JP6717211B2 - マスクブランク用基板、マスクブランク、およびフォトマスク - Google Patents
マスクブランク用基板、マスクブランク、およびフォトマスク Download PDFInfo
- Publication number
- JP6717211B2 JP6717211B2 JP2017005438A JP2017005438A JP6717211B2 JP 6717211 B2 JP6717211 B2 JP 6717211B2 JP 2017005438 A JP2017005438 A JP 2017005438A JP 2017005438 A JP2017005438 A JP 2017005438A JP 6717211 B2 JP6717211 B2 JP 6717211B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- mask blank
- substrate
- glass substrate
- face
- chamfered slope
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims description 119
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 43
- 238000005259 measurement Methods 0.000 claims description 30
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 claims description 14
- 239000012528 membrane Substances 0.000 claims 2
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 65
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 34
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 27
- 238000000034 method Methods 0.000 description 13
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 8
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 6
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 6
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 6
- 238000001000 micrograph Methods 0.000 description 6
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 5
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 4
- 239000002002 slurry Substances 0.000 description 4
- 238000004506 ultrasonic cleaning Methods 0.000 description 4
- 229920005830 Polyurethane Foam Polymers 0.000 description 3
- 229910000420 cerium oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 238000007687 exposure technique Methods 0.000 description 3
- BMMGVYCKOGBVEV-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoceriooxy)cerium Chemical compound [Ce]=O.O=[Ce]=O BMMGVYCKOGBVEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000011496 polyurethane foam Substances 0.000 description 3
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 3
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N Hydrogen peroxide Chemical compound OO MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004372 Polyvinyl alcohol Substances 0.000 description 2
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 2
- 239000008119 colloidal silica Substances 0.000 description 2
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 2
- 239000003599 detergent Substances 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 229920002451 polyvinyl alcohol Polymers 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 229910021642 ultra pure water Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000012498 ultrapure water Substances 0.000 description 2
