JP6740346B2 - Adhesive film for semiconductor wafer processing - Google Patents
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Description
本発明は、半導体ウェハ加工用粘着性フィルムに関する。 The present invention relates to an adhesive film for semiconductor wafer processing.
半導体装置の製造工程の中で、半導体ウェハを研削や切断する工程においては、半導体ウェハを固定したり、半導体ウェハの損傷を防止したりするために、半導体ウェハに粘着性フィルムが貼り付けられる。
このような粘着性フィルムには、一般的に、基材フィルムに紫外線硬化型の粘着性樹脂層を積層させたフィルムが用いられている。この粘着性フィルムは紫外線を照射することで、粘着性樹脂層が架橋して粘着性樹脂層の粘着力が低下するため、半導体ウェハから粘着性フィルムを容易に剥離することができる。In a process of grinding or cutting a semiconductor wafer in a manufacturing process of a semiconductor device, an adhesive film is attached to the semiconductor wafer in order to fix the semiconductor wafer and prevent damage to the semiconductor wafer.
As such an adhesive film, a film obtained by laminating a UV curable adhesive resin layer on a base film is generally used. When this adhesive film is irradiated with ultraviolet rays, the adhesive resin layer is crosslinked and the adhesive force of the adhesive resin layer is reduced, so that the adhesive film can be easily peeled from the semiconductor wafer.
一方で、このような粘着性フィルムを用いた半導体装置の製造工程では、半導体ウェハから粘着性フィルムを剥離する際に剥離帯電と呼ばれる静電気が発生してしまう場合があった。このようにして生じた静電気によって半導体ウェハに形成した回路が破壊されたり（静電破壊）、半導体ウェハに形成した回路へ埃等の異物が付着してしまったりする場合があった。
特に、近年の半導体ウェハの高密度化・配線の狭ピッチ化に伴って、半導体ウェハはこれまで以上に静電気による影響を受けやすくなってきている傾向にある。
こうした事情に鑑みて、近年、半導体装置の製造工程において半導体ウェハの固定や損傷の防止のために使用する粘着性フィルムについても、帯電防止性能をさらに向上させることが要求されている。On the other hand, in a manufacturing process of a semiconductor device using such an adhesive film, static electricity called peeling charge may be generated when the adhesive film is peeled off from a semiconductor wafer. The static electricity generated in this way may destroy the circuit formed on the semiconductor wafer (electrostatic breakdown), or foreign matter such as dust may adhere to the circuit formed on the semiconductor wafer.
In particular, with the recent increase in the density of semiconductor wafers and the narrower pitch of wiring, semiconductor wafers are more likely to be affected by static electricity than ever.
In view of such circumstances, in recent years, it has been required to further improve the antistatic performance of the adhesive film used for fixing the semiconductor wafer and preventing damage in the manufacturing process of the semiconductor device.
このような半導体ウェハ加工用粘着性フィルムに関する技術としては、例えば、特許文献１（特開２０１１−２１０９４４号公報）に記載のものが挙げられる。 As a technique relating to such a pressure-sensitive adhesive film for processing a semiconductor wafer, for example, a technique described in Patent Document 1 (JP 2011-210944 A) can be mentioned.
特許文献１には、基材フィルムと光硬化型の粘着剤層から構成される粘着テープであって、上記基材フィルムの少なくとも片面に導電性高分子を含有する帯電防止層、上記帯電防止層上にベースポリマーの分子内に光硬化性不飽和炭素結合を含有する粘着剤層を有し、紫外線硬化前後の上記粘着剤層側の表面抵抗率が１×１０６〜５×１０１２Ω／□であり、粘着剤層の厚みが２０〜２５０μｍであり、粘着テープをシリコンミラーウェハに貼合した場合の粘着剤層の紫外線硬化後の９０度引き剥がし粘着力（ＪＩＳ Ｚ ０２３７に準拠；剥離速度は５０ｍｍ／ｍｉｎ）が、０．１５〜０．２５Ｎ／２５ｍｍであることを特徴とする帯電防止性半導体加工用粘着テープが記載されている。Patent Document 1 discloses an adhesive tape composed of a base film and a photocurable adhesive layer, wherein the base film has an antistatic layer containing a conductive polymer on at least one side thereof, and the antistatic layer is It has a pressure-sensitive adhesive layer containing a photocurable unsaturated carbon bond in the molecule of the base polymer, and the surface resistivity on the pressure-sensitive adhesive layer side before and after UV curing is 1×10 6 to 5×10 12 Ω/ □, the pressure-sensitive adhesive layer has a thickness of 20 to 250 μm, and the pressure-sensitive adhesive layer has 90-degree peeling after UV curing when the pressure-sensitive adhesive tape is attached to a silicon mirror wafer (according to JIS Z 0237; peeling). The speed is 50 mm/min), and the antistatic semiconductor processing adhesive tape is described, which is characterized by being 0.15 to 0.25 N/25 mm.
上記背景技術の項に前述したように、近年、半導体ウェハ加工用粘着性フィルムの静電気対策という観点について要求される技術水準は、ますます高くなっている。
本発明者らの検討によれば、特許文献１に記載されているような、基材フィルムと帯電防止層と粘着剤層とがこの順番に積層された粘着性フィルムにおいて、帯電防止性が十分に満足するものではないことが明らかになった。
より具体的には、特許文献１に記載されているような粘着性フィルムは、紫外線硬化後に粘着剤層の飽和帯電圧が大幅に増加し、帯電防止性が大きく悪化してしまうことが明らかになった。As described above in the section of the background art, in recent years, the technical level required in terms of countermeasures against static electricity of the adhesive film for semiconductor wafer processing has become higher and higher.
According to the study by the present inventors, in an adhesive film in which a base film, an antistatic layer and an adhesive layer are laminated in this order as described in Patent Document 1, the antistatic property is sufficient. It became clear that was not satisfied with.
More specifically, it is apparent that the adhesive film as described in Patent Document 1 has a large increase in the saturation electrification voltage of the adhesive layer after UV curing, and the antistatic property is greatly deteriorated. became.
本発明は上記事情に鑑みてなされたものであり、紫外線硬化後の帯電防止性に優れ、半導体ウェハから剥離する際に発生する静電気の量を抑制でき、品質に優れた半導体部品を安定的に得ることが可能な半導体ウェハ加工用粘着性フィルムを提供するものである。 The present invention has been made in view of the above circumstances, is excellent in antistatic properties after ultraviolet curing, can suppress the amount of static electricity generated when peeled from the semiconductor wafer, stable semiconductor components excellent in quality It is intended to provide an obtainable adhesive film for processing a semiconductor wafer.
本発明者らは、上記課題を達成するために鋭意検討を重ねた。その結果、基材層と、帯電防止層と、粘着性樹脂層と、をこの順番に備える粘着性フィルムにおいて、粘着性樹脂層にイオン伝導性添加剤を添加することにより、紫外線硬化後の粘着性フィルムの飽和帯電圧の上昇を抑制できることを見出して、本発明を完成させた。 The present inventors have earnestly studied to achieve the above object. As a result, in a pressure-sensitive adhesive film including a base material layer, an antistatic layer, and an adhesive resin layer in this order, by adding an ion conductive additive to the adhesive resin layer, adhesion after ultraviolet curing The present invention has been completed by finding that it is possible to suppress an increase in the saturation electrification voltage of a conductive film.
本発明によれば、以下に示す半導体ウェハ加工用粘着性フィルムが提供される。 According to the present invention, the following adhesive film for semiconductor wafer processing is provided.
［１］
半導体ウェハの表面を保護または半導体ウェハを固定するために用いられる粘着性フィルムであって、
基材層と、帯電防止層と、粘着性樹脂層と、をこの順番に備え、
上記粘着性樹脂層がイオン伝導性添加剤を含む半導体ウェハ加工用粘着性フィルム。
［２］
上記［１］に記載の半導体ウェハ加工用粘着性フィルムにおいて、
上記粘着性樹脂層は紫外線硬化型粘着性樹脂を含む半導体ウェハ加工用粘着性フィルム。
［３］
上記［２］に記載の半導体ウェハ加工用粘着性フィルムにおいて、
上記粘着性樹脂層における上記イオン伝導性添加剤の含有量が、上記紫外線硬化型粘着性樹脂１００質量部に対し、０．０１質量部以上１０質量部以下である半導体ウェハ加工用粘着性フィルム。
［４］
上記［１］乃至［３］いずれか一つに記載の半導体ウェハ加工用粘着性フィルムにおいて、
上記イオン伝導性添加剤はカチオン性界面活性剤、アニオン性界面活性剤、ノニオン性界面活性剤、両性界面活性剤、およびイオン液体から選択される一種または二種以上を含む半導体ウェハ加工用粘着性フィルム。
［５］
上記［１］乃至［４］いずれか一つに記載の半導体ウェハ加工用粘着性フィルムにおいて、
上記粘着性樹脂層の厚みが５μｍ以上５５０μｍ以下である半導体ウェハ加工用粘着性フィルム。
［６］
上記［１］乃至［５］いずれか一つに記載の半導体ウェハ加工用粘着性フィルムにおいて、
バックグラインドテープである半導体ウェハ加工用粘着性フィルム。
［７］
上記［１］乃至［６］いずれか一つに記載の半導体ウェハ加工用粘着性フィルムにおいて、
上記帯電防止層は導電性高分子を含む半導体ウェハ加工用粘着性フィルム。
［８］
上記［１］乃至［７］いずれか一つに記載の半導体ウェハ加工用粘着性フィルムにおいて、
上記基材層と上記帯電防止層との間に凹凸吸収性樹脂層をさらに備える半導体ウェハ加工用粘着性フィルム。
［９］
上記［１］乃至［８］いずれか一つに記載の半導体ウェハ加工用粘着性フィルムにおいて、
下記の方法で測定される、紫外線硬化後の上記粘着性樹脂層表面の飽和帯電圧Ｖ１が１．０ｋＶ以下である半導体ウェハ加工用粘着性フィルム。
（方法）
上記粘着性樹脂層に対し、２５℃の環境下で高圧水銀ランプを用いて主波長３６５ｎｍの紫外線を照射強度１００ｍＷ／ｃｍ２で紫外線量１０８０ｍＪ／ｃｍ２照射して上記粘着性樹脂層を光硬化させる。次いで、印加電圧１０ｋＶ、試料と電極との距離２０ｍｍ、２５℃、５０％ＲＨの条件下で上記粘着性樹脂層の表面に電圧の印加を３０秒おこない、ＪＩＳ Ｌ１０９４に準じて上記粘着性樹脂層の表面の飽和帯電圧（Ｖ１）を算出する。
［１０］
上記［１］乃至［９］いずれか一つに記載の半導体ウェハ加工用粘着性フィルムにおいて、
下記の方法で測定される、紫外線硬化後の上記粘着性樹脂層の表面のタック力が０．１Ｎ／ｃｍ２以下である半導体ウェハ加工用粘着性フィルム。
（方法）
上記粘着性フィルムの上記粘着性樹脂層をポリイミドフィルムに貼合し、２５℃の環境下で上記粘着性フィルムの上記基材層側から高圧水銀ランプを用いて主波長３６５ｎｍの紫外線を照射強度１００ｍＷ／ｃｍ２で紫外線量１０８０ｍＪ／ｃｍ２照射して上記粘着性樹脂層を光硬化させる。次いで、上記ポリイミドフィルムを上記粘着性フィルムから剥離し、測定装置としてプローブタックテスターを用いて、直径５ｍｍのプローブと上記粘着性樹脂層の表面とを１０ｍｍ／秒の速度で接触させ、０．９８Ｎ／ｃｍ２の接触荷重で１０秒間接触させた後、１０ｍｍ／秒の速度で上記プローブを上記粘着性樹脂層の表面から垂直方向に剥離する方法で上記粘着性樹脂層の表面のタック力を測定する。[1]
An adhesive film used for protecting the surface of a semiconductor wafer or fixing a semiconductor wafer,
A base material layer, an antistatic layer, and an adhesive resin layer are provided in this order,
An adhesive film for semiconductor wafer processing, wherein the adhesive resin layer contains an ion conductive additive.
[2]
In the adhesive film for semiconductor wafer processing according to the above [1],
The adhesive resin layer is an adhesive film for semiconductor wafer processing, which contains an ultraviolet curable adhesive resin.
[3]
In the adhesive film for semiconductor wafer processing according to the above [2],
The adhesive film for semiconductor wafer processing, wherein the content of the ion conductive additive in the adhesive resin layer is 0.01 parts by mass or more and 10 parts by mass or less based on 100 parts by mass of the ultraviolet curable adhesive resin.
[4]
In the adhesive film for semiconductor wafer processing according to any one of [1] to [3] above,
The above-mentioned ion conductive additive contains a cationic surfactant, an anionic surfactant, a nonionic surfactant, an amphoteric surfactant, and an adhesive for semiconductor wafer processing containing one or more selected from ionic liquids. the film.
[5]
In the adhesive film for semiconductor wafer processing according to any one of [1] to [4] above,
An adhesive film for semiconductor wafer processing, wherein the adhesive resin layer has a thickness of 5 μm or more and 550 μm or less.
[6]
In the adhesive film for semiconductor wafer processing according to any one of [1] to [5] above,
An adhesive film for semiconductor wafer processing that is a back-grinding tape.
