JP6737506B2 - Conductive paste, chip electronic component and manufacturing method thereof - Google Patents
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Description
本発明は、導電性ペースト、チップ電子部品及びその製造方法に関する。 The present invention relates to a conductive paste, a chip electronic component and a method for manufacturing the same.
チップ電子部品は、例えば、チップ端面に導電性ペーストを塗布し、乾燥し、焼成して導電層（端子電極）を形成した後、導電層保護のためのニッケルめっき層と、はんだ付け性の良いスズ又はその合金からなるスズめっき層とを順次形成することで作製される。そして、チップ電子部品を基板に実装する際には、はんだが使用される。 The chip electronic component has, for example, a nickel plating layer for protecting the conductive layer and good solderability after forming a conductive layer (terminal electrode) by coating a conductive paste on the chip end surface, drying and firing. It is produced by sequentially forming a tin plating layer made of tin or its alloy. Then, when mounting the chip electronic component on the substrate, solder is used.
導電層中に孔（ボイド）が存在すると、その孔（ボイド）からニッケルめっきが浸入し、絶縁抵抗の低下や素体クラックの発生を招く。また、浸入しためっき液がはんだリフロー時に熱せられてガス化し、溶融したはんだが飛び散る、いわゆる「はんだ爆ぜ現象」を引き起こすことがある。そのため、導電層（端子電極）には、ニッケルめっきの浸入を防ぐ耐めっき液性、はんだ爆ぜ防止性が求められる。 When holes (voids) are present in the conductive layer, nickel plating penetrates through the holes (voids), resulting in a decrease in insulation resistance and generation of element cracks. In addition, the invading plating solution may be heated and gasified during solder reflow, causing a so-called “solder explosion phenomenon” in which molten solder is scattered. Therefore, the conductive layer (terminal electrode) is required to have plating solution resistance to prevent nickel plating from entering and solder explosion resistance.
これら目的を達成するために、導電性ペーストとして、導電性金属粉末含有量の多いもの（導電性ペースト１００重量％に対して、導電性金属粉末含有量６０〜７０重量％）が知られている（特許文献１）。導電性金属粉末含有量を多くすることで、焼成膜（導電層）を厚くでき、上記問題が解決される。 In order to achieve these objects, as the conductive paste, one having a large conductive metal powder content (conductive metal powder content of 60 to 70% by weight with respect to 100% by weight of the conductive paste) is known. (Patent Document 1). By increasing the content of the conductive metal powder, the thickness of the fired film (conductive layer) can be increased, and the above problem can be solved.
近年、低コスト化、大電流用途によるチップサイズの増大に伴う端子電極の薄膜化の要求が高くなってきている。これを達成しようとして単に導電性ペースト中の導電性金属粒子含有量を少なくすると、エッジ切れ（導電性ペーストの焼成後に、端子電極のエッジ部分（肩の部分）が切れてしまう現象）が生じてしまう。ガラスフリットや無機添加物を多くすることでエッジ切れの問題は解消されるものの、ニッケルめっきのめっき付け性が悪くなる、はんだ爆ぜが起こりやすくなる、等の問題が生じる。また、薄い端子電極で、従来と同等以上の優れた電極特性を得るためには、より緻密で、素体との接着強度が大きく、耐めっき液性に優れていることが必要である。 In recent years, there has been an increasing demand for thinning of terminal electrodes due to cost reduction and an increase in chip size for high current applications. If the content of the conductive metal particles in the conductive paste is simply reduced in order to achieve this, edge breakage (a phenomenon in which the edge part (shoulder part) of the terminal electrode is cut off after firing the conductive paste) occurs. I will end up. Although the problem of edge breakage can be solved by increasing the glass frit and the amount of inorganic additives, problems such as deterioration of the nickel plating plating property and easy occurrence of solder explosion occur. Further, in order to obtain excellent electrode characteristics equivalent to or better than conventional ones with a thin terminal electrode, it is necessary to be more precise, have a high adhesive strength with the element body, and have excellent plating solution resistance.
本発明は、従来のものより導電性金属粒子含有量を少なくしつつも、焼成後に、得られる導電層がより緻密な構造を有し、チップとの接着強度が高く、めっき付け性及び耐めっき液性に優れ、はんだ爆ぜ防止性に優れる導電性ペーストを提供することを課題とする。 INDUSTRIAL APPLICABILITY The present invention has a conductive layer obtained after firing, which has a more dense structure, has a higher adhesive strength with a chip, and has better platingability and plating resistance, while having a lower content of conductive metal particles than the conventional one. An object of the present invention is to provide a conductive paste having excellent liquidity and excellent solder explosion resistance.
前記課題を解決するための具体的手段は以下の通りである。
本発明の第１の実施形態は、
（Ａ）導電性粒子と、（Ｂ）Ｂｉ２Ｏ３系ガラスフリットと、（Ｃ）シルセスキオキサン化合物と、（Ｄ）有機ビヒクルとを含む導電性ペーストである。
本発明の第２の実施形態は、
チップ部品に上記導電性ペーストを塗布する工程と、
チップ部品を焼成して導電層を形成する工程と
を含む、チップ電子部品の製造方法である。
本発明の第３の実施形態は、
チップ部品と、
導電性粒子焼結体、ガラス成分及びシルセスキオキサン化合物のガラス体を含む導電層と
を含むチップ電子部品であって、
導電性粒子焼結体の孔中にシルセスキオキサン化合物のガラス体の少なくとも一部が存在する、チップ電子部品である。
The specific means for solving the above problems are as follows.
The first embodiment of the present invention is
It is a conductive paste containing (A) conductive particles, (B) Bi 2 O 3 based glass frit, (C) silsesquioxane compound, and (D) organic vehicle.
The second embodiment of the present invention is
A step of applying the conductive paste to a chip part,
And a step of firing the chip component to form a conductive layer.
The third embodiment of the present invention is
Chip parts,
A chip electronic component comprising a conductive particle sintered body, a conductive layer containing a glass component and a glass body of a silsesquioxane compound,
A chip electronic component in which at least a part of the glass body of the silsesquioxane compound is present in the pores of the conductive particle sintered body.
本発明によれば、焼成後に、得られる導電層がより緻密な構造を有し、チップとの接着強度が高く、めっき付け性及び耐めっき液性に優れ、はんだ爆ぜ防止性に優れる導電性ペーストを提供することができる。また、本発明によれば、導電層がより緻密な構造を有し、チップと導電層との密着強度が高く、めっき付け性及び耐めっき液性に優れ、はんだ爆ぜ防止性に優れるチップ電子部品及びその製造方法を提供することができる。 According to the present invention, after firing, the conductive layer obtained has a more dense structure, has a high adhesive strength with the chip, is excellent in plating property and plating solution resistance, and is excellent in solder explosion prevention conductive paste. Can be provided. Further, according to the present invention, a chip electronic component having a more dense structure of the conductive layer, high adhesion strength between the chip and the conductive layer, excellent plating property and plating solution resistance, and excellent solder explosion prevention property. And a method for manufacturing the same.
