JP6680393B2 - Power converter - Google Patents
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 79
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims description 60
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 33
- 238000001816 cooling Methods 0.000 claims description 23
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 11
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 11
- 238000010292 electrical insulation Methods 0.000 claims description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 50
- 238000004382 potting Methods 0.000 description 50
- 239000003507 refrigerant Substances 0.000 description 16
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 6
- 239000002826 coolant Substances 0.000 description 4
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 4
- 238000003466 welding Methods 0.000 description 4
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 3
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 3
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 3
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 2
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 1
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 1
- 238000009499 grossing Methods 0.000 description 1
- 239000011104 metalized film Substances 0.000 description 1
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 1
- 238000004804 winding Methods 0.000 description 1
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Description
本発明は、半導体モジュール及びコンデンサを備えた電力変換装置に関する。 The present invention relates to a power conversion device including a semiconductor module and a capacitor.
例えば電気自動車やハイブリッド自動車等には、インバータ等の電力変換装置が搭載されている。かかる電力変換装置として、特許文献1には、半導体モジュールと、半導体モジュールに電気的に接続されたコンデンサと、を備えるものが開示されている。 For example, electric vehicles, hybrid vehicles, and the like are equipped with power conversion devices such as inverters. As such a power conversion device, Patent Document 1 discloses a device including a semiconductor module and a capacitor electrically connected to the semiconductor module.
しかしながら、特許文献1に記載の電力変換装置は、コンデンサから引き出された端子において、コンデンサと半導体モジュールとが接続されている。それゆえ、電力変換装置に振動が加わったとき、コンデンサと半導体モジュールとが個別に振動して相対変位すると、コンデンサと半導体モジュールとの接続部に直接負荷が加わりやすく、耐振性の課題がある。 However, in the power conversion device described in Patent Document 1, the capacitor and the semiconductor module are connected at the terminal drawn out from the capacitor. Therefore, when vibration is applied to the power conversion device, if the capacitor and the semiconductor module individually vibrate and are relatively displaced, a load is likely to be directly applied to the connecting portion between the capacitor and the semiconductor module, and there is a problem of vibration resistance.
また、特許文献1に記載の電力変換装置において、コンデンサの冷却は空冷によって行うことが考えられるが、コンデンサの冷却性能向上の観点から、改善の余地がある。 Further, in the power conversion device described in Patent Document 1, it may be considered that the condenser is cooled by air cooling, but there is room for improvement from the viewpoint of improving the cooling performance of the condenser.
本発明は、かかる背景に鑑みてなされたものであり、耐振性及び冷却性の向上を図ることができる電力変換装置を提供しようとするものである。 The present invention has been made in view of such a background, and an object thereof is to provide a power conversion device capable of improving vibration resistance and cooling performance.
本発明の一態様は、半導体素子を内蔵した半導体モジュールと、
該半導体モジュールを冷却するための冷却器と、
電力変換回路を構成する上記半導体モジュール以外の電子部品と、
上記半導体モジュールと上記電子部品と上記冷却器とに密着した、熱伝導性及び電気的絶縁性を有する樹脂部材と、を有し、
上記半導体モジュールと上記電子部品と上記冷却器とは、積層されて積層構造体を構成しており、
該積層構造体を構成する上記半導体モジュールと上記電子部品と上記冷却器とは、上記樹脂部材によって互いに固定されており、
上記電子部品は、上記半導体モジュールに接続されたコンデンサを含み、
上記半導体モジュールと上記コンデンサとを接続するバスバの全体は、上記樹脂部材に埋設されている、電力変換装置にある。
One embodiment of the present invention includes a semiconductor module including a semiconductor element,
A cooler for cooling the semiconductor module,
Electronic components other than the semiconductor module that constitutes the power conversion circuit,
A resin member having heat conductivity and electrical insulation, which is in close contact with the semiconductor module, the electronic component, and the cooler,
The semiconductor module, the electronic component, and the cooler are laminated to form a laminated structure,
The semiconductor module, the electronic component, and the cooler forming the laminated structure are fixed to each other by the resin member,
The electronic component includes a capacitor connected to the semiconductor module,
The entire bus bar that connects the semiconductor module and the capacitor is in the power conversion device embedded in the resin member.
上記電力変換装置は、半導体モジュールとコンデンサと冷却器とに密着して一体的に形成されたポッティング材を有する。また、半導体モジュールとコンデンサと冷却器とは、ポッティング材によって互いに固定されている。それゆえ、半導体モジュールとコンデンサとが互いに個別に振動することを抑制することができる。その結果、半導体モジュールとコンデンサとの接続部に、直接負荷がかかることを抑制することができる。 The power conversion device includes a potting material that is integrally formed in close contact with the semiconductor module, the capacitor, and the cooler. Further, the semiconductor module, the condenser, and the cooler are fixed to each other by a potting material. Therefore, it is possible to suppress the semiconductor module and the capacitor from individually vibrating. As a result, it is possible to prevent a load from being directly applied to the connecting portion between the semiconductor module and the capacitor.
さらに、半導体モジュール及びコンデンサの熱を、ポッティング材を介して冷却器に放熱することができ、半導体モジュール及びコンデンサの冷却性能の向上を図ることができる。 Further, the heat of the semiconductor module and the capacitor can be radiated to the cooler via the potting material, and the cooling performance of the semiconductor module and the capacitor can be improved.
以上のごとく、本発明によれば、耐振性及び冷却性の向上を図ることができる電力変換装置を提供することができる。 As described above, according to the present invention, it is possible to provide a power conversion device capable of improving vibration resistance and cooling performance.
電力変換装置は、例えば、直流電力を交流電力に変換するインバータ装置であって、電気自動車やハイブリッド自動車等の車両に搭載され、電源電力を駆動用モータの駆動に必要な駆動用電力に変換することに用いることができる。
また、コンデンサは、上記電力変換装置に使用されて、電力変換回路の入力電圧を平滑化する平滑コンデンサ等とすることができる。
The power conversion device is, for example, an inverter device that converts direct-current power into alternating-current power, is installed in a vehicle such as an electric vehicle or a hybrid vehicle, and converts power source power into drive power necessary for driving a drive motor. It can be used for
Further, the capacitor can be a smoothing capacitor or the like used in the power conversion device to smooth the input voltage of the power conversion circuit.
(参考例1)
電力変換装置の参考例につき、図1、図2を用いて説明する。
電力変換装置1は、図1、図2に示すごとく、半導体素子を内蔵した半導体モジュール2と、半導体モジュール2に接続されたコンデンサ3と、半導体モジュール2及びコンデンサ3を冷却するための冷却器4と、ポッティング材11とを有する。ポッティング材11は、半導体モジュール2とコンデンサ3と冷却器4とに密着して一体的に形成されている。半導体モジュール2とコンデンサ3と冷却器4とは、ポッティング材11によって互いに固定されている。
(Reference example 1)
A reference example of the power converter will be described with reference to FIGS. 1 and 2.
As shown in FIGS. 1 and 2, the power conversion device 1 includes a
半導体モジュール2は、IGBT等のスイッチング素子やFWD等のダイオード等の半導体素子を樹脂モールドしてなる。図2に示すごとく、半導体モジュール2は、主面を冷却器4に当接させて配置されている。コンデンサ3は、例えば金属化フィルムを巻回してなるフィルムコンデンサとすることができる。
The
図1、図2に示すごとく、半導体モジュール2とコンデンサ3と冷却器4とは、これらの全体がポッティング材11に埋設されている。これにより、半導体モジュール2とコンデンサ3と冷却器4とは、それぞれの露出面の全体において、一体的に形成されたポッティング材11に密着しており、ポッティング材11によって互いに固定されている。本明細書において、露出面とは、ポッティング材11が配されていない状態において露出している面を意味するものとする。例えば、半導体モジュール2及び冷却器4における互いの当接面等は露出面ではない。ポッティング材11は、例えばエポキシ等の熱伝導性及び電気的絶縁性を有する樹脂等からなる。
As shown in FIGS. 1 and 2, the
冷却器4は、内部に冷媒を流すための冷媒流路を有する。そして、冷却器4には、冷却器4内の冷媒流路に冷媒を導入するための冷媒導入部(図示略)と、冷却器4内の冷媒流路から冷却器4の外部に冷媒を排出するための冷媒排出部(図示略)とが設けられている。冷媒導入部及び冷媒排出部には、ポッティング材11の外部に突出するように配管が接続される。これにより、配管を通じて、ポッティング材11の外部から冷却器4内に冷媒を導入することができ、冷却器4からポッティング材11の外部に冷媒を排出することができる。
The
また、電力変換装置1は、半導体モジュール2とコンデンサ3とを接続するバスバ5を有し、バスバ5の全体がポッティング材11に埋設されている。すなわち、ポッティング材11は、半導体モジュール2、コンデンサ3、冷却器4、バスバ5の全体を埋設している。
The power conversion device 1 also includes a
図2に示すごとく、バスバ5は、半導体モジュール2から突出した一対のパワー端子51と、コンデンサ3の両端面に面接触した一対のコンデンサ端子52とによって構成されている。パワー端子51とコンデンサ端子52とは、互いの主面において溶接等により接続されている。そして、パワー端子51、コンデンサ端子52は、それぞれの露出面の全体においてポッティング材11に密着している。
As shown in FIG. 2, the
次に、本例の作用効果につき説明する。
電力変換装置1は、半導体モジュール2とコンデンサ3と冷却器4とに密着して一体的に形成されたポッティング材11を有する。また、半導体モジュール2とコンデンサ3と冷却器4とは、ポッティング材11によって互いに固定されている。それゆえ、半導体モジュール2とコンデンサ3とが互いに個別に振動することを抑制することができる。その結果、半導体モジュール2とコンデンサ3との接続部に、直接負荷がかかることを抑制することができる。
Next, the function and effect of this example will be described.
The power conversion device 1 includes a
さらに、半導体モジュール2及びコンデンサ3の熱を、ポッティング材11を介して冷却器4に放熱することができ、半導体モジュール2及びコンデンサ3の冷却性能の向上を図ることができる。
Furthermore, the heat of the
また、バスバ5の全体がポッティング材11に埋設されている。それゆえ、バスバ5の耐振性を向上させることができる。これにより、例えば、パワー端子51とコンデンサ端子52との接合部に大きな負荷がかかることを抑制することができる。
また、バスバ5と、バスバ5に対して電気的に絶縁すべき部位(例えば冷却器4)と、の間の絶縁距離を短くできる。その結果、バスバ5を短くすることができ、電力変換装置1の小型化を図ることができる。
また、バスバ5の熱を、ポッティング材11を介して冷却器4に放熱することができるため、バスバ5の放熱性の向上も図ることができる。
The
In addition, the insulation distance between the
Further, the heat of the
また、コンデンサ3の全体が、ポッティング材11に埋設されている。それゆえ、コンデンサ3の耐湿性を確保することができる。また、コンデンサ3の熱を、全面から、ポッティング材11を介して冷却器4に放熱することができるため、コンデンサ3の放熱性の向上を図ることもできる。
The
また、半導体モジュール2とコンデンサ3と冷却器4とは、これらの全体がポッティング材11に埋設されている。それゆえ、半導体モジュール2とコンデンサ3とは、ポッティング材11に強固に保持されることとなり、両者が互いに個別に振動することを一層抑制することができる。また、コンデンサ3の熱を、全面から、ポッティング材11を介して冷却器4に放熱することができるため、コンデンサ3の放熱性の向上を図ることもできる。
Further, the
以上のごとく、本例によれば、耐振性及び冷却性の向上を図ることができる電力変換装置を提供することができる。 As described above, according to this example, it is possible to provide a power conversion device capable of improving vibration resistance and cooling performance.
(実施例1)
本例は、図3、図4に示すごとく、冷却器4が、複数の冷却管41を備え、複数の冷却管41が、電力変換回路を構成する電子部品と共に積層された積層構造体10を構成している例である。本例においては、積層構造体10を構成している電子部品として、半導体モジュール2及びコンデンサ3を有する電力変換装置1の例を示す。また、本例は、積層構造体10の全体がポッティング材11に埋設されている。なお、以下においては、積層構造体10における積層方向を、単に積層方向Xという。また、適宜、冷却管41の長手方向を幅方向Yという。
(Example 1)
In this example, as shown in FIGS. 3 and 4, the
冷却器4は、複数の冷却管41を積層してなり、互いを長手方向(幅方向Y)の両端部付近において、連結管42によって連結してなる。
The
積層構造体10は、冷却器4における複数の冷却管41の間に設けられた複数の隙間に、半導体モジュール2及びコンデンサ3をそれぞれ配設してなる。複数の半導体モジュール2は、主面の法線方向を積層方向Xと一致させて冷却管41の間に配されている。また、積層構造体10は、冷却器4における隣り合う冷却管41の間の隙間のうち、積層方向Xの一端の隙間に、コンデンサ3を配置してなる。半導体モジュール2及びコンデンサ3は、それぞれ積層方向Xの両側から冷却管41によって挟持されている。
The
積層構造体10は、全体がポッティング材11に埋設されている。これにより、半導体モジュール2とコンデンサ3と冷却器4とは、これらの全体がポッティング材11に埋設されている。
The entire
冷却器4における積層方向Xの一端に配された冷却管41には、冷却器4に冷媒を導入する冷媒導入部(図示略)と、冷却器4から冷媒を排出する冷媒排出部(図示略)とが設けられている。冷媒導入部及び冷媒排出部には、ポッティング材11の外部に突出するように配管が接続される。これにより、配管を通じて、ポッティング材11の外部から冷却器4内に冷媒を導入することができ、冷却器4からポッティング材11の外部に冷媒を排出することができる。
In the cooling
参考例1と同様に、電力変換装置1は、半導体モジュール2とコンデンサ3とを接続するバスバ5を有し、バスバ5の全体がポッティング材11に埋設されている。すなわち、ポッティング材11は、半導体モジュール2、コンデンサ3、冷却器4、バスバ5の全体を埋設している。
Similar to Reference Example 1, the power conversion device 1 has a
図4に示すごとく、バスバ5は、パワー端子51とコンデンサ端子52と中間バスバ53とによって構成されている。中間バスバ53は積層方向Xに形成された平板形状を有する。中間バスバ53は、積層方向Xの一方においてパワー端子51と溶接等によって接続されており、その他方側においてコンデンサ端子52と溶接等によって接続されている。中間バスバ53は、パワー端子51及びコンデンサ端子52と、互いの主面において、溶接等によって接続されている。そして、パワー端子51、コンデンサ端子52、中間バスバ53は、それぞれの露出面の全体においてポッティング材11に密着している。
As shown in FIG. 4, the
その他は、参考例1と同様である。なお、本例又は本例に関する図面において用いた符号のうち、参考例1において用いた符号と同一のものは、特に示さない限り、参考例1と同様の構成要素等を表す。 Others are the same as that of the reference example 1. In addition, among the reference numerals used in this example or the drawings relating to this example, the same reference numerals as those used in Reference Example 1 represent the same components and the like as in Reference Example 1 unless otherwise indicated.
本例においては、積層構造体10の全体がポッティング材11に埋設されているため、積層構造体10に生じる振動をポッティング材11によって吸収することができ、電力変換装置1の耐振性の向上を図ることができる。
その他、参考例1と同様の作用効果を有する。
In this example, since the entire
Other than that, the same effects as those of Reference Example 1 are obtained.
(実施例3)
本例は、図5、図6に示すごとく、参考例1の変形例である。すなわち、本例は、電力変換装置1が、半導体モジュール2のスイッチング動作を制御する制御回路基板6を有する例である。本例においては、制御回路基板6の全体がポッティング材11に埋設されている。すなわち、ポッティング材11は、半導体モジュール2、コンデンサ3、冷却器4、バスバ5、制御回路基板6の全体を埋設している。
(Example 3)
This example is a modification of the first reference example, as shown in FIGS. That is, this example is an example in which the power conversion device 1 includes the
図6に示すごとく、半導体モジュール2におけるパワー端子51の突出側と反対側には、半導体モジュール2を制御回路基板6に接続する複数の制御端子7が突出している。複数の制御端子7が制御回路基板6に形成された複数のスルーホール60に挿通されると共にはんだ等によって接続されている。
As shown in FIG. 6, a plurality of
図6、図7に示すごとく、制御回路基板6は、露出面の全体においてポッティング材11に密着している。また、本例においては、制御端子7の全体もポッティング材11に埋設されている。
As shown in FIGS. 6 and 7, the
その他は、参考例1と同様である。なお、本例又は本例に関する図面において用いた符号のうち、参考例1において用いた符号と同一のものは、特に示さない限り、参考例1と同様の構成要素等を表す。 Others are the same as that of the reference example 1. In addition, among the reference numerals used in this example or the drawings relating to this example, the same reference numerals as those used in Reference Example 1 represent the same components and the like as in Reference Example 1 unless otherwise indicated.
本例においては、半導体モジュール2とコンデンサ3と制御回路基板6とが互いに個別に振動することを抑制することができる。その結果、半導体モジュール2と制御回路基板6との接続部に、直接負荷がかかることを抑制することができる。すなわち、制御端子7とスルーホール60との接合部(はんだ部)や、制御端子7自体に応力が作用することを抑制することができる。また、制御回路基板6に載置された電子部品の耐振性の向上を図ることもできる。
In this example, the
また、制御回路基板6に載置される回路部品間の絶縁距離を短くできるため、制御回路基板6自体の小型化を図ることができる。また、制御回路基板6と、制御回路基板6に対して電気的に絶縁すべき部位と、の間の絶縁距離を短くできるため、制御回路基板6の配置場所の自由度を上げることができる。その結果、電力変換装置1の小型化を図ることもできる。
Further, since the insulation distance between the circuit components mounted on the
また、制御回路基板6の熱を、ポッティング材11を介して冷却器4に放熱することができるため、制御回路基板6の放熱性の向上も図ることができる。
その他、参考例1と同様の作用効果を有する。
Further, since the heat of the
Other than that, the same effects as those of Reference Example 1 are obtained.
(実施例2)
本例は、図7、図8に示すごとく、実施例1の変形例である。本例も参考例2と同様、電力変換装置1が、半導体モジュール2のスイッチング動作を制御する制御回路基板6を有する例である。本例においても、制御回路基板6の全体がポッティング材11に埋設されている。つまり、ポッティング材11は、半導体モジュール2、コンデンサ3、冷却器4、バスバ5、制御回路基板6の全体を埋設している。制御回路基板6は、積層方向X及び幅方向Yに広がって形成されている。
(Example 2)
This example is a modification of the first embodiment as shown in FIGS. 7 and 8. This example is also an example in which the power conversion device 1 includes the
図8に示すごとく、半導体モジュール2におけるパワー端子51の突出側と反対側には、半導体モジュール2を制御回路基板6に接続する複数の制御端子7が突出している。複数の制御端子7が制御回路基板6に形成された複数のスルーホール60に接続されている。
As shown in FIG. 8, a plurality of
図7、図8に示すごとく、制御回路基板6は、露出面の全体においてポッティング材11に密着している。また、本例においては、制御端子7の全体もポッティング材11に埋設されている。
As shown in FIGS. 7 and 8, the
その他は、実施例1と同様である。なお、本例又は本例に関する図面において用いた符号のうち、実施例1において用いた符号と同一のものは、特に示さない限り、実施例1と同様の構成要素等を表す。
本例においても、実施例1及び参考例2と同様の作用効果を奏することができる。
Others are the same as in the first embodiment. The same reference numerals as those used in the first embodiment among the reference numerals used in the present embodiment or the drawings related to the present embodiment represent the same components and the like as those in the first embodiment unless otherwise indicated.
Also in this example, the same operational effects as those of Example 1 and Reference Example 2 can be obtained.
(実施例3)
本例も、図9、図10に示すごとく、実施例1の変形例である。すなわち、本例は、積層構造体10を構成している電子部品として、半導体モジュール2、コンデンサ3に加えて、リアクトル8を有する例である。リアクトル8は、電源電圧を昇圧する昇圧回路を構成する。
(Example 3)
This example is also a modification of the first embodiment, as shown in FIGS. 9 and 10. That is, this example is an example in which the
積層構造体10は、冷却器4における複数の冷却管41の間に設けられた複数の隙間に、半導体モジュール2、コンデンサ3、及びリアクトル8をそれぞれ配設してなる。積層構造体10は、冷却器4における冷却管41の間の隙間のうち、積層方向Xの一端の隙間にコンデンサ3を配置してなり、積層方向Xの他端の隙間にリアクトル8を配置してなる。半導体モジュール2、コンデンサ3、及びリアクトル8は、それぞれ積層方向Xの両側から冷却管41によって挟持されている。
The
そして、冷却管41、半導体モジュール2、コンデンサ3、リアクトル8を含む積層構造体10の全体がポッティング材11に埋設されている。
The entire
その他は、実施例1と同様である。なお、本例又は本例に関する図面において用いた符号のうち、実施例1において用いた符号と同一のものは、特に示さない限り、実施例1と同様の構成要素等を表す。 Others are the same as in the first embodiment. The same reference numerals as those used in the first embodiment among the reference numerals used in the present embodiment or the drawings related to the present embodiment represent the same components and the like as those in the first embodiment unless otherwise indicated.
本例においては、積層構造体10を構成している電子部品として、半導体モジュール2、コンデンサ3、リアクトル8を有するため、積層方向Xにおける積層構造体10の体格が大きくなりやすく、耐振性の問題が生じやすい傾向にある。そこで、積層構造体10の全体をポッティング材11によって埋設することにより、電力変換装置1の耐振性向上の効果を一層得ることができる。
その他、実施例1と同様の作用効果を有する。
In this example, since the
Other than that, the same effects as those of the first embodiment are obtained.
なお、上記実施例1、2、3において、積層構造体における電力変換回路を構成する電子部品(半導体モジュール、コンデンサ、リアクトル等)の配設位置については、上記実施例のものに限られず、種々の変更が可能である。 In the first, second, and third embodiments, the arrangement positions of the electronic components (semiconductor module, capacitor, reactor, etc.) forming the power conversion circuit in the laminated structure are not limited to those in the above embodiments, and various arrangements are possible. Can be changed.
1 電力変換装置
11 ポッティング材
2 半導体モジュール
3 コンデンサ
4 冷却器
1
Claims (5)
該半導体モジュール(2)を冷却するための冷却器(4)と、
電力変換回路を構成する上記半導体モジュール(2)以外の電子部品(3、8)と、
上記半導体モジュール(2)と上記電子部品(3、8)と上記冷却器(4)とに密着した、熱伝導性及び電気的絶縁性を有する樹脂部材(11)と、を有し、
上記半導体モジュール(2)と上記電子部品(3、8)と上記冷却器(4)とは、積層されて積層構造体(10)を構成しており、
該積層構造体(10)を構成する上記半導体モジュール(2)と上記電子部品(3、8)と上記冷却器(4)とは、上記樹脂部材(11)によって互いに固定されており、
上記電子部品(3、8)は、上記半導体モジュール(2)に接続されたコンデンサ(3)を含み、
上記半導体モジュール(2)と上記コンデンサ(3)とを接続するバスバ(5)の全体は、上記樹脂部材(11)に埋設されている、電力変換装置(1)。 A semiconductor module (2) containing a semiconductor element;
A cooler (4) for cooling the semiconductor module (2),
Electronic components (3, 8) other than the semiconductor module (2) that constitute the power conversion circuit,
A resin member (11) having heat conductivity and electrical insulation, which is in close contact with the semiconductor module (2), the electronic components (3, 8) and the cooler (4),
The semiconductor module (2), the electronic components (3, 8) and the cooler (4) are laminated to form a laminated structure (10),
The semiconductor module (2), the electronic components (3, 8), and the cooler (4) forming the laminated structure (10) are fixed to each other by the resin member (11),
The electronic component (3, 8) includes a capacitor (3) connected to the semiconductor module (2),
A power converter (1) in which the entire bus bar (5) connecting the semiconductor module (2) and the capacitor (3) is embedded in the resin member (11).
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2019101293A JP6680393B2 (en) | 2019-05-30 | 2019-05-30 | Power converter |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2019101293A JP6680393B2 (en) | 2019-05-30 | 2019-05-30 | Power converter |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2015024423A Division JP2016149836A (en) | 2015-02-10 | 2015-02-10 | Electric power conversion system |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2019140911A JP2019140911A (en) | 2019-08-22 |
JP6680393B2 true JP6680393B2 (en) | 2020-04-15 |
Family
ID=67694610
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2019101293A Active JP6680393B2 (en) | 2019-05-30 | 2019-05-30 | Power converter |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6680393B2 (en) |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4683003B2 (en) * | 2007-03-30 | 2011-05-11 | 株式会社デンソー | Power module and power converter using the same |
JP2009232564A (en) * | 2008-03-21 | 2009-10-08 | Denso Corp | Power conversion apparatus |
JP6060069B2 (en) * | 2013-03-20 | 2017-01-11 | 株式会社デンソー | Capacitor module |
JP2014229782A (en) * | 2013-05-23 | 2014-12-08 | 株式会社豊田自動織機 | Semiconductor device and manufacturing method of the same |
US10080313B2 (en) * | 2014-01-27 | 2018-09-18 | Hitachi, Ltd. | Power module and method for manufacturing the same |
-
2019
- 2019-05-30 JP JP2019101293A patent/JP6680393B2/en active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2019140911A (en) | 2019-08-22 |
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Date | Code | Title | Description |
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