JP6734934B2 - Ｔｆｔ基板、ｔｆｔ基板を備えた走査アンテナ、およびｔｆｔ基板の製造方法 - Google Patents

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Description

本発明は、走査アンテナに関し、特に、アンテナ単位（「素子アンテナ」ということもある。）が液晶容量を有する走査アンテナ（「液晶アレイアンテナ」ということもある。）、そのような走査アンテナに用いられるＴＦＴ基板、およびそのようなＴＦＴ基板の製造方法に関する。
移動体通信や衛星放送用のアンテナは、ビームの方向を変えられる（「ビーム走査」または「ビームステアリング」と言われる。）機能を必要とする。このような機能を有するアンテナ（以下、「走査アンテナ（ｓｃａｎｎｅｄ ａｎｔｅｎｎａ）」という。）として、アンテナ単位を備えるフェイズドアレイアンテナが知られている。しかしながら、従来のフェイズドアレイアンテナは高価であり、民生品への普及の障害となっている。特に、アンテナ単位の数が増えると、コストが著しく上昇する。
そこで、液晶材料（ネマチック液晶、高分子分散液晶を含む）の大きな誘電異方性（複屈折率）を利用した走査アンテナが提案されている（特許文献１〜５および非特許文献１）。液晶材料の誘電率は周波数分散を有するので、本明細書において、マイクロ波の周波数帯における誘電率（「マイクロ波に対する誘電率」ということもある。）を特に「誘電率Ｍ（εM）」と表記することにする。
特許文献３および非特許文献１には、液晶表示装置（以下、「ＬＣＤ」という。）の技術を利用することによって低価格な走査アンテナが得られると記載されている。
特開２００７−１１６５７３号公報 特開２００７−２９５０４４号公報 特表２００９−５３８５６５号公報 特表２０１３−５３９９４９号公報 国際公開第２０１５／１２６５５０号
Ｒ． Ａ． Ｓｔｅｖｅｎｓｏｎ ｅｔ ａｌ．， "Ｒｅｔｈｉｎｋｉｎｇ Ｗｉｒｅｌｅｓｓ Ｃｏｍｍｕｎｉｃａｔｉｏｎｓ：Ａｄｖａｎｃｅｄ Ａｎｔｅｎｎａ Ｄｅｓｉｇｎ ｕｓｉｎｇ ＬＣＤ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ"， ＳＩＤ ２０１５ ＤＩＧＥＳＴ， ｐｐ．８２７−８３０． Ｍ． ＡＮＤＯ ｅｔ ａｌ．， "Ａ Ｒａｄｉａｌ Ｌｉｎｅ Ｓｌｏｔ Ａｎｔｅｎｎａ ｆｏｒ １２ＧＨｚ Ｓａｔｅｌｌｉｔｅ ＴＶ Ｒｅｃｅｐｔｉｏｎ"， ＩＥＥＥ Ｔｒａｎｓａｃｔｉｏｎｓ ｏｆ Ａｎｔｅｎｎａｓ ａｎｄ Ｐｒｏｐａｇａｔｉｏｎ， Ｖｏｌ． ＡＰ−３３， Ｎｏ．１２， ｐｐ． １３４７−１３５３ （１９８５）．
上述したように、ＬＣＤ技術を適用することによって低価格な走査アンテナを実現すると言うアイデアは知られてはいるものの、ＬＣＤ技術を利用した走査アンテナの構造、その製造方法、およびその駆動方法を具体的に記載した文献はない。
そこで、本発明は、従来のＬＣＤの製造技術を利用して量産することが可能な走査アンテナおよびその製造方法を提供することを目的とする。
本発明の実施形態によるＴＦＴ基板は、誘電体基板と、前記誘電体基板上に配列された複数のアンテナ単位領域とを有し、前記複数のアンテナ単位領域のそれぞれは、ＴＦＴと、前記ＴＦＴのドレイン電極に接続されたパッチ電極とを有し、前記複数のアンテナ単位領域を含む送受信領域と、前記送受信領域以外の領域に位置する非送受信領域とを備えるＴＦＴ基板であって、前記誘電体基板に支持され、前記ＴＦＴのゲート電極および前記ゲート電極に接続されたゲートバスラインを含むゲートメタル層と、前記ゲートメタル層上に形成されたゲート絶縁層と、前記ゲート絶縁層上に形成され、前記ＴＦＴのソース電極、前記ドレイン電極、および前記ソース電極に接続されたソースバスラインを含むソースメタル層と、前記ソースメタル層上に形成された第１絶縁層と、前記第１絶縁層上に形成され、前記パッチ電極を含むパッチメタル層と、前記パッチメタル層上に形成された第２絶縁層と、前記第２絶縁層上に形成された上部導電層とを有し、前記非送受信領域に配置されたソース−ゲート接続部を有し、前記ソース−ゲート接続部は、前記ゲートメタル層に含まれ、前記ゲートバスラインと電気的に分離されたソース下部接続配線と、前記ゲート絶縁層に形成され、前記ソース下部接続配線に達する第１開口部と、前記ソースメタル層に含まれ、前記ソースバスラインに接続されたソースバスライン接続部と、前記第１絶縁層に形成され、前記誘電体基板の法線方向から見たとき前記第１開口部に重なる第２開口部と、前記第１絶縁層に形成され、前記ソースバスライン接続部に達する第３開口部と、前記第１絶縁層と前記第２絶縁層との間に形成された少なくとも１つの導電層を含み、前記第１開口部内で前記ソース下部接続配線に接続され、前記第３開口部内で前記ソースバスライン接続部に接続された第１接続部と、前記第２絶縁層に形成され、前記第１接続部に達する少なくとも１つの第４開口部と、前記上部導電層に含まれ、前記少なくとも１つの第４開口部内で前記第１接続部に接続された第２接続部とを有する。
ある実施形態において、前記ソース下部接続配線の内、前記第１開口部によって露出されている部分は、前記第１接続部で覆われており、前記ソースバスライン接続部の内、前記第３開口部によって露出されている部分は、前記第１接続部で覆われている。
ある実施形態において、前記誘電体基板の法線方向から見たとき、前記第１接続部の全ては前記第２接続部と重なっている、または、前記第２接続部の全ては前記第１接続部と重なっている。
ある実施形態において、前記ＴＦＴ基板は、前記非送受信領域に配置されたソース端子部を有し、前記ソース端子部は、前記ゲートメタル層に含まれ、前記ソース下部接続配線と電気的に接続されたソース端子用下部接続部と、前記ゲート絶縁層に形成され、前記ソース端子用下部接続部に達する第５開口部と、前記第１絶縁層に形成され、前記誘電体基板の法線方向から見たとき前記第５開口部に重なる第６開口部と、前記第２絶縁層に形成され、前記誘電体基板の法線方向から見たとき前記第６開口部に重なる第７開口部と、前記上部導電層に含まれ、前記第５開口部内で前記ソース端子用下部接続部と接続されたソース端子用上部接続部とを有する。
ある実施形態において、前記上部導電層は、透明導電層を含む。
ある実施形態において、前記上部導電層は、透明導電層を含む第１導電層と、前記第１導電層の下に形成され、Ｔｉ層、ＭｏＮｂ層、ＭｏＮｂＮｉ層、ＭｏＷ層、Ｗ層およびＴａ層からなる群から選択される少なくとも１つの層から形成されている第２導電層とを含む。
ある実施形態において、前記ＴＦＴ基板は、前記第１絶縁層と前記パッチメタル層との間に形成された下部導電層をさらに有し、前記少なくとも１つの導電層は、前記下部導電層を含む。
ある実施形態において、前記少なくとも１つの導電層は、前記パッチメタル層を含まない。
ある実施形態において、前記少なくとも１つの導電層は、前記パッチメタル層を含む。
ある実施形態において、前記誘電体基板の法線方向から見たとき、前記第１開口部の全ておよび前記第３開口部の全ては、前記第１接続部の前記パッチメタル層と重なる。
本発明の実施形態による走査アンテナは、上記のいずれかのＴＦＴ基板と、前記ＴＦＴ基板と対向するように配置されたスロット基板と、前記ＴＦＴ基板と前記スロット基板との間に設けられた液晶層と、前記スロット基板の前記液晶層と反対側の表面に誘電体層を介して対向するように配置された反射導電板とを備え、前記スロット基板は、他の誘電体基板と、前記他の誘電体基板の前記液晶層側の表面に形成されたスロット電極とを有し、前記スロット電極は複数のスロットを有し、前記複数のスロットは、前記ＴＦＴ基板の前記複数のアンテナ単位領域における前記パッチ電極に対応して配置されている。
本発明の実施形態によるＴＦＴ基板の製造方法は、上記のいずれかのＴＦＴ基板の製造方法であって、前記誘電体基板上に、前記ソース下部接続配線を含む前記ゲートメタル層を形成する工程（ａ）と、前記ゲートメタル層上にゲート絶縁膜を堆積する工程（ｂ）と、前記ゲート絶縁膜上に、前記ソースバスライン接続部を含む前記ソースメタル層を形成する工程（ｃ）と、前記ソースメタル層上に第１絶縁膜を堆積する工程（ｄ）と、前記ゲート絶縁膜に前記第１開口部を形成し、前記第１絶縁膜に前記第２開口部および前記第３開口部を形成する工程（ｅ）と、前記第１絶縁膜上にパッチ用導電膜を堆積する工程（ｆ）と、前記パッチ用導電膜をパターニングすることによって前記パッチメタル層を形成する工程（ｇ）と、前記パッチメタル層上に第２絶縁膜を堆積する工程（ｈ）と、前記第２絶縁膜に前記少なくとも１つの第４開口部を形成する工程（ｉ）と、前記第２絶縁層上に、前記第２接続部を含む前記上部導電層を形成する工程（ｊ）とを包含する。
ある実施形態において、前記工程（ｇ）は、前記パッチメタル層に含まれる前記第１接続部を形成する工程を包含する。
ある実施形態において、前記製造方法は、前記工程（ｅ）と前記工程（ｆ）との間に、前記第１絶縁層上に下部導電層を形成する工程をさらに包含し、前記工程（ｇ）は、前記下部導電層および前記パッチメタル層を含む前記第１接続部を形成する工程を包含する。
ある実施形態において、前記工程（ｇ）は、前記ソース下部接続配線の内、前記第１開口部によって露出されている部分、および、前記ソースバスライン接続部の内、前記第３開口部によって露出されている部分を覆うように、前記第１接続部を形成する工程を包含する。
ある実施形態において、前記工程（ｇ）は、前記誘電体基板の法線方向から見たとき、前記第１接続部の前記パッチメタル層が、前記第１開口部の全ておよび前記第３開口部の全てと重なるように、前記第１接続部を形成する工程を包含する。
ある実施形態において、前記製造方法は、前記工程（ｅ）と前記工程（ｆ）との間に、前記第１絶縁層上に下部導電層を形成する工程をさらに包含し、前記第１接続部は前記下部導電層に含まれる。
ある実施形態において、前記下部導電層を形成する工程は、前記ソース下部接続配線の内、前記第１開口部によって露出されている部分、および、前記ソースバスライン接続部の内、前記第３開口部によって露出されている部分を覆うように、前記第１接続部を形成する工程を包含する。
本発明のある実施形態によると、従来のＬＣＤの製造技術を利用して量産することが可能な走査アンテナ、そのような走査アンテナに用いられるＴＦＴ基板、およびそのようなＴＦＴ基板の製造方法が提供される。
第１の実施形態の走査アンテナ１０００の一部を模式的に示す断面図である。 （ａ）および（ｂ）は、それぞれ、走査アンテナ１０００におけるＴＦＴ基板１０１およびスロット基板２０１を示す模式的な平面図である。 （ａ）および（ｂ）は、それぞれ、ＴＦＴ基板１０１のアンテナ単位領域Ｕを模式的に示す断面図および平面図である。 （ａ）〜（ｃ）は、それぞれ、ＴＦＴ基板１０１のゲート端子部ＧＴ、ソース端子部ＳＴおよびトランスファー端子部ＰＴを模式的に示す断面図である。 ＴＦＴ基板１０１の製造工程の一例を示す図である。 スロット基板２０１におけるアンテナ単位領域Ｕおよび端子部ＩＴを模式的に示す断面図である。 ＴＦＴ基板１０１およびスロット基板２０１におけるトランスファー部を説明するための模式的な断面図である。 （ａ）〜（ｃ）は、それぞれ、第２の実施形態におけるＴＦＴ基板１０２のゲート端子部ＧＴ、ソース端子部ＳＴおよびトランスファー端子部ＰＴを示す断面図である。 ＴＦＴ基板１０２の製造工程の一例を示す図である。 （ａ）〜（ｃ）は、それぞれ、第３の実施形態におけるＴＦＴ基板１０３のゲート端子部ＧＴ、ソース端子部ＳＴおよびトランスファー端子部ＰＴを示す断面図である。 ＴＦＴ基板１０３の製造工程の一例を示す図である。 ＴＦＴ基板１０３およびスロット基板２０３におけるトランスファー部を説明するための模式的な断面図である。 （ａ）は、ヒーター用抵抗膜６８を有するＴＦＴ基板１０４の模式的な平面図であり、（ｂ）はスロット５７およびパッチ電極１５のサイズを説明するための模式的な平面図である。 （ａ）および（ｂ）は、抵抗加熱構造８０ａおよび８０ｂの模式的な構造と電流の分布を示す図である。 （ａ）〜（ｃ）は、抵抗加熱構造８０ｃ〜８０ｅの模式的な構造と電流の分布を示す図である。 （ａ）は、ヒーター用抵抗膜６８を有する液晶パネル１００Ｐａの模式的な断面図であり、（ｂ）は、ヒーター用抵抗膜６８を有する液晶パネル１００Ｐｂの模式的な断面図である。 本発明の実施形態による走査アンテナの１つのアンテナ単位の等価回路を示す図である。 （ａ）〜（ｃ）、（ｅ）〜（ｇ）は、実施形態の走査アンテナの駆動に用いられる各信号の波形の例を示す図であり、（ｄ）は、ドット反転駆動を行っているＬＣＤパネルの表示信号の波形を示す図である。 （ａ）〜（ｅ）は、実施形態の走査アンテナの駆動に用いられる各信号の波形の他の例を示す図である。 （ａ）〜（ｅ）は、実施形態の走査アンテナの駆動に用いられる各信号の波形のさらに他の例を示す図である。 （ａ）〜（ｃ）は、第４の実施形態におけるＴＦＴ基板１０５を例示する模式的な平面図である。 （ａ）〜（ｇ）は、ＴＦＴ基板１０５の模式的な断面図である。 ＴＦＴ基板１０５の模式的な断面図である。 （ａ）〜（ｆ）は、ＴＦＴ基板１０５の製造方法の一例を示す工程断面図である。 （ａ）〜（ｄ）は、ＴＦＴ基板１０５の製造方法の一例を示す工程断面図である。 （ａ）〜（ｃ）は、ＴＦＴ基板１０５の製造方法の一例を示す工程断面図である。 （ａ）〜（ｃ）は、ＴＦＴ基板１０５の製造方法の一例を示す工程断面図である。 （ａ）〜（ｃ）は、第４の実施形態の変形例１のＴＦＴ基板１０６を例示する模式的な平面図である。 （ａ）〜（ｇ）は、ＴＦＴ基板１０６の模式的な断面図である。 ＴＦＴ基板１０６の模式的な断面図である。 （ａ）および（ｂ）は、ＴＦＴ基板１０６の製造方法の一例を示す工程断面図である。 （ａ）〜（ｃ）は、ＴＦＴ基板１０６の製造方法の一例を示す工程断面図である。 （ａ）〜（ｃ）は、第４の実施形態の変形例２のＴＦＴ基板１０７を例示する模式的な平面図である。 （ａ）〜（ｇ）は、ＴＦＴ基板１０７の模式的な断面図である。 ＴＦＴ基板１０７の模式的な断面図である。 （ａ）〜（ｃ）は、ＴＦＴ基板１０７の製造方法の一例を示す工程断面図である。 （ａ）〜（ｃ）は、ＴＦＴ基板１０７の製造方法の一例を示す工程断面図である。 （ａ）は、従来のＬＣＤ９００の構造を示す模式図であり、（ｂ）はＬＣＤパネル９００ａの模式的な断面図である。
以下、図面を参照して、本発明の実施形態による走査アンテナおよびその製造方法を説明する。以下の説明においては、まず、公知のＴＦＴ型ＬＣＤ（以下、「ＴＦＴ−ＬＣＤ」という。）の構造および製造方法を説明する。ただし、ＬＣＤの技術分野で周知の事項については説明を省略することがある。ＴＦＴ−ＬＣＤの基本的な技術については、例えば、Ｌｉｑｕｉｄ Ｃｒｙｓｔａｌｓ， Ａｐｐｌｉｃａｔｉｏｎｓ ａｎｄ Ｕｓｅｓ， Ｖｏｌ． １−３（Ｅｄｉｔｏｒ： Ｂｉｒｅｎｄａ Ｂａｈａｄｕｒ， Ｐｕｂｌｉｓｈｅｒ： Ｗｏｒｌｄ Ｓｃｉｅｎｔｉｆｉｃ Ｐｕｂ Ｃｏ Ｉｎｃ）などを参照されたい。参考のために、上記の文献の開示内容の全てを本明細書に援用する。
図３８（ａ）および（ｂ）を参照して、典型的な透過型のＴＦＴ−ＬＣＤ（以下、単に「ＬＣＤ」という。）９００の構造および動作を説明する。ここでは、液晶層の厚さ方向に電圧を印加する縦電界モード（例えば、ＴＮモードや垂直配向モード）のＬＣＤ９００を例示する。ＬＣＤの液晶容量に印加される電圧のフレーム周波数（典型的には極性反転周波数の２倍）は例えば４倍速駆動でも２４０Ｈｚであり、ＬＣＤの液晶容量の誘電体層としての液晶層の誘電率εは、マイクロ波（例えば、衛星放送やＫｕバンド（１２〜１８ＧＨｚ）、Ｋバンド（１８〜２６ＧＨｚ）、Ｋａバンド（２６〜４０ＧＨｚ））に対する誘電率Ｍ（εM）と異なる。
図３８（ａ）に模式的に示すように、透過型のＬＣＤ９００は、液晶表示パネル９００ａと、制御回路ＣＮＴＬと、バックライト（不図示）と、電源回路（不図示）などを備えている。液晶表示パネル９００ａは、液晶表示セルＬＣＣと、ゲートドライバＧＤおよびソースドライバＳＤを含む駆動回路とを含む。駆動回路は、例えば、液晶表示セルＬＣＣのＴＦＴ基板９１０に実装されてもよいし、駆動回路の一部または全部は、ＴＦＴ基板９１０に一体化（モノリシック化）されてもよい。
図３８（ｂ）に、ＬＣＤ９００が有する液晶表示パネル（以下、「ＬＣＤパネル」という。）９００ａの模式的に断面図を示す。ＬＣＤパネル９００ａは、ＴＦＴ基板９１０と、対向基板９２０と、これらの間に設けられた液晶層９３０とを有している。ＴＦＴ基板９１０および対向基板９２０は、いずれもガラス基板などの透明基板９１１、９２１を有している。透明基板９１１、９２１としては、ガラス基板の他、プラスチック基板が用いられることもある。プラスチック基板は、例えば、透明な樹脂（例えばポリエステル）とガラス繊維（例えば不織布）で形成される。
ＬＣＤパネル９００ａの表示領域ＤＲは、マトリクス状に配列された画素Ｐによって構成されている。表示領域ＤＲの周辺には表示に寄与しない額縁領域ＦＲが形成されている。液晶材料は表示領域ＤＲを包囲するように形成されたシール部（不図示）によって表示領域ＤＲ内に封止されている。シール部は、例えば、紫外線硬化性樹脂とスペーサ（例えば樹脂ビーズまたはシリカビーズ）とを含むシール材を硬化させることによって形成され、ＴＦＴ基板９１０と対向基板９２０とを互いに接着、固定する。シール材中のスペーサは、ＴＦＴ基板９１０と対向基板９２０との間隙、すなわち液晶層９３０の厚さを一定に制御する。液晶層９３０の厚さの面内ばらつきを抑制するために、表示領域ＤＲ内の遮光される部分（例えば配線上）に、柱状スペーサが紫外線硬化性樹脂を用いて形成される。近年、液晶テレビやスマートフォン用のＬＣＤパネルに見られるように、表示に寄与しない額縁領域ＦＲの幅は非常に狭くなっている。
ＴＦＴ基板９１０では、透明基板９１１上に、ＴＦＴ９１２、ゲートバスライン（走査線）ＧＬ、ソースバスライン（表示信号線）ＳＬ、画素電極９１４、補助容量電極（不図示）、ＣＳバスライン（補助容量線）（不図示）が形成されている。ＣＳバスラインはゲートバスラインと平行に設けられる。あるいは、次段のゲートバスラインをＣＳバスラインとして用いることもある（ＣＳオンゲート構造）。
画素電極９１４は、液晶の配向を制御する配向膜（例えばポリイミド膜）に覆われている。配向膜は、液晶層９３０と接するように設けられる。ＴＦＴ基板９１０はバックライト側（観察者とは反対側）に配置されることが多い。
対向基板９２０は、液晶層９３０の観察者側に配置されることが多い。対向基板９２０は、透明基板９２１上に、カラーフィルタ層（不図示）と、対向電極９２４と、配向膜（不図示）とを有している。対向電極９２４は、表示領域ＤＲを構成する複数の画素Ｐに共通に設けられるので、共通電極とも呼ばれる。カラーフィルタ層は、画素Ｐ毎に設けられるカラーフィルタ（例えば、赤フィルタ、緑フィルタ、青フィルタ）と、表示に不要な光を遮光するためのブラックマトリクス（遮光層）とを含む。ブラックマトリクスは、例えば、表示領域ＤＲ内の画素Ｐの間、および額縁領域ＦＲを遮光するように配置される。
ＴＦＴ基板９１０の画素電極９１４と、対向基板９２０の対向電極９２４と、これらの間の液晶層９３０が、液晶容量Ｃｌｃを構成する。個々の液晶容量が画素に対応する。液晶容量Ｃｌｃに印加された電圧を保持するために（いわゆる電圧保持率を高くするために）、液晶容量Ｃｌｃと電気的に並列に接続された補助容量ＣＳが形成されている。補助容量ＣＳは、典型的には、画素電極９１４と同電位とされる電極と、無機絶縁層（例えばゲート絶縁層（ＳｉＯ2層））と、ＣＳバスラインに接続された補助容量電極とで構成される。ＣＳバスラインからは、典型的には、対向電極９２４と同じ共通電圧が供給される。
液晶容量Ｃｌｃに印加された電圧（実効電圧）が低下する要因としては、（１）液晶容量Ｃｌｃの容量値ＣClcと、抵抗値Ｒとの積であるＣＲ時定数に基づくもの、（２）液晶材料中に含まれるイオン性不純物に起因する界面分極、および／または、液晶分子の配向分極などがある。これらのうち、液晶容量ＣｌｃのＣＲ時定数による寄与が大きく、液晶容量Ｃｌｃに電気的に並列に接続された補助容量ＣＳを設けることによって、ＣＲ時定数を大きくすることができる。なお、液晶容量Ｃｌｃの誘電体層である液晶層９３０の体積抵抗率は、汎用されているネマチック液晶材料の場合、１０12Ω・ｃｍのオーダを超えている。
画素電極９１４に供給される表示信号は、ゲートバスラインＧＬにゲートドライバＧＤから供給される走査信号によって選択されたＴＦＴ９１２がオン状態となったときに、そのＴＦＴ９１２に接続されているソースバスラインＳＬに供給されている表示信号である。したがって、あるゲートバスラインＧＬに接続されているＴＦＴ９１２が同時にオン状態となり、その時に、その行の画素ＰのそれぞれのＴＦＴ９１２に接続されているソースバスラインＳＬから対応する表示信号が供給される。この動作を、１行目（例えば表示面の最上行）からｍ行目（例えば表示面の最下行）まで順次に行うことによって、ｍ行の画素行で構成された表示領域ＤＲに１枚の画像（フレーム）が書き込まれ、表示される。画素Ｐがｍ行ｎ列にマトリクス状に配列されているとすると、ソースバスラインＳＬは各画素列に対応して少なくとも１本、合計で少なくともｎ本設けられる。
このような走査は線順次走査と呼ばれ、１つの画素行が選択されて、次の行が選択されるまでの時間は水平走査期間（１Ｈ）と呼ばれ、ある行が選択され、再びその行が選択されるまでの時間は垂直走査期間（１Ｖ）またはフレームと呼ばれる。なお、一般に、１Ｖ（または１フレーム）は、ｍ本の画素行を全て選択する期間ｍ・Ｈに、ブランキング期間を加えたものとなる。
例えば、入力映像信号がＮＴＳＣ信号の場合、従来のＬＣＤパネルの１Ｖ（＝１フレーム）は、１／６０ｓｅｃ（１６．７ｍｓｅｃ）であった。ＮＴＳＣ信号はインターレース信号であり、フレーム周波数は３０Ｈｚで、フィールド周波数は６０Ｈｚであるが、ＬＣＤパネルにおいては各フィールドで全ての画素に表示信号を供給する必要があるので、１Ｖ＝（１／６０）ｓｅｃで駆動する（６０Ｈｚ駆動）。なお、近年では、動画表示特性を改善するために、２倍速駆動（１２０Ｈｚ駆動、１Ｖ＝（１／１２０）ｓｅｃ）で駆動されるＬＣＤパネルや、３Ｄ表示のために４倍速（２４０Ｈｚ駆動、１Ｖ＝（１／２４０）ｓｅｃ）で駆動されるＬＣＤパネルもある。
液晶層９３０に直流電圧が印加されると実効電圧が低下し、画素Ｐの輝度が低下する。この実効電圧の低下には、上記の界面分極および／または配向分極の寄与があるので、補助容量ＣＳを設けても完全に防止することは難しい。例えば、ある中間階調に対応する表示信号を全ての画素にフレーム毎に書き込むと、フレーム毎に輝度が変動し、フリッカーとして観察される。また、液晶層９３０に長時間にわたって直流電圧が印加されると液晶材料の電気分解が起こることがある。また、不純物イオンが片側の電極に偏析し、液晶層に実効的な電圧が印加されなくなり、液晶分子が動かなくなることもある。これらを防止するために、ＬＣＤパネル９００ａはいわゆる、交流駆動される。典型的には、表示信号の極性を１フレーム毎（１垂直走査期間毎）に反転する、フレーム反転駆動が行われる。例えば、従来のＬＣＤパネルでは、１／６０ｓｅｃ毎に極性反転が行われている（極性反転の周期は３０Ｈｚ）。
また、１フレーム内においても印加される電圧の極性の異なる画素を均一に分布させるために、ドット反転駆動またはライン反転駆動などが行われている。これは、正極性と負極性とで、液晶層に印加される実効電圧の大きさを完全に一致させることが難しいからである。例えば、液晶材料の体積抵抗率が１０12Ω・ｃｍのオーダ超であれば、１／６０ｓｅｃ毎に、ドット反転またはライン反転駆動を行えば、フリッカーはほとんど視認されない。
ＬＣＤパネル９００ａにおける走査信号および表示信号は、制御回路ＣＮＴＬからゲートドライバＧＤおよびソースドライバＳＤに供給される信号に基づいて、ゲートドライバＧＤおよびソースドライバＳＤからゲートバスラインＧＬおよびソースバスラインＳＬにそれぞれ供給される。例えば、ゲートドライバＧＤおよびソースドライバＳＤは、それぞれ、ＴＦＴ基板９１０に設けられた対応する端子に接続されている。ゲートドライバＧＤおよびソースドライバＳＤは、例えば、ドライバＩＣとしてＴＦＴ基板９１０の額縁領域ＦＲに実装されることもあるし、ＴＦＴ基板９１０の額縁領域ＦＲにモノリシックに形成されることもある。
対向基板９２０の対向電極９２４は、トランスファー（転移）と呼ばれる導電部（不図示）を介して、ＴＦＴ基板９１０の端子（不図示）に電気的に接続される。トランスファーは、例えば、シール部と重なるように、あるいは、シール部の一部に導電性を付与することによって形成される。額縁領域ＦＲを狭くするためである。対向電極９２４には、制御回路ＣＮＴＬから、直接または間接的に共通電圧が供給される。典型的には、共通電圧は、上述したように、ＣＳバスラインにも供給される。
［走査アンテナの基本構造］
液晶材料の大きな誘電率Ｍ（εM）の異方性（複屈折率）を利用したアンテナ単位を用いた走査アンテナは、ＬＣＤパネルの画素に対応付けられるアンテナ単位の各液晶層に印加する電圧を制御し、各アンテナ単位の液晶層の実効的な誘電率Ｍ（εM）を変化させることによって、静電容量の異なるアンテナ単位で２次元的なパターンを形成する（ＬＣＤによる画像の表示に対応する。）。アンテナから出射される、または、アンテナによって受信される電磁波（例えば、マイクロ波）には、各アンテナ単位の静電容量に応じた位相差が与えられ、静電容量の異なるアンテナ単位によって形成された２次元的なパターンに応じて、特定の方向に強い指向性を有することになる（ビーム走査）。例えば、アンテナから出射される電磁波は、入力電磁波が各アンテナ単位に入射し、各アンテナ単位で散乱された結果得られる球面波を、各アンテナ単位によって与えられる位相差を考慮して積分することによって得られる。各アンテナ単位が、「フェイズシフター：ｐｈａｓｅ ｓｈｉｆｔｅｒ」として機能していると考えることもできる。液晶材料を用いた走査アンテナの基本的な構造および動作原理については、特許文献１〜４および非特許文献１、２を参照されたい。非特許文献２は、らせん状のスロットが配列された走査アンテナの基本的な構造を開示している。参考のために、特許文献１〜４および非特許文献１、２の開示内容の全てを本明細書に援用する。
なお、本発明の実施形態による走査アンテナにおけるアンテナ単位はＬＣＤパネルの画素に類似してはいるものの、ＬＣＤパネルの画素の構造とは異なっているし、複数のアンテナ単位の配列もＬＣＤパネルにおける画素の配列とは異なっている。後に詳細に説明する第１の実施形態の走査アンテナ１０００を示す図１を参照して、本発明の実施形態による走査アンテナの基本構造を説明する。走査アンテナ１０００は、スロットが同心円状に配列されたラジアルインラインスロットアンテナであるが、本発明の実施形態による走査アンテナはこれに限られず、例えば、スロットの配列は、公知の種々の配列であってよい。特に、スロットおよび／またはアンテナ単位の配列について、特許文献５の全ての開示内容を参考のために本明細書に援用する。
図１は、本実施形態の走査アンテナ１０００の一部を模式的に示す断面図であり、同心円状に配列されたスロットの中心近傍に設けられた給電ピン７２（図２（ｂ）参照）から半径方向に沿った断面の一部を模式的に示す。
走査アンテナ１０００は、ＴＦＴ基板１０１と、スロット基板２０１と、これらの間に配置された液晶層ＬＣと、スロット基板２０１と、空気層５４を介して対向するように配置された反射導電板６５とを備えている。走査アンテナ１０００は、ＴＦＴ基板１０１側からマイクロ波を送受信する。
ＴＦＴ基板１０１は、ガラス基板などの誘電体基板１と、誘電体基板１上に形成された複数のパッチ電極１５と、複数のＴＦＴ１０とを有している。各パッチ電極１５は、対応するＴＦＴ１０に接続されている。各ＴＦＴ１０は、ゲートバスラインとソースバスラインとに接続されている。
