined from the outside whether or not there is a stop command for the power conversion device 100. If it is determined that there is no stop command, the process returns to step S11 and the operation is continued. That is, the overcurrent detection value is fixed to OC1 unless there is a stop command for the power converter 100. If it is determined in step S11 that there is a stop command, the power conversion device 100 is stopped. When the overcurrent detection value is set to OC1 in step S3, the overcurrent detection value is not changed during the operation of the power conversion device 100.
（第１実施形態の効果）
第１実施形態では、以下のような効果を得ることができる。
(Effect of the first embodiment)
In the first embodiment, the following effects can be obtained.
第１実施形態では、コンデンサ１の抵抗値（等価直列抵抗値）が大きくなる低温環境下において過電流検出値が小さくなるので、低温環境下において過大な電流が流れることを抑制することができるとともに、コンデンサ１に高電圧がかかるのを抑制することができる。また、低温環境下において、モータ１０２に流れる電流値を一定以下に制限する場合、または、過電流検出値をコンデンサ１の最低動作保証温度における過電流検出値に固定する（過電流検出値を最小値に固定する）場合に比べて、より大きい電流を流すことができる。その結果、モータ１０２の動作開始直後においてもスムーズにモータ１０２を駆動させることができるとともに、コンデンサ１の温度をより速やかに上昇させることができる。
In the first embodiment, since the overcurrent detection value becomes small in a low temperature environment where the resistance value (equivalent series resistance value) of the capacitor 1 becomes large, it is possible to suppress the flow of an excessive current in the low temperature environment. , It is possible to suppress the application of a high voltage to the capacitor 1. Further, when limiting the current value flowing through the
また、半導体素子部２からモータ１０２に流れる電流値が過電流検出値以上になった場合、半導体素子部２の運転を停止するので、半導体素子部２からモータ１０２に流れる電流値が過電流検出値以上になることに起因してコンデンサ１に高電圧がかかることを確実に防止することができる。
Further, when the current value flowing from the
また、コンデンサ１の温度が温度Ｔ１以上の場合には過電流検出値を略一定にすると、コンデンサ１の温度が比較的高い場合コンデンサ１の抵抗値は比較的安定しているので、過電流検出値の制御を簡略化することができる。 Further, when the temperature of the capacitor 1 is the temperature T1 or higher, if the overcurrent detection value is made substantially constant, the resistance value of the capacitor 1 is relatively stable when the temperature of the capacitor 1 is relatively high, so that the overcurrent detection value is detected. The control of the value can be simplified.
また、コンデンサ１の温度が温度Ｔ１よりも低い場合において、コンデンサ１の温度が低くなるほど、過電流検出値を、線形関数的に小さくすると、比較的単純な関数に基づいて過電流検出値を小さくすることができるので、過電流検出値を容易に小さくすることができる。 Further, when the temperature of the capacitor 1 is lower than the temperature T1, the lower the temperature of the capacitor 1, the smaller the overcurrent detection value linearly, the smaller the overcurrent detection value is based on a relatively simple function. Therefore, the overcurrent detection value can be easily reduced.
また、上記のように過電流検出値を線形関数的に小さくする場合において、過電流検出値の変化率を略一定にすると、温度に基づいて過電流検出値の変化率を調整する場合に比べて、過電流検出値を容易に変化させることができる。 Further, in the case where the overcurrent detection value is linearly reduced as described above, if the rate of change of the overcurrent detection value is made substantially constant, the rate of change of the overcurrent detection value is adjusted based on the temperature. Therefore, the overcurrent detection value can be easily changed.
また、半導体素子部２からモータ１０２に流れる電流値が過電流検出値以上になることによって半導体素子部２の運転が停止した場合において、半導体素子部２からモータ１０２に流れる電流値が、コンデンサ１の温度が温度Ｔ１以上の場合の過電流検出値よりも小さい場合には、所定時間後に半導体素子部２の運転を再開させるようにすると、コンデンサ１の温度が低いことが原因で半導体素子部２の運転が停止した場合には、コンデンサ１の温度が上昇するのを待って半導体素子部２の運転を再開させることができる。
Further, when the operation of the
［第２実施形態］
次に、図１、図２、および、図５を参照して、第２実施形態による電力変換装置２００の構成について説明する。図中において上記第１実施形態と同様の構成の部分には、同一の符号を付している。
[Second Embodiment]
Next, the configuration of the power conversion device 200 according to the second embodiment will be described with reference to FIGS. 1, 2, and 5. In the figure, the same reference numerals are given to the parts having the same configuration as that of the first embodiment.