[7]
In the adhesive film for semiconductor wafer processing according to any one of [1] to [6] above,
The antistatic layer is an adhesive film for processing a semiconductor wafer, which contains a conductive polymer.
[8]
In the adhesive film for semiconductor wafer processing according to any one of [1] to [7] above,
A pressure-sensitive adhesive film for semiconductor wafer processing, further comprising an unevenness-absorbing resin layer between the base material layer and the antistatic layer.
[9]
In the adhesive film for semiconductor wafer processing according to any one of [1] to [8] above,
An adhesive film for semiconductor wafer processing, which has a saturation electrification voltage V 1 of 1.0 kV or less on the surface of the adhesive resin layer after ultraviolet curing, which is measured by the following method.
(Method)
The pressure-sensitive adhesive resin layer is irradiated with ultraviolet rays having a main wavelength of 365 nm at a radiation intensity of 100 mW/cm 2 and an ultraviolet ray amount of 1080 mJ/cm 2 using a high-pressure mercury lamp in an environment of 25° C. to photo-cur the pressure-sensitive adhesive resin layer. Let Then, a voltage is applied to the surface of the adhesive resin layer for 30 seconds under the conditions of an applied voltage of 10 kV, a distance between a sample and an electrode of 20 mm, 25° C., and 50% RH, and the adhesive resin layer is compliant with JIS L1094. Saturation charge voltage (V 1 ) on the surface of is calculated.
[10]
In the adhesive film for semiconductor wafer processing according to any one of [1] to [9] above,
An adhesive film for semiconductor wafer processing, wherein the tackiness of the surface of the adhesive resin layer after ultraviolet curing, which is measured by the following method, is 0.1 N/cm 2 or less.
(Method)
The pressure-sensitive adhesive resin layer of the pressure-sensitive adhesive film is bonded to a polyimide film, and an ultraviolet ray having a main wavelength of 365 nm is irradiated from the base material layer side of the pressure-sensitive adhesive film with a high-pressure mercury lamp at an intensity of 100 mW in an environment of 25° C. / cm 2 UV dose 1080MJ / cm 2 irradiated to photocuring the adhesive resin layer. Next, the polyimide film was peeled from the adhesive film, and a probe having a diameter of 5 mm was brought into contact with the surface of the adhesive resin layer at a speed of 10 mm/second by using a probe tack tester as a measuring device to obtain 0.98N. The tack force on the surface of the adhesive resin layer is measured by a method of peeling the probe in the vertical direction from the surface of the adhesive resin layer at a speed of 10 mm/second after contacting for 10 seconds with a contact load of /cm 2 To do.
本発明によれば、紫外線硬化後の帯電防止性に優れ、半導体ウェハから剥離する際に発生する静電気の量を抑制でき、品質に優れた半導体部品を安定的に得ることが可能な半導体ウェハ加工用粘着性フィルムを提供することができる。 ADVANTAGE OF THE INVENTION According to this invention, the semiconductor wafer processing which is excellent in the antistatic property after ultraviolet curing, can suppress the amount of static electricity generated at the time of peeling from a semiconductor wafer, and can obtain the semiconductor component excellent in quality stably. An adhesive film for use can be provided.
上述した目的、およびその他の目的、特徴および利点は、以下に述べる好適な実施の形態、およびそれに付随する以下の図面によってさらに明らかになる。 The above-described object, other objects, features and advantages will be further clarified by the preferred embodiments described below and the accompanying drawings.
以下、本発明の実施形態について、図面を用いて説明する。なお、すべての図面において、同様な構成要素には共通の符号を付し、適宜説明を省略する。また、図は概略図であり、実際の寸法比率とは一致していない。なお、数値範囲の「Ａ〜Ｂ」は特に断りがなければ、Ａ以上Ｂ以下を表す。また、本実施形態において、「（メタ）アクリル」とは、アクリル、メタクリルまたはアクリルおよびメタクリルの両方を意味する。 Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings. In all the drawings, the same reference numerals are given to the same components, and the description will be appropriately omitted. Moreover, the figure is a schematic view and does not match the actual dimensional ratio. Note that “A to B” in the numerical range represents A or more and B or less unless otherwise specified. Moreover, in this embodiment, "(meth)acryl" means acryl, methacryl, or both acryl and methacryl.
図１および２は、本発明に係る実施形態の半導体ウェハ加工用粘着性フィルム１００の構造の一例を模式的に示した断面図である。
図１に示すように、本実施形態に係る半導体ウェハ加工用粘着性フィルム１００（以下、「粘着性フィルム１００」とも示す。）は、基材層１０と、帯電防止層３０と、粘着性樹脂層４０と、をこの順番に備え、半導体ウェハの表面を保護または半導体ウェハを固定するために用いられるものである。そして、粘着性樹脂層４０がイオン伝導性添加剤を含んでいる。1 and 2 are cross-sectional views schematically showing an example of the structure of an
As shown in FIG. 1, an
上述したように、近年、半導体ウェハ加工用粘着性フィルムの静電気対策という観点について要求される技術水準は、ますます高くなっている。特に、高密度の回路を配した半導体ウェハの高密度回路上にはんだバンプや銅ピラーバンプ等のバンプ電極が形成された半導体ウェハを用いる場合は、静電気が原因で半導体ウェハに形成したバンプ電極を含む回路の破壊（ショート）が起きやすくなってきている傾向にあるため、このような要求がより顕著になっている。
このため、帯電防止性により優れた半導体ウェハ加工用粘着性フィルムを実現することが求められていた。As described above, in recent years, the technical level required of the adhesive film for semiconductor wafer processing as a countermeasure against static electricity has become higher and higher. In particular, when using a semiconductor wafer in which bump electrodes such as solder bumps and copper pillar bumps are formed on a high density circuit of a semiconductor wafer on which high density circuits are arranged, the bump electrodes formed on the semiconductor wafer due to static electricity are included. Such a demand is becoming more prominent because the circuit is likely to be broken (short circuit).
Therefore, it has been required to realize an adhesive film for semiconductor wafer processing, which is superior in antistatic property.
ここで、本発明者らの検討によれば、特許文献１に記載されているような、基材フィルムと帯電防止層と粘着剤層とがこの順番に積層された粘着性フィルムにおいて、帯電防止性が十分に満足するものではないことが明らかになった。
より具体的には、特許文献１に記載されているような粘着性フィルムは、紫外線硬化後に粘着剤層の飽和帯電圧が大幅に増加し、帯電防止性が大きく悪化してしまうことが明らかになった。Here, according to the study by the present inventors, in an adhesive film in which a base film, an antistatic layer and an adhesive layer are laminated in this order as described in Patent Document 1, antistatic It became clear that the sex is not fully satisfactory.
More specifically, it is apparent that the adhesive film as described in Patent Document 1 has a large increase in the saturation electrification voltage of the adhesive layer after UV curing, and the antistatic property is greatly deteriorated. became.
本発明者らは、上記課題を達成するために鋭意検討を重ねた。その結果、基材層と、帯電防止層と、粘着性樹脂層と、をこの順番に備える粘着性フィルムにおいて、粘着性樹脂層にイオン伝導性添加剤を添加することにより、紫外線硬化後の粘着性フィルムの飽和帯電圧の上昇を抑制できることを初めて見出した。
すなわち、本実施形態に係る半導体ウェハ加工用粘着性フィルム１００は、上記層構成とすることで、紫外線硬化後の帯電防止性に優れ、半導体ウェハから剥離する際に発生する静電気の量を抑制でき、品質に優れた半導体部品を安定的に得ることができる。The present inventors have earnestly studied to achieve the above object. As a result, in a pressure-sensitive adhesive film including a base material layer, an antistatic layer, and an adhesive resin layer in this order, by adding an ion conductive additive to the adhesive resin layer, adhesion after ultraviolet curing It was discovered for the first time that an increase in the saturation charge of a flexible film can be suppressed.
That is, the
本実施形態に係る粘着性フィルム１００において、下記の方法で測定される、紫外線硬化後の粘着性樹脂層４０の飽和帯電圧Ｖ１が好ましくは１．０ｋＶ以下であり、より好ましくは０．５ｋＶ以下である。
（方法）
粘着性樹脂層４０に対し、２５℃の環境下で高圧水銀ランプを用いて主波長３６５ｎｍの紫外線を照射強度１００ｍＷ／ｃｍ２で紫外線量１０８０ｍＪ／ｃｍ２照射して粘着性樹脂層４０を光硬化させる。次いで、印加電圧１０ｋＶ、試料と電極との距離２０ｍｍ、２５℃、５０％ＲＨの条件下で粘着性樹脂層４０の表面に電圧の印加を３０秒おこない、ＪＩＳ Ｌ１０９４に準じて粘着性樹脂層４０の表面の飽和帯電圧（Ｖ１）を算出する。In the
(Method)
The
紫外線硬化後の粘着性樹脂層４０の飽和帯電圧Ｖ１を上記上限値以下とすることにより、半導体ウェハ表面への帯電防止性をより一層良好なものとすることができる。
紫外線硬化後の粘着性樹脂層４０の飽和帯電圧Ｖ１の下限値は、例えば、０．０１ｋＶ以上であり、好ましくは０ｋＶである。By setting the saturation charging voltage V 1 of the
The lower limit value of the saturation electrification voltage V 1 of the
本実施形態において、例えば、粘着性樹脂層４０を構成する各成分の種類や配合割合、粘着性樹脂層４０の厚み等を適切に調節することにより、紫外線硬化後の粘着性樹脂層４０の飽和帯電圧Ｖ１を上記上限値以下に制御することが可能である。
これらの中でも、例えば粘着性樹脂層４０中のイオン伝導性添加剤の有無や、粘着性樹脂層４０の厚み等が、紫外線硬化後の粘着性樹脂層４０の飽和帯電圧Ｖ１を所望の数値範囲とするための要素として挙げられる。
例えば、粘着性樹脂層４０中のイオン伝導性添加剤の含有量を増やしたり、粘着性樹脂層４０の厚みを薄くしたりすると、飽和帯電圧Ｖ１を低下させることができる。In the present embodiment, for example, the saturation of the
Among these, for example, the presence or absence of an ion conductive additive in the
For example, when the content of the ion conductive additive in the
本実施形態に係る粘着性フィルム１００において、下記の方法で測定される、紫外線硬化後の粘着性樹脂層４０の表面の飽和帯電圧をＶ２としたとき、Ｖ１／Ｖ２が好ましくは５．０以下であり、より好ましくは３．０以下であり、さらに好ましくは２．５以下である。Ｖ１／Ｖ２が上記上限値以下であると、半導体ウェハから剥離する際に発生する静電気の量をより安定的に抑制でき、品質に優れた半導体部品をより安定的に得ることができる。
（方法）
粘着性樹脂層４０に対し、２５℃の環境下で高圧水銀ランプを用いて主波長３６５ｎｍの紫外線を照射強度１００ｍＷ／ｃｍ２で紫外線量２００ｍＪ／ｃｍ２照射して粘着性樹脂層４０を光硬化させる。次いで、印加電圧１０ｋＶ、試料と電極との距離２０ｍｍ、２５℃、５０％ＲＨの条件下で粘着性樹脂層４０の表面に電圧の印加を３０秒おこない、ＪＩＳ Ｌ１０９４に準じて粘着性樹脂層４０の表面の飽和帯電圧（Ｖ２）を算出する。In the pressure-
(Method)
The
本実施形態に係る粘着性フィルム１００において、紫外線硬化後の粘着性樹脂層４０の飽和帯電圧Ｖ１の半減期が、好ましくは２０秒以下であり、より好ましくは１０秒以下であり、さらに好ましくは５秒以下であり、特に好ましくは１秒以下である。
ここで、飽和帯電圧Ｖ１の半減期とは、飽和帯電圧Ｖ１の測定において、粘着性樹脂層４０の表面への電圧の印加を終了してから帯電圧の値が半分に低下するまでの時間をいう。
本実施形態に係る粘着性フィルム１００は、紫外線硬化後の粘着性樹脂層４０の飽和帯電圧Ｖ１が上記上限値以下であるため、このような短い半減期を実現でき、帯電防止性に優れた粘着性フィルム１００とすることができる。In the
Here, the half-life is saturated charging voltage V 1, in the measurement of the saturated charging voltage V 1, until the value of the exit and charged voltage from the voltage application to the surface of the
The pressure-
本実施形態に係る粘着性フィルム１００において、下記の方法で測定される、紫外線硬化後の粘着性樹脂層４０の表面のタック力が０．１Ｎ／ｃｍ２以下であることが好ましく、０．０５Ｎ／ｃｍ２以下であることがより好ましく、０．０１Ｎ／ｃｍ２以下であることがさらに好ましい。
