JP6710463B2 - Wafer processing method - Google Patents
Wafer processing method Download PDFInfo
- Publication number
- JP6710463B2 JP6710463B2 JP2016200152A JP2016200152A JP6710463B2 JP 6710463 B2 JP6710463 B2 JP 6710463B2 JP 2016200152 A JP2016200152 A JP 2016200152A JP 2016200152 A JP2016200152 A JP 2016200152A JP 6710463 B2 JP6710463 B2 JP 6710463B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wafer
- holding
- modified layer
- back surface
- laser processing
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000003672 processing method Methods 0.000 title claims description 12
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 8
- 230000002040 relaxant effect Effects 0.000 claims description 6
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims description 5
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 83
- 239000000463 material Substances 0.000 description 7
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 5
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 5
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 5
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 5
- 238000002407 reforming Methods 0.000 description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- 239000006061 abrasive grain Substances 0.000 description 2
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 2
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 2
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Landscapes
- Laser Beam Processing (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
- Dicing (AREA)
Description
本発明は、ウェーハの内部をレーザービームで改質するウェーハの加工方法に関する。 The present invention relates to a wafer processing method for modifying the inside of a wafer with a laser beam.
携帯電話機やパーソナルコンピュータに代表される電子機器では、電子回路等のデバイスを備えるデバイスチップが必須の構成要素になっている。デバイスチップは、例えば、シリコン等の半導体材料でなるウェーハの表面を複数の分割予定ライン（ストリート）で区画し、各領域にデバイスを形成した後、この分割予定ラインに沿ってウェーハを分割することによって製造される。 In electronic devices represented by mobile phones and personal computers, a device chip including a device such as an electronic circuit is an essential component. For device chips, for example, the surface of a wafer made of a semiconductor material such as silicon is divided into a plurality of dividing lines (streets), devices are formed in the respective regions, and then the wafer is divided along the dividing lines. Manufactured by.
ウェーハを分割する方法の一つに、透過性のレーザービームをウェーハの内部に集光させて、多光子吸収により改質された改質層（改質領域）を形成するＳＤ（Stealth Dicing）と呼ばれる方法が知られている（例えば、特許文献１参照）。分割予定ラインに沿って改質層を形成した後に、ウェーハに対して力を加えることで、改質層を起点にウェーハを分割できる。 One of the methods for dividing the wafer is SD (Stealth Dicing) in which a transparent laser beam is focused inside the wafer to form a modified layer (modified region) modified by multiphoton absorption. A called method is known (for example, refer to Patent Document 1). After forming the modified layer along the dividing line, a force can be applied to the wafer to divide the wafer starting from the modified layer.
ところで、このＳＤでは、形成されるデバイスチップに改質層が残留して、デバイスチップの抗折強度を十分に高められないことが多い。そこで、改質層を形成した後にウェーハの裏面を研削して、改質層を除去しながらウェーハを複数のデバイスチップへと分割するＳＤＢＧ（Stealth Dicing Before Grinding）と呼ばれる方法も検討されている（例えば、特許文献２参照）。 By the way, in this SD, the modified layer remains on the formed device chip in many cases, and the bending strength of the device chip cannot be sufficiently increased in many cases. Therefore, a method called SDBG (Stealth Dicing Before Grinding), in which the rear surface of the wafer is ground after the modified layer is formed and the modified layer is removed to divide the wafer into a plurality of device chips, is also being studied ( See, for example, Patent Document 2).
上述したＳＤＢＧでは、デバイスチップへの分割を促進させるために、ウェーハの表面側にクラックが到達する条件で改質層を形成することが多い。しかしながら、そのような条件で改質層を形成すると、ウェーハが反ってしまい、搬出用の保持パッドでウェーハを保持して搬出できない等の問題が発生し易くなる。 In the above-described SDBG, in order to promote the division into device chips, the modified layer is often formed under the condition that cracks reach the surface side of the wafer. However, if the modified layer is formed under such a condition, the wafer is warped, and a problem such that the wafer cannot be held and carried out by the holding pad for carrying out is likely to occur.
本発明はかかる問題点に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、ウェーハの反りを抑制できるウェーハの加工方法を提供することである。 The present invention has been made in view of such problems, and an object of the present invention is to provide a wafer processing method capable of suppressing wafer warpage.
本発明の一態様によれば、複数の分割予定ラインが設定されたウェーハの加工方法であって、ウェーハの表面側を保持テーブルで保持する保持ステップと、該保持テーブルに保持されたウェーハに対して透過性を有する波長のレーザービームを照射し、ウェーハの該表面側の内部に該分割予定ラインに沿う改質層を形成するレーザー加工ステップと、該レーザー加工ステップを実施した後、ウェーハを保持するための保持部を有する保持パッドでウェーハの裏面を吸引、保持して、ウェーハを該保持テーブル上から搬出する搬出ステップと、該保持ステップを実施した後、該搬出ステップを実施する前に、該保持パッドの該保持部によって吸引、保持されるウェーハの該裏面側の被保持領域にレーザービームを照射し、ウェーハの反りを緩和させるための改質層をウェーハの該裏面側の内部に形成する反り緩和レーザー加工ステップと、を備え、該レーザー加工ステップでは、ウェーハの該表面側の中央領域に、該表面に至るクラックが発生する条件で改質層を形成し、該中央領域を除くウェーハの該表面側の領域に、該表面に至るクラックが発生しない条件で一部又は全部の改質層を形成するウェーハの加工方法が提供される。 According to one aspect of the present invention, there is provided a wafer processing method in which a plurality of planned dividing lines are set, in which a holding step of holding the front surface side of the wafer with a holding table and the wafer held by the holding table are performed. Laser beam having a wavelength having transparency to form a modified layer along the planned dividing line inside the front surface of the wafer, and holding the wafer after performing the laser processing step. By suction and holding the back surface of the wafer with a holding pad having a holding portion for carrying out, carrying out the wafer from the holding table, and after carrying out the holding step, before carrying out the carrying out step, A modified layer for irradiating a laser beam to a held region on the back surface side of the wafer which is sucked and held by the holding part of the holding pad to relax the warp of the wafer is formed inside the back surface side of the wafer. And a warping relaxation laser processing step, wherein in the laser processing step, a modified layer is formed in a central region on the surface side of the wafer under the condition that cracks reaching the surface occur, and the wafer excluding the central region is formed. A method for processing a wafer is provided in which a part or all of the modified layer is formed in a region on the surface side of the same under the condition that a crack reaching the surface does not occur.
本発明の一態様において、該反り緩和レーザー加工ステップでは、該分割予定ラインに沿ってレーザービームを照射することが好ましい。また、該搬出ステップを実施した後、ウェーハの該裏面側を研削してウェーハを所定の厚みまで薄くするとともに該改質層を起点にウェーハを複数のチップへと分割する研削ステップを更に備えることが好ましい。 In one aspect of the present invention, it is preferable that in the warp relaxation laser processing step, a laser beam is irradiated along the planned dividing line. Further, after carrying out the unloading step, further comprising a grinding step of grinding the back surface side of the wafer to thin the wafer to a predetermined thickness and dividing the wafer into a plurality of chips starting from the modified layer. Is preferred.
