JP6688394B2 - 差分温度勾配を有する窯炉焼成 - Google Patents
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Description
単独窯内でウェアを焼成する方法において、
前記単独窯のウェア用スペース内にウェアの少なくとも1つのスタックを位置付ける工程であって、前記ウェア用スペースが、第1の方向に配向された複数の温度制御ゾーンと、第2の方向に配向された複数の温度制御ゾーンとを含む、工程、
第1の加熱段階において、前記ウェア用スペースを周囲温度から該周囲温度より高い第1の温度へと加熱する工程、
第2の加熱段階において、前記ウェア用スペースを前記第1の温度から前記第1の温度より高い第2の温度へと加熱する工程、及び
第3の加熱段階において、前記ウェア用スペースを前記第2の温度から前記第2の温度より高い最高浸漬温度へと加熱する工程であって、次の条件:
(i)前記第1の加熱段階、前記第2の加熱段階、及び前記第3の加熱段階のうちの少なくとも1つの間に、前記第1の方向に配向された前記複数の温度制御ゾーンのうちの1つの温度制御ゾーンが、前記第1の方向に配向された前記複数の温度制御ゾーンのうちの少なくとも1つの他の温度制御ゾーンの設定点温度とは異なる設定点温度を有する、及び
(ii)前記第1の加熱段階、前記第2の加熱段階、及び前記第3の加熱段階のうちの少なくとも1つの間に、前記第2の方向に配向された前記複数の温度制御ゾーンのうちの1つの温度制御ゾーンが、前記第2の方向に配向された前記複数の温度制御ゾーンのうちの少なくとも1つの他の温度制御ゾーンの設定点温度とは異なる設定点温度を有する
のうちの少なくとも1つが満たされる、工程
を含む、方法。
前記第1の方向が垂直方向であり、前記第2の方向が水平方向であることを特徴とする、実施形態1に記載の方法。
前記第1の方向に配向された前記複数の温度制御ゾーンが、前記ウェア用スペースのハースに隣接した第1の温度制御ゾーン、前記ウェア用スペースのクラウンに隣接した第2の温度制御ゾーン、及び前記第1の温度制御ゾーンと前記第2の温度制御ゾーンとの間の第3の温度制御ゾーンを含むことを特徴とする、実施形態1に記載の方法。
前記第1の加熱段階の間に:
前記第1の温度制御ゾーンの設定点温度が、前記第3の温度制御ゾーンの設定点温度より約10℃〜約50℃低く、かつ
前記第2の温度制御ゾーンの設定点温度が、前記第3の温度制御ゾーンの設定点温度より約10℃〜約50℃高い
ことを特徴とする、実施形態3に記載の方法。
前記第1の加熱段階の間に:
前記第1の温度制御ゾーンの設定点温度が、前記第3の温度制御ゾーンの設定点温度より約15℃〜約30℃低く、かつ
前記第2の温度制御ゾーンの設定点温度が、前記第3の温度制御ゾーンの設定点温度より約15℃〜約30℃高い
ことを特徴とする、実施形態3に記載の方法。
前記第2の方向に配向された複数の温度制御ゾーンが、前記ウェア用スペースの前壁に隣接した第1の温度制御ゾーンと、前記ウェア用スペースの後壁に隣接した第2の温度制御ゾーンとを含むことを特徴とする、実施形態1に記載の方法。
前記第3の加熱段階の間に、前記第2の温度制御ゾーンの設定点温度が、前記第1の温度制御ゾーンの設定点温度より約3℃〜約20℃高いことを特徴とする、実施形態6に記載の方法。
前記第3の加熱段階の間に、前記第2の温度制御ゾーンの設定点温度が、前記第1の温度制御ゾーンの設定点温度より約3℃〜約15℃高いことを特徴とする、実施形態6に記載の方法。
前記第2の加熱段階の間に:
前記第1の方向に配向された前記複数の温度制御ゾーンの各温度制御ゾーンが、同じ設定点温度を有し、
前記第2の方向に配向された前記複数の温度制御ゾーンの各温度制御ゾーンが、同じ設定点温度を有する
ことを特徴とする、実施形態1に記載の方法。
前記第2の加熱段階の間に:
前記第1の方向に配向された前記複数の温度制御ゾーンの各温度制御ゾーンが、異なる設定点温度を有し、かつ
前記第2の方向に配向された前記複数の温度制御ゾーンの各温度制御ゾーンが、同じ設定点温度を有する
ことを特徴とする、実施形態1に記載の方法。
前記第1の温度が、約250℃〜約700℃であり、前記第2の温度が、約600℃〜約1000℃であり、前記最高浸漬温度が、約1200℃〜約1550℃であることを特徴とする、実施形態1に記載の方法。
前記第1の加熱段階の間に、前記第1の方向に配向された前記複数の温度制御ゾーンの各々に希釈ガスを供給する工程をさらに含み、前記希釈ガスが、前記第1の方向に配向された前記複数の温度制御ゾーンの各々において、異なる体積ガス流量を有することを特徴とする、実施形態1に記載の方法。
前記第1の加熱段階の間に、前記第1の方向に配向された前記複数の温度制御ゾーンの各々のVOCレベルを測定又は計算する工程、
最大の測定又は計算VOCレベルを有する前記第1の方向に配向された温度制御ゾーンに、前記希釈ガスの最大の体積希釈ガス流量を供給する工程、及び
最小の測定又は計算VOCレベルを有する前記第1の方向に配向された温度制御ゾーンに、最小の体積希釈ガス流量を供給する工程
をさらに含むことを特徴とする、実施形態12に記載の方法。
倒炎式単独窯内でウェアを焼成する方法において、
前記倒炎式単独窯のウェア用スペース内にウェアの少なくとも1つのスタックを位置付ける工程であって、前記ウェア用スペースが、
クラウン、
前記クラウンとは反対側のハース、
前記クラウンと前記ハースとの間にわたる第1の側壁、
前記第1の側壁とは反対側にあり、かつ、前記クラウンと前記ハースとの間にわたる第2の側壁、かつ、
前記第1の側壁、前記第2の側壁、前記ハース、及び前記クラウンで囲まれた前壁、
前記前壁とは反対側にあり、かつ、前記第1の側壁、前記第2の側壁、前記ハース、及び前記クラウンで囲まれた後壁、
垂直方向に配向された複数の温度制御ゾーン、及び
水平方向に配向された複数の温度制御ゾーン
によって画成される、工程、
第1の加熱段階において、前記ウェア用スペースを周囲温度から該周囲温度より高い第1の温度へと加熱する工程、
第2の加熱段階において、前記ウェア用スペースを前記第1の温度から該第1の温度より高い第2の温度へと加熱する工程、及び
第3の加熱段階において、前記ウェア用スペースを前記第2の温度から該第2の温度より高い最高浸漬温度へと加熱する工程であって、次の条件:
(i)前記第1の加熱段階、前記第2の加熱段階、及び前記第3の加熱段階のうちの少なくとも1つの間に、前記垂直方向に配向された前記複数の温度制御ゾーンのうちの1つの温度制御ゾーンが、前記垂直方向に配向された前記複数の温度制御ゾーンのうちの少なくとも1つの他の温度制御ゾーンの設定点温度とは異なる設定点温度を有する、及び
(ii)前記第1の加熱段階、前記第2の加熱段階、及び前記第3の加熱段階のうちの少なくとも1つの間に、前記水平方向に配向された前記複数の温度制御ゾーンのうちの1つの温度制御ゾーンが、前記水平方向に配向された前記複数の温度制御ゾーンのうちの少なくとも1つの他の温度制御ゾーンの設定点温度とは異なる設定点温度を有する
のうちの少なくとも1つが満たされる、工程
を含む、方法。
前記第1の温度が、約250℃〜約700℃であり、前記第2の温度が、約600℃〜約1000℃であり、前記最高浸漬温度が、約1200℃〜約1550℃であることを特徴とする、実施形態14に記載の方法。
前記垂直方向に配向された前記複数の温度制御ゾーンが、前記ハースに隣接した第1の温度制御ゾーン、前記クラウンに隣接した第2の温度制御ゾーン、及び前記第1の温度制御ゾーンと前記第2の温度制御ゾーンとの間の第3の温度制御ゾーンを含み、前記第1の加熱段階の間に:
前記第1の温度制御ゾーンの設定点温度が、前記第3の温度制御ゾーンの設定点温度より約10℃〜約50℃低く、かつ
前記第2の温度制御ゾーンの設定点温度が、前記第3の温度制御ゾーンの設定点温度より約10℃〜約50℃高い
ことを特徴とする、実施形態14に記載の方法。
前記水平方向に配向された前記複数の温度制御ゾーンが、前記前壁に隣接した第1の温度制御ゾーンと、前記後壁に隣接した第2の温度制御ゾーンとを含み、前記第3の加熱段階の間に、前記第2の温度制御ゾーンの設定点温度が、前記第1の温度制御ゾーンの設定点温度より約3℃〜約15℃高いことを特徴とする、実施形態14に記載の方法。
前記第2の加熱段階の間に:
前記垂直方向に配向された前記複数の温度制御ゾーンの各温度制御ゾーンが、同じ設定点温度を有し、かつ
前記水平方向に配向された前記複数の温度制御ゾーンの各温度制御ゾーンが、同じ設定点温度を有する
ことを特徴とする、実施形態14に記載の方法。
前記第2の加熱段階の間に:
前記垂直方向に配向された前記複数の温度制御ゾーンの各温度制御ゾーンが、異なる設定点温度を有し、かつ
前記水平方向に配向された前記複数の温度制御ゾーンの各温度制御ゾーンが、同じ設定点温度を有する
ことを特徴とする、実施形態14に記載の方法。
前記第1の加熱段階の間に、前記垂直方向に配向された前記複数の温度制御ゾーンの各々に希釈ガス流を供給する工程、及び
前記第1の加熱段階の間に、前記垂直方向に配向された前記複数の温度制御ゾーンの各々のVOCレベルを測定又は計算する工程であって、
最大の体積希釈ガス流量が、最高の測定又は計算VOCレベルを有する前記垂直方向に配向された温度制御ゾーンに供給され、
最小の体積希釈ガス流量が、最低の測定又は計算VOCレベルを有する前記垂直方向に配向された温度制御ゾーンに供給される
工程
をさらに含むことを特徴とする、実施形態14に記載の方法。
100a ハース
100b 第1の側壁
100c クラウン
100d 第2の側壁
100e 前壁
100f 後壁
101 ウェア
102 スタック
102a 棚
103 送気開口部
110 ウェア用スペース
120,120a,120b,120c バーナ
121 熱源
125a〜f 燃焼レーン
201,202,203,310,320 温度制御ゾーン
Claims (4)
- 単独窯内でウェアを焼成する方法において、
前記単独窯のウェア用スペース内にウェアの少なくとも1つのスタックを位置付ける工程であって、前記ウェア用スペースが、第1の方向に配向された複数の温度制御ゾーンと、第2の方向に配向された複数の温度制御ゾーンとを含む、工程、
第1の加熱段階において、前記ウェア用スペースを周囲温度から該周囲温度より高い第1の温度へと加熱する工程、
第2の加熱段階において、前記ウェア用スペースを前記第1の温度から該第1の温度より高い第2の温度へと加熱する工程、及び
第3の加熱段階において、前記ウェア用スペースを前記第2の温度から該第2の温度より高い最高浸漬温度へと加熱する工程であって、次の条件:
(i)前記第1の加熱段階、前記第2の加熱段階、及び前記第3の加熱段階のうちの少なくとも1つの間に、前記第1の方向に配向された前記複数の温度制御ゾーンのうちの1つの温度制御ゾーンが、前記第1の方向に配向された前記複数の温度制御ゾーンのうちの少なくとも1つの他の温度制御ゾーンの設定点温度とは異なる設定点温度を有する、及び
(ii)前記第1の加熱段階、前記第2の加熱段階、及び前記第3の加熱段階のうちの少なくとも1つの間に、前記第2の方向に配向された前記複数の温度制御ゾーンのうちの1つの温度制御ゾーンが、前記第2の方向に配向された前記複数の温度制御ゾーンのうちの少なくとも1つの他の温度制御ゾーンの設定点温度とは異なる設定点温度を有する
のうちの少なくとも1つが満たされる、工程
を含む、方法。 - 前記第1の方向が垂直方向であり、前記第2の方向が水平方向であることを特徴とする、請求項1に記載の方法。
- 前記第1の方向に配向された前記複数の温度制御ゾーンが、前記ウェア用スペースのハースに隣接した第1の温度制御ゾーン、前記ウェア用スペースのクラウンに隣接した第2の温度制御ゾーン、及び前記第1の温度制御ゾーンと前記第2の温度制御ゾーンとの間の第3の温度制御ゾーンを含むことを特徴とする、請求項1に記載の方法。
- 倒炎式単独窯内でウェアを焼成する方法において、
前記倒炎式単独窯のウェア用スペース内にウェアの少なくとも1つのスタックを位置付ける工程であって、前記ウェア用スペースが、
クラウン、
前記クラウンとは反対側のハース、
前記クラウンと前記ハースとの間にわたる第1の側壁、
前記第1の側壁とは反対側にあり、かつ、前記クラウンと前記ハースとの間にわたる第2の側壁、
前記第1の側壁、前記第2の側壁、前記ハース、及び前記クラウンで囲まれた前壁、
前記前壁とは反対側にあり、かつ、前記第1の側壁、前記第2の側壁、前記ハース、及び前記クラウンで囲まれた後壁、
垂直方向に配向された複数の温度制御ゾーン、及び
水平方向に配向された複数の温度制御ゾーン
によって画成される、工程、
第1の加熱段階において、前記ウェア用スペースを周囲温度から該周囲温度より高い第1の温度へと加熱する工程、
第2の加熱段階において、前記ウェア用スペースを前記第1の温度から該第1の温度より高い第2の温度へと加熱する工程、及び
第3の加熱段階において、前記ウェア用スペースを前記第2の温度から該第2の温度より高い最高浸漬温度へと加熱する工程であって、次の条件:
(i)前記第1の加熱段階、前記第2の加熱段階、及び前記第3の加熱段階のうちの少なくとも1つの間に、前記垂直方向に配向された前記複数の温度制御ゾーンのうちの1つの温度制御ゾーンが、前記垂直方向に配向された前記複数の温度制御ゾーンのうちの少なくとも1つの他の温度制御ゾーンの設定点温度とは異なる設定点温度を有する、及び
(ii)前記第1の加熱段階、前記第2の加熱段階、及び前記第3の加熱段階のうちの少なくとも1つの間に、前記水平方向に配向された前記複数の温度制御ゾーンのうちの1つの温度制御ゾーンが、前記水平方向に配向された前記複数の温度制御ゾーンのうちの少なくとも1つの他の温度制御ゾーンの設定点温度とは異なる設定点温度を有する
のうちの少なくとも1つが満たされる、工程
を含む、方法。
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