紫外線硬化後の粘着性樹脂層４０の表面のタック力が上記上限値以下であることにより、半導体ウェハ表面から粘着性フィルム１００を剥離することがより容易になり、半導体ウェハ表面へ粘着性樹脂層４０の一部が残ってしまうことや、粘着性フィルム１００の剥離により半導体ウェハに不具合が発生してしまうこと等をより一層抑制することができる。
（方法）
粘着性フィルム１００の粘着性樹脂層４０をポリイミドフィルム（製品名：カプトン２００Ｈ、東レ・デュポン社製）に貼合し、２５℃の環境下で粘着性フィルム１００の基材層１０側から高圧水銀ランプを用いて主波長３６５ｎｍの紫外線を照射強度１００ｍＷ／ｃｍ２で紫外線量１０８０ｍＪ／ｃｍ２照射して粘着性樹脂層４０を光硬化させる。次いで、ポリイミドフィルムを粘着性フィルム１００から剥離し、測定装置としてプローブタックテスター（例えば、「ＴＥＳＴＩＮＧ ＭＡＣＨＩＮＥＳ Ｉｎｃ．社製プローブタックテスター：モデル８０−０２−０１」）を用いて、直径５ｍｍのプローブと粘着性樹脂層４０の表面とを１０ｍｍ／秒の速度で接触させ、０．９８Ｎ／ｃｍ２の接触荷重で１０秒間接触させた後、１０ｍｍ／秒の速度で上記プローブを粘着性樹脂層４０の表面から垂直方向に剥離する方法で粘着性樹脂層４０の表面のタック力を測定する。In the pressure-
When the tack force of the surface of the
(Method)
The
本実施形態に係る粘着性フィルム１００全体の厚さは、機械的特性と取扱い性のバランスから、好ましくは２５μｍ以上１０００μｍ以下であり、より好ましくは５０μｍ以上６００μｍ以下である。
The total thickness of the pressure-
本実施形態に係る粘着性フィルム１００は、半導体装置の製造工程において、半導体ウェハの表面を保護したり、半導体ウェハを固定したりするために用いられ、より具体的には半導体装置の製造工程の一つであるバックグラインド工程において半導体ウェハの回路形成面（すなわち回路パターンを含む回路面）を保護するために使用するバックグラインドテープとして好適に用いられる。
ここで、貼り付ける対象の半導体ウェハが表面にバンプ電極を含む微細配線の回路が施された半導体ウェハの場合、半導体ウェハから粘着性フィルムを剥離する際に発生する静電気が原因で半導体ウェハに形成した回路が破壊されるという静電破壊等が起きやすいが、本実施形態に係る粘着性フィルム１００を用いることによって、このような表面にバンプ電極が形成された半導体ウェハに対しても静電破壊等をより確実に抑制することが可能となる。The
Here, if the semiconductor wafer to be attached is a semiconductor wafer on the surface of which fine wiring circuits including bump electrodes are applied, the semiconductor wafer is formed on the semiconductor wafer due to static electricity generated when the adhesive film is peeled from the semiconductor wafer. Electrostatic damage, such as the destruction of the formed circuit, is likely to occur, but by using the
本実施形態に係る粘着性フィルム１００を適用できる半導体ウェハとしては特に限定されず、シリコンウェハ等が挙げられる。
The semiconductor wafer to which the
次に、本実施形態に係る半導体ウェハ加工用粘着性フィルム１００を構成する各層について説明する。
Next, each layer which comprises the
（基材層）
基材層１０は、粘着性フィルム１００の取り扱い性や機械的特性、耐熱性等の特性をより良好にすることを目的として設けられる層である。
基材層１０は、半導体ウェハを加工する際に加わる外力に耐えうる機械的強度があれば特に限定されないが、例えば、樹脂フィルムが挙げられる。
上記樹脂フィルムを構成する樹脂としては、公知の熱可塑性樹脂を用いることができる。例えば、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリ（４−メチル−１−ペンテン）、ポリ（１−ブテン）等のポリオレフィン；ポリエチレンテレフタレート、ポリブチレンテレフタレート等のポリエステル；ナイロン−６、ナイロン−６６、ポリメタキシレンアジパミド等のポリアミド；ポリアクリレート；ポリメタアクリレート；ポリ塩化ビニル；ポリエーテルイミド；エチレン・酢酸ビニル共重合体；ポリアクリロニトリル；ポリカーボネート；ポリスチレン；アイオノマー；ポリスルホン；ポリエーテルスルホン；ポリフェニレンエーテル等から選択される一種または二種以上を挙げることができる。
これらの中でも、半導体ウェハ保護の観点から、ポリプロピレン、ポリエチレンテレフタレート、ポリアミド、エチレン・酢酸ビニル共重合体から選択される一種または二種以上が好ましく、ポリエチレンテレフタレート、エチレン・酢酸ビニル共重合体から選択される一種または二種以上がより好ましい。(Base material layer)
The
The
As the resin forming the resin film, a known thermoplastic resin can be used. For example, polyolefins such as polyethylene, polypropylene, poly(4-methyl-1-pentene) and poly(1-butene); polyesters such as polyethylene terephthalate and polybutylene terephthalate; nylon-6, nylon-66, polymeta-xylene adipate Polyamide; Polyacrylate; Polymethacrylate; Polyvinyl chloride; Polyetherimide; Ethylene/vinyl acetate copolymer; Polyacrylonitrile; Polycarbonate; Polystyrene; Ionomer; Polysulfone; Polyethersulfone; Polyphenylene ether, etc. One kind or two or more kinds can be mentioned.
Among these, from the viewpoint of semiconductor wafer protection, polypropylene, polyethylene terephthalate, polyamide, one or more selected from ethylene-vinyl acetate copolymer is preferable, polyethylene terephthalate, selected from ethylene-vinyl acetate copolymer. More preferably, one kind or two or more kinds.
基材層１０は、単層であっても、二種以上の層であってもよい。
また、基材層１０を形成するために使用する樹脂フィルムの形態としては、延伸フィルムであってもよいし、一軸方向または二軸方向に延伸したフィルムであってもよいが、基材層１０の機械的強度を向上させる観点から、一軸方向または二軸方向に延伸したフィルムであることが好ましい。The
The form of the resin film used to form the
基材層１０の厚さは、良好なフィルム特性を得る観点から、好ましくは１０μｍ以上５００μｍ以下、より好ましくは２０μｍ以上３００μｍ以下、さらに好ましくは２５μｍ以上１５０μｍ以下である。
基材層１０は他の層との接着性を改良するために、表面処理を行ってもよい。具体的には、コロナ処理、プラズマ処理、アンダーコート処理、プライマーコート処理等を行ってもよい。The thickness of the
The
（粘着性樹脂層）
本実施形態に係る粘着性フィルム１００は粘着性樹脂層４０を備えている。
粘着性樹脂層４０は半導体ウェハ加工用粘着性フィルム１００を半導体ウェハに貼り付ける際に、半導体ウェハの表面に接触して粘着する層である。(Adhesive resin layer)
The
The
粘着性樹脂層４０は、紫外線硬化型粘着性樹脂を含む紫外線硬化型粘着剤により形成された層であることが好ましい。
紫外線硬化型粘着剤としては、例えば、（メタ）アクリル系粘着剤、シリコーン系粘着剤、ウレタン系粘着剤等が挙げられる。
（メタ）アクリル系粘着剤は、紫外線硬化型粘着性樹脂として（メタ）アクリル系粘着性樹脂を必須成分として含んでいる。シリコーン系粘着剤は、紫外線硬化型粘着性樹脂としてシリコーン系粘着性樹脂を必須成分として含んでいる。ウレタン系粘着剤は、紫外線硬化型粘着性樹脂としてウレタン系粘着性樹脂を必須成分として含んでいる。
これらの中でも粘着力の調整を容易にする観点等から、（メタ）アクリル系粘着剤が好ましい。The
Examples of the ultraviolet curable adhesive include (meth)acrylic adhesive, silicone adhesive, urethane adhesive and the like.
The (meth)acrylic pressure-sensitive adhesive contains a (meth)acrylic pressure-sensitive adhesive resin as an essential component as an ultraviolet curable pressure-sensitive adhesive resin. The silicone-based pressure-sensitive adhesive contains a silicone-based pressure-sensitive adhesive resin as an essential component as an ultraviolet curable pressure-sensitive adhesive resin. The urethane-based pressure-sensitive adhesive contains an urethane-based pressure-sensitive adhesive resin as an essential component as an ultraviolet curable pressure-sensitive adhesive resin.
Among these, the (meth)acrylic adhesive is preferable from the viewpoint of facilitating the adjustment of the adhesive strength.
（メタ）アクリル系粘着剤としては、分子中に重合性炭素−炭素二重結合を有する（メタ）アクリル系粘着性樹脂と、分子内に重合性炭素−炭素二重結合を２個以上有する低分子量化合物と、光開始剤を含み、必要に応じて架橋剤により上記（メタ）アクリル系粘着性樹脂を架橋させて得られる粘着剤を例示することができる。 The (meth)acrylic pressure-sensitive adhesive includes a (meth)acrylic pressure-sensitive adhesive resin having a polymerizable carbon-carbon double bond in the molecule and a low-molecular weight compound having two or more polymerizable carbon-carbon double bonds in the molecule. Examples of the pressure-sensitive adhesive include a molecular weight compound and a photoinitiator, and can be obtained by crosslinking the (meth)acrylic pressure-sensitive adhesive resin with a crosslinking agent, if necessary.
分子中に重合性炭素−炭素二重結合を有する（メタ）アクリル系粘着性樹脂は、具体的には次のようにして得られる。まず、エチレン性二重結合を有するモノマーと官能基（Ｐ）を有する共重合性モノマーを共重合させる。次いで、この共重合体に含まれる官能基（Ｐ）と、該官能基（Ｐ）と付加反応、縮合反応等を起こしうる官能基（Ｑ）を有するモノマーとを、該モノマー中の二重結合を残したまま反応させ、共重合体分子中に重合性炭素−炭素二重結合を導入する。 The (meth)acrylic adhesive resin having a polymerizable carbon-carbon double bond in the molecule is specifically obtained as follows. First, a monomer having an ethylenic double bond and a copolymerizable monomer having a functional group (P) are copolymerized. Then, the functional group (P) contained in this copolymer and a monomer having a functional group (Q) capable of causing an addition reaction, a condensation reaction or the like with the functional group (P) are combined with a double bond in the monomer. Is left to react to introduce a polymerizable carbon-carbon double bond into the copolymer molecule.
上記エチレン性二重結合を有するモノマーとしては、例えば、（メタ）アクリル酸メチル、（メタ）アクリル酸−２−エチルヘキシル、（メタ）アクリル酸ブチル、（メタ）アクリル酸エチル等のアクリル酸アルキルエステル及びメタクリル酸アルキルエステルモノマー、酢酸ビニルの如きビニルエステル、（メタ）アクリロニトリル、（メタ）アクリルアミド、スチレン等のエチレン性二重結合を有するモノマーの中から、１種又は２種以上が用いられる。 Examples of the monomer having an ethylenic double bond include methyl (meth)acrylate, 2-ethylhexyl (meth)acrylate, butyl (meth)acrylate, alkyl acrylate such as ethyl (meth)acrylate. Further, one or more kinds are used from monomers having an ethylenic double bond such as an alkyl methacrylate ester monomer, a vinyl ester such as vinyl acetate, (meth)acrylonitrile, (meth)acrylamide, and styrene.
上記官能基（Ｐ）を有する共重合性モノマーとしては、（メタ）アクリル酸、マレイン酸、（メタ）アクリル酸２−ヒドロキシエチル、（メタ）アクリル酸グリシジル、Ｎーメチロール（メタ）アクリルアミド、（メタ）アクリロイルオキシエチルイソシアネート等が挙げられる。これらは１種でもよく、２種以上組み合わせて使用してもよい。上記エチレン性二重結合を有するモノマーと官能基（Ｐ）を有する共重合性モノマーの割合は、前者７０〜９９質量％に対し、後者３０〜１質量％が好ましい。さらに好ましくは、前者８０〜９５質量％に対し、後者２０〜５質量％である。
上記官能基（Ｑ）を有するモノマーとしては、例えば、上記官能基（Ｐ）を有する共重合性モノマーと同様のモノマーを挙げることができる。Examples of the copolymerizable monomer having the functional group (P) include (meth)acrylic acid, maleic acid, 2-hydroxyethyl (meth)acrylate, glycidyl (meth)acrylate, N-methylol (meth)acrylamide, (meth) ) Acryloyloxyethyl isocyanate and the like can be mentioned. These may be used alone or in combination of two or more. The ratio of the monomer having an ethylenic double bond to the copolymerizable monomer having a functional group (P) is preferably 70 to 99 mass% of the former and 30 to 1 mass% of the latter. More preferably, the former is 80 to 95 mass% and the latter is 20 to 5 mass %.
Examples of the monomer having the functional group (Q) include the same monomers as the copolymerizable monomer having the functional group (P).
エチレン性二重結合を有するモノマーと官能基（Ｐ）を有する共重合性モノマーとの共重合体に、重合性炭素−炭素二重結合を導入する際に反応させる官能基（Ｐ）と官能基（Ｑ）の組み合わせとして、カルボキシル基とエポキシ基、カルボキシル基とアジリジル基、水酸基とイソシアネート基等、容易に付加反応が起こる組み合わせが望ましい。又、付加反応に限らずカルボン酸基と水酸基との縮合反応等、重合性炭素−炭素二重結合が容易に導入できる反応であれば如何なる反応を用いてもよい。 Functional group (P) and functional group reacted when introducing a polymerizable carbon-carbon double bond into a copolymer of a monomer having an ethylenic double bond and a copolymerizable monomer having a functional group (P) As the combination of (Q), a combination such as a carboxyl group and an epoxy group, a carboxyl group and an aziridyl group, a hydroxyl group and an isocyanate group, which easily causes an addition reaction, is desirable. Further, not limited to addition reaction, any reaction such as condensation reaction between carboxylic acid group and hydroxyl group may be used as long as it is a reaction capable of easily introducing a polymerizable carbon-carbon double bond.
