JP6675197B2 - 炭化珪素単結晶の製造装置 - Google Patents
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Description
[1]坩堝内において、前記坩堝の上側に配置された炭化珪素種結晶上に、前記坩堝の下側に配置された炭化珪素原料の昇華ガスを供給して、前記炭化珪素種結晶上に炭化珪素の単結晶を成長させる炭化珪素単結晶の製造方法であって、前記坩堝内における前記炭化珪素原料の下側から、前記昇華ガスの流れをアシストするようにキャリアガスを供給することを特徴とする炭化珪素単結晶の製造方法。
[2]前記キャリアガスとして、不活性ガスを用いることを特徴とする[1]に記載の炭化珪素単結晶の製造方法。
[3]前記不活性ガスをArまたはHeとすることを特徴とする[2]に記載の炭化珪素単結晶の製造方法。
[4]前記炭化珪素原料として、焼結されているものを用いることを特徴とする[1]〜[3]のいずれか一つに記載の炭化珪素単結晶の製造方法。
[5]前記炭化珪素原料として、粒径が10μm以上1000μm以下であるものを用いることを特徴とする[1]〜[4]のいずれか一つに記載の炭化珪素単結晶の製造方法。
[6]前記炭化珪素原料のうち、粒径が1μm以下の粒子の割合を1%未満とすることを特徴とする[1]〜[4]のいずれか一つに記載の炭化珪素単結晶の製造方法。
[7]前記坩堝内の圧力を、0.1Torr以上100Torr以下とすることを特徴とする[1]〜[6]のいずれか一つに記載の炭化珪素単結晶の製造方法。
[8]前記坩堝内の圧力を、1Torr以上10Torr以下とすることを特徴とする[1]〜[7]のいずれか一項に記載の炭化珪素単結晶の製造方法。
[9]前記坩堝内における前記キャリアガスの流量を、前記昇華ガスの流量より多くすることを特徴とする[1]〜[8]のいずれか一項に記載の炭化珪素単結晶の製造方法。
[10]前記キャリアガスの流量を、前記坩堝内における流速が0.1m/s以上10m/s以下となるように設定することを特徴とする[1]〜[9]のいずれか一つに記載の炭化珪素単結晶の製造方法。
[11]前記坩堝の側壁のうち上側の部分から、前記キャリアガスを前記坩堝の外部に排出することを特徴とする[1]〜[10]のいずれか一つに記載の炭化珪素単結晶の製造方法。
[12]坩堝内において、前記坩堝の上側に配置された炭化珪素種結晶上に、前記坩堝の下側に配置された炭化珪素原料の昇華ガスを供給して、前記炭化珪素種結晶上に炭化珪素の単結晶を成長させる炭化珪素単結晶の製造装置であって、
前記坩堝内における前記炭化珪素原料の下側に、前記昇華ガスの流れをアシストするキャリアガスを供給する手段を備えていることを特徴とする炭化珪素単結晶の製造装置。
[13]前記坩堝の側壁のうち上側の部分が、前記キャリアガスを前記坩堝の外部に排出する構造を有していることを特徴とする[12]に記載の炭化珪素単結晶の製造装置。
[14]前記キャリアガスの排出構造は、前記坩堝の側壁に設けられた貫通孔であることを特徴とする[13]に記載の炭化珪素単結晶の製造装置。
[15]前記貫通孔は、前記炭化珪素種結晶の中心と前記炭化珪素原料の中心とを結ぶ直線に対して、対称な位置に設けられていることを特徴とする[14]に記載の炭化珪素単結晶の製造装置。
[16]前記坩堝の側壁のうち上側の部分が、多孔質カーボンからなることを特徴とする[13]に記載の炭化珪素単結晶の製造装置。
[17]前記坩堝の側壁のうち上側を除いた部分が、ガス不透過材料からなることを特徴とする[13]〜[16]のいずれか一つに記載の炭化珪素単結晶の製造装置。
[18]前記坩堝の側壁のうち下側の部分と前記炭化珪素原料との間に、前記キャリアガスの拡散領域が設けられていることを特徴とする[12]〜[17]のいずれか一つに記載の炭化珪素単結晶の製造装置。
[19]前記炭化珪素原料の前記拡散領域側との境界面に、多孔質カーボンからなる部材が配されていることを特徴とする[12]〜[18]のいずれか一つに記載の炭化珪素単結晶の製造装置。
さらに、原料ガス分圧が下がることで、原料表面等の種結晶部分以外の部分における析出が防止され、析出物が昇華ガスの輸送を妨げたり、ガスの成分に影響をおよぼしたりすることによる、種結晶部分での成長異常を防ぐことができる。
炭化珪素単結晶の製造装置の構成を、図1、2を用いて説明する。図1は、本発明の一実施形態に係る、炭化珪素単結晶の製造装置100の断面図である。図2は、図1に示す炭化珪素単結晶の製造装置100のうち、坩堝102の内部の構成を拡大して示した図である。
図1、2で示す炭化珪素単結晶の製造装置100を用いて、炭化珪素単結晶を製造する方法について説明する。
炭化珪素原料部分の近傍における坩堝の側壁温度が、2300℃に加熱されている場合について、上記シミュレーションを行った。このシミュレーションには、図3(a)に示すように、坩堝102の下側からAr、He等のキャリアガスGを供給し、このキャリアガスGを、炭化珪素原料20の下側の空間全体に行き渡らせた状態から、炭化珪素種結晶10に向けて流す条件を加えた。
炭化珪素原料部分の近傍における坩堝102の側壁温度が、2400℃に加熱されている場合について、上記シミュレーションを行った。図4(a)に示すように、坩堝102の下側からAr、He等のキャリアガスGを供給し、このキャリアガスGを、炭化珪素原料20の下側の空間全体に行き渡らせた状態から、炭化珪素種結晶10に向けて流す条件を加えた。
炭化珪素原料部分の近傍における坩堝の側壁温度が2270℃に加熱されており、かつ、図5(a)に示すようにキャリアガスを流さない場合について、上記シミュレーションを行った。
炭化珪素原料部分の近傍における坩堝102の側壁温度が2300℃に加熱されており、かつ、図6(a)に示すようにキャリアガスを流さない場合について、上記シミュレーションを行った。
炭化珪素種結晶10部分の近傍における坩堝102の側壁を2300℃に加熱し、炭化珪素原料20部分の温度が炭化珪素種結晶10部分の温度より低くなるようにし、また、キャリアガスを流さない場合について、上記シミュレーションを行った。
炭化珪素種結晶10部分の近傍における坩堝の側壁を2300℃に加熱し、炭化珪素原料20部分の温度が炭化珪素種結晶10部分の温度より低くなるようにした場合について、上記シミュレーションを行った。このシミュレーションには、実施例1、2と同様に、坩堝102の下側からAr、He等のキャリアガスを供給し、このキャリアガスを、炭化珪素原料20の下側の空間全体に行き渡らせた状態から、炭化珪素種結晶10に向けて流す条件を加えた。キャリアガスの流速について、実施例4では10m/s、実施例5では100m/sとした。なお、ここでのキャリアガスの流速は、内径Φ15mmのガス導入管内での初期平均流速を意味している。
坩堝に導入するキャリアガスの内径Φ15mmのガス導入管内での初期平均流速が、0m/s、10m/s、100m/sのいずれかであって、さらに炭化珪素原料部分の近傍における坩堝の側壁温度が、2270℃、2300℃、2400℃のいずれかである場合における、昇華レート、成長レートのシミュレーション結果を、表1に示す。
20a・・・側方、100・・・炭化珪素単結晶の製造装置、101・・・真空容器、
101a・・・配管、101b・・・配管、102・・・坩堝、102a・・・上側、
102b・・・下側、103・・・断熱材、104・・・加熱手段、
105・・・キャリアガス供給手段、105a・・・配管D・・・上方向、
G・・・キャリアガス、S・・・空間。
Claims (6)
- 坩堝内において、前記坩堝の上側に配置された炭化珪素種結晶上に、前記坩堝の下側に配置された炭化珪素原料の昇華ガスを供給して、前記炭化珪素種結晶上に炭化珪素の単結晶を成長させる炭化珪素単結晶の製造装置であって、
前記坩堝内における前記炭化珪素原料の下側に、前記昇華ガスの流れをアシストするキャリアガスを供給する手段を備え、
前記坩堝内の底面と前記炭化珪素原料との間に、前記キャリアガスの拡散領域として機能する空間が設けられており、
前記坩堝の側壁のうち上側を除いた部分が、ガス不透過材料からなることを特徴とする炭化珪素単結晶の製造装置。 - 前記坩堝の側壁のうち上側の部分が、前記キャリアガスを前記坩堝の外部に排出する構造を有していることを特徴とする請求項1に記載の炭化珪素単結晶の製造装置。
- 前記キャリアガスの排出構造は、前記坩堝の側壁に設けられた貫通孔であることを特徴とする請求項2に記載の炭化珪素単結晶の製造装置。
- 前記貫通孔は、前記炭化珪素種結晶の中心と前記炭化珪素原料の中心とを結ぶ直線に対して、対称な位置に設けられていることを特徴とする請求項3に記載の炭化珪素単結晶の製造装置。
- 前記坩堝の側壁のうち上側の部分が、多孔質カーボンからなることを特徴とする請求項2に記載の炭化珪素単結晶の製造装置。
- 前記炭化珪素原料の前記拡散領域側との境界面に、多孔質カーボンからなる部材が配されていることを特徴とする請求項1〜5のいずれか一項に記載の炭化珪素単結晶の製造装置。
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