JP6659104B2 - Imprint method, imprint apparatus, mold, and article manufacturing method - Google Patents

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Description

本発明は、インプリント方法、インプリント装置、型、および物品の製造方法に関する。   The present invention relates to an imprint method, an imprint apparatus, a mold, and a method for manufacturing an article.

基板上のインプリント材を型（モールド）によって成形するインプリント処理により、基板上にパターンを形成する微細加工技術がある。この技術は、インプリント技術とも呼ばれ、基板上に数ナノメートルオーダーの微細なパターン（構造体）を形成することができる。例えば、インプリント技術の１つとして光硬化法がある。光硬化法を採用したインプリント装置では、まず、基板上のショット領域の１つに光硬化性樹脂を供給する。次に、型を用いて、基板上の樹脂を成形する。そして、光を照射して樹脂を硬化させたうえで離型することにより、樹脂のパターンが基板上に形成される。インプリント技術には、光硬化法以外にも、例えば熱により樹脂を硬化させる熱硬化法がある。   There is a fine processing technique for forming a pattern on a substrate by imprint processing in which an imprint material on the substrate is formed by a mold. This technique is also called an imprint technique, and can form a fine pattern (structure) on the order of several nanometers on a substrate. For example, there is a photo-curing method as one of imprint techniques. In an imprint apparatus employing a photocuring method, first, a photocurable resin is supplied to one of the shot regions on the substrate. Next, the resin on the substrate is molded using a mold. Then, the resin is cured by irradiation with light, and then released, whereby a resin pattern is formed on the substrate. As the imprint technique, there is a thermosetting method in which a resin is cured by heat, for example, in addition to the photocuring method.

しかしながら、このようなインプリント技術では、型と樹脂とを直接接触させるので、硬化した樹脂から型を引き離す（離型）際に転写不良等のパターン欠陥を生じさせる場合がある。例えば、反射防止膜などの光学素子の製造であれば、ある程度の欠陥密度が許容される場合もあるが、特に半導体デバイス等の製造の際には、欠陥の発生がデバイス性能に直接影響する場合が多く、許容される欠陥密度は厳しい。   However, in such an imprint technique, since the mold and the resin are brought into direct contact, pattern defects such as poor transfer may occur when the mold is separated from the cured resin (release). For example, in the case of manufacturing an optical element such as an anti-reflection film, a certain defect density may be allowed, but particularly in the case of manufacturing a semiconductor device or the like, when the occurrence of a defect directly affects device performance. And the allowable defect density is severe.

そこで、特許文献１は、離型の際に基板または型の裏面を加圧して凸形状とすることで界面に応力を与え、離型力を低減させて欠陥の発生を抑止するインプリント装置を開示している。また、特許文献２は、ライン方向と剥離方向とをある範囲で一致させることで欠陥の発生を抑止するパターン形成方法を開示している。特許文献３は、離型開始時に型保持部と基板保持部の離間速度をゼロとする事で欠陥の発生を低減するインプリント方法を提案している。   Therefore, Patent Literature 1 discloses an imprint apparatus that presses the back surface of a substrate or a mold at the time of mold release to apply a stress to an interface by reducing the mold release force and suppress occurrence of defects. Has been disclosed. Patent Document 2 discloses a pattern forming method that suppresses generation of defects by matching a line direction and a peeling direction within a certain range. Patent Literature 3 proposes an imprint method that reduces the occurrence of defects by setting the separation speed between the mold holding unit and the substrate holding unit to zero at the start of mold release.

特開２０１１−７７５２９号公報JP 2011-77529 A 特開２００７−２９６６８３号公報JP 2007-296683 A 特開２０１３−２０７１８０号公報JP 2013-207180 A

近年、欠陥抑制技術の進展に伴い、特に成形領域の中心部において欠陥密度が高くなる傾向が明らかになってきた。この原因の一つとして、欠陥密度の高くなる領域は、離型工程の後半まで型と樹脂とが接触している領域であり、その領域では剥離が進展する速度が非常に高くなるため、樹脂パターンや型に必要以上の応力が発生しやすいことが挙げられる。特に、特許文献１および３に開示されている技術においても、離型の際には成形領域の周辺部から中心部に向けて等方的（略円形）に剥離が進み、剥離する境界の長さの減少に伴って剥離が進展する速度が増大し、中心部にて欠陥が多発しやすいと考えられる。一方、特許文献２に開示されている技術では、その適用範囲が、方向性のあるパターンに限られる上、成形領域の中心部で発生する欠陥を抑制し得るかどうかについては不明である。さらに、特許文献３に開示されている技術では、離型開始後の離型動作は型や基板の弾性変形によるばね力により行われる事になるため、離型力が大きい場合や、型の構造等によっては離型動作が完了するまで剥離が進展しない場合がある。   In recent years, with the development of defect suppression technology, it has become clear that the defect density tends to increase particularly at the center of the molding region. One of the causes is that the area where the defect density is high is the area where the mold and the resin are in contact until the latter half of the mold release process, and in that area the speed at which peeling progresses becomes extremely high, Unnecessary stress is easily generated in a pattern or a mold. In particular, also in the techniques disclosed in Patent Documents 1 and 3, at the time of mold release, the peeling proceeds isotropically (substantially circular) from the peripheral portion of the molding region toward the center portion, and the length of the boundary at which the peeling is performed. It is considered that the speed at which the peeling progresses increases with the decrease in the height, and the defects are likely to occur frequently at the center. On the other hand, in the technology disclosed in Patent Document 2, the applicable range is limited to a directional pattern, and it is unclear whether a defect occurring at the center of a molding region can be suppressed. Further, according to the technique disclosed in Patent Document 3, since the releasing operation after the start of releasing is performed by a spring force due to elastic deformation of the die and the substrate, when the releasing force is large, or when the structure of the die is increased. In some cases, peeling does not progress until the release operation is completed.

本発明は、このような状況に鑑みてなされたものであり、例えば、パターン欠陥の発生を抑える点で有利なインプリント方法を提供することを目的とする。   The present invention has been made in view of such a situation, and has as its object to provide, for example, an imprint method that is advantageous in suppressing the occurrence of pattern defects.

上記課題を解決するために、本発明は、基板上のインプリント材に型を用いてパターンを形成するインプリント方法であって、インプリント材が硬化した後、型とインプリント材とが剥離する境界を直線状とし、型に形成されたパターン領域において、２つの相対する境界が直線状を維持しつつ互いに近づくように、型とインプリント材とを引き離す工程を含むことを特徴とする。 In order to solve the above problems, the present invention is an imprint method for forming a pattern using a mold on an imprint material on a substrate, and after the imprint material is cured, the mold and the imprint material are separated. And a step of separating the imprint material from the imprint material such that two opposing boundaries approach each other while maintaining a linear shape in the pattern region formed in the mold.

本発明によれば、例えば、パターン欠陥の発生を抑える点で有利なインプリント方法を提供することができる。   According to the present invention, for example, it is possible to provide an imprint method that is advantageous in suppressing the occurrence of pattern defects.

本発明の第１実施形態に係るインプリント装置の構成を示す図である。FIG. 1 is a diagram illustrating a configuration of an imprint apparatus according to a first embodiment of the present invention. インプリント処理における各構成要素等の状態を時系列で示す図である。FIG. 6 is a diagram illustrating states of respective components and the like in an imprint process in a time series. モールドと樹脂との接触の状態を示す図である。FIG. 3 is a diagram illustrating a state of contact between a mold and a resin. 本発明の第２実施形態に係るインプリント装置の構成を示す図である。FIG. 6 is a diagram illustrating a configuration of an imprint apparatus according to a second embodiment of the present invention. 本発明の第３実施形態に係るインプリント装置の構成を示す図である。FIG. 13 is a diagram illustrating a configuration of an imprint apparatus according to a third embodiment of the present invention. 比較例の離型工程における剥離が進展する様子を示す図である。It is a figure showing signs that exfoliation advances in a mold release process of a comparative example. 剥離する境界の長さと剥離が進展する速度とを示すグラフである。5 is a graph showing the length of a boundary at which separation occurs and the speed at which separation advances. 比較例と本実施形態との樹脂の剥離の進展を同一の時系列で示す図である。It is a figure showing progress of exfoliation of resin of a comparative example and this embodiment in the same time series. 基板チャックを示す図である。FIG. 3 is a view illustrating a substrate chuck. 本発明の第４実施形態に係るインプリント装置で用いるモールドチャックを示す図である。FIG. 14 is a diagram illustrating a mold chuck used in an imprint apparatus according to a fourth embodiment of the present invention. インプリント処理における各構成要素等の状態を時系列で示す図である。FIG. 6 is a diagram illustrating states of respective components and the like in an imprint process in a time series. モールドと樹脂との接触の状態を示す図である。FIG. 3 is a diagram illustrating a state of contact between a mold and a resin. インプリント処理における各構成要素等の状態を時系列で示す図である。FIG. 6 is a diagram illustrating states of respective components and the like in an imprint process in a time series. モールドと樹脂との接触の状態を示す図である。FIG. 3 is a diagram illustrating a state of contact between a mold and a resin. 基板チャックを示す図である。FIG. 3 is a view illustrating a substrate chuck. インプリント処理における各構成要素等の状態を時系列で示す図である。FIG. 6 is a diagram illustrating states of respective components and the like in an imprint process in a time series. モールドと樹脂との接触の状態を示す図である。FIG. 3 is a diagram illustrating a state of contact between a mold and a resin.

以下、本発明を実施するための形態について図面などを参照して説明する。   Hereinafter, embodiments for carrying out the present invention will be described with reference to the drawings.

（第１実施形態）
まず、本発明の第１実施形態に係るインプリント方法およびインプリント装置について説明する。図１は、本実施形態に係るインプリント装置１００の構成を示す概略図である。インプリント装置１００は、物品としての半導体デバイスなどの製造に用いられる。ウエハ１０５上（基板上）に塗布された未硬化の樹脂（インプリント材）１０４とモールド１０３とを接触させて、樹脂１０４を成形することでウエハ１０５上に樹脂１０４のパターンを形成する。なお、インプリント装置１００は、一例として光硬化法を採用するものとする。また、以下の図において、上下方向（鉛直方向）にＺ軸を取り、Ｚ軸に垂直な平面内に互いに直交するＸ軸およびＹ軸を取っている。インプリント装置１００は、照明系１０７と、モールド保持機構１１７と、基板ステージ１０８と、塗布部１１８と、制御部１１９とを備える。 (1st Embodiment)
First, an imprint method and an imprint apparatus according to a first embodiment of the present invention will be described. FIG. 1 is a schematic diagram illustrating a configuration of an imprint apparatus 100 according to the present embodiment. The imprint apparatus 100 is used for manufacturing a semiconductor device or the like as an article. An uncured resin (imprint material) 104 applied on the wafer 105 (on the substrate) is brought into contact with the mold 103 and the resin 104 is molded to form a pattern of the resin 104 on the wafer 105. Note that the imprint apparatus 100 adopts a photo-curing method as an example. Further, in the following drawings, the Z axis is taken in the vertical direction (vertical direction), and the X axis and the Y axis that are orthogonal to each other are taken in a plane perpendicular to the Z axis. The imprint apparatus 100 includes an illumination system 107, a mold holding mechanism 117, a substrate stage 108, a coating unit 118, and a control unit 119.

照明系１０７は、不図示の光源から発せられた紫外線を樹脂１０４を硬化させるに適切な光に調整し、モールド１０３に照射する樹脂硬化手段である。光源は、紫外線に限らずモールド１０３を透過し、かつ樹脂１０４が硬化する波長の光を発する光源であればよい。なお、例えば熱硬化法を採用する場合には、樹脂硬化手段として、照明系１０７に換えて、例えば基板ステージ１０８の近傍に、熱硬化性樹脂を硬化させるための加熱手段を設置する。一方、熱硬化性樹脂に換えて熱可塑性樹脂を用いるのであれば、樹脂硬化手段は、例えば基板ステージの近傍に設置される冷却手段である。   The illumination system 107 is a resin curing unit that adjusts ultraviolet light emitted from a light source (not shown) to light suitable for curing the resin 104 and irradiates the mold 103 with the light. The light source is not limited to ultraviolet light, and may be any light source that transmits light through the mold 103 and emits light having a wavelength at which the resin 104 cures. When a thermosetting method is employed, for example, a heating means for curing the thermosetting resin is provided as a resin curing means, for example, in the vicinity of the substrate stage 108, instead of the illumination system 107. On the other hand, if a thermoplastic resin is used instead of the thermosetting resin, the resin curing unit is, for example, a cooling unit installed near the substrate stage.

モールド（型）１０３は、ウエハ１０５に対向する面に、例えば回路パターンなどの転写すべき三次元状の凹凸パターンが形成されているパターン部１０３ａを含む。また、モールド１０３は、パターン部１０３ａが設けられている面とは反対側の面の中央領域に、凹部１０３ｂを含む。モールド１０３の材質としては、光硬化法を採用する場合には、石英ガラスやサファイアガラスといった光透過性の材質とし得るが、熱硬化法や熱可塑法を採用する場合には、金属、シリコン、セラミック等、広く選択し得る。   The mold (mold) 103 includes a pattern portion 103a in which a three-dimensional uneven pattern such as a circuit pattern to be transferred is formed on a surface facing the wafer 105. Further, the mold 103 includes a concave portion 103b in a central region of a surface opposite to the surface on which the pattern portion 103a is provided. The material of the mold 103 may be a light transmissive material such as quartz glass or sapphire glass when the photo-curing method is used, but may be metal, silicon, or the like when the thermo-setting method or the thermoplastic method is used. It can be widely selected such as ceramic.

モールド保持機構（型保持手段）１１７は、モールド１０３を保持するモールドチャック１０２と、不図示であるが、モールドチャック１０２を支持し移動させるモールド駆動機構と、モールド１０３を変形可能とするモールド形状可変機構１１４とを有する。モールドチャック１０２は、モールド１０３における紫外線の照射面の外周領域を真空吸着力や静電力により引き付けることでモールド１０３を保持し得る。また、モールドチャック１０２およびモールド駆動機構は、照明系１０７から照射された紫外線がモールド１０３を透過してウエハ１０５に向かうように、中心部（内側）に開口領域を有する。この開口領域は、モールド１０３に形成されている凹部１０３ｂに連通している。モールド駆動機構は、モールド１０３とウエハ１０５上の樹脂１０４とを接触させたり、引き離したり、選択的に行うようにモールド１０３をＺ軸方向に移動させる。なお、インプリント処理の際の接触および引き離し動作は、モールド１０３をＺ軸方向に移動させることで実現してもよい。また、同動作は、基板ステージ１０８を駆動させてウエハ１０５をＺ軸方向に移動させることで実現してもよく、または、モールド１０３とウエハ１０５との双方を相対的に同時または順次、移動させてもよい。モールド形状可変機構（型形状可変手段）１１４は、モールドチャック１０２に保持されている状態のモールド１０３に力（変形力）を印加することで、モールド１０３の形状を変化させる。   The mold holding mechanism (mold holding means) 117 includes a mold chuck 102 that holds the mold 103, a mold driving mechanism (not shown) that supports and moves the mold chuck 102, and a mold shape variable that allows the mold 103 to be deformed. And a mechanism 114. The mold chuck 102 can hold the mold 103 by attracting an outer peripheral area of the ultraviolet irradiation surface of the mold 103 by a vacuum suction force or an electrostatic force. Further, the mold chuck 102 and the mold driving mechanism have an opening region at the center (inside) so that the ultraviolet rays emitted from the illumination system 107 pass through the mold 103 toward the wafer 105. This opening region communicates with a concave portion 103b formed in the mold 103. The mold driving mechanism moves the mold 103 in the Z-axis direction so that the mold 103 and the resin 104 on the wafer 105 are brought into contact with each other, separated from each other, or selectively performed. Note that the contact and detachment operations during the imprint process may be realized by moving the mold 103 in the Z-axis direction. The same operation may be realized by driving the substrate stage 108 to move the wafer 105 in the Z-axis direction, or by moving both the mold 103 and the wafer 105 relatively simultaneously or sequentially. You may. The mold shape changing mechanism (mold shape changing means) 114 changes the shape of the mold 103 by applying a force (deformation force) to the mold 103 held by the mold chuck 102.

ここで、本実施形態におけるモールド形状可変機構１１４は、気体または液体の圧力である流体圧を印加する方式、特に本実施形態では空圧（空気圧）を印加してモールド１０３の形状を変化させる方式を採用する流体圧印加手段とする。なお、流体圧を用いる方式の利点としては、例えば、インプリント装置１００内に紫外線の透過経路を作りやすいので、光硬化樹脂を使用する場合や、細かいプロセス管理のために各種光学センサーや撮像系などを付加したい場合などに有利である点が上げられる。モールド形状可変機構１１４は、さらに、凹部１０３ｂと上記の開口領域とを含む空間を密閉とする窓板１０１と、モールド形状制御手段１０９と、該モールド形状制御手段１０９と密閉空間とを連通させる配管１２０とを有する。窓板１０１の材質としては、モールド１０３と同様に紫外線を透過させる必要性から、例えば石英ガラスである。モールド形状制御手段１０９は、凹部１０３ｂを一部として形成される密閉空間内の圧力を、制御部１１９からの指令に基づいて調整するものであり、例えば加圧、減圧を行うポンプである。なお、モールド形状可変機構１１４は、本実施形態では空圧を用いるものであるが、例えば、窒素やヘリウム等の気体を用いた圧力制御でもよいし、水や油等の液体を用いた液圧制御としてもよい。   Here, the mold shape variable mechanism 114 in the present embodiment applies a fluid pressure that is a gas or liquid pressure, and in particular, in the present embodiment, applies a pneumatic pressure (air pressure) to change the shape of the mold 103. And a fluid pressure applying means. The advantage of the method using the fluid pressure is that, for example, an ultraviolet ray transmission path is easily formed in the imprint apparatus 100, so that a photocurable resin is used, and various optical sensors and imaging systems are used for fine process management. This is advantageous when it is desired to add a function. The mold shape variable mechanism 114 further includes a window plate 101 for sealing a space including the concave portion 103b and the opening area, a mold shape control means 109, and a pipe for communicating the mold shape control means 109 with the closed space. 120. The material of the window plate 101 is, for example, quartz glass because of the necessity of transmitting ultraviolet rays similarly to the mold 103. The mold shape control means 109 adjusts the pressure in the sealed space formed with the concave portion 103b as a part based on a command from the control unit 119, and is, for example, a pump for increasing and decreasing pressure. In this embodiment, the mold shape variable mechanism 114 uses pneumatic pressure. However, for example, pressure control using a gas such as nitrogen or helium may be used, or hydraulic pressure using a liquid such as water or oil may be used. Control may be used.

