JP6665990B2 - Base material for high-frequency printed wiring board, high-frequency printed wiring board, method for manufacturing base material for high-frequency printed wiring board, and method for manufacturing high-frequency printed wiring board - Google Patents
Base material for high-frequency printed wiring board, high-frequency printed wiring board, method for manufacturing base material for high-frequency printed wiring board, and method for manufacturing high-frequency printed wiring board Download PDFInfo
- Publication number
- JP6665990B2 JP6665990B2 JP2015112068A JP2015112068A JP6665990B2 JP 6665990 B2 JP6665990 B2 JP 6665990B2 JP 2015112068 A JP2015112068 A JP 2015112068A JP 2015112068 A JP2015112068 A JP 2015112068A JP 6665990 B2 JP6665990 B2 JP 6665990B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- printed wiring
- wiring board
- seed layer
- layer
- frequency printed
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 239000000463 material Substances 0.000 title claims description 82
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 81
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 51
- 239000002923 metal particle Substances 0.000 claims description 80
- 238000007747 plating Methods 0.000 claims description 57
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 43
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 43
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 26
- 125000000524 functional group Chemical group 0.000 claims description 18
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 14
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 14
- 238000007772 electroless plating Methods 0.000 claims description 14
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 14
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 13
- 230000004048 modification Effects 0.000 claims description 9
- 238000012986 modification Methods 0.000 claims description 9
- 229910000881 Cu alloy Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 239000002904 solvent Substances 0.000 claims description 3
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 341
- 239000002585 base Substances 0.000 description 103
- 239000002270 dispersing agent Substances 0.000 description 31
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 30
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 23
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 19
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 17
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 15
- 239000006087 Silane Coupling Agent Substances 0.000 description 14
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 description 13
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 12
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 12
- 125000001153 fluoro group Chemical group F* 0.000 description 12
- -1 polytetrafluoroethylene Polymers 0.000 description 12
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 11
- 239000007791 liquid phase Substances 0.000 description 11
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 11
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 10
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 description 10
- 238000006722 reduction reaction Methods 0.000 description 10
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 description 9
- 230000002500 effect on skin Effects 0.000 description 9
- 235000019441 ethanol Nutrition 0.000 description 9
- 229920001643 poly(ether ketone) Polymers 0.000 description 9
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 description 8
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 8
- 239000003063 flame retardant Substances 0.000 description 8
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 8
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 8
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 8
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 8
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 8
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 8
- RNFJDJUURJAICM-UHFFFAOYSA-N 2,2,4,4,6,6-hexaphenoxy-1,3,5-triaza-2$l^{5},4$l^{5},6$l^{5}-triphosphacyclohexa-1,3,5-triene Chemical compound N=1P(OC=2C=CC=CC=2)(OC=2C=CC=CC=2)=NP(OC=2C=CC=CC=2)(OC=2C=CC=CC=2)=NP=1(OC=1C=CC=CC=1)OC1=CC=CC=C1 RNFJDJUURJAICM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N Ethylene glycol Chemical compound OCCO LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 description 7
- 239000003638 chemical reducing agent Substances 0.000 description 7
- 239000004744 fabric Substances 0.000 description 7
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 7
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 7
- 125000001997 phenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(*)C([H])=C1[H] 0.000 description 7
- 239000004810 polytetrafluoroethylene Substances 0.000 description 7
- 229920001343 polytetrafluoroethylene Polymers 0.000 description 7
- 230000008569 process Effects 0.000 description 7
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 7
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N Methanol Chemical compound OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000004696 Poly ether ether ketone Substances 0.000 description 6
- HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M Sodium hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+] HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 6
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 6
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 6
- RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N ether Substances CCOCC RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229920002530 polyetherether ketone Polymers 0.000 description 6
- LRHPLDYGYMQRHN-UHFFFAOYSA-N N-Butanol Chemical compound CCCCO LRHPLDYGYMQRHN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- DKGAVHZHDRPRBM-UHFFFAOYSA-N Tert-Butanol Chemical compound CC(C)(C)O DKGAVHZHDRPRBM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 description 5
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 description 5
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 5
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 5
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 5
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 description 5
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 5
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 5
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 5
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 5
- PEDCQBHIVMGVHV-UHFFFAOYSA-N Glycerine Chemical compound OCC(O)CO PEDCQBHIVMGVHV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 4
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 4
- 239000002612 dispersion medium Substances 0.000 description 4
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 4
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 4
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 4
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 4
- 229910000000 metal hydroxide Inorganic materials 0.000 description 4
- 150000004692 metal hydroxides Chemical class 0.000 description 4
- 229910021645 metal ion Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000003607 modifier Substances 0.000 description 4
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 4
- BDERNNFJNOPAEC-UHFFFAOYSA-N propan-1-ol Chemical compound CCCO BDERNNFJNOPAEC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 2-Butanone Chemical compound CCC(C)=O ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical class O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 3
- KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M Potassium hydroxide Chemical compound [OH-].[K+] KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical class OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000002776 aggregation Effects 0.000 description 3
- 238000004220 aggregation Methods 0.000 description 3
- 125000003545 alkoxy group Chemical group 0.000 description 3
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 3
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 3
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000003963 antioxidant agent Substances 0.000 description 3
- 235000006708 antioxidants Nutrition 0.000 description 3
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 3
- XTVVROIMIGLXTD-UHFFFAOYSA-N copper(II) nitrate Chemical compound [Cu+2].[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O XTVVROIMIGLXTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 238000011049 filling Methods 0.000 description 3
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 3
- 125000004428 fluoroalkoxy group Chemical group 0.000 description 3
- 125000003709 fluoroalkyl group Chemical group 0.000 description 3
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 3
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 description 3
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 3
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 3
- 150000002736 metal compounds Chemical class 0.000 description 3
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 3
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 3
- 125000004433 nitrogen atom Chemical group N* 0.000 description 3
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 3
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 3
- 239000000049 pigment Substances 0.000 description 3
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 3
- 239000011800 void material Substances 0.000 description 3
- HZAXFHJVJLSVMW-UHFFFAOYSA-N 2-Aminoethan-1-ol Chemical compound NCCO HZAXFHJVJLSVMW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920001780 ECTFE Polymers 0.000 description 2
- OAKJQQAXSVQMHS-UHFFFAOYSA-N Hydrazine Chemical compound NN OAKJQQAXSVQMHS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002033 PVDF binder Substances 0.000 description 2
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920002873 Polyethylenimine Polymers 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N Sulfur Chemical compound [S] NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- LCKIEQZJEYYRIY-UHFFFAOYSA-N Titanium ion Chemical compound [Ti+4] LCKIEQZJEYYRIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 2
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 2
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 description 2
- ADCOVFLJGNWWNZ-UHFFFAOYSA-N antimony trioxide Chemical compound O=[Sb]O[Sb]=O ADCOVFLJGNWWNZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000003078 antioxidant effect Effects 0.000 description 2
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 2
- BTANRVKWQNVYAZ-UHFFFAOYSA-N butan-2-ol Chemical compound CCC(C)O BTANRVKWQNVYAZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000003178 carboxy group Chemical group [H]OC(*)=O 0.000 description 2
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 2
- ORTQZVOHEJQUHG-UHFFFAOYSA-L copper(II) chloride Chemical compound Cl[Cu]Cl ORTQZVOHEJQUHG-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 2
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 2
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 2
- 229920006351 engineering plastic Polymers 0.000 description 2
- 229920000840 ethylene tetrafluoroethylene copolymer Polymers 0.000 description 2
- 239000010419 fine particle Substances 0.000 description 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 2
- 235000011187 glycerol Nutrition 0.000 description 2
- FBAFATDZDUQKNH-UHFFFAOYSA-M iron chloride Chemical compound [Cl-].[Fe] FBAFATDZDUQKNH-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- ZXEKIIBDNHEJCQ-UHFFFAOYSA-N isobutanol Chemical compound CC(C)CO ZXEKIIBDNHEJCQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000002576 ketones Chemical class 0.000 description 2
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 2
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 2
- KBJMLQFLOWQJNF-UHFFFAOYSA-N nickel(ii) nitrate Chemical compound [Ni+2].[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O KBJMLQFLOWQJNF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 description 2
- 125000000962 organic group Chemical group 0.000 description 2
- 239000003002 pH adjusting agent Substances 0.000 description 2
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 2
- 239000012071 phase Substances 0.000 description 2
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 2
- 238000009832 plasma treatment Methods 0.000 description 2
- 229920002493 poly(chlorotrifluoroethylene) Polymers 0.000 description 2
- 239000005023 polychlorotrifluoroethylene (PCTFE) polymer Substances 0.000 description 2
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 2
- 229920002451 polyvinyl alcohol Polymers 0.000 description 2
- 229920002620 polyvinyl fluoride Polymers 0.000 description 2
- 229920002981 polyvinylidene fluoride Polymers 0.000 description 2
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 2
- 238000002407 reforming Methods 0.000 description 2
- 239000012779 reinforcing material Substances 0.000 description 2
- 238000007788 roughening Methods 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- SQGYOTSLMSWVJD-UHFFFAOYSA-N silver(1+) nitrate Chemical compound [Ag+].[O-]N(=O)=O SQGYOTSLMSWVJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CDBYLPFSWZWCQE-UHFFFAOYSA-L sodium carbonate Substances [Na+].[Na+].[O-]C([O-])=O CDBYLPFSWZWCQE-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 2
- 150000005846 sugar alcohols Polymers 0.000 description 2
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011593 sulfur Substances 0.000 description 2
- 125000004434 sulfur atom Chemical group 0.000 description 2
- 230000002522 swelling effect Effects 0.000 description 2
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 2
- 238000009941 weaving Methods 0.000 description 2
- BQCIDUSAKPWEOX-UHFFFAOYSA-N 1,1-Difluoroethene Chemical compound FC(F)=C BQCIDUSAKPWEOX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZNQVEEAIQZEUHB-UHFFFAOYSA-N 2-ethoxyethanol Chemical compound CCOCCO ZNQVEEAIQZEUHB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RYKLZUPYJFFNRR-UHFFFAOYSA-N 3-hydroxypiperidin-2-one Chemical compound OC1CCCNC1=O RYKLZUPYJFFNRR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KWSLGOVYXMQPPX-UHFFFAOYSA-N 5-[3-(trifluoromethyl)phenyl]-2h-tetrazole Chemical compound FC(F)(F)C1=CC=CC(C2=NNN=N2)=C1 KWSLGOVYXMQPPX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 101710134784 Agnoprotein Proteins 0.000 description 1
- CIWBSHSKHKDKBQ-JLAZNSOCSA-N Ascorbic acid Natural products OC[C@H](O)[C@H]1OC(=O)C(O)=C1O CIWBSHSKHKDKBQ-JLAZNSOCSA-N 0.000 description 1
- LSNNMFCWUKXFEE-UHFFFAOYSA-M Bisulfite Chemical compound OS([O-])=O LSNNMFCWUKXFEE-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- WKBOTKDWSSQWDR-UHFFFAOYSA-N Bromine atom Chemical compound [Br] WKBOTKDWSSQWDR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004215 Carbon black (E152) Substances 0.000 description 1
- 229920002134 Carboxymethyl cellulose Polymers 0.000 description 1
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IMROMDMJAWUWLK-UHFFFAOYSA-N Ethenol Chemical compound OC=C IMROMDMJAWUWLK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229930091371 Fructose Natural products 0.000 description 1
- RFSUNEUAIZKAJO-ARQDHWQXSA-N Fructose Chemical compound OC[C@H]1O[C@](O)(CO)[C@@H](O)[C@@H]1O RFSUNEUAIZKAJO-ARQDHWQXSA-N 0.000 description 1
- 239000005715 Fructose Substances 0.000 description 1
- WQZGKKKJIJFFOK-GASJEMHNSA-N Glucose Natural products OC[C@H]1OC(O)[C@H](O)[C@@H](O)[C@@H]1O WQZGKKKJIJFFOK-GASJEMHNSA-N 0.000 description 1
- 229920000106 Liquid crystal polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000004977 Liquid-crystal polymers (LCPs) Substances 0.000 description 1
- 229920001774 Perfluoroether Polymers 0.000 description 1
- 229920003171 Poly (ethylene oxide) Polymers 0.000 description 1
- 229920008285 Poly(ether ketone) PEK Polymers 0.000 description 1
- 239000004962 Polyamide-imide Substances 0.000 description 1
- 239000004693 Polybenzimidazole Substances 0.000 description 1
- 239000004372 Polyvinyl alcohol Substances 0.000 description 1
- 229910008051 Si-OH Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910002808 Si–O–Si Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910006358 Si—OH Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920002125 Sokalan® Polymers 0.000 description 1
- 238000010306 acid treatment Methods 0.000 description 1
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- 239000012190 activator Substances 0.000 description 1
- 125000003158 alcohol group Chemical group 0.000 description 1
- 150000001298 alcohols Chemical class 0.000 description 1
- 229910052783 alkali metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001340 alkali metals Chemical class 0.000 description 1
- 150000004996 alkyl benzenes Chemical class 0.000 description 1
- 125000002947 alkylene group Chemical group 0.000 description 1
- 125000003368 amide group Chemical group 0.000 description 1
- 125000003277 amino group Chemical group 0.000 description 1
- 239000004760 aramid Substances 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920003235 aromatic polyamide Polymers 0.000 description 1
- 229960005070 ascorbic acid Drugs 0.000 description 1
- 235000010323 ascorbic acid Nutrition 0.000 description 1
- 239000011668 ascorbic acid Substances 0.000 description 1