［導電性ペースト］
本実施形態の導電性ペーストは、（Ａ）導電性粒子と、（Ｂ）Ｂｉ２Ｏ３系ガラスフリットと、（Ｃ）シルセスキオキサン化合物と、（Ｄ）有機ビヒクルとを含む。（Ｂ）Ｂｉ２Ｏ３系ガラスフリット及び（Ｃ）シルセスキオキサン化合物を併用することで、（Ｂ）Ｂｉ２Ｏ３系ガラスフリットにより導電性粒子の焼結が促進されるとともに、Ｂｉ２Ｏ３系のガラスが流れ出して形成された孔に、（Ｃ）シルセスキオキサン化合物が入り込み、孔が充填される。その結果、緻密な焼成膜（導電層）ができ、優れためっき付け性及び耐めっき液性、並びにはんだ爆ぜ防止性を達成することができる。
[Conductive paste]
The conductive paste of the present embodiment contains (A) conductive particles, (B) Bi 2 O 3 based glass frit, (C) silsesquioxane compound, and (D) organic vehicle. By using (B) Bi 2 O 3 -based glass frit and (C) silsesquioxane compound in combination, (B) Bi 2 O 3 -based glass frit promotes sintering of conductive particles and Bi 2 The (C) silsesquioxane compound enters the holes formed by the O 3 -based glass flowing out, and the holes are filled. As a result, a dense fired film (conductive layer) can be formed, and excellent plating property and plating solution resistance, and solder explosion prevention property can be achieved.
（Ａ）導電性粒子
本実施形態の導電性ペーストは、（Ａ）導電性粒子を含む。（Ａ）導電性粒子は、特に制限されないが、銀（Ａｇ）、金（Ａｕ）、銅（Ｃｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、パラジウム（Ｐｄ）、スズ（Ｓｎ）及びこれらの合金等の金属微粒子、並びに金、銀、パラジウムでコーティングされた無機フィラーが挙げられ、高い導電率を有する観点から、好ましくは銀（Ａｇ）である。（Ａ）導電性粒子の形状は、特に限定されず、球状、フレーク状（リン片状）等が挙げられ、導電性ペーストの塗布形状が良好となり、焼成膜の厚みが均一になる観点から、球状が好ましい。（Ａ）導電性粒子１００質量部のうち８０質量部以上は球状であることが好ましい。導電性粒子は、１種を単独で使用しても、２種以上を併用してもよい。導電性粒子は、粒径が、好ましくは０．１〜１０μｍ、より好ましくは０．５〜７μｍ、ＢＥＴ比表面積が、好ましくは０．１〜５．０ｍ２／ｇ、より好ましくは０．１〜３．０ｍ２／ｇであり、さらに好ましくは０．１〜２．０ｍ２／ｇであり、タップ密度が、好ましくは０．５〜８ｇ／ｃｍ３、より好ましくは１〜８ｇ／ｃｍ３、さらに好ましくは３〜８ｇ／ｃｍ３のものが好適に使用できる。
(A) Conductive particles The conductive paste of the present embodiment contains (A) conductive particles. The conductive particles (A) are not particularly limited, but are metal fine particles such as silver (Ag), gold (Au), copper (Cu), nickel (Ni), palladium (Pd), tin (Sn) and alloys thereof. , And an inorganic filler coated with gold, silver, or palladium, and silver (Ag) is preferable from the viewpoint of having high conductivity. The shape of the conductive particles (A) is not particularly limited, and examples thereof include spherical shapes and flake shapes (scaly shapes). From the viewpoints that the conductive paste application shape is good and the thickness of the fired film is uniform, A spherical shape is preferable. It is preferable that 80 parts by mass or more of 100 parts by mass of the conductive particles (A) are spherical. The conductive particles may be used alone or in combination of two or more. The conductive particles have a particle size of preferably 0.1 to 10 μm, more preferably 0.5 to 7 μm, and a BET specific surface area of preferably 0.1 to 5.0 m 2 /g, more preferably 0.1. ~3.0m a 2 / g, more preferably from 0.1~2.0m 2 / g, tap density of preferably 0.5 to 8 g / cm 3, more preferably 1-8 g / cm 3 , And more preferably 3 to 8 g/cm 3 can be suitably used.
導電性ペースト中の（Ａ）導電性粒子の含有量は、導電性ペーストの全体量１００質量部に対して、好ましくは４０質量部以上６０質量部未満であり、より好ましくは５０質量部以上６０質量部未満である。４０質量部未満では、比抵抗値が高くなり電極特性が悪化しやすくなる場合がある。６０質量部超では、薄膜化しにくい、コスト高となる等の問題が生じるおそれがある。ここで、「導電性ペーストの全体量１００質量％」は、導電性ペースト中に（Ａ）（Ｂ）（Ｃ）（Ｄ）成分以外の後述の（Ｅ）成分及び（Ｆ）その他の成分を含む場合は、（Ａ）（Ｂ）（Ｃ）（Ｄ）（Ｅ）（Ｆ）成分全てを含む導電性ペーストの全体量１００質量部を意味する。 The content of the (A) conductive particles in the conductive paste is preferably 40 parts by mass or more and less than 60 parts by mass, and more preferably 50 parts by mass or more and 60 parts by mass with respect to 100 parts by mass of the total amount of the conductive paste. It is less than part by mass. If the amount is less than 40 parts by mass, the specific resistance value may be high and the electrode characteristics may be deteriorated. If it exceeds 60 parts by mass, problems such as difficulty in forming a thin film and high cost may occur. Here, "the total amount of the conductive paste is 100% by mass" means that the components (A), (B), (C), and (D) described below, other than the components (E) and (F), are contained in the conductive paste. When included, it means 100 parts by mass of the total amount of the conductive paste containing all the components (A), (B), (C), (D), (E), and (F).
（Ｂ）Ｂｉ２Ｏ３系ガラスフリット
本実施形態の導電性ペーストは、（Ｂ）Ｂｉ２Ｏ３系ガラスフリットを含む。導電性ペースト中にガラスフリットが存在すると、焼成時、一部液相が生じ、金属粒子同士の焼結を促進する（液相焼結）。（Ｂ）Ｂｉ２Ｏ３系ガラスフリットは、融点が低く、濡れ性が良いため、金属粒子の焼結が進みやすくなる。
（Ｂ）Ｂｉ２Ｏ３系ガラスフリットは、Ｂｉ２Ｏ３系ガラスフリット１００質量部に対してＢｉ２Ｏ３を４０質量％以上９５質量％以下含むガラスフリットであり、好ましくは７５質量％以上９５質量％以下含む。（Ｂ）Ｂｉ２Ｏ３系ガラスフリットは、その他成分として、ＳｉＯ２、Ｂ２Ｏ３、ＺｎＯ、Ｌｉ２Ｏ、Ａｌ２Ｏ３、ＺｒＯ２等の酸化物を含んでいてもよい。
(B) Bi 2 O 3 based glass frit The conductive paste of the present embodiment includes (B) Bi 2 O 3 based glass frit. If the glass frit is present in the conductive paste, a part of the liquid phase is generated during firing, which accelerates the sintering of the metal particles (liquid phase sintering). (B) The Bi 2 O 3 -based glass frit has a low melting point and good wettability, so that sintering of the metal particles easily proceeds.
