JP6727848B2 - 表示装置 - Google Patents
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Description
本発明は表示装置に関し、特に、有機ＥＬ等の発光素子を画素に用いた表示装置に関する。
有機ＥＬ表示装置には、発光層から出る光の波長に合わせて反射層と半透明反射層との距離が設定されたマイクロキャビティ構造を有しているものがある。多くの場合、反射層と半透明反射層は電極を構成し、反射層と半透明反射層との間に発光層が形成されている。発光層から出た光は半透明反射層と反射層との間で反射を繰り返す。そして、光路長に合致した波長を有する光が強調されて、半透明反射層を透過する。このようなマイクロキャビティ構造によると、色純度や発光効率を向上できる。
また、有機ＥＬ表示装置には、赤画素、緑画素、及び青画素などの有彩色画素に加えて、白画素を有するものがある。白画素を利用することにより、画像の輝度を向上でき、また消費電力を低減できる。
マイクロキャビティ構造によると特定の波長の光だけが強調される。そのため、白画素においてマイクロキャビティ構造を利用すると、白画素から適切な白色光が得られなくなるので、マイクロキャビティ構造は白画素には適さない。この点、特許文献１の表示装置では、有彩色の画素にマイクロキャビティ構造が設けられ、白画素には半透明反射層が設けられない（すなわち、白画素にはマイクロキャビティ構造が設けられていない）。このような表示装置によれば、白画素によるメリットと、有彩色の画素に設けられたマイクロキャビティ構造によるメリットの双方を得ることができる。
ところが、特許文献１の構造を実現するためには、白画素に半透明反射層が形成されないように、半透明反射層を白画素の配置に合わせてパターニングする必要が生じる。このことは、表示装置の製造コストの増大につながる。
本発明の目的の一つは、製造コストの増大を抑えながら、マイクロキャビティ構造のメリットを得ることができ、且つ白画素のメリットを得ることのできる表示装置を提供することにある。
（１）本発明に係る表示装置は、白色で発光する白画素と、有彩色で発光する有彩色画素と、前記白画素と前記有彩色画素とに設けられている第１反射層と、前記白画素と前記有彩色画素とに設けられている、前記第１反射層と向き合っている第２反射層と、前記白画素と前記有彩色画素とに設けられている、前記第１反射層と前記第２反射層との間に形成されている発光層とを有している。第１の色で発光する前記有彩色画素と、第２の色で発光する前記有彩色画素とでは、前記第１反射層と前記第２反射層との間の距離が異なっている。前記白画素において、前記第２反射層、及び前記第１反射層と前記第２反射層との間の層のうち少なくとも一つは、前記光を拡散する構造を構成している。
この表示装置では、白画素には発光層から出た光を拡散する構造が設けられている。そのため、第２反射層から第１反射層に向かって反射する光を低減でき、白画素での光の干渉（マイクロキャビティ効果）を抑えることができる。その結果、白画素の発光色を適切化でき、白画素のメリットを得ることができる。また、第１の色で発光する有彩色画素と、第２の色で発光する有彩色画素とでは、第１反射層と第２反射層との間の距離が異なっているので、有彩色画素ではマイクロキャビティ構造を実現でき、そのメリットを得ることができる。さらに、第２反射層は有彩色画素と白画素の双方に形成されているので、白画素の配置に合わせて第２反射層をパターニングする必要がなくなる。その結果、製造コストの増大を抑えることができる。
（２）（１）に記載の表示装置において、前記白画素は表面に凹凸が形成されている中間層を有し、前記白画素において前記第２反射層は前記中間層の前記表面に形成されてもよい。これによれば、発光層から出て第２反射層にあたった光は乱反射を生じ、拡散する。その結果、第２反射層から第１反射層に向かう光は少なくなり、白画素においてマイクロキャビティ効果が生じることを、抑えることができる。