- 238000007611 bar coating method Methods 0.000 description 1
- WQZGKKKJIJFFOK-VFUOTHLCSA-N beta-D-glucose Chemical compound OC[C@H]1O[C@@H](O)[C@H](O)[C@@H](O)[C@@H]1O WQZGKKKJIJFFOK-VFUOTHLCSA-N 0.000 description 1
- GDTBXPJZTBHREO-UHFFFAOYSA-N bromine Substances BrBr GDTBXPJZTBHREO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052794 bromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000002915 carbonyl group Chemical group [*:2]C([*:1])=O 0.000 description 1
- 239000001768 carboxy methyl cellulose Substances 0.000 description 1
- 235000010948 carboxy methyl cellulose Nutrition 0.000 description 1
- 239000008112 carboxymethyl-cellulose Substances 0.000 description 1
- 238000005119 centrifugation Methods 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 description 1
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001805 chlorine compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 229910001429 cobalt ion Inorganic materials 0.000 description 1
- XLJKHNWPARRRJB-UHFFFAOYSA-N cobalt(2+) Chemical compound [Co+2] XLJKHNWPARRRJB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 239000011889 copper foil Substances 0.000 description 1
- JZCCFEFSEZPSOG-UHFFFAOYSA-L copper(II) sulfate pentahydrate Chemical compound O.O.O.O.O.[Cu+2].[O-]S([O-])(=O)=O JZCCFEFSEZPSOG-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 230000018109 developmental process Effects 0.000 description 1
- 238000007607 die coating method Methods 0.000 description 1
- 229940028356 diethylene glycol monobutyl ether Drugs 0.000 description 1
- 238000003618 dip coating Methods 0.000 description 1
- 238000000909 electrodialysis Methods 0.000 description 1
- 125000003700 epoxy group Chemical group 0.000 description 1
- 150000002148 esters Chemical class 0.000 description 1
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 1
- 238000001914 filtration Methods 0.000 description 1
- 229920001973 fluoroelastomer Polymers 0.000 description 1
- 238000005187 foaming Methods 0.000 description 1
- 239000004088 foaming agent Substances 0.000 description 1
- 239000011888 foil Substances 0.000 description 1
- 239000008103 glucose Substances 0.000 description 1
- 230000005484 gravity Effects 0.000 description 1
- 239000012210 heat-resistant fiber Substances 0.000 description 1
- HCDGVLDPFQMKDK-UHFFFAOYSA-N hexafluoropropylene Chemical group FC(F)=C(F)C(F)(F)F HCDGVLDPFQMKDK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000004687 hexahydrates Chemical class 0.000 description 1
- 229930195733 hydrocarbon Natural products 0.000 description 1
- 150000002430 hydrocarbons Chemical class 0.000 description 1
- 230000007062 hydrolysis Effects 0.000 description 1
- 238000006460 hydrolysis reaction Methods 0.000 description 1
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 description 1
- WGCNASOHLSPBMP-UHFFFAOYSA-N hydroxyacetaldehyde Natural products OCC=O WGCNASOHLSPBMP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000001788 irregular Effects 0.000 description 1
- 229940035429 isobutyl alcohol Drugs 0.000 description 1
- TYQCGQRIZGCHNB-JLAZNSOCSA-N l-ascorbic acid Chemical compound OC[C@H](O)[C@H]1OC(O)=C(O)C1=O TYQCGQRIZGCHNB-JLAZNSOCSA-N 0.000 description 1
- 150000002605 large molecules Chemical class 0.000 description 1
- 239000000314 lubricant Substances 0.000 description 1
- 239000011976 maleic acid Substances 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 125000005641 methacryl group Chemical group 0.000 description 1
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 description 1
- 239000000178 monomer Substances 0.000 description 1
- LAIZPRYFQUWUBN-UHFFFAOYSA-L nickel chloride hexahydrate Chemical compound O.O.O.O.O.O.[Cl-].[Cl-].[Ni+2] LAIZPRYFQUWUBN-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 150000002816 nickel compounds Chemical class 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 description 1
- 150000007524 organic acids Chemical class 0.000 description 1
- JCGNDDUYTRNOFT-UHFFFAOYSA-N oxolane-2,4-dione Chemical compound O=C1COC(=O)C1 JCGNDDUYTRNOFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000005702 oxyalkylene group Chemical group 0.000 description 1
- 125000004430 oxygen atom Chemical group O* 0.000 description 1
- 125000005010 perfluoroalkyl group Chemical group 0.000 description 1
- 239000010702 perfluoropolyether Substances 0.000 description 1
- 239000002530 phenolic antioxidant Substances 0.000 description 1
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000004014 plasticizer Substances 0.000 description 1
- 239000002798 polar solvent Substances 0.000 description 1
- 239000004584 polyacrylic acid Substances 0.000 description 1
- 229920002312 polyamide-imide Polymers 0.000 description 1
- 229920002480 polybenzimidazole Polymers 0.000 description 1
- 229920000036 polyvinylpyrrolidone Polymers 0.000 description 1
- 239000001267 polyvinylpyrrolidone Substances 0.000 description 1
- 235000013855 polyvinylpyrrolidone Nutrition 0.000 description 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 1
- 239000012255 powdered metal Substances 0.000 description 1
- 230000001376 precipitating effect Effects 0.000 description 1
- 230000009257 reactivity Effects 0.000 description 1
- 230000007261 regionalization Effects 0.000 description 1
- 239000012744 reinforcing agent Substances 0.000 description 1
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 1
- 125000005372 silanol group Chemical group 0.000 description 1
- 239000012279 sodium borohydride Substances 0.000 description 1
- 229910000033 sodium borohydride Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000029 sodium carbonate Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001379 sodium hypophosphite Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
- 239000003381 stabilizer Substances 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- 239000007858 starting material Substances 0.000 description 1
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 1
- 235000000346 sugar Nutrition 0.000 description 1
- 150000008163 sugars Chemical class 0.000 description 1
- 125000000020 sulfo group Chemical group O=S(=O)([*])O[H] 0.000 description 1
- 125000000472 sulfonyl group Chemical group *S(*)(=O)=O 0.000 description 1
- 230000008961 swelling Effects 0.000 description 1
- 229940071240 tetrachloroaurate Drugs 0.000 description 1
- BFKJFAAPBSQJPD-UHFFFAOYSA-N tetrafluoroethene Chemical group FC(F)=C(F)F BFKJFAAPBSQJPD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000004685 tetrahydrates Chemical class 0.000 description 1
- 229920001169 thermoplastic Polymers 0.000 description 1
- 229920005992 thermoplastic resin Polymers 0.000 description 1
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000004416 thermosoftening plastic Substances 0.000 description 1
- 125000000101 thioether group Chemical group 0.000 description 1
- 125000003396 thiol group Chemical group [H]S* 0.000 description 1
- 229910001428 transition metal ion Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000108 ultra-filtration Methods 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)
Description
本発明は、高周波プリント配線板用基材、高周波プリント配線板、高周波プリント配線板用基材の製造方法及び高周波プリント配線板の製造方法に関する。 The present invention relates to a base material for a high-frequency printed wiring board, a high-frequency printed wiring board, a method for manufacturing a base material for a high-frequency printed wiring board, and a method for manufacturing a high-frequency printed wiring board.
近年、電子機器の小型軽量化に伴い、この電子機器に用いられるプリント配線板についても小型化の要求が高まっている。このような点から、今日ではプリント配線板のベースフィルムとして、絶縁性、柔軟性、耐熱性等に優れ、薄膜化を促進可能なるポリイミドフィルムが採用されている（特開２００８−２３５３４６号公報参照）。 In recent years, as electronic devices have become smaller and lighter, there has been an increasing demand for smaller printed wiring boards used in these electronic devices. From such a point, a polyimide film which is excellent in insulation, flexibility, heat resistance and the like and can promote thinning is adopted as a base film of a printed wiring board today (see JP-A-2008-235346). ).
一方、今日では情報通信量は増大する一方であり、これに応えるため、例えばＩＣカード、携帯通信端末等の機器においてマイクロ波、ミリ波といった高周波領域での通信が盛んになっている。このため、高周波領域で用いた際に伝送損失が小さい高周波プリント配線板が求められている。 On the other hand, the amount of information communication has been increasing today, and in order to respond to this, communication in high frequency ranges such as microwaves and millimeter waves has become popular in devices such as IC cards and portable communication terminals. Therefore, there is a need for a high-frequency printed wiring board having a small transmission loss when used in a high-frequency region.
上記伝送損失αｄは、周波数ｆ、誘電体層の比誘電率εｒ及び誘電正接ｔａｎδと以下の関係（式（１））を満たす。 The transmission loss αd satisfies the following relationship (Equation (1)) with the frequency f, the relative dielectric constant εr of the dielectric layer, and the dielectric loss tangent tanδ.
また特に、高周波電流は、表皮効果により導電体の表面側を流れる。このことから、高周波プリント配線板に用いられる誘電体層（ベースフィルム）としては、比誘電率εｒを小さくすることで伝送損失αｄを低減すると共に、表皮効果による損失を抑制することが特に求められている。 In particular, the high-frequency current flows on the surface of the conductor due to the skin effect. For this reason, as the dielectric layer (base film) used in the high-frequency printed wiring board, it is particularly required to reduce the transmission loss αd by reducing the relative dielectric constant εr and to suppress the loss due to the skin effect. ing.
しかしながら、従来のプリント配線板のベースフィルムの主成分として用いられるポリイミドは、比誘電率εｒが比較的大きいため、伝送損失αｄを十分に低減することができない。 However, the polyimide used as a main component of the base film of the conventional printed wiring board has a relatively large relative dielectric constant εr, and thus cannot sufficiently reduce the transmission loss αd.
本発明は、上述のような事情に基づいてなされたものであり、伝送損失を低減できると共に、表皮効果による損失を抑制して高周波特性を向上可能な高周波プリント配線板用基材、高周波プリント配線板、高周波プリント配線板用基材の製造方法及び高周波プリント配線板の製造方法を提供することを目的とする。 The present invention has been made based on the above-described circumstances, and a base for a high-frequency printed wiring board and a high-frequency printed wiring, which can reduce transmission loss and suppress loss due to a skin effect to improve high-frequency characteristics. It is an object of the present invention to provide a method for manufacturing a board, a base material for a high-frequency printed wiring board, and a method for manufacturing a high-frequency printed wiring board.
上記課題を解決するためになされた本発明の一態様に係る高周波プリント配線板用基材は、フッ素樹脂を主成分とし、一方の面側が改質処理された誘電体層と、この誘電体層の一方の面に積層されるシード層とを備え、上記シード層の主成分が金属であり、上記シード層の平均厚みが２μｍ以下である。 A base material for a high-frequency printed wiring board according to one embodiment of the present invention, which has been made to solve the above-described problem, includes a dielectric layer containing a fluororesin as a main component and one surface side of which has been modified, And a seed layer laminated on one surface of the base material, wherein a main component of the seed layer is a metal, and an average thickness of the seed layer is 2 μm or less.
上記課題を解決するためになされた本発明の他の一態様に係る高周波プリント配線板は、フッ素樹脂を主成分とし、一方の面側が改質処理された誘電体層と、この誘電体層の一方の面に積層される導電パターンとを備えるプリント配線板であって、当該高周波プリント配線板用基材を用い形成される。 A high-frequency printed wiring board according to another embodiment of the present invention made in order to solve the above problem has a dielectric layer containing fluorine resin as a main component and one surface side of which has been modified, A printed wiring board comprising a conductive pattern laminated on one surface, and formed using the base material for a high-frequency printed wiring board.
上記課題を解決するためになされた本発明の他の一態様に係る高周波プリント配線板用基材の製造方法は、フッ素樹脂を主成分とするフィルムの一方の面側を改質する工程と、上記改質工程後のフィルムの一方の面にシード層を形成する工程とを備え、上記シード層の主成分が金属であり、上記シード層の平均厚みが２μｍ以下である。 A method for manufacturing a base material for a high-frequency printed wiring board according to another aspect of the present invention made in order to solve the above-described problem includes a step of modifying one surface side of a film containing a fluororesin as a main component, Forming a seed layer on one surface of the film after the modification step, wherein the main component of the seed layer is a metal, and the average thickness of the seed layer is 2 μm or less.
上記課題を解決するためになされた本発明の他の一態様に係る高周波プリント配線板の製造方法は、フッ素樹脂を主成分とし、一方の面側が改質処理された誘電体層と、この誘電体層の一方の面に積層される導電パターンとを備えるプリント配線板の製造方法であって、上記誘電体層とこの誘電体層の一方の面に積層されるシード層とを備え、上記シード層の主成分が金属であり、上記シード層の平均厚みが２μｍ以下である高周波プリント配線板用基材を用い形成する。 A method for manufacturing a high-frequency printed wiring board according to another embodiment of the present invention made to solve the above-mentioned problem includes a dielectric layer containing a fluororesin as a main component and having one surface side modified, A method for manufacturing a printed wiring board, comprising: a conductive pattern laminated on one surface of a body layer, comprising: the dielectric layer; and a seed layer laminated on one surface of the dielectric layer. The main component of the layer is a metal, and the seed layer is formed using a base material for a high-frequency printed wiring board having an average thickness of 2 μm or less.
本発明の高周波プリント配線板用基材及び高周波プリント配線板は、伝送損失を低減できると共に、表皮効果による損失を抑制して高周波特性を向上することができる。また、本発明の高周波プリント配線板用基材の製造方法及び高周波プリント配線板の製造方法は、伝送損失を低減できると共に高周波特性を向上することができる高周波プリント配線板用基材及び高周波プリント配線板を容易かつ確実に製造することができる。 ADVANTAGE OF THE INVENTION The base material for high-frequency printed wiring boards and the high-frequency printed wiring board of the present invention can reduce transmission loss and suppress loss due to a skin effect to improve high-frequency characteristics. Further, the method for manufacturing a base material for a high-frequency printed wiring board and the method for manufacturing a high-frequency printed wiring board according to the present invention provide a base material for a high-frequency printed wiring board and a high-frequency printed wiring that can reduce transmission loss and improve high-frequency characteristics. The plate can be manufactured easily and reliably.
［本発明の実施形態の説明］
最初に本発明の実施態様を列記して説明する。
[Description of Embodiment of the Present Invention]
First, embodiments of the present invention will be listed and described.
本発明の一態様に係る高周波プリント配線板用基材は、フッ素樹脂を主成分とし、一方の面側が改質処理された誘電体層と、この誘電体層の一方の面に積層されるシード層とを備え、上記シード層の主成分が金属であり、上記シード層の平均厚みが２μｍ以下である。 A base material for a high-frequency printed wiring board according to one embodiment of the present invention includes a dielectric layer containing fluorine resin as a main component, one surface of which is modified, and a seed layer laminated on one surface of the dielectric layer. A main component of the seed layer is a metal, and the average thickness of the seed layer is 2 μm or less.
当該高周波プリント配線板用基材は、誘電体層がフッ素樹脂を主成分とするので、この誘電体層の比誘電率が小さく、これによって伝送損失を低減することができる。また、当該高周波プリント配線板用基材は、この誘電体層の一方の面側が改質処理されているので、この一方の面側にシード層を密着させやすい。特に、当該高周波プリント配線板用基材は、このように誘電体層の一方の面側を改質処理することで、この一方の面の粗面化を防止しつつ、シード層との密着性を高めることができる。そのため、当該高周波プリント配線板用基材は、シード層と誘電体層との当接面の粗面化を抑制して高周波特性信号の伝搬距離が長くなるのを防止することで、表皮効果による損失を抑制することができる。また、当該高周波プリント配線板用基材は、シード層の平均厚みが上記範囲とされているので、小型化が求められる場合もこのシード層の一方の面にめっきをある程度まで厚く形成することができる。従って、当該高周波プリント配線板用基材は、伝送損失を低減できると共に高周波特性を向上することができる。 In the base material for a high-frequency printed wiring board, since the dielectric layer is mainly composed of a fluororesin, the dielectric layer has a small relative dielectric constant, thereby reducing transmission loss. Further, in the base material for a high-frequency printed wiring board, since the one surface side of the dielectric layer is modified, the seed layer is easily brought into close contact with the one surface side. In particular, the base material for a high-frequency printed wiring board has such a property that one surface of the dielectric layer is modified so as to prevent the one surface from being roughened and to improve the adhesion to the seed layer. Can be increased. Therefore, the base material for a high-frequency printed wiring board suppresses the roughening of the contact surface between the seed layer and the dielectric layer, thereby preventing the propagation distance of the high-frequency characteristic signal from becoming long, thereby increasing the skin effect. Loss can be suppressed. In addition, since the high-frequency printed wiring board base material has an average thickness of the seed layer within the above range, even when miniaturization is required, plating can be formed to a certain thickness on one surface of the seed layer. it can. Accordingly, the base material for a high-frequency printed wiring board can reduce transmission loss and improve high-frequency characteristics.
上記金属が銅又は銅合金であるとよい。このように、上記金属が銅又は銅合金であることによって、コストを抑えつつ導通性を高めることができる。 Preferably, the metal is copper or a copper alloy. As described above, since the metal is copper or a copper alloy, conductivity can be improved while suppressing costs.
上記シード層が金属粒子の焼結体から構成されるとよく、上記金属粒子の平均粒子径としては、１ｎｍ以上５００ｎｍ以下が好ましい。このように、上記シード層が金属粒子の焼結体から構成され、かつ上記金属粒子の平均粒子径が上記範囲とされることによって、スパッタリング等の物理的蒸着に必要な高価な真空設備を要することなく、上記誘電体層の一方の面側に緻密で略均一な焼結体を的確に形成することができる。 The seed layer is preferably made of a sintered body of metal particles, and the average particle diameter of the metal particles is preferably 1 nm or more and 500 nm or less. As described above, the seed layer is formed of a sintered body of metal particles, and the average particle diameter of the metal particles is in the above range, so that expensive vacuum equipment necessary for physical vapor deposition such as sputtering is required. Without this, a dense and substantially uniform sintered body can be accurately formed on one surface side of the dielectric layer.
