JP6686665B2 - 内燃機関の排気浄化装置 - Google Patents

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Description

本発明は内燃機関の排気浄化装置に関する。
排気ガス中に含まれる粒子状物質を捕集するためのパティキュレートフィルタを機関排気通路内に配置した内燃機関の排気浄化装置が知られている。ところが、パティキュレートフィルタ上に堆積している粒子状物質の量が多くなるにつれて、パティキュレートフィルタの圧力損失が大きくなる。パティキュレートフィルタの圧力損失が大きくなると、機関出力が低下するおそれがある。そこで、この排気浄化装置では、パティキュレートフィルタの粒子状物質捕集量が多くなったときにパティキュレートフィルタの温度を上昇させて保持するPM除去制御を行い、それにより粒子状物質を酸化除去するようにしている。
ところで、排気ガス中にはアッシュと称される不燃性成分も含まれており、このアッシュは粒子状物質と共にパティキュレートフィルタに捕集される。ところが、PM除去制御が行われてもアッシュは燃焼せず又は気化しない。すなわち、アッシュはパティキュレートフィルタから除去されず、パティキュレートフィルタ上に残留する。したがって、PM除去制御を行っても、パティキュレートフィルタの圧力損失を十分に回復することができない。
そこで、パティキュレートフィルタに捕集されたアッシュを微粒化し、それによりアッシュがパティキュレートフィルタを通過してパティキュレートフィルタから除去されるようにした内燃機関の排気浄化装置が公知である(例えば、特許文献1参照)。この排気浄化装置では、パティキュレートフィルタに固体酸が担持され、この固体酸の酸強度は亜硫酸の酸強度よりも高くかつ硫酸の酸強度よりも低い。また、アッシュを微粒化するために、パティキュレートフィルタに流入する排気ガス中の酸素濃度が一時的に低下されると共に、パティキュレートフィルタの温度が一時的に高められる。アッシュがパティキュレートフィルタを通過してパティキュレートフィルタから除去されれば、アッシュによるパティキュレートフィルタの圧力損失増大を抑制することができる。
特表2014−520226号公報
しかしながら、特許文献1の排気浄化装置では固体酸が不可欠である。したがって、安価で簡単な構成でもってアッシュによるパティキュレートフィルタの圧力損失増大を抑制する技術が求められている。
更に、詳しくは後述するが、硫酸カルシウムCaSOの形のアッシュをパティキュレートから脱離させるのはより困難な場合がある。そこで、本発明の目的は、硫酸カルシウムCaSOの形のアッシュの生成を抑制しつつ、安価で簡単な構成でもってアッシュによるパティキュレートフィルタの圧力損失増大を抑制することが可能な内燃機関の排気浄化装置を提供することにある。
本発明によれば、機関排気通路内に配置され、排気ガス中の粒子状物質を捕集するためのパティキュレートフィルタと、前記パティキュレートフィルタ上流の機関排気通路内又は前記パティキュレートフィルタ内に配置されたSOx捕捉触媒であって、流入排気ガスの空燃比がリーンのときに排気ガス中のSOxを捕捉し、前記SOx捕捉触媒の温度がSOx放出温度であり流入排気ガスの空燃比が理論空燃比又はリッチのときに捕捉しているSOxを放出するSOx捕捉触媒と、前記パティキュレートフィルタのアッシュ付着量を減少させるために前記パティキュレートフィルタの温度をあらかじめ定められたアッシュ脱離温度まで上昇させて該アッシュ脱離温度に保持するアッシュ脱離制御を行うように構成されたアッシュ脱離手段であって、前記アッシュ脱離温度は前記アッシュを酸化カルシウムに変換するのに適した温度である、アッシュ脱離手段と、前記SOx捕捉触媒のSOx捕捉量を減少させるために前記SOx捕捉触媒の温度をあらかじめ定められたSOx放出温度まで上昇させて該SOx放出温度に保持しつつ前記SOx捕捉触媒への流入排気ガスの空燃比を一時的にリッチに切り換えるSOx放出制御を行うように構成されたSOx放出手段と、前記SOx放出制御を行うべきときには、まず前記アッシュ脱離制御を行い、次いで前記SOx放出制御を行うように、前記アッシュ脱離手段及び前記SOx放出手段を制御する制御手段と、を備えた、内燃機関の排気浄化装置が提供される。