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004677 Nylon Substances 0.000 description 1
- CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N Ozone Chemical compound [O-][O+]=O CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- CETPSERCERDGAM-UHFFFAOYSA-N ceric oxide Chemical compound O=[Ce]=O CETPSERCERDGAM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000422 cerium(IV) oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 1
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N mercury Chemical compound [Hg] QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052753 mercury Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- 229920001778 nylon Polymers 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007517 polishing process Methods 0.000 description 1
- 229920002635 polyurethane Polymers 0.000 description 1
- 239000004814 polyurethane Substances 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 1
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Landscapes
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Surface Treatment Of Glass (AREA)
Description
相互に対向する第1および第2の主表面と、両主表面を接続する第1〜第4の4つの端面とを有し、前記第1〜第4の端面は、反時計回りにこの順に配置され、
各端面は、側面、該側面と前記第1の主表面との間の第1の面取斜面、および前記側面と前記第2の主表面との間の第2の面取り斜面を有し、
当該マスクブランク用基板は、前記第1の端面における前記側面の、当該マスクブランク用基板の厚さ方向に沿った略中心であって、前記第1の端面における前記側面の長手方向の略中央に定められた1μm×1μmの測定領域において、4nmの測定間隔で、原子間力顕微鏡により測定される表面形態から得られる、10μm−1〜100μm−1の空間周波数fの範囲におけるパワースペクトル密度PSDが、10nm4以下である、マスクブランク用基板が提供される。
相互に対向する第1および第2の主表面と、両主表面を接続する第1〜第4の4つの端面とを有し、前記第1〜第4の端面は、反時計回りにこの順に配置され、
各端面は、側面、該側面と前記第1の主表面との間の第1の面取斜面、および前記側面と前記第2の主表面との間の第2の面取り斜面を有し、
当該マスクブランク用基板は、前記第1の端面における前記側面の、当該マスクブランク用基板の厚さ方向に沿った略中心であって、前記第1の端面における前記側面の長手方向の略中央に定められた1μm×1μmの測定領域において、4nmの測定間隔で、原子間力顕微鏡により測定される表面形態から得られる、10μm−1〜100μm−1の空間周波数fの範囲におけるパワースペクトル密度PSDが、10nm4以下である、マスクブランク用基板が提供される。
(i)側面と研磨粒子の関係が、前述の図3に示したような「粒子整合型」となる態様を回避する;または
(ii)側面と研磨粒子の関係が「粒子整合型」となる態様であっても、研磨粒子の凹部への捕獲が回避もしくは抑制されるように、研磨粒子と側面の凹凸形状との関係を調整する。
以下、図面を参照して、本発明の一実施形態によるマスクブランク用基板について、詳しく説明する。
第1の測定領域;第1の端面120aにおける側面130aの、長手方向の略中央であって、かつ高さ方向に沿った略中心に定められた、1μm×1μmの領域
第2の測定領域;第2の端面120bにおける側面130bの、長手方向の略中央であって、かつ高さ方向に沿った略中心に定められた、1μm×1μmの領域
第3の測定領域;第3の端面120cにおける側面130cの、長手方向の略中央であって、かつ高さ方向に沿った略中心に定められた、1μm×1μmの領域
第4の測定領域;第4の端面120dにおける側面130dの、長手方向の略中央であって、かつ高さ方向に沿った略中心に定められた、1μm×1μmの領域。
以上、図5および図6に示した第1のマスクブランク用基板110を用いて、本発明の一実施形態の特徴について説明した。
第1のマスクブランク用基板110に使用されるガラス基板の組成は、特に限られない。
第1のマスクブランク用基板110が縦152mm×横152mmの寸法を有する場合、第1の主表面112において、中央の142mm×142mmの領域は、0.15nm以下の二乗平均平方根粗さSqを有しても良い。
第1のマスクブランク用基板110において、第1の端面120aの側面130aの二乗平均平方根粗さSqは、0.1nm以下であっても良い。
次に、図7を参照して、本発明の一実施形態によるマスクブランクについて説明する。
図8には、本発明の一実施形態による透過型のフォトマスクの構成の一例を模式的に示す。
次に、図9を参照して、本発明の一実施形態による別のマスクブランクについて説明する。
図10には、本発明の一実施形態による反射型のフォトマスクの構成の一例を模式的に示す。