スロット基板２０１は、ガラス基板などの誘電体基板５１と、誘電体基板５１の液晶層ＬＣ側に形成されたスロット電極５５とを有している。スロット電極５５は複数のスロット５７を有している。
スロット基板２０１と、空気層５４を介して対向するように反射導電板６５が配置されている。空気層５４に代えて、マイクロ波に対する誘電率Ｍが小さい誘電体（例えば、ＰＴＦＥなどのフッ素樹脂）で形成された層を用いることができる。スロット電極５５と反射導電板６５と、これらの間の誘電体基板５１および空気層５４とが導波路３０１として機能する。
パッチ電極１５と、スロット５７を含むスロット電極５５の部分と、これらの間の液晶層ＬＣとがアンテナ単位Ｕを構成する。各アンテナ単位Ｕにおいて、１つのパッチ電極１５が１つのスロット５７を含むスロット電極５５の部分と液晶層ＬＣを介して対向しており、液晶容量を構成している。パッチ電極１５とスロット電極５５とが液晶層ＬＣを介して対向する構造は、図３８に示したＬＣＤパネル９００ａの画素電極９１４と対向電極９２４とが液晶層９３０を介して対向する構造と似ている。すなわち、走査アンテナ１０００のアンテナ単位Ｕと、ＬＣＤパネル９００ａにおける画素Ｐとは似た構成を有している。また、アンテナ単位は、液晶容量と電気的に並列に接続された補助容量（図１３（ａ）、図１７参照）を有している点でもＬＣＤパネル９００ａにおける画素Ｐと似た構成を有している。しかしながら、走査アンテナ１０００は、ＬＣＤパネル９００ａと多くの相違点を有している。
まず、走査アンテナ１０００の誘電体基板１、５１に求められる性能は、ＬＣＤパネルの基板に求められる性能と異なる。
一般にＬＣＤパネルには、可視光に透明な基板が用いられ、例えば、ガラス基板またはプラスチック基板が用いられる。反射型のＬＣＤパネルにおいては、背面側の基板には透明性が必要ないので、半導体基板が用いられることもある。これに対し、アンテナ用の誘電体基板１、５１としては、マイクロ波に対する誘電損失（マイクロ波に対する誘電正接をｔａｎδMと表すことにする。）が小さいことが好ましい。誘電体基板１、５１のｔａｎδMは、概ね０．０３以下であることが好ましく、０．０１以下がさらに好ましい。具体的には、ガラス基板またはプラスチック基板を用いることができる。ガラス基板はプラスチック基板よりも寸法安定性、耐熱性に優れ、ＴＦＴ、配線、電極等の回路要素をＬＣＤ技術を用いて形成するのに適している。例えば、導波路を形成する材料が空気とガラスである場合、ガラスの方が上記誘電損失が大きいため、ガラスがより薄い方が導波ロスを減らすことができるとの観点から、好ましくは４００μｍ以下であり、３００μｍ以下がさらに好ましい。下限は特になく、製造プロセスにおいて、割れることなくハンドリングできればよい。
電極に用いられる導電材料も異なる。ＬＣＤパネルの画素電極や対向電極には透明導電膜としてＩＴＯ膜が用いられることが多い。しかしながら、ＩＴＯはマイクロ波に対するｔａｎδMが大きく、アンテナにおける導電層として用いることができない。スロット電極５５は、反射導電板６５とともに導波路３０１の壁として機能する。したがって、導波路３０１の壁におけるマイクロ波の透過を抑制するためには、導波路３０１の壁の厚さ、すなわち、金属層（Ｃｕ層またはＡｌ層）の厚さは大きいことが好ましい。金属層の厚さが表皮深さの３倍であれば、電磁波は１／２０（−２６ｄＢ）に減衰され、５倍であれば１／１５０（−４３ｄＢ）程度に減衰されることが知られている。したがって、金属層の厚さが表皮深さの５倍であれば、電磁波の透過率を１％に低減することができる。例えば、１０ＧＨｚのマイクロ波に対しては、厚さが３．３μｍ以上のＣｕ層、および厚さが４．０μｍ以上のＡｌ層を用いると、マイクロ波を１／１５０まで低減することができる。また、３０ＧＨｚのマイクロ波に対しては、厚さが１．９μｍ以上のＣｕ層、および厚さが２．３μｍ以上のＡｌ層を用いると、マイクロ波を１／１５０まで低減することができる。このように、スロット電極５５は、比較的厚いＣｕ層またはＡｌ層で形成することが好ましい。Ｃｕ層またはＡｌ層の厚さに上限は特になく、成膜時間やコストを考慮して、適宜設定され得る。Ｃｕ層を用いると、Ａｌ層を用いるよりも薄くできるという利点が得られる。比較的厚いＣｕ層またはＡｌ層の形成は、ＬＣＤの製造プロセスで用いられる薄膜堆積法だけでなく、Ｃｕ箔またはＡｌ箔を基板に貼り付ける等、他の方法を採用することもできる。金属層の厚さは、例えば、２μｍ以上３０μｍ以下である。薄膜堆積法を用いて形成する場合、金属層の厚さは５μｍ以下であることが好ましい。なお、反射導電板６５は、例えば、厚さが数ｍｍのアルミニウム板、銅板などを用いることができる。
パッチ電極１５は、スロット電極５５のように導波路３０１を構成する訳ではないので、スロット電極５５よりも厚さが小さいＣｕ層またはＡｌ層を用いることができる。ただし、スロット電極５５のスロット５７付近の自由電子の振動がパッチ電極１５内の自由電子の振動を誘起する際に熱に変わるロスを避けるために、抵抗が低い方が好ましい。量産性の観点からはＣｕ層よりもＡｌ層を用いることが好ましく、Ａｌ層の厚さは例えば０．３μｍ以上２μｍ以下が好ましい。
また、アンテナ単位Ｕの配列ピッチは、画素ピッチと大きく異なる。例えば、１２ＧＨｚ（Ｋｕ ｂａｎｄ）のマイクロ波用のアンテナを考えると、波長λは、例えば２５ｍｍである。そうすると、特許文献４に記載されているように、アンテナ単位Ｕのピッチはλ／４以下および／またはλ／５以下であるので、６．２５ｍｍ以下および／または５ｍｍ以下ということになる。これはＬＣＤパネルの画素のピッチと比べて１０倍以上大きい。したがって、アンテナ単位Ｕの長さおよび幅もＬＣＤパネルの画素長さおよび幅よりも約１０倍大きいことになる。
もちろん、アンテナ単位Ｕの配列はＬＣＤパネルにおける画素の配列と異なり得る。ここでは、同心円状に配列した例（例えば、特開２００２−２１７６４０号公報参照）を示すが、これに限られず、例えば、非特許文献２に記載されているように、らせん状に配列されてもよい。さらに、特許文献４に記載されているようにマトリクス状に配列してもよい。
走査アンテナ１０００の液晶層ＬＣの液晶材料に求められる特性は、ＬＣＤパネルの液晶材料に求められる特性と異なる。ＬＣＤパネルは画素の液晶層の屈折率変化によって、可視光（波長３８０ｎｍ〜８３０ｎｍ）の偏光に位相差を与えることによって、偏光状態を変化させる（例えば、直線偏光の偏光軸方向を回転させる、または、円偏光の円偏光度を変化させる）ことによって、表示を行う。これに対して実施形態による走査アンテナ１０００は、アンテナ単位Ｕが有する液晶容量の静電容量値を変化させることによって、各パッチ電極から励振（再輻射）されるマイクロ波の位相を変化させる。したがって、液晶層は、マイクロ波に対する誘電率Ｍ（εM）の異方性（ΔεM）が大きいことが好ましく、ｔａｎδMは小さいことが好ましい。例えば、Ｍ． Ｗｉｔｔｅｋ ｅｔ ａｌ．， ＳＩＤ ２０１５ ＤＩＧＥＳＴｐｐ．８２４−８２６に記載のΔεMが４以上で、ｔａｎδMが０．０２以下（いずれも１９Ｇｚの値）を好適に用いることができる。この他、九鬼、高分子５５巻８月号ｐｐ．５９９−６０２（２００６）に記載のΔεMが０．４以上、ｔａｎδMが０．０４以下の液晶材料を用いることができる。
一般に液晶材料の誘電率は周波数分散を有するが、マイクロ波に対する誘電異方性ΔεMは、可視光に対する屈折率異方性Δｎと正の相関がある。したがって、マイクロ波に対するアンテナ単位用の液晶材料は、可視光に対する屈折率異方性Δｎが大きい材料が好ましいと言える。ＬＣＤ用の液晶材料の屈折率異方性Δｎは５５０ｎｍの光に対する屈折率異方性で評価される。ここでも５５０ｎｍの光に対するΔｎ（複屈折率）を指標に用いると、Δｎが０．３以上、好ましくは０．４以上のネマチック液晶が、マイクロ波に対するアンテナ単位用に用いられる。Δｎに特に上限はない。ただし、Δｎが大きい液晶材料は極性が強い傾向にあるので、信頼性を低下させる恐れがある。信頼性の観点からは、Δｎは０．４以下であることが好ましい。液晶層の厚さは、例えば、１μｍ〜５００μｍである。
以下、本発明の実施形態による走査アンテナの構造および製造方法をより詳細に説明する。
（第１の実施形態）
まず、図１および図２を参照する。図１は詳述した様に走査アンテナ１０００の中心付近の模式的な部分断面図であり、図２（ａ）および（ｂ）は、それぞれ、走査アンテナ１０００におけるＴＦＴ基板１０１およびスロット基板２０１を示す模式的な平面図である。
走査アンテナ１０００は２次元に配列された複数のアンテナ単位Ｕを有しており、ここで例示する走査アンテナ１０００では、複数のアンテナ単位が同心円状に配列されている。以下の説明においては、アンテナ単位Ｕに対応するＴＦＴ基板１０１の領域およびスロット基板２０１の領域を「アンテナ単位領域」と呼び、アンテナ単位と同じ参照符号Ｕを付すことにする。また、図２（ａ）および（ｂ）に示す様に、ＴＦＴ基板１０１およびスロット基板２０１において、２次元的に配列された複数のアンテナ単位領域によって画定される領域を「送受信領域Ｒ１」と呼び、送受信領域Ｒ１以外の領域を「非送受信領域Ｒ２」と呼ぶ。非送受信領域Ｒ２には、端子部、駆動回路などが設けられる。
図２（ａ）は、走査アンテナ１０００におけるＴＦＴ基板１０１を示す模式的な平面図である。
図示する例では、ＴＦＴ基板１０１の法線方向から見たとき、送受信領域Ｒ１はドーナツ状である。非送受信領域Ｒ２は、送受信領域Ｒ１の中心部に位置する第１非送受信領域Ｒ２ａと、送受信領域Ｒ１の周縁部に位置する第２非送受信領域Ｒ２ｂとを含む。送受信領域Ｒ１の外径は、例えば２００ｍｍ〜１５００ｍｍで、通信量などに応じて設定される。
ＴＦＴ基板１０１の送受信領域Ｒ１には、誘電体基板１に支持された複数のゲートバスラインＧＬおよび複数のソースバスラインＳＬが設けられ、これらの配線によってアンテナ単位領域Ｕが規定されている。アンテナ単位領域Ｕは、送受信領域Ｒ１において、例えば同心円状に配列されている。アンテナ単位領域Ｕのそれぞれは、ＴＦＴと、ＴＦＴに電気的に接続されたパッチ電極とを含んでいる。ＴＦＴのソース電極はソースバスラインＳＬに、ゲート電極はゲートバスラインＧＬにそれぞれ電気的に接続されている。また、ドレイン電極は、パッチ電極と電気的に接続されている。
非送受信領域Ｒ２（Ｒ２ａ、Ｒ２ｂ）には、送受信領域Ｒ１を包囲するようにシール領域Ｒｓが配置されている。シール領域Ｒｓにはシール材（不図示）が付与されている。シール材は、ＴＦＴ基板１０１およびスロット基板２０１を互いに接着させるとともに、これらの基板１０１、２０１の間に液晶を封入する。
非送受信領域Ｒ２のうちシール領域Ｒｓの外側には、ゲート端子部ＧＴ、ゲートドライバＧＤ、ソース端子部ＳＴおよびソースドライバＳＤが設けられている。ゲートバスラインＧＬのそれぞれはゲート端子部ＧＴを介してゲートドライバＧＤに接続されている。ソースバスラインＳＬのそれぞれはソース端子部ＳＴを介してソースドライバＳＤに接続されている。なお、この例では、ソースドライバＳＤおよびゲートドライバＧＤは誘電体基板１上に形成されているが、これらのドライバの一方または両方は他の誘電体基板上に設けられていてもよい。
非送受信領域Ｒ２には、また、複数のトランスファー端子部ＰＴが設けられている。トランスファー端子部ＰＴは、スロット基板２０１のスロット電極５５（図２（ｂ））と電気的に接続される。本明細書では、トランスファー端子部ＰＴとスロット電極５５との接続部を「トランスファー部」と称する。図示するように、トランスファー端子部ＰＴ（トランスファー部）は、シール領域Ｒｓ内に配置されてもよい。この場合、シール材として導電性粒子を含有する樹脂を用いてもよい。これにより、ＴＦＴ基板１０１とスロット基板２０１との間に液晶を封入させるとともに、トランスファー端子部ＰＴとスロット基板２０１のスロット電極５５との電気的な接続を確保できる。この例では、第１非送受信領域Ｒ２ａおよび第２非送受信領域Ｒ２ｂの両方にトランスファー端子部ＰＴが配置されているが、いずれか一方のみに配置されていてもよい。
なお、トランスファー端子部ＰＴ（トランスファー部）は、シール領域Ｒｓ内に配置されていなくてもよい。例えば非送受信領域Ｒ２のうちシール領域Ｒｓの外側に配置されていてもよい。
図２（ｂ）は、走査アンテナ１０００におけるスロット基板２０１を例示する模式的な平面図であり、スロット基板２０１の液晶層ＬＣ側の表面を示している。
スロット基板２０１では、誘電体基板５１上に、送受信領域Ｒ１および非送受信領域Ｒ２に亘ってスロット電極５５が形成されている。
スロット基板２０１の送受信領域Ｒ１では、スロット電極５５には複数のスロット５７が配置されている。スロット５７は、ＴＦＴ基板１０１におけるアンテナ単位領域Ｕに対応して配置されている。図示する例では、複数のスロット５７は、ラジアルインラインスロットアンテナを構成するように、互いに概ね直交する方向に延びる一対のスロット５７が同心円状に配列されている。互いに概ね直交するスロットを有するので、走査アンテナ１０００は、円偏波を送受信することができる。
非送受信領域Ｒ２には、複数の、スロット電極５５の端子部ＩＴが設けられている。端子部ＩＴは、ＴＦＴ基板１０１のトランスファー端子部ＰＴ（図２（ａ））と電気的に接続される。この例では、端子部ＩＴは、シール領域Ｒｓ内に配置されており、導電性粒子を含有するシール材によって対応するトランスファー端子部ＰＴと電気的に接続される。
また、第１非送受信領域Ｒ２ａにおいて、スロット基板２０１の裏面側に給電ピン７２が配置されている。給電ピン７２によって、スロット電極５５、反射導電板６５および誘電体基板５１で構成された導波路３０１にマイクロ波が挿入される。給電ピン７２は給電装置７０に接続されている。給電は、スロット５７が配列された同心円の中心から行う。給電の方式は、直結給電方式および電磁結合方式のいずれであってもよく、公知の給電構造を採用することができる。
図２（ａ）および（ｂ）では、シール領域Ｒｓは、送受信領域Ｒ１を含む比較的狭い領域を包囲するように設けた例を示したが、これに限られない。特に、送受信領域Ｒ１の外側に設けられるシール領域Ｒｓは、送受信領域Ｒ１から一定以上の距離を持つように、例えば、誘電体基板１および／または誘電体基板５１の辺の近傍に設けてもよい。もちろん、非送受信領域Ｒ２に設けられる、例えば端子部や駆動回路は、シール領域Ｒｓの外側（すなわち、液晶層が存在しない側）に形成してもよい。送受信領域Ｒ１から一定以上の離れた位置にシール領域Ｒｓを形成することによって、シール材（特に、硬化性樹脂）に含まれている不純物（特にイオン性不純物）の影響を受けてアンテナ特性が低下することを抑制することができる。
以下、図面を参照して、走査アンテナ１０００の各構成要素をより詳しく説明する。
＜ＴＦＴ基板１０１の構造＞
・アンテナ単位領域Ｕ
図３（ａ）および（ｂ）は、それぞれ、ＴＦＴ基板１０１のアンテナ単位領域Ｕを模式的に示す断面図および平面図である。
アンテナ単位領域Ｕのそれぞれは、誘電体基板（不図示）と、誘電体基板に支持されたＴＦＴ１０と、ＴＦＴ１０を覆う第１絶縁層１１と、第１絶縁層１１上に形成され、ＴＦＴ１０に電気的に接続されたパッチ電極１５と、パッチ電極１５を覆う第２絶縁層１７とを備える。ＴＦＴ１０は、例えば、ゲートバスラインＧＬおよびソースバスラインＳＬの交点近傍に配置されている。
ＴＦＴ１０は、ゲート電極３Ｇ、島状の半導体層５、ゲート電極３Ｇと半導体層５との間に配置されたゲート絶縁層４、ソース電極７Ｓおよびドレイン電極７Ｄを備える。ＴＦＴ１０の構造は特に限定しない。この例では、ＴＦＴ１０は、ボトムゲート構造を有するチャネルエッチ型のＴＦＴである。
ゲート電極３Ｇは、ゲートバスラインＧＬに電気的に接続されており、ゲートバスラインＧＬから走査信号を供給される。ソース電極７Ｓは、ソースバスラインＳＬに電気的に接続されており、ソースバスラインＳＬからデータ信号を供給される。ゲート電極３ＧおよびゲートバスラインＧＬは同じ導電膜（ゲート用導電膜）から形成されていてもよい。ソース電極７Ｓ、ドレイン電極７ＤおよびソースバスラインＳＬは同じ導電膜（ソース用導電膜）から形成されていてもよい。ゲート用導電膜およびソース用導電膜は、例えば金属膜である。本明細書では、ゲート用導電膜を用いて形成された層（レイヤー）を「ゲートメタル層」、ソース用導電膜を用いて形成された層を「ソースメタル層」と呼ぶことがある。
半導体層５は、ゲート絶縁層４を介してゲート電極３Ｇと重なるように配置されている。図示する例では、半導体層５上に、ソースコンタクト層６Ｓおよびドレインコンタクト層６Ｄが形成されている。ソースコンタクト層６Ｓおよびドレインコンタクト層６Ｄは、それぞれ、半導体層５のうちチャネルが形成される領域（チャネル領域）の両側に配置されている。半導体層５は真性アモルファスシリコン（ｉ−ａ−Ｓｉ）層であり、ソースコンタクト層６Ｓおよびドレインコンタクト層６Ｄはｎ+型アモルファスシリコン（ｎ+−ａ−Ｓｉ）層であってもよい。
ソース電極７Ｓは、ソースコンタクト層６Ｓに接するように設けられ、ソースコンタクト層６Ｓを介して半導体層５に接続されている。ドレイン電極７Ｄは、ドレインコンタクト層６Ｄに接するように設けられ、ドレインコンタクト層６Ｄを介して半導体層５に接続されている。
第１絶縁層１１は、ＴＦＴ１０のドレイン電極７Ｄに達するコンタクトホールＣＨ１を有している。
パッチ電極１５は、第１絶縁層１１上およびコンタクトホールＣＨ１内に設けられており、コンタクトホールＣＨ１内で、ドレイン電極７Ｄと接している。パッチ電極１５は、金属層を含む。パッチ電極１５は、金属層のみから形成された金属電極であってもよい。パッチ電極１５の材料は、ソース電極７Ｓおよびドレイン電極７Ｄと同じであってもよい。ただし、パッチ電極１５における金属層の厚さ（パッチ電極１５が金属電極の場合にはパッチ電極１５の厚さ）は、ソース電極７Ｓおよびドレイン電極７Ｄの厚さよりも大きくなるように設定される。パッチ電極１５における金属層の厚さは、Ａｌ層で形成する場合、例えば０．３μｍ以上に設定される。
ゲートバスラインＧＬと同じ導電膜を用いて、ＣＳバスラインＣＬが設けられていてもよい。ＣＳバスラインＣＬは、ゲート絶縁層４を介してドレイン電極（またはドレイン電極の延長部分）７Ｄと重なるように配置され、ゲート絶縁層４を誘電体層とする補助容量ＣＳを構成してもよい。
ゲートバスラインＧＬよりも誘電体基板側に、アライメントマーク（例えば金属層）２１と、アライメントマーク２１を覆う下地絶縁膜２とが形成されていてもよい。アライメントマーク２１は、１枚のガラス基板から例えばｍ枚のＴＦＴ基板を作製する場合において、フォトマスク枚がｎ枚（ｎ＜ｍ）であると、各露光工程を複数回に分けて行う必要が生じる。このようにフォトマスクの枚数（ｎ枚）が１枚のガラス基板１から作製されるＴＦＴ基板１０１の枚数（ｍ枚）よりも少ないとき、フォトマスクのアライメントに用いられる。アライメントマーク２１は省略され得る。
本実施形態では、ソースメタル層とは異なる層内にパッチ電極１５を形成する。これにより、次のようなメリットが得られる。
ソースメタル層は、通常金属膜を用いて形成されることから、ソースメタル層内にパッチ電極を形成することも考えられる。しかしながら、パッチ電極は、電子の振動を阻害しない程度に低抵抗であることが好ましく、例えば、厚さが０．３μｍ以上の比較的厚いＡｌ層で形成される。アンテナ性能の観点からは、パッチ電極は厚い方が好ましい。しかしながら、ＴＦＴの構成にも依存するが、例えば１μｍを超える厚さを有するパッチ電極をソースメタル層で形成すると、所望のパターニング精度が得られないという問題が生じることがある。例えば、ソース電極とドレイン電極との間隙（ＴＦＴのチャネル長に相当）を高い精度で制御できないという問題が生じることがある。これに対し、本実施形態では、ソースメタル層とは別個にパッチ電極１５を形成するので、ソースメタル層の厚さとパッチ電極１５の厚さとを独立して制御できる。したがって、ソースメタル層を形成する際の制御性を確保しつつ、所望の厚さのパッチ電極１５を形成できる。
本実施形態では、パッチ電極１５の厚さを、ソースメタル層の厚さとは別個に、高い自由度で設定できる。なお、パッチ電極１５のサイズは、ソースバスラインＳＬ等ほど厳密に制御される必要がないので、パッチ電極１５を厚くすることによって線幅シフト（設計値とのずれ）が大きくなっても構わない。なお、パッチ電極１５の厚さとソースメタル層の厚さが等しい場合を排除するものではない。
パッチ電極１５は、主層としてＣｕ層またはＡｌ層を含んでもよい。走査アンテナの性能はパッチ電極１５の電気抵抗と相関があり、主層の厚さは、所望の抵抗が得られるように設定される。電気抵抗の観点から、Ｃｕ層の方がＡｌ層よりもパッチ電極１５の厚さを小さくできる可能性がある。
・ゲート端子部ＧＴ、ソース端子部ＳＴおよびトランスファー端子部ＰＴ
図４（ａ）〜（ｃ）は、それぞれ、ゲート端子部ＧＴ、ソース端子部ＳＴおよびトランスファー端子部ＰＴを模式的に示す断面図である。
ゲート端子部ＧＴは、誘電体基板上に形成されたゲートバスラインＧＬ、ゲートバスラインＧＬを覆う絶縁層、およびゲート端子用上部接続部１９ｇを備えている。ゲート端子用上部接続部１９ｇは、絶縁層に形成されたコンタクトホールＣＨ２内で、ゲートバスラインＧＬと接している。この例では、ゲートバスラインＧＬを覆う絶縁層は、誘電体基板側からゲート絶縁層４、第１絶縁層１１および第２絶縁層１７を含む。ゲート端子用上部接続部１９ｇは、例えば、第２絶縁層１７上に設けられた透明導電膜から形成された透明電極である。
ソース端子部ＳＴは、誘電体基板上（ここではゲート絶縁層４上）に形成されたソースバスラインＳＬ、ソースバスラインＳＬを覆う絶縁層、およびソース端子用上部接続部１９ｓを備えている。ソース端子用上部接続部１９ｓは、絶縁層に形成されたコンタクトホールＣＨ３内で、ソースバスラインＳＬと接している。この例では、ソースバスラインＳＬを覆う絶縁層は、第１絶縁層１１および第２絶縁層１７を含む。ソース端子用上部接続部１９ｓは、例えば、第２絶縁層１７上に設けられた透明導電膜から形成された透明電極である。
トランスファー端子部ＰＴは、第１絶縁層１１上に形成されたパッチ接続部１５ｐと、パッチ接続部１５ｐを覆う第２絶縁層１７と、トランスファー端子用上部接続部１９ｐとを有している。トランスファー端子用上部接続部１９ｐは、第２絶縁層１７に形成されたコンタクトホールＣＨ４内で、パッチ接続部１５ｐと接している。パッチ接続部１５ｐは、パッチ電極１５と同じ導電膜から形成されている。トランスファー端子用上部接続部（上部透明電極ともいう。）１９ｐは、例えば、第２絶縁層１７上に設けられた透明導電膜から形成された透明電極である。本実施形態では、各端子部の上部接続部１９ｇ、１９ｓおよび１９ｐは、同じ透明導電膜から形成されている。
本実施形態では、第２絶縁層１７を形成した後のエッチング工程により、各端子部のコンタクトホールＣＨ２、ＣＨ３、ＣＨ４を同時に形成することができるという利点がある。詳細な製造プロセスは後述する。
＜ＴＦＴ基板１０１の製造方法＞
ＴＦＴ基板１０１は、例えば以下の方法で製造され得る。図５は、ＴＦＴ基板１０１の製造工程を例示する図である。
まず、誘電体基板上に、金属膜（例えばＴｉ膜）を形成し、これをパターニングすることにより、アライメントマーク２１を形成する。誘電体基板としては、例えばガラス基板、耐熱性を有するプラスチック基板（樹脂基板）などを用いることができる。次いで、アライメントマーク２１を覆うように、下地絶縁膜２を形成する。下地絶縁膜２として、例えばＳｉＯ2膜を用いる。
続いて、下地絶縁膜２上に、ゲート電極３ＧおよびゲートバスラインＧＬを含むゲートメタル層を形成する。
ゲート電極３Ｇは、ゲートバスラインＧＬと一体的に形成され得る。ここでは、誘電体基板上に、スパッタ法などによって、図示しないゲート用導電膜（厚さ：例えば５０ｎｍ以上５００ｎｍ以下）を形成する。次いで、ゲート用導電膜をパターニングすることにより、ゲート電極３ＧおよびゲートバスラインＧＬを得る。ゲート用導電膜の材料は特に限定しない。アルミニウム（Ａｌ）、タングステン（Ｗ）、モリブデン（Ｍｏ）、タンタル（Ｔａ）、クロム（Ｃｒ）、チタン（Ｔｉ）、銅（Ｃｕ）等の金属またはその合金、若しくはその金属窒化物を含む膜を適宜用いることができる。ここでは、ゲート用導電膜として、ＭｏＮ（厚さ：例えば５０ｎｍ）、Ａｌ（厚さ：例えば２００ｎｍ）およびＭｏＮ（厚さ：例えば５０ｎｍ）をこの順で積層した積層膜を形成する。
次いで、ゲートメタル層を覆うようにゲート絶縁層４を形成する。ゲート絶縁層４は、ＣＶＤ法等によって形成され得る。ゲート絶縁層４としては、酸化珪素（ＳｉＯ2）層、窒化珪素（ＳｉＮｘ）層、酸化窒化珪素（ＳｉＯｘＮｙ；ｘ＞ｙ）層、窒化酸化珪素（ＳｉＮｘＯｙ；ｘ＞ｙ）層等を適宜用いることができる。ゲート絶縁層４は積層構造を有していてもよい。ここでは、ゲート絶縁層４として、ＳｉＮｘ層（厚さ：例えば４１０ｎｍ）を形成する。
次いで、ゲート絶縁層４上に半導体層５およびコンタクト層を形成する。ここでは、真性アモルファスシリコン膜（厚さ：例えば１２５ｎｍ）およびｎ+型アモルファスシリコン膜（厚さ：例えば６５ｎｍ）をこの順で形成し、パターニングすることにより、島状の半導体層５およびコンタクト層を得る。半導体層５に用いる半導体膜はアモルファスシリコン膜に限定されない。例えば、半導体層５として酸化物半導体層を形成してもよい。この場合には、半導体層５とソース・ドレイン電極との間にコンタクト層を設けなくてもよい。
次いで、ゲート絶縁層４上およびコンタクト層上にソース用導電膜（厚さ：例えば５０ｎｍ以上５００ｎｍ以下）を形成し、これをパターニングすることによって、ソース電極７Ｓ、ドレイン電極７ＤおよびソースバスラインＳＬを含むソースメタル層を形成する。このとき、コンタクト層もエッチングされ、互いに分離されたソースコンタクト層６Ｓとドレインコンタクト層６Ｄとが形成される。
ソース用導電膜の材料は特に限定しない。アルミニウム（Ａｌ）、タングステン（Ｗ）、モリブデン（Ｍｏ）、タンタル（Ｔａ）、クロム（Ｃｒ）、チタン（Ｔｉ）、銅（Ｃｕ）等の金属またはその合金、若しくはその金属窒化物を含む膜を適宜用いることができる。ここでは、ソース用導電膜として、ＭｏＮ（厚さ：例えば３０ｎｍ）、Ａｌ（厚さ：例えば２００ｎｍ）およびＭｏＮ（厚さ：例えば５０ｎｍ）をこの順で積層した積層膜を形成する。なお、代わりに、ソース用導電膜として、Ｔｉ（厚さ：例えば３０ｎｍ）、ＭｏＮ（厚さ：例えば３０ｎｍ）、Ａｌ（厚さ：例えば２００ｎｍ）およびＭｏＮ（厚さ：例えば５０ｎｍ）をこの順で積層した積層膜を形成してもよい。
ここでは、例えば、スパッタ法でソース用導電膜を形成し、ウェットエッチングによりソース用導電膜のパターニング（ソース・ドレイン分離）を行う。この後、例えばドライエッチングにより、コンタクト層のうち、半導体層５のチャネル領域となる領域上に位置する部分を除去してギャップ部を形成し、ソースコンタクト層６Ｓおよびドレインコンタクト層６Ｄとに分離する。このとき、ギャップ部において、半導体層５の表面近傍もエッチングされる（オーバーエッチング）。
なお、例えばソース用導電膜としてＴｉ膜およびＡｌ膜をこの順で積層した積層膜を用いる場合には、例えばリン酸酢酸硝酸水溶液を用いて、ウェットエッチングでＡｌ膜のパターニングを行った後、ドライエッチングでＴｉ膜およびコンタクト層（ｎ+型アモルファスシリコン層）６を同時にパターニングしてもよい。あるいは、ソース用導電膜およびコンタクト層を一括してエッチングすることも可能である。ただし、ソース用導電膜またはその下層とコンタクト層６とを同時にエッチングする場合には、基板全体における半導体層５のエッチング量（ギャップ部の掘れ量）の分布の制御が困難となる場合がある。これに対し、上述したように、ソース・ドレイン分離とギャップ部の形成と別個のエッチング工程で行うと、ギャップ部のエッチング量をより容易に制御できる。
次に、ＴＦＴ１０を覆うように第１絶縁層１１を形成する。この例では、第１絶縁層１１は、半導体層５のチャネル領域と接するように配置される。また、公知のフォトリソグラフィにより、第１絶縁層１１に、ドレイン電極７Ｄに達するコンタクトホールＣＨ１を形成する。
第１絶縁層１１は、例えば、酸化珪素（ＳｉＯ2）膜、窒化珪素（ＳｉＮｘ）膜、酸化窒化珪素（ＳｉＯｘＮｙ；ｘ＞ｙ）膜、窒化酸化珪素（ＳｉＮｘＯｙ；ｘ＞ｙ）膜等の無機絶縁層であってもよい。ここでは、第１絶縁層１１として、例えばＣＶＤ法により、厚さが例えば３３０ｎｍのＳｉＮｘ層を形成する。
次いで、第１絶縁層１１上およびコンタクトホールＣＨ１内にパッチ用導電膜を形成し、これをパターニングする。これにより、送受信領域Ｒ１にパッチ電極１５を形成し、非送受信領域Ｒ２にパッチ接続部１５ｐを形成する。パッチ電極１５は、コンタクトホールＣＨ１内でドレイン電極７Ｄと接する。なお、本明細書では、パッチ用導電膜から形成された、パッチ電極１５、パッチ接続部１５ｐを含む層を「パッチメタル層」と呼ぶことがある。
パッチ用導電膜の材料として、ゲート用導電膜またはソース用導電膜と同様の材料が用いられ得る。ただし、パッチ用導電膜は、ゲート用導電膜およびソース用導電膜よりも厚くなるように設定される。これにより、パッチ電極のシート抵抗を低減させることで、パッチ電極内の自由電子の振動が熱に変わるロスを低減させることが可能になる。パッチ用導電膜の好適な厚さは、例えば、０．３μｍ以上である。これよりも薄いと、シート抵抗が０．１０Ω／ｓｑ以上となり、ロスが大きくなるという問題が生じる可能性がある。パッチ用導電膜の厚さは、例えば３μｍ以下、より好ましくは２μｍ以下である。これよりも厚いとプロセス中の熱応力により基板の反りが生じる場合がある。反りが大きいと、量産プロセスにおいて、搬送トラブル、基板の欠け、または基板の割れなどの問題が発生することがある。
ここでは、パッチ用導電膜として、ＭｏＮ（厚さ：例えば５０ｎｍ）、Ａｌ（厚さ：例えば１０００ｎｍ）およびＭｏＮ（厚さ：例えば５０ｎｍ）をこの順で積層した積層膜（ＭｏＮ／Ａｌ／ＭｏＮ）を形成する。なお、代わりに、Ｔｉ（厚さ：例えば５０ｎｍ）、ＭｏＮ（厚さ：例えば５０ｎｍ）、Ａｌ（厚さ：例えば２０００ｎｍ）およびＭｏＮ（厚さ：例えば５０ｎｍ）をこの順で積層した積層膜（ＭｏＮ／Ａｌ／ＭｏＮ／Ｔｉ）を形成してもよい。あるいは、代わりに、Ｔｉ（厚さ：例えば５０ｎｍ）、ＭｏＮ（厚さ：例えば５０ｎｍ）、Ａｌ（厚さ：例えば５００ｎｍ）およびＭｏＮ（厚さ：例えば５０ｎｍ）をこの順で積層した積層膜（ＭｏＮ／Ａｌ／ＭｏＮ／Ｔｉ）を形成してもよい。または、Ｔｉ膜、Ｃｕ膜およびＴｉ膜をこの順で積層した積層膜（Ｔｉ／Ｃｕ／Ｔｉ）、あるいは、Ｔｉ膜およびＣｕ膜をこの順で積層した積層膜（Ｃｕ／Ｔｉ）を用いてもよい。
次いで、パッチ電極１５および第１絶縁層１１上に第２絶縁層（厚さ：例えば１００ｎｍ以上３００ｎｍ以下）１７を形成する。第２絶縁層１７としては、特に限定されず、例えば酸化珪素（ＳｉＯ2）膜、窒化珪素（ＳｉＮｘ）膜、酸化窒化珪素（ＳｉＯｘＮｙ；ｘ＞ｙ）膜、窒化酸化珪素（ＳｉＮｘＯｙ；ｘ＞ｙ）膜等を適宜用いることができる。ここでは、第２絶縁層１７として、例えば厚さ２００ｎｍのＳｉＮｘ層を形成する。
この後、例えばフッ素系ガスを用いたドライエッチングにより、無機絶縁膜（第２絶縁層１７、第１絶縁層１１およびゲート絶縁層４）を一括してエッチングする。エッチングでは、パッチ電極１５、ソースバスラインＳＬおよびゲートバスラインＧＬはエッチストップとして機能する。これにより、第２絶縁層１７、第１絶縁層１１およびゲート絶縁層４に、ゲートバスラインＧＬに達するコンタクトホールＣＨ２が形成され、第２絶縁層１７および第１絶縁層１１に、ソースバスラインＳＬに達するコンタクトホールＣＨ３が形成される。また、第２絶縁層１７に、パッチ接続部１５ｐに達するコンタクトホールＣＨ４が形成される。
この例では、無機絶縁膜を一括してエッチングするため、得られたコンタクトホールＣＨ２の側壁では、第２絶縁層１７、第１絶縁層１１およびゲート絶縁層４の側面が整合し、コンタクトホールＣＨ３の側壁では、第２絶縁層１７および第１絶縁層１１の側壁が整合する。なお、本明細書において、コンタクトホール内において、異なる２以上の層の「側面が整合する」とは、これらの層におけるコンタクトホール内に露出した側面が、垂直方向に面一である場合のみでなく、連続してテーパー形状などの傾斜面を構成する場合をも含む。このような構成は、例えば、同一のマスクを用いてこれらの層をエッチングする、あるいは、一方の層をマスクとして他方の層のエッチングを行うこと等によって得られる。
次に、第２絶縁層１７上、およびコンタクトホールＣＨ２、ＣＨ３、ＣＨ４内に、例えばスパッタ法により透明導電膜（厚さ：５０ｎｍ以上２００ｎｍ以下）を形成する。透明導電膜として、例えばＩＴＯ（インジウム・錫酸化物）膜、ＩＺＯ膜、ＺｎＯ膜（酸化亜鉛膜）などを用いることができる。ここでは、透明導電膜として、厚さが例えば１００ｎｍのＩＴＯ膜を用いる。
次いで、透明導電膜をパターニングすることにより、ゲート端子用上部接続部１９ｇ、ソース端子用上部接続部１９ｓおよびトランスファー端子用上部接続部１９ｐを形成する。ゲート端子用上部接続部１９ｇ、ソース端子用上部接続部１９ｓおよびトランスファー端子用上部接続部１９ｐは、各端子部で露出した電極または配線を保護するために用いられる。このようにして、ゲート端子部ＧＴ、ソース端子部ＳＴおよびトランスファー端子部ＰＴが得られる。
＜スロット基板２０１の構造＞
次いで、スロット基板２０１の構造をより具体的に説明する。
図６は、スロット基板２０１におけるアンテナ単位領域Ｕおよび端子部ＩＴを模式的に示す断面図である。
スロット基板２０１は、表面および裏面を有する誘電体基板５１と、誘電体基板５１の表面に形成された第３絶縁層５２と、第３絶縁層５２上に形成されたスロット電極５５と、スロット電極５５を覆う第４絶縁層５８とを備える。反射導電板６５が誘電体基板５１の裏面に誘電体層（空気層）５４を介して対向するように配置されている。スロット電極５５および反射導電板６５は導波路３０１の壁として機能する。
送受信領域Ｒ１において、スロット電極５５には複数のスロット５７が形成されている。スロット５７はスロット電極５５を貫通する開口である。この例では、各アンテナ単位領域Ｕに１個のスロット５７が配置されている。
第４絶縁層５８は、スロット電極５５上およびスロット５７内に形成されている。第４絶縁層５８の材料は、第３絶縁層５２の材料と同じであってもよい。第４絶縁層５８でスロット電極５５を覆うことにより、スロット電極５５と液晶層ＬＣとが直接接触しないので、信頼性を高めることができる。スロット電極５５がＣｕ層で形成されていると、Ｃｕが液晶層ＬＣに溶出することがある。また、スロット電極５５を薄膜堆積技術を用いてＡｌ層で形成すると、Ａｌ層にボイドが含まれることがある。第４絶縁層５８は、Ａｌ層のボイドに液晶材料が侵入するのを防止することができる。なお、Ａｌ層をアルミ箔を接着材により誘電体基板５１に貼り付け、これをパターニングすることによってスロット電極５５を作製すれば、ボイドの問題を回避できる。
スロット電極５５は、Ｃｕ層、Ａｌ層などの主層５５Ｍを含む。スロット電極５５は、主層５５Ｍと、それを挟むように配置された上層５５Ｕおよび下層５５Ｌとを含む積層構造を有していてもよい。主層５５Ｍの厚さは、材料に応じて表皮効果を考慮して設定され、例えば２μｍ以上３０μｍ以下であってもよい。主層５５Ｍの厚さは、典型的には上層５５Ｕおよび下層５５Ｌの厚さよりも大きい。
図示する例では、主層５５ＭはＣｕ層、上層５５Ｕおよび下層５５ＬはＴｉ層である。主層５５Ｍと第３絶縁層５２との間に下層５５Ｌを配置することにより、スロット電極５５と第３絶縁層５２との密着性を向上できる。また、上層５５Ｕを設けることにより、主層５５Ｍ（例えばＣｕ層）の腐食を抑制できる。
反射導電板６５は、導波路３０１の壁を構成するので、表皮深さの３倍以上、好ましくは５倍以上の厚さを有することが好ましい。反射導電板６５は、例えば、削り出しによって作製された厚さが数ｍｍのアルミニウム板、銅板などを用いることができる。
非送受信領域Ｒ２には、端子部ＩＴが設けられている。端子部ＩＴは、スロット電極５５と、スロット電極５５を覆う第４絶縁層５８と、上部接続部６０とを備える。第４絶縁層５８は、スロット電極５５に達する開口を有している。上部接続部６０は、開口内でスロット電極５５に接している。本実施形態では、端子部ＩＴは、シール領域Ｒｓ内に配置され、導電性粒子を含有するシール樹脂によって、ＴＦＴ基板におけるトランスファー端子部と接続される（トランスファー部）。
・トランスファー部
図７は、ＴＦＴ基板１０１のトランスファー端子部ＰＴと、スロット基板２０１の端子部ＩＴとを接続するトランスファー部を説明するための模式的な断面図である。図７では、図１〜図４と同様の構成要素には同じ参照符号を付している。
トランスファー部では、端子部ＩＴの上部接続部６０は、ＴＦＴ基板１０１におけるトランスファー端子部ＰＴのトランスファー端子用上部接続部１９ｐと電気的に接続される。本実施形態では、上部接続部６０とトランスファー端子用上部接続部１９ｐとを、導電性ビーズ７１を含む樹脂（シール樹脂）７３（「シール部７３」ということもある。）を介して接続する。
上部接続部６０、１９ｐは、いずれも、ＩＴＯ膜、ＩＺＯ膜などの透明導電層であり、その表面に酸化膜が形成される場合がある。酸化膜が形成されると、透明導電層同士の電気的な接続が確保できず、コンタクト抵抗が高くなる可能性がある。これに対し、本実施形態では、導電性ビーズ（例えばＡｕビーズ）７１を含む樹脂を介して、これらの透明導電層を接着させるので、表面酸化膜が形成されていても、導電性ビーズが表面酸化膜を突き破る（貫通する）ことにより、コンタクト抵抗の増大を抑えることが可能である。導電性ビーズ７１は、表面酸化膜だけでなく、透明導電層である上部接続部６０、１９ｐをも貫通し、パッチ接続部１５ｐおよびスロット電極５５に直接接していてもよい。
トランスファー部は、走査アンテナ１０００の中心部および周縁部（すなわち、走査アンテナ１０００の法線方向から見たとき、ドーナツ状の送受信領域Ｒ１の内側および外側）の両方に配置されていてもよいし、いずれか一方のみに配置されていてもよい。トランスファー部は、液晶を封入するシール領域Ｒｓ内に配置されていてもよいし、シール領域Ｒｓの外側（液晶層と反対側）に配置されていてもよい。
＜スロット基板２０１の製造方法＞
スロット基板２０１は、例えば以下の方法で製造され得る。
まず、誘電体基板上に第３絶縁層（厚さ：例えば２００ｎｍ）５２を形成する。誘電体基板としては、ガラス基板、樹脂基板などの、電磁波に対する透過率の高い（誘電率εMおよび誘電損失ｔａｎδMが小さい）基板を用いることができる。誘電体基板は電磁波の減衰を抑制するために薄い方が好ましい。例えば、ガラス基板の表面に後述するプロセスでスロット電極５５などの構成要素を形成した後、ガラス基板を裏面側から薄板化してもよい。これにより、ガラス基板の厚さを例えば５００μｍ以下に低減できる。
誘電体基板として樹脂基板を用いる場合、ＴＦＴ等の構成要素を直接、樹脂基板上に形成してもよいし、転写法を用いて樹脂基板上に形成してもよい。転写法によると、例えば、ガラス基板上に樹脂膜（例えばポリイミド膜）を形成し、樹脂膜上に後述するプロセスで構成要素を形成した後、構成要素が形成された樹脂膜とガラス基板とを分離させる。一般に、ガラスよりも樹脂の方が誘電率εMおよび誘電損失ｔａｎδMが小さい。樹脂基板の厚さは、例えば、３μｍ〜３００μｍである。樹脂材料としては、ポリイミドの他、例えば、液晶高分子を用いることもできる。
第３絶縁層５２としては、特に限定しないが、例えば酸化珪素（ＳｉＯ2）膜、窒化珪素（ＳｉＮｘ）膜、酸化窒化珪素（ＳｉＯｘＮｙ；ｘ＞ｙ）膜、窒化酸化珪素（ＳｉＮｘＯｙ；ｘ＞ｙ）膜等を適宜用いることができる。
次いで、第３絶縁層５２の上に金属膜を形成し、これをパターニングすることによって、複数のスロット５７を有するスロット電極５５を得る。金属膜としては、厚さが２μｍ〜５μｍのＣｕ膜（またはＡｌ膜）を用いてもよい。ここでは、Ｔｉ膜、Ｃｕ膜およびＴｉ膜をこの順で積層した積層膜を用いる。なお、代わりに、Ｔｉ（厚さ：例えば５０ｎｍ）およびＣｕ（厚さ：例えば５０００ｎｍ）をこの順で積層した積層膜を形成してもよい。
この後、スロット電極５５上およびスロット５７内に第４絶縁層（厚さ：例えば１００ｎｍまたは２００ｎｍ）５８を形成する。第４絶縁層５８の材料は、第３絶縁層の材料と同じであってもよい。この後、非送受信領域Ｒ２において、第４絶縁層５８に、スロット電極５５に達する開口部を形成する。
次いで、第４絶縁層５８上および第４絶縁層５８の開口部内に透明導電膜を形成し、これをパターニングすることにより、開口部内でスロット電極５５と接する上部接続部６０を形成する。これにより、端子部ＩＴを得る。
＜ＴＦＴ１０の材料および構造＞
本実施形態では、各画素に配置されるスイッチング素子として、半導体層５を活性層とするＴＦＴが用いられる。半導体層５はアモルファスシリコン層に限定されず、ポリシリコン層、酸化物半導体層であってもよい。
酸化物半導体層を用いる場合、酸化物半導体層に含まれる酸化物半導体は、アモルファス酸化物半導体であってもよいし、結晶質部分を有する結晶質酸化物半導体であってもよい。結晶質酸化物半導体としては、多結晶酸化物半導体、微結晶酸化物半導体、ｃ軸が層面に概ね垂直に配向した結晶質酸化物半導体などが挙げられる。
酸化物半導体層は、２層以上の積層構造を有していてもよい。酸化物半導体層が積層構造を有する場合には、酸化物半導体層は、非晶質酸化物半導体層と結晶質酸化物半導体層とを含んでいてもよい。あるいは、結晶構造の異なる複数の結晶質酸化物半導体層を含んでいてもよい。また、複数の非晶質酸化物半導体層を含んでいてもよい。酸化物半導体層が上層と下層とを含む２層構造を有する場合、上層に含まれる酸化物半導体のエネルギーギャップは、下層に含まれる酸化物半導体のエネルギーギャップよりも大きいことが好ましい。ただし、これらの層のエネルギーギャップの差が比較的小さい場合には、下層の酸化物半導体のエネルギーギャップが上層の酸化物半導体のエネルギーギャップよりも大きくてもよい。
非晶質酸化物半導体および上記の各結晶質酸化物半導体の材料、構造、成膜方法、積層構造を有する酸化物半導体層の構成などは、例えば特開２０１４−００７３９９号公報に記載されている。参考のために、特開２０１４−００７３９９号公報の開示内容の全てを本明細書に援用する。
酸化物半導体層は、例えば、Ｉｎ、ＧａおよびＺｎのうち少なくとも１種の金属元素を含んでもよい。本実施形態では、酸化物半導体層は、例えば、Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ系の半導体（例えば酸化インジウムガリウム亜鉛）を含む。ここで、Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ系の半導体は、Ｉｎ（インジウム）、Ｇａ（ガリウム）、Ｚｎ（亜鉛）の三元系酸化物であって、Ｉｎ、ＧａおよびＺｎの割合（組成比）は特に限定されず、例えばＩｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝２：２：１、Ｉｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝１：１：１、Ｉｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝１：１：２等を含む。このような酸化物半導体層は、Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ系の半導体を含む酸化物半導体膜から形成され得る。
Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ系の半導体は、アモルファスでもよいし、結晶質でもよい。結晶質Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ系の半導体としては、ｃ軸が層面に概ね垂直に配向した結晶質Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ系の半導体が好ましい。
なお、結晶質Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ系の半導体の結晶構造は、例えば、上述した特開２０１４−００７３９９号公報、特開２０１２−１３４４７５号公報、特開２０１４−２０９７２７号公報などに開示されている。参考のために、特開２０１２−１３４４７５号公報および特開２０１４−２０９７２７号公報の開示内容の全てを本明細書に援用する。Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ系半導体層を有するＴＦＴは、高い移動度（ａ−ＳｉＴＦＴに比べ２０倍超）および低いリーク電流（ａ−ＳｉＴＦＴに比べ１００分の１未満）を有しているので、駆動ＴＦＴ（例えば、非送受信領域に設けられる駆動回路に含まれるＴＦＴ）および各アンテナ単位領域に設けられるＴＦＴとして好適に用いられる。
酸化物半導体層は、Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ系半導体の代わりに、他の酸化物半導体を含んでいてもよい。例えばＩｎ−Ｓｎ−Ｚｎ−Ｏ系半導体（例えばＩｎ2Ｏ3−ＳｎＯ2−ＺｎＯ；ＩｎＳｎＺｎＯ）を含んでもよい。Ｉｎ−Ｓｎ−Ｚｎ−Ｏ系半導体は、Ｉｎ（インジウム）、Ｓｎ（スズ）およびＺｎ（亜鉛）の三元系酸化物である。あるいは、酸化物半導体層は、Ｉｎ−Ａｌ−Ｚｎ−Ｏ系半導体、Ｉｎ−Ａｌ−Ｓｎ−Ｚｎ−Ｏ系半導体、Ｚｎ−Ｏ系半導体、Ｉｎ−Ｚｎ−Ｏ系半導体、Ｚｎ−Ｔｉ−Ｏ系半導体、Ｃｄ−Ｇｅ−Ｏ系半導体、Ｃｄ−Ｐｂ−Ｏ系半導体、ＣｄＯ（酸化カドミウム）、Ｍｇ−Ｚｎ−Ｏ系半導体、Ｉｎ−Ｇａ−Ｓｎ−Ｏ系半導体、Ｉｎ−Ｇａ−Ｏ系半導体、Ｚｒ−Ｉｎ−Ｚｎ−Ｏ系半導体、Ｈｆ−Ｉｎ−Ｚｎ−Ｏ系半導体、Ａｌ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ系半導体、Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ系半導体などを含んでいてもよい。
図３に示す例では、ＴＦＴ１０は、ボトムゲート構造を有するチャネルエッチ型のＴＦＴである。「チャネルエッチ型のＴＦＴ」では、チャネル領域上にエッチストップ層が形成されておらず、ソースおよびドレイン電極のチャネル側の端部下面は、半導体層の上面と接するように配置されている。チャネルエッチ型のＴＦＴは、例えば半導体層上にソース・ドレイン電極用の導電膜を形成し、ソース・ドレイン分離を行うことによって形成される。ソース・ドレイン分離工程において、チャネル領域の表面部分がエッチングされる場合がある。
なお、ＴＦＴ１０は、チャネル領域上にエッチストップ層が形成されたエッチストップ型ＴＦＴであってもよい。エッチストップ型ＴＦＴでは、ソースおよびドレイン電極のチャネル側の端部下面は、例えばエッチストップ層上に位置する。エッチストップ型のＴＦＴは、例えば半導体層のうちチャネル領域となる部分を覆うエッチストップ層を形成した後、半導体層およびエッチストップ層上にソース・ドレイン電極用の導電膜を形成し、ソース・ドレイン分離を行うことによって形成される。
また、ＴＦＴ１０は、ソースおよびドレイン電極が半導体層の上面と接するトップコンタクト構造を有するが、ソースおよびドレイン電極は半導体層の下面と接するように配置されていてもよい（ボトムコンタクト構造）。さらに、ＴＦＴ１０は、半導体層の誘電体基板側にゲート電極を有するボトムゲート構造であってもよいし、半導体層の上方にゲート電極を有するトップゲート構造であってもよい。
（第２の実施形態）
図面を参照しながら、第２の実施形態の走査アンテナを説明する。本実施形態の走査アンテナにおけるＴＦＴ基板は、各端子部の上部接続部となる透明導電層が、ＴＦＴ基板における第１絶縁層と第２絶縁層との間に設けられている点で、図２に示すＴＦＴ基板１０１と異なる。
図８（ａ）〜（ｃ）は、それぞれ、本実施形態におけるＴＦＴ基板１０２のゲート端子部ＧＴ、ソース端子部ＳＴおよびトランスファー端子部ＰＴを示す断面図である。図４と同様の構成要素には同じ参照符号を付し、説明を省略する。なお、アンテナ単位領域Ｕの断面構造は前述の実施形態（図３）と同様であるので図示および説明を省略する。
本実施形態におけるゲート端子部ＧＴは、誘電体基板上に形成されたゲートバスラインＧＬ、ゲートバスラインＧＬを覆う絶縁層、およびゲート端子用上部接続部１９ｇを備えている。ゲート端子用上部接続部１９ｇは、絶縁層に形成されたコンタクトホールＣＨ２内で、ゲートバスラインＧＬと接している。この例では、ゲートバスラインＧＬを覆う絶縁層は、ゲート絶縁層４および第１絶縁層１１を含む。ゲート端子用上部接続部１９ｇおよび第１絶縁層１１上には第２絶縁層１７が形成されている。第２絶縁層１７は、ゲート端子用上部接続部１９ｇの一部を露出する開口部１８ｇを有している。この例では、第２絶縁層１７の開口部１８ｇは、コンタクトホールＣＨ２全体を露出するように配置されていてもよい。
ソース端子部ＳＴは、誘電体基板上（ここではゲート絶縁層４上）に形成されたソースバスラインＳＬ、ソースバスラインＳＬを覆う絶縁層、およびソース端子用上部接続部１９ｓを備えている。ソース端子用上部接続部１９ｓは、絶縁層に形成されたコンタクトホールＣＨ３内で、ソースバスラインＳＬと接している。この例では、ソースバスラインＳＬを覆う絶縁層は、第１絶縁層１１のみを含む。第２絶縁層１７は、ソース端子用上部接続部１９ｓおよび第１絶縁層１１上に延設されている。第２絶縁層１７は、ソース端子用上部接続部１９ｓの一部を露出する開口部１８ｓを有している。第２絶縁層１７の開口部１８ｓは、コンタクトホールＣＨ３全体を露出するように配置されていてもよい。
トランスファー端子部ＰＴは、ソースバスラインＳＬと同じ導電膜（ソース用導電膜）から形成されたソース接続配線７ｐと、ソース接続配線７ｐ上に延設された第１絶縁層１１と、第１絶縁層１１上に形成されたトランスファー端子用上部接続部１９ｐおよびパッチ接続部１５ｐとを有している。
第１絶縁層１１には、ソース接続配線７ｐを露出するコンタクトホールＣＨ５およびＣＨ６が設けられている。トランスファー端子用上部接続部１９ｐは、第１絶縁層１１上およびコンタクトホールＣＨ５内に配置され、コンタクトホールＣＨ５内で、ソース接続配線７ｐと接している。パッチ接続部１５ｐは、第１絶縁層１１上およびコンタクトホールＣＨ６内に配置され、コンタクトホールＣＨ６内でソース接続配線７ｐと接している。トランスファー端子用上部接続部１９ｐは、透明導電膜から形成された透明電極である。パッチ接続部１５ｐは、パッチ電極１５と同じ導電膜から形成されている。なお、各端子部の上部接続部１９ｇ、１９ｓおよび１９ｐは、同じ透明導電膜から形成されていてもよい。
第２絶縁層１７は、トランスファー端子用上部接続部１９ｐ、パッチ接続部１５ｐおよび第１絶縁層１１上に延設されている。第２絶縁層１７は、トランスファー端子用上部接続部１９ｐの一部を露出する開口部１８ｐを有している。この例では、第２絶縁層１７の開口部１８ｐは、コンタクトホールＣＨ５全体を露出するように配置されている。一方、パッチ接続部１５ｐは、第２絶縁層１７で覆われている。
このように、本実施形態では、ソースメタル層に形成されたソース接続配線７ｐによって、トランスファー端子部ＰＴのトランスファー端子用上部接続部１９ｐと、パッチ接続部１５ｐとを電気的に接続している。図示していないが、前述の実施形態と同様に、トランスファー端子用上部接続部１９ｐは、スロット基板２０１におけるスロット電極と、導電性粒子を含有するシール樹脂によって接続される。
前述した実施形態では、第２絶縁層１７の形成後に、深さが異なるコンタクトホールＣＨ１〜ＣＨ４を一括して形成する。例えばゲート端子部ＧＴ上では、比較的厚い絶縁層（ゲート絶縁層４、第１絶縁層１１および第２絶縁層１７）をエッチングするのに対し、トランスファー端子部ＰＴでは、第２絶縁層１７のみをエッチングする。このため、浅いコンタクトホールの下地となる導電膜（例えばパッチ電極用導電膜）がエッチング時に大きなダメージを受ける可能性がある。
これに対し、本実施形態では、第２絶縁層１７を形成する前にコンタクトホールＣＨ１〜３、ＣＨ５、ＣＨ６を形成する。これらのコンタクトホールは第１絶縁層１１のみ、または第１絶縁層１１およびゲート絶縁層４の積層膜に形成されるので、前述の実施形態よりも、一括形成されるコンタクトホールの深さの差を低減できる。したがって、コンタクトホールの下地となる導電膜へのダメージを低減できる。特に、パッチ電極用導電膜にＡｌ膜を用いる場合には、ＩＴＯ膜とＡｌ膜とを直接接触させると良好なコンタクトが得られないことから、Ａｌ膜の上層にＭｏＮ層などのキャップ層を形成することがある。このような場合に、エッチングの際のダメージを考慮してキャップ層の厚さを大きくする必要がないので有利である。
＜ＴＦＴ基板１０２の製造方法＞
ＴＦＴ基板１０２は、例えば次のような方法で製造される。図９は、ＴＦＴ基板１０２の製造工程を例示する図である。なお、以下では、各層の材料、厚さ、形成方法などが、前述したＴＦＴ基板１０１と同様である場合には説明を省略する。
まず、ＴＦＴ基板１０２と同様の方法で、誘電体基板上に、アライメントマーク、下地絶縁層、ゲートメタル層、ゲート絶縁層、半導体層、コンタクト層およびソースメタル層を形成し、ＴＦＴを得る。ソースメタル層を形成する工程では、ソース用導電膜から、ソースおよびドレイン電極、ソースバスラインに加えて、ソース接続配線７ｐも形成する。
次に、ソースメタル層を覆うように第１絶縁層１１を形成する。この後、第１絶縁層１１およびゲート絶縁層４を一括してエッチングし、コンタクトホールＣＨ１〜３、ＣＨ５、ＣＨ６を形成する。エッチングでは、ソースバスラインＳＬおよびゲートバスラインＧＬはエッチストップとして機能する。これにより、送受信領域Ｒ１において、第１絶縁層１１に、ＴＦＴのドレイン電極に達するコンタクトホールＣＨ１が形成される。また、非送受信領域Ｒ２において、第１絶縁層１１およびゲート絶縁層４に、ゲートバスラインＧＬに達するコンタクトホールＣＨ２、第１絶縁層１１に、ソースバスラインＳＬに達するコンタクトホールＣＨ３およびソース接続配線７ｐに達するコンタクトホールＣＨ５、ＣＨ６が形成される。コンタクトホールＣＨ５をシール領域Ｒｓに配置し、コンタクトホールＣＨ６をシール領域Ｒｓの外側に配置してもよい。あるいは、両方ともシール領域Ｒｓの外部に配置してもよい。
次いで、第１絶縁層１１上およびコンタクトホールＣＨ１〜３、ＣＨ５、ＣＨ６に透明導電膜を形成し、これをパターニングする。これにより、コンタクトホールＣＨ２内でゲートバスラインＧＬと接するゲート端子用上部接続部１９ｇ、コンタクトホールＣＨ３内でソースバスラインＳＬと接するソース端子用上部接続部１９ｓ、およびコンタクトホールＣＨ５内でソース接続配線７ｐと接するトランスファー端子用上部接続部１９ｐを形成する。
次に、第１絶縁層１１上、ゲート端子用上部接続部１９ｇ、ソース端子用上部接続部１９ｓ、トランスファー端子用上部接続部１９ｐ上、およびコンタクトホールＣＨ１、ＣＨ６内に、パッチ電極用導電膜を形成し、パターニングを行う。これにより、送受信領域Ｒ１に、コンタクトホールＣＨ１内でドレイン電極７Ｄと接するパッチ電極１５、非送受信領域Ｒ２に、コンタクトホールＣＨ６内でソース接続配線７ｐと接するパッチ接続部１５ｐを形成する。パッチ電極用導電膜のパターニングは、ウェットエッチングによって行ってもよい。ここでは、透明導電膜（ＩＴＯなど）とパッチ電極用導電膜（例えばＡｌ膜）とのエッチング選択比を大きくできるエッチャントを用いる。これにより、パッチ電極用導電膜のパターニングの際に、透明導電膜をエッチストップとして機能させることができる。ソースバスラインＳＬ、ゲートバスラインＧＬおよびソース接続配線７ｐのうちコンタクトホールＣＨ２、ＣＨ３、ＣＨ５で露出された部分は、エッチストップ（透明導電膜）で覆われているため、エッチングされない。
続いて、第２絶縁層１７を形成する。この後、例えばフッ素系ガスを用いたドライエッチングにより、第２絶縁層１７のパターニングを行う。これにより、第２絶縁層１７に、ゲート端子用上部接続部１９ｇを露出する開口部１８ｇ、ソース端子用上部接続部１９ｓを露出する開口部１８ｓおよびトランスファー端子用上部接続部１９ｐを露出する開口部１８ｐを設ける。このようにして、ＴＦＴ基板１０２を得る。
（第３の実施形態）
図面を参照しながら、第３の実施形態の走査アンテナを説明する。本実施形態の走査アンテナにおけるＴＦＴ基板は、透明導電膜からなる上部接続部をトランスファー端子部に設けない点で、図８に示すＴＦＴ基板１０２と異なる。
図１０（ａ）〜（ｃ）は、それぞれ、本実施形態におけるＴＦＴ基板１０３のゲート端子部ＧＴ、ソース端子部ＳＴおよびトランスファー端子部ＰＴを示す断面図である。図８と同様の構成要素には同じ参照符号を付し、説明を省略する。なお、アンテナ単位領域Ｕの構造は前述の実施形態（図３）と同様であるので図示および説明を省略する。
ゲート端子部ＧＴおよびソース端子部ＳＴの構造は、図８に示すＴＦＴ基板１０２のゲート端子部およびソース端子部の構造と同様である。
トランスファー端子部ＰＴは、第１絶縁層１１上に形成されたパッチ接続部１５ｐと、パッチ接続部１５ｐ上に積み重ねられた保護導電層２３とを有している。第２絶縁層１７は、保護導電層２３上に延設され、保護導電層２３の一部を露出する開口部１８ｐを有している。一方、パッチ電極１５は、第２絶縁層１７で覆われている。
＜ＴＦＴ基板１０３の製造方法＞
ＴＦＴ基板１０３は、例えば次のような方法で製造される。図１１は、ＴＦＴ基板１０３の製造工程を例示する図である。なお、以下では、各層の材料、厚さ、形成方法などが、前述したＴＦＴ基板１０１と同様である場合には説明を省略する。
まず、ＴＦＴ基板１０１と同様の方法で、誘電体基板上に、アライメントマーク、下地絶縁層、ゲートメタル層、ゲート絶縁層、半導体層、コンタクト層およびソースメタル層を形成し、ＴＦＴを得る。
次に、ソースメタル層を覆うように第１絶縁層１１を形成する。この後、第１絶縁層１１およびゲート絶縁層４を一括してエッチングし、コンタクトホールＣＨ１〜３を形成する。エッチングでは、ソースバスラインＳＬおよびゲートバスラインＧＬはエッチストップとして機能する。これにより、第１絶縁層１１に、ＴＦＴのドレイン電極に達するコンタクトホールＣＨ１が形成されるとともに、第１絶縁層１１およびゲート絶縁層４に、ゲートバスラインＧＬに達するコンタクトホールＣＨ２が形成され、第１絶縁層１１に、ソースバスラインＳＬに達するコンタクトホールＣＨ３が形成される。トランスファー端子部が形成される領域にはコンタクトホールを形成しない。
次いで、第１絶縁層１１上およびコンタクトホールＣＨ１、ＣＨ２、ＣＨ３内に透明導電膜を形成し、これをパターニングする。これにより、コンタクトホールＣＨ２内でゲートバスラインＧＬと接するゲート端子用上部接続部１９ｇ、およびコンタクトホールＣＨ３内でソースバスラインＳＬと接するソース端子用上部接続部１９ｓを形成する。トランスファー端子部が形成される領域では、透明導電膜は除去される。
次に、第１絶縁層１１上、ゲート端子用上部接続部１９ｇおよびソース端子用上部接続部１９ｓ上、およびコンタクトホールＣＨ１内にパッチ電極用導電膜を形成し、パターニングを行う。これにより、送受信領域Ｒ１に、コンタクトホールＣＨ１内でドレイン電極７Ｄと接するパッチ電極１５を形成し、非送受信領域Ｒ２に、パッチ接続部１５ｐを形成する。前述の実施形態と同様に、パッチ電極用導電膜のパターニングには、透明導電膜（ＩＴＯなど）とパッチ電極用導電膜とのエッチング選択比を確保できるエッチャントを用いる。
続いて、パッチ接続部１５ｐ上に保護導電層２３を形成する。保護導電層２３として、Ｔｉ層、ＩＴＯ層およびＩＺＯ（インジウム亜鉛酸化物）層など（厚さ：例えば５０ｎｍ以上１００ｎｍ以下）を用いることができる。ここでは、保護導電層２３として、Ｔｉ層（厚さ：例えば５０ｎｍ）を用いる。なお、保護導電層をパッチ電極１５の上に形成してもよい。
次いで、第２絶縁層１７を形成する。この後、例えばフッ素系ガスを用いたドライエッチングにより、第２絶縁層１７のパターニングを行う。これにより、第２絶縁層１７に、ゲート端子用上部接続部１９ｇを露出する開口部１８ｇ、ソース端子用上部接続部１９ｓを露出する開口部１８ｓ、および保護導電層２３を露出する開口部１８ｐを設ける。このようにして、ＴＦＴ基板１０３を得る。
＜スロット基板２０３の構造＞
図１２は、本実施形態における、ＴＦＴ基板１０３のトランスファー端子部ＰＴと、スロット基板２０３の端子部ＩＴとを接続するトランスファー部を説明するための模式的な断面図である。図１２では、前述の実施形態と同様の構成要素には同じ参照符号を付している。
まず、本実施形態におけるスロット基板２０３を説明する。スロット基板２０３は、誘電体基板５１と、誘電体基板５１の表面に形成された第３絶縁層５２と、第３絶縁層５２上に形成されたスロット電極５５と、スロット電極５５を覆う第４絶縁層５８とを備える。反射導電板６５が誘電体基板５１の裏面に誘電体層（空気層）５４を介して対向するように配置されている。スロット電極５５および反射導電板６５は導波路３０１の壁として機能する。
スロット電極５５は、Ｃｕ層またはＡｌ層を主層５５Ｍとする積層構造を有している。送受信領域Ｒ１において、スロット電極５５には複数のスロット５７が形成されている。送受信領域Ｒ１におけるスロット電極５５の構造は、図６を参照しながら前述したスロット基板２０１の構造と同じである。
非送受信領域Ｒ２には、端子部ＩＴが設けられている。端子部ＩＴでは、第４絶縁層５８に、スロット電極５５の表面を露出する開口が設けられている。スロット電極５５の露出した領域がコンタクト面５５ｃとなる。このように、本実施形態では、スロット電極５５のコンタクト面５５ｃは、第４絶縁層５８で覆われていない。
トランスファー部では、ＴＦＴ基板１０３におけるパッチ接続部１５ｐを覆う保護導電層２３と、スロット基板２０３におけるスロット電極５５のコンタクト面５５ｃとを、導電性ビーズ７１を含む樹脂（シール樹脂）を介して接続する。
本実施形態におけるトランスファー部は、前述の実施形態と同様に、走査アンテナの中心部および周縁部の両方に配置されていてもよいし、いずれか一方のみに配置されていてもよい。また、シール領域Ｒｓ内に配置されていてもよいし、シール領域Ｒｓの外側（液晶層と反対側）に配置されていてもよい。
本実施形態では、トランスファー端子部ＰＴおよび端子部ＩＴのコンタクト面に透明導電膜を設けない。このため、保護導電層２３と、スロット基板２０３のスロット電極５５とを、導電性粒子を含有するシール樹脂を介して接続させることができる。
また、本実施形態では、第１の実施形態（図３および図４）と比べて、一括形成されるコンタクトホールの深さの差が小さいので、コンタクトホールの下地となる導電膜へのダメージを低減できる。
＜スロット基板２０３の製造方法＞
スロット基板２０３は、次のようにして製造される。各層の材料、厚さおよび形成方法は、スロット基板２０１と同様であるので、説明を省略する。
まず、スロット基板２０１と同様の方法で、誘電体基板上に、第３絶縁層５２およびスロット電極５５を形成し、スロット電極５５に複数のスロット５７を形成する。次いで、スロット電極５５上およびスロット内に第４絶縁層５８を形成する。この後、スロット電極５５のコンタクト面となる領域を露出するように、第４絶縁層５８に開口部１８ｐを設ける。このようにして、スロット基板２０３が製造される。
＜内部ヒーター構造＞
上述したように、アンテナのアンテナ単位に用いられる液晶材料の誘電異方性ΔεMは大きいことが好ましい。しかしながら、誘電異方性ΔεMが大きい液晶材料（ネマチック液晶）の粘度は大きく、応答速度が遅いという問題がある。特に、温度が低下すると、粘度は上昇する。移動体（例えば、船舶、航空機、自動車）に搭載された走査アンテナの環境温度は変動する。したがって、液晶材料の温度をある程度以上、例えば３０℃以上、あるいは４５℃以上に調整できることが好ましい。設定温度は、ネマチック液晶材料の粘度が概ね１０ｃＰ（センチポアズ）以下となるように設定することが好ましい。
本発明の実施形態の走査アンテナは、上記の構造に加えて、内部ヒーター構造を有することが好ましい。内部ヒーターとしては、ジュール熱を利用する抵抗加熱方式のヒーターが好ましい。ヒーター用の抵抗膜の材料としては、特に限定されないが、例えば、ＩＴＯやＩＺＯなど比較的比抵抗の高い導電材料を用いることができる。また、抵抗値の調整のために、金属（例えば、ニクロム、チタン、クロム、白金、ニッケル、アルミニウム、銅）の細線やメッシュで抵抗膜を形成してもよい。ＩＴＯやＩＺＯなどの細線やメッシュを用いることもできる。求められる発熱量に応じて、抵抗値を設定すればよい。
例えば、直径が３４０ｍｍの円の面積（約９０、０００ｍｍ2）を１００Ｖ交流（６０Ｈｚ）で、抵抗膜の発熱温度を３０℃にするためには、抵抗膜の抵抗値を１３９Ω、電流を０．７Ａで、電力密度を８００Ｗ／ｍ2とすればよい。同じ面積を１００Ｖ交流（６０Ｈｚ）で、抵抗膜の発熱温度を４５℃にするためには、抵抗膜の抵抗値を８２Ω、電流を１．２Ａで、電力密度を１３５０Ｗ／ｍ2とすればよい。
ヒーター用の抵抗膜は、走査アンテナの動作に影響を及ぼさない限りどこに設けてもよいが、液晶材料を効率的に加熱するためには、液晶層の近くに設けることが好ましい。例えば、図１３（ａ）に示すＴＦＴ基板１０４に示す様に、誘電体基板１のほぼ全面に抵抗膜６８を形成してもよい。図１３（ａ）は、ヒーター用抵抗膜６８を有するＴＦＴ基板１０４の模式的な平面図である。抵抗膜６８は、例えば、図３に示した下地絶縁膜２で覆われる。下地絶縁膜２は、十分な絶縁耐圧を有するように形成される。
抵抗膜６８は、開口部６８ａ、６８ｂおよび６８ｃを有することが好ましい。ＴＦＴ基板１０４とスロット基板とが貼り合せられたとき、パッチ電極１５と対向するようにスロット５７が位置する。このときに、スロット５７のエッジから距離ｄの周囲には抵抗膜６８が存在しないよう開口部６８ａを配置する。ｄは例えば０．５ｍｍである。また、補助容量ＣＳの下部にも開口部６８ｂを配置し、ＴＦＴの下部にも開口部６８ｃを配置することが好ましい。
なお、アンテナ単位Ｕのサイズは、例えば４ｍｍ×４ｍｍである。また、図１３（ｂ）に示すように、例えば、スロット５７の幅ｓ２は０．５ｍｍ、スロット５７の長さｓ１は３．３ｍｍ、スロット５７の幅方向のパッチ電極１５の幅ｐ２は０．７ｍｍ、スロットの長さ方向のパッチ電極１５の幅ｐ１は０．５ｍｍである。なお、アンテナ単位Ｕ、スロット５７およびパッチ電極１５のサイズ、形状、配置関係などは図１３（ａ）および（ｂ）に示す例に限定されない。
ヒーター用抵抗膜６８からの電界の影響をさらに低減するために、シールド導電層を形成してもよい。シールド導電層は、例えば、下地絶縁膜２の上に誘電体基板１のほぼ全面に形成される。シールド導電層には、抵抗膜６８のように開口部６８ａ、６８ｂを設ける必要はないが、開口部６８ｃを設けることが好ましい。シールド導電層は、例えば、アルミニウム層で形成され、接地電位とされる。
また、液晶層を均一に加熱できるように、抵抗膜の抵抗値に分布を持たせることが好ましい。液晶層の温度分布は、最高温度−最低温度（温度むら）が、例えば１５℃以下となることが好ましい。温度むらが１５℃を超えると、位相差変調が面内でばらつき、良好なビーム形成ができなくなるという不具合が発生することがある。また、液晶層の温度がＴｎｉ点（例えば１２５℃）に近づくと、ΔεMが小さくなるので好ましくない。
図１４（ａ）、（ｂ）および図１５（ａ）〜（ｃ）を参照して、抵抗膜における抵抗値の分布を説明する。図１４（ａ）、（ｂ）および図１５（ａ）〜（ｃ）に、抵抗加熱構造８０ａ〜８０ｅの模式的な構造と電流の分布を示す。抵抗加熱構造は、抵抗膜と、ヒーター用端子とを備えている。
図１４（ａ）に示す抵抗加熱構造８０ａは、第１端子８２ａと第２端子８４ａとこれらに接続された抵抗膜８６ａとを有している。第１端子８２ａは、円の中心に配置され、第２端子８４ａは円周の全体に沿って配置されている。ここで円は、送受信領域Ｒ１に対応する。第１端子８２ａと第２端子８４ａとの間に直流電圧を供給すると、例えば、第１端子８２ａから第２端子８４ａに放射状に電流ＩＡが流れる。したがって、抵抗膜８６ａは面内の抵抗値は一定であっても、均一に発熱することができる。もちろん、電流の流れる向きは、第２端子８４ａから第１端子８２ａに向かう方向でもよい。
図１４（ｂ）に抵抗加熱構造８０ｂは、第１端子８２ｂと第２端子８４ｂとこれらに接続された抵抗膜８６ｂとを有している。第１端子８２ｂおよび第２端子８４ｂは円周に沿って互いに隣接して配置されている。抵抗膜８６ｂにおける第１端子８２ｂと第２端子８４ｂとの間を流れる電流ＩＡによって発生する単位面積当たりの発熱量が一定になるように、抵抗膜８６ｂの抵抗値は面内分布を有している。抵抗膜８６ｂの抵抗値の面内分布は、例えば、抵抗膜８６を細線で構成する場合、細線の太さや、細線の密度で調整すればよい。
図１５（ａ）に示す抵抗加熱構造８０ｃは、第１端子８２ｃと第２端子８４ｃとこれらに接続された抵抗膜８６ｃとを有している。第１端子８２ｃは、円の上側半分の円周に沿って配置されており、第２端子８４ｃは円の下側半分の円周に沿って配置されている。抵抗膜８６ｃを例えば第１端子８２ｃと第２端子８４ｃとの間を上下に延びる細線で構成する場合、電流ＩＡによる単位面積あたりの発熱量が面内で一定になるように、例えば、中央付近の細線の太さや密度が高くなるように調整されている。
図１５（ｂ）に示す抵抗加熱構造８０ｄは、第１端子８２ｄと第２端子８４ｄとこれらに接続された抵抗膜８６ｄとを有している。第１端子８２ｄと第２端子８４ｄとは、それぞれ円の直径に沿って上下方向、左右方向に延びるように設けられている。図では簡略化しているが、第１端子８２ｄと第２端子８４ｄとは互いに絶縁されている。
また、図１５（ｃ）に示す抵抗加熱構造８０ｅは、第１端子８２ｅと第２端子８４ｅとこれらに接続された抵抗膜８６ｅとを有している。抵抗加熱構造８０ｅは、抵抗加熱構造８０ｄと異なり、第１端子８２ｅおよび第２端子８４ｅのいずれも円の中心から上下左右の４つの方向に延びる４つの部分を有している。互いに９０度を成す第１端子８２ｅの部分と第２端子８４ｅの部分とは、電流ＩＡが、時計回りに流れるように配置されている。
抵抗加熱構造８０ｄおよび抵抗加熱構造８０ｅのいずれにおいても、単位面積当たりの発熱量が面内で均一になるように、円周に近いほど電流ＩＡが多くなるように、例えば、円周に近い側の細線を太く、密度が高くなるように調整されている。
このような内部ヒーター構造は、例えば、走査アンテナの温度を検出して、予め設定された温度を下回ったときに自動的に動作するようにしてもよい。もちろん、使用者の操作に呼応して動作するようにしてもよい。
＜外部ヒーター構造＞
本発明の実施形態の走査アンテナは、上記の内部ヒーター構造に代えて、あるいは、内部ヒーター構造とともに、外部ヒーター構造を有してもよい。外部ヒーターとしては、公知の種々のヒーターを用いることができるが、ジュール熱を利用する抵抗加熱方式のヒーターが好ましい。ヒーターの内、発熱する部分をヒーター部ということにする。以下では、ヒーター部として抵抗膜を用いる例を説明する。以下でも、抵抗膜は参照符号６８で示す。
例えば、図１６（ａ）および（ｂ）に示す液晶パネル１００Ｐａまたは１００Ｐｂの様に、ヒーター用の抵抗膜６８を配置することが好ましい。ここで、液晶パネル１００Ｐａおよび１００Ｐｂは、図１に示した走査アンテナ１０００のＴＦＴ基板１０１と、スロット基板２０１と、これらの間に設けられた液晶層ＬＣとを有し、さらにＴＦＴ基板１０１の外側に、抵抗膜６８を含む抵抗加熱構造を有している。抵抗膜６８をＴＦＴ基板１０１の誘電体基板１の液晶層ＬＣ側に形成してよいが、ＴＦＴ基板１０１の製造プロセスが煩雑化するので、ＴＦＴ基板１０１の外側（液晶層ＬＣとは反対側）に配置することが好ましい。
図１６（ａ）に示す液晶パネル１００Ｐａは、ＴＦＴ基板１０１の誘電体基板１の外側の表面に形成されたヒーター用抵抗膜６８と、ヒーター用抵抗膜６８を覆う保護層６９ａとを有している。保護層６９ａは省略してもよい。走査アンテナは、例えばプラスチック製のケースに収容されるので、抵抗膜６８にユーザが直接触れることはない。
抵抗膜６８は、誘電体基板１の外側の表面に、例えば、公知の薄膜堆積技術（例えば、スパッタ法、ＣＶＤ法）、塗布法または印刷法を用いて形成することができる。抵抗膜６８は、必要に応じてパターニングされている。パターニングは、例えば、フォトリソグラフィプロセスで行われる。
ヒーター用の抵抗膜６８の材料としては、内部ヒーター構造について上述したように、特に限定されず、例えば、ＩＴＯやＩＺＯなど比較的比抵抗の高い導電材料を用いることができる。また、抵抗値の調整のために、金属（例えば、ニクロム、チタン、クロム、白金、ニッケル、アルミニウム、銅）の細線やメッシュで抵抗膜６８を形成してもよい。ＩＴＯやＩＺＯなどの細線やメッシュを用いることもできる。求められる発熱量に応じて、抵抗値を設定すればよい。
保護層６９ａは、絶縁材料で形成されており、抵抗膜６８を覆うように形成されている。抵抗膜６８がパターニングされており、誘電体基板１が露出されている部分には保護層６９ａを形成しなくてもよい。抵抗膜６８は、後述するように、アンテナの性能が低下しないようにパターニングされる。保護層６９ａを形成する材料が存在することによって、アンテナの性能が低下する場合には、抵抗膜６８と同様に、パターニングされた保護層６９ａを用いることが好ましい。
保護層６９ａは、ウェットプロセス、ドライプロセスのいずれで形成してもよい。例えば、抵抗膜６８が形成された誘電体基板１の表面に、液状の硬化性樹脂（または樹脂の前駆体）または溶液を付与した後、硬化性樹脂を硬化させることによって形成される。液状の樹脂または樹脂の溶液は、種々の塗布法（例えば、スロットコータ―、スピンコーター、スプレイを用いて）または種々の印刷法で、所定の厚さとなるように誘電体基板１の表面に付与される。その後、樹脂の種類に応じて、室温硬化、加熱硬化、または光硬化することによって、絶縁性樹脂膜で保護層６９ａを形成することができる。絶縁性樹脂膜は、例えば、フォトリソグラフィプロセスでパターニングされ得る。
保護層６９ａを形成する材料としては、硬化性樹脂材料を好適に用いることができる。硬化性樹脂材料は、熱硬化タイプおよび光硬化タイプを含む。また、熱硬化タイプは、熱架橋タイプおよび熱重合タイプを含む。
熱架橋タイプの樹脂材料としては、例えば、エポキシ系化合物（例えばエポキシ樹脂）とアミン系化合物の組合せ、エポキシ系化合物とヒドラジド系化合物の組み合わせ、エポキシ系化合物とアルコール系化合物（例えばフェノール樹脂を含む）の組み合わせ、エポキシ系化合物とカルボン酸系化合物（例えば酸無水物を含む）の組み合わせ、イソシアネート系化合物とアミン系化合物の組み合わせ、イソシアネート系化合物とヒドラジド系化合物の組み合わせ、イソシアネート系化合物とアルコール系化合物の組み合わせ（例えばウレタン樹脂を含む）、イソシアネート系化合物とカルボン酸系化合物の組み合わせが挙げられる。また、カチオン重合タイプ接着材としては、例えば、エポキシ系化合物とカチオン重合開始剤の組み合わせ（代表的なカチオン重合開始剤、芳香族スルホニウム塩）が挙げられる。ラジカル重合タイプの樹脂材料としては、例えば、各種アクリル、メタクリル、ウレタン変性アクリル（メタクリル）樹脂等のビニル基を含むモノマーおよび／またはオリゴマーとラジカル重合開始剤の組み合わせ（代表的なラジカル重合開始剤：アゾ系化合物（例えば、ＡＩＢＮ（アゾビスイソブチロニトリル）））、開環重合タイプの樹脂材料としては、例えば、エチレンオキシド系化合物、エチレンイミン系化合物、シロキサン系化合物が挙げられる。この他、マレイミド樹脂、マレイミド樹脂とアミンの組合せ、マレイミドとメタクリル化合物の組合せ、ビスマレイミド−トリアジン樹脂およびポリフェニレンエーテル樹脂を用いることができる。また、ポリイミドも好適に用いることができる。なお、「ポリイミド」は、ポリイミドの前駆体であるポリアミック酸を含む意味で用いる。ポリイミドは、例えば、エポキシ系化合物またはイソシアネート系化合物と組み合わせて用いられる。
耐熱性、化学的安定性、機械特性の観点から、熱硬化性タイプの樹脂材料を用いることが好ましい。特に、エポキシ樹脂またはポリイミド樹脂を含む樹脂材料が好ましく、機械特性（特に機械強度）および吸湿性の観点から、ポリイミド樹脂を含む樹脂材料が好ましい。ポリイミド樹脂とエポキシ樹脂とを混合して用いることもできる。また、ポリイミド樹脂および／またはエポキシ樹脂に熱可塑性樹脂および／またはエラストマを混合してもよい。さらに、ポリイミド樹脂および／またはエポキシ樹脂として、ゴム変性したものを混合してもよい。熱可塑性樹脂またはエラストマを混合することによって、柔軟性や靱性（タフネス）を向上させることができる。ゴム変性したものを用いても同様の効果を得ることができる。
光硬化タイプは、紫外線または可視光によって、架橋反応および／または重合反応を起こし、硬化する。光硬化タイプには、例えば、ラジカル重合タイプとカチオン重合タイプがある。ラジカル重合タイプとしては、アクリル樹脂（エポキシ変性アクリル樹脂、ウレタン変性アクリル樹脂、シリコーン変性アクリル樹脂）と光重合開始剤との組み合わせが代表的である。紫外光用ラジカル重合開始剤としては、例えば、アセトフェノン型およびベンゾフェノン型が挙げられる。可視光用ラジカル重合開始剤としては、例えば、ベンジル型およびチオキサントン型を挙げることができる。カチオン重合タイプとしては、エポキシ系化合物と光カチオン重合開始剤との組合せが代表的である。光カチオン重合開始剤は、例えば、ヨードニウム塩系化合物を挙げることができる。なお、光硬化性と熱硬化性とを併せ持つ樹脂材料を用いることもできる。
図１６（ｂ）に示す液晶パネル１００Ｐｂは、抵抗膜６８と誘電体基板１との間に接着層６７をさらに有している点で、液晶パネル１００Ｐａと異なる。また、保護層６９ｂが予め作製された高分子フィルムまたはガラス板を用いて形成される点が異なる。
例えば、保護層６９ｂが高分子フィルムで形成された液晶パネル１００Ｐｂは、以下の様にして製造される。
まず、保護層６９ｂとなる絶縁性の高分子フィルムを用意する。高分子フィルムとしては、例えば、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート等のポリエステルフィルム、ポリフェニルスルホン、および、ポリイミド、ポリアミド等のスーパーエンジニアリングプラスチックのフィルムが用いられる。高分子フィルムの厚さ（すなわち、保護層６９ｂの厚さ）は、例えば、５μｍ以上２００μｍ以下である。
この高分子フィルムの一方の表面の上に、抵抗膜６８を形成する。抵抗膜６８は、上述の方法で形成され得る。抵抗膜６８はパターニングされてもよく、高分子フィルムも必要に応じてパターニングされてもよい。
抵抗膜６８が形成された高分子フィルム（すなわち、保護層６９ｂと抵抗膜６８とが一体に形成された部材）を、接着材を用いて、誘電体基板１に貼り付ける。接着材としては、上記の保護層６９ａの形成に用いられる硬化性樹脂と同様の硬化性樹脂を用いることができる。さらに、ホットメルトタイプの樹脂材料（接着材）を用いることもできる。ホットメルトタイプの樹脂材料は、熱可塑性樹脂を主成分とし、加熱により溶融し、冷却により固化する。ポリオレフィン系（例えば、ポリエチレン、ポリプロピレン）、ポリアミド系、エチレン酢酸ビニル系が例示される。また、反応性を有するウレタン系のホットメルト樹脂材料（接着材）も販売されている。接着性および耐久性の観点からは、反応性のウレタン系が好ましい。
また、接着層６７は、抵抗膜６８および保護層（高分子フィルム）６９ｂと同様にパターニングされてもよい。ただし、接着層６７は、抵抗膜６８および保護層６９ｂを誘電体基板１に固定できればよいので、抵抗膜６８および保護層６９ｂよりも小さくてもよい。
高分子フィルムに代えて、ガラス板を用いて保護層６９ｂを形成することもできる。製造プロセスは、高分子フィルムを用いる場合と同様であってよい。ガラス板の厚さは、１ｍｍ以下が好ましく、０．７ｍｍ以下がさらに好ましい。ガラス板の厚さの下限は特にないが、ハンドリング性の観点から、ガラス板の厚さは０．３ｍｍ以上であることが好ましい。
図１６（ｂ）に示した液晶パネル１００Ｐｂでは、保護層（高分子フィルムまたはガラス板）６９ｂに形成された抵抗膜６８を誘電体基板１に接着層６７を介して固定したが、抵抗膜６８を誘電体基板１に接触するように配置すればよく、抵抗膜６８および保護層６９ｂを誘電体基板１に固定（接着）する必要は必ずしもない。すなわち、接着層６７を省略してもよい。例えば、抵抗膜６８が形成された高分子フィルム（すなわち、保護層６９ｂと抵抗膜６８とが一体に形成された部材）を、抵抗膜６８が誘電体基板１に接触するように配置し、走査アンテナを収容するケースで、抵抗膜６８を誘電体基板１に押し当てるようにしてもよい。例えば、抵抗膜６８が形成された高分子フィルムを単純に置くだけでは、接触熱抵抗が高くなるおそれがあるので、押し当てることによって接触熱抵抗を低下させることが好ましい。このような構成を採用すると、抵抗膜６８および保護層（高分子フィルムまたはガラス板）６９ｂが一体として形成された部材を取り外し可能にできる。
なお、抵抗膜６８（および保護層６９ｂ）が後述するようにパターニングされている場合には、アンテナの性能が低下しないように、ＴＦＴ基板に対する位置がずれない程度に固定することが好ましい。
ヒーター用の抵抗膜６８は、走査アンテナの動作に影響を及ぼさない限りどこに設けてもよいが、液晶材料を効率的に加熱するためには、液晶層の近くに設けることが好ましい。したがって、図１６（ａ）および（ｂ）に示したように、ＴＦＴ基板１０１の外側に設けることが好ましい。また、図１６（ａ）に示したように、ＴＦＴ基板１０１の誘電体基板１の外側に直接、抵抗膜６８を設けた方が、図１６（ｂ）に示したように、接着層６７を介して抵抗膜６８を誘電体基板１の外側に設けるよりも、エネルギー効率が高く、かつ、温度の制御性も高いので好ましい。
抵抗膜６８は、例えば、図１３（ａ）に示すＴＦＴ基板１０４に対して、誘電体基板１のほぼ全面に設けてもよい。内部ヒーター構造について上述したように、抵抗膜６８は、開口部６８ａ、６８ｂおよび６８ｃを有することが好ましい。
保護層６９ａおよび６９ｂは、抵抗膜６８を覆うように全面に形成してもよい。上述したように、保護層６９ａまたは６９ｂがアンテナ特性に悪影響を及ぼす場合には、抵抗膜６８の開口部６８ａ、６８ｂおよび６８ｃに対応する開口部を設けてもよい。この場合、保護層６９ａまたは６９ｂの開口部は、抵抗膜６８の開口部６８ａ、６８ｂおよび６８ｃの内側に形成される。
ヒーター用抵抗膜６８からの電界の影響をさらに低減するために、シールド導電層を形成してもよい。シールド導電層は、例えば、抵抗膜６８の誘電体基板１側に絶縁膜を介して形成される。シールド導電層は、誘電体基板１のほぼ全面に形成される。シールド導電層には、抵抗膜６８のように開口部６８ａ、６８ｂを設ける必要はないが、開口部６８ｃを設けることが好ましい。シールド導電層は、例えば、アルミニウム層で形成され、接地電位とされる。また、液晶層を均一に加熱できるように、抵抗膜の抵抗値に分布を持たせることが好ましい。これらも内部ヒーター構造について上述した通りである。
抵抗膜は、送受信領域Ｒ１の液晶層ＬＣを加熱できればよいので、例示したように、送受信領域Ｒ１に対応する領域に抵抗膜を設ければよいが、これに限られない。例えば、図２に示したように、ＴＦＴ基板１０１が、送受信領域Ｒ１を含む矩形の領域を画定することができるような外形を有している場合には、送受信領域Ｒ１を含む矩形の領域に対応する領域に抵抗膜を設けてもよい。勿論、抵抗膜の外形は、矩形に限られず、送受信領域Ｒ１を含む、任意の形状であってよい。