The (B) Bi 2 O 3 -based glass frit is a glass frit containing 40% by mass or more and 95% by mass or less of Bi 2 O 3 with respect to 100 parts by mass of the Bi 2 O 3 -based glass frit, and preferably 75% by mass or more. Contains 95 mass% or less. The (B) Bi 2 O 3 -based glass frit may contain oxides such as SiO 2 , B 2 O 3 , ZnO, Li 2 O, Al 2 O 3 , and ZrO 2 as other components.
（Ｂ）Ｂｉ２Ｏ３系ガラスフリットの軟化点は、好ましくは３００℃以上６００℃以下、より好ましくは４００℃以上６００℃以下である。（Ｂ）Ｂｉ２Ｏ３系ガラスフリットは、結晶化しないものを用いることが好ましい。ガラスフリットの軟化点及び結晶化温度は、熱重量測定装置（例えば、ＢＲＵＫＥＲ ＡＸＳ社製、ＴＧ−ＤＴＡ２０００ＳＡ）を用いて測定することができる。 The softening point of the (B) Bi 2 O 3 based glass frit is preferably 300° C. or higher and 600° C. or lower, and more preferably 400° C. or higher and 600° C. or lower. As the (B) Bi 2 O 3 based glass frit, it is preferable to use one that does not crystallize. The softening point and the crystallization temperature of the glass frit can be measured using a thermogravimetric measuring device (for example, TG-DTA2000SA manufactured by BRUKER AXS).
（Ｂ）Ｂｉ２Ｏ３系ガラスフリットの平均粒径は、好ましくは０．１〜２０μｍ、より好ましくは０．２〜１０μｍ、最も好ましくは０．５〜５μｍである。ここでいう平均粒径は、レーザー回折散乱式粒度分布測定法により得られる体積基準メジアン径（ｄ５０）のことを意味する。 The average particle size of the (B) Bi 2 O 3 based glass frit is preferably 0.1 to 20 μm, more preferably 0.2 to 10 μm, and most preferably 0.5 to 5 μm. The average particle diameter as used herein means a volume-based median diameter (d50) obtained by a laser diffraction/scattering particle size distribution measuring method.
本実施形態の導電性ペーストにおいて、（Ｂ）Ｂｉ２Ｏ３系ガラスフリットの含有量は、（Ａ）導電性粒子１００質量部に対して好ましくは１〜４０質量部であり、より好ましくは３〜３０質量部であり、さらに好ましくは５〜２０質量部である。 In the conductive paste of the present embodiment, the content of (B) Bi 2 O 3 based glass frit is preferably 1 to 40 parts by mass, and more preferably 3 parts by mass with respect to 100 parts by mass of (A) conductive particles. To 30 parts by mass, more preferably 5 to 20 parts by mass.
本実施形態の導電性ペーストは、本発明の効果を損なわない範囲であれば、（Ｂ）Ｂｉ２Ｏ３系ガラスフリット以外のガラスフリットを含んでいてもよい。 The conductive paste of the present embodiment may contain a glass frit other than the (B) Bi 2 O 3 based glass frit as long as the effect of the present invention is not impaired.
本実施形態の導電性ペーストは、好ましくは、６００℃を超える軟化点を有するガラスフリットを実質的に含まない。６００℃を超える軟化点を有するガラスフリットを含むと、金属粒子の焼結促進が抑制され、低温（７００℃以下）の焼成温度では緻密な焼成膜（導電層）が得られない。 The conductive paste of the present embodiment preferably contains substantially no glass frit having a softening point of higher than 600°C. When the glass frit having a softening point of higher than 600° C. is included, the promotion of sintering of metal particles is suppressed, and a dense fired film (conductive layer) cannot be obtained at a low firing temperature (700° C. or lower).
本実施形態の導電性ペーストは、好ましくは、６５０℃以下の結晶化温度を有するガラスフリットを実質的に含まない。６５０℃以下の結晶化温度を有するガラスフリットを含むと、焼成温度より低い温度で結晶化し、金属粒子の焼結を遅らせる（阻害する）ため、金属粒子の焼結促進が抑制され、低温（７００℃以下）の焼成温度では緻密な焼成膜（導電層）が得られない。 The conductive paste of the present embodiment preferably contains substantially no glass frit having a crystallization temperature of 650° C. or lower. If a glass frit having a crystallization temperature of 650° C. or lower is included, it is crystallized at a temperature lower than the firing temperature and delays (inhibits) the sintering of the metal particles. At a firing temperature of (° C. or lower), a dense fired film (conductive layer) cannot be obtained.
（Ｃ）シルセスキオキサン化合物
本実施形態の導電性ペーストは、（Ｃ）シルセスキオキサン化合物を含む。シルセスキオキサン化合物とは、主鎖骨格がＳｉ−Ｏ結合からなるポリシロキサン系の化合物であり、[（ＲＳｉＯ１．５）ｎ]単位を含む化合物である。シルセスキオキサン化合物は、無機シリカ[ＳｉＯ２]と有機シリコーン[（Ｒ２ＳｉＯ）ｎ]の中間的な物質として位置付けられる。したがって、シルセスキオキサン化合物は、耐熱性や硬さなどの無機的な特長と、柔軟性や可溶性などの有機的な特長を併せ持つことができる。シリカ（ＳｉＯ２）は融点が高いため、導電性ペーストの焼成温度では固体状態である。一方、シルセスキオキサン化合物は、シリカ（ＳｉＯ２）と異なり、使用時には一般的に室温で液体状態であるため、導電性ペースト中での分散性に優れる。焼成時に、（Ｂ）のＢｉ２Ｏ３系ガラスフリットが溶融し、導電性粒子の焼結を進めると共に、焼結が進む過程で（Ｂ）のガラスが流れ出して生じた孔の中にシルセスキオキサン化合物のガラス体が残り、孔が充填される。また、シルセスキオキサン化合物は、導電性ペーストの焼成温度において有機官能基部分が燃え、ＳｉＯ骨格が焼成物中に残り、焼成膜（導電層）中に均一にＳｉＯ成分（ＳｉＯ１．５やＳｉＯ２）が分布することになる。その結果、緻密な焼成膜ができ、優れためっき付け性及び耐めっき液性、並びにはんだ爆ぜ防止性を達成することができる。
(C) Silsesquioxane compound The conductive paste of the present embodiment contains (C) a silsesquioxane compound. The silsesquioxane compound is a polysiloxane compound having a Si—O bond in the main chain skeleton, and is a compound containing a [(RSiO 1.5 ) n ] unit. The silsesquioxane compound is positioned as an intermediate substance between inorganic silica [SiO 2 ] and organic silicone [(R 2 SiO) n ]. Therefore, the silsesquioxane compound can have both inorganic features such as heat resistance and hardness and organic features such as flexibility and solubility. Since silica (SiO 2 ) has a high melting point, it is in a solid state at the firing temperature of the conductive paste. On the other hand, the silsesquioxane compound is excellent in dispersibility in the conductive paste because it is generally in a liquid state at room temperature when used, unlike silica (SiO 2 ). At the time of firing, the Bi 2 O 3 based glass frit of (B) is melted, and the sintering of the conductive particles is promoted. At the same time, the glass of (B) flows out in the process of sintering and the silsesquis The glass body of the oxane compound remains, filling the pores. Further, in the silsesquioxane compound, the organic functional group portion burns at the firing temperature of the conductive paste, the SiO skeleton remains in the fired product, and the SiO component (SiO 1.5 or SiO 1.5 ) uniformly remains in the fired film (conductive layer). SiO 2 ) will be distributed. As a result, a dense fired film can be formed, and excellent plating property, plating solution resistance, and solder explosion resistance can be achieved.
シルセスキオキサン化合物は、種々の骨格構造、例えば、カゴ型構造、ハシゴ型構造、ランダム構造などの骨格を持つものが知られている。本発明において用いるシルセスキオキサン化合物は、これらの構造のうち１種のみを有するものでもよいし、これらの構造のうち２種以上を有するものでもよい。 It is known that silsesquioxane compounds have various skeleton structures, for example, skeletons such as a cage structure, a ladder structure, and a random structure. The silsesquioxane compound used in the present invention may have only one kind of these structures, or may have two or more kinds of these structures.
（Ｃ）シルセスキオキサン化合物は、導電性ペースト中での分散性の観点から、室温で液状であることが好ましい。（Ｃ）シルセスキオキサン化合物の粘度を下げるために、プロピレングリコールモノブチルエーテル等の溶媒へ溶解させてもよい。シルセスキオキサン化合物の数平均分子量は、好ましくは１，０００〜１５，０００、より好ましくは１，５００〜５，０００である。
（Ｃ）シルセスキオキサン化合物は、有機官能基Ｒとして、種々の官能基を含有することができる。官能基としては、例えば、（メタ）アクロイル基又はオキセタニル基等が挙げられる。
官能基として、（メタ）アクロイル基を含有するシルセスキオキサン化合物として、例えば、東亜合成株式会社ＳＱシリーズのＭＡＣグレードや同ＡＣグレードを用いることが出来る。ＭＡＣグレードは、メタクリロイル基を含有するシルセスキオキサン化合物であり、具体的には、例えば、ＭＡＣ−ＳＱ ＴＭ−１００、ＭＡＣ−ＳＱ ＳＩ−２０、ＭＡＣ−ＳＱ ＨＤＭ等が挙げられる。ＡＣグレードは、アクリロイル基を含有するシルセスキオキサン化合物であり、具体的には、例えば、ＡＣ−ＳＱ ＴＡ−１００、ＡＣ−ＳＱ ＳＩ−２０等が挙げられる。
また、官能基として、オキセタニル基を有するシルセスキオキサン化合物として例えば、東亜合成株式会社ＳＱシリーズのＯＸグレードを用いることが出来る。具体的には、例えば、ＯＸ−ＳＱ ＳＩ−２０，ＯＸ−ＳＱ ＭＥ−２０、ＯＸ−ＳＱ ＨＤＸ等が挙げられる。
The silsesquioxane compound (C) is preferably liquid at room temperature from the viewpoint of dispersibility in the conductive paste. In order to reduce the viscosity of the silsesquioxane compound (C), it may be dissolved in a solvent such as propylene glycol monobutyl ether. The number average molecular weight of the silsesquioxane compound is preferably 1,000 to 15,000, more preferably 1,500 to 5,000.
The (C) silsesquioxane compound can contain various functional groups as the organic functional group R. Examples of the functional group include a (meth)acroyl group and an oxetanyl group.
As the silsesquioxane compound having a (meth)acryloyl group as a functional group, for example, MAC grade or AC grade of SQ series of Toagosei Co., Ltd. can be used. The MAC grade is a silsesquioxane compound containing a methacryloyl group, and specific examples thereof include MAC-SQ TM-100, MAC-SQ SI-20, and MAC-SQ HDM. AC grade is a silsesquioxane compound containing an acryloyl group, and specific examples thereof include AC-SQ TA-100 and AC-SQ SI-20.
Further, as a silsesquioxane compound having an oxetanyl group as a functional group, for example, OX grade of SQ series of Toagosei Co., Ltd. can be used. Specifically, for example, OX-SQ SI-20, OX-SQ ME-20, OX-SQ HDX and the like can be mentioned.
本実施形態の導電性ペーストにおいて、（Ｃ）シルセスキオキサン化合物の含有量は、（Ａ）導電性粒子１００質量部に対して好ましくは０．１〜５量部であり、より好ましくは０．５〜２質量部である。 In the conductive paste of the present embodiment, the content of the (C) silsesquioxane compound is preferably 0.1 to 5 parts by weight, and more preferably 0, based on 100 parts by weight of the (A) conductive particles. 0.5 to 2 parts by mass.
（Ｄ）有機ビヒクル
本実施形態の導電性ペーストは、（Ｄ）有機ビヒクルを含む。有機ビヒクルとしては、（Ｄ１）有機バインダ及び／又は（Ｄ２）溶剤を含むことができる。（Ｄ１）有機バインダは、導電性ペースト中において導電性粒子同士をつなぎあわせるものであり、かつ、導電性ペーストの焼成時に焼失するものである。（Ｄ２）溶剤は、導電性ペースト粘度調整等のために含むことができ、これも、導電性ペーストの焼成時に焼失するものである。
(D) Organic Vehicle The conductive paste of the present embodiment contains (D) an organic vehicle. The organic vehicle may include (D1) organic binder and/or (D2) solvent. The (D1) organic binder is for binding the conductive particles to each other in the conductive paste, and is burned out during firing of the conductive paste. The solvent (D2) can be included for adjusting the viscosity of the conductive paste, and this is also burned off when the conductive paste is baked.
（Ｄ１）有機バインダとしては、特に限定するものではないが、例えば、熱硬化性樹脂あるいは熱可塑性樹脂を用いることができる。
熱硬化性樹脂としては、例えば、エポキシ樹脂、ウレタン樹脂、ビニルエステル樹脂、シリコーン樹脂、フェノール樹脂、ユリア樹脂、メラミン樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、ジアリルフタレート樹脂、ポリイミド樹脂等を用いることができる。
熱可塑性樹脂としては、例えば、エチルセルロース、ニトロセルロース等のセルロース系樹脂、アクリル樹脂、アルキド樹脂、飽和ポリエステル樹脂、ブチラール樹脂、ポリビニルアルコール、ヒドロキシプロピルセルロース等を用いることができる。
これらの樹脂は、単独で使用してもよく、２種類以上を混合して使用してもよい。
The (D1) organic binder is not particularly limited, but, for example, a thermosetting resin or a thermoplastic resin can be used.
As the thermosetting resin, for example, epoxy resin, urethane resin, vinyl ester resin, silicone resin, phenol resin, urea resin, melamine resin, unsaturated polyester resin, diallyl phthalate resin, polyimide resin or the like can be used.
As the thermoplastic resin, for example, cellulosic resins such as ethyl cellulose and nitrocellulose, acrylic resins, alkyd resins, saturated polyester resins, butyral resins, polyvinyl alcohol, hydroxypropyl cellulose and the like can be used.
These resins may be used alone or in combination of two or more.
