JP6705479B2 - 光源装置の製造方法 - Google Patents

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Description

本発明は、光源装置の製造方法に関する。
開口部が設けられるベース部及びベース部上に開口部を塞ぐようにして配置される実装部からなる基板と、開口部から露出する電極と、を備え、電極と、マザーボードとが、をハンダによって電気的接合される発光ダイオードが知られている（例えば、特許文献１参照）。
特開２０１３−０４１８６５号公報
本発明は、マザーボード（支持基板）に対して発光装置が傾いて接合されることを抑制できる光源装置の製造方法を提供することを目的とする。
本発明の一態様に係る光源装置の製造方法は、長手方向と前記長手方向と直交する短手方向に延長する正面と、前記正面の反対側に位置する背面と、前記正面と隣接し、前記正面と直交する上面と、前記上面の反対側に位置する下面と、前記背面と前記下面とに開口する複数の窪み、を有する基材と、前記正面に配置される第１配線と、前記第１配線と電気的に接続され前記複数の窪みのそれぞれに配置される第２配線と、を有する基板と、前記第１配線と電気的に接続され、前記第１配線上に載置される少なくとも１つの発光素子と、を備える発光装置を準備する工程と、支持基材と、前記支持基材の上面に接合領域を含む配線パターンと、前記接合領域を囲む絶縁領域と、を備える支持基板を準備する工程と、前記絶縁領域上に位置する前記半田の体積が前記接合領域上に位置する前記半田の体積よりも大きくなるように前記接合領域及び前記絶縁領域上に半田を配置する工程と、上面視において、前記半田と前記底面近傍に位置する前記第２配線とを離間させて前記発光装置を前記支持基板に載置する工程と、前記半田を加熱溶融し、前記発光装置の第２配線と前記支持基板の前記接合領域とを接合する工程と、を含む。
本発明に係る光源装置の製造方法によれば、支持基板に対して発光装置が傾いて接合されることを抑制できる光源装置を提供することができる。
図１Ａは、実施形態１に係る発光装置の概略斜視図である。 図１Ｂは、実施形態１に係る発光装置の概略斜視図である。 図２Ａは、実施形態１に係る発光装置の概略正面図である。 図２Ｂは、図２ＡのＩ−Ｉ線における概略断面図である。 図２Ｃは、図２ＡのＩＩ−ＩＩ線における概略断面図である。 図３は、実施形態１に係る発光装置の概略下面図である。 図４Ａは、実施形態１に係る発光装置の概略背面図である。 図４Ｂは、実施形態１に係る発光装置の変形例の概略背面図である。 図５は、実施形態１に係る基板の概略正面図である。 図６は、実施形態１に係る発光装置の概略側面図である。 図７Ａは、実施形態１に係る支持基板の概略上面図である。 図７Ｂは、図７ＡのＩＩＩ−ＩＩＩ線における概略断面図である。 図８Ａは、実施形態１に係る支持基板の変形例の概略上面図である。 図８Ｂは、図８ＡのＩＶ−ＩＶ線における概略断面図である。 図９Ａは、実施形態１に係る光源装置の製造方法を説明する概略上面図である。 図９Ｂは、図９ＡのＶ−Ｖ線における概略断面図である。 図９Ｃは、実施形態１に係る光源装置の変形例の製造方法を説明する概略断面図である。 図９Ｄは、実施形態１に係る光源装置の製造方法の変形例を説明する概略上面図である。 図９Ｅは、実施形態１に係る光源装置の製造方法の変形例を説明する概略上面図である。 図９Ｆは、実施形態１に係る光源装置の製造方法の変形例を説明する概略上面図である。 図１０Ａは、実施形態１に係る光源装置の製造方法を説明する概略上面図である。 図１０Ｂは、図１０ＡのＶＩ−ＶＩ線における概略断面図である。 図１０Ｃは、実施形態１に係る光源装置の変形例の製造方法を説明する概略断面図である。 図１１Ｃは、実施形態１に係る光源装置の製造方法を説明する概略断面図である。 図１２Ａは、実施形態２に係る発光装置の概略斜視図である。 図１２Ｂは、実施形態２に係る発光装置の概略斜視図である。 図１３Ａは、実施形態２に係る発光装置の概略正面図である。 図１３Ｂは、図１３ＡのＶＩＩ−ＶＩＩ線における概略断面図である。 図１４は、実施形態２に係る発光装置の変形例の概略断面図である。
以下、発明の実施形態について適宜図面を参照して説明する。但し、以下に説明する発光装置は、本発明の技術思想を具体化するためのものであって、特定的な記載がない限り、本発明を以下のものに限定しない。また、一つの実施形態において説明する内容は、他の実施形態及び変形例にも適用可能である。さらに、図面が示す部材の大きさや位置関係等は、説明を明確にするため、誇張していることがある。
＜実施形態１＞
本発明の実施形態１に係る光源装置の製造方法を図１Ａから図１１に基づいて説明する。
実施形態１の発光装置の製造方法は、
（１）長手方向と長手方向と直交する短手方向に延長する正面と、正面の反対側に位置する背面と、正面と隣接し、正面と直交する上面と、上面の反対側に位置する下面と、背面と下面とに開口する複数の窪み、を有する基材と、正面に配置される第１配線と、第１配線と電気的に接続され複数の窪みのそれぞれに配置される第２配線と、を有する基板と、第１配線と電気的に接続され、第１配線上に載置される少なくとも１つの発光素子と、を備える発光装置を準備する工程と、
（２）支持基材と、支持基材の上面に接合領域を含む配線パターンと、接合領域を囲む絶縁領域と、を備える支持基板を準備する工程と、
（３）絶縁領域上に位置する半田の体積が接合領域上に位置する半田の体積よりも大きくなるように接合領域及び絶縁領域上に半田を配置する工程と、
（４）上面視において、半田と下面近傍に位置する第２配線とを離間させて発光装置を支持基板に載置する工程と、
（５）半田を加熱溶融し、発光装置の第２配線と支持基板の接合領域とを接合する工程と、を含む
以上のように構成された実施の形態の光源装置の製造方法によれば、基材の下面と、支持基板の上面と、の間に加熱溶融後の半田が形成されることを抑制することができる。これにより、発光装置が支持基板に対して傾いて接合されることを抑制できる。
（発光装置を準備する工程）
図２Ｂに示すように、基板１０と少なくとも１つの発光素子２０と、を備えた発光装置１０００を準備する。基板１０は、基材１１と、第１配線１２と、第２配線１３と、を備える。基材１１は、長手方向と長手方向と直交する短手方向に延長する正面１１１と、正面の反対側に位置する背面１１２と、正面と隣接し、正面と直交する上面１１３と、上面の反対側に位置する下面１１４と、を有する。また、基材１１は、背面１１２と下面１１４とに開口する複数の窪み１６、を有する。第１配線１２は基材１１の正面１１１に配置される。第２配線１３は、第１配線１２と電気的に接続され複数の窪み１６内にそれぞれ配置される。尚、本明細書において直交とは、９０±３°程度の変動は許容されるものとする。また、本明細書において長手方向をＸ方向と呼び、短手方向をY方向と呼び、背面１１２から正面１１１方向をZ方向と呼ぶことがある。