硫酸カルシウムの形のアッシュの生成を抑制しつつ、安価で簡単な構成でもってアッシュによるパティキュレートフィルタの圧力損失増大を抑制することができる。
内燃機関の全体図である。 NOx吸蔵還元触媒の触媒担体の表面部分の断面図である。 NOx吸蔵還元触媒の触媒担体の表面部分の断面図である。 パティキュレートフィルタにおけるアッシュの状態を示す模式図である。 パティキュレートフィルタにおけるアッシュの状態を示す模式図である。 PM除去制御、アッシュ脱離制御及びSOx放出制御の実行タイミングを示すタイムチャートである。 SOx捕捉量QSの算出ルーチンを示すフローチャートである。 SOx放出制御ルーチンを示すフローチャートである。
図1を参照すると、1は圧縮着火式内燃機関の本体、2は各気筒の燃焼室、3は各燃焼室2内にそれぞれ燃料を噴射するための電子制御式燃料噴射弁、4は吸気マニホルド、5は排気マニホルドをそれぞれ示す。吸気マニホルド4は吸気ダクト6を介して排気ターボチャージャ7のコンプレッサ7cの出口に連結され、コンプレッサ7cの入口は吸気導入管8を介してエアフロメータ9及びエアクリーナ10に順次連結される。吸気ダクト6内には電気制御式スロットル弁11が配置され、更に吸気ダクト6内には吸気ダクト6内を流れる吸入空気を冷却するための冷却装置12が配置される。一方、排気マニホルド5は排気ターボチャージャ7の排気タービン7tの入口に連結され、排気タービン7tの出口は排気後処理装置20に連結される。
各燃料噴射弁3は燃料供給管13を介してコモンレール14に連結され、このコモンレール14は電気制御式の吐出量可変な燃料ポンプ15を介して燃料タンク16に連結される。燃料タンク16内の燃料は燃料ポンプ15によってコモンレール14内に供給され、コモンレール14内に供給された燃料は各燃料供給管13を介して燃料噴射弁3に供給される。なお、コモンレール14にはコモンレール14内の燃料圧を検出する燃料圧センサ(図示しない)が取り付けられており、燃料圧センサからの信号に基づきコモンレール14内の燃料圧が目標圧に一致するように燃料ポンプ15の燃料吐出量が制御される。図1に示される実施例ではこの燃料は軽油から構成される。図示しない別の実施例では内燃機関は火花点火式内燃機関から構成される。この場合には燃料はガソリンから構成される。
排気マニホルド5と吸気マニホルド4とは排気ガス再循環(以下、EGRという。)通路17を介して互いに連結され、EGR通路17内には電気制御式EGR制御弁18が配置される。また、EGR通路17周りにはEGR通路17内を流れるEGRガスを冷却するための冷却装置19が配置される。
排気後処理装置20は排気タービン7tの出口に連結された排気管21を具備し、この排気管21は触媒22の入口に連結される。触媒22の出口は排気管23を介してウォールフロー型パティキュレートフィルタ24の入口に連結される。パティキュレートフィルタ24の出口は排気管25に連結される。図示しない別の実施例では、触媒22はパティキュレートフィルタ24内に配置される。
電子制御ユニット(ECU)又は制御器30はデジタルコンピュータからなり、双方向性バス31によって互いに接続されたROM(リードオンリメモリ)32、RAM(ランダムアクセスメモリ)33、CPU(マイクロプロセッサ)34、入力ポート35及び出力ポート36を具備する。排気管23にはパティキュレートフィルタ24に流入する排気ガスの温度を検出するための温度センサ26が取り付けられる。パティキュレートフィルタ24に流入する排気ガスの温度はパティキュレートフィルタ24の温度を表している。エアフロメータ9及び温度センサ26の出力電圧はそれぞれ対応するAD変換器37を介して入力ポート35に入力される。また、アクセルペダル39にはアクセルペダル39の踏み込み量に比例した出力電圧を発生する負荷センサ40が接続され、負荷センサ40の出力電圧は対応するAD変換器37を介して入力ポート35に入力される。更に、クランクシャフトが例えば30度回転するごとに出力パルスを発生するクランク角センサ41が入力ポート35に接続される。CPU34ではクランク角センサ41からの出力パルスに基づいて機関回転数が算出される。一方、出力ポート36は対応する駆動回路38を介して燃料噴射弁3、スロットル弁11の駆動装置、燃料ポンプ15、及びEGR制御弁18にそれぞれ接続される。なお、電子制御ユニットはアッシュ脱離手段及びSOx放出手段を構成する。
図2A及び図2Bはパティキュレートフィルタ24の構造を示している。なお、図2Aはパティキュレートフィルタ24の正面図を示しており、図2Bはパティキュレートフィルタ24の側面断面図を示している。図2A及び図2Bに示されるようにパティキュレートフィルタ24はハニカム構造をなしており、互いに平行をなして延びる複数個の排気流通路71i,71oと、これら排気流通路71i,71oを互いに隔てる隔壁72とを具備する。図2A及び図2Bに示される実施例では、排気流通路71i,71oは、上流端が開放されかつ下流端が栓73dにより閉塞された排気ガス流入通路71iと、上流端が栓73uにより閉塞されかつ下流端が開放された排気ガス流出通路71oとにより構成される。なお、図2Aにおいてハッチングを付した部分は栓73uを示している。したがって、排気ガス流入通路71i及び排気ガス流出通路71oは薄肉の隔壁72を介して交互に配置される。云い換えると排気ガス流入通路71i及び排気ガス流出通路71oは各排気ガス流入通路71iが4つの排気ガス流出通路71oによって包囲され、各排気ガス流出通路71oが4つの排気ガス流入通路71iによって包囲されるように配置される。図示しない別の実施例では、排気流通路は、上流端及び下流端が開放された排気ガス流入通路と、上流端が栓により閉塞されかつ下流端が開放された排気ガス流出通路とにより構成される。
隔壁72は多孔質材料、例えばコージェライト、炭化ケイ素、窒化ケイ素、ジルコニア、チタニア、アルミナ、シリカ、ムライト、リチウムアルミニウムシリケート、リン酸ジルコニウムのようなセラミックから形成される。したがって、図2Bに矢印で示されるように、排気ガスはまず排気ガス流入通路71i内に流入し、次いで周囲の隔壁72内を通って隣接する排気ガス流出通路71o内に流出する。このように隔壁72は排気ガス流入通路71iの内周面を構成する。
隔壁72の両側面及び細孔内表面には酸化機能を有する触媒が担持される。酸化機能を有する触媒は白金Pt、ロジウムRh、パラジウムPdのような貴金属から構成される。図示しない別の実施例では、酸化機能を有する触媒はセリウムCe、プラセオジムPr、ネオジムNd、ランタンLaのような卑金属を含む複合酸化物から構成される。図示しない更に別の実施例では、触媒は貴金属及び複合酸化物の組み合わせから構成される。
一方、触媒22はハニカム構造をなしており、薄肉の基材により互いに分離されつつ互いに平行に延びる複数個の排気流通路を具備する。この基材には例えばアルミナからなる担体を介して触媒成分が担持される。本発明による実施例では触媒22はNOx吸蔵還元触媒から形成される。NOx吸蔵還元触媒22は貴金属触媒及び塩基性層を含む。本発明による実施例では、貴金属触媒として白金Pt、ロジウムRh、及びパラジウムPdから選ばれた少なくとも一つが用いられ、塩基性層を構成する成分としては例えばカリウムK、ナトリウムNa、及びセシウムCsのようなアルカリ金属、バリウムBa及びカルシウムCaのようなアルカリ土類、ランタノイドのような希土類、並びに、銀Ag、銅Cu、鉄Fe及びイリジウムIrのようなNOxに電子を供与しうる金属から選ばれた少なくとも一つが用いられる。
吸気通路、燃焼室2及び、排気通路内の或る位置よりも上流の排気通路内に供給された空気及び燃料の比をその位置における排気ガスの空燃比と称し、吸収及び吸着の双方を含む用語として吸蔵という用語を用いると、塩基性層は流入する排気ガスの空燃比がリーンのときにはNOxを吸蔵し、流入する排気ガス中の酸素濃度が低下すると吸蔵したNOxを放出するNOxの吸蔵放出作用を行う。
すなわち、貴金属触媒として白金Ptを用い塩基性層を構成する成分としてバリウムBaを用いた場合を例にとって説明すると、流入排気ガスの空燃比がリーンのとき、すなわち流入排気ガス中の酸素濃度が高いときには流入排気ガス中に含まれるNOは白金Pt上において酸化されてNOとなる。このように生成されたNO及び流入排気ガス中のNOは次いで白金から電子を供与されてNO となる。このNO は次いで、硝酸イオンNO の形で塩基性層内に拡散し、硝酸塩となる。このようにしてNOxが硝酸塩の形で塩基性層内に吸収される。なお、NO及びNOが吸着によって塩基性層に一時的に保持される場合もある。
一方、NOxが硝酸塩の形で塩基性層に吸収されているときに流入排気ガスの空燃比がリッチにされると流入排気ガス中の酸素濃度が低下するために反応が逆方向(NO →NO)に進み、斯くして塩基性層内の硝酸イオンNO がNOの形で塩基性層から放出される。次いで放出されたNOは流入排気ガス中に含まれる還元剤例えばHC,CO,HによってNに還元される。このように、NOx吸蔵還元触媒22は、流入排気ガスの空燃比がリーンのときにNOxを吸蔵し、流入排気ガスの空燃比がリッチになると吸蔵したNOxを放出すると共に放出したNOxをNに還元するように構成されている。
機関本体1では酸素過剰のもとで燃焼が行なわれている。したがって、NOx吸蔵還元触媒22に流入する排気ガスの空燃比がリーンであるので、このとき排気ガス中のNOxはNOx吸蔵還元触媒22内に吸蔵される。ところが、時間の経過と共にNOx吸蔵還元触媒22に吸蔵されているNOx量が多くなる。そこで本発明による実施例では、NOx吸蔵還元触媒22からNOxを放出するために、NOx吸蔵還元触媒22に流入する排気ガスの空燃比が一時的にリッチに切り換えられる。
排気ガス中にはSOxも含まれており、このSOxは流入排気ガスの空燃比がリーンのときに硫酸塩BaSOの形でNOx吸蔵還元触媒22内に吸蔵される。すなわち、NOx吸蔵還元触媒22は排気ガス中のSOxを捕捉する機能を有する。ところが、硫酸塩BaSOは安定していて分解しづらく、排気ガスの空燃比を単にリッチにしただけでは硫酸塩BaSOは分解されずにそのまま残る。一方、NOx吸蔵還元触媒22の温度をSOx放出温度まで上昇させた状態でNOx吸蔵還元触媒22に流入する排気ガスの空燃比をリッチにするとNOx吸蔵還元触媒22からSOxが放出される。そこで本発明による実施例では、NOx吸蔵還元触媒22からSOxを放出するために、NOx吸蔵還元触媒22の温度をSOx放出温度まで上昇しSOx放出温度に保持しつつNOx吸蔵還元触媒22に流入する排気ガスの空燃比を一時的にリッチに切り換えるSOx放出制御が行われる。なお、SOx放出温度は例えば600℃である。すなわち、本発明による実施例では、NOx吸蔵還元触媒22は、パティキュレートフィルタ24上流の機関排気通路内又はパティキュレートフィルタ24内に配置されたSOx捕捉触媒であって、流入排気ガスの空燃比がリーンのときに排気ガス中のSOxを捕捉し、SOx捕捉触媒の温度がSOx放出温度であり流入排気ガスの空燃比が理論空燃比又はリッチのときに捕捉しているSOxを放出するSOx捕捉触媒として機能する。
本発明による実施例では、パティキュレートフィルタ24のSOx捕捉量QSがあらかじめ定められた設定SOx量を越えたときにSOx放出制御を行うべきと判断される。一方、SOx放出制御中のパティキュレートフィルタ24のSOx捕捉量QSがあらかじめ定められた下限SOx量、例えばゼロになるとSOx放出制御が完了される。パティキュレートフィルタ24のSOx捕捉量QSは例えば、単位時間当たりの増加分dQSi及び単位時間当たりの減少分dQSrを機関運転状態に基づいてそれぞれ算出し、これら増加分dQSi及び減少分dQSrを積算することにより、算出される(QS=dQSi+dQSr)。図示しない別の実施例では、パティキュレートフィルタ24の前後差圧があらかじめ定められたしきい値を越えたとき、及び、パティキュレートフィルタ24の前後差圧があらかじめ定められたしきい値よりも小さくてもパティキュレートフィルタ24のSOx捕捉量QSがあらかじめ定められた設定SOx量を越えたときに、SOx放出制御を行うべきと判断される。
なお、本発明による実施例では、NOx吸蔵還元触媒22への流入排気ガスの空燃比をリッチに切り換えるために、機関出力を得るための主燃料とは別に、追加の燃料が爆発行程又は排気行程に噴射される。この追加の燃料は機関出力をほとんど発生することなく、燃焼室2、NOx吸蔵還元触媒22上流の排気通路、又はNOx吸蔵還元触媒22で燃焼する。図示しない別の実施例では、NOx吸蔵還元触媒22への流入排気ガスの空燃比をリッチに切り換えるために、NOx吸蔵還元触媒22上流の排気通路内に配置された燃料添加弁から燃料が排気ガス中に2次的に添加される。
また、本発明による実施例では、NOx吸蔵還元触媒22の温度を上昇させるために、燃料噴射弁3から追加の燃料が爆発行程又は排気行程に噴射される。図示しない別の実施例では、NOx吸蔵還元触媒22の温度を上昇させるために、NOx吸蔵還元触媒22上流の排気通路内に配置された燃料添加弁から燃料が排気ガス中に2次的に添加される。
更に、排気ガス中には主として固体炭素から形成される粒子状物質が含まれている。この粒子状物質はパティキュレートフィルタ24上に捕集される。上述したように機関本体1では酸素過剰のもとで燃焼が行われているので、パティキュレートフィルタ24は酸化雰囲気にある。また、パティキュレートフィルタ24には酸化機能を有する貴金属触媒が担持されている。その結果、パティキュレートフィルタ24に捕集された粒子状物質は順次酸化される。ところが、単位時間当たりに捕集される粒子状物質の量が単位時間当たりに酸化される粒子状物質の量よりも多くなると、パティキュレートフィルタ24上に捕集されている粒子状物質の量が機関運転時間の経過と共に増大する。
そこで本発明による実施例では、パティキュレートフィルタ24の粒子状物質捕集量を減少させるためにパティキュレートフィルタ24の温度をあらかじめ定められたPM除去温度まで上昇させてPM除去温度に保持するPM除去制御が行われる。その結果、パティキュレートフィルタ24上の粒子状物質が除去され、パティキュレートフィルタ24の圧力損失が低減される。なお、PM除去温度は例えば610℃程度である。
本発明による実施例では、PM除去制御中にパティキュレートフィルタ24の粒子状物質捕集量QPMがあらかじめ定められた下限PM量、例えばゼロになると、PM除去制御が完了される。パティキュレートフィルタ24の粒子状物質捕集量QPMは例えば、単位時間当たりの増加分dQPMi及び単位時間当たりの減少分dQPMrを機関運転状態に基づいてそれぞれ算出し、これら増加分dQPMi及び減少分dQPMrを積算することにより、算出される(QPM=dQPMi+dQPMr)。
本発明による実施例では、パティキュレートフィルタ24の温度を上昇させるために、燃料噴射弁3から追加の燃料が膨張行程又は排気行程に噴射される。図示しない別の実施例では、パティキュレートフィルタ24の温度を上昇させるために、パティキュレートフィルタ24上流の排気通路内に配置された燃料添加弁から燃料が排気ガス中に2次的に添加される。
ところで、排気ガス中にはアッシュも含まれており、このアッシュも粒子状物質と共にパティキュレートフィルタ24に捕集される。この場合のアッシュは主として炭酸カルシウムCaCOから形成されることが本願発明者により確認されている。カルシウムCaは機関潤滑油に由来し、炭素Cは燃料に由来する。すなわち、機関潤滑油が燃焼室2内に流入して燃焼し、潤滑油中のカルシウムCaが燃料中の炭素Cと結合することにより炭酸カルシウムCaCOが生成される。あるいは、燃焼室2内で生成された酸化カルシウムCaOがパティキュレートフィルタ24に捕集され、次いでこの酸化カルシウムCaOがパティキュレートフィルタ24上において排気ガス中の二酸化炭素COと反応することにより炭酸カルシウムCaCOが生成される。
ところが、PM除去制御が行われても、アッシュは燃焼せず又は気化しない。すなわち、アッシュはパティキュレートフィルタ24から除去されず、パティキュレートフィルタ24上に残る。この場合、アッシュは図3AにAでもって示されるように、排気ガス流入通路71iの内周面71isを覆うように内周面71is上に付着する。その結果、アッシュによりパティキュレートフィルタ24の圧力損失が増大する。
この場合、アッシュは粒の形でパティキュレートフィルタ24内に流入し、内周面71is上に堆積する。内周面71is上のアッシュの量が多くなるにつれて、粒状のアッシュ同士が互いに結合し、層の形になる。この過程で、アッシュと隔壁72とは例えばアンカリングにより互いに係合し、その結果アッシュの層が内周面71isに強固に付着する。このため、例えば排気ガスの流れがアッシュに作用したとしても、アッシュが内周面71isから脱離することは困難である。
一方、アッシュを高温に保持するとアッシュが酸化カルシウムCaOに変換される。すなわち、アッシュである炭酸カルシウムCaCOを高温に保持すると、炭酸カルシウムCaCOが酸化カルシウムCaOと二酸化炭素COとに分解され、気体である二酸化炭素COはアッシュの層から放出される。その結果、アッシュの粒径が小さくなり、アッシュの層の密度が低下する。その結果、アッシュ同士の結合及びアッシュと隔壁72との係合が弱められる。また、酸化カルシウムCaOの結合エネルギは炭酸カルシウムCaCOの結合エネルギよりも高い。イオン結晶では結合エネルギが高い材料は結合エネルギが低い材料よりも硬い。このため、炭酸カルシウムCaCOが酸化カルシウムCaOに変換されると、アッシュが硬くなり、アッシュの層が脆くなる。したがって、アッシュが内周面71isから容易に脱離することが可能となる。このことは、本願発明者らによる実験によって確認されている。
そこで本発明による実施例では、パティキュレートフィルタ24のアッシュ付着量を減少させるためにパティキュレートフィルタ24の温度をあらかじめ定められたアッシュ脱離温度まで上昇させてアッシュ脱離温度に保持するアッシュ脱離制御が行われる。この場合、アッシュ脱離温度はアッシュを酸化カルシウムCaOに変換するのに適した温度である。その結果、アッシュによるパティキュレートフィルタ24の圧力損失増大を抑制することができる。
アッシュ脱離制御が行われたときに排気ガス流入通路71iの内周面71isから脱離したアッシュAは図3Bに示されるように、排気ガス流入通路71i内を流れる排気ガスにより排気ガス流入通路71iの奥部71irまで移動される。この場合、奥部71irにおいてアッシュAが内周面71isに付着する場合もある。しかしながら、このようなアッシュAはパティキュレートフィルタ24の圧力損失にほとんど影響しない。
アッシュ脱離温度、すなわちアッシュを酸化カルシウムCaOに変換するのに適した温度は例えば450℃以上である。ただし、アッシュ脱離温度が低いと、アッシュ脱離制御を完了するのに必要な時間が長くなる。一方、アッシュ脱離温度が過度に高いと、パティキュレートフィルタ24の温度を上昇させるために必要な単位時間当たりの燃料量が過度に多くなり、又は、NOx吸蔵還元触媒22もしくはパティキュレートフィルタ24が破損するおそれがある。このため、アッシュ脱離温度は好ましくは約620℃以上約800℃以下であり、更に好ましくは約650℃である。本発明による実施例ではアッシュ脱離温度は約650℃に設定される。本発明による実施例では、PM除去温度は上述したように約610℃であるので、アッシュ脱離温度はPM除去温度よりも高く設定されているということになる。
本発明による実施例では、アッシュ脱離制御中にパティキュレートフィルタ24のアッシュ付着量QAがあらかじめ定められた下限アッシュ量、例えばゼロになると、アッシュ脱離制御が完了される。パティキュレートフィルタ24のアッシュ付着量QAは例えば、単位時間当たりの増加分dQAi及び単位時間当たりの減少分dQArを機関運転状態に基づいてそれぞれ算出し、これら増加分dQAi及び減少分dQArを積算することにより、算出される(QA=dQAi+dQAr)。
なお、本発明による実施例では、アッシュ脱離制御においてフィルタ温度がアッシュ脱離温度以上に保持されている時間は、PM除去制御においてフィルタ温度がPM除去温度以上に保持されている時間よりも長い。これは、炭酸カルシウムCaCOから酸化カルシウムCaOへの変換が短時間では十分に進行しないからである。すなわち、本発明による実施例では、アッシュ脱離制御においてフィルタ温度をPM除去温度よりも高い温度に保持したとしても、その保持時間がPM除去制御の保持時間と同程度か又はこれよりも短い場合には、アッシュの脱離作用を十分に得るのは困難であるということになる。なお、アッシュ脱離温度を低く設定すればアッシュ脱離制御の保持時間を長くでき、アッシュ脱離温度を高く設定すれば保持時間を短くできることを考えると、本発明による実施例ではアッシュ脱離制御の保持時間がPM除去制御の保持時間よりも長くなるようにアッシュ脱離温度が設定されている、という見方もできる。図示しない別の実施例では、アッシュ脱離温度が約800℃に設定され、アッシュ脱離制御の保持時間がPM除去制御の保持時間よりも短くされる。言い換えると、この別の実施例では、アッシュ脱離制御の保持時間がPM除去制御の保持時間よりも短くなるようにアッシュ脱離温度が設定される。
ところで、本発明による実施例では上述したように、アッシュは主として炭酸カルシウムCaCOから形成される。このようになるのは、SOx捕捉触媒として機能するNOx吸蔵還元触媒22がパティキュレートフィルタ24上流に配置され、パティキュレートフィルタ24にSOxが実質的に流入しないからである。言い換えると、パティキュレートフィルタ24にSOxが流入すると、このときパティキュレートフィルタ24は酸化雰囲気にあるので、炭酸カルシウムCaCOの一部が硫酸カルシウムCaSOに変換され、すなわち硫酸カルシウムCaSOの形のアッシュが生成される。
ところが、硫酸カルシウムCaSOの形のアッシュを内周面71isから脱離させるのは、炭酸カルシウムCaCOの形のアッシュに比べて、より困難になる場合がある。すなわち、硫酸カルシウムCaSOの形のアッシュを内周面71isから脱離させるためには、硫酸カルシウムCaSOを炭酸カルシウムCaCOに変換すると共に炭酸カルシウムCaCOを酸化カルシウムCaOに変換する必要があり、この変換のために、パティキュレートフィルタ24に流入する排気ガスの空燃比をほぼ理論空燃比又は理論空燃比よりもリッチに保持しながら、すなわちパティキュレートフィルタ24を還元雰囲気に維持しながら、パティキュレートフィルタ24の温度をアッシュ脱離温度に保持しなければならない。
一方、NOx吸蔵還元触媒22のSOx放出制御が行われると、比較的高濃度のSOxがパティキュレートフィルタ24に流入し、このときパティキュレートフィルタ24にアッシュが付着していると、硫酸カルシウムCaSOの形のアッシュが生成されるおそれがある。
そこで本発明による実施例では、SOx放出制御を行うべきときには、まずアッシュ脱離制御が行われ、次いでSOx放出制御が行われる。その結果、硫酸カルシウムCaSOの形のアッシュが生成されるのを抑制しつつ、NOx吸蔵還元触媒22のSOx捕捉能力を回復させることができる。
一方、上述したアッシュの分解反応はパティキュレートフィルタ24上の酸化機能を有する触媒により促進される。ところがパティキュレートフィルタ24上に多量の粒子状物質が捕集されていると、アッシュが酸化機能を有する触媒に接触するのが困難になる。その結果、アッシュの分解反応が困難になり、したがってアッシュの内周面71isからの脱離が困難になる。
そこで本発明による実施例では、アッシュ脱離制御を行うべきときには、まずPM除去制御が行われ、次いでアッシュ脱離制御が行われる。その結果、アッシュが内周面71isから確実に脱離する。
すなわち、本発明による実施例では、SOx放出制御を行うべきときには、図4に示されるように、まずPM除去制御が行われ、次いでアッシュ脱離制御が行われ、次いでSOx放出制御が行われる。この場合、パティキュレートフィルタ24の温度が高いときにアッシュ脱離制御及びSOx放出制御が順次行われるので、パティキュレートフィルタ24の温度上昇及び保持に必要なエネルギを低減することができる。
図5は本発明による実施例によるSOx捕捉量推定値QSの算出ルーチンを示している。このルーチンはあらかじめ定められた設定時間ごとの割り込みによって繰り返し実行される。図5を参照すると、ステップ100ではSOx捕捉量の増加分dQSi及び減少分dQSrが図4A及び図4Bのマップを用いてそれぞれ算出される。続くステップ101ではSOx捕捉量推定値QSが算出される(QS=QS+dQSi−dQSr)。
図6は本発明による実施例によるPM除去制御の実行ルーチンを示している。このルーチンはあらかじめ定められた設定時間ごとの割り込みによって繰り返し実行される。図6を参照すると、ステップ200ではSOx捕捉量推定値QSがSOx設定値QS1よりも多いか否かが判別される。QS≦QS1のときには処理サイクルを終了する。QS>QS1のときには次いでステップ201に進み、まずPM除去制御が開始される。PM除去制御が完了すると、次いでステップ202に進み、アッシュ脱離制御が開始される。アッシュ脱離制御が完了すると、次いでステップ203に進み、SOx放出制御が開始される。SOx放出制御が完了すると、処理サイクルを終了する。
なお、本発明による実施例では、粒子状物質捕集量があらかじめ定められた設定PM量を越えたときには、このときSOx捕捉量QSが設定SOx量QS1よりも少なくても、PM除去制御が行われる。また、本発明による実施例では、アッシュ付着量があらかじめ定められた設定アッシュ量を越えたときには、このときSOx捕捉量QSが設定SOx量QS1よりも少なくても、アッシュ脱離制御が行われる。
図示しない別の実施例では、SOx捕捉量QSが設定SOx量QS1を越えた後、粒子状物質捕集量があらかじめ定められた設定PM量を越えかつアッシュ付着量があらかじめ定められた設定アッシュ量を越えたときに、PM除去制御、アッシュ脱離制御、及びSOx放出制御が順次行われる。図示しない更の実施例では、SOx捕捉量QSが設定SOx量QS1を越えた後、アッシュ付着量があらかじめ定められた設定アッシュ量を越えたときには、粒子状物質捕集量があらかじめ定められた設定PM量よりも少なくても、PM除去制御、アッシュ脱離制御、及びSOx放出制御が順次行われる。
1 機関本体
2 燃焼室
3 燃料噴射弁
21,23 排気管
22 NOx吸蔵還元触媒
24 パティキュレートフィルタ
30 電子制御ユニット

Claims (1)

  1. 機関排気通路内に配置され、排気ガス中の粒子状物質を捕集するためのパティキュレートフィルタと、
    前記パティキュレートフィルタ上流の機関排気通路内又は前記パティキュレートフィルタ内に配置されたSOx捕捉触媒であって、流入排気ガスの空燃比がリーンのときに排気ガス中のSOxを捕捉し、前記SOx捕捉触媒の温度がSOx放出温度であり流入排気ガスの空燃比が理論空燃比又はリッチのときに捕捉しているSOxを放出するSOx捕捉触媒と、
    前記パティキュレートフィルタのアッシュ付着量を減少させるために前記パティキュレートフィルタの温度をあらかじめ定められたアッシュ脱離温度まで上昇させて該アッシュ脱離温度に保持するアッシュ脱離制御を行うように構成されたアッシュ脱離手段であって、前記アッシュ脱離温度は前記アッシュを酸化カルシウムに変換するのに適した温度でありかつ前記SOx放出温度よりも高い温度である、アッシュ脱離手段と、
    前記SOx捕捉触媒のSOx捕捉量を減少させるために前記SOx捕捉触媒の温度をあらかじめ定められたSOx放出温度まで上昇させて該SOx放出温度に保持しつつ前記SOx捕捉触媒への流入排気ガスの空燃比を一時的にリッチに切り換えるSOx放出制御を行うように構成されたSOx放出手段と、
    前記SOx放出制御を行うべきときには、まず前記アッシュ脱離制御を行い、続けて前記SOx放出制御を行うように、前記アッシュ脱離手段及び前記SOx放出手段を制御する制御手段と、
    を備えた、内燃機関の排気浄化装置。
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