JP6660156B2 - 積層体および合同体・半導体装置の製造方法 - Google Patents

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    • H01L2224/16238—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation the bump connector connecting to a bonding area protruding from the surface of the item
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Description

本発明は、積層体と、合同体と、半導体装置の製造方法とに関する。
半導体裏面保護フィルムは、半導体ウエハの反りを抑える役割や裏面を保護する役割などを担う。
半導体裏面保護フィルムとダイシングシートとを一体的に取り扱う方法が知られている。たとえば、ダイシングシートに固定された半導体裏面保護フィルムに半導体ウエハを固定し、ダイシングによりチップとダイシング後半導体裏面保護フィルムとからなる組み合わせを形成し、ダイシングシートから組み合わせを剥離する方法である。
特開２０１０−１９９５４１号公報
上述の方法において、ブレードダイシング時の衝撃や摩擦によりチップ側面に亀裂が入ることがある。チップ側面の亀裂―サイドウォールチッピング―は低減する必要がある。亀裂は外観を悪くし、信頼性を低下させるおそれがあるからである。
本発明は、ダイシング時にチップ側面に生じる亀裂を低減可能な積層体を提供することを目的のひとつとする。本発明は、ダイシング時にチップ側面に生じる亀裂を低減可能な合同体を提供することを目的のひとつとする。本発明は、ダイシング時にチップ側面に生じる亀裂を低減可能な半導体装置の製造方法を提供することを目的のひとつとする。
本発明は、ダイシングシートと半導体裏面保護フィルムとを含む積層体に関する。ダイシングシートは、基材層と基材層上に配置された粘着剤層とを含む。半導体裏面保護フィルムは粘着剤層上に配置されている。硬化後における半導体裏面保護フィルムの引張貯蔵弾性率は２３℃〜８０℃全範囲で１ＧＰａ以上である。１ＧＰａ以上であるので、ダイシング時にチップ側面に生じる亀裂を低減できる。
本発明はまた、はく離ライナーと、はく離ライナー上に配置された積層体とを含む合同体に関する。
本発明はまた、積層体の半導体裏面保護フィルムに半導体ウエハを固定する工程（Ａ）と、工程（Ａ）の後に半導体裏面保護フィルムを硬化させる工程（Ｂ）と、工程（Ｂ）の後に、半導体裏面保護フィルムに固定された半導体ウエハをダイシングすることにより組み合わせを形成する工程（Ｃ）と、ダイシングシートから組み合わせを剥離する工程（Ｄ）とを含む半導体装置の製造方法に関する。組み合わせは、半導体チップと半導体チップに固定されたダイシング後半導体裏面保護フィルムとを含む。本発明の半導体装置の製造方法は、ダイシング時にチップ側面に生じる亀裂を低減できる。硬化後における半導体裏面保護フィルムの引張貯蔵弾性率が２３℃〜８０℃全範囲で１ＧＰａ以上であり、工程（Ｂ）―半導体裏面保護フィルムを硬化させる工程―の後に半導体ウエハをダイシングするからである。
合同体の概略平面図である。 合同体の一部の概略断面図である。 半導体装置の製造工程の概略断面図である。 半導体装置の製造工程の概略断面図である。 半導体装置の製造工程の概略断面図である。 変形例１における積層体の概略断面図である。 積層体と積層体に固定されたウエハとの概略断面図であって、ダイシングブレードの切り込み深さを示したものである。 実施例における組み合わせ―シリコンチップとダイシング後半導体裏面保護フィルムとからなる―の側面図であって、ヒビの深さを示したものである。
以下に実施形態を掲げ、本発明を詳細に説明するが、本発明はこれらの実施形態のみに限定されるものではない。
［実施形態１］
（合同体１）
図１および図２に示すように、合同体１は、はく離ライナー１３とはく離ライナー１３上に配置された積層体７１ａ、７１ｂ、７１ｃ、……、７１ｍ（以下、「積層体７１」と総称する。）とを含む。積層体７１ａと積層体７１ｂのあいだの距離、積層体７１ｂと積層体７１ｃのあいだの距離、……積層体７１ｌと積層体７１ｍのあいだの距離は一定である。合同体１はロール状をなすことができる。
積層体７１は、ダイシングシート１２とダイシングシート１２上に配置された半導体裏面保護フィルム１１とを含む。