本発明の一態様に係るウェーハの加工方法では、ウェーハの表面側の中央領域に、表面に至るクラックが発生する条件で改質層を形成し、中央領域を除くウェーハの表面側の領域に、表面に至るクラックが発生しない条件で一部又は全部の改質層を形成するので、表面に至るクラックが発生する条件で全ての改質層を形成する場合等に比べて、ウェーハの反りを抑制できる。 In the wafer processing method according to one aspect of the present invention, in the central region on the front surface side of the wafer, a modified layer is formed under the condition that cracks reaching the surface occur, and in the region on the front surface side of the wafer excluding the central region, Since a part or all of the modified layer is formed under the condition that the crack reaching the surface does not occur, compared to the case where all the modified layers are formed under the condition that the crack reaching the surface occurs, the warpage of the wafer is suppressed. it can.
また、保持パッドによって吸引、保持されるウェーハの裏面側の被保持領域にレーザービームを照射し、ウェーハの反りを緩和させるための改質層をウェーハの裏面側の内部に形成するので、被保持領域での反りを更に抑制して、保持パッドでウェーハの裏面を適切に吸引、保持できる。 In addition, a laser beam is applied to the held area on the back surface side of the wafer that is sucked and held by the holding pad, and a modified layer for relaxing the warp of the wafer is formed inside the back surface side of the wafer. The warp in the area can be further suppressed, and the back surface of the wafer can be appropriately sucked and held by the holding pad.
添付図面を参照して、本発明の一態様に係る実施形態について説明する。本実施形態に係るウェーハの加工方法は、保持ステップ（図２（Ａ）参照）、レーザー加工ステップ（図２（Ｂ）、図３（Ａ）、図３（Ｂ）参照）、反り緩和レーザー加工ステップ（図４、図５（Ａ）、図５（Ｂ）参照）、搬出ステップ（図６（Ａ）参照）、及び研削ステップ（図６（Ｂ）参照）を含む。 An embodiment according to an aspect of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings. The wafer processing method according to the present embodiment includes a holding step (see FIG. 2A), a laser processing step (see FIG. 2B, FIG. 3A and FIG. 3B), and a warp relaxation laser processing. A step (see FIGS. 4, 5A, and 5B), a carry-out step (see FIG. 6A), and a grinding step (see FIG. 6B) are included.
保持ステップでは、ウェーハの表面側をレーザー加工装置のチャックテーブル（保持テーブル）で保持する。レーザー加工ステップでは、ウェーハに対して透過性を有する波長のレーザービームを照射して、ウェーハの表面側の内部に分割予定ラインに沿う改質層を形成する。具体的には、ウェーハの表面側の中央領域に、表面に至るクラックが発生する条件で改質層を形成し、中央領域を除くウェーハの表面側の領域に、このクラックが発生しない条件で少なくとも一部の改質層を形成する。 In the holding step, the front surface side of the wafer is held by a chuck table (holding table) of the laser processing device. In the laser processing step, a laser beam having a wavelength having transparency is applied to the wafer to form a modified layer along the planned dividing line inside the front surface of the wafer. Specifically, in the central region on the surface side of the wafer, a modified layer is formed under the condition that cracks reaching the surface occur, and in the region on the surface side of the wafer excluding the central region, at least under the condition that this crack does not occur. A part of the modified layer is formed.
反り緩和レーザー加工ステップでは、搬出の際に吸引、保持されるウェーハの裏面にレーザービームを照射して、ウェーハの反りを緩和させるための改質層をウェーハの裏面側の内部に形成する。搬出ステップでは、ウェーハを保持するための保持部を有する保持パッドでウェーハの裏面を吸引、保持して、ウェーハをチャックテーブル上から搬出する。 In the warp relaxation laser processing step, a laser beam is applied to the back surface of the wafer, which is sucked and held at the time of unloading, and a modified layer for relaxing the warp of the wafer is formed inside the back surface of the wafer. In the carry-out step, the back surface of the wafer is sucked and held by a holding pad having a holding portion for holding the wafer, and the wafer is carried out from the chuck table.
研削ステップでは、ウェーハの裏面側を研削してウェーハを所定の厚みまで薄くするとともに、レーザー加工ステップで形成された改質層を起点にウェーハを複数のチップへと分割する。以下、本実施形態に係るウェーハの加工方法について詳述する。 In the grinding step, the back side of the wafer is ground to thin the wafer to a predetermined thickness, and the wafer is divided into a plurality of chips starting from the modified layer formed in the laser processing step. The wafer processing method according to this embodiment will be described in detail below.
図１（Ａ）は、本実施形態に係るウェーハの加工方法で加工されるウェーハの構成例を模式的に示す斜視図である。図１（Ａ）に示すように、本実施形態で加工されるウェーハ１１は、シリコン（Ｓｉ）等の半導体材料を用いて円盤状に形成されている。ウェーハ１１の表面１１ａ側は、格子状に配列された分割予定ライン（ストリート）１３で複数の領域に区画されており、各領域には、ＩＣ、ＬＳＩ等のデバイス１５が形成されている。 FIG. 1A is a perspective view schematically showing a configuration example of a wafer processed by the wafer processing method according to this embodiment. As shown in FIG. 1A, the wafer 11 processed in this embodiment is formed in a disk shape using a semiconductor material such as silicon (Si). The front surface 11a side of the wafer 11 is divided into a plurality of areas by dividing lines (streets) 13 arranged in a grid pattern, and a device 15 such as an IC or LSI is formed in each area.
なお、本実施形態では、シリコン等の半導体材料でなる円盤状のウェーハ１１を用いているが、ウェーハ１１の材質、形状、構造、大きさ等に制限はない。例えば、セラミックス等の材料でなるウェーハ１１を用いることもできる。同様に、デバイス１５の種類、数量、大きさ、配置等にも制限はない。 Although the disk-shaped wafer 11 made of a semiconductor material such as silicon is used in the present embodiment, the material, shape, structure, size, etc. of the wafer 11 are not limited. For example, a wafer 11 made of a material such as ceramics can be used. Similarly, there are no restrictions on the type, quantity, size, arrangement, etc. of the devices 15.
本実施形態に係るウェーハの加工方法を実施する前には、上述したウェーハ１１の表面１１ａ側に保護部材を貼付しておく。図１（Ｂ）は、ウェーハ１１に保護部材が貼付される様子を模式的に示す斜視図である。保護部材２１は、例えば、ウェーハ１１と同等の径を持つ円形のフィルム（テープ）であり、その表面２１ａ側には、粘着力を有する糊層が設けられている。 Before carrying out the wafer processing method according to the present embodiment, a protective member is attached to the front surface 11a side of the wafer 11 described above. FIG. 1B is a perspective view schematically showing how the protective member is attached to the wafer 11. The protection member 21 is, for example, a circular film (tape) having a diameter equal to that of the wafer 11, and an adhesive layer having adhesive force is provided on the surface 21a side thereof.
