JP6716402B2

JP6716402B2 - Wafer processing method

Info

Publication number: JP6716402B2
Application number: JP2016176372A
Authority: JP
Inventors: 太朗荒川
Original assignee: Disco Corp
Current assignee: Disco Corp
Priority date: 2016-09-09
Filing date: 2016-09-09
Publication date: 2020-07-01
Anticipated expiration: 2036-09-09
Also published as: JP2018041895A

Description

本発明は、ストリートに沿ってウェーハをデバイス毎に分割するウェーハの加工方法に関する。 The present invention relates to a wafer processing method in which a wafer is divided into devices along a street.

複数のデバイスが格子状のストリートによって区画されたウェーハを分割するため、近年では、レーザー加工を利用した方法が提案されている（例えば、特許文献１参照）。特許文献１の方法では、先ず、ウェーハに対して吸収性を有する波長のパルスレーザービームをウェーハの裏面に照射することで、レーザー加工溝をストリートに沿って形成する。次いで、レーザー加工溝が形成された裏面の反対面となるウェーハの表面に保護シートを貼着する。そして、ウェーハの保護シート側からレーザー加工溝に沿って押圧部材で押圧することで、ウェーハが割断されて分割される。 In order to divide a wafer into which a plurality of devices are divided by grid-like streets, a method using laser processing has been proposed in recent years (for example, see Patent Document 1). In the method of Patent Document 1, first, a laser processing groove is formed along a street by irradiating the back surface of the wafer with a pulsed laser beam having a wavelength having an absorptivity for the wafer. Then, a protective sheet is attached to the front surface of the wafer, which is the opposite surface to the back surface on which the laser-processed grooves are formed. Then, by pressing the wafer from the protective sheet side along the laser processing groove with the pressing member, the wafer is cut and divided.

押圧部材による分割は、格子状のストリートのうち、一方向に延びるストリートについて順次行われる。その後、ウェーハを９０°回転して他方向（一方向に直交する方向）に延びるストリートについても同様にして順次押圧され、ウェーハが個々のデバイスチップへと分割される。 The division by the pressing member is sequentially performed on the streets extending in one direction among the grid-like streets. Thereafter, the wafer is rotated by 90° and the streets extending in the other direction (the direction orthogonal to the one direction) are also sequentially pressed in the same manner to divide the wafer into individual device chips.

特開２００５−８６１６０号公報JP, 2005-86160, A

しかしながら、上述したウェーハの分割では、ストリートに沿って押圧部材で押圧すると、保護シートが伸びてしまいストリートを挟んで隣接するチップ同士が動いてしまう。このため、一方向に延びるストリートについての分割を実施した後、他方向に延びるストリートについて押圧部材で押圧するときに、押圧部材を適切に位置付けられずに精度良く分割できない、という問題がある。 However, in the above-mentioned division of the wafer, when the pressing member is pressed along the streets, the protective sheet is extended, and the adjacent chips move with each other across the streets. Therefore, when the streets extending in one direction are divided and then the streets extending in the other direction are pressed by the pressing members, there is a problem that the pressing members cannot be properly positioned and cannot be accurately divided.

本発明はかかる点に鑑みてなされたものであり、押圧手段による押圧によってウェーハを精度良く分割することができるウェーハの加工方法を提供することを目的とする。 The present invention has been made in view of the above points, and an object of the present invention is to provide a wafer processing method capable of accurately dividing a wafer by pressing by a pressing unit.

本発明のウェーハの加工方法は、ウェーハ表面に形成された第一方向に伸長する複数の第１ストリートと、第一方向と直交する第二方向に伸長する複数の第２ストリート、とにより区画された各領域に複数のデバイスを備えたウェーハを分割するウェーハの加工方法であって、ウェーハの一方の面に所定温度以上の加熱で収縮性を発現するテープを貼着し、テープの外周部を環状フレームに貼着してフレームユニットを形成するフレームユニット形成ステップと、フレームユニット形成ステップを実施した後、ウェーハの第１ストリート及び第２ストリートに沿って加工処理を施して、第１ストリート及び第２ストリートに沿ってウェーハの他方の面又は内部に分割起点を形成する分割起点形成ステップと、分割起点形成ステップを実施した後に、フレームユニットのウェーハの他方の面側を支持手段に支持し、分割起点に沿ってテープ越しに押圧手段で垂直方向にウェーハを押圧して、ウェーハを第１ストリートに沿って分割し、次いで第２ストリートに沿って分割する分割ステップと、を備え、分割ステップの第１ストリートに沿って押圧して分割する際には、押圧手段により分割直後の第１ストリートに沿ってテープを加熱して収縮させて、第１ストリートの隣接するチップ間の間隔を維持すること、を特徴とする。 The wafer processing method of the present invention is divided into a plurality of first streets formed on the wafer surface and extending in a first direction, and a plurality of second streets extending in a second direction orthogonal to the first direction. A wafer processing method in which a wafer having a plurality of devices in each region is divided, and a tape exhibiting shrinkage by heating above a predetermined temperature is attached to one surface of the wafer, and the outer peripheral portion of the tape is attached. After performing the frame unit forming step of forming a frame unit by adhering to the annular frame and the frame unit forming step, a processing process is performed along the first street and the second street of the wafer to form the first street and the second street. After performing the division starting point forming step of forming the division starting point on the other surface or inside of the wafer along the two streets, the other side surface side of the wafer of the frame unit is supported by the supporting means and divided. A dividing step of dividing the wafer along the first street and then along the second street by pressing the wafer in the vertical direction by the pressing means over the tape along the starting point. When pressing along one street to divide the tape, the pressing means heats and shrinks the tape along the first street immediately after the division to maintain the interval between the adjacent chips on the first street. Characterized by