ダイシングシート１２は、基材層１２１と、基材層１２１上に配置された粘着剤層１２２とを含む。粘着剤層１２２は第１部分１２２Ａを含む。第１部分１２２Ａは硬化している。第１部分１２２Ａは半導体裏面保護フィルム１１と接している。第１部分１２２Ａの周辺に配置された第２部分１２２Ｂを粘着剤層１２２はさらに含む。第２部分１２２Ｂはエネルギー線により硬化する性質を有する。エネルギー線として紫外線などを挙げることができる。第２部分１２２Ｂは半導体裏面保護フィルム１１と接していない。
（半導体裏面保護フィルム１１）
第１主面と第１主面に対向した第２主面とで半導体裏面保護フィルム１１の両面は定義できる。第１主面は粘着剤層１２２と接している。第２主面は、はく離ライナー１３と接している。
半導体裏面保護フィルム１１は未硬化状態である。未硬化状態は半硬化状態を含む。半硬化状態が好ましい。
硬化後における半導体裏面保護フィルム１１の引張貯蔵弾性率が２３℃〜８０℃全範囲で１ＧＰａ以上である。１ＧＰａ以上であるので、ダイシング時にチップ側面に生じる亀裂を低減できる。好ましくは２ＧＰａ以上である。硬化後における半導体裏面保護フィルム１１の引張貯蔵弾性率は、アクリル樹脂の含有量、熱硬化性樹脂の含有量などにより調整できる。なお、半導体裏面保護フィルム１１は、１２０℃２時間の加熱で硬化させることができる。硬化後における半導体裏面保護フィルム１１の引張貯蔵弾性率は実施例に記載の方法で測定する。
硬化後における半導体裏面保護フィルム１１の２３℃引張貯蔵弾性率は、好ましくは２ＧＰａ以上、より好ましくは２．５ＧＰａ以上である。硬化後における半導体裏面保護フィルム１１の２３℃引張貯蔵弾性率の上限は、たとえば５０ＧＰａ、１０ＧＰａ、７ＧＰａ、５ＧＰａである。いっぽう、硬化後における半導体裏面保護フィルム１１の８０℃引張貯蔵弾性率の上限は、たとえば５０ＧＰａ、１０ＧＰａ、７ＧＰａ、５ＧＰａである。
硬化後における半導体裏面保護フィルム１１の８０℃引張貯蔵弾性率の 硬化後における半導体裏面保護フィルム１１の２３℃引張貯蔵弾性率に対する比（８０℃引張貯蔵弾性率／２３℃引張貯蔵弾性率）が、好ましくは０．３以上、好ましくは０．４以上である。０．３未満であると、温度に対する弾性率変化が大きいためチップ側面の亀裂が生じ易い。比（８０℃引張貯蔵弾性率／２３℃引張貯蔵弾性率）は、好ましくは１．０以下、より好ましくは０．９以下、さらに好ましくは０．８以下である。
半導体裏面保護フィルム１１は有色である。有色であると、ダイシングシート１２と半導体裏面保護フィルム１１とを簡単に区別できることがある。半導体裏面保護フィルム１１は、たとえば、黒色、青色、赤色などの濃色であることが好ましい。黒色が特に好ましい。レーザーマークを視認しやすいからである。
濃色とは、基本的には、Ｌ*ａ*ｂ*表色系で規定されるＬ*が、６０以下（０〜６０）［好ましくは５０以下（０〜５０）、さらに好ましくは４０以下（０〜４０）］となる濃い色のことを意味している。
また、黒色とは、基本的には、Ｌ*ａ*ｂ*表色系で規定されるＬ*が、３５以下（０〜３５）［好ましくは３０以下（０〜３０）、さらに好ましくは２５以下（０〜２５）］となる黒色系色のことを意味している。なお、黒色において、Ｌ*ａ*ｂ*表色系で規定されるａ*やｂ*は、それぞれ、Ｌ*の値に応じて適宜選択することができる。ａ*やｂ*としては、たとえば、両方とも、−１０〜１０であることが好ましく、より好ましくは−５〜５であり、特に−３〜３の範囲（中でも０またはほぼ０）であることが好適である。
なお、Ｌ*ａ*ｂ*表色系で規定されるＬ*、ａ*、ｂ*は、色彩色差計（商品名「ＣＲ−２００」ミノルタ社製；色彩色差計）を用いて測定することにより求められる。なお、Ｌ*ａ*ｂ*表色系は、国際照明委員会（ＣＩＥ）が１９７６年に推奨した色空間であり、ＣＩＥ１９７６（Ｌ*ａ*ｂ*）表色系と称される色空間のことを意味している。また、Ｌ*ａ*ｂ*表色系は、日本工業規格では、ＪＩＳ Ｚ ８７２９に規定されている。
８５℃および８５％ＲＨの雰囲気下で１６８時間放置したときの、半導体裏面保護フィルム１１の吸湿率は、好ましくは１重量％以下、より好ましくは０．８重量％以下である。１重量％以下であることにより、レーザーマーキング性を向上できる。吸湿率は、無機充填剤の含有量などによってコントロールできる。半導体裏面保護フィルム１１における吸湿率の測定方法は、以下のとおりである。すなわち、８５℃、８５％ＲＨの恒温恒湿槽に半導体裏面保護フィルム１１を１６８時間放置し、放置前後の重量減少率から、吸湿率を求める。