そのため、図１（Ｂ）に示すように、この表面２１ａ側を被加工物１１の表面１１ａ側に密着させれば、被加工物１１の表面１１ａ側に保護部材２１を貼付できる。被加工物１１の表面１１ａ側に保護部材２１を貼付することで、後の各ステップで加わる衝撃を緩和して、ウェーハ１１の表面１１ａ側に形成されたデバイス１５等を保護できる。 Therefore, as shown in FIG. 1B, if the surface 21a side is brought into close contact with the surface 11a side of the workpiece 11, the protection member 21 can be attached to the surface 11a side of the workpiece 11. By attaching the protective member 21 to the surface 11a side of the workpiece 11, the impact applied in each subsequent step can be mitigated and the device 15 and the like formed on the surface 11a side of the wafer 11 can be protected.
ウェーハ１１の表面１１ａ側に保護部材２１を貼付した後には、このウェーハ１１の表面１１ａ側をレーザー加工装置のチャックテーブル（保持テーブル）で保持する保持ステップを行う。図２（Ａ）は、保持ステップを模式的に示す一部断面側面図である。図２（Ａ）に示すように、本実施形態で使用されるレーザー加工装置２は、ウェーハ１１を吸引、保持するためのチャックテーブル（保持テーブル）４を備えている。 After sticking the protection member 21 on the front surface 11a side of the wafer 11, a holding step of holding the front surface 11a side of the wafer 11 by the chuck table (holding table) of the laser processing apparatus is performed. FIG. 2A is a partial cross-sectional side view schematically showing the holding step. As shown in FIG. 2(A), the laser processing apparatus 2 used in this embodiment includes a chuck table (holding table) 4 for sucking and holding the wafer 11.
チャックテーブル４は、モータ等の回転駆動源（不図示）に連結されており、鉛直方向に概ね平行な回転軸の周りに回転する。また、チャックテーブル４の下方には、移動機構（不図示）が設けられており、チャックテーブル４は、この移動機構によって水平方向に移動する。 The chuck table 4 is connected to a rotary drive source (not shown) such as a motor, and rotates about a rotation axis substantially parallel to the vertical direction. A moving mechanism (not shown) is provided below the chuck table 4, and the chuck table 4 is moved in the horizontal direction by this moving mechanism.
チャックテーブル４の上面の一部は、ウェーハ１１の表面１１ａ側（保護部材２１の裏面２１ｂ側）を吸引、保持する保持面４ａとなっている。保持面４ａは、チャックテーブル４の内部に形成された吸引路（不図示）等を通じて吸引源（不図示）に接続されている。吸引源の負圧を保持面４ａに作用させることで、ウェーハ１１は、チャックテーブル４に吸引、保持される。 A part of the upper surface of the chuck table 4 serves as a holding surface 4a that sucks and holds the front surface 11a side of the wafer 11 (the back surface 21b side of the protection member 21). The holding surface 4a is connected to a suction source (not shown) through a suction path (not shown) formed inside the chuck table 4. By applying the negative pressure of the suction source to the holding surface 4 a, the wafer 11 is sucked and held by the chuck table 4.
保持ステップでは、ウェーハ１１に貼付されている保護部材２１の裏面２１ｂをチャックテーブル４の保持面４ａに接触させて、吸引源の負圧を作用させる。これにより、ウェーハ１１は、裏面１１ｂ側が上方に露出した状態でチャックテーブル４に吸引、保持される。 In the holding step, the back surface 21b of the protection member 21 attached to the wafer 11 is brought into contact with the holding surface 4a of the chuck table 4, and the negative pressure of the suction source is applied. As a result, the wafer 11 is sucked and held by the chuck table 4 with the back surface 11b side exposed upward.
保持ステップの後には、ウェーハ１１を分割する際の起点となる改質層をウェーハ１１の内部に形成するレーザー加工ステップを行う。図２（Ｂ）は、レーザー加工ステップを模式的に示す一部断面側面図である。図２（Ｂ）に示すように、チャックテーブル４の上方には、レーザー照射ユニット６が配置されている。 After the holding step, a laser processing step of forming a modified layer, which is a starting point when the wafer 11 is divided, inside the wafer 11 is performed. FIG. 2B is a partial cross-sectional side view schematically showing the laser processing step. As shown in FIG. 2B, a laser irradiation unit 6 is arranged above the chuck table 4.
レーザー照射ユニット６は、レーザー発振器（不図示）でパルス発振されたレーザービームＬを所定の位置に照射、集光する。レーザー発振器は、ウェーハ１１に対して透過性を有する波長（吸収され難い波長）のレーザービームＬをパルス発振できるように構成されている。 The laser irradiation unit 6 irradiates and condenses the laser beam L pulse-oscillated by a laser oscillator (not shown) at a predetermined position. The laser oscillator is configured to be able to pulse-oscillate the laser beam L having a wavelength that is transparent to the wafer 11 (a wavelength that is difficult to be absorbed).
レーザー加工ステップでは、まず、チャックテーブル４を移動、回転させて、対象となる分割予定ライン１３の延長線上にレーザー照射ユニット６を合わせる。そして、図２（Ｂ）に示すように、レーザー照射ユニット６からウェーハ１１の裏面１１ｂに向けてレーザービームＬを照射しながら、対象の分割予定ライン１３に対して平行な方向にチャックテーブル４を移動させる。 In the laser processing step, first, the chuck table 4 is moved and rotated to align the laser irradiation unit 6 on the extension line of the target planned dividing line 13. Then, as shown in FIG. 2B, while irradiating the laser beam L from the laser irradiation unit 6 toward the back surface 11b of the wafer 11, the chuck table 4 is moved in a direction parallel to the target planned dividing line 13. To move.
レーザービームＬは、ウェーハ１１の内部の表面１１ａ側（例えば、ウェーハ１１の厚み方向の中央より表面１１ａ側）に集光させる。このように、ウェーハ１１に対して透過性を有する波長のレーザービームＬを、ウェーハ１１の表面１１ａ側の内部に集光させることで、ウェーハ１１の表面１１ａ側の内部を改質して分割の起点となる改質層１７を形成できる。 The laser beam L is focused on the surface 11a side inside the wafer 11 (for example, the surface 11a side from the center of the wafer 11 in the thickness direction). In this way, by concentrating the laser beam L having a wavelength that is transparent to the wafer 11 inside the front surface 11a side of the wafer 11, the inside of the front surface 11a side of the wafer 11 is modified and divided. The modified layer 17 serving as a starting point can be formed.
なお、この改質層１７は、後の研削によって除去される深さの位置に形成されることが望ましい。例えば、後にウェーハ１１を裏面１１ｂ側から研削して３０μｍ程の厚みまで薄くする場合には、表面１１ａから７０μｍ程の深さの位置に改質層１７を形成すると良い。上述のような動作を繰り返し、全ての分割予定ライン１３に沿って改質層１７が形成されると、レーザー加工ステップは終了する。なお、各分割予定ライン１３に対して、異なる深さの位置に複数の改質層１７を形成することもできる。 It is desirable that the modified layer 17 is formed at a position of a depth that will be removed by later grinding. For example, when the wafer 11 is later ground from the back surface 11b side to be thinned to a thickness of about 30 μm, the modified layer 17 may be formed at a position of a depth of about 70 μm from the front surface 11a. When the modified layer 17 is formed along all the planned dividing lines 13 by repeating the above-described operation, the laser processing step ends. It is also possible to form a plurality of modified layers 17 at positions of different depths for each planned dividing line 13.