また、上記シード層は無電解めっき金属から構成されてもよい。上記シード層が無電解めっき金属から構成されることによっても、スパッタリング等の物理的蒸着に必要な高価な真空設備を要することなく、上記誘電体層の一方の面側にシード層を形成することができる。 Further, the seed layer may be made of an electroless plating metal. Even if the seed layer is made of an electroless plating metal, the seed layer is formed on one surface side of the dielectric layer without requiring expensive vacuum equipment required for physical vapor deposition such as sputtering. Can be.
上記シード層の平均厚みとしては、１０ｎｍ以上１μｍ以下が好ましい。このように、上記シード層の平均厚みを上記範囲とすることによって、導通性を維持しつつ、めっきをある程度まで厚く形成することができる。 The average thickness of the seed layer is preferably from 10 nm to 1 μm. By setting the average thickness of the seed layer in the above range, plating can be formed to a certain thickness while maintaining conductivity.
上記シード層の他方の面の算術平均粗さＲａとしては、２μｍ以下が好ましい。このように、上記シード層の他方の面の算術平均粗さＲａが上記範囲であることによって、高周波特性信号の伝搬距離が長くなるのを防止して、表皮効果による損失をさらに抑制することができる。 The arithmetic average roughness Ra of the other surface of the seed layer is preferably 2 μm or less. As described above, when the arithmetic average roughness Ra of the other surface of the seed layer is within the above range, it is possible to prevent the propagation distance of the high-frequency characteristic signal from becoming long, and to further suppress the loss due to the skin effect. it can.
上記シード層の一方の面側にめっき層を備えるとよい。このように、上記シート層の一方の面側にめっき層を有することによって、シード層と誘電体層との剥離強度が向上すると共に導通性が高められる。 It is preferable to provide a plating layer on one surface side of the seed layer. As described above, by providing the plating layer on one surface side of the sheet layer, the peel strength between the seed layer and the dielectric layer is improved, and the conductivity is improved.
本発明の一態様に係る高周波プリント配線板は、フッ素樹脂を主成分とし、一方の面側が改質処理された誘電体層と、この誘電体層の一方の面に積層される導電パターンとを備えるプリント配線板であって、当該高周波プリント配線板用基材を用い形成される。 A high-frequency printed wiring board according to one embodiment of the present invention includes a dielectric layer containing fluororesin as a main component, a modified surface on one surface side, and a conductive pattern laminated on one surface of the dielectric layer. A printed wiring board comprising the high-frequency printed wiring board base material.
当該高周波プリント配線板は、当該高周波プリント配線板用基材を用いて形成されるので、伝送損失を低減できると共に高周波特性を向上することができる。 Since the high-frequency printed wiring board is formed using the base material for a high-frequency printed wiring board, transmission loss can be reduced and high-frequency characteristics can be improved.
当該高周波プリント配線板は、セミアディティブ法により形成されるとよい。当該高周波プリント配線板は、上記誘電体層の一方の面側が改質処理されているので、シード層の一方の面側にめっきをある程度まで厚く形成することができるため、セミアディティブ法によって容易かつ確実に形成することができる。また、セミアディティブ法によって形成することで、導電パターンの断面を所望の形状にしやすい。これにより、導電パターンの断面積を大きくして伝送特性を向上することができる。 The high-frequency printed wiring board is preferably formed by a semi-additive method. Since the high-frequency printed wiring board has one surface side of the dielectric layer that has been modified, plating can be formed to a certain thickness on one surface side of the seed layer. It can be formed reliably. Further, by forming the conductive pattern by a semi-additive method, the cross section of the conductive pattern can be easily formed into a desired shape. Thereby, the cross-sectional area of the conductive pattern can be increased to improve the transmission characteristics.
上記導電パターンの断面形状における下底を１辺とし、この辺と隣接する辺の長さが導電パターンの平均厚みと等しい長方形に対する導電パターンの断面の面積比の平均値としては、０．９以上が好ましい。このように、導電パターンの断面の面積比の平均値を上記範囲とすることによって、導電パターンの断面積を十分に大きくして伝送特性を十分に向上することができる。 The lower base in the cross-sectional shape of the conductive pattern is defined as one side, and the average value of the area ratio of the cross section of the conductive pattern to a rectangle whose length adjacent to this side is equal to the average thickness of the conductive pattern is 0.9 or more. preferable. As described above, by setting the average value of the area ratio of the cross section of the conductive pattern to the above range, the cross sectional area of the conductive pattern can be made sufficiently large and the transmission characteristics can be sufficiently improved.
本発明の一態様に係る高周波プリント配線板用基材の製造方法は、フッ素樹脂を主成分とするフィルムの一方の面側を改質する工程と、上記改質工程後のフィルムの一方の面にシード層を形成する工程とを備え、上記シード層の主成分が金属であり、上記シード層の平均厚みが２μｍ以下である。 A method for manufacturing a substrate for a high-frequency printed wiring board according to one embodiment of the present invention includes a step of modifying one surface side of a film containing a fluororesin as a main component, and one surface of the film after the modification step. Forming a seed layer on the substrate, wherein the main component of the seed layer is a metal, and the average thickness of the seed layer is 2 μm or less.
当該高周波プリント配線板用基材の製造方法は、フッ素樹脂を主成分とするフィルムの一方の面側を改質し、この改質処理がなされた面にシード層を形成するので、このフィルムの一方の面の粗面化を防止しつつ、このフィルムとシード層との密着性を高めることができる。また、当該高周波プリント配線板用基材の製造方法は、シード層の平均厚みが上記範囲とされているので、小型化が求められる場合もシード層の一方の面にめっきをある程度まで厚く形成することができる。従って、当該高周波プリント配線板用基材の製造方法は、伝送損失を低減できると共に高周波特性を向上可能なプリント配線板用基材を容易かつ確実に製造することができる。 In the method of manufacturing the base material for a high-frequency printed wiring board, one surface of a film containing a fluororesin as a main component is modified, and a seed layer is formed on the surface on which the modification treatment is performed. The adhesion between the film and the seed layer can be enhanced while preventing the one surface from being roughened. Further, in the method of manufacturing the base material for a high-frequency printed wiring board, since the average thickness of the seed layer is in the above range, even when miniaturization is required, plating is formed to a certain thickness on one surface of the seed layer. be able to. Therefore, the method for manufacturing a base material for a high-frequency printed wiring board can easily and reliably manufacture a base material for a printed wiring board that can reduce transmission loss and improve high-frequency characteristics.
上記シード層形成工程が、金属粒子が溶媒中に分散したインクを上記フィルムの一方の面に塗工する工程と、上記フィルムの一方の面に塗工したインクを焼成する工程とを有するとよく、上記金属粒子の平均粒子径としては、１ｎｍ以上５００ｎｍ以下が好ましい。このように、上記シード層形成工程で、平均粒子径が上記範囲である金属粒子を含む上記インクを上記フィルムの一方の面に塗工した上、塗工したインクを焼成することによって、スパッタリング等の物理的蒸着に必要な高価な真空設備を用いることなく、上記フィルムの一方の面側に緻密で略均一な焼結体を的確に形成することができる。 The seed layer forming step may include a step of applying an ink in which metal particles are dispersed in a solvent to one surface of the film, and a step of baking the ink applied to one surface of the film. The average particle diameter of the metal particles is preferably from 1 nm to 500 nm. As described above, in the seed layer forming step, the ink containing the metal particles having an average particle diameter in the above range is applied to one surface of the film, and the applied ink is baked to perform sputtering or the like. A dense and substantially uniform sintered body can be accurately formed on one surface side of the film without using expensive vacuum equipment required for physical vapor deposition.
本発明の一態様に係る高周波プリント配線板の製造方法は、フッ素樹脂を主成分とし、一方の面側が改質処理された誘電体層と、この誘電体層の一方の面に積層される導電パターンとを備えるプリント配線板の製造方法であって、上記誘電体層とこの誘電体層の一方の面に積層されるシード層とを備え、上記シード層の主成分が金属であり、上記シード層の平均厚みが２μｍ以下である高周波プリント配線板を用い形成する。 According to one embodiment of the present invention, there is provided a method for manufacturing a high-frequency printed wiring board, including a dielectric layer containing fluorine resin as a main component, one surface of which is modified, and a conductive layer laminated on one surface of the dielectric layer. A method of manufacturing a printed wiring board comprising a pattern, comprising: a dielectric layer; and a seed layer laminated on one surface of the dielectric layer, wherein a main component of the seed layer is a metal; It is formed using a high-frequency printed wiring board having an average layer thickness of 2 μm or less.
当該高周波プリント配線板の製造方法は、上述のような高周波プリント配線板用基材を用いるので、伝送損失を低減できると共に高周波特性を向上可能な高周波プリント配線板を容易かつ確実に製造することができる。 Since the method for manufacturing a high-frequency printed wiring board uses the base material for a high-frequency printed wiring board as described above, it is possible to easily and reliably manufacture a high-frequency printed wiring board that can reduce transmission loss and improve high-frequency characteristics. it can.
なお、本発明において、「平均粒子径」とは、分散液中の体積粒度分布の中心径Ｄ５０で表されるものを意味する。平均粒子径は、粒子径分布測定装置（例えば、日機装株式会社のマイクロトラック粒度分布計「ＵＰＡ−１５０ＥＸ」）で測定することができる。「算術平均粗さＲａ」とは、ＪＩＳ−Ｂ−０６０１：２００１に準じてカットオフ値（λｃ）２．５ｍｍ、評価長さ（ｌ）１２．５ｍｍで測定される値を意味する。「主成分」とは、最も含有量の多い成分をいい、例えば含有量が５０質量％以上の成分をいう。「下底」とは、導電パターンの誘電体層側の辺を意味する。また、「平均厚み」とは、対象物の厚み方向に切断した断面における測定長さ内の表面側の界面の平均線と、裏面側の界面の平均線との間の距離を指す。ここで、「平均線」とは、界面に沿って引かれる仮想線であって、界面とこの仮想線とによって区画される山の総面積（仮想線よりも上側の総面積）と谷の総面積（仮想線よりも下側の総面積）とが等しくなるような線を指す。 In the present invention, the “average particle diameter” means the one represented by the center diameter D50 of the volume particle size distribution in the dispersion. The average particle size can be measured with a particle size distribution measuring device (for example, Microtrac particle size distribution analyzer “UPA-150EX” manufactured by Nikkiso Co., Ltd.). The “arithmetic mean roughness Ra” means a value measured at a cutoff value (λc) of 2.5 mm and an evaluation length (l) of 12.5 mm according to JIS-B-0601: 2001. The “main component” refers to a component having the largest content, for example, a component having a content of 50% by mass or more. "Lower bottom" means the side of the conductive pattern on the dielectric layer side. The “average thickness” refers to the distance between the average line of the interface on the front surface and the average line of the interface on the back surface within the measured length in a cross section cut in the thickness direction of the object. Here, the “average line” is a virtual line drawn along the interface, and the total area of the peaks (the total area above the virtual line) and the total of the valleys defined by the interface and this virtual line are defined. A line whose area (total area below the imaginary line) is equal.
［本発明の実施形態の詳細］
以下、図面を参照しつつ、本発明の実施形態に係る高周波プリント配線板用基材、高周波プリント配線板、高周波プリント配線板用基材の製造方法及び高周波プリント配線板の製造方法を説明する。
[Details of Embodiment of the Present Invention]
Hereinafter, a high-frequency printed wiring board base material, a high-frequency printed wiring board, a method for manufacturing a high-frequency printed wiring board base material, and a method for manufacturing a high-frequency printed wiring board according to an embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings.
［第一実施形態］
＜高周波プリント配線板用基材＞
図１の高周波プリント配線板用基材１は、誘電体層２と、シード層３と、ベース層４とを備える。高周波プリント配線板用基材１は、可撓性を有し、フレキシブルプリント配線板の基板として用いられる。
[First embodiment]
<Substrate for high frequency printed wiring board>
The
（誘電体層）
誘電体層２は、フッ素樹脂を主成分とする。ここで、「フッ素樹脂」とは、高分子鎖の繰り返し単位を構成する炭素原子に結合する水素原子の少なくとも１つが、フッ素原子又はフッ素原子を有する有機基（以下、「フッ素原子含有基」ともいう）で置換されたものをいう。フッ素原子含有基は、直鎖状又は分岐状の有機基中の水素原子の少なくとも１つがフッ素原子で置換されたものであり、例えばフルオロアルキル基、フルオロアルコキシ基、フルオロポリエーテル基等が挙げられる。
(Dielectric layer)
The
上記「フルオロアルキル基」とは、少なくとも１つの水素原子がフッ素原子で置換されたアルキル基を意味し、「パーフルオロアルキル基」等が例示できる。具体的なフルオロアルキル基としては、例えばアルキル基の全ての水素原子がフッ素原子で置換された基、アルキル基の末端の１つの水素原子以外の水素原子がフッ素原子で置換された基等が挙げられる。 The “fluoroalkyl group” means an alkyl group in which at least one hydrogen atom has been replaced by a fluorine atom, and examples thereof include a “perfluoroalkyl group”. Specific fluoroalkyl groups include, for example, a group in which all hydrogen atoms of an alkyl group are substituted with fluorine atoms, a group in which hydrogen atoms other than one hydrogen atom at the terminal of an alkyl group are substituted with fluorine atoms, and the like. Can be
上記「フルオロアルコキシ基」とは、少なくとも１つの水素原子がフッ素原子で置換されたアルコキシ基を意味し、「パーフルオロアルコキシ基」等が例示できる。具体的なフルオロアルコキシ基としては、例えばアルコキシ基の全ての水素原子がフッ素原子で置換された基、アルコキシ基の末端の１つの水素原子以外の水素原子がフッ素原子で置換された基等が挙げられる。 The “fluoroalkoxy group” means an alkoxy group in which at least one hydrogen atom has been replaced by a fluorine atom, and examples thereof include a “perfluoroalkoxy group”. Specific examples of the fluoroalkoxy group include a group in which all hydrogen atoms of an alkoxy group are substituted with fluorine atoms, a group in which a hydrogen atom other than one hydrogen atom at the terminal of the alkoxy group is substituted with a fluorine atom, and the like. Can be
上記「フルオロポリエーテル基」とは、繰り返し単位としてオキシアルキレン単位を有し、末端にアルキル基又は水素原子を有する１価の基であって、このアルキレンオキシド鎖又は末端のアルキル基の少なくとも１つの水素原子がフッ素原子で置換された１価の基を意味する。フルオロポリエーテル基としては、例えば繰り返し単位として複数のパーフルオロアルキレンオキシド鎖を有する「パーフルオロポリエーテル基」等が例示できる。 The “fluoropolyether group” is a monovalent group having an oxyalkylene unit as a repeating unit and having an alkyl group or a hydrogen atom at a terminal, and at least one of the alkylene oxide chain and the terminal alkyl group. It means a monovalent group in which a hydrogen atom is substituted by a fluorine atom. Examples of the fluoropolyether group include a “perfluoropolyether group” having a plurality of perfluoroalkylene oxide chains as a repeating unit.
