JP6670785B2 - 放射線検出器 - Google Patents
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Description
図面は模式的または概念的なものであり、各部分の厚さと幅との関係、部分間の大きさの比率などは、必ずしも現実のものと同一とは限らない。同じ部分を表す場合であっても、図面により互いの寸法や比率が異なって表される場合もある。
本願明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同様の要素には同一の符号を付して詳細な説明は適宜省略する。
図1(a)〜図1(c)は、第1実施形態に係る放射線検出器を例示する模式図である。
図1(a)は、断面図である。図1(b)は、放射線検出器の一部を例示する模式的断面図である。図1(c)は、放射線検出器のエネルギー準位を例示する模式図である。
図2に示すように、有機半導体領域30Mに電界EFが印加される。この電界EFは、検出回路70から印加されるバイアス電圧に基づく。例えば、複数の粒子35に放射線81が照射される。放射線81により、複数の粒子35において励起が生じ、電荷(例えば、電子81e及びホール81h)が生じる。これらの電荷が、電界EFにより、移動する。例えば、電子81eは、複数の粒子35から第1半導体領域31に向けて移動する。例えば、ホール81hは、複数の粒子35から第2半導体領域32に向けて移動する。これらの電荷が、第1導電層10及び第2導電層20を介して取り出される。検出回路70から、放射線81の強度に応じた信号70sが出力される。
図3は、実施形態に係る放射線検出器110における複数の粒子35の径の分布を示している。図3の横軸は、径D1(ナノメートル)である。縦軸は、数N1(個数)である。図3に示すように、径D1は、分布を有する。径D1の分布は、平均値Dvを有する。例えば、実施形態においては、複数の粒子35の径D1の平均値Dvは、1nm以上100nm以下である。例えば、径Da及び径Dbにおいて、数N1の最大値の1/2の値が得られる。径Daは、平均値Dvよりも小さく、径Dbは、平均値Dvよりも大きい。実施形態において、径Dbは、100nmよりも大きくても良い。径Dbは、例えば、500nm以下でも良い。実施形態において、径Daは、1nmよりも小さくても良い。径Daは、例えば、0.6nm以上でも良い。
図4に示すように、本実施形態に係る別の放射線検出器111においては、第1導電層10、第2導電層20、中間層30及び基板50に加えて、封止部材60がさらに設けられる。基板50及び封止部材60には、例えば、ガラスが用いられる。封止部材60の外縁が、基板50の外縁と、接合される。基板50及び封止部材60により囲まれる空間に、第1導電層10、第2導電層20及び中間層30が設けられる。第1導電層10、第2導電層20及び中間層30は、基板50及び封止部材60により、気密に封止される。これにより、安定した特性が得やすくなる。高い信頼性が得られる。
図5は、第2の実施形態に係る放射線検出器を例示する模式的断面図である。
図5に示すように、放射線検出器120においては、第1導電層10、第2導電層20及び中間層30が設けられる。基板50がさらに設けられても良い。図5においては、図の見やすさのために、放射線検出器120に含まれる要素の一部が互いに離されて描かれている。
Claims (8)
- 第1導電層と、
第2導電層と、
前記第1導電層と前記第2導電層との間に設けられた中間層であって、複数の粒子と、前記複数の粒子の周りに設けられた部分を含む有機半導体領域と、を含み、前記有機半導体領域は、第1半導体領域及び第2半導体領域を含み、前記第1半導体領域は、第1最高被占軌道及び第1最低空軌道を有し、前記第2半導体領域は、第2最高被占軌道及び第2最低空軌道を有し、前記複数の粒子は、第3最高被占軌道及び第3最低空軌道を有し、前記第1最高被占軌道は、前記第3最高被占軌道よりも低く、前記第2最低空軌道は、前記第3最低空軌道よりも高く、前記第3最高被占軌道と前記第3最低空軌道との差の絶対値は、前記第2最高被占軌道と前記第3最低空軌道との差の絶対値よりも小さく、前記第3最高被占軌道と前記第1最低空軌道との差の絶対値よりも小さい、前記中間層と、
を備え、
前記第1導電層、前記第2導電層及び前記中間層を含む積層体に入射する放射線により、前記複数の粒子において励起が生じて、電荷が生じ、
前記第1最低空軌道は、前記第3最低空軌道よりも高く、
前記第2最高被占軌道は、前記第3最高被占軌道よりも低い、放射線検出器。 - 前記第1最低空軌道と前記第3最低空軌道との差の絶対値は、前記第2最低空軌道と前記第3最低空軌道との差の絶対値よりも小さい、請求項1記載の放射線検出器。
- 前記第2最高被占軌道と前記第3最高被占軌道との差の絶対値は、前記第1最高被占軌道と前記第3最高被占軌道との差の絶対値よりも小さい、請求項1または2に記載の放射線検出器。
- 前記複数の粒子は、PbS、PbSe、Bi2O3及びBi2S3からなる群から選択された少なくとも1つを含む、請求項1記載の放射線検出器。
- 前記複数の粒子の少なくとも一部の径は、1ナノメートル以上100ナノメートル以下である、請求項1または2に記載の放射線検出器。
- 前記第2導電層から前記第1導電層に向かう第1方向に沿った前記中間層の厚さは、1マイクロメートル以上、1000マイクロメートル以下である、請求項1記載の放射線検出器。
- 前記第1導電層及び前記第2導電層と電気的に接続された検出回路をさらに備え、
前記検出回路は、前記放射線の強度に応じた信号を出力する、請求項1〜6のいずれか1つに記載の放射線検出器。 - 前記放射線は、β線を含む、請求項1〜7のいずれか1つに記載の放射線検出器。
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