（３）（２）に記載の表示装置において、前記白画素において前記第２反射層が形成されている前記中間層の前記表面の表面荒さは、前記前記有彩色画素において前記第２反射層が形成されている層の表面粗さよりも高くてもよい。
（４）（２）に記載の表示装置において、前記中間層の前記表面に形成されている凹凸は０．５μｍ以上の高さを有してもよい。これによれば、第２反射層から第１反射層に向かって反射する光をより効果的に低減できる。
（５）（２）に記載の表示装置において、前記中間層の前記表面に形成されている凹凸は前記第２反射層の厚さよりも大きな高さを有してもよい。これによれば、第２反射層から第１反射層に向かって反射する光をより効果的に低減できる。
（６）（２）に記載の表示装置において、前記白画素と前記有彩色画素のそれぞれは、互いに向き合う２つの電極の間に形成され且つ前記発光層を含んでいる有機層を有し、前記中間層の材料のガラス転移温度は前記有機層を構成している材料のガラス転移温度よりも低くてもよい。こうすることによって、中間層を形成する過程で２つの電極の間に形成されている有機層が劣化することを、抑えることができる。
（７）（１）に記載の表示装置において、 前記白画素と前記有彩色画素のうち少なくとも前記白画素は、前記第１反射層と前記第２反射層との間に形成されている中間層を有し、前記中間層は前記白画素において、前記中間層の材料の屈折率とは異なる屈折率を有している材料の粒子を含んでもよい。これによれば、発光層から出た光が粒子に当たったとき、その進行方向を屈曲させる。すなわち、発光層から出た光が中間層で拡散する。その結果、第２反射層から第１反射層に向かって反射する光を低減でき、白画素でのマイクロキャビティ効果の発生を抑えることができる。
（８）（７）に記載の表示装置において、前記粒子の屈折率は前記中間層の材料の屈折率よりも低くてもよい。
（９）（１）に記載の表示装置において、前記第２反射層は半透明反射層であり、前記白画素は電極を構成している透明導電層と前記第２反射層との間に形成されている中間層を有し、前記中間層は光を拡散する構造を構成してもよい。この構造によれば、光を拡散する構造が、表示装置から光が出る側（対向基板側）に近くなる。その結果、例えば、対向基板にカラーフィルタが設けられている場合に、混色の発生を抑えることができる。
以下、本発明の一実施形態について説明する。本明細書では表示装置の一例として、有機ＬＥＤを発光素子として有する有機ＥＬ表示装置について説明する。表示装置は量子ドットＬＥＤを発光素子として有する表示装置でもよい。
図１は本発明の実施形態の一例である有機ＥＬ表示装置１を示す平面図である。図２は図１のＩＩ−ＩＩ線で示される切断面で得られる断面図である。以下の説明において「上方向」は表示パネル３から対向基板２０に向かう方向である。反対に、以下の説明において「下方向」は対向基板２０から表示パネル３に向かう方向である。
本明細書での開示は本発明に係る実施形態の一例に過ぎず、発明の主旨を保った範囲での適宜の変更は、本発明の範囲に含まれる。また、図面において示されている各部の幅、厚さ、形状等は一例であり、図面に表れている各部の幅や厚さ、形状等は本発明の範囲を限定するものではない。
また、本明細書において、「構造体Ａが構造体Ｂの上に配置されている」と記載した場合、特に断りの無い限り、その記載は、構造体Ａに接するように構造体Ａの直上に構造体Ｂが配置される形態と、構造体Ａの上方に、別の構造体を介して、構造体Ｂが配置される形態の両方を含む。例えば、後述する「基板３０上に形成されている回路層３１」との記載は、基板３０に接するように基板３０の直上に配置されている回路層と、基板３０上に配置されている１又は複数の別の層の上に配置されている回路層の双方を含む。