図３（Ａ）は、改質層１７を形成する際の加工の条件を説明するための平面図であり、図３（Ｂ）は、改質層１７が形成されたウェーハ１１を模式的に示す一部断面側面図である。本実施形態のレーザー加工ステップでは、改質層１７を形成する際の加工の条件をウェーハ１１の領域毎に異ならせる。 FIG. 3A is a plan view for explaining processing conditions when forming the modified layer 17, and FIG. 3B schematically shows the wafer 11 on which the modified layer 17 is formed. It is a partial cross-sectional side view shown. In the laser processing step of this embodiment, processing conditions for forming the modified layer 17 are made different for each region of the wafer 11.
例えば、図３（Ａ）に示すように、Ｘ軸方向に平行な複数の分割予定ライン１３のうちで、Ｙ軸方向の中央の領域（Ｙ１〜Ｙ２）に存在する分割予定ライン１３には、比較的高い出力のレーザービームＬを照射する。具体的には、図３（Ｂ）に示すように、表面１１ａに至るクラック１１ｃが発生する条件で改質層１７ａを形成する。 For example, as shown in FIG. 3(A), among the plurality of planned dividing lines 13 parallel to the X-axis direction, the planned dividing line 13 existing in the central region (Y 1 to Y 2 ) in the Y-axis direction is Irradiates the laser beam L having a relatively high output. Specifically, as shown in FIG. 3B, the modified layer 17a is formed under the condition that the crack 11c reaching the surface 11a occurs.
同様に、Ｙ軸方向に平行な複数の分割予定ライン１３のうちで、Ｘ軸方向の中央の領域（Ｘ１〜Ｘ２）に存在する分割予定ライン１３には、比較的高い出力のレーザービームＬを照射する。つまり、表面１１ａに至るクラック１１ｃが発生する条件で改質層１７ａを形成する。 Similarly, among the plurality of planned division lines 13 parallel to the Y-axis direction, the planned division line 13 existing in the central region (X 1 to X 2 ) in the X-axis direction has a relatively high output laser beam. Irradiate L. That is, the modified layer 17a is formed under the condition that the crack 11c reaching the surface 11a is generated.
一方で、図３（Ａ）に示すように、Ｘ軸方向に平行な複数の分割予定ライン１３のうちで、Ｙ軸方向の中央の領域（Ｙ１〜Ｙ２）を除く領域に存在する分割予定ライン１３には、比較的低い出力のレーザービームＬを照射する。具体的には、図３（Ｂ）に示すように、表面１１ａに至るクラック１１ｃが発生しない条件で改質層１７ｂを形成する。 On the other hand, as shown in FIG. 3(A), among the plurality of planned division lines 13 parallel to the X-axis direction, the divisions existing in the region excluding the central region (Y 1 to Y 2 ) in the Y-axis direction. The scheduled line 13 is irradiated with the laser beam L having a relatively low output. Specifically, as shown in FIG. 3B, the modified layer 17b is formed under the condition that the crack 11c reaching the surface 11a does not occur.
また、Ｙ軸方向に平行な複数の分割予定ライン１３のうちで、Ｘ軸方向の中央の領域（Ｘ１〜Ｘ２）を除く領域に存在する分割予定ライン１３には、比較的低い出力のレーザービームＬを照射する。つまり、表面１１ａに至るクラック１１ｃが発生する条件で改質層１７ａを形成する。 In addition, among the plurality of planned division lines 13 parallel to the Y-axis direction, the planned division line 13 existing in a region other than the central region (X 1 to X 2 ) in the X-axis direction has a relatively low output. Irradiate the laser beam L. That is, the modified layer 17a is formed under the condition that the crack 11c reaching the surface 11a is generated.
このように、ウェーハ１１の表面１１ａ側の中央の領域（中央領域）Ａに、表面１１ａに至るクラック１１ｃが発生する条件で改質層１７ａを形成すれば、後の研削の際に力が加わり難い中央の領域Ａを適切に分割できるようになる。一方で、改質層１７ａは、高出力のレーザービームＬによって形成されるので、ウェーハ１１の反りの原因になり易い。 Thus, if the modified layer 17a is formed in the central region (central region) A on the front surface 11a side of the wafer 11 under the condition that the crack 11c reaching the front surface 11a occurs, a force is applied during the subsequent grinding. It becomes possible to appropriately divide the difficult central region A. On the other hand, since the modified layer 17a is formed by the high-power laser beam L, it tends to cause the warp of the wafer 11.
そこで、本実施形態では、中央の領域Ａを除くウェーハ１１の表面１１ａ側の領域Ｂ（外周領域）において、改質層１７の少なくとも一部を、クラック１１ｃが発生しない条件で形成される改質層１７ｂとする。これにより、全ての改質層１７を改質層１７ａとする場合に比べて、ウェーハ１１の反りを抑制できる。 Therefore, in the present embodiment, in the region B (outer peripheral region) on the surface 11a side of the wafer 11 excluding the central region A, at least a part of the modified layer 17 is formed under the condition that the crack 11c does not occur. This is layer 17b. Thereby, the warp of the wafer 11 can be suppressed as compared with the case where all the modified layers 17 are modified layers 17a.
より詳細な加工の条件は、ウェーハ１１の材質、形状、構造、大きさ等に応じて適切に設定される。また、中央の領域Ａの範囲や形状等の条件も、任意に設定できる。なお、後述する搬送ステップで使用される保持パッドの保持部の面積より領域Ａの面積を小さくすると、反りが小さくなってウェーハ１１を適切に搬出し易くなる。この場合、領域Ａの面積を保持パッドの保持部の面積の３０％〜８０％にするのが望ましく、５０％〜６０％にするとより望ましい。 More detailed processing conditions are appropriately set according to the material, shape, structure, size, etc. of the wafer 11. Further, the conditions such as the range and shape of the central area A can be set arbitrarily. If the area of the area A is smaller than the area of the holding portion of the holding pad used in the carrying step described later, the warp becomes small and the wafer 11 can be easily carried out properly. In this case, the area of the region A is preferably 30% to 80% of the area of the holding portion of the holding pad, and more preferably 50% to 60%.
シリコンでなるウェーハ１１に改質層１７を形成する際の加工の条件は、例えば、次のように設定される。
レーザービームの波長：１３４２ｎｍ（ＹＡＧ）
レーザービームの繰り返し周波数：９０ｋＨｚ
レーザービームのスポット径：２．５μｍ（直径）
レーザービームのスポットの位置（深さ）：ウェーハの表面から７０μｍ
レーザービームの出力：１．５Ｗ（クラック発生）、１．２Ｗ（クラック不発生）
チャックテーブルの移動速度（送り速度）：７００ｍｍ／ｓ
The processing conditions for forming the modified layer 17 on the wafer 11 made of silicon are set as follows, for example.
Laser beam wavelength: 1342 nm (YAG)
Laser beam repetition frequency: 90 kHz
Laser beam spot diameter: 2.5 μm (diameter)
Position of laser beam spot (depth): 70 μm from wafer surface
Laser beam output: 1.5W (cracks generated), 1.2W (cracks not generated)
Chuck table moving speed (feed speed): 700 mm/s
上述したレーザー加工ステップの後には、ウェーハ１１の反りを緩和させるための改質層をウェーハの裏面１１ｂ側の内部に形成する反り緩和レーザー加工ステップを行う。図４は、反り緩和レーザー加工ステップを模式的に示す一部断面側面図である。図４に示すように、反り緩和レーザー加工ステップは、引き続きレーザー加工装置２を用いて行われる。 After the laser processing step described above, a warp relaxation laser processing step of forming a modified layer for relaxing the warp of the wafer 11 inside the back surface 11b of the wafer is performed. FIG. 4 is a partial cross-sectional side view schematically showing the warp relaxation laser processing step. As shown in FIG. 4, the warp relaxation laser processing step is continuously performed using the laser processing apparatus 2.