誘電体層２の主成分であるフッ素樹脂としては、例えばポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）、テトラフルオロエチレン−パーフルオロアルキルビニルエーテル共重合体（ＰＦＡ）、テトラフルオロエチレン−ヘキサフルオロプロピレン共重合体（ＦＥＰ）、テトラフルオロエチレン−エチレン共重合体（ＥＴＦＥ）、ポリビニリデンフルオライド（ＰＶＤＦ）、ポリクロロトリフルオロエチレン（ＰＣＴＦＥ）、クロロトリフルオロエチレン−エチレン共重合体（ＥＣＴＦＥ）、ポリフッ化ビニル（ＰＶＦ）、並びにテトラフルオロエチレン、ヘキサフルオロプロピレン、ビニリデンフルオライドの３種類のモノマーにより形成される熱可塑性フッ素樹脂（ＴＨＶ）及びフルオロエラストマー等が挙げられる。また、これら化合物を含む混合物やコポリマーも上記フッ素樹脂として使用することができる。
Examples of the fluororesin that is the main component of the
中でも、誘電体層２の主成分として用いられるフッ素樹脂としては、テトラフルオロエチレン−ヘキサフルオロプロピレン共重合体（ＦＥＰ）、テトラフルオロエチレン−パーフルオロアルキルビニルエーテル共重合体（ＰＦＡ）、ポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）、及びこれらの組み合わせが好ましい。これらのフッ素樹脂は比誘電率が低い材料であるため、これらのフッ素樹脂を誘電体層２の主成分とすることで、伝送損失をより抑制できる。
Among them, the fluororesin used as the main component of the
また、誘電体層２は、任意成分として、例えばエンジニアリングプラスチック、難燃剤、難燃助剤、顔料、酸化防止剤、反射付与剤、隠蔽剤、滑剤、加工安定剤、可塑剤、発泡剤、補強材等を含むことができる。この場合、誘電体層２中の任意成分の含有量の上限としては、５０質量％が好ましく、４０質量％がより好ましく、３０質量％がさらに好ましい。
The
上記エンジニアリングプラスチックとしては、誘電体層２に求められる特性に応じて公知のものから選択して使用でき、典型的には芳香族ポリエーテルケトンを使用することができる。
The engineering plastic can be selected from known ones according to the characteristics required of the
この芳香族ポリエーテルケトンは、ベンゼン環がパラ位で結合し、剛直なケトン結合（−Ｃ（＝Ｏ）−）又はフレキシブルなエーテル結合（−Ｏ−）によってベンゼン環同士が連結された構造を有する熱可塑性樹脂である。芳香族ポリエーテルケトンとしては、例えばエーテル結合、ベンゼン環、エーテル結合、ベンゼン環、ケトン結合及びベンゼン環が、この順序で並んだ構造単位を有するポリエーテルエーテルケトン（ＰＥＥＫ）、エーテル結合、ベンゼン環、ケトン結合及びベンゼン環が、この順序で並んだ構造単位を有するポリエーテルケトン（ＰＥＫ）を挙げることができる。中でも、芳香族ポリエーテルケトンとしては、ＰＥＥＫが好ましい。このような芳香族ポリエーテルケトンは、耐摩耗性、耐熱性、絶縁性、加工性等に優れる。 This aromatic polyether ketone has a structure in which benzene rings are bonded at the para position and benzene rings are connected to each other by a rigid ketone bond (—C (＝ O) —) or a flexible ether bond (—O—). Is a thermoplastic resin. Examples of the aromatic polyether ketone include polyether ether ketone (PEEK) having an ether bond, a benzene ring, an ether bond, a benzene ring, a ketone bond, and a benzene ring having a structural unit arranged in this order, an ether bond, a benzene ring. , A polyether ketone (PEK) having a structural unit in which a ketone bond and a benzene ring are arranged in this order. Above all, PEEK is preferred as the aromatic polyether ketone. Such an aromatic polyether ketone is excellent in wear resistance, heat resistance, insulation, workability, and the like.
ＰＥＥＫ等の芳香族ポリエーテルケトンとしては、市販品を使用することができ、例えば市販されている単一のグレードの芳香族ポリエーテルケトンを使用してもよく、複数のグレードの芳香族ポリエーテルケトンを併用してもよく、また変性した芳香族ポリエーテルケトンを使用してもよい。 As the aromatic polyether ketone such as PEEK, a commercially available product can be used. For example, a single-grade aromatic polyether ketone that is commercially available may be used, and a plurality of grades of aromatic polyether ketone may be used. A ketone may be used in combination, or a modified aromatic polyether ketone may be used.
上記難燃剤としては、公知の種々のものを使用することができ、例えば臭素系難燃剤、塩素系難燃剤等のハロゲン系難燃剤などを挙げることができる。 As the flame retardant, various known flame retardants can be used, and examples thereof include a halogen flame retardant such as a bromine flame retardant and a chlorine flame retardant.
上記難燃助剤としては、公知の種々のものを使用することができ、例えば三酸化アンチモン等を挙げることができる。 As the flame retardant aid, various known ones can be used, and examples thereof include antimony trioxide.
上記顔料としては、公知の種々のものを使用することができ、例えば酸化チタン等を挙げることができる。 As the pigment, various known pigments can be used, and examples thereof include titanium oxide.
上記酸化防止剤としては、公知の種々のものを使用することができ、例えばフェノール系酸化防止剤等を挙げることができる。 As the antioxidant, various known antioxidants can be used, and examples thereof include a phenolic antioxidant.
上記反射付与剤としては、公知の種々のものを使用することができ、例えば酸化チタン等を挙げることができる。 As the reflection imparting agent, various known agents can be used, and examples thereof include titanium oxide.
上記補強材としては、誘電体層２よりも線膨張率が小さいものであれば特に限定されるものではないが、絶縁性と、フッ素樹脂の融点で溶融流動しない耐熱性と、フッ素樹脂と同等以上の引っ張り強さと、耐腐食性とを有することが望ましい。このような補強材としては、例えばガラスをクロス状に形成したガラスクロス、このようなガラスクロスにフッ素樹脂を含浸させたフッ素樹脂含有ガラスクロス、金属、セラミックス、ポリテトラフルオロエチレン、ポリエーテルエーテルケトン、ポリイミド、アラミド等により形成された耐熱繊維を含む樹脂クロス、ポリテトラフルオロエチレン、液晶ポリマー、ポリイミド、ポリアミドイミド、ポリベンゾイミダゾール、ポリエーテルエーテルケトン、ポリテトラフルオロエチレン、テトラフルオロエチレン−パーフルオロアルキルビニルエーテル共重合体、熱硬化樹脂、架橋樹脂等を主成分とする耐熱フィルムなどから構成することが可能である。なお、上記樹脂クロス及び耐熱フィルムとしては、後述する改質層５ａ、５ｂを形成する工程の熱圧着の温度以上の融点（又は熱変形温度）を有するものが好ましい。上記樹脂クロスの織り方としては、誘電体層２を薄くするためには平織りが好ましいが、誘電体層２を屈曲可能とするためには綾織り及びサテン織りが好ましい。この他、公知の織り方を適用することができる。
The reinforcing material is not particularly limited as long as it has a smaller coefficient of linear expansion than the
また、誘電体層２に中空構造を設けてもよい。この場合、誘電体層２の比誘電率を小さくすることができるため、伝送損失をより効果的に抑制できる。
Further, the
誘電体層２の平均厚みの下限としては、３μｍが好ましく、６μｍがより好ましい。一方、誘電体層２の平均厚みの上限としては、１ｍｍが好ましく、０．５ｍｍがより好ましく、０．１ｍｍがさらに好ましく、５５μｍが特に好ましい。誘電体層２の平均厚みが上記下限未満であると、誘電体層２の強度が不十分となるおそれがある。逆に、誘電体層２の平均厚みが上記上限を超えると、可撓性が要求される電子機器への適用が困難となるおそれがある。
The lower limit of the average thickness of the
誘電体層２の比誘電率の下限としては、１．２が好ましく、１．４がより好ましく、１．６がさらに好ましい。一方、誘電体層２の比誘電率の上限としては、２．７が好ましく、２．５がより好ましく、２．３がさらに好ましい。誘電体層２の比誘電率が上記下限未満であると、誘電体層２の寸法安定性の確保が難しくなる。特に発泡により非誘電率を低下させた場合には、弾性率が低下しすぎて加工及び搬送が困難になりかつ高額化するおそれがある。逆に、誘電体層２の比誘電率が上記上限を超えると、誘電正接が大きくなって伝送損失を十分に小さくできないおそれがあると共に、十分な伝送速度が得られないおそれがある。
As a minimum of relative permittivity of
（改質層）
誘電体層２は、両面側が改質処理されている。具体的には、誘電体層２は、一方の面側及び他方の面側に改質層５ａ、５ｂを有する。改質層５ａ、５ｂは、シロキサン結合（Ｓｉ−Ｏ−Ｓｉ）及び親水性官能基を含む。この改質層５ａ、５ｂは、誘電体層２の主成分であるフッ素樹脂に、例えば親水性官能基を有し、かつシロキサン結合を生成する改質剤（シランカップリング剤）が結合して形成される。この場合、改質層５ａ、５ｂにおいて、例えば親水性官能基がシロキサン結合を構成するＳｉ原子に結合している。ここで、フッ素樹脂と改質剤との間の結合は、共有結合だけで構成される場合、共有結合及び水素結合を含む場合等がある。
(Modified layer)
The
改質層５ａ、５ｂにおいて、シロキサン結合を構成するＳｉ原子（以下、この原子を「シロキサン結合のＳｉ原子」ともいう）は、例えばＮ原子、Ｃ原子、Ｏ原子、及びＳ原子のいずれか少なくとも１つの原子を介して誘電体層２のＣ原子と共有結合する。具体的には、シロキサン結合のＳｉ原子は、例えば−Ｏ−、−Ｓ−、−Ｓ−Ｓ−、−（ＣＨ２）ｎ−、−ＮＨ−、−（ＣＨ２）ｎ−ＮＨ−、−（ＣＨ２）ｎ−Ｏ−（ＣＨ２）ｍ−（ｎ及びｍは１以上の整数である）等の原子団を介して誘電体層２のＣ原子と結合する。
In the modified
上記親水性官能基としては、水酸基、カルボキシ基、カルボニル基、アミノ基、アミド基、スルフィド基、スルホニル基、スルホ基、スルホニルジオキシ基、エポキシ基、メタクリル基、メルカプト基、及びこれらの組合せが好ましい。これらの中でもＮ原子を含む親水性官能基、及びＳ原子を含む親水性官能基がより好ましい。これらの親水性官能基は、誘電体層２の表面の密着性を向上させる。
Examples of the hydrophilic functional group include a hydroxyl group, a carboxy group, a carbonyl group, an amino group, an amide group, a sulfide group, a sulfonyl group, a sulfo group, a sulfonyldioxy group, an epoxy group, a methacryl group, a mercapto group, and a combination thereof. preferable. Among these, a hydrophilic functional group containing an N atom and a hydrophilic functional group containing an S atom are more preferable. These hydrophilic functional groups improve the adhesion of the surface of the
また、改質層５ａ、５ｂは、これら親水性官能基の２種以上を含んでもよい。このように改質層５ａ、５ｂに異なる性質の親水性官能基を付与することによって、誘電体層２の表面の反応性等を多様なものとすることができる。これらの親水性官能基は、シロキサン結合の構成要素であるＳｉ原子に直接、又は１つ若しくは複数のＣ原子を介して結合することができる。
Further, the modified
上記の特徴を有する改質層５ａ、５ｂを形成するための改質剤としては、分子中に親水性官能基を有するシランカップリング剤が好適であり、中でも加水分解性ケイ素含有官能基を有するものがより好適である。このようなシランカップリング剤は、誘電体層２を構成するフッ素樹脂と化学結合する。シランカップリング剤と誘電体層２のフッ素樹脂との間の化学結合は、共有結合だけで構成される場合、共有結合及び水素結合を含む場合等がある。ここで、「加水分解性ケイ素含有官能基」とは、加水分解によりシラノール基（Ｓｉ−ＯＨ）を形成し得る基をいう。
As a modifier for forming the modified
改質層５ａ、５ｂの表面の純水との接触角の上限としては、９０°が好ましく、８０°がより好ましく、７０°がさらに好ましい。改質層５ａ、５ｂの表面の純水との接触角を上記上限以下とすることにより、密着性をより向上させることができる。一方、改質層５ａ、５ｂの表面の純水との接触角の下限は特に限定されない。上記接触角は、例えば親水性官能基の種類や量を調整することにより制御できる。なお、上記「純水との接触角」とは、ＪＩＳ−Ｒ−３２５７（１９９９年）の静滴法により測定される接触角の値である。
The upper limit of the contact angle of the surfaces of the modified
また、この改質層５ａ、５ｂは、以下に示すエッチング耐性を有することが好ましい。すなわち、塩化鉄を含み、比重が１．３３ｇ／ｃｍ３であって、遊離塩酸濃度が０．２ｍｏｌ／Ｌであるエッチング液（温度４５℃）に、２分間の条件で浸漬するエッチング処理に対して、改質層５ａ、５ｂが除去されないことが好ましい。ここで、「改質層５ａ、５ｂが除去されない」とは、親水性が失われないことを示し、改質層５ａ、５ｂが設けられた部分における純水との接触角が９０°を超えないことを示す。改質層５ａ、５ｂが上記エッチング耐性を有すると、高周波プリント配線板用基材１を用いて導電パターンを形成する際に、導電パターンと誘電体層２との間にエッチング液が浸入することを抑制できるため、導電パターンと誘電体層２との間の密着性を良好に維持できる。上記エッチング耐性は、例えば後述する好ましいシランカップリング剤を用いることにより改質層５ａ、５ｂに付与することができる。なお、エッチング処理により、改質層５ａ、５ｂが形成されている領域において疎水性を示す微小部分が斑状に生じる場合もあるが、この領域全体として親水性を有する場合は、このような状態は親水性が維持されているものとする。
Further, it is preferable that the modified
また、改質層５ａ、５ｂは、塩化銅を含有するエッチング液に対するエッチング耐性を有することが好ましい。なお、改質層５ａ、５ｂが上記塩化鉄含有エッチング液に対するエッチング耐性を有する場合は、この改質層５ａ、５ｂは、塩化銅を含有するエッチング液に対して上記と同様のエッチング耐性を有することが確認されている。
Further, it is preferable that the modified
改質層５ａ、５ｂの平均厚みの下限としては、１０ｎｍが好ましく、２０ｎｍがより好ましい。また、改質層５ａ、５ｂの平均厚みの上限としては、４００ｎｍが好ましく、２００ｎｍがより好ましい。改質層５ａ、５ｂの平均厚みを上記下限以上とすることにより、密着性をより向上させることができる。一方、改質層５ａ、５ｂの平均厚みが上記上限を超えると、改質層５ａ、５ｂに起因する誘電損の影響により高周波特性が不十分となるおそれがある。よって、改質層５ａ、５ｂの平均厚みを上記範囲内とすることで、伝送損失の抑制機能と密着性の向上機能とをバランスよく発揮させることができる。なお、改質層５ａ、５ｂの平均厚みは、例えば電子顕微鏡等により測定できる。
The lower limit of the average thickness of the modified
誘電体層２中の改質層５ａ、５ｂの含有量の上限は、１０質量％が好ましく、５質量％がより好ましく、１質量％がさらに好ましい。上記含有量を上記上限以下とすることにより、伝送損失の抑制機能と密着性の向上機能とをバランスよく発揮させることができる。なお、上記含有量の下限については、密着性を向上できる限り特にない。
The upper limit of the content of the modified
（シード層）
シード層３は、誘電体層２の一方の面に積層される。具体的には、シード層３は、誘電体層２の改質層５ａの一方の面に積層される。シード層３は、一方の面側にめっきを形成するためのめっき形成用の金属層である。シード層３は、金属を主成分とする。具体的には、シード層３は、金属粒子の焼結体から構成される。
(Seed layer)
The
上記金属としては、一定の導通性を有する限り特に限定されるものではないが、誘電体層２とシード層３との間の密着力向上の観点から、その金属に基づく金属酸化物又はその金属酸化物に由来する基並びにその金属に基づく金属水酸化物又はその金属水酸化物に由来する基が生成されるものであるものが好ましく、例えば銅、ニッケル、アルミニウム、金、銀、パラジウム、クロム又はこれらの合金等が挙げられる。中でも、コストを抑えつつ導通性及び誘電体層２との密着性を高めることができる銅又は銅合金が好ましい。
The metal is not particularly limited as long as it has a certain conductivity, but from the viewpoint of improving the adhesion between the
上記金属粒子の平均粒子径の下限としては、１ｎｍが好ましく、３０ｎｍがより好ましい。一方、上記金属粒子の平均粒子径の上限としては、５００ｎｍが好ましく、１００ｎｍがより好ましい。上記金属粒子の平均粒子径が上記下限未満であると、シード層３を形成するにあたり、上記金属粒子のインク中での分散性及び安定性が低下するおそれがあり、ひいては誘電体層２の一方の面に緻密で均一な焼結体を形成するのが困難になるおそれがある。逆に、上記金属粒子の平均粒子径が上記上限を超えると、上記金属粒子がインク中に沈殿しやすくなるおそれや、インクを塗布した際に上記金属粒子の密度が均一になり難くなるおそれがある。
The lower limit of the average particle diameter of the metal particles is preferably 1 nm, more preferably 30 nm. On the other hand, the upper limit of the average particle diameter of the metal particles is preferably 500 nm, more preferably 100 nm. If the average particle diameter of the metal particles is less than the lower limit, the dispersibility and stability of the metal particles in the ink may be reduced in forming the
シード層３の平均厚みの下限としては、１０ｎｍが好ましく、５０ｎｍがより好ましく、１００ｎｍがさらに好ましい。一方、シード層３の平均厚みの上限としては、２μｍとされ、１．５μｍがより好ましく、１μｍがさらに好ましく、５００ｎｍが特に好ましい。シード層３の平均厚みが上記下限未満であると、平面視においてシード層３に切れ目が生じて導通性が低下するおそれがある。逆に、シード層３の平均厚みが上記上限を超えると、めっきに要する時間が長くなり生産性が低下するおそれがある。これに対し、シード層３の平均厚みが上記範囲であることによって、導通性を維持しつつ、めっきをある程度まで厚く形成することができる。