図１及び図２に示すように、有機ＥＬ表示装置１は白色で発光する白画素ＰＷと、互いに異なる複数の有彩色でそれぞれ発光する複数の有彩色画素とを有している。表示装置１の例では、有彩色画素として赤画素ＰＲと、緑画素ＰＧと、青画素ＰＢとが設けられている。有彩色画素の色はここで説明する例に限られない。また、図１及び図２の例では白画素と有彩色画素は横方向に並んでいるが、画素の配置はこれらの図に示す例に限られない。
図２に示すように、表示装置１は表示パネル３を有している。表示パネル３の基板３０には積層構造Ａが形成されている。基板３０はガラス基板でもよいし、アクリルなどの樹脂基板でもよい。積層構造Ａは基板３０上に形成されている回路層３１を有している。回路層３１には各画素の発光を制御する回路が形成されている。回路層３１に形成されている回路の例については後において説明する。
図２に示すように、積層構造Ａは複数の画素のそれぞれに形成されている画素電極３２を有している。表示装置１の例では、画素電極３２は透明導電層３２ａと、透明導電層３２ａ上に形成されている反射層３２ｂと、反射層３２ｂ上に形成されている透明導電層３２ｃとを有している（反射層３２ｂは請求項の「第１反射層」に対応している）。透明導電層３２ａ、３２ｃは例えばＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）や、ＩＺＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｚｉｎｃ Ｏｘｉｄｅ）などの透明導電材料によって形成される。反射層３２ｂは例えばＡｇなどの金属によって形成される。反射層３２ｂは後述する半透明反射層よりも光透過性の低い、言い換えれば不透明な反射層である。画素電極３２は必ずしも透明導電層３２ａを有していなくてもよい。
図２に示すように、画素電極３２上にはバンク層３３が形成されている。バンク層３３は隣接する２つの画素を区画するバンク３３ａを含んでいる。バンク３３ａは各画素電極３２の外周部に重なっている。バンク３３ａの内側の開口を通して画素電極３２は露出している。
図２に示すように、バンク３３ａと画素電極３２とを覆うように有機層３４が形成されている。有機層３４は発光層を有している。また、有機層３４は電荷注入層（ホール注入層、電子注入層）と、電荷輸送層（ホール輸送層、電子輸送層）とを有してもよい。表示装置１の例では、有機層３４の発光層は表示パネル３の表示領域の全体に亘って共通に設けられ、白色光を発するように構成される。例えば、赤色光を出す発光層と、緑色光を出す発光層と、青色光を出す発光層とを積層して構成してもよい。他の例では、有機層３４の発光層は、各画素の色で発光するように構成されてもよい。例えば、赤画素ＰＲの発光層は赤色光を発するように構成され、緑画素ＰＧの発光層は緑色光を発するように構成され、青画素ＰＢの発光層は青色光を発するように構成されてもよい。この場合、有機層３４の他の層（すなわち電荷注入層や電荷輸送層）は表示領域の全体に亘って共通に設けられてもよい。
図２に示すように、有機層３４上には共通電極３５が形成されている。共通電極３５は透明導電層３５ａと半透明反射層３５ｂとを有している（半透明反射層３５ｂは請求項の「第２反射層」に対応している）。共通電極３５は複数の画素に亘って共通に設けられている。すなわち、透明導電層３５ａと半透明反射層３５ｂのそれぞれは、複数の画素（例えば、表示領域の全画素）に亘って連続的に形成されている。透明導電層３５ａは例えばＩＴＯやＩＺＯなどの透明導電材料によって形成される。半透明反射層３５ｂは、半透明反射層３５ｂに入射する光の一部を透過し、残りを反射層３２ｂに向けて反射する。半透明反射層３５ｂの材料は例えばＭｇとＡｇの合金である。共通電極３５は、水分が有機層３４に浸透するのを防ぐためのバリア層によって覆われてもよい。