この構成によれば、加熱によって収縮するテープをウェーハに貼着し、押圧手段で押圧した第１ストリートに沿ってテープを加熱するので、押圧によってテープが伸びても伸びたテープを収縮することができる。かかる収縮によって、第１ストリートに沿う押圧分割後でも第１ストリートの隣接するチップ間の間隔を良好に維持することができる。これにより、その後の第２ストリートの押圧分割において、第２ストリートに対する押圧手段の押圧位置の精度を高め、ひいては分割されて形成されたチップの寸法精度を高めることができる。 According to this configuration, the tape that shrinks by heating is attached to the wafer, and the tape is heated along the first streets that are pressed by the pressing unit. Therefore, even if the tape is expanded by pressing, the expanded tape can contract. it can. Due to such contraction, the space between the adjacent chips on the first street can be favorably maintained even after the pressure division along the first street. As a result, in the subsequent pressing division of the second street, the accuracy of the pressing position of the pressing means with respect to the second street can be improved, and by extension, the dimensional accuracy of the divided and formed chips can be improved.

本発明によれば、押圧手段による押圧によってウェーハに貼着されたテープが伸びても、加熱によってテープを収縮してウェーハを精度良く分割することができる。 According to the present invention, even if the tape attached to the wafer is stretched by the pressing by the pressing means, the tape can be shrunk by heating and the wafer can be accurately divided.

本実施の形態に係るウェーハを示す概略斜視図であり、本実施の形態のフレームユニット形成ステップを示す説明図である。It is a schematic perspective view which shows the wafer which concerns on this Embodiment, and is explanatory drawing which shows the frame unit formation step of this Embodiment. 本実施の形態の分割起点形成ステップを示す説明図である。It is explanatory drawing which shows the division starting point formation step of this Embodiment. 本実施の形態の分割ステップを示す説明図である。It is explanatory drawing which shows the division|segmentation step of this Embodiment. 上記分割ステップの要部を示す説明図である。It is explanatory drawing which shows the principal part of the said division step. 比較例における分割ステップを示す図４と同様の説明図である。It is explanatory drawing similar to FIG. 4 which shows the division|segmentation step in a comparative example.

以下、添付図面を参照して、本実施の形態のウェーハの加工方法について説明する。先ず、図１を参照して、本実施の形態のウェーハの加工方法によって加工されるウェーハについて説明する。図１は、本実施の形態に係るウェーハを示す概略斜視図である。 Hereinafter, a wafer processing method according to the present embodiment will be described with reference to the accompanying drawings. First, a wafer processed by the method for processing a wafer according to the present embodiment will be described with reference to FIG. FIG. 1 is a schematic perspective view showing a wafer according to this embodiment.

図１に示すように、ウェーハＷは、略矩形の板状に形成され、材質は特に限定されるものでないが、サファイア等を例示することができる。ウェーハＷの表面Ｗ１には、複数の第１ストリートＬ１と、第１ストリートＬ１と直交する方向に伸長する複数の第２ストリートＬ２とが形成されている。これら第１、第２ストリートＬ１、Ｌ２により区画された各領域には複数のデバイスＤが形成されている。 As shown in FIG. 1, the wafer W is formed in a substantially rectangular plate shape, and the material thereof is not particularly limited, but sapphire or the like can be exemplified. On the front surface W1 of the wafer W, a plurality of first streets L1 and a plurality of second streets L2 extending in a direction orthogonal to the first streets L1 are formed. A plurality of devices D are formed in each area partitioned by the first and second streets L1 and L2.

続いて、図１乃至図４を参照して、ウェーハの加工方法について説明する。図１は本実施の形態のフレームユニット形成ステップ、図２は本実施の形態の分割起点形成ステップ、図３は分割ステップの説明図をそれぞれ示している。また、図４は、分割ステップの要部を示している。なお、本実施の形態では、ウェーハの加工方法にアブレーション加工を適用した一例について説明するが、ウェーハに対して分割起点を形成する他の工法に適用することが可能である。 Subsequently, a wafer processing method will be described with reference to FIGS. FIG. 1 shows a frame unit forming step of the present embodiment, FIG. 2 shows a division starting point forming step of the present embodiment, and FIG. 3 shows explanatory diagrams of the division step. Further, FIG. 4 shows a main part of the dividing step. In the present embodiment, an example in which ablation processing is applied to the wafer processing method will be described, but the present invention can be applied to other methods for forming split starting points on the wafer.

図１に示すように、先ずフレームユニット形成ステップが実施される。フレームユニット形成ステップでは、環状のフレーム（環状フレーム）Ｆに外周部が貼着されたテープＴに対し、ウェーハＷの一方の面となる裏面（下面）Ｗ２側が貼着される。これら貼着によって、ウェーハＷがテープＴを介してフレームＦに保持されるフレームユニットＵ（図２参照）が形成される。ここで、テープＴとしては、ＰＶＣ（ポリ塩化ビニル）等の合成樹脂を例示でき、後述のように厚み方向に部分的な荷重が加わったときに面方向に伸展するように変形する性質を備え、更に、伸展した部分を所定温度以上に加熱することで復元する方向に収縮性を発現する性質を備えたものとされる。 As shown in FIG. 1, first, a frame unit forming step is performed. In the frame unit forming step, the back surface (lower surface) W2 which is one surface of the wafer W is attached to the tape T having the outer peripheral portion attached to the annular frame (annular frame) F. By these attachments, a frame unit U (see FIG. 2) in which the wafer W is held by the frame F via the tape T is formed. Here, as the tape T, a synthetic resin such as PVC (polyvinyl chloride) can be exemplified, and has a property of deforming so as to extend in the surface direction when a partial load is applied in the thickness direction as described later. Further, it is provided with the property of exhibiting contractility in the direction of restoration by heating the extended portion to a predetermined temperature or higher.

図２に示すように、フレームユニット形成ステップが実施された後には分割起点形成ステップが実施される。分割起点形成ステップでは、レーザー加工装置（不図示）のチャックテーブル１１にフレームユニットＵを保持させた後、ウェーハＷにレーザービームを照射する加工処理を施す。ここで、レーザー加工装置は、不図示のアームによって支持されるレーザービーム照射手段としての加工ヘッド２０を更に有している。以下、加工ヘッド２０について説明する。 As shown in FIG. 2, after the frame unit forming step is performed, the divided starting point forming step is performed. In the divided starting point forming step, after the frame unit U is held on the chuck table 11 of the laser processing apparatus (not shown), the wafer W is irradiated with a laser beam. Here, the laser processing apparatus further has a processing head 20 as a laser beam irradiation means supported by an arm (not shown). The processing head 20 will be described below.

加工ヘッド２０は、不図示の発振器から発振されたレーザービームを集光レンズによって集光し、ウェーハＷの他方の面となる表面Ｗ１にレーザービームを照射してレーザー加工する。この場合、レーザービームは、ウェーハＷに対して透過性を有する波長であり、ウェーハＷに対するレーザー光線の照射によってウェーハＷの一部が昇華されてレーザーアブレーションされる。従って、ウェーハＷの表面Ｗ１にレーザービームを照射しながら、加工ヘッド２０とウェーハＷとを相対移動することで分割起点となるレーザー加工溝Ｍが形成される。 The processing head 20 condenses a laser beam oscillated from an oscillator (not shown) with a condensing lens and irradiates the surface W1 which is the other surface of the wafer W with the laser beam to perform laser processing. In this case, the laser beam has a wavelength that is transparent to the wafer W, and a portion of the wafer W is sublimated and laser ablated by the irradiation of the laser beam on the wafer W. Therefore, by irradiating the front surface W1 of the wafer W with the laser beam, the machining head 20 and the wafer W are moved relative to each other, whereby the laser machining groove M serving as the division starting point is formed.

ここで、アブレーションとは、レーザー光線の照射強度が所定の加工閾値以上になると、固体表面で電子、熱的、光科学的及び力学的エネルギーに変換され、その結果、中性原子、分子、正負のイオン、ラジカル、クラスタ、電子、光が爆発的に放出され、固体表面がエッチングされる現象をいう。 Here, ablation means that when the irradiation intensity of a laser beam becomes equal to or higher than a predetermined processing threshold value, it is converted into electron, thermal, photochemical and mechanical energy on the solid surface, and as a result, neutral atoms, molecules, positive and negative A phenomenon in which ions, radicals, clusters, electrons, and light are explosively emitted and the solid surface is etched.

分割起点形成ステップでは、先ず、フレームユニットＵがチャックテーブル１１上に載置され、ウェーハＷがチャックテーブル１１上にテープＴを介して吸着保持される。次に、チャックテーブル１１が移動、回転されることで、例えば第１ストリートＬ１がＸ軸方向（第一方向）と平行となって伸長し、第２ストリートＬ２がＸ軸方向と直交するＹ軸方向（第二方向）と平行となって伸長するようにウェーハＷが位置付けられる。 In the division starting point forming step, first, the frame unit U is placed on the chuck table 11, and the wafer W is suction-held on the chuck table 11 via the tape T. Next, by moving and rotating the chuck table 11, for example, the first street L1 extends in parallel with the X-axis direction (first direction), and the second street L2 extends in the Y-axis orthogonal to the X-axis direction. The wafer W is positioned so as to extend in parallel with the direction (second direction).

次いで、チャックテーブル１１を移動してＸ軸方向に伸長する第１ストリートＬ１の加工開始位置が加工ヘッド２０の直下に位置付けられる。その後、ウェーハＷの表面Ｗ１側にレーザービームが照射されながら、チャックテーブル１１及び加工ヘッド２０がＸ軸方向と平行に相対移動（加工送り）される。これにより、第１ストリートＬ１に沿ってレーザービームが照射され、ウェーハＷの表面Ｗ１に第１ストリートＬ１に沿ってアブレーション加工処理が施され、分割起点となるレーザー加工溝Ｍが形成される。 Next, the machining start position of the first street L1 that moves the chuck table 11 and extends in the X-axis direction is positioned immediately below the machining head 20. After that, the chuck table 11 and the processing head 20 are relatively moved (processing feed) in parallel with the X-axis direction while the front surface W1 side of the wafer W is irradiated with the laser beam. Thereby, the laser beam is irradiated along the first street L1, the surface W1 of the wafer W is subjected to the ablation processing along the first street L1, and the laser processing groove M serving as the division starting point is formed.

対象の第１ストリートＬ１に沿ってレーザー加工溝Ｍを形成した後には、レーザービームの照射が停止され、チャックテーブル１１と加工ヘッド２０とがＹ軸方向に第１ストリートＬ１の間隔に対応して相対移動（割り出し送り）される。これにより、加工ヘッド２０を、対象の第１ストリートＬ１に隣接する第１ストリートＬ１に合わせることができる。 After forming the laser processing groove M along the target first street L1, the irradiation of the laser beam is stopped, and the chuck table 11 and the processing head 20 correspond to the interval of the first street L1 in the Y-axis direction. Relative movement (index feed). Thereby, the processing head 20 can be aligned with the first street L1 adjacent to the target first street L1.

続いて、隣接する第１のストリートＬ１に沿って同様のレーザー加工溝Ｍが形成される。この動作を繰り返し、Ｘ軸方向に伸びる全ての第１ストリートＬ１に沿ってレーザー加工溝Ｍが形成される。その後、チャックテーブル１１を回転軸の周りに９０°回転させて、Ｙ軸方向に伸びる第２ストリートＬ２に沿ってアブレーション加工によりレーザー加工溝Ｍが形成される。 Subsequently, similar laser-machined grooves M are formed along the adjacent first streets L1. By repeating this operation, the laser processed groove M is formed along all the first streets L1 extending in the X-axis direction. After that, the chuck table 11 is rotated by 90° around the rotation axis, and the laser processing groove M is formed by ablation processing along the second street L2 extending in the Y-axis direction.

図３に示すように、分割起点形成ステップが実施された後には分割ステップが実施される。分割ステップでは、ブレーキング装置を用い、レーザー加工溝Ｍが形成された各ストリートＬ１、Ｌ２に沿って分割する。ここで、ブレーキング装置２０について以下に説明する。ブレーキング装置２０では、ベース部２１上にガイドレール２２を介して移動テーブル２３が図３中左右方向に移動可能に支持されている。移動テーブル２３には円形状の開口部２３ａが形成されており、開口部２３ａの周縁には、環状の回転テーブル２４が回転可能に支持されている。移動テーブル２３は、不図示の移動機構によりガイドレール２２に沿って移動可能とされ、回転テーブル２４は不図示の回転機構により回転可能とされる。回転テーブル２４の四方にはフレームＦを保持するクランプ２５が設けられている。 As shown in FIG. 3, the dividing step is performed after the dividing starting point forming step is performed. In the dividing step, a breaking device is used to divide along the streets L1 and L2 in which the laser processed grooves M are formed. Here, the braking device 20 will be described below. In the braking device 20, a moving table 23 is supported on a base portion 21 via a guide rail 22 so as to be movable in the left-right direction in FIG. A circular opening 23a is formed in the moving table 23, and an annular rotary table 24 is rotatably supported on the peripheral edge of the opening 23a. The moving table 23 can be moved along the guide rail 22 by a moving mechanism (not shown), and the rotary table 24 can be rotated by a rotating mechanism (not shown). Clamps 25 for holding the frame F are provided on four sides of the rotary table 24.

ベース部２１上の中央であって回転テーブル２４に保持されたウェーハＷの下側には、撮像手段３１が配設されている。この撮像手段３１は、上方のウェーハＷを下側（表面Ｗ１側）から撮像して各ストリートＬ１、Ｌ２の位置を可視光により検出する。 An image pickup means 31 is arranged at the center of the base portion 21 and below the wafer W held on the rotary table 24. The imaging unit 31 images the upper wafer W from the lower side (front surface W1 side) to detect the positions of the streets L1 and L2 with visible light.

ベース部２１上の撮像手段３１の両側には、ポスト３２を介してＹ方向に延びる一対の支持台（支持手段）３３が配設されている。各支持台３３は、回転テーブル２４に保持されたウェーハＷを下側から１本の第１ストリートＬ１の両側で支持する。一対の支持台３３の上方には、ウェーハＷを上方から押圧する押圧刃（押圧手段）３４が設けられている。押圧刃３４は、一方向（紙面に垂直方向）に延在する長尺状に形成されており、不図示の押圧機構によって上下動される。 A pair of support bases (supporting means) 33 extending in the Y direction via posts 32 are provided on both sides of the imaging means 31 on the base portion 21. Each of the supporters 33 supports the wafer W held on the rotary table 24 on both sides of one first street L1 from the lower side. A pressing blade (pressing means) 34 that presses the wafer W from above is provided above the pair of support bases 33. The pressing blade 34 is formed in a long shape extending in one direction (direction perpendicular to the paper surface) and is vertically moved by a pressing mechanism (not shown).

押圧刃３４の近傍或いは隣接位置には、加熱手段となるヒーター４０が不図示の支持構造を介して配設されている。ヒーター４０は、温風の放出や遠赤外線の照射、或いはこれらの組合せによって、押圧刃３４の先端側に位置するテープＴを加熱してテープＴを昇温できるように設けられる。遠赤外線を用いたヒーター４０とした場合は、遠赤外線をテープＴのみが吸収するようにし、その他の構成については遠赤外線を吸収せずに昇温しないようにしてもよい。ヒーター４０は、テープＴにて押圧刃３４で押圧された領域、言い換えると、押圧刃３４の延在方向に平行となる細長い領域を加熱するよう、かかる延在方向に複数のヒーターを並設したり、延在方向と平行なノズル等を備えたヒーターによって構成できる。 A heater 40, which serves as a heating unit, is arranged near or adjacent to the pressing blade 34 via a support structure (not shown). The heater 40 is provided so as to heat the tape T located on the tip side of the pressing blade 34 and raise the temperature of the tape T by emitting hot air, irradiating far infrared rays, or a combination thereof. When the heater 40 using far-infrared rays is used, the far-infrared rays may be absorbed only by the tape T, and in other configurations, the far-infrared rays may not be absorbed and the temperature may not be raised. The heater 40 has a plurality of heaters arranged in parallel in the extending direction so as to heat an area pressed by the pressing blade 34 with the tape T, in other words, an elongated area parallel to the extending direction of the pressing blade 34. Alternatively, it can be constituted by a heater having a nozzle parallel to the extending direction.

分割ステップでは、先ず、テープＴを上側としてフレームユニットＵが回転テーブル２４上に載置され、クランプ２５によってフレームＦが押さえ付けられることによってウェーハＷが回転テーブル２４に保持される。次に、撮像手段３１によってウェーハＷの表面が撮像されると、撮像画像に基づいて一対の支持台３３の間かつ押圧刃３４の直下に第１ストリートＬ１が位置付けられる。このとき、ウェーハＷの表面Ｗ１側は、第１ストリートＬ１を挟む両側領域にて支持台３３に支持される。この状態で、押圧刃３４が下降されることで、レーザー加工溝Ｍに沿ってテープＴ越しに押圧刃３４でウェーハＷが垂直方向に押圧され、第１ストリートＬ１にてレーザー加工溝Ｍを分割起点としてウェーハＷが分割される。 In the dividing step, first, the frame unit U is placed on the rotary table 24 with the tape T as the upper side, and the frame F is pressed by the clamp 25, so that the wafer W is held on the rotary table 24. Next, when the surface of the wafer W is imaged by the imaging unit 31, the first street L1 is positioned between the pair of support bases 33 and immediately below the pressing blade 34 based on the captured image. At this time, the front surface W1 side of the wafer W is supported by the support table 33 in both side regions sandwiching the first street L1. In this state, when the pressing blade 34 is lowered, the wafer W is vertically pressed by the pressing blade 34 along the laser processing groove M over the tape T, and the laser processing groove M is divided at the first street L1. The wafer W is divided as a starting point.

このように分割する際には、図４に示すように、押圧刃３４によってテープＴにも垂直方向に押圧力が加わり、テープＴが押圧刃３４を挟んで離れる方向に伸びるように変形される。この変形によって、第１ストリートＬ１を挟んで隣接するデバイスチップＤＣ間の間隔が拡がるようになる。ここで、本実施の形態では、テープＴに向かってヒーター４０から温風が放出等されることで、押圧刃３４により分割直後の第１ストリートＬ１に沿う領域が所定温度以上に加熱される。テープＴにあっては所定温度以上の加熱によって収縮性を発現するので、ヒーター４０からの加熱で伸びたテープＴが収縮し、拡がったデバイスチップＤＣ間の間隔が元の位置に近付くように復元される。 When the tape is divided in this way, as shown in FIG. 4, a pressing force is applied to the tape T in the vertical direction by the pressing blade 34, and the tape T is deformed so as to extend in the direction in which the pressing blade 34 is separated. .. Due to this modification, the space between the device chips DC adjacent to each other across the first street L1 is expanded. Here, in the present embodiment, the warm air is emitted from the heater 40 toward the tape T, so that the pressing blade 34 heats the region along the first street L1 immediately after the division to a predetermined temperature or higher. Since the tape T exhibits contractility when heated to a temperature higher than a predetermined temperature, the tape T expanded by heating from the heater 40 contracts, and the expanded space between the device chips DC is restored so as to approach the original position. To be done.

対象の第１ストリートＬ１に沿ってウェーハＷを分割した後、フレームユニットＵと押圧刃３４とが第１ストリートＬ１の間隔に対応して第１ストリートＬ１と直交する方向に相対移動される。これにより、押圧刃３４を、対象の第１ストリートＬ１に隣接する第１ストリートＬ１に合わせることができる。続いて、隣接する第１のストリートＬ１に対し同様にてウェーハＷが分割され、この動作を繰り返し、全ての第１ストリートＬ１に沿ってウェーハＷが分割される。 After dividing the wafer W along the target first street L1, the frame unit U and the pressing blade 34 are relatively moved in the direction orthogonal to the first street L1 corresponding to the interval of the first street L1. Thereby, the pressing blade 34 can be aligned with the first street L1 adjacent to the target first street L1. Then, the wafer W is similarly divided into the adjacent first streets L1 and this operation is repeated to divide the wafer W along all the first streets L1.

次いで、回転テーブル２４（図３参照）を９０°回転させ、第２ストリートＬ２に沿った位置においても、上記と同様にしてレーザー加工溝Ｍを分割起点としてウェーハＷが分割される。第２ストリートＬ２に沿って分割する際には、ヒーター４０の運転を停止してもよいし、上記と同様にヒーター４０によってテープＴを加熱してもよい。そして、ウェーハＷにおいて、全ての第１ストリートＬ１及び第２ストリートＬ２に押圧刃３４が押し当てられることでテープＴに貼着した状態で個々のデバイスチップＤＣに分割される。 Next, the rotary table 24 (see FIG. 3) is rotated by 90°, and the wafer W is also divided at the position along the second street L2 with the laser processing groove M as the division start point in the same manner as above. When dividing along the second street L2, the operation of the heater 40 may be stopped, or the tape T may be heated by the heater 40 as described above. Then, in the wafer W, the pressing blades 34 are pressed against all the first streets L1 and the second streets L2, so that the wafer W is divided into individual device chips DC while being attached to the tape T.

本実施の形態の分割工程では、分割直後の第１ストリートＬ１に沿ってテープＴを加熱して収縮するので、第２ストリートＬ２に沿って分割するときに、テープＴが伸びたままの状態になることを抑制することができる。ここで、第１ストリートＬ１に沿って分割した後の状態を比較して説明するために、比較例として図５に示す分割ステップを検討する。 In the dividing step of the present embodiment, since the tape T is heated and contracted along the first street L1 immediately after the division, when the tape T is divided along the second street L2, the tape T remains in the stretched state. Can be suppressed. Here, in order to compare and explain the state after dividing along the first street L1, the dividing step shown in FIG. 5 will be considered as a comparative example.

図５は、比較例における分割ステップを示す図４と同様の説明図である。図５にて、上記実施の形態と同一となる構成については、便宜上同じ符号を付している。比較例においては、上記実施の形態に対し、テープＴを加熱せずに第１ストリートＬ１に沿ってウェーハＷを分割している。このようにウェーハＷを分割すると、第１ストリートＬ１を挟んで隣接するデバイスチップＤＣ間の間隔が拡がったままになる。このため、ウェーハＷに対して押圧刃３４による第１ストリートＬ１での分割回数が多くなる程、テープＴ全体としての変形量が大きくなり、ひいては、図５に示すようにテープＴが盛り上がったり波打ったりした状態になる。この状態で、ウェーハＷの向きを９０°変えて第２ストリートＬ２に沿って分割しようとすると、第２ストリートＬ２の位置に対して押圧刃３４の位置がずれたり、押圧刃３４を位置付けできずに分割不能となる場合がある。 FIG. 5 is an explanatory diagram similar to FIG. 4, showing the dividing steps in the comparative example. In FIG. 5, the same components as those in the above embodiment are denoted by the same reference numerals for convenience. In the comparative example, the wafer W is divided along the first street L1 without heating the tape T as compared with the above embodiment. When the wafer W is divided in this manner, the distance between the device chips DC adjacent to each other with the first street L1 interposed therebetween remains widened. Therefore, as the number of divisions of the wafer W on the first street L1 by the pressing blade 34 increases, the amount of deformation of the tape T as a whole increases, and as a result, the tape T rises or corrugates as shown in FIG. It will be in a struck state. In this state, if the direction of the wafer W is changed by 90° and the wafer W is divided along the second street L2, the position of the pressing blade 34 deviates from the position of the second street L2 or the pressing blade 34 cannot be positioned. It may not be divided into two.

この点、本実施の形態では、押圧刃３４で押圧した第１ストリートＬ１に沿ってテープＴを加熱するので、テープＴの変形を抑制でき、隣接するデバイスチップＤＣ間の間隔を元の状態に良好に維持することができる。これにより、その後の第２ストリートＬ２に沿って押圧刃３４で押圧するときに、第２ストリートＬ２の位置に対する押圧刃３４の位置精度を高めることができる。この結果、レーザー加工溝Ｍに押圧刃３４から効率良く押圧力が加わって加工精度を高めることができ、分割によって形成されたデバイスチップＤＣの寸法精度も高めることができる。 In this regard, in the present embodiment, since the tape T is heated along the first street L1 pressed by the pressing blade 34, the deformation of the tape T can be suppressed, and the distance between the adjacent device chips DC can be restored to the original state. Can be maintained well. Accordingly, when the pressing blade 34 is pressed along the second street L2 thereafter, the positional accuracy of the pressing blade 34 with respect to the position of the second street L2 can be improved. As a result, the pressing force can be efficiently applied to the laser processing groove M from the pressing blade 34 to improve the processing accuracy, and the dimensional accuracy of the device chip DC formed by division can also be improved.

特に、ストリートＬ１、Ｌ２のインデックス（間隔）が短くなり、デバイスチップＤＣのサイズが小さくなると、図５の変形例のようにテープＴが変形し易くなる。例えば、ウェーハＷの厚み１００μｍに対してインデックス１５０μｍ、ウェーハＷの厚み２００μｍに対してインデックス３００μｍにする等、ウェーハＷの厚みの１．５倍程度のインデックスサイズの小チップでは、テープＴの変形に追従するようデバイスチップＤＣの向きが変わり、テープＴが変形し易くなる。従って、このような場合に、第２ストリートＬ２の位置に対する押圧刃３４の位置が特に大きくずれ易くなるという問題がある。この点、本実施の形態では、分割直後の第１ストリートＬ１に沿ってテープＴを加熱して収縮するので、デバイスチップＤＣのサイズが小さくなっても、第２ストリートＬ２に対する押圧刃３４の押圧位置の精度を高め、第２ストリートＬ２で精度良く押圧分割することができる。 In particular, when the index (spacing) of the streets L1 and L2 becomes short and the size of the device chip DC becomes small, the tape T is easily deformed as in the modification of FIG. For example, when the thickness of the wafer W is 100 μm, the index is 150 μm, and the thickness of the wafer W is 200 μm, the index is 300 μm. The direction of the device chip DC changes so as to follow, and the tape T is easily deformed. Therefore, in such a case, there is a problem that the position of the pressing blade 34 with respect to the position of the second street L2 is likely to shift particularly greatly. In this respect, in the present embodiment, since the tape T is heated and contracted along the first street L1 immediately after the division, even if the size of the device chip DC becomes smaller, the pressing blade 34 presses the second street L2. It is possible to increase the position accuracy and accurately perform the pressure division on the second street L2.

なお、本発明は上記実施の形態に限定されず、種々変更して実施することが可能である。上記実施の形態において、添付図面に図示されている大きさや形状、方向などについては、これに限定されず、本発明の効果を発揮する範囲内で適宜変更することが可能である。その他、本発明の目的の範囲を逸脱しない限りにおいて適宜変更して実施することが可能である。 It should be noted that the present invention is not limited to the above-mentioned embodiment, and various modifications can be carried out. In the above-described embodiment, the size, shape, direction, etc. illustrated in the accompanying drawings are not limited to this, and can be appropriately changed within the range where the effect of the present invention is exerted. Other than the above, the present invention can be appropriately modified and implemented without departing from the scope of the object of the present invention.

例えば、ウェーハＷの分割起点としては、上述したレーザー加工溝Ｍに限定されるものでなく、種々の変更が可能である。例を挙げると、レーザービームの集光点をウェーハＷの内部に位置付け、レーザービームの照射によってウェーハＷの内部に分割起点となる改質層をストリートＬ１、Ｌ２に沿って形成してもよい。改質層は、レーザービームの照射によってウェーハＷの内部の密度、屈折率、機械的強度やその他の物理的特性が周囲と異なる状態となり、周囲よりも強度が低下する領域のことをいう。改質層は、例えば、溶融処理領域、クラック領域、絶縁破壊領域、屈折率変化領域であり、これらが混在した領域でもよい。 For example, the division starting point of the wafer W is not limited to the laser processing groove M described above, and various changes can be made. For example, the condensing point of the laser beam may be positioned inside the wafer W, and the modified layer serving as the division starting point may be formed inside the wafer W along the streets L1 and L2 by the irradiation of the laser beam. The modified layer is a region in which the internal density, refractive index, mechanical strength and other physical characteristics of the wafer W are different from those of the surroundings due to the irradiation of the laser beam, and the strength is lower than that of the surroundings. The modified layer is, for example, a melt-processed region, a crack region, a dielectric breakdown region, a refractive index change region, or may be a region in which these are mixed.

更に、分割起点としては、切削装置（ダイサー）やスクライバーなどを用いて分割起点となる加工溝を形成してもよい。 Further, as a division starting point, a machining groove serving as a division starting point may be formed by using a cutting device (dicer) or a scriber.

また、分割起点形成ステップを実施する前にウェーハＷの表面Ｗ１にＰＶＡ（ポリビニルアルコール）、ＰＥＧ（ポリエチレングリコール）等の水溶性樹脂を塗布して表面Ｗ１上に保護膜を被覆し、この保護膜を通してウェーハＷにレーザービームを照射してもよい。このように保護膜で被覆することで、レーザービームの照射によってデブリが発生しても、デブリが表面Ｗ１に付着することを防止できる。 In addition, before performing the division starting point forming step, a water-soluble resin such as PVA (polyvinyl alcohol) or PEG (polyethylene glycol) is applied to the surface W1 of the wafer W to cover the surface W1 with a protective film. The wafer W may be irradiated with a laser beam through the through. By covering with the protective film in this way, even if debris is generated by the irradiation of the laser beam, it is possible to prevent the debris from adhering to the surface W1.

以上説明したように、本発明は、押圧手段による押圧によってウェーハを精度良く分割することができるという効果を有し、各種のウェーハを個々のチップに分割するウェーハの加工方法に有用である。 As described above, the present invention has an effect that a wafer can be accurately divided by pressing by the pressing means, and is useful for a wafer processing method for dividing various wafers into individual chips.

３３支持台（支持手段）
３４押圧刃（押圧手段）
Ｄデバイス
ＤＣデバイスチップ（チップ）
Ｆフレーム（環状フレーム）
Ｌ１第１ストリート
Ｌ２第２ストリート
Ｍレーザー加工溝（分割起点）
Ｔテープ
Ｕフレームユニット
Ｗウェーハ
Ｗ１表面（他方の面）
Ｗ２裏面（一方の面） 33 Support stand (support means)
34 Pressing blade (pressing means)
D device DC device chip (chip)
F frame (annular frame)
L1 1st street L2 2nd street M Laser processing groove (division starting point)
T tape U frame unit W wafer W1 surface (other surface)
W2 back side (one side)

Claims

ウェーハ表面に形成された第一方向に伸長する複数の第１ストリートと、該第一方向と直交する第二方向に伸長する複数の第２ストリート、とにより区画された各領域に複数のデバイスを備えたウェーハを分割するウェーハの加工方法であって、
ウェーハの一方の面に所定温度以上の加熱で収縮性を発現するテープを貼着し、該テープの外周部を環状フレームに貼着してフレームユニットを形成するフレームユニット形成ステップと、
該フレームユニット形成ステップを実施した後、ウェーハの該第１ストリート及び該第２ストリートに沿って加工処理を施して、該第１ストリート及び該第２ストリートに沿ってウェーハの他方の面又は内部に分割起点を形成する分割起点形成ステップと、
該分割起点形成ステップを実施した後に、該フレームユニットのウェーハの該他方の面側を支持手段に支持し、該分割起点に沿って該テープ越しに押圧手段で垂直方向にウェーハを押圧して、ウェーハを該第１ストリートに沿って分割し、次いで該第２ストリートに沿って分割する分割ステップと、を備え、
該分割ステップの該第１ストリートに沿って押圧して分割する際には、該押圧手段により分割直後の第１ストリートに沿ってテープを加熱して収縮させて、該第１ストリートの隣接するチップ間の間隔を維持すること、を特徴とするウェーハの加工方法。
A plurality of devices are provided in each region defined by a plurality of first streets formed on the wafer surface and extending in a first direction and a plurality of second streets extending in a second direction orthogonal to the first direction. A wafer processing method for dividing a provided wafer,
A frame unit forming step of forming a frame unit by adhering a tape exhibiting shrinkage on one surface of the wafer by heating at a predetermined temperature or more, and adhering the outer peripheral portion of the tape to an annular frame.
After performing the frame unit forming step, processing is performed along the first street and the second street of the wafer, and the other surface or inside of the wafer is processed along the first street and the second street. A division starting point forming step of forming a division starting point,
After carrying out the division starting point forming step, the other surface side of the wafer of the frame unit is supported by a supporting means, and the wafer is pressed vertically by the pressing means over the tape along the division starting point, Dividing the wafer along the first street and then along the second street.
When the tape is divided along the first street in the dividing step by pressing, the tape is heated and shrunk along the first street immediately after the division by the pressing means, and the chip adjacent to the first street is shrunk. A method for processing a wafer, characterized in that a space between them is maintained.