上記の例では、ＴＦＴ基板１０１の外側に抵抗膜を配置したが、スロット基板２０１の外側（液晶層ＬＣとは反対側）に、抵抗膜を配置してもよい。この場合にも、図１６（ａ）の液晶パネル１００Ｐａと同様に、誘電体基板５１に直接、抵抗膜を形成してもよいし、図１６（ｂ）の液晶パネル１００Ｐｂと同様に、接着層を介して、保護層（高分子フィルムまたはガラス板）に形成された抵抗膜を誘電体基板５１に固定してもよい。あるいは、接着層を省略して、抵抗膜が形成された保護層（すなわち、保護層と抵抗膜とが一体に形成された部材）を抵抗膜が誘電体基板５１に接触するように配置してもよい。例えば、抵抗膜が形成された高分子フィルムを単純に置くだけでは、接触熱抵抗が高くなるおそれがあるので、押し当てることによって接触熱抵抗を低下させることが好ましい。このような構成を採用すると、抵抗膜および保護層（高分子フィルムまたはガラス板）が一体として形成された部材を取り外し可能にできる。なお、抵抗膜（および保護層）がパターニングされている場合には、アンテナの性能が低下しないように、スロット基板に対する位置がずれない程度に固定することが好ましい。
スロット基板２０１の外側に抵抗膜を配置する場合には、抵抗膜のスロット５７に対応する位置に開口部を設けることが好ましい。また、抵抗膜はマイクロ波を十分に透過できる厚さであることが好ましい。
ここでは、ヒーター部として抵抗膜を用いた例を説明したが、ヒーター部として、この他に、例えば、ニクロム線（例えば巻線）、赤外線ヒーター部などを用いることができる。このような場合にも、アンテナの性能を低下させないように、ヒーター部を配置することが好ましい。
このような外部ヒーター構造は、例えば、走査アンテナの温度を検出して、予め設定された温度を下回ったときに自動的に動作するようにしてもよい。もちろん、使用者の操作に呼応して動作するようにしてもよい。
外部ヒーター構造を自動的に動作させるための温度制御装置として、例えば、公知の種々のサーモスタットを用いることができる。例えば、抵抗膜に接続された２つの端子の一方と電源との間に、バイメタルを用いたサーモスタットを接続すればよい。もちろん、温度検出器を用いて、予め設定した温度を下回らないように、外部ヒーター構造に電源から電流を供給するような温度制御装置を用いてもよい。
＜駆動方法＞
本発明の実施形態による走査アンテナが有するアンテナ単位のアレイは、ＬＣＤパネルと類似した構造を有しているので、ＬＣＤパネルと同様に線順次駆動を行う。しかしながら、従来のＬＣＤパネルの駆動方法を適用すると、以下の問題が発生する恐れがある。図１７に示す、走査アンテナの１つのアンテナ単位の等価回路図を参照しつつ、走査アンテナに発生し得る問題点を説明する。
まず、上述したように、マイクロ波領域の誘電異方性ΔεM（可視光に対する複屈折率Δｎ）が大きい液晶材料の比抵抗は低いので、ＬＣＤパネルの駆動方法をそのまま適用すると、液晶層に印加される電圧を十分に保持できない。そうすると、液晶層に印加される実効電圧が低下し、液晶容量の静電容量値が目標値に到達しない。
このように液晶層に印加された電圧が所定の値からずれると、アンテナのゲインが最大となる方向が所望する方向からずれることになる。そうすると、例えば、通信衛星を正確に追尾できないことになる。これを防止するために、液晶容量Ｃｌｃと電気的に並列に補助容量ＣＳを設け、補助容量ＣＳの容量値Ｃ−Ｃｃｓを十分に大きくする。補助容量ＣＳの容量値Ｃ−Ｃｃｓは、液晶容量Ｃｌｃの電圧保持率が例えば少なくとも３０％、好ましくは５５％以上となるように適宜設定することが好ましい。補助容量ＣＳの容量値Ｃ−Ｃｃｓは、電極ＣＳＥ１および電極ＣＳＥ２の面積および電極ＣＳＥ１と電極ＣＳＥ２との間の誘電体層の厚さおよび誘電率に依存する。典型的には、電極ＣＳＥ１にはパッチ電極１５と同じ電圧が供給され、電極ＣＳＥ２にはスロット電極５５と同じ電圧が供給される。
また、比抵抗が低い液晶材料を用いると、界面分極および／または配向分極による電圧低下も起こる。これらの分極による電圧低下を防止するために、電圧降下分を見込んだ十分に高い電圧を印加することが考えられる。しかしながら、比抵抗が低い液晶層に高い電圧を印加すると、動的散乱効果（ＤＳ効果）が起こる恐れがある。ＤＳ効果は、液晶層中のイオン性不純物の対流に起因し、液晶層の誘電率εMは平均値（（εM‖＋２εM⊥）／３）に近づく。また、液晶層の誘電率εMを多段階（多階調）で制御するためには、常に十分に高い電圧を印加することもできない。
上記のＤＳ効果および／または分極による電圧降下を抑制するためには、液晶層に印加する電圧の極性反転周期を十分に短くすればよい。よく知られているように、印加電圧の極性反転周期を短くするとＤＳ効果が起こるしきい値電圧が高くなる。したがって、液晶層に印加する電圧（絶対値）の最大値が、ＤＳ効果が起こるしきい値電圧未満となるように、極性反転周波数を決めればよい。極性反転周波数が３００Ｈｚ以上であれば、例えば比抵抗が１×１０10Ω・ｃｍ、誘電異方性Δε（＠１ｋＨｚ）が−０．６程度の液晶層に絶対値が１０Ｖの電圧を印加しても、良好な動作を確保することができる。また、極性反転周波数（典型的にはフレーム周波数の２倍と同じ）が３００Ｈｚ以上であれば、上記の分極に起因する電圧降下も抑制される。極性反転周期の上限は、消費電力などの観点から約５ｋＨｚ以下であることが好ましい。
液晶層に印加する電圧の極性反転周波数は、当然に液晶材料（特に比抵抗）に依存する。したがって、液晶材料によっては３００Ｈｚ未満の極性反転周期で電圧を印加しても上記の問題が生じない。ただし、本発明の実施形態による走査アンテナに用いられる液晶材料はＬＣＤに用いられている液晶材料よりも比抵抗が小さいので、概ね６０Ｈｚ以上で駆動することが好ましい。
上述したように液晶材料の粘度は温度に依存するので、液晶層の温度は適宜制御されることが好ましい。ここで述べた液晶材料の物性および駆動条件は、液晶層の動作温度における値である。逆に言うと、上記の条件で駆動できるように、液晶層の温度を制御することが好ましい。
図１８（ａ）〜（ｇ）を参照して、走査アンテナの駆動に用いられる信号の波形の例を説明する。なお、図１８（ｄ）に、比較のために、ＬＣＤパネルのソースバスラインに供給される表示信号Ｖｓ（ＬＣＤ）の波形を示している。
図１８（ａ）はゲートバスラインＧ−Ｌ１に供給される走査信号Ｖｇの波形、図１８（ｂ）はゲートバスラインＧ−Ｌ２に供給される走査信号Ｖｇの波形、図１８（ｃ）はゲートバスラインＧ−Ｌ３に供給される走査信号Ｖｇの波形を示し、図１８（ｅ）はソースバスラインに供給されるデータ信号Ｖｄａの波形を示し、図１８（ｆ）はスロット基板のスロット電極（スロット電極）に供給されるスロット電圧Ｖｉｄｃの波形を示し、図１８（ｇ）はアンテナ単位の液晶層に印加される電圧の波形を示す。
図１８（ａ）〜（ｃ）に示す様に、ゲートバスラインに供給される走査信号Ｖｇの電圧が、順次、ローレベル（ＶｇＬ）からハイレベル（ＶｇＨ）に切替わる。ＶｇＬおよびＶｇＨは、ＴＦＴの特性に応じて適宜設定され得る。例えば、ＶｇＬ＝−５Ｖ〜０Ｖ、Ｖｇｈ＝＋２０Ｖである。また、ＶｇＬ＝−２０Ｖ、Ｖｇｈ＝＋２０Ｖとしてもよい。あるゲートバスラインの走査信号Ｖｇの電圧がローレベル（ＶｇＬ）からハイレベル（ＶｇＨ）に切替わる時刻から、その次のゲートバスラインの電圧がＶｇＬからＶｇＨに切替わる時刻までの期間を１水平走査期間（１Ｈ）ということにする。また、各ゲートバスラインの電圧がハイレベル（ＶｇＨ）になっている期間を選択期間ＰＳという。この選択期間ＰＳにおいて、各ゲートバスラインに接続されたＴＦＴがオン状態となり、ソースバスラインに供給されているデータ信号Ｖｄａのその時の電圧が、対応するパッチ電極に供給される。データ信号Ｖｄａは例えば−１５Ｖ〜＋１５Ｖ（絶対値が１５Ｖ）であり、例えば、１２階調、好ましくは１６階調に対応する絶対値の異なるデータ信号Ｖｄａを用いる。
ここでは、全てのアンテナ単位にある中間電圧を印加している場合を例示する。すなわち、データ信号Ｖｄａの電圧は、全てのアンテナ単位（ｍ本のゲートバスラインに接続されているとする。）に対して一定であるとする。これはＬＣＤパネルにおいて全面である中間調を表示している場合に対応する。このとき、ＬＣＤパネルでは、ドット反転駆動が行われる。すなわち、各フレームにおいて、互いに隣接する画素（ドット）の極性が互いに逆になるように、表示信号電圧が供給される。
図１８（ｄ）はドット反転駆動を行っているＬＣＤパネルの表示信号の波形を示している。図１８（ｄ）に示したように、１Ｈ毎にＶｓ（ＬＣＤ）の極性が反転している。この波形を有するＶｓ（ＬＣＤ）が供給されているソースバスラインに隣接するソースバスラインに供給されるＶｓ（ＬＣＤ）の極性は、図１８（ｄ）に示すＶｓ（ＬＣＤ）の極性と逆になっている。また、全ての画素に供給される表示信号の極性は、フレーム毎に反転する。ＬＣＤパネルでは、正極性と負極性とで、液晶層に印加される実効電圧の大きさを完全に一致させることが難しく、かつ、実効電圧の差が輝度の差となり、フリッカーとして観察される。このフリッカーを観察され難くするために、各フレームにおいて極性の異なる電圧が印加される画素（ドット）を空間的に分散させている。典型的には、ドット反転駆動を行うことによって、極性が異なる画素（ドット）を市松模様に配列させる。
これに対して、走査アンテナにおいては、フリッカー自体は問題とならない。すなわち、液晶容量の静電容量値が所望の値でありさえすればよく、各フレームにおける極性の空間的な分布は問題とならない。したがって、低消費電力等の観点から、ソースバスラインから供給されるデータ信号Ｖｄａの極性反転の回数を少なくする、すなわち、極性反転の周期を長くすることが好ましい。例えば、図１８（ｅ）に示す様に、極性反転の周期を１０Ｈ（５Ｈ毎に極性反転）にすればよい。もちろん、各ソースバスラインに接続されているアンテナ単位の数（典型的には、ゲートバスラインの本数に等しい。）をｍ個とすると、データ信号Ｖｄａの極性反転の周期を２ｍ・Ｈ（ｍ・Ｈ毎に極性反転）としてもよい。データ信号Ｖｄａの極性反転の周期は、２フレーム（１フレーム毎に極性反転）と等しくてもよい。
また、全てのソースバスラインから供給するデータ信号Ｖｄａの極性を同じにしてもよい。したがって、例えば、あるフレームでは、全てのソースバスラインから正極性のデータ信号Ｖｄａを供給し、次にフレームでは、全てのソースバスラインから負極性のデータ信号Ｖｄａを供給してもよい。
あるいは、互いに隣接するソースバスラインから供給するデータ信号Ｖｄａの極性を互いに逆極性にしてもよい。例えば、あるフレームでは、奇数列のソースバスラインからは正極性のデータ信号Ｖｄａを供給し、偶数列のソースバスラインからは負極性のデータ信号Ｖｄａを供給する。そして、次のフレームでは、奇数列のソースバスラインからは負極性のデータ信号Ｖｄａを供給し、偶数列のソースバスラインからは正極性のデータ信号Ｖｄａを供給する。このような駆動方法は、ＬＣＤパネルでは、ソースライン反転駆動と呼ばれる。隣接するソースバスラインから供給するデータ信号Ｖｄａを逆極性にすると、フレーム間で供給するデータ信号Ｖｄａの極性を反転させる前に、隣接するソースバスラインを互いに接続する（ショートさせる）ことによって、液晶容量に充電された電荷を隣接する列間でキャンセルさせることができる。したがって、各フレームにおいてソースバスラインから供給する電荷の量を少なくできるという利点が得られる。
スロット電極の電圧Ｖｉｄｃは図１８（ｆ）に示す様に、例えば、ＤＣ電圧であり、典型的にはグランド電位である。アンテナ単位の容量（液晶容量および補助容量）の容量値は、ＬＣＤパネルの画素容量の容量値よりも大きい（例えば、２０型程度のＬＣＤパネルと比較して約３０倍）ので、ＴＦＴの寄生容量に起因する引込電圧の影響がなく、スロット電極の電圧Ｖｉｄｃをグランド電位として、データ信号Ｖｄａをグランド電位を基準に正負対称な電圧としても、パッチ電極に供給される電圧は正負対称な電圧となる。ＬＣＤパネルにおいては、ＴＦＴの引込電圧を考慮して、対向電極の電圧（共通電圧）を調整することによって、画素電極に正負対称な電圧が印加されるようにしているが、走査アンテナのスロット電圧についてはその必要がなく、グランド電位であってよい。また、図１８に図示しないが、ＣＳバスラインには、スロット電圧Ｖｉｄｃと同じ電圧が供給される。
アンテナ単位の液晶容量に印加される電圧は、スロット電極の電圧Ｖｉｄｃ（図１８（ｆ））に対するパッチ電極の電圧（すなわち、図１８（ｅ）に示したデータ信号Ｖｄａの電圧）なので、スロット電圧Ｖｉｄｃがグランド電位のとき、図１８（ｇ）に示す様に、図１８（ｅ）に示したデータ信号Ｖｄａの波形と一致する。
走査アンテナの駆動に用いられる信号の波形は、上記の例に限られない。例えば、図１９および図２０を参照して以下に説明するように、スロット電極の電圧として振動波形を有するＶｉａｃを用いてもよい。
例えば、図１９（ａ）〜（ｅ）に例示する様な信号を用いることができる。図１９では、ゲートバスラインに供給される走査信号Ｖｇの波形を省略しているが、ここでも、図１８（ａ）〜（ｃ）を参照して説明した走査信号Ｖｇを用いる。
図１９（ａ）に示す様に、図１８（ｅ）に示したのと同様に、データ信号Ｖｄａの波形が１０Ｈ周期（５Ｈ毎）で極性反転している場合を例示する。ここでは、データ信号Ｖｄａとして、振幅が最大値｜Ｖｄａmax｜の場合を示す。上述したように、データ信号Ｖｄａの波形は、２フレーム周期（１フレーム毎）で極性反転させてもよい。
ここで、スロット電極の電圧Ｖｉａｃは、図１９（ｃ）に示す様に、データ信号Ｖｄａ（ＯＮ）と極性が逆で、振動の周期は同じ、振動電圧とする。スロット電極の電圧Ｖｉａｃの振幅は、データ信号Ｖｄａの振幅の最大値｜Ｖｄａmax｜と等しい。すなわち、スロット電圧Ｖｉａｃは、データ信号Ｖｄａ（ＯＮ）と極性反転の周期は同じで、極性が逆（位相が１８０°異なる）で、−Ｖｄａmaxと＋Ｖｄａmaxとの間を振動する電圧とする。
アンテナ単位の液晶容量に印加される電圧Ｖｌｃは、スロット電極の電圧Ｖｉａｃ（図１９（ｃ））に対するパッチ電極の電圧（すなわち、図１９（ａ）に示したデータ信号Ｖｄａ（ＯＮ）の電圧）なので、データ信号Ｖｄａの振幅が±Ｖｄａmaxで振動しているとき、液晶容量に印加される電圧は、図１９（ｄ）に示す様に、Ｖｄａmaxの２倍の振幅で振動する波形となる。したがって、液晶容量に印加される電圧Ｖｌｃの最大振幅を±Ｖｄａmaxとするために必要なデータ信号Ｖｄａの最大振幅は、±Ｖｄａmax／２となる。
このようなスロット電圧Ｖｉａｃを用いることによって、データ信号Ｖｄａの最大振幅を半分にできるので、データ信号Ｖｄａを出力するドライバ回路として、例えば、耐圧が２０Ｖ以下の汎用のドライバＩＣを用いることができるという利点が得られる。
なお、図１９（ｅ）に示す様に、アンテナ単位の液晶容量に印加される電圧Ｖｌｃ（ＯＦＦ）をゼロとするとために、図１９（ｂ）に示す様に、データ信号Ｖｄａ（ＯＦＦ）をスロット電圧Ｖｉａｃと同じ波形にすればよい。
例えば、液晶容量に印加される電圧Ｖｌｃの最大振幅を±１５Ｖとする場合を考える。スロット電圧として、図１８（ｆ）に示したＶｉｄｃを用い、Ｖｉｄｃ＝０Ｖとすると、図１８（ｅ）に示したＶｄａの最大振幅は、±１５Ｖとなる。これに対して、スロット電圧として、図１９（ｃ）に示したＶｉａｃを用い、Ｖｉａｃの最大振幅を±７．５Ｖとすると、図１９（ａ）に示したＶｄａ（ＯＮ）の最大振幅は、±７．５Ｖとなる。
液晶容量に印加される電圧Ｖｌｃを０Ｖとする場合、図１８（ｅ）に示したＶｄａを０Ｖとすればよく、図１９（ｂ）に示したＶｄａ（ＯＦＦ）の最大振幅は±７．５Ｖとすればよい。
図１９（ｃ）に示したＶｉａｃを用いる場合は、液晶容量に印加される電圧Ｖｌｃの振幅は、Ｖｄａの振幅とは異なるので、適宜変換する必要がある。
図２０（ａ）〜（ｅ）に例示する様な信号を用いることもできる。図２０（ａ）〜（ｅ）に示す信号は、図１９（ａ）〜（ｅ）に示した信号と同様に、スロット電極の電圧Ｖｉａｃを図２０（ｃ）に示す様に、データ信号Ｖｄａ（ＯＮ）と振動の位相が１８０°ずれた振動電圧とする。ただし、図２０（ａ）〜（ｃ）にそれぞれ示す様に、データ信号Ｖｄａ（ＯＮ）、Ｖｄａ（ＯＦＦ）およびスロット電圧Ｖｉａｃをいずれも０Ｖと正の電圧との間で振動する電圧としている。スロット電極の電圧Ｖｉａｃの振幅は、データ信号Ｖｄａの振幅の最大値｜Ｖｄａmax｜と等しい。
このような信号を用いると、駆動回路は正の電圧だけを出力すればよく、低コスト化に寄与する。このように０Ｖと正の電圧との間で振動する電圧を用いても、図２０（ｄ）に示すように、液晶容量に印加される電圧Ｖｌｃ（ＯＮ）は、極性反転する。図２０（ｄ）に示す電圧波形において、＋（正）は、パッチ電極の電圧がスロット電圧よりも高いことを示し、−（負）は、パッチ電極の電圧がスロット電圧よりも低いことを示している。すなわち、液晶層に印加される電界の向き（極性）は、他の例と同様に反転している。液晶容量に印加される電圧Ｖｌｃ（ＯＮ）の振幅はＶｄａmaxである。
なお、図２０（ｅ）に示す様に、アンテナ単位の液晶容量に印加される電圧Ｖｌｃ（ＯＦＦ）をゼロとするとために、図２０（ｂ）に示す様に、データ信号Ｖｄａ（ＯＦＦ）をスロット電圧Ｖｉａｃと同じ波形にすればよい。
図１９および図２０を参照して説明したスロット電極の電圧Ｖｉａｃを振動させる（反転させる）駆動方法は、ＬＣＤパネルの駆動方法でいうと、対向電圧を反転させる駆動方法に対応する（「コモン反転駆動」といわれることがある。）。ＬＣＤパネルでは、フリッカーを十分に抑制できないことから、コモン反転駆動は採用されていない。これに対し、走査アンテナでは、フリッカーは問題とならないので、スロット電圧を反転させることができる。振動（反転）は、例えば、フレーム毎に行われる（図１９および図２０における５Ｈを１Ｖ（垂直走査期間またはフレーム）とする）。
上記の説明では、スロット電極の電圧Ｖｉａｃは１つの電圧が印加される例、すなわち、全てのパッチ電極に対して共通のスロット電極が設けられている例を説明したが、スロット電極を、パッチ電極の１行、または、２以上の行に対応して分割してもよい。ここで、行とは、１つのゲートバスラインにＴＦＴを介して接続されたパッチ電極の集合を指す。このようにスロット電極を複数の行部分に分割すれば、スロット電極の各部分の電圧の極性を互いに独立にできる。例えば、任意のフレームにおいて、パッチ電極に印加される電圧の極性を、隣接するゲートバスラインに接続されたパッチ電極間で互いに逆にできる。このように、パッチ電極の１行毎に極性を反転させる行反転（１Ｈ反転）だけでなく、２以上の行毎に極性を反転させるｍ行反転（ｍＨ反転）を行うことができる。もちろん、行反転とフレーム反転とは組合せられる。
駆動の単純さの観点からは、任意のフレームにおいて、パッチ電極に印加される電圧の極性を全て同じにし、フレーム毎に極性が反転する駆動が好ましい。
＜アンテナ単位の配列、ゲートバスライン、ソースバスラインの接続の例＞
本発明の実施形態の走査アンテナにおいて、アンテナ単位は例えば、同心円状に配列される。
例えば、ｍ個の同心円に配列されている場合、ゲートバスラインは例えば、各円に対して１本ずつ設けられ、合計ｍ本のゲートバスラインが設けられる。送受信領域Ｒ１の外径を、例えば８００ｍｍとすると、ｍは例えば、２００である。最も内側のゲートバスラインを１番目とすると、１番目のゲートバスラインには、ｎ個（例えば３０個）のアンテナ単位が接続され、ｍ番目のゲートバスラインにはｎｘ個（例えば６２０個）のアンテナ単位が接続されている。
このような配列では、各ゲートバスラインに接続されているアンテナ単位の数が異なる。また、最も外側の円を構成するｎｘ個のアンテナ単位に接続されているｎｘ本のソースバスラインのうち、最も内側の円を構成するアンテナ単位にも接続されているｎ本のソースバスラインには、ｍ個のアンテナ単位が接続されているが、その他のソースバスラインに接続されているアンテナ単位の数はｍよりも小さい。
このように、走査アンテナにおけるアンテナ単位の配列は、ＬＣＤパネルにおける画素（ドット）の配列とは異なり、ゲートバスラインおよび／またはソースバスラインによって、接続されているアンテナ単位の数が異なる。したがって、全てのアンテナ単位の容量（液晶容量＋補助容量）を同じにすると、ゲートバスラインおよび／またはソースバスラインによって、接続されている電気的な負荷が異なることになる。そうすると、アンテナ単位への電圧の書き込みにばらつきが生じるという問題がある。
そこで、これを防止するために、例えば、補助容量の容量値を調整することによって、あるいは、ゲートバスラインおよび／またはソースバスラインに接続するアンテナ単位の数を調整することによって、各ゲートバスラインおよび各ソースバスラインに接続されている電気的な負荷を略同一にすることが好ましい。
（第４の実施形態）
以下、第４の実施形態の走査アンテナを説明する。
本実施形態の走査アンテナに用いられるＴＦＴ基板は、非送受信領域にソース−ゲート接続部を有する。ソース−ゲート接続部は、各ソースバスラインをゲートメタル層内に形成された接続配線（「ソース下部接続配線」ということがある。）に電気的に接続する。ソース−ゲート接続部を設けることによって、ソース端子部の下部接続部をゲートメタル層で形成することができる。ゲートメタル層で形成された下部接続部を有するソース端子部は、信頼性に優れる。詳細は後述する。
図２１（ａ）〜（ｃ）は、本実施形態におけるＴＦＴ基板１０５を例示する模式的な平面図である。
ＴＦＴ基板１０５は、複数のアンテナ単位領域Ｕが配列された送受信領域Ｒ１と、端子部などが設けられた非送受信領域Ｒ２とを有している。非送受信領域Ｒ２は、送受信領域Ｒ１を囲むように設けられたシール領域Ｒｓを含んでいる。シール領域Ｒｓは、例えば、端子部が配置される端子部領域と送受信領域Ｒ１との間に位置している。
図２１（ａ）は、送受信領域Ｒ１のアンテナ単位領域Ｕを示し、図２１（ｂ）は、非送受信領域Ｒ２に設けられたトランスファー端子部ＰＴ、ゲート端子部ＧＴおよびＣＳ端子部ＣＴを示し、図２１（ｃ）は、非送受信領域Ｒ２に設けられたソース−ゲート接続部ＳＧおよびソース端子部ＳＴを示している。トランスファー端子部（トランスファー部ともいう）ＰＴは、シール領域Ｒｓに位置する第１トランスファー端子部ＰＴ１と、シール領域Ｒｓよりも外側に設けられた第２トランスファー端子部ＰＴ２とを含む。この例では、第１トランスファー端子部ＰＴ１は、シール領域Ｒｓに沿って、送受信領域Ｒ１を包囲するように延びている。
一般に、ゲート端子部ＧＴおよびソース端子部ＳＴはそれぞれゲートバスライン毎およびソースバスライン毎に設けられる。ソース−ゲート接続部は、一般にソースバスライン毎に設けられる。図２１（ｂ）には、ゲート端子部ＧＴと並べて、ＣＳ端子部ＣＴおよび第２トランスファー端子部ＰＴ２を図示しているが、ＣＳ端子部ＣＴおよび第２トランスファー端子部ＰＴ２の個数および配置は、それぞれゲート端子部ＧＴとは独立に設定される。通常、ＣＳ端子部ＣＴおよび第２トランスファー端子部ＰＴ２の個数は、ゲート端子部ＧＴの個数より少なく、ＣＳ電極およびスロット電極の電圧の均一性を考慮して適宜設定される。また、第２トランスファー端子部ＰＴ２は、第１トランスファー端子部ＰＴ１が形成されている場合には省略され得る。
図２２（ａ）〜（ｇ）および図２３は、それぞれ、ＴＦＴ基板１０５の模式的な断面図である。図２２（ａ）は、図２１（ａ）中のＡ−Ａ'線に沿ったアンテナ単位領域Ｕの断面を示し、図２２（ｂ）は、図２１（ｂ）中のＢ−Ｂ'線に沿った第１トランスファー端子部ＰＴ１の断面を示し、図２２（ｃ）は、図２１（ｃ）中のＣ−Ｃ'線に沿ったソース−ゲート接続部ＳＧの断面を示し、図２２（ｄ）は、図２１（ｃ）中のＤ−Ｄ'線に沿ったソース端子部ＳＴの断面を示し、図２２（ｅ）は、図２１（ｂ）中のＥ−Ｅ'線に沿った第２トランスファー端子部ＰＴ２の断面を示し、図２２（ｆ）は、図２１（ｂ）中のＦ−Ｆ'線に沿った第１トランスファー端子部ＰＴ１の断面を示し、図２２（ｇ）は、図２１（ｃ）中のＧ−Ｇ'線に沿ったソース−ゲート接続部ＳＧの断面を示し、図２３は、図２１（ｃ）中のＨ−Ｈ'線に沿ったソース−ゲート接続部ＳＧおよびソース端子部ＳＴの断面を示している。
・アンテナ単位領域Ｕ
ＴＦＴ基板１０５は、図２１〜図２３に示すように、誘電体基板１に支持されたゲートメタル層３と、ゲートメタル層３上に形成されたゲート絶縁層４と、ゲート絶縁層４上に形成されたソースメタル層７と、ソースメタル層７上に形成された第１絶縁層１１と、第１絶縁層１１上に形成されたパッチメタル層１５ｌと、パッチメタル層１５ｌ上に形成された第２絶縁層１７と、第２絶縁層１７上に形成された上部導電層１９とを有する。ＴＦＴ基板１０５は、第１絶縁層１１とパッチメタル層１５ｌとの間に形成された下部導電層１３をさらに有する。
図２１（ａ）および図２２（ａ）に示すように、ＴＦＴ基板１０５における各アンテナ単位領域Ｕは、ＴＦＴ１０と、ＴＦＴ１０のドレイン電極７Ｄに接続されたパッチ電極１５とを有する。
ＴＦＴ１０は、ゲート電極３Ｇ、島状の半導体層５、コンタクト層６Ｓおよび６Ｄ、ゲート電極３Ｇと半導体層５との間に形成されたゲート絶縁層４、ならびに、ソース電極７Ｓおよびドレイン電極７Ｄを備える。各ＴＦＴ１０のゲート電極３ＧはゲートバスラインＧＬに接続され、ソース電極７ＳはソースバスラインＳＬに接続されている。ＴＦＴ１０の構成は、図３等を参照しながら前述した構成と同様である。
ＴＦＴ基板１０５のアンテナ単位領域Ｕにおける構造を具体的に説明する。
ゲートメタル層３は、ＴＦＴ１０のゲート電極３Ｇと、ゲートバスラインＧＬとを含む。
ソースメタル層７は、ＴＦＴ１０のソース電極７Ｓおよびドレイン電極７Ｄと、ソースバスラインＳＬとを含む。
第１絶縁層１１は、ＴＦＴ１０を覆うように形成されている。第１絶縁層１１は、ドレイン電極７Ｄまたはドレイン電極７Ｄから延設された部分に達する開口部１１ａを有する。
下部導電層１３は、第１絶縁層１１上および開口部１１ａ内に形成された第１接続部１３ａを含む。第１接続部１３ａは、開口部１１ａ内でドレイン電極７Ｄまたはドレイン電極７Ｄから延設された部分に接触している。
パッチメタル層１５ｌは、パッチ電極１５と、第２接続部１５ａとを含む。第２接続部１５ａは、第１接続部１３ａ上に形成され、第１接続部１３ａに接触するように形成されている。
第２絶縁層１７は、パッチ電極１５および第２接続部１５ａを覆うように形成されている。
この例では、アンテナ単位領域Ｕは、上部導電層１９に含まれる導電部を有しない。
ＴＦＴ基板１０５は、ＣＳバスライン（補助容量線）ＣＬを備えていてもよい。この例では、ＣＳバスラインＣＬは、ゲートバスラインＧＬと同じ導電膜を用いて形成されている。すなわち、ＣＳバスラインＣＬは、ゲートメタル層３に含まれる。ＣＳバスラインＣＬは、ゲートバスラインＧＬと略平行に延びている。ＣＳバスラインＣＬから延設された部分の少なくとも一部は、ドレイン電極７Ｄから延設された部分の少なくとも一部とゲート絶縁層４を介して対向し、補助容量を形成している。本明細書では、ＣＳバスラインＣＬから延設された部分のうち補助容量の下部電極となる部分を下部容量電極３Ｃと呼び、ドレイン電極７Ｄから延設された部分のうち補助容量の上部電極となる部分を上部容量電極７Ｃと呼ぶ。下部容量電極３Ｃの幅は、ＣＳバスラインＣＬの幅よりも大きくてもよい。上部容量電極７Ｃの幅は、ドレイン電極７Ｄから延設された部分のうち上部容量電極７Ｃ以外の部分の幅よりも大きくてもよい。なお、補助容量とパッチ電極１５との配置関係は図示する例に限定されない。
・ソース−ゲート接続部ＳＧ
図２１（ｃ）、図２２（ｃ）、図２２（ｇ）および図２３に示すように、ソース−ゲート接続部ＳＧは、ソースバスラインＳＬと、ソース下部接続配線３ｓｇとを電気的に接続する。ソース−ゲート接続部ＳＧを設けることによって、後述するように、ソース端子部ＳＴの下部接続部をゲートメタル層３で形成することができる。これによって、ＴＦＴ基板１０５のソース端子部ＳＴは優れた信頼性を有する。