図２に示すように、白画素ＰＷにおいては、半透明反射層３５ｂと透明導電層３５ａとの間に、後において詳説する中間層３５Ｗが設けられている。有彩色画素（表示装置１の例では、画素ＰＲ、ＰＧ、ＰＢ）には中間層３５Ｗは設けられておらず、有彩色画素では半透明反射層３５ｂは透明導電層３５ａに接している。半透明反射層３５ｂは好ましくは導電性を有する材料で形成される。このことによって、共通電極３５の抵抗を下げることができる。
図２に示すように、表示装置１は表示パネル３と向き合うように配置される対向基板２０を有している。表示装置１の例では、対向基板２０にはカラーフィルタ２１が形成されている。カラーフィルタ２１の位置と色は各画素の位置及び色にそれぞれ対応している。白画素ＰＷにはカラーフィルタ２１が設けられていなくてもよい。白画素ＰＷには、着色されていないカラーフィルタ２１が設けられてもよい。また、有機層３４の発光層が各画素の色で発光するように形成されている構造においては、対向基板２０にカラーフィルタ２１は形成されていなくてもよい。表示パネル３と対向基板２０との間には充填材３６が配置されている。
上述したように、複数の有彩色画素のそれぞれは画素電極３２に反射層３２ｂを有している。また、これらの画素には反射層３２ｂに向き合う半透明反射層３５ｂが形成されている。有機層３４の発光層は反射層３２ｂと半透明反射層３５ｂとの間に形成されている。したがって、発光層から出た光は反射層３２ｂと半透明反射層３５ｂとで反射を繰り返す。そして、その光は半透明反射層３５ｂを透過し、さらにカラーフィルタ２１を透過して外部に出る。
半透明反射層３５ｂと反射層３２ｂは、有彩色画素においてはマイクロキャビティ構造を構成している。すなわち、半透明反射層３５ｂと反射層３２ｂとの間の距離は各有彩色画素の色の光の波長に応じて設定されている。このことによって、有機層３４の発光層から出る光が半透明反射層３５ｂと反射層３２ｂとで反射を繰り返し、干渉を生じる。したがって、第１の色で発光する有彩色画素と、第２の色で発光する有彩色画素とでは、半透明反射層３５ｂと反射層３２ｂとの間の距離が互いに異なっている。表示装置１の例では、赤画素ＰＲでの半透明反射層３５ｂと反射層３２ｂとの間の距離と、緑画素ＰＧでの半透明反射層３５ｂと反射層３２ｂとの間の距離と、青画素ＰＢでの半透明反射層３５ｂと反射層３２ｂとの間の距離は互いは異なっている。表示装置１の例では、図２に示すように画素電極３２の透明導電層３２ｃの厚さが、各有彩色画素の色の光の波長に応じて調整されている。赤画素ＰＲの透明導電層３２ｃの厚さｔｒと、緑画素ＰＧの透明導電層３２ｃの厚さｔｇと、青画素ＰＢの透明導電層３２ｃの厚さｔｂは各画素の色に応じて設定され、ｔｒ＞ｔｇ＞ｔｂの関係を有している。
図２に示すように、半透明反射層３５ｂは白画素ＰＷにも形成されている。半透明反射層３５ｂは白画素ＰＷと有彩色画素に亘って連続的に設けられている。そのため、画素の配置に合わせて半透明反射層３５ｂをパターニングする必要がなく、半透明反射層３５ｂの形成にファインマスクを利用する必要がない。その結果、表示装置１の製造コストの増大を抑えることができる。半透明反射層３５ｂは例えばＣＶＤ法や蒸着法によって形成できる。
白画素ＰＷにおいて、半透明反射層３５ｂ、及び反射層３２ｂと半透明反射層３５ｂとの間の層のうち少なくとも一つは、光を拡散する構造を構成している。このことによって、白画素ＰＷで特定の色成分についてだけマイクロキャビティ効果が生じることを、抑えることができる。その結果、白画素ＰＷの発光色が白からずれることを、抑えることができる。
上述したように、白画素ＰＷは、共通電極３５の透明導電層３５ａと半透明反射層３５ｂとの間に形成されている中間層３５Ｗを有している。図２に示すように、中間層３５Ｗは白画素ＰＷの外周に形成されているバンク３３ａの内側に配置されている。中間層３５Ｗは有機層３４の発光層から出た光を拡散する構造を構成している。この中間層３５Ｗによって、白画素ＰＷでマイクロキャビティ効果が生じることを抑えることができる。
図３は図２のＩＩＩで示す領域の拡大図である。図３に示すように、半透明反射層３５ｂは中間層３５Ｗの表面に形成されている。中間層３５Ｗの表面には凹凸が形成されている。半透明反射層３５ｂは中間層３５Ｗの凹凸に追従する凹凸を有している。このため、有機層３４の発光層から出て半透明反射層３５ｂにあたった光は乱反射を生じ、拡散する。つまり、白画素ＰＷにおいては、半透明反射層３５ｂと中間層３５Ｗとによって、光を拡散する構造が構成されている。乱反射によって半透明反射層３５ｂから反射層３２ｂに向かう光は少なくなる。その結果、白画素ＰＷにおいてマイクロキャビティ効果が生じることを、抑えることができる。
有彩色画素では半透明反射層３５ｂは透明導電層３５ａの表面に形成されている。白画素ＰＷにおいては半透明反射層３５ｂは中間層３５Ｗの表面に形成されている。中間層３５Ｗの表面の表面荒さは透明導電層３５ａの表面の表面荒さよりも高い。こうすることによって、有彩色画素においては半透明反射層３５ｂでの反射を利用してマイクロキャビティ効果を生じさせることができ、白画素ＰＷにおいては、半透明反射層３５ｂの乱反射によって、マイクロキャビティ効果の発生を抑えることができる。
中間層３５Ｗの材料は例えば有機材料である。中間層３５Ｗは例えばインクジェット法によって形成できる。こうすることによって、表示装置１の製造コストの増大を抑えながら、白画素ＰＷにだけ有機材料を設けることができる。中間層３５Ｗは、有機材料に例えばアニール処理を施すことによって形成される。アニール処理によって、より好ましい凹凸が中間層３５Ｗの表面に形成できる。すなわち、アニール処理によって中間層３５Ｗの表面の表面荒さを高めることができる。アニール処理を利用する場合、中間層３５Ｗの材料のガラス転移温度は、画素電極３２と共通電極３５との間に形成されている有機層３４のガラス転移温度よりも低いのが好ましい。こうすることによって、中間層３５Ｗに対するアニール処理において、有機層３４が劣化することを防ぐことができる。
中間層３５Ｗの材料は、例えば、ポリエチレンやポリプロピレンなどの結晶性ポリマーである。また、中間層３５Ｗの材料は非晶性の有機材料でもよい。非晶性の有機材料としては、例えば、ｍＣＰ（Ｎ，Ｎ’−ｄｉｃａｒｂａｚｏｌｅ−３，５−ｂｅｎｚｅｎｅ）や、ＣＢＰ（４，４’−Ｂｉｓ（ｃａｒｂａｚｏｌ−９−ｙｌ）ｂｉｐｈｅｎｙｌ）、ＢＣＰ（２，９−Ｄｉｍｅｔｈｙｌ−４，７−ｄｉｐｈｅｎｙｌ−１，１０−ｐｈｅｎａｎｔｈｒｏｌｉｎｅ）、及びＢｐｈｅｎ（（４，７−Ｄｉｐｈｅｎｙｌ−１，１０−ｐｈｅｎａｎｔｈｒｏｌｉｎｅ）などがある。
表示装置１の例では、中間層３５Ｗに形成されている凹凸の高さＴは半透明反射層３５ｂの厚さよりも大きい（ここで高さＴは凹部の底から凸部の頂点までの距離である）。こうすることによって、半透明反射層３５ｂの上面と下面とに、中間層３５Ｗに形成されている凹凸に合わせて、凹凸が形成される。その結果、半透明反射層３５ｂで反射して反射層３２ｂに向かう光をさらに低減できる。半透明反射層３５ｂの厚さは数十ナノメートルである。中間層３５Ｗの凹凸の高さＴは０．５μｍ以上である。中間層３５Ｗの凹凸の高さＴは、好ましくは、１μｍ以上である。中間層３５Ｗの凹凸の高さＴは、さらに好ましくは、２μｍから３μｍである。
中間層３５Ｗの凹凸の高さＴを高くし、半透明反射層３５ｂの厚さが凹凸の高さＴよりも小さい場合、半透明反射層３５ｂは中間層３５Ｗの凹凸に追従しない部分を有してもよい。すなわち、半透明反射層３５ｂは、図３に示すように、中間層３５Ｗの表面に形成されている凸部の頂点Ｑで切れていてもよい。この場合、半透明反射層３５ｂの切れている部分（スリット）を、有機層３４の発光層から出た光が透過する。このことによって、半透明反射層３５ｂの光の透過性を高めることができる。
図３に示す例に替えて、半透明反射層３５ｂの厚さは中間層３５Ｗに形成されている凹凸の高さＴよりも大きくてもよい。この場合、半透明反射層３５ｂの下面は中間層３５Ｗの凹凸に追従する凹凸を有する一方で、半透明反射層３５ｂの上面はその下面に比べて平坦であってもよい。
