JP6675622B1 - Electronic component sintering apparatus and method - Google Patents

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Abstract

【課題】耐熱性が高く、低温で接合可能であり、かつ、熱伝導率が高い銀ナノ粒子を用いた銀ナノペーストなどの接合材を用いて、シンタリング法により電子部品を効率良く接合することが可能な電子部品のシンタリング装置および方法の提供。【解決手段】基板上に接合材を介して半導体チップが載置された電子部品１０を、接合材の融点よりも低いシンタリング処理温度よりもさらに低い予熱温度で予熱する予熱部３と、予熱部３において予熱された電子部品１０をシンタリング処理温度で加熱、加圧してシンタリング処理するシンタリングプレス部４とを含む。【選択図】図１PROBLEM TO BE SOLVED: To efficiently bond electronic components by a sintering method using a bonding material such as silver nanopaste which has high heat resistance and can be bonded at low temperature and has high thermal conductivity. Provided is an electronic component sintering apparatus and method capable of performing the same. A preheating unit (3) for preheating an electronic component (10) having a semiconductor chip mounted on a substrate via a bonding material at a preheating temperature lower than a sintering temperature lower than the melting point of the bonding material, and a preheating unit. The sintering press unit 4 heats and pressurizes the electronic component 10 preheated in the unit 3 at the sintering process temperature to perform the sintering process. [Selection diagram] Fig. 1

Description

本発明は、銀ナノペーストなどの接合材を用いてシンタリング（焼結法）により電子部品を接合する電子部品のシンタリング装置および方法に関する。   The present invention relates to an electronic component sintering apparatus and method for joining electronic components by sintering (sintering method) using a bonding material such as silver nanopaste.

エアーコンディショナー、エレベーター、ハイブリット自動車や電気自動車などの電動機器では、電源電圧と駆動電圧とが異なることが多い。そのため、これらの電動機器には、インバーターやコンバーターなどの電力変換装置が搭載されている。これらの中でパワー半導体を用いて電力を変換する機器をパワーモジュールと呼ぶ。一般的に、パワー半導体は絶縁基板に半田接合されている。   In an electric device such as an air conditioner, an elevator, a hybrid vehicle, or an electric vehicle, a power supply voltage and a drive voltage are often different. Therefore, these electric devices are equipped with power conversion devices such as inverters and converters. Among these, a device that converts power using a power semiconductor is called a power module. Generally, a power semiconductor is soldered to an insulating substrate.

パワー半導体を絶縁基板に半田接合させる方法として、例えば、特許文献１には、インテリジェントパワーモジュールなどの半導体装置の自動化組立において、あらかじめ金属ベース板にパワー回路、制御回路ブロックを搭載した回路組立体を主チャンバーに送り込む搬送途上でその接合面が半田溶融点より３０〜５０℃高い温度となるように予熱し、この予熱された回路組立体の上に端子一体型の外囲樹脂ケースをドッキングして重ね合わせ、この状態で外部導出端子と主回路、制御回路ブロックとの間のはんだ付け、および樹脂ケースと金属ベース板との間の接着を同時に行うことが記載されている。   As a method of soldering a power semiconductor to an insulating substrate, for example, Patent Document 1 discloses a circuit assembly in which a power circuit and a control circuit block are previously mounted on a metal base plate in automated assembly of a semiconductor device such as an intelligent power module. During the transfer to the main chamber, the joint surface is preheated to a temperature 30 to 50 ° C. higher than the solder melting point, and a terminal-integrated resin case is docked onto the preheated circuit assembly. It is described that the superposition is performed, and in this state, the soldering between the external lead-out terminal and the main circuit and the control circuit block and the bonding between the resin case and the metal base plate are simultaneously performed.

特開平１０−２３３４８４号公報JP-A-10-233484

パワー半導体は、１０ｍｍ角程度の小さなチップ１枚当たりに５０Ａから家庭数世帯分に相当する数百Ａ程度の電流が流れるため、動作中はチップから多くの熱が発生する。現行のＳｉパワー半導体の動作温度の上限は１７５℃程度である。この温度を越えないようにするため、チップから発生した熱は、チップ裏面から半田接合された基板を経由し、ヒートシンクを通じて速やかに排出される必要がある。したがって、パワー半導体チップと絶縁基板とを接合するダイボンド部には、熱伝導率の高い材料を用いることが望ましい。   In a power semiconductor, a current of about 50 A to several hundred A corresponding to several households flows per small chip of about 10 mm square, so that a large amount of heat is generated from the chip during operation. The upper limit of the operating temperature of the current Si power semiconductor is about 175 ° C. In order not to exceed this temperature, the heat generated from the chip needs to be quickly discharged from the back surface of the chip via the board joined by soldering and through the heat sink. Therefore, it is desirable to use a material having high thermal conductivity for the die bond portion that joins the power semiconductor chip and the insulating substrate.

近年、２００℃以上の高温動作が可能なＳｉＣパワー半導体の開発と製品化が進められている。しかし、現在ダイボンド部に多く用いられている錫−銀（Ｓｎ−ＡＧ）系や錫−銅（Ｓｎ−Ｃｕ）系の鉛（Ｐｂ）フリー半田は２２０℃近傍に融点を持つため、ＳｉＣパワー半導体の特徴を生かすことができない。また、Ｐｂを多く含む半田は２９０℃以上の高い融点を持つが、環境への影響を考慮した場合、適用は避けるべきである。さらに、周辺部材の耐熱性や冷却時の残留応力の観点から、接合温度は３００℃以下が望ましい。   In recent years, SiC power semiconductors capable of operating at a high temperature of 200 ° C. or higher have been developed and commercialized. However, tin-silver (Sn-AG) -based and tin-copper (Sn-Cu) -based lead (Pb) -free solders, which are often used in die bonding parts, have a melting point near 220 ° C. Cannot take advantage of the features of Further, the solder containing a large amount of Pb has a high melting point of 290 ° C. or more, but its application should be avoided in consideration of the influence on the environment. Further, the joining temperature is desirably 300 ° C. or less from the viewpoint of heat resistance of the peripheral members and residual stress during cooling.

そこで、本発明においては、耐熱性が高く、低温で接合可能であり、かつ、熱伝導率が高い銀ナノ粒子を用いた銀ナノペーストなどの接合材を用いて、シンタリング法により電子部品を効率良く接合することが可能な電子部品のシンタリング装置および方法を提供することを目的とする。   Therefore, in the present invention, electronic components are formed by sintering using a bonding material such as silver nanopaste using silver nanoparticles having high heat resistance, being capable of bonding at low temperature, and having high thermal conductivity. An object of the present invention is to provide an electronic component sintering apparatus and method that can be efficiently joined.

本発明の電子部品のシンタリング装置は、基板上に接合材を介して半導体チップが載置された電子部品を、接合材の融点よりも低いシンタリング処理温度よりもさらに低い予熱温度で予熱する予熱部と、予熱部において予熱された電子部品をシンタリング処理温度で加熱、加圧してシンタリング処理するシンタリングプレス部とを含むものである。   The electronic component sintering apparatus of the present invention preheats an electronic component having a semiconductor chip mounted on a substrate via a bonding material at a preheating temperature lower than a sintering processing temperature lower than a melting point of the bonding material. It includes a preheating section and a sintering press section that performs sintering processing by heating and pressing the electronic components preheated in the preheating section at a sintering processing temperature.

本発明の電子部品のシンタリング方法は、基板上に接合材を介して半導体チップが載置された電子部品を加熱、加圧してシンタリング処理する電子部品のシンタリング方法であって、基板上に接合材を介して半導体チップが載置された電子部品を接合材の融点よりも低いシンタリング処理温度よりもさらに低い予熱温度で予熱すること、予熱された電子部品をシンタリング処理温度で加熱、加圧してシンタリング処理することを含むことを特徴とする。   The method for sintering an electronic component according to the present invention is a method for sintering an electronic component in which an electronic component on which a semiconductor chip is mounted on a substrate via a bonding material is heated and pressed to perform a sintering process. Preheating the electronic component on which the semiconductor chip is mounted via the bonding material at a preheating temperature lower than the sintering temperature lower than the melting point of the bonding material, and heating the preheated electronic component at the sintering temperature And sintering by applying pressure.

これらの発明によれば、基板上に接合材を介して半導体チップが載置された電子部品を、接合材の融点よりも低いシンタリング処理温度よりもさらに低い予熱温度で予熱することで、接合材の水分や溶媒等を除去した後、シンタリング処理することができる。また、シンタリング処理温度よりも低い予熱温度まで予熱しておくことにより、シンタリングプレス部における加熱時間を短縮することができる。   According to these inventions, bonding is performed by preheating an electronic component having a semiconductor chip mounted on a substrate via a bonding material at a preheating temperature lower than a sintering temperature lower than a melting point of the bonding material. After removing the water and the solvent of the material, a sintering treatment can be performed. Further, by preheating to a preheating temperature lower than the sintering processing temperature, the heating time in the sintering press can be reduced.

本発明の電子部品のシンタリング装置は、シンタリングプレス部においてシンタリング処理された電子部品を、シンタリング処理温度よりも低い冷却温度まで冷却する冷却部を含むものであることが望ましい。これにより、シンタリング処理後の残熱による酸化の進行を防止するとともに、熱膨張により拡大した電子部品等の寸法を早期に室温寸法へ戻すことが可能となる。   The electronic component sintering apparatus of the present invention desirably includes a cooling unit that cools the electronic component subjected to the sintering process in the sintering press unit to a cooling temperature lower than the sintering process temperature. This makes it possible to prevent oxidation from proceeding due to residual heat after the sintering process, and to quickly return dimensions of electronic components and the like expanded by thermal expansion to room temperature dimensions.

本発明の電子部品のシンタリング装置は、接合材を含む電子部品の材料の種類に応じたシンタリング処理温度と予熱温度とを含む処理条件を予め記憶するテーブルと、テーブルを参照し、電子部品の材料の種類に応じてシンタリングプレス部および予熱部の動作を制御する制御部とを含むものであることが望ましい。これにより、接合材を含む電子部品の材料の種類に応じて生産に適した処理条件で予熱およびシンタリング処理を行うことが可能となる。   An electronic component sintering apparatus according to the present invention includes a table for storing processing conditions including a sintering processing temperature and a preheating temperature according to a type of a material of an electronic component including a bonding material in advance, and referring to the table. And a control unit for controlling the operations of the sintering press unit and the preheating unit in accordance with the type of the material. This makes it possible to perform preheating and sintering processing under processing conditions suitable for production according to the type of material of the electronic component including the bonding material.

本発明の電子部品のシンタリング装置は、基板上に接合材を介して半導体チップが載置された電子部品がトレイ上に載置された状態でトレイごと予熱部からシンタリングプレス部へ搬送する搬送部を含むものであることが望ましい。これにより、電子部品をトレイに載置した状態のままで搬送し、予熱およびシンタリング処理を行うことが可能となる。   In the electronic component sintering apparatus of the present invention, the electronic component on which the semiconductor chip is mounted on the substrate via the bonding material is transported from the preheating unit to the sintering press unit together with the tray while the electronic component is mounted on the tray. It is desirable to include a transport unit. As a result, the electronic components can be transported while being placed on the tray, and preheating and sintering can be performed.

搬送部は、シンタリング処理温度よりも低い第２予熱温度で予熱する予熱機構を有することが望ましい。これにより、予熱部からシンタリングプレス部までの搬送途上において電子部品を予熱し、シンタリング処理温度よりも低い第２予熱温度に維持して、電子部品の温度が低下するのを防止することが可能となる。   It is desirable that the transport unit has a preheating mechanism for preheating at a second preheating temperature lower than the sintering processing temperature. Thereby, the electronic component is preheated during the transportation from the preheating section to the sintering press section, and is maintained at the second preheating temperature lower than the sintering processing temperature, thereby preventing the temperature of the electronic component from lowering. It becomes possible.

また、搬送部は、トレイ上の電子部品に不活性ガスを供給する不活性ガス供給機構を有することが望ましい。これにより、電子部品の搬送中にトレイ上の電子部品に不活性ガスを供給し、予熱や残熱による酸化を防止することができる。   Further, it is desirable that the transport unit has an inert gas supply mechanism for supplying an inert gas to the electronic components on the tray. This makes it possible to supply an inert gas to the electronic components on the tray while the electronic components are being transported, thereby preventing oxidation due to preheating or residual heat.

（１）基板上に接合材を介して半導体チップが載置された電子部品を、接合材の融点よりも低いシンタリング処理温度よりもさらに低い予熱温度で予熱することで、接合材の水分や溶媒等を除去した後、シンタリング処理することができるので、シンタリング処理を安定させることが可能となり、電子部品の品質を向上させることができる。また、シンタリングプレス部における加熱時間を短縮することができるため、シンタリング処理時間を短縮することが可能となる。 (1) By preheating an electronic component having a semiconductor chip mounted on a substrate via a bonding material at a preheating temperature lower than a sintering processing temperature lower than a melting point of the bonding material, moisture or moisture in the bonding material is reduced. After removing the solvent or the like, the sintering process can be performed. Therefore, the sintering process can be stabilized, and the quality of the electronic component can be improved. Further, since the heating time in the sintering press section can be reduced, the sintering processing time can be reduced.

（２）シンタリング処理後、シンタリング処理温度よりも低い冷却温度まで冷却する構成により、シンタリング処理後の残熱による酸化の進行を防止することができ、電子部品の品質をさらに向上させることができる。また、熱膨張により拡大した電子部品等の寸法を早期に室温寸法へ戻すことが可能となるため、その後の搬送、収納動作への影響を防止することができる。 (2) After the sintering process, by cooling to a cooling temperature lower than the sintering process temperature, it is possible to prevent the progress of oxidation due to residual heat after the sintering process, and to further improve the quality of electronic components. Can be. In addition, since the dimensions of the electronic components and the like expanded by the thermal expansion can be returned to the room temperature dimensions at an early stage, it is possible to prevent the subsequent transport and storage operations from being affected.

（３）接合材を含む電子部品の材料の種類に応じたシンタリング処理温度と予熱温度とを含む処理条件を予め記憶するテーブルを参照し、電子部品の材料の種類に応じてシンタリングプレス部および予熱部の動作を制御する構成により、接合材を含む電子部品の材料の種類に応じて生産に適した処理条件で予熱およびシンタリング処理を行い、生産効率を上げることが可能となる。 (3) A sintering press unit according to the type of electronic component material, with reference to a table in which processing conditions including sintering temperature and preheating temperature according to the type of electronic component material including the bonding material are stored in advance. In addition, with the configuration for controlling the operation of the preheating unit, the preheating and sintering processing can be performed under processing conditions suitable for production according to the type of material of the electronic component including the bonding material, and the production efficiency can be increased.

（４）基板上に接合材を介して半導体チップが載置された電子部品がトレイ上に載置された状態でトレイごと予熱部からシンタリングプレス部へ搬送する構成により、電子部品をトレイに載置した状態のままで搬送し、予熱およびシンタリング処理を行うことが可能となり、処理の動作効率化が可能となる。また、電子部品の管理が容易となる。 (4) The electronic component having the semiconductor chip mounted on the substrate via the bonding material is transported from the preheating unit to the sintering press unit together with the tray while the electronic component is mounted on the tray. It can be conveyed while being placed, and preheating and sintering processing can be performed, so that the operation efficiency of the processing can be improved. In addition, management of electronic components is facilitated.

（５）搬送部がシンタリング処理温度よりも低い第２予熱温度で予熱する予熱機構を有する構成により、予熱部からシンタリングプレス部までの搬送途上において電子部品の温度が低下するのを防止することができ、シンタリング処理をさらに安定させ、電子部品の品質を向上させることができる。 (5) The configuration in which the transport unit has the preheating mechanism for preheating at the second preheating temperature lower than the sintering processing temperature prevents the temperature of the electronic component from lowering during the transportation from the preheating unit to the sintering press unit. Therefore, the sintering process can be further stabilized, and the quality of the electronic component can be improved.

（６）搬送部がトレイ上の電子部品に不活性ガスを供給する不活性ガス供給機構を有する構成により、電子部品の搬送中の予熱や残熱による酸化を防止することができ、電子部品の品質を向上させることができる。 (6) The configuration in which the transport unit has an inert gas supply mechanism that supplies an inert gas to the electronic components on the tray can prevent oxidation due to preheating or residual heat during transport of the electronic components, and Quality can be improved.

本発明の実施の形態における電子部品のシンタリング装置の概略構成図である。1 is a schematic configuration diagram of an electronic component sintering device according to an embodiment of the present invention.

図１は本発明の実施の形態における電子部品のシンタリング装置の概略構成図である。
図１において、本発明の実施の形態における電子部品のシンタリング装置１は、電子部品１０を供給する供給部２と、供給部２により供給される電子部品１０を予熱する予熱部３と、予熱部３による予熱後の電子部品１０をシンタリング処理するシンタリングプレス部４と、シンタリングプレス部４によるシンタリング処理後の電子部品を冷却する冷却部５と、冷却部５による冷却後の電子部品を収納する収納部６と、電子部品１０を供給部２から予熱部３、シンタリングプレス部４および冷却部５を経て収納部６まで搬送する搬送部７とを有する。 FIG. 1 is a schematic configuration diagram of an electronic component sintering apparatus according to an embodiment of the present invention.
In FIG. 1, an electronic component sintering apparatus 1 according to an embodiment of the present invention includes a supply unit 2 for supplying an electronic component 10, a preheating unit 3 for preheating the electronic component 10 supplied by the supply unit 2, and a preheating unit. A sintering press unit 4 for sintering the electronic component 10 after preheating by the unit 3, a cooling unit 5 for cooling the electronic component after the sintering process by the sintering press unit 4, and an electron after cooling by the cooling unit 5. It has a storage section 6 for storing components and a transport section 7 for transporting the electronic component 10 from the supply section 2 to the storage section 6 via the preheating section 3, the sintering press section 4, and the cooling section 5.

電子部品１０は、絶縁基板等の基板上に接合材を介して半導体チップが載置されたものである。接合材は、耐熱性が高く、低温で接合可能であり、かつ、熱伝導率が高い銀ナノ粒子を用いた銀ナノペーストなどのシンタリング（焼結法）用接合材である。半導体チップは、パワーモジュールに用いられるパワー半導体チップである。電子部品は１つまたは複数個がトレイ１１上に載置された状態のままでシンタリング装置１内を搬送部７により搬送される。   The electronic component 10 has a semiconductor chip mounted on a substrate such as an insulating substrate via a bonding material. The bonding material is a bonding material for sintering (sintering method) such as silver nanopaste using silver nanoparticles having high heat resistance, being capable of bonding at low temperature, and having high thermal conductivity. The semiconductor chip is a power semiconductor chip used for a power module. One or a plurality of electronic components are transported by the transport unit 7 in the sintering apparatus 1 while one or more electronic components are placed on the tray 11.

シンタリングプレス部４では、予熱部３において予熱された電子部品１０を接合材の融点よりも低いシンタリング処理温度で加熱、加圧してシンタリング処理する。シンタリングプレス部４では、搬送部７により予熱部３から搬送された電子部品１０をトレイ１１ごと型枠４１により挟み込み、チャンバー４０内においてシンタリング処理温度で処理時間加熱および加圧する。接合材が銀ナノペーストの場合、シンタリング処理温度２５０〜３００℃で加熱し、５〜２０ＭＰａの圧力で加圧する。   In the sintering press section 4, the electronic component 10 preheated in the preheating section 3 is heated and pressed at a sintering processing temperature lower than the melting point of the bonding material to perform sintering processing. In the sintering press unit 4, the electronic component 10 transported from the preheating unit 3 by the transport unit 7 is sandwiched by the mold 41 together with the tray 11, and is heated and pressurized in the chamber 40 at the sintering processing temperature for the processing time. When the bonding material is silver nanopaste, it is heated at a sintering temperature of 250 to 300 ° C. and pressurized at a pressure of 5 to 20 MPa.

予熱部３は、シンタリングプレス部４の前段に配設されている。予熱部３では、電子部品１０をシンタリング処理温度よりもさらに低い予熱温度（以下、「第１予熱温度」と称す。）で予熱する。予熱部３は、第１予熱温度を所定の温度に維持する加熱機構、温度センサおよび温度制御部を備える。予熱部３では、搬送部７により供給部２から搬送された電子部品１０をトレイ１１ごとチャンバー３０内で予熱する。接合材が銀ナノペーストの場合、第１予熱温度１００℃前後（好ましくは、８０〜１２０℃）で予熱する。   The preheating unit 3 is provided in a stage preceding the sintering press unit 4. The preheating unit 3 preheats the electronic component 10 at a preheating temperature lower than the sintering processing temperature (hereinafter, referred to as “first preheating temperature”). The preheating unit 3 includes a heating mechanism for maintaining the first preheating temperature at a predetermined temperature, a temperature sensor, and a temperature control unit. In the preheating unit 3, the electronic component 10 transported from the supply unit 2 by the transport unit 7 is preheated together with the tray 11 in the chamber 30. When the bonding material is silver nanopaste, preheating is performed at a first preheating temperature of about 100 ° C (preferably 80 to 120 ° C).

冷却部５は、シンタリングプレス部４の後段に配設されている。冷却部５では、電子部品１０をシンタリング処理温度よりも低い冷却温度まで冷却する。冷却部５は、冷却温度を所定の温度に維持する冷却機構、温度センサおよび温度制御部を備える。冷却部５では、搬送部７によりシンタリングプレス部５から搬送された電子部品１０をトレイ１１ごとチャンバー５０内で冷却する。冷却温度は１００℃前後（好ましくは、８０〜１２０℃）以下とする。冷却部５で冷却後の電子部品１０はトレイ１１ごと搬送部７により収納部６へ搬送され、収納される。   The cooling unit 5 is provided at a stage subsequent to the sintering press unit 4. In the cooling unit 5, the electronic component 10 is cooled to a cooling temperature lower than the sintering processing temperature. The cooling unit 5 includes a cooling mechanism for maintaining a cooling temperature at a predetermined temperature, a temperature sensor, and a temperature control unit. In the cooling unit 5, the electronic component 10 transported from the sintering press unit 5 by the transport unit 7 is cooled in the chamber 50 together with the tray 11. The cooling temperature is set to about 100 ° C. or less (preferably 80 to 120 ° C.). The electronic component 10 cooled by the cooling unit 5 is transported together with the tray 11 to the storage unit 6 by the transport unit 7 and stored therein.

また、本実施形態におけるシンタリング装置１は、不活性ガス１２を予熱部３、シンタリングプレス部４および冷却部５へそれぞれ供給する管路１２Ａ，１２Ｂ，１２Ｃを備える。不活性ガス１２は、予熱部３、シンタリングプレス部４および冷却部５において電子部品１０の酸化を防止するものであり、例えば窒素ガスを用いることができる。管路１２Ａ，１２Ｂ，１２Ｃは、それぞれ予熱部３、シンタリングプレス部４および冷却部５の温度と同一温度、あるいは、予熱部３、シンタリングプレス部４および冷却部５の温度よりも所定温度だけ高いまたは低い温度に設定することで、予熱部３、シンタリングプレス部４および冷却部５との温度差による悪影響を与えないようにすることが可能である。   In addition, the sintering device 1 according to the present embodiment includes pipelines 12A, 12B, and 12C that supply the inert gas 12 to the preheating unit 3, the sintering press unit 4, and the cooling unit 5, respectively. The inert gas 12 prevents oxidation of the electronic component 10 in the preheating unit 3, the sintering press unit 4, and the cooling unit 5, and for example, nitrogen gas can be used. The pipes 12A, 12B, and 12C have the same temperature as the preheating section 3, the sintering press section 4, and the cooling section 5, respectively, or have a predetermined temperature higher than the temperature of the preheating section 3, the sintering press section 4, and the cooling section 5. By setting the temperature only higher or lower, it is possible to prevent the temperature difference between the preheating unit 3, the sintering press unit 4, and the cooling unit 5 from adversely affecting the temperature.

搬送部７は、シンタリング処理温度よりも低い第２予熱温度で予熱する予熱機構（図示せず。）を備えたものとすることができる。第２予熱温度は、第１予熱温度と同じく、接合材が銀ナノペーストの場合、第２予熱温度は１００℃前後（好ましくは、８０〜１２０℃）であるが、第１予熱温度と異なる温度とすることもできる。搬送部７がチャンバー（図示せず。）を備えている場合、予熱機構はこのチャンバー内にて電子部品１０を予熱する。   The transport unit 7 may include a preheating mechanism (not shown) for preheating at a second preheating temperature lower than the sintering processing temperature. Similarly to the first preheating temperature, the second preheating temperature is about 100 ° C. (preferably 80 to 120 ° C.) when the bonding material is silver nanopaste, but is different from the first preheating temperature. It can also be. When the transfer unit 7 includes a chamber (not shown), the preheating mechanism preheats the electronic component 10 in the chamber.

また、搬送部７は、トレイ１１上の電子部品１０に不活性ガスを供給する不活性ガス供給機構（図示せず。）を備えたものとすることができる。不活性ガスは、搬送部７における電子部品の搬送中に電子部品１０の酸化を防止するものであり、例えば窒素ガスを用いることができる。供給機構は、トレイ１１上の電子部品１０へ向けて不活性ガスを噴射することにより供給するか、搬送部７がチャンバー（図示せず。）を備えている場合にはこのチャンバー内へ供給する。このとき、不活性ガスは第２予熱温度と同一温度、あるいは、第２予熱温度よりも所定温度だけ高いまたは低い温度に設定することで、第２予熱温度との温度差による悪影響を与えないようにすることが可能である。   In addition, the transport unit 7 may include an inert gas supply mechanism (not shown) that supplies an inert gas to the electronic components 10 on the tray 11. The inert gas prevents oxidation of the electronic component 10 during the transport of the electronic component in the transport unit 7, and for example, nitrogen gas can be used. The supply mechanism supplies the gas by injecting an inert gas toward the electronic component 10 on the tray 11 or, when the transport unit 7 includes a chamber (not shown), supplies the gas into the chamber. . At this time, the inert gas is set at the same temperature as the second preheating temperature or at a temperature higher or lower by a predetermined temperature than the second preheating temperature, so that the inert gas is not adversely affected by a temperature difference from the second preheating temperature. It is possible to

また、本実施形態におけるシンタリング装置１は、接合材を含む電子部品１０の材料の種類に応じた処理条件を予め記憶するテーブル８と、テーブル８を参照し、電子部品の材料の種類に応じて予熱部３、シンタリングプレス部４や冷却部５等の動作を制御する制御部９とを備える。   In addition, the sintering apparatus 1 according to the present embodiment refers to the table 8 in which processing conditions according to the type of the material of the electronic component 10 including the bonding material are stored in advance, and refers to the table 8 to determine the type of the material of the electronic component. And a control unit 9 for controlling operations of the preheating unit 3, the sintering press unit 4, the cooling unit 5, and the like.

テーブル８には、接合材を含む電子部品の材料の種類に応じ、予熱部３、シンタリングプレス部４および冷却部５について以下の各項目の処理条件が予め記憶される。これらの各処理条件は、シンタリング装置１のモニター画面（図示せず。）、もしくは有線または無線のリモート端末（ハンディプログラマブルターミナル、パーソナルコンピュータ、タブレットなど）（図示せず。）から設定することが可能となっている。   In the table 8, the processing conditions of the following items for the preheating unit 3, the sintering press unit 4, and the cooling unit 5 are stored in advance in accordance with the type of the material of the electronic component including the bonding material. These processing conditions can be set from a monitor screen (not shown) of the sintering apparatus 1 or a wired or wireless remote terminal (handy programmable terminal, personal computer, tablet, etc.) (not shown). It is possible.

〔予熱部３〕
・予熱：する／しない
・第１予熱温度：所定温度（１００℃前後で範囲有）
・不活性ガス：使う／使わない
・チャンバー：有／無
〔シンタリングプレス部４〕
・シンタリング処理温度：所定温度（２５０〜３００℃程度）
・不活性ガス：使う／使わない
・チャンバー：有／無
〔冷却部５〕
・冷却温度：所定温度（１００℃前後で範囲有）以下
・不活性ガス：使う／使わない
・チャンバー：有／無
〔搬送部７〕
・予熱：する／しない
・第２予熱温度：所定温度（１００℃前後で範囲有）
・不活性ガス：使う／使わない
・チャンバー：有／無 [Preheating section 3]
-Preheating: Yes / No-First preheating temperature: Predetermined temperature (range around 100 ° C)
・ Inert gas: Use / Not use ・ Chamber: Yes / No [Sintering press part 4]
・ Sintering treatment temperature: predetermined temperature (about 250 to 300 ° C)
・ Inert gas: Use / Not use ・ Chamber: Yes / No [Cooling part 5]
・ Cooling temperature: less than or equal to a predetermined temperature (the range is around 100 ° C) ・ Inert gas: Use / Not use ・ Chamber: Use / No [Transportation section 7]
・ Preheating: Yes / No ・ Second preheating temperature: Predetermined temperature (range around 100 ° C)
・ Inert gas: Use / Not use ・ Chamber: Yes / No

上記構成のシンタリング装置１では、基板上に接合材を介して半導体チップが載置された電子部品１０が供給部２から搬送部７によって予熱部３に搬送される。予熱部３では、この搬送された電子部品１０が１００℃前後の所定の第１予熱温度にて予熱される。このとき、制御部９は、テーブル８を参照し、電子部品１０の材料の種類に応じた処理条件により予熱部３を制御する。第１予熱温度は、接合材の融点よりも低いシンタリング処理温度よりもさらに低い温度であり、接合材の焼結が進むことなく、接合材の水分や溶媒等が除去される。   In the sintering apparatus 1 configured as described above, the electronic component 10 having the semiconductor chip mounted on the substrate via the bonding material is transported from the supply unit 2 to the preheating unit 3 by the transport unit 7. In the preheating unit 3, the conveyed electronic component 10 is preheated at a predetermined first preheating temperature of about 100 ° C. At this time, the control unit 9 refers to the table 8 and controls the preheating unit 3 according to processing conditions according to the type of the material of the electronic component 10. The first preheating temperature is lower than the sintering temperature lower than the melting point of the joining material, and the moisture and the solvent of the joining material are removed without sintering of the joining material.

なお、生産効率最適化のためには、第１予熱温度をできるだけシンタリングプレス部４におけるシンタリング処理温度に近付けることが望ましいが、シンタリングプレス部４におけるシンタリング処理の前段階で焼結が進まないように適切な温度で予熱を行う。また、接合材を含む電子部品の材料が加熱すると酸化しやすい材料の場合、不活性ガス１２を予熱部３へ供給することで酸化を防止することができる。   In order to optimize the production efficiency, it is desirable that the first preheating temperature be as close as possible to the sintering temperature in the sintering press unit 4. However, sintering is performed before the sintering process in the sintering press unit 4. Preheat at an appropriate temperature to prevent progress. In the case where the material of the electronic component including the bonding material is easily oxidized when heated, the oxidation can be prevented by supplying the inert gas 12 to the preheating unit 3.

予熱部３により予熱された電子部品１０は搬送部７によってシンタリングプレス部４に搬送される。搬送部７が予熱機構を備えている場合、予熱部３からシンタリングプレス部４までの搬送途上において電子部品１０の温度を予熱し、シンタリング処理温度よりも低い第２予熱温度に維持して、電子部品１０の温度が低下するのを防止することができる。このとき、制御部９は、テーブル８を参照し、電子部品１０の材料の種類に応じた処理条件により搬送部７の予熱機構を制御する。   The electronic component 10 preheated by the preheating unit 3 is transported to the sintering press unit 4 by the transport unit 7. When the transport unit 7 includes a preheating mechanism, the temperature of the electronic component 10 is preheated during the transport from the preheating unit 3 to the sintering press unit 4 and is maintained at the second preheating temperature lower than the sintering processing temperature. In addition, it is possible to prevent the temperature of the electronic component 10 from decreasing. At this time, the control unit 9 refers to the table 8 and controls the preheating mechanism of the transport unit 7 according to the processing conditions according to the type of the material of the electronic component 10.

シンタリングプレス部４では、この搬送された電子部品１０が２５０〜３００℃程度の所定のシンタリング処理温度で所定時間加熱され、所定の圧力で加圧されて、シンタリング処理される。このとき、制御部９は、テーブル８を参照し、電子部品１０の材料の種類に応じた処理条件によりシンタリングプレス部４を制御する。なお、シンタリング処理中においても不活性ガス１２をシンタリングプレス部４へ供給することで酸化を防止することができる。   In the sintering press section 4, the conveyed electronic component 10 is heated at a predetermined sintering processing temperature of about 250 to 300 ° C. for a predetermined time, pressurized at a predetermined pressure, and subjected to sintering processing. At this time, the control unit 9 refers to the table 8 and controls the sintering press unit 4 according to processing conditions according to the type of the material of the electronic component 10. In addition, even during the sintering process, the oxidation can be prevented by supplying the inert gas 12 to the sintering press unit 4.

シンタリングプレス部４によりシンタリング処理された電子部品１０は搬送部７によって冷却部５に搬送される。冷却部５では、このシンタリング処理された電子部品１０がシンタリング処理温度よりも低い１００℃前後の所定の冷却温度以下まで冷却される。このとき、制御部９は、テーブル８を参照し、電子部品１０の材料に応じた処理条件により冷却部５を制御する。なお、冷却部５においても不活性ガス１２を供給することで酸化を防止することができる。冷却部５により冷却された電子部品１０は搬送部７によって収納部６へ搬送され、収納される。   The electronic component 10 sintered by the sintering press unit 4 is transported to the cooling unit 5 by the transport unit 7. In the cooling unit 5, the electronic component 10 subjected to the sintering processing is cooled to a predetermined cooling temperature of about 100 ° C. which is lower than the sintering processing temperature. At this time, the control unit 9 refers to the table 8 and controls the cooling unit 5 under processing conditions according to the material of the electronic component 10. The oxidation can be prevented by supplying the inert gas 12 also in the cooling unit 5. The electronic component 10 cooled by the cooling unit 5 is transported to the storage unit 6 by the transport unit 7 and stored.

なお、搬送部７がトレイ１１上の電子部品１０に不活性ガスを供給する不活性ガス供給機構を備えている場合、搬送部７による電子部品１０の搬送中に、不活性ガス供給機構により、トレイ１１上の電子部品１０に不活性ガスを供給する。このとき、制御部９は、テーブル８を参照し、電子部品１０の材料の種類に応じた処理条件により搬送部７の不活性ガス供給機構を制御する。これにより、電子部品１０の搬送中における予熱や残熱による酸化を防止することができる。   When the transport unit 7 includes an inert gas supply mechanism that supplies an inert gas to the electronic components 10 on the tray 11, during the transport of the electronic component 10 by the transport unit 7, An inert gas is supplied to the electronic component 10 on the tray 11. At this time, the control unit 9 refers to the table 8 and controls the inert gas supply mechanism of the transport unit 7 according to the processing conditions according to the type of the material of the electronic component 10. This can prevent oxidation due to preheating or residual heat during the transportation of the electronic component 10.

本実施形態におけるシンタリング装置１によれば、基板上に接合材を介して半導体チップが載置された電子部品１０を、予熱部３において接合材の融点よりも低いシンタリング処理温度よりもさらに低い第１予熱温度で予熱することで、接合材の水分や溶媒等を除去した後、シンタリング処理することができるので、シンタリング処理を安定させることが可能であり、電子部品の品質が向上する。また、シンタリングプレス部４の前段で予熱することで、シンタリングプレス部４における加熱時間が短縮される。   According to the sintering apparatus 1 of the present embodiment, the electronic component 10 in which the semiconductor chip is mounted on the substrate via the bonding material is further heated in the preheating unit 3 at a sintering temperature lower than the melting point of the bonding material. By preheating at a low first preheating temperature, the sintering process can be performed after removing the moisture and the solvent of the bonding material, so that the sintering process can be stabilized and the quality of the electronic component can be improved. I do. In addition, the preheating in the preceding stage of the sintering press unit 4 shortens the heating time in the sintering press unit 4.

また、搬送部７が予熱機構を備えている場合には、予熱部３からシンタリングプレス部４までの搬送途上において電子部品１０を予熱し、シンタリング処理温度よりも低い第２予熱温度に維持して、電子部品１０の温度が低下するのを防止することができるので、シンタリング処理がさらに安定し、電子部品の品質が向上する。特に、装置稼働中のトラブル発生等により、搬送部７が電子部品１０を保持した状態のまま動作停止した状態が続く場合に有効である。   When the transport unit 7 has a preheating mechanism, the electronic component 10 is preheated during the transport from the preheating unit 3 to the sintering press unit 4 and is maintained at the second preheating temperature lower than the sintering processing temperature. Then, since the temperature of the electronic component 10 can be prevented from lowering, the sintering process is further stabilized, and the quality of the electronic component is improved. This is particularly effective when the transport unit 7 continues to stop operating while holding the electronic component 10 due to a trouble occurring during operation of the apparatus.

また、このシンタリング装置１では、シンタリングプレス部４においてシンタリング処理された電子部品１０を、冷却部５においてシンタリング処理温度よりも低い冷却温度まで冷却するので、シンタリング処理後の残熱による酸化の進行が防止され、電子部品の品質がさらに向上する。また、熱膨張により拡大した電子部品等の寸法が早期に室温寸法へ戻されるため、その後の搬送、収納動作への影響が防止されている。   Further, in the sintering apparatus 1, the electronic component 10 sintered in the sintering press unit 4 is cooled to a cooling temperature lower than the sintering process temperature in the cooling unit 5, so that the residual heat after the sintering process is reduced. The oxidation is prevented from progressing, and the quality of the electronic component is further improved. Further, since the dimensions of the electronic components and the like expanded by the thermal expansion are returned to the room temperature dimensions at an early stage, the influence on the subsequent transport and storage operations is prevented.

また、このシンタリング装置１では、接合材を含む電子部品１０の材料の種類に応じたシンタリング処理温度と第１予熱温度とを含む処理条件を予め記憶するテーブル８を参照し、制御部９が電子部品１０の材料の種類に応じて予熱部３やシンタリングプレス部４等の動作を制御するので、接合材を含む電子部品１０の材料の種類に応じて生産に適した処理条件で予熱やシンタリング処理等が行われ、生産効率が向上している。   Further, in the sintering apparatus 1, the control unit 9 refers to a table 8 in which processing conditions including a sintering processing temperature and a first preheating temperature according to the type of material of the electronic component 10 including the bonding material are stored in advance. Controls the operation of the preheating unit 3 and the sintering press unit 4 according to the type of the material of the electronic component 10, so that the preheating is performed under processing conditions suitable for production according to the type of the material of the electronic component 10 including the bonding material. And sintering processing are performed to improve production efficiency.

また、このシンタリング装置１では、基板上に接合材を介して半導体チップが載置された電子部品１０がトレイ１１上に載置された状態でトレイ１１ごと搬送部７により搬送されるので、処理の動作効率化が可能となっており、電子部品１０の管理も容易である。また、搬送部７がトレイ１１上の電子部品１０に不活性ガスを供給する不活性ガス供給機構を備えている場合には、搬送部７による電子部品１０の搬送中に不活性ガスを供給し、電子部品１０の搬送中における予熱や残熱による酸化を防止することができ、電子部品の品質がさらに向上する。   Further, in the sintering apparatus 1, the electronic component 10 on which the semiconductor chip is mounted on the substrate via the bonding material is transported by the transport unit 7 together with the tray 11 in a state of being mounted on the tray 11. The operation efficiency of the processing can be improved, and the management of the electronic component 10 is easy. When the transport unit 7 includes an inert gas supply mechanism that supplies an inert gas to the electronic components 10 on the tray 11, the inert gas is supplied during the transport of the electronic components 10 by the transport unit 7. In addition, oxidation due to preheating or residual heat during transportation of the electronic component 10 can be prevented, and the quality of the electronic component is further improved.

本発明の電子部品のシンタリング装置および方法は、耐熱性が高く、低温で接合可能であり、かつ、熱伝導率が高い銀ナノ粒子を用いた銀ナノペーストなどの接合材を用いて、シンタリング法により電子部品を効率良く接合することが可能な装置および方法として有用である。   An electronic component sintering apparatus and method of the present invention has high heat resistance, can be bonded at low temperature, and has a high thermal conductivity using a bonding material such as silver nanopaste using silver nanoparticles. It is useful as a device and a method capable of efficiently joining electronic components by a ring method.

１ シンタリング装置
２ 供給部
３ 予熱部
４ シンタリングプレス部
５ 冷却部
６ 収納部
７ 搬送部
８ テーブル
９ 制御部
１０ 電子部品
１１ トレイ
１２ 不活性ガス
１２Ａ，１２Ｂ，１２Ｃ 管路
３０，４０，５０ チャンバー
４１ 型枠 Reference Signs List 1 sintering device 2 supply unit 3 preheating unit 4 sintering press unit 5 cooling unit 6 storage unit 7 transport unit 8 table 9 control unit 10 electronic component 11 tray 12 inert gas 12A, 12B, 12C pipeline 30, 40, 50 Chamber 41 formwork

Claims (5)

基板上に接合材を介して半導体チップが載置された電子部品を、前記接合材の融点よりも低いシンタリング処理温度よりもさらに低い予熱温度で予熱する予熱部と、
前記予熱部において予熱された電子部品を前記シンタリング処理温度で加熱、加圧してシンタリング処理するシンタリングプレス部と、
前記シンタリングプレス部においてシンタリング処理された電子部品を、前記シンタリング処理温度よりも低い冷却温度まで冷却する冷却部と、
不活性ガスを前記予熱部、前記シンタリングプレス部および前記冷却部へそれぞれ供給する複数の管路であり、それぞれ前記予熱部、前記シンタリングプレス部および前記冷却部の温度と同一温度に設定された複数の管路と、
前記電子部品がトレイ上に載置された状態で前記電子部品を前記トレイごと前記予熱部から前記シンタリングプレス部へ搬送する搬送部であり、前記電子部品を前記シンタリング処理温度よりも低い第２予熱温度で予熱する予熱機構と、前記トレイ上の電子部品に前記第２予熱温度と同一温度に設定された不活性ガスを供給する不活性ガス供給機構とを有する搬送部と、
を含む電子部品のシンタリング装置。 A preheating unit that preheats an electronic component on which a semiconductor chip is mounted via a bonding material on a substrate, at a preheating temperature lower than a sintering temperature lower than a melting point of the bonding material,
A sintering press unit that heats and pressurizes the electronic component preheated in the preheating unit at the sintering process temperature and pressurizes the sintering process .
A cooling unit that cools the electronic component subjected to the sintering process in the sintering press unit to a cooling temperature lower than the sintering process temperature,
A plurality of conduits for supplying an inert gas to the preheating section, the sintering press section, and the cooling section, respectively, and are set to the same temperatures as the preheating section, the sintering press section, and the cooling section, respectively. Multiple conduits,
A transport unit that transports the electronic component together with the tray from the preheating unit to the sintering press unit in a state where the electronic component is placed on a tray, wherein the electronic component is lower than the sintering process temperature. (2) a transport unit having a preheating mechanism for preheating at a preheating temperature, and an inert gas supply mechanism for supplying an inert gas set to the same temperature as the second preheating temperature to the electronic components on the tray;
Sintering device for electronic components. 前記シンタリング処理温度は、２５０〜３００℃であり、
前記予熱温度は、８０〜１２０℃である
請求項１記載の電子部品のシンタリング装置。 The sintering temperature is 250 to 300 ° C.
The electronic component sintering apparatus according to claim 1, wherein the preheating temperature is 80 to 120C. 前記冷却温度は、８０〜１２０℃である請求項１または２に記載の電子部品のシンタリング装置。 The electronic component sintering device according to claim 1, wherein the cooling temperature is 80 to 120 ° C. 4. 前記接合材を含む前記電子部品の材料の種類に応じた前記シンタリング処理温度と前記予熱温度とを含む処理条件を予め記憶するテーブルと、
前記テーブルを参照し、前記電子部品の材料の種類に応じて前記シンタリングプレス部および前記予熱部の動作を制御する制御部と
を含む請求項１から３のいずれか１項に記載の電子部品のシンタリング装置。 A table in which processing conditions including the sintering processing temperature and the preheating temperature according to the type of material of the electronic component including the bonding material are stored in advance,
Referring to the table, electronic component according to any one of claims 1 to 3, and a control unit for controlling the operation of the sintering press section and the preheating section in accordance with the type of the electronic component material Sintering equipment. 基板上に接合材を介して半導体チップが載置された電子部品をシンタリングプレス部において加熱、加圧してシンタリング処理する電子部品のシンタリング方法であって、
基板上に接合材を介して半導体チップが載置された電子部品を、予熱部において、当該予熱部の温度と同一温度に設定された管路から不活性ガスを供給しつつ、前記接合材の融点よりも低いシンタリング処理温度よりもさらに低い予熱温度で予熱すること、
前記電子部品がトレイ上に載置された状態で前記電子部品を前記トレイごと前記予熱部から前記シンタリングプレス部へ搬送する際、前記トレイ上の電子部品に前記シンタリング処理温度よりも低い第２予熱温度と同一温度に設定された不活性ガスを供給しつつ、前記電子部品を前記第２予熱温度で予熱すること、
前記予熱部において予熱された電子部品を、前記シンタリングプレス部において、当該シンタリングプレス部の温度と同一温度に設定された管路から不活性ガスを供給しつつ、前記シンタリング処理温度で加熱、加圧してシンタリング処理すること、
前記シンタリング処理された電子部品を、冷却部において、当該冷却部の温度と同一温度に設定された管路から不活性ガスを供給しつつ、前記シンタリング処理温度よりも低い冷却温度まで冷却すること
を含む電子部品のシンタリング方法。 A method for sintering an electronic component in which a semiconductor chip is mounted on a substrate via a bonding material by heating and pressing the electronic component in a sintering press unit to perform a sintering process,
An electronic component on which a semiconductor chip is mounted on a substrate via a bonding material is supplied to a preheating section while supplying an inert gas from a conduit set to the same temperature as the temperature of the preheating section , Preheating at a preheating temperature lower than the sintering temperature lower than the melting point,
When transporting the electronic component together with the tray from the preheating unit to the sintering press unit in a state where the electronic component is placed on the tray, the electronic component on the tray has a lower temperature than the sintering processing temperature. (2) preheating the electronic component at the second preheating temperature while supplying an inert gas set to the same temperature as the preheating temperature;
In the sintering press section, the electronic component preheated in the preheating section is heated at the sintering processing temperature while supplying an inert gas from a pipeline set to the same temperature as the sintering press section. Pressurizing and sintering ;
The sintering-processed electronic component is cooled in a cooling unit to a cooling temperature lower than the sintering process temperature while supplying an inert gas from a pipeline set to the same temperature as the temperature of the cooling unit. sintering method of the electronic component comprising <br/> that.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006082926A (en) * 2004-09-16 2006-03-30 Dainippon Screen Mfg Co Ltd Substrate treatment device
JP6206021B2 (en) * 2013-09-12 2017-10-04 三菱電機株式会社 Power semiconductor device manufacturing method and power semiconductor device
WO2015192004A1 (en) * 2014-06-12 2015-12-17 Alpha Metals, Inc. Sintering materials and attachment methods using same
DE102014114093B4 (en) * 2014-09-29 2017-03-23 Danfoss Silicon Power Gmbh Method for low-temperature pressure sintering
EP3276655A1 (en) * 2016-07-26 2018-01-31 Nederlandse Organisatie voor toegepast- natuurwetenschappelijk onderzoek TNO Method and system for bonding a chip to a substrate

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2021153165A (en) * 2020-03-23 2021-09-30 アサヒ・エンジニアリング株式会社 Device and method for sintering electronic component

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