本実施形態の導電性ペーストにおいて、（Ｄ１）有機バインダの含有量は、（Ａ）導電性粒子１００質量部に対して好ましくは１０〜１００質量部であり、より好ましくは、３０〜８０質量部である。導電性ペースト中の（Ｄ１）有機バインダの含有量が上記の範囲内の場合、導電性ペースト中の（Ａ）導電性粒子の量を適切に調整することができる。 In the conductive paste of the present embodiment, the content of the (D1) organic binder is preferably 10 to 100 parts by mass, and more preferably 30 to 80 parts by mass with respect to 100 parts by mass of the (A) conductive particles. Is. When the content of the (D1) organic binder in the conductive paste is within the above range, the amount of the (A) conductive particles in the conductive paste can be appropriately adjusted.
（Ｄ２）溶剤としては、例えば、メタノール、エタノール、イソプロピルアルコール（ＩＰＡ）等のアルコール類、酢酸エチレン等の有機酸類、トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素類、Ｎ−メチル−２−ピロリドン（ＮＭＰ）等のＮ−アルキルピロリドン類、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）等のアミド類、メチルエチルケトン（ＭＥＫ）等のケトン類、テルピネオール（ＴＥＬ）、ブチルカルビトール（ＢＣ）、ブチルカルビトールアセテート（ＢＣＡ）等が挙げられる。これらの溶剤は、単独で使用してもよく、２種類以上を混合して使用してもよい。
（Ｄ２）溶剤の含有量は、特に限定されないが、（Ａ）導電性粒子１００質量部に対して、好ましくは１〜１００質量部、より好ましくは５〜６０質量部である。
Examples of the (D2) solvent include alcohols such as methanol, ethanol and isopropyl alcohol (IPA), organic acids such as ethylene acetate, aromatic hydrocarbons such as toluene and xylene, N-methyl-2-pyrrolidone (NMP). ) Etc., N-alkylpyrrolidones, N,N-dimethylformamide (DMF) and other amides, methyl ethyl ketone (MEK) and other ketones, terpineol (TEL), butyl carbitol (BC), butyl carbitol acetate (BCA). ) And the like. These solvents may be used alone or in combination of two or more.
The content of the solvent (D2) is not particularly limited, but is preferably 1 to 100 parts by mass, and more preferably 5 to 60 parts by mass with respect to 100 parts by mass of the conductive particles (A).
本実施形態の導電性ペーストの粘度は、好ましくは１０〜３００Ｐａ・ｓ、より好ましくは２０〜１００Ｐａ・ｓである。粘度は、ブルックフィールド社製ＨＢＴ粘度計、１４号スピンドルを用いて、試料の温度を２５±１℃に保ち、１０ｒｐｍにて測定した値である。導電性ペーストの粘度がこの範囲に調整されることによって、導電性ペーストのチップ部品への塗布性や取り扱い性が良好になり、導電性ペーストを均一の厚みでチップ部品へ塗布することが可能になる。 The viscosity of the conductive paste of this embodiment is preferably 10 to 300 Pa·s, more preferably 20 to 100 Pa·s. The viscosity is a value measured at 10 rpm while maintaining the temperature of the sample at 25±1° C. using a Brookfield HBT viscometer, No. 14 spindle. By adjusting the viscosity of the conductive paste in this range, the conductive paste can be easily applied to the chip parts and handled, and the conductive paste can be applied to the chip parts with a uniform thickness. Become.
（Ｅ）酸化銅
本実施形態の導電性ペーストは、好ましくは、さらに、（Ｅ）酸化銅（例えば、ＣｕＯ、Ｃｕ２Ｏ）を含む。金属粒子同士の焼結の促進が進みすぎると、導電層とチップ部品との界面でのガラス成分の過剰な流動が進み、また、ガラス成分が導電層の表面に浮きやすくなる（ガラス浮き）という問題が生じる場合がある。その結果、チップの劣化やクラックの発生につながる場合がある。（Ｅ）酸化銅を含むことにより、金属粒子同士の焼結の促進を適度に抑制することができ、ガラス成分の過剰な流動、ガラス浮き、エッジ切れ等の問題を抑えることができる。その結果、チップの劣化やクラックの発生を抑えることができる。（Ｅ）酸化銅は、混合しやすさの観点から、粉末の形態であることが好ましい。
(E) Copper Oxide The conductive paste of the present embodiment preferably further contains (E) copper oxide (for example, CuO, Cu 2 O). If the sintering of the metal particles is promoted too much, excessive flow of the glass component at the interface between the conductive layer and the chip component will proceed, and the glass component will easily float on the surface of the conductive layer (glass float). There may be problems. As a result, the chip may be deteriorated or cracks may be generated. By including (E) copper oxide, promotion of sintering of metal particles can be appropriately suppressed, and problems such as excessive flow of glass components, glass float, and edge breakage can be suppressed. As a result, the deterioration of the chip and the occurrence of cracks can be suppressed. The copper oxide (E) is preferably in the form of powder from the viewpoint of easy mixing.
本実施形態の導電性ペーストにおいて、（Ｅ）酸化銅の含有量は、（Ａ）導電性粒子１００質量部に対して好ましくは１〜１５質量部であり、より好ましくは３〜１０質量部である。 In the conductive paste of the present embodiment, the content of (E) copper oxide is preferably 1 to 15 parts by mass, and more preferably 3 to 10 parts by mass with respect to 100 parts by mass of (A) conductive particles. is there.
（Ｆ）その他成分
本実施形態の導電性ペーストは、その他の添加剤、例えば、分散剤、レオロジー調整剤、顔料などを含有してもよい。
(F) Other components The conductive paste of the present embodiment may contain other additives such as a dispersant, a rheology modifier, and a pigment.
本実施形態の導電性ペーストは、さらに、可塑剤（例えば、カルボキシル基末端ポリブタジエン‐アクリロニトリルなどのコポリマー、シリコーンゴム、シリコーンゴムパウダー、シリコーンレジンパウダー、アクリル樹脂パウダーなどの樹脂パウダー）、消泡剤などを含有してもよい。 The conductive paste of the present embodiment further includes a plasticizer (for example, a copolymer such as carboxyl group-terminated polybutadiene-acrylonitrile, silicone rubber, silicone rubber powder, silicone resin powder, resin powder such as acrylic resin powder), a defoaming agent, etc. May be included.
本実施形態の導電性ペーストは、上記の各成分を、例えば、ライカイ機、ポットミル、三本ロールミル、回転式混合機、二軸ミキサー等を用いて混合することで製造することができる。製造温度は特に制限されず、例えば常温で製造することができる。 The conductive paste of the present embodiment can be produced by mixing the above components using, for example, a liquor machine, a pot mill, a three roll mill, a rotary mixer, a biaxial mixer, or the like. The production temperature is not particularly limited, and the production can be performed at room temperature, for example.
本実施形態の導電性ペーストは、特に、コンデンサ、インダクタなどの積層セラミック部品の端子電極の形成等に用いることができる。 The conductive paste of this embodiment can be used particularly for forming terminal electrodes of multilayer ceramic parts such as capacitors and inductors.
［チップ電子部品の製造方法の製造方法］
本実施形態のチップ電子部品の製造方法の製造方法は、
チップ部品に上記導電性ペーストを塗布する工程と、
チップ部品を焼成して導電層を形成する工程と
を含む。
[Manufacturing method of chip electronic component manufacturing method]
The manufacturing method of the manufacturing method of the chip electronic component of the present embodiment,
A step of applying the conductive paste to a chip part,
Baking the chip part to form a conductive layer.
