JP6674754B2 - 発光装置 - Google Patents
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Description
なお、図面は模式的または概念的なものであり、各部分の厚みと幅との関係、部分間の大きさの比率などは、必ずしも現実のものと同一とは限らない。また、同じ部分を表す場合であっても、図面により互いの寸法や比率が異なって表される場合もある。
なお、本願明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同様の要素には同一の符号を付して詳細な説明は適宜省略する。
図1(a)〜図1(c)は、第1の実施形態に係る発光装置を例示する模式図である。 図1(a)は、斜視図である。図1(b)は、図1(a)の矢印ARからみた平面図である。図1(c)は、図1(b)のA1−A2線断面図である。
第2導電層12clは、第1対向連結部cq1をさらに含む、第1対向連結部cq1は、例えば、第1方向D1及び第2方向D2の他方に沿って延びる。この例では、第1対向連結部cq1は、第2方向D2に沿って延びる。第1対向延在部eq1は、複数設けられている。複数の第1対向延在部eq1のそれぞれの一端は、第1対向連結部cq1に連結されている。
成長用基板の上に、第1導電形の第1半導体結晶層と、中間半導体結晶層と、第2導電形の第2半導体結晶層とを、形成する。この際、成長用基板と第1半導体結晶層との間にバッファ層などを含む半導体膜が形成されても良い。マスクを用いたエッチングにより、第2半導体結晶層の一部と、中間半導体結晶層の一部と、を除去する。これにより、第1導電形の半導体層及び第2導電形の半導体層が形成される。これらの半導体層の上に導電層を形成する。絶縁層61〜63が適宜形成される。接続部の一部となる導電膜が形成される。絶縁層81を形成し、さらに第1金属層を形成する。
図2(a)に示すように、基体51となる層の上に、半導体結晶層71sが設けられている。半導体結晶層71sは、複数の発光部71となる。半導体結晶層71sは、第1導電形の半導体層と、第2導電形の半導体層と、それらの間に設けられた中間半導体層と、を含む。
図3は、図1(b)のA1−A2線に対応する断面図である。
本実施形態に係る別の発光装置112においては、接続部の構成が、発光装置111とは異なる。これ以外は、例えば、発光装置111と同様である。以下、発光装置112における接続部について説明する。
図4は、図1(b)のA1−A2線に対応する断面図である。
本実施形態に係る別の発光装置113において、半導体層の構成、接続部の構成、及び、電極の構成が、発光装置111とは異なる。これ以外は、例えば、発光装置111と同様である。以下、発光装置113における、半導体層、接続部、及び、電極について説明する。
図5は、本実施形態に係る別の発光装置114における発光部71を例示している。
図5に示すように、発光装置114(発光部71)は、第1〜第12発光層EU1〜EU12を含む。第1〜第3発光層EU1〜EU3は、発光装置111におけるそれらと同様である。第4〜第12発光層EU4〜EU12は、第1〜第3発光層EU1〜EU3のいずれかと類似の構成を有する。第1〜第12発光層EU1〜EU12は、直列に接続される。発光装置114においても、発光部71の外形は、六角形(例えば正六角形)である。六角形が、12の発光層により形成される。
これらの図は、発光装置114に対応する。図6(a)は、第1導電形の半導体層と電気的に接続される導電層のパターンを例示している。図6(b)は、第2導電形の半導体層と電気的に接続される導電層のパターンを例示している。図6(c)は、接続部及び電極のパターンを例示している。
図7(a)及び図7(b)は、第2の実施形態に係る発光装置を例示する模式図である。
図7(a)は、平面図である。図7(b)は、図7(a)のA1−A2線断面図である。
図7(a)及び図7(b)に示すように、本実施形態に係る発光装置121も、例えば、発光部71と、波長変換層72と、を含む。波長変換層72の構成は、例えば、発光装置111と同様である。この場合も発光部71の外形は、六角形(例えば正六角形)である。発光装置121においては、発光部71の構成は、発光装置111とは異なる。以下、発光装置121における発光部71について説明する。
すなわち、第1半導体層11は、第1領域11aと、離間方向と交差する方向において第1領域11aと並ぶ第2領域11bと、を含む。第2半導体層12は、基体51と第2領域11bとの間に設けられる。第1中間半導体層IL1は、第2領域11bと第2半導体層12との間に設けられる。第1延在部ep1は、基体51と第1領域11aとの間に設けられる。
すなわち、第1導電層11clは、第1連結部cp1をさらに含む。第1連結部cp1は、例えば、第1方向D1に沿って延びる。第1延在部ep1は、複数設けられる。複数の第1延在部ep1のそれぞれの一端は、第1連結部cp1に連結されている。
図8は、図7(a)のA1−A2線に対応する断面図である。
本実施形態に係る別の発光装置122においては、接続部の構成が、発光装置121とは異なる。これ以外は、例えば、発光装置121と同様である。以下、発光装置122における接続部について説明する。
図9は、図7(a)のA1−A2線に対応する断面図である。
本実施形態に係る別の発光装置123において、半導体層の構成、接続部の構成、及び、電極の構成が、発光装置121とは異なる。これ以外は、例えば、発光装置121と同様である。以下、発光装置123における、半導体層、接続部、及び、電極について説明する。
図10は、本実施形態に係る別の発光装置124における発光部71を例示している。
これらの図は、発光装置124に対応する。図11(a)は、第1導電形の半導体層と電気的に接続される導電層のパターンを例示している。図11(b)は、第2導電形の半導体層と電気的に接続される導電層のパターンを例示している。図11(c)は、接続部及び電極のパターンを例示している。
(特徴1)
基体と、
離間方向において前記基体と離間する第1導電形の第1半導体層であって、
前記離間方向と交差する第1方向に沿って延びる第1辺と、
前記離間方向と交差し前記第1方向と傾斜する第2方向に沿って延びる第2辺と、
前記第2方向において前記第1辺と離間し前記第1方向に沿って延びる第3辺と、
前記第1方向において前記第2辺と離間し前記第2方向に沿って延びる第4辺と、
を含む前記第1半導体層と、
前記基体と前記第1半導体層との間に設けられた第2導電形の第2半導体層と、
前記第1半導体層と前記第2半導体層との間に設けられた第1中間半導体層と、
前記第1方向及び第2方向の一方に沿って延びる第1延在部を含み前記第1半導体層と電気的に接続された第1導電層と、
前記基体と前記第2半導体層との間に設けられ前記第2半導体層と電気的に接続された第2導電層と、
前記離間方向において前記基体と離間し前記離間方向と交差する方向において前記第1半導体層と並ぶ前記第1導電形の第3半導体層であって、
前記第2方向に沿って延びる第5辺と、
前記離間方向と交差し、前記第1方向及び前記第2方向に対して傾斜する第3方向に沿って延びる第6辺と、
前記第3方向において前記第5辺と離間し前記第2方向に沿って延びる第7辺と、
前記第2方向において前記第6辺と離間し前記第3方向に沿って延びる第8辺と、
を含む前記第3半導体層と、
前記基体と前記第3半導体層との間に設けられた前記第2導電形の第4半導体層と、
前記第3半導体層と前記第4半導体層との間に設けられた第2中間半導体層と、
前記第2方向及び前記第3方向の一方に沿って延びる第2延在部を含み前記第3半導体層と電気的に接続された第3導電層と、
前記基体と前記第4半導体層との間に設けられ前記第4半導体層と電気的に接続された第4導電層と、
前記離間方向において前記基体と離間し前記離間方向と交差する方向において前記第1半導体層と並ぶ前記第1導電形の第5半導体層であって、
前記第3方向に沿って延びる第9辺と、
前記第1方向に沿って延びる第10辺と、
前記第1方向において前記第9辺と離間し前記第3方向に沿って延びる第11辺と、
前記第3方向において前記第10辺と離間し前記第1方向に沿って延びる第12辺と、
を含む前記第5半導体層と、
前記基体と前記第5半導体層との間に設けられた前記第2導電形の第6半導体層と、
前記第5半導体層と前記第6半導体層との間に設けられた第3中間半導体層と、
前記第1方向及び前記第3方向の一方に沿って延びる第3延在部を含み前記第5半導体層と電気的に接続された第5導電層と、
前記基体と前記第6半導体層との間に設けられ前記第6半導体層と電気的に接続された第6導電層と、
前記第1導電層と前記第4導電層とを電気的に接続する第1接続部と、
前記第3導電層と前記第6導電層とを電気的に接続する第2接続部と、
を備えた発光装置。
(特徴2)
波長変換層をさらに備え、
前記離間方向において、前記基体と前記波長変換層との間に、前記第1〜第6半導体層、及び、前記第1〜前記第3中間半導体層が配置され、
前記離間方向に対して交差する平面内における前記波長変換層の外縁は、円状である、特徴1記載の発光装置。
(特徴3)
前記第1辺、前記第4辺、前記第6辺、前記第7辺、前記第10辺及び前記第11辺のそれぞれは、正六角形の6つの辺に沿う、特徴1または2に記載の発光装置。
(特徴4)
前記第5辺は、前記第2辺に沿い、
前記第9辺は、前記第8辺に沿い、
前記第12辺は、前記第3辺に沿う、特徴1〜3のいずれか1つに記載の発光装置。
(特徴5)
前記第1方向と前記第2方向との間の角度は、58度以上62度以下であり、
前記第1方向と前記第3方向との間の角度は、58度以上62度以下であり、
前記第2方向と前記第3方向との間の角度は、58度以上62度以下である、特徴1〜3のいずれか1つに記載の発光装置。
(特徴6)
前記第1半導体層は、第1領域と、前記離間方向と交差する方向において前記第1領域と並ぶ第2領域と、を含み、
前記第2半導体層は、前記基体と前記第2領域との間に設けられ、
前記第1中間半導体層は、前記第2領域と前記第2半導体層との間に設けられ、
前記第1延在部は、前記基体と前記第1領域との間に設けられ、
前記第3半導体層は、第3領域と、前記離間方向と交差する方向において前記第3領域と並ぶ第4領域と、を含み、
前記第4半導体層は、前記基体と前記第4領域との間に設けられ、
前記第2中間半導体層は、前記第4領域と前記第4半導体層との間に設けられ、
前記第2延在部は、前記基体と前記第3領域との間に設けられ、
前記第5半導体層は、第5領域と、前記離間方向と交差する方向において前記第5領域と並ぶ第6領域と、を含み、
前記第6半導体層は、前記基体と前記第6領域との間に設けられ、
前記第3中間半導体層は、前記第6領域と前記第6半導体層との間に設けられ、
前記第3延在部は、前記基体と前記第5領域との間に設けられた、特徴1〜5のいずれか1つに記載の発光装置。
(特徴7)
前記第5半導体層と電気的に接続された第1電極と、
前記第2半導体層と電気的に接続された第2電極と、
をさらに備え、
前記離間方向に対して垂直な方向において、前記第1電極の少なくとも一部は、前記第5半導体層と重なり、
前記離間方向に対して垂直な方向において、前記第2電極の少なくとも一部は、前記第1半導体層と重なる、特徴6記載の発光装置。
(特徴8)
前記第1導電層は、第1連結部をさらに含み、
前記第1延在部は、複数設けられ、
前記複数の前記第1延在部のそれぞれの一端は、前記第1連結部に連結されている、特徴6または7に記載の発光装置。
(特徴9)
前記第2導電層は、前記第1方向及び前記第2方向の前記一方に沿って延びる第1対向延在部を含み、
前記第1対向延在部は、前記複数の第1延在部の2つの間に位置する、特徴8記載の発光装置。
(特徴10)
前記離間方向に対して垂直な方向において、前記第1接続部の少なくとも一部は、前記第1半導体層と重なり、
前記離間方向に対して垂直な方向において、前記第2接続部の少なくとも一部は、前記第3半導体層と重なる、特徴6〜9のいずれか1つに記載の発光装置。
(特徴11)
前記離間方向に対して垂直な方向において、前記第1半導体層は、前記第1接続部と重ならない領域を含み、
前記離間方向に対して垂直な方向において、前記第3半導体層は、前記第2接続部と重ならない領域を含む、特徴10記載の発光装置。
(特徴12)
前記第1接続部は、
前記第1導電層と電気的に接続された第1配線領域と、
前記第4導電層と電気的に接続された第1対向配線領域と、
前記第1配線領域と前記第1対向配線領域と電気的に接続された第1中間配線領域と、
を含み、
前記第1中間配線領域の一部と前記基体との間に前記第1配線領域の少なくとも一部が配置され、
前記第1中間配線領域の別の一部と前記基体との間に前記第1対向配線領域の少なくとも一部が配置された、特徴6〜11のいずれか1つに記載の発光装置。
(特徴13)
前記第1接続部は、
前記第1導電層と電気的に接続された第1配線領域と、
前記第4導電層及び前記第1配線領域と電気的に接続された第1対向配線領域と、
を含み、
前記離間方向において、前記第1配線領域の一部は、前記第1対向配線領域の一部と重なる、特徴6〜11のいずれか1つに記載の発光装置。
(特徴14)
前記第1延在部と前記第1中間半導体層との間に前記第1半導体層の一部が設けられ、
前記第2延在部と前記第2中間半導体層との間に前記第3半導体層の一部が設けられ、
前記第3延在部と前記第3中間半導体層との間に前記第5半導体層の一部が設けられ、
前記第1接続部の一部と前記基体との間に前記第1半導体層の別の一部が設けられ、
前記第2接続部の一部と前記基体との間に前記第3半導体層の別の一部が設けられた、特徴1〜5のいずれか1つに記載の発光装置。
(特徴15)
前記第5半導体層と電気的に接続された第1電極と、
前記第2半導体層と電気的に接続された第2電極と、
をさらに備え、
前記第1電極と前記基体との間に、前記第5半導体層の別の一部が配置され、
前記離間方向に対して垂直な方向において、前記第2電極の少なくとも一部は、前記第1半導体層と重なる、特徴14記載の発光装置。
(特徴16)
第1側面絶縁層をさらに備え、
前記第1半導体層は、前記離間方向に対して垂直な方向と交差する第1側面を含み、
前記第1側面絶縁層の少なくとも一部は、前記第1接続部と前記第1側面との間に設けられた、特徴14または15に記載の発光装置。
(特徴17)
基体と、
離間方向において前記基体と離間する第1導電形の第1半導体層であって、
前記離間方向と交差する第1方向に沿って延びる第1辺と、
前記離間方向と交差し前記第1方向に対して傾斜する第2方向に沿って延びる第2辺と、
前記離間方向と交差し前記第1方向及び前記第2方向に対して傾斜する第3方向に沿って延びる第3辺と、
前記離間方向及び前記第1方向と交差し前記第2方向及び前記第3方向に対して傾斜する第4方向において前記第1辺と離間し前記第1方向に沿って延びる第4辺と、
を含み、前記第4辺の前記第1方向の長さは前記第1辺の前記第1方向の長さよりも長い、前記第1半導体層と、
前記基体と前記第1半導体層との間に設けられた第2導電形の第2半導体層と、
前記第1半導体層と前記第2半導体層との間に設けられた第1中間半導体層と、
前記第4方向に沿って延びる第1延在部を含み前記第1半導体層と電気的に接続された第1導電層と、
前記基体と前記第2半導体層との間に設けられ前記第2半導体層と電気的に接続された第2導電層と、
前記離間方向において前記基体と離間し前記第4方向において前記第1半導体層と並ぶ前記第1導電形の第3半導体層であって、
前記第1方向に沿って延びる第5辺であって、前記第5辺と前記第1辺との間に前記第4辺が配置された、前記第5辺と、
前記第2方向に沿って延びる第6辺と、
前記第3方向に沿って延びる第7辺と、
前記第5辺と前記第4辺との間に設けられ前記第1方向に沿って延びる第8辺と、
を含み、前記第8辺の前記第1方向の長さは前記第5辺の前記第1方向の長さよりも長い、前記第3半導体層と、
前記基体と前記第3半導体層との間に設けられた前記第2導電形の第4半導体層と、
前記第3半導体層と前記第4半導体層との間に設けられた第2中間半導体層と、
前記第4方向に沿って延びる第2延在部を含み前記第3半導体層と電気的に接続された第3導電層と、
前記基体と前記第4半導体層との間に設けられ前記第4半導体層と電気的に接続された第4導電層と、
前記第1導電層と前記第4導電層とを電気的に接続する第1接続部と、
を備えた発光装置。
(特徴18)
波長変換層をさらに備え、
前記離間方向において、前記基体と前記波長変換層との間に、前記第1〜第4半導体層、及び、前記第1及び前記第2中間半導体層が配置され、
前記離間方向に対して交差する平面内における前記波長変換層の外縁は、円状である、特徴17記載の発光装置。
(特徴19)
前記第1辺、前記第2辺、前記第3辺、前記第5辺、前記第6辺、及び前記第7辺のそれぞれは、正六角形の6つの辺に沿う、特徴17または18に記載の発光装置。
(特徴20)
前記第1方向と前記第2方向との間の角度は、58度以上62度以下であり、
前記第1方向と前記第3方向との間の角度は、58度以上62度以下であり、
前記第2方向と前記第3方向との間の角度は、58度以上62度以下であり、
前記第1方向と前記第4方向との間の角度は、80度以上100度以下である、特徴17〜17のいずれか1つに記載の発光装置。
(特徴21)
前記第1半導体層は、第1領域と、前記離間方向と交差する方向において前記第1領域と並ぶ第2領域と、を含み、
前記第2半導体層は、前記基体と前記第2領域との間に設けられ、
前記第1中間半導体層は、前記第2領域と前記第2半導体層との間に設けられ、
前記第1延在部は、前記基体と前記第1領域との間に設けられ、
前記第3半導体層は、第3領域と、前記離間方向と交差する方向において前記第3領域と並ぶ第4領域と、を含み、
前記第4半導体層は、前記基体と前記第4領域との間に設けられ、
前記第2中間半導体層は、前記第4領域と前記第4半導体層との間に設けられ、
前記第2延在部は、前記基体と前記第3領域との間に設けられた、特徴17〜20のいずれか1つに記載の発光装置。
(特徴22)
前記第3半導体層と電気的に接続された第1電極と、
前記第2半導体層と電気的に接続された第2電極と、
をさらに備え、
前記離間方向に対して垂直な方向において、前記第1電極の少なくとも一部は、前記第3半導体層と重なり、
前記離間方向に対して垂直な方向において、前記第2電極の少なくとも一部は、前記第1半導体層と重なる、特徴21記載の発光装置。
(特徴23)
前記第1導電層は、前記第1方向に沿って延びる第1連結部をさらに含み、
前記第1延在部は、複数設けられ、
前記複数の前記第1延在部のそれぞれの一端は、前記第1連結部に連結されている、特徴21または22に記載の発光装置。
(特徴24)
前記第2導電層は、前記第4方向に沿って延びる第1対向延在部を含み、
前記第1対向延在部は、前記複数の第1延在部の2つの間に位置する、特徴23記載の発光装置。
(特徴25)
前記第1接続部は、
前記第1導電層と電気的に接続された第1配線領域と、
前記第4導電層と電気的に接続された第1対向配線領域と、
前記第1配線領域と前記第1対向配線領域と電気的に接続された第1中間配線領域と、
を含み、
前記第1中間配線領域の一部と前記基体との間に前記第1配線領域の少なくとも一部が配置され、
前記第1中間配線領域の別の一部と前記基体との間に前記第1対向配線領域の少なくとも一部が配置された、特徴21〜24のいずれか1つに記載の発光装置。
(特徴26)
前記第1接続部は、
前記第1導電層と電気的に接続された第1配線領域と、
前記第4導電層及び前記第1配線領域と電気的に接続された第1対向配線領域と、
を含み、
前記離間方向において、前記第1配線領域の一部は、前記第1対向配線領域の一部と重なる、特徴21〜24のいずれか1つに記載の発光装置。
(特徴27)
前記第1延在部と前記第1中間半導体層との間に前記第1半導体層の一部が設けられ、
前記第2延在部と前記第2中間半導体層との間に前記第3半導体層の一部が設けられ、
前記第1接続部の一部と前記基体との間に前記第1半導体層の別の一部が設けられた、特徴17〜20のいずれか1つに記載の発光装置。
(特徴28)
前記第5半導体層と電気的に接続された第1電極と、
前記第2半導体層と電気的に接続された第2電極と、
をさらに備え、
前記第1電極と前記基体との間に、前記第5半導体層の別の一部が配置され、
前記離間方向に対して垂直な方向において、前記第2電極の少なくとも一部は、前記第1半導体層と重なる、特徴27記載の発光装置。
(特徴29)
第1側面絶縁層をさらに備え、
前記第1半導体層は、前記離間方向に対して垂直な方向と交差する第1側面を含み、
前記第1側面絶縁層の少なくとも一部は、前記第1接続部と前記第1側面との間に設けられた、特徴27または28に記載の発光装置。
Claims (20)
- 基体と、
離間方向において前記基体と離間する第1導電形の第1半導体層であって、
前記離間方向と交差する第1方向に沿って延びる第1辺と、
前記離間方向と交差し前記第1方向と傾斜する第2方向に沿って延びる第2辺と、
前記第2方向において前記第1辺と離間し前記第1方向に沿って延びる第3辺と、
前記第1方向において前記第2辺と離間し前記第2方向に沿って延びる第4辺と、
を含む前記第1半導体層と、
前記基体と前記第1半導体層との間に設けられた第2導電形の第2半導体層と、
前記第1半導体層と前記第2半導体層との間に設けられた第1中間半導体層と、
前記第1方向及び第2方向の一方に沿って延びる第1延在部を含み前記第1半導体層と電気的に接続された第1導電層と、
前記基体と前記第2半導体層との間に設けられ前記第2半導体層と電気的に接続された第2導電層と、
前記離間方向において前記基体と離間し前記離間方向と交差する方向において前記第1半導体層と並ぶ前記第1導電形の第3半導体層であって、
前記第2方向に沿って延びる第5辺と、
前記離間方向と交差し、前記第1方向及び前記第2方向に対して傾斜する第3方向に沿って延びる第6辺と、
前記第3方向において前記第5辺と離間し前記第2方向に沿って延びる第7辺と、
前記第2方向において前記第6辺と離間し前記第3方向に沿って延びる第8辺と、
を含む前記第3半導体層と、
前記基体と前記第3半導体層との間に設けられた前記第2導電形の第4半導体層と、
前記第3半導体層と前記第4半導体層との間に設けられた第2中間半導体層と、
前記第2方向及び前記第3方向の一方に沿って延びる第2延在部を含み前記第3半導体層と電気的に接続された第3導電層と、
前記基体と前記第4半導体層との間に設けられ前記第4半導体層と電気的に接続された第4導電層と、
前記離間方向において前記基体と離間し前記離間方向と交差する方向において前記第1半導体層と並ぶ前記第1導電形の第5半導体層であって、
前記第3方向に沿って延びる第9辺と、
前記第1方向に沿って延びる第10辺と、
前記第1方向において前記第9辺と離間し前記第3方向に沿って延びる第11辺と、
前記第3方向において前記第10辺と離間し前記第1方向に沿って延びる第12辺と、
を含む前記第5半導体層と、
前記基体と前記第5半導体層との間に設けられた前記第2導電形の第6半導体層と、
前記第5半導体層と前記第6半導体層との間に設けられた第3中間半導体層と、
前記第1方向及び前記第3方向の一方に沿って延びる第3延在部を含み前記第5半導体層と電気的に接続された第5導電層と、
前記基体と前記第6半導体層との間に設けられ前記第6半導体層と電気的に接続された第6導電層と、
前記第1導電層と前記第4導電層とを電気的に接続する第1接続部と、
前記第3導電層と前記第6導電層とを電気的に接続する第2接続部と、
を備え、
前記第1接続部は、
前記第1導電層と電気的に接続された第1配線領域と、
前記第4導電層と電気的に接続された第1対向配線領域と、
前記第1配線領域と前記第1対向配線領域と電気的に接続された第1中間配線領域と、
を含み、
前記第1中間配線領域の一部と前記基体との間に前記第1配線領域の少なくとも一部が配置され、
前記第1中間配線領域の別の一部と前記基体との間に前記第1対向配線領域の少なくとも一部が配置された発光装置。 - 波長変換層をさらに備え、
前記離間方向において、前記基体と前記波長変換層との間に、前記第1〜第6半導体層、及び、前記第1〜前記第3中間半導体層が配置され、
前記離間方向に対して交差する平面内における前記波長変換層の外縁は、円状である、請求項1記載の発光装置。 - 前記第1方向と前記第2方向との間の角度は、58度以上62度以下であり、
前記第1方向と前記第3方向との間の角度は、58度以上62度以下であり、
前記第2方向と前記第3方向との間の角度は、58度以上62度以下である、請求項1または2に記載の発光装置。 - 前記第1半導体層は、第1領域と、前記離間方向と交差する方向において前記第1領域と並ぶ第2領域と、を含み、
前記第2半導体層は、前記基体と前記第2領域との間に設けられ、
前記第1中間半導体層は、前記第2領域と前記第2半導体層との間に設けられ、
前記第1延在部は、前記基体と前記第1領域との間に設けられ、
前記第3半導体層は、第3領域と、前記離間方向と交差する方向において前記第3領域と並ぶ第4領域と、を含み、
前記第4半導体層は、前記基体と前記第4領域との間に設けられ、
前記第2中間半導体層は、前記第4領域と前記第4半導体層との間に設けられ、
前記第2延在部は、前記基体と前記第3領域との間に設けられ、
前記第5半導体層は、第5領域と、前記離間方向と交差する方向において前記第5領域と並ぶ第6領域と、を含み、
前記第6半導体層は、前記基体と前記第6領域との間に設けられ、
前記第3中間半導体層は、前記第6領域と前記第6半導体層との間に設けられ、
前記第3延在部は、前記基体と前記第5領域との間に設けられた、請求項1〜3のいずれか1つに記載の発光装置。 - 前記第5半導体層と電気的に接続された第1電極と、
前記第2半導体層と電気的に接続された第2電極と、
をさらに備え、
前記離間方向に対して垂直な方向において、前記第1電極の少なくとも一部は、前記第5半導体層と重なり、
前記離間方向に対して垂直な方向において、前記第2電極の少なくとも一部は、前記第1半導体層と重なる、請求項4記載の発光装置。 - 前記第1導電層は、第1連結部をさらに含み、
前記第1延在部は、複数設けられ、
前記複数の前記第1延在部のそれぞれの一端は、前記第1連結部に連結されている、請求項4または5に記載の発光装置。 - 前記第2導電層は、前記第1方向及び前記第2方向の前記一方に沿って延びる第1対向延在部を含み、
前記第1対向延在部は、前記複数の第1延在部の2つの間に位置する、請求項6記載の発光装置。 - 前記離間方向において、前記第1配線領域の一部は、前記第1対向配線領域の一部と重なる、請求項1〜7のいずれか1つに記載の発光装置。
- 前記第1延在部と前記第1中間半導体層との間に前記第1半導体層の一部が設けられ、
前記第2延在部と前記第2中間半導体層との間に前記第3半導体層の一部が設けられ、
前記第3延在部と前記第3中間半導体層との間に前記第5半導体層の一部が設けられ、
前記第1接続部の一部と前記基体との間に前記第1半導体層の別の一部が設けられ、
前記第2接続部の一部と前記基体との間に前記第3半導体層の別の一部が設けられた、請求項1〜3のいずれか1つに記載の発光装置。 - 基体と、
離間方向において前記基体と離間する第1導電形の第1半導体層であって、
前記離間方向と交差する第1方向に沿って延びる第1辺と、
前記離間方向と交差し前記第1方向に対して傾斜する第2方向に沿って延びる第2辺と、
前記離間方向と交差し前記第1方向及び前記第2方向に対して傾斜する第3方向に沿って延びる第3辺と、
前記離間方向及び前記第1方向と交差し前記第2方向及び前記第3方向に対して傾斜する第4方向において前記第1辺と離間し前記第1方向に沿って延びる第4辺と、
を含み、前記第4辺の前記第1方向の長さは前記第1辺の前記第1方向の長さよりも長い、前記第1半導体層と、
前記基体と前記第1半導体層との間に設けられた第2導電形の第2半導体層と、
前記第1半導体層と前記第2半導体層との間に設けられた第1中間半導体層と、
前記第4方向に沿って延びる第1延在部を含み前記第1半導体層と電気的に接続された第1導電層と、
前記基体と前記第2半導体層との間に設けられ前記第2半導体層と電気的に接続された第2導電層と、
前記離間方向において前記基体と離間し前記第4方向において前記第1半導体層と並ぶ前記第1導電形の第3半導体層であって、
前記第1方向に沿って延びる第5辺であって、前記第5辺と前記第1辺との間に前記第4辺が配置された、前記第5辺と、
前記第2方向に沿って延びる第6辺と、
前記第3方向に沿って延びる第7辺と、
前記第5辺と前記第4辺との間に設けられ前記第1方向に沿って延びる第8辺と、
を含み、前記第8辺の前記第1方向の長さは前記第5辺の前記第1方向の長さよりも長い、前記第3半導体層と、
前記基体と前記第3半導体層との間に設けられた前記第2導電形の第4半導体層と、
前記第3半導体層と前記第4半導体層との間に設けられた第2中間半導体層と、
前記第4方向に沿って延びる第2延在部を含み前記第3半導体層と電気的に接続された第3導電層と、
前記基体と前記第4半導体層との間に設けられ前記第4半導体層と電気的に接続された第4導電層と、
前記第1導電層と前記第4導電層とを電気的に接続する第1接続部と、
を備えた発光装置。 - 波長変換層をさらに備え、
前記離間方向において、前記基体と前記波長変換層との間に、前記第1〜第4半導体層、及び、前記第1及び前記第2中間半導体層が配置され、
前記離間方向に対して交差する平面内における前記波長変換層の外縁は、円状である、請求項10記載の発光装置。 - 前記第1方向と前記第2方向との間の角度は、58度以上62度以下であり、
前記第1方向と前記第3方向との間の角度は、58度以上62度以下であり、
前記第2方向と前記第3方向との間の角度は、58度以上62度以下であり、
前記第1方向と前記第4方向との間の角度は、80度以上100度以下である、請求項10または11に記載の発光装置。 - 前記第1半導体層は、第1領域と、前記離間方向と交差する方向において前記第1領域と並ぶ第2領域と、を含み、
前記第2半導体層は、前記基体と前記第2領域との間に設けられ、
前記第1中間半導体層は、前記第2領域と前記第2半導体層との間に設けられ、
前記第1延在部は、前記基体と前記第1領域との間に設けられ、
前記第3半導体層は、第3領域と、前記離間方向と交差する方向において前記第3領域と並ぶ第4領域と、を含み、
前記第4半導体層は、前記基体と前記第4領域との間に設けられ、
前記第2中間半導体層は、前記第4領域と前記第4半導体層との間に設けられ、
前記第2延在部は、前記基体と前記第3領域との間に設けられた、請求項10〜12のいずれか1つに記載の発光装置。 - 前記第3半導体層と電気的に接続された第1電極と、
前記第2半導体層と電気的に接続された第2電極と、
をさらに備え、
前記離間方向に対して垂直な方向において、前記第1電極の少なくとも一部は、前記第3半導体層と重なり、
前記離間方向に対して垂直な方向において、前記第2電極の少なくとも一部は、前記第1半導体層と重なる、請求項13記載の発光装置。 - 前記第1導電層は、前記第1方向に沿って延びる第1連結部をさらに含み、
前記第1延在部は、複数設けられ、
前記複数の前記第1延在部のそれぞれの一端は、前記第1連結部に連結されている、請求項13または14に記載の発光装置。 - 前記第2導電層は、前記第4方向に沿って延びる第1対向延在部を含み、
前記第1対向延在部は、前記複数の第1延在部の2つの間に位置する、請求項15記載の発光装置。 - 前記第1接続部は、
前記第1導電層と電気的に接続された第1配線領域と、
前記第4導電層と電気的に接続された第1対向配線領域と、
前記第1配線領域と前記第1対向配線領域と電気的に接続された第1中間配線領域と、
を含み、
前記第1中間配線領域の一部と前記基体との間に前記第1配線領域の少なくとも一部が配置され、
前記第1中間配線領域の別の一部と前記基体との間に前記第1対向配線領域の少なくとも一部が配置された、請求項13〜16のいずれか1つに記載の発光装置。 - 前記第1中間配線領域の少なくとも一部は、前記離間方向と交差する方向において、前記第1半導体層と重なるように配置される、請求項1〜7、17のいずれか1つに記載の発光装置。
- 前記第1接続部は、
前記第1導電層と電気的に接続された第1配線領域と、
前記第4導電層及び前記第1配線領域と電気的に接続された第1対向配線領域と、
を含み、
前記離間方向において、前記第1配線領域の一部は、前記第1対向配線領域の一部と重なる、請求項13〜16のいずれか1つに記載の発光装置。 - 前記第1延在部と前記第1中間半導体層との間に前記第1半導体層の一部が設けられ、
前記第2延在部と前記第2中間半導体層との間に前記第3半導体層の一部が設けられ、
前記第1接続部の一部と前記基体との間に前記第1半導体層の別の一部が設けられた、請求項10〜12のいずれか1つに記載の発光装置。
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