分子中に重合性炭素−炭素二重結合を２個以上有する低分子量化合物としては、トリプロピレングリコールジ（メタ）アクリレート、トリメチロールプロパントリ（メタ）アクリレート、テトラメチロールメタンテトラアクリレート、ペンタエリスリトールテトラ（メタ）アクリレート、ジペンタエリスリトールモノヒドロキシペンタ（メタ）アクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサ（メタ）アクリレート等が挙げられる。これらは１種又は２種以上を用いてもよい。分子中に重合性炭素−炭素二重結合を２個以上有する低分子量化合物の添加量は、上記（メタ）アクリル系粘着性樹脂１００質量部に対して、好ましくは０．１〜２０質量部であり、より好ましくは５〜１８質量部である。 Examples of the low molecular weight compound having two or more polymerizable carbon-carbon double bonds in the molecule include tripropylene glycol di(meth)acrylate, trimethylolpropane tri(meth)acrylate, tetramethylolmethane tetraacrylate, pentaerythritol tetra( Examples thereof include (meth)acrylate, dipentaerythritol monohydroxypenta(meth)acrylate, and dipentaerythritol hexa(meth)acrylate. These may use 1 type(s) or 2 or more types. The addition amount of the low molecular weight compound having two or more polymerizable carbon-carbon double bonds in the molecule is preferably 0.1 to 20 parts by mass with respect to 100 parts by mass of the (meth)acrylic adhesive resin. And more preferably 5 to 18 parts by mass.
光開始剤としては、ベンゾイン、イソプロピルベンゾインエーテル、イソブチルベンゾインエーテル、ベンゾフェノン、ミヒラーケトン、クロロチオキサントン、ドデシルチオキサントン、ジメチルチオキサントン、ジエチルチオキサントン、アセトフェノンジエチルケタール、ベンジルジメチルケタール、１−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン、２−ヒドロキシ−２−メチル−１−フェニルプロパン−１−オン等が挙げられる。これらは１種又は２種以上用いてもよい。光開始剤の添加量は、上記（メタ）アクリル系粘着性樹脂１００質量部に対して、好ましくは０．１〜１５質量部であり、より好ましくは５〜１０質量部である。 As the photoinitiator, benzoin, isopropylbenzoin ether, isobutylbenzoin ether, benzophenone, Michler's ketone, chlorothioxanthone, dodecylthioxanthone, dimethylthioxanthone, diethylthioxanthone, acetophenone diethylketal, benzyldimethylketal, 1-hydroxycyclohexylphenylketone, 2-hydroxy. 2-Methyl-1-phenylpropan-1-one and the like can be mentioned. You may use these 1 type(s) or 2 or more types. The addition amount of the photoinitiator is preferably 0.1 to 15 parts by mass, and more preferably 5 to 10 parts by mass with respect to 100 parts by mass of the (meth)acrylic adhesive resin.
上記紫外線硬化型粘着剤には架橋剤を添加してもよい。架橋剤として、ソルビトールポリグリシジルエーテル、ポリグリセロールポリグリシジルエーテル、ペンタエリスリトールポリグリシジルエーテル、ジグリセロールポリグリシジルエーテル等のエポキシ系化合物、テトラメチロールメタン−トリ−β−アジリジニルプロピオネート、トリメチロールプロパン−トリ−β−アジリジニルプロピオネート、Ｎ，Ｎ'−ジフェニルメタン−４，４'−ビス（１−アジリジンカルボキシアミド）、Ｎ，Ｎ'−ヘキサメチレン−１，６−ビス（１−アジリジンカルボキシアミド）等のアジリジン系化合物、テトラメチレンジイソシアネート、ヘキサメチレンジイソシアネート、ポリイソシアネート等のイソシアネート系化合物等が挙げられる。上記紫外線硬化型粘着剤は、溶剤タイプ、エマルションタイプ、ホットメルトタイプ等の何れでもよい。 A cross-linking agent may be added to the UV-curable adhesive. As a crosslinking agent, epoxy compounds such as sorbitol polyglycidyl ether, polyglycerol polyglycidyl ether, pentaerythritol polyglycidyl ether, diglycerol polyglycidyl ether, tetramethylolmethane-tri-β-aziridinylpropionate, trimethylolpropane -Tri-β-aziridinyl propionate, N,N'-diphenylmethane-4,4'-bis(1-aziridinecarboxamide), N,N'-hexamethylene-1,6-bis(1-aziridine Carboxamide) and other aziridine compounds, tetramethylene diisocyanate, hexamethylene diisocyanate, polyisocyanate and other isocyanate compounds. The UV-curable pressure-sensitive adhesive may be any of solvent type, emulsion type, hot melt type and the like.
架橋剤の含有量は、通常、架橋剤中の官能基数が（メタ）アクリル系粘着性樹脂中の官能基数よりも多くならない程度の範囲が好ましい。しかし、架橋反応で新たに官能基が生じる場合や、架橋反応が遅い場合等、必要に応じて過剰に含有してもよい。
（メタ）アクリル系粘着剤中の架橋剤の含有量は、粘着性樹脂層４０の耐熱性や密着力とのバランスを向上させる観点から、（メタ）アクリル系粘着性樹脂１００質量部に対し、０．１質量部以上１５質量部以下であることが好ましい。The content of the cross-linking agent is usually preferably in a range such that the number of functional groups in the cross-linking agent does not exceed the number of functional groups in the (meth)acrylic adhesive resin. However, if a functional group is newly generated in the crosslinking reaction or if the crosslinking reaction is slow, it may be contained in excess if necessary.
The content of the cross-linking agent in the (meth)acrylic pressure-sensitive adhesive is 100 parts by mass of the (meth)acrylic pressure-sensitive adhesive resin from the viewpoint of improving the balance between the heat resistance and the adhesive force of the pressure-sensitive
本実施形態に係る粘着性樹脂層４０はイオン伝導性添加剤を含む。これにより、粘着性樹脂層４０の帯電防止性を向上させることができる。さらに、紫外線硬化後の粘着性フィルム１００の飽和帯電圧の上昇を抑制することができる。
イオン伝導性添加剤としては、例えば、カチオン性界面活性剤、アニオン性界面活性剤、ノニオン性界面活性剤、両性界面活性剤、イオン液体等が挙げられる。粘着性樹脂層４０の帯電防止性をより向上できる観点からカチオン性界面活性剤およびアニオン性界面活性剤から選択される少なくとも一種が好ましく、カチオン性界面活性剤がより好ましい。The
Examples of the ion conductive additive include a cationic surfactant, an anionic surfactant, a nonionic surfactant, an amphoteric surfactant, an ionic liquid and the like. From the viewpoint of further improving the antistatic property of the
カチオン性界面活性剤としては、例えば、ドデシルトリメチルアンモニウムクロライド、テトラデシルジメチルベンジルアンモニウムクロライド、セチルジメチルベンジルアンモニウムクロライド、ステアリルジメチルベンジルアンモニウムクロライド、テトラデシルトリメチルアンモニウムクロライド、ヘキサデシルトリメチルアンモニウムクロライド、オクタデシルトリメチルアンモニウムクロライド、ジドデシルジメチルアンモニウムクロライド、ジテトラデシルジメチルアンモニウムクロライド、ジヘキサデシルジメチルアンモニウムクロライド、ジオクタデシルジメチルアンモニウムクロライド、ドデシルベンジルジメチルアンモニウムクロライド、ヘキサデシルベンジルジメチルアンモニウムクロライド、オクタデシルベンジルジメチルアンモニウムクロライド、パルミチルトリメチルアンモニウムクロライド、オレイルトリメチルアンモニウムクロライド、ジバルミチルベンジルメチルアンモニウムクロライド、ジオレイルベンジルメチルアンモニウムクロライド等が挙げられる。
カチオン性界面活性剤としては第４級アンモニウム塩またはアミン塩型を挙げることができ、第４級アンモニウム塩が好ましい。
中でも、テトラデシルジメチルベンジルアンモニウムクロライド、セチルジメチルベンジルアンモニウムクロライド、およびステアリルジメチルベンジルアンモニウムクロライドから選択される少なくとも一種が好ましい。Examples of the cationic surfactant include dodecyltrimethylammonium chloride, tetradecyldimethylbenzylammonium chloride, cetyldimethylbenzylammonium chloride, stearyldimethylbenzylammonium chloride, tetradecyltrimethylammonium chloride, hexadecyltrimethylammonium chloride, octadecyltrimethylammonium chloride. , Didodecyldimethylammonium chloride, ditetradecyldimethylammonium chloride, dihexadecyldimethylammonium chloride, dioctadecyldimethylammonium chloride, dodecylbenzyldimethylammonium chloride, hexadecylbenzyldimethylammonium chloride, octadecylbenzyldimethylammonium chloride, palmityltrimethylammonium chloride Examples thereof include chloride, oleyltrimethylammonium chloride, divalmitylbenzylmethylammonium chloride and dioleylbenzylmethylammonium chloride.
Examples of the cationic surfactant include quaternary ammonium salt type and amine salt type, and the quaternary ammonium salt is preferable.
Among them, at least one selected from tetradecyldimethylbenzylammonium chloride, cetyldimethylbenzylammonium chloride, and stearyldimethylbenzylammonium chloride is preferable.
アニオン性界面活性剤としては、例えば、ドデシルジフェニルエーテルジスルホン酸ジアンモニウム、ドデシルジフェニルエーテルジスルホン酸ナトリウム、ドデシルジフェニルエーテルジスルホン酸カルシウム、アルキルジフェニルエーテルジスルホン酸ナトリウム等のアルキルジフェニルエーテルジスルホン酸塩；ドデシルベンゼンスルホン酸ナトリウム、ドデシルベンゼンスルホン酸アンモニウム等のアルキルベンゼンスルホン酸塩；ラウリル硫酸ナトリウム、ラウリル硫酸アンモニウム等のアルキル硫酸エステル塩；脂肪酸ナトリウム、オレイン酸カリウム等の脂肪族カルボン酸塩；ポリオキシアルキレン単位含有硫酸エステル塩（例えば、ポリオキシエチレンアルキルエーテル硫酸ナトリウム、ポリオキシエチレンアルキルエーテル硫酸アンモニウム等のポリオキシエチレンアルキルエーテル硫酸エステル塩；ポリオキシエチレンアルキルフェニルエーテル硫酸ナトリウム、ポリオキシエチレンアルキルフェニルエーテル硫酸アンモニウム等のポリオキシエチレンアルキルフェニルエーテル硫酸エステル塩；ポリオキシエチレン多環フェニルエーテル硫酸ナトリウム、ポリオキシエチレン多環フェニルエーテル硫酸アンモニウム等のポリオキシエチレン多環フェニルエーテル硫酸エステル塩等）；ナフタレンスルホン酸ホルマリン縮合物ナトリウム等のナフタレンスルホン酸ホルマリン縮合物塩；ジアルキルスルホコハク酸ナトリウム、モノアルキルスルホコハク酸ジナトリウム等のアルキルスルホコハク酸塩；ポリオキシエチレン−ポリオキシプロピレングリコールエーテル硫酸塩；スルホン酸塩または硫酸エステル基と重合性の炭素−炭素（不飽和）二重結合とを分子中に有する界面活性剤等が挙げられる。 Examples of the anionic surfactant include diammonium dodecyl diphenyl ether disulfonate, sodium dodecyl diphenyl ether disulfonate, calcium dodecyl diphenyl ether disulfonate, alkyl diphenyl ether disulfonates such as sodium alkyl diphenyl ether disulfonate; sodium dodecylbenzene sulfonate, dodecylbenzene. Alkylbenzene sulfonates such as ammonium sulfonate; Alkyl sulfate salts such as sodium lauryl sulfate and ammonium lauryl sulfate; Aliphatic carboxylates such as sodium fatty acid and potassium oleate; Sulfate salts containing polyoxyalkylene units (eg, polyoxyalkylene unit) Polyoxyethylene alkyl ether sulfates such as sodium ethylene alkyl ether sulfate and ammonium polyoxyethylene alkyl ether sulfate; Polyoxyethylene alkylphenyl ether sulfates such as sodium polyoxyethylene alkylphenyl ether sulfate and ammonium polyoxyethylene alkylphenyl ether sulfate ; Polyoxyethylene polycyclic phenyl ether sodium sulfate, polyoxyethylene polycyclic phenyl ether ammonium sulfate and other polyoxyethylene polycyclic phenyl ether sulfate ester salts, etc.); naphthalene sulfonic acid formalin condensate sodium and other naphthalene sulfonic acid formalin condensate salts; Alkyl sulfosuccinates such as sodium dialkyl sulfosuccinate and disodium monoalkyl sulfosuccinate; polyoxyethylene-polyoxypropylene glycol ether sulfates; sulfonate or sulfate ester groups and polymerizable carbon-carbon (unsaturated) di Examples thereof include a surfactant having a heavy bond in the molecule.