まず、上記実施形態の導電性ペーストをチップ部品に塗布する。塗布方法は任意であり、例えば、ディッピング、刷け塗り、ディスペンス、ジェットディスペンス、孔版印刷、スクリーン印刷、ピン転写、スタンピングなどの公知の方法を用いて塗布することができる。簡便性の観点から、塗布方法はディッピングが好ましい。 First, the conductive paste of the above embodiment is applied to a chip component. The application method is arbitrary, and for example, known methods such as dipping, brush coating, dispensing, jet dispensing, stencil printing, screen printing, pin transfer and stamping can be used. From the viewpoint of simplicity, the coating method is preferably dipping.
チップ部品としては、いずれの公知のものを用いることができ、例えば、厚さ数μｍの内部電極層と厚さ数十μｍのセラミック誘電体層とが交互に積層されて一体焼成されたコンデンサ素子を用いることができる。 Any known chip component can be used as the chip component, for example, a capacitor element in which internal electrode layers having a thickness of several μm and ceramic dielectric layers having a thickness of several tens μm are alternately laminated and integrally fired. Can be used.
チップ部品に導電性ペーストを塗布した後、チップ部品をベルト式焼成炉等に投入する。そして、チップ部品上に塗布された導電性ペーストを、５００〜１０００℃、より好ましくは６００〜９００℃、さらに好ましくは６５０〜８５０℃で焼成する。これにより、導電性ペーストに含まれる導電性粒子同士が焼結するとともに、導電性ペーストに含まれる有機バインダ等の成分が焼失し、焼成膜（導電層）が得られる。また、シルセスキオキサン化合物は、導電性ペーストの焼成温度において有機官能基部分が燃え、ＳｉＯ骨格が焼成物中に残り、焼成膜（導電層）中に均一にＳｉＯ成分（ＳｉＯ１．５やＳｉＯ２）が分布することになる。その結果、導電層がより緻密な構造を有し、チップと導電層との密着強度が高く、めっき付け性及び耐めっき液性に優れ、はんだ爆ぜ防止性に優れるチップ電子部品を得ることができる。 After applying the conductive paste to the chip parts, the chip parts are put into a belt-type firing furnace or the like. Then, the conductive paste applied on the chip component is fired at 500 to 1000°C, more preferably 600 to 900°C, and further preferably 650 to 850°C. As a result, the conductive particles contained in the conductive paste sinter with each other, and the components such as the organic binder contained in the conductive paste are burned off to obtain a fired film (conductive layer). Further, in the silsesquioxane compound, the organic functional group portion burns at the firing temperature of the conductive paste, the SiO skeleton remains in the fired product, and the SiO component (SiO 1.5 or SiO 1.5 ) uniformly remains in the fired film (conductive layer). SiO 2 ) will be distributed. As a result, it is possible to obtain a chip electronic component having a more dense structure of the conductive layer, high adhesion strength between the chip and the conductive layer, excellent plating property and plating solution resistance, and excellent solder explosion resistance. ..
導電層の膜厚は、好ましくは１０μｍ以上５０μｍ以下であり、より好ましくは１０μｍ以上３０μｍ以下である。 The thickness of the conductive layer is preferably 10 μm or more and 50 μm or less, more preferably 10 μm or more and 30 μm or less.
チップ電子部品の導電層は、チップ電子部品の外部電極として用いることができる。チップ電子部品の外部電極を回路基板に装着する場合は、導電層上に、導電層保護のためのニッケルめっき層と、はんだ付け性の良いスズ又はその合金からなるスズめっき層とを順次形成することができる。めっきは、電解めっきでも、無電解めっきでもよいが、寸法精度の観点から、電解めっきが好ましい。次いで、回路基板との間に、はんだ付けを行って、チップ電子部品を回路基板に装着する。 The conductive layer of the chip electronic component can be used as an external electrode of the chip electronic component. When mounting the external electrodes of the chip electronic component on the circuit board, a nickel plating layer for protecting the conductive layer and a tin plating layer made of tin or its alloy with good solderability are sequentially formed on the conductive layer. be able to. The plating may be electrolytic plating or electroless plating, but electrolytic plating is preferable from the viewpoint of dimensional accuracy. Then, the chip electronic component is mounted on the circuit board by soldering with the circuit board.
［チップ電子部品］
上記実施形態の導電性ペースト及び製造方法により製造されたチップ電子部品は、下記構成を有する。
本実施形態のチップ電子部品は、
チップ部品と、
導電性粒子焼結体、ガラス成分及びシルセスキオキサン化合物のガラス体を含む導電層と
を含むチップ電子部品であって、
導電性粒子焼結体の孔中にシルセスキオキサン化合物のガラス体の少なくとも一部が存在する。
[Chip electronic components]
A chip electronic component manufactured by the conductive paste and the manufacturing method of the above embodiment has the following configuration.
The chip electronic component of this embodiment is
Chip parts,
A chip electronic component comprising a conductive particle sintered body, a conductive layer containing a glass component and a glass body of a silsesquioxane compound,
At least a part of the glass body of the silsesquioxane compound is present in the pores of the conductive particle sintered body.
チップ電子部品は、チップ部品と、導電性粒子焼結体、ガラス成分及びシルセスキオキサン化合物のガラス体を含む導電層とを含む。導電性粒子焼結体は、上記導電性ペースト中に含まれる（Ａ）導電性粒子の焼結体である。ガラス成分は、上記導電性ペースト中に含まれる（Ｂ）Ｂｉ２Ｏ３系ガラスフリット由来のガラス成分である。 The chip electronic component includes a chip component and a conductive layer including a conductive particle sintered body, a glass component, and a glass body of a silsesquioxane compound. The conductive particle sintered body is a sintered body of the conductive particles (A) contained in the conductive paste. The glass component is a glass component derived from (B) Bi 2 O 3 based glass frit contained in the conductive paste.
本実施形態のチップ電子部品において、導電性粒子焼結体の孔中にシルセスキオキサン化合物のガラス体の少なくとも一部が存在する。シルセスキオキサン化合物のガラス体は、上記導電性ペースト中に含まれる（Ｃ）シルセスキオキサン化合物の焼成体である。シルセスキオキサン化合物は、導電性ペーストの焼結温度において有機官能基部分が燃え、ＳｉＯ骨格が焼成物中に残り、焼成膜（導電層）中に均一にＳｉＯ成分（ＳｉＯ１．５やＳｉＯ２）が分布することになる。その結果、本実施形態のチップ電子部品は、導電層がより緻密な構造を有し、チップと導電層との密着強度が高く、めっき付け性及び耐めっき液性に優れ、はんだ爆ぜ防止性に優れる。 In the chip electronic component of this embodiment, at least a part of the glass body of the silsesquioxane compound exists in the holes of the conductive particle sintered body. The glass body of the silsesquioxane compound is a fired body of the (C) silsesquioxane compound contained in the conductive paste. In the silsesquioxane compound, the organic functional group portion burns at the sintering temperature of the conductive paste, the SiO skeleton remains in the fired product, and the SiO component (SiO 1.5 or SiO 2) is uniformly distributed in the fired film (conductive layer). 2 ) will be distributed. As a result, in the chip electronic component of the present embodiment, the conductive layer has a more dense structure, the adhesion strength between the chip and the conductive layer is high, the plating property and the plating solution resistance are excellent, and the solder explosion prevention property is high. Excel.
導電層の膜厚は、好ましくは１０μｍ以上５０μｍ以下であり、より好ましくは１０μｍ以上３０μｍ以下である。 The thickness of the conductive layer is preferably 10 μm or more and 50 μm or less, more preferably 10 μm or more and 30 μm or less.
本実施形態のチップ電子部品は、導電層上に、ニッケルめっき層と、スズ又はその合金からなるスズめっき層とをこの順で含むことができる。次いで、回路基板との間に、はんだ付けを行って、チップ電子部品を回路基板に装着することができる。 The chip electronic component of the present embodiment can include a nickel plating layer and a tin plating layer made of tin or an alloy thereof in this order on the conductive layer. Next, the chip electronic component can be mounted on the circuit board by performing soldering with the circuit board.
本実施形態のチップ電子部品は、コンデンサ、インダクタなどの積層セラミック部品の端子電極として用いることができる。 The chip electronic component of this embodiment can be used as a terminal electrode of a multilayer ceramic component such as a capacitor or an inductor.
以下、本発明を実施例及び比較例によりさらに詳細に説明するが、本発明はこれら実施例に限定されるものではない。 Hereinafter, the present invention will be described in more detail with reference to Examples and Comparative Examples, but the present invention is not limited to these Examples.
［導電性ペーストの調製］
以下の（Ａ）、（Ｂ）又は（Ｂ’）又は（Ｂ”）、（Ｃ）、（Ｄ）及び（Ｅ）成分を、表１に記載した実施例１〜５及び比較例１〜３の割合で混合して導電性ペーストを調製した。なお、表１に示す各成分の割合は、全て質量部で示しており、空欄は未配合であることを意味する。また、表中の「（Ａ）（Ｂ）（Ｃ）（Ｄ１）（Ｄ２）（Ｅ）合計」とは、比較例１においては「（Ａ）（Ｂ’）（Ｃ）（Ｄ１）（Ｄ２）（Ｅ）合計」であり、比較例２においては「（Ａ）（Ｂ”）（Ｃ）（Ｄ１）（Ｄ２）（Ｅ）合計」である。
（Ａ）導電性粒子
平均粒径１．３μｍ、ＢＥＴ値０．６ｍ２／ｇの球状銀粉。
[Preparation of conductive paste]
The components (A), (B) or (B′) or (B″), (C), (D) and (E) below were used in Examples 1 to 5 and Comparative Examples 1 to 3 described in Table 1. A conductive paste was prepared by mixing the components in the proportions shown in Table 1. The proportions of the components shown in Table 1 are all shown in parts by mass, and the blank column means that no compounding was performed. "(A)(B)(C)(D1)(D2)(E) total" means "(A)(B')(C)(D1)(D2)(E) total" in Comparative Example 1. In Comparative Example 2, it is “(A)(B″)(C)(D1)(D2)(E) total”.
(A) Conductive particles Spherical silver powder having an average particle size of 1.3 μm and a BET value of 0.6 m 2 /g.
（Ｂ）Ｂｉ２Ｏ３系ガラスフリット１
平均粒径１μｍ、軟化点４５０℃のＢｉ２Ｏ３系ガラスフリット。成分組成：ＳｉＯ２−Ｂ２Ｏ３−Ｂｉ２Ｏ３。Ｂｉ２Ｏ３含有率：７５〜９５質量％。
（Ｂ）Ｂｉ２Ｏ３系ガラスフリット２
平均粒径１μｍ、軟化点５４５℃のＢｉ２Ｏ３系ガラスフリット。成分組成：ＳｉＯ２−Ｂ２Ｏ３−Ｂｉ２Ｏ３−ＺｒＯ。Ｂｉ２Ｏ３含有率：４５〜６０質量％。
（Ｂ’）ＳｉＯ２系ガラスフリット
平均粒径１μｍ、軟化点６００℃超えのＳｉＯ２系ガラスフリット。成分組成：ＳｉＯ２−Ｂ２Ｏ３。ＳｉＯ２含有率：５０〜６５質量％。
（Ｂ”）ＺｎＯ系ガラスフリット
平均粒径２．２μｍ、軟化点５４９℃、結晶化温度６２０℃のＺｎＯ系ガラスフリット。成分組成：ＳｉＯ２−Ｂ２Ｏ３−ＺｎＯ−Ｌｉ２Ｏ−Ａｌ２Ｏ３。ＺｎＯ含有率：４０〜６０質量％。
(B) Bi 2 O 3 system glass frit 1
Bi 2 O 3 based glass frit having an average particle size of 1 μm and a softening point of 450° C. Chemical composition: SiO 2 -B 2 O 3 -Bi 2 O 3. Bi 2 O 3 content: 75 to 95 wt%.
(B) Bi 2 O 3 system glass frit 2
Bi 2 O 3 based glass frit having an average particle size of 1 μm and a softening point of 545° C. Chemical composition: SiO 2 -B 2 O 3 -Bi 2 O 3 -ZrO. Bi 2 O 3 content: 45 to 60 wt%.
(B ') SiO 2 -based glass frit average particle size 1 [mu] m, SiO 2 based glass frit exceeds softening point 600 ° C.. Chemical composition: SiO 2 -B 2 O 3. SiO 2 content rate: 50 to 65 mass %.
(B″) ZnO-based glass frit ZnO-based glass frit having an average particle size of 2.2 μm, a softening point of 549° C. and a crystallization temperature of 620° C. Component composition: SiO 2 —B 2 O 3 —ZnO—Li 2 O—Al 2 O 3 .ZnO content: 40 to 60 wt%.
（Ｃ）シルセスキオキサン化合物
ＯＸ−ＳＱ ＨＤＸ（東亞合成株式会社）。
(C) Silsesquioxane compound OX-SQ HDX (Toagosei Co., Ltd.).
（Ｄ１）有機バインダ
エチルセルロース樹脂。
（Ｄ２）溶剤
ブチルカルビトールアセテートとブチルカルビトールの１：１混合物。
(D1) Organic binder Ethyl cellulose resin.
(D2) Solvent A 1:1 mixture of butyl carbitol acetate and butyl carbitol.
（Ｅ）酸化銅
平均粒径３μｍの酸化銅（ＩＩ）粉末。
(E) Copper oxide Copper (II) oxide powder having an average particle size of 3 μm.
［導体層及びチップ電子部品の作製］
実施例１〜５及び比較例１〜３の導電性ペーストを、銀内部電極を有する外径寸法１６
ｍｍ×８ｍｍ×８ｍｍのフェライト系積層インダクタ素子（チップ部品）の端子面に、焼成膜厚が２０μｍとなるようにディッピング法で塗布し、乾燥後、大気雰囲気中６６０℃で６０分間焼成した。これにより、チップ部品に導電層を形成し、チップ電子部品を得た。得られた導電層及びチップ電子部品を下記各種物性評価に使用した。得られた結果を表１に示す。
[Production of conductor layer and chip electronic component]
The conductive pastes of Examples 1 to 5 and Comparative Examples 1 to 3 were added to the outer diameter dimension 16 having a silver internal electrode.
The ferrite-based laminated inductor element (chip part) having a size of 8 mm×8 mm×8 mm was applied by a dipping method so that the baked film thickness was 20 μm, dried, and then baked at 660° C. for 60 minutes in the air atmosphere. As a result, a conductive layer was formed on the chip component to obtain a chip electronic component. The obtained conductive layer and chip electronic component were used for the evaluation of the following various physical properties. The results obtained are shown in Table 1.
チップ電子部品の導電層に電解めっきによりニッケルめっき膜を、更にスズめっき膜を形成した試料につき、めっき付け性、はんだ爆ぜの有無を調べた。
［めっき付け性］
めっき付け性は電極表面へのめっき付着程度により評価した。
○：導電層表面の９９％以上にめっきが付着したしたもの
×：めっきの付着が導電層表面の９９％未満のもの
［はんだ爆ぜの有無］
はんだ爆ぜの有無の確認は、次のようにして行った。導電層にはんだを被覆した試料１０００個につき、はんだリフロー炉に流し、溶融したはんだが周辺に飛び散る現象が見られたものの個数を調べた。
無：はんだ爆ぜが見られた試料が５個以下
△：はんだ爆ぜが見られた試料が６個以上１０個以下
有：はんだ爆ぜが見られた試料が１１個以上
A sample having a nickel-plated film and a tin-plated film formed on the conductive layer of the chip electronic component by electrolytic plating was examined for plating property and presence of solder explosion.
[Plating ability]
Plating property was evaluated by the degree of plating adhesion on the electrode surface.
○: Plating adhered to 99% or more of the conductive layer surface ×: Plating adhesion to less than 99% of the conductive layer surface [presence or absence of solder explosion]
The presence or absence of solder explosion was checked as follows. About 1000 samples in which the conductive layer was coated with solder were poured into a solder reflow furnace, and the number of samples in which the phenomenon of the molten solder being scattered around was observed was examined.
No: 5 or less samples with solder blast △: 6 or more and 10 or less samples with solder blast Yes: 11 or more samples with solder blast
［エッジ切れの有無］
チップ電子部品１００個につき、エッジ切れが発生しているものの個数を調べ、下記のとおり評価した。
無：エッジ切れが見られた試料が０個以下。
有：エッジ切れが見られた試料が１個以上。
[Whether edges are broken]
Out of 100 chip electronic components, the number of those with edge breakage was examined and evaluated as follows.
None: No more than 0 samples showed edge cut.
Existence: One or more samples in which edges were cut.
［ＳＥＭ観察］
実施例１〜５及び比較例１〜３の導電性ペーストを用いて上記のとおり作製した導電層の表面を走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）により観察した。
[SEM observation]
The surface of the conductive layer produced as described above using the conductive pastes of Examples 1 to 5 and Comparative Examples 1 to 3 was observed with a scanning electron microscope (SEM).
表１に示す結果からわかる通り、実施例１〜５の導電性ペーストを焼成して得られる導電層は、めっき付け性に優れ、はんだ爆ぜ防止性に優れていた。ＳＥＭ観察により、導電層表面に孔（ボイド）が見られず、構造が緻密であることが確認できた。これに対し、比較例１の導電性ペーストを焼成して得られる導電層は、ＳＥＭ観察の結果表面に孔（ボイド）が見られ、緻密性が足りず（表中に記載せず）、はんだ爆ぜの現象が見られた。比較例２の導電性ペーストを焼成して得られる導電層は、めっき付け性が悪く、またガラス浮きの問題が見られた（表中には記載せず）。比較例３の導電性ペーストを焼成して得られる導電層は、めっき付け性が悪く、はんだ爆ぜの現象が見られた。 As can be seen from the results shown in Table 1, the conductive layers obtained by firing the conductive pastes of Examples 1 to 5 were excellent in the plating property and the solder explosion prevention property. By SEM observation, it was confirmed that no pores (voids) were found on the surface of the conductive layer and the structure was dense. On the other hand, the conductive layer obtained by firing the conductive paste of Comparative Example 1 showed pores (voids) on the surface as a result of SEM observation, lacked denseness (not shown in the table), and solder. The phenomenon of explosion was seen. The conductive layer obtained by firing the conductive paste of Comparative Example 2 had poor plating properties and glass floating problems (not shown in the table). The electroconductive layer obtained by firing the electroconductive paste of Comparative Example 3 had poor plating properties and the phenomenon of solder explosion was observed.
また、実施例１〜５の導電性ペーストを用いて作製したチップ電子部品は、エッジ切れが見られなかったのに対し、比較例３の導電性ペーストを用いて作製したチップ電子部品は、エッジ切れが見られた。 In addition, the chip electronic components manufactured using the conductive pastes of Examples 1 to 5 showed no edge breakage, whereas the chip electronic components manufactured using the conductive paste of Comparative Example 3 had edge defects. A break was seen.
Claims (9)
チップ部品を焼成して導電層を形成する工程と
を含む、チップ電子部品の製造方法。 Applying the conductive paste according to any one of claims 1 to 7 to the chip component,
And a step of firing the chip component to form a conductive layer.
導電性粒子焼結体、ガラス成分及びシルセスキオキサン化合物のガラス体を含む導電層と
を含むチップ電子部品であって、
導電性粒子焼結体の孔中にシルセスキオキサン化合物のガラス体の少なくとも一部が存在する、チップ電子部品。 Chip parts,
A chip electronic component comprising a conductive particle sintered body, a conductive layer containing a glass component and a glass body of a silsesquioxane compound,
A chip electronic component in which at least a part of the glass body of the silsesquioxane compound is present in the pores of the conductive particle sintered body.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2017046995A JP6737506B2 (en) | 2017-03-13 | 2017-03-13 | Conductive paste, chip electronic component and manufacturing method thereof |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2017046995A JP6737506B2 (en) | 2017-03-13 | 2017-03-13 | Conductive paste, chip electronic component and manufacturing method thereof |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2018152218A JP2018152218A (en) | 2018-09-27 |
| JP6737506B2 true JP6737506B2 (en) | 2020-08-12 |
Family
ID=63681093
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2017046995A Active JP6737506B2 (en) | 2017-03-13 | 2017-03-13 | Conductive paste, chip electronic component and manufacturing method thereof |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP6737506B2 (en) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP6869274B2 (en) * | 2019-01-11 | 2021-05-12 | Ｊｘ金属株式会社 | Conductive coating material |
| JP6869275B2 (en) * | 2019-01-11 | 2021-05-12 | Ｊｘ金属株式会社 | Conductive coating material |
| JP7305051B1 (en) | 2021-11-22 | 2023-07-07 | 三菱電機株式会社 | Magnetic ceramic substrate, substrate manufacturing method, and circulator |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010087251A (en) * | 2008-09-30 | 2010-04-15 | Dic Corp | Conductive paste for solar battery |
| KR102025529B1 (en) * | 2012-10-15 | 2019-09-27 | 다우 글로벌 테크놀로지스 엘엘씨 | Conductive composition |
| KR101696985B1 (en) * | 2014-12-30 | 2017-01-17 | 삼성에스디아이 주식회사 | Composition for forming solar cell electrode and electrode prepared using the same |
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| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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