（電力変換装置の構造）
図５に示すように、電力変換装置２００（図１参照）は、コンデンサ１（図１参照）の温度が温度Ｔ１よりも低い場合において、コンデンサ１の温度が低くなるほど、過電流検出値を指数関数的に小さくするように構成されている。具体的には、電力変換装置２００は、コンデンサ１の温度が低くなるほど、過電流検出値の変化率を大きくするように構成されている。
(Structure of power converter)
As shown in FIG. 5, in the power conversion device 200 (see FIG. 1), when the temperature of the capacitor 1 (see FIG. 1) is lower than the temperature T1, the lower the temperature of the capacitor 1, the more the overcurrent detection value is exponential. It is configured to be functionally smaller. Specifically, the power conversion device 200 is configured so that the lower the temperature of the capacitor 1, the greater the rate of change of the overcurrent detection value.
電力変換装置２００は、コンデンサ１の抵抗値の温度依存性の関数（図２参照）と過電流検出値の温度依存性の関数（図５参照）との積値が全温度領域において略一定になるように構成されている。 In the power converter 200, the product value of the temperature-dependent function of the resistance value of the capacitor 1 (see FIG. 2) and the temperature-dependent function of the overcurrent detection value (see FIG. 5) is substantially constant in the entire temperature range. It is configured to be.
第２実施形態のその他の構成は、上記第１実施形態と同様である。 Other configurations of the second embodiment are the same as those of the first embodiment.
（第２実施形態の効果）
第２実施形態では、以下のような効果を得ることができる。
(Effect of the second embodiment)
In the second embodiment, the following effects can be obtained.
コンデンサ１の温度が低くなるほど過電流検出値の変化率を大きくすると、コンデンサ１の温度に対して過電流検出値は上に凸の関数に沿って変化するので、過電流検出値の変化率が略一定である場合に比べて、過電流検出値を大きくすることができる。 If the rate of change of the overcurrent detection value is increased as the temperature of the capacitor 1 becomes lower, the overcurrent detection value changes along the upward convex function with respect to the temperature of the capacitor 1, so that the rate of change of the overcurrent detection value changes. The overcurrent detection value can be increased as compared with the case where it is substantially constant.
コンデンサ１の抵抗値の温度依存性の関数と過電流検出値の温度依存性の関数との積値を全温度領域で略一定にすると、コンデンサ１に流れる電流値は過電流検出値よりも小さいので、コンデンサ１の抵抗値とコンデンサ１に流れる電流値との積である、コンデンサ１にかかる電圧値を、コンデンサ１の抵抗値と過電流検出値との積値である上記略一定の値よりも小さくすることができる。 If the product of the temperature-dependent function of the resistance value of the capacitor 1 and the temperature-dependent function of the overcurrent detection value is made substantially constant in the entire temperature range, the current value flowing through the capacitor 1 is smaller than the overcurrent detection value. Therefore, the voltage value applied to the capacitor 1, which is the product of the resistance value of the capacitor 1 and the current value flowing through the capacitor 1, is obtained from the above-mentioned substantially constant value which is the product value of the resistance value of the capacitor 1 and the overcurrent detection value. Can also be made smaller.
なお、第２実施形態のその他の効果は、上記第１実施形態と同様である。 The other effects of the second embodiment are the same as those of the first embodiment.
［第３実施形態］
次に、図１および図６を参照して、第３実施形態による電力変換装置３００の構成について説明する。なお、図中において上記第２実施形態と同様の構成の部分には、同一の符号を付している。
[Third Embodiment]
Next, the configuration of the power conversion device 300 according to the third embodiment will be described with reference to FIGS. 1 and 6. In the figure, the same reference numerals are given to the parts having the same configuration as that of the second embodiment.
（電力変換装置の構造）
図６に示すように、電力変換装置３００（図１参照）は、コンデンサ１（図１参照）の温度が温度Ｔ１よりも低い場合において、コンデンサ１の温度が低くなるほど、過電流検出値を、線形関数的（折れ線的）に小さくするように構成されている。
(Structure of power converter)
As shown in FIG. 6, when the temperature of the capacitor 1 (see FIG. 1) is lower than the temperature T1, the power converter 300 (see FIG. 1) determines the overcurrent detection value as the temperature of the capacitor 1 becomes lower. It is configured to be linearly functional (piecewise) smaller.