基板１０の第２配線１３と、支持基板の配線パターンの一部である接合領域と、は半田によって接合される。第２配線が複数の窪み内にそれぞれ配置されることで、発光装置は複数の第２配線１３を有する。発光装置が複数の第２配線を有することで第２配線が１つの場合よりも発光装置と支持基板との接合強度を向上させることができる。
複数の窪み１６のそれぞれの深さは特に限定されないが、図２Ｃに示すように、Ｚ方向における複数の窪み１６のそれぞれの深さは、上面１１３側の窪みの深さＷ２よりも下面１１４側の窪みの深さＷ１が深いことが好ましい。このようにすることで、Ｚ方向において、窪みの上面１１３側に位置する基材１１の厚みＷ５を窪みの下面側に位置する基材の厚みＷ６よりも厚くすることができる。これにより、基材の強度低下を抑制することができる。また、Ｚ方向における窪み１６の深さが上面１１３側よりも下面１１４側で深いことで、基材１１の下面１１４における窪み１６の開口部の面積を大きくすることができる。基材１１の下面１１４と支持基板の上面と、が対向して、発光装置と支持基板とが半田により接合される。支持基板と対向する基材の下面における窪みの開口部の面積が大きくなることで、基材１１の下面１１４側に位置する半田の面積を大きくすることができる。これにより、発光装置と支持基板との接合強度を向上させることができる。
窪み１６は、基材を貫通していてもよく、図２Ｂ及び図２Ｃに示すように、基材１１を貫通していなくてもよい。窪み１６が基材を貫通していないことで、基材を貫通する窪みを備える場合よりも基材の強度を向上させることができる。窪み１６が基材を貫通していない場合には、Ｚ方向における複数の窪みのそれぞれの深さの最大は、基材の厚みＷ３の０．４倍から０．８倍であることで好ましい。窪みの深さが基材の厚みの０．４倍よりも深いことで、窪み内に形成される半田の体積が増加させることができるので発光装置と支持基板の接合強度を向上させることができる。窪みの深さが基材の厚みの０．８倍よりも浅いことで、基材の強度を向上させることができる。
断面視において、窪み１６は、Ｚ方向に延びる平行部１６１を備えていることが好ましい。平行部１６１を備えることで、背面１１２における窪み１６の開口部の面積が同じでも基材における窪み１６の体積を大きくすることができる。窪み１６の体積を大きくすることで、窪み内に形成できる半田の量を増やすことができるので、発光装置１０００と支持基板との接合強度を向上させることができる。尚、本明細書において平行とは、±３°程度の変動は許容されるものとする。また、断面視において窪み１６は、基材の下面１１４から基材の厚みが厚くなる方向に傾斜する傾斜部１６２を備えていてもよい。傾斜部１６２は直線でも、湾曲していてもよい。傾斜部１６２が直線であることで、先端が尖ったドリルにより形成が容易になる。尚、傾斜部１６２における直線とは、±３μｍ程度の変動は許容されるものとする。
図３に示すように、基材の下面において、複数の窪み１６のそれぞれにおいて中央での深さＲ１が、Ｚ方向における窪みの深さの最大であることが好ましい。このようにすることで、下面において、Ｘ方向の窪みの端部で、Ｚ方向における基材の厚みＲ２を厚くすることができるので基材の強度を向上させることができる。尚、本明細書で中央とは、±５μｍ程度の変動は許容されるものとする。窪み１６は、ドリルや、レーザー等の公知の方法で形成することができる。下面において、中央の深さが最大である窪みは、先端が尖ったドリルにより容易に形成することができる。また、ドリルを用いることで、最深部が略円錐形状であり、略円錐形状の底面の円形状から連続する略円柱形状を有する窪みを形成することができる。窪みの一部をダイシング等により切断することで、最深部が略半円柱形状であり、略半円形状から連続する略半円柱形状を有する窪みを形成することができる。このようにすることで、図４Ａに示すように、背面において、窪み１６の開口形状を略半円形状にすることができる。窪みの開口形状が角部のない略半円形状であることで窪みに係る応力が集中することを抑制できるので、基材が割れることを抑制することができる。
背面において、複数の窪み１６のそれぞれの形状は異なっていてもよく、図４Ａに示すように、背面において、複数の窪み１６のそれぞれの形状が同一であってもよい。複数の窪みのそれぞれの形状が同一であることで、窪みの形状がそれぞれ異なる場合よりも窪みの形成が容易になる。例えば、窪みをドリル工法により形成する場合では、複数の窪みのそれぞれの形状が同一であれば、１つのドリルにより窪みを形成することができる。尚、本明細書で同一とは、±５μｍ程度の変動は許容されるものとする。
図４Ａに示すように、背面において複数の窪み１６のそれぞれがＹ方向に平行な基材の中心線Ｃ１に対して左右対称に位置することが好ましい。このようにすることで、発光装置を支持基板に半田を介して接合される際にセルフアライメントが効果的に働き、発光装置を支持基板に精度よく実装することができる。
図２Ｂに示すように、基板１０は基材１１の背面１１２に配置される第３配線１４を備えていてもよい。また、基板１０は、第１配線１２と第３配線１４とを電気的に接続するビア１５を備えていてもよい。ビア１５は基材１１の正面１１１と背面１１２とを貫通する孔内に設けられる。ビア１５は基材の貫通孔の表面を被覆する第４配線１５１と第４配線１５１の内側に充填された充填部材１５２とを備える。充填部材１５２は、導電性でも絶縁性でもよい。充填部材１５２には、樹脂材料を使用することが好ましい。一般的に硬化前の樹脂材料は、硬化前の金属材料よりも流動性が高いので第４配線１５１の内側に充填しやすい。このため、充填部材に樹脂材料を使用することで基板の製造が容易になる。充填しやすい樹脂材料としては、例えばエポキシ樹脂が挙げられる。充填部材として樹脂材料を用いる場合は、線膨張係数を下げるために添加部材を含有することが好ましい。このようにすることで、第４配線の線膨張係数と充填部材の線膨張係数との差異が小さくなるので、発光素子からの熱によって第４配線と充填部材との間に隙間ができることを抑制できる。添加部材としては、例えば酸化ケイ素が挙げられる。また、充填部材１５２に金属材料を使用した場合には、放熱性を向上させることができる。
図２Ｂ及び図４Ａに示すように、ビア１５と窪み１６とは接していてもよく、図４Ｂに示す発光装置１００１のように、ビア１５と窪み１６とは離間していてもよい。ビア１５と窪み１６とが接することで、第４配線１５１と第２配線とが接することができるので発光装置の放熱性を向上させることができる。ビア１５と窪み１６とが離間することで、ビア１５と窪み１６とが接する場合よりも基材の強度を向上させることができる。