半導体裏面保護フィルム１１を硬化させることにより得られる硬化物を、８５℃および８５％ＲＨの雰囲気下で１６８時間放置したときの吸湿率は、好ましくは１重量％以下、より好ましくは０．８重量％以下である。１重量％以下であることにより、レーザーマーキング性を向上できる。吸湿率は、無機充填剤の含有量などによってコントロールできる。硬化物における吸湿率の測定方法は、以下のとおりである。すなわち、８５℃、８５％ＲＨの恒温恒湿槽に硬化物を１６８時間放置し、放置前後の重量減少率から、吸湿率を求める。
半導体裏面保護フィルム１１における揮発分の割合は少ないほど好ましい。具体的には、加熱処理後の半導体裏面保護フィルム１１の重量減少率（重量減少量の割合）が１重量％以下が好ましく、０．８重量％以下がより好ましい。加熱処理の条件は、たとえば、２５０℃で１時間である。１重量％以下であると、レーザーマーキング性がよい。リフロー工程におけるクラックの発生を抑制できる。重量減少率は、熱硬化後の半導体裏面保護フィルム１１を２５０℃、１時間で加熱したときの値を意味する。
半導体裏面保護フィルム１１の未硬化状態における２３℃での引張貯蔵弾性率は、好ましくは１ＧＰａ以上である。１ＧＰａ以上であると、半導体裏面保護フィルム１１がキャリアテープに付着することを防止できる。２３℃での引張貯蔵弾性率の上限は、たとえば５０ＧＰａである。２３℃での引張貯蔵弾性率は、樹脂成分の種類やその含有量、充填材の種類やその含有量などによりコントロールすることができる。レオメトリック社製の動的粘弾性測定装置「Ｓｏｌｉｄ Ａｎａｌｙｚｅｒ ＲＳ Ａ２」を用いて、引張モードにて、サンプル幅：１０ｍｍ、サンプル長さ：２２．５ｍｍ、サンプル厚み：０．２ｍｍで、周波数：１Ｈｚ、昇温速度：１０℃／分、窒素雰囲気下、所定の温度（２３℃）にて、引張貯蔵弾性率は測定する。
半導体裏面保護フィルム１１における可視光（波長：３８０ｎｍ〜７５０ｎｍ）の光線透過率（可視光透過率）は、特に制限されないが、たとえば、２０％以下（０％〜２０％）の範囲であることが好ましく、より好ましくは１０％以下（０％〜１０％）、特に好ましくは５％以下（０％〜５％）である。半導体裏面保護フィルム１１は、可視光透過率が２０％より大きいと、光線通過により、半導体チップに悪影響を及ぼすおそれがある。また、可視光透過率（％）は、半導体裏面保護フィルム１１の樹脂成分の種類やその含有量、着色剤（顔料や染料など）の種類やその含有量、無機充填材の含有量などによりコントロールすることができる。
半導体裏面保護フィルム１１の可視光透過率（％）は、次のとおりにして測定することができる。すなわち、厚さ（平均厚さ）２０μｍの半導体裏面保護フィルム１１単体を作製する。次に、半導体裏面保護フィルム１１に対し、波長：３８０ｎｍ〜７５０ｎｍの可視光線［装置：島津製作所製の可視光発生装置（商品名「ＡＢＳＯＲＰＴＩＯＮ ＳＰＥＣＴＲＯ ＰＨＯＴＯＭＥＴＥＲ」）］を所定の強度で照射し、透過した可視光線の強度を測定する。さらに、可視光線が半導体裏面保護フィルム１１を透過する前後の強度変化より、可視光透過率の値を求めることができる。
半導体裏面保護フィルム１１は、好ましくは着色剤を含む。着色剤は、たとえば、染料、顔料である。なかでも染料が好ましく、黒色染料がより好ましい。
半導体裏面保護フィルム１１における着色剤の含有量は、好ましくは０．５重量％以上、より好ましくは１重量％以上、さらに好ましくは２重量％以上である。半導体裏面保護フィルム１１における着色剤の含有量は、好ましくは１０重量％以下、より好ましくは８重量％以下、さらに好ましくは５重量％以下である。
半導体裏面保護フィルム１１は樹脂成分を含む。たとえば熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂などである。
熱可塑性樹脂としては、たとえば、天然ゴム、ブチルゴム、イソプレンゴム、クロロプレンゴム、エチレン−酢酸ビニル共重合体、エチレン−アクリル酸共重合体、エチレン−アクリル酸エステル共重合体、ポリブタジエン樹脂、ポリカーボネート樹脂、熱可塑性ポリイミド樹脂、６−ナイロンや６，６−ナイロンなどのポリアミド樹脂、フェノキシ樹脂、アクリル樹脂、ＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）やＰＢＴ（ポリブチレンテレフタレート）などの飽和ポリエステル樹脂、ポリアミドイミド樹脂、またはフッ素樹脂などが挙げられる。熱可塑性樹脂は単独でまたは２種以上を併用して用いることができる。なかでも、アクリル樹脂が好適である。
半導体裏面保護フィルム１１において、樹脂成分１００重量％中におけるアクリル樹脂の含有量は、好ましくは０．１重量％以上、より好ましくは１重量％以上、さらに好ましくは５重量％以上である。樹脂成分１００重量％中におけるアクリル樹脂の含有量は、好ましくは３０重量％以下、より好ましくは２５重量％以下である。３０重量％以下であると、ダイシング後半導体裏面保護フィルム同士が密着することを防止できる。割断性もよい。