具体的には、コンデンサ１の温度が、温度Ｔ１よりも小さい温度Ｔ３以上でかつ温度Ｔ１未満の場合には、コンデンサ１の温度に対する過電流検出値の変化率は変化率δ１に設定される。コンデンサ１の温度が、温度Ｔ３よりも小さい温度Ｔ４以上でかつ温度Ｔ３未満の場合には、コンデンサ１の温度に対する過電流検出値の変化率は、変化率δ１よりも大きい変化率δ２に設定される。コンデンサ１の温度が、温度Ｔ４よりも小さい温度Ｔ５以上でかつ温度Ｔ４未満の場合には、コンデンサ１の温度に対する過電流検出値の変化率は、変化率δ２よりも大きい変化率δ３に設定される。コンデンサ１の温度が、最低動作温度保証値Ｔ２以上でかつ温度Ｔ５未満の場合には、コンデンサ１の温度に対する過電流検出値の変化率は、変化率δ３よりも大きい変化率δ４に設定される。なお、変化率δ１、変化率δ２、変化率δ３、および、変化率δ４は、正の値である。なお、温度Ｔ３、温度Ｔ４、および、温度Ｔ５は、それぞれ、特許請求の範囲の「第２の温度」の一例である。また、変化率δ１は、特許請求の範囲の「第２の変化率」の一例である。また、変化率δ２、変化率δ３、および、変化率δ４は、それぞれ、特許請求の範囲の「第１の変化率」の一例である。 Specifically, when the temperature of the capacitor 1 is equal to or higher than the temperature T3 lower than the temperature T1 and lower than the temperature T1, the rate of change of the overcurrent detection value with respect to the temperature of the capacitor 1 is set to the rate of change δ1. When the temperature of the capacitor 1 is equal to or higher than the temperature T4 lower than the temperature T3 and lower than the temperature T3, the rate of change of the overcurrent detection value with respect to the temperature of the capacitor 1 is set to the rate of change δ2 larger than the rate of change δ1. To. When the temperature of the capacitor 1 is equal to or higher than the temperature T5 lower than the temperature T4 and lower than the temperature T4, the rate of change of the overcurrent detection value with respect to the temperature of the capacitor 1 is set to the rate of change δ3 larger than the rate of change δ2. To. When the temperature of the capacitor 1 is equal to or higher than the minimum operating temperature guaranteed value T2 and lower than the temperature T5, the rate of change of the overcurrent detection value with respect to the temperature of the capacitor 1 is set to a rate of change δ4 larger than the rate of change δ3. .. The rate of change δ1, the rate of change δ2, the rate of change δ3, and the rate of change δ4 are positive values. The temperature T3, the temperature T4, and the temperature T5 are examples of the "second temperature" in the claims. Further, the rate of change δ1 is an example of the “second rate of change” in the claims. Further, the rate of change δ2, the rate of change δ3, and the rate of change δ4 are examples of the “first rate of change” in the claims, respectively.
第３実施形態のその他の構成は、上記第２実施形態と同様である。 Other configurations of the third embodiment are the same as those of the second embodiment.
（第３実施形態の効果）
第３実施形態では、以下のような効果を得ることができる。
(Effect of Third Embodiment)
In the third embodiment, the following effects can be obtained.
第３実施形態では、コンデンサ１の温度が、温度Ｔ１よりも低い温度Ｔ３（Ｔ４、Ｔ５）未満の場合には、コンデンサ１の温度に対する過電流検出値の変化率を変化率δ２（δ３、δ４）にするとともに、コンデンサ１の温度が、温度Ｔ３（Ｔ４、Ｔ５）以上でかつ温度Ｔ１よりも低い場合には、コンデンサ１の温度に対する過電流検出値の変化率を、変化率δ２（δ３、δ４）よりも小さい変化率δ１にするように、電力変換装置３００を構成する。これにより、コンデンサ１の温度に対して過電流検出値は、上に凸の関数に沿って変化するので、上記第２実施形態と同様に、過電流検出値の変化率を略一定にする場合に比べて、過電流検出値を大きくすることができる。 In the third embodiment, when the temperature of the capacitor 1 is lower than the temperature T3 (T4, T5) lower than the temperature T1, the rate of change of the overcurrent detection value with respect to the temperature of the capacitor 1 is the rate of change δ2 (δ3, δ4). ), And when the temperature of the capacitor 1 is higher than the temperature T3 (T4, T5) and lower than the temperature T1, the rate of change of the overcurrent detection value with respect to the temperature of the capacitor 1 is changed to the rate of change δ2 (δ3, δ3, The power conversion device 300 is configured so that the rate of change δ1 is smaller than δ4). As a result, the overcurrent detection value changes with respect to the temperature of the capacitor 1 along an upwardly convex function. Therefore, as in the second embodiment, when the rate of change of the overcurrent detection value is made substantially constant. The overcurrent detection value can be increased as compared with the above.
なお、第３実施形態のその他の効果は、上記第２実施形態と同様である。 The other effects of the third embodiment are the same as those of the second embodiment.
［変形例］
なお、今回開示された実施形態は、すべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は、上記した実施形態の説明ではなく特許請求の範囲によって示され、さらに特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更（変形例）が含まれる。
[Modification example]
It should be noted that the embodiments disclosed this time are exemplary in all respects and are not considered to be restrictive. The scope of the present invention is shown by the scope of claims rather than the description of the above-described embodiment, and further includes all modifications (modifications) within the meaning and scope equivalent to the scope of claims.
たとえば、上記第１実施形態では、コンデンサ１の温度が温度Ｔ１よりも低い場合において、コンデンサ１の温度が低くなるほど、過電流検出値を線形関数的に小さくする場合において、過電流検出値の変化率を略一定にする構成の例を示したが、本発明はこれに限られない。たとえば、図７に示すように、過電流検出値を階段状に小さくする場合において、過電流検出値の変化量（変化率）を略一定にする構成であってもよい。具体的には、過電流検出値は、（ＯＣ１−ＯＣ０）／５ずつ階段状に小さくなる。 For example, in the first embodiment, when the temperature of the capacitor 1 is lower than the temperature T1, the change in the overcurrent detection value when the overcurrent detection value is linearly reduced as the temperature of the capacitor 1 becomes lower. An example of a configuration in which the rate is substantially constant has been shown, but the present invention is not limited to this. For example, as shown in FIG. 7, when the overcurrent detection value is reduced stepwise, the change amount (change rate) of the overcurrent detection value may be substantially constant. Specifically, the overcurrent detection value decreases stepwise by (OC1-OC0) / 5.
また、上記第２実施形態では、過電流検出値を指数関数的に小さくする場合において、コンデンサ１の温度が低くなるほど過電流検出値の変化率を大きくする構成の例を示したが、本発明はこれに限られない。たとえば、図８に示すように、過電流検出値を階段状に小さくする場合において、コンデンサ１の温度が低くなるほど過電流検出値の変化量（変化率）を大きくする構成であってもよい。 Further, in the second embodiment, when the overcurrent detection value is exponentially reduced, an example of a configuration in which the rate of change of the overcurrent detection value increases as the temperature of the capacitor 1 decreases is shown. Is not limited to this. For example, as shown in FIG. 8, when the overcurrent detection value is reduced stepwise, the change amount (change rate) of the overcurrent detection value may be increased as the temperature of the capacitor 1 is lowered.
具体的には、コンデンサ１の温度が温度Ｔ１である場合には、過電流検出値は、ＯＣ１よりもΔ１だけ小さく設定される。コンデンサ１の温度が、温度Ｔ１よりも小さい温度Ｔ６の場合には、過電流検出値は、ＯＣ１よりもΔ１＋Δ２だけ小さく設定される。コンデンサ１の温度が、温度Ｔ６よりも小さい温度Ｔ７の場合には、過電流検出値は、ＯＣ１よりもΔ１＋Δ２＋Δ３だけ小さく設定される。コンデンサ１の温度が、温度Ｔ７よりも小さい温度Ｔ８の場合には、過電流検出値は、ＯＣ１よりもΔ１＋Δ２＋Δ３＋Δ４だけ小さく設定される。コンデンサ１の温度が、温度Ｔ８よりも小さい温度Ｔ９の場合には、過電流検出値は、ＯＣ１よりもΔ１＋Δ２＋Δ３＋Δ４＋Δ５だけ小さく設定される。コンデンサ１の温度が、温度Ｔ９よりも小さい温度Ｔ１０の場合には、過電流検出値は、ＯＣ１よりもΔ１＋Δ２＋Δ３＋Δ４＋Δ５＋Δ６だけ小さく設定される。なお、Δ１〜Δ６の大小関係はΔ１＜Δ２＜Δ３＜Δ４＜Δ５＜Δ６である。 Specifically, when the temperature of the capacitor 1 is the temperature T1, the overcurrent detection value is set to be smaller than OC1 by Δ1. When the temperature of the capacitor 1 is lower than the temperature T1, the overcurrent detection value is set to be smaller by Δ1 + Δ2 than that of OC1. When the temperature of the capacitor 1 is lower than the temperature T6, the overcurrent detection value is set to be smaller by Δ1 + Δ2 + Δ3 than that of OC1. When the temperature of the capacitor 1 is lower than the temperature T7, the overcurrent detection value is set to be smaller than that of OC1 by Δ1 + Δ2 + Δ3 + Δ4. When the temperature of the capacitor 1 is lower than the temperature T8, the overcurrent detection value is set to be smaller than that of OC1 by Δ1 + Δ2 + Δ3 + Δ4 + Δ5. When the temperature of the capacitor 1 is lower than the temperature T9, the overcurrent detection value is set to be smaller than that of OC1 by Δ1 + Δ2 + Δ3 + Δ4 + Δ5 + Δ6. The magnitude relationship of Δ1 to Δ6 is Δ1 <Δ2 <Δ3 <Δ4 <Δ5 <Δ6.
また、上記第１〜第３実施形態では、コンデンサの温度が温度Ｔ１以上である場合と、コンデンサの温度が温度Ｔ１未満である場合との両方において、共通の回路（過電流検出部６）によって過電流を検出する構成の例を示したが、本発明はこれに限られない。たとえば、図９に示すように、コンデンサの温度が温度Ｔ１以上である場合と、コンデンサの温度が温度Ｔ１未満である場合とにおいて、互いに別個の回路によって過電流を検出する構成であってもよい。 Further, in the first to third embodiments, the common circuit (overcurrent detection unit 6) is used in both the case where the temperature of the capacitor is the temperature T1 or higher and the case where the temperature of the capacitor is lower than the temperature T1. An example of a configuration for detecting an overcurrent has been shown, but the present invention is not limited to this. For example, as shown in FIG. 9, an overcurrent may be detected by circuits separate from each other when the temperature of the capacitor is T1 or higher and when the temperature of the capacitor is lower than T1. ..
具体的には、過電流検出部６（１６、２６）は、過電流検出回路６ａ（１６ａ、２６ａ）と過電流検出回路６ｂ（１６ｂ、２６ｂ）とを含む。電流制御部７（１７、２７）は、電流制御回路７ａ（１７ａ、２７ａ）と電流制御回路７ｂ（１７ｂ、２７ｂ）とを含む。電力変換装置１００（２００、３００）には、過電流検出部６（１６、２６）と電流検出回路５との間に、スイッチ１０３が設けられている。スイッチ１０３は、コンデンサ１の温度が温度Ｔ１以上である場合は、過電流検出回路６ａ（１６ａ、２６ａ）側にスイッチされ、コンデンサ１の温度が温度Ｔ１未満である場合は、過電流検出回路６ｂ（１６ｂ、２６ｂ）側にスイッチされる。
Specifically, the overcurrent detection unit 6 (16, 26) includes an
また、過電流検出回路６ａ（１６ａ、２６ａ）の過電流検出値は、ＯＣ１に固定されている。すなわち、過電流検出回路６ａ（１６ａ、２６ａ）は、温度に依存しない過電流検出値に基づいて過電流発生の有無を判定する、通常広く用いられている過電流検出回路である。また、過電流検出回路６ｂ（１６ｂ、２６ｂ）の過電流検出値は、コンデンサ１の温度が低くなるほど小さくなる。また、過電流検出回路６ｂ（１６ｂ、２６ｂ）の過電流検出値は、温度センサ８の検出結果（コンデンサ１の温度）に基づいて設定される。また、過電流検出回路６ｂ（１６ｂ、２６ｂ）の過電流検出値は、電流制御回路７ｂ（１７ｂ、２７ｂ）内において、データベースからの参照または内部演算によって算出される。
Further, the overcurrent detection value of the
また、上記第１〜第３実施形態では、温度センサ８は、コンデンサ１の表面に接触している例を示したが、本発明はこれに限られない。たとえば、温度センサ８は、コンデンサ１に内蔵されていてもよい。また、温度センサ８は、コンデンサ１の近傍の温度を検出する構成であってもよい。 Further, in the first to third embodiments, the temperature sensor 8 is in contact with the surface of the capacitor 1, but the present invention is not limited to this. For example, the temperature sensor 8 may be built in the capacitor 1. Further, the temperature sensor 8 may be configured to detect the temperature in the vicinity of the capacitor 1.