反り緩和レーザー加工ステップでは、まず、チャックテーブル４を移動、回転させて、任意の加工開始位置の上方にレーザー照射ユニット６を合わせる。そして、図４に示すように、レーザー照射ユニット６からウェーハ１１に対してレーザービームＬを照射しながら、チャックテーブル４を水平方向に移動させる。 In the warp relaxation laser processing step, first, the chuck table 4 is moved and rotated to align the laser irradiation unit 6 above an arbitrary processing start position. Then, as shown in FIG. 4, the chuck table 4 is moved in the horizontal direction while irradiating the laser beam L from the laser irradiation unit 6 to the wafer 11.
レーザービームＬは、ウェーハ１１の内部の裏面１１ｂ側（例えば、ウェーハ１１の厚み方向の中央より裏面１１ｂ側）に集光させる。このように、ウェーハ１１に対して透過性を有する波長のレーザービームＬを、ウェーハ１１の裏面１１ｂ側の内部に集光させることで、ウェーハ１１の裏面１１ｂ側の内部を改質して反りを緩和させるための改質層１９を形成できる。 The laser beam L is focused on the back surface 11b side inside the wafer 11 (for example, the back surface 11b side from the center in the thickness direction of the wafer 11). In this way, by condensing the laser beam L having a wavelength that is transparent to the wafer 11 inside the back surface 11b side of the wafer 11, the inside of the back surface 11b side of the wafer 11 is modified and warps are generated. The modified layer 19 for relaxing can be formed.
なお、この改質層１９は、後の研削によって除去される深さの位置に形成される。また、表面１１ａから改質層１７までの距離と、裏面１１ｂから改質層１９までの距離とが同じになる深さの位置に改質層１９を形成することが望ましい。例えば、表面１１ａから７０μｍ程の深さの位置に改質層１７を形成する場合には、裏面１１ｂから７０μｍ程の位置に改質層１９を形成すると良い。上述のような動作を繰り返し、全ての加工予定領域に改質層１９が形成されると、反り緩和レーザー加工ステップは終了する。 The modified layer 19 is formed at a position of a depth to be removed by later grinding. Further, it is desirable to form the modified layer 19 at a position where the distance from the front surface 11a to the modified layer 17 is the same as the distance from the back surface 11b to the modified layer 19. For example, when the reforming layer 17 is formed at a depth of about 70 μm from the front surface 11a, the reforming layer 19 may be formed at a position of about 70 μm from the back surface 11b. When the modified layer 19 is formed in all the planned processing regions by repeating the above-described operation, the warp relaxation laser processing step ends.
図５（Ａ）は、改質層１９を形成する際の加工の条件を説明するための平面図であり、図５（Ｂ）は、改質層１９が形成されたウェーハ１１を模式的に示す一部断面側面図である。本実施形態の反り緩和レーザー加工ステップでは、搬出の際に吸引、保持されるウェーハ１１の一部の領域に改質層１９を形成する。 FIG. 5(A) is a plan view for explaining processing conditions when forming the modified layer 19, and FIG. 5(B) schematically shows the wafer 11 on which the modified layer 19 is formed. It is a partial cross-sectional side view shown. In the warp relaxation laser processing step of the present embodiment, the modified layer 19 is formed in a partial region of the wafer 11 that is sucked and held at the time of unloading.
例えば、図５（Ａ）に示すように、搬出の際に保持パッドによって吸引、保持される裏面１１ｂ側の被保持領域Ｃに比較的高い出力のレーザービームＬを照射して、改質層１９を形成する。具体的には、図５（Ｂ）に示すように、裏面１１ｂに至るクラック１１ｃが発生する条件で改質層１９を形成する。これにより、被保持領域Ｃで改質層１７によるウェーハ１１の反りを緩和し、保持パッドでウェーハ１１を適切に吸引、保持できるようになる。 For example, as shown in FIG. 5A, the region to be held C on the back surface 11b side, which is sucked and held by the holding pad at the time of carrying out, is irradiated with the laser beam L having a relatively high output, and the modified layer 19 To form. Specifically, as shown in FIG. 5B, the modified layer 19 is formed under the condition that the crack 11c reaching the back surface 11b occurs. As a result, the warp of the wafer 11 due to the modified layer 17 in the held region C can be alleviated, and the wafer 11 can be appropriately sucked and held by the holding pad.
なお、この改質層１９は、分割予定ライン１３に沿って形成されることが望ましい。これにより、レーザービームＬの照射に起因するデバイス１５の損傷等を防止できる。より詳細な加工の条件は、ウェーハ１１の材質、形状、構造、大きさや、改質層１７の配置、数量、状態等に応じて適切に設定される。 The modified layer 19 is preferably formed along the planned dividing line 13. This can prevent damage to the device 15 due to the irradiation of the laser beam L. More detailed processing conditions are appropriately set according to the material, shape, structure, and size of the wafer 11, the arrangement, quantity, state, etc. of the modified layer 17.
シリコンでなるウェーハ１１に改質層１９を形成する際の加工の条件は、例えば、次のように設定される。
レーザービームの波長：１３４２ｎｍ（ＹＡＧ）
レーザービームの繰り返し周波数：９０ｋＨｚ
レーザービームのスポット径：２．５μｍ（直径）
レーザービームのスポットの位置（深さ）：ウェーハの裏面から７０μｍ
レーザービームの出力：１．５〜１．７Ｗ
チャックテーブルの移動速度（送り速度）：７００ｍｍ／ｓ
The processing conditions for forming the modified layer 19 on the wafer 11 made of silicon are set as follows, for example.
Laser beam wavelength: 1342 nm (YAG)
Laser beam repetition frequency: 90 kHz
Laser beam spot diameter: 2.5 μm (diameter)
Position of laser beam spot (depth): 70 μm from backside of wafer
Laser beam power: 1.5-1.7W
Chuck table moving speed (feed speed): 700 mm/s
反り緩和レーザー加工ステップの後には、ウェーハ１１をチャックテーブル４上から搬出する搬出ステップを行う。図６（Ａ）は、搬出ステップを模式的に示す一部断面側面図である。図６（Ａ）に示すように、レーザー加工装置２は、ウェーハ１１を吸引、保持して搬送する搬送ユニット８を備えている。 After the warp relaxation laser processing step, a unloading step of unloading the wafer 11 from the chuck table 4 is performed. FIG. 6A is a partial cross-sectional side view schematically showing the carry-out step. As shown in FIG. 6A, the laser processing apparatus 2 includes a transfer unit 8 that sucks, holds, and transfers the wafer 11.
