JP6668206B2 - 成膜装置、および成膜方法 - Google Patents

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Description

本発明の実施形態は、成膜装置、および成膜方法に関する。
ＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法を用いて、ウェーハなどの基板の表面に単結晶膜をエピタキシャル成長させる成膜装置がある。この様な成膜装置には、処理容器と、基板を載置するサセプタと、サセプタに載置された基板を加熱するヒータと、サセプタを回転させる回転部と、筒状を呈し一方の開口端を基板に向けて設けられたライナと、ライナの他方の開口端にプロセスガスを供給するガス供給部と、が設けられている。また、ライナの外側面にさらにヒータを設ける場合もある。
ライナを設ることで、ガス供給部から供給されたプロセスガスを基板の表面に効率よく導くことができる。
ところが、ライナがヒータにより加熱されると、ライナの内壁にも結晶などの反応生成物が形成される場合がある。ライナの内壁に反応生成物が形成されると、成膜装置の稼動に伴う昇温と降温の繰り返しにより反応生成物が脱落し、パーティクルが発生するおそれがある。パーティクルが発生すると、基板の表面に形成された膜の品質を低下させる要因となる。この場合、基板の成膜処理後に壁面のエッチング処理を行う工程を追加することや、成膜装置の稼動を停止し、定期的にライナのクリーニングを行えばパーティクルの発生を抑制することができる。しかしながら、壁面のエッチング処理を行う工程の追加や、クリーニングを行うために成膜装置の稼動を停止すると稼働率が低下することになる。また、ライナの外側面にヒータを設ける場合には、ライナの温度が基板の温度よりも高くなり、反応生成物がさらに形成されやすくなったり、ライナの寿命が短くなったりするおそれがある。
また、基板とライナで仕切られた空間にガスを供給し加熱すると、熱対流が発生する。対流の発生は基板に供給するガス流れにも影響し成膜の均一性を損ねたり、ガスの種類を切り換える時間が長くなったり、基板表面または基板近傍で生成した反応生成物をライナへ付着させたりする恐れがある。これらの問題を発生させない様、ライナは、高温に耐える材料から形成され、大型でかつ複雑な形状を有している。そのため、ライナの製造コストが高くなる。
そこで、膜の品質および生産性の向上を図ることができる技術の開発が望まれていた。
特開２００９−２１５３３号公報
本発明が解決しようとする課題は、膜の品質および生産性の向上を図ることができる成膜装置、および成膜方法を提供することである。
実施形態に係る成膜装置は、処理容器と、前記処理容器の内部に設けられた載置部と、前記載置部の端部に保持され、基板が載置されるサセプタと、前記処理容器の内部に前記サセプタと対峙させて設けられたカバーと、前記カバーと前記基板との間にプロセスガスを供給するガス源と、前記基板を加熱するヒータと、前記処理容器の内部に設けられ、前記カバーを前記サセプタの上方の第１の位置に支持可能であり、前記第１位置と異なる第２の位置で前記カバーと分離可能な支持部と、一方の端部が前記処理容器の内部に設けられ、他方の端部が前記ガス源と接続されたノズルと、を備えている。前記カバーは、厚み方向を貫通する孔を有し、平面視において、前記孔は前記ノズルの前記一方の端部と重なる位置に設けられている。
第１の実施形態に係る成膜装置１を例示するための模式断面図である。 第１の実施形態に係る成膜装置１を例示するための模式断面図である。 図１におけるＡ部の模式拡大図である。 複数の部分に分割されたカバー１２を例示するための模式断面図である。 複数の孔１２ａを有するカバー１２を例示するための模式断面図である。 他の実施形態に係るカバー１１２について例示するための模式断面図である。 他の実施形態に係るカバー２１２について例示するための模式断面図である。 他の実施形態に係るカバー３１２について例示するための模式断面図である。 他の実施形態に係るカバー４１２について例示するための模式断面図である。 （ａ）、（ｂ）は、複数の部分に分割されたカバー４１２を例示するための模式断面図である。 第２の実施形態に係る成膜装置１０１を例示するための模式断面図である。 第２の実施形態に係る成膜装置１０１を例示するための模式断面図である。
以下、図面を参照しつつ、実施の形態について例示をする。なお、各図面中、同様の構成要素には同一の符号を付して詳細な説明は適宜省略する。
（第１の実施形態）
図１および図２は、第１の実施形態に係る成膜装置１を例示するための模式断面図である。
なお、図１は成膜を行う際の状態を表し、図２は基板１００、サセプタ１１、およびカバー１２を搬送する際の状態を表している。
図３は、図１におけるＡ部の模式拡大図である。
図１および図２に示すように、成膜装置１には、処理容器２、回転ステージ３、下部ヒータ４、上部ヒータ５、回転ステージカバー６、突き上げピン７、断熱部８、ガス供給部９、排気部１０、サセプタ１１、カバー１２、カバー上部支持部１３、および制御部１４が設けられている。
処理容器２は、箱状を呈している。処理容器２は、大気圧よりも減圧された雰囲気を維持可能な気密構造となっている。処理容器２の壁面内には、冷却水が流れる流路２ａが設けられている。流路２ａには、図示しない冷却ユニットが接続され、２０℃程度の冷却水が流路２ａと冷却ユニットとの間を循環するようになっている。処理容器２の側壁には、搬送ゲート２ｂが設けられている。ゲートバルブ２ｃは、搬送ゲート２ｂの開口を開閉する。
回転ステージ３は、載置部３ａと回転軸３ｂを有する。
載置部３ａは、処理容器２の内部に設けられている。載置部３ａは一方の端部が閉鎖された筒状を呈している。載置部３ａの開口側の端部にはサセプタ１１が載置される。載置されたサセプタ１１は、載置部３ａに着脱自在に保持される。回転軸３ｂは、筒状を呈している。載置部３ａの閉鎖された側の端部には、回転軸３ｂの一方の端部が接続されている。回転軸３ｂの他方の端部は、処理容器２の外側に設けられている。すなわち、回転軸３ｂは処理容器２の底部を貫通している。回転軸３ｂの他方の端部には、図示しないモータが接続されている。モータは、回転ステージ３の回転、回転の停止、回転数（回転速度）の変更などを行う。
下部ヒータ４は、載置部３ａの内部に設けられている。下部ヒータ４は、サセプタ１１に載置された基板１００を加熱する。
上部ヒータ５は、上側断熱部８ａとカバー１２との間に設けられている。上部ヒータ５は、カバー１２を介して基板１００を加熱する。上部ヒータ５は、必ずしも必要ではないが、例えば、ＳｉＣ（炭化珪素）膜などのように高い温度で成膜を行うような場合には、設けるようにすることが好ましい。
回転ステージカバー６は、筒状を呈し、処理容器２の内部に設けられている。回転ステージカバー６は、載置部３ａを囲んでいる。回転ステージカバー６は、処理容器２の底面に固定されている。
突き上げピン７は、載置部３ａの内部に設けられている。突き上げピン７の、サセプタ１１側とは反対側の端部は図示しない昇降装置と接続されている。突き上げピン７は、載置部３ａと、図示しない搬送装置との間においてサセプタ１１の受け取りおよび受け渡しを行う。
断熱部８は、上側断熱部８ａ、下側断熱部８ｂ、下部ヒータ用断熱部８ｃ、および、昇降部８ｄを有する。
上側断熱部８ａは、処理容器２の内部の天井側に設けられている。上側断熱部８ａの回転ステージ３側の面には凹部が設けられている。
下側断熱部８ｂは、処理容器２の内部の底面側に設けられている。
下部ヒータ用断熱部８ｃは、載置部３ａの内部に設けられている。下部ヒータ用断熱部８ｃは、下部ヒータ４と載置部３ａの閉鎖された側の端部との間に設けられている。
上側断熱部８ａ、下側断熱部８ｂ、および下部ヒータ用断熱部８ｃは、例えば、繊維状のカーボンを、Ｃ、ＳｉＣ、ＴａＣ（タンタルカーバイト）などの膜、もしくはそれらを複数用いて被覆した構造材、または薄板状のＣ、またはＳｉＣ、それらを同様の材料で被覆したものを複数枚並べたものなどとすることができる。
昇降部８ｄの一方の端部には下側断熱部８ｂが固定されている。昇降部８ｄの他方の端部は処理容器２の外部に設けられている。昇降部８ｄの他方の端部は、図示しない昇降装置と接続されている。昇降部８ｄは、下側断熱部８ｂを昇降させる。成膜を行う際には、昇降部８ｄは、下側断熱部８ｂを上昇させる。すると、図１に示すように、下側断熱部８ｂの天井側の端部と、上側断熱部８ａの底面側の端面とが密着し、基板１００の近傍が上側断熱部８ａおよび下側断熱部８ｂにより覆われる。基板１００、サセプタ１１、およびカバー１２の搬送を行う際には、昇降部８ｄは、下側断熱部８ｂを下降させる。すると、図２に示すように、下側断熱部８ｂと上側断熱部８ａとの間に隙間が形成される。基板１００、サセプタ１１、およびカバー１２は、当該隙間および搬送ゲート２ｂを介して、処理容器２の内部と外部との間を搬送される。
ガス供給部９は、ガス源９ａ、開閉弁９ｂ、ガス制御部９ｃ、ノズル９ｄ、およびヒータ９ｅを有する。
ガス源９ａは、プロセスガスＧを供給する。ガス源９ａは、例えば、プロセスガスＧが収納された高圧ボンベや工場配管などとすることができる。
開閉弁９ｂは、ガス源９ａとノズル９ｄとの間に設けられている。開閉弁９ｂは、プロセスガスＧの供給と供給の停止を行う。
ガス制御部９ｃは、開閉弁９ｂとノズル９ｄとの間に設けられている。ガス制御部９ｃは、プロセスガスＧの流量や圧力を制御する。ガス制御部９ｃは、例えば、マスフローコントローラなどとすることができる。
ノズル９ｄの一方の端部は、処理容器２の内部に設けられ、他方の端部はプロセスガスＧを供給するガス源９ａと接続されている。ノズル９ｄの一方の端部は、サセプタ１１に載置された基板１００の上方に設けられている。ノズル９ｄの他方の端部の近傍は、処理容器２の天井に固定されている。
ヒータ９ｅは、ノズル９ｄの外側面を囲むように設けられている。ヒータ９ｅは、基板１００の表面で成膜が容易に起こる様にノズルの内部を流れるプロセスガスＧを加熱することができる。ヒータ９ｅは必ずしも必要ではないが、例えば、ＳｉＣ膜などのように高い温度で成膜を行うような場合には、設けるようにすることが好ましい。ただし、ノズル９ｄの温度が高くなりすぎると、ノズル９ｄの内壁に反応生成物が形成され、パーティクルが発生する要因となる。そのため、ヒータ９ｅによる加熱においては、ノズル９ｄの温度が、ノズル９ｄの内壁に反応生成物が形成される温度にまで到達しないようにされる。 なお、以上においては、ガス源９ａ、開閉弁９ｂ、およびガス制御部９ｃが１組設けられる場合を例示したがこれに限定されるわけではない。例えば、ガス源９ａ、開閉弁９ｂ、およびガス制御部９ｃは、プロセスガスＧを構成する反応ガス、キャリアガス、およびドーパントガス毎に複数組設けることができる。また、反応ガス、キャリアガス、およびドーパントガスを混合する混合器を設けることもできる。
また、上側断熱部８ａおよび下側断熱部８ｂと、処理容器２の内壁との間、カバー１２の基板１００側とは反対側の面などにパージガスを供給する図示しないパージガス供給部を設けることもできる。パージガスは、例えば、アルゴンガスなどの不活性ガスとすることができる。パージガス供給部は、ガス供給部９と同様に、ガス源、開閉弁、ガス制御部、およびノズルを有するものとすることができる。カバー１２と基板１００との間の空間以外の空間にパージガスを流すようにすれば、処理容器２の内部に設けられた要素に反応生成物が形成されるのを抑制したり、パーティクルを排出したりすることができる。
排気部１０は、配管を介して処理容器２の底部に接続されている。排気部１０は、基板１００の表面から流出した反応済みのガスや残余のプロセスガスＧ、およびパージガスを処理容器２の外部に排出する。また、排気部１０は、処理容器２の内部空間の圧力を大気圧よりも低い圧力とすることもできる。排気部１０は、例えば、真空ポンプなどとすることができる。
図３に示すように、サセプタ１１は、平板状を呈している。サセプタ１１の、載置部３ａ側とは反対側の面には凹部１１ａが設けられている。凹部１１ａの底面には、基板１００が載置される。また、サセプタ１１の中央領域には、厚み方向を貫通する孔１１ｂが設けられている。そのため、サセプタ１１は、基板１００の裏面（成膜を行う面とは反対側の面）の周縁近傍を支持する。また、基板１００の裏面が下部ヒータ４と対峙する。そのため、下部ヒータ４は、基板１００を直接加熱することができる。なお、サセプタ１１は孔１１ｂを有さない構造としてもよい。その場合、下部ヒータ４はサセプタ１１を介して基板１００を加熱する。
また、サセプタ１１の凹部１１ａが設けられる面の周縁には、柱状の凸部１１ｃが複数設けられている。凸部１１ｃは、円周上に少なくとも３つ設けることが好ましい。基板１００、サセプタ１１、およびカバー１２の搬送を行う際には、図２に示すように、カバー１２が複数の凸部１１ｃの頂面に載置される。そのため、カバー１２と、基板１００とが接触するのを防止することができる。
サセプタ１１は、耐熱材料から形成されている。サセプタ１１は、例えば、カーボンから形成され、さらにＳｉＣ、ＴａＣなどで被覆されたものとすることができる。ただし、使用する温度領域によっては、サセプタ１１の材料は、バルクＳｉＣなどの他の材料としてもよい。
カバー１２は、処理容器２の内部に、サセプタ１１と対峙させて設けられている。カバー１２は、上部ヒータ５と載置部３ａ（サセプタ１１）との間に設けられている。カバー１２は、平板状を呈している。カバー１２の中央領域には、厚み方向を貫通する孔１２ａが設けられている。平面視において、孔１２ａはノズル９ｄの端部と重なる位置に設けられている。成膜を行う際には、図１に示すように、ノズル９ｄの端部が孔１２ａの内部に挿入される。そのため、カバー１２と基板１００との間の空間にプロセスガスＧを供給することができる。なお、孔１２ａの内壁と、ノズル９ｄとの間には僅かな隙間が設けられている。孔１２ａの内壁とノズル９ｄとが接触しなければ、擦れによるパーティクルの発生を抑制することができる。
カバー１２を上部より支持する支持部であるカバー上部支持部１３は、先端に突起部１３ａを有している。そして、カバー上部支持部１３の他端は図示しない昇降回転機構と接続され、上下に移動するとともに回転可能となっている。
基板１００、サセプタ１１、およびカバー１２の搬送を行う際には、図２に示すように、カバー上部支持部１３を下降させ、孔１２ａをノズル９ｄから切り離し、サセプタ１１の柱状の凸部１１ｃへカバー１２を載置後、カバー上部支持部１３を自転させて突起部１３ａをカバー１２の外側に移動させてカバー１２と切り離す。そのため、基板１００、サセプタ１１、およびカバー１２を一緒に搬送することができる。
カバー１２は、耐熱材料から形成されている。カバー１２は、例えば、カーボンから形成され、さらにＳｉＣ、ＴａＣなどで被覆されたものとすることができる。ただし、使用する温度領域によっては、サセプタ１１の材料は、バルクＳｉＣなどの他の材料としてもよい。
また、カバー１２は、複数の部分に分割することができる。
図４は、複数の部分に分割されたカバー１２を例示するための模式断面図である。 図４に示すように、カバー１２は、中央部分１２ｃと周縁部分１２ｄとに分割することができる。
中央部分１２ｃの中央領域には、厚み方向を貫通する孔１２ａが設けられている。中央部分１２ｃの周縁には凹部１２ｃ１が設けられている。凹部１２ｃ１は、カバー１２の基板１００側の面に開口している。
周縁部分１２ｄは環状を呈し、中央部分１２ｃの外側に設けられている。周縁部分１２ｄの内周縁には凹部１２ｄ１が設けられている。凹部１２ｄ１は、カバー１２の基板１００側とは反対側の面に開口している。凹部１２ｄ１の底面は、凹部１２ｃ１の底面と接触している。
カバー１２がサセプタ１１の複数の凸部１１ｃの頂面に載置された場合には、周縁部分１２ｄは複数の凸部１１ｃにより支持される。また、中央部分１２ｃは、周縁部分１２ｄにより支持される。
成膜を行う際には、周縁部分１２ｄは、カバー上部支持部１３により支持される。また、中央部分１２ｃは、周縁部分１２ｄにより支持される。
ここで、成膜を行う際には、カバー１２が上部ヒータ５により加熱される。この場合、カバー１２に温度が異なる領域が生じる場合がある。そして、例えば、ＳｉＣ膜などのように高い温度で成膜を行うような場合には、カバー１２の温度の面内分布が大きくなるおそれがある。カバー１２の温度の面内分布が大きくなると、カバー１２が反ったり破損したりするおそれがある。
そのため、カバー１２は複数の部分に分割され、一の部分（周縁部分１２ｄ）が隣接する部分（中央部分１２ｃ）を支持するようにしている。この様にすれば、カバー１２に温度が異なる領域が生じたとしても、温度差に起因する応力を緩和させることができるので、カバー１２が反ったり破損したりするのを抑制することができる。
なお、分割数や分割位置は例示をしたものに限定されるわけではない。分割数や分割位置は、実験やシミュレーションを行うことで求めることができる。
また、カバー１２には、複数の孔１２ａを設けることができる。
図５は、複数の孔１２ａを有するカバー１２を例示するための模式断面図である。 図５に示すように、厚み方向を貫通する孔１２ａを複数設けることができる。複数の孔１２ａを設けるようにすれば、基板１００とカバー１２との間の空間にプロセスガスＧを供給する際にプロセスガスＧの分布を制御することができる。この場合、複数の孔１２ａの内径寸法、配設位置、ピッチ、数などにより、供給されるプロセスガスＧの分布を制御することができる。供給されるプロセスガスＧの分布は、例えば、実験やシミュレーションを行うことで求めることができる。
複数の孔１２ａを有するカバー１２とする場合には、図５に示すように、ノズル９ｄのカバー１２側の端部は、漏斗状を呈したものとすることができる。平面視において、ノズル９ｄのカバー１２側の端部と、カバー１２の複数の孔１２ａが設けられた領域とは重なっている。この様にすれば、複数の孔１２ａにプロセスガスＧを供給することができる。 また、ノズル９ｄのカバー１２側の端部の外側面にフランジ部９ｄ１を設けることができる。フランジ部９ｄ１は環状を呈し、フランジ部９ｄ１の平面寸法がノズル９ｄの端部の外径寸法よりも大きくなっている。成膜を行う際には、図５に示すように、フランジ部９ｄ１とカバー１２との間に僅かな隙間が設けられるようにすることができる。フランジ部９ｄ１とカバー１２とが接触しなければ、擦れによるパーティクルの発生を抑制することができる。この場合、フランジ部９ｄ１の平面寸法とノズル９ｄの端部の外径寸法との差が２０ｍｍ程度あれば、フランジ部９ｄ１とカバー１２との間の隙間を介して、プロセスガスＧが漏れ出るのを抑制することができる。また。ノズル９ｄの外側をパージガスで満たすことで、プロセスガスＧの漏れをさらに抑制することができる。
カバー上部支持部１３は、カバー１２を支持する。カバー上部支持部１３は、カバー１２の周縁近傍を支持する。成膜を行う際には、図１に示すように、カバー上部支持部１３により、カバー１２が基板１００の上方の所定の位置に設けられる。すなわち、成膜を行う際には、カバー上部支持部１３はカバー１２をサセプタ１１の上方の所定の位置に移動させる。この場合、カバー上部支持部１３はカバー１２をサセプタ１１の上方に引き上げる。
基板１００、サセプタ１１、およびカバー１２の搬送を行う際には、図２に示すように、カバー上部支持部１３は、カバー１２をサセプタ１１の複数の凸部１１ｃの頂面に載置する。また、カバー１２をサセプタ１１の複数の凸部１１ｃの頂面に載置した後には、カバー上部支持部１３は、自転することでカバー１２と切り離され、基板１００の上方の所定の位置に退避する。
すなわち、カバー上部支持部１３は、カバー１２をサセプタ１１の上方の第１の位置に支持可能であり、第１位置と異なる第２の位置でカバー１２と分離可能である。
なお、カバー１２の搬送は成膜処理毎に行うこともできるし、必要に応じてカバー１２を搬送することもできる。例えば、成膜の際に許容される反応生成物の堆積量に応じて、カバー１２をサセプタ１１の複数の凸部１１ｃの頂面に載置し、基板１００、サセプタ１１、およびカバー１２を一緒に搬送することができる。
また、カバー１２を基板１００が載置されていないサセプタ１１の複数の凸部１１ｃの頂面に載置し、サセプタ１１およびカバー１２を一緒に搬送することもできる。
また、基板１００およびサセプタ１１を一緒に搬送し、カバー１２のみを別途搬送することもできる。
また、カバー上部支持部１３によりカバー１２を上方に引き上げる場合を例示したが、カバー１２の裏面を突き上げる複数のピンを設けるようにしてもよい。この場合、複数のピンを載置部３ａの外側に設け、複数のピンがカバー１２をサセプタ１１（基板１００）の上方の所定の位置に押し上げるようにすればよい。
制御部１４は、ＣＰＵ（Central Processing Unit）、記憶装置、入力装置、および表示部などを有する。
ＣＰＵは、記憶装置に格納されているプログラムを読み出し、読み出したプログラムに基づいて、成膜装置１に設けられた各要素の動作を制御する。ＣＰＵは、例えば、読み出したプログラムに基づいて、回転ステージ３、下部ヒータ４、上部ヒータ５、ガス供給部９、および排気部１０などの動作を制御して、基板１００の表面に所望の膜を形成する。ＣＰＵは、例えば、読み出したプログラムに基づいて、突き上げピン７およびゲートバルブ２ｃなどを制御して、基板１００、サセプタ１１、およびカバー１２の搬送を行う。 入力装置は、成膜条件などの情報をＣＰＵなどに入力する。入力装置は、例えば、キーボードやマウスなどとすることができる。
表示部は、成膜条件などの情報、警報、成膜工程における経過情報などを表示する。表示部は、例えば、液晶表示装置などとすることができる。
本実施の形態に係る成膜装置１は、成膜を行う際に基板１００の上方の所定の位置に設けられるカバー１２を備えている。そのため、ノズル９ｄから供給されたプロセスガスＧを基板１００の表面に効率よく導くことができる。
また、カバー１２と基板１００との間の空間（成膜が行われる空間）の体積は小さいので、プロセスガスＧの流れが円滑となり熱対流を抑制することができる。そのため、成膜の均一性を損ねることがない。また、ガスの種類を切り換える時間を短くすることができ、且つ、基板表面または基板近傍で生成された反応生成物がカバー１２を含む周辺部材へ付着することを抑えることができる。
その結果、生産性の向上を図ることができる。
また、カバー１２は、カバー上部支持部１３やサセプタ１１から分離できるようになっている。そのため、基板１００、サセプタ１１、およびカバー１２を一緒に処理容器２の外部に搬送し、処理容器２の外部において、カバー１２をサセプタ１１から取り外し、カバー１２をクリーニングすることができる。あるいは、カバー１２のみを処理容器２の外部に搬送し、処理容器２の外部においてカバー１２をクリーニングすることができる。
そのため、カバー１２が上部ヒータ５により加熱され、カバー１２の基板１００側の面に反応生成物が形成されたとしても、処理容器２の外部においてカバー１２に形成された反応生成物を除去することができる。なお、カバー１２に形成された反応生成物がＳｉであれば、例えば、フッ硝酸を用いた洗浄により除去することができる。
処理容器２の外部においてカバー１２に形成された反応生成物を除去することができれば、処理容器２の内部おいてパーティクルが発生するのを抑制することができる。そのため、基板１００に形成された膜の品質を向上させることができる。
ここで、クリーニングなどのために成膜装置１を停止させると、再稼動させるための環境を整えることが必要となる。例えば、処理容器２の内部圧力や温度などを所定の範囲内とする必要がある。そのため、再稼動が可能となるまでに相応の時間と労力を要することになる。
この場合、複数のカバー１２を予め用意しておけば、カバー１２をクリーニングしている間も成膜装置１を稼働させることができる。そのため、成膜装置１の連続稼働が可能となるので、生産性の向上を図ることができる。
また、カバー１２は単なる板状体なので、製造コストを抑えることができる。そのため、複数のカバー１２を用意したとしても、生産コストの上昇を抑えることができる。また、カバー１２は単なる板状体なので、クリーニングが容易である。
また、成膜中においては、カバー１２は静止状態にあり、基板１００は回転状態にある。
基板１００から排出されるガスによって基板１００の表面に新たにプロセスガスＧを供給することができ、成膜速度を速くすることができる。そのため、成膜効率の向上を図ることができる。
次に、成膜装置１の作用とともに、本実施の形態に係る成膜方法について例示をする。 なお、ここでは、一例として、基板１００、サセプタ１１、およびカバー１２を一緒に搬送し、カバー上部支持部１３によりカバー１２が支持される場合を説明する。
まず、処理容器２の外部において、サセプタ１１の凹部１１ａに基板１００が載置され、サセプタ１１の複数の凸部１１ｃの頂面にカバー１２が載置される。
基板１００は、例えば、シリコンウェーハ、ＳｉＣウェーハ、サファイアウェーハなどとすることができる。ただし、基板１００の種類や大きさなどには特に限定はない。
また、サセプタ１１を孔１１ｂのない全面が板状の部材とし、サセプタ１１に複数の基板１００を載置し，複数の基板１００を同時に成膜するようにしてもよい。
次に、図示しない搬送装置により、基板１００、サセプタ１１、およびカバー１２が、搬送ゲート２ｂを介して処理容器２の内部に搬送される。
次に、突き上げピン７が上昇し、搬送装置から基板１００、サセプタ１１、およびカバー１２を受け取る。
次に、搬送装置が処理容器２の外部に退避し、ゲートバルブ２ｃにより搬送ゲート２ｂの開口が閉鎖される。
次に、昇降部８ｄにより、下側断熱部８ｂが上昇し、下側断熱部８ｂの天井側の端部と、上側断熱部８ａの底面側の端面とが密着する。そのため、基板１００の近傍が上側断熱部８ａおよび下側断熱部８ｂにより覆われる。
また、突き上げピン７が下降し、サセプタ１１が、載置部３ａに載置、保持される。
次に、カバー上部支持部１３により、カバー１２がサセプタ１１から分離され、カバー１２が基板１００の上方の所定の位置に設けられる。この際、ノズル９ｄの端部が孔１２ａの内部に挿入される。
次に、所望の膜が基板１００の表面に形成される。
この場合、排気部１０により、処理容器２の内部の圧力が所定の圧力とされる。
また、回転ステージ３により、サセプタ１１と基板１００が所定の回転数で回転する。 また、下部ヒータ４および上部ヒータ５により、基板１００が所定の温度となるように加熱される。なお、冷却水が流路２ａに供給されることで、処理容器２の温度が高温となるのが抑制される。
また、ガス供給部９により、プロセスガスＧがノズル９ｄを介して、カバー１２と基板１００との間の空間に供給される。
基板１００が所定の回転数で回転することで、プロセスガスＧが基板１００の表面全体に接触し、反応済みのガスと残余のプロセスガスＧが基板１００の周縁から排出される。この際、所定の温度に加熱された基板１００の表面でプロセスガスＧの反応が起こり、基板１００の表面に所望の膜が形成される。
成膜条件は、形成する膜や基板１００の材料などにより適宜変更することができる。
例えば、シリコンウェーハの表面にシリコン膜を形成する場合には、成膜条件は、以下のようにすることができる。
プロセスガスＧとしては、例えば、反応性ガスとキャリアガスとドーパントガスの混合ガスを用いることができる。反応性ガスは、例えば、ジクロロシラン（ＳｉＨ２Ｃｌ２）などとすることができる。キャリアガスは、例えば、水素ガスなどとすることができる。ドーパントガスは、例えば、ジボラン（Ｂ２Ｈ６）またはホスフィン（ＰＨ３）などとすることができる。
ジクロロシランの供給量は、例えば、５０ｓｃｃｍ（ｓｔａｎｄａｒｄ ｃｕｂｉｃ ｃｅｎｔｉｍｅｔｅｒ ｐｅｒ ｍｉｎｕｔｅ：標準ｃｃ毎分）〜４ＳＬＭ（Ｓｔａｎｄａｒｄ Ｌｉｔｅｒ ｐｅｒ Ｍｉｎｕｔｅ：標準リットル毎分）とすることができる。
水素ガスの供給量は、例えば、２０ＳＬＭ〜１００ＳＬＭとすることができる。
なお、ドーパントガスの供給量は、微量とすればよい。
処理容器２の内部の圧力は、例えば、１３３３Ｐａ〜大気圧とすることができる。
基板１００の回転数は、例えば、５０ｒｐｍ〜１５００ｒｐｍ程度とすることができる。
基板１００の温度は、９００℃以上とすることができる。
例えば、ＳｉＣ基板の表面にＳｉＣ膜を形成する場合には、成膜条件は、以下のようにすることができる。
プロセスガスＧとしては、例えば、反応性ガスとキャリアガスとドーパントガスの混合ガスを用いることができる。反応性ガスは、例えば、モノシラン（ＳｉＨ４）とプロパンガス（Ｃ３Ｈ８）などとすることができる。キャリアガスは、例えば、水素ガスなどとすることができる。ドーパントガスは、例えば、窒素ガスなどとすることができる。
モノシラン、およびプロパンガスの供給量は、１ｓｃｃｍ〜５００ｓｃｃｍとすることができる。
水素ガスの供給量は、２０ＳＬＭ〜３００ＳＬＭとすることができる。
なお、ドーパントガスの供給量は、微量とすればよい。
処理容器２の内部の圧力は、例えば、１３３３Ｐａ〜大気圧とすることができる。
基板１００の回転数は、例えば、５０ｒｐｍ〜１５００ｒｐｍ程度とすることができる。
基板１００の温度は、１５００℃以上とすることができる。
次に、所望の膜が形成された基板１００が、処理容器２の外部に搬送される。
まず、ガス供給部９により、プロセスガスＧの供給が停止する。
また、下部ヒータ４および上部ヒータ５による基板１００の加熱が停止する。
また、回転ステージ３により、サセプタ１１と基板１００の回転が停止する。
次に、カバー上部支持部１３により、カバー１２がサセプタ１１の複数の凸部１１ｃの頂面に載置される。
次に、昇降部８ｄにより、下側断熱部８ｂが下降し、下側断熱部８ｂの天井側の端部と、上側断熱部８ａの底面側の端面との間の隙間が形成される。
また、突き上げピン７が上昇し、基板１００、サセプタ１１、およびカバー１２が、載置部３ａから分離される。
次に、ゲートバルブ２ｃにより搬送ゲート２ｂの開口が開かれ、搬送装置が搬送ゲート２ｂを介して処理容器２の内部に侵入する。この際、搬送装置は、サセプタ１１と載置部３ａとの間に侵入する。
次に、突き上げピン７が下降し、基板１００、サセプタ１１、およびカバー１２が、搬送装置に受け渡される。
次に、搬送装置が処理容器２の外部に退避し、基板１００、サセプタ１１、およびカバー１２が処理容器２の外部に搬送される。
以上の様にして、基板１００の表面に所望の膜を形成することができる。
また、上記の手順を繰り返すことで、所望の膜が形成された基板１００を連続的に製造することができる。すなわち、連続的な成膜処理を行うことができる。
また、以上に説明したように、本実施の形態に係る成膜方法は、以下の工程を備えることができる。
サセプタ１１に載置された基板１００の上方の所定の位置にカバー１２を移動させる工程。
基板１００を加熱する工程。
基板１００と、カバー１２との間の空間にプロセスガスＧを供給する工程。
また、以下の工程をさらに備えることができる。
カバー１２をサセプタ１１の上に載置する工程。
カバー１２が載置されたサセプタ１１を搬送する工程。
なお、各工程における内容は、前述したものと同様とすることができるので詳細な説明は省略する。
次に、他の実施形態に係るカバーについて例示をする。
図６は、他の実施形態に係るカバー１１２について例示するための模式断面図である。
図６に示すように、カバー１１２は、基部１１２ａおよび凸部１１２ｂを有する。
基部１１２ａは、平板状を呈している。基部１１２ａの中央領域には、厚み方向を貫通する孔１１２ｃが設けられている。
凸部１１２ｂは、基部１１２ａのサセプタ１１１側の面に設けられている。凸部１１２ｂは、環状、または点状に設けられている。ノズル９ｄから供給されたプロセスガスＧは、孔１１２ｃを介してカバー１２と基板１００との間の空間に供給される。成膜の方法は前に記述したとおりである。
また、凸部１１２ｂの内径寸法が基板１００の外形寸法よりも大きくなるようにすれば、カバー１１２をサセプタ１１１に載置した際にカバー１１２と基板１００とが接触することがない。そのため、前述した複数の凸部１１ｃを省略することができる。
カバー１１２の材料は、カバー１２の材料と同じとすることができる。
また、図６に示すように、ノズル９ｄのカバー１１２側の端部にフランジ部９ｄ１を設けることができる。フランジ部９ｄ１は環状を呈し、フランジ部９ｄ１の平面寸法がノズル９ｄの端部の外径寸法よりも大きくなっている。前述したように、フランジ部９ｄ１を設ければ、フランジ部９ｄ１とカバー１１２との間の隙間からプロセスガスＧが漏れ出るのを抑制することができる。この場合、フランジ部９ｄ１の平面寸法とノズル９ｄの端部の外径寸法との差が２０ｍｍ程度あれば、プロセスガスＧが漏れ出るのを抑制することができる。また、ノズル９ｄの外側をパージガスで満たすことで、プロセスガスＧの漏れをさらに抑制することができる。
図７は、他の実施形態に係るカバー２１２について例示するための模式断面図である。
図７に示すように、カバー２１２は、基部１１２ａ、凸部１１２ｂ、および接続部２１２ａを有する。
接続部２１２ａは、基部１１２ａの凸部１１２ｂが設けられる側とは反対側の面に設けられている。接続部２１２ａは、基部１１２ａのサセプタ１１１側とは反対側の面から突出している。接続部２１２ａには、孔１１２ｃが設けられている。
カバー２１２の材料は、カバー１２の材料と同じとすることができる。
成膜を行う際には、図７に示すように、接続部２１２ａがノズル９ｄの内部に挿入される。この際、接続部２１２ａの外側面とノズル９ｄの内壁面との間に僅かな隙間が設けられるようにすることができる。接続部２１２ａとノズル９ｄとが接触しなければ、擦れによるパーティクルの発生を抑制することができる。プロセスガスＧは、接続部２１２ａの外側面とノズル９ｄの内壁面との間、および、基部１１２ａとノズル９ｄの端面との間を介さなければ、カバー２１２の基板１００側とは反対側に漏れ出ることができない。そのため、プロセスガスＧの漏れを抑制することができる。また、ノズル９ｄの外側をパージガスで満たすことで、プロセスガスＧの漏れをさらに抑制することができる。
図８は、他の実施形態に係るカバー３１２について例示するための模式断面図である。
図８に示すように、カバー３１２は、基部１１２ａおよび凸部３１２ａを有する。
凸部３１２ａの内径寸法は、基部１１２ａのサセプタ１１１側の面に近づくに従い漸増している。そのため、基板１００の端部、およびサセプタ１１１の上面で熱対流が発生したとしても、その対流を抑制することができる。熱対流を抑制することができれば、成膜の均一性を損ねることない。また、ガスの種類を切り換える時間が短くなり、且つ、基板表面または基板近傍で生成した反応生成物がカバー１２を含む周辺部材へ付着することを抑えることができる。そのため、生産性を向上させることができる。なお、成膜の種類、温度、ガスの供給量などの条件と熱対流の発生の影響に応じて、凸部３１２ａの高さ（厚み）、内径寸法などを変えることが好ましい。
また、凸部３１２ａの内径寸法が基板１００の外形寸法よりも大きくなるようにすれば、カバー３１２をサセプタ１１１に載置した際にカバー３１２と基板１００とが接触することがない。そのため、前述した複数の凸部１１ｃを省略することができる。
カバー３１２の材料は、カバー１２の材料と同じとすることもできるし、異なるものとすることもできる。
図９は、他の実施形態に係るカバー４１２について例示するための模式断面図である。
図９に示すように、カバー４１２は、漏斗状を呈したものとすることができる。カバー４１２の内径寸法が小さい側の端部には、環状のフランジ部４１２ｂを設けることができる。カバー上部支持部１３は、フランジ部４１２ｂを支持するようにすることができる。カバー４１２の、フランジ部４１２ｂが設けられた側の端部には、カバー４１２と基板１００との間の空間にプロセスガスＧを供給するための孔４１２ａが設けられている。
漏斗状のカバー４１２とすれば、基板１００の端部、およびサセプタ１１１の上面で熱対流が発生したとしても、その対流を抑制することができる。熱対流を抑制することができれば、成膜の均一性を損ねることない。また、ガスの種類を切り換える時間が短くなり、且つ、基板表面または基板近傍で生成した反応生成物がカバー１２を含む周辺部材へ付着することを抑えることができる。そのため、生産性を向上させることができる。なお、成膜の種類、温度、ガスの供給量などの条件と熱対流の発生の影響に応じて、カバー４１２の高さ、漏斗状の小さい側の内径寸法、大きい側の内径寸法を変えることが好ましい。
カバー４１２の基板側の内径寸法が基板１００の外形寸法よりも大きくなるようにすれば、カバー４１２をサセプタ１１１に載置した際にカバー４１２と基板１００とが接触することがない。そのため、前述した複数の凸部１１ｃを省略することができる。
カバー４１２の材料は、カバー１２の材料と同じとすることができる。
また、カバー４１２は、複数の部分に分割することができる。
図１０（ａ）、（ｂ）は、複数の部分に分割されたカバー４１２を例示するための模式断面図である。
図１０（ａ）に示すように、カバー４１２は、中央部分４１２ｃと周縁部分４１２ｄとに分割することができる。
中央部分１２ｃの、端部には、フランジ部４１２ｂが設けられている。また、中央部分１２ｃには、カバー４１２と基板１００との間の空間にプロセスガスＧを供給するための孔４１２ａが設けられている。
中央部分１２ｃの周縁には凹部４１２ｃ１が設けられている。凹部４１２ｃ１は、カバー４１２の基板１００側とは反対側の面に開口している。
周縁部分４１２ｄの平面形状は環状を呈している。周縁部分４１２ｄは、中央部分４１２ｃの外側に設けられている。周縁部分４１２ｄの内周縁には凹部４１２ｄ１が設けられている。凹部４１２ｄ１は、カバー４１２の基板１００側の面に開口している。凹部４１２ｄ１の底面は、凹部４１２ｃ１の底面と接触している。
成膜を行う際には、中央部分４１２ｃは、カバー上部支持部１３により支持される。また、周縁部分４１２ｄは、中央部分４１２ｃにより支持される。
ここで、カバー４１２は上部ヒータ５により加熱される。そのため、カバー４１２に温度が異なる領域が生じる場合がある。
前述したカバー１２と同様に、カバー４１２は複数の部分に分割され、一の部分（中央部分１２ｃ）が隣接する部分（周縁部分４１２ｄ）を支持するようにしている。そのため、カバー４１２に温度が異なる領域が生じたとしても、温度差に起因する応力を緩和させることができるので、カバー４１２が反ったり破損したりするのを抑制することができる。 なお、分割数や分割位置は例示をしたものに限定されるわけではない。分割数や分割位置は、実験やシミュレーションを行うことで求めることができる。
ここで、カバー４１２は漏斗状を呈しているので高さが高くなる。そのため、搬送ゲート２ｂの開口寸法を大きくする必要がある。
カバー４１２は分割されているので、搬送ゲート２ｂの開口寸法を大きくしなくても搬送が可能となる。例えば、カバー４１２を搬送する際には、図１０（ｂ）に示すように、中央部分４１２ｃは、周縁部分４１２ｄの内部に収納される。そのため、搬送時におけるカバー４１２の高さを低くすることができ、ひいては搬送ゲート２ｂの開口寸法が大きくなるのを抑制することができる。
なお、サセプタ１１１に基板１００が載置されていると、基板１００と中央部分４１２ｃとが接触することになる。そのため、カバー４１２を搬送する際には、基板１００が載置されていないサセプタ１１１を用いるようにするか、搬送装置によりカバー４１２のみを搬送するようにする。
（第２の実施形態）
図１１および図１２は、第２の実施形態に係る成膜装置１０１を例示するための模式断面図である。
なお、図１１は成膜を行う際の状態を表し、図１２は基板１００、サセプタ１１、およびカバー１２を搬送する際の状態を表している。
図１１および図１２に示すように、成膜装置１０１には、処理容器２、回転ステージ３、下部ヒータ４、上部ヒータ５、回転ステージカバー６、突き上げピン７、断熱部８、ガス供給部９、排気部１０、サセプタ１１、カバー１２、カバー下部支持部１１３、および制御部１４が設けられている。
すなわち、前述した成膜装置１には支持部としてカバー上部支持部１３が設けられていたが、本実施の形態に係る成膜装置１０１には支持部としてカバーを下から支持するカバー下部支持部１１３が設けられている。
カバー下部支持部１１３は、カバー１２を支持する。カバー下部支持部１１３は、カバー１２の周縁近傍を支持する。成膜を行う際には、図１１に示すように、カバー下部支持部１１３により、カバー１２が基板１００の上方の所定の位置に設けられる。すなわち、カバー下部支持部１１３は、カバー１２をサセプタ１１（基板１００）の上方に押し上げる。
基板１００、サセプタ１１、およびカバー１２の搬送を行う際には、図１２に示すように、カバー下部支持部１１３により、カバー１２がサセプタ１１の複数の凸部１１ｃの頂面に載置される。また、カバー１２をサセプタ１１の複数の凸部１１ｃの頂面に載置した後には、カバー下部支持部１１３は、基板１００の下方の所定の位置に退避する。
すなわち、カバー下部支持部１１３は、カバー１２をサセプタ１１の上方の第１の位置に支持可能であり、第１位置と異なる第２の位置でカバー１２と分離可能である。
前述したように、成膜を行う際には昇降部８ｄにより下側断熱部８ｂが上昇する。基板１００、サセプタ１１、およびカバー１２の搬送を行う際には昇降部８ｄにより下側断熱部８ｂが下降する。そのため、カバー下部支持部１１３は、昇降部８ｄに設けることができる。
また、カバー下部支持部１１３は、筒状を呈し、回転ステージカバー６を囲んでいる。カバー下部支持部１１３のカバー１２側の端部の近傍は、内側に向けて傾斜している。成膜を行う際には、カバー下部支持部１１３のカバー１２側の端部と、カバー１２とが接触する。そのため、カバー下部支持部１１３と回転ステージカバー６との間の空間は、反応済みのガスや残余のプロセスガスＧの排出流路となる。この場合、カバー下部支持部１１３のカバー１２側の端部の近傍は内側に向けて傾斜しているので、基板１００の周縁から排出された反応済みのガスや残余のプロセスガスＧを排出流路に円滑に導くことができる。そのため、反応済みのガスが、基板１００の表面に滞留するのを抑制することができる。
なお、以上においては、基板１００の表面に交差する方向からプロセスガスＧを供給する「縦型の成膜装置」を例示した。しかしながら、本発明は、基板１００の表面に平行な方向からプロセスガスＧを供給する「横型の成膜装置」にも適用することができる。
すなわち、「横型の成膜装置」の処理容器の内部にカバーと支持部を設け、成膜を行う際にはカバーをサセプタの上方の所定の位置に移動させ、カバーの搬送を行う際にはカバーをサセプタや搬送装置の上に載置するようにすればよい。「横型の成膜装置」においては、プロセスガスＧは、基板１００の表面に平行な方向から基板１００とカバーとの間に供給される。そのため、カバーには厚み方向を貫通する孔を設ける必要はない。
なお、「横型の成膜装置」の基本構造には既知の技術を適用することができるので、「横型の成膜装置」の基本構造に関する詳細な説明は省略する。
なお、以上においては、上部ヒータを設置する構造として説明を行ったが、上部ヒータは必ずしも必要でない。例えば、下部ヒータで基板１００を所定の温度にまで加熱することができれば、上部ヒータを設置する必要はない。しかしながら、上部ヒータが設けられていなくても、カバーは高温となる基板１００と対向することになるので、カバーは高温になる。そのため、カバーには、結晶などの反応生成物が付着し易い。このため、上部ヒータがない構成でも本発明を適用するのが好ましい。
以上、本発明のいくつかの実施形態を例示したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更などを行うことができる。これら実施形態やその変形例は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。また、前述の各実施形態は、相互に組み合わせて実施することができる。
１ 成膜装置、２ 処理容器、３ 回転ステージ、３ａ 載置部、３ｂ 回転軸、４ 下部ヒータ、５ 上部ヒータ、６ 回転ステージカバー、７ 突き上げピン、８ 断熱部、８ａ 上側断熱部、８ｂ 下側断熱部、８ｄ 昇降部、９ ガス供給部、９ａ ガス源、９ｄ ノズル、１０ 排気部、１１ サセプタ、１２ カバー、１２ａ 孔、１２ｃ 中央部分、１２ｄ 周縁部分、１３ カバー上部支持部、１４ 制御部、１００ 基板、１０１ 成膜装置、１１１ サセプタ、１１２ カバー、１１２ｂ 凸部、１１３ カバー下部支持部、２１２ カバー、２１２ａ 接続部、３１２ カバー、３１２ａ 凸部、４１２ カバー、４１２ｃ 中央部分、４１２ｄ 周縁部分、Ｇ プロセスガス

Claims (15)

  1. 処理容器と、
    前記処理容器の内部に設けられた載置部と、
    前記載置部の端部に保持され、基板が載置されるサセプタと、
    前記処理容器の内部に前記サセプタと対峙させて設けられたカバーと、
    前記カバーと前記基板との間にプロセスガスを供給するガス源と、
    前記基板を加熱するヒータと、
    前記処理容器の内部に設けられ、前記カバーを前記サセプタの上方の第１の位置に支持可能であり、前記第１位置と異なる第２の位置で前記カバーと分離可能な支持部と、
    一方の端部が前記処理容器の内部に設けられ、他方の端部が前記ガス源と接続されたノズルと、
    を備え、
    前記カバーは、厚み方向を貫通する孔を有し、
    平面視において、前記孔は前記ノズルの前記一方の端部と重なる位置に設けられている成膜装置。
  2. 処理容器と、
    前記処理容器の内部に設けられた載置部と、
    前記載置部の端部に保持され、基板が載置されるサセプタと、
    前記処理容器の内部に前記サセプタと対峙させて設けられ、複数の部分に分割され、一の部分が隣接する部分を支持するカバーと、
    前記カバーと前記基板との間にプロセスガスを供給するガス源と、
    前記基板を加熱するヒータと、
    前記処理容器の内部に設けられ、前記カバーを前記サセプタの上方の第１の位置に支持可能であり、前記第１位置と異なる第２の位置で前記カバーと分離可能な支持部と、
    を備えた成膜装置。
  3. 前記支持部は、成膜を行う際には、前記カバーを前記第１の位置に上昇させ、前記カバーの搬送を行う際には、前記第２の位置に前記カバーを下降させる請求項１または２記載の成膜装置。
  4. 前記カバーは、前記第２の位置で前記カバーを前記サセプタの上に載置されて搬送される請求項１〜３のいずれか１つに記載の成膜装置。
  5. 前記支持部は、先端に前記カバーを支持するための凸部を有し、前記支持部は回転することで前記カバーと分離される請求項１〜４のいずれか１つに記載の成膜装置。
  6. 前記カバーは、板状を呈し、
    前記カバーの前記サセプタ側の面には環状の凸部が設けられ、
    平面視において、前記凸部は前記サセプタにおける前記基板の載置位置を囲んでいる請求項１記載の成膜装置。
  7. 前記凸部の内径寸法は、前記カバーの前記サセプタ側の面から離れるに従い漸増している請求項６記載の成膜装置。
  8. 前記ノズルの前記一方の端部の外側面には、環状のフランジ部が設けられている請求項１、６および７のいずれか１つに記載の成膜装置。
  9. 前記カバーの前記サセプタ側とは反対側の面から突出し、前記孔が設けられる接続部をさらに備えた請求項１、６および７のいずれか１つに記載の成膜装置。
  10. 前記カバーは、漏斗状を呈する請求項１〜５のいずれか１つに記載の成膜装置。
  11. 前記支持部は、前記成膜を行う際には前記カバーを前記サセプタの上方に引き上げる請求項１〜１０のいずれか１つに記載の成膜装置。
  12. 前記支持部は、前記成膜を行う際には前記カバーを前記サセプタの上方に押し上げる請求項１〜１０のいずれか１つに記載の成膜装置。
  13. 厚み方向に貫通する孔を有するカバーを、サセプタに載置された基板の上方の所定の位置に前記サセプタと対峙するように移動させる工程と、
    前記基板を加熱する工程と、
    前記基板と、前記カバーとの間の空間にノズルを介してプロセスガスを供給する工程と、
    を備え、
    前記カバーを前記所定の位置に移動させる工程において、前記孔の内部に前記ノズルの端部が挿入される成膜方法。
  14. 複数の部分に分割され、一の部分が隣接する部分を支持するように構成されたカバーを、サセプタに載置された基板の上方の所定の位置に移動させる工程と、
    前記基板を加熱する工程と、
    前記基板と、前記カバーとの間の空間にプロセスガスを供給する工程と、
    を備えた成膜方法。
  15. 前記カバーを前記サセプタの上に載置する工程と、
    前記カバーが載置された前記サセプタを搬送する工程と、
    をさらに備えた請求項１３または１４に記載の成膜方法。
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Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6529401B2 (ja) * 2015-09-16 2019-06-12 一般財団法人電力中央研究所 放射性物質密封容器のガス漏洩検知装置及び方法並びにプログラム
KR102603528B1 (ko) * 2016-12-29 2023-11-17 삼성전자주식회사 기판 처리 장치 및 이를 포함한 기판 처리 시스템

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5088444A (en) * 1989-03-15 1992-02-18 Kabushiki Kaisha Toshiba Vapor deposition system
JP3470557B2 (ja) * 1997-06-27 2003-11-25 株式会社日立製作所 プラズマ処理装置
US6099650A (en) 1998-03-03 2000-08-08 Concept Systems Design, Inc. Structure and method for reducing slip in semiconductor wafers
JP4371260B2 (ja) * 2003-12-01 2009-11-25 大日本スクリーン製造株式会社 熱処理装置
US20080311294A1 (en) 2007-06-15 2008-12-18 Hideki Ito Vapor-phase growth apparatus and vapor-phase growth method
JP2009021533A (ja) 2007-06-15 2009-01-29 Nuflare Technology Inc 気相成長装置及び気相成長方法
KR100970645B1 (ko) * 2007-12-24 2010-07-15 엘지전자 주식회사 블록 코드를 이용한 다양한 길이를 가진 정보의 채널 코딩방법
JP5039076B2 (ja) 2008-03-24 2012-10-03 株式会社東芝 エピタキシャルウェーハの製造装置及び製造方法
JP5171584B2 (ja) * 2008-03-26 2013-03-27 株式会社日立国際電気 基板処理装置の基板載置台、基板処理装置及び半導体デバイスの製造方法
JP5317278B2 (ja) * 2009-04-28 2013-10-16 大陽日酸株式会社 気相成長装置、気相成長装置における対向面部材またはサセプタ上面カバー取外し方法
JP2011171450A (ja) 2010-02-17 2011-09-01 Nuflare Technology Inc 成膜装置および成膜方法
US20130108792A1 (en) * 2011-10-26 2013-05-02 Pinecone Material Inc. Loading and unloading system for thin film formation and method thereof
JP6068255B2 (ja) * 2013-05-13 2017-01-25 大陽日酸株式会社 気相成長装置および気相成長装置の部材搬送方法
JP6662571B2 (ja) * 2015-02-03 2020-03-11 株式会社Sumco エピタキシャル成長装置、およびエピタキシャル成長方法

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