熱硬化性樹脂としては、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、アミノ樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、ポリウレタン樹脂、シリコーン樹脂、熱硬化性ポリイミド樹脂などが挙げられる。熱硬化性樹脂は、単独でまたは２種以上併用して用いることができる。熱硬化性樹脂としては、特に、半導体チップを腐食させるイオン性不純物など含有が少ないエポキシ樹脂が好適である。また、エポキシ樹脂の硬化剤としてはフェノール樹脂を好適に用いることができる。
エポキシ樹脂としては、特に限定は無く、たとえば、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＳ型エポキシ樹脂、臭素化ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、水添ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＡＦ型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂、フルオレン型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、オルソクレゾールノボラック型エポキシ樹脂、トリスヒドロキシフェニルメタン型エポキシ樹脂、テトラフェニロールエタン型エポキシ樹脂などの二官能エポキシ樹脂や多官能エポキシ樹脂、またはヒダントイン型エポキシ樹脂、トリスグリシジルイソシアヌレート型エポキシ樹脂もしくはグリシジルアミン型エポキシ樹脂などのエポキシ樹脂を用いることができる。
さらに、フェノール樹脂は、エポキシ樹脂の硬化剤として作用するものであり、たとえば、フェノールノボラック樹脂、フェノールアラルキル樹脂、クレゾールノボラック樹脂、ｔｅｒｔ−ブチルフェノールノボラック樹脂、ノニルフェノールノボラック樹脂などのノボラック型フェノール樹脂、レゾール型フェノール樹脂、ポリパラオキシスチレンなどのポリオキシスチレンなどが挙げられる。フェノール樹脂は単独でまたは２種以上を併用して用いることができる。これらのフェノール樹脂のうちフェノールノボラック樹脂、フェノールアラルキル樹脂が特に好ましい。半導体装置の接続信頼性を向上させることができるからである。
エポキシ樹脂とフェノール樹脂の配合割合は、たとえば、エポキシ樹脂中のエポキシ基１当量当たりフェノール樹脂中の水酸基が０．５当量〜２．０当量になるように配合することが好適である。より好適なのは、０．８当量〜１．２当量である。
樹脂成分１００重量％中におけるエポキシ樹脂とフェノール樹脂との合計含有量は、好ましくは７０重量％以上、より好ましくは７５重量％以上である。樹脂成分１００重量％中におけるエポキシ樹脂とフェノール樹脂との合計含有量は、好ましくは９９．９重量％以下、より好ましくは９９重量％以下、さらに好ましくは９５重量％以下である。
半導体裏面保護フィルム１１は、熱硬化促進触媒を含むことができる。たとえば、アミン系硬化促進剤、リン系硬化促進剤、イミダゾール系硬化促進剤、ホウ素系硬化促進剤、リン−ホウ素系硬化促進剤などである。
半導体裏面保護フィルム１１を予めある程度架橋させておくため、作製に際し、重合体の分子鎖末端の官能基などと反応する多官能性化合物を架橋剤として添加させておくことが好ましい。これにより、高温下での接着特性を向上させ、耐熱性の改善を図ることができる。
半導体裏面保護フィルム１１は、充填剤を含むことができる。無機充填剤が好適である。無機充填剤は、たとえば、シリカ、クレー、石膏、炭酸カルシウム、硫酸バリウム、アルミナ、酸化ベリリウム、炭化珪素、窒化珪素、アルミニウム、銅、銀、金、ニッケル、クロム、鉛、錫、亜鉛、パラジウム、半田などである。充填剤は単独でまたは２種以上を併用して用いることができる。なかでも、シリカが好ましく、溶融シリカが特に好ましい。無機充填剤の平均粒径は０．１μｍ〜８０μｍの範囲内であることが好ましい。無機充填剤の平均粒径は、たとえば、レーザー回折型粒度分布測定装置によって測定することができる。
半導体裏面保護フィルム１１における充填剤の含有量は、好ましくは１０重量％以上、より好ましくは２０重量％以上、さらに好ましくは３０重量％以上である。半導体裏面保護フィルム１１における充填剤の含有量は、好ましくは７０重量％以下、より好ましくは６０重量％以下、さらに好ましくは５０重量％以下である。
