JP6704534B1 - 劣化診断装置および光トランシーバの劣化診断方法 - Google Patents
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Abstract
Description
図1は、本発明の実施の形態に係る通信装置100の構成例を示すブロック図である。通信装置100は、光トランシーバ101と、劣化診断装置102と、を備える。光トランシーバ101は、光送信部103と、光受信部104と、駆動電流モニタ部109と、温度モニタ部110と、を備える。光送信部103は、図示しない後段装置からの電気送信信号を光送信信号に変換して、図示しない光ファイバに出力する。光受信部104は、図示しない光ファイバからの光受信信号を電気受信信号に変換して、図示しない後段装置に出力する。光送信部103は、レーザダイオード105と、モニタPD(PhotoDiode)106と、PD電流検出部107と、駆動電流制御部108と、を備える。
Claims (2)
- 光トランシーバの劣化を診断する劣化診断装置であって、
光送信信号を出力するレーザダイオードを有する前記光トランシーバの温度を取得する温度取得部と、
前記光送信信号の光出力強度を一定にするために前記レーザダイオードに流れるバイアス電流を取得するバイアス電流取得部と、
運用開始後の一定期間に複数回、前記温度取得部で前記光トランシーバの温度が取得され、前記バイアス電流取得部で前記レーザダイオードのバイアス電流が取得され、取得された複数の前記温度と複数の前記バイアス電流との関係を示す補正関数を算出する補正関数演算部と、
前記一定期間の後の劣化診断時に前記温度取得部で取得された前記光トランシーバの温度、前記一定期間の前の運用開始時に前記温度取得部で取得された前記光トランシーバの温度である初期温度、および前記補正関数を用いて、前記一定期間の後の劣化診断時に前記バイアス電流取得部で取得されたバイアス電流について、前記初期温度と劣化診断時に取得された温度との温度差によって生じる変化量を示す温度補正値を算出する温度補正値算出部と、
前記温度補正値を用いて、前記劣化診断時に取得されたバイアス電流を補正する補正後バイアス電流算出部と、
前記一定期間の前の運用開始時に前記バイアス電流取得部で取得されたバイアス電流の初期値である初期バイアス電流と補正された補正後バイアス電流との差分と、規定された閾値とを比較して、前記差分が規定された閾値以上の場合、前記光トランシーバの有する前記レーザダイオードが劣化したとして、前記光トランシーバの交換を指示するバイアス電流変化量算出部と、
を備えることを特徴とする劣化診断装置。 - 光トランシーバの劣化を診断する劣化診断装置における光トランシーバの劣化診断方法であって、
温度取得部が、光送信信号を出力するレーザダイオードを有する前記光トランシーバの温度を取得する第1のステップと、
バイアス電流取得部が、前記光送信信号の光出力強度を一定にするために前記レーザダイオードに流れるバイアス電流を取得する第2のステップと、
補正関数演算部が、運用開始後の一定期間に複数回、前記温度取得部で前記光トランシーバの温度が取得され、前記バイアス電流取得部で前記レーザダイオードのバイアス電流が取得され、取得された複数の前記温度と複数の前記バイアス電流との関係を示す補正関数を算出する第3のステップと、
温度補正値算出部が、前記一定期間の後の劣化診断時に前記温度取得部で取得された前記光トランシーバの温度、前記一定期間の前の運用開始時に前記温度取得部で取得された前記光トランシーバの温度である初期温度、および前記補正関数を用いて、前記一定期間の後の劣化診断時に前記バイアス電流取得部で取得されたバイアス電流について、前記初期温度と劣化診断時に取得された温度との温度差によって生じる変化量を示す温度補正値を算出する第4のステップと、
補正後バイアス電流算出部が、前記温度補正値を用いて、前記劣化診断時に取得されたバイアス電流を補正する第5のステップと、
バイアス電流変化量算出部が、前記一定期間の前の運用開始時に前記バイアス電流取得部で取得されたバイアス電流の初期値である初期バイアス電流と補正された補正後バイアス電流との差分と、規定された閾値とを比較して、前記差分が規定された閾値以上の場合、前記光トランシーバの有する前記レーザダイオードが劣化したとして、前記光トランシーバの交換を指示する第6のステップと、
を含むことを特徴とする光トランシーバの劣化診断方法。
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2022033431A1 (zh) * | 2020-08-13 | 2022-02-17 | 中兴通讯股份有限公司 | 一种光模块健康状态检测方法、检测装置及存储介质 |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US11799562B2 (en) * | 2020-06-02 | 2023-10-24 | Hewlett Packard Enterprise Development Lp | Mitigation of temperature variations and crosstalk in silicon photonics interconnects |
US20230119309A1 (en) * | 2021-10-20 | 2023-04-20 | Simmonds Precision Products, Inc. | Laser diode drive systems |
KR102689301B1 (ko) * | 2023-12-06 | 2024-07-30 | (주)자람테크놀로지 | 운용 중 레이저 다이오드 열화상태 확인 기능을 구비한 광송신 장치 및 그 확인방법 |
Citations (19)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS52123185A (en) * | 1976-04-09 | 1977-10-17 | Fujitsu Ltd | Optical communication supervisory system |
JPS5821886A (ja) * | 1981-07-31 | 1983-02-08 | Nec Corp | レ−ザ・ダイオ−ド劣化判定回路 |
JPH04334078A (ja) * | 1991-05-10 | 1992-11-20 | Fujitsu Ltd | 半導体レーザー制御装置 |
JPH05259548A (ja) * | 1992-03-10 | 1993-10-08 | Fujitsu Ltd | レーザダイオード電流監視回路の温度補償方法 |
JPH07147443A (ja) * | 1993-11-24 | 1995-06-06 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体レーザ送信器 |
JPH07221369A (ja) * | 1994-01-31 | 1995-08-18 | Idec Izumi Corp | 回路素子の劣化検出回路 |
JPH08279642A (ja) * | 1995-04-05 | 1996-10-22 | Sony Corp | 発光素子の寿命予測方法およびこれを用いた発光駆動装置 |
WO1999014832A1 (fr) * | 1997-09-16 | 1999-03-25 | Hitachi, Ltd. | Dispositif de transmission optique et procede de pilotage d'une diode laser |
JP2000041002A (ja) * | 1998-07-21 | 2000-02-08 | Nakayo Telecommun Inc | レーザ光利用装置および光無線伝送装置 |
JP2002329924A (ja) * | 2001-03-02 | 2002-11-15 | Ricoh Co Ltd | Ld制御装置及びldの劣化検知方法 |
JP2004254240A (ja) * | 2003-02-21 | 2004-09-09 | Fujitsu Ltd | レーザダイオード管理装置およびレーザダイオード管理方法 |
JP2005145006A (ja) * | 2003-11-19 | 2005-06-09 | Kyocera Mita Corp | 露光装置、画像形成装置、寿命判定装置 |
JP2006332345A (ja) * | 2005-05-26 | 2006-12-07 | Sumitomo Electric Ind Ltd | オートパワーコントロール回路およびレーザダイオード制御方法 |
EP2071568A1 (en) * | 2007-12-13 | 2009-06-17 | Harman/Becker Automotive Systems GmbH | Temperature sensing in an optical reproducing / recording device |
US20120263202A1 (en) * | 2010-10-08 | 2012-10-18 | Gunther Steinle | Laser diode control device |
JP2014212234A (ja) * | 2013-04-19 | 2014-11-13 | 住友電気工業株式会社 | 光送信機および発光素子の寿命予測方法 |
JP2016004597A (ja) * | 2014-06-17 | 2016-01-12 | 三菱電機株式会社 | ディスク装置 |
JP2016163106A (ja) * | 2015-02-27 | 2016-09-05 | 株式会社日立製作所 | 通信装置および保守運用システム |
WO2019172086A1 (ja) * | 2018-03-08 | 2019-09-12 | 三菱電機株式会社 | 光モジュールの寿命予測方法および寿命予測装置 |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7830936B2 (en) * | 2003-01-10 | 2010-11-09 | Avago Technologies Fiber Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Calibration of laser systems |
US7881615B2 (en) * | 2007-07-26 | 2011-02-01 | Finisar Corporation | Dynamic digital diagnostic alerts |
JP2009200242A (ja) * | 2008-02-21 | 2009-09-03 | Fujitsu Ltd | 光送信機および制御方法 |
JP6032075B2 (ja) * | 2013-03-18 | 2016-11-24 | 富士通株式会社 | 光伝送装置および光伝送システム |
US11177620B2 (en) * | 2017-09-15 | 2021-11-16 | Intel Corporation | Laser failure early warning indicator |
-
2019
- 2019-04-24 WO PCT/JP2019/017501 patent/WO2020217355A1/ja unknown
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-
2021
- 2021-08-09 US US17/396,991 patent/US20210367397A1/en active Pending
Patent Citations (19)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS52123185A (en) * | 1976-04-09 | 1977-10-17 | Fujitsu Ltd | Optical communication supervisory system |
JPS5821886A (ja) * | 1981-07-31 | 1983-02-08 | Nec Corp | レ−ザ・ダイオ−ド劣化判定回路 |
JPH04334078A (ja) * | 1991-05-10 | 1992-11-20 | Fujitsu Ltd | 半導体レーザー制御装置 |
JPH05259548A (ja) * | 1992-03-10 | 1993-10-08 | Fujitsu Ltd | レーザダイオード電流監視回路の温度補償方法 |
JPH07147443A (ja) * | 1993-11-24 | 1995-06-06 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体レーザ送信器 |
JPH07221369A (ja) * | 1994-01-31 | 1995-08-18 | Idec Izumi Corp | 回路素子の劣化検出回路 |
JPH08279642A (ja) * | 1995-04-05 | 1996-10-22 | Sony Corp | 発光素子の寿命予測方法およびこれを用いた発光駆動装置 |
WO1999014832A1 (fr) * | 1997-09-16 | 1999-03-25 | Hitachi, Ltd. | Dispositif de transmission optique et procede de pilotage d'une diode laser |
JP2000041002A (ja) * | 1998-07-21 | 2000-02-08 | Nakayo Telecommun Inc | レーザ光利用装置および光無線伝送装置 |
JP2002329924A (ja) * | 2001-03-02 | 2002-11-15 | Ricoh Co Ltd | Ld制御装置及びldの劣化検知方法 |
JP2004254240A (ja) * | 2003-02-21 | 2004-09-09 | Fujitsu Ltd | レーザダイオード管理装置およびレーザダイオード管理方法 |
JP2005145006A (ja) * | 2003-11-19 | 2005-06-09 | Kyocera Mita Corp | 露光装置、画像形成装置、寿命判定装置 |
JP2006332345A (ja) * | 2005-05-26 | 2006-12-07 | Sumitomo Electric Ind Ltd | オートパワーコントロール回路およびレーザダイオード制御方法 |
EP2071568A1 (en) * | 2007-12-13 | 2009-06-17 | Harman/Becker Automotive Systems GmbH | Temperature sensing in an optical reproducing / recording device |
US20120263202A1 (en) * | 2010-10-08 | 2012-10-18 | Gunther Steinle | Laser diode control device |
JP2014212234A (ja) * | 2013-04-19 | 2014-11-13 | 住友電気工業株式会社 | 光送信機および発光素子の寿命予測方法 |
JP2016004597A (ja) * | 2014-06-17 | 2016-01-12 | 三菱電機株式会社 | ディスク装置 |
JP2016163106A (ja) * | 2015-02-27 | 2016-09-05 | 株式会社日立製作所 | 通信装置および保守運用システム |
WO2019172086A1 (ja) * | 2018-03-08 | 2019-09-12 | 三菱電機株式会社 | 光モジュールの寿命予測方法および寿命予測装置 |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2022033431A1 (zh) * | 2020-08-13 | 2022-02-17 | 中兴通讯股份有限公司 | 一种光模块健康状态检测方法、检测装置及存储介质 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20210367397A1 (en) | 2021-11-25 |
EP3944433A4 (en) | 2022-04-27 |
JPWO2020217355A1 (ja) | 2021-05-06 |
EP3944433A1 (en) | 2022-01-26 |
WO2020217355A1 (ja) | 2020-10-29 |
EP3944433B1 (en) | 2024-06-12 |
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---|---|---|
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