図２Ｂに示すように、発光素子２０は、第１配線１２上に配置される。発光装置１０００は、少なくとも１つの発光素子２０を備えていればよい。発光素子２０は、基板１０と対向する載置面と、載置面の反対側に位置する光取り出し面２０１を備える。発光素子２０は少なくとも半導体積層体２３を含み、半導体積層体２３には素子電極２１、２２が設けられている。発光素子２０は、基板１０にフリップチップ実装されていてもよい。これにより、発光素子の素子電極に電気を供給するワイヤが不要になるので発光装置を小型化することができる。発光素子２０がフリップチップ実装されている場合は、発光素子２０の素子電極２１、２２が位置する電極形成面２０３と、反対側の面を光取り出し面２０１とする。なお、本実施形態では発光素子２０は素子基板２４を有するが、素子基板２４を備えていなくてもよい。発光素子２０が基板１０にフリップチップ実装されている場合は、発光素子の素子電極２１、２２が導電性接着部材６０を介して第１配線１２と電気的に接続される。
発光素子２０は、素子電極が位置する電極形成面と、反対側の面が基板に対向して配置されてもよい。このようにする場合は、電極形成面が光取り出し面となる。発光装置は、発光素子に電気を供給するために発光素子の素子電極と第１配線とを電気的に接合するワイヤを備えていてもよい。
発光素子２０が基板１０にフリップチップ実装されている場合は、図２Ｂ、図５に示すように、第１配線１２が凸部１２１を備えていることが好ましい。上面視において、第１配線１２の凸部１２１は、発光素子２０の素子電極２１、２２と重なる位置に位置する。このようにすることで、導電性接着部材６０として溶融性の接着剤を用いた場合に、第１配線の凸部１２１と発光素子の素子電極２１、２２を接続する時に、セルフアライメント効果により発光素子と基板との位置合わせを容易に行うことができる。
図２Ｂに示すように、発光装置１０００は、発光素子２０の素子側面２０２及び基材の正面１１１を被覆する反射部材４０を備えていてもよい。発光素子２０の素子側面２０２が反射部材に被覆されることで発光領域と非発光領域とのコントラストが高くなり、「見切り性」の良好な発光装置とすることができる。
反射部材４０の材料としては、例えば、母材中に白色顔料を含有させた部材を用いることができる。反射部材４０の母材としては、樹脂を用いることが好ましく、例えば、シリコーン樹脂、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ポリカーボネート樹脂、アクリル樹脂、又はこれらの変性樹脂、などを用いることが好ましい。特に、反射部材４０の母材として、耐熱性及び耐光性に優れているシリコーン樹脂を用いることが好ましい。また、反射部材４０の母材として、シリコーン樹脂よりも硬度が高いエポキシ樹脂を用いてもよい。このようにすることで、発光装置の強度を向上させることができる。
反射部材４０の白色顔料としては、例えば、酸化チタン、酸化亜鉛、酸化マグネシウム、炭酸マグネシウム、水酸化マグネシウム、炭酸カルシウム、水酸化カルシウム、珪酸カルシウム、珪酸マグネシウム、チタン酸バリウム、硫酸バリウム、水酸化アルミニウム、酸化アルミニウム、酸化ジルコニウム、酸化ケイ素、などのうちの１種を単独で、又はこれらのうちの２種以上を組み合わせて用いることができる。白色顔料の形状は、適宜選択でき、不定形若しくは破砕状でもよいが、流動性の観点からは、球形状であることが好ましい。また、白色顔料の粒径は、例えば、０．１μｍ以上０．５μｍ以下程度であることが好ましいが、光反射性や被覆性の効果を高めるためには、白色顔料の粒径は、小さい程好ましい。白色顔料の含有量は、適宜選択できるが、光反射性及び液状時における粘度などの観点から、例えば１０ｗｔ％以上８０ｗｔ％以下が好ましく、２０ｗｔ％以上７０ｗｔ％以下がより好ましく、３０ｗｔ％以上６０ｗｔ％以下が更に好ましい。なお、「ｗｔ％」とは、重量パーセントであり、反射部材の全重量に対する当該材料の重量の比率を表す。
図６に示すように、基材の下面１１４側に位置する反射部材４０の長手方向の側面４０４は、Ｚ方向において発光装置１０００の内側に傾斜していることが好ましい。このようにすることで、発光装置１０００を支持基板に実装する時に、反射部材４０の側面４０４と支持基板との接触が抑えられ、発光装置１０００の実装姿勢が安定しやすい。基材の上面１１３側に位置する反射部材４０の長手方向の側面４０３は、Ｚ方向において発光装置１０００の内側に傾斜していることが好ましい。このようにすることで、反射部材４０の側面と吸着ノズル（コレット）との接触が抑えられ、発光装置１０００の吸着時の反射部材４０の損傷を抑制することができる。このように、下面１１４側に位置する反射部材４０の長手方向の側面４０４及び上面１１３側に位置する反射部材４０の長手方向の側面４０３は、Ｚ方向において発光装置１０００の内側に傾斜していることが好ましい。反射部材４０の傾斜角度θは、適宜選択できるが、このような効果の奏しやすさ及び反射部材４０の強度の観点から、０．３°以上３°以下であることが好ましく、０．５°以上２°以下であることがより好ましく、０．７°以上１．５°以下であることがよりいっそう好ましい。
図２Ｂに示すように、発光装置１０００は、透光性部材３０を備えていてもよい。透光性部材３０は、発光素子２０上に位置することが好ましい。発光素子２０上に透光性部材３０が位置することで、発光素子を外部応力から保護することができる。反射部材４０は、透光性部材３０の側面を被覆することが好ましい。このようにすることで、発光領域と非発光領域とのコントラストが高くなり、「見切り性」の良好な発光装置とすることができる。
透光性部材３０は、光取り出し面２０１に接していてもよく、図２Ｂに示すように、導光部材５０を介して光取り出し面２０１を被覆していてもよい。導光部材５０は発光素子の光取り出し面２０１と、透光性部材３０の間のみに位置して発光素子２０と透光性部材３０を固定してもよいし、発光素子の光取り出し面２０１から発光素子の素子側面２０２まで被覆して発光素子２０と透光性部材３０を固定してもよい。導光部材５０は、反射部材４０よりも発光素子からの光の透過率が高い。このため、導光部材が発光素子の側面まで被覆することで、発光素子の素子側面から出射される光が導光部材を通して発光装置の外側に取り出しやすくなるので光取り出し効率を高めることができる。
透光性部材３０は、波長変換粒子を含有していてもよい。このようにすることで、発光装置の色調整が容易になる。波長変換粒子は、発光素子２０が発する一次光の少なくとも一部を吸収して、一次光とは異なる波長の二次光を発する部材である。透光性部材３０に波長変換粒子を含有させることにより、発光素子が発する一次光と、波長変換粒子が発する二次光とが混色された混色光を出力することができる。例えば、発光素子２０に青色ＬＥＤを、波長変換粒子にＹＡＧ等の蛍光体を用いれば、青色ＬＥＤの青色光と、この青色光で励起されて蛍光体が発する黄色光とを混合させて得られる白色光を出力する発光装置を構成することができる。また、発光素子２０に青色ＬＥＤを、波長変換粒子に緑色蛍光体であるβサイアロン系蛍光体と、赤色蛍光体であるマンガン賦活フッ化物系蛍光体を用いて白色光を出力する発光装置を構成してもよい。