搬送ユニット８は、基端側に移動機構（不図示）が設けられた搬送アーム１０と、搬送アーム１０の先端側に固定された保持パッド１２とを含む。保持パッド１２の下面の一部は、ウェーハ１１の裏面１１ｂを吸引、保持する保持部１２ａとなっている。保持部１２ａは、搬送ユニット８に設けられた吸引路（不図示）等を通じて吸引源（不図示）に接続されている。吸引源の負圧を保持部１２ａに作用させることで、ウェーハ１１は、保持パッド１２に吸引、保持される。 The transport unit 8 includes a transport arm 10 provided with a moving mechanism (not shown) on the base end side, and a holding pad 12 fixed to the tip end side of the transport arm 10. A part of the lower surface of the holding pad 12 serves as a holding portion 12a that sucks and holds the back surface 11b of the wafer 11. The holder 12a is connected to a suction source (not shown) through a suction path (not shown) provided in the transport unit 8. The negative pressure of the suction source is applied to the holding portion 12 a, so that the wafer 11 is sucked and held by the holding pad 12.
搬出ステップでは、ウェーハ１１の裏面１１ｂ側（被保持領域Ｃ）に保持パッド１２の保持部１２ａを接触させて、吸引源の負圧を作用させる。併せて、チャックテーブル４の保持面４ａに作用している吸引源の負圧を遮断する。これにより、ウェーハ１１は、保持パッド１２に吸引、保持される。 In the carry-out step, the holding portion 12a of the holding pad 12 is brought into contact with the back surface 11b side (holding area C) of the wafer 11 to apply the negative pressure of the suction source. At the same time, the negative pressure of the suction source acting on the holding surface 4a of the chuck table 4 is shut off. As a result, the wafer 11 is sucked and held by the holding pad 12.
本実施形態では、上述したレーザー加工ステップ及び反り緩和レーザー加工ステップにより、ウェーハ１１の反りを緩和させている。よって、ウェーハ１１を、保持パッド１２で適切に吸引、保持できる。その後、移動機構で保持パッド１２を任意の位置まで移動させると、搬出ステップは終了する。 In this embodiment, the warp of the wafer 11 is alleviated by the laser processing step and the warp relaxation laser processing step described above. Therefore, the wafer 11 can be appropriately sucked and held by the holding pad 12. After that, when the holding pad 12 is moved to an arbitrary position by the moving mechanism, the carry-out step ends.
搬出ステップの後には、ウェーハ１１の裏面１１ｂ側を研削してウェーハ１１を所定の厚みまで薄くするとともに、レーザー加工ステップで形成された改質層１７を起点にウェーハ１１を複数のチップへと分割する研削ステップを行う。図６（Ｂ）は、研削ステップを模式的に示す一部断面側面図である。 After the carrying-out step, the back surface 11b side of the wafer 11 is ground to reduce the thickness of the wafer 11 to a predetermined thickness, and the modified layer 17 formed in the laser processing step is used as a starting point to divide the wafer 11 into a plurality of chips. Grinding step. FIG. 6B is a partial cross-sectional side view schematically showing the grinding step.
研削ステップは、例えば、図６（Ｂ）に示す研削装置２２を用いて行われる。研削装置２２は、ウェーハ１１を吸引、保持するためのチャックテーブル（保持テーブル）２４を備えている。チャックテーブル２４は、モータ等の回転駆動源（不図示）に連結されており、鉛直方向に概ね平行な回転軸の周りに回転する。また、チャックテーブル２４の下方には、移動機構（不図示）が設けられており、チャックテーブル２４は、この移動機構によって水平方向に移動する。 The grinding step is performed using, for example, the grinding device 22 shown in FIG. The grinding device 22 includes a chuck table (holding table) 24 for sucking and holding the wafer 11. The chuck table 24 is connected to a rotary drive source (not shown) such as a motor and rotates about a rotation axis substantially parallel to the vertical direction. A moving mechanism (not shown) is provided below the chuck table 24, and the chuck table 24 is moved in the horizontal direction by this moving mechanism.
チャックテーブル２４の上面の一部は、ウェーハ１１の表面１１ａ側（保護部材２１の裏面２１ｂ側）を吸引、保持する保持面２４ａとなっている。保持面２４ａは、チャックテーブル２４の内部に形成された吸引路（不図示）等を通じて吸引源（不図示）に接続されている。吸引源の負圧を保持面２４ａに作用させることで、ウェーハ１１は、チャックテーブル２４に吸引、保持される。 A part of the upper surface of the chuck table 24 is a holding surface 24a that sucks and holds the front surface 11a side of the wafer 11 (the back surface 21b side of the protection member 21). The holding surface 24 a is connected to a suction source (not shown) through a suction path (not shown) formed inside the chuck table 24. By applying the negative pressure of the suction source to the holding surface 24 a, the wafer 11 is sucked and held by the chuck table 24.
チャックテーブル２４の上方には、研削ユニット２６が配置されている。研削ユニット２６は、昇降機構（不図示）に支持されたスピンドルハウジング（不図示）を備えている。スピンドルハウジングには、スピンドル２８が収容されており、スピンドル２８の下端部には、円盤状のマウント３０が固定されている。 A grinding unit 26 is arranged above the chuck table 24. The grinding unit 26 includes a spindle housing (not shown) supported by a lifting mechanism (not shown). A spindle 28 is accommodated in the spindle housing, and a disc-shaped mount 30 is fixed to the lower end of the spindle 28.
マウント３０の下面には、マウント３０と概ね同径の研削ホイール３２が装着されている。研削ホイール３２は、ステンレス、アルミニウム等の金属材料で形成されたホイール基台３４を備えている。ホイール基台３４の下面には、複数の研削砥石３６が環状に配列されている。 A grinding wheel 32 having a diameter substantially the same as that of the mount 30 is mounted on the lower surface of the mount 30. The grinding wheel 32 includes a wheel base 34 made of a metal material such as stainless steel or aluminum. A plurality of grinding wheels 36 are annularly arranged on the lower surface of the wheel base 34.
スピンドル２８の上端側（基端側）には、モータ等の回転駆動源（不図示）が連結されており、研削ホイール３２は、この回転駆動源で発生する力によって、鉛直方向に概ね平行な回転軸の周りに回転する。研削ユニット２６の内部又は近傍には、純水等の研削液をウェーハ１１等に対して供給するためのノズル（不図示）が設けられている。 A rotary drive source (not shown) such as a motor is connected to the upper end side (base end side) of the spindle 28, and the grinding wheel 32 is substantially parallel to the vertical direction by the force generated by the rotary drive source. Rotate around the axis of rotation. A nozzle (not shown) for supplying a grinding liquid such as pure water to the wafer 11 or the like is provided inside or near the grinding unit 26.
研削ステップでは、まず、搬出ステップにおいてレーザー加工装置２のチャックテーブル４から搬出されたウェーハ１１を、チャックテーブル２４に吸引、保持させる。具体的には、ウェーハ１１に貼付されている保護部材２１の裏面２１ｂをチャックテーブル２４の保持面２４ａに接触させて、吸引源の負圧を作用させる。これにより、ウェーハ１１は、裏面１１ｂ側が上方に露出した状態でチャックテーブル２４に吸引、保持される。 In the grinding step, first, the wafer 11 carried out from the chuck table 4 of the laser processing apparatus 2 in the carry-out step is sucked and held by the chuck table 24. Specifically, the back surface 21b of the protection member 21 attached to the wafer 11 is brought into contact with the holding surface 24a of the chuck table 24, and the negative pressure of the suction source is applied. As a result, the wafer 11 is sucked and held by the chuck table 24 with the back surface 11b side exposed upward.
