JP6666524B1 - Sputtering method - Google Patents
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Abstract
反応性スパッタリング装置を用いるスパッタリング方法であって、成膜対象物に形成すべき化合物膜の形成領域に向けてスパッタ粒子を放出するカソード装置を備え、形成領域と対向する空間が対向領域であり、カソード装置が、エロージョン領域を対向領域で走査する走査部と、エロージョン領域が形成されるターゲットとを備え、走査部が、スパッタ粒子が先に到達する形成領域の第1端部に対して走査方向におけるターゲットの表面の中点が形成領域の外側である開始位置から、他方の第2端部に対して上記中点が形成領域の外側である終了位置までエロージョン領域を走査し、走査部におけるターゲットの速度を、開始位置から第1走査速度まで加速した後、さらに、第2走査速度まで加速し、その後、第1走査速度まで減速した後、終了位置まで走査するとともに、第1走査速度から加速して第2走査速度になる位置が、第1端部よりも形成領域の内側とされ、第2走査速度から減速されて第1走査速度になる位置が、第2端部よりも形成領域の内側とされる。A sputtering method using a reactive sputtering device, comprising a cathode device for emitting sputtered particles toward a formation region of a compound film to be formed on a film-forming target, and a space facing the formation region is a facing region, The cathode device includes a scanning unit that scans the erosion region in a facing region, and a target on which the erosion region is formed, and the scanning unit scans the first end of the formation region where the sputtered particles first reach in the scanning direction. In the scanning unit, the erosion area is scanned from a start position where the midpoint of the surface of the target is outside the formation area to an end position where the midpoint is outside the formation area with respect to the other second end portion. After accelerating the speed of from the starting position to the first scanning speed, further accelerating to the second scanning speed, and then decelerating to the first scanning speed. While scanning to the end position, the position where the second scanning speed is accelerated from the first scanning speed to the second scanning speed is located inside the formation region rather than the first end portion, and is decelerated from the second scanning speed to the first scanning speed. The position is defined to be inside the formation region with respect to the second end.
Description
本発明は、スパッタリング方法に関し、特に、大型基板に化合物膜を形成する反応性スパッタに用いて好適な技術に関する。
本願は、2018年5月11日に日本に出願された特願2018−092341号に基づき優先権を主張し、その内容をここに援用する。The present invention relates to a sputtering method, and more particularly to a technique suitable for use in reactive sputtering for forming a compound film on a large-sized substrate.
This application claims priority based on Japanese Patent Application No. 2018-092341 for which it applied to Japan on May 11, 2018, and uses the content here.
液晶ディスプレイや有機ELディスプレイ等のフラットパネルディスプレイは、表示素子を駆動する複数の薄膜トランジスタを備えている。薄膜トランジスタはチャネル層を有し、チャネル層の形成材料は、例えば、インジウムガリウム亜鉛酸化物(IGZO)等の酸化物半導体である。近年では、チャネル層の形成対象である基板が大型化し、大型の基板に成膜するスパッタ装置として、例えば、特許文献1に記載のように、化合物膜の特性がばらつくことを抑えるように、本出願人らはターゲットが走査するスパッタ装置を用いていた。 A flat panel display such as a liquid crystal display and an organic EL display includes a plurality of thin film transistors for driving a display element. The thin film transistor has a channel layer, and a material for forming the channel layer is, for example, an oxide semiconductor such as indium gallium zinc oxide (IGZO). In recent years, a substrate on which a channel layer is to be formed has been increased in size, and as a sputtering apparatus for forming a film on a large-sized substrate, for example, as described in
このようなスパッタ装置では、成膜時にターゲットが基板に対して走査される際、基板輪郭の外側位置から加速し、基板面内で等速とし、さらに、基板輪郭の外側に向けて減速する、状態となるように制御していた。横軸を時間、縦軸をカソード速度としてこの速度変化をグラフに示すと、グラフにおいて速度変化を示す形状が略台形となるため、これを台形制御と称している。 In such a sputtering apparatus, when the target is scanned with respect to the substrate during film formation, the target accelerates from a position outside the substrate contour, maintains a constant velocity in the substrate surface, and further decelerates outside the substrate contour. It was controlled to be in a state. When this speed change is shown in a graph with the horizontal axis representing time and the vertical axis representing the cathode speed, the shape showing the speed change in the graph is substantially trapezoidal, and this is called trapezoidal control.
しかし、上述した台形制御の技術では、特に、カソードが等速でない状態、つまり、基板縁部付近で膜厚などの特性分布が変動する可能性があり、このような特性分布の変動を改善したいという要求があった。 However, in the trapezoidal control technique described above, in particular, there is a possibility that the characteristic distribution such as the film thickness fluctuates near the edge of the substrate, in a state where the cathode is not constant velocity, and it is desired to improve such fluctuation of the characteristic distribution. There was a request.
さらに、カソードが低速であると膜厚が厚くなり、カソードが高速であると膜厚が薄くなる。したがって、基板中央付近に比べて基板縁部付近で膜厚が厚くなる場合があるが、基板縁部付近における膜厚の増加を改善したいという要求があった。 Further, when the speed of the cathode is low, the film thickness increases, and when the speed of the cathode is high, the film thickness decreases. Therefore, the film thickness may be larger near the edge of the substrate than in the vicinity of the center of the substrate, but there has been a demand for improving the increase in the film thickness near the edge of the substrate.
本発明は、上記の事情に鑑みてなされたもので、以下の目的を達成しようとするものである。
1.成膜特性のバラツキを抑える。
2.膜厚の均一性向上を図る。
3.特に基板縁部における成膜特性のバラツキを改善する。The present invention has been made in view of the above circumstances, and aims to achieve the following objects.
1. Suppress variations in film forming characteristics.
2. To improve the uniformity of the film thickness.
3. In particular, the variation in film forming characteristics at the edge of the substrate is improved.
本発明のスパッタリング方法は、反応性スパッタ装置を用いるスパッタリング方法である。前記反応性スパッタ装置は、成膜対象物に形成すべき化合物膜の形成領域に向けてスパッタ粒子を放出するカソード装置を備え、前記形成領域と対向する空間が対向領域であり、前記カソード装置が、エロージョン領域を前記対向領域で走査する走査部と、前記エロージョン領域が形成され、走査方向における長さが前記対向領域よりも短いターゲットと、を備え、前記走査部が、前記走査方向での前記形成領域の2つの端部のうち、前記スパッタ粒子が先に到達する第1端部に対して、前記走査方向における前記ターゲットの表面の中点が前記走査方向において前記形成領域の外側である開始位置から、前記走査方向での前記形成領域の2つの端部のうち、他方の第2端部に対して、前記走査方向における前記ターゲットの前記表面の中点が前記走査方向において前記形成領域の外側である終了位置まで、前記対向領域に向けて前記エロージョン領域を走査する。前記スパッタリング方法は、前記走査部における前記ターゲットの速度を、前記開始位置から第1走査速度まで加速した後、さらに、第2走査速度まで加速し、その後、第1走査速度まで減速した後、前記終了位置まで走査するとともに、前記第1走査速度から加速して前記第2走査速度になる位置が、前記第1端部よりも前記形成領域の内側とされ、前記第2走査速度から減速されて前記第1走査速度になる位置が、前記第2端部よりも前記形成領域の内側とされることにより上記課題を解決した。
本発明のスパッタリング方法は、前記開始位置から加速して前記第1走査速度になる位置が、前記第1端部よりも前記形成領域の外側とされ、前記第1走査速度から前記終了位置まで減速する位置が、前記第2端部よりも前記形成領域の外側とされることができる。本発明のスパッタリング方法は、前記開始位置から加速して前記第1走査速度になる位置が、前記第1端部よりも前記形成領域の内側とされ、前記第1走査速度から前記終了位置まで減速する位置が、前記第2端部よりも前記形成領域の内側とされることができる。
本発明において、前記走査部における前記ターゲットの速度が、前記走査方向において前記形成領域の中心に対して対称、または、非対称となるように制御することがより好ましい。
本発明は、前記第2走査速度に対する前記第1走査速度の比が、0.70〜0.95の範囲に設定されることが可能である。
また、本発明において、前記走査方向における前記開始位置から前記第2走査速度になる位置までの距離が、200〜400mmの範囲に設定される手段を採用することもできる。
また、前記走査方向において、前記開始位置から前記第2走査速度になる位置までの距離が、前記形成領域の前記第1端部と前記開始位置との距離に対する比として、1.3〜2.7の範囲に設定されることができる。The sputtering method of the present invention is a sputtering method using a reactive sputtering device. The reactive sputtering apparatus includes a cathode device that emits sputtered particles toward a formation region of a compound film to be formed on a film formation target, a space facing the formation region is a facing region, and the cathode device is A scanning unit that scans an erosion region with the facing region, and a target in which the erosion region is formed and a length in the scanning direction is shorter than the facing region, and the scanning unit includes the target in the scanning direction. The start of the midpoint of the surface of the target in the scanning direction outside the formation region in the scanning direction with respect to the first end of the formation region where the sputtered particles arrive first. From a position, a midpoint of the surface of the target in the scanning direction with respect to a second end of the two ends of the formation region in the scanning direction. In the scanning direction to the end position is outside of the forming area, it scans the erosion region toward the opposite area. The sputtering method, the speed of the target in the scanning unit, after accelerating from the start position to the first scanning speed, further accelerated to the second scanning speed, and then, after decelerating to the first scanning speed, While scanning to the end position, a position at which the second scanning speed is accelerated from the first scanning speed is set inside the formation region from the first end portion, and is decelerated from the second scanning speed. The above-described problem is solved by setting the position at which the first scanning speed is set to be inside the formation region from the second end.
In the sputtering method of the present invention, a position where the first scanning speed is accelerated from the start position is outside the formation region from the first end portion, and the position is decelerated from the first scanning speed to the end position. The position to be formed can be set outside the formation region with respect to the second end. In the sputtering method according to the present invention, a position at which the first scanning speed is accelerated from the start position is located inside the formation region from the first end portion, and the position is decelerated from the first scanning speed to the end position. The position of the second end may be located inside the formation region.
In the present invention, it is more preferable that the speed of the target in the scanning unit is controlled to be symmetric or asymmetric with respect to the center of the formation region in the scanning direction.
In the present invention, a ratio of the first scanning speed to the second scanning speed can be set in a range of 0.70 to 0.95.
Further, in the present invention, means for setting a distance from the start position in the scanning direction to a position at which the second scanning speed is reached in a range of 200 to 400 mm may be employed.
Further, in the scanning direction, a distance from the start position to the position at which the second scanning speed is reached is a ratio of 1.3 to 2.1.5 as a ratio to a distance between the first end of the formation area and the start position. 7 can be set.
本発明のスパッタリング方法は、反応性スパッタ装置を用いるスパッタリング方法であって、前記反応性スパッタ装置は、成膜対象物に形成すべき化合物膜の形成領域に向けてスパッタ粒子を放出するカソード装置を備え、前記形成領域と対向する空間が対向領域であり、前記カソード装置が、エロージョン領域を前記対向領域で走査する走査部と、前記エロージョン領域が形成され、走査方向における長さが前記対向領域よりも短いターゲットと、を備え、前記走査部が、前記走査方向での前記形成領域の2つの端部のうち、前記スパッタ粒子が先に到達する第1端部に対して、前記走査方向における前記ターゲットの表面の中点が前記走査方向において前記形成領域の外側である開始位置から、前記走査方向での前記形成領域の2つの端部のうち、他方の第2端部に対して、前記走査方向における前記ターゲットの前記表面の中点が前記走査方向において前記形成領域の外側である終了位置まで、前記対向領域に向けて前記エロージョン領域を走査し、前記走査部における前記ターゲットの速度を、前記開始位置から第1走査速度まで加速した後、さらに、第2走査速度まで加速し、その後、第1走査速度まで減速した後、前記終了位置まで走査するとともに、前記第1走査速度から加速して前記第2走査速度になる位置が、前記第1端部よりも前記形成領域の内側とされ、前記第2走査速度から減速されて前記第1走査速度になる位置が、前記第2端部よりも前記形成領域の内側とされることにより、形成領域の端部に対応する走査方向での基板端部において、基板中央部に比べて膜厚が厚くなることを低減し、膜特性にバラツキが発生することを防止することが可能となる。 The sputtering method of the present invention is a sputtering method using a reactive sputtering device, wherein the reactive sputtering device includes a cathode device that emits sputtered particles toward a formation region of a compound film to be formed on a film formation target. A space facing the formation region is a facing region, wherein the cathode device scans an erosion region with the facing region, and the erosion region is formed, and the length in the scanning direction is longer than the facing region. A target that is also short, wherein the scanning unit is configured such that, of the two ends of the formation region in the scanning direction, a first end to which the sputtered particles reach first, From the start position where the midpoint of the target surface is outside the formation area in the scanning direction, two ends of the formation area in the scanning direction The erosion area toward the opposing area with respect to the other second end, up to an end position where the midpoint of the surface of the target in the scanning direction is outside the formation area in the scanning direction. After scanning the target in the scanning section from the start position to a first scanning speed, further accelerating to a second scanning speed, and then decelerating to a first scanning speed, and then ending the scanning. While scanning to a position, a position where the second scanning speed is accelerated from the first scanning speed is set inside the formation area from the first end, and the speed is reduced from the second scanning speed and Since the position at which the first scanning speed is reached is located inside the formation area with respect to the second end, at the substrate end in the scanning direction corresponding to the end of the formation area, the substrate is located at the center of the substrate. Base to reduce the film thickness increases, variations can be prevented from being generated in the film properties.
本発明のスパッタリング方法は、前記開始位置から加速して前記第1走査速度になる位置が、前記第1端部よりも前記形成領域の外側とされ、前記第1走査速度から前記終了位置まで減速する位置が、前記第2端部よりも前記形成領域の外側とされることにより、形成領域の端部に対応する走査方向での基板端部において、基板中央部に比べて膜厚が厚くなることを低減し、膜特性にバラツキが発生することを防止することが可能となる。 In the sputtering method of the present invention, a position where the first scanning speed is accelerated from the start position is outside the formation region from the first end portion, and the position is decelerated from the first scanning speed to the end position. The position to be formed is located outside the formation region with respect to the second end, so that the film thickness is larger at the substrate end in the scanning direction corresponding to the end of the formation region than at the substrate center. It is possible to prevent the occurrence of variations in film characteristics.
本発明のスパッタリング方法は、前記開始位置から加速して前記第1走査速度になる位置が、前記第1端部よりも前記形成領域の内側とされ、前記第1走査速度から前記終了位置まで減速する位置が、前記第2端部よりも前記形成領域の内側とされることにより、形成領域の端部に対応する走査方向での基板端部において、基板中央部に比べて膜厚が厚くなることを低減し、膜特性にバラツキが発生することを防止することが可能となる。 In the sputtering method according to the present invention, a position at which the first scanning speed is accelerated from the start position is located inside the formation region from the first end portion, and the position is decelerated from the first scanning speed to the end position. The position to be formed is located inside the formation region with respect to the second end portion, so that the film thickness becomes thicker at the substrate end in the scanning direction corresponding to the end of the formation region than at the substrate center. It is possible to prevent the occurrence of variations in film characteristics.
本発明において、前記走査部における前記ターゲットの速度が、前記走査方向において前記形成領域の中心に対して対称、または、非対称となるように制御することにより、形成領域に対応する走査方向での基板において、中心に対して対称となるように成膜することが可能となるとともに、形成領域に対応する走査方向での基板全長にわたって、膜厚等の膜特性が均一となるように成膜することが可能となる。 In the present invention, by controlling the speed of the target in the scanning unit to be symmetric or asymmetric with respect to the center of the formation region in the scanning direction, the substrate in the scanning direction corresponding to the formation region is controlled. In the above, the film can be formed so as to be symmetrical with respect to the center, and the film characteristics such as the film thickness become uniform over the entire length of the substrate in the scanning direction corresponding to the formation region. Becomes possible.
本発明は、前記第2走査速度に対する前記第1走査速度の比が、0.70〜0.95の範囲に設定されることにより、形成領域に対応する走査方向での基板中心に比べて端部における膜厚が大きくなってしまうことを防止できる。 According to the present invention, the ratio of the first scanning speed to the second scanning speed is set in the range of 0.70 to 0.95, so that the edge is smaller than the center of the substrate in the scanning direction corresponding to the formation region. It is possible to prevent the film thickness in the part from becoming large.
また、本発明において、前記走査方向における前記開始位置から前記第2走査速度になる位置までの距離が、200〜400mmの範囲に設定されることにより、形成領域に対応する走査方向での基板において、成膜厚さを均一化して、膜厚のバラツキを低減することが可能となる。 Further, in the present invention, the distance from the start position in the scanning direction to the position at which the second scanning speed is reached is set in the range of 200 to 400 mm, so that the substrate in the scanning direction corresponding to the formation region can be used. In addition, it is possible to make the thickness of the film uniform and reduce the variation in the film thickness.
また、前記走査方向において、前記開始位置から前記第2走査速度になる位置までの距離が、
前記形成領域の前記第1端部と前記開始位置との距離に対する比として、1.3〜2.7の範囲に設定されることにより、形成領域に対応する走査方向での基板において、成膜厚さを均一化して、膜厚のバラツキを低減することが可能となる。Further, in the scanning direction, a distance from the start position to a position at which the second scanning speed is obtained is:
By setting the ratio of the formation region to the distance between the first end portion and the start position in the range of 1.3 to 2.7, the film is formed on the substrate in the scanning direction corresponding to the formation region. By making the thickness uniform, it is possible to reduce the variation in the film thickness.
本発明によれば、成膜特性のバラツキを抑え、膜厚の均一性向上を図り、基板縁部における成膜特性のバラツキを改善することができるという効果を奏することが可能となる。 ADVANTAGE OF THE INVENTION According to this invention, it becomes possible to suppress the dispersion | variation in film-forming characteristics, to achieve the uniformity of film thickness, and to produce the effect that the dispersion | variation in film-forming characteristics in a board | substrate edge part can be improved.
以下、本発明の第1実施形態に係るスパッタリング方法を、図面に基づいて説明する。
図1は、本実施形態のスパッタリング方法におけるスパッタ装置(反応性スパッタ装置)の全体構成を示す構成図である。図2は、本実施形態におけるスパッタチャンバの構成を模式的に示す構成図である。図3は、本実施形態におけるカソードユニットの構成を模式的に示す構成図である。図4,図6〜図8は、本実施形態におけるスパッタリングの作用を説明するための図である。図1において、符号10は、スパッタ装置である。Hereinafter, a sputtering method according to the first embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings.
FIG. 1 is a configuration diagram showing the entire configuration of a sputtering apparatus (reactive sputtering apparatus) in the sputtering method of the present embodiment. FIG. 2 is a configuration diagram schematically showing the configuration of the sputtering chamber in the present embodiment. FIG. 3 is a configuration diagram schematically illustrating the configuration of the cathode unit in the present embodiment. FIGS. 4, 6 to 8 are views for explaining the operation of sputtering in the present embodiment. In FIG. 1,
本実施形態に係るスパッタ装置10としては、一例として、基板に形成される化合物膜がインジウムガリウム亜鉛酸化物膜(IGZO膜)である場合を説明する。以下では、スパッタ装置の全体構成、スパッタチャンバの構成、カソードユニットの構成、および、スパッタチャンバの作用を順に説明する。 As an example of the
[スパッタ装置の全体構成]
本実施形態に係るスパッタ装置10は、図1に示すように、搬出入チャンバ11、前処理チャンバ12、および、スパッタチャンバ13が、1つの方向である搬送方向に沿って配列されている。3つのチャンバの各々は、相互に隣り合う他のチャンバとゲートバルブ14によって連結されている。3つのチャンバの各々には、チャンバ内の気体等を排気する排気部15が連結され、3つのチャンバの各々は、排気部15の駆動によって個別に減圧される。3つのチャンバの各々の底面には、搬送方向に沿って延びる相互に平行な2つのレーンである成膜レーン16と回収レーン17とが敷かれている。[Overall configuration of sputtering equipment]
As shown in FIG. 1, in the
成膜レーン16と回収レーン17とは、例えば、搬送方向に沿って延びるレールと、搬送方向に沿って配置された複数のローラーと、複数のローラーの各々を自転させる複数のモーター等から構成される。成膜レーン16は、スパッタ装置10の内部に搬入されたトレイTを搬出入チャンバ11からスパッタチャンバ13に向けて搬送する。回収レーン17は、スパッタチャンバ13の内部に搬入されたトレイTをスパッタチャンバ13から搬出入チャンバ11に向けて搬送する。 The
トレイTには、紙面の手前に向かって延びる矩形状をなす基板Sが立てられた状態で固定されている。基板Sの幅は、例えば、搬送方向に沿って2200mmであり、紙面の手前に向かって2500mmである。 A rectangular substrate S extending toward the front of the drawing is fixed to the tray T in an upright state. The width of the substrate S is, for example, 2200 mm along the transport direction and 2500 mm toward the front of the drawing.
搬出入チャンバ11は、スパッタ装置10の外部から搬入される成膜前の基板Sを前処理チャンバ12へ搬送し、前処理チャンバ12から搬入される成膜後の基板Sをスパッタ装置10の外部に搬出する。成膜前の基板Sが外部から搬出入チャンバ11へ搬入されるとき、また、成膜後の基板Sが搬出入チャンバ11から外部へ搬出されるとき、搬出入チャンバ11は内部を大気圧まで昇圧する。成膜前の基板Sが搬出入チャンバ11から前処理チャンバ12へ搬入されるとき、また、成膜後の基板Sが前処理チャンバ12から搬出入チャンバ11へ搬出されるとき、搬出入チャンバ11は前処理チャンバ12の内部と同じ程度にまで内部を減圧する。 The loading /
前処理チャンバ12は、搬出入チャンバ11から前処理チャンバ12へ搬入された成膜前の基板Sに、成膜に必要とされる処理として、例えば、加熱処理や洗浄処理等を行う。
前処理チャンバ12は、搬出入チャンバ11から前処理チャンバ12へ搬出された基板Sをスパッタチャンバ13へ搬入する。また、前処理チャンバ12は、スパッタチャンバ13から前処理チャンバ12へ搬出された基板Sを搬出入チャンバ11へ搬出する。The
The
スパッタチャンバ13は、基板Sに向けてスパッタ粒子を放出するカソード装置18、および、成膜レーン16と回収レーン17との間に配置されたレーン変更部19を備えている。スパッタチャンバ13は、前処理チャンバ12からスパッタチャンバ13へ搬入された成膜前の基板Sに対し、カソード装置18を用いてIGZO膜を形成する。スパッタチャンバ13は、レーン変更部19を用いて成膜後のトレイTを成膜レーン16から回収レーン17へ移動させる。 The
[スパッタチャンバの構成]
スパッタチャンバ13の成膜レーン16は、図2に示すように、前処理チャンバ12からスパッタチャンバ13へ搬入された基板Sを搬送方向に沿って搬送し、基板Sへの薄膜の形成が開始されてから終了されるまでの間は、成膜レーン16の途中でトレイTの位置を固定する。トレイTの位置がトレイTを支持する支持部材によって固定されるとき、基板Sにおける搬送方向の縁の位置も固定される。[Structure of sputter chamber]
As shown in FIG. 2, the
スパッタチャンバ13のガス供給部21は、トレイTとカソード装置18との間の隙間に、スパッタに用いられるガスを供給する。ガス供給部21から供給されるガスには、アルゴンガス等のスパッタガスと酸素ガス等の反応ガスとが含まれる。 The
カソード装置18は、1つのカソードユニット22を有し、カソードユニット22は、基板Sの表面Saと対向する平面に沿って配置されている。カソードユニット22では、ターゲット23、バッキングプレート24、および、磁気回路25が、基板Sに近い位置からこの順に配置されている。 The
ターゲット23は、基板Sと対向する平面に沿った平板状に形成され、紙面と直交する方向である高さ方向において基板Sよりも長い幅を有し、また、搬送方向において基板Sよりも小さい幅、例えば5分の1程度の幅を有する。ターゲット23の形成材料では主たる成分がIGZOであり、例えば、ターゲット23の形成材料のうちの95質量%がIGZOであり、好ましくは99質量%以上がIGZOである。 The
バッキングプレート24は、基板Sと対向する平面に沿った平板状に形成され、ターゲット23にて基板Sと向かい合わない面に接合されている。バッキングプレート24には、直流電源26Dが接続している。直流電源26Dから供給される直流電力は、バッキングプレート24を通じてターゲット23に供給される。 The
磁気回路25は、相互に異なる磁極を有した複数の磁性体によって構成され、ターゲット23の表面23aであって、基板Sと向かい合うターゲット23の側面にマグネトロン磁場を形成する。ターゲット23の表面23aに対する法線に沿った方向が法線方向であるとき、ターゲット23の表面23aと基板Sの表面Saとの間の隙間で生成されるプラズマの密度は、磁気回路25が形成するマグネトロン磁場のうち法線方向に沿った磁場成分が0(B⊥0)である部分において最も高くなる。以下では、磁気回路25の形成するマグネトロン磁場のうち、法線方向に沿った磁場成分が0である領域がプラズマ密度の高い領域である。 The
カソード装置18は、カソードユニット22を1つの方向である走査方向に沿って移動させる走査部27を備える。走査方向は、搬送方向と平行な方向である。走査部27は、例えば、走査方向に沿って延びるレールと、カソードユニット22における高さ方向の2つの端部の各々に取り付けられたローラーと、ローラーの各々を自転させる複数のモーター等から構成される。走査部27のレールは、走査方向において基板Sよりも長い幅を有する。なお、走査部27は、走査方向に沿ってカソードユニット22を移動させることが可能であれば、他の構成として具体化されてもよい。 The
走査部27は、カソードユニット22を走査方向に沿って移動させることによって、IGZO膜の形成領域R1と対向する空間である対向領域R2でカソードユニット22を走査する。成膜対象物の一例である基板Sにおける表面Saの全体が、IGZO膜の形成領域R1の一例である。走査部27は、カソード装置18がスパッタ粒子を放出してIGZO膜の形成を開始するとき、例えば、走査部27における走査方向の一端部である開始位置Stから、走査方向の他端部である終了位置Enに向けて走査方向に沿ってカソードユニット22を移動させる。これにより、走査部27は、カソードユニット22のターゲット23を形成領域R1と対向する対向領域R2で走査する。 The
形成領域R1と対向領域R2とが対向する方向が対向方向である。対向方向にて、基板Sの表面Saと、ターゲット23の表面23aとの間の距離は、300mm以下であり、例えば、150mmである。 The direction in which the forming region R1 and the facing region R2 face each other is the facing direction. In the facing direction, the distance between the surface Sa of the substrate S and the
カソードユニット22が開始位置Stに配置されるとき、走査方向での形成領域R1の2つの端部のうち、スパッタ粒子が先に到達する第1端部Re1と、走査方向にて第1端部Re1に近いターゲット23の第1端部23e1との間の走査方向に沿った距離D1が、150mm以上である。
また、カソードユニット22が開始位置Stに配置されるとき、走査方向でのターゲット23の中点23e3(中心位置)と、第1端部Re1との距離D2は、100mm〜300mmである。When the
When the
カソードユニット22が終了位置Enに位置するとき、走査方向での形成領域R1の2つの端部のうち、スパッタ粒子が後に到達する第2端部Re2と、走査方向にて、第2端部Re2に近いターゲット23の第2端部23e2との間の走査方向に沿った距離D1が、150mm以上である。
また、カソードユニット22が終了位置Enに配置されるとき、走査方向でのターゲット23の中点23e3(中心位置)と、第2端部Re2との距離D2は、100mm〜300mmである。When the
When the
これら距離D1と距離D2とは、走査方向において基板Sの中心に対して対称、つまり、これらの距離D1、D2は等しくなるよう設定されることができる。 The distance D1 and the distance D2 can be set symmetrically with respect to the center of the substrate S in the scanning direction, that is, the distances D1 and D2 can be set to be equal.
なお、形成領域R1にIGZO膜が形成されるとき、走査部27は、カソードユニット22を開始位置Stから終了位置Enに向けて走査方向に沿って1回走査してもよい。あるいは、走査部27は、カソードユニット22を開始位置Stから終了位置Enに向けて走査方向に沿って走査した後、終了位置Enから開始位置Stに向けて走査方向に沿って走査してもよい。これにより、走査部27は、カソードユニット22を走査方向に沿って2回走査する。走査部27は、カソードユニット22を走査方向に沿って開始位置Stと終了位置Enとに交互に移動させることによって、カソードユニット22を開始位置Stと終了位置Enとの間で複数回走査してもよい。走査部27がカソードユニット22を走査する回数は、IGZO膜の厚さに合わせて変更される。カソードユニット22の走査回数以外の条件が同じであれば、IGZO膜の厚さが大きいほど、走査部27がカソードユニット22を走査する回数が大きい値に設定される。 When the IGZO film is formed in the formation region R1, the
[カソードユニットの構成]
次に、カソードユニット22の構成をより詳しく説明する。なお、図3には、図2で説明された開始位置Stにカソードユニット22が配置された状態が示されている。[Cathode unit configuration]
Next, the configuration of the
基板Sは、図3に示すように、基板Sの表面Saが配置される平面が仮想平面Pidであり、仮想平面Pidと直交する直線が法線Lvである。ターゲット23にて基板Sと向かい合う側面である表面23aは、仮想平面Pidと平行な1つの平面上に配置されている。 As shown in FIG. 3, the plane of the substrate S on which the surface Sa of the substrate S is arranged is a virtual plane Pid, and a straight line orthogonal to the virtual plane Pid is a normal Lv. The
ターゲット23の表面23a上にマグネトロン磁場Bを形成する磁気回路25は、法線Lvに沿った磁場成分が0(B⊥0)である2つの垂直磁場ゼロ領域をターゲット23の表面23aに形成する。ターゲット23の表面23aでは、主に2つの垂直磁場ゼロ領域からスパッタ粒子SPが放出される。2つのゼロ磁場領域のうち、走査方向にて形成領域R1の第1端部Re1に近い垂直磁場ゼロ領域が第1エロージョン領域E1であり、第1端部Re1から遠い垂直磁場ゼロ領域が第2エロージョン領域E2である。 The
磁気回路25は、紙面と直交する高さ方向においてターゲット23と略等しい幅を有し、走査方向において例えばターゲット23の3分の1程度の幅を有する。 The
カソードユニット22は、第1エロージョン領域E1および第2エロージョン領域E2から放出される複数のスパッタ粒子SPのうちの一部を基板Sに到達させない2つの遮蔽板28a,28bを備えている。2つの遮蔽板28a,28bは、高さ方向においてターゲット23と略等しい幅を有し、走査方向に直交する幅方向において、ターゲット23の表面23aから仮想平面Pidに向けて突き出している。第1遮蔽板28aと第2遮蔽板28bとは、幅方向における突き出し幅が相互に等しい。第1遮蔽板28aが第1遮蔽部の一例であり、第2遮蔽板28bが第2遮蔽部の一例である。 The
一方の遮蔽板である第1遮蔽板28aは、カソードユニット22が開始位置Stに配置されるとき、走査方向にて、形成領域R1におけるスパッタ粒子SPが先に到達する第1端部Re1と、ターゲット23における第1端部Re1に近い第1端部23e1との間に配置される。他方の遮蔽板である第2遮蔽板28bは、カソードユニット22が開始位置Stに位置するとき、走査方向にて、形成領域R1の第1端部Re1から遠いターゲット23の端部である第2端部23e2よりも形成領域R1から離れた位置に配置される。 When the
カソードユニット22は、ターゲット23に対する磁気回路25の位置を変える磁気回路走査部29を備える。磁気回路走査部29は、例えば、走査方向に沿って延びるレールと、磁気回路25における高さ方向の2つの端部の各々に取り付けられたローラーと、ローラーの各々を自転させる複数のモーター等から構成される。磁気回路走査部29のレールは、走査方向においてターゲット23と略等しい幅を有する。なお、磁気回路走査部29は、走査方向に沿って磁気回路25を移動させることが可能であれば、他の構成として具体化されてもよい。 The
磁気回路走査部29は、走査方向にて、ターゲット23の第1端部23e1と磁気回路25とが重なる第1位置P1と、ターゲット23の第2端部23e2と磁気回路25とが重なる第2位置P2との間で、磁気回路25を走査する。磁気回路走査部29は、カソード装置18がスパッタ粒子SPを放出してIGZO膜の形成を開始するとき、磁気回路25を第1位置P1から第2位置P2に向けて移動させる。磁気回路走査部29は、走査部27がカソードユニット22を開始位置Stから終了位置Enに向けて移動させるとき、例えば、磁気回路25を第1位置P1から第2位置P2に向けて移動させる。すなわち、磁気回路25は、カソードユニット22が開始位置Stから終了位置Enへの移動を開始するとき、第1位置P1から第2位置P2への移動を開始し、カソードユニット22が終了位置Enに到達するとき、第2位置P2に到達する。このように、磁気回路走査部29は、走査方向に沿ってカソードユニット22の移動方向とは逆方向に磁気回路25を移動させる。 The magnetic
走査部27がカソードユニット22を開始位置Stから終了位置Enに向けて走査して、ターゲット23に対向領域R2を1回通過させるとき、磁気回路走査部29は、磁気回路25を第1位置P1から第2位置P2に向けて1回走査することが好ましい。 When the
ターゲット23が対向領域R2を1回通過してIGZO膜を形成するとき、磁気回路25が第1位置P1と第2位置P2との間を複数回行き来すると、ターゲット23の走査方向に対する磁気回路25の走査方向が変わるたびに、ターゲット23に対する磁気回路25の相対速度が変わる。磁気回路25の相対速度が変わると、ターゲット23の表面に形成されるプラズマの状態も変わるため、形成領域R1に向けて放出されるスパッタ粒子SPの数も変わる。結果として、ターゲット23の走査方向において、IGZO膜の厚さにばらつきが生じる。 When the
そのため、走査部27がターゲット23に対向領域R2を1回通過させるとき、磁気回路走査部29が磁気回路25を第1位置P1から第2位置P2に向けて1回走査することにより、走査方向においてIGZO膜の厚さにばらつきが生じることが抑えられる。 Therefore, when the
磁気回路走査部29が走査方向に沿って磁気回路25を移動させるとき、磁気回路25の形成する垂直磁場ゼロ領域も走査方向に沿って移動する。そのため、第1エロージョン領域E1および第2エロージョン領域E2も走査方向に沿ってターゲット23の表面23a上を移動する。また、走査部27が走査方向に沿ってカソードユニット22を対向領域R2にて走査するとき、走査部27は、第1エロージョン領域E1および第2エロージョン領域E2も対向領域R2にて走査する。 When the magnetic
[スパッタチャンバの作用]
次に、スパッタチャンバ13の作用を説明する。以下では、カソードユニット22が開始位置Stから終了位置Enに向けて走査方向に沿って移動する場合の作用を、図4に基づいてスパッタチャンバの作用の一例として説明する。[Operation of sputter chamber]
Next, the operation of the sputtering
カソード装置18がIGZO膜の形成領域R1に向けてスパッタ粒子SPの放出を開始するとき、図4に示すように、カソードユニット22は、開始位置Stに配置される。このとき、走査方向における形成領域R1の2つの端部のうち、スパッタ粒子SPが先に到達する第1端部Re1と、走査方向におけるターゲット23の2つの端部のうち、形成領域R1に近い第1端部23e1との間の距離D1が150mm以上である。そのため、ターゲット23に直流電力が供給されたときにターゲット23から放出されたスパッタ粒子SPのほとんどが、基板Sに到達し難くなる。 When the
また、カソード装置18がIGZO膜の形成領域R1に向けてスパッタ粒子SPの放出を開始するとき、走査方向でのターゲット23の中点23e3(中心位置)が、走査方向における第1端部Re1の外側とされる開始位置Stから加速を開始する。 When the
ここで、直流電力が供給されたときにターゲット23から放出されたスパッタ粒子SPは、直流電力が継続して供給されているときの所定の時刻にターゲット23から放出されたスパッタ粒子SPと比べて、スパッタ粒子SPの有するエネルギーや、酸素の活性種と反応確率等が異なる。そのため、直流電力が供給されたときのスパッタ粒子SPが基板Sに到達すると、それ以降に基板Sに到達したスパッタ粒子SPによって形成された部分とは異なる膜質のIGZO膜が形成されてしまう。結果として、IGZO膜の形成初期の分子層にて、膜の組成にばらつきが生じる。 Here, the sputter particles SP released from the
この点で、ターゲット23の中点23e3(中心位置)が、走査方向における第1端部Re1の外側とされる開始位置Stから加速を開始するため、IGZO膜の形成初期の分子層にて、膜厚が不必要に厚くなることを防止し、膜の組成がばらつくことが抑えられる。
また、形成領域R1の第1端部Re1と、ターゲット23の第1端部23e1との間の距離D1が走査方向にて150mm以上であるため、IGZO膜の形成初期の分子層にて、膜の組成がばらつくことが抑えられる。At this point, the midpoint 23e3 (center position) of the
In addition, since the distance D1 between the first end Re1 of the formation region R1 and the first end 23e1 of the
そして、カソードユニット22が走査方向に沿って移動すると、まず、ターゲット23から放出されるスパッタ粒子SPのうち、第1エロージョン領域E1からカソードユニット22の向かう方向に放出されるスパッタ粒子SPが、基板Sに到達する。
この際、カソードユニット22が走査方向に沿って移動する走査速度は、次のように設定される。When the
At this time, the scanning speed at which the
図5は、本実施形態における走査方向距離と走査速度との関係を示すグラフである。
本実施形態において、カソードユニット22は、図5に示すように、その速度が、ターゲット23の中点23e3(中心位置)が開始位置Stから第1加速位置AP1に到達するまで加速して、第1走査速度V1となるようにする。その後、ターゲット23の中点23e3(中心位置)が第1加速位置AP1から第2加速位置AP2に到達するまで、第1走査速度V1で等速に移動する。そして、ターゲット23の中点23e3(中心位置)が第2加速位置AP2に到達した状態において、第2走査速度V2まで加速する。FIG. 5 is a graph showing the relationship between the scanning direction distance and the scanning speed in the present embodiment.
In the present embodiment, as shown in FIG. 5, the
ターゲット23の中点23e3(中心位置)が第2加速位置AP2から第2減速位置BP2に到達するまで、第2走査速度V2で等速に移動する。 Until the middle point 23e3 (center position) of the
そして、ターゲット23の中点23e3(中心位置)が第2減速位置BP2に到達した状態において、第1走査速度V1まで減速する。その後、ターゲット23の中点23e3(中心位置)が第2減速位置BP2から第1減速位置BP1に到達するまで、第1走査速度V1で等速に移動する。最後に、ターゲット23の中点23e3(中心位置)が第1減速位置BP1から終了位置Enに到達するまで減速して停止し、走査を終了する。 Then, in a state where the midpoint 23e3 (center position) of the
ここで、第1加速位置AP1は、図5に示すように、走査方向における第1端部Re1の外側位置として設定されることができる。 Here, the first acceleration position AP1 can be set as a position outside the first end Re1 in the scanning direction, as shown in FIG.
また、第1走査速度V1は、基板Sの縁部における必要なIGZO膜の膜厚に対して適宜設定されることができる。また、第1走査速度V1は、第2走査速度V2に対して、0.70〜0.95の範囲に設定されることができる。
第1加速位置AP1から第2加速位置AP2まで、カソードユニット22の速度は、第1走査速度V1で等速となるように設定される。また、開始位置Stから第1加速位置AP1まで、カソードユニット22の速度は、等加速となるように設定される。Further, the first scanning speed V1 can be appropriately set with respect to the required thickness of the IGZO film at the edge of the substrate S. Further, the first scanning speed V1 can be set in a range of 0.70 to 0.95 with respect to the second scanning speed V2.
From the first acceleration position AP1 to the second acceleration position AP2, the speed of the
さらに、第2加速位置AP2は、図5に示すように、走査方向における第1端部Re1の外側位置から、走査方向における第1端部Re1の内側位置までの間で設定されることができる。 Further, as shown in FIG. 5, the second acceleration position AP2 can be set from a position outside the first end Re1 in the scanning direction to a position inside the first end Re1 in the scanning direction. .
具体的には、第2加速位置AP2は、開始位置Stにおけるターゲット23の中点23e3(中心位置)から200〜400mmの範囲に設定されることができる。 Specifically, the second acceleration position AP2 can be set in a range of 200 to 400 mm from the middle point 23e3 (center position) of the
つまり、開始位置Stにおけるターゲット23の中点23e3(中心位置)から第2加速位置AP2までの距離は、形成領域R1の第1端部Re1と開始位置Stにおける第1端部Re1に近いターゲット23の第1端部23e1との距離に対する比として、1.3〜2.7(200/150〜400/150)の範囲に設定されることができる。 That is, the distance from the middle point 23e3 (center position) of the
また、第2走査速度V2が大きくなると、成膜される膜厚が小さくなり、第2走査速度V2が小さくなると、成膜されるIGZO膜の膜厚が大きくなる。したがって、第2走査速度V2は、基板Sにおける必要なIGZO膜における膜厚に対して適宜設定されることができる。
第2加速位置AP2から第2減速位置BP2まで、カソードユニット22の速度は、第2走査速度V2で等速となるように設定される。Also, when the second scanning speed V2 increases, the film thickness to be formed decreases, and when the second scanning speed V2 decreases, the film thickness of the IGZO film increases. Therefore, the second scanning speed V2 can be appropriately set with respect to the required film thickness of the IGZO film on the substrate S.
From the second acceleration position AP2 to the second deceleration position BP2, the speed of the
第2減速位置BP2は、図5に示すように、走査方向における第2端部Re2の外側位置から、走査方向における第2端部Re2の内側位置までの間で設定されることができる。
また、第2減速位置BP2は、第2加速位置AP2に対して、走査方向において基板Sの中心に対称な位置として設定されることができる。As shown in FIG. 5, the second deceleration position BP2 can be set from a position outside the second end Re2 in the scanning direction to a position inside the second end Re2 in the scanning direction.
Further, the second deceleration position BP2 can be set as a position symmetric with respect to the center of the substrate S in the scanning direction with respect to the second acceleration position AP2.
ここで、第1減速位置BP1は、図5に示すように、走査方向における第2端部Re2の外側位置として設定されることができる。第1減速位置BP1は、第1加速位置AP1に対して、走査方向において基板Sの中心に対称な位置として設定されることができる。
第2減速位置BP2から第1減速位置BP1まで、カソードユニット22の速度は、第1走査速度V1で等速となるように設定される。Here, as shown in FIG. 5, the first deceleration position BP1 can be set as a position outside the second end Re2 in the scanning direction. The first deceleration position BP1 can be set as a position symmetrical to the center of the substrate S in the scanning direction with respect to the first acceleration position AP1.
From the second deceleration position BP2 to the first deceleration position BP1, the speed of the
なお、開始位置Stと終了位置Enとは、走査方向において基板Sの中心に対称な位置として設定されることができる。
第1減速位置BP1から終了位置Enまで、カソードユニット22の速度は、等減速(等加速度)となるように設定される。Note that the start position St and the end position En can be set as positions symmetric with respect to the center of the substrate S in the scanning direction.
From the first deceleration position BP1 to the end position En, the speed of the
このように、第1加速位置AP1と第2加速位置AP2との距離を設定することにより、基板Sの縁部において、IGZO膜の膜厚が大きくなってしまうことを防止できる。同時に、第1走査速度V1と第2走査速度V2との比を設定することにより、基板Sの中央において、IGZO膜の膜厚が変動することを防止できる。 As described above, by setting the distance between the first acceleration position AP1 and the second acceleration position AP2, it is possible to prevent the IGZO film from increasing in thickness at the edge of the substrate S. At the same time, by setting the ratio between the first scanning speed V1 and the second scanning speed V2, it is possible to prevent the thickness of the IGZO film from changing at the center of the substrate S.
垂直磁場ゼロ領域である各エロージョン領域から放出されたスパッタ粒子SPの飛行経路Fに沿った平面と、仮想平面Pid、すなわち、基板Sの表面Saとが形成する角度が、スパッタ粒子の入射角度θである。 The angle formed by the plane formed along the flight path F of the sputtered particles SP emitted from each erosion region, which is the region of zero vertical magnetic field, and the virtual plane Pid, that is, the surface Sa of the substrate S is the incident angle θ of the sputtered particles. It is.
各遮蔽板28a,28bは、各エロージョン領域E1,E2から放出された複数のスパッタ粒子SPのうち、入射角度θが所定の範囲に含まれるスパッタ粒子SPを形成領域R1である基板Sの表面Saに到達させない。なお、第1遮蔽板28aと第2遮蔽板28bとは、走査方向にて配置される位置が相互に異なるものの、基板Sに到達するスパッタ粒子SPの制限に関わる構成は共通する。そのため、以下では、第1遮蔽板28aを詳しく説明し、第2遮蔽板28bの説明を省略する。 Each of the
磁気回路25が第1位置P1に配置されるとき、走査方向における第1エロージョン領域E1と第1遮蔽板28aとの間の距離が、最も小さくなる。そのため、第1エロージョン領域E1からカソードユニット22の向かう方向に放出される複数のスパッタ粒子SPのうち、第1遮蔽板28aに衝突するスパッタ粒子SPの入射角度θ1の範囲が最も大きくなる。第1遮蔽板28aは、第1エロージョン領域E1からカソードユニット22の向かう方向に放出される複数のスパッタ粒子SPのうち、入射角度θ1が例えば60°以下であるスパッタ粒子SPを基板Sに到達させない。 When the
一方、磁気回路25が第2位置P2に配置されるとき、走査方向における第1エロージョン領域E1と第1遮蔽板28aとの間の距離が、最も大きくなる。そのため、第1エロージョン領域E1からカソードユニット22の向かう方向に放出される複数のスパッタ粒子SPのうち、第1遮蔽板28aに衝突するスパッタ粒子SPの入射角度θ2の範囲が最も小さくなる。第1遮蔽板28aは、第1エロージョン領域E1からカソードユニット22の向かう方向に放出される複数のスパッタ粒子SPのうち、入射角度θ2が30°以下であるスパッタ粒子SPを基板Sに到達させない。 On the other hand, when the
すなわち、第1遮蔽板28aは、第1エロージョン領域E1からカソードユニット22の向かう方向に放出されるスパッタ粒子SPのうち、走査方向における磁気回路25の位置に関わらず、入射角度θが30°以下であるスパッタ粒子SPを基板Sに到達させない。 That is, the
ここで、第1エロージョン領域E1から放出されるスパッタ粒子SPのうち、カソードユニット22の向かう方向に放出される複数のスパッタ粒子SPは、第1エロージョン領域E1と隣り合う第2エロージョン領域E2に向けて飛行しない。そのため、飛行経路Fが、他のエロージョン領域からスパッタ粒子の飛行する空間に向けて高さ方向に沿って延びるB⊥0の領域を通らない。それゆえに、スパッタ粒子SPがプラズマに含まれる酸素の活性種と反応する確率が小さくなり、このスパッタ粒子SPで構成されたIGZO膜にて単位厚さや単位面積あたりの酸素の密度が小さくなる。これにより、IGZO膜の面内において膜の組成にばらつきが生じる。 Here, among the sputtered particles SP emitted from the first erosion region E1, a plurality of sputtered particles SP emitted in the direction toward the
一方、スパッタ粒子SPの入射角度θが小さいほど、プラズマ密度の高い領域であるB⊥0の領域を超えてから、スパッタ粒子SPが基板Sに到達するまでの飛行距離が大きくなる。そのため、スパッタ粒子SPが、プラズマ密度の高い領域であるB⊥0の領域を超えた空間にて、スパッタガス等の活性種以外の粒子と衝突する回数が多くなる。これにより、IGZO膜を構成するスパッタ粒子SPのエネルギーにばらつきが生じるため、形成されたIGZO膜にて膜密度にばらつきが生じる。結果として、入射角度θの小さいスパッタ粒子SPがIGZO膜に含まれるほど、化合物膜の膜特性にばらつきが生じる。 On the other hand, the smaller the incident angle θ of the sputtered particles SP, the longer the flight distance from when the sputtered particles SP reach the substrate S after exceeding the region of B⊥0 where the plasma density is high. Therefore, the number of times that the sputtered particles SP collide with particles other than active species such as sputter gas in a space beyond the region of B⊥0, which is a region having a high plasma density, increases. As a result, the energy of the sputtered particles SP constituting the IGZO film varies, so that the film density of the formed IGZO film varies. As a result, the more the sputtered particles SP having a smaller incident angle θ are included in the IGZO film, the more the film characteristics of the compound film vary.
この点で、第1遮蔽板28aは、入射角度θが30°以下であるスパッタ粒子SPを基板Sに到達させないため、酸素の含まれる量や膜密度が小さいIGZO膜が形成され難くなる。結果として、IGZO膜の単位厚さや単位面積での組成や膜密度のばらつきが抑えられる。 At this point, since the
一方、第2遮蔽板28bは、終了位置Enから開始位置Stに向けてカソードユニット22が走査方向に沿って移動するとき、第2エロージョン領域E2からカソードユニット22の向かう方向に放出される複数のスパッタ粒子SPのうち、入射角度θが30°以下であるスパッタ粒子SPを基板Sに到達させない。そのため、IGZO膜の単位厚さや単位面積での組成や膜密度のばらつきが抑えられる。 On the other hand, when the
カソードユニット22が開始位置Stに配置され、図4に示されるように、カソード装置18がIGZO膜の形成領域R1に向けてスパッタ粒子SPの放出を開始するとき、磁気回路25は第1位置P1に配置される。このとき、走査方向における形成領域R1の2つの端部のうち、スパッタ粒子SPが先に到達する第1端部Re1と、走査方向におけるターゲット23の2つの端部のうち、形成領域R1に近い第1端部23e1との間の距離D1が150mm以上である。そのため、ターゲット23に直流電力が供給されたときにターゲット23から放出されたスパッタ粒子SPのほとんどが、スパッタ粒子SPの入射角度θに関わらず基板Sに到達し難くなる。 When the
カソードユニット22が走査方向に沿って移動すると、まず、ターゲット23から放出され基板Sに到達するスパッタ粒子SPは、第1遮蔽板28aによって入射角度θが30°よりも大きいスパッタ粒子SPに限られる。 When the
しかも、第1エロージョン領域E1は、第2エロージョン領域E2と比べて形成領域R1からの距離が小さいため、基板Sの各部分に最初に到達するスパッタ粒子SPは、第1エロージョン領域E1から放出されたスパッタ粒子SPである確率が高い。そのため、IGZO膜の初期層は、第1エロージョン領域E1からカソードユニット22の向かう方向に放出され、かつ、入射角度θが30°よりも大きいスパッタ粒子SPである確率が高い。それゆえに、IGZO膜の初期層にて膜の組成がばらつくことが抑えられる。 Moreover, since the first erosion region E1 has a smaller distance from the formation region R1 than the second erosion region E2, the sputtered particles SP that first reach each part of the substrate S are emitted from the first erosion region E1. The probability of being sputtered particles SP is high. Therefore, the initial layer of the IGZO film is likely to be sputtered particles SP emitted from the first erosion region E1 in the direction toward the
また、IGZO膜の形成が開始されるとき、磁気回路走査部29が、磁気回路25を第1位置P1に配置する。そのため、磁気回路25が第1位置P1と第2位置P2との間の他の位置に配置される場合と比べて、磁気回路25の形成する第1エロージョン領域E1と、第1遮蔽板28aとの間の走査方向における距離が最も小さくなる。それゆえに、第1遮蔽板28aに衝突するスパッタ粒子SPの入射角度θの範囲が最も大きくなり、形成領域R1の第1端部Re1の近傍には、磁気回路25が他の位置に配置される場合と比べて、入射角度θがより大きいスパッタ粒子SPが到達する。結果として、IGZO膜における組成のばらつきがより抑えられる。 When the formation of the IGZO film is started, the magnetic
図6に示されるように、カソードユニット22が、形成領域R1と対向する対向領域R2を走査されるとき、第1エロージョン領域E1からカソードユニット22の向かう方向に放出されたスパッタ粒子SPのうち、入射角度θが30°以下であるスパッタ粒子SPは、基板Sに到達しない。加えて、第2エロージョン領域E2からカソードユニット22の向かう方向とは反対の方向に放出されたスパッタ粒子SPのうち、入射角度が30°以下であるスパッタ粒子SPも、第2遮蔽板28bのために基板Sに到達しない。 As shown in FIG. 6, when the
これにより、第1エロージョン領域E1から放出されて、最初に基板Sに到達するスパッタ粒子SPに続いて基板Sに到達するスパッタ粒子SPも、入射角度θが30°よりも大きいスパッタ粒子SPに限られる。結果として、IGZO膜が、入射角度θの制限されたスパッタ粒子SPのみによって形成されるため、IGZO膜の厚さ方向の全体で、単位厚さや単位面積での組成のばらつきが抑えられる。 As a result, the sputtered particles SP released from the first erosion region E1 and reaching the substrate S first after reaching the substrate S are also limited to the sputtered particles SP having the incident angle θ larger than 30 °. Can be As a result, since the IGZO film is formed only by the sputtered particles SP having the limited incident angle θ, the variation in the composition in the unit thickness or unit area in the thickness direction of the IGZO film is suppressed.
図7に示されるように、カソードユニット22が終了位置Enに配置されるとき、走査方向における形成領域R1の2つの端部のうち、スパッタ粒子SPが後に到達する第2端部Re2と、ターゲット23の第2端部23e2との間の距離D1が走査方向にて150mm以上である。そのため、カソードユニット22が終了位置Enから開始位置Stに向けて走査されるとき、ターゲット23から放出されるスパッタ粒子SPのほとんどが基板Sに到達しない状態から、カソードユニット22の走査が開始される。それゆえに、形成領域R1の第2端部23e2に到達するスパッタ粒子SPが、形成領域R1における他の部位と異なることが抑えられる。結果として、IGZO膜の組成が走査方向にてばらつくことが抑えられる。 As shown in FIG. 7, when the
また、カソードユニット22が終了位置Enに配置された状態で、ターゲット23への直流電力の供給が停止され、そして、カソードユニット22が終了位置に配置された状態で、直流電力の供給が再開されても、基板Sには、直流電力が再開されたときのスパッタ粒子SPがほとんど到達しない。そのため、IGZO膜の組成が単位厚さや単位面積でばらつくことが抑えられる。 Further, the supply of the DC power to the
本実施形態においては、形成領域R1の第1端部Re1と、ターゲット23の第1端部23e1との間の距離D1が走査方向にて150mm以上であるため、IGZO膜の形成初期の分子層にて、膜の組成がばらつくことが抑えられる。結果として、IGZO膜とIGZO膜以外の他の部材との境界にてIGZO膜の特性がばらつくことが抑えられる。 In the present embodiment, since the distance D1 between the first end Re1 of the formation region R1 and the first end 23e1 of the
第1遮蔽板28aは、開始位置Stから終了位置Enに向けてカソードユニット22が走査されるとき、第1エロージョン領域E1からカソードユニット22の向かう方向に放出されるスパッタ粒子SPのうち、入射角度θが30°以下であるスパッタ粒子SPを基板Sに到達させない。そのため、形成領域R1に最初に到達するスパッタ粒子SPは入射角度θが30°よりも大きいスパッタ粒子SPに限られるため、IGZO膜の形成初期における単位厚さや単位面積での組成のばらつきが抑えられる。 When the
第2遮蔽板28bは、第2エロージョン領域E2からカソードユニット22の向かう方向とは反対の方向に放出されたスパッタ粒子SPのうち、入射角度が30°以下であるスパッタ粒子SPを基板Sに到達させない。そのため、第1エロージョン領域E1から放出されて、最初に基板Sに到達するスパッタ粒子SPに続いて基板Sに到達するスパッタ粒子SPも、入射角度θが30°よりも大きいスパッタ粒子SPに限られる。結果として、IGZO膜が、入射角度θの制限されたスパッタ粒子SPのみによって形成されるため、IGZO膜の厚さ方向の全体で、単位厚さや単位面積での組成のばらつきが抑えられる。 The
IGZO膜の形成が開始されるとき、磁気回路走査部29が、磁気回路25を第1位置P1に配置する。そのため、磁気回路25が第1位置P1と第2位置P2との間の他の位置に配置される場合と比べて、磁気回路25の形成する第1エロージョン領域E1と、第1遮蔽板28aとの間の走査方向における距離が最も小さくなる。それゆえに、第1遮蔽板28aに衝突するスパッタ粒子SPの入射角度θの範囲が最も大きくなり、形成領域R1の第1端部Re1の近傍には、磁気回路25が他の位置に配置される場合と比べて、入射角度θのより大きいスパッタ粒子SPが到達する。結果として、IGZO膜における組成のばらつきがより抑えられる。 When the formation of the IGZO film is started, the magnetic
ターゲット23が対向領域R2を1回通過するとき、磁気回路25が第1位置P1から第2位置P2に向けて1回走査されることで、ターゲット23に対する磁気回路の相対速度が変わらない。そのため、ターゲット23の走査方向において、化合物膜の厚さにばらつきが生じることが抑えられる。 When the
本実施形態においては、距離D1と距離D2、第1減速位置BP1と第1加速位置AP1、第2減速位置BP2と第2加速位置AP2、開始位置Stと終了位置Enが、いずれも走査方向において基板Sの中心に対して対称に配置される構成を例示したが、基板Sにおける膜厚等の膜特性にしたがって、これらを非対称に設定することもできる。あるいは、距離D1と距離D2、第1減速位置BP1と第1加速位置AP1、第2減速位置BP2と第2加速位置AP2、開始位置Stと終了位置Enの関係のうち、選択された関係のみが対称となるように設定し、それ以外を非対称に設定することもできる。
具体的には、第1加速位置APと第2加速位置AP2との距離を10とし、第2減速位置BP2と第1減速位置BP1との距離を8として、その比率を設定することなどが例示できる。In the present embodiment, the distance D1 and the distance D2, the first deceleration position BP1 and the first acceleration position AP1, the second deceleration position BP2 and the second acceleration position AP2, the start position St and the end position En are all in the scanning direction. Although the configuration symmetrically arranged with respect to the center of the substrate S has been illustrated, these may be set asymmetrically according to film characteristics such as the film thickness of the substrate S. Alternatively, only the selected relationship among the relationship between the distance D1 and the distance D2, the relationship between the first deceleration position BP1 and the first acceleration position AP1, the relationship between the second deceleration position BP2 and the second acceleration position AP2, and the start position St and the end position En is described. It can be set to be symmetrical, and the rest can be set to be asymmetrical.
Specifically, the distance between the first acceleration position AP and the second acceleration position AP2 is set to 10, the distance between the second deceleration position BP2 and the first deceleration position BP1 is set to 8, and the ratio is set. it can.
以下、本発明の第2実施形態に係るスパッタリング方法を、図面に基づいて説明する。
図8は、本実施形態におけるカソードユニットの構成を模式的に示す構成図である。本実施形態は、ターゲットの個数に関する点で、上述した第1実施形態と異なる。これ以外の上述した第1実施形態と対応する構成には同一の符号を付してその説明を省略する。Hereinafter, a sputtering method according to a second embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings.
FIG. 8 is a configuration diagram schematically showing the configuration of the cathode unit in the present embodiment. This embodiment is different from the above-described first embodiment in the number of targets. The other components corresponding to those of the above-described first embodiment are denoted by the same reference numerals, and description thereof is omitted.
[カソードユニット22の構成]
本実施形態において、カソードユニット22は、図8に示すように、第1カソード22Aと第2カソード22Bとを有している。第1カソード22Aと第2カソード22Bとの各々は、ターゲット23、バッキングプレート24、磁気回路25、および、磁気回路走査部29を備えている。第1カソード22Aと第2カソード22Bとでは、各ユニットの有するターゲット23が、走査方向に沿って並べられ、2つのターゲット23の表面23aの各々は、仮想平面Pidと平行な同一の平面に含まれる。
カソードユニット22が開始位置Stに配置されるとき、第1カソード22Aは、第2カソード22Bよりも走査方向にて形成領域R1に近い。また、第1カソード22Aと第2カソード22Bとでは、各バッキングプレート24が、1つの交流電源26Aに対して並列に接続している。
ターゲット23の中点23e3(中心位置)が第1カソード22Aと第2カソード22Bとの間に設定される。[Configuration of Cathode Unit 22]
In the present embodiment, as shown in FIG. 8, the
When the
A midpoint 23e3 (center position) of the
カソードユニット22は、カソードユニット22を走査方向に移動させる走査部27を備え、走査部27は、第1カソード22Aと第2カソード22Bとが連結された状態で、カソードユニット22を走査方向に沿って移動させる。 The
この際、カソードユニット22は、図5に示す第1実施形態と同様に、その速度が、ターゲット23の中点23e3(中心位置)が開始位置Stから第1加速位置AP1に到達するまで加速して、第1走査速度V1となるようにする。その後、ターゲット23の中点23e3(中心位置)が第1加速位置AP1から第2加速位置AP2に到達するまで、第1走査速度V1で等速に移動する。そして、ターゲット23の中点23e3(中心位置)が第2加速位置AP2に到達した状態において、第2走査速度V2まで加速する。 At this time, as in the first embodiment shown in FIG. 5, the
ターゲット23の中点23e3(中心位置)が第2加速位置AP2から第2減速位置BP2に到達するまで、第2走査速度V2で等速に移動する。 Until the middle point 23e3 (center position) of the
そして、ターゲット23の中点23e3(中心位置)が第2加速位置AP2に到達した状態において、第1走査速度V1まで減速する。その後、ターゲット23の中点23e3(中心位置)が第2減速位置BP2から第1減速位置BP1に到達するまで、第1走査速度V1で等速に移動する。最後に、ターゲット23の中点23e3(中心位置)が第1減速位置BP1から終了位置Enに到達するまで減速して停止し、走査を終了する。 Then, in a state where the middle point 23e3 (center position) of the
カソードユニット22は、第1遮蔽板28aと第2遮蔽板28bとを備え、第1遮蔽板28aは、カソードユニット22が開始位置Stに配置された状態で、形成領域R1の第1端部Re1と、第1カソード22Aの有するターゲット23の第1端部23e1との間に配置される。一方、第2遮蔽板28bは、カソードユニット22が開始位置Stに配置された状態で、第2カソード22Bの有するターゲット23の第2端部23e2よりも形成領域R1の第1端部Re1から離れた位置に配置される。 The
各遮蔽板28a,28bは、第1カソード22Aおよび第2カソード22Bの各エロージョン領域E1,E2から放出された複数のスパッタ粒子SPのうち、入射角度θが所定の範囲に含まれるスパッタ粒子SPを基板Sに到達させない。なお、第1遮蔽板28aと第2遮蔽板28bとは、走査方向にて配置される位置が相互に異なるものの、基板Sに到達するスパッタ粒子SPの制限に関わる構成は共通する。そのため、以下では、第2遮蔽板28bを詳しく説明し、第1遮蔽板28aの説明を省略する。 Each of the
磁気回路25が第1位置P1に配置されるとき、走査方向における第1カソード22Aの第1エロージョン領域E1と第2遮蔽板28bとの間の距離が、最も大きくなる。そのため、第1カソード22Aの第1エロージョン領域E1からカソードユニット22の向かう方向とは反対の方向に放出される複数のスパッタ粒子SPのうち、第2遮蔽板28bに衝突するスパッタ粒子SPの入射角度θ3の範囲が最も小さくなる。第2遮蔽板28bは、第1カソード22Aの第1エロージョン領域E1からカソードユニット22の向かう方向とは反対の方向に放出される複数のスパッタ粒子SPのうち、入射角度θ3が9°以下であるスパッタ粒子SPを基板Sに到達させない。 When the
ここで、第1エロージョン領域E1から放出されるスパッタ粒子SPのうち、カソードユニット22の向かう方向とは反対の方向に放出される複数のスパッタ粒子SPは、第1カソード22Aの第2エロージョン領域E2、および、第2カソード22Bの各エロージョン領域に向けて飛行する。そのため、第1エロージョン領域E1から放出された複数のスパッタ粒子SPの飛行経路Fは、基板Sに到達するまでにプラズマ密度の高い領域を通る。しかしながら、入射角度θ3が9°以下であるスパッタ粒子SPでは、入射角度θがより大きいスパッタ粒子SPと比べて、他のエロージョン領域から高さ方向に沿って延びるB⊥0の領域を超えてから、基板Sに到達するまでの飛行距離が長くなる。そのため、プラズマ密度の高い領域であるB⊥0の領域を超えた空間にて、スパッタ粒子SPがスパッタガス等の活性種以外の粒子との衝突する回数が大きくなる。それゆえに、スパッタ粒子SPの有するエネルギーが小さくなり、入射角度θの小さいスパッタ粒子SPによって形成されたIGZO膜では、膜密度が小さくなる。結果として、IGZO膜の膜密度が理論密度から離れるため、IGZO膜の膜特性が低くなる。 Here, among the sputtered particles SP emitted from the first erosion region E1, the plurality of sputtered particles SP emitted in the direction opposite to the direction toward the
なお、第2遮蔽板28bは、第2カソード22Bの磁気回路25が第1位置P1に配置されるとき、第1実施形態における第2遮蔽板28bと同様、第2カソード22Bの第2エロージョン領域E2から放出される複数のスパッタ粒子SPの一部を基板Sに到達させない。すなわち、第2遮蔽板28bは、第2カソード22Bの第2エロージョン領域E2からカソードユニット22の向かう方向とは反対の方向に放出されるスパッタ粒子SPのうち、入射角度θ2が30°以下であるスパッタ粒子SPを基板Sに到達させない。そのため、IGZO膜の単位厚さや単位面積での組成のばらつきが抑えられる。 When the
一方、2つの磁気回路25の各々が第2位置P2に配置されるとき、走査方向における第2カソード22Bの第2エロージョン領域E2と第1遮蔽板28aとの間の距離が、最も大きくなる。そのため、第2カソード22Bの第2エロージョン領域E2からカソードユニット22の向かう方向に放出される複数のスパッタ粒子のうち、第1遮蔽板28aに衝突するスパッタ粒子SPの入射角度θ3の範囲が最も小さくなる。すなわち、第1遮蔽板28aは、第2遮蔽板28bと同様、第2カソード22Bの第2エロージョン領域E2からカソードユニット22の向かう方向に放出される複数のスパッタ粒子のうち、入射角度θ3が9°以下であるスパッタ粒子を基板Sに到達させない。 On the other hand, when each of the two
また、第1遮蔽板28aは、第1カソード22Aの磁気回路25が第2位置P2に配置されるとき、第1実施形態における第1遮蔽板28aと同様、第1カソード22Aの第1エロージョン領域E1から放出される複数のスパッタ粒子SPの一部を基板Sに到達させない。すなわち、第1遮蔽板28aは、第1カソード22Aの第1エロージョン領域E1からカソードユニット22の向かう方向に放出されるスパッタ粒子SPのうち、入射角度θ2が30°以下であるスパッタ粒子SPを基板Sに到達させない。 Further, when the
本実施形態においても、第1加速位置AP1と第2加速位置AP2との距離を設定することにより、基板Sの縁部において、IGZO膜の膜厚が大きくなってしまうことを防止できる。同時に、第1走査速度V1と第2走査速度V2との比を設定することにより、基板Sの中央において、IGZO膜の膜厚が変動することを防止できる。 Also in the present embodiment, by setting the distance between the first acceleration position AP1 and the second acceleration position AP2, it is possible to prevent the IGZO film from increasing in thickness at the edge of the substrate S. At the same time, by setting the ratio between the first scanning speed V1 and the second scanning speed V2, it is possible to prevent the thickness of the IGZO film from changing at the center of the substrate S.
第1遮蔽板28aおよび第2遮蔽板28bが、入射角度が9°以下であるスパッタ粒子を形成領域に到達させないため、IGZO膜の膜密度が小さくなることが抑えられる。 Since the
以下、本発明の第3実施形態に係るスパッタリング方法を、図面に基づいて説明する。
図9は、本実施形態におけるスパッタチャンバの構成を模式的に示す構成図である。図10は、本実施形態におけるスパッタリングの作用を説明するための図である。図11は、本実施形態におけるスパッタリングの作用を説明するための図である。
本実施形態は、スパッタチャンバ13の備えるカソードユニットの個数に関する点で、上述した第1および第2実施形態と異なる。これ以外の上述した第1および第2実施形態と対応する構成要素に関しては、同一の符号を付してその説明を省略する。Hereinafter, a sputtering method according to a third embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings.
FIG. 9 is a configuration diagram schematically showing the configuration of the sputtering chamber in the present embodiment. FIG. 10 is a diagram for explaining the operation of sputtering in the present embodiment. FIG. 11 is a diagram for explaining the operation of sputtering in the present embodiment.
This embodiment is different from the first and second embodiments in that the number of cathode units provided in the sputtering
[スパッタチャンバ13の構成]
本実施形態においては、カソード装置18が、第1ユニット31と第2ユニット32とを備えている。第1ユニット31および第2ユニット32は、開始位置Stに配置された状態で、走査方向にて形成領域R1の第1端部Re1に近い位置からこの順に並んでいる。
第1ユニット31および第2ユニット32の各々は、ターゲット23、バッキングプレート24、磁気回路25、直流電源26D、第1遮蔽板28a、および、第2遮蔽板28bを備え、2つのカソードユニットでは、ターゲット23が、走査方向に沿って並んでいる。第1ユニット31および第2ユニット32は、1つの走査部27によって、走査方向に沿って対向領域R2を個別に走査される。なお、第1ユニット31および第2ユニット32の各々は、第1実施形態のカソードユニット22と同様、磁気回路走査部29も備えている。[Configuration of Sputter Chamber 13]
In the present embodiment, the
Each of the
第1ユニット31と第2ユニット32とでは、各々が有するターゲット23の形成材料にて主たる成分が相互に異なる。第1ユニット31は、例えば、主たる成分が酸化シリコンであるターゲット23を有し、第2ユニット32は、例えば、主たる成分が酸化ニオブであるターゲット23を有している。なお、各ターゲット23では、例えば、形成材料のうちの95質量%が酸化シリコンあるいは酸化ニオブであり、好ましくは99質量%以上が酸化シリコンもしくは酸化ニオブである。 The main components of the
第1ユニット31および第2ユニット32が開始位置Stに配置されるとき、形成領域R1の第1端部Re1と、第1ユニット31が有するターゲット23の第1端部23e1との間の距離は、150mm以上である。
また、第1ユニット31および第2ユニット32において、ターゲット23の中点23e3(中心位置)がそれぞれ設定されている。When the
In the
ここでは、形成領域R1である基板Sの表面Saに酸化シリコン膜と酸化ニオブ膜との積層膜が形成される場合を、スパッタチャンバ13の作用の一例として説明する。 Here, a case where a stacked film of a silicon oxide film and a niobium oxide film is formed on the surface Sa of the substrate S, which is the formation region R1, will be described as an example of the operation of the sputtering
図9に示されるように、カソード装置18が積層膜の形成を開始するとき、開始位置Stに配置された第1ユニット31が、スパッタ粒子SPの放出を開始する。このとき、走査方向における形成領域R1の第1端部Re1と、ターゲット23の第1端部23e1との間の距離D1が150mm以上である。そのため、ターゲット23に直流電力が供給されたとき、ターゲット23から放出されたスパッタ粒子SPのほとんどが、スパッタ粒子SPの入射角度θに関わらず基板Sに到達し難くなる。それゆえに、酸化シリコン膜の形成初期の分子層にて、膜の組成がばらつくことが抑えられる。 As shown in FIG. 9, when the
図10に示されるように、第1ユニット31が走査方向に沿って移動することにより、第1ユニット31のエロージョン領域が、形成領域R1と対向する対向領域R2を走査方向に沿って走査される。 As shown in FIG. 10, when the
この際、第1ユニット31は、図5に示す第1実施形態と同様に、その速度が、ターゲット23の中点23e3(中心位置)が開始位置Stから第1加速位置AP1に到達するまで加速して、第1走査速度V1となるようにする。その後、ターゲット23の中点23e3(中心位置)が第1加速位置AP1から第2加速位置AP2に到達するまで、第1走査速度V1で等速に移動する。そして、ターゲット23の中点23e3(中心位置)が第2加速位置AP2に到達した状態において、第2走査速度V2まで加速する。 At this time, similarly to the first embodiment shown in FIG. 5, the
ターゲット23の中点23e3(中心位置)が第2加速位置AP2から第2減速位置BP2に到達するまで、第2走査速度V2で等速に移動する。 Until the middle point 23e3 (center position) of the
そして、ターゲット23の中点23e3(中心位置)が第2加速位置AP2に到達した状態において、第1走査速度V1まで減速する。その後、ターゲット23の中点23e3(中心位置)が第2減速位置BP2から第1減速位置BP1に到達するまで、第1走査速度V1で等速に移動する。最後に、ターゲット23の中点23e3(中心位置)が第1減速位置BP1から終了位置Enに到達するまで減速して停止し、走査を終了する。 Then, in a state where the middle point 23e3 (center position) of the
この際、基板Sに到達するスパッタ粒子SPは、第1遮蔽板28aおよび第2遮蔽板28bによって、入射角度θが30°よりも大きいスパッタ粒子SPに限られる。そのため、酸化シリコン膜の初期層にて、膜の組成がばらつきことが抑えられる。 At this time, the sputtered particles SP reaching the substrate S are limited to the sputtered particles SP whose incident angle θ is larger than 30 ° by the
図11に示されるように、第1ユニット31が走査方向に沿って移動して終了位置Enに到達すると、開始位置Stに配置された第2ユニット32が、スパッタ粒子SPの放出を開始する。第1ユニット31が終了位置Enに配置されるとき、第1ユニット31が有するターゲット23の第2端部23e2と、形成領域R1の第2端部Re2との間の距離D1は、150mm以上である。なお、走査部27が、第1ユニット31を開始位置Stから終了位置Enに向けて走査する間にわたって、走査部27は、第2ユニット32を走査しない。 As shown in FIG. 11, when the
第2ユニット32が、開始位置Stから終了位置Enに向けて走査方向に沿って移動する。これにより、第2ユニット32のエロージョン領域が、形成領域R1と対向する対向領域R2を走査方向に沿って走査される。 The
この際、第2ユニット32は、図5に示す第1実施形態と同様に、その速度が、ターゲット23の中点23e3(中心位置)が開始位置Stから第1加速位置AP1に到達するまで加速して、第1走査速度V1となるようにする。その後、ターゲット23の中点23e3(中心位置)が第1加速位置AP1から第2加速位置AP2に到達するまで、第1走査速度V1で等速に移動する。そして、ターゲット23の中点23e3(中心位置)が第2加速位置AP2に到達した状態において、第2走査速度V2まで加速する。 At this time, as in the first embodiment shown in FIG. 5, the
ターゲット23の中点23e3(中心位置)が第2加速位置AP2から第2減速位置BP2に到達するまで、第2走査速度V2で等速に移動する。 Until the middle point 23e3 (center position) of the
そして、ターゲット23の中点23e3(中心位置)が第2加速位置AP2に到達した状態において、第1走査速度V1まで減速する。その後、ターゲット23の中点23e3(中心位置)が第2減速位置BP2から第1減速位置BP1に到達するまで、第1走査速度V1で等速に移動する。最後に、ターゲット23の中点23e3(中心位置)が第1減速位置BP1から終了位置Enに到達するまで減速して停止し、走査を終了する。 Then, in a state where the middle point 23e3 (center position) of the
この際、第1ユニット31と同様、基板Sに到達するスパッタ粒子SPは、第1遮蔽板28aおよび第2遮蔽板28bによって、入射角度θが30°よりも大きいスパッタ粒子SPに限られる。そのため、酸化ニオブ膜の初期層にて、膜の組成がばらつくことが抑えられる。なお、第2ユニット32が終了位置Enに配置されるとき、第2ユニット32が有するターゲット23の第2端部23e2と、形成領域R1の第2端部Re2との間の距離D1は、150mm以上である。また、走査部27が、第2ユニット32を開始位置Stから終了位置Enに向けて走査する間にわたって、走査部27は、第1ユニット31を走査しない。 At this time, similarly to the
本実施形態によれば、上述した第1および第2実施形態と同様の効果を奏することができるとともに、酸化シリコン膜と酸化ニオブ膜とから構成される積層膜において、酸化シリコン膜における基板Sとの境界の組成がばらつくことが抑えられ、酸化ニオブ膜における酸化シリコン膜との境界の組成がばらつくことが抑えられる。 According to the present embodiment, the same effects as those of the above-described first and second embodiments can be obtained, and in the laminated film including the silicon oxide film and the niobium oxide film, And the composition of the boundary between the niobium oxide film and the silicon oxide film is suppressed.