波長変換粒子は透光性部材中に均一に分散させてもよいし、透光性部材３０の上面よりも発光素子の近傍に波長変換粒子を偏在させてもよい。透光性部材３０の上面よりも発光素子の近傍に波長変換粒子を偏在させることで、水分に弱い波長変換粒子を使用しても透光性部材３０の母材が保護層の機能を果たすので波長変換粒子の劣化を抑制できる。また、図２Ｂに示すように、透光性部材３０が波長変換粒子を含有する層３１、３２と、波長変換粒子を実質的に含有しない層３３と、を備えていてもよい。Ｚ方向において、波長変換粒子を実質的に含有しない層３３は、波長変換粒子を含有する層３１、３２よりも上側に位置する。このようにすることで、波長変換粒子を実質的に含有しない層３３が保護層の機能を果たすので波長変換粒子の劣化を抑制できる。水分に弱い波長変換粒子としては、例えばマンガン賦活フッ化物蛍光体が挙げられる。マンガン賦活フッ化物系蛍光体は、スペクトル線幅の比較的狭い発光が得られ色再現性の観点において好ましい部材である。「波長変換粒子を実質的に含有しない」とは、不可避的に混入する波長変換粒子を排除しないことを意味し、波長変換粒子の含有率が０．０５重量％以下であることが好ましい。
透光性部材３０の波長変換粒子を含有する層は単層でもよく、複数の層でもよい。例えば、図２Ｂに示すように透光性部材３０が、第１波長変換層３１と、第１波長変換層３１を被覆する第２波長変換層３２と、を備えていてもよい。第２波長変換層３２は、第１波長変換層３１を直接被覆してもよく、透光性の別の層を介して第１波長変換層３１を被覆してもよい。尚、第１波長変換層３１は、第２波長変換層３２よりも発光素子２０の光取り出し面２０１から近い位置に配置される。第１波長変換層３１に含有される波長変換粒子の発光ピーク波長は、第２波長変換層３２に含有される波長変換粒子の発光ピーク波長よりも短いことが好ましい。このようにすることで、発光素子に励起された第１波長変換層３１からの光によって、第２波長変換層３２の波長変換粒子を励起することができる。これにより、第２波長変換層３２の波長変換粒子からの光を増加させることができる。
第１波長変換層３１に含有される波長変換粒子の発光ピーク波長は、５００ｎｍ以上５７０ｎｍ以下であり、第２波長変換層３２に含有される波長変換粒子の発光ピーク波長は、６１０ｎｍ以上７５０ｎｍ以下であることが好ましい。このようにすることで、色再現性の高い発光装置とすることができる。例えば、第１波長変換層３１に含有される波長変換粒子としてβサイアロン系蛍光体が挙げられ、第２波長変換層３２に含有される波長変換粒子としてマンガン賦活フッ化珪酸カリウムの蛍光体が挙げられる。第２波長変換層３２に含有される波長変換粒子としてマンガン賦活フッ化珪酸カリウムの蛍光体を用いる場合には、特に、透光性部材３０が、第１波長変換層３１と、第２波長変換層３２と、備えることが好ましい。マンガン賦活フッ化珪酸カリウムの蛍光体は輝度飽和を起こしやすいが、第２波長変換層３２と発光素子２０との間に第１波長変換層３１が位置することで発光素子からの光が過度にマンガン賦活フッ化珪酸カリウムの蛍光体に照射されることを抑制することができる。これにより、マンガン賦活フッ化珪酸カリウムの蛍光体の劣化を抑制することができる。
透光性部材は、発光素子が発する一次光の少なくとも一部を吸収して、禁制遷移により二次光を発する第１波長変換粒子と、発光素子が発する一次光の少なくとも一部を吸収して、許容遷移により二次光を発する第２波長変換粒子と、を備えていてもよい。一般的に、禁制遷移により二次光を発する第１波長変換粒子は、許容遷移により二次光を発する第２波長変換粒子より残光時間が長い。このため、透光性部材が第１波長変換粒子と、第２波長変換粒子と、を備えることで、透光性部材が第１波長変換粒子のみを備えている場合よりも残光時間を短くすることができる。例えば、第１波長変換粒子としては、マンガン賦活フッ化珪酸カリウムの蛍光体（例えばＫ２ＳｉＦ６：Ｍｎ）が挙げられ、第２波長変換粒子としては、ＣＡＳＮ系蛍光体が挙げられる。透光性部材がＣＡＳＮ系蛍光体と、マンガン賦活フッ化珪酸カリウムの蛍光体と、を含有することで、透光性部材がマンガン賦活フッ化珪酸カリウムの蛍光体のみを含有する場合よりも残光時間を短くすることができる。また、一般的にマンガン賦活フッ化珪酸カリウムは、ＣＡＳＮ系蛍光体よりも半値幅が狭い発光ピークを有するので、色純度が高くなり色再現性が良好となる。このため、透光性部材がＣＡＳＮ系蛍光体と、マンガン賦活フッ化珪酸カリウムの蛍光体と、を含有することで、透光性部材がＣＡＳＮ系蛍光体のみを含有する場合よりも色再現性が良好となる。
例えば、透光性部材に含まれるマンガン賦活フッ化珪酸カリウムの蛍光体の重量は、ＣＡＳＮ系蛍光体の蛍光体の重量の０．５倍以上６倍以下が好ましく、１倍以上５倍以下がより好ましく、２倍以上４倍以下が更に好ましい。マンガン賦活フッ化珪酸カリウムの蛍光体の重量が増えることで発光装置の色再現性が良好となる。ＣＡＳＮ系蛍光体の蛍光体の重量が増えることで残光時間を短くすることができる。
マンガン賦活フッ化珪酸カリウムの蛍光体の平均粒径は、５μｍ以上３０μｍ以下であることが好ましい。また、ＣＡＳＮ系蛍光体の平均粒径は、５μｍ以上３０μｍ以下であることが好ましい。マンガン賦活フッ化珪酸カリウムの蛍光体及び／又はＣＡＳＮ系蛍光体の平均粒径が３０μｍ以下であることにより、発光素子からの光が波長変換粒子に拡散されやすくなるので、発光装置の配光色度ムラを抑制することができる。マンガン賦活フッ化珪酸カリウムの蛍光体及び／又はＣＡＳＮ系蛍光体の平均粒径が５μｍ以上であることにより、発光素子からの光を取り出しやすくなるので発光装置の光取り出し効率が向上する。
ＣＡＳＮ系蛍光体と、マンガン賦活フッ化珪酸カリウムの蛍光体とは、透光性部材の同じ波長変換層に含有されていてもよく、透光性部材が複数の波長変換層を備える場合には、異なる波長変換層に含有されていてもよい。マンガン賦活フッ化珪酸カリウムの蛍光体とＣＡＳＮ系蛍光体とが異なる波長変換層に含有されている場合には、マンガン賦活フッ化珪酸カリウムの蛍光体と、ＣＡＳＮ系蛍光体と、で光のピーク波長が短い波長変換粒子が発光素子に近くに位置することが好ましい。このようにすることで、光のピーク波長が短い波長変換粒子からの光によって、光のピーク波長が長い波長変換粒子を励起することができる。例えば、マンガン賦活フッ化珪酸カリウムの蛍光体の光のピーク波長が６３１ｎｍ付近でＣＡＳＮ系蛍光体の光のピーク波長が６５０ｎｍ付近である場合には、マンガン賦活フッ化珪酸カリウムの蛍光体が発光素子に近いことが好ましい。
第２波長変換粒子としては、他にもＳＣＡＳＮ系蛍光体、ＳＬＡＮ蛍光体（ＳｒＬｉＡｌ３Ｎ４：Ｅｕ）等が挙げられる。例えば、透光性部材は、ＳＬＡＮ蛍光体と、マンガン賦活フッ化珪酸カリウムの蛍光体と、を含有していてもよい。また、透光性部材が赤色蛍光体である第１波長変換粒子及び第２波長変換粒子と、緑色蛍光体であるβサイアロン系蛍光体と、を含有していてもよい。このようにすることで、発光装置の色再現性が良好になる。
（支持基板を準備する）
図７Ａ、図７Ｂに示すように、支持基材７０と、支持基材７０の上面７０１に接合領域８１０を含む第１配線パターン８１と、接合領域８１０を囲む絶縁領域８１１と、を備える支持基板５０００を準備する。支持基材７０とは、絶縁性の部材である。支持基板の接合領域８１０とは、第１配線パターン８１の一部であり、半田によって発光装置の第２配線と接合される部分である。接合領域８１０を囲む絶縁領域８１１とは、図７Ａに示すように支持基材７０の上面７０１が外部に露出される場合には、支持基材７０が上面７０１に絶縁領域８１１を備えている。接合領域８１０が絶縁領域８１１に囲まれることで溶融した半田が濡れ広がりを制御しやすくなる。これにより、セルフアライメント効果が大きくなり、発光装置の実装性が向上する。一般的に溶融した半田は、支持基材上よりも第１配線パターン上を濡れ広がりやすい。支持基材及び第１配線パターンは、公知の材料を用いることができる。
図７Ｂに示すように支持基板５０００に示すように支持基材の下面に位置する第２配線パターン８２を備えていてもよい。支持基材の上面に位置する第１配線パターン８１と、支持基材の下面に位置する第２配線パターン８２と、はビアによって電気的に接続されていてもよい。また、基板の上面に電気を給電する給電部８５を備えている場合には、給電部８５と、第２配線パターン８２と、がビアによって電気的に接続されていてもよい。
図８Ａ、図８Ｂに示すように、支持基板５００１は、支持基材７０の上面７０１及び第１配線パターン８１を被覆する絶縁層７２を備えていてもよい。絶縁層７２が第１配線パターン８１の接合領域８１０を囲んでいる場合には、絶縁層７２が絶縁領域８１１を備えている。一般的に溶融した半田は、絶縁層上よりも第１配線パターン上を濡れ広がりやすい。尚、第１配線パターンの接合領域を支持基材及び絶縁層で囲んでいる場合には、絶縁領域を支持基材及び絶縁層が備えていてもよい。
（接合領域及び絶縁領域上に半田を配置する）
図９Ａ、図９Ｂに示すように、絶縁領域８１１上に位置する半田９０の体積が接合領域８１０上に位置する半田９０の体積よりも大きくなるように接合領域８１０及び絶縁領域８１１上に半田９０を配置する。このようにすることで、接合領域８１０上に位置する半田９０の体積を減少させることができる。これにより、後述する発光装置と支持基板とを半田により接合する時に、溶融した半田が基材の下面と支持基板の上面との間に侵入することを抑制することができる。このため、発光装置と、支持基板と、を接合した際に、基材の下面と支持基板との上面との間に加熱溶融後の半田が形成されることを抑制できるので、支持基板に対して発光装置が傾くことを抑制することができる。
図９Ａに示すように、上面視における絶縁領域上８１１に位置する半田９０の最大幅Ｄ２が接合領域８１０上に位置する半田９０の最大幅Ｄ１よりも広いことが好ましい。このようにすることで、絶縁領域８１１上に位置する半田９０の体積が接合領域８１０上に位置する半田９０の体積よりも大きくしやすくなる。尚、本明細書において半田９０の最大幅とはＸ方向における半田の幅の最大値とする。
図９Ｂに示すように、断面視における絶縁領域上８１１に位置する半田９０の上面と接合領域８１０上に位置する半田９０の上面とが面一でもよい。例えば、支持基板上に開口部を有するメタルマスクを配置し、スクリーン印刷法により、メタルマスクの開口部に半田を形成することで、絶縁領域上に位置する半田の上面と接合領域上に位置する半田の上面とを面一にすることができる。尚、本明細書において面一とは、±５μｍ程度の変動は許容されるものとする。
断面視における絶縁領域上に位置する半田の最大厚みは、接合領域上に位置する半田の最大厚みと同じでもよく、断面視における絶縁領域上に位置する半田の最大厚みは、接合領域上に位置する半田の最大厚みよりも薄くてもよく、図９Ｂ、図９Ｃに示すように、断面視における絶縁領域上８１１に位置する半田９０の最大厚みＤ４が接合領域８１０上に位置する半田９０の最大の厚みＤ３よりも厚くてもよい。断面視における絶縁領域上８１１に位置する半田９０の最大厚みＤ４が接合領域８１０上に位置する半田９０の最大の厚みＤ３よりも厚いことにより、絶縁領域８１１上に位置する半田９０の体積が接合領域８１０上に位置する半田９０の体積よりも大きくしやすくなる。例えば、上面視において、絶縁領域上に位置する半田の面積が、接合領域上に位置する半田の面積よりも小さい場合でも、断面視における絶縁領域上に位置する半田の最大厚みが接合領域上に位置する半田の最大の厚みよりも厚くすることで、絶縁領域上に位置する半田の体積を接合領域８１０上に位置する半田９０の体積よりも大きくすることができる。尚、本明細書において半田の最大厚みとはＹ方向における半田の厚みの最大値とする。
図９Ａに示すように、支持基板上に硬化前の接着樹脂９２を形成してもよい。接着樹脂９２は発光装置と支持基板とを接着する部材と用いることができる。接着樹脂を備えることで発光装置と支持基板の接合強度を向上させることができる。Ｙ方向における接着樹脂の厚みは、発光素子と接すために後述する発光装置を支持基板に載置する時に基材の下面と支持基材の上面までの距離よりも厚い。接着樹脂には、熱硬化性樹脂及び／又は熱可塑性樹脂等の公知の樹脂を用いることができる。エポキシ樹脂やシリコーン樹脂等の熱硬化性樹脂は、耐熱性および耐光性に優れているので接着樹脂に用いることが好ましい。接着樹脂は接合領域から離間していてもよく、接合領域の一部と接していてもよい。接合領域上には半田が形成されるので上面視において接着樹脂は接合領域から離間することが好ましい。接着樹脂が接合領域から離間することで、発光装置と支持基板とを半田により接合する時に、溶融した半田が接合領域上を濡れ広がりやすくなる。図９Ａに示すように、Ｘ方向において１つの発光装置の第２配線と接合される一対の接合領域８１０の間に接着樹脂９２が位置していることが好ましい。発光装置の第２配線と、支持基板の接合領域と、が半田によって接合されるので、Ｘ方向において発光装置の第２配線と接合される一対の接合領域８１０の間に接着樹脂が位置していることで、発光装置の基材に係る応力を抑えることができる。
支持基板上に硬化前の接着樹脂を形成する方法としては、例えば、ディスペンス又はピン転写による塗布、インクジェット又はスプレーによる吹き付けなどが挙げられる。ディスペンス等で接着樹脂を形成する場合は、図９Ａに示すように、接着樹脂９２が１点塗布されていてもよく、図９Ｄ、図９Ｅに示すように、接着樹脂９２が複数点塗布されていてもよい。また、図９Ｆに示すように複数点塗布された接着樹脂が繋がっていてもよい。また、接着樹脂９２が複数点塗布されている場合には、Ｚ方向に複数の接着樹脂が並ぶように形成してもよく、図９Ｄに示すようにＸ方向に複数の接着樹脂が並ぶように形成してもよい。
（発光装置を支持基板に載置する）
図１０Ａ、図１０Ｂに示すように、上面視において、半田９０と、基材の下面１１４近傍に位置する第２配線１３と、を離間させて発光装置１０００を支持基板５０００に載置する。本明細書において、基材の下面近傍に位置する第２配線とは、基材の下面１１４と面一である第２配線１３の部分を意味する。半田９０と、基材の下面１１４近傍に位置する第２配線１３と、を離間させて発光装置を支持基板に載置することで、発光装置と支持基板とを半田により接合する時に、溶融した半田が基材の下面と支持基板の上面との間に侵入することを抑制することができる。これにより、後述する発光装置と、支持基板と、を接合した際に、基材の下面と支持基板との上面との間に加熱溶融後の半田が形成されることを抑制できるので、支持基板に対して発光装置が傾くことを抑制することができる。また、半田９０と、基材の下面１１４近傍に位置する第２配線１３と、を離間させて発光装置１０００を支持基板５０００に載置する時に、基材の下面１１４と支持基板の上面との間に加熱溶融前の半田は位置していない。
図１０Ｂに示すように、断面視において半田９０と、第２配線１３と、は離間していてもよく、図１０Ｃに示すように、断面視において半田９０と、基材の下面１１４近傍以外に位置する第２配線１３の少なくとも一部と、は接していてもよい。基材の下面１１４近傍以外に位置する第２配線１３とは、基材の下面１１４と面一でない第２配線１３の部分のことである。つまり、半田９０と、基材の下面１１４と面一でない第２配線１３の少なくとも一部と、が接していてもよい。
図９Ａに示すように、支持基板上に硬化前の接着樹脂９２を形成している場合には、硬化前の接着樹脂と発光装置の一部とが接するように発光装置を支持基板に載置する。このようにすることで、発光装置と支持基板を硬化後の接着樹脂でも固定できるので発光装置と支持基板の接合強度が向上する。接着樹脂の位置は特に限定されない。例えば、図１０Ａに示すように基材の複数の窪み１６の間に接着樹脂９２が位置していてもよい。基板１０の複数の窪みにそれぞれ配置される第２配線１３と、支持基板の配線パターンの接合領域と、が半田によって接合されるので、基材の複数の窪み１６の間に接着樹脂９２が位置することで、発光装置の基材に係る応力を抑えることができる。また、図１０Ａに示すように、上面視において、基材の正面１１１と接着樹脂９２の外縁の最短距離が、基材の正面１１１と半田９０の外縁の最短距離よりも短いことが好ましい。このようにすることで、接着樹脂９２によって基材の正面１１１側と支持基板とを接合することができるので、発光装置と支持基板の接合強度が向上する。尚、硬化前の接着樹脂を付けた発光装置を支持基板に載置してもよい。
上面視における接着樹脂の大きさは特に限定されないが、上面視においてＺ方向における接着樹脂の最大の幅Ｄ５が、Ｚ方向における発光装置の最大の幅Ｄ６の０．２倍から０．７倍であることが好ましい。上面視においてＺ方向における接着樹脂の最大の幅Ｄ５が、Ｚ方向における発光装置の最大の幅Ｄ６の０．２倍以上であることで接着樹脂の体積が増えるので発光装置と支持基板との接合強度が向上する。上面視においてＺ方向における接着樹脂の最大の幅Ｄ５が、Ｚ方向における発光装置の最大の幅Ｄ６の０．７倍以下であることで接着樹脂が接合領域上に形成されにくくすることができる。
上面視において、窪みの最大幅が接合領域の最大幅よりも狭いことが好ましい。このようにすることで、上面視において、接合領域上に位置する第２配線の面積を大きくしやすくなる。尚、窪みの最大幅とはＸ方向における窪みの幅の最大値であり、接合領域の最大幅とはＸ方向における接合領域の幅の最大値である。
（発光装置の第２配線と支持基板の接合部とを接合する）
図１１に示すように、半田９０を加熱溶融し、発光装置の第２配線１３と、支持基板５０００の接合領域８１０と、を接合する。溶融された半田は、濡れ広がりやすい接合領域８１０上に集まる。これにより、接合領域上に位置する加熱溶融後の半田の体積は、絶縁領域上に位置する加熱溶融後の半田の体積よりも大きくすることができる。接合領域上に位置する加熱溶融後の半田の体積が大きいことで、第２配線１３と、接合領域８１０と、が半田によって接合されやすくなる。これにより、発光装置と支持基板の接合強度が向上する。加熱溶融後の半田は、基材の下面と、支持基板の上面と、の間に形成されにくいので、支持基板に対して発光装置が傾いて接合されることを抑制できる。図１１に示すように、加熱溶融後の半田の全てが接合領域上に位置することが好ましい。
支持基板上に硬化前の接着樹脂を形成している場合には、発光装置の第２配線と、支持基板５０００の接合領域８１０と、を接合するために半田を加熱溶融する時に接着樹脂を硬化してもよい。このようにすることで、光源装置を製造する時間を短縮することができる。
以上、説明したように上述の各工程を行うことにより、光源装置１０００Ａを製造することができる。
＜実施形態２＞
実施形態２に係る光源装置の製造方法について説明する。実施形態２の光源装置の製造方法は、実施形態１の光源装置の製造方法とは、発光装置を準備する工程が異なる点以外は同様である。
図１３Ｂ示すように、基板１０と、複数の発光素子と、を備える発光装置２０００を準備する。実施形態１の発光装置と同様に基板１０は、基材１１と、第１配線１２と、第２配線１３と、を備える。実施形態１の発光装置は発光素子が１つであったが、実施形態２の発光装置２０００は、第１発光素子２０Ａと、第２発光素子２０Ｂの複数の発光素子を備える。尚、第１発光素子及び／又は第２発光素子を発光素子と呼ぶことがある。第１発光素子と、第２発光素子の発光ピーク波長は同じでもよく、異なっていてもよい。例えば、第１発光素子と、第２発光素子の発光ピーク波長が同じ場合は、第１発光素子と第２発光素子の発光のピーク波長が４３０ｎｍ以上４９０ｎｍ未満の範囲（青色領域の波長範囲）であってもよい。また、第１発光素子と、第２発光素子の発光ピーク波長が異なる場合は、発光のピーク波長が４３０ｎｍ以上４９０ｎｍ未満の範囲（青色領域の波長範囲）にある第１発光素子と、発光のピーク波長が４９０ｎｍ以上５７０ｎｍ以下の範囲（緑色領域の波長範囲）にある第２発光素子と、であってもよい。このようにすることで発光装置の色再現性を向上させることができる。尚、発光ピーク波長が同じとは±１０ｎｍ程度の変動は許容されるものとする。
図１３Ｂに示すように、第１発光素子２０Ａ及び第２発光素子２０Ｂを被覆する透光性部材３０を備えていてもよい。発光装置２０００が、第１発光素子２０Ａの第１光取り出し面２０１Ａ及び第２発光素子２０Ｂの第２光取り出し面２０１Ｂを被覆する透光性部材３０を備えることにより、第１発光素子と第２発光素子の間の輝度ムラを抑制することができる。また、第１発光素子及び第２発光素子の発光ピーク波長が異なる場合には、第１発光素子からの光と、第２発光素子からの光が導光部材に導光されることで、発光装置の混色性を向上させることができる。