ソース−ゲート接続部ＳＧは、ソース下部接続配線３ｓｇと、ゲート絶縁層４に形成された開口部４ｓｇ１と、ソースバスライン接続部７ｓｇと、第１絶縁層１１に形成された開口部１１ｓｇ１および開口部１１ｓｇ２と、ソース−ゲート接続用第１接続部１３ｓｇ（単に「第１接続部１３ｓｇ」ということがある。）と、第２絶縁層１７に形成された開口部１７ｓｇ１および開口部１７ｓｇ２と、ソース−ゲート接続用第２接続部１９ｓｇ（単に「第２接続部１９ｓｇ」ということがある。）とを有する。
ソース下部接続配線３ｓｇは、ゲートメタル層３に含まれ、ゲートバスラインＧＬと電気的に分離されている。
ゲート絶縁層４に形成された開口部４ｓｇ１は、ソース下部接続配線３ｓｇに達している。
ソースバスライン接続部７ｓｇは、ソースメタル層７に含まれ、ソースバスラインＳＬに接続されている。この例では、ソースバスライン接続部７ｓｇは、ソースバスラインＳＬから延設され、ソースバスラインＳＬと一体的に形成されている。ソースバスライン接続部７ｓｇの幅は、ソースバスラインＳＬの幅よりも大きくてもよい。
第１絶縁層１１に形成された開口部１１ｓｇ１は、誘電体基板１の法線方向から見たとき、ゲート絶縁層４に形成された開口部４ｓｇ１に重なっている。ゲート絶縁層４に形成された開口部４ｓｇ１および第１絶縁層１１に形成された開口部１１ｓｇ１は、コンタクトホールＣＨ＿ｓｇを構成する。
第１絶縁層１１に形成された開口部１１ｓｇ２は、ソースバスライン接続部７ｓｇに達している。
第１接続部１３ｓｇは、下部導電層１３に含まれる。第１接続部１３ｓｇは、第１絶縁層１１上、コンタクトホールＣＨ＿ｓｇ内、および開口部１１ｓｇ２内に形成され、コンタクトホールＣＨ＿ｓｇ内でソース下部接続配線３ｓｇに接続され、開口部１１ｓｇ２内でソースバスライン接続部７ｓｇに接続される。すなわち、第１接続部１３ｓｇは、ゲート絶縁層４に形成された開口部４ｓｇ１内でソース下部接続配線３ｓｇに接触し、第１絶縁層１１に形成された開口部１１ｓｇ２内でソースバスライン接続部７ｓｇに接触している。
ソース下部接続配線３ｓｇの内、開口部４ｓｇ１によって露出されている部分は、第１接続部１３ｓｇで覆われていることが好ましい。ソースバスライン接続部７ｓｇの内、開口部１１ｓｇ２によって露出されている部分は、第１接続部１３ｓｇで覆われていることが好ましい。
第２絶縁層１７に形成された開口部１７ｓｇ１および開口部１７ｓｇ２は、それぞれ、第１接続部１３ｓｇに達している。
第２接続部１９ｓｇは、上部導電層１９に含まれる。第２接続部１９ｓｇは、後述する各端子部の上部接続部と同じ導電膜から形成されている。第２接続部１９ｓｇは、第２絶縁層１７上、開口部１７ｓｇ１内および開口部１７ｓｇ２内に形成され、開口部１７ｓｇ１内および開口部１７ｓｇ２内で第１接続部１３ｓｇに接続される。すなわち、第２接続部１９ｓｇは、開口部１７ｓｇ１内および開口部１７ｓｇ２内で第１接続部１３ｓｇに接触している。
この例では、ソース−ゲート接続部ＳＧは、パッチメタル層１５ｌに含まれる導電部を有しない。
本明細書において、「ソース−ゲート接続部ＳＧの第１接続部」は、第１絶縁層１１と第２絶縁層１７との間に形成された１つの導電層に含まれる導電部であってもよいし、第１絶縁層１１と第２絶縁層１７との間に形成された複数の導電層を含んでもよいとする。例えば、ＴＦＴ基板１０５のソース−ゲート接続部ＳＧの第１接続部１３ｓｇは、下部導電層１３に含まれる導電部であり、パッチメタル層１５ｌを含まない。本実施形態はこれに限られず、後述する本実施形態の変形例１のＴＦＴ基板１０６（図２８〜図３０参照）のように、下部導電層１３およびパッチメタル層１５ｌを含む第１接続部１６ｓｇを有してもよい。あるいは、後述する本実施形態の変形例２のＴＦＴ基板１０７（図３３〜図３５参照）のように、パッチメタル層１５ｌに含まれる導電部であり、下部導電層１３を含まない第１接続部１５ｓｇを有してもよい。「ソース−ゲート接続部ＳＧの第１接続部」が、複数の導電層を含む場合は、第１接続部全体として、ゲート絶縁層４に形成された開口部４ｓｇ１内でソース下部接続配線３ｓｇに接触し、第１絶縁層１１に形成された開口部１１ｓｇ２内でソースバスライン接続部７ｓｇに接触していればよい。
ＴＦＴ基板１０５は、ソース−ゲート接続部ＳＧに第１接続部１３ｓｇを有することによって、優れた動作安定性を有する。ソース−ゲート接続部ＳＧが第１接続部１３ｓｇを有することによって、パッチメタル層１５ｌを形成するためのパッチ用導電膜をエッチングする工程における、ゲートメタル層３および／またはソースメタル層７へのダメージが軽減される。この効果について説明する。
上述したように、ＴＦＴ基板１０５において、ソース−ゲート接続部ＳＧはパッチメタル層１５ｌに含まれる導電部を有しない。つまり、パッチ用導電膜のパターニング工程において、ソース−ゲート接続部形成領域のパッチ用導電膜は除去される。コンタクトホールＣＨ＿ｓｇ内でゲートメタル層３（ソース下部接続配線３ｓｇ）が露出されていると、除去されるべきパッチ用導電膜は、コンタクトホールＣＨ＿ｓｇ内に堆積され、ソース下部接続配線３ｓｇに接して形成される。同様に、開口部１１ｓｇ２内でソースメタル層７（ソースバスライン接続部７ｓｇ）が露出されていると、除去されるべきパッチ用導電膜は、開口部１１ｓｇ２内に堆積され、ソースバスライン接続部７ｓｇに接して形成される。このような場合、ゲートメタル層３および／またはソースメタル層７がエッチングダメージを受ける可能性がある。パッチ用導電膜をパターニングする工程では、例えばリン酸、硝酸および酢酸を含むエッチング液が用いられる。ソース下部接続配線３ｓｇおよび／またはソースバスライン接続部７ｓｇがエッチングダメージを受けると、ソース−ゲート接続部ＳＧにおいてコンタクト不良が生じる可能性がある。
ＴＦＴ基板１０５のソース−ゲート接続部ＳＧは、コンタクトホールＣＨ＿ｓｇ内および開口部１１ｓｇ２内に形成された第１接続部１３ｓｇを有する。従って、パッチ用導電膜のパターニング工程における、エッチングによるソース下部接続配線３ｓｇおよび／またはソースバスライン接続部７ｓｇへのダメージが軽減される。従って、ＴＦＴ基板１０５は動作安定性に優れている。
ゲートメタル層３および／またはソースメタル層７へのエッチングダメージを効果的に軽減する観点からは、ソース下部接続配線３ｓｇの内、コンタクトホールＣＨ＿ｓｇによって露出されている部分は、第１接続部１３ｓｇで覆われており、ソースバスライン接続部７ｓｇの内、開口部１１ｓｇ２によって露出されている部分は、第１接続部１３ｓｇで覆われていることが好ましい。
走査アンテナに用いられるＴＦＴ基板では、比較的厚い導電膜（パッチ用導電膜）を用いてパッチ電極が形成されることがある。この場合、パッチ用導電膜のエッチング時間およびオーバーエッチング時間が、他の層のエッチング工程よりも長くなり得る。このとき、コンタクトホールＣＨ＿ｓｇ内および開口部１１ｓｇ２内で、ゲートメタル層３（ソース下部接続配線３ｓｇ）およびソースメタル層７（ソースバスライン接続部７ｓｇ）が露出されていると、これらのメタル層が受けるエッチングダメージが大きくなり得る。このように、比較的厚いパッチメタル層を有するＴＦＴ基板においては、ソース−ゲート接続部ＳＧが第１接続部１３ｓｇを有することによって、ゲートメタル層３および／またはソースメタル層７へのエッチングダメージが軽減される効果が特に大きい。
さらに、ＴＦＴ基板１０５は、ソース−ゲート接続部ＳＧに第２接続部１９ｓｇを有することによっても、優れた動作安定性を有する。上述したように、ソース−ゲート接続部ＳＧにおいて、ソースバスライン接続部７ｓｇと、ソース下部接続配線３ｓｇとは、第１接続部１３ｓｇおよび第２接続部１９ｓｇを介して電気的に接続されている。ソース−ゲート接続部ＳＧが、ソースメタル層７とゲートメタル層３とを接続する導電部として、第１接続部１３ｓｇに加えて第２接続部１９ｓｇを有することによって、導電部全体としての電気抵抗（配線抵抗）が低減される。これにより、ＴＦＴ基板１０５は、動作安定性に優れている。
図示するように、誘電体基板１の法線方向から見たとき、第１接続部１３ｓｇの全てが、第２接続部１９ｓｇと重なっている場合は、以下の利点がさらに得られる。ソースバスライン接続部７ｓｇとソース下部接続配線３ｓｇとを接続する導電部として第１接続部１３ｓｇおよび第２接続部１９ｓｇを有することによって、第１接続部１３ｓｇに断線が生じても、ソースバスライン接続部７ｓｇとソース下部接続配線３ｓｇとの電気的接続が確保される。これにより、ＴＦＴ基板１０５は、動作安定性に優れている。
下部導電層１３は、例えば透明導電層（例えばＩＴＯ層）である。
上部導電層１９は、例えば透明導電層（例えばＩＴＯ層）を含む。上部導電層１９は、例えば透明導電層のみから形成されていてもよい。あるいは、上部導電層１９は、透明導電層を含む第１導電層と、第１導電層の下に形成された第２導電層とを含んでもよい。第２導電層は、例えば、Ｔｉ層、ＭｏＮｂＮｉ層、ＭｏＮｂ層、ＭｏＷ層、Ｗ層およびＴａ層からなる群から選択される１つの層または２以上の層の積層から形成されている。
図示する例では、開口部１１ｓｇ２は、コンタクトホールＣＨ＿ｓｇから離間した位置に形成されている。本実施形態はこれに限られず、コンタクトホールＣＨ＿ｓｇおよび開口部１１ｓｇ２は、連続していてもよい（すなわち、単一のコンタクトホールとして形成されていてもよい）。コンタクトホールＣＨ＿ｓｇおよび開口部１１ｓｇ２は、単一のコンタクトホールとして同じ工程で形成されてもよい。具体的には、ソース下部接続配線３ｓｇおよびソースバスライン接続部７ｓｇに達する単一のコンタクトホールをゲート絶縁層４および第１絶縁層１１に形成し、このコンタクトホール内および第１絶縁層１１上に第１接続部１３ｓｇを形成してもよい。このとき、第１接続部１３ｓｇは、ソース下部接続配線３ｓｇおよびソースバスライン接続部７ｓｇの内、コンタクトホールによって露出されている部分を覆うように形成されることが好ましい。
図示する例では、開口部１７ｓｇ２は、開口部１７ｓｇ１から離間した位置に形成されている。本実施形態はこれに限られず、開口部１７ｓｇ１および開口部１７ｓｇ２は、連続していてもよい（すなわち、単一の開口部として形成されていてもよい）。第２絶縁層１７には、第１接続部１３ｓｇに達する開口部が少なくとも１つ形成されていればよい。第２絶縁層１７に形成されている開口部の個数、配置等は、図示する例に限られない。第２接続部１９ｓｇは、第２絶縁層１７に形成されている開口部の内の少なくとも１つの開口部内において、第１接続部１３ｓｇに接触していればよい。
図示する例では、第２絶縁層１７に形成されている開口部１７ｓｇ１は、誘電体基板１の法線方向から見たとき、開口部１１ｓｇ１および開口部４ｓｇ１と重なり、第２絶縁層１７に形成されている開口部１７ｓｇ２は、誘電体基板１の法線方向から見たとき、開口部１１ｓｇ２と重なる。
第１接続部１３ｓｇおよび第２接続部１９ｓｇ全体の電気抵抗（配線抵抗）を低下させる観点からは、誘電体基板１の法線方向から見たとき、第１接続部１３ｓｇと、第２接続部１９ｓｇとは重なることが好ましく、誘電体基板１の法線方向から見たとき、第１接続部１３ｓｇと、第２接続部１９ｓｇとが重なる面積は大きいことが好ましい。図示する例では、誘電体基板１の法線方向から見たとき、第１接続部１３ｓｇの全ては、第２接続部１９ｓｇと重なっている。誘電体基板１の法線方向から見たとき、第２接続部１９ｓｇの全てが、第１接続部１３ｓｇと重なっていてもよい。
ソースバスライン接続部７ｓｇとソース下部接続配線３ｓｇとの間の電気抵抗を下げるためには、ソース下部接続配線３ｓｇの内、コンタクトホールＣＨ＿ｓｇによって露出されている部分は、第１接続部１３ｓｇで覆われており、ソースバスライン接続部７ｓｇの内、開口部１１ｓｇ２によって露出されている部分は、第１接続部１３ｓｇで覆われていることが好ましい。
第１接続部１３ｓｇが金属層を含まない場合は、上記の条件を満たすように第１接続部１３ｓｇおよび第２接続部１９ｓｇを形成することが特に好ましい。第１接続部１３ｓｇが金属層を含まない場合、例えば、第１接続部１３ｓｇが透明導電層のみを含む場合は、第１接続部１３ｓｇの電気抵抗が高い傾向があるためである。
第２絶縁層１７に、第１接続部１３ｓｇに達する開口部が複数形成されている場合（例えば図示するように開口部１７ｓｇ１および開口部１７ｓｇ２が形成されている場合）は、上部導電層１９は、分離して形成されている複数の上部接続部を含み、複数の上部接続部のそれぞれが、開口部１７ｓｇ１内または開口部１７ｓｇ２内で第１接続部１３ｓｇに接触していてもよい。
・ソース端子部ＳＴ
ソース端子部ＳＴは、図２１（ｃ）、図２２（ｄ）および図２３に示すように、ソース−ゲート接続部ＳＧに形成されたソース下部接続配線３ｓｇに接続されたソース端子用下部接続部３ｓＡ（単に「下部接続部３ｓＡ」ということもある。）と、ゲート絶縁層４に形成された開口部４ｓと、第１絶縁層１１に形成された開口部１１ｓと、第２絶縁層１７に形成された開口部１７ｓと、ソース端子用上部接続部１９ｓＡ（単に「上部接続部１９ｓＡ」ということもある。）とを有している。
下部接続部３ｓＡは、ゲートメタル層３に含まれる。下部接続部３ｓＡは、ソース−ゲート接続部ＳＧに形成されているソース下部接続配線３ｓｇと接続されている。この例では、下部接続部３ｓＡは、ソース下部接続配線３ｓｇから延設され、ソース下部接続配線３ｓｇと一体的に形成されている。
ゲート絶縁層４に形成された開口部４ｓは、下部接続部３ｓＡに達している。
第１絶縁層１１に形成された開口部１１ｓは、誘電体基板１の法線方向から見たとき、ゲート絶縁層４に形成された開口部４ｓに重なっている。
第２絶縁層１７に形成された開口部１７ｓは、誘電体基板１の法線方向から見たとき、第１絶縁層１１に形成された開口部１１ｓに重なっている。ゲート絶縁層４に形成された開口部４ｓ、第１絶縁層１１に形成された開口部１１ｓ、および第２絶縁層１７に形成された開口部１７ｓは、コンタクトホールＣＨ＿ｓを構成する。
上部接続部１９ｓＡは、上部導電層１９に含まれる。上部接続部１９ｓＡは、第２絶縁層１７上およびコンタクトホールＣＨ＿ｓ内に形成され、コンタクトホールＣＨ＿ｓ内で、下部接続部３ｓＡと接続されている。すなわち、上部接続部１９ｓＡは、ゲート絶縁層４に形成された開口部４ｓ内で、下部接続部３ｓＡに接触している。
誘電体基板１の法線方向から見たとき、上部接続部１９ｓＡの全ては、下部接続部３ｓＡと重なっていてもよい。
この例では、ソース端子部ＳＴは、ソースメタル層７に含まれる導電部およびパッチメタル層１５ｌに含まれる導電部を含まない。
ソース端子部ＳＴは、ゲートメタル層３に含まれる下部接続部３ｓＡを有するので、優れた信頼性を有する。
端子部、特にシール領域Ｒｓよりも外側（液晶層と反対側）に設けられた端子部には、大気中の水分（不純物を含み得る。）によって腐食が生じることがある。大気中の水分は、下部接続部に達するコンタクトホールから侵入し、下部接続部に達し、下部接続部に腐食が起こり得る。腐食の発生を抑制する観点からは、下部接続部に達するコンタクトホールが深いことが好ましい。すなわち、コンタクトホールを構成する開口部が形成されている絶縁層の厚さが大きいことが好ましい。
また、誘電体基板としてガラス基板を有するＴＦＴ基板を作製する工程において、ガラス基板の破片や切り屑（カレット）によって、端子部の下部接続部にキズや断線が生じることがある。例えば、１つのマザー基板から複数のＴＦＴ基板が作製される。カレットは、例えば、マザー基板を切断する時、マザー基板にスクライブラインを形成する時、等に生じる。端子部の下部接続部のキズや断線を防ぐ観点からは、下部接続部に達するコンタクトホールが深いことが好ましい。すなわち、コンタクトホールを構成する開口部が形成されている絶縁層の厚さが大きいことが好ましい。
ＴＦＴ基板１０５のソース端子部ＳＴにおいて、下部接続部３ｓＡはゲートメタル層３に含まれているので、下部接続部３ｓＡに達するコンタクトホールＣＨ＿ｓは、ゲート絶縁層４に形成された開口部４ｓ、第１絶縁層１１に形成された開口部１１ｓ、および第２絶縁層１７に形成された開口部１７ｓを有する。コンタクトホールＣＨ＿ｓの深さは、ゲート絶縁層４の厚さ、第１絶縁層１１の厚さ、および第２絶縁層１７の厚さの和である。これに対して、例えば下部接続部がソースメタル層７に含まれている場合、下部接続部に達するコンタクトホールは、第１絶縁層１１に形成された開口部および第２絶縁層１７に形成された開口部のみを有し、その深さは第１絶縁層１１の厚さおよび第２絶縁層１７の厚さの和であり、コンタクトホールＣＨ＿ｓの深さよりも小さい。ここで、コンタクトホールの深さおよび絶縁層の厚さは、それぞれ、誘電体基板１の法線方向における深さおよび厚さをいう。他のコンタクトホールおよび絶縁層についても特に断らない限り同様である。このように、ＴＦＴ基板１０５のソース端子部ＳＴは、下部接続部３ｓがゲートメタル層３に含まれているので、例えば下部接続部がソースメタル層７に含まれている場合に比べて、優れた信頼性を有する。
ゲート絶縁層４に形成された開口部４ｓは、下部接続部３ｓの一部のみを露出するように形成されている。誘電体基板１の法線方向から見たとき、ゲート絶縁層４に形成された開口部４ｓは、下部接続部３ｓの内側にある。従って、開口部４ｓ内の全ての領域は、誘電体基板１上に下部接続部３ｓおよび上部接続部１９ｓを有する積層構造を有する。ソース端子部ＳＴにおいて、下部接続部３ｓを有しない領域の全ては、ゲート絶縁層４、第１絶縁層１１および第２絶縁層１７を有する積層構造を有する。これにより、ＴＦＴ基板１０５のソース端子部ＳＴは優れた信頼性を有する。優れた信頼性を得る観点からは、ゲート絶縁層４の厚さ、第１絶縁層１１の厚さおよび第２絶縁層１７の厚さの和が大きいことが好ましい。
下部接続部３ｓの内、開口部４ｓによって露出されている部分は、上部接続部１９ｓで覆われている。
端子部の上部接続部の厚さが大きい（すなわち上部導電層１９の厚さが大きい）と、下部接続部に腐食が生じることが抑制される。下部接続部に腐食が生じることを効果的に抑制するために、上述したように、上部導電層１９は、透明導電層（例えばＩＴＯ層）を含む第１導電層と、第１導電層の下に形成され、Ｔｉ層、ＭｏＮｂＮｉ層、ＭｏＮｂ層、ＭｏＷ層、Ｗ層およびＴａ層からなる群から選択される１つの層または２以上の層の積層から形成されている第２導電層とを含む積層構造を有してもよい。下部接続部に腐食が生じることをより効果的に抑制するために、第２導電層の厚さを例えば１００ｎｍ超としてもよい。
・ゲート端子部ＧＴ、ＣＳ端子部ＣＴ
ゲート端子部ＧＴおよびＣＳ端子部ＣＴは、断面構造の図示を省略するが、図２１（ｂ）に示すように、ソース端子部ＳＴと同様の構成を有していてもよい。
この例では、ゲート端子部ＧＴは、ゲート端子用下部接続部３ｇＡ（単に「下部接続部３ｇＡ」ということもある。）と、ゲート絶縁層４に形成された開口部４ｇと、第１絶縁層１１に形成された開口部１１ｇと、第２絶縁層１７に形成された開口部１７ｇと、ゲート端子用上部接続部１９ｇＡ（単に「上部接続部１９ｇＡ」ということもある。）とを有している。
下部接続部３ｇＡは、ゲートメタル層３に含まれ、ゲートバスラインＧＬに接続されている。この例では、下部接続部３ｇＡは、ゲートバスラインＧＬから延設され、ゲートバスラインＧＬと一体的に形成されている。
ゲート絶縁層４に形成された開口部４ｇは、下部接続部３ｇＡに達している。
第１絶縁層１１に形成された開口部１１ｇは、誘電体基板１の法線方向から見たとき、ゲート絶縁層４に形成された開口部４ｇに重なっている。
第２絶縁層１７に形成された開口部１７ｇは、誘電体基板１の法線方向から見たとき、第１絶縁層１１に形成された開口部１１ｇに重なっている。ゲート絶縁層４に形成された開口部４ｇ、第１絶縁層１１に形成された開口部１１ｇ、および第２絶縁層１７に形成された開口部１７ｇは、コンタクトホールＣＨ＿ｇを構成する。
上部接続部１９ｇＡは、上部導電層１９に含まれる。上部接続部１９ｇＡは、第２絶縁層１７上およびコンタクトホールＣＨ＿ｇ内に形成され、コンタクトホールＣＨ＿ｇ内で、下部接続部３ｇＡと接続されている。すなわち、上部接続部１９ｇＡは、ゲート絶縁層４に形成された開口部４ｇ内で、下部接続部３ｇＡに接触している。
誘電体基板１の法線方向から見たとき、上部接続部１９ｇＡの全ては、下部接続部３ｇＡと重なっていてもよい。
この例では、ゲート端子部ＧＴは、ソースメタル層７に含まれる導電部およびパッチメタル層１５ｌに含まれる導電部を有しない。
ゲート端子部ＧＴは、ゲートメタル層３に含まれる下部接続部３ｇＡを有するので、ソース端子部ＳＴと同様に、優れた信頼性を有する。
ＣＳ端子部ＣＴは、ＣＳ端子用下部接続部３ｃ（単に「下部接続部３ｃ」ということもある。）と、ゲート絶縁層４に形成された開口部４ｃと、第１絶縁層１１に形成された開口部１１ｃと、第２絶縁層１７に形成された開口部１７ｃと、ＣＳ端子用上部接続部１９ｃ（単に「上部接続部１９ｃ」ということもある。）とを有している。
下部接続部３ｃは、ゲートメタル層３に含まれる。下部接続部３ｃは、ＣＳバスラインＣＬと接続されている。この例では、下部接続部３ｃは、ＣＳバスラインＣＬから延設され、ＣＳバスラインＣＬと一体的に形成されている。
ゲート絶縁層４に形成された開口部４ｃは、下部接続部３ｃに達している。
第１絶縁層１１に形成された開口部１１ｃは、誘電体基板１の法線方向から見たとき、ゲート絶縁層４に形成された開口部４ｃに重なっている。
第２絶縁層１７に形成された開口部１７ｃは、誘電体基板１の法線方向から見たとき、第１絶縁層１１に形成された開口部１１ｃに重なっている。ゲート絶縁層４に形成された開口部４ｃ、第１絶縁層１１に形成された開口部１１ｃ、および第２絶縁層１７に形成された開口部１７ｃは、コンタクトホールＣＨ＿ｃを構成する。
上部接続部１９ｃは、上部導電層１９に含まれる。上部接続部１９ｃは、第２絶縁層１７上およびコンタクトホールＣＨ＿ｃ内に形成され、コンタクトホールＣＨ＿ｃ内で、下部接続部３ｃと接続されている。すなわち、上部接続部１９ｃは、ゲート絶縁層４に形成された開口部４ｃ内で、下部接続部３ｃに接触している。
誘電体基板１の法線方向から見たとき、上部接続部１９ｃの全ては、下部接続部３ｃと重なっていてもよい。
この例では、ＣＳ端子部ＣＴは、ソースメタル層７に含まれる導電部およびパッチメタル層１５ｌに含まれる導電部を有しない。
ＣＳ端子部ＣＴは、ゲートメタル層３に含まれる下部接続部３ｃを有するので、ソース端子部ＳＴと同様に、優れた信頼性を有する。
・トランスファー端子部ＰＴ
第１トランスファー端子部ＰＴ１は、図２１（ｂ）および図２２（ｂ）に示すように、第１トランスファー端子用下部接続部３ｐ１（単に「下部接続部３ｐ１」ということもある。）と、ゲート絶縁層４に形成された開口部４ｐ１と、第１絶縁層１１に形成された開口部１１ｐ１と、第１トランスファー端子用第１導電部１３ｐ１（単に「第１導電部１３ｐ１」ということもある。）と、第１トランスファー端子用第２導電部１５ｐ１（単に「第２導電部１５ｐ１」ということもある。）と、第２絶縁層１７に形成された開口部１７ｐ１と、第１トランスファー端子用上部接続部１９ｐ１（単に「上部接続部１９ｐ１」ということもある。）とを有している。
下部接続部３ｐ１は、ゲートメタル層３に含まれる。すなわち、下部接続部３ｐ１は、ゲートバスラインＧＬと同じ導電膜から形成されている。下部接続部３ｐ１は、ゲートバスラインＧＬとは電気的に分離されている。下部接続部３ｐ１は、ＣＳバスラインＣＬに接続されている。下部接続部３ｐ１は、この例ではＣＳバスラインと一体的に形成されている。
ゲート絶縁層４に形成された開口部４ｐ１は、下部接続部３ｐ１に達している。
第１絶縁層１１に形成された開口部１１ｐ１は、誘電体基板１の法線方向から見たとき、ゲート絶縁層４に形成された開口部４ｐ１に重なっている。ゲート絶縁層４に形成された開口部４ｐ１および第１絶縁層１１に形成された開口部１１ｐ１は、コンタクトホールＣＨ＿ｐ１を構成する。
第１導電部１３ｐ１は、下部導電層１３に含まれる。第１導電部１３ｐ１は、第１絶縁層１１上およびコンタクトホールＣＨ＿ｐ１内に形成され、コンタクトホールＣＨ＿ｐ１内で下部接続部３ｐ１と接続されている。すなわち、第１導電部１３ｐ１は、コンタクトホールＣＨ＿ｐ１内で下部接続部３ｐ１と接触している。
第２導電部１５ｐ１は、パッチメタル層１５ｌに含まれる。第２導電部１５ｐ１は、第１導電部１３ｐ１上に形成されている。第２導電部１５ｐ１は、第１導電部１３ｐ１に接触するように形成されている。
第２絶縁層１７に形成された開口部１７ｐ１は、第２導電部１５ｐ１に達している。
上部接続部１９ｐ１は、上部導電層１９に含まれる。上部接続部１９ｐ１は、第２絶縁層１７上および開口部１７ｐ１内に形成され、開口部１７ｐ１内で第２導電部１５ｐ１と接続されている。すなわち、上部接続部１９ｐ１は、開口部１７ｐ１内で第２導電部１５ｐ１と接触している。上部接続部１９ｐ１は、例えば導電性粒子を含むシール材によって、スロット基板側のトランスファー端子用接続部と接続される（図７参照）。
この例では、第１トランスファー端子部ＰＴ１は、ソースメタル層７に含まれる導電部を有しない。
第１トランスファー端子部ＰＴ１は、下部接続部３ｐ１と上部接続部１９ｐ１との間に第１導電部１３ｐ１および第２導電部１５ｐ１を有する。これにより、第１トランスファー端子部ＰＴ１は、下部接続部３ｐ１と上部接続部１９ｐ１との間の電気抵抗が低いという利点を有する。
誘電体基板１の法線方向から見たとき、上部接続部１９ｐ１の全ては、第２導電部１５ｐ１と重なっていてもよい。
この例では、下部接続部３ｐ１は、互いに隣接する２つのゲートバスラインＧＬの間に配置されている。ゲートバスラインＧＬを挟んで配置された２つの下部接続部３ｐ１は、導電接続部（不図示）を介して電気的に接続されていてもよい。導電接続部は、例えばソースバスラインと同じ導電膜から形成されていてもよい。
ここでは、下部接続部３ｐ１は、複数のコンタクトホールＣＨ＿ｐ１によって第１導電部１３ｐ１および第２導電部１５ｐ１と接続されているが、コンタクトホールＣＨ＿ｐ１は、１つの下部接続部３ｐ１に対して１つ以上設けられていればよい。１つの下部接続部３ｐ１に対して１つのコンタクトホールが設けられていてもよい。コンタクトホールの個数や形状は図示する例に限られない。
ここでは、上部接続部１９ｐ１は、１つの開口部１７ｐ１によって第１導電部１３ｐ１および第２導電部１５ｐ１と接続されているが、開口部１７ｐ１は、１つの上部接続部１９ｐ１に対して１つ以上設けられていればよい。１つの上部接続部１９ｐ１に対して複数の開口部が設けられていてもよい。開口部の個数や形状は図示する例に限られない。
第２トランスファー端子部ＰＴ２は、シール領域Ｒｓの外側（送受信領域Ｒ１と反対側）に設けられている。第２トランスファー端子部ＰＴ２は、図２１（ｂ）および図２２（ｅ）に示すように、第２トランスファー端子用下部接続部１５ｐ２（単に「下部接続部１５ｐ２」ということもある。）と、第２絶縁層１７に形成された開口部１７ｐ２と、第２トランスファー端子用上部接続部１９ｐ２（単に「上部接続部１９ｐ２」ということもある。）とを有している。
第２トランスファー端子部ＰＴ２は、第１トランスファー端子部ＰＴ１の内、下部接続部３ｐ１、コンタクトホールＣＨ＿ｐ１、および第１導電部１３ｐ１を有しない部分（図２２（ｆ）参照）と同様の断面構造を有している。
下部接続部１５ｐ２は、パッチメタル層１５ｌに含まれる。下部接続部１５ｐ２は、ここでは、第１トランスファー端子用第２導電部１５ｐ１から延設され、第１トランスファー端子用第２導電部１５ｐ１と一体的に形成されている。
第２絶縁層１７に形成された開口部１７ｐ２は、下部接続部１５ｐ２に達している。
上部接続部１９ｐ２は、上部導電層１９に含まれる。上部接続部１９ｐ２は、第２絶縁層１７上および開口部１７ｐ２内に形成され、開口部１７ｐ２内で下部接続部１５ｐ２と接続されている。すなわち、上部接続部１９ｐ２は、開口部１７ｐ２内で下部接続部１５ｐ２と接触している。
第２トランスファー端子部ＰＴ２においても、上部接続部１９ｐ２は、例えば導電性粒子を含むシール材によって、スロット基板側のトランスファー端子用接続部と接続されていてもよい。
この例では、第２トランスファー端子部ＰＴ２は、ゲートメタル層３に含まれる導電部およびソースメタル層７に含まれる導電部を有しない。

・ＴＦＴ基板１０５の製造方法
図２４〜図２７を参照して、ＴＦＴ基板１０５の製造方法を説明する。
図２４（ａ）〜（ｆ）、図２５（ａ）〜（ｄ）、図２６（ａ）〜（ｃ）および図２７（ａ）〜（ｃ）は、ＴＦＴ基板１０５の製造方法の一例を示す工程断面図である。これらの図は、それぞれ、図２２（ａ）〜（ｅ）および（ｇ）に対応する断面を示している。なお、図２２（ｆ）に対応する断面については、図示を省略するが、図２２（ｅ）に対応する断面と同様の方法で形成される。各層の材料、厚さ、形成方法などは、図５を参照しながら前述した方法と同様であれば適宜説明を省略することもある。
上述のように、ＴＦＴ基板１０５は、誘電体基板１上に、ゲートメタル層３、ゲート絶縁層４、ソースメタル層７、第１絶縁層１１、下部導電層１３、パッチメタル層１５ｌ、第２絶縁層１７および上部導電層１９をこの順で有している。ゲートメタル層３は、ＴＦＴ１０のゲート電極３Ｇ、ゲートバスラインＧＬ、ＣＳバスラインＣＬ、下部容量電極３Ｃ、ソース−ゲート接続部ＳＧのソース下部接続配線３ｓｇ、ならびに、各端子部の下部接続部３ｐ１、３ｇＡ、３ｃおよび３ｓＡを含む。ソースメタル層７は、ＴＦＴ１０のソース電極７Ｓおよびドレイン電極７Ｄ、ソースバスラインＳＬ、上部容量電極７Ｃ、ならびに、ソース−ゲート接続部ＳＧのソースバスライン接続部７ｓｇを含む。下部導電層１３は、アンテナ単位領域Ｕの第１接続部１３ａ、ソース−ゲート接続部ＳＧの第１接続部１３ｓｇ、および第１トランスファー端子部ＰＴ１の第１導電部１３ｐ１を含む。パッチメタル層１５ｌは、アンテナ単位領域Ｕのパッチ電極１５、第２接続部１５ａ、第１トランスファー端子部ＰＴ１の第２導電部１５ｐ１、および第２トランスファー端子部ＰＴ２の下部接続部１５ｐ２を含む。上部導電層１９は、ソース−ゲート接続部ＳＧの第２接続部１９ｓｇ、ならびに、各端子部の上部接続部１９ｓＡ、１９ｇＡ、１９ｃ、１９ｐ１および１９ｐ２を含む。
まず、図２４（ａ）に示すように、誘電体基板１上に、スパッタ法などによって、ゲート用導電膜３'を形成する。ここでは、ゲート用導電膜３'として、Ａｌ膜（厚さ：例えば１５０ｎｍ）およびＭｏＮ膜（厚さ：例えば１００ｎｍ）をこの順で積層した積層膜（ＭｏＮ／Ａｌ）を形成する。
次いで、ゲート用導電膜３'をパターニングすることにより、図２４（ｂ）に示すように、ゲート電極３Ｇ、ゲートバスラインＧＬ、ＣＳバスラインＣＬ、下部容量電極３Ｃ、ソース下部接続配線３ｓｇ、ならびに、下部接続部３ｐ１、３ｇＡ、３ｃおよび３ｓＡを含むゲートメタル層３を得る。ここでは、ゲート用導電膜３'のパターニングは、ウェットエッチングによって行う。
この後、図２４（ｃ）に示すように、ゲートメタル層３を覆うようにゲート絶縁膜４、真性アモルファスシリコン膜５'およびｎ+型アモルファスシリコン膜６'をこの順で形成する。簡単のために、ゲート絶縁層４とゲート絶縁膜４とを同じ参照符号で示す。ここでは、ゲート絶縁膜４として、例えば厚さ３５０ｎｍの窒化珪素（ＳｉｘＮｙ）膜を形成する。また、例えば厚さ１２０ｎｍの真性アモルファスシリコン膜５'および例えば厚さ３０ｎｍのｎ+型アモルファスシリコン膜６'を形成する。
次いで、真性アモルファスシリコン膜５'およびｎ+型アモルファスシリコン膜６'をパターニングすることにより、図２４（ｄ）に示すように、島状の半導体層５およびコンタクト層６を得る。なお、半導体層５に用いる半導体膜はアモルファスシリコン膜に限定されない。例えば、半導体層５として酸化物半導体層を形成してもよい。この場合には、半導体層５と、ソース電極およびドレイン電極との間にコンタクト層を設けなくてもよい。
次いで、図２４（ｅ）に示すように、ゲート絶縁膜４上およびコンタクト層６上にソース用導電膜７'を形成する。ここでは、ソース用導電膜７'として、ＭｏＮ（厚さ：例えば５０ｎｍ）、Ａｌ（厚さ：例えば１５０ｎｍ）およびＭｏＮ（厚さ：例えば１００ｎｍ）をこの順で積層した積層膜（ＭｏＮ／Ａｌ／ＭｏＮ）を形成する。
次いで、ソース用導電膜７'をパターニングすることによって、図２４（ｆ）に示すように、ソース電極７Ｓおよびドレイン電極７Ｄ、ソースバスラインＳＬ、上部容量電極７Ｃ、ならびに、ソースバスライン接続部７ｓｇを含むソースメタル層７を形成する。このとき、コンタクト層６もエッチングされ、互いに分離されたソースコンタクト層６Ｓとドレインコンタクト層６Ｄとが形成される。ここでは、ソース用導電膜７'のパターニングは、ウェットエッチングによって行う。例えばリン酸、硝酸および酢酸を含む水溶液を用いて、ウェットエッチングでＭｏＮ膜およびＡｌ膜を同時にパターニングする。このようにして、ＴＦＴ１０が得られる。
ここで、ソース−ゲート接続部形成領域において、ソース下部接続配線３ｓｇの少なくとも一部は、ソースバスライン接続部７ｓｇと重ならないようにソースメタル層７が形成されている。また、各端子部形成領域は、ソースメタル層７に含まれる導電部を有しない。
次に、図２５（ａ）に示すように、ＴＦＴ１０およびソースメタル層７を覆うように第１絶縁膜１１を形成する。簡単のために、第１絶縁層１１と第１絶縁膜１１とを同じ参照符号で示す。この例では、第１絶縁膜１１は、半導体層５のチャネル領域と接するように形成される。ここでは、第１絶縁膜１１として、例えば厚さ３３０ｎｍの窒化珪素（ＳｉｘＮｙ）膜を形成する。
次いで、公知のフォトリソグラフィプロセスによって、第１絶縁膜１１およびゲート絶縁膜４のエッチングを行うことにより、図２５（ｂ）に示すように、第１絶縁膜１１およびゲート絶縁膜４に開口部を形成する。具体的には、アンテナ単位形成領域においてドレイン電極７Ｄの延設部に達する開口部１１ａと、ソース−ゲート接続部形成領域においてソース下部接続配線３ｓｇに達するコンタクトホールＣＨ＿ｓｇおよびソースバスライン接続部７ｓｇに達する開口部１１ｓｇ２と、第１トランスファー端子部形成領域において下部接続部３ｐ１に達するコンタクトホールＣＨ＿ｐ１とを形成する。
このエッチング工程では、ソースメタル層７をエッチストップとして第１絶縁膜１１およびゲート絶縁膜４のエッチングが行われる。例えばソース−ゲート接続部形成領域では、コンタクトホールＣＨ＿ｓｇ形成領域においては第１絶縁膜１１およびゲート絶縁膜４が一括してエッチングされるとともに、開口部１１ｓｇ２形成領域においてはソースバスライン接続部７ｓｇがエッチストップとして機能することにより第１絶縁膜１１のみがエッチングされる。これにより、コンタクトホールＣＨ＿ｓｇおよび開口部１１ｓｇ２が得られる。コンタクトホールＣＨ＿ｓｇは、ゲート絶縁膜４に形成され、ソース下部接続配線３ｓｇに達する開口部４ｓｇ１と、第１絶縁膜１１に形成され、開口部４ｓｇ１に重なる開口部１１ｓｇ１とを有する。ここで、ソース下部接続配線３ｓｇの少なくとも一部は、ソースバスライン接続部７ｓｇと重ならないように形成されているので、開口部４ｓｇ１と開口部１１ｓｇ１とを有するコンタクトホールＣＨ＿ｓｇが形成される。コンタクトホールＣＨ＿ｓｇの側面において、開口部４ｓｇ１の側面と開口部１１ｓｇ１の側面とが整合していてもよい。
第１絶縁膜１１およびゲート絶縁膜４は、例えば、同一のエッチャントを用いて一括してエッチングされる。ここでは、フッ素系ガスを用いたドライエッチングによって第１絶縁膜１１およびゲート絶縁膜４をエッチングする。第１絶縁膜１１およびゲート絶縁膜４は、異なるエッチャントを用いてエッチングされてもよい。
この工程で形成されるコンタクトホールのうち、第１絶縁膜１１に形成された開口部とゲート絶縁膜４に形成された開口部とを有するコンタクトホールでは、第１絶縁膜１１に形成された開口部の側面とゲート絶縁膜４に形成された開口部の側面とは整合し得る。
第１トランスファー端子部形成領域においては、ソースメタル層７に含まれる導電部が形成されていないので、第１絶縁膜１１およびゲート絶縁膜４が一括してエッチングされることによってコンタクトホールＣＨ＿ｐ１が形成される。コンタクトホールＣＨ＿ｐ１は、ゲート絶縁層４に形成され、下部接続部３ｐ１に達する開口部４ｐ１と、第１絶縁層１１に形成され、開口部４ｐ１に重なる開口部１１ｐ１とを有する。コンタクトホールＣＨ＿ｐ１の側面において、開口部４ｐ１の側面と開口部１１ｐ１の側面とが整合していてもよい。
次いで、図２５（ｃ）に示すように、第１絶縁膜１１上、開口部１１ａ内、コンタクトホールＣＨ＿ｓｇ内、開口部１１ｓｇ２内、およびコンタクトホールＣＨ＿ｐ１内に、例えばスパッタ法により下部導電膜１３'を形成する。下部導電膜１３’は、例えば透明導電膜を含む。ここでは、下部導電膜１３'として、例えば厚さ７０ｎｍのＩＴＯ膜を用いる。
次いで、下部導電膜１３'をパターニングすることにより、図２５（ｄ）に示すように、下部導電層１３を得る。具体的には、アンテナ単位形成領域において開口部１１ａ内でドレイン電極７Ｄの延設部と接触する第１接続部１３ａと、ソース−ゲート接続部形成領域においてコンタクトホールＣＨ＿ｓｇ内でソース下部接続配線３ｓｇと接触し、開口部１１ｓｇ２内でソースバスライン接続部７ｓｇと接触する第１接続部１３ｓｇと、第１トランスファー端子部形成領域においてコンタクトホールＣＨ＿ｐ１内で下部接続部３ｐ１と接触する第１導電部１３ｐ１とを含む下部導電層１３を得る。ここでは、ソース−ゲート接続部形成領域において、第１接続部１３ｓｇは、ソース下部接続配線３ｓｇの内、開口部４ｓｇ１によって露出されている部分を覆うように、かつ、ソースバスライン接続部７ｓｇの内、開口部１１ｓｇ２によって露出されている部分を覆うように形成される。
続いて、図２６（ａ）に示すように、第１絶縁膜１１上および下部導電層１３上にパッチ用導電膜１５'を形成する。ここでは、パッチ用導電膜１５'として、Ｔｉ膜（厚さ：例えば２０ｎｍ）およびＣｕ膜（厚さ：例えば５００ｎｍ）をこの順で含む積層膜（Ｃｕ／Ｔｉ）を用いる。
次いで、パッチ用導電膜１５'をパターニングすることにより、図２６（ｂ）に示すように、パッチメタル層１５ｌを得る。具体的には、アンテナ単位領域形成領域のパッチ電極１５および第２接続部１５ａと、第１トランスファー端子部形成領域の第２導電部１５ｐ１と、第２トランスファー端子部形成領域の下部接続部１５ｐ２とを含むパッチメタル層１５ｌを得る。アンテナ単位形成領域の第２接続部１５ａは、第１接続部１３ａに接触するように形成される。第１トランスファー端子部形成領域の第２導電部１５ｐ１は、第１導電部１３ｐ１に接触するように形成される。パッチ用導電膜１５'のパターニングには、エッチング液として、例えば混酸水溶液を用いることができる。
パッチ用導電膜１５’のパターニング工程において、ソース−ゲート接続部形成領域のパッチ用導電膜１５’は除去される。コンタクトホールＣＨ＿ｓｇ内および開口部１１ｓｇ２内には第１接続部１３ｓｇが形成されているので、パッチ用導電膜１５’のパターニング工程において、エッチングによるソース下部接続配線３ｓｇおよび／またはソースバスライン接続部７ｓｇへのダメージが軽減される。
ここでは、ソース下部接続配線３ｓｇの内、コンタクトホールＣＨ＿ｓｇによって露出されている部分は、第１接続部１３ｓｇで覆われており、ソースバスライン接続部７ｓｇの内、開口部１１ｓｇ２によって露出されている部分は、第１接続部１３ｓｇで覆われている。これにより、ソースバスライン接続部７ｓｇおよび／またはソース下部接続配線３ｓｇへのエッチングダメージは、効果的に軽減される。
次いで、図２６（ｃ）に示すように、パッチメタル層１５ｌ上、下部導電層１３上および第１絶縁層１１上に第２絶縁膜１７を形成する。簡単のために、第２絶縁層１７と第２絶縁膜１７とを同じ参照符号で示す。ここでは、第２絶縁膜１７として、例えば厚さ１００ｎｍの窒化珪素（ＳｉｘＮｙ）膜を形成する。
続いて、公知のフォトリソグラフィプロセスによって、第２絶縁膜１７、第１絶縁膜１１およびゲート絶縁膜４のエッチングを行うことにより、図２７（ａ）に示すように、第２絶縁層１７、第１絶縁層１１およびゲート絶縁層４を得る。具体的には、ソース−ゲート接続部形成領域において第１接続部１３ｓｇに達する開口部１７ｓｇ１および開口部１７ｓｇ２と、ソース端子部形成領域において下部接続部３ｓＡに達するコンタクトホールＣＨ＿ｓと、ゲート端子部形成領域において下部接続部３ｇＡに達するコンタクトホールＣＨ＿ｇと、ＣＳ端子部形成領域において下部接続部３ｃに達するコンタクトホールＣＨ＿ｃと、第１トランスファー端子部形成領域において第２導電部１５ｐ１に達する開口部１７ｐ１と、第２トランスファー端子部形成領域において下部接続部１５ｐ２に達する開口部１７ｐ２とを形成する。ここでは、例えばフッ素系ガスを用いたドライエッチングにより、第２絶縁膜１７、第１絶縁膜１１およびゲート絶縁膜４のエッチングを行う。
ソース端子部形成領域においては、第２絶縁膜１７、第１絶縁膜１１およびゲート絶縁膜４が例えば一括してエッチングされることによってコンタクトホールＣＨ＿ｓが形成される。コンタクトホールＣＨ＿ｓは、ゲート絶縁層４に形成され、下部接続部３ｓＡに達する開口部４ｓと、第１絶縁層１１に形成され、開口部４ｓに重なる開口部１１ｓと、第２絶縁層１７に形成され、開口部１１ｓに重なる開口部１７ｓとを有する。コンタクトホールＣＨ＿ｓの側面において、開口部４ｓの側面と開口部１１ｓの側面と開口部１７ｓの側面とが整合していてもよい。
同様に、ゲート端子部形成領域においては、第２絶縁膜１７、第１絶縁膜１１およびゲート絶縁膜４が例えば一括してエッチングされることによってコンタクトホールＣＨ＿ｇが形成される。コンタクトホールＣＨ＿ｇは、ゲート絶縁層４に形成され、下部接続部３ｇＡに達する開口部４ｇと、第１絶縁層１１に形成され、開口部４ｇに重なる開口部１１ｇと、第２絶縁層１７に形成され、開口部１１ｇに重なる開口部１７ｇとを有する。コンタクトホールＣＨ＿ｇの側面において、開口部４ｇの側面と開口部１１ｇの側面と開口部１７ｇの側面とが整合していてもよい。
ＣＳ端子部形成領域においては、第２絶縁膜１７、第１絶縁膜１１およびゲート絶縁膜４が例えば一括してエッチングされることによってコンタクトホールＣＨ＿ｃが形成される。コンタクトホールＣＨ＿ｃは、ゲート絶縁層４に形成され、下部接続部３ｃに達する開口部４ｃと、第１絶縁層１１に形成され、開口部４ｃに重なる開口部１１ｃと、第２絶縁層１７に形成され、開口部１１ｃに重なる開口部１７ｃとを有する。コンタクトホールＣＨ＿ｃの側面において、開口部４ｃの側面と開口部１１ｃの側面と開口部１７ｃの側面とが整合していてもよい。
次いで、図２７（ｂ）に示すように、第２絶縁層１７上、コンタクトホールＣＨ＿ｓ内、コンタクトホールＣＨ＿ｇ内、コンタクトホールＣＨ＿ｃ内、開口部１７ｓｇ１内、開口部１７ｓｇ２内、開口部１７ｐ１内、および開口部１７ｐ２内に、例えばスパッタ法により上部導電膜１９'を形成する。上部導電膜１９’は、例えば透明導電膜を含む。ここでは、上部導電膜１９'として、例えば厚さ７０ｎｍのＩＴＯ膜を用いる。あるいは、上部導電膜１９'として、Ｔｉ（厚さ：例えば５０ｎｍ）およびＩＴＯ（厚さ：例えば７０ｎｍ）をこの順で積層した積層膜（ＩＴＯ／Ｔｉ）を用いてもよい。Ｔｉ膜に代えて、ＭｏＮｂＮｉ膜、ＭｏＮｂ膜、ＭｏＷ膜、Ｗ膜およびＴａ膜からなる群から選択される１つの膜または２以上の膜の積層膜を用いてもよい。すなわち、上部導電膜１９'として、Ｔｉ膜、ＭｏＮｂＮｉ膜、ＭｏＮｂ膜、ＭｏＷ膜、Ｗ膜およびＴａ膜からなる群から選択される１つの膜または２以上の膜の積層膜と、ＩＴＯ膜とをこの順で積層した積層膜を用いてもよい。
次いで、上部導電膜１９'をパターニングすることにより、図２７（ｃ）に示すように、上部導電層１９を得る。具体的には、ソース−ゲート接続部形成領域において開口部１７ｓｇ１内で第１接続部１３ｓｇと接触し、開口部１７ｓｇ２内で第１接続部１３ｓｇと接触する第２接続部１９ｓｇと、ソース端子部形成領域においてコンタクトホールＣＨ＿ｓ内で下部接続部３ｓＡと接触する上部接続部１９ｓＡと、ゲート端子部形成領域においてコンタクトホールＣＨ＿ｇ内で下部接続部３ｇＡと接触する上部接続部１９ｇＡと、ＣＳ端子部形成領域においてコンタクトホールＣＨ＿ｃ内で下部接続部３ｃと接触する上部接続部１９ｃと、第１トランスファー端子部形成領域において開口部１７ｐ１内で第２導電部１５ｐ１と接触する上部接続部１９ｐ１と、第２トランスファー端子部形成領域において開口部１７ｐ２内で下部接続部１５ｐ２と接触する上部接続部１９ｐ２とを形成する。これにより、アンテナ単位領域Ｕ、ソース−ゲート接続部ＳＧ、ソース端子部ＳＴ、ゲート端子部ＧＴ、ＣＳ端子部ＣＴ、第１トランスファー端子部ＰＴ１、および第２トランスファー端子部ＰＴ２が得られる。
このようにして、ＴＦＴ基板１０５が製造される。
・変形例１
以下、図２８〜図３０を参照しながら、本実施形態の変形例１のＴＦＴ基板を説明する。
図２８（ａ）〜（ｃ）は、本実施形態の変形例１のＴＦＴ基板１０６を例示する模式的な平面図である。ＴＦＴ基板１０６は、ソース−ゲート接続部ＳＧにおいて、ＴＦＴ基板１０５と異なる構造を有する。以下では、ＴＦＴ基板１０５と異なる点を主に説明する。
図２８（ａ）は、ＴＦＴ基板１０６の送受信領域Ｒ１のアンテナ単位領域Ｕを示し、図２８（ｂ）は、非送受信領域Ｒ２に設けられたトランスファー端子部ＰＴ、ゲート端子部ＧＴおよびＣＳ端子部ＣＴを示し、図２８（ｃ）は、非送受信領域Ｒ２に設けられたソース−ゲート接続部ＳＧおよびソース端子部ＳＴを示している。
図２９（ａ）〜（ｇ）および図３０は、それぞれ、ＴＦＴ基板１０６の模式的な断面図である。図２９（ａ）は、図２８（ａ）中のＡ−Ａ'線に沿ったアンテナ単位領域Ｕの断面を示し、図２９（ｂ）は、図２８（ｂ）中のＢ−Ｂ'線に沿った第１トランスファー端子部ＰＴ１の断面を示し、図２９（ｃ）は、図２８（ｃ）中のＣ−Ｃ'線に沿ったソース−ゲート接続部ＳＧの断面を示し、図２９（ｄ）は、図２８（ｃ）中のＤ−Ｄ'線に沿ったソース端子部ＳＴの断面を示し、図２９（ｅ）は、図２８（ｂ）中のＥ−Ｅ'線に沿った第２トランスファー端子部ＰＴ２の断面を示し、図２９（ｆ）は、図２８（ｂ）中のＦ−Ｆ'線に沿った第１トランスファー端子部ＰＴ１の断面を示し、図２９（ｇ）は、図２８（ｃ）中のＧ−Ｇ'線に沿ったソース−ゲート接続部ＳＧの断面を示し、図３０は、図２８（ｃ）中のＨ−Ｈ'線に沿ったソース−ゲート接続部ＳＧおよびソース端子部ＳＴの断面を示している。
図２８（ｃ）、図２９（ｃ）、図２９（ｇ）および図３０に示すように、ＴＦＴ基板１０６のソース−ゲート接続部ＳＧは、パッチメタル層１５ｌに含まれる接続部１５ｓｇをさらに有する点において、ＴＦＴ基板１０５のソース−ゲート接続部ＳＧと異なる。ＴＦＴ基板１０５のソース−ゲート接続部ＳＧは、第１接続部１３ｓｇを有するのに対し、ＴＦＴ基板１０６のソース−ゲート接続部ＳＧは、下部導電層１３に含まれる接続部１３ｓｇおよびパッチメタル層１５ｌに含まれる接続部１５ｓｇを含む第１接続部１６ｓｇを有する。
このような構造を有するＴＦＴ基板１０６においても、ソース−ゲート接続部ＳＧを設けることによって、ソース端子部ＳＴの下部接続部をゲートメタル層３で形成することができる。これによって、ＴＦＴ基板１０６のソース端子部ＳＴは優れた信頼性を有する。
ＴＦＴ基板１０６のソース−ゲート接続部ＳＧは、ソース下部接続配線３ｓｇと、ゲート絶縁層４に形成された開口部４ｓｇ１と、ソースバスライン接続部７ｓｇと、第１絶縁層１１に形成された開口部１１ｓｇ１および開口部１１ｓｇ２と、ソース−ゲート接続用第１接続部１６ｓｇ（単に「第１接続部１６ｓｇ」ということがある。）と、第２絶縁層１７に形成された開口部１７ｓｇ１および開口部１７ｓｇ２と、ソース−ゲート接続用第２接続部１９ｓｇ（単に「第２接続部１９ｓｇ」ということがある。）とを有する。第１接続部１６ｓｇは、下部導電層１３に含まれる接続部１３ｓｇおよびパッチメタル層１５ｌに含まれる接続部１５ｓｇを含む。
第１接続部１６ｓｇは、第１絶縁層１１上、コンタクトホールＣＨ＿ｓｇ内、および、第１絶縁層１１に形成された開口部１１ｓｇ２内に形成され、コンタクトホールＣＨ＿ｓｇ内でソース下部接続配線３ｓｇに接続され、開口部１１ｓｇ２内でソースバスライン接続部７ｓｇに接続される。すなわち、第１接続部１６ｓｇは、ゲート絶縁層４に形成された開口部４ｓｇ１内でソース下部接続配線３ｓｇに接触し、第１絶縁層１１に形成された開口部１１ｓｇ２内でソースバスライン接続部７ｓｇに接触している。
下部導電層１３に含まれる接続部１３ｓｇは、例えば、ＴＦＴ基板１０５のソース−ゲート接続部ＳＧが有する第１接続部１３ｓｇと同様であってもよい。下部導電層１３に含まれる接続部１３ｓｇは、例えば図示するように、第１絶縁層１１上、コンタクトホールＣＨ＿ｓｇ内、および、第１絶縁層１１に形成された開口部１１ｓｇ２内に形成され、コンタクトホールＣＨ＿ｓｇ内でソース下部接続配線３ｓｇに接続され、開口部１１ｓｇ２内でソースバスライン接続部７ｓｇに接続される。
パッチメタル層１５ｌに含まれる接続部１５ｓｇは、接続部１３ｓｇ上に、接続部１３ｓｇと接触するように形成されている。
第２絶縁層１７に形成された開口部１７ｓｇ１および開口部１７ｓｇ２は、それぞれ、第１接続部１６ｓｇに達している。
第２接続部１９ｓｇは、上部導電層１９に含まれる。第２接続部１９ｓｇは、第２絶縁層１７上、開口部１７ｓｇ１内および開口部１７ｓｇ２内に形成され、開口部１７ｓｇ１内および開口部１７ｓｇ２内で第１接続部１６ｓｇに接続される。すなわち、第２接続部１９ｓｇは、開口部１７ｓｇ１内および開口部１７ｓｇ２内で第１接続部１６ｓｇに接触している。
ＴＦＴ基板１０６のソース−ゲート接続部ＳＧは、コンタクトホールＣＨ＿ｓｇ内および開口部１１ｓｇ２内に形成された第１接続部１６ｓｇを有するので、パッチ用導電膜のパターニング工程における、エッチングによるソース下部接続配線３ｓｇおよび／またはソースバスライン接続部７ｓｇへのダメージを軽減することができる。従って、ＴＦＴ基板１０６は動作安定性に優れている。
ゲートメタル層３へのエッチングダメージを効果的に軽減する観点およびソースバスライン接続部７ｓｇとソース下部接続配線３ｓｇとの間の電気抵抗を下げる観点からは、ソース下部接続配線３ｓｇの内、開口部４ｓｇ１によって露出されている部分は、第１接続部１６ｓｇで覆われていることが好ましい。すなわち、ソース下部接続配線３ｓｇの内、開口部４ｓｇ１によって露出されている部分は、下部導電層１３に含まれる接続部１３ｓｇおよび／またはパッチメタル層１５ｌに含まれる接続部１５ｓｇで覆われていることが好ましい。同様に、ソースメタル層７へのエッチングダメージを効果的に軽減する観点からは、ソースバスライン接続部７ｓｇの内、開口部１１ｓｇ２によって露出されている部分は、第１接続部１６ｓｇで覆われていることが好ましい。すなわち、ソースバスライン接続部７ｓｇの内、開口部１１ｓｇ２によって露出されている部分は、下部導電層１３に含まれる接続部１３ｓｇおよび／またはパッチメタル層１５ｌに含まれる接続部１５ｓｇで覆われていることが好ましい。
コンタクトホールＣＨ＿ｓｇおよび開口部１１ｓｇ２の内、パッチメタル層１５ｌに含まれる接続部１５ｓｇと重なっている部分は、パッチ用導電膜を除去しないので、パッチ用導電膜のパターニング工程において、ソース下部接続配線３ｓｇおよびソースバスライン接続部７ｓｇがエッチングダメージを受けるという問題が生じない。誘電体基板１の法線方向から見たとき、開口部４ｓｇ１の全ておよび開口部１１ｓｇ２の全ては、パッチメタル層１５ｌに含まれる接続部１５ｓｇと重なっていることが好ましい。
ＴＦＴ基板１０６は、ＴＦＴ基板１０５に比べて、パッチ用導電膜のパターニング工程におけるエッチングダメージが少ない。また、ＴＦＴ基板１０６のソース−ゲート接続部ＳＧの第１接続部１６ｓｇは、パッチメタル層１５ｌを含むので、ＴＦＴ基板１０５のソース−ゲート接続部ＳＧの第１接続部１３ｓｇに比べて電気抵抗が低減される。
ＴＦＴ基板１０６は、ソース−ゲート接続部ＳＧに第２接続部１９ｓｇを有することによって、優れた動作安定性を有する。上述したように、ソース−ゲート接続部ＳＧにおいて、ソースバスライン接続部７ｓｇと、ソース下部接続配線３ｓｇとは、第１接続部１６ｓｇおよび第２接続部１９ｓｇを介して電気的に接続されている。ソース−ゲート接続部ＳＧが、ソースメタル層７とゲートメタル層３とを接続する導電部として、第１接続部１６ｓｇに加えて第２接続部１９ｓｇを有することによって、導電部全体としての電気抵抗（配線抵抗）が低減される。また、導電部として第１接続部１６ｓｇおよび第２接続部１９ｓｇを有することによって、下部導電層１３に含まれる接続部１３ｓｇまたはパッチメタル層１５ｌに含まれる接続部１５ｓｇに断線が生じても、ソースバスライン接続部７ｓｇとソース下部接続配線３ｓｇとの電気的接続が確保されるという利点も得られる。従って、ＴＦＴ基板１０６は、動作安定性に優れている。
図示する例では、下部導電層１３に含まれる接続部１３ｓｇおよびパッチメタル層１５ｌに含まれる接続部１５ｓｇは、ともに、誘電体基板１の法線方向から見たとき、開口部４ｓｇ１および開口部１１ｓｇ２を覆うように形成されている。本実施形態はこの例に限定されず、既に述べたように、第１接続部１６ｓｇ全体として、ゲート絶縁層４に形成された開口部４ｓｇ１内でソース下部接続配線３ｓｇに接触し、第１絶縁層１１に形成された開口部１１ｓｇ２内でソースバスライン接続部７ｓｇに接触する導電部であればよい。例えば、下部導電層１３に含まれる接続部１３ｓｇおよびパッチメタル層１５ｌに含まれる接続部１５ｓｇのどちらか一方は、互いに分離されている複数の部分を含んでいてもよい。例えば、下部導電層１３に含まれる接続部１３ｓｇは、互いに分離されている複数の部分であって、誘電体基板１の法線方向から見たとき、開口部４ｓｇ１に重なる部分と、開口部１１ｓｇ２に重なる部分とを含む複数の部分を含んでもよい。このとき、パッチメタル層１５ｌに含まれる接続部１５ｓｇは、上記複数の部分の両方に接触するように形成されていればよい。
第１接続部１６ｓｇおよび第２接続部１９ｓｇ全体の電気抵抗（配線抵抗）を低下させる観点からは、誘電体基板１の法線方向から見たとき、第１接続部１６ｓｇと、第２接続部１９ｓｇとは重なることが好ましく、誘電体基板１の法線方向から見たとき、第１接続部１６ｓｇと、第２接続部１９ｓｇとが重なる面積は大きいことが好ましい。図示する例では、誘電体基板１の法線方向から見たとき、第１接続部１６ｓｇの全ては、第２接続部１９ｓｇと重なっている。誘電体基板１の法線方向から見たとき、第２接続部１９ｓｇの全てが、第１接続部１６ｓｇと重なっていてもよい。
図３１（ａ）〜（ｂ）および図３２（ａ）〜（ｃ）を参照して、ＴＦＴ基板１０６の製造方法を説明する。図３１（ａ）〜（ｂ）および図３２（ａ）〜（ｃ）は、ＴＦＴ基板１０６の製造方法の一例を示す工程断面図である。これらの図は、それぞれ、図２９（ａ）〜（ｅ）および（ｇ）に対応する断面を示している。以下では、ＴＦＴ基板１０５の製造方法と異なる点を主に説明する。
ＴＦＴ基板１０６の製造方法は、ソース−ゲート接続部ＳＧの製造方法を除いて、図２４〜図２７に示したＴＦＴ基板１０５の製造方法と同様である。
まず、図２４（ａ）〜（ｆ）、図２５（ａ）〜（ｄ）および図２６（ａ）を参照して説明したのと同様に、ゲートメタル層３、ゲート絶縁膜４、島状の半導体層５、コンタクト層６Ｓ、６Ｄ、ソースメタル層７、第１絶縁膜１１、下部導電層１３、およびパッチ用導電膜１５’を形成する。
次いで、パッチ用導電膜１５'をパターニングすることにより、図３１（ａ）に示すように、パッチメタル層１５ｌを得る。ここでは、ソース−ゲート接続部形成領域において接続部１３ｓｇ上に接続部１５ｓｇを形成する点において、ＴＦＴ基板１０５の製造方法と異なる。接続部１５ｓｇは、接続部１３ｓｇと接触するように形成される。これにより、第１接続部１６ｓｇが形成される。
パッチ用導電膜１５’のパターニング工程において、ＴＦＴ基板１０５の製造方法では、ソース−ゲート接続部形成領域のパッチ用導電膜１５’が除去されるのに対し、ＴＦＴ基板１０６の製造方法では、ソース−ゲート接続部形成領域に、パッチメタル層１５ｌに含まれる接続部１５ｓｇが形成される。
コンタクトホールＣＨ＿ｓｇ内および開口部１１ｓｇ２内には第１接続部１６ｓｇが形成されているので、パッチ用導電膜１５’のパターニング工程における、エッチングによるソース下部接続配線３ｓｇおよび／またはソースバスライン接続部７ｓｇへのダメージが軽減される。
ここでは、ソース下部接続配線３ｓｇの内、コンタクトホールＣＨ＿ｓｇによって露出されている部分は、第１接続部１６ｓｇで覆われており、ソースバスライン接続部７ｓｇの内、開口部１１ｓｇ２によって露出されている部分は、第１接続部１６ｓｇで覆われている。これにより、パッチ用導電膜１５’のパターニング工程における、エッチングによるソースバスライン接続部７ｓｇおよび／またはソース下部接続配線３ｓｇへのダメージが軽減される。
ここでは、図示するように、誘電体基板１の法線方向から見たとき、開口部４ｓｇ１の全ておよび開口部１１ｓｇ２の全てが、パッチメタル層１５ｌに含まれる接続部１５ｓｇと重なるように形成される。従って、パッチ用導電膜のパターニング工程において、ソース下部接続配線３ｓｇおよびソースバスライン接続部７ｓｇがエッチングダメージを受けるという問題が生じない。
次いで、図３１（ｂ）に示すように、パッチメタル層１５ｌ上、下部導電層１３上および第１絶縁層１１上に第２絶縁膜１７を形成する。この工程は、図２６（ｃ）を参照して説明した工程と同様に行われる。
続いて、公知のフォトリソグラフィプロセスによって、第２絶縁膜１７、第１絶縁膜１１およびゲート絶縁膜４のエッチングを行うことにより、図３２（ａ）に示すように、第２絶縁層１７、第１絶縁層１１およびゲート絶縁層４を得る。この工程は、図２７（ａ）を参照して説明した工程と同様に行われる。
次いで、図３２（ｂ）に示すように、第２絶縁層１７上、コンタクトホールＣＨ＿ｓ内、コンタクトホールＣＨ＿ｇ内、コンタクトホールＣＨ＿ｃ内、開口部１７ｓｇ１内、開口部１７ｓｇ２内、開口部１７ｐ１内、および開口部１７ｐ２内に、例えばスパッタ法により上部導電膜１９'を形成する。この工程は、図２７（ｂ）を参照して説明した工程と同様に行われる。
次いで、上部導電膜１９'をパターニングすることにより、図３２（ｃ）に示すように、上部導電層１９を得る。この工程は、図２７（ｃ）を参照して説明した工程と同様に行われる。
このようにして、ＴＦＴ基板１０６が製造される。
・変形例２
以下、図３３〜図３５を参照しながら、本実施形態の変形例２のＴＦＴ基板を説明する。
図３３（ａ）〜（ｃ）は、本実施形態の変形例２のＴＦＴ基板１０７を例示する模式的な平面図である。ＴＦＴ基板１０７は、下部導電層１３を有しない点において、ＴＦＴ基板１０６と異なる。以下では、ＴＦＴ基板１０６と異なる点を主に説明する。
図３３（ａ）は、ＴＦＴ基板１０７の送受信領域Ｒ１のアンテナ単位領域Ｕを示し、図３３（ｂ）は、非送受信領域Ｒ２に設けられたトランスファー端子部ＰＴ、ゲート端子部ＧＴおよびＣＳ端子部ＣＴを示し、図３３（ｃ）は、非送受信領域Ｒ２に設けられたソース−ゲート接続部ＳＧおよびソース端子部ＳＴを示している。
図３４（ａ）〜（ｇ）および図３５は、それぞれ、ＴＦＴ基板１０７の模式的な断面図である。図３４（ａ）は、図３３（ａ）中のＡ−Ａ'線に沿ったアンテナ単位領域Ｕの断面を示し、図３４（ｂ）は、図３３（ｂ）中のＢ−Ｂ'線に沿った第１トランスファー端子部ＰＴ１の断面を示し、図３４（ｃ）は、図３３（ｃ）中のＣ−Ｃ'線に沿ったソース−ゲート接続部ＳＧの断面を示し、図３４（ｄ）は、図３３（ｃ）中のＤ−Ｄ'線に沿ったソース端子部ＳＴの断面を示し、図３４（ｅ）は、図３３（ｂ）中のＥ−Ｅ'線に沿った第２トランスファー端子部ＰＴ２の断面を示し、図３４（ｆ）は、図３３（ｂ）中のＦ−Ｆ'線に沿った第１トランスファー端子部ＰＴ１の断面を示し、図３４（ｇ）は、図３３（ｃ）中のＧ−Ｇ'線に沿ったソース−ゲート接続部ＳＧの断面を示し、図３５は、図３３（ｃ）中のＨ−Ｈ'線に沿ったソース−ゲート接続部ＳＧおよびソース端子部ＳＴの断面を示している。
＜ソース−ゲート接続部ＳＧ＞
図３３（ｃ）、図３４（ｃ）、図３４（ｇ）および図３５に示すように、ＴＦＴ基板１０６のソース−ゲート接続部ＳＧは、下部導電層１３に含まれる接続部１３ｓｇを有しない点において、ＴＦＴ基板１０６のソース−ゲート接続部ＳＧと異なる。ＴＦＴ基板１０６のソース−ゲート接続部ＳＧは、下部導電層１３に含まれる接続部１３ｓｇおよびパッチメタル層１５ｌに含まれる接続部１５ｓｇを含む第１接続部１６ｓｇを有するのに対し、ＴＦＴ基板１０７のソース−ゲート接続部ＳＧの第１接続部は、パッチメタル層１５ｌに含まれる第１接続部１５ｓｇを有する。
このような構造を有するＴＦＴ基板１０７においても、ソース−ゲート接続部ＳＧを設けることによって、ソース端子部ＳＴの下部接続部をゲートメタル層３で形成することができる。これによって、ＴＦＴ基板１０７のソース端子部ＳＴは優れた信頼性を有する。
ＴＦＴ基板１０７のソース−ゲート接続部ＳＧは、具体的には、ソース下部接続配線３ｓｇと、ゲート絶縁層４に形成された開口部４ｓｇ１と、ソースバスライン接続部７ｓｇと、第１絶縁層１１に形成された開口部１１ｓｇ１および開口部１１ｓｇ２と、ソース−ゲート接続用第１接続部１５ｓｇ（単に「第１接続部１５ｓｇ」ということがある。）と、第２絶縁層１７に形成された開口部１７ｓｇ１および開口部１７ｓｇ２と、ソース−ゲート接続用第２接続部１９ｓｇ（単に「第２接続部１９ｓｇ」ということがある。）とを有する。
第１接続部１５ｓｇは、第１絶縁層１１上、コンタクトホールＣＨ＿ｓｇ内、および、第１絶縁層１１に形成された開口部１１ｓｇ２内に形成され、コンタクトホールＣＨ＿ｓｇ内でソース下部接続配線３ｓｇに接続され、開口部１１ｓｇ２内でソースバスライン接続部７ｓｇに接続される。すなわち、第１接続部１５ｓｇは、ゲート絶縁層４に形成された開口部４ｓｇ１内でソース下部接続配線３ｓｇに接触し、第１絶縁層１１に形成された開口部１１ｓｇ２内でソースバスライン接続部７ｓｇに接触している。
第２絶縁層１７に形成された開口部１７ｓｇ１および開口部１７ｓｇ２は、それぞれ、第１接続部１５ｓｇに達している。
第２接続部１９ｓｇは、上部導電層１９に含まれる。第２接続部１９ｓｇは、第２絶縁層１７上、開口部１７ｓｇ１内および開口部１７ｓｇ２内に形成され、開口部１７ｓｇ１内および開口部１７ｓｇ２内で第１接続部１５ｓｇに接続される。すなわち、第２接続部１９ｓｇは、開口部１７ｓｇ１内および開口部１７ｓｇ２内で第１接続部１５ｓｇに接触している。
ＴＦＴ基板１０７のソース−ゲート接続部ＳＧは、コンタクトホールＣＨ＿ｓｇ内および開口部１１ｓｇ２内に形成された第１接続部１５ｓｇを有するので、パッチ用導電膜のパターニング工程における、エッチングによるソース下部接続配線３ｓｇおよび／またはソースバスライン接続部７ｓｇへのダメージが軽減される。従って、ＴＦＴ基板１０７は動作安定性に優れている。
ソース下部接続配線３ｓｇの内、開口部４ｓｇ１によって露出されている部分は、第１接続部１５ｓｇで覆われていることが好ましく、ソースバスライン接続部７ｓｇの内、開口部１１ｓｇ２によって露出されている部分は、第１接続部１５ｓｇで覆われていることが好ましい。すなわち、誘電体基板１の法線方向から見たとき、開口部４ｓｇ１の全ておよび開口部１１ｓｇ２の全ては、第１接続部１５ｓｇと重なっていることが好ましい。このような場合は、パッチ用導電膜のパターニング工程において、ソース下部接続配線３ｓｇおよびソースバスライン接続部７ｓｇがエッチングダメージを受けるという問題が生じない。また、このような場合は、ソースバスライン接続部７ｓｇとソース下部接続配線３ｓｇとの間の電気抵抗を低減することができる。
ＴＦＴ基板１０６と比較すると、ＴＦＴ基板１０７では、ソース−ゲート接続部ＳＧにおいて下部導電層１３に含まれる接続部１３ｓｇが省略されている。しかしながら、パッチ用導電膜のパターニング工程における、ゲートメタル層３および／またはソースメタル層７のエッチングダメージを抑制する効果については、ＴＦＴ基板１０７においても、ＴＦＴ基板１０６と同様に得ることができる。従って、ＴＦＴ基板１０７は、ＴＦＴ基板１０６に比べて、動作安定性を低下させることなく、製造コストを削減することができる。
ＴＦＴ基板１０７は、ソース−ゲート接続部ＳＧに第２接続部１９ｓｇを有することによって、優れた動作安定性を有する。上述したように、ソース−ゲート接続部ＳＧにおいて、ソースバスライン接続部７ｓｇと、ソース下部接続配線３ｓｇとは、第１接続部１５ｓｇおよび第２接続部１９ｓｇを介して電気的に接続されている。ソース−ゲート接続部ＳＧが、ソースメタル層７とゲートメタル層３とを接続する導電部として、第１接続部１５ｓｇに加えて第２接続部１９ｓｇを有することによって、導電部全体としての電気抵抗（配線抵抗）が低減される。これにより、ＴＦＴ基板１０７は、動作安定性に優れている。
誘電体基板１の法線方向から見たとき、第１接続部１５ｓｇの全てが、第２接続部１９ｓｇと重なっている場合は、以下の利点がさらに得られる。ソースバスライン接続部７ｓｇとソース下部接続配線３ｓｇとを接続する導電部として第１接続部１５ｓｇおよび第２接続部１９ｓｇを有することによって、第１接続部１５ｓｇに断線が生じても、ソースバスライン接続部７ｓｇとソース下部接続配線３ｓｇとの電気的接続が確保される。これにより、ＴＦＴ基板１０７は、動作安定性に優れている。
第１接続部１５ｓｇおよび第２接続部１９ｓｇ全体の電気抵抗（配線抵抗）を低下させる観点からは、誘電体基板１の法線方向から見たとき、第１接続部１５ｓｇと、第２接続部１９ｓｇとは重なることが好ましく、誘電体基板１の法線方向から見たとき、第１接続部１５ｓｇと、第２接続部１９ｓｇとが重なる面積は大きいことが好ましい。図示する例では、誘電体基板１の法線方向から見たとき、第１接続部１５ｓｇの全ては、第２接続部１９ｓｇと重なっている。誘電体基板１の法線方向から見たとき、第２接続部１９ｓｇの全てが、第１接続部１５ｓｇと重なっていてもよい。
＜アンテナ単位領域Ｕ＞
図３３（ａ）および図３４（ａ）に示すように、アンテナ単位領域Ｕにおいて、ＴＦＴ基板１０７は、第１接続部１３ａを有しない点において、ＴＦＴ基板１０６と異なる。
アンテナ単位領域Ｕにおいて、パッチメタル層１５ｌは、パッチ電極１５と、第２接続部１５ａとを含む。第２接続部１５ａは、第１絶縁層１１上および開口部１１ａ内に形成され、開口部１１ａ内でＴＦＴ１０のドレイン電極７Ｄまたはドレイン電極７Ｄから延設された部分に接触する。
＜第１トランスファー端子部ＰＴ１＞
図３３（ｂ）および図３４（ｂ）に示すように、第１トランスファー端子部ＰＴ１において、ＴＦＴ基板１０７は、第１導電部１３ｐ１を有しない点において、ＴＦＴ基板１０６と異なる。
第１トランスファー端子部ＰＴ１は、第１トランスファー端子用下部接続部３ｐ１（単に「下部接続部３ｐ１」ということもある。）と、ゲート絶縁層４に形成された開口部４ｐ１と、第１絶縁層１１に形成された開口部１１ｐ１と、第１トランスファー端子用第２導電部１５ｐ１（単に「第２導電部１５ｐ１」ということもある。）と、第２絶縁層１７に形成された開口部１７ｐ１と、第１トランスファー端子用上部接続部１９ｐ１（単に「上部接続部１９ｐ１」ということもある。）とを有している。
第２導電部１５ｐ１は、パッチメタル層１５ｌに含まれる。第２導電部１５ｐ１は、第１絶縁層１１上およびコンタクトホールＣＨ＿ｐ１内に形成され、コンタクトホールＣＨ＿ｐ１内で下部接続部３ｐ１と接続されている。すなわち、第２導電部１５ｐ１は、コンタクトホールＣＨ＿ｐ１内で下部接続部３ｐ１と接触している。
第２絶縁層１７に形成された開口部１７ｐ１は、第２導電部１５ｐ１に達している。
上部接続部１９ｐ１は、上部導電層１９に含まれる。上部接続部１９ｐ１は、第２絶縁層１７上および開口部１７ｐ１内に形成され、開口部１７ｐ１内で第２導電部１５ｐ１と接続されている。すなわち、上部接続部１９ｐ１は、開口部１７ｐ１内で第２導電部１５ｐ１と接触している。
＜ＴＦＴ基板１０７の製造方法＞
図３６（ａ）〜（ｃ）および図３７（ａ）〜（ｃ）を参照して、ＴＦＴ基板１０７の製造方法を説明する。図３６（ａ）〜（ｃ）および図３７（ａ）〜（ｃ）は、ＴＦＴ基板１０７の製造方法の一例を示す工程断面図である。これらの図は、それぞれ、図３４（ａ）〜（ｅ）および（ｇ）に対応する断面を示している。以下では、ＴＦＴ基板１０５の製造方法と異なる点およびＴＦＴ基板１０６の製造方法と異なる点を主に説明する。
ＴＦＴ基板１０７の製造方法は、下部導電層１３を形成しない点を除いて、ＴＦＴ基板１０６の製造方法と同様である。
まず、図２４（ａ）〜（ｆ）および図２５（ａ）〜（ｂ）を参照して説明したのと同様に、ゲートメタル層３、ゲート絶縁膜４、島状の半導体層５、コンタクト層６Ｓ、６Ｄ、ソースメタル層７および第１絶縁膜１１を形成する。
続いて、図３６（ａ）に示すように、第１絶縁膜１１上にパッチ用導電膜１５'を形成する。この工程は、図２６（ａ）を参照して説明した工程と同様に行われる。
次いで、パッチ用導電膜１５'をパターニングすることにより、図３６（ｂ）に示すように、パッチメタル層１５ｌを得る。具体的には、アンテナ単位領域形成領域のパッチ電極１５および第２接続部１５ａと、ソース−ゲート接続部形成領域の第１接続部１５ｓｇと、第１トランスファー端子部形成領域の第２導電部１５ｐ１と、第２トランスファー端子部形成領域の下部接続部１５ｐ２とを含むパッチメタル層１５ｌを得る。この工程は、図３１（ａ）を参照して説明した工程と同様に行われる。
アンテナ単位形成領域の第２接続部１５ａは、第１絶縁膜１１に形成された開口部１１ａ内でドレイン電極７Ｄの延設部と接触するように形成される。ソース−ゲート接続部形成領域の第１接続部１５ｓｇは、コンタクトホールＣＨ＿ｓｇ内でソース下部接続配線３ｓｇと接触し、開口部１１ｓｇ２内でソースバスライン接続部７ｓｇと接触するように形成される。第１トランスファー端子部ＰＴ１における第２導電部１５ｐ１は、コンタクトホールＣＨ＿ｐ１内で下部接続部３ｐ１と接触するように形成される。
コンタクトホールＣＨ＿ｓｇ内および開口部１１ｓｇ２内には第１接続部１５ｓｇが形成されているので、パッチ用導電膜１５’のパターニング工程における、エッチングによるソース下部接続配線３ｓｇおよび／またはソースバスライン接続部７ｓｇへのダメージが軽減される。
ここでは、ソース下部接続配線３ｓｇの内、コンタクトホールＣＨ＿ｓｇによって露出されている部分は、第１接続部１５ｓｇで覆われており、ソースバスライン接続部７ｓｇの内、開口部１１ｓｇ２によって露出されている部分は、第１接続部１５ｓｇで覆われている。すなわち、誘電体基板１の法線方向から見たとき、開口部４ｓｇ１の全ておよび開口部１１ｓｇ２の全てが、第１接続部１５ｓｇと重なるように形成される。従って、ソースバスライン接続部７ｓｇおよび／またはソース下部接続配線３ｓｇへのエッチングダメージは生じない。
次いで、図３６（ｃ）に示すように、パッチメタル層１５ｌ上および第１絶縁層１１上に第２絶縁膜１７を形成する。この工程は、図３１（ｂ）を参照して説明した工程と同様に行われる。
続いて、公知のフォトリソグラフィプロセスによって、第２絶縁膜１７、第１絶縁膜１１およびゲート絶縁膜４のエッチングを行うことにより、図３７（ａ）に示すように、第２絶縁層１７、第１絶縁層１１およびゲート絶縁層４を得る。この工程は、図３２（ａ）を参照して説明した工程と同様に行われる。
次いで、図３７（ｂ）に示すように、第２絶縁層１７上、コンタクトホールＣＨ＿ｓ内、コンタクトホールＣＨ＿ｇ内、コンタクトホールＣＨ＿ｃ内、開口部１７ｓｇ１内、開口部１７ｓｇ２内、開口部１７ｐ１内、および開口部１７ｐ２内に、例えばスパッタ法により上部導電膜１９'を形成する。この工程は、図３２（ｂ）を参照して説明した工程と同様に行われる。
次いで、上部導電膜１９'をパターニングすることにより、図３７（ｃ）に示すように、上部導電層１９を得る。この工程は、図３２（ｃ）を参照して説明した工程と同様に行われる。
このようにして、ＴＦＴ基板１０７が製造される。
本発明の実施形態による走査アンテナは、必要に応じて、例えばプラスチック製の筺体に収容される。筺体にはマイクロ波の送受信に影響を与えない誘電率εMが小さい材料を用いることが好ましい。また、筺体の送受信領域Ｒ１に対応する部分には貫通孔を設けてもよい。さらに、液晶材料が光に曝されないように、遮光構造を設けてもよい。遮光構造は、例えば、ＴＦＴ基板１０１の誘電体基板１および／またはスロット基板２０１の誘電体基板５１の側面から誘電体基板１および／または５１内を伝播し、液晶層に入射する光を遮光するように設ける。誘電異方性ΔεMが大きな液晶材料は、光劣化しやすいものがあり、紫外線だけでなく、可視光の中でも短波長の青色光も遮光することが好ましい。遮光構造は、例えば、黒色の粘着テープなどの遮光性のテープを用いることによって、必要な個所に容易に形成できる。
本発明による実施形態は、例えば、移動体（例えば、船舶、航空機、自動車）に搭載される衛星通信や衛星放送用の走査アンテナおよびその検査に用いられる。
１ ：誘電体基板
２ ：下地絶縁膜
３ ：ゲートメタル層
３Ｇ ：ゲート電極
３ｃ、３ｇＡ、３ｐ１、３ｐ２、３ｓＡ：下部接続部
３ｓｇ ：ソース下部接続配線
４ ：ゲート絶縁層
４ｃ、４ｇ、４ｐ１、４ｓ、４ｓｇ１：開口部
５ ：半導体層
６Ｄ ：ドレインコンタクト層
６Ｓ ：ソースコンタクト層
７ ：ソースメタル層
７Ｄ ：ドレイン電極
７Ｓ ：ソース電極
７ｐ ：ソース接続配線
７ｓｇ ：ソースバスライン接続部
１１ ：第１絶縁層
１１ａ、１１ｃ、１１ｇ、１１ｐ１：開口部
１１ｓ、１１ｓｇ１、１１ｓｇ２：開口部
１３ ：下部導電層
１３ａ ：第１接続部
１３ｓｇ ：第１接続部（接続部）
１５ ：パッチ電極
１５ｌ ：パッチメタル層
１５ｐ ：パッチ接続部
１５ｓｇ ：第１接続部（接続部）
１６ｓｇ ：第１接続部
１７ ：第２絶縁層
１７ｃ、１７ｇ、１７ｐ１、１７ｐ２、１７ｓ：開口部
１７ｓｇ１、１７ｓｇ２：開口部
１８ｇ、１８ｓ、１８ｐ ：開口部
１９ ：上部導電層
１９ｇ ：ゲート端子用上部接続部
１９ｐ ：トランスファー端子用上部接続部
１９ｓ ：ソース端子用上部接続部
１９ｃ、１９ｇＡ、１９ｐ１、１９ｐ２、１９ｓＡ：上部接続部
１９ｓｇ：第２接続部
２１ ：アライメントマーク
２３ ：保護導電層
５１ ：誘電体基板
５２ ：第３絶縁層
５４ ：誘電体層（空気層）
５５ ：スロット電極
５５Ｌ ：下層
５５Ｍ ：主層
５５Ｕ ：上層
５５ｃ ：コンタクト面
５７ ：スロット
５８ ：第４絶縁層
６０ ：上部接続部
６５ ：反射導電板
６７ ：接着層
６８ ：ヒーター用抵抗膜
７０ ：給電装置
７１ ：導電性ビーズ
７２ ：給電ピン
７３ ：シール部
１０１、１０２、１０３、１０４ ：ＴＦＴ基板
１０５、１０６、１０７ ：ＴＦＴ基板
２０１、２０３ ：スロット基板
１０００ ：走査アンテナ
ＣＨ１、ＣＨ２、ＣＨ３、ＣＨ４、ＣＨ５、ＣＨ６ ：コンタクトホール
ＣＨ＿ｃ、ＣＨ＿ｇ：コンタクトホール
ＣＨ＿ｐ１、ＣＨ＿ｓ、ＣＨ＿ｓｇ：コンタクトホール
ＧＤ ：ゲートドライバ
ＧＬ ：ゲートバスライン
ＧＴ ：ゲート端子部
ＳＤ ：ソースドライバ
ＳＬ ：ソースバスライン
ＳＴ ：ソース端子部
ＰＴ ：トランスファー端子部
ＩＴ ：端子部
ＬＣ ：液晶層
Ｒ１ ：送受信領域
Ｒ２ ：非送受信領域
Ｒｓ ：シール領域
Ｕ、Ｕ１、Ｕ２ ：アンテナ単位、アンテナ単位領域

Claims (18)

  1. 誘電体基板と、前記誘電体基板上に配列された複数のアンテナ単位領域とを有し、
    前記複数のアンテナ単位領域のそれぞれは、ＴＦＴと、前記ＴＦＴのドレイン電極に接続されたパッチ電極とを有し、
    前記複数のアンテナ単位領域を含む送受信領域と、前記送受信領域以外の領域に位置する非送受信領域とを備えるＴＦＴ基板であって、
    前記誘電体基板に支持され、前記ＴＦＴのゲート電極および前記ゲート電極に接続されたゲートバスラインを含むゲートメタル層と、
    前記ゲートメタル層上に形成されたゲート絶縁層と、
    前記ゲート絶縁層上に形成され、前記ＴＦＴのソース電極、前記ドレイン電極、および前記ソース電極に接続されたソースバスラインを含むソースメタル層と、
    前記ソースメタル層上に形成された第１絶縁層と、
    前記第１絶縁層上に形成され、前記パッチ電極を含むパッチメタル層と、
    前記パッチメタル層上に形成された第２絶縁層と、
    前記第２絶縁層上に形成された上部導電層と
    を有し、
    前記非送受信領域に配置されたソース−ゲート接続部を有し、
    前記ソース−ゲート接続部は、
    前記ゲートメタル層に含まれ、前記ゲートバスラインと電気的に分離されたソース下部接続配線と、
    前記ゲート絶縁層に形成され、前記ソース下部接続配線に達する第１開口部と、
    前記ソースメタル層に含まれ、前記ソースバスラインに接続されたソースバスライン接続部と、
    前記第１絶縁層に形成され、前記誘電体基板の法線方向から見たとき前記第１開口部に重なる第２開口部と、
    前記第１絶縁層に形成され、前記ソースバスライン接続部に達する第３開口部と、
    前記第１絶縁層と前記第２絶縁層との間に形成された少なくとも１つの導電層を含み、前記第１開口部内で前記ソース下部接続配線に接続され、前記第３開口部内で前記ソースバスライン接続部に接続された第１接続部と、
    前記第２絶縁層に形成され、前記第１接続部に達する少なくとも１つの第４開口部と、
    前記上部導電層に含まれ、前記少なくとも１つの第４開口部内で前記第１接続部に接続された第２接続部と
    を有する、ＴＦＴ基板。
  2. 前記ソース下部接続配線の内、前記第１開口部によって露出されている部分は、前記第１接続部で覆われており、
    前記ソースバスライン接続部の内、前記第３開口部によって露出されている部分は、前記第１接続部で覆われている、請求項１に記載のＴＦＴ基板。
  3. 前記誘電体基板の法線方向から見たとき、前記第１接続部の全ては前記第２接続部と重なっている、または、前記第２接続部の全ては前記第１接続部と重なっている、請求項１または２に記載のＴＦＴ基板。
  4. 前記非送受信領域に配置されたソース端子部を有し、
    前記ソース端子部は、
    前記ゲートメタル層に含まれ、前記ソース下部接続配線と電気的に接続されたソース端子用下部接続部と、
    前記ゲート絶縁層に形成され、前記ソース端子用下部接続部に達する第５開口部と、
    前記第１絶縁層に形成され、前記誘電体基板の法線方向から見たとき前記第５開口部に重なる第６開口部と、
    前記第２絶縁層に形成され、前記誘電体基板の法線方向から見たとき前記第６開口部に重なる第７開口部と、
    前記上部導電層に含まれ、前記第５開口部内で前記ソース端子用下部接続部と接続されたソース端子用上部接続部と
    を有する、請求項１から３のいずれかに記載のＴＦＴ基板。
  5. 前記上部導電層は、透明導電層を含む、請求項１から４のいずれかに記載のＴＦＴ基板。
  6. 前記上部導電層は、
    透明導電層を含む第１導電層と、
    前記第１導電層の下に形成され、Ｔｉ層、ＭｏＮｂ層、ＭｏＮｂＮｉ層、ＭｏＷ層、Ｗ層およびＴａ層からなる群から選択される少なくとも１つの層から形成されている第２導電層と
    を含む、請求項１から５のいずれかに記載のＴＦＴ基板。
  7. 前記第１絶縁層と前記パッチメタル層との間に形成された下部導電層をさらに有し、
    前記少なくとも１つの導電層は、前記下部導電層を含む、請求項１から６のいずれかに記載のＴＦＴ基板。
  8. 前記少なくとも１つの導電層は、前記パッチメタル層を含まない、請求項７に記載のＴＦＴ基板。
  9. 前記少なくとも１つの導電層は、前記パッチメタル層を含む、請求項１から７のいずれかに記載のＴＦＴ基板。
  10. 前記誘電体基板の法線方向から見たとき、前記第１開口部の全ておよび前記第３開口部の全ては、前記第１接続部の前記パッチメタル層と重なる、請求項９に記載のＴＦＴ基板。
  11. 請求項１から１０のいずれかに記載のＴＦＴ基板と、
    前記ＴＦＴ基板と対向するように配置されたスロット基板と、
    前記ＴＦＴ基板と前記スロット基板との間に設けられた液晶層と、
    前記スロット基板の前記液晶層と反対側の表面に誘電体層を介して対向するように配置された反射導電板と
    を備え、
    前記スロット基板は、他の誘電体基板と、前記他の誘電体基板の前記液晶層側の表面に形成されたスロット電極とを有し、
    前記スロット電極は複数のスロットを有し、前記複数のスロットは、前記ＴＦＴ基板の前記複数のアンテナ単位領域における前記パッチ電極に対応して配置されている走査アンテナ。
  12. 請求項１から６のいずれかに記載のＴＦＴ基板の製造方法であって、
    前記誘電体基板上に、前記ソース下部接続配線を含む前記ゲートメタル層を形成する工程（ａ）と、
    前記ゲートメタル層上にゲート絶縁膜を堆積する工程（ｂ）と、
    前記ゲート絶縁膜上に、前記ソースバスライン接続部を含む前記ソースメタル層を形成する工程（ｃ）と、
    前記ソースメタル層上に第１絶縁膜を堆積する工程（ｄ）と、
    前記ゲート絶縁膜に前記第１開口部を形成し、前記第１絶縁膜に前記第２開口部および前記第３開口部を形成する工程（ｅ）と、
    前記第１絶縁膜上にパッチ用導電膜を堆積する工程（ｆ）と、
    前記パッチ用導電膜をパターニングすることによって前記パッチメタル層を形成する工程（ｇ）と、
    前記パッチメタル層上に第２絶縁膜を堆積する工程（ｈ）と、
    前記第２絶縁膜に前記少なくとも１つの第４開口部を形成する工程（ｉ）と、
    前記第２絶縁層上に、前記第２接続部を含む前記上部導電層を形成する工程（ｊ）と
    を包含する、ＴＦＴ基板の製造方法。
  13. 前記工程（ｇ）は、前記パッチメタル層に含まれる前記第１接続部を形成する工程を包含する、請求項１２に記載のＴＦＴ基板の製造方法。
  14. 前記工程（ｅ）と前記工程（ｆ）との間に、前記第１絶縁層上に下部導電層を形成する工程をさらに包含し、
    前記工程（ｇ）は、前記下部導電層および前記パッチメタル層を含む前記第１接続部を形成する工程を包含する、請求項１２に記載のＴＦＴ基板の製造方法。
  15. 前記工程（ｇ）は、前記ソース下部接続配線の内、前記第１開口部によって露出されている部分、および、前記ソースバスライン接続部の内、前記第３開口部によって露出されている部分を覆うように、前記第１接続部を形成する工程を包含する、請求項１３または１４に記載のＴＦＴ基板の製造方法。
  16. 前記工程（ｇ）は、前記誘電体基板の法線方向から見たとき、前記第１接続部の前記パッチメタル層が、前記第１開口部の全ておよび前記第３開口部の全てと重なるように、前記第１接続部を形成する工程を包含する、請求項１３から１５のいずれかに記載のＴＦＴ基板の製造方法。
  17. 前記工程（ｅ）と前記工程（ｆ）との間に、前記第１絶縁層上に下部導電層を形成する工程をさらに包含し、前記第１接続部は前記下部導電層に含まれる、請求項１２に記載のＴＦＴ基板の製造方法。
  18. 前記下部導電層を形成する工程は、前記ソース下部接続配線の内、前記第１開口部によって露出されている部分、および、前記ソースバスライン接続部の内、前記第３開口部によって露出されている部分を覆うように、前記第１接続部を形成する工程を包含する、請求項１７に記載のＴＦＴ基板の製造方法。
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