JP6743002B2 - 色安定性赤色発光蛍光体 - Google Patents

色安定性赤色発光蛍光体 Download PDF

Info

Publication number
JP6743002B2
JP6743002B2 JP2017525904A JP2017525904A JP6743002B2 JP 6743002 B2 JP6743002 B2 JP 6743002B2 JP 2017525904 A JP2017525904 A JP 2017525904A JP 2017525904 A JP2017525904 A JP 2017525904A JP 6743002 B2 JP6743002 B2 JP 6743002B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
phosphor
color
led
temperature
doped
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2017525904A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2017537999A (ja
Inventor
マーフィー,ジェームス・エドワード
ガルシア,フロレンシオ
チョウダリー,アシュファクル・イスラム
シスタ,スリニヴァス・プラサド
セトラー,アナント・アチュット
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
General Electric Co
Original Assignee
General Electric Co
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority claimed from US14/549,847 external-priority patent/US9376615B2/en
Application filed by General Electric Co filed Critical General Electric Co
Publication of JP2017537999A publication Critical patent/JP2017537999A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP6743002B2 publication Critical patent/JP6743002B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09KMATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/08Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
    • C09K11/61Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing fluorine, chlorine, bromine, iodine or unspecified halogen elements
    • C09K11/617Silicates
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09KMATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/08Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
    • C09K11/77Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals
    • C09K11/7766Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals containing two or more rare earth metals
    • C09K11/7774Aluminates
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/50Wavelength conversion elements
    • H01L33/501Wavelength conversion elements characterised by the materials, e.g. binder
    • H01L33/502Wavelength conversion materials
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05BELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B33/00Electroluminescent light sources
    • H05B33/12Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces
    • H05B33/14Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces characterised by the chemical or physical composition or the arrangement of the electroluminescent material, or by the simultaneous addition of the electroluminescent material in or onto the light source
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481Disposition
    • H01L2224/48151Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48247Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481Disposition
    • H01L2224/48151Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48257Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a die pad of the item
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/181Encapsulation
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02BCLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES RELATED TO BUILDINGS, e.g. HOUSING, HOUSE APPLIANCES OR RELATED END-USER APPLICATIONS
    • Y02B20/00Energy efficient lighting technologies, e.g. halogen lamps or gas discharge lamps

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Luminescent Compositions (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)

Description

本発明は、色安定性赤色発光蛍光体に関する。
米国特許第7358542号明細書、同第7497973号明細書及び同第7648649号明細書に記載されているようなMn4+で賦活される錯フッ化物材料に基づく赤色発光蛍光体は、YAG:Ce又は他のガーネット組成物のような黄色/緑色発光蛍光体と組合せて使用して、現行の蛍光灯、白熱灯及びハロゲンランプで得られるものと同等の暖かい白色光(黒体軌跡でのCCT<5000K、演色評価数(CRI)>80)を、青色LEDから得ることができる。こうした材料は、青色光を強く吸収し、約610〜635nmの間で効率的に発光し、深赤色/近赤外発光がほとんどない。したがって、視感度に劣る深赤色で顕著な発光を有する赤色蛍光体と比較して、照明効率が最大化される。量子効率は、青色(440〜460nm)励起下で85%を超える場合がある。
Mn4+ドープフッ化物ホストを使用した照明システムは、非常に高い効率及びCRIを有し得るが、ある潜在的な制約は、高温高湿(HTHH)条件及び高い光束下で分解し易いことである。米国特許出願公開第2014/0264418号明細書には、1.5重量%以下のマンガンを含むMn4+ドープ錯フッ化物材料の色安定性を向上させることができる方法が記載されている。しかし、さらに高レベルのマンガンを含む材料に関して、色安定性その他LEDでの使用に重要な他の特性を改善することが望まれる。
米国特許出願公開第2014/327026号明細書
簡潔には、一態様では、本発明は、Mn4+ドープ蛍光体の合成方法に関する。以下の式Iの前駆体をガス状のフッ素含有酸化剤と高温で接触で接触させて、Mn4+ドープ蛍光体を形成するが、Mnの量は総重量に基づいて約0.9重量%〜約4重量%の範囲である。
x[MFy]:Mn4+
式中、
Aは、Li、Na、K、Rb、Cs又はこれらの組合せであり、
Mは、Si、Ge、Sn、Ti、Zr、Al、Ga、In、Sc、Hf、Y、La、Nb、Ta、Bi、Gd又はこれらの組合せであり、
xは、[MFy]イオンの電荷の絶対値であり、
yは、5、6、又は7である。
別の態様では、本発明は、式Iの色安定性Mn4+ドープ蛍光体に関する。
さらに別の態様では、本発明は、4200°K以下の色温度を有し、式Iの色安定性Mn4+ドープ蛍光体からなる赤色蛍光体を含む照明装置に関する。
本発明の上記その他の特徴、態様及び利点については、添付の図面と併せて以下の詳細な説明を参照することにより、理解を深めることができるであろう。図面では、類似の文字は、図面全体にわたって類似の部分を表す。
本発明の一実施形態に係る照明装置の概略断面図である。 本発明の別の実施形態に係る照明装置の概略断面図である。 本発明のさらに別の実施形態に係る照明装置の概略断面図である。 本発明の一実施形態に係る照明装置の切欠側面斜視図である。 表面実装型デバイス(SMD)バックライトLEDの概略斜視図である。
本発明の方法では、色安定性蛍光体の非色安定性前駆体を、フッ素含有酸化剤を含む雰囲気と接触させながらアニールする、つまり高温に付す。前駆体は、式IのMn4+ドープ錯フッ化物材料である。本発明に関して、「錯フッ化物材料又は蛍光体」という用語は、リガンドとして作用するフッ化物イオンに取り囲まれ、必要に応じて対イオンで電荷補償されている1以上の配位中心を含む配位化合物を意味する。一例として、K2SiF6:Mn4+では、配位中心はSiであり、対イオンはKである。錯フッ化物は、単純な二元フッ化物の組合せとして記載されることもあるが、かかる表記は、配位中心周囲のリガンドの配位数を示すものではない。角括弧(簡略化のため省略されることもある)は、角括弧内の錯イオンが、単純なフッ化物イオンとは異なる新しい化学種であることを示す。賦活剤イオン(Mn4+)も、配位中心として作用し、ホスト格子の中心、例えばSiの一部を置換する。ホスト格子(対イオンを含む)は、賦活剤イオンの励起及び発光の特性をさらに改変する場合がある。
Mn4+ドープ前駆体中のマンガンの量は、約0.9重量%(約3.5モル%)と低くてもよい。Mn4+ドープ前駆体中のマンガンの量は、約3重量%(約12モル%)、特に約3.4重量%(約14モル%)、より具体的には約4重量%(約16.5モル%)と高くてもよい。本発明の方法を用いることによって、式Iの前駆体の発光特性を比較的高レベルのMnで維持或いはさらに改善させるできる。
特定の実施形態では、前駆体の配位中心、すなわち式IのMは、Si、Ge、Sn、Ti、Zr又はそれらの組合せである。より具体的には、配位中心は、Si、Ge、Ti又はそれらの組合せであり、対イオン、すなわち式IのAは、Na、K、Rb、Cs又はそれらの組合せであり、yは6である。式Iの前駆体の例としては、K2[SiF6]:Mn4+、K2[TiF6]:Mn4+、K2[SnF6]:Mn4+、Cs2[TiF6]:Mn4+、Rb2[TiF6]:Mn4+、Cs2[SiF6]:Mn4+、Rb2[SiF6]:Mn4+、Na2[TiF6]:Mn4+、Na2[ZrF6]:Mn4+、K3[ZrF7]:Mn4+、K3[BiF6]:Mn4+、K3[YF6]:Mn4+、K3[LaF6]:Mn4+、K3[GdF6]:Mn4+、K3[NbF7]:Mn4+、K3[TaF7]:Mn4+が挙げられる。特定の実施形態では、式Iの前駆体は、K2SiF6:Mn4+である。
前駆体をフッ素含有酸化剤と接触させる温度は、接触中、約200℃〜約700℃、特に約350℃〜約600℃の範囲内の任意の温度であり、ある実施形態では約500℃〜約600℃である。蛍光体前駆体は、色安定性蛍光体へと変換するのに十分な時間、酸化剤と接触させる。時間と温度は相互に関連しており、例えば温度を下げて時間を延ばしたり、時間を短縮して温度を上げるなど、一緒に調節することができる。特定の実施形態では、時間は1時間以上、特に4時間以上、より具体的には6時間以上、最も具体的には8時間以上である。
所望の期間にわたって高温を保持した後、初期冷却期間の場合は、酸化雰囲気を維持しながら、制御された速度で炉の温度を低下させてもよい。初期冷却期間後は、冷却速度を、同じ又は異なる速度に制御してもよいし、或いは制御しなくてもよい。ある実施形態では、冷却速度は、少なくとも200℃の温度に達するまで制御される。他の実施形態では、冷却速度は、少なくとも雰囲気をパージするのに安全な温度に達するまで制御される。例えば、温度を約50℃に低下させてから、フッ素雰囲気のパージを始めてもよい。
5℃/分以下の制御された速度で温度を下げることにより、10℃/分の速度で温度を下げた場合と比較して、優れた特性を有する蛍光体生成物を得ることができる。様々な実施形態では、速度は、5℃/分以下、特に3℃/分以下、より具体的には1℃/分以下に制御してもよい。
温度を制御された速度で低下させる期間は、接触温度及び冷却速度に関連する。例えば、接触温度が540℃であり、冷却速度が10℃/分である場合、冷却速度を制御する期間は、1時間未満であってもよく、その後は、パージ温度又は周囲温度になるまで外部制御せずに温度を下げてもよい。接触温度が540℃であり、冷却速度が5℃/分以下である場合、冷却時間は、2時間未満であってもよい。接触温度が540℃であり、冷却速度が3℃/分以下である場合、冷却時間は、3時間未満であってもよい。接触温度が540℃であり、冷却速度が1℃/分以下である場合、冷却時間は、4時間未満であってもよい。例えば、温度を制御冷却で約200℃に低下させてもよく、その後は制御を中止してもよい。制御冷却期間後、温度は、初期の制御速度よりも速い又は遅い速度で低下させてもよい。
フッ素含有酸化剤は、F2、HF、SF6、BrF5、NH4HF2、NH4F、KF、AlF3、SbF5、ClF3、BrF3、KrF、XeF2、XeF4、NF3、SiF4、PbF2、ZnF2、SnF2、CdF2又はそれらの組合せであってもよい。特定の実施形態では、フッ素含有酸化剤はF2である。雰囲気中の酸化剤の量は、色安定性蛍光体を得るために、特に時間及び温度の変化に応じて変化させてもよい。フッ素含有酸化剤がF2である場合、雰囲気は0.5%以上のF2を含んでいてもよいが、実施形態によってはこれより低い濃度が有効であることもある。特に、雰囲気は5%以上のF2、より具体的には20%以上のF2を含んでいてもよい。雰囲気は、フッ素含有酸化剤と共に、窒素、ヘリウム、ネオン、アルゴン、クリプトン、キセノンを任意の組合せでさらに含んでいてもよい。特定の実施形態では、雰囲気は、約20%のF2と約80%の窒素からなる。
前駆体をフッ素含有酸化剤と接触させる方法は重要ではなく、前駆体を所望の特性を有する色安定性蛍光体に変換するのに十分な任意の方法で達成し得る。ある実施形態では、前駆体を含むチャンバーに導入し、次いでチャンバーを加熱すると過圧が発生するようにシールしてもよいし、他の実施形態では、アニールプロセス全体にわたってフッ素と窒素の混合物を流して、均一な圧力を担保する。ある実施形態では、所定期間後に、フッ素含有酸化剤の追加量を導入してもよい。
別の態様では、本発明は、前駆体をガス状のフッ素含有酸化剤と高温で接触させて色安定性Mn4+ドープ蛍光体を形成する工程を含む方法あって、前駆体が、以下の(A)〜(H)からなる群から選択され、Mnの量が総重量に基づいて約0.5重量%〜約4重量%の範囲である方法に関する。
(A)A2[MF5]:Mn4+(式中、AはLi、Na、K、Rb、Cs及びこれらの組合せから選択され、MはAl、Ga、In及びこれらの組合せから選択される)、
(B)A3[MF6]:Mn4+(式中、AはLi、Na、K、Rb、Cs及びこれらの組合せから選択され、MはAl、Ga、In及びこれらの組合せから選択される)、
(C)Zn2[MF7]:Mn4+(式中、MはAl、Ga、In及びこれらの組合せから選択される)、
(D)A[In27]:Mn4+(式中、AはLi、Na、K、Rb、Cs及びこれらの組合せから選択される)、
(E)A2[MF6]:Mn4+(式中、AはLi、Na、K、Rb、Cs及びこれらの組合せから選択され、MはGe、Si、Sn、Ti、Zr及びこれらの組合せから選択される)、
(F)E[MF6]:Mn4+(式中、EはMg、Ca、Sr、Ba、Zn及びこれらの組合せから選択され、MはGe、Si、Sn、Ti、Zr及びこれらの組合せから選択される)、
(G)Ba0.65Zr0.352.70:Mn4+、及び
(H)A3[ZrF7]:Mn4+(式中、AはLi、Na、K、Rb、Cs及びこれらの組合せから選択される)。
Mn4+ドープ前駆体中のマンガンの量は、約0.9重量%(約2.5モル)以上、ある実施形態では1.5重量%(約6モル%)以上とすることができる。Mn4+ドープ前駆体中のマンガンの量は、約3重量%(約12モル%)以下、特に約3.4重量%(約14モル%)以下、より具体的には約4重量%(約16.5モル%)以下とすることができる。この方法のための時間、温度及びフッ素含有酸化剤は上述の通りである。
本発明に係る方法でアニールされた蛍光体の色安定性及び量子効率は、粒子状の蛍光体を、米国特許第8252613号明細書に記載のように、フッ化水素酸水溶液中の式IIの組成物の飽和溶液で処理することにより高めることができる。
x[MFy] II
蛍光体をこの溶液と接触させる温度は、約20℃〜約50℃の範囲である。色安定性蛍光体の生成に要する時間は、約1分〜約5時間、特に約5分〜約1時間の範囲である。HF水溶液中のフッ化水素酸の濃度は、約20重量/重量%〜約70重量/重量%、特に約40重量/重量%〜約70重量/重量%の範囲である。溶液の濃度がより低いと、蛍光体の収率が低下しかねない。
本明細書に記載されている数値は全て、下限と上限とが2単位以上離れている場合、1単位の増分で下限値から上限値までのすべての値を含む。一例として、成分の量、又は例えば温度、圧力及び時間等のプロセス変数の値が、例えば1〜90、好ましくは20〜80、より好ましくは30〜70であると記載されている場合、15〜85、22〜68、43〜51、30〜32等の値を明示していることが意図される。1未満の値の場合、1単位は、状況に応じて、0.0001、0.001、0.01又は0.1であるとみなされる。これらは、具体的に意図されているものの例にすぎず、記載された下限と上限との間の数値のあらゆるすべての組合せが、同様に、本願に明示的に記載されているとみなされる。
本発明の一実施形態に係る照明装置又は光放射アセンブリ又はランプ10を図1に示す照明装置10は、発光ダイオード(LED)チップ12として示される半導体放射線源と、LEDチップに電気的に取り付けられたリード14とを含む。リード14は、より厚いリードフレーム16で支持された細いワイヤであってもよいし、或いはリードは自立電極であってもよく、リードフレームは省いてもよい。リード14は、LEDチップ12に電流を供給することで、放射線を放射させる。
ランプは、そこから放射された放射線が蛍光体に向けられると白色光を生成することができる任意の半導体青色又はUV光源を含む。一実施形態では、半導体光源は、様々な不純物でドープされた青色発光LEDである。したがって、LEDは、任意の好適なIII−V、II−VI、又はIV−IV半導体層に基づき、約250〜550nmの発光波長を有する半導体ダイオードを含んでいてもよい。特に、LEDは、GaN、ZnSe又はSiCを含む1以上の半導体層を含んでいてもよい。例えば、LEDは、発光波長が約250nmを超えるが約550nm未満である式IniGajAlkN(式中、0≦i;0≦j;0≦k、及びI+j+k=1)で表される窒化物化合物半導体を含んでいてもよい。特定の実施形態では、チップは、約400〜約500nmのピーク発光波長を有する近紫外又は青色発光LEDである。かかるLED半導体は当技術分野で公知である。放射線源は、便宜上、本明細書ではLEDと記載されている。しかし、本明細書では、この用語は、例えば半導体レーザーダイオードを始めとするあらゆる半導体放射線源を包含する。さらに、本明細書に記載された本発明の例示的な構造の基本的な説明は、無機LEDに基づく光源に関するものであるが、LEDチップは、別途記載されていない限り、別の放射線源で置き換えてもよく、半導体、半導体LED又はLEDチップに関する記載は、すべて、有機発光ダイオードを始めとする適切な放射線源の代表例として述べたものにすぎない。
照明装置10では、蛍光体組成物22はLEDチップ12に放射結合される。放射結合とは、一方からの放射が他方に伝達されるように互いに関連していることを意味する。蛍光体組成物22は、任意の適切な方法でLED12上に堆積される。例えば、蛍光体の水性懸濁液を形成して、LED表面に蛍光体層として施工してもよい。かかる方法の1つでは、蛍光体粒子がランダムに懸濁したシリコーンスラリーをLEDの周りに配置される。この方法は、蛍光体組成物22及びLED12の可能な位置の例示にすぎない。したがって、LEDチップ12に蛍光体懸濁液を塗工し、乾燥させることによって、蛍光体組成物22をLEDチップ12の上又は発光面に直接塗工することができる。シリコーン系懸濁液の場合、懸濁液は適切な温度で硬化される。シェル18及び封入剤20はいずれも、白色光24がそれらを透過できるように透明でなければならない。限定を意図したものではないが、ある実施形態では、蛍光体組成物のメジアン粒径は、約1〜約50μm、特に約15〜約35μmの範囲である。
他の実施形態では、蛍光体組成物22は、LEDチップ12上に直接形成する代わりに、封入剤材料20中に分散させる。蛍光体(粉末の形態)は、封入剤材料20のある領域内、或いは封入剤材料の全体積に分散させることができる。LEDチップ12から放射される青色光は蛍光体組成物22の発する光と混合され、混合光が白色光に見える。蛍光体を封入剤20の材料中に分散させる場合、蛍光体粉末をポリマー又はシリコーン前駆体に添加し、混合物をLEDチップ12に施工し、次いで混合物を硬化させてポリマー又はシリコーン材料を固めてよい。ポリマー前駆体の例としては、熱可塑性又は熱硬化性ポリマーもしくは樹脂、例えばエポキシ樹脂が挙げられる。その他の公知の蛍光体分散法、例えばトランスファーローディング(transfer loading)を使用してもよい。
ある実施形態では、封入剤材料20は、屈折率Rを有するシリコーンマトリックスであり、蛍光体組成物22に加えて、約5%未満の吸光度及びR+0.1の屈折率を有する希釈剤材料を含む。希釈剤の屈折率は、≦1.7、特に≦1.6、より具体的には≦1.5である。特定の実施形態では、希釈剤材料は式IIのものであり、約1.4の屈折率を有する。光学的に不活性な材料を蛍光体/シリコーン混合物に添加することにより、蛍光体/封入剤混合物を通る光束の分布を緩やかにすることができ、蛍光体への損傷を低減することができる。希釈剤に適した材料には、LiF、MgF2、CaF2、SrF2、AlF3、K2NaAlF6、KMgF3、CaLiAlF6、K2LiAlF6及びK2SiF6のような約1.38(AlF3及びK2NaAlF6)〜約1.43(CaF2)の屈折率を有するフッ化物化合物、並びに約1.254〜約1.7の範囲の屈折率を有するポリマーが挙げられる。希釈剤としての使用に適したポリマーの非限定的な例としては、ポリカーボネート、ポリエステル、ナイロン、ポリエーテルイミド、ポリエーテルケトン、並びにスチレン、アクリレート、メタクリレート、ビニル、酢酸ビニル、エチレン、プロピレンオキシド及びエチレンオキシドモノマー(ハロゲン化及び非ハロゲン化誘導体も含む)から得られるポリマー及びそれらのコポリマーが挙げられる。これらのポリマー粉末は、シリコーンを硬化させる前にシリコーン封入剤に直接導入することができる。
さらに別の実施形態では、蛍光体組成物22は、LEDチップ12の上に形成される代わりに、シェル18の表面にコーティングされる。蛍光体組成物は、好ましくは、シェル18の内側表面にコーティングされるが、所望により、蛍光体は、シェルの外側表面にコーティングしてもよい。蛍光体組成物22は、シェルの表面全体又はシェルの表面の頂部のみにコーティングしてもよい。LEDチップ12から放射されるUV/青色光は、蛍光体組成物22で生成する光と混合され、混合光は白色光としてみえる。無論、蛍光体は、2又は3箇所その他の適切な位置、例えばシェルとは別個又はLEDと一体化させた位置に配置してもよい。
図2は、本発明に係るシステムの第2の構造を示す。図1〜図4の対応する符号(例えば、図1の12及び図2の112)は、別途記載しない限り、各図の対応する構造に関する。図2の実施形態の構造は、蛍光体組成物122が、LEDチップ112上に直接形成される代わりに、封入剤材料120中に分散している点を除いて、図1の構造と同様である。蛍光体(粉末の形態で)は、封入剤材料の単一領域内に、又は封入剤材料の全容積にわたって分散させることができる。LEDチップ112から放射された放射線(矢印126で示す)は、蛍光体122で生成した光と混合し、混合光は白色光124として現れる。蛍光体を封入剤材料120中に分散させる場合、蛍光体粉末をポリマー前駆体に添加し、LEDチップ112の周りに施工してもよい。次いで、ポリマー又はシリコーン前駆体を硬化させてポリマー又はシリコーンを固化させてもよい。他の公知の蛍光体分散法、例えば、トランスファー成形も使用し得る。
図3は、本発明に係るシステムの第3の可能な構造を示す。図3に示す実施形態の構造は、蛍光体組成物222が、LEDチップ212の上に形成される代わりに、外囲器218の表面にコーティングされている点を除いて、図1の構造と同様である。蛍光体組成物222は、好ましくは外囲器218の内側表面にコーティングされるが、所望により外囲器の外側表面にコーティングしてもよい。蛍光体組成物222は、外囲器の表面全体にコーティングしてもよいし、外囲器の表面の頂部のみにコーティングしてもよい。LEDチップ212から放射された放射線226は、蛍光体組成物222で生成した光と混合し、混合光は白色光224として現れる。無論、図1〜図3の構造を組合せてもよく、蛍光体は、2又は3箇所その他の適切な位置、例えば外囲器とは別個又はLEDと一体化させた位置に配置してもよい。
上記構造のいずれにおいても、ランプはまた、封入剤材料に埋め込まれた複数の散乱粒子(図示せず)を含んでいてもよい。散乱粒子は、例えば、アルミナ又はチタニアを含んでいてもよい。散乱粒子は、LEDチップから放射される指向性光を効果的に散乱するが、吸収の量は無視できる程度であるのが好ましい。
図4の第4の構造に示すように、LEDチップ412は、反射カップ430に取り付けてもよい。カップ430は、アルミナ、チタニアその他当技術分野で公知の誘電性粉末などの誘電材料で製造又はコーティングしてもよく、或いはアルミニウム又は銀のような反射金属でコーティングしてもよい。図4の実施形態の構造の残りの部分は、先の図面のいずれかの構造と同じであり、2つのリード416、導線432及び封入剤材料420を含んでいてもよい。反射カップ430は、第1のリード416に支持され、導線432は、LEDチップ412を第2のリード416と電気的に接続するために使用される。
他の構造(特に、バックライト用途のため)は、例えば図5に示すような、表面実装型デバイス(SMD)型発光ダイオード550である。このSMDは、「側面発光型」であり、導光部材554の突出部分に発光窓552を有する。SMDパッケージは、上述のLEDチップと、LEDチップから発光された光によって励起される蛍光体材料とを含んでいてもよい。他のバックライトデバイスとしては、半導体光源と、本発明に係る色安定性Mn4+ドープ蛍光体を含むディスプレイを有するテレビ、コンピュータ、スマートフォン、タブレットコンピュータその他のハンドヘルドデバイスが挙げられるが、これらに限定されない。
350〜550nmで発光するLED及び1種以上の他の適切な蛍光体と共に使用すると、得られる照明システムは白色を有する光を生成する。ランプ10はまた、封入剤材料に埋め込まれた散乱粒子(図示せず)を含んでいてもよい。散乱粒子は、例えば、アルミナ又はチタニアを含んでいてもよい。散乱粒子は、LEDチップから発光された指向性光を、好ましくは無視できる量の吸収で効果的に散乱させる。
色安定性Mn4+ドープ蛍光体に加えて、蛍光体組成物22は、1種以上の他の蛍光体を含んでいてもよい。約250〜550nmの範囲の放射線を放射する青色又は近紫外LEDと組合せた照明装置で使用される場合、アセンブリから放射させる合成光は白色光となる。緑色、青色、黄色、赤色、橙色その他の色の蛍光体のような他の蛍光体をブレンドに用いて、得られる光の白色をカスタマイズし、特定のスペクトルパワー分布を生成してもよい。蛍光体組成物22に使用するのに適した他の材料には、ポリフルオレン、好ましくはポリ(9,9−ジオクチルフルオレン)及びそのコポリマーなどのエレクトロルミネセンスポリマー、例えばポリ(9,9’−ジオクチルフルオレン−co−ビス−N,N’−(4−ブチルフェニル)ジフェニルアミン)(F8−TFB);ポリ(ビニルカルバゾール)及びポリフェニレンビニレン及びそれらの誘導体が挙げられる。また、発光層は、青色、黄色、橙色、緑色又は赤色蛍光発光色素又は金属錯体又はこれらの組合せを含んでいてもよい。りん光色素として使用するのに適した材料としては、トリス(1−フェニルイソキノリン)イリジウム(III)(赤色色素)、トリス(2−フェニルピリジン)イリジウム(緑色色素)及びイリジウム(III)ビス(2−(4,6−ジフルオロフェニル)ピリジナト−N、C2)(青色色素)が挙げられるが、これらに限定されない。市販のADS(American Dyes Source、Inc.)からの蛍光性及びりん光性金属錯体を使用してもよい。ADS緑色色素としては、ADS060GE、ADS061GE、ADS063GE、及びADS066GE、ADS078GE、及びADS090GEが挙げられる。ADS青色色素としては、ADS064BE、ADS065BE、及びADS070BEが挙げられる。ADS赤色色素としては、ADS067RE、ADS068RE、ADS069RE、ADS075RE、ADS076RE、ADS067RE、及びADS077REが挙げられる。
Mn4+ドープ蛍光体に加えて蛍光体組成物22に使用するのに適した蛍光体には、これらに限定されないが、以下のものが挙げられる。
((Sr1-z(Ca,Ba,Mg,Zn)z1-(x+w)(Li,Na,K,Rb)wCex3(Al1-ySiy)O4+y+3(x-w)1-y-3(x-w)(0<x≦0.10,0≦y≦0.5,0≦z≦0.5,0≦w≦x);
(Ca,Ce)3Sc2Si312(CaSiG);
(Sr,Ca,Ba)3Al1-xSix4+x1-x:Ce3+(SASOF));
(Ba,Sr,Ca)5(PO43(Cl,F,Br,OH):Eu2+,Mn2+;(Ba,Sr,Ca)BPO5:Eu2+,Mn2+;(Sr,Ca)10(PO46*νB23:Eu2+(0<ν≦1);Sr2Si38*2SrCl2:Eu2+;(Ca,Sr,Ba)3MgSi28:Eu2+,Mn2+;BaAl813:Eu2+;2SrO*0.84P25*0.16B23:Eu2+;(Ba,Sr,Ca)MgAl1017:Eu2+,Mn2+;(Ba,Sr,Ca)Al24:Eu2+;(Y,Gd,Lu,Sc,La)BO3:Ce3+,Tb3+;ZnS:Cu+,Cl-;ZnS:Cu+,Al3+;ZnS:Ag+,Cl-;ZnS:Ag+,Al3+;(Ba,Sr,Ca)2Si1-ξO4-2ξ:Eu2+(−0.2≦ξ≦0.2);(Ba,Sr,Ca)2(Mg,Zn)Si27:Eu2+;(Sr,Ca,Ba)(Al,Ga,In)24:Eu2+;(Y,Gd,Tb,La,Sm,Pr,Lu)3(Al,Ga)5-αO12-3/2α:Ce3+(0≦α≦0.5);(Y,Gd,Lu,Tb)3(Al,Ga)512:Ce3+;(Ca,Sr)8(Mg,Zn)(SiO44Cl2:Eu2+,Mn2+;Na2Gd227:Ce3+,Tb3+;(Sr,Ca,Ba,Mg,Zn)227:Eu2+,Mn2+;(Gd,Y,Lu,La)23:Eu3+,Bi3+;(Gd,Y,Lu,La)22S:Eu3+,Bi3+;(Gd,Y,Lu,La)VO4:Eu3+,Bi3+;(Ca,Sr)S:Eu2+,Ce3+;SrY24:Eu2+;CaLa24:Ce3+;(Ba,Sr,Ca)MgP27:Eu2+,Mn2+;(Y,Lu)2WO6:Eu3+,Mo6+;(Ba,Sr,Ca)βSiγNμ:Eu2+(2β+4γ=3μ);(Ba,Sr,Ca)2Si5-xAlx8-xx:Eu2+(0≦x≦2);Ca3(SiO4)Cl2:Eu2+;(Lu,Sc,Y,Tb)2-u-vCevCa1+uLiwMg2-ww(Si,Ge)3-w12-u/2(−0.5≦u≦1,0<v≦0.1,0≦w≦0.2);(Y,Lu,Gd)2-φCaφSi46+φC1-φ:Ce3+(0≦φ≦0.5);Eu2+及び/又はCe3+でドープした(Lu,Ca,Li,Mg,Y)α−SiAlON;(Ca,Sr,Ba)SiO22:Eu2+,Ce3+;β−SiAlON:Eu2+,3.5MgO*0.5MgF2*GeO2:Mn4+;(Sr,Ca,Ba,Mg)AlSiN3:Eu2+;(Sr,Ca,Ba)3SiO5:Eu2+;Ca1-c-fCecEufAl1+cSi1-c3(0≦c≦0.2,0≦f≦0.2);Ca1-h-rCehEurAl1-h(Mg,Zn)hSiN3(0≦h≦0.2,0≦r≦0.2);
Ca1-2s-tCes(Li,Na)sEutAlSiN3(0≦s≦0.2,0≦f≦0.2,s+t>0);及び
Ca1-σ-χ-φCeσ(Li,Na)χEuφAl1+σ-χSi1-σ+χN3(0≦σ≦0.2,0≦χ≦0.4,0≦φ≦0.2)。
特に、蛍光体組成物22は、紫外線、紫色、又は青色励起の下で緑色スペクトルパワー分布をもたらす1種以上の蛍光体を含んでいてもよい。本発明の文脈では、これは緑色蛍光体又は緑色蛍光体材料と呼ばれる。緑色蛍光体は、セリウムドープイットリウムアルミニウムガーネット、より具体的には(Y,Gd,Lu,Tb)3(Al,Ga)512:Ce3+のような緑色乃至黄緑色、黄色域の光を発光する単一の組成物又はブレンドであってもよい。緑色蛍光体はまた、ブルー及びレッドシフトしたガーネット材料のブレンドであってもよい。例えば、ブルーシフト発光を有するCe3+ドープガーネットを、レッドシフト発光を有するCe3+ドープガーネットと組合せて使用してもよく、緑色スペクトルパワー分布を有するブレンドをもたらす。ブルー及びレッドシフトしたガーネットは、当技術分野で公知である。ある実施形態では、基準Y3Al512:Ce3+蛍光体に対して、ブルーシフトガーネットは、Y3+に対してLu3+置換、Al3+に対してGa3+置換、又はY3Al512:Ce3+蛍光体組成の低いCe3+ドーピングレベルを有していてもよい。レッドシフトガーネットは、Y3+に対してGd3+/Tb3+置換又は高いCe3+ドーピングレベルを有していてもよい。
蛍光体ブレンド中の個々の蛍光体のそれぞれの比は、所望の光出力の特性に依存して変化し得る。様々な実施形態の蛍光体ブレンドにおける個々の蛍光体の相対的比率は、それらの発光がブレンドされてLED照明デバイスで使用される場合、CIE色度図上の所定のx及びy値の可視光が生成されるように調整されることができる。上述したように、好ましくは白色光が生成される。この白色光は、例えば、約0.20〜約0.55の範囲のx値と、約0.20〜約0.55の範囲のy値とを有することができる。しかし、述べたように、蛍光体組成物中の各蛍光体の正確な同一性及び量は、最終使用者の必要に応じて変えることができる。例えば、この材料は、液晶ディスプレイ(LCD)バックライト用のLEDに使用することができる。この用途では、LEDカラーポイントは、LCD/カラーフィルタの組合せを通過した後、所望の白、赤、緑、及び青の色に基づいて適切に調整される。ここで与えられるブレンドのための潜在的な蛍光体のリストは網羅的であることを意味するものではなく、これらのMn4+ドープ蛍光体は、所望のスペクトルパワー分布を達成するために異なる発光を有する様々な蛍光体とブレンドできる。
ある実施形態では、照明装置10は、4200°K以下の色温度を有し、蛍光体組成物22は、式Iの色安定性Mn4+ドープ蛍光体からなる赤色蛍光体を含む。すなわち、蛍光体組成物22に存在する赤色蛍光体のみが、色安定性Mn4+ドープ蛍光体であり;特に、蛍光体はK2SiF6:Mn4+である。組成物は、緑色蛍光体をさらに含んでいてもよい。緑色蛍光体は、Ce3+ドープガーネット又はガーネットブレンド、特にCe3+ドープイットリウムアルミニウムガーネット、より具体的には式(Y,Gd,Lu,Tb)3(Al,Ga)512:Ce3+を有するYAGであってもよい。赤色蛍光体がK2SiF6:Mn4+である場合、赤色蛍光体と緑色蛍光体材料との質量比は、3.3未満であってもよく、これは、同様の組成の赤色蛍光体よりも著しく低い場合があるが、Mnドーパントのレベルは低い。
色安定性蛍光体を組み込み、バックライト照明又は一般の照明用照明に使用されるLEDデバイスは、2000時間のデバイス動作にわたって<1.5のマクアダム楕円、特定の実施形態では、2000時間にわたって<1のマクアダム楕円の色ずれを有していてもよく、ここで蛍光体/ポリマーコンポジットは、LEDチップ表面と直接接触し、LED電力変換効率は40%より大きく、LED電流密度は2A/cm2より大きい。蛍光体/ポリマーコンポジットがLEDチップ表面と直接接触する加速試験、18%を超えるLED電力変換効率、及び70A/cm2より大きいLED電流密度では、30分にわたってLEDデバイスは<1.5のマクアダム楕円の色ずれを有していてもよい。
本発明の色安定性Mn4+ドープ蛍光体は、上記以外の用途にも使用し得る。材料は、例えば、蛍光灯、陰極線管、プラズマディスプレイデバイス、液晶ディスプレイ(LCD)の蛍光体として使用し得る。この材料はまた、電磁カロリメータ、ガンマ線カメラ、コンピュータ断層撮影スキャナ又はレーザのシンチレータとして使用することもできる。これらの用途は単なる例示であり、限定するものではない。
基本手順
シリコーンテープ試料調製
試料は、500mgの被験材料を1.50gのシリコーン(Sylgard 184)と混合することによって調製した。混合物を真空チャンバ内で約15分間脱気した。混合物(0.70g)を円盤状テンプレート(直径28.7mm、厚さ0.79mm)に注ぎ、90℃で30分間ベークした。試験のために試料を約5mm×5mmの大きさの四角形にカットした。
安定性試験
高光束条件
446nmで発光するレーザダイオードを他端にコリメータを有する光ファイバーに接続した。出力は310mWであり、試料でのビーム直径は700μmであった。これは、試料表面のフラックス80W/cm2に相当する。レーザからの散乱放射線及び励起蛍光体からの発光の組合せであるスペクトルパワー分布(SPD)スペクトルを、1メートル(直径)の積分球で集め、データを分光計ソフトウェア(Specwin)で処理する。2分間隔で、SPDを400nm〜500nm及び550nm〜700nmまで積算することによって、レーザからの積算出力及び蛍光体発光を約21時間にわたって記録した。測定の最初の90分間は、レーザの熱安定化による影響を避けるために破棄される。レーザ損傷による強度損失のパーセンテージは、以下のように計算される。
蛍光体の発光出力のみをプロットするが、レーザー放射の積算出力並びにそのピーク位置をモニターして、レーザーが実験中に安定していた(1%未満の変動)ことを確認した。
高温高湿(HHTH)処理
高温高湿(HTHH)処理のための試料は、0.825gのシリコーン(パートA+B)に対して0.9gの蛍光体の比率で蛍光体粉末を二液型メチルシリコーン結合剤(RTV−615、Momentive Performance Materials))と混合することによって製造した。次いで、蛍光体/シリコーン混合物をアルミニウム試料ホルダに注ぎ、90℃で20分間硬化させる。対照試料を窒素下で貯蔵し、HTHH条件に付す試料を85℃/85%RH制御雰囲気チャンバに入れた。これらのHTHH試料は定期的に取り出し、450nm励起下での発光強度を対照試料と比較した。
相対輝度
25重量%の蛍光体、幅1.25インチ及び厚さ1/32インチの蛍光体テープを上記手順に従って調製する。テープは、LEDから約1/2”離れた積分球内に配置され、反射率の高いフィルムでコーティングされた円筒形のスペーサによって所定の位置に保持される。ShinEtsu Chemicalsから入手した0.7重量%のMnを含有する市販のK2SiF6:Mn4+材料を含む参照試料の発光に対して積分し、規格化して、550nm〜700nmの範囲の波長で発光強度を測定した。
実施例1〜4
マンガンレベル0.91重量%〜1.19重量%のK 2 SiF 6 :Mn 4+ の調製
ビーカA〜Dの出発物質の量及び分布を表1に示す。実施例4については、アセトン5mLをビーカBにも添加した。手順:ビーカAを激しく撹拌し、ビーカBの内容物を30秒間75mL/分の速度、次いで反応の残りは60mL/分の速度で滴下した。ビーカBの内容物を添加し始めてから20秒後にビーカDの内容物をビーカAに13mL/分の速度で滴下した。ビーカCの内容物を、ビーカBの内容物を添加し始めてから30秒後に13mL/分の速度でビーカAに滴下した。沈殿を5分間消化し、撹拌を停止した。上清をデカントし、沈殿を真空濾過し、酢酸で1回、アセトンで2回すすぎ、次いで真空下で乾燥させた。乾燥した粉末を44μmメッシュで篩い分け、20%F2下、540℃で8時間アニールした。アニールした蛍光体を、K2SiF6で飽和した49%HF溶液中で洗浄し、真空下で乾燥させ、篩い分けした。
蛍光体に組み込まれたマンガンの量は、誘導結合プラズマ質量分析法(ICP−MS)によって測定されたが、蛍光体材料の総重量に基づいて重量%として報告されている。
試料は、レーザ損傷、量子効率(ShinEtsu Chemicalsから入手した市販のK2SiF6:Mn4+を含む0.7重量%Mnを含む参照材料のQEの値を100%に設定した相対的なQEとして記載)及び450nmでの吸光度について評価した。結果を表2に示す。市販の対照と比較して、レーザ損傷は低く、QE及び吸光度は高かったことが分かる。
比較例1
材料の総重量に基づいて0.84重量%のMnを含むMnドープフルオロケイ酸カリウムを、20%F2/80%N2を含む雰囲気下、10psiaで8時間、540℃の炉中でアニールした。アニールした蛍光体を、K2SiF6で飽和した49%HF溶液中で洗浄し、真空下で乾燥させ、篩い分けした。蛍光体及びアニールされていない未処理市販試料を、高い光束の条件下で試験した。結果を表3に示す。
実施例5〜6
マンガン0.9重量%及び1.25重量%を含むK 2 SiF 6 :Mn 4+ の特性
Mnドープフルオロケイ酸カリウム材料を調製し、実施例1〜4と同様に処理した。処理前及び処理後の量子効率及び減衰時間を測定し、重量%MnをICP−MSで測定した。結果を表4に示す。高Mn試料の量子効率が向上し、濃度消光の開始/効果が減少したことが分かる。QEの向上は、少なくともMnレベルが低い場合に観察される向上よりも格段に大きい。例えば、0.84重量%のMnを有する比較例1の蛍光体のQEは、100(相対)から107(相対)まで約7%増加したが、表4に示す増加は、0.9重量%のMnを含有する試料について約15%、及び1.25重量%のMnを含む試料については約20%である。
比較例2
窒素(80%)及びフッ素(20%)雰囲気下、10psiaの炉内に0.70%のマンガン含有量(誘導結合プラズマで測定)として市販のK2SiF6:Mn4+蛍光体を入れ、540℃で8時間加熱した。8時間後、温度を10℃/分の速度で低下させた。アニールした蛍光体を、K2SiF6で飽和した49%HF溶液中で洗浄し、真空下で乾燥させ、篩い分けした。
実施例7
アニール後の徐冷
マンガン含有量が0.70%(誘導結合プラズマで測定)の市販のK2SiF6:Mn4+蛍光体を窒素(80%)及びフッ素(20%)雰囲気下、10psiaで炉に入れ、540℃で8時間加熱した。8時間後、1℃/分の速度で温度を下げた。アニールした蛍光体を、K2SiF6で飽和した49%HF溶液中で洗浄し、真空下で乾燥させ、篩い分けした。
比較例2及び実施例7の蛍光体の安定性を評価し、0.70%のマンガン含有量を有する未処理の市販の対照と比較した。アニールは安定性を向上し、徐冷を使用することは%強度損失をさらに減少させた。
実施例8〜23
マンガンレベル1.1重量%〜5.3重量%の範囲のK 2 SiF 6 :Mn 4+
比較例3〜5
マンガンレベルが0.52重量%〜0.79重量%の範囲のK2SiF6:Mn4+
原料の量をより高いレベルのマンガンに従って調整したことを除いて、Mnドープフルオロケイ酸カリウム材料を調製し、実施例1〜4のように後処理した。相対量子効率、発光減衰寿命及び輝度を、後処理前後の製品について測定した。結果を表5に示す。
未処理試料は、濃度消光のため1%を超えるMn4+濃度で相対QEが90%未満であった。QEが高いままである範囲は、後処理によって少なくとも3重量%まで拡大し、寿命は3.4重量%まで8.4ミリ秒を超えた。後処理で得られる特性の有意な改善は、約4重量%まで及んだ。
実施例24
色温度3000°KのK 2 SiF 6 :Mn 4+ ブレンド
実施例2、3及び10のMnドープフルオロケイ酸カリウム材料をYAGとブレンドし、テープを調製して、色温度3000°Kの光を発光させた。ブレンドの組成を表6に示す。
低いMn濃度の低い材料と比較して、Mn濃度の高い赤色蛍光体材料の使用量が格段に少なかったことが分かる。
本明細書では本発明の特定の特徴について例示・説明してきたが、多くの改変及び変更は当業者には自明であろう。したがって、添付の特許請求の範囲には、本発明の技術的思想に属するあらゆる改変及び変更が包含される。

Claims (6)

  1. 色安定性Mn4+ドープ蛍光体の合成方法であって、500℃〜600℃の範囲の高温で式Iの前駆体をガス状のフッ素含有酸化剤と接触させて、色安定性Mn4+ドープ蛍光体を形成する工程を含み、Mnの量が総重量に基づいて0.5重量%〜4重量%の範囲である、方法。
    Ax[MFy]:Mn4+
    式中、AはLi、Na、K、Rb、Cs、又はそれらの組合せであり、
    MはSi、Ge、Sn、Ti、Zr、Al、Ga、In、Sc、Hf、Y、La、Nb、Ta、Bi、Gd、又はこれらの組合せであり、
    xは[MFy]イオンの電荷の絶対値であり、
    yは5、6又は7であり、
    方法は、さらに、前記高温での接触後、冷却速度を5℃/分以下に制御する工程を含む。
  2. Mnの量が0.9重量%〜4重量%の範囲である、請求項1記載の方法。
  3. Mnの量が0.9重量%〜3.4重量%の範囲である、請求項1記載の方法。
  4. Mnの量が0.9重量%〜3.0重量%の範囲である、請求項1記載の方法。
  5. 色安定性Mn4+ドープ蛍光体がK2SiF6:Mn4+である、請求項1記載の方法。
  6. フッ素含有酸化剤がF2である、請求項1記載の方法。
JP2017525904A 2014-11-21 2015-11-16 色安定性赤色発光蛍光体 Active JP6743002B2 (ja)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US14/549,847 US9376615B2 (en) 2014-06-12 2014-11-21 Color stable red-emitting phosphors
US14/549,847 2014-11-21
PCT/US2015/060806 WO2016081340A1 (en) 2014-11-21 2015-11-16 Color stable red-emitting phosphors

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2017537999A JP2017537999A (ja) 2017-12-21
JP6743002B2 true JP6743002B2 (ja) 2020-08-19

Family

ID=54609020

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2017525904A Active JP6743002B2 (ja) 2014-11-21 2015-11-16 色安定性赤色発光蛍光体

Country Status (11)

Country Link
EP (1) EP3221423B1 (ja)
JP (1) JP6743002B2 (ja)
KR (1) KR102542749B1 (ja)
CN (1) CN107075368B (ja)
AU (1) AU2015350281B2 (ja)
BR (1) BR112017008966A2 (ja)
CA (1) CA2967642C (ja)
MX (1) MX2017006661A (ja)
MY (1) MY183618A (ja)
TW (1) TWI684639B (ja)
WO (1) WO2016081340A1 (ja)

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP3347924A4 (en) * 2015-09-10 2019-04-10 Intematix Corporation PHOSPHORK-CONVERTED WHITE LIGHT-EMITTING DEVICES AND PHOTOLUMINESCENCE COMPOUNDS FOR GENERAL ILLUMINATION AND BACKLIGHTING OF DISPLAYS
US11901492B2 (en) 2015-09-10 2024-02-13 Intematix Corporation High color rendering white light emitting devices and high color rendering photoluminescence compositions
US9929321B2 (en) * 2016-08-04 2018-03-27 Kabushiki Kaisha Toshiba Phosphor, producing method thereof and light-emitting device employing the phosphor
US10193030B2 (en) * 2016-08-08 2019-01-29 General Electric Company Composite materials having red emitting phosphors
JP6821133B2 (ja) 2018-12-20 2021-01-27 日亜化学工業株式会社 フッ化物蛍光体の製造方法
WO2022051302A1 (en) * 2020-09-01 2022-03-10 General Electric Company Devices compatible with night vision equipment

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7648649B2 (en) * 2005-02-02 2010-01-19 Lumination Llc Red line emitting phosphors for use in led applications
US7358542B2 (en) 2005-02-02 2008-04-15 Lumination Llc Red emitting phosphor materials for use in LED and LCD applications
US7497973B2 (en) 2005-02-02 2009-03-03 Lumination Llc Red line emitting phosphor materials for use in LED applications
US8252613B1 (en) * 2011-03-23 2012-08-28 General Electric Company Color stable manganese-doped phosphors
US9698314B2 (en) * 2013-03-15 2017-07-04 General Electric Company Color stable red-emitting phosphors
US9385282B2 (en) * 2014-06-12 2016-07-05 General Electric Company Color stable red-emitting phosphors

Also Published As

Publication number Publication date
EP3221423B1 (en) 2019-08-21
KR20170086065A (ko) 2017-07-25
BR112017008966A2 (pt) 2017-12-26
CN107075368A (zh) 2017-08-18
EP3221423A1 (en) 2017-09-27
CN107075368B (zh) 2020-06-16
TWI684639B (zh) 2020-02-11
JP2017537999A (ja) 2017-12-21
AU2015350281B2 (en) 2019-10-17
WO2016081340A1 (en) 2016-05-26
CA2967642A1 (en) 2016-05-26
TW201627472A (zh) 2016-08-01
KR102542749B1 (ko) 2023-06-12
AU2015350281A1 (en) 2017-06-01
MY183618A (en) 2021-03-03
MX2017006661A (es) 2017-10-04
CA2967642C (en) 2023-03-07

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR102461561B1 (ko) 색 안정한 적색 발광 인광체
JP6671302B2 (ja) 色安定赤色発光蛍光体
JP6694398B2 (ja) 色安定性赤色発光蛍光体
JP2020105066A (ja) 赤色発光蛍光体、関連方法及び装置
JP6743002B2 (ja) 色安定性赤色発光蛍光体
US20170145304A1 (en) Color stable red-emitting phosphors
JP6704001B2 (ja) Mnドープされたフッ化物燐光体を製造するための方法
JP6671304B2 (ja) 赤色発光蛍光体及びその関連装置
KR102566664B1 (ko) 적색 발광 인광체를 지닌 코어-쉘형 물질
US9376615B2 (en) Color stable red-emitting phosphors
TW201915143A (zh) 帶有發紅光的磷光體之核-殼型材料

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20181108

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20190723

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20190820

RD12 Notification of acceptance of power of sub attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7432

Effective date: 20190910

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821

Effective date: 20190911

A601 Written request for extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601

Effective date: 20191108

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20200217

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20200703

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20200729

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 6743002

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250