The lower limit of the average thickness of the
シード層３の他方の面の算術平均粗さＲａの上限としては、２μｍが好ましく、１μｍがより好ましく、０．５μｍがさらに好ましい。シード層３の他方の面の算術平均粗さＲａが上記上限を超えると、高周波特性信号の伝播距離が長くなり、表皮効果による損失が多くなるおそれがある。なお、シード層３の他方の面の算術平均粗さＲａの下限としては、特に限定されるものではなく、例えば０．００１μｍとすることができる。
The upper limit of the arithmetic average roughness Ra of the other surface of the
（ベース層）
ベース層４は、誘電体層２の他方の面の全面に亘って配設されるグランド層である。ベース層４は、金属を主成分とする。ベース層４の主成分としては、例えば銅、銀、金、ステンレス、鉄、アルミニウム、ニッケル又はこれらの合金等が挙げられる。中でも、製造コストを抑えつつ、導通性を向上可能な銅又は銅合金が好ましい。
(Base layer)
The
ベース層４の平均厚みの下限としては、１μｍが好ましく、１０μｍがより好ましい。一方、ベース層４の平均厚みの上限としては、２０００μｍが好ましく、３００μｍがより好ましい。ベース層４の平均厚みが上記下限未満であると、十分な導通性が得られないと共に、強度が不足してベース層４の一方の面に誘電体層２を的確に積層できないおそれがある。逆に、ベース層４の平均厚みが上記上限を超えると、コストが嵩むと共に当該高周波プリント配線板用基材１が不必要に厚くなるおそれがある。
The lower limit of the average thickness of the
＜高周波プリント配線板用基材の製造方法＞
次に、図２Ａ乃至図２Ｃを参照して、当該高周波プリント配線板用基材１の製造方法について説明する。
<Production method of base material for high frequency printed wiring board>
Next, a method for manufacturing the
当該高周波プリント配線板用基材の製造方法は、フッ素樹脂を主成分とするフィルム２ａ（以下、単に「フッ素樹脂フィルム２ａ」ともいう。）の両面側を改質する工程と、この改質工程後のフィルムの一方の面にシード層３を形成する工程と、この改質工程後のフィルムの他方の面にベース層４を積層する工程とを備える。なお、以下においては、シード層形成工程の後にベース層積層を行う場合について説明するが、シード層形成工程の前にベース層積層工程を行ってもよい。
The method for producing the base material for a high-frequency printed wiring board includes a step of modifying both sides of a
＜改質工程＞
改質工程では、図２Ａに示すように、フッ素樹脂フィルム２ａの両面を改質する。具体的には、フッ素樹脂フィルム２ａの両面に改質層５ａ、５ｂを形成する。改質工程では、例えば改質剤である上述のシランカップリング剤と、アルコールと、水とを含むプライマ材料をフッ素樹脂フィルム２ａの両面に積層し、乾燥によりこのプライマ材料のアルコールを除去する。この改質工程によって、フッ素樹脂フィルム２ａの両面が改質されることで、誘電体層２が形成される。
<Reforming process>
In the modification step, as shown in FIG. 2A, both surfaces of the
プライマ材料全体におけるシランカップリング剤の含有量の下限としては、０．１質量％が好ましく、０．５質量％がより好ましい。また、シランカップリング剤のプライマ材料全体における含有量の上限としては、５質量％が好ましく、３質量％がより好ましい。シランカップリング剤の含有量を上記下限以上とすることにより、密着性をより向上できる。一方、シランカップリング剤の含有量が上記上限を超えると、シランカップリング剤の凝集が生じ、均一な厚みのプライマ材料の膜が形成され難くなるおそれがある。 As a minimum of content of a silane coupling agent in the whole primer material, 0.1 mass% is preferred and 0.5 mass% is more preferred. Further, the upper limit of the content of the silane coupling agent in the entire primer material is preferably 5% by mass, and more preferably 3% by mass. When the content of the silane coupling agent is equal to or more than the above lower limit, the adhesion can be further improved. On the other hand, when the content of the silane coupling agent exceeds the above upper limit, aggregation of the silane coupling agent occurs, which may make it difficult to form a primer material film having a uniform thickness.
上記プライマ材料に含まれるアルコールとしては、例えばメタノール、エタノール、ｎ−プロパノール、ｎ−ブタノール、ｔ−ブタノール、イソプロピルアルコール等が挙げられる。これらのアルコール群から選択される１種又は２種以上が、上記アルコールとして使用できる。 Examples of the alcohol contained in the primer material include methanol, ethanol, n-propanol, n-butanol, t-butanol, and isopropyl alcohol. One or more selected from these alcohol groups can be used as the alcohol.
上記プライマ材料に含まれる水は、シランカップリング剤を加水分解させる物質であり、微量で足りるが、例えばアルコール１００質量部に対して０．０１質量部以上０．１質量部以下に設定される。なお、上記水としては、空気中に存在する水分や、アルコールに含まれる不純物としての水分を用いてもよい。 The water contained in the primer material is a substance that hydrolyzes the silane coupling agent, and a small amount is sufficient. For example, water is set to 0.01 part by mass or more and 0.1 part by mass or less based on 100 parts by mass of alcohol. . As the water, water existing in the air or water as an impurity contained in alcohol may be used.
＜シード層形成工程＞
シード層形成工程では、図２Ｂに示すように、フッ素樹脂フィルム２ａを改質して形成される誘電体層２の一方の面にシード層３を形成する。シード層形成工程は、塗工工程と、焼成工程とを有する。
<Seed layer forming step>
In the seed layer forming step, as shown in FIG. 2B, the
（塗工工程）
塗工工程は、金属粒子が溶媒中に分散したインクを誘電体層２の一方の面に塗工する。以下、上記塗工工程について詳説する。
(Coating process)
In the coating step, an ink in which metal particles are dispersed in a solvent is coated on one surface of the
（金属粒子）
上記インクに分散させる金属粒子は、高温処理法、液相還元法、気相法等で製造することができる。中でも、液相還元法によれば、製造コストをより低減できる上、水溶液中での攪拌等により、容易に金属粒子の粒子径を均一にすることができる。上記金属粒子は、このように、高温処理法、液相還元法、気相法等で製造されることによって、上述のように平均粒子径が１ｎｍ以上５００ｎｍ以下に調整される。
(Metal particles)
The metal particles dispersed in the ink can be produced by a high-temperature treatment method, a liquid phase reduction method, a gas phase method, or the like. Among them, according to the liquid phase reduction method, the production cost can be further reduced, and the particle diameter of the metal particles can be easily made uniform by stirring in an aqueous solution. The metal particles are manufactured by the high-temperature treatment method, the liquid-phase reduction method, the gas-phase method, or the like, so that the average particle diameter is adjusted to 1 nm or more and 500 nm or less as described above.
液相還元法によって上記金属粒子を製造するためには、例えば水に金属粒子を形成する金属のイオンのもとになる水溶性の金属化合物と分散剤とを溶解すると共に、還元剤を加えて一定時間金属イオンを還元反応させればよい。液相還元法の場合、製造される金属粒子は形状が球状又は粒状で揃っており、しかも微細な粒子とすることができる。上記金属イオンのもとになる水溶性の金属化合物として、例えば銅の場合は、硝酸銅（ＩＩ）（Ｃｕ（ＮＯ３）２）、硫酸銅（ＩＩ）五水和物（ＣｕＳＯ４・５Ｈ２Ｏ）等が挙げられる。また銀の場合は硝酸銀（Ｉ）（ＡｇＮＯ３）、メタンスルホン酸銀（ＣＨ３ＳＯ３Ａｇ）等、金の場合はテトラクロロ金（ＩＩＩ）酸四水和物（ＨＡｕＣｌ４・４Ｈ２Ｏ）、ニッケルの場合は塩化ニッケル（ＩＩ）六水和物（ＮｉＣｌ２・６Ｈ２Ｏ）、硝酸ニッケル（ＩＩ）六水和物（Ｎｉ（ＮＯ３）２・６Ｈ２Ｏ）等が挙げられる。他の金属粒子についても、塩化物、硝酸化合物、硫酸化合物等の水溶性の化合物を用いることができる。 In order to produce the metal particles by a liquid phase reduction method, for example, a water-soluble metal compound and a dispersant that are the source of metal ions forming the metal particles are dissolved in water, and a reducing agent is added. The reduction reaction of the metal ions may be performed for a certain period of time. In the case of the liquid phase reduction method, the produced metal particles have a uniform spherical or granular shape and can be made into fine particles. For example, in the case of copper, copper (II) nitrate (Cu (NO 3 ) 2 ) or copper (II) sulfate pentahydrate (CuSO 4 .5H 2 O) and the like. Silver (I) nitrate in the case of silver addition (AgNO 3), silver methanesulfonate (CH 3 SO 3 Ag) or the like, in the case of gold tetrachloroaurate (III) acid tetrahydrate (HAuCl 4 · 4H 2 O) In the case of nickel, nickel (II) chloride hexahydrate (NiCl 2 .6H 2 O), nickel nitrate (II) hexahydrate (Ni (NO 3 ) 2 .6H 2 O) and the like can be mentioned. As for other metal particles, water-soluble compounds such as chlorides, nitric acid compounds, and sulfuric acid compounds can be used.
上記還元剤としては、液相（水溶液）の反応系において、金属イオンを還元及び析出させることができる種々の還元剤を用いることができる。この還元剤としては、例えば水素化ホウ素ナトリウム、次亜リン酸ナトリウム、ヒドラジン、３価のチタンイオンや２価のコバルトイオン等の遷移金属のイオン、アスコルビン酸、グルコースやフルクトース等の還元性糖類、エチレングリコールやグリセリン等の多価アルコールなどが挙げられる。中でも、上記還元剤としては３価のチタンイオンが好ましい。なお、３価のチタンイオンを還元剤とする液相還元法は、チタンレドックス法という。チタンレドックス法では、３価のチタンイオンが４価に酸化される際の酸化還元作用によって金属イオンを還元し、金属粒子を析出させる。チタンレドックス法で得られる金属粒子は、粒子径が小さくかつ揃っているため、金属粒子がより高密度に充填され、塗膜をより緻密な膜に形成することができる。 As the reducing agent, various reducing agents capable of reducing and precipitating metal ions in a liquid phase (aqueous solution) reaction system can be used. Examples of the reducing agent include sodium borohydride, sodium hypophosphite, hydrazine, transition metal ions such as trivalent titanium ion and divalent cobalt ion, ascorbic acid, reducing sugars such as glucose and fructose, Examples include polyhydric alcohols such as ethylene glycol and glycerin. Above all, a trivalent titanium ion is preferable as the reducing agent. The liquid phase reduction method using trivalent titanium ions as a reducing agent is referred to as a titanium redox method. In the titanium redox method, metal ions are reduced by redox action when trivalent titanium ions are oxidized to tetravalent, and metal particles are precipitated. Since the metal particles obtained by the titanium redox method have small and uniform particle diameters, the metal particles are more densely packed, and the coating film can be formed into a more dense film.
金属粒子の粒子径を調整するには、金属化合物、分散剤及び還元剤の種類並びに配合割合を調整すると共に、金属化合物を還元反応させる際に、攪拌速度、温度、時間、ｐＨ等を調整すればよい。反応系のｐＨの下限としては７が好ましく、反応系のｐＨの上限としては１３が好ましい。反応系のｐＨを上記範囲とすることで、微小な粒子径の金属粒子を得ることができる。このときｐＨ調整剤を用いることで、反応系のｐＨを上記範囲に容易に調整することができる。このｐＨ調整剤としては、塩酸、硫酸、硝酸、水酸化ナトリウム、炭酸ナトリウム、アンモニア等の一般的な酸又はアルカリが使用できるが、特に周辺部材の劣化を防止するために、アルカリ金属、アルカリ土類金属、ハロゲン元素、硫黄、リン、ホウ素等の不純物を含まない硝酸及びアンモニアが好ましい。 In order to adjust the particle diameter of the metal particles, adjust the types and mixing ratios of the metal compound, the dispersant and the reducing agent, and adjust the stirring speed, temperature, time, pH, etc., when the metal compound is subjected to the reduction reaction. I just need. The lower limit of the pH of the reaction system is preferably 7, and the upper limit of the pH of the reaction system is preferably 13. By setting the pH of the reaction system within the above range, metal particles having a fine particle diameter can be obtained. At this time, the pH of the reaction system can be easily adjusted to the above range by using the pH adjuster. As the pH adjuster, a common acid or alkali such as hydrochloric acid, sulfuric acid, nitric acid, sodium hydroxide, sodium carbonate, and ammonia can be used. Particularly, in order to prevent deterioration of peripheral members, an alkali metal or alkaline earth is used. Nitric acid and ammonia which do not contain impurities such as metals, halogens, sulfur, phosphorus and boron are preferred.
金属粒子の平均粒子径の下限としては、１ｎｍが好ましく、１０ｎｍがより好ましく、
３０ｎｍがさらに好ましい。また、金属粒子の平均粒子径の上限としては、５００ｎｍが好ましく、３００ｎｍがより好ましく、１００ｎｍがさらに好ましい。金属粒子の平均粒子径が上記下限未満であると、インク中での金属粒子の分散性及び安定性が低下するおそれがある。一方、金属粒子の平均粒子径が上記上限を超えると、金属粒子が沈殿しやすくなるおそれがあると共に、インクを塗布した際に金属粒子の密度が不均一になるおそれがある。
The lower limit of the average particle diameter of the metal particles is preferably 1 nm, more preferably 10 nm,
30 nm is more preferred. In addition, the upper limit of the average particle diameter of the metal particles is preferably 500 nm, more preferably 300 nm, and still more preferably 100 nm. If the average particle size of the metal particles is less than the above lower limit, the dispersibility and stability of the metal particles in the ink may be reduced. On the other hand, when the average particle diameter of the metal particles exceeds the above upper limit, the metal particles may be easily precipitated, and the density of the metal particles may be non-uniform when the ink is applied.
インク中の金属粒子の含有割合の下限としては、５質量％が好ましく、１０質量％がより好ましく、２０質量％がさらに好ましい。また、インク中の金属粒子の含有割合の上限としては、５０質量％が好ましく、４０質量％がより好ましく、３０質量％がさらに好ましい。金属粒子の含有割合を上記下限以上とすることで、塗膜をより緻密な膜に形成することができる。一方、金属粒子の含有割合が上記上限を超えると、塗膜の膜厚が不均一になるおそれがある。 As a minimum of content rate of metal particles in ink, 5 mass% is preferred, 10 mass% is more preferred, and 20 mass% is still more preferred. Further, the upper limit of the content ratio of the metal particles in the ink is preferably 50% by mass, more preferably 40% by mass, and still more preferably 30% by mass. By setting the content ratio of the metal particles to the lower limit or more, the coating film can be formed into a denser film. On the other hand, when the content ratio of the metal particles exceeds the above upper limit, the film thickness of the coating film may be non-uniform.
（その他の成分）
上記インクには、金属粒子以外に分散剤が含まれていてもよい。この分散剤としては、特に限定されず、金属粒子を良好に分散させることができる種々の分散剤を用いることができる。分散剤の分子量の下限としては、２，０００が好ましく、分散剤の分子量の上限としては、３０，０００が好ましい。分子量が上記範囲の分散剤を用いることで、金属粒子をインク中に良好に分散させることができ、塗膜の膜質を緻密でかつ欠陥のないものにすることができる。上記分散剤の分子量が上記下限未満の場合、金属粒子の凝集を防止して分散を維持する効果が十分に得られないおそれがある。一方、上記分散剤の分子量が上記上限を超える場合、分散剤の嵩が大きすぎて、塗膜の焼成時において、金属粒子同士の焼結を阻害してボイドを生じさせるおそれがある。また、分散剤の嵩が大きすぎると、塗膜の緻密さが低下したり、分散剤の分解残渣が導通性を低下させるおそれがある。
(Other components)
The ink may contain a dispersant other than the metal particles. The dispersant is not particularly limited, and various dispersants capable of favorably dispersing metal particles can be used. The lower limit of the molecular weight of the dispersant is preferably 2,000, and the upper limit of the molecular weight of the dispersant is preferably 30,000. By using a dispersant having a molecular weight in the above range, the metal particles can be dispersed well in the ink, and the film quality of the coating film can be made dense and free from defects. When the molecular weight of the dispersant is less than the lower limit, the effect of preventing aggregation of the metal particles and maintaining the dispersion may not be sufficiently obtained. On the other hand, when the molecular weight of the dispersant exceeds the above upper limit, the bulk of the dispersant is too large, and during sintering of the coating film, sintering of the metal particles may be inhibited to cause voids. If the bulk of the dispersant is too large, the denseness of the coating film may be reduced, or the decomposition residue of the dispersant may lower the conductivity.
上記分散剤は、周辺部材の劣化防止の観点より、硫黄、リン、ホウ素、ハロゲン及びアルカリを含まないものが好ましい。好ましい分散剤としては、分子量が上記範囲にあるもので、ポリエチレンイミン、ポリビニルピロリドン等のアミン系の高分子分散剤、ポリアクリル酸、カルボキシメチルセルロース等の分子中にカルボキシ基を有する炭化水素系の高分子分散剤、ポバール（ポリビニルアルコール）、スチレン−マレイン酸共重合体、オレフィン−マレイン酸共重合体、１分子中にポリエチレンイミン部分とポリエチレンオキサイド部分とを有する共重合体等の極性基を有する高分子分散剤などを挙げることができる。 The dispersant preferably does not contain sulfur, phosphorus, boron, halogen and alkali from the viewpoint of preventing deterioration of peripheral members. Preferred dispersants are those having a molecular weight in the above range, such as amine-based polymer dispersants such as polyethyleneimine and polyvinylpyrrolidone, and polyacrylic acid and hydrocarbon-based high-molecular weight compounds having a carboxy group in the molecule such as carboxymethylcellulose. Molecular dispersants, poval (polyvinyl alcohol), styrene-maleic acid copolymers, olefin-maleic acid copolymers, copolymers having a polar group such as a copolymer having a polyethyleneimine moiety and a polyethylene oxide moiety in one molecule. Molecular dispersants and the like can be mentioned.
上記分散剤は、水又は水溶性有機溶媒に溶解させた溶液の状態でインクに配合することもできる。インクに分散剤を配合する場合、分散剤の含有割合の下限としては、１００質量部の金属粒子に対して１質量部が好ましい。また、分散剤の含有割合の上限としては、１００質量部の金属粒子に対して６０質量部が好ましい。上記分散剤の含有割合が上記下限未満の場合、金属粒子の凝集防止効果が不十分となるおそれがある。一方、上記分散剤の含有割合が上記上限を超える場合、塗膜の焼成時に過剰の分散剤が金属粒子の焼結を阻害してボイドが発生するおそれがあり、また、分散剤の分解残渣が不純物として残存して導通性を低下させるおそれがある。 The dispersant may be incorporated in the ink in the form of a solution dissolved in water or a water-soluble organic solvent. When a dispersant is added to the ink, the lower limit of the content of the dispersant is preferably 1 part by mass with respect to 100 parts by mass of metal particles. Further, the upper limit of the content ratio of the dispersant is preferably 60 parts by mass with respect to 100 parts by mass of the metal particles. When the content of the dispersant is less than the lower limit, the effect of preventing metal particles from agglomerating may be insufficient. On the other hand, when the content ratio of the dispersant exceeds the upper limit, there is a possibility that an excess dispersant inhibits the sintering of the metal particles at the time of firing the coating film to generate voids, and the decomposition residue of the dispersant is reduced. It may remain as an impurity and lower the conductivity.
上記インクにおける分散媒としては、例えば水が使用できる。水を分散媒とする場合、水の含有割合の下限としては、１００質量部の金属粒子に対して２０質量部が好ましい。また、水の含有割合の上限としては、１００質量部の金属粒子に対して１，９００質量部が好ましい。分散媒である水は、例えば分散剤を十分に膨潤させて分散剤で囲まれた金属粒子を良好に分散させる役割を果たすが、上記水の含有割合が上記下限未満の場合、この分散剤の膨潤効果が不十分となるおそれがある。一方、上記水の含有割合が上記上限を超える場合、インク中の金属粒子の含有割合が少なくなり、必要な厚みと密度とを有する良好な焼結体３を形成できないおそれがある。
As the dispersion medium in the ink, for example, water can be used. When water is used as the dispersion medium, the lower limit of the water content is preferably 20 parts by mass with respect to 100 parts by mass of the metal particles. The upper limit of the water content is preferably 1,900 parts by mass with respect to 100 parts by mass of metal particles. Water serving as a dispersion medium plays a role of, for example, sufficiently swelling the dispersant and dispersing the metal particles surrounded by the dispersant satisfactorily. The swelling effect may be insufficient. On the other hand, when the content of the water exceeds the upper limit, the content of the metal particles in the ink decreases, and there is a possibility that a good
上記インクには、粘度調整や蒸気圧調整等のために必要に応じて有機溶媒を配合できる。このような有機溶媒としては、水溶性である種々の有機溶媒が使用可能である。その具体例としては、メチルアルコール、エチルアルコール、ｎ−プロピルアルコール、イソプロピルアルコール、ｎ−ブチルアルコール、イソブチルアルコール、ｓｅｃ−ブチルアルコール、ｔｅｒｔ−ブチルアルコール等のアルコール類；アセトン、メチルエチルケトン等のケトン類；エチレングリコール、グリセリン等の多価アルコールやその他のエステル類；エチレングリコールモノエチルエーテル、ジエチレングリコールモノブチルエーテル等のグリコールエーテル類などが挙げられる。 An organic solvent can be added to the ink as needed for viscosity adjustment, vapor pressure adjustment, and the like. As such an organic solvent, various organic solvents that are water-soluble can be used. Specific examples thereof include alcohols such as methyl alcohol, ethyl alcohol, n-propyl alcohol, isopropyl alcohol, n-butyl alcohol, isobutyl alcohol, sec-butyl alcohol, and tert-butyl alcohol; ketones such as acetone and methyl ethyl ketone; Polyhydric alcohols such as ethylene glycol and glycerin and other esters; glycol ethers such as ethylene glycol monoethyl ether and diethylene glycol monobutyl ether;
インクに有機溶媒を配合する場合、有機溶媒の含有割合の下限としては、１００質量部の金属粒子に対して３０質量部が好ましい。また、有機溶媒の含有割合の上限としては、１００質量部の金属粒子に対して９００質量部が好ましい。有機溶媒の含有割合が上記下限未満であると、インクの粘度調整及び蒸気圧調整の効果が十分に得られないおそれがある。一方、有機溶媒の含有割合が上記上限を超えると、例えば水による分散剤の膨潤効果が不十分となり、インク中で金属粒子の凝集が生じるおそれがある。 When an organic solvent is added to the ink, the lower limit of the content ratio of the organic solvent is preferably 30 parts by mass with respect to 100 parts by mass of metal particles. The upper limit of the content ratio of the organic solvent is preferably 900 parts by mass with respect to 100 parts by mass of the metal particles. When the content ratio of the organic solvent is less than the above lower limit, the effects of adjusting the viscosity of the ink and adjusting the vapor pressure may not be sufficiently obtained. On the other hand, when the content ratio of the organic solvent exceeds the above upper limit, for example, the swelling effect of the dispersant by water becomes insufficient, and there is a possibility that metal particles may aggregate in the ink.
なお、液相還元法で金属粒子を製造する場合、液相（水溶液）の反応系で析出させた金属粒子は、ろ別、洗浄、乾燥、解砕等の工程を経て、一旦粉末状としたものを用いてインクを調製することができる。この場合は、粉末状の金属粒子と、水等の分散媒と、必要に応じて分散剤、有機溶媒等とを所定の割合で配合し、金属粒子を含むインクとすることができる。このとき、金属粒子を析出させた液相（水溶液）を出発原料としてインクを調製することが好ましい。具体的には、析出した金属粒子を含む液相（水溶液）を限外ろ過、遠心分離、水洗、電気透析等の処理に供して不純物を除去し、必要に応じて濃縮して水を除去する。又は、逆に水を加えて金属粒子の濃度を調整した後、さらに必要に応じて有機溶媒を所定の割合で配合することによって金属粒子を含むインクを調製する。この方法では、金属粒子の乾燥時の凝集による粗大で不定形な粒子の発生を防止することができ、緻密で均一なシード層３を形成しやすい。
In the case of producing metal particles by a liquid phase reduction method, the metal particles precipitated in a reaction system of a liquid phase (aqueous solution) are once formed into a powder form through steps such as filtration, washing, drying, and crushing. Can be used to prepare an ink. In this case, an ink containing metal particles can be obtained by mixing powdered metal particles, a dispersion medium such as water, and, if necessary, a dispersant, an organic solvent, and the like at a predetermined ratio. At this time, it is preferable to prepare an ink using a liquid phase (aqueous solution) in which metal particles are precipitated as a starting material. Specifically, the liquid phase (aqueous solution) containing the precipitated metal particles is subjected to a treatment such as ultrafiltration, centrifugation, washing, and electrodialysis to remove impurities, and if necessary, is concentrated to remove water. . Alternatively, conversely, after adding water to adjust the concentration of the metal particles, an ink containing the metal particles is prepared by further mixing an organic solvent at a predetermined ratio as needed. According to this method, generation of coarse and irregular particles due to aggregation of metal particles during drying can be prevented, and a dense and
（インクの塗布方法）
金属粒子を分散させたインクを誘電体層２の一方の面に塗布する方法としては、スピンコート法、スプレーコート法、バーコート法、ダイコート法、スリットコート法、ロールコート法、ディップコート法等の従来公知の塗布法を用いることができる。また、スクリーン印刷、ディスペンサ等により誘電体層２の一方の面の一部のみにインクを塗布するようにしてもよい。インクの塗布後、例えば室温で乾燥することにより塗膜が形成される。
(Ink application method)
Examples of a method of applying the ink in which the metal particles are dispersed to one surface of the
（焼成工程）
焼成工程は、塗工した上記インクを焼成する。詳細には、上記焼成工程は、誘電体層２の一方の面に塗工したインクから形成される塗膜を乾燥した後、熱処理する。この焼成工程によって上記金属粒子同士が焼結して焼結体を構成すると共にこの焼結体が誘電体層２の一方の面に固着される。これにより、誘電体層２の一方の面に平均厚みが２μｍ以下のシード層３が形成される。なお、インクに含まれ得る分散剤やその他の有機物は、焼成によって揮発又は分解される。また、シード層３と誘電体層２との界面近傍では、焼成によって金属粒子が酸化されるため、金属粒子に基づく金属水酸化物やその金属水酸化物に由来する基の生成を抑えつつ、金属粒子に基づく金属酸化物やその金属酸化物に由来する基（以下、これらをまとめて「金属酸化物等」ともいう。）が生成する。このシード層３と誘電体層２との界面近傍に生成した金属酸化物等は、誘電体層２を構成するフッ素樹脂と強く結合するため、シード層３と誘電体層２との間の密着力が大きくなる。
(Firing process)
In the firing step, the coated ink is fired. Specifically, in the baking step, a coating film formed from the ink applied to one surface of the
上記焼成は、シード層３と誘電体層２との界面近傍の金属粒子の酸化を促進させるため、一定量の酸素が含まれる雰囲気下で行うことが好ましい。この場合、焼成雰囲気の酸素濃度の下限としては、１体積ｐｐｍが好ましく、１０体積ｐｐｍがより好ましい。また、上記酸素濃度の上限としては、１０，０００体積ｐｐｍが好ましく、１，０００体積ｐｐｍがより好ましい。上記酸素濃度が上記下限未満であると、シード層３と誘電体層２との界面近傍における金属酸化物等の生成量が少なくなり、誘電体層２とシード層３との間の密着力を向上させることができなくなるおそれがある。一方、上記酸素濃度が上記上限を超えると、金属粒子の過度の酸化によりシード層３の導通性が低下するおそれがある。
The baking is preferably performed in an atmosphere containing a certain amount of oxygen in order to promote oxidation of metal particles near the interface between the
上記乾燥は、例えば室温で行うことができる。 The drying can be performed, for example, at room temperature.
上記熱処理温度の下限としては、１００℃が好ましく、１５０℃がより好ましい。一方、上記熱処理の温度の上限としては、４００℃が好ましく、３５０℃がより好ましい。上記熱処理温度が上記下限未満であると、シード層３と誘電体層２との界面近傍における金属酸化物等の生成量が少なくなり、誘電体層２とシード層３との間の密着力を向上させることができなくなるおそれがある。一方、上記熱処理温度が上記上限を超えると、誘電体層２が変形するおそれがある。なお、熱処理時間については、特に限定されないが、例えば３０分以上６００分以下の範囲とすればよい。
As a minimum of the above-mentioned heat treatment temperature, 100 ° C is preferred and 150 ° C is more preferred. On the other hand, the upper limit of the temperature of the heat treatment is preferably 400 ° C, more preferably 350 ° C. When the heat treatment temperature is lower than the lower limit, the amount of metal oxide or the like generated near the interface between the
＜ベース層積層工程＞
ベース層積層工程では、図２Ｃに示すように、ベース層４を誘電体層２の他方の面に積層する。ベース層積層工程では、例えばベース層４を構成する金属箔を誘電体層２に熱圧着する。また、この熱圧着は、ベース層４と誘電体層２との間に気泡や空隙が形成されないようにするために、減圧下で行うことが好ましい。また、ベース層４の酸化を抑制するため、低酸素条件下（例えば窒素雰囲気中）で行うことが好ましい。
<Base layer lamination process>
In the base layer laminating step, the
＜利点＞
当該高周波プリント配線板用基材１は、誘電体層２がフッ素樹脂を主成分とするので、誘電体層２の比誘電率が小さく、これによって伝送損失を低減することができる。また、当該高周波プリント配線板用基材１は、誘電体層２の一方の面側が改質処理されているので、この一方の面側にシード層３を密着させやすい。特に、当該高周波プリント配線板用基材１は、このように誘電体層２の一方の面側を改質処理することで、この一方の面の粗面化を防止しつつ、シード層３との密着性を高めることができる。そのため、当該高周波プリント配線板用基材１は、シード層３と誘電体層２との当接面の粗面化を抑制して高周波特性信号の伝搬距離が長くなるのを防止することで、表皮効果による損失を抑制することができる。また、当該高周波プリント配線板用基材１は、シード層３の平均厚みが上記範囲とされているので、小型化が求められる場合もシード層３の一方の面にめっきをある程度まで厚く形成することができる。従って、当該高周波プリント配線板用基材１は、伝送損失を低減できると共に高周波特性を向上することができる。
<Advantages>
In the
従って、当該高周波プリント配線板用基材の製造方法は、伝送損失を低減できると共に高周波特性を向上可能なプリント配線板用基材を容易かつ確実に製造することができる。 Therefore, the method for manufacturing a base material for a high-frequency printed wiring board can easily and reliably manufacture a base material for a printed wiring board that can reduce transmission loss and improve high-frequency characteristics.
当該高周波プリント配線板用基材の製造方法は、上記シード層形成工程が、平均粒子径が上記範囲である金属粒子を含む上記インクを上記フィルムの一方の面に塗工した上、塗工したインクを焼成するので、スパッタリング等の物理的蒸着に必要な高価な真空設備を用いることなく、誘電体層２の一方の面側に緻密で略均一な焼結体を的確に形成することができる。
In the method for producing a base material for a high-frequency printed wiring board, the seed layer forming step is performed by applying the ink containing metal particles having an average particle diameter in the above range to one surface of the film, and then applying the ink. Since the ink is fired, a dense and substantially uniform sintered body can be accurately formed on one surface side of the
［第二実施形態］
＜高周波プリント配線板用基材＞
図３の高周波プリント配線板用基材１１は、図１の高周波プリント配線板用基材１を用いて形成される。図３の高周波プリント配線板１１は、誘電体層２と、シード層３と、ベース層４と、めっき層（第一めっき層１２）とを備える。高周波プリント配線板１１は、可撓性を有するフレキシブルプリント配線板である。誘電体層２、シード層３及びベース層４は、図１の高周波プリント配線板用基材１と同様のため、同一符号を付して説明を省略する。
[Second embodiment]
<Substrate for high frequency printed wiring board>
The high frequency printed wiring
（第一めっき層）
第一めっき層１２は、シード層３の一方の面に積層される。第一めっき層１２を構成するめっき金属は、シード層３の外面だけでなく、シード層３の内部（シード層３を構成する金属粒子間の隙間）に入り込む。シード層３に空隙が残存していると、この空隙部分が破壊起点となってシード層３が誘電体層２から剥離しやすくなるが、この空隙部分に第一めっき層１２を構成する金属が充填されていることによって誘電体層２からの剥離が防止される。また、シード層３を形成する金属粒子の空隙に第一めっき層１２の金属が充填されることによって導通性が向上する。第一めっき層１２を形成するためのめっき方法は、特に限定されず、無電解めっきであっても電気めっきであってもよいが、シード層３を形成する金属粒子間の空隙をより的確に埋めることでシード層３及び誘電体層２の剥離強度を容易かつ確実に向上できる無電解めっきが好ましい。
(First plating layer)
The
上記無電解めっきに用いる金属として、導通性のよい銅、ニッケル、銀等を用いることができるが、シード層３の主成分が銅又は銅合金である場合、シード層３との密着性を考慮して、銅又はニッケルを用いることが好ましい。なお、無電解めっきに用いるめっき液は、ニッケル以外の金属を無電解めっきに用いる場合、めっき金属に加えてニッケル又はニッケル化合物を含有させたものを用いることが好ましい。
As the metal used for the electroless plating, copper, nickel, silver, or the like having good conductivity can be used. However, when the main component of the
無電解めっきの手順としては、特に限定されず、例えばクリーナ工程、水洗工程、酸処理工程、水洗工程、プレディップ工程、アクチベータ工程、水洗工程、還元工程、水洗工程等の処理と共に、公知の手段で無電解めっきを行えばよい。 The procedure of the electroless plating is not particularly limited, and includes, for example, a cleaning step, a rinsing step, an acid treatment step, a rinsing step, a pre-dip step, an activator step, a rinsing step, a reduction step, a rinsing step, and other known means. May be used for electroless plating.
また、上記電気めっきに用いる金属としては、特に限定されるものではなく、上記無電解めっきに用いる金属と同様の金属が挙げられる。また、また、上記電気めっきの手順としても、特に限定されるものではなく、公知の電気めっき浴及びめっき条件から適宜選択すればよい。 The metal used for the electroplating is not particularly limited, and may be the same metal as the metal used for the electroless plating. Also, the procedure of the electroplating is not particularly limited, and may be appropriately selected from known electroplating baths and plating conditions.
第一めっき層１２の平均厚みの下限としては、０．２μｍが好ましく、０．３μｍがより好ましい。一方、第一めっき層１２の平均厚みの上限としては、１μｍが好ましく、０．５μｍがより好ましい。第一めっき層１２の平均厚みが上記下限未満であると、第一めっき層１２を構成する金属がシード層３内の空隙に十分に充填されないおそれがある。逆に、第一めっき層１２の平均厚みが上記上限を超えると、無電解めっきに要する時間が長くなり生産性が低下するおそれがある。
The lower limit of the average thickness of the
＜利点＞
当該高周波プリント配線板用基材１１は、第一めっき層１２を有するので、シード層３を形成する金属粒子間の空隙にめっきによる金属が充填される。そのため、当該プリント配線板用基材１１は、シード層３と誘電体層２との剥離強度を向上できると共に導通性を高めることができる。
<Advantages>
Since the
＜高周波プリント配線板＞
図４の高周波プリント配線板２１は、図３の高周波プリント配線板用基材１１を用い形成される。高周波プリント配線板２１は、誘電体層２と、ベース層４と、導電パターン２２とを備える。高周波プリント配線板２１は、可撓性を有するフレキシブルプリント配線板である。高周波プリント配線板２１の形成方法としては、特に限定されるものではなく、セミアディティブ法及びサブトラクティブ法のいずれの方法を用いることもできる。ただし、導電パターン２２の断面を所望の形状にするためにはセミアディティブ法によるのが好ましい。以下では、当該高周波プリント配線板２１をセミアディティブ法によって形成する場合について説明する。なお、誘電体層２及びベース層４は、図１の高周波プリント配線板用基材と同様のため、同一符号を付して説明を省略する。
<High frequency printed wiring board>
The high-frequency printed
（導電パターン）
導電パターン２２は、誘電体層２の一方の面に積層される。導電パターン２２は、図３の高周波プリント配線板用基材１１のシード層３及び第一めっき層１２の層上に電気めっき及びエッチングを施すいわゆるセミアディティブ法により形成される。電気めっきの手順は、特に限定されず、例えば公知の電気銅めっき浴及びめっき条件から適宜選択すればよい。
(Conductive pattern)
The
導電パターン２２の厚みは、どのようなプリント回路を作製するかによって設定されるもので特に限定されないが、例えば導電パターン２２の平均厚みの下限としては、１μｍが好ましく、２μｍがより好ましい。また、導電パターン２２の平均厚みの上限としては、１００μｍが好ましく、５０μｍがより好ましい。導電パターン２２の平均厚みが上記下限未満であると、導電パターン２２が損傷しやすくなるおそれがある。一方、導電パターン２２の平均厚みが上記上限を超えると、当該高周波プリント配線板２１の薄板化が困難となるおそれがある。
The thickness of the
導電パターン２２の下底及び上底は略平行に配設されている。ここで、「略平行」とは、下底及び上底のなす角が０°±１０°の範囲をいい、好ましくは０°±５°の範囲をいう。また、「上底」とは、下底と対向する辺である。
The lower bottom and the upper bottom of the
導電パターン２２の断面形状における下底に対する上底の長さ比の平均値の下限としては、０．９が好ましく、０．９５がより好ましい。上記長さ比の平均値が上記下限未満であると、導電パターン２２の断面積が十分大きくならず、伝送特性を十分に向上できないおそれがある。また、上記長さ比の平均値の上限としては、１とすることができる。なお、少なくとも導電パターン２２が含む配線部において上記長さ比が上記範囲を満たすことが好ましい。またここで、導電パターン２２の一方の面が厚み方向に湾曲している場合等において、「上底」は、導電パターン２２の下底から平均厚みの９／１０の位置における仮想直線によって置き換えることも可能である。また、「導電パターンの断面」とは、面積が最小となる断面を意味し、例えば導電パターンの軸方向と垂直な面における断面をいう。
The lower limit of the average value of the length ratio of the upper base to the lower base in the cross-sectional shape of the
また、導電パターン２２の断面形状は略長方形とされている。具体的には、導電パターン２２の断面形状における下底を１辺とし、この辺と隣接する辺の長さが導電パターン２２の平均厚みと等しい長方形に対する導電パターン２２の断面の面積比の平均値の下限としては、０．９が好ましく、０．９５がより好ましい。上記断面の面積比の平均値が上記下限未満であると、導電パターン２２の断面積が十分大きくならず、伝送特性を十分に向上できないおそれがある。また、上記断面の面積比の平均値の上限としては、１とすることができる。なお、少なくとも導電パターン２２が含む配線部において上記面積比が上記範囲を満たすことが好ましい。
The cross-sectional shape of the
なお、導電パターン２２の断面形状は、例えば後述するレジストパターンの非積層領域の断面形状の制御により調整することができる。
The cross-sectional shape of the
＜高周波プリント配線板の製造方法＞
次に、図５Ａ乃至図５Ｃを参照して、当該高周波プリント配線板の製造方法について説明する。ここでは、当該高周波プリント配線板をセミアディティブ法により形成する方法について説明する。
<Production method of high frequency printed wiring board>
Next, a method for manufacturing the high-frequency printed wiring board will be described with reference to FIGS. 5A to 5C. Here, a method of forming the high-frequency printed wiring board by a semi-additive method will be described.
当該高周波プリント配線板の製造方法は、フッ素樹脂を主成分とし、一方の面側が改質処理された誘電体層２と、誘電体層２の一方の面に積層される導電パターン２２とを備える当該高周波プリント配線板２１の製造方法として用いられる。当該高周波プリント配線板の製造方法は、上述の当該高周波プリント配線板用基材１１を用い、セミアディティブ法により形成する。当該高周波プリント配線板の製造方法は、導電パターン形成工程を備える。
The method for manufacturing the high-frequency printed wiring board includes a
＜導電パターン形成工程＞
導電パターン形成工程は、図５Ａ乃至図５Ｃに示すように、第一めっき層１２の一方の面にレジストパターンＹを形成する工程、このレジストパターンＹから露出する第一めっき層１２の表面にめっきを行い第二めっき層２３を積層する工程、上記レジストパターンＹを剥離する工程、及び第二めっき層２３をマスクとしシード層３及び第一めっき層１２をエッチングする工程を有する。
<Conductive pattern forming step>
As shown in FIGS. 5A to 5C, the conductive pattern forming step includes forming a resist pattern Y on one surface of the
（レジストパターン形成工程）
レジストパターン形成工程では、図５Ａに示すようにレジストパターンＹを第一めっき層１２の一方の面に形成する。具体的には、第一めっき層１２の一方の面にレジスト膜を積層し、その後露光及び現像することで所定のパターンを有するレジストパターンＹを形成する。上記レジスト膜の積層方法としては、例えばレジスト組成物を第一めっき層１２の一方の面に塗工する方法、ドライフィルムフォトレジストを第一めっき層１２の一方の面に積層する方法等が挙げられる。レジスト膜の露光及び現像条件は用いるレジスト組成物等に応じて適宜調節可能である。
(Resist pattern formation step)
In the resist pattern forming step, a resist pattern Y is formed on one surface of the
（第二めっき層積層工程）
第二めっき層積層工程では、図５Ｂに示すように、電気めっきを行いレジストパターンＹの非積層領域に第二めっき層２３を形成する。
(Second plating layer lamination process)
In the second plating layer laminating step, as shown in FIG. 5B, electroplating is performed to form the
（レジストパターン剥離工程）
レジストパターン剥離工程では、第一めっき層１２からレジストパターンＹを剥離する。具体的には、剥離液を用いてレジストパターンＹを剥離する。この剥離液としては、公知のものを用いることができ、例えば水酸化ナトリウム、水酸化カリウム等のアルカリ性水溶液、アルキルベンゼンスルホン酸等の有機酸系溶液、エタノールアミン等の有機アミン類と極性溶剤との混合液などが挙げられる。
(Resist pattern stripping process)
In the resist pattern stripping step, the resist pattern Y is stripped from the
（エッチング工程）
エッチング工程では、図５Ｃに示すように、第二めっき層２３をマスクとしシード層３及び第一めっき層１２をエッチングする。このエッチングにより、誘電体層２の一方の面に導電パターン２２が形成される。
(Etching process)
In the etching step, as shown in FIG. 5C, the
＜利点＞
当該高周波プリント配線板２１は、当該高周波プリント配線板用基材１１を用いて形成されるので、伝送損失を低減できると共に高周波特性を向上することができる。
<Advantages>
Since the high-frequency printed
当該高周波プリント配線板２１は、誘電体層２の一方の面側が改質処理されているので、シード層の一方の面側にめっきをある程度まで厚く形成することができるため、セミアディティブ法によって容易かつ確実に形成することができる。また、当該高周波プリント配線板２１は、セミアディティブ法によって形成することで、導電パターン２２の断面を所望の形状にしやすい。従って、当該高周波プリント配線板２１は、導電パターン２２の断面積を大きくして伝送特性を向上することができる。
Since the high-frequency printed
当該高周波プリント配線板の製造方法は、当該高周波プリント配線板用基材１１を用いるので、伝送損失を低減できると共に高周波特性を向上可能な高周波プリント配線板２１を容易かつ確実に製造することができる。
Since the method for manufacturing the high-frequency printed wiring board uses the
当該高周波プリント配線板の製造方法は、セミアディティブ法によって形成するので、導電パターン２２の断面を所望の形状にしやすい。従って、当該高周波プリント配線板の製造方法は、導電パターン２２の断面積を大きくして伝送特性を向上することができる。
Since the method of manufacturing the high-frequency printed wiring board is formed by a semi-additive method, the cross section of the
［その他の実施形態］
今回開示された実施の形態は全ての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は、上記実施形態の構成に限定されるものではなく、特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味及び範囲内での全ての変更が含まれることが意図される。
[Other Embodiments]
The embodiments disclosed this time are to be considered in all respects as illustrative and not restrictive. The scope of the present invention is not limited to the configuration of the above-described embodiment, but is indicated by the appended claims, and is intended to include all modifications within the scope and meaning equivalent to the appended claims. You.
例えば、上記シード層は、平均厚みが２μｍ以下である限り、焼結体に限定されるものではなく、例えば無電解めっき金属から構成されてもよい。シード層が無電解めっき金属から構成される場合のこの金属としては、例えば銅、ニッケル、アルミニウム、金、銀、パラジウム、クロム又はこれらの合金等が挙げられる。中でも、コストを抑えつつ導通性及び誘電体層との密着性を高めることができる銅又は銅合金が好ましい。上記シード層が無電解めっき金属から構成されることによっても、スパッタリング等の物理的蒸着に必要な高価な真空設備を要することなく、誘電体層の一方の面側にシード層を形成することができる。なお、シード層が無電解めっき金属から構成される場合、このシード層の平均厚み及び他方の面の算術平均粗さＲａとしては、図１のシード層３と同一とすることができる。また、シード層は、焼結体、無電解めっき金属以外に例えば銅箔等から構成されてもよい。
For example, the seed layer is not limited to a sintered body as long as the average thickness is 2 μm or less, and may be made of, for example, an electroless plated metal. When the seed layer is composed of an electroless plating metal, examples of the metal include copper, nickel, aluminum, gold, silver, palladium, chromium, and alloys thereof. Among them, copper or a copper alloy that can increase conductivity and adhesion to a dielectric layer while suppressing cost is preferable. Even when the seed layer is made of an electroless plating metal, the seed layer can be formed on one surface side of the dielectric layer without requiring expensive vacuum equipment required for physical vapor deposition such as sputtering. it can. When the seed layer is made of an electroless plating metal, the average thickness of the seed layer and the arithmetic average roughness Ra of the other surface can be the same as those of the
上記誘電体層は、シード層が積層される側の面のみが改質されていてもよい。また、上記誘電体層は、必ずしも一方の面の全面が改質処理される必要はなく、導電パターンを形成する上で必要な箇所のみ改質処理されていてもよい。 Only the surface of the dielectric layer on which the seed layer is laminated may be modified. In addition, the dielectric layer does not necessarily need to be modified on the entire surface of one surface, and may be modified only on a portion necessary for forming a conductive pattern.
上記誘電体層は、必ずしもシランカップリング剤によって改質される必要はなく、例えば酸素、窒素、水素、アルゴン、アンモニア等のプラズマガスを誘電体層の表面に噴射することによって改質処理することもできる。このプラズマ処理は、誘電体層表面にプラズマを接触させることにより、誘電体層の外表面のフッ素樹脂をエッチングし、外表面に酸素原子又は窒素原子を付加することで誘電体層の表面を改質するものである。また、このプラズマ処理は、親水基を有する化合物を含む不活性ガスのプラズマを用いて行ってもよい。 The dielectric layer does not necessarily need to be modified by a silane coupling agent, and may be modified by, for example, injecting a plasma gas such as oxygen, nitrogen, hydrogen, argon, or ammonia onto the surface of the dielectric layer. Can also. In this plasma treatment, the plasma is brought into contact with the surface of the dielectric layer to etch the fluororesin on the outer surface of the dielectric layer, and oxygen or nitrogen atoms are added to the outer surface to modify the surface of the dielectric layer. Quality. This plasma treatment may be performed using plasma of an inert gas containing a compound having a hydrophilic group.
当該高周波プリント配線板用基材は、必ずしもシード層の一方の面側に上記第一めっき層を有しなくてもよい。当該高周波プリント配線板用基材は、例えば上記シード層の一方の面に直接第二めっき層を積層することで導電パターンを形成してもよい。 The high-frequency printed wiring board substrate does not necessarily have to have the first plating layer on one surface side of the seed layer. The base material for a high-frequency printed wiring board may form a conductive pattern by, for example, directly laminating a second plating layer on one surface of the seed layer.
当該高周波プリント配線板用基材は、必ずしもフレキシブルプリント配線板の基板として用いられる必要はなく、リジッドプリント配線板の基板として用いられてもよい。また、上記ベース層は、必ずしも上記誘電体層の他方の面の全面に積層される必要はなく、エッチング処理等によって適宜導電パターンが形成されてもよい。 The base material for a high-frequency printed wiring board does not necessarily need to be used as a substrate of a flexible printed wiring board, and may be used as a substrate of a rigid printed wiring board. Further, the base layer does not necessarily have to be laminated on the entire surface of the other surface of the dielectric layer, and a conductive pattern may be appropriately formed by etching or the like.
当該高周波プリント配線板用基材は、必ずしも誘電体層の他方の面にベース層を備える必要はない。当該高周波プリント配線板用基材は、例えば高周波プリント配線板の任意の製造過程においてベース層を積層してもよい。 The base material for a high-frequency printed wiring board does not necessarily need to include the base layer on the other surface of the dielectric layer. The base material for the high-frequency printed wiring board may be formed by laminating a base layer in, for example, an arbitrary manufacturing process of the high-frequency printed wiring board.
以上のように、本発明の高周波プリント配線板用基材及び高周波プリント配線板は、伝送損失を低減できると共に、表皮効果による損失を抑制して高周波特性を向上することができ、高周波を用いた通信機器等に好適に用いられる。また、本発明の高周波プリント配線板用基材の製造方法及び高周波プリント配線板の製造方法は、高周波を用いた通信機器等に適した高周波プリント配線板用基材及び高周波プリント配線板を製造するのに適している。 As described above, the high-frequency printed wiring board base material and the high-frequency printed wiring board of the present invention can reduce transmission loss, suppress loss due to the skin effect, improve high-frequency characteristics, and use high frequency. It is suitably used for communication equipment and the like. Further, the method of manufacturing a base material for a high-frequency printed wiring board and the method of manufacturing a high-frequency printed wiring board of the present invention manufacture a base material for a high-frequency printed wiring board and a high-frequency printed wiring board suitable for a communication device or the like using a high frequency. Suitable for
１、１１ 高周波プリント配線板用基材
２ 誘電体層
２ａ フッ素樹脂フィルム
３ シード層
４ ベース層
５ａ、５ｂ 改質層
１２ 第一めっき層
２１ 高周波プリント配線板
２２ 導電パターン
２３ 第二めっき層
Ｙ レジストパターン
DESCRIPTION OF
Claims (11)
この誘電体層の改質層の一方の面に積層されるシード層と
を備え、
上記シード層の主成分が金属であり、
上記シード層の平均厚みが２μｍ以下であり、
上記シード層の他方の面の算術平均粗さＲａが２μｍ以下である高周波プリント配線板用基材。 A dielectric layer having a modified layer containing a siloxane bond and a hydrophilic functional group on at least one surface side, containing a fluororesin as a main component,
A seed layer laminated on one surface of the modified layer of the dielectric layer,
The main component of the seed layer is a metal,
Ri der average thickness 2μm or less of the seed layer,
A base material for a high-frequency printed wiring board, wherein the other surface of the seed layer has an arithmetic average roughness Ra of 2 μm or less .
上記金属粒子の平均粒子径が１ｎｍ以上５００ｎｍ以下である請求項１又は請求項２に記載の高周波プリント配線板用基材。 The seed layer is composed of a sintered body of metal particles,
The base material for a high-frequency printed wiring board according to claim 1 or 2, wherein the metal particles have an average particle size of 1 nm or more and 500 nm or less.
この誘電体層の改質層の一方の面に積層されるシード層を含む導電パターンと
を備え、
上記シード層の主成分が金属であり、
上記シード層の平均厚みが２μｍ以下であり、
上記シード層の他方の面の算術平均粗さＲａが２μｍ以下である高周波プリント配線板。 A dielectric layer having a modified layer containing a siloxane bond and a hydrophilic functional group on at least one surface side, containing a fluororesin as a main component,
A conductive pattern including a seed layer laminated on one surface of the modified layer of the dielectric layer,
The main component of the seed layer is a metal,
Ri der average thickness 2μm or less of the seed layer,
A high-frequency printed wiring board having an arithmetic mean roughness Ra of the other surface of the seed layer of 2 μm or less .
上記改質工程後のフィルムの改質層の一方の面にシード層を形成する工程と
を備え、
上記シード層の主成分が金属であり、
上記シード層の平均厚みが２μｍ以下であり、
上記シード層の他方の面の算術平均粗さＲａが２μｍ以下である高周波プリント配線板用基材の製造方法。 A step of forming a modified layer containing a siloxane bond and a hydrophilic functional group on at least one surface side of a film containing a fluororesin as a main component,
Forming a seed layer on one surface of the modified layer of the film after the modification step,
The main component of the seed layer is a metal,
Ri der average thickness 2μm or less of the seed layer,
A method for producing a base material for a high-frequency printed wiring board , wherein the arithmetic mean roughness Ra of the other surface of the seed layer is 2 μm or less .
金属粒子が溶媒中に分散したインクを上記フィルムの一方の面に塗工する工程と、
上記フィルムの一方の面に塗工したインクを焼成する工程と
を有し、
上記金属粒子の平均粒子径が１ｎｍ以上５００ｎｍ以下である請求項９に記載の高周波プリント配線板用基材の製造方法。 The seed layer forming step,
A step of applying an ink in which metal particles are dispersed in a solvent to one surface of the film,
Baking the ink applied to one surface of the film,
The method for producing a substrate for a high-frequency printed wiring board according to claim 9 , wherein the metal particles have an average particle diameter of 1 nm or more and 500 nm or less.
この誘電体層の一方の面に積層される導電パターンと
を備えるプリント配線板の製造方法であって、
上記誘電体層とこの誘電体層の改質層の一方の面に積層されるシード層とを備え、上記シード層の主成分が金属であり、上記シード層の平均厚みが２μｍ以下であり、上記シード層の他方の面の算術平均粗さＲａが２μｍ以下である高周波プリント配線板用基材を用い形成する高周波プリント配線板の製造方法。 A dielectric layer having a modified layer containing a siloxane bond and a hydrophilic functional group on at least one surface side, containing a fluororesin as a main component,
And a conductive pattern laminated on one surface of the dielectric layer, comprising:
And a seed layer laminated on one surface of the modified layer of the dielectric layer and the dielectric layer, the main component of the seed layer is a metal state, and are the mean thickness 2μm or less of the seed layer And a method for manufacturing a high-frequency printed wiring board formed by using a base material for a high-frequency printed wiring board in which the other surface of the seed layer has an arithmetic average roughness Ra of 2 μm or less .
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2015112068A JP6665990B2 (en) | 2015-06-02 | 2015-06-02 | Base material for high-frequency printed wiring board, high-frequency printed wiring board, method for manufacturing base material for high-frequency printed wiring board, and method for manufacturing high-frequency printed wiring board |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2015112068A JP6665990B2 (en) | 2015-06-02 | 2015-06-02 | Base material for high-frequency printed wiring board, high-frequency printed wiring board, method for manufacturing base material for high-frequency printed wiring board, and method for manufacturing high-frequency printed wiring board |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2016225524A JP2016225524A (en) | 2016-12-28 |
| JP6665990B2 true JP6665990B2 (en) | 2020-03-13 |
Family
ID=57746033
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2015112068A Active JP6665990B2 (en) | 2015-06-02 | 2015-06-02 | Base material for high-frequency printed wiring board, high-frequency printed wiring board, method for manufacturing base material for high-frequency printed wiring board, and method for manufacturing high-frequency printed wiring board |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP6665990B2 (en) |
Families Citing this family (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2019075456A (en) * | 2017-10-16 | 2019-05-16 | 住友電気工業株式会社 | Base material for printed wiring board, and printed wiring board |
| JP7032126B2 (en) | 2017-12-25 | 2022-03-08 | 住友電気工業株式会社 | Substrate for printed wiring board and printed wiring board |
| CN112334301A (en) | 2018-06-27 | 2021-02-05 | Ａｇｃ株式会社 | Metal foil with resin |
| JP7238712B2 (en) | 2019-09-18 | 2023-03-14 | トヨタ自動車株式会社 | Wiring board manufacturing method and wiring board |
| JP2021114530A (en) * | 2020-01-17 | 2021-08-05 | Ａｇｃ株式会社 | Printed wiring board manufacturing method and printed wiring board |
| JP2022127486A (en) | 2021-02-19 | 2022-08-31 | トヨタ自動車株式会社 | Manufacturing method for wiring board |
| CN116724671A (en) * | 2021-03-25 | 2023-09-08 | 纳美仕有限公司 | Laminate for wiring board |
| WO2023132247A1 (en) | 2022-01-04 | 2023-07-13 | 住友電気工業株式会社 | Printed wiring board and method for manufacturing printed wiring board |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH09162523A (en) * | 1995-12-04 | 1997-06-20 | Hitachi Ltd | Printed wiring pattern forming method |
| US7601419B2 (en) * | 2005-12-19 | 2009-10-13 | Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. | Printed circuit board and method of manufacturing the same |
| JP2010272837A (en) * | 2009-04-24 | 2010-12-02 | Sumitomo Electric Ind Ltd | Substrate for printed wiring board, printed wiring board, and method for producing substrate for printed wiring board |
| JP5895573B2 (en) * | 2012-02-10 | 2016-03-30 | 住友電気工業株式会社 | Printed wiring board substrate and method for producing printed wiring board substrate |
| JP6809771B2 (en) * | 2013-10-11 | 2021-01-06 | 住友電工プリントサーキット株式会社 | Fluororesin substrate, printed wiring board, and circuit module |
-
2015
- 2015-06-02 JP JP2015112068A patent/JP6665990B2/en active Active
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2016225524A (en) | 2016-12-28 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP6665990B2 (en) | Base material for high-frequency printed wiring board, high-frequency printed wiring board, method for manufacturing base material for high-frequency printed wiring board, and method for manufacturing high-frequency printed wiring board | |
| CN107113982B (en) | Substrate for printed wiring board, method for manufacturing substrate for printed wiring board, method for manufacturing printed wiring board, and resin base material | |
| WO2016117575A1 (en) | Substrate for printed wiring board, printed wiring board, and method for manufacturing printed wiring board | |
| JP6484218B2 (en) | Printed wiring board substrate and printed wiring board | |
| TWI627307B (en) | Surface-treated copper foil for printed wiring board, copper-clad laminate for printed wiring board, and printed wiring board | |
| JPWO2016104347A1 (en) | Printed wiring board substrate and method for manufacturing printed wiring board substrate | |
| WO2016039314A1 (en) | Printed circuit board substrate, printed circuit board, and production method for printed circuit board substrate | |
| JP6585032B2 (en) | Printed wiring board substrate, printed wiring board, and printed wiring board manufacturing method | |
| JP6466110B2 (en) | Printed wiring board substrate, printed wiring board, and printed wiring board manufacturing method | |
| WO2019077815A1 (en) | Base material for printed wiring board, and printed wiring board | |
| JP2023014235A (en) | Substrate for printed wiring board, method for producing substrate for printed wiring board, and printed wiring board | |
| JP6484026B2 (en) | Printed wiring board substrate, printed wiring board, and printed wiring board manufacturing method | |
| CN107113970B (en) | Substrate for printed wiring board, and method for manufacturing substrate for printed wiring board | |
| US10889086B2 (en) | Resin film, substrate for printed wiring board, and printed wiring board | |
| WO2019077816A1 (en) | Base material for printed wiring board, and printed wiring board | |
| JP2016136595A (en) | Manufacturing method for board for printed wiring plate, board for printed wiring plate and printed wiring plate | |
| JP6884669B2 (en) | Method for manufacturing printed wiring board base material and printed wiring board base material | |
| JP2018029139A (en) | Substrate for print circuit board and method of manufacturing substrate for print circuit board | |
| JP6473018B2 (en) | Method for manufacturing substrate for printed wiring board, substrate for printed wiring board and printed wiring board | |
| JPWO2019225269A1 (en) | Substrate for printed wiring board and printed wiring board |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20160916 |
|
| A625 | Written request for application examination (by other person) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A625 Effective date: 20171121 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20180726 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20180807 |
|
| A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20180926 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20181102 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20190416 |
|
| A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20190611 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20190809 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20200121 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20200206 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6665990 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |