JP6714760B2 - Ga2O3系単結晶基板 - Google Patents
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Description
また、特許文献1及び2に開示されている酸化ガリウム基板の製造方法では、商業的に使用される2インチサイズ以上での製造方法の記載がない。
本実施の形態においては、種結晶を用いて、Snが添加された平板状のβ−Ga2O3系単結晶をb軸もしくはc軸方向に成長させる。これにより、b軸もしくはc軸方向に垂直な方向の結晶品質のばらつきが小さいβ−Ga2O3系単結晶を得ることができる。
以下に、平板状のβ−Ga2O3系単結晶を成長させる方法の一例として、EFG(Edge-defined film-fed growth)法を用いる場合の方法について説明する。なお、本実施の形態の平板状のβ−Ga2O3系単結晶の成長方法はEFG法に限られず、他の成長方法、例えば、マイクロPD(pulling-down)法等の引き下げ法を用いてもよい。また、ブリッジマン法にEFG法のダイのようなスリットを有するダイを適用し、平板状のβ−Ga2O3系単結晶を育成してもよい。
図3は、平板状に成長させられたβ−Ga2O3系単結晶25を切り出して形成されたβ−Ga2O3系単結晶基板100を示す。当該基板100は直径が2インチであり、後述するBOW及びWARPを測定するための3点基準平面を形成するときの3点基準R1、R2、及びR3が、外周より直径の3%内側の位置であって120°の間隔で定義される。
図8は、その結晶性の評価の結果を示す。当該評価は、半値幅(FWHM)が17秒という良好なものであった。
本実施の形態によれば、双晶がなく、クラックや粒界が発生しない結晶性に非常に優れたβ−Ga2O3系単結晶の育成が可能になった。そのため、スライスや丸加工、研磨条件の検討が可能となり、BOW、WARP、あるいはTTVが所定の値を超えない、形状性に優れたβ−Ga2O3系単結晶基板を初めて提供できるようになった。
100…β−Ga2O3系単結晶基板
Claims (3)
- Ga2O3系単結晶のb軸もしくはc軸に平行な主面を有し、前記b軸もしくはc軸に垂直な方向の結晶構造のばらつきを抑制するSnを0.003〜1.0mol%含有し、前記主面のWARPが25μm以下であるGa2O3系単結晶基板。
- 前記主面のBOWが−13μm〜0である請求項1に記載のGa2O3系単結晶基板。
- X線回折のロッキングカーブ測定の半値幅が17秒以下である請求項1あるいは2に記載のGa2O3系単結晶基板。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2019141046A JP6714760B2 (ja) | 2019-07-31 | 2019-07-31 | Ga2O3系単結晶基板 |
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Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
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JP2019182744A JP2019182744A (ja) | 2019-10-24 |
JP6714760B2 true JP6714760B2 (ja) | 2020-06-24 |
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Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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JP2019141046A Active JP6714760B2 (ja) | 2019-07-31 | 2019-07-31 | Ga2O3系単結晶基板 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6714760B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN118159694A (zh) * | 2021-11-01 | 2024-06-07 | 三菱瓦斯化学株式会社 | β-Ga₂O₃/β-Ga₂O₃层叠体的制造方法 |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007254174A (ja) * | 2006-03-20 | 2007-10-04 | Nippon Light Metal Co Ltd | 酸化ガリウム単結晶及びその製造方法、並びに窒化物半導体用基板及びその製造方法 |
JP2008156141A (ja) * | 2006-12-21 | 2008-07-10 | Koha Co Ltd | 半導体基板及びその製造方法 |
JP2009091212A (ja) * | 2007-10-10 | 2009-04-30 | Nippon Light Metal Co Ltd | 酸化ガリウム単結晶基板及びその製造方法 |
JPWO2010032423A1 (ja) * | 2008-09-16 | 2012-02-02 | 昭和電工株式会社 | Iii族窒化物半導体発光素子の製造方法、iii族窒化物半導体発光素子並びにランプ、iii族窒化物半導体発光素子ウエーハの発光波長分布のばらつき低減方法 |
US8436366B2 (en) * | 2009-04-15 | 2013-05-07 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Substrate composed of silicon carbide with thin film, semiconductor device, and method of manufacturing a semiconductor device |
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Publication number | Publication date |
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JP2019182744A (ja) | 2019-10-24 |
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