ウエハ（基板）１０５は、例えば、単結晶シリコンからなる被処理基板である。なお、半導体デバイス以外の物品の製造用途であれば、基板の材質として、例えば、光学素子であれば石英等の光学ガラス、発光素子であればＧａＮやＳｉＣなどを採用し得る。   The wafer (substrate) 105 is, for example, a substrate to be processed made of single crystal silicon. In the case of an article other than a semiconductor device, the substrate may be made of, for example, optical glass such as quartz for an optical element, or GaN or SiC for a light emitting element.

基板ステージ（基板保持手段）１０８は、ウエハ１０５を保持し、モールド１０３とウエハ１０５上の樹脂１０４との接触に際し、モールド１０３とウエハ１０５との位置合わせを実施する。基板ステージ１０８は、ウエハ１０５を保持する基板チャック１０６と、不図示であるが、基板チャック１０６を支持し、ＸＹＺの各軸方向に移動させるステージ駆動機構と、ウエハ１０５を変形可能とするウエハ形状可変機構１１５とを有する。本実施形態では、ウエハ形状可変機構（基板形状可変手段）１１５は、一例として、基板チャック１０６が真空チャックであるものとする。そして、基板チャック１０６は、複数の吸着領域に分割され、それぞれ個別に吸着圧を加減圧してウエハ１０５の形状を変化させる方式を採用する。ここで、複数の吸着領域は、以下で詳説する離型工程の際に、ウエハ１０５の形状を従来とは異なる形状に変形させるために、例えば、Ｘ軸方向が一定の幅で仕切られ、かつ、Ｙ軸方向に吸着領域全域に渡って連通した領域とし得る。なお、各吸着領域における圧力調整手段としては、モールド形状制御手段１０９と同様に、例えば加圧、減圧を行うポンプであるウエハ形状制御手段１１０と配管１２１とを含み、空圧を調整することで行い得る。   A substrate stage (substrate holding means) 108 holds the wafer 105 and performs alignment between the mold 103 and the wafer 105 when the mold 103 comes into contact with the resin 104 on the wafer 105. The substrate stage 108 includes a substrate chuck 106 that holds the wafer 105, a stage driving mechanism (not shown) that supports the substrate chuck 106 and moves in each of the X, Y, and Z axes, and a wafer shape that allows the wafer 105 to be deformed. And a variable mechanism 115. In the present embodiment, in the wafer shape changing mechanism (substrate shape changing means) 115, the substrate chuck 106 is, for example, a vacuum chuck. Then, the substrate chuck 106 is divided into a plurality of suction areas, and employs a method in which the shape of the wafer 105 is changed by individually increasing or decreasing the suction pressure. Here, the plurality of suction regions are partitioned with a constant width in the X-axis direction, for example, in order to deform the shape of the wafer 105 into a shape different from the conventional shape at the time of a release process described in detail below, and , May be a region communicating with the entire suction region in the Y-axis direction. In addition, as in the case of the mold shape control means 109, the pressure adjustment means in each suction region includes, for example, a wafer shape control means 110, which is a pump for performing pressurization and decompression, and a pipe 121, and adjusts air pressure. Can do.

塗布部１１８は、ウエハ１０５上に予め設定されているパターン形成領域としてのショット領域上に、所望の塗布パターンで樹脂１０４を塗布する。インプリント材としての樹脂１０４は、モールド１０３とウエハ１０５との間に充填される際には流動性を持ち、成形後には形状を維持する固体であることが求められる。特に本実施形態では、樹脂１０４は、紫外線を受光することにより硬化する性質を有する紫外線硬化樹脂（光硬化性樹脂）であるが、物品の製造工程などの各種条件によっては、光硬化樹脂に換えて、熱硬化樹脂や熱可塑樹脂等が用いられ得る。   The application unit 118 applies the resin 104 in a desired application pattern on a shot area as a pattern formation area set on the wafer 105 in advance. The resin 104 as an imprint material is required to be a solid that has fluidity when filled between the mold 103 and the wafer 105 and maintains a shape after molding. In particular, in the present embodiment, the resin 104 is an ultraviolet curable resin (photocurable resin) having a property of being cured by receiving ultraviolet light, but may be replaced with a photocurable resin depending on various conditions such as an article manufacturing process. Thus, a thermosetting resin, a thermoplastic resin, or the like may be used.

制御部（制御手段）１１９は、例えばコンピューターなどで構成され、インプリント装置１００の各構成要素に回線を介して接続され、プログラムなどに従って各構成要素の動作や調整などを制御し得る。特に本実施形態では、制御部１１９は、駆動制御回路１１１と、樹脂硬化制御回路１１２とを含む。駆動制御回路１１１は、モールド形状可変機構１１４の動作を制御する。駆動制御回路１１１は、特に接触動作または引き離し動作のときのモールド保持機構１１７、基板ステージ１０８、モールド形状制御手段１０９およびウエハ形状制御手段１１０の各動作を制御する。樹脂硬化制御回路１１２は、照明系１０７の照射を制御する。なお、制御部１１９は、インプリント装置１００の他の部分と一体で（共通の筐体内に）構成してもよいし、インプリント装置１００の他の部分とは別体で（別の筐体内に）構成してもよい。   The control unit (control means) 119 is constituted by, for example, a computer, is connected to each component of the imprint apparatus 100 via a line, and can control the operation and adjustment of each component according to a program or the like. In particular, in the present embodiment, the control unit 119 includes a drive control circuit 111 and a resin curing control circuit 112. The drive control circuit 111 controls the operation of the mold shape changing mechanism 114. The drive control circuit 111 controls each operation of the mold holding mechanism 117, the substrate stage 108, the mold shape control means 109, and the wafer shape control means 110 particularly during the contact operation or the separation operation. The resin curing control circuit 112 controls the irradiation of the illumination system 107. Note that the control unit 119 may be configured integrally with the other part of the imprint apparatus 100 (in a common housing) or may be configured separately from the other part of the imprint apparatus 100 (in another housing). ) May be configured.

次に、インプリント装置１００によるインプリント処理（インプリント方法）について説明する。まず、制御部１１９は、基板チャック１０６にウエハ１０５を載置および固定させる。次に、制御部１１９は、基板ステージ１０８を駆動させてウエハ１０５の位置を適宜変更させつつ、不図示のアライメント計測系にウエハ１０５上のアライメントマークを計測させ、ウエハ１０５の位置を高精度に検出する。そして、制御部１１９は、検出結果に基づいて基板に形成されたショット領域の配列を求める。ここで、ある１つのショット領域に対するパターン形成の流れとして、制御部１１９は、まず、基板ステージ１０８に、塗布部１１８の樹脂吐出口の下にウエハ１０５上の塗布位置を位置決めさせる。その後、塗布部１１８は、ショット領域に樹脂１０４を塗布する（塗布工程）。次に、制御部１１９は、基板ステージ１０８に、パターン部１０３ａ直下の接触位置にショット領域が位置するようにウエハ１０５を移動させ、位置決めさせる。次に、制御部１１９は、パターン部１０３ａと基板上のショット領域との位置合わせやパターン部１０３ａの形状補正などを実施した後、モールド保持機構１１７を駆動させ、ショット領域上の樹脂１０４にパターン部１０３ａを接触、充填させる（充填工程）。この状態で、照明系１０７は、硬化工程としてモールド１０３の背面（上面）から紫外線を所定時間照射し、モールド１０３を透過した紫外線により樹脂１０４を硬化させる。そして、樹脂１０４が硬化した後、制御部１１９は、モールド保持機構１１７を駆動させ、モールド１０３とウエハ１０５との間隔を広げることで、パターン部１０３ａを硬化した樹脂１０４から引き離す（離型工程）。これにより、ショット領域上には、パターン部１０３ａに倣った三次元形状の樹脂パターンが形成される。このような一連のインプリント動作を基板ステージ１０８の駆動によりショット領域を変更しつつ複数回実施することで、インプリント装置１００は、１枚のウエハ１０５上に複数の樹脂パターンを形成することができる。   Next, an imprint process (imprint method) by the imprint apparatus 100 will be described. First, the control unit 119 places and fixes the wafer 105 on the substrate chuck 106. Next, the control unit 119 drives the substrate stage 108 to appropriately change the position of the wafer 105, and causes an alignment measurement system (not shown) to measure the alignment mark on the wafer 105, and accurately positions the wafer 105. To detect. Then, the control unit 119 obtains the arrangement of the shot areas formed on the substrate based on the detection result. Here, as a flow of pattern formation for one shot area, the control unit 119 first causes the substrate stage 108 to position an application position on the wafer 105 below the resin discharge port of the application unit 118. Thereafter, the application unit 118 applies the resin 104 to the shot area (application step). Next, the control unit 119 moves and positions the wafer 105 on the substrate stage 108 such that the shot area is located at the contact position immediately below the pattern unit 103a. Next, the control unit 119 performs alignment of the pattern unit 103a with the shot region on the substrate, correction of the shape of the pattern unit 103a, and the like, and then drives the mold holding mechanism 117 to apply the pattern to the resin 104 on the shot region. The part 103a is contacted and filled (filling step). In this state, the illumination system 107 irradiates ultraviolet rays from the back surface (upper surface) of the mold 103 for a predetermined time as a curing step, and cures the resin 104 by the ultraviolet rays transmitted through the mold 103. Then, after the resin 104 is cured, the control unit 119 drives the mold holding mechanism 117 to widen the space between the mold 103 and the wafer 105, thereby separating the pattern unit 103a from the cured resin 104 (release process). . Thus, a three-dimensional resin pattern is formed on the shot area according to the pattern portion 103a. By performing such a series of imprint operations a plurality of times while changing the shot area by driving the substrate stage 108, the imprint apparatus 100 can form a plurality of resin patterns on one wafer 105. it can.

図２は、上記のインプリント処理の一連の工程において、モールド１０３と、ウエハ１０５と、該ウエハ１０５上の樹脂１０４との各状態（形状）を時系列で示す概略断面図である。なお、図２では、モールド１０３の重心位置を通るＸ軸方向に沿った断面図（Ｘ断面図）と、Ｙ軸方向に沿った断面図（Ｙ断面図）とを、時系列ごとにそれぞれ並べて表記している。さらに、図中、矢印は、圧力が印加される向きを示している。また、図３は、モールド１０３と、ウエハ１０５上の樹脂１０４との接触による樹脂１０４の時間ごとの状態変化を示す概略平面図である。まず、インプリント処理を開始するにあたり、モールド１０３と、表面上に樹脂１０４が塗布されているウエハ１０５とは、対向して配置される。   FIG. 2 is a schematic cross-sectional view showing each state (shape) of the mold 103, the wafer 105, and the resin 104 on the wafer 105 in a time series in a series of steps of the imprint process. In FIG. 2, a cross-sectional view (X cross-sectional view) along the X-axis direction passing through the position of the center of gravity of the mold 103 and a cross-sectional view (Y cross-sectional view) along the Y-axis direction are arranged in time series. Notation. Further, in the drawing, arrows indicate the directions in which pressure is applied. FIG. 3 is a schematic plan view showing a time-dependent state change of the resin 104 due to contact between the mold 103 and the resin 104 on the wafer 105. First, when the imprint process is started, the mold 103 and the wafer 105 having the surface coated with the resin 104 are arranged to face each other.

次に、図２中の（ｉ）に示すように、モールド形状可変機構１１４は、モールド１０３の形状を、そのパターン部１０３ａの中心部が樹脂１０４側に近づくような、略球形状の凸形に変形させる。このとき、モールド１０３と樹脂１０４とは接触前の状態にあるので、図３（ａ）に示すように、樹脂１０４の状態に変化はない。   Next, as shown in (i) of FIG. 2, the mold shape changing mechanism 114 changes the shape of the mold 103 into a substantially spherical convex shape such that the center of the pattern portion 103a approaches the resin 104 side. To be deformed. At this time, since the mold 103 and the resin 104 are in a state before contact, there is no change in the state of the resin 104 as shown in FIG.

次に、図２中の（ｉｉ）に示すように、充填工程として、モールド１０３とウエハ１０５とが徐々に近づき、モールド１０３（パターン部１０３ａ）と樹脂１０４とは、接触を開始する。このとき、モールド形状可変機構１１４は、モールド１０３の形状を凸形に維持している。これにより、図３（ｂ）に示すように、接触領域２０１は円形となり、パターン部１０３ａの中心領域から外周領域に向かって空気を押し出しながら樹脂１０４の充填が進行するため、泡の巻き込みを抑える観点から望ましい。なお、図３において、モールド１０３と樹脂１０４とが接触している領域（接触領域２０１）を斜線領域で示す。   Next, as shown in (ii) of FIG. 2, as a filling step, the mold 103 and the wafer 105 gradually approach each other, and the mold 103 (pattern portion 103a) and the resin 104 start contacting. At this time, the mold shape changing mechanism 114 maintains the shape of the mold 103 in a convex shape. Thereby, as shown in FIG. 3B, the contact area 201 becomes circular, and the filling of the resin 104 proceeds while pushing out air from the central area of the pattern portion 103a toward the outer peripheral area, so that entrainment of bubbles is suppressed. Desirable from a viewpoint. In FIG. 3, a region where the mold 103 and the resin 104 are in contact with each other (a contact region 201) is indicated by a hatched region.

次に、図２中の（ｉｉｉ）に示すように、パターン部１０３ａの全域に樹脂１０４の充填が完了した後（図３（ｃ）参照）、硬化工程として、照明系１０７は、例えば１００ｍＪ／ｃｍ２の紫外線を照射して樹脂１０４を硬化させる。ここで、モールド形状可変機構１１４は、樹脂１０４の充填の進行（充填動作の進行）に合わせて徐々にモールド１０３の変形を解除していき、充填完了をもってモールド１０３の形状が元に戻るように制御される。なお、モールド形状可変機構１１４によるモールド１０３の変形の解除は、モールド１０３の変形による樹脂パターンの歪みを抑える観点から望ましいが、歪みの程度が許容できる場合には、モールド１０３に変形力を印加した状態を維持していてもよい。 Next, as shown in (iii) of FIG. 2, after the entire area of the pattern portion 103a is completely filled with the resin 104 (see FIG. 3C), as a curing step, the illumination system 107 is, for example, 100 mJ / The resin 104 is cured by irradiating ultraviolet rays of cm 2 . Here, the mold shape changing mechanism 114 gradually releases the deformation of the mold 103 in accordance with the progress of the filling of the resin 104 (the progress of the filling operation), so that the shape of the mold 103 returns to the original shape upon completion of the filling. Controlled. The release of the deformation of the mold 103 by the variable mold shape mechanism 114 is desirable from the viewpoint of suppressing the distortion of the resin pattern due to the deformation of the mold 103. However, when the degree of the distortion is allowable, the deformation force is applied to the mold 103. The state may be maintained.

次に、図２中の（ｉｖ）に示すように、ウエハ形状可変機構１１５は、ウエハ１０５の形状を、平面内の１つの方向（以下「変形基準方向」という。）に平行にモールド１０３側に近づくような、円筒形状に沿った凸形に変形させる（基板変形工程）。なお、本実施形態でいう円筒形状は、厳密な円筒形状を指すのみならず、いわゆる略円筒形状をも含む。一方、モールド形状可変機構１１４は、モールド１０３の形状を、等方的にその中心部が樹脂１０４側から遠ざかるような凹形に変形させるが、この場合には、ウエハ１０５の形状にならって円筒形状となる（型変形工程）。ここでは、変形基準方向（円筒形状における軸が延びる方向）をＹ軸方向としているので、ウエハ１０５は、Ｘ断面図では中央部のみ、Ｙ断面図では全域が、基板チャック１０６から浮き上がっている。   Next, as shown in (iv) in FIG. 2, the wafer shape variable mechanism 115 causes the shape of the wafer 105 to be parallel to one direction in a plane (hereinafter, referred to as a “deformation reference direction”) and to the mold 103 side. (Substrate deformation step). In addition, the cylindrical shape referred to in the present embodiment includes not only a strict cylindrical shape but also a so-called substantially cylindrical shape. On the other hand, the mold shape changing mechanism 114 isotropically deforms the shape of the mold 103 into a concave shape such that the center thereof moves away from the resin 104 side. It becomes a shape (mold deformation step). Here, since the deformation reference direction (the direction in which the axis in the cylindrical shape extends) is the Y-axis direction, the wafer 105 is lifted from the substrate chuck 106 only at the central portion in the X-sectional view and in the whole area in the Y-sectional view.

次に、図２中の（ｖ）に示すように、離型工程として、モールド１０３と、ウエハ１０５上の樹脂１０４とは、徐々に引き離される。このとき、モールド１０３とウエハ１０５とが円筒形状に変形している。したがって、図３（ｄ）に示すように、モールド１０３が硬化した樹脂１０４から剥離する際の境界（界面）は、変形基準方向に２つの直線状となる。この相対する剥離する境界が直線状を維持しつつ、互いに近づく方向（変形基準方向と直交する方向）に剥離が進展する。なお、この状態は、離型開始から離型終盤まで維持される。   Next, as shown in FIG. 2 (v), as a mold release step, the mold 103 and the resin 104 on the wafer 105 are gradually separated. At this time, the mold 103 and the wafer 105 are deformed into a cylindrical shape. Therefore, as shown in FIG. 3D, the boundary (interface) when the mold 103 is separated from the cured resin 104 becomes two straight lines in the deformation reference direction. The separation progresses in a direction approaching each other (a direction orthogonal to the deformation reference direction) while maintaining the boundary between the opposite separations in a straight line. This state is maintained from the start of release to the end of release.

そして、図２中の（ｖｉ）に示すように、離型工程が完了した後、モールド形状可変機構１１４およびウエハ形状可変機構１１５が変形力の印加を停止することで、モールド１０３およびウエハ１０５の形状は、それぞれ元に戻り、インプリント処理が完了する。   Then, as shown in (vi) in FIG. 2, after the mold release process is completed, the mold shape variable mechanism 114 and the wafer shape variable mechanism 115 stop applying the deformation force, so that the mold 103 and the wafer 105 are The shapes return to their original states, and the imprint process is completed.

次に、特に上記のような離型工程を行うことによる効果を明確にするために、比較例を示しつつ、数値を用いてより具体的に例示する。なお、比較例の離型工程に関しては、本実施形態に係るインプリント装置１００と同一構成のものには同一の符号を付して説明する。まず、本実施形態と比較例との共通する条件として、モールド１０３は、厚さ（Ｚ軸方向の寸法）５ｍｍの合成石英からなり、パターン部１０３ａが設けられている面とは反対側の面で、外形寸法（平面寸法）が直径φ６５ｍｍ、深さ４ｍｍとなる凹部を含む。パターン部１０３ａは、外形寸法がＸ軸方向に３３ｍｍ、Ｙ軸方向に２６ｍｍで、高さ（Ｚ軸方向の寸法）０.１ｍｍの凸部として、面中央部に設けられている。パターン部１０３ａは、凹凸パターンからなる微細構造が全面に形成されており、その寸法は、平均で幅５０ｎｍ、深さ（Ｚ軸方向の寸法）１００ｎｍである。ウエハ形状可変機構１１５としての基板チャック１０６に形成されている複数の吸着領域は、図９の斜線部に示すようにパターン部１０３ａと相対する部分を中心としてＸ軸方向が７０ｍｍの幅で仕切られ、かつＹ軸方向に吸着領域全域に渡って連通した領域とする。   Next, in order to clarify the effect particularly by performing the above-described mold release step, a more specific example will be given using numerical values while showing a comparative example. Regarding the release process of the comparative example, the same components as those of the imprint apparatus 100 according to the present embodiment are denoted by the same reference numerals and described. First, as a condition common to the present embodiment and the comparative example, the mold 103 is made of synthetic quartz having a thickness (dimension in the Z-axis direction) of 5 mm, and is a surface opposite to the surface on which the pattern portion 103a is provided. And a recess having an outer dimension (plane dimension) of φ65 mm in diameter and 4 mm in depth. The pattern portion 103a is provided at the center of the surface as a projection having an outer dimension of 33 mm in the X-axis direction, 26 mm in the Y-axis direction, and a height (dimension in the Z-axis direction) of 0.1 mm. The pattern portion 103a has a fine structure formed of a concavo-convex pattern formed on the entire surface, and has an average size of 50 nm in width and 100 nm in depth (dimension in the Z-axis direction). The plurality of suction areas formed on the substrate chuck 106 as the wafer shape variable mechanism 115 are partitioned with a width of 70 mm in the X-axis direction centering on the portion facing the pattern portion 103a as shown by the hatched portion in FIG. And a region communicating with the entire suction region in the Y-axis direction.

図６は、比較例の離型工程における樹脂１０４の剥離進展中の様子を示す概略図である。このうち、図６（ａ）は、平面図である。また、図６（ｂ）は、Ｘ断面図であり、このときの状態は、図２に示す本実施形態におけるインプリント処理の際の各状態のうち、特に（ｖ）のＸ断面図に対応している。一方、図６（ｃ）は、Ｙ断面図であり、このときの状態は、図２に示す本実施形態におけるインプリント処理の際の各状態のうち、特に（ｖ）のＹ断面図に対応している。硬化工程の後で離型工程の前に行われる変形工程として、モールド形状可変機構１１４およびウエハ形状可変機構１１５は、共に＋１０ｋＰａの空圧を印加することで、モールド１０３とウエハ１０５とをパターン部１０３ａと相対する部分を中心として変形させる。ただし、比較例の場合には、モールド形状可変機構１１４は、モールド１０３の形状を、等方的にその中心部がウエハ１０５側に近づくような凸形に変形させる。このような状態にて、離型工程として、モールド１０３と、ウエハ１０５上の樹脂１０４とは、１００μｍ／ｓの速度にて引き離される。これにより、モールド１０３は、図６（ｂ）、（ｃ）に示すように等方的に変形し、ウエハ１０５の円筒形上にならう事が無い。そのため、離型工程の間の接触領域２０１は、図６（ａ）に示すように円形状（略円形状）となり、パターン部１０３ａの外周から中心に向かって等方的に剥離が進展する。   FIG. 6 is a schematic view showing a state in which the peeling of the resin 104 is progressing in the release step of the comparative example. FIG. 6A is a plan view. FIG. 6B is an X sectional view, and the state at this time corresponds to the X sectional view of (v) among the states during the imprint process in the present embodiment shown in FIG. are doing. On the other hand, FIG. 6C is a Y sectional view, and the state at this time corresponds to the Y sectional view of (v) among the states during the imprint processing in the present embodiment shown in FIG. are doing. As a deformation step performed after the curing step and before the mold release step, the mold shape variable mechanism 114 and the wafer shape variable mechanism 115 both apply a pneumatic pressure of +10 kPa to separate the mold 103 and the wafer 105 from the pattern portion. Deformation is performed around a portion facing 103a. However, in the case of the comparative example, the mold shape changing mechanism 114 isotropically deforms the shape of the mold 103 into a convex shape such that the center thereof approaches the wafer 105 side. In this state, the mold 103 and the resin 104 on the wafer 105 are separated at a speed of 100 μm / s as a mold release step. Thereby, the mold 103 is isotropically deformed as shown in FIGS. 6B and 6C, and does not follow the cylindrical shape of the wafer 105. Therefore, the contact area 201 during the release process has a circular shape (substantially circular shape) as shown in FIG. 6A, and the peeling progresses isotropically from the outer periphery of the pattern portion 103a toward the center.

これに対して、本実施形態では、変形工程として、例えば、モールド形状可変機構１１４は、−１０ｋＰａの空圧を印加することで、モールド１０３を変形させる。一方、ウエハ形状可変機構１１５は、＋１０ｋＰａの空圧を印加することで、ウエハ１０５を変形させる。ここで、ウエハ形状可変機構１１５は、ウエハ１０５を上記のとおり円筒形状に変形させる。このとき、ウエハ形状可変機構１１５は、例えば、図２中の（ｉｖ）のＸ断面図に示すように、Ｘ軸方向については、パターン部１０３ａと相対する部分を含む吸着領域を加圧し、それ以外の吸着領域に吸着（減圧）させる。一方、図２中の（ｉｖ）のＹ断面図に示すように、パターン部１０３ａと相対する部分を含むＹ軸方向については、全域が加圧された状態にある。これに対して、不図示であるが、パターン部１０３ａと相対する部分を含まないＸ軸方向両端部のＹ軸方向については、全域が吸着された状態にある。このような状態から、離型工程として、モールド１０３と、ウエハ１０５上の樹脂１０４とは、比較例の場合と同様に１００μｍ／ｓの速度にて引き離されるものとする。これにより、モールド１０３とウエハ１０５とは、図２中の（ｖ）および図３（ｄ）を用いて上記説明したように、剥離を進展させることができる。   On the other hand, in the present embodiment, as a deformation step, for example, the mold shape variable mechanism 114 deforms the mold 103 by applying an air pressure of −10 kPa. On the other hand, the wafer shape variable mechanism 115 deforms the wafer 105 by applying an air pressure of +10 kPa. Here, the wafer shape variable mechanism 115 deforms the wafer 105 into a cylindrical shape as described above. At this time, the wafer shape variable mechanism 115 presses the suction area including the portion opposed to the pattern portion 103a in the X-axis direction, as shown in the X sectional view of (iv) in FIG. Adsorption (decompression) to other adsorption areas. On the other hand, as shown in the Y sectional view of (iv) in FIG. 2, in the Y-axis direction including a portion opposed to the pattern portion 103a, the entire area is in a state where pressure is applied. On the other hand, although not shown, the entire area in the Y-axis direction at both ends in the X-axis direction that does not include a portion opposed to the pattern portion 103a is in a state of being sucked. From this state, the mold 103 and the resin 104 on the wafer 105 are separated from each other at a speed of 100 μm / s as in the comparative example. Thereby, the separation between the mold 103 and the wafer 105 can be advanced as described above with reference to (v) and FIG. 3 (d) in FIG.

図７は、比較例と本実施形態との樹脂１０４の剥離の各進展について、上記条件のもとで剥離の状況を高速度カメラにて撮影し画像解析を行うことで得られた、離型時間に対する、剥離する境界の長さと、剥離が進展する速度とを比較して示すグラフである。このうち、図７（ａ）は、剥離する境界の長さを示したものであり、図７（ｂ）は、剥離が進展する速度を示したものである。また、図７の各図において、実線は、本実施形態における値を示し、破線は、比較例における値を示している。   FIG. 7 shows mold release obtained by taking a picture of the peeling state with a high-speed camera and performing image analysis under each of the above-described conditions with respect to each progress of peeling of the resin 104 in the comparative example and the present embodiment. 5 is a graph showing a comparison of the length of a peeling boundary and the speed at which peeling progresses with respect to time. Among them, FIG. 7A shows the length of the boundary where the separation occurs, and FIG. 7B shows the speed at which the separation progresses. Further, in each drawing of FIG. 7, a solid line indicates a value in the present embodiment, and a broken line indicates a value in a comparative example.

まず、本実施形態に係るインプリント方法に関して離型工程を実施した場合、直線状の２本の境界が形成されるから、図７（ａ）に示す境界の長さは、パターン部１０３ａの短辺長さである２６ｍｍの２倍の５２ｍｍ付近をほぼ一貫して維持した。一方、図７（ｂ）に示す剥離が進展する速度は、離型工程の初期および後期ではわずかな上昇が見られるものの、ほぼ一貫して３０ｍｍ／ｓ以下の低い値を維持した。そして、このようなインプリント方法によりウエハ１０５上に形成された樹脂パターンのうち、パターン部１０３ａの中央部で形成された部分における欠陥密度は、他の部分と特に変化はない。   First, when a mold release process is performed in the imprint method according to the present embodiment, two linear boundaries are formed. Therefore, the length of the boundary shown in FIG. The vicinity of 52 mm, twice the side length of 26 mm, was almost consistently maintained. On the other hand, the speed at which the peeling shown in FIG. 7 (b) progressed, although a slight increase was observed in the initial stage and the latter stage of the demolding process, a low value of 30 mm / s or less was maintained almost consistently. In the resin pattern formed on the wafer 105 by such an imprinting method, the defect density at a portion formed at the central portion of the pattern portion 103a is not particularly different from other portions.

次に、比較例のインプリント方法に関して離型工程を実施した場合、図７（ａ）に示す境界の長さは、接触領域２０１の半径の減少に伴い急速に減少した。一方、図７（ｂ）に示す剥離が進展する速度は、離型工程の初期ではわずかな減少がみられるものの、中期から増加に転じ、後期において急激な上昇が見られ、最終的には１２０ｍｍ／ｓ程度以上の高い値を示した。そして、比較例のインプリント方法によりウエハ１０５上に形成された樹脂パターンのうち、パターン部１０３ａの中央部で形成された部分における欠陥密度は、周囲の部分の３倍以上であった。また、それ以外の部分においても、本実施形態の場合に比べて、１.２倍程度の欠陥が見られた。なお、このような比較例の結果は、離型工程のときに、ウエハ形状可変機構１１５のみを大気圧としたものと、モールド形状可変機構１１４のみを大気圧としたものとについても同様となる。   Next, when the release process was performed for the imprint method of the comparative example, the length of the boundary shown in FIG. 7A rapidly decreased with a decrease in the radius of the contact region 201. On the other hand, the speed at which the peeling progresses as shown in FIG. 7 (b), although a slight decrease is observed in the initial stage of the mold release process, starts to increase from the middle stage, sharply increases in the later stage, and finally reaches 120 mm. / S or higher. In the resin pattern formed on the wafer 105 by the imprint method of the comparative example, the defect density in the portion formed at the central portion of the pattern portion 103a was three times or more than that in the surrounding portion. In other parts, about 1.2 times as many defects as those of the present embodiment were found. Note that the results of such a comparative example are the same for the case where only the wafer shape variable mechanism 115 is set to the atmospheric pressure and the case where only the mold shape variable mechanism 114 is set to the atmospheric pressure in the mold release step. .

図８は、比較例と本実施形態における樹脂１０４の剥離の進展（接触領域２０１の変化）を同一の時系列で示す概略平面図である。図８中、（ｉ）は、比較例の場合に対応しており、（ｉｉ）は、本実施形態の場合に対応している。図７に示す離型時間との関係で参照すると、まず、比較例の場合では、離型工程の後期で接触領域２０１の急激な減少が見られる。これに対して、本実施形態の場合は、図７のグラフにも表れているとおり、離型工程の間、剥離する境界の長さをおおよそ維持しつつ、剥離が進展する速度の変化も少ない。   FIG. 8 is a schematic plan view showing, in the same time series, progress of peeling of the resin 104 (change in the contact area 201) in the comparative example and the present embodiment. In FIG. 8, (i) corresponds to the case of the comparative example, and (ii) corresponds to the case of the present embodiment. Referring to the relationship with the release time shown in FIG. 7, first, in the case of the comparative example, a sharp decrease in the contact region 201 is seen in the later stage of the release process. On the other hand, in the case of the present embodiment, as shown in the graph of FIG. 7, during the release process, the change in the speed at which the peeling progresses is small while the length of the peeling boundary is approximately maintained. .

このように、本実施形態に係るインプリント方法およびインプリント装置１００には、以下のような利点が存在する。まず、離型工程の間、剥離力を支える剥離する境界の長さの減少が抑制されることに伴い、剥離が進展する速度の増大を抑制することができる。特に上記例示によれば、平面形状が長方形の成形領域に対し、相対する２辺と平行状態を維持しつつ境界を形成するため、境界の長さは一定に保たれる。これにより、成形領域において欠陥密度が高くなる領域（剥離が進展する速度が高い領域）が減少するので、パターン欠陥の発生を極力抑えることができる。なお、成形領域が円形や多角形などのその他の形状であったり、異なる境界の角度であっても、境界の長さに変化が生じるものの、比較例のように境界の長さが極端に減少することはないため、上記説明と同様の効果を奏する。また、このことは、複雑かつ高速な速度制御を要しないので、装置制御の簡略化によるコスト減にも寄与し得る。また、図２中の（ｉｖ）に示すように、境界付近においてモールド１０３とウエハ１０５とが近い曲率半径をもって同方向に曲がった状態で剥離が進展することで、比較例に比べて曲がりの不一致によるパターン形状の干渉が発生しづらくなる。したがって、同原因による樹脂パターンにかかる成形面方向の応力が抑制される。また、本実施形態では、２つの境界をもって対称に剥離が進展することから、両方の境界にかかる成形面方向の力が相殺されるので、片側から剥離が進展する場合に比べ、樹脂パターンにかかる成形面方向の応力が抑制される。また、このことは、装置剛性の簡略化によるコスト減にも寄与し得る。さらに、本実施形態に係るインプリント方法およびインプリント装置１００は、構造的に従来のインプリント装置からの変更が容易であり、応用性が広い。   As described above, the imprint method and the imprint apparatus 100 according to the present embodiment have the following advantages. First, during the release step, the decrease in the length of the separation boundary that supports the separation force is suppressed, so that the increase in the speed at which separation progresses can be suppressed. In particular, according to the above example, since the boundary is formed while maintaining the state parallel to the two opposing sides in the rectangular molding area, the length of the boundary is kept constant. Thereby, the region where the defect density is high (the region where the speed at which peeling progresses) in the molding region is reduced, so that the occurrence of pattern defects can be suppressed as much as possible. Even if the molding area has another shape such as a circle or a polygon, or a different boundary angle, the boundary length changes, but the boundary length is extremely reduced as in the comparative example. Therefore, the same effect as described above is achieved. Further, since this does not require complicated and high-speed control, it can contribute to cost reduction by simplifying device control. Further, as shown in (iv) in FIG. 2, the peeling progresses in a state where the mold 103 and the wafer 105 bend in the same direction with a near radius of curvature near the boundary, so that the bend is inconsistent compared to the comparative example. This makes it difficult for pattern shape interference to occur. Therefore, the stress in the molding surface direction applied to the resin pattern due to the same cause is suppressed. Further, in the present embodiment, since the peeling progresses symmetrically at two boundaries, the force in the molding surface direction applied to both the boundaries is canceled out, so that the force applied to the resin pattern is smaller than the case where the peeling progresses from one side. The stress in the molding surface direction is suppressed. This can also contribute to cost reduction by simplifying the rigidity of the device. Further, the imprint method and the imprint apparatus 100 according to the present embodiment are structurally easy to change from the conventional imprint apparatus, and have wide applicability.

以上のように、本実施形態によれば、パターン欠陥の発生を抑える点で有利なインプリント方法を提供することができる。   As described above, according to the present embodiment, it is possible to provide an imprint method that is advantageous in suppressing the occurrence of pattern defects.

（第２実施形態）
次に、本発明の第２実施形態に係るインプリント方法およびインプリント装置について説明する。上記の第１実施形態では、モールド形状可変機構１１４およびウエハ形状可変機構１１５ともに、空圧（流体圧）を用いてモールド１０３またはウエハ１０５を変形させるものを例示した。これに対して、本実施形態では、モールド形状可変機構およびウエハ形状可変機構が、駆動機構により移動される物体を接触させて機械的外力を印加する方式を採用する点を特徴とする。 (2nd Embodiment)
Next, an imprint method and an imprint apparatus according to a second embodiment of the present invention will be described. In the first embodiment described above, both the mold shape variable mechanism 114 and the wafer shape variable mechanism 115 deform the mold 103 or the wafer 105 using pneumatic pressure (fluid pressure). On the other hand, the present embodiment is characterized in that the mold shape variable mechanism and the wafer shape variable mechanism adopt a method of applying a mechanical external force by bringing an object moved by a drive mechanism into contact.

図４は、本実施形態に係るインプリント装置のうち、モールド形状可変機構２１４およびウエハ形状可変機構２１５の構成を示す概略図である。このうち、図４（ａ）は、Ｘ断面図であり、図４（ｂ）は、斜視図であり、図４（ｃ）は、さらに他の例を示すＸ断面図である。なお、本実施形態では、第１実施形態ですでに説明された構成要素等と同一のものには同一の符号を付し、説明を省略する。   FIG. 4 is a schematic diagram showing a configuration of the mold shape changing mechanism 214 and the wafer shape changing mechanism 215 in the imprint apparatus according to the present embodiment. 4 (a) is an X sectional view, FIG. 4 (b) is a perspective view, and FIG. 4 (c) is an X sectional view showing still another example. Note that, in the present embodiment, the same components as those already described in the first embodiment are denoted by the same reference numerals, and description thereof will be omitted.

モールド形状可変機構２１４は、例えば、石英ガラス製の直径５ｍｍの円柱であり、その中心軸をＺ軸と平行として、モールド１０３のパターン部１０３ａの中心部の反対側（背面側）に接着により固定される。この場合、モールド形状制御手段２０９は、円柱をＺ軸方向に沿って移動（直動）させることが可能な駆動手段である。駆動機構としては、例えば、直動モーターや空圧アクチュエーター等を採用し得る。   The mold shape variable mechanism 214 is, for example, a cylinder made of quartz glass having a diameter of 5 mm, and fixed to the opposite side (back side) of the center of the pattern portion 103 a of the mold 103 by bonding with the center axis being parallel to the Z axis. Is done. In this case, the mold shape control means 209 is a driving means capable of moving (translating) the cylinder along the Z-axis direction. As the driving mechanism, for example, a linear motion motor, a pneumatic actuator, or the like can be employed.

ウエハ形状可変機構２１５は、基板チャック１０６上に保持されている状態のウエハ１０５を、その裏面から接触して突き上げることが可能な突き上げ部材である。突き上げ部材は、例えば、変形基準方向がＹ軸方向ならば、Ｘ軸方向に幅５ｍｍ、Ｙ軸方向にウエハ１０５以上の長さを有する略直方体形状の部材である。また、接触（突き上げ）によるウエハ１０５の破損を抑止するために、突き上げ部材におけるウエハ１０５の裏面と接触する部分は、その断面が円弧形状に丸められている。この場合、ウエハ形状制御手段２１0は、突き上げ部材をＺ軸方向に沿って移動させることが可能な駆動手段である。駆動機構としては、例えば、直動モーターや空圧アクチュエーター等を採用し得る。また、ウエハ形状可変機構２１５がこのような突き上げ動作を可能とするために、基板チャック１０６は、例えば、パターン部１０３ａと相対する部分を中心に、Ｘ軸方向に幅７０ｍｍ、Ｙ軸方向に全域に渡る開口部１０６ａを有する。そして、ウエハ形状可変機構２１５は、開口部１０６ａを非接触で貫通して移動し得る。   The variable wafer shape mechanism 215 is a push-up member capable of contacting and pushing up the wafer 105 held on the substrate chuck 106 from the back surface thereof. The push-up member is, for example, a substantially rectangular parallelepiped member having a width of 5 mm in the X-axis direction and a length of at least the wafer 105 in the Y-axis direction if the deformation reference direction is the Y-axis direction. Also, in order to prevent the wafer 105 from being damaged by contact (push-up), the section of the push-up member that contacts the back surface of the wafer 105 is rounded in an arc shape. In this case, the wafer shape control means 210 is a driving means capable of moving the push-up member along the Z-axis direction. As the driving mechanism, for example, a linear motion motor, a pneumatic actuator, or the like can be employed. Further, in order for the wafer shape variable mechanism 215 to be able to perform such a push-up operation, the substrate chuck 106 has a width of 70 mm in the X-axis direction and the entire area in the Y-axis direction, for example, around a portion opposed to the pattern portion 103a. The opening 106a extends over the area. Then, the wafer shape variable mechanism 215 can move through the opening 106a in a non-contact manner.

このような構成のもと、本実施形態における離型工程として、例えば、モールド形状可変機構２１４は、ウエハ１０５上の樹脂１０４から遠ざかる方向にモールド１０３を２０μｍ移動させることで、モールド１０３を変形させる。一方、ウエハ形状可変機構２１５は、モールド１０３に向かってウエハ１０５を２０μｍ移動させることで、ウエハ１０５を変形させる。これにより、本実施形態おいても、第１実施形態と同様に樹脂１０４の剥離が進展するので、第１実施形態と同様の効果を奏する。そして、特に本実施形態によれば、離型工程においてモールド１０３とウエハ１０５との変形量が機械的拘束により一意に定まるため、樹脂１０４の材質や転写パターンの状況などにより離型の挙動のばらつきが大きい場合には、特に有効である。また、各形状可変機構２１４、２１５は、ともに固体の部材であるので、例えば真空中にてインプリント処理を行う場合には、特に有効である。   With such a configuration, as a mold release process in the present embodiment, for example, the mold shape variable mechanism 214 deforms the mold 103 by moving the mold 103 by 20 μm in a direction away from the resin 104 on the wafer 105. . On the other hand, the wafer shape changing mechanism 215 deforms the wafer 105 by moving the wafer 105 toward the mold 103 by 20 μm. Thereby, also in the present embodiment, the peeling of the resin 104 progresses in the same manner as in the first embodiment, so that the same effect as in the first embodiment is exerted. In particular, according to the present embodiment, the amount of deformation between the mold 103 and the wafer 105 is uniquely determined by the mechanical constraint in the release process, so that the dispersion of the release behavior varies depending on the material of the resin 104 and the state of the transfer pattern. Is particularly effective when is large. Further, since each of the shape variable mechanisms 214 and 215 is a solid member, it is particularly effective when performing imprint processing in, for example, a vacuum.

なお、離型工程における接触による機械的外力の印加方法については、本発明は、上記の方法に限定するものではない。例えば、ウエハ形状可変機構２１５は、図４（ｃ）に示すＸ断面図にあるように、基板チャック１０６自体が略円筒形上となるように屈曲する構成としてもよい。すなわち、この場合には、基板チャック１０６がウエハ形状可変機構２１５を兼ねることになる。   Note that the present invention is not limited to the above method for applying a mechanical external force by contact in the releasing step. For example, the wafer shape variable mechanism 215 may be configured to bend so that the substrate chuck 106 itself has a substantially cylindrical shape as shown in the X sectional view shown in FIG. That is, in this case, the substrate chuck 106 also functions as the wafer shape variable mechanism 215.

（第３実施形態）
次に、本発明の第３実施形態に係るインプリント方法およびインプリント装置について説明する。上記の第１実施形態では、モールド形状可変機構１１４が空圧（流体圧）を用いてモールド１０３を変形させるものを例示した。これに対して、本実施形態では、モールド形状可変機構またはウエハ形状可変機構が、電場または磁場を発生させて遠隔力を印加する方式を採用する点を特徴とする。以下、一例として、モールド形状可変機構が電場（電界）を発生させて遠隔力を印加する方式を採用する遠隔力印加手段である場合を例示する。 (Third embodiment)
Next, an imprint method and an imprint apparatus according to a third embodiment of the present invention will be described. In the first embodiment described above, an example in which the mold shape variable mechanism 114 deforms the mold 103 using pneumatic pressure (fluid pressure) has been described. On the other hand, the present embodiment is characterized in that the mold shape variable mechanism or the wafer shape variable mechanism employs a method of generating an electric field or a magnetic field and applying a remote force. Hereinafter, as an example, a case where the mold shape variable mechanism is a remote force application unit that employs a method of generating an electric field (electric field) and applying a remote force will be described.

図５は、本実施形態に係るインプリント装置の構成のうち、モールド形状可変機構３１４およびウエハ形状可変機構１１５の構成を示す概略図（Ｘ断面図）である。なお、本実施形態では、第１実施形態ですでに説明された構成要素等と同一のものには同一の符号を付し、説明を省略する。モールド形状可変機構３１４は、例えば、直径５０ｍｍの円形の金属板であり、モールド１０３の光照射側で、パターン部１０３ａと相対するように配置される。一方、金属板と対向するモールド１０３の背面には、透明電極であるＩＴＯ層が成膜されている。この場合、モールド形状制御手段３０９は、電圧源（電圧印加手段）であり、モールド形状可変機構３１４としての金属板と、モールド１０３背面のＩＴＯ層とにそれぞれ電気配線を介して接続される。なお、ウエハ形状可変機構１１５については、第１実施形態と同様とする。   FIG. 5 is a schematic diagram (X cross-sectional view) showing the configuration of the mold shape variable mechanism 314 and the wafer shape variable mechanism 115 in the configuration of the imprint apparatus according to the present embodiment. Note that, in the present embodiment, the same components as those already described in the first embodiment are denoted by the same reference numerals, and description thereof will be omitted. The mold shape changing mechanism 314 is, for example, a circular metal plate having a diameter of 50 mm, and is arranged on the light irradiation side of the mold 103 so as to face the pattern portion 103a. On the other hand, on the back surface of the mold 103 facing the metal plate, an ITO layer as a transparent electrode is formed. In this case, the mold shape control unit 309 is a voltage source (voltage application unit), and is connected to a metal plate as the mold shape variable mechanism 314 and the ITO layer on the back surface of the mold 103 via electric wiring. The variable wafer shape mechanism 115 is the same as in the first embodiment.

このような構成のもと、本実施形態における離型工程として、例えば、ウエハ形状可変機構１１５は、第１実施形態と同様に、＋１０ｋＰａの空圧を印加することで、ウエハ１０５を変形させる。その後、モールド形状制御手段３０９は、モールド形状可変機構３１４とＩＴＯ層とに互いに逆の極性の電圧を印加することで、モールド１０３を最大変位２０μｍでウエハ１０５の形状にならわせて、第１実施形態と同様に変形させる。これにより、本実施形態おいても第１実施形態と同様に樹脂１０４の剥離が進展するので、第１実施形態と同様の効果を奏する。そして、特に本実施形態によれば、モールド１０３の変形が電気信号と物理場とによって行われるため、インプリント処理のサイクルが早い場合など高速応答が求められる場合には有効である。また、モールド形状可変機構３１４と、変形対象物であるモールド１０３とは非接触であるため、インプリント処理の方式によっては、特に真空中にてインプリント処理を行う場合には、特に有効である。   With such a configuration, as the release process in the present embodiment, for example, the wafer shape variable mechanism 115 deforms the wafer 105 by applying an air pressure of +10 kPa, as in the first embodiment. After that, the mold shape control means 309 applies voltages of opposite polarities to the mold shape variable mechanism 314 and the ITO layer, thereby causing the mold 103 to conform to the shape of the wafer 105 with a maximum displacement of 20 μm, thereby performing the first embodiment. Deformed as in the form. Thus, in the present embodiment, the peeling of the resin 104 progresses in the same manner as in the first embodiment, so that the same effect as in the first embodiment can be obtained. In particular, according to the present embodiment, since the deformation of the mold 103 is performed by the electric signal and the physical field, it is effective when a high-speed response is required such as when the cycle of the imprint process is fast. Further, since the mold shape changing mechanism 314 is not in contact with the mold 103 to be deformed, it is particularly effective depending on the type of the imprint process, particularly when performing the imprint process in a vacuum. .

なお、上記各実施形態では、離型工程のときに、ウエハ形状可変機構がウエハ１０５の形状を円筒形状に沿った凸形に変形させ、モールド形状可変機構がウエハ１０５の形状にならうようにモールド１０３を変形させた。しかしながら、本発明は、剥離境界を直線状とし、２つの相対する剥離境界が平行状態を維持しつつ互いに近づくように剥離を進展させることができるものであれば、この方法または構成に限定されない。すなわち、上記とは逆に、離型工程のときに、モールド形状可変機構がモールド１０３の形状を円筒形状に沿った凸形に変形させ、ウエハ形状可変機構がモールド１０３の形状にならうようにウエハ１０５を変形させる方法または構成もあり得る。ウエハ１０５の変形は、モールド保持機構１１７の制御により行うこともできる。   In each of the above embodiments, at the time of the mold release step, the wafer shape changing mechanism deforms the shape of the wafer 105 into a convex shape along the cylindrical shape, and the mold shape changing mechanism follows the shape of the wafer 105. The mold 103 was deformed. However, the present invention is not limited to this method or configuration as long as the peeling boundary is linear and the peeling can progress so that two opposing peeling boundaries approach each other while maintaining a parallel state. That is, conversely, during the mold release step, the mold shape changing mechanism deforms the shape of the mold 103 into a convex shape along the cylindrical shape, and the wafer shape changing mechanism follows the shape of the mold 103. There may be a method or configuration for deforming the wafer 105. The deformation of the wafer 105 can also be performed under the control of the mold holding mechanism 117.

（第４実施形態）
次に、本発明の第４実施形態に係るインプリント方法およびインプリント装置について説明する。上記第１実施形態〜第３実施形態では、モールド１０３の形状およびウエハ１０５の形状を空圧（第１実施形態）、機械的外力（第２実施形態）または遠隔力（第３実施形態）により変化させていた。これに対し、本実施形態では、モールド１０３の外周のＸ方向、Ｙ方向による剛性差により形状変化を行う点を特徴とする。なお、以下の実施形態では、上記実施形態ですでに説明された構成要素等と同一のものには同一の符号を付し、説明を省略する。 (Fourth embodiment)
Next, an imprint method and an imprint apparatus according to a fourth embodiment of the present invention will be described. In the first to third embodiments, the shape of the mold 103 and the shape of the wafer 105 are changed by pneumatic pressure (first embodiment), mechanical external force (second embodiment), or remote force (third embodiment). Was changing. On the other hand, the present embodiment is characterized in that the shape is changed by the difference in rigidity of the outer periphery of the mold 103 in the X and Y directions. In the following embodiments, the same components as those already described in the above embodiment are denoted by the same reference numerals, and description thereof will be omitted.

図１０は、本実施形態に係るインプリント方法およびインプリント装置で用いるモールドチャック１０２の構成を示す図である。モールドチャック１０２の上記実施形態と異なる点は、モールド１０３との接触面において、開口領域を取り囲む箇所に第一のモールド保持部１０２１および第二のモールド保持部１０２２が設けられている点である。第一のモールド保持部１０２１は、図中Ｙ方向に沿って細長い形状をしており、第二のモールド保持部１０２２は、図中Ｘ方向に沿って細長い形状をしている。第一のモールド保持部１０２１および第二のモールド保持部１０２２は真空チャックであり、それぞれ独立にモールド１０３に対する吸着、解放の切り替えが可能である。なお、本実施形態で用いるモールド１０３は厚さ１ｍｍの合成石英からなり、上面から見て縦横１００ｍｍの正方形であるものとする。   FIG. 10 is a diagram illustrating a configuration of the mold chuck 102 used in the imprint method and the imprint apparatus according to the present embodiment. The difference from the above-described embodiment of the mold chuck 102 is that a first mold holding portion 1021 and a second mold holding portion 1022 are provided in a portion surrounding the opening region on a contact surface with the mold 103. The first mold holding part 1021 has an elongated shape along the Y direction in the figure, and the second mold holding part 1022 has an elongated shape along the X direction in the figure. The first mold holding unit 1021 and the second mold holding unit 1022 are vacuum chucks, and can switch between suction and release with respect to the mold 103 independently. Note that the mold 103 used in the present embodiment is made of synthetic quartz having a thickness of 1 mm and is a square having a length and width of 100 mm when viewed from above.

図１１は、モールド１０３と、ウエハ１０５上の樹脂１０４との接触による樹脂１０４の時間ごとの状態変化を示す概略平面図である。図１２は、上記のインプリント処理の一連の工程において、モールド１０３と、ウエハ１０５と、該ウエハ１０５上の樹脂１０４との各状態（形状）を時系列で示す概略断面図である。座標軸や矢印の向きが意味するところは、第１実施形態と同様である。図１１（ａ）は、モールド１０３と樹脂１０４とが接触する前の状態を示す図である。このとき、図１２（ａ）に示すように、モールド１０３の裏面は、第一のモールド保持部１０２１および第二のモールド保持部１０２２によりモールドチャック１０２に吸着されている。また、パターン部１０３ａの中心部は、モールド形状可変機構１１４により、樹脂１０４側に近づくような、略球形状の凸形に変形している。   FIG. 11 is a schematic plan view showing a time-dependent state change of the resin 104 due to contact between the mold 103 and the resin 104 on the wafer 105. FIG. 12 is a schematic cross-sectional view showing each state (shape) of the mold 103, the wafer 105, and the resin 104 on the wafer 105 in a time series in a series of steps of the imprint process. The meaning of the coordinate axes and the directions of the arrows are the same as in the first embodiment. FIG. 11A is a diagram illustrating a state before the mold 103 and the resin 104 come into contact with each other. At this time, as shown in FIG. 12A, the back surface of the mold 103 is sucked to the mold chuck 102 by the first mold holding unit 1021 and the second mold holding unit 1022. The central portion of the pattern portion 103a is deformed by the mold shape changing mechanism 114 into a substantially spherical convex shape approaching the resin 104 side.

図１１（ｂ）および図１２（ｂ）は、パターン部１０３ａと樹脂１０４とが接触を開始した状態を示す図である。上記実施形態と同様に、接触領域２０１は、略円形状となり、パターン部１０３ａの中心領域から外周領域に向かって等方的に樹脂充填が進む。図１１（ｃ）および図１２（ｃ）は、パターン部１０３ａの全域に樹脂１０４の充填が完了した状態を示す図である。第１実施形態と同様に、モールド形状可変機構１１４が制御され、樹脂１０４が硬化される。また、これ以降、モールド１０３の裏面は、第一のモールド保持部１０２１のみでモールドチャック１０２に吸着される。これにより、モールド１０３の外周の剛性は、Ｘ方向よりＹ方向の方が高くなる。   FIGS. 11B and 12B are diagrams showing a state in which the pattern portion 103a and the resin 104 have started to contact. As in the above embodiment, the contact area 201 has a substantially circular shape, and the resin filling proceeds isotropically from the central area of the pattern portion 103a toward the outer peripheral area. FIGS. 11C and 12C are diagrams showing a state where the resin 104 is completely filled in the entire area of the pattern portion 103a. As in the first embodiment, the mold shape changing mechanism 114 is controlled, and the resin 104 is cured. Thereafter, the back surface of the mold 103 is attracted to the mold chuck 102 only by the first mold holding portion 1021. Thereby, the rigidity of the outer periphery of the mold 103 is higher in the Y direction than in the X direction.

図１１（ｄ）および図１２（ｄ）は、離型工程が進行している状態を示す図である。上記実施形態と異なり、ウエハ形状可変機構１１５やモールド形状可変機構１１４は用いていない。図１２（ｄ）に示すようにパターン部１０３ａは図中Ｙ方向に延びる略円筒形状に変形しながら離型工程が進行する。その際、パターン部１０３ａと樹脂１０４との間には、図１１（ｄ）に示すように図中Ｙ軸に平行な２本の直線形状の剥離界面が生じ、これらがお互い近づくように剥離が進行する。図１１（ｅ）および図１２（ｅ）は、離型工程が完了した状態を示す図である。モールド１０３を変形させていた離型力は失われ、モールド１０３の形状は元に戻っている。以上の構成によるインプリント装置によっても、上記実施形態と同様の効果を奏する。   FIG. 11D and FIG. 12D are diagrams showing a state in which the mold release process is in progress. Unlike the above embodiment, the variable wafer shape mechanism 115 and the variable mold shape mechanism 114 are not used. As shown in FIG. 12D, the mold release process proceeds while the pattern portion 103a is deformed into a substantially cylindrical shape extending in the Y direction in the figure. At this time, between the pattern portion 103a and the resin 104, two linear peeling interfaces parallel to the Y-axis in the figure are generated as shown in FIG. 11D, and the peeling is performed so that they come close to each other. proceed. FIG. 11E and FIG. 12E are views showing a state in which the mold release step has been completed. The mold releasing force that deformed the mold 103 is lost, and the shape