半導体裏面保護フィルム１１は、ほかの添加剤を適宜含むことができる。ほかの添加剤としては、たとえば、難燃剤、シランカップリング剤、イオントラップ剤、増量剤、老化防止剤、酸化防止剤、界面活性剤などが挙げられる。
半導体裏面保護フィルム１１の厚みは、好ましくは２μｍ以上、より好ましくは４μｍ以上、さらに好ましくは６μｍ以上、特に好ましくは１０μｍ以上である。半導体裏面保護フィルム１１の厚みは、好ましくは２００μｍ以下、より好ましくは１６０μｍ以下、さらに好ましくは１００μｍ以下、特に好ましくは８０μｍ以下である。
（ダイシングシート１２）
ダイシングシート１２は、基材層１２１と、基材層１２１上に配置された粘着剤層１２２とを含む。
粘着剤層１２２の厚みは好ましくは３μｍ以上、より好ましくは５μｍ以上である。粘着剤層１２２の厚みは好ましくは５０μｍ以下、より好ましくは３０μｍ以下である。
粘着剤層１２２は粘着剤により形成されている。粘着剤はたとえばアクリル系粘着剤、ゴム系粘着剤である。なかでもアクリル系粘着剤が好ましい。アクリル系粘着剤はたとえば、（メタ）アクリル酸アルキルエステルの１種または２種以上を単量体成分として用いたアクリル系重合体（単独重合体または共重合体）をベースポリマーとするアクリル系粘着剤である。
基材１２１の厚みは好ましくは５０μｍ〜１５０μｍである。エネルギー線を透過する性質を基材１２１は有することが好ましい。
（はく離ライナー１３）
はく離ライナー１３は、たとえばポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）フィルムである。
（半導体装置の製造方法）
図３に示すように、積層体７１の半導体裏面保護フィルム１１に半導体ウエハ４を固定する。具体的には、圧着ロールなどの押圧手段を用いて５０℃〜１００℃で半導体ウエハ４に積層体７１を圧着する。回路面と回路面に対向した裏面（非回路面、非電極形成面などとも称される）とで半導体ウエハ４の両面は定義できる。半導体ウエハ４はたとえばシリコンウエハである。
半導体裏面保護フィルム１１を加熱することにより半導体裏面保護フィルム１１を硬化させる。たとえば、ダイシングシート１２にヒーターをあて、ダイシングシート１２越しに半導体裏面保護フィルム１１を加熱する。
図４に示すように、ダイシングシート１２を吸着台８に固定し、半導体ウエハ４を切断し、組み合わせ５を形成する。すなわち、半導体ウエハ４をダイシングすることにより組み合わせ５を形成する。組み合わせ５は、半導体チップ４１と半導体チップ４１の裏面に固定されたダイシング後半導体裏面保護フィルム１１１とを含む。回路面と回路面に対向した裏面とで半導体チップ４１の両面は定義できる。組み合わせ５は、ダイシングシート１２に固定されている。
組み合わせ５をニードルで突き上げ、組み合わせ５をダイシングシート１２から剥離する。
図５に示すように、フリップチップボンディング方式（フリップチップ実装方式）により組み合わせ５を被着体６に固定する。具体的には、半導体チップ４１の回路面が被着体６と対向する形態で、組み合わせ５を被着体６に固定する。たとえば、半導体チップ４１のバンプ５１を被着体６の導電材（半田など）６１に接触させ、押圧しながら導電材６１を溶融させる。組み合わせ５と被着体６との間には空隙がある。空隙の高さは一般的に３０μｍ〜３００μｍ程度である。固定後は、空隙などの洗浄をおこなうことができる。
被着体６としては、リードフレームや回路基板（配線回路基板など）などの基板を用いることができる。このような基板の材質としては、特に限定されるものではないが、セラミック基板や、プラスチック基板が挙げられる。プラスチック基板としては、たとえば、エポキシ基板、ビスマレイミドトリアジン基板、ポリイミド基板などが挙げられる。
バンプや導電材の材質としては、特に限定されず、たとえば、錫−鉛系金属材、錫−銀系金属材、錫−銀−銅系金属材、錫−亜鉛系金属材、錫−亜鉛−ビスマス系金属材などの半田類（合金）や、金系金属材、銅系金属材などが挙げられる。なお、導電材６１の溶融時の温度は、通常２６０℃程度である。ダイシング後半導体裏面保護フィルム１１１がエポキシ樹脂を含むと、この温度に耐えることが可能である。
組み合わせ５と被着体６との間の空隙を封止樹脂で封止する。通常、１７５℃で６０秒間〜９０秒間の加熱を行うことにより封止樹脂を硬化させる。
封止樹脂としては、絶縁性を有する樹脂（絶縁樹脂）であれば特に制限されない。封止樹脂としては、弾性を有する絶縁樹脂がより好ましい。封止樹脂としては、たとえば、エポキシ樹脂を含む樹脂組成物などが挙げられる。また、エポキシ樹脂を含む樹脂組成物による封止樹脂としては、樹脂成分として、エポキシ樹脂以外に、エポキシ樹脂以外の熱硬化性樹脂（フェノール樹脂など）や、熱可塑性樹脂などが含まれていてもよい。なお、フェノール樹脂としては、エポキシ樹脂の硬化剤としても利用することができる。封止樹脂の形状は、フィルム状、タブレット状などである。
以上の方法により得られた半導体装置（フリップチップ実装の半導体装置）は、被着体６および被着体６に固定された組み合わせ５を含む。
半導体装置のダイシング後半導体裏面保護フィルム１１１にレーザーで印字することが可能である。なお、レーザーで印字する際には、公知のレーザーマーキング装置を利用することができる。また、レーザーとしては、気体レーザー、個体レーザー、液体レーザーなどを利用することができる。具体的には、気体レーザーとしては、特に制限されず、公知の気体レーザーを利用することができるが、炭酸ガスレーザー（ＣＯ２レーザー）、エキシマレーザー（ＡｒＦレーザー、ＫｒＦレーザー、ＸｅＣｌレーザー、ＸｅＦレーザーなど）が好適である。また、固体レーザーとしては、特に制限されず、公知の固体レーザーを利用することができるが、ＹＡＧレーザー（Ｎｄ：ＹＡＧレーザーなど）、ＹＶＯ４レーザーが好適である。
フリップチップ実装方式で実装された半導体装置は、ダイボンディング実装方式で実装された半導体装置よりも、薄く、小さい。このため、各種の電子機器・電子部品またはそれらの材料・部材として好適に用いることができる。具体的には、フリップチップ実装の半導体装置が利用される電子機器としては、いわゆる「携帯電話」、「ＰＨＳ」、小型のコンピュータ（たとえば、いわゆる「ＰＤＡ」（携帯情報端末）、いわゆる「ノートパソコン」、いわゆる「ネットブック（商標）」、いわゆる「ウェアラブルコンピュータ」など）、「携帯電話」およびコンピュータが一体化された小型の電子機器、いわゆる「デジタルカメラ（商標）」、いわゆる「デジタルビデオカメラ」、小型のテレビ、小型のゲーム機器、小型のデジタルオーディオプレイヤー、いわゆる「電子手帳」、いわゆる「電子辞書」、いわゆる「電子書籍」用電子機器端末、小型のデジタルタイプの時計などのモバイル型の電子機器（持ち運び可能な電子機器）などが挙げられるが、もちろん、モバイル型以外（設置型など）の電子機器（たとえば、いわゆる「ディスクトップパソコン」、薄型テレビ、録画・再生用電子機器（ハードディスクレコーダー、ＤＶＤプレイヤーなど）、プロジェクター、マイクロマシンなど）などであってもよい。また、電子部品または、電子機器・電子部品の材料・部材としては、たとえば、いわゆる「ＣＰＵ」の部材、各種記憶装置（いわゆる「メモリー」、ハードディスクなど）の部材などが挙げられる。
（変形例１）
粘着剤層１２２の第１部分１２２Ａはエネルギー線により硬化する性質を有する。粘着剤層１２２の第２部分１２２Ｂもエネルギー線により硬化する性質を有する。変形例１では、組み合わせ５を形成する工程の後に、粘着剤層１２２にエネルギー線を照射し組み合わせ５をピックアップする。エネルギー線を照射すると、組み合わせ５のピックアップが容易である。
（変形例２）
粘着剤層１２２の第１部分１２２Ａはエネルギー線により硬化されている。粘着剤層１２２の第２部分１２２Ｂもエネルギー線により硬化されている。
（変形例３）
図６に示すように、粘着剤層１２２の片面全体が半導体裏面保護フィルム１１と接している。
（そのほか）
変形例１〜変形例３などは、任意に組み合わせることができる。
以上のとおり、実施形態１に係る半導体装置の製造方法は、積層体７１の半導体裏面保護フィルム１１に半導体ウエハ４を固定する工程（Ａ）と、工程（Ａ）の後に半導体裏面保護フィルム１１を硬化させる工程（Ｂ）と、工程（Ｂ）の後に、半導体裏面保護フィルム１１に固定された半導体ウエハ４をダイシングすることにより組み合わせ５を形成する工程（Ｃ）と、ダイシングシート１２から組み合わせ５を剥離する工程（Ｄ）とを含む。
以下に、この発明の好適な実施例を例示的に詳しく説明する。ただし、この実施例に記載されている材料や配合量などは、特に限定的な記載がない限りは、この発明の範囲をそれらのみに限定する趣旨のものではない。
［実施例１］
（半導体裏面保護フィルムの作製）
アクリル酸エチル−メチルメタクリレートを主成分とするアクリル酸エステル系ポリマー（根上工業社製 パラクロンＷ−１９７Ｃ）の固形分―溶剤を除く固形分―１００重量部に対して、エポキシ樹脂（三菱化学社製 ｊＥＲ ＹＬ９８０）３００重量部とエポキシ樹脂（東都化成社製 ＫＩ−３０００）１３０重量部とフェノール樹脂（明和化成社製 ＭＥＨ７８５１−ＳＳ）４６０重量部と球状シリカ（アドマテックス社製 ＳＯ−２５Ｒ 平均粒径０．５μｍの球状シリカ）６９０重量部と染料(オリエント化学工業社製 ＯＩＬ ＢＬＡＣＫ ＢＳ)１０重量部と触媒（四国化成社製 ２ＰＨＺ）８０重量部とをメチルエチルケトンに溶解して、固形分濃度２３．６重量％の樹脂組成物の溶液を調製した。樹脂組成物の溶液をはく離ライナー（シリコーン離型処理した厚み５０μｍのポリエチレンテレフタレートフィルム）に塗布し、１３０℃で２分間乾燥させた。以上の手段により平均厚み２０μｍのフィルムを得た。直径３３０ｍｍの円盤状フィルム（以下、実施例において「半導体裏面保護フィルム」という）をフィルムから切り出した。
（積層体の作製）
ハンドローラーを用いてダイシングシート（日東電工社製 Ｖ−８−ＡＲ 平均厚み６５μｍの基材層と平均厚み１０μｍの粘着剤層とからなるダイシングシート）に半導体裏面保護フィルムをつけることにより、実施例１の積層体を作製した。実施例１の積層体は、ダイシングシートと、粘着剤層に固定された半導体裏面保護フィルムとからなる。
［実施例２〜３・比較例１〜２］
表１の配合表にしたがって半導体裏面保護フィルムを作製した―ということ以外は実施例１と同じ方法で実施例２〜３・比較例１〜２の積層体を作製した。
［評価１―硬化後の引張貯蔵弾性率Ｅ’］
１２０℃で２時間 半導体裏面保護フィルムを加熱し、はく離ライナーを取り除いた。幅１０ｍｍ、長さ２２．５ｍｍ、厚み０．０２ｍｍのサンプルを加熱後の半導体裏面保護フィルムから切り出した。レオメトリック社製の動的粘弾性測定装置「Ｓｏｌｉｄ Ａｎａｌｙｚｅｒ ＲＳ Ａ２」を用いて、引張モード、周波数１Ｈｚ、昇温速度１０℃／分、窒素雰囲気下、０℃から１００℃で動的粘弾性測定をおこなった。２３℃〜８０℃の全範囲で引張貯蔵弾性率が１ＧＰａ以上であるときは○と判定した。そうでないときは×と判定した。結果を表１に示す。
［評価２―チッピング］
積層体の半導体裏面保護フィルムにウエハ（裏面研磨処理された、直径８インチ厚み０．２ｍｍのシリコンミラーウエハ）を７０℃で圧着した。積層体に固定されたウエハをダイシングすることにより、組み合わせ―シリコンチップとシリコンチップに固定されたダイシング後半導体裏面保護フィルムとからなる―を形成した。図７に示すように、切込深さＺ１―シリコンチップ表面からの深さ―が４５μｍとなるように調整した。切込深さＺ２がダイシングテープの粘着剤層厚みの１／２までとなるように、切込深さＺ２を調整した。
（ウエハ研削条件）
研削装置：商品名「ＤＦＧ−８５６０」ディスコ社製
（貼り合わせ条件）
貼り付け装置：商品名「ＭＡ−３０００III」日東精機社製
貼り付け速度計：１０ｍｍ／ｍｉｎ
貼り付け圧力：０．１５ＭＰａ
貼り付け時のステージ温度：７０℃
（ダイシング条件）
ダイシング装置：商品名「ＤＦＤ−６３６１」ディスコ社製
ダイシングリング：「２−８−１」（ディスコ社製）
ダイシング速度：３０ｍｍ／ｓｅｃ
ダイシングブレード：
Ｚ１；ディスコ社製「２０３Ｏ−ＳＥ ２７ＨＣＤＤ」
Ｚ２；ディスコ社製「２０３Ｏ−ＳＥ ２７ＨＣＢＢ」
ダイシングブレード回転数：
Ｚ１；４０，０００ｒ／ｍｉｎ
Ｚ２；４５，０００ｒ／ｍｉｎ
カット方式：ステップカット
チップサイズ：２．０ｍｍ角
組み合わせをダイシングシートから剥離した。マイクロスコープ（Ｋｅｙｅｎｃｅ社製 ＶＨＸ５００)でシリコンチップの切断面―４つの切断面のうち最後に切断された面―を観察し、ヒビの深さを測定した。図８に示すように、ヒビの深さは、半導体裏面保護フィルムとシリコンチップとの界面からの深さである。シリコンチップの厚み１００％に対してヒビの深さが１０％未満であるときは◎と判定した。ヒビの深さが３０％未満であるときは○と判定した。ヒビの深さが３０％以上であるときは×と判定した。結果を表１に示す。
１ 合同体
１１ 半導体裏面保護フィルム
１２ ダイシングシート
１２１ 基材層
１２２ 粘着剤層
１２２Ａ 第１部分
１２２Ｂ 第２部分
１３ はく離ライナー
７１ 積層体
４ 半導体ウエハ
５ 組み合わせ
６ 被着体
８ 吸着台
４１ 半導体チップ
５１ バンプ
６１ 導電材
１１１ ダイシング後半導体裏面保護フィルム

Claims (4)

  1. 基材層および前記基材層上に配置された粘着剤層を含むダイシングシートと、
    前記粘着剤層上に配置された半導体裏面保護フィルムとを含み、
    硬化後における前記半導体裏面保護フィルムの引張貯蔵弾性率が２３℃〜８０℃全範囲で１ＧＰａ以上であり、前記引張貯蔵弾性率が、周波数１Ｈｚ、昇温速度１０℃／分、窒素雰囲気下で測定され、
    硬化後における前記半導体裏面保護フィルムの８０℃引張貯蔵弾性率の 硬化後における前記半導体裏面保護フィルムの２３℃引張貯蔵弾性率に対する比が０．４〜１．０である、
    積層体。
  2. 前記半導体裏面保護フィルムは樹脂成分を含み、
    前記樹脂成分は、アクリル樹脂、エポキシ樹脂およびフェノール樹脂を含み、
    前記樹脂成分１００重量％中における前記アクリル樹脂の含有量は０．１重量％〜３０重量％である、請求項１に記載の積層体。
  3. はく離ライナーと
    前記はく離ライナー上に配置された請求項１または２に記載の積層体とを含む合同体。
  4. 請求項１または２に記載の積層体の前記半導体裏面保護フィルムに半導体ウエハを固定する工程と、
    前記積層体の前記半導体裏面保護フィルムに前記半導体ウエハを固定する工程の後に、前記半導体裏面保護フィルムを硬化させる工程と、
    前記半導体裏面保護フィルムを硬化させる工程の後に、前記半導体裏面保護フィルムに固定された前記半導体ウエハをダイシングすることにより、半導体チップおよび前記半導体チップに固定されたダイシング後半導体裏面保護フィルムを含む組み合わせを形成する工程と、
    前記ダイシングシートから前記組み合わせを剥離する工程とを含む半導体装置の製造方法。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6921644B2 (ja) * 2017-06-27 2021-08-18 日東電工株式会社 ダイシングテープ一体型裏面保護フィルム
CN112703239B (zh) * 2018-11-22 2022-10-04 琳得科株式会社 热固性保护膜形成用膜、保护膜形成用复合片、及芯片的制造方法
US11961765B2 (en) * 2019-05-23 2024-04-16 Mitsubishi Electric Corporation Method for manufacturing a semiconductor substrate and device by bonding an epitaxial substrate to a first support substrate, forming a first and second protective thin film layer, and exposing and bonding a nitride semiconductor layer to a second support substrate
TW202323359A (zh) * 2021-07-21 2023-06-16 德商漢高智慧財產控股公司 用於具有優異高溫性質之供3d矽穿孔(tsv)封裝用之非傳導性薄膜的樹脂組合物

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4642436B2 (ja) * 2004-11-12 2011-03-02 リンテック株式会社 マーキング方法および保護膜形成兼ダイシング用シート
JP2008166451A (ja) * 2006-12-27 2008-07-17 Furukawa Electric Co Ltd:The チップ保護用フィルム
JP2009256466A (ja) * 2008-04-16 2009-11-05 Sekisui Chem Co Ltd 電子部品用接着剤
JP5456440B2 (ja) 2009-01-30 2014-03-26 日東電工株式会社 ダイシングテープ一体型ウエハ裏面保護フィルム
JP5632695B2 (ja) * 2009-11-26 2014-11-26 日東電工株式会社 ダイシングフィルム付き接着フィルム、及び、該ダイシングフィルム付き接着フィルムを用いた半導体装置の製造方法
CN102947929B (zh) * 2010-04-19 2016-05-18 日东电工株式会社 倒装芯片型半导体背面用膜
JP5419226B2 (ja) * 2010-07-29 2014-02-19 日東電工株式会社 フリップチップ型半導体裏面用フィルム及びその用途
JP5666335B2 (ja) * 2011-02-15 2015-02-12 日東電工株式会社 保護層形成用フィルム
JP2013079305A (ja) * 2011-10-03 2013-05-02 Nitto Denko Corp 熱粘着性フィルムおよび粘着テープ
JP6001273B2 (ja) * 2012-02-13 2016-10-05 信越化学工業株式会社 半導体ウエハ用保護フィルム及び半導体チップの製造方法
JP5615471B1 (ja) * 2013-03-22 2014-10-29 リンテック株式会社 保護膜形成用フィルムおよび保護膜形成用複合シート

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