ノニオン性界面活性剤としては、例えば、ポリオキシエチレンラウリルエーテル、ポリオキシエチレンステアリルエーテル、ポリオキシエチレントリデシルエーテル、ポリオキシエチレンオレイルエーテル等のポリオキシアルキレンアルキルエーテル化合物、ポリオキシエチレンオクチルフェニルエーテル、ポリオキシエチレンノニルフェニルエーテル等のポリオキシアルキレンアルキルフェニルエーテル化合物、ポリオキシエチレン多環フェニルエーテル等のポリオキシアルキレン多環フェニルエーテル化合物等のポリオキシアルキレン単位含有エーテル化合物；ポリオキシエチレンモノラウレート、ポリオキシエチレンモノステアレート、ポリオキシエチレンモノオレエート等のポリオキシアルキレンアルキルエステル化合物；ポリオキシエチレンアルキルアミン等のポリオキシアルキレンアルキルアミン化合物；ソルビタンモノラウレート、ソルビタンモノステアレート、ソルビタントリオレート、ポリオキシエチレンソルビタンモノラウレート、ポリオキシエチレンソルビタンモノオレート等のソルビタン化合物等が挙げられる。 As the nonionic surfactant, for example, polyoxyethylene lauryl ether, polyoxyethylene stearyl ether, polyoxyethylene tridecyl ether, polyoxyalkylene alkyl ether compounds such as polyoxyethylene oleyl ether, polyoxyethylene octyl phenyl ether, Polyoxyalkylene alkyl phenyl ether compounds such as polyoxyethylene nonyl phenyl ether, polyoxyalkylene unit-containing ether compounds such as polyoxyalkylene polycyclic phenyl ether compounds such as polyoxyethylene polycyclic phenyl ether; polyoxyethylene monolaurate, Polyoxyalkylene alkyl ester compounds such as polyoxyethylene monostearate and polyoxyethylene monooleate; polyoxyalkylene alkylamine compounds such as polyoxyethylene alkylamine; sorbitan monolaurate, sorbitan monostearate, sorbitan trioleate, Examples thereof include sorbitan compounds such as polyoxyethylene sorbitan monolaurate and polyoxyethylene sorbitan monooleate.
両性界面活性剤としては、ラウリルベタイン、ラウリルジメチルアミンオキサイド等が挙げられる。 Examples of the amphoteric surfactant include lauryl betaine and lauryl dimethylamine oxide.
これらのイオン伝導性添加剤は１種単独で使用してもよいし、２種以上を組み合わせて使用してもよい。
粘着性樹脂層４０中のイオン伝導性添加剤の含有量は、紫外線硬化型粘着性樹脂１００質量部に対し、０．０１質量部以上１０質量部以下であることが好ましく、０．１質量部以上５質量部以下であることがより好ましく、０．１質量部以上２質量部以下であることがさらに好ましい。These ion conductive additives may be used alone or in combination of two or more.
The content of the ion conductive additive in the
粘着性樹脂層４０は、例えば、帯電防止層３０上に粘着剤塗布液を塗布することにより形成することができる。
粘着剤塗布液を塗布する方法としては、従来公知の塗布方法、例えば、ロールコーター法、リバースロールコーター法、グラビアロール法、バーコート法、コンマコーター法、ダイコーター法等が採用できる。塗布された粘着剤の乾燥条件には特に制限はないが、一般的には、８０〜２００℃の温度範囲において、１０秒〜１０分間乾燥することが好ましい。更に好ましくは、８０〜１７０℃において、１５秒〜５分間乾燥する。架橋剤と（メタ）アクリル系粘着性樹脂との架橋反応を十分に促進させるために、粘着剤塗布液の乾燥が終了した後、４０〜８０℃において５〜３００時間程度加熱してもよい。The
As a method of applying the pressure-sensitive adhesive coating solution, a conventionally known coating method, for example, a roll coater method, a reverse roll coater method, a gravure roll method, a bar coat method, a comma coater method, a die coater method or the like can be adopted. The drying conditions of the applied pressure-sensitive adhesive are not particularly limited, but generally, it is preferable to dry the pressure-sensitive adhesive in the temperature range of 80 to 200° C. for 10 seconds to 10 minutes. More preferably, it is dried at 80 to 170° C. for 15 seconds to 5 minutes. In order to sufficiently accelerate the cross-linking reaction between the cross-linking agent and the (meth)acrylic adhesive resin, the pressure-sensitive adhesive coating solution may be heated at 40 to 80° C. for about 5 to 300 hours after completion of drying.
本実施形態に係る粘着性フィルム１００において、粘着性樹脂層４０の厚みは通常５μｍ以上５５０μｍ以下であり、好ましくは１０μｍ以上４００μｍ以下であり、さらに好ましくは３０μｍ以上３００μｍ以下、特に好ましくは５０μｍ以上２５０μｍ以下である。粘着性樹脂層４０の厚みが上記範囲内であると、半導体ウェハ表面への粘着性と、取扱い性とのバランスが良好である。
また、本実施形態に係る粘着性フィルム１００が後述の凹凸吸収性樹脂層２０をさらに備える場合、粘着性樹脂層４０の厚みは１００μｍ以下が好ましく、５０μｍ以下がより好ましく、３０μｍ未満であることがさらに好ましく、２５μｍ以下であることがよりさらに好ましく、２０μｍ未満であることがよりさらに好ましく、１５μｍ以下であることが特に好ましい。これにより、粘着性樹脂層４０の表面と帯電防止層３０との距離を小さくすることができ、その結果、粘着性フィルム１００の帯電防止性をより良好にすることができる。また、本実施形態に係る粘着性フィルム１００が後述の凹凸吸収性樹脂層２０をさらに備える場合、粘着性樹脂層４０の厚みの下限値は特に限定されないが、粘着力を良好にする観点から、０．５μｍ以上が好ましく、１．０μｍ以上がより好ましく、３．０μｍ以上がさらに好ましく、５．０μｍ以上が特に好ましい。In the
When the pressure-
（帯電防止層）
本実施形態に係る粘着性フィルム１００は帯電防止層３０を備えている。これにより、粘着性フィルム１００の粘着性を維持したまま、粘着性フィルム１００の帯電防止性を向上でき、半導体ウェハから粘着性フィルム１００を剥離する際に発生する静電気の量を抑制することができる。(Antistatic layer)
The
帯電防止層３０を構成する材料は、帯電防止層３０の表面抵抗値を低下させて剥離に伴う静電気の発生を抑制する観点から、導電性高分子を含むことが好ましい。
導電性高分子としては、例えば、ポリチオフェン系導電性高分子、ポリピロール系導電性高分子、ポリアニリン系導電性高分子、ポリ（ｐ−フェニレンビニレン）系導電性高分子、ポリキノキサリン系導電性高分子等が挙げられる。
光学特性や外観、帯電防止性、塗工性、安定性等のバランスが良好であるという観点からポリチオフェン系導電性高分子が好ましい。ポリチオフェン系導電性高分子としては、例えば、ポリエチレンジオキシチオフェン、ポリチオフェンが挙げられる。
これらの導電性高分子は１種単独で使用してもよいし、２種以上を組み合わせて使用してもよい。The material forming the
Examples of the conductive polymer include polythiophene-based conductive polymer, polypyrrole-based conductive polymer, polyaniline-based conductive polymer, poly(p-phenylenevinylene)-based conductive polymer, and polyquinoxaline-based conductive polymer. Etc.
The polythiophene-based conductive polymer is preferable from the viewpoint of good balance of optical properties, appearance, antistatic properties, coating properties, stability and the like. Examples of the polythiophene-based conductive polymer include polyethylene dioxythiophene and polythiophene.
These conductive polymers may be used alone or in combination of two or more.
帯電防止層３０を形成する材料は、例えば、ドーピング剤、バインダー樹脂等をさらに含むことができる。
ドーピング剤は、ドーパントとして機能して、導電性高分子に導電性をより確実に付与（ドーピング）するものであって、例えば、スルホン酸系化合物が挙げられる。The material forming the
The doping agent functions as a dopant and more surely imparts (doping) conductivity to the conductive polymer, and examples thereof include a sulfonic acid compound.
スルホン酸系化合物は、例えば、ｐ−トルエンスルホン酸、ベンゼンスルホン酸、エチルベンゼンスルホン酸、オクチルベンゼンスルホン酸、ドデシルベンゼンスルホン酸、メシチレンスルホン酸、ｍ−キシレンスルホン酸、ポリスチレンスルホン酸、ポリビニルスルホン酸等が挙げられる。導電性高分子の溶解性や水分散性を向上させる観点から、ポリスチレンスルホン酸やポリビニルスルホン酸が好ましい。
スルホン酸系化合物は１種単独で使用してもよいし、２種以上を組み合わせて使用してもよい。Examples of the sulfonic acid compound include p-toluenesulfonic acid, benzenesulfonic acid, ethylbenzenesulfonic acid, octylbenzenesulfonic acid, dodecylbenzenesulfonic acid, mesitylenesulfonic acid, m-xylenesulfonic acid, polystyrenesulfonic acid, polyvinylsulfonic acid and the like. Are listed. From the viewpoint of improving the solubility and water dispersibility of the conductive polymer, polystyrene sulfonic acid and polyvinyl sulfonic acid are preferable.
The sulfonic acid compounds may be used alone or in combination of two or more.
このようなドーピング剤を添加することにより、導電性高分子とスルホン酸系化合物とが一部反応してスルホン酸塩を形成し、このスルホン酸塩の作用により帯電防止層３０の帯電防止機能がより一層向上する。
ドーピング剤の配合割合は、導電性高分子１００質量部に対して、例えば、１００〜３００質量部である。
導電性高分子とドーピング剤との組み合わせとしては、ポリエチレンジオキシチオフェン（ＰＥＤＯＴ）とポリスチレンスルホン酸（ＰＳＳ）との組み合わせが帯電防止性により優れるため好ましい。By adding such a doping agent, the conductive polymer partially reacts with the sulfonic acid-based compound to form a sulfonate, and the action of this sulfonate causes the antistatic function of the
The mixing ratio of the doping agent is, for example, 100 to 300 parts by mass with respect to 100 parts by mass of the conductive polymer.
As a combination of the conductive polymer and the doping agent, a combination of polyethylenedioxythiophene (PEDOT) and polystyrene sulfonic acid (PSS) is preferable because it is superior in antistatic property.
帯電防止層３０を構成する材料は、皮膜形成性や密着性等を向上させる観点から、バインダー樹脂をさらに含んでもよい。
バインダー樹脂としては、例えば、ポリウレタン系樹脂、ポリエステル系樹脂、（メタ）アクリル系樹脂、ポリエーテル系樹脂、セルロース系樹脂、ポリビニルアルコール系樹脂、エポキシ樹脂、ポリビニルピロリドン、ポリスチレン系樹脂、ポリエチレングリコール、ペンタエリスリトール等が挙げられる。
バインダー樹脂は１種単独で使用してもよいし、２種以上を組み合わせて使用してもよい。バインダー樹脂の含有量は、例えば、導電性高分子１００質量部に対して１０〜５００質量部である。The material forming the
Examples of the binder resin include polyurethane resin, polyester resin, (meth)acrylic resin, polyether resin, cellulose resin, polyvinyl alcohol resin, epoxy resin, polyvinylpyrrolidone, polystyrene resin, polyethylene glycol and penta resin. Examples thereof include erythritol.
The binder resins may be used alone or in combination of two or more. The content of the binder resin is, for example, 10 to 500 parts by mass with respect to 100 parts by mass of the conductive polymer.
帯電防止層３０の厚みは、帯電防止性能の観点から、０．０１μｍ以上１０μｍ以下であることが好ましく、０．０１μｍ以上５μｍ以下であることがより好ましく、０．０１μｍ以上１μｍ以下であることがさらに好ましい。
From the viewpoint of antistatic performance, the thickness of the
（凹凸吸収性樹脂層）
図２に示すように、本実施形態に係る粘着性フィルム１００は、基材層１０と帯電防止層３０との間に凹凸吸収性樹脂層２０をさらに備えることが好ましい。
これにより、粘着性フィルム１００の凹凸吸収性を良好にしつつ粘着性樹脂層４０の厚みを薄くすることが可能となり、粘着性樹脂層４０の表面と帯電防止層３０との距離を小さくすることができ、その結果、粘着性フィルム１００の帯電防止性をより良好にすることができる。(Concavo-convex absorbent resin layer)
As shown in FIG. 2, the pressure-
This makes it possible to reduce the thickness of the
凹凸吸収性樹脂層２０の密度は、機械的強度と凹凸追従性とのバランスの観点から、８００〜９９０ｋｇ／ｍ３が好ましく、８３０〜９８０ｋｇ／ｍ３がより好ましく、８５０〜９７０ｋｇ／ｍ３がさらに好ましい。The density of the unevenness absorbing
凹凸吸収性樹脂層２０を構成する樹脂は、凹凸吸収性を示すものであれば特に限定されないが、例えば、熱可塑性樹脂を用いることができる。
より具体的には、オレフィン系樹脂、エチレン・極性モノマー共重合体、ＡＢＳ樹脂、塩化ビニル樹脂、塩化ビニリデン樹脂、（メタ）アクリル系樹脂、ポリアミド系樹脂、フッ素系樹脂、ポリカーボネート系樹脂、ポリエステル系樹脂等が挙げられる。
これらの中でも、オレフィン系樹脂およびエチレン・極性モノマー共重合体から選択される少なくとも一種が好ましい。The resin forming the unevenness absorbing
More specifically, olefin resin, ethylene/polar monomer copolymer, ABS resin, vinyl chloride resin, vinylidene chloride resin, (meth)acrylic resin, polyamide resin, fluorine resin, polycarbonate resin, polyester resin Resin etc. are mentioned.
Among these, at least one selected from olefin resins and ethylene/polar monomer copolymers is preferable.
オレフィン系樹脂としては、例えば、直鎖状低密度ポリエチレン（ＬＬＤＰＥ）、低密度ポリエチレン、高密度ポリエチレン、ポリプロピレン、エチレンおよび炭素数３〜１２のα−オレフィンとを含むエチレン・α−オレフィン共重合体、プロピレンおよび炭素数４〜１２のα−オレフィンとを含むプロピレン・α−オレフィン共重合体、エチレン・環状オレフィン共重合体、エチレン・α−オレフィン・環状オレフィン共重合体等が挙げられる。
エチレン・極性モノマー共重合体としては、エチレン・（メタ）アクリル酸エチル共重合体、エチレン・（メタ）アクリル酸メチル共重合体、エチレン・（メタ）アクリル酸プロピル共重合体、エチレン・（メタ）アクリル酸ブチル共重合体等のエチレン・不飽和カルボン酸エステル共重合体；エチレン・酢酸ビニル共重合体、エチレン・プロピオン酸ビニル共重合体、エチレン・酪酸ビニル共重合体、エチレン・ステアリン酸ビニル共重合体等のエチレン・ビニルエステル共重合体等が挙げられる。
凹凸吸収性樹脂層２０を構成する樹脂は単独で用いてもよいし、二種以上をブレンドして用いてもよい。Examples of the olefin resin include an ethylene/α-olefin copolymer containing linear low-density polyethylene (LLDPE), low-density polyethylene, high-density polyethylene, polypropylene, ethylene, and α-olefin having 3 to 12 carbon atoms. , A propylene/α-olefin copolymer containing propylene and an α-olefin having 4 to 12 carbon atoms, an ethylene/cycloolefin copolymer, an ethylene/α-olefin/cycloolefin copolymer, and the like.
As the ethylene/polar monomer copolymer, ethylene/ethyl (meth)acrylate copolymer, ethylene/methyl (meth)acrylate copolymer, ethylene/(meth)propyl acrylate copolymer, ethylene/(meth ) Ethylene/unsaturated carboxylic acid ester copolymer such as butyl acrylate copolymer; ethylene/vinyl acetate copolymer, ethylene/vinyl propionate copolymer, ethylene/vinyl butyrate copolymer, ethylene/vinyl stearate Examples thereof include ethylene/vinyl ester copolymers such as copolymers.
The resin forming the unevenness-absorbing
エチレン・α−オレフィン共重合体における炭素原子数３〜１２のα−オレフィンは、例えば、プロピレン、１−ブテン、１−ペンテン、３−メチル−１−ブテン、１−ヘキセン、４−メチル−１−ペンテン、３−メチル−１−ペンテン、１−ヘプテン、１−オクテン、１−デセン、１−ドデセン等が挙げられ、好ましくはプロピレン、１−ブテン等である。 Examples of the α-olefin having 3 to 12 carbon atoms in the ethylene/α-olefin copolymer include propylene, 1-butene, 1-pentene, 3-methyl-1-butene, 1-hexene and 4-methyl-1. -Pentene, 3-methyl-1-pentene, 1-heptene, 1-octene, 1-decene, 1-dodecene and the like can be mentioned, with preference given to propylene and 1-butene.
これらの中でも、貼り付け時の凹凸追従性に優れる点で、低密度ポリエチレン；ポリプロピレン；エチレン・プロピレン共重合体、エチレン・１−ブテン共重合体、エチレン・プロピレン・炭素原子数４〜１２のα−オレフィンの三元共重合体等のエチレン・α−オレフィン共重合体；プロピレン・１−ブテン・炭素原子数５〜１２のα−オレフィンの三元共重合体；エチレン・酢酸ビニル共重合体等から選択される少なくとも一種が好ましく、エチレン・プロピレン共重合体およびエチレン・酢酸ビニル共重合体から選択される少なくとも一種がより好ましい。 Among these, low density polyethylene; polypropylene; ethylene/propylene copolymer, ethylene/1-butene copolymer, ethylene/propylene/α having 4 to 12 carbon atoms, in terms of excellent conformability to unevenness during attachment. -Ethylene/α-olefin copolymers such as olefin terpolymers; propylene/1-butene/C5-12 α-olefin terpolymers; ethylene/vinyl acetate copolymers At least one selected from the above is preferable, and at least one selected from an ethylene/propylene copolymer and an ethylene/vinyl acetate copolymer is more preferable.
凹凸吸収性樹脂層２０の厚みは、半導体ウェハの凹凸形成面の凹凸を埋め込むことができる厚みであれば、特に制限されないが、例えば、１０μｍ以上５００μｍ以下であることが好ましく、２０μｍ以上４００μｍ以下であることがより好ましく、３０μｍ以上３００μｍ以下であることがさらに好ましく、５０μｍ以上２５０μｍ以下であることが特に好ましい。
The thickness of the unevenness absorbing
本実施形態に係る粘着性フィルム１００は、各層の間に接着層（図示せず）を設けていてもよい。この接着層によれば、各層の間の接着性を向上させることができる。
また、本実施形態に係る粘着性フィルム１００は、離型フィルムをさらに積層させてもよい。The
Moreover, the
次に、本実施形態に係る半導体ウェハ加工用粘着性フィルム１００の製造方法の一例を説明する。
Next, an example of a method of manufacturing the
まず、基材層１０の一方の面に凹凸吸収性樹脂層２０を押出しラミネート法によって形成する。次いで、別途用意した離型フィルム上に所定の導電性材料を塗布し乾燥させることによって、帯電防止層３０を形成し、この帯電防止層３０を凹凸吸収性樹脂層２０上に積層する。次いで、帯電防止層３０上に粘着剤塗布液を塗布し乾燥させることによって、粘着性樹脂層４０を形成し、粘着性フィルム１００が得られる。
また、基材層１０と凹凸吸収性樹脂層２０とは共押出成形によって形成してもよいし、フィルム状の基材層１０とフィルム状の凹凸吸収性樹脂層２０とをラミネート（積層）して形成してもよい。First, the unevenness absorbing
Further, the
次に、本実施形態に係る半導体ウェハ加工用粘着性フィルム１００を用いた半導体ウェハの裏面研削方法（バックグラインドとも呼ぶ。）の一例について説明する。本実施形態に係る半導体ウェハの裏面研削方法は、半導体ウェハの裏面を研削する際に、本実施形態に係る半導体ウェハ加工用粘着性フィルム１００をバックグラインドテープとして用いることに特徴がある。
Next, an example of a back surface grinding method (also called back grinding) of a semiconductor wafer using the
まず、粘着性フィルム１００の粘着性樹脂層４０から離型フィルムを剥離し、粘着性樹脂層４０の表面を露出させ、その粘着性樹脂層４０上に、半導体ウェハの回路形成面を貼り付ける。次いで、研削機のチャックテーブル等に粘着性フィルム１００の基材層１０を介して半導体ウェハを固定し、半導体ウェハの裏面（回路非形成面）を研削する。研削が終了した後、粘着性フィルム１００は剥離される。半導体ウェハの裏面の研削が完了した後、粘着性フィルム１００を剥離する前にケミカルエッチング工程を経ることもある。また、必要に応じて粘着性フィルム１００の剥離後に、半導体ウェハ表面に対して、水洗、プラズマ洗浄等の処理が施される。
First, the release film is peeled from the
このような裏面研削操作において、半導体ウェハは、研削前の厚みが、通常５００〜１０００μｍであるのに対して、半導体チップの種類等に応じ、通常１００〜６００μｍ程度まで研削される。必要に応じて、１００μｍより薄く削ることもある。研削する前の半導体ウェハの厚みは、半導体ウェハの直径、種類等により適宜決められ、研削後のウェハの厚みは、得られるチップのサイズ、回路の種類等により適宜決められる。 In such a back surface grinding operation, the thickness of the semiconductor wafer before grinding is usually 500 to 1000 μm, whereas it is usually ground to about 100 to 600 μm depending on the type of semiconductor chip. If necessary, the thickness may be reduced to less than 100 μm. The thickness of the semiconductor wafer before grinding is appropriately determined according to the diameter and type of the semiconductor wafer, and the thickness of the wafer after grinding is appropriately determined according to the size of the obtained chip, the type of circuit, and the like.
粘着性フィルム１００に半導体ウェハを貼り付ける操作は、人手により行われる場合もあるが、一般に、ロール状の粘着フィルムを取り付けた自動貼り機と称される装置によって行われる。
The operation of attaching the semiconductor wafer to the
裏面研削方式としては、スルーフィード方式、インフィード方式等の公知の研削方式が採用される。それぞれ研削は、水を半導体ウェハと砥石にかけて冷却しながら行われる。裏面研削終了後、必要に応じてケミカルエッチングが行われる。ケミカルエッチングは、弗化水素酸、硝酸、硫酸、酢酸等の単独若しくは混合液からなる酸性水溶液、水酸化カリウム水溶液、水酸化ナトリウム水溶液等のアルカリ性水溶液からなる群から選ばれたエッチング液に、粘着性フィルム１００を貼着した状態で半導体ウェハを浸漬する等の方法により行われる。該エッチングは、半導体ウェハ裏面に生じた歪みの除去、ウェハのさらなる薄層化、酸化膜等の除去、電極を裏面に形成する際の前処理等を目的として行われる。エッチング液は、上記の目的に応じて適宜選択される。
As the back surface grinding method, a known grinding method such as a through-feed method or an in-feed method is adopted. Grinding is performed while water is applied to the semiconductor wafer and the grindstone to cool them. After completion of the back surface grinding, chemical etching is performed if necessary. Chemical etching is performed by applying an adhesive to an etching solution selected from the group consisting of an acidic aqueous solution of hydrofluoric acid, nitric acid, sulfuric acid, acetic acid, etc. alone or a mixture thereof, an alkaline aqueous solution of potassium hydroxide solution, sodium hydroxide solution, etc. It is performed by a method such as immersing a semiconductor wafer in a state where the
裏面研削、ケミカルエッチング終了後、粘着性フィルム１００は半導体ウェハ表面から剥離される。この一連の操作は、人手により行われる場合もあるが、一般には自動剥がし機と称される装置により行われる。
After backside grinding and chemical etching are completed, the
粘着性フィルム１００を剥離した後の半導体ウェハ表面は、必要に応じて洗浄される。洗浄方法としては、水洗浄、溶剤洗浄等の湿式洗浄、プラズマ洗浄等の乾式洗浄等が挙げられる。湿式洗浄の場合、超音波洗浄を併用してもよい。これらの洗浄方法は、半導体ウェハ表面の汚染状況により適宜選択される。
The surface of the semiconductor wafer after peeling the
以上、本発明の実施形態について述べたが、これらは本発明の例示であり、上記以外の様々な構成を採用することもできる。 The embodiments of the present invention have been described above, but these are examples of the present invention, and various configurations other than the above can be adopted.
以下、実施例および比較例により本発明を具体的に説明するが本発明はこれに限定されるものではない。 Hereinafter, the present invention will be specifically described with reference to Examples and Comparative Examples, but the present invention is not limited thereto.
粘着性フィルムの作製に用いた材料の詳細は以下の通りである。 Details of the materials used for producing the adhesive film are as follows.
＜基材層＞
ポリエチレンテレフタレートフィルム（厚さ５０μｍ）<Base material layer>
Polyethylene terephthalate film (thickness 50 μm)
＜凹凸吸収性樹脂層形成用の樹脂＞
凹凸吸収性樹脂１：エチレン・酢酸ビニル共重合体（密度：９６０ｋｇ／ｍ３、三井デュポンポリケミカル社製「エバフレックスＥＶ１５０」）<Resin for forming uneven absorbent resin layer>
Concavo-convex absorbent resin 1: ethylene/vinyl acetate copolymer (density: 960 kg/m 3 , "Evaflex EV150" manufactured by Mitsui DuPont Polychemical Co., Ltd.)
＜帯電防止層形成用の材料＞
帯電防止層形成用材料１：ポリエチレンジオキシチオフェン／ポリスチレンスルホン酸（ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ）を含む導電性材料（ナガセケムテックス社製、商品名：デナトロンＰ−５０４ＣＴ）<Material for forming antistatic layer>
Material for forming antistatic layer 1: Conductive material containing polyethylenedioxythiophene/polystyrenesulfonic acid (PEDOT/PSS) (manufactured by Nagase Chemtex, trade name: Denatron P-504CT)
＜イオン伝導性添加剤＞
イオン伝導性添加剤１：テトラデシルジメチルベンジルアンモニウムクロライド（日油社製、商品名：ニッサンカチオンＭ２−１００）<Ion conductive additive>
Ion conductive additive 1: tetradecyl dimethyl benzyl ammonium chloride (manufactured by NOF Corporation, trade name: Nissan cation M 2 -100)
＜光開始剤＞
光開始剤１：ベンジルジメチルケタール（ＢＡＳＦ社製、商品名：イルガキュア６５１）<Photoinitiator>
Photoinitiator 1: Benzyl dimethyl ketal (manufactured by BASF, trade name: Irgacure 651)
＜粘着性樹脂層用塗布液１＞
アクリル酸ｎ−ブチル７７質量部、メタクリル酸メチル１６質量部、アクリル酸２−ヒドロキシエチル１６質量部、および重合開始剤としてベンゾイルパーオキサイド０．５質量部を混合した。これを、トルエン２０質量部、酢酸エチル８０質量部が入った窒素置換フラスコ中に、撹拌しながら８５℃で５時間かけて滴下し、さらに５時間撹拌して反応させた。反応終了後、この溶液を冷却し、これにトルエン１０質量部、メタクリロイルオキシエチルイソシアネート（昭和電工（株）製、製品名：カレンズＭＯＩ）７質量部、およびジラウリル酸ジブチル錫０．０２質量部を加え、空気を吹き込みながら８５℃で１２時間反応させ、重合性炭素−炭素二重結合が導入された粘着剤ポリマー１溶液を得た。
この溶液に、共重合体（固形分）１００質量部に対して光開始剤としてベンジルジメチルケタール（ＢＡＳＦ（株）製、イルガキュア６５１）７質量部、イソシアネート系架橋剤（三井化学（株）製、商品名：オレスターＰ４９−７５Ｓ）２質量部、１分子内に重合性炭素−炭素二重結合を２個以上有する低分子量化合物としてジペンタエリスリトールヘキサアクリレート（東亞合成（株）製、商品名：アロニックスＭ−４００）１２質量部、イオン伝導性添加剤１：テトラデシルジメチルベンジルアンモニウムクロライド(日油（株）製、ニッサンカチオンＭ２−１００)０．５質量部を添加し、粘着性樹脂層用塗布液１を得た。<Coating liquid 1 for adhesive resin layer>
77 parts by mass of n-butyl acrylate, 16 parts by mass of methyl methacrylate, 16 parts by mass of 2-hydroxyethyl acrylate, and 0.5 parts by mass of benzoyl peroxide as a polymerization initiator were mixed. This was dropped into a nitrogen-substituted flask containing 20 parts by mass of toluene and 80 parts by mass of ethyl acetate with stirring at 85° C. over 5 hours, and further stirred for 5 hours to react. After completion of the reaction, the solution was cooled, and 10 parts by mass of toluene, 7 parts by mass of methacryloyloxyethyl isocyanate (manufactured by Showa Denko KK, product name: Karenz MOI), and 0.02 parts by mass of dibutyltin dilaurate were added. In addition, the reaction was carried out at 85° C. for 12 hours while blowing air to obtain a solution of adhesive polymer 1 in which a polymerizable carbon-carbon double bond was introduced.
In this solution, 7 parts by mass of benzyl dimethyl ketal (manufactured by BASF Ltd., Irgacure 651) as a photoinitiator per 100 parts by mass of the copolymer (solid content), an isocyanate cross-linking agent (manufactured by Mitsui Chemicals, Inc., Trade name: Olester P49-75S) 2 parts by mass, dipentaerythritol hexaacrylate (manufactured by Toagosei Co., Ltd.) as a low molecular weight compound having two or more polymerizable carbon-carbon double bonds in one molecule. Aronix M-400) 12 parts by mass, ion-conductive additive 1: tetradecyl dimethyl benzyl ammonium chloride (manufactured by NOF CORPORATION, Nissan cation M 2 -100) were added 0.5 part by weight, the adhesive resin layer To obtain coating solution 1.
＜粘着性樹脂層用塗布液２＞
イオン伝導性添加剤１を添加しない以外は粘着性樹脂層用塗布液１と同様にして粘着性樹脂層用塗布液２を得た。<Coating liquid 2 for adhesive resin layer>
An adhesive resin layer coating solution 2 was obtained in the same manner as the adhesive resin layer coating solution 1 except that the ion conductive additive 1 was not added.
＜粘着性樹脂層用塗布液３＞
アクリル酸エチル４８質量部、アクリル酸−２−エチルヘキシル２７質量部、アクリル酸メチル２０質量部、メタクリル酸グリシジル５質量部、および重合開始剤としてベンゾイルパーオキサイド０．５質量部を混合した。これを、トルエン６５質量部、酢酸エチル５０質量部が入った窒素置換フラスコ中に、撹拌しながら８０℃で５時間かけて滴下し、さらに５時間撹拌して反応させた。反応終了後、この溶液を冷却し、これにキシレン２５質量部、アクリル酸２．５質量部、およびイオン伝導性添加剤１：テトラデシルジメチルベンジルアンモニウムクロライド０．５質量部を加え、空気を吹き込みながら８５℃で３２時間反応させ、重合性炭素−炭素二重結合が導入された粘着剤ポリマー３溶液を得た。
この溶液に、共重合体（固形分）１００質量部に対して光開始剤としてベンジルジメチルケタール（ＢＡＳＦ（株）製、イルガキュア６５１）７質量部、イソシアネート系架橋剤（三井化学（株）製、商品名：オレスターＰ４９−７５Ｓ）２質量部、１分子内に重合性炭素−炭素二重結合を２個以上有する低分子量化合物としてジペンタエリスリトールヘキサアクリレート（東亞合成（株）製、商品名：アロニックスＭ−４００）１２質量部を添加し、粘着性樹脂層用塗布液３を得た。<Coating liquid 3 for adhesive resin layer>
48 parts by mass of ethyl acrylate, 27 parts by mass of 2-ethylhexyl acrylate, 20 parts by mass of methyl acrylate, 5 parts by mass of glycidyl methacrylate, and 0.5 part by mass of benzoyl peroxide as a polymerization initiator were mixed. This was dropped into a nitrogen-substituted flask containing 65 parts by mass of toluene and 50 parts by mass of ethyl acetate at 80° C. over 5 hours with stirring, and further stirred for 5 hours to react. After the completion of the reaction, the solution was cooled, 25 parts by mass of xylene, 2.5 parts by mass of acrylic acid, and 0.5 part by mass of the ion conductive additive 1: tetradecyldimethylbenzylammonium chloride were added thereto, and air was blown into the solution. While reacting at 85° C. for 32 hours, a solution of a pressure-sensitive adhesive polymer 3 into which a polymerizable carbon-carbon double bond was introduced was obtained.
In this solution, 7 parts by mass of benzyl dimethyl ketal (manufactured by BASF Ltd., Irgacure 651) as a photoinitiator per 100 parts by mass of the copolymer (solid content), an isocyanate cross-linking agent (manufactured by Mitsui Chemicals, Inc., Trade name: Olester P49-75S) 2 parts by mass, dipentaerythritol hexaacrylate (manufactured by Toagosei Co., Ltd.) as a low molecular weight compound having two or more polymerizable carbon-carbon double bonds in one molecule. 12 parts by mass of Aronix M-400) was added to obtain coating solution 3 for adhesive resin layer.
［実施例１］
基材層となるポリエチレンテレフタレートフィルム上に、凹凸吸収性樹脂層となる凹凸吸収性樹脂１を厚さ１９５μｍで押出しラミネートして２層の積層フィルムを得た。
次いで、別途用意した離型フィルム上に帯電防止層形成用材料１を塗布し乾燥させることによって、帯電防止膜を形成し、この帯電防止膜を凹凸吸収性樹脂層上に積層することにより、厚さ０．１μｍの帯電防止層を形成した。
次いで、得られた積層フィルムの帯電防止層上に、粘着性樹脂層用塗布液１を塗布した後、乾燥させて、厚み４０μｍの粘着性樹脂層を形成し、粘着性フィルムを得た。
得られた粘着性フィルムについて以下の評価をおこなった。得られた結果を表１に示す。[Example 1]
On the polyethylene terephthalate film serving as the base material layer, the unevenness absorbing resin 1 serving as the unevenness absorbing resin layer was extruded and laminated in a thickness of 195 μm to obtain a two-layer laminated film.
Then, an antistatic layer-forming material 1 is applied onto a separately prepared release film and dried to form an antistatic film, and the antistatic film is laminated on the unevenness absorbing resin layer to form a thick film. An antistatic layer having a thickness of 0.1 μm was formed.
Then, the coating liquid 1 for the adhesive resin layer was applied onto the antistatic layer of the obtained laminated film and then dried to form an adhesive resin layer having a thickness of 40 μm to obtain an adhesive film.
The following evaluation was performed about the obtained adhesive film. The results obtained are shown in Table 1.
［実施例２および３、比較例１〜４］
帯電防止層の形成の有無、粘着性樹脂層の厚み、粘着性樹脂層用塗布液の種類等を表１に示すように変更した以外は実施例１と同様にして粘着性フィルムをそれぞれ作製した。
得られた粘着性フィルムについて以下の評価をそれぞれおこなった。得られた結果を表１にそれぞれ示す。[Examples 2 and 3, Comparative Examples 1 to 4]
Adhesive films were produced in the same manner as in Example 1 except that the presence or absence of the antistatic layer, the thickness of the adhesive resin layer, the type of coating liquid for the adhesive resin layer, etc. were changed as shown in Table 1. ..
The following evaluations were performed on the obtained adhesive films. The obtained results are shown in Table 1.
＜評価＞
（１）飽和帯電圧の測定
粘着性フィルム中の粘着性樹脂層に対し、２５℃の環境下で高圧水銀ランプ（ウシオ電機社製ＵＶＸ−０２５２８Ｓ１ＡＪＡ０２）を用いて主波長３６５ｎｍの紫外線を照射強度１００ｍＷ／ｃｍ２で紫外線量１０８０ｍＪ／ｃｍ２照射して粘着性樹脂層を光硬化させた。次いで、測定装置としてシシド静電気社製スタティックオネストメーターＨ−０１１０−Ｓ４を用いて、印加電圧１０ｋＶ、試料と電極との距離２０ｍｍ、２５℃、５０％ＲＨの条件下で粘着性樹脂層の表面に電圧の印加を３０秒おこない、ＪＩＳ Ｌ１０９４に準じて粘着性樹脂層の表面の飽和帯電圧（Ｖ１）および飽和帯電圧Ｖ１の半減期をそれぞれ算出した。
また、紫外線量を２００〜５４０ｍＪ／ｃｍ２に変更する以外は、上記飽和帯電圧（Ｖ１）の測定と同じ手順で、粘着性樹脂層の表面の飽和帯電圧および飽和帯電圧の半減期をそれぞれ測定した。<Evaluation>
(1) Measurement of saturation electrification voltage The pressure-sensitive adhesive resin layer in the pressure-sensitive adhesive film was irradiated with ultraviolet rays having a main wavelength of 365 nm using a high-pressure mercury lamp (UVX-02528S1AJA02 manufactured by Ushio Inc.) under an environment of 25° C. and an irradiation intensity of 100 mW. / cm was 2 UV dose 1080MJ / cm 2 irradiation by light curing the adhesive resin layer. Then, using a static Honest meter H-0110-S4 manufactured by Shishido Electrostatic Co., Ltd. as a measuring device, the voltage was applied to the surface of the adhesive resin layer under the conditions of an applied voltage of 10 kV, a distance between the sample and the electrode of 20 mm, 25° C. and 50% RH. The voltage was applied for 30 seconds, and the saturation electrification voltage (V 1 ) on the surface of the adhesive resin layer and the half-life of the saturation electrification voltage V 1 were calculated according to JIS L1094.
In addition, except that the amount of ultraviolet rays is changed to 200 to 540 mJ/cm 2 , the saturation electrification voltage on the surface of the adhesive resin layer and the half-life of the saturation electrification voltage are measured by the same procedure as the measurement of the saturation electrification voltage (V 1 ). Each was measured.
（２）タック力の測定
粘着性フィルムの粘着性樹脂層をポリイミドフィルム（製品名：カプトン２００Ｈ、東レ・デュポン社製）に貼合し、２５℃の環境下で粘着性フィルムの基材層側から高圧水銀ランプを用いて主波長３６５ｎｍの紫外線を照射強度１００ｍＷ／ｃｍ２で紫外線量１０８０ｍＪ／ｃｍ２照射して粘着性樹脂層を光硬化させた。次いで、ポリイミドフィルムを粘着性フィルムから剥離し、測定装置としてプローブタックテスター（「ＴＥＳＴＩＮＧ ＭＡＣＨＩＮＥＳ Ｉｎｃ.社製プローブタックテスター：モデル８０−０２−０１」）を用いて、直径５ｍｍのプローブと粘着性樹脂層の表面とを１０ｍｍ／秒の速度で接触させ、０．９８Ｎ／ｃｍ２の接触荷重で１０秒間接触させた後、１０ｍｍ／秒の速度でプローブを粘着性樹脂層の表面から垂直方向に剥離する方法で粘着性樹脂層の表面のタック力を測定した。
また、紫外線量を２００〜５４０ｍＪ／ｃｍ２に変更する以外は、上記タック力の測定と同じ手順で、粘着性樹脂層の表面のタック力をそれぞれ測定した。(2) Measurement of tack force The adhesive resin layer of the adhesive film is attached to a polyimide film (product name: Kapton 200H, manufactured by Toray DuPont), and the adhesive film base material layer side under an environment of 25°C. A high pressure mercury lamp was used to irradiate the adhesive resin layer with ultraviolet rays having a main wavelength of 365 nm at an irradiation intensity of 100 mW/cm 2 and an ultraviolet ray amount of 1080 mJ/cm 2 . Then, the polyimide film was peeled off from the adhesive film, and a probe having a diameter of 5 mm and an adhesive resin were used by using a probe tack tester (“TESTING MACHINES Inc., Inc. probe tack tester: model 80-02-01”) as a measuring device. The surface of the layer is brought into contact with the surface of the adhesive resin layer at a speed of 10 mm/sec and a contact load of 0.98 N/cm 2 for 10 seconds, and then the probe is vertically peeled from the surface of the adhesive resin layer at a speed of 10 mm/sec. The tack force on the surface of the adhesive resin layer was measured by the method described above.