次に、チャックテーブル２４を研削ユニット２６の下方に移動させる。そして、図６（Ｂ）に示すように、チャックテーブル２４と研削ホイール３２とをそれぞれ回転させて、研削液をウェーハ１１の裏面１１ｂ等に供給しながらスピンドルハウジング（スピンドル２８、研削ホイール３２）を下降させる。 Next, the chuck table 24 is moved below the grinding unit 26. Then, as shown in FIG. 6B, the chuck table 24 and the grinding wheel 32 are each rotated to supply the grinding liquid to the back surface 11b of the wafer 11 and the like, and the spindle housing (spindle 28, grinding wheel 32) is moved. Lower it.
スピンドルハウジングの下降速度（下降量）は、ウェーハ１１の裏面１１ｂ側に研削砥石３６の下面が押し当てられる程度に調整される。これにより、裏面１１ｂ側を研削して、ウェーハ１１を薄くできる。ウェーハ１１が所定の厚み（仕上げ厚み）まで薄くなり、改質層１７を起点に複数のチップへと分割されると、研削ステップは終了する。 The lowering speed (lowering amount) of the spindle housing is adjusted to such an extent that the lower surface of the grinding wheel 36 is pressed against the back surface 11b side of the wafer 11. Thereby, the back surface 11b side can be ground and the wafer 11 can be thinned. When the wafer 11 is thinned to a predetermined thickness (finish thickness) and divided into a plurality of chips starting from the modified layer 17, the grinding step is completed.
なお、本実施形態では、１組の研削ユニット２６（研削砥石３６）を用いてウェーハ１１の裏面１１ｂ側を研削しているが、２組以上の研削ユニット（研削砥石）を用いてウェーハ１１を研削しても良い。例えば、径が大きい砥粒で構成された研削砥石を用いて粗い研削を行い、径が小さい砥粒で構成された研削砥石を用いて仕上げの研削を行うことで、研削に要する時間を大幅に長くすることなく裏面１１ｂの平坦性を高められる。 In the present embodiment, the back surface 11b side of the wafer 11 is ground by using one set of the grinding unit 26 (grinding grindstone 36), but the wafer 11 is ground by using two or more sets of grinding units (grinding grindstones). It may be ground. For example, rough grinding is performed using a grinding wheel composed of large-diameter abrasive grains, and finishing grinding is performed using a grinding wheel composed of small-diameter abrasive grains, thereby significantly reducing the time required for grinding. The flatness of the back surface 11b can be improved without increasing the length.
以上のように、本実施形態に係るウェーハの加工方法では、ウェーハ１１の表面１１ａ側の中央の領域（中央領域）Ａに、表面１１ａに至るクラック１１ｃが発生する条件で改質層１７ａを形成し、領域Ａを除くウェーハの表面１１ａ側の領域Ｂに、表面１１ａに至るクラックが発生しない条件で改質層１７ｂを形成するので、表面１１ａに至るクラック１１ｃが発生する条件で全ての改質層１７を形成する場合等に比べて、ウェーハ１１の反りを抑制できる。 As described above, in the wafer processing method according to this embodiment, the modified layer 17a is formed in the central region (central region) A on the front surface 11a side of the wafer 11 under the condition that the crack 11c reaching the front surface 11a occurs. Then, since the modified layer 17b is formed in the region B on the surface 11a side of the wafer except the region A under the condition that the crack reaching the surface 11a does not occur, all the modifying under the condition that the crack 11c reaching the surface 11a occurs. The warp of the wafer 11 can be suppressed as compared with the case of forming the layer 17.
また、保持パッド１２によって吸引、保持されるウェーハ１１の裏面１１ｂ側の被保持領域ＣにレーザービームＬを照射し、ウェーハ１１の反りを緩和させるための改質層１９をウェーハ１１の裏面１１ｂ側の内部に形成するので、被保持領域Ｃでの反りを更に抑制して、保持パッド１２でウェーハ１１の裏面１１ｂを適切に吸引、保持できる。 Further, a laser beam L is applied to the held region C on the back surface 11b side of the wafer 11 which is sucked and held by the holding pad 12, and a modified layer 19 for relaxing the warp of the wafer 11 is provided on the back surface 11b side of the wafer 11. Since it is formed inside, the warp in the held region C can be further suppressed, and the back surface 11b of the wafer 11 can be appropriately sucked and held by the holding pad 12.
なお、本発明は、上記実施形態の記載に制限されず種々変更して実施可能である。例えば、上記実施形態のレーザー加工ステップでは、領域Ｂ（外周領域）の改質層１７の一部を、クラック１１ｃが発生しない条件で形成される改質層１７ｂとしているが、領域Ｂの改質層１７の全部を改質層１７ｂとしても良い。この場合には、領域Ａと領域Ｂとの境界でレーザービームＬの出力を変更し、各領域に合わせて改質層１７ａ，１７ｂのいずれかを形成する。 It should be noted that the present invention is not limited to the description of the above embodiment and can be implemented with various modifications. For example, in the laser processing step of the above embodiment, a part of the modified layer 17 in the region B (outer peripheral region) is the modified layer 17b formed under the condition that the crack 11c does not occur. The entire layer 17 may be the modified layer 17b. In this case, the output of the laser beam L is changed at the boundary between the region A and the region B, and one of the modified layers 17a and 17b is formed according to each region.
また、上記実施形態の反り緩和レーザー加工ステップでは、裏面１１ｂの被保持領域Ｃにのみ改質層１９を形成しているが、他の領域に改質層１９を形成しても良い。図７（Ａ）は、変形例に係る反り緩和レーザー加工ステップを説明するための平面図であり、図７（Ｂ）は、変形例に係る反り緩和レーザー加工ステップを模式的に示す一部断面側面図である。 Further, in the warp relaxation laser processing step of the above embodiment, the modified layer 19 is formed only in the held region C of the back surface 11b, but the modified layer 19 may be formed in other regions. FIG. 7(A) is a plan view for explaining a warp relaxation laser processing step according to the modification, and FIG. 7(B) is a partial cross-sectional view schematically showing the warp relaxation laser processing step according to the modification. It is a side view.
図７（Ａ）及び図７（Ｂ）に示すように、変形例に係る反り緩和レーザー加工ステップでは、被保持領域Ｃに比較的高い出力のレーザービームＬを照射して、裏面１１ｂに至るクラック１１ｃが発生する条件で改質層１９ａを形成する。一方で、他の領域には、比較的低い出力のレーザービームＬを照射して、裏面１１ｂに至るクラック１１ｃが発生しない条件で改質層１９ｂを形成する。 As shown in FIGS. 7A and 7B, in the warp relaxation laser processing step according to the modified example, the held region C is irradiated with the laser beam L having a relatively high output and cracks reaching the back surface 11b. The modified layer 19a is formed under the condition that 11c is generated. On the other hand, the modified layer 19b is formed on the other region by irradiating the laser beam L having a relatively low output and under the condition that the crack 11c reaching the back surface 11b does not occur.
この変形例では、他の領域にも改質層１９ｂを形成するので、ウェーハ１１の全体で反りを抑制できる。また、他の領域では、裏面１１ｂに至るクラック１１ｃが発生しない条件で改質層１９ｂを形成するので、他の領域に改質層１９ａを形成する場合等に比べて、ウェーハ１１が逆向きに反る可能性も低く抑えられる。 In this modified example, since the modified layer 19b is formed also in other regions, it is possible to suppress warpage of the entire wafer 11. Further, since the modified layer 19b is formed in the other region under the condition that the crack 11c reaching the back surface 11b does not occur, the wafer 11 is reversed in the opposite direction as compared with the case where the modified layer 19a is formed in the other region. The possibility of warping is suppressed to a low level.
その他、上記実施形態に係る構造、方法等は、本発明の目的の範囲を逸脱しない限りにおいて適宜変更して実施できる。 In addition, the structures, methods, and the like according to the above-described embodiments can be appropriately modified and implemented without departing from the scope of the object of the present invention.
１１ ウェーハ
１１ａ 表面
１１ｂ 裏面
１１ｃ クラック
１３ 分割予定ライン（ストリート）
１５ デバイス
１７，１７ａ，１７ｂ，１９，１９ａ，１９ｂ 改質層
２１ 保護部材
２１ａ 表面
２１ｂ 裏面
２ レーザー加工装置
４ チャックテーブル（保持テーブル）
４ａ 保持面
６ レーザー照射ユニット
８ 搬送ユニット
１０ 搬送アーム
１２ 保持パッド
１２ａ 保持部
２２ 研削装置
２４ チャックテーブル（保持テーブル）
２４ａ 保持面
２６ 研削ユニット
２８ スピンドル
３０ マウント
３２ 研削ホイール
３４ ホイール基台
３６ 研削砥石
11 wafer 11a front surface 11b back surface 11c crack 13 planned dividing line (street)
15 devices 17, 17a, 17b, 19, 19a, 19b modified layer 21 protective member 21a front surface 21b back surface 2 laser processing device 4 chuck table (holding table)
4a Holding surface 6 Laser irradiation unit 8 Transfer unit 10 Transfer arm 12 Holding pad 12a Holding part 22 Grinding device 24 Chuck table (holding table)
24a Holding surface 26 Grinding unit 28 Spindle 30 Mount 32 Grinding wheel 34 Wheel base 36 Grinding wheel
Claims (3)
ウェーハの表面側を保持テーブルで保持する保持ステップと、
該保持テーブルに保持されたウェーハに対して透過性を有する波長のレーザービームを照射し、ウェーハの該表面側の内部に該分割予定ラインに沿う改質層を形成するレーザー加工ステップと、
該レーザー加工ステップを実施した後、ウェーハを保持するための保持部を有する保持パッドでウェーハの裏面を吸引、保持して、ウェーハを該保持テーブル上から搬出する搬出ステップと、
該保持ステップを実施した後、該搬出ステップを実施する前に、該保持パッドの該保持部によって吸引、保持されるウェーハの該裏面側の被保持領域にレーザービームを照射し、ウェーハの反りを緩和させるための改質層をウェーハの該裏面側の内部に形成する反り緩和レーザー加工ステップと、を備え、
該レーザー加工ステップでは、ウェーハの該表面側の中央領域に、該表面に至るクラックが発生する条件で改質層を形成し、該中央領域を除くウェーハの該表面側の領域に、該表面に至るクラックが発生しない条件で一部又は全部の改質層を形成することを特徴とするウェーハの加工方法。 A wafer processing method in which a plurality of planned dividing lines are set,
A holding step of holding the front side of the wafer with a holding table,
A laser processing step of irradiating the wafer held on the holding table with a laser beam having a wavelength having transparency, and forming a modified layer along the planned dividing line inside the surface side of the wafer,
After performing the laser processing step, a carrying-out step of sucking and holding the back surface of the wafer with a holding pad having a holding portion for holding the wafer, and carrying out the wafer from the holding table,
After carrying out the holding step and before carrying out the carrying-out step, a laser beam is applied to the held region on the back surface side of the wafer that is sucked and held by the holding portion of the holding pad to warp the wafer. A warp relaxation laser processing step of forming a modified layer for relaxing inside the back surface side of the wafer,
In the laser processing step, a modified layer is formed in the central region on the front surface side of the wafer under the condition that cracks reaching the surface occur, and in the region on the front surface side of the wafer excluding the central region, on the surface. A method of processing a wafer, characterized in that a part or all of the modified layer is formed under the condition that no cracks are generated.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2016200152A JP6710463B2 (en) | 2016-10-11 | 2016-10-11 | Wafer processing method |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2016200152A JP6710463B2 (en) | 2016-10-11 | 2016-10-11 | Wafer processing method |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2018063985A JP2018063985A (en) | 2018-04-19 |
| JP6710463B2 true JP6710463B2 (en) | 2020-06-17 |
Family
ID=61967993
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2016200152A Active JP6710463B2 (en) | 2016-10-11 | 2016-10-11 | Wafer processing method |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP6710463B2 (en) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP7102065B2 (en) * | 2018-06-20 | 2022-07-19 | 株式会社ディスコ | Chip manufacturing method |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP5868193B2 (en) * | 2012-01-24 | 2016-02-24 | 株式会社ディスコ | Wafer processing method |
| JP2014099522A (en) * | 2012-11-15 | 2014-05-29 | Disco Abrasive Syst Ltd | Processing method of tabular object |
| JP6523882B2 (en) * | 2015-09-02 | 2019-06-05 | 株式会社ディスコ | Wafer processing method |
-
2016
- 2016-10-11 JP JP2016200152A patent/JP6710463B2/en active Active
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2018063985A (en) | 2018-04-19 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| TWI732934B (en) | Wafer processing method | |
| JP6300763B2 (en) | Workpiece processing method | |
| JP6719825B2 (en) | Grinding apparatus and wafer processing method | |
| JP6410490B2 (en) | Device wafer evaluation method | |
| TWI783139B (en) | Wafer processing method | |
| JP2015201585A (en) | Processing method of wafer | |
| KR102084269B1 (en) | Laser machining apparatus and method for coating protection film | |
| JP2017152442A (en) | Processing method | |
| JP7083572B2 (en) | Wafer processing method | |
| JP2019009191A (en) | Processing method of wafer | |
| JP6710463B2 (en) | Wafer processing method | |
| JP7358011B2 (en) | How to manufacture multiple device chips | |
| JP6824577B2 (en) | Wafer processing method | |
| JP6707290B2 (en) | Wafer processing method | |
| JP6957091B2 (en) | Wafer processing method | |
| JP6137999B2 (en) | Wafer processing method | |
| JP2013021211A (en) | Method for processing wafer | |
| TW200520880A (en) | Laser beam machining method | |
| JP2013021209A (en) | Method for processing wafer | |
| JP2018098352A (en) | Wafer processing method | |
| JP6847530B2 (en) | Wafer processing method | |
| JP6855125B2 (en) | Gettering layer formation method | |
| JP2020068342A (en) | Processing method of wafer | |
| JP2017199781A (en) | Wafer processing method |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20190814 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20200423 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20200526 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20200526 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6710463 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |