JP6673034B2 - X線撮影装置およびx線検出器 - Google Patents
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Description
すなわち、直接方式(自己像直接取得法)の場合、縞走査法のように複数のモアレ画像を必要としないので、撮影時間の短縮・線量の低減や、撮影時の走査用機構が不要で、装置構成が単純で、走査用機構の送り込みによる格子の誤差による偽像もなくなる、といったメリットがある。一方、縞走査法で用いられるX線検出器と画素ピッチが同じ場合、縞走査法に比べてサンプリングピッチが粗くなる。その結果、空間分解能や画質(S/N)が低下するというデメリットがある。
すなわち、この発明に係るX線撮影装置は、X線を照射するX線源と、前記X線の照射軸と直交した第1の方向に延伸する回折部材が前記第1の方向に直交する第2の方向に並列され、前記X線を回折することで前記第1の方向に延伸する干渉縞を形成する回折格子と、被検体を載置する載置台と、照射されたX線に応じて電気信号を生成する変換素子を有するとともに、当該変換素子にて生成された電気信号を画像信号として読み取る画素電極を前記変換素子上に2次元状に配置することにより前記画素電極に対応して2次元状に配置された画素を有したX線検出器とを備え、前記画素は、前記第1の方向に沿った長さをAとし、前記第2の方向に沿った長さをBとしたときに、A>Bを満たした長方形状である。
図1は、各実施例に係るX線撮影装置の全体構成を示す概略図であり、図2は、各実施例に係るX線検出器の概略断面図であり、図3は、実施例1に係るX線検出器の画素電極配置の概略平面図である。後述する実施例2,3も含めて、本実施例1では、X線を照射するX線源として、焦点を1つ有したX線管を例に採って説明する。
図4は、実施例2に係るX線検出器の画素電極配置の概略平面図である。本実施例2では、上述した実施例1と同じ図1に示すX線撮影装置1を用いている。上述した実施例1と共通する構成については、同じ符号を付して、その説明を省略するとともに、図示を省略する。
図5は、実施例3に係るX線検出器の画素電極配置の概略平面図である。本実施例3では、上述した実施例1,2と同じ図1に示すX線撮影装置1を用いている。上述した実施例1,2と共通する構成については、同じ符号を付して、その説明を省略するとともに、図示を省略する。
表1に比較例・各実施例での結果を示す。各実施例でも述べたように、比較例のように画素ピッチを20μm×20μmとした場合、格子周期内の自己像周期内サンプリング数は4である。
2 … X線管
4 … 位相格子
4g … 回折部材
5 … 載置台
6 … X線検出器
61b … 変換素子
61c … 画素電極
63 … バンプ電極
A … 第1の方向に沿った長さ
B … 第2の方向に沿った長さ
M … 被検体
Claims (6)
- X線を照射するX線源と、
前記X線の照射軸と直交した第1の方向に延伸する回折部材が前記第1の方向に直交する第2の方向に並列され、前記X線を回折することで前記第1の方向に延伸する干渉縞を形成する回折格子と、
被検体を載置する載置台と、
照射されたX線に応じて電気信号を生成する変換素子を有するとともに、当該変換素子にて生成された電気信号を画像信号として読み取る画素電極を前記変換素子上に2次元状に配置することにより前記画素電極に対応して2次元状に配置された画素を有したX線検出器と
を備え、
前記画素は、前記第1の方向に沿った長さをAとし、前記第2の方向に沿った長さをBとしたときに、A>Bを満たした長方形状である、X線撮影装置。 - 請求項1に記載のX線撮影装置において、
前記画素電極に電気的に接続されたバンプ電極を千鳥状に配置した、X線撮影装置。 - 請求項1または請求項2に記載のX線撮影装置において、
前記変換素子が、CdTe(テルル化カドミウム)、ZnTe(テルル化亜鉛)、CdZnTe(テルル化カドミウム亜鉛)で形成されている、X線撮影装置。 - 照射されたX線に応じて電気信号を生成する変換素子を有するとともに、当該変換素子にて生成された電気信号を画像信号として読み取る画素電極を前記変換素子上に2次元状に配置することにより前記画素電極に対応して2次元状に配置された画素を有したX線検出器であって、
干渉縞を形成する回折格子における回折部材が延伸する方向を第1の方向とし、当該第1の方向に直交し、かつ前記回折部材を並列する方向を第2の方向としたときに、前記画素は、前記第1の方向に沿った長さをAとし、前記第2の方向に沿った長さをBとしたときに、A>Bを満たした長方形状である、X線検出器。 - 請求項4に記載のX線検出器において、
前記画素電極に電気的に接続されたバンプ電極を千鳥状に配置した、X線検出器。 - 請求項4または請求項5に記載のX線検出器において、
前記変換素子が、CdTe(テルル化カドミウム)、ZnTe(テルル化亜鉛)、CdZnTe(テルル化カドミウム亜鉛)で形成されている、X線検出器。
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