以下の方法で、マスクブランク用ガラス基板を製造した。
ポリビニルアルコール(PVA)スポンジを用いたスクラブ洗浄、
硫酸/過酸化水素水混合溶液中での超音波洗浄、
アルカリ洗剤中での超音波洗浄、
超純水中での超音波洗浄、
イソプロピルアルコール(IPA)中への浸漬、
の順に、基板の洗浄を実施した。
UVオゾン洗浄、
アルカリ洗剤洗浄、
超純水ジェットノズルによる超音波洗浄、
の順に、基板の洗浄を実施した。
例1と同様の方法により、マスクブランク用ガラス基板を製造した。各例で製造されたマスクブランク用ガラス基板を、それぞれ、「サンプル2〜6」と称する)。
以上の方法で製造されたサンプル1〜5を使用して、以下の評価を実施した。なお、サンプル6においては、端面に対して十分な研磨ができなかったため、以下の評価は実施していない。
原子間力顕微鏡を用いて、各サンプルの一つの端面において、前述のように定められる1μm×1μmの「測定領域」における表面形態を測定した。また、得られた結果から、空間周波数fとパワースペクトル密度PSDの関係を評価した。なお、測定間隔は、4nmとした。
各サンプル1〜5について、一つの端面(特に側面)の表面状態を顕微鏡で観察した。
前述の例1に記載の方法で、複数のマスクブランク用ガラス基板(以下、「例1に係るマスクブランク用ガラス基板」と称する)を製造した。同様に、前述の例2および例4に記載の方法で、複数のマスクブランク用ガラス基板(以下、それぞれ、「例2および例4に係るマスクブランク用ガラス基板」と称する)を製造した。
2 側面
3、4 表面凹凸
110 マスクブランク用基板
112 第1の主表面
114 第2の主表面
120a〜120d 端面
130a 側面
132a、132b 第1の接続辺
134a、134b 第2の接続辺
142a 第1の面取り斜面
144a 第2の面取り斜面
300 第1のマスクブランク
300A 透過型のフォトマスク
302 第1のマスクブランクの第1の表面
304 第1のマスクブランクの第2の表面
310 ガラス基板
310A 第1の主表面
310B 第2の主表面
360 遮光膜
360A パターン化された遮光膜
400 第2のマスクブランク
400A 反射型のフォトマスク
402 第2のマスクブランクの第1の表面
404 第2のマスクブランクの第2の表面
410 ガラス基板
410A 第1の主表面
410B 第2の主表面
470 反射膜
480 吸収膜
480A パターン化された吸収膜
Claims (6)
- 矩形状のマスクブランク用基板であって、
相互に対向する第1および第2の主表面と、両主表面を接続する第1〜第4の4つの端面とを有し、前記第1〜第4の端面は、反時計回りにこの順に配置され、
各端面は、側面、該側面と前記第1の主表面との間の第1の面取斜面、および前記側面と前記第2の主表面との間の第2の面取り斜面を有し、
当該マスクブランク用基板は、前記第1の端面における前記側面の、当該マスクブランク用基板の厚さ方向に沿った略中心であって、前記第1の端面における前記側面の長手方向の略中央に定められた1μm×1μmの測定領域において、4nmの測定間隔で、原子間力顕微鏡により測定される表面形態から得られる、10μm−1〜100μm−1の空間周波数fの範囲におけるパワースペクトル密度PSDが、10nm4以下である、マスクブランク用基板。 - 4つの端面のそれぞれの側面において前述のように定められる測定領域において、4nmの測定間隔で、原子間力顕微鏡により測定される表面形態から得られる、10μm−1〜100μm−1の空間周波数fの範囲におけるパワースペクトル密度PSDが、10nm4以下である、請求項1に記載のマスクブランク用基板。
- 前記パワースペクトル密度PSDは、5nm4以下である、請求項1または2に記載のマスクブランク用基板。
- 前記第1の端面における前記測定領域の二乗平均平方根粗さSqは、0.1nm以下である、請求項1乃至3のいずれか一つに記載のマスクブランク用基板。
- 矩形状のガラス基板と膜とを有するマスクブランクであって、
前記ガラス基板は、相互に対向する第1および第2の主表面と、両主表面を接続する第1〜第4の4つの端面とを有し、前記第1〜第4の端面は、反時計回りにこの順に配置され、
各端面は、側面、該側面と前記第1の主表面との間の第1の面取斜面、および前記側面と前記第2の主表面との間の第2の面取り斜面を有し、
前記膜は、前記第1の主表面に配置され、
前記ガラス基板は、前記第1の端面における前記側面の、前記ガラス基板の厚さ方向に沿った略中心であって、前記第1の端面における前記側面の長手方向の略中央に定められた1μm×1μmの測定領域において、4nmの測定間隔で、原子間力顕微鏡により測定される表面形態から得られる、10μm−1〜100μm−1の空間周波数fの範囲におけるパワースペクトル密度PSDが、10nm4以下である、マスクブランク。 - 矩形状のガラス基板とパターン化された膜とを有するフォトマスクであって、
前記ガラス基板は、相互に対向する第1および第2の主表面と、両主表面を接続する第1〜第4の4つの端面とを有し、前記第1〜第4の端面は、反時計回りにこの順に配置され、
各端面は、側面、該側面と前記第1の主表面との間の第1の面取斜面、および前記側面と前記第2の主表面との間の第2の面取り斜面を有し、
前記膜は、前記第1の主表面に配置され、
前記ガラス基板は、前記第1の端面における前記側面の、前記ガラス基板の厚さ方向に沿った略中心であって、前記第1の端面における前記側面の長手方向の略中央に定められた1μm×1μmの測定領域において、4nmの測定間隔で、原子間力顕微鏡により測定される表面形態から得られる、10μm−1〜100μm−1の空間周波数fの範囲におけるパワースペクトル密度PSDが、10nm4以下である、フォトマスク。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2017005438A JP6717211B2 (ja) | 2017-01-16 | 2017-01-16 | マスクブランク用基板、マスクブランク、およびフォトマスク |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2017005438A JP6717211B2 (ja) | 2017-01-16 | 2017-01-16 | マスクブランク用基板、マスクブランク、およびフォトマスク |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2018116099A JP2018116099A (ja) | 2018-07-26 |
JP6717211B2 true JP6717211B2 (ja) | 2020-07-01 |
Family
ID=62984113
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2017005438A Active JP6717211B2 (ja) | 2017-01-16 | 2017-01-16 | マスクブランク用基板、マスクブランク、およびフォトマスク |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6717211B2 (ja) |
Family Cites Families (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6844272B2 (en) * | 2002-03-01 | 2005-01-18 | Euv Limited Liability Corporation | Correction of localized shape errors on optical surfaces by altering the localized density of surface or near-surface layers |
JP4784969B2 (ja) * | 2004-03-30 | 2011-10-05 | Hoya株式会社 | マスクブランク用のガラス基板の製造方法、マスクブランクの製造方法、反射型マスクブランクの製造方法、露光用マスクの製造方法、及び反射型マスクの製造方法 |
JP4650886B2 (ja) * | 2005-08-17 | 2011-03-16 | Hoya株式会社 | マスクブランクス用ガラス基板の製造方法、及びマスクブランクスの製造方法 |
KR102055992B1 (ko) * | 2012-03-28 | 2019-12-13 | 호야 가부시키가이샤 | 마스크 블랭크용 기판, 다층 반사막 부착 기판, 투과형 마스크 블랭크, 반사형 마스크 블랭크, 투과형 마스크, 반사형 마스크 및 반도체 장치의 제조 방법 |
KR101878164B1 (ko) * | 2012-12-28 | 2018-07-13 | 호야 가부시키가이샤 | 마스크 블랭크용 기판, 다층 반사막 부착 기판, 반사형 마스크 블랭크, 반사형 마스크, 마스크 블랭크용 기판의 제조방법 및 다층 반사막 부착 기판의 제조방법, 그리고 반도체 장치의 제조방법 |
JP6348116B2 (ja) * | 2013-09-27 | 2018-06-27 | Hoya株式会社 | 多層反射膜付き基板、マスクブランク、転写用マスク及び半導体装置の製造方法 |
US20160266482A1 (en) * | 2015-03-10 | 2016-09-15 | Asahi Glass Company, Limited | Glass substrate for mask blank |
-
2017
- 2017-01-16 JP JP2017005438A patent/JP6717211B2/ja active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2018116099A (ja) | 2018-07-26 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US10295900B2 (en) | Mask blank substrate, substrate with multilayer reflection film, transmissive mask blank, reflective mask, and semiconductor device fabrication method | |
US10620527B2 (en) | Mask blank substrate, substrate with multilayer reflection film, transmissive mask blank, reflective mask blank, transmissive mask, reflective mask, and semiconductor device fabrication method | |
JP5090633B2 (ja) | ガラス基板の研磨方法 | |
TWI721098B (zh) | 反射型光罩基底及反射型光罩基底之製造方法 | |
US20070066066A1 (en) | Polishing method for glass substrate, and glass substrate | |
JP2019109277A (ja) | マスクブランク用基板およびマスクブランク | |
JP6717211B2 (ja) | マスクブランク用基板、マスクブランク、およびフォトマスク |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20190814 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20200415 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20200512 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20200525 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6717211 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |