JP6758512B2 - ばね電極 - Google Patents
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- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 50
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 49
- 239000012212 insulator Substances 0.000 claims description 8
- 238000000034 method Methods 0.000 description 6
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 5
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 5
- 239000012141 concentrate Substances 0.000 description 2
- 230000002500 effect on skin Effects 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 239000000155 melt Substances 0.000 description 2
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 2
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000008016 vaporization Effects 0.000 description 1
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- H01L23/58—Structural electrical arrangements for semiconductor devices not otherwise provided for, e.g. in combination with batteries
- H01L23/64—Impedance arrangements
- H01L23/66—High-frequency adaptations
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Description
最初に、前提技術に係るばね電極101について説明する。図9は、前提技術に係るばね電極101が上部電極103および下部電極104の間に配置された状態を示す斜視図である。図10は、ばね電極101が上部電極103および下部電極104の間に配置された状態を示す正面図である。
本発明の実施の形態1について、図面を用いて以下に説明する。図1は、実施の形態1に係るばね電極1が半導体チップ10上に配置された状態を示す斜視図である。図2は、実施の形態1に係るばね電極1の斜視図である。
次に、実施の形態2に係るばね電極1Aについて説明する。図3は、実施の形態2に係るばね電極1Aの斜視図である。なお、実施の形態2において、実施の形態1で説明したものと同一の構成要素については同一符号を付して説明は省略する。
次に、実施の形態3に係るばね電極1Bについて説明する。図4は、実施の形態3に係るばね電極1Bの斜視図である。なお、実施の形態3において、実施の形態1,2で説明したものと同一の構成要素については同一符号を付して説明は省略する。
次に、実施の形態4に係るばね電極1Cについて説明する。図5は、実施の形態4に係るばね電極1Cの斜視図である。なお、実施の形態4において、実施の形態1〜3で説明したものと同一の構成要素については同一符号を付して説明は省略する。
次に、実施の形態5に係るばね電極1Dについて説明する。図6は、実施の形態5に係るばね電極1Dの斜視図である。なお、実施の形態5において、実施の形態1〜4で説明したものと同一の構成要素については同一符号を付して説明は省略する。
次に、実施の形態6に係るばね電極1Eについて説明する。図7は、実施の形態6に係るばね電極1Eが半導体チップ10上に配置された状態を示す斜視図である。図8は、ばね電極1Eの斜視図である。なお、実施の形態6において、実施の形態1〜5で説明したものと同一の構成要素については同一符号を付して説明は省略する。
Claims (7)
- 筒状の導体により構成され、かつ、側面が蛇腹状になるように径が長手方向に沿って変化する本体部(2)を備え、
前記本体部(2)は編組線により構成された、ばね電極。 - 筒状の導体により構成され、かつ、側面が蛇腹状になるように径が長手方向に沿って変化する本体部(2)を備え、
前記本体部(2)の内部に配置されたばね(4)をさらに備えた、ばね電極。 - 前記本体部(2)の内部において前記ばね(4)の上側または下側に配置された絶縁体ブロック(5)をさらに備えた、請求項2記載のばね電極。
- 筒状の導体により構成され、かつ、側面が蛇腹状になるように径が長手方向に沿って変化する本体部(2)を備え、
前記本体部(2)の内部に配置された導体ブロック(6)をさらに備えた、ばね電極。 - 前記本体部(2)の内部において前記導体ブロック(6)の上側または下側に配置されたばね(4)をさらに備えた、請求項4記載のばね電極。
- 筒状の導体により構成され、かつ、側面が蛇腹状になるように径が長手方向に沿って変化する本体部(2)を備え、
前記本体部(2)の上端または下端に配置され、かつ、半導体チップ(10)と接触可能な導体板(7)をさらに備え、
前記導体板(7)における前記半導体チップ(10)との接触面は矩形形状である、ばね電極。 - 前記導体板(7)における前記半導体チップ(10)との前記接触面の平面視輪郭は、前記半導体チップ(10)の平面視輪郭と同じである、請求項6記載のばね電極。
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
PCT/JP2017/030715 WO2019043753A1 (ja) | 2017-08-28 | 2017-08-28 | ばね電極 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPWO2019043753A1 JPWO2019043753A1 (ja) | 2019-12-12 |
JP6758512B2 true JP6758512B2 (ja) | 2020-09-23 |
Family
ID=65525167
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2019538760A Active JP6758512B2 (ja) | 2017-08-28 | 2017-08-28 | ばね電極 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US11228128B2 (ja) |
JP (1) | JP6758512B2 (ja) |
CN (1) | CN111033725B (ja) |
DE (1) | DE112017008000B4 (ja) |
WO (1) | WO2019043753A1 (ja) |
Family Cites Families (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US2927953A (en) * | 1957-01-28 | 1960-03-08 | Itt | Electrical lead conductor |
US3231795A (en) * | 1962-10-18 | 1966-01-25 | Bendix Corp | Low inductance and capacitance electrical cartridge and method of manufacture |
JPS6149448U (ja) | 1984-09-03 | 1986-04-03 | ||
US4800888A (en) * | 1987-08-17 | 1989-01-31 | Hzi Research Center Inc. | Enhanced electrode headset |
JPH05202968A (ja) * | 1992-01-23 | 1993-08-10 | Mitsubishi Electric Corp | 皿バネ固定方法 |
US5354541A (en) * | 1993-06-09 | 1994-10-11 | Louis Sali | Ozone generator |
DE19903245A1 (de) | 1999-01-27 | 2000-08-03 | Asea Brown Boveri | Leistungshalbleitermodul |
JP2002256498A (ja) * | 2001-02-26 | 2002-09-11 | Tokyo Electron Ltd | メッキ処理装置、メッキ処理方法 |
EP1263045A1 (en) | 2001-06-01 | 2002-12-04 | ABB Schweiz AG | High power semiconductor module |
AU2003236276A1 (en) * | 2002-05-17 | 2003-12-02 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Snap electrode, its bonding method and using method |
EP1475832A1 (de) * | 2003-05-05 | 2004-11-10 | ABB Technology AG | Druckkontaktierbares Leistungshalbleitermodul |
JP2005166537A (ja) * | 2003-12-04 | 2005-06-23 | Micro Precision Kk | シリコン製ばね電極および異方性導電シート |
JP5838448B2 (ja) * | 2009-08-07 | 2016-01-06 | イーメックス株式会社 | 導電性高分子複合構造体、導電性高分子複合構造体の製造方法、及び、アクチュエータ素子 |
CN111052361B (zh) * | 2017-08-31 | 2023-08-25 | 三菱电机株式会社 | 压装功率半导体模块用弹簧电极 |
-
2017
- 2017-08-28 WO PCT/JP2017/030715 patent/WO2019043753A1/ja active Application Filing
- 2017-08-28 JP JP2019538760A patent/JP6758512B2/ja active Active
- 2017-08-28 CN CN201780094157.7A patent/CN111033725B/zh active Active
- 2017-08-28 US US16/624,760 patent/US11228128B2/en active Active
- 2017-08-28 DE DE112017008000.2T patent/DE112017008000B4/de active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPWO2019043753A1 (ja) | 2019-12-12 |
DE112017008000B4 (de) | 2024-05-08 |
CN111033725A (zh) | 2020-04-17 |
CN111033725B (zh) | 2023-09-05 |
WO2019043753A1 (ja) | 2019-03-07 |
US11228128B2 (en) | 2022-01-18 |
DE112017008000T5 (de) | 2020-07-02 |
US20200412046A1 (en) | 2020-12-31 |
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Legal Events
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A621 | Written request for application examination |
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A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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R250 | Receipt of annual fees |
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