また、上記第１〜第３実施形態では、電流制御部７（１７、２７）は、外部からの、モータ１０２のトルク指令の信号または回転数指令の信号に基づいて、半導体素子部２のオンオフを制御する構成の例を示したが、本発明はこれに限られない。たとえば、電流制御部７（１７、２７）は、外部からの、モータ１０２の周波数指令に基づいて、半導体素子部２のオンオフを制御する構成であってもよい。
Further, in the first to third embodiments, the current control unit 7 (17, 27) turns on / off the
また、上記第１〜第３実施形態では、電力変換装置１００（２００、３００）に、直流電源３が設けられている構成の例を示したが、本発明はこれに限られない。たとえば、電力変換装置１００（２００、３００）に、交流電源が設けられている構成であってもよい。この場合、交流電源からの交流電流を直流電流に変換する整流器が交流電源とコンデンサ１との間に設けられる。
Further, in the first to third embodiments, an example of the configuration in which the
また、上記第１〜第３実施形態では、モータ１０２が、ＰＭモータである構成の例を示したが、本発明はこれに限られない。たとえば、モータ１０２が、ＰＭモータ以外のモータであってもよい。
Further, in the first to third embodiments, an example of the configuration in which the
また、上記第３実施形態では、過電流検出値の変化率を４段階で変化させている構成の例を示したが、本発明はこれに限られない。たとえば、過電流検出値の変化率を４段階以外で変化させてもよい。 Further, in the third embodiment, an example of a configuration in which the rate of change of the overcurrent detection value is changed in four steps is shown, but the present invention is not limited to this. For example, the rate of change of the overcurrent detection value may be changed in steps other than four steps.
また、上記第１〜第３実施形態では、説明の便宜上、本発明の制御の処理を処理フローに沿って順番に処理を行うフロー駆動型のフローチャートを用いて説明したが、本発明はこれに限られない。本発明では、制御の処理動作を、イベントごとに処理を実行するイベント駆動型（イベントドリブン型）の処理により行ってもよい。この場合、完全なイベント駆動型で行ってもよいし、イベント駆動およびフロー駆動を組み合わせて行ってもよい。 Further, in the first to third embodiments described above, for convenience of explanation, the control processing of the present invention has been described by using a flow-driven flowchart in which the processing is sequentially performed along the processing flow. Not limited. In the present invention, the control processing operation may be performed by event-driven (event-driven) processing that executes processing for each event. In this case, it may be completely event-driven, or it may be a combination of event-driven and flow-driven.
１ コンデンサ
２ 半導体素子部
６、１６、２６ 過電流検出部
１００、２００、３００ 電力変換装置
１０２ モータ（負荷）
Ｔ１ 温度（第１の温度）
Ｔ３、Ｔ４、Ｔ５ 温度（第２の温度）
δ１ 変化率（第２の変化率）
δ２、δ３、δ４ 変化率（第１の変化率）
1
T1 temperature (first temperature)
T3, T4, T5 temperature (second temperature)
δ1 rate of change (second rate of change)
δ2, δ3, δ4 rate of change (first rate of change)
Claims (9)
前記コンデンサに並列に接続されている、直流電流を交流電流に変換する半導体素子部と、
前記半導体素子部から負荷に流れる電流値が過電流検出値以上になったか否かを検出する過電流検出部と、を備え、
前記コンデンサの温度または前記コンデンサの近傍の温度が第１の温度よりも低い場合において、前記コンデンサの温度または前記コンデンサの近傍の温度が低くなるほど、前記過電流検出値を小さくするように構成されている、電力変換装置。 With a smoothing capacitor
A semiconductor element unit that converts direct current to alternating current, which is connected in parallel to the capacitor,
It is provided with an overcurrent detection unit that detects whether or not the current value flowing from the semiconductor element unit to the load exceeds the overcurrent detection value.
When the temperature of the capacitor or the temperature in the vicinity of the capacitor is lower than the first temperature, the overcurrent detection value is configured to decrease as the temperature of the capacitor or the temperature in the vicinity of the capacitor becomes lower. There is a power converter.
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