In addition, the tack force on the surface of the adhesive resin layer was measured by the same procedure as the above-described measurement of the tack force, except that the amount of ultraviolet rays was changed to 200 to 540 mJ/cm 2 .
（３）帯電防止性の評価
粘着性フィルムの帯電防止性は以下の基準で評価した。
◎：飽和帯電圧Ｖ１が１．０ｋＶ以下であるもの
〇：飽和帯電圧Ｖ１が１．０ｋＶ超過２．０ｋＶ以下であるもの
×：飽和帯電圧Ｖ１が２．０ｋＶ超過のもの(3) Evaluation of Antistatic Property The antistatic property of the adhesive film was evaluated according to the following criteria.
⊚: Saturation band voltage V 1 is 1.0 kV or less O: Saturation band voltage V 1 is more than 1.0 kV and 2.0 kV or less X: Saturation band voltage V 1 is more than 2.0 kV
（４）半導体ウェハ表面への粘着性の評価
半導体ウェハ表面への粘着性は以下の基準で評価した。
〇：紫外線を照射しなかった粘着性樹脂層（すなわち、紫外線量が０ｍＪ／ｃｍ２のもの）のタック力が１０Ｎ／ｃｍ２以上
×：紫外線量を照射しなかった粘着性樹脂層のタック力が１０Ｎ／ｃｍ２未満(4) Evaluation of Adhesiveness to Semiconductor Wafer Surface The adhesiveness to the semiconductor wafer surface was evaluated according to the following criteria.
◯: The tack force of the adhesive resin layer that was not irradiated with ultraviolet rays (that is, the amount of ultraviolet rays of 0 mJ/cm 2 ) was 10 N/cm 2 or more ×: The tack force of the adhesive resin layer that was not irradiated with ultraviolet rays Is less than 10 N/cm 2.
（５）半導体ウェハ表面への耐汚染性の評価
半導体ウェハ表面への耐汚染性は以下の基準で評価した。
〇：紫外線量１０８０ｍＪ／ｃｍ２照射で光硬化させた粘着性樹脂層のタック力が０．１Ｎ／ｃｍ２以下
×：紫外線量１０８０ｍＪ／ｃｍ２照射で光硬化させた粘着性樹脂層のタック力が０．１Ｎ／ｃｍ２を超える(5) Evaluation of Contamination Resistance on Semiconductor Wafer Surface The contamination resistance on the semiconductor wafer surface was evaluated according to the following criteria.
◯: The tacking force of the adhesive resin layer photocured by irradiation with an ultraviolet ray amount of 1080 mJ/cm 2 is 0.1 N/cm 2 or less ×: The tacking force of the adhesive resin layer photocured by irradiation of an ultraviolet ray amount of 1080 mJ/cm 2 Exceeds 0.1 N/cm 2
（６）凹凸吸収性の評価
〇：バンプ電極を有する半導体ウェハのバンプ電極形成面に貼り付けた際に、バンプ電極が割れず、かつ、半導体ウェハとの密着性が良好なもの
×：バンプ電極を有する半導体ウェハのバンプ電極形成面に貼り付けた際に、バンプ電極が割れる、あるいは、半導体ウェハとの密着性が不良なもの
凹凸吸収性の評価にはバンプ高さ８０μｍ、バンプピッチ３００μｍ、バンプ径１５０μｍのバンプを配したバンプ付き半導体ウェハを用い、粘着フィルムの貼り付けは、ロールラミネーター（製品名：ＤＲ３０００ＩＩ 日東精機社製）を用いて、ロール速度：２ｍｍ／秒、ロール圧力：０．４ＭＰａ、テーブル温度：８０℃の条件で行い、貼付後の凹凸吸収性を光学顕微鏡を用いて評価した。(6) Evaluation of Absorbency of Concavities and convexities ◯: The bump electrode does not break when it is attached to the bump electrode forming surface of the semiconductor wafer having bump electrodes, and the adhesiveness to the semiconductor wafer is good. The bump electrode is cracked when it is attached to the bump electrode forming surface of the semiconductor wafer having the above, or the adhesiveness with the semiconductor wafer is poor. The bump height is 80 μm, the bump pitch is 300 μm, and the bump pitch is 300 μm. Using a bumped semiconductor wafer having bumps with a diameter of 150 μm, a roll laminator (product name: DR3000II, manufactured by Nitto Seiki Co., Ltd.) was used to attach the adhesive film, roll speed: 2 mm/sec, roll pressure: 0.4 MPa Table temperature: 80° C., and the unevenness absorbability after sticking was evaluated using an optical microscope.
基材層と、帯電防止層と、粘着性樹脂層と、をこの順番に備え、粘着性樹脂層がイオン伝導性添加剤を含む実施例１〜３の粘着性フィルムは半導体ウェハ表面への粘着性と耐汚染性とのバランスに優れるとともに帯電防止性にも優れていた。すなわち、本実施形態に係る半導体ウェハ加工用粘着性フィルム１００によれば、紫外線硬化後の帯電防止性に優れ、半導体ウェハから剥離する際に発生する静電気の量を抑制でき、品質に優れた半導体部品を安定的に得ることができることが理解できる。
これに対し、粘着性樹脂層がイオン伝導性添加剤を含まない比較例１〜３の粘着性フィルムや、帯電防止層を備えない比較例３および４の粘着性フィルムは帯電防止性に劣っていた。The adhesive films of Examples 1 to 3 each including a base material layer, an antistatic layer, and an adhesive resin layer in this order, and the adhesive resin layer containing an ion conductive additive are adhesive to the semiconductor wafer surface. The anti-static property was excellent as well as the good balance between anti-pollution property and stain resistance. That is, according to the
On the other hand, the adhesive films of Comparative Examples 1 to 3 in which the adhesive resin layer does not contain an ion conductive additive and the adhesive films of Comparative Examples 3 and 4 in which the antistatic layer is not provided are inferior in antistatic property. It was
この出願は、２０１６年６月３０日に出願された日本出願特願２０１６−１３０８２２号を基礎とする優先権を主張し、その開示の全てをここに取り込む。 This application claims the priority on the basis of Japanese application Japanese Patent Application No. 2016-130822 for which it applied on June 30, 2016, and takes in those the indications of all here.
Claims (7)
基材層と、帯電防止層と、粘着性樹脂層と、をこの順番に備え、
前記粘着性樹脂層がイオン伝導性添加剤を含み、
前記帯電防止層は導電性高分子を含み、
前記イオン伝導性添加剤はカチオン性界面活性剤、アニオン性界面活性剤、ノニオン性界面活性剤、両性界面活性剤、およびイオン液体から選択される一種または二種以上を含み、
バックグラインドテープである半導体ウェハ加工用粘着性フィルム。 The surface of the semiconductor wafer a pressure-sensitive adhesive film used in the coercive Mamorusu order,
A base material layer, an antistatic layer, and an adhesive resin layer are provided in this order,
The adhesive resin layer contains an ion conductive additive,
The antistatic layer contains a conductive polymer,
The ion conductive additive contains one or more selected from cationic surfactants, anionic surfactants, nonionic surfactants, amphoteric surfactants, and ionic liquids,
An adhesive film for semiconductor wafer processing that is a back-grinding tape.
前記粘着性樹脂層は紫外線硬化型粘着性樹脂を含む半導体ウェハ加工用粘着性フィルム。 The adhesive film for processing a semiconductor wafer according to claim 1,
The said adhesive resin layer is an adhesive film for semiconductor wafer processing containing an ultraviolet curable adhesive resin.
前記粘着性樹脂層における前記イオン伝導性添加剤の含有量が、前記紫外線硬化型粘着性樹脂１００質量部に対し、０．０１質量部以上１０質量部以下である半導体ウェハ加工用粘着性フィルム。 The adhesive film for processing a semiconductor wafer according to claim 2,
The adhesive film for semiconductor wafer processing, wherein the content of the ion conductive additive in the adhesive resin layer is 0.01 parts by mass or more and 10 parts by mass or less based on 100 parts by mass of the ultraviolet curable adhesive resin.
前記粘着性樹脂層の厚みが５μｍ以上５５０μｍ以下である半導体ウェハ加工用粘着性フィルム。 The adhesive film for semiconductor wafer processing according to any one of claims 1 to 3 ,
An adhesive film for semiconductor wafer processing, wherein the adhesive resin layer has a thickness of 5 μm or more and 550 μm or less.
前記基材層と前記帯電防止層との間に凹凸吸収性樹脂層をさらに備える半導体ウェハ加工用粘着性フィルム。 The adhesive film for semiconductor wafer processing according to any one of claims 1 to 4 ,
An adhesive film for semiconductor wafer processing, further comprising a concave-convex absorbent resin layer between the base material layer and the antistatic layer.
下記の方法で測定される、紫外線硬化後の前記粘着性樹脂層表面の飽和帯電圧Ｖ１が１．０ｋＶ以下である半導体ウェハ加工用粘着性フィルム。
（方法）
前記粘着性樹脂層に対し、２５℃の環境下で高圧水銀ランプを用いて主波長３６５ｎｍの紫外線を照射強度１００ｍＷ／ｃｍ２で紫外線量１０８０ｍＪ／ｃｍ２照射して前記粘着性樹脂層を光硬化させる。次いで、印加電圧１０ｋＶ、試料と電極との距離２０ｍｍ、２５℃、５０％ＲＨの条件下で前記粘着性樹脂層の表面に電圧の印加を３０秒おこない、ＪＩＳ Ｌ１０９４に準じて前記粘着性樹脂層の表面の飽和帯電圧（Ｖ１）を算出する。 The adhesive film for semiconductor wafer processing according to any one of claims 1 to 5 ,
An adhesive film for semiconductor wafer processing, which has a saturation electrification voltage V 1 of 1.0 kV or less on the surface of the adhesive resin layer after ultraviolet curing, which is measured by the following method.
(Method)
The adhesive resin layer is irradiated with ultraviolet rays having a main wavelength of 365 nm at an irradiation intensity of 100 mW/cm 2 and an ultraviolet ray amount of 1080 mJ/cm 2 by using a high pressure mercury lamp in an environment of 25° C. to photo-cure the adhesive resin layer. Let Then, a voltage is applied to the surface of the adhesive resin layer for 30 seconds under the conditions of an applied voltage of 10 kV, a distance between a sample and an electrode of 20 mm, 25° C., and 50% RH, and the adhesive resin layer is conformed to JIS L1094. The saturation charge voltage (V 1 ) on the surface of the is calculated.
下記の方法で測定される、紫外線硬化後の前記粘着性樹脂層の表面のタック力が０．１Ｎ／ｃｍ２以下である半導体ウェハ加工用粘着性フィルム。
（方法）
前記粘着性フィルムの前記粘着性樹脂層をポリイミドフィルムに貼合し、２５℃の環境下で前記粘着性フィルムの前記基材層側から高圧水銀ランプを用いて主波長３６５ｎｍの紫外線を照射強度１００ｍＷ／ｃｍ２で紫外線量１０８０ｍＪ／ｃｍ２照射して前記粘着性樹脂層を光硬化させる。次いで、前記ポリイミドフィルムを前記粘着性フィルムから剥離し、測定装置としてプローブタックテスターを用いて、直径５ｍｍのプローブと前記粘着性樹脂層の表面とを１０ｍｍ／秒の速度で接触させ、０．９８Ｎ／ｃｍ２の接触荷重で１０秒間接触させた後、１０ｍｍ／秒の速度で前記プローブを前記粘着性樹脂層の表面から垂直方向に剥離する方法で前記粘着性樹脂層の表面のタック力を測定する。 The adhesive film for semiconductor wafer processing according to any one of claims 1 to 6 ,
A tacky film for semiconductor wafer processing, wherein the tackiness of the surface of the tacky resin layer after ultraviolet curing, which is measured by the following method, is 0.1 N/cm 2 or less.
(Method)
The pressure-sensitive adhesive resin layer of the pressure-sensitive adhesive film is bonded to a polyimide film, and an ultraviolet ray having a main wavelength of 365 nm is irradiated from the base material layer side of the pressure-sensitive adhesive film with a high-pressure mercury lamp at an intensity of 100 mW in an environment of 25° C. / cm 2 UV dose 1080MJ / cm 2 irradiated to photocuring of the adhesive resin layer. Then, the polyimide film was peeled from the adhesive film, and a probe having a diameter of 5 mm was brought into contact with the surface of the adhesive resin layer at a speed of 10 mm/second by using a probe tack tester as a measuring device to obtain 0.98N. The tack force on the surface of the adhesive resin layer is measured by a method of peeling the probe in the vertical direction from the surface of the adhesive resin layer at a speed of 10 mm/second after contacting the surface of the adhesive resin layer with a contact load of 10 cm/cm 2 for 10 seconds. To do.
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