有機層３４の発光層から出た光を拡散する構造は、図３に示すような、中間層３５Ｗの表面に形成されている凹凸に限られない。図４は中間層３５Ｗの変形例を示す図である。この図では、中間層３５Ｗの変形例として、中間層１３５Ｗが示されている。図４では、これまで説明した箇所と同一箇所には同一符号を付している。図４の例について説明のない事項は、図２及び図３で説明した例と同様である。
中間層１３５Ｗは、中間層３５Ｗと同様に、透明導電層３５ａ上に形成され、半透明反射層３５ｂによって覆われている。また、中間層１３５Ｗは白画素ＰＷにだけ形成され、有彩色画素には形成されていない。中間層１３５Ｗは樹脂などの基材と、基材に添加されている粒子とによって構成されている。粒子は基材とは異なる屈折率を有する材料で形成されている。表示装置１の例では、粒子の材料の屈折率は基材の材料の屈折率よりも低い。この構造によれば、有機層３４の発光層から出た光が粒子に当たったとき、その進行方向を屈曲させる。すなわち、有機層３４の発光層から出た光が中間層１３５Ｗで拡散する。その結果、半透明反射層３５ｂから反射層３２ｂに向かって反射する光を低減でき、白画素ＰＷでのマイクロキャビティ効果の発生を抑えることができる。
中間層１３５Ｗの基材の材料は、例えばアクリル樹脂、ポリイミド樹脂、エポキシ樹脂などの樹脂である。中間層１３５Ｗは、膜厚を厚くしても十分な透過率が得られるよう、透明度の高い材料が好ましい。この場合、中間層１３５Ｗの基材に添加される粒子の材料は、例えばＬｉＦやＡｇなど、基材の材料である樹脂よりも屈折率の低い材料である。基材の材料と粒子の材料はここで説明する例に限られない。例えば、粒子の材料の屈折率は基材の材料の屈折率よりも高くてもよい。
中間層１３５Ｗも例えばインクジェット法によって形成できる。すなわち、粒子が添加された液体状の基材をインクジェット法によって白画素ＰＷに供給することによって、中間層１３５Ｗを得ることができる。
図５は回路層３１に形成される回路の例を示す図である。図５に示すように、回路層３１は、各画素に形成されている画素回路３１Ａを有している。画素回路３１Ａは複数のＴＦＴ（Ｔｈｉｎ Ｆｉｌｍ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）３１ａ，３１ｂや、キャパシタ３１ｃを有している。また、回路層３１には、Ｘ方向に伸びている走査信号線３１Ｂと、Ｙ方向に伸びている映像信号線３１Ｃと、Ｙ方向に伸びている駆動電源線３１Ｄとが形成されている。走査信号線３１ＢはＹ方向に並んでいる複数の画素行のそれぞれに設けられている。映像信号線３１ＣはＸ方向に並んでいる複数の画素列のそれぞれに設けられている。走査信号線３１Ｂは走査線駆動回路（不図示）によって順番に選択される。選択された走査信号線３１ＢにはスイッチングＴＦＴ３１ａをオンする電圧が印加される。映像信号線３１Ｃには、選択された走査信号線３１Ｂに接続された画素の映像信号に応じた電圧が加えられる。この電圧はスイッチングＴＦＴ３１ａを介してキャパシタ３１ｃに加えられる。駆動ＴＦＴ３１ｂはキャパシタ３１ｃに加えられた電圧に応じた電流をＯＬＥＤ３ａに供給する。これにより、選択された走査信号線３１Ｂに対応する画素のＯＬＥＤ３ａが発光する。ＯＬＥＤ３ａは上述した画素電極３２、有機層３４、及び共通電極３５によって構成される。駆動電源線３１Ｄ及び駆動ＴＦＴ３１ｂを介してＯＬＥＤ３ａに電流が供給される。ＯＬＥＤ３ａの陽極（表示装置１の例では画素電極３２）は駆動ＴＦＴ３１ｂに接続される。一方、各ＯＬＥＤ３ａの陰極（表示装置１の例では共通電極３５）は接地電位に接続されている。
本発明は以上説明した実施形態に限られず、種々の変更が可能である。
例えば、屈折率の低い粒子は図３の例で示される中間層３５Ｗにも添加されてもよい。
また、本明細書ではトップエミッション方式の表示装置１、１０が説明されていた。しかしながら、本発明はボトムエミッション方式の表示装置に適用されてもよい。この場合、画素電極３２に半透明反射層が設けられ、共通電極３５に反射層（不透明な反射層）が設けられてもよい。この場合でも、白画素ＰＷの中間層３５Ｗは共通電極に設けられる。すなわち、白画素ＰＷの中間層３５Ｗは共通電極の反射層と透明導電層との間に形成される。
また、反射層３２ｂと半透明反射層３５ｂは必ずしも電極を構成していなくてもよい。例えば、共通電極３５を構成している透明導電層３５ａの上側の全体に絶縁層が形成され、その絶縁層の上側に半透明反射層３５ｂが形成されてもよい。また、反射層３２ｂの上側に絶縁層が形成され、その絶縁層の上側に、画素電極３２を構成する透明導電層３２ｃが形成されてもよい。
また、本発明は有機ＥＬ表示装置以外の表示装置に適用されてもよい。例えば、本発明は、有機層３４の発光層に替えて、量子ドットによって形成される発光層を有する表示装置に適用されてもよい。
１ 有機ＥＬ表示装置、３ 表示パネル、３０ 基板、３１ 回路層、３２ 画素電極、３２ａ 透明導電層、３２ｂ 反射層、３２ｃ 透明導電層、３３ バンク層、３３ａ バンク、３４ 有機層、３５ 共通電極、３５ａ 透明導電層、３５ｂ 半透明反射層、３５Ｗ 中間層、３６ 充填材、１３５Ｗ 中間層。
Claims (9)
- 白色で発光する白画素と、
有彩色で発光する有彩色画素と、
前記白画素と前記有彩色画素とに設けられている第１反射層と、
前記白画素と前記有彩色画素とに設けられている、前記第１反射層と向き合っている第２反射層と、
前記白画素と前記有彩色画素とに設けられている、前記第１反射層と前記第２反射層との間に形成されている発光層とを有し、
前記第２反射層は半透明反射層であり、
前記発光層からの光は前記第２反射層を透過して取り出され、
第１の色で発光する前記有彩色画素と、第２の色で発光する前記有彩色画素とでは、前記第１反射層と前記第２反射層との間の距離が異なり、
前記白画素のみにおいて、前記第２反射層、及び前記第１反射層と前記第２反射層との間の層のうち少なくとも一つは、前記光を拡散する構造を構成している
ことを特徴とする表示装置。 - 前記白画素は表面に凹凸が形成されている中間層を有し、
前記白画素において前記第２反射層は前記中間層の前記表面に形成されている
ことを特徴とする請求項１に記載される表示装置。 - 前記白画素において前記第２反射層が形成されている前記中間層の前記表面の表面荒さは、前記前記有彩色画素において前記第２反射層が形成されている層の表面粗さよりも高い、
ことを特徴とする請求項２に記載される表示装置。 - 前記中間層の前記表面に形成されている凹凸は０．５μｍ以上の高さを有している
ことを特徴とする請求項２に記載される表示装置。 - 前記中間層の前記表面に形成されている凹凸は前記第２反射層の厚さよりも大きな高さを有している
ことを特徴とする請求項２に記載される表示装置。 - 前記白画素と前記有彩色画素のそれぞれは、互いに向き合う２つの電極の間に形成され且つ前記発光層を含んでいる有機層を有し、
前記中間層の材料のガラス転移温度は前記有機層を構成している材料のガラス転移温度よりも低い
ことを特徴とする請求項２に記載される表示装置。 - 前記白画素と前記有彩色画素のうち少なくとも前記白画素は、前記第１反射層と前記第２反射層との間に形成されている中間層を有し、
前記中間層は前記白画素において、前記中間層の材料の屈折率とは異なる屈折率を有している材料の粒子を含んでいる
ことを特徴とする請求項１に記載される表示装置。 - 前記粒子の屈折率は前記中間層の材料の屈折率よりも低い
ことを特徴とする請求項７に記載される表示装置。 - 前記白画素は電極を構成している透明導電層と前記第２反射層との間に形成されている中間層を有し、
前記中間層は光を拡散する構造を構成している
ことを特徴とする請求項１に記載される表示装置。
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