図１３Ｂに示すように、導光部材５０が第１発光素子２０Ａの第１素子側面２０２Ａ及び第２発光素子２０Ｂの第２素子側面２０２Ｂを連続して被覆してもよい。このようにすることで、第１発光素子と第２発光素子の間の輝度ムラを抑制することができる。
図１２Ｂ、図１３Ｂに示すように、発光装置２０００は、第３配線１４の一部を被覆する絶縁膜１８を備えてもよい。絶縁膜１８を備えることで、背面における絶縁性の確保及び短絡の防止を図ることができる。また、絶縁膜１８を備えることにより、基材から第３配線が剥がれることを防止することができる。
図１４に示す発光装置２００１のように第１発光素子２０Ａを被覆する第１透光性部材３０Ａと、第２発光素子２０Ｂを被覆する第２透光性部材３０Ｂとを、備えていてもよい。第１透光性部材と、第２透光性部材に含まれている波長変換粒子は同じでもよく、異なっていてもよい。発光のピーク波長が４３０ｎｍ以上４９０ｎｍ未満の範囲（青色領域の波長範囲）にある第１発光素子と、発光のピーク波長が４９０ｎｍ以上５７０ｎｍ以下の範囲（緑色領域の波長範囲）にある第２発光素子と、を備える場合には、第１透光性部材３０Ａに赤色蛍光体を含有し、第２透光性部材３０Ｂには波長変換粒子を実質的に含有させなくてもよい。このようにすることで、発光装置の色再現性を向上させることができる。また、第２発光素子からの光は波長変換粒子に遮られないので発光装置の光取り出し効率が向上する。第１透光性部材に含有させる赤色蛍光体としてはマンガン賦活フッ化物系蛍光体等が挙げられる。
以下、本発明の一実施形態に係る発光装置における各構成要素について説明する。
（基板１０）
基板１０は、発光素子を載置する部材である。基板１０は、少なくとも、基材１１と、第１配線１２と、第２配線１３と、を備えている。
（基材１１）
基材１１は、樹脂若しくは繊維強化樹脂、セラミックス、ガラスなどの絶縁性部材を用いて構成することができる。樹脂若しくは繊維強化樹脂としては、エポキシ、ガラスエポキシ、ビスマレイミドトリアジン（ＢＴ）、ポリイミドなどが挙げられる。セラミックスとしては、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、酸化ジルコニウム、窒化ジルコニウム、酸化チタン、窒化チタン、若しくはこれらの混合物などが挙げられる。これらの基材のうち、特に発光素子の線膨張係数に近い物性を有する基材を使用することが好ましい。基材の厚さの下限値は、適宜選択できるが、基材の強度の観点から、０．０５ｍｍ以上であることが好ましく、０．２ｍｍ以上であることがより好ましい。また、基材の厚さの上限値は、発光装置の厚さ（奥行き）の観点から、０．５ｍｍ以下であることが好ましく、０．４ｍｍ以下であることがより好ましい。
（第１配線１２）
第１配線は、基材の正面に配置され、発光素子と電気的に接続される。第１配線は、銅、鉄、ニッケル、タングステン、クロム、アルミニウム、銀、金、チタン、パラジウム、ロジウム、又はこれらの合金で形成することができる。これらの金属又は合金の単層でも多層でもよい。特に、放熱性の観点においては銅又は銅合金が好ましい。また、第１配線の表層には、溶融性の導電性接着部材の濡れ性及び／若しくは光反射性などの観点から、銀、白金、アルミニウム、ロジウム、金若しくはこれらの合金などの層が設けられていてもよい。
（第２配線１３）
第２配線は、第１配線と電気的に接続され、基材の窪みの内壁を被覆する部材である。第２配線は、第１配線と同様の導電性部材を用いることができる。
（発光素子２０（第１発光素子、第２発光素子））
発光素子は、電圧を印加することで自ら発光する半導体素子であり、窒化物半導体等から構成される既知の半導体素子を適用できる。発光素子としては、例えばＬＥＤチップが挙げられる。発光素子は、少なくとも半導体層を備え、多くの場合に素子基板をさらに備える。発光素子は、素子電極を有する。素子電極は、金、銀、錫、白金、ロジウム、チタン、アルミニウム、タングステン、パラジウム、ニッケル又はこれらの合金で構成することができる。半導体材料としては、窒化物半導体を用いることが好ましい。窒化物半導体は、主として一般式ＩｎｘＡｌｙＧａ１−ｘ−ｙＮ（０≦ｘ、０≦ｙ、ｘ＋ｙ≦１）で表される。このほか、ＩｎＡｌＧａＡｓ系半導体、ＩｎＡｌＧａＰ系半導体、硫化亜鉛、セレン化亜鉛、炭化珪素などを用いることもできる。発光素子の素子基板は、主として半導体積層体を構成する半導体の結晶を成長可能な結晶成長用基板であるが、結晶成長用基板から分離した半導体素子構造に接合させる接合用基板であってもよい。素子基板が透光性を有することで、フリップチップ実装を採用しやすく、また光の取り出し効率を高めやすい。素子基板の母材としては、サファイア、窒化ガリウム、窒化アルミニウム、シリコン、炭化珪素、ガリウム砒素、ガリウム燐、インジウム燐、硫化亜鉛、酸化亜鉛、セレン化亜鉛、ダイヤモンドなどが挙げられる。なかでも、サファイアが好ましい。素子基板の厚さは、適宜選択でき、例えば０．０２ｍｍ以上１ｍｍ以下であり、素子基板の強度及び／若しくは発光装置の厚さの観点において、０．０５ｍｍ以上０．３ｍｍ以下であることが好ましい。
（反射部材４０）
反射部材は、発光素子２０の素子側面２０２及び基材の正面１１１を被覆し、「見切り性」の良好な発光装置とする部材である。発光素子の発光ピーク波長における反射部材の光反射率は、７０％以上であることが好ましく、８０％以上であることがより好ましく、９０％以上であることがよりいっそう好ましい。例えば、反射部材は、樹脂に白色顔料を含有させた部材を用いることができる。
（透光性部材３０）
透光性部材は発光素子の光取り出し面を被覆し、発光素子を保護する透光性の部材である。透光性部材の材料として、例えば、樹脂を用いることができる。透光性部材に用いることができる樹脂としては、シリコーン樹脂、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ポリカーボネート樹脂、アクリル樹脂、又はこれらの変性樹脂が挙げられる。透光性部材の材料として、エポキシ樹脂を用いることでシリコーン樹脂を用いた場合より発光装置の強度を向上させることができるので好ましい。また、シリコーン樹脂及び変性シリコーン樹脂は、耐熱性及び耐光性に優れているので好ましい。透光性部材は、波長変換粒子及び／又は拡散粒子を含有していてもよい。
（波長変換粒子）
波長変換粒子は、発光素子が発する一次光の少なくとも一部を吸収して、一次光とは異なる波長の二次光を発する。波長変換粒子は、以下に示す具体例のうちの１種を単独で、又は２種以上を組み合わせて用いることができる。透光性部材が複数の波長変換層を備える場合には、各波長変換層に含有される波長変換粒子は同じでもよく、異なっていてもよい。
緑色発光する波長変換粒子としては、イットリウム・アルミニウム・ガーネット系蛍光体（例えばＹ３（Ａｌ，Ｇａ）５Ｏ１２：Ｃｅ）、ルテチウム・アルミニウム・ガーネット系蛍光体（例えばＬｕ３（Ａｌ，Ｇａ）５Ｏ１２：Ｃｅ）、テルビウム・アルミニウム・ガーネット系蛍光体（例えばＴｂ３（Ａｌ，Ｇａ）５Ｏ１２：Ｃｅ）系蛍光体、シリケート系蛍光体（例えば（Ｂａ，Ｓｒ）２ＳｉＯ４：Ｅｕ）、クロロシリケート系蛍光体（例えばＣａ８Ｍｇ（ＳｉＯ４）４Ｃｌ２：Ｅｕ）、βサイアロン系蛍光体（例えばＳｉ６−ｚＡｌｚＯｚＮ８−ｚ：Ｅｕ（０＜ｚ＜４．２））、ＳＧＳ系蛍光体（例えばＳｒＧａ２Ｓ４：Ｅｕ）、アルカリ土類アルミネート系蛍光体（例えば（Ｂａ,Ｓｒ,Ｃａ）ＭｇｘＡｌ１０Ｏ１６＋ｘ:Ｅｕ,Ｍｎ（但し、０≦Ｘ≦１））などが挙げられる。黄色発光の波長変換粒子としては、αサイアロン系蛍光体（例えばＭｚ（Ｓｉ，Ａｌ）１２（Ｏ，Ｎ）１６（但し、０＜ｚ≦２であり、ＭはＬｉ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｙ、及びＬａとＣｅを除くランタニド元素）などが挙げられる。このほか、上記緑色発光する波長変換粒子の中には黄色発光の波長変換粒子もある。また例えば、イットリウム・アルミニウム・ガーネット系蛍光体は、Ｙの一部をＧｄで置換することで発光ピーク波長を長波長側にシフトさせることができ、黄色発光が可能である。また、これらの中には、橙色発光が可能な波長変換粒子もある。赤色発光する波長変換粒子としては、窒素含有アルミノ珪酸カルシウム（ＣＡＳＮ又はＳＣＡＳＮ）系蛍光体（例えば（Ｓｒ，Ｃａ）ＡｌＳｉＮ３：Ｅｕ）、ＳＬＡＮ蛍光体（ＳｒＬｉＡｌ３Ｎ４：Ｅｕ）などが挙げられる。このほか、マンガン賦活フッ化物系蛍光体（一般式（Ｉ）Ａ２［Ｍ１−ａＭｎａＦ６］で表される蛍光体である（但し、上記一般式（Ｉ）中、Ａは、Ｋ、Ｌｉ、Ｎａ、Ｒｂ、Ｃｓ及びＮＨ４からなる群から選ばれる少なくとも１種であり、Ｍは、第４族元素及び第１４族元素からなる群から選ばれる少なくとも１種の元素であり、ａは０＜ａ＜０．２を満たす））が挙げられる。このマンガン賦活フッ化物系蛍光体の代表例としては、マンガン賦活フッ化珪酸カリウムの蛍光体（例えばＫ２ＳｉＦ６：Ｍｎ）がある。
（拡散粒子）
拡散粒子としては、酸化珪素、酸化アルミニウム、酸化ジルコニウム、酸化亜鉛などが挙げられる。拡散粒子は、これらのうちの１種を単独で、又はこれらのうちの２種以上を組み合わせて用いることができる。特に、熱膨張係数の小さい酸化珪素が好ましい。また、拡散粒子として、ナノ粒子を用いることで、発光素子が発する光の散乱を増大させ、波長変換粒子の使用量を低減することもできる。なお、ナノ粒子とは、粒径が１ｎｍ以上１００ｎｍ以下の粒子とする。また、本明細書における「粒径」は、例えば、Ｄ５０で定義される。
（導光部材５０）
導光部材は、発光素子と透光性部材を固定し、発光素子からの光を透光性部材に導光する部材である。導光部材の母材は、シリコーン樹脂、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ポリカーボネート樹脂、アクリル樹脂、又はこれらの変性樹脂が挙げられる。導光部材の材料として、エポキシ樹脂を用いることでシリコーン樹脂を用いた場合より発光装置の強度を向上させることができるので好ましい。また、シリコーン樹脂及び変性シリコーン樹脂は、耐熱性及び耐光性に優れているので好ましい。導光部材は、上述の透光性部材と同様の波長変換粒子及び／又は拡散粒子を含有していてもよい。
（導電性接着部材６０）
導電性接着部材とは、発光素子の素子電極と第１配線とを電気的に接続する部材である。導電性接着部材としては、金、銀、銅などのバンプ、銀、金、銅、プラチナ、アルミニウム、パラジウムなどの金属粉末と樹脂バインダを含む金属ペースト、錫−ビスマス系、錫−銅系、錫−銀系、金−錫系などの半田、低融点金属などのろう材のうちのいずれか１つを用いることができる。
本発明の一実施形態に係る発光装置は、液晶ディスプレイのバックライト装置、各種照明器具、大型ディスプレイ、広告や行き先案内等の各種表示装置、プロジェクタ装置、さらには、デジタルビデオカメラ、ファクシミリ、コピー機、スキャナ等における画像読取装置などに利用することができる。
１０００Ａ 光源装置
１０００、１００１、２０００、２００１ 発光装置
５０００、５００１ 支持基板
１０ 基板
１１ 基材
１２ 第１配線
１３ 第２配線
１４ 第３配線
１５ ビア
１５１ 第４配線
１５２ 充填部材
１６ 窪み
１８ 絶縁膜
２０ 発光素子
３０ 透光性部材
４０ 反射部材
５０ 導光部材
６０ 導電性接着部材

Claims (6)

  1. 長手方向と前記長手方向と直交する短手方向に延長する正面と、前記正面の反対側に位置する背面と、前記正面と隣接し、前記正面と直交する上面と、前記上面の反対側に位置する下面と、前記背面と前記下面とに開口する複数の窪み、を有する基材と、前記正面に配置される第１配線と、前記第１配線と電気的に接続され前記複数の窪みのそれぞれに配置される第２配線と、を有する基板と、前記第１配線と電気的に接続され、前記第１配線上に載置される少なくとも１つの発光素子と、を備える発光装置を準備する工程と、
    支持基材と、前記支持基材の上面に接合領域を含む第１配線パターンと、前記接合領域を囲む絶縁領域と、を備える支持基板を準備する工程と、
    前記絶縁領域上に位置する半田の体積が前記接合領域上に位置する半田の体積よりも大きくなるように前記接合領域及び前記絶縁領域上に半田を配置する工程と、
    上面視において、前記半田と前記下面近傍に位置する前記第２配線とを離間させて前記発光装置を前記支持基板に載置する工程と、
    前記半田を加熱溶融し、前記発光装置の第２配線と前記支持基板の前記接合領域とを接合する工程と、
    を含む光源装置の製造方法。
  2. 前記半田を配置する工程において、上面視における前記絶縁領域上に位置する前記半田の最大幅が前記接合領域上に位置する前記半田の最大幅よりも広い請求項１に記載の光源装置の製造方法。
  3. 前記基板と前記支持基板を接着する接着樹脂を有する請求項１または２に記載の光源装置の製造方法。
  4. 前記発光装置の前記第２配線と前記支持基板の前記接合領域とを接合する工程において、
    前記接着樹脂を硬化する請求項３に記載の光源装置の製造方法。
  5. 前記接着樹脂は前記複数の窪みの間に位置する請求項３または４に記載の光源装置の製造方法。
  6. 上面視において、前記窪みの最大幅が前記接合領域の最大幅よりも狭い請求項１から５のいずれか１項に記載の光源装置の製造方法。
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