なお、上述した各実施形態は、以下のように適宜変更して実施することもできる。 Each of the above-described embodiments can be appropriately modified and implemented as described below.
第1実施形態および第2実施形態では、ターゲット23の形成材料における主たる成分が、IGZO以外の酸化物半導体、例えば、酸化亜鉛、酸化ニッケル、酸化スズ、酸化チタン、酸化バナジウム、酸化インジウム、および、チタン酸ストロンチウム等であってもよい。 In the first embodiment and the second embodiment, the main components in the material forming the
第1実施形態および第2実施形態では、ターゲット23の形成材料における主たる成分が、IGZO以外であってもよく、インジウムを含むIGZO以外の酸化物半導体、例えば、酸化インジウム亜鉛スズ(IZTO)、酸化インジウム亜鉛アンチモン(IZAO)、酸化インジウムスズ亜鉛(ITZO)、酸化インジウム亜鉛(IZO)、及び、酸化インジウムアンチモン(IAO)等が用いられてもよい。 In the first embodiment and the second embodiment, the main component in the material for forming the
ターゲット23の形成材料における主たる成分は、IGZOに限らず、例えば、酸化インジウムスズ(ITO)、及び、酸化アルミニウム等の無機酸化物であってもよい。 The main component in the material for forming the
ターゲット23の形成材料における主たる成分は、金属、金属化合物、及び、半導体等であってもよい。ターゲット23の形成材料における主たる成分に単体の金属や半導体が用いられる場合には、ターゲット23から放出されたスパッタ粒子SPと、反応ガスから生成されたプラズマとの反応によって、酸化物膜や窒化物膜等の化合物膜の形成が可能である。 A main component in the material for forming the
第3実施形態のスパッタ装置が備えるスパッタチャンバ13は、形成領域R1へのスパッタ粒子SPの放出が開始されるとき、第1ユニット31と第2ユニット32との両方が開始位置Stに配置される構成でなくともよい。 In the sputtering
図12に示されるように、第1ユニット31が開始位置Stに配置され、第2ユニット32が終了位置Enに配置される構成でもよい。こうした構成では、第1ユニット31が開始位置Stに配置されるとき、第1ユニット31のターゲット23の第1端部23e1と、形成領域R1の第1端部Re1との間の走査方向における距離D1が、150mm以上であることが好ましい。一方、第2ユニット32が終了位置Enに配置されるとき、第2ユニット32のターゲット23の第2端部23e2と、形成領域R1の第2端部Re2との間の走査方向における距離D1が、150mm以上であることが好ましい。 As shown in FIG. 12, a configuration in which the
形成領域R1に積層体が形成されるとき、例えば、走査部27が、第1ユニット31を開始位置Stから終了位置Enに向けて走査方向に沿って移動させる。これにより、形成領域R1には、例えば、酸化シリコン膜が形成される。そして、走査部27が、第1ユニット31を終了位置Enから開始位置Stに向けて走査方向に沿って移動させる。このとき、第1ユニット31は、スパッタ粒子SPを形成領域R1に放出してもよいし、放出しなくともよい。次いで、走査部27が、第2ユニット32を終了位置Enから開始位置Stに向けて走査方向に沿って移動させる。これにより、形成領域R1には、例えば、酸化ニオブ膜が形成される。そして、走査部27が、第2ユニット32を開始位置Stから終了位置Enに向けて走査方向に沿って移動させる。このとき、第2ユニット32は、スパッタ粒子SPを形成領域R1に放出してもよいし、放出しなくともよい。 When the stacked body is formed in the formation region R1, for example, the
なお、第1ユニット31および第2ユニット32の各々が、スパッタ粒子SPを放出しながら走査方向に沿って開始位置Stと終了位置Enとの間で移動する回数は、各ユニットが形成する化合物膜の厚さに合わせて変更することができる。 The number of times each of the
スパッタ装置10は、1つのカソードユニット22を有する2つのスパッタチャンバ13を備える構成であってもよい。こうした構成では、各スパッタチャンバ13のカソードユニット22が、形成材料の主たる成分が相互に異なるターゲット23を備えることによって、基板Sの表面Saに2つの化合物膜から構成される積層体が形成される。なお、スパッタ装置10は、1つのカソードユニット22を有する3つ以上のスパッタチャンバ13を備え、かつ、各カソードユニット22の有するターゲット23の形成材料における主たる成分が相互に異なる構成でもよい。こうした構成によれば、基板Sの表面Saには、3つ以上の化合物膜から構成される積層体が形成される。 The
第3実施形態の第1ユニット31は、形成材料の主たる成分が酸化シリコン以外であるターゲット23を備えてもよいし、第2ユニット32は、形成材料の主たる成分が酸化ニオブ以外であるターゲット23を備えてもよい。いずれのターゲット23も、形成材料の主たる成分が金属、金属化合物、および、半導体等のいずれであってもよい。 The
第3実施形態のスパッタチャンバ13は、3つ以上のカソードユニット22を備える構成でもよく、各カソードユニット22の備えるターゲット23の形成材料における主たる成分は、相互に異なってもよいし、同じであってもよい。 The sputtering
図13に示されるように、第2実施形態のカソードユニット22は、走査方向にて第1カソード22Aのターゲット23と、第2カソード22Bのターゲット23との間に配置される第3遮蔽板28cを備えてもよい。第3遮蔽板28cにおける幅方向の突き出し幅は、第1遮蔽板28aおよび第2遮蔽板28bと相互に異なってもよいし、同じであってもよい。第3遮蔽板28cが、第3遮蔽部の一例である。なお、走査方向における第3遮蔽板28cは、中点23e3(中心位置)と一致する。 As shown in FIG. 13, the
カソードユニット22が開始位置Stから終了位置Enに向けて走査方向に沿って移動するとき、走査方向における第1カソード22Aの第1エロージョン領域E1と第3遮蔽板28cとの間の距離が、最も大きくなる。ただし、走査方向における第1エロージョン領域E1と第3遮蔽板28cとの距離は、第1エロージョン領域E1と、第2遮蔽板28bとの間の距離よりも小さい。そのため、第1カソード22Aの第1エロージョン領域E1からカソードユニット22の向かう方向とは反対の方向に放出される複数のスパッタ粒子SPのうち、第3遮蔽板28cに衝突するスパッタ粒子SPの入射角度θ4の範囲は、9°よりも大きくなる。それゆえに、形成領域R1に到達する複数のスパッタ粒子SPにて、飛行経路Fの最大値が小さくなり、スパッタ粒子SPとプラズマ中の他の粒子との衝突する回数の最大値も小さくなる。結果として、スパッタ粒子SPの有するエネルギーの最小値が大きくなり、IGZO膜の膜密度が小さくなることが抑えられる。 When the
一方、2つの磁気回路25の各々が第2位置P2に配置されるとき、走査方向における第2カソード22Bの第2エロージョン領域E2と第3遮蔽板28cとの間の距離が、最も大きくなる。ただし、走査方向における第2エロージョン領域E2と、第1遮蔽板28aとの間の距離よりも小さい。そのため、第2カソード22Bの第2エロージョン領域E2からカソードユニット22の向かう方向に放出される複数のスパッタ粒子SPのうち、第3遮蔽板28cに衝突するスパッタ粒子SPの入射角度θの範囲は、9°よりも大きくなる。それゆえに、第3遮蔽板28cは、第2カソード22Bから放出されるスパッタ粒子SPに対しても、第1カソード22Aから放出されるスパッタ粒子SPと同等に作用する。 On the other hand, when each of the two
第1実施形態から第3実施形態では、磁気回路走査部29が、磁気回路25を走査方向に沿って第1位置P1から第2位置P2に向けて移動させる。これに限らず、磁気回路走査部29は、磁気回路25を走査方向に沿って第2位置P2から第1位置P1に向けて移動させてもよい。この際、走査部27がターゲット23に対向領域R2を1回走査させるとき、磁気回路走査部29が磁気回路25を第2位置P2から第1位置P1に向けて1回走査することにより、上述の効果を得ることは可能である。 In the first to third embodiments, the magnetic
磁気回路走査部29は、ターゲット23の第1端部23e1と第2端部23e2との間の一部を走査方向に沿って磁気回路25に走査させる構成でもよい。こうした構成では、走査方向における各エロージョン領域と各遮蔽部との間の距離における最大値が小さくなるため、突き出し幅のより小さい遮蔽板が、上述した各実施形態と同じ入射角度θのスパッタ粒子SPを形成領域R1に到達させない。 The magnetic
第1実施形態から第3実施形態では、カソードユニット22が磁気回路走査部29を備える。これに限らず、カソードユニット22は磁気回路走査部29を備えていなくともよい、すなわち、カソードユニット22にて、ターゲット23に対する各エロージョン領域の位置が固定された構成でもよい。こうした構成であっても、ターゲット23の中点23e3(中心位置)が開始位置Stから終了位置Enまで、上述したように速度設定されることで、好適な膜厚分布を得ることが可能となる。 In the first to third embodiments, the
第2実施形態のカソードユニット22では、第2遮蔽板28bが、第1カソード22Aの第1エロージョン領域E1から放出されるスパッタ粒子SPのうち、入射角度θが9°以下であるスパッタ粒子SPを形成領域R1に到達させてもよい。また、第1遮蔽板28aが、第2カソード22Bの第2エロージョン領域E2から放出されるスパッタ粒子SPのうち、入射角度θが9°以下であるスパッタ粒子SPを形成領域R1に到達させてもよい。 In the
第1実施形態から第3実施形態では、第1遮蔽板28a、第2遮蔽板28bが、上記の構成でなくてもよく、また、遮蔽板が設けられない構成とすることもできる。 In the first to third embodiments, the
第1実施形態から第3実施形態では、カソードユニット22が終了位置Enに配置されるとき、形成領域R1の第2端部Re2と、走査方向での形成領域R1の第2端部Re2との距離が最も近いターゲット23の第2端部23e2との距離が、150mmでなくともよい。こうした構成であっても、カソードユニット22が開始位置Stに配置されるとき、形成領域R1の第1端部Re1と、走査方向での形成領域R1の第1端部Re1との距離が最も近いターゲット23の第2端部23e2との距離が、150mmであれば、上述の効果を得ることができる。 According to the first to third embodiments, when the
スパッタ装置10は、搬出入チャンバ11、および、前処理チャンバ12を備えていなくともよく、スパッタチャンバ13を備えていれば、先に列記した効果を得ることは可能である。あるいは、スパッタ装置10は、複数の前処理チャンバ12を備える構成であってもよい。 The
基板Sにおける搬送方向に沿った幅、および、紙面の手前に向かう幅は、上述した大きさに限らず、適宜変更可能である。
スパッタガスは、アルゴンガス以外の希ガス、例えば、ヘリウムガス、ネオンガス、クリプトンガス、および、キセノンガスであってもよい。また、反応ガスは、酸素ガス以外の酸素を含むガスや、窒素を含むガス等であってもよく、スパッタチャンバ13にて形成される化合物膜に合わせて変更可能である。The width of the substrate S along the transport direction and the width of the substrate S toward the front of the paper are not limited to the above-described sizes, and can be appropriately changed.
The sputtering gas may be a rare gas other than the argon gas, for example, a helium gas, a neon gas, a krypton gas, and a xenon gas. The reaction gas may be a gas containing oxygen other than oxygen gas, a gas containing nitrogen, or the like, and can be changed according to the compound film formed in the sputtering
第2実施形態のカソードユニット22は、ターゲット23、バッキングプレート24、磁気回路25、交流電源26A、および、磁気回路走査部29から構成されるカソードを3つ以上備える構成であってもよい。 The
第3実施形態のスパッタチャンバ13は、第2実施形態のカソードユニット22、すなわち、第1カソード22Aと第2カソード22Bとを備えるカソードユニット22を2つ備える構成であってもよい。 The
IGZO膜を形成するときの条件は、上述の実施例にて説明した条件に限らず、他の条件でもよい。要は、基板Sの表面SaにIGZO膜を形成することのできる条件であればよい。 The conditions for forming the IGZO film are not limited to the conditions described in the above embodiment, but may be other conditions. In short, it is sufficient that the condition is such that an IGZO film can be formed on the surface Sa of the substrate S.
図14に示されるように、スパッタ装置は、クラスター型のスパッタ装置50として具体化されてもよい。こうした構成では、スパッタ装置50が、搬送ロボット51Rを搭載する搬送チャンバ51と、搬送チャンバ51に連結される以下のチャンバを備える。すなわち、搬送チャンバ51には、成膜前の基板をスパッタ装置50の外部から搬入し、成膜後の基板をスパッタ装置50の外部に搬出する搬出入チャンバ52と、成膜に必要とされる前処理を基板に対して行う前処理チャンバ53と、基板に化合物膜を形成するスパッタチャンバ54とを備える。 As shown in FIG. 14, the sputtering apparatus may be embodied as a cluster
なお、上記の実施形態においては、第1加速位置AP1を第1端部Re1よりも外側とし、第1減速位置BP1を第2端部Re2よりも外側としたが、図19に示すように、第1加速位置AP1を第1端部Re1よりも基板の内側とし、第1減速位置BP1を第2端部Re2よりも基板の内側とすることができる。この場合にも、膜厚分布改善を可能とすることができる。
ここで、図においては、第2走査速度V2:10000mm/min、5000mm/min、2500mm/minのパターンを例示している。In the above-described embodiment, the first acceleration position AP1 is set outside the first end Re1, and the first deceleration position BP1 is set outside the second end Re2. However, as shown in FIG. The first acceleration position AP1 can be located inside the substrate with respect to the first end Re1, and the first deceleration position BP1 can be located inside the substrate with respect to the second end Re2. Also in this case, it is possible to improve the film thickness distribution.
Here, in the drawing, a pattern of the second scanning speed V2: 10000 mm / min, 5000 mm / min, 2500 mm / min is exemplified.
以下、本発明に係る実施例を説明する。 Hereinafter, embodiments according to the present invention will be described.
なお、本発明における具体例について説明する。
<実験例1>
ここでは、IGZO膜が形成されるとき、ターゲット23の中点23e3(中心位置)を開始位置Stから終了位置Enまで走査する際に、図15に示すように、速度設定をおこなってカソードユニット22のエロージョン領域が、対向領域R2を1回走査された。
以下に成膜における諸元を示す。A specific example in the present invention will be described.
<Experimental example 1>
Here, when the IGZO film is formed, when the midpoint 23e3 (center position) of the
The specifications for the film formation are shown below.
・基板走査方向寸法:1500mm
・直流電力 : 15.1W/cm2
・アルゴンガス分圧: 0.3Pa
・酸素ガス分圧 : 0.02Pa
・基板Sの温度 : 100℃
・第2走査速度V2:2512.77mm/min
・第1走査速度V1/第2走査速度V2:91%
・第1加速位置AP1までの加速時間:0.2sec
・第1加速位置AP1と第2加速位置AP2との距離:200mm,300mm,400mmとして変化させた。
また、第1加速位置AP1を第2加速位置AP2と一致させたものを「台形」とした。・ Substrate scanning direction dimension: 1500mm
-DC power: 15.1 W / cm 2
・ Argon gas partial pressure: 0.3Pa
・ Oxygen gas partial pressure: 0.02Pa
・ Temperature of substrate S: 100 ° C
-Second scanning speed V2: 2512.77 mm / min
・ First scanning speed V1 / second scanning speed V2: 91%
・ Acceleration time to the first acceleration position AP1: 0.2 sec
-The distance between the first acceleration position AP1 and the second acceleration position AP2 was changed as 200 mm, 300 mm, and 400 mm.
The one in which the first acceleration position AP1 coincides with the second acceleration position AP2 is defined as a “trapezoid”.
このとき成膜されたIGZO膜の膜厚を図16に示す。図に、第1端部Re1と第2端部Re2とを示す。 FIG. 16 shows the thickness of the IGZO film formed at this time. The figure shows a first end Re1 and a second end Re2.
<実験例2>
さらに、図17に示すように、第1加速位置AP1と第2加速位置AP2との距離を300mmとし、第1走査速度V1/第2走査速度V2:50%,75%,91%、100%とした。
また、第1加速位置AP1を第2加速位置AP2と一致させたものを「台形」とした。<Experimental example 2>
Further, as shown in FIG. 17, the distance between the first acceleration position AP1 and the second acceleration position AP2 is 300 mm, and the first scanning speed V1 / second scanning speed V2: 50%, 75%, 91%, 100% And
The one in which the first acceleration position AP1 coincides with the second acceleration position AP2 is defined as a “trapezoid”.
このとき成膜されたIGZO膜の膜厚を図18に示す。図に、第1端部Re1と第2端部Re2とを示す。 FIG. 18 shows the thickness of the IGZO film formed at this time. The figure shows a first end Re1 and a second end Re2.
これらの結果から、第1加速位置AP1、第2加速位置AP2、第2減速位置BP2、第1減速位置BP1、第1走査速度V1、第2走査速度V2を上記のように設定することで、膜厚分布改善が可能なことがわかる。 From these results, by setting the first acceleration position AP1, the second acceleration position AP2, the second deceleration position BP2, the first deceleration position BP1, the first scanning speed V1, and the second scanning speed V2 as described above, It can be seen that the film thickness distribution can be improved.
10,50…スパッタ装置
11,52…搬出入チャンバ
12,53…前処理チャンバ
13,54…スパッタチャンバ
14…ゲートバルブ
15…排気部
16…成膜レーン
17…回収レーン
18…カソード装置
19…レーン変更部
21…ガス供給部
22…カソードユニット
22A…第1カソード
22B…第2カソード
23,TG…ターゲット
23a,TGs…表面
23e1…第1端部
23e2…第2端部
23e3…中点(中心位置)
24…バッキングプレート
25…磁気回路
26A…交流電源
26D…直流電源
27…走査部
28a…第1遮蔽板
28b…第2遮蔽板
28c…第3遮蔽板
29…磁気回路走査部
31…第1ユニット
32…第2ユニット
51…搬送チャンバ
51R…搬送ロボット
AP1…第1加速位置
AP2…第2加速位置
B…マグネトロン磁場
BP1…第1減速位置
BP2…第2減速位置
D1,D2…距離
E…エロージョン領域
E1…第1エロージョン領域
E2…第2エロージョン領域
En…終了位置
F…飛行経路
Lv…法線
P1…第1位置
P2…第2位置
Pid…仮想平面
R1…形成領域
R2…対向領域
Re1…第1端部
Re2…第2端部
S…基板
Sa…表面
SP…スパッタ粒子
St…開始位置
T…トレイ
V1…第1走査速度
V2…第2走査速度10, 50 ... Sputtering
24
Claims (7)
前記反応性スパッタ装置は、
成膜対象物に形成すべき化合物膜の形成領域に向けてスパッタ粒子を放出するカソード装置を備え、
前記形成領域と対向する空間が対向領域であり、
前記カソード装置が、
エロージョン領域を前記対向領域で走査する走査部と、
前記エロージョン領域が形成され、走査方向における長さが前記対向領域よりも短いターゲットと、を備え、
前記走査部が、
前記走査方向での前記形成領域の2つの端部のうち、前記スパッタ粒子が先に到達する第1端部に対して、前記走査方向における前記ターゲットの表面の中点が前記走査方向において前記形成領域の外側である開始位置から、
前記走査方向での前記形成領域の2つの端部のうち、他方の第2端部に対して、前記走査方向における前記ターゲットの前記表面の中点が前記走査方向において前記形成領域の外側である終了位置まで、前記対向領域に向けて前記エロージョン領域を走査し、
前記スパッタリング方法は、
前記走査部における前記ターゲットの速度を、前記開始位置から第1走査速度まで加速した後、さらに、第2走査速度まで加速し、その後、第1走査速度まで減速した後、前記終了位置まで走査するとともに、
前記第1走査速度から加速して前記第2走査速度になる位置が、前記第1端部よりも前記形成領域の内側とされ、
前記第2走査速度から減速されて前記第1走査速度になる位置が、前記第2端部よりも前記形成領域の内側とされる
スパッタリング方法。A sputtering method using a reactive sputtering apparatus,
The reactive sputtering device,
A cathode device that emits sputter particles toward a formation region of a compound film to be formed on a film formation target,
A space facing the formation region is a facing region,
The cathode device,
A scanning unit that scans an erosion area with the facing area;
A target in which the erosion region is formed and the length in the scanning direction is shorter than the facing region.
The scanning unit,
Of the two ends of the formation region in the scanning direction, the midpoint of the surface of the target in the scanning direction is formed in the scanning direction with respect to the first end where the sputtered particles reach first. From a starting position outside the region,
With respect to the other second end of the two ends of the formation area in the scanning direction, the midpoint of the surface of the target in the scanning direction is outside the formation area in the scanning direction. Scan the erosion area toward the facing area until an end position,
The sputtering method,
After accelerating the speed of the target in the scanning unit from the start position to the first scanning speed, further accelerating to the second scanning speed, then decelerating to the first scanning speed, and then scanning to the end position. With
A position where the second scanning speed is accelerated from the first scanning speed is located inside the formation region with respect to the first end,
A sputtering method in which a position at which the speed is reduced from the second scanning speed and reaches the first scanning speed is inside the formation region with respect to the second end.
前記第1走査速度から前記終了位置まで減速する位置が、前記第2端部よりも前記形成領域の外側とされる
請求項1に記載のスパッタリング方法。A position at which the first scanning speed is accelerated from the start position is outside the formation region with respect to the first end;
2. The sputtering method according to claim 1, wherein a position at which the speed is reduced from the first scanning speed to the end position is outside the formation region with respect to the second end. 3.
前記第1走査速度から前記終了位置まで減速する位置が、前記第2端部よりも前記形成領域の内側とされる
請求項1に記載のスパッタリング方法。A position at which the first scanning speed is accelerated from the start position is located inside the formation region with respect to the first end,
2. The sputtering method according to claim 1, wherein a position at which the speed is reduced from the first scanning speed to the end position is located inside the formation region with respect to the second end. 3.
請求項1から請求項3のいずれか一項に記載のスパッタリング方法。The sputtering method according to any one of claims 1 to 3, wherein the speed of the target in the scanning unit is controlled so as to be symmetric or asymmetric with respect to the center of the formation region in the scanning direction. .
請求項4に記載のスパッタリング方法。The sputtering method according to claim 4, wherein a ratio of the first scanning speed to the second scanning speed is set in a range of 0.70 to 0.95.
請求項4に記載のスパッタリング方法。The sputtering method according to claim 4, wherein a distance from the start position in the scanning direction to a position at which the second scanning speed is reached is set in a range of 200 to 400 mm.
前記形成領域の前記第1端部と前記開始位置との距離に対する比として、1.3〜2.7の範囲に設定される
請求項4に記載のスパッタリング方法。In the scanning direction, a distance from the start position to a position at which the second scanning speed is obtained is:
The sputtering method according to claim 4, wherein a ratio of a distance between the first end of the formation region and the start position is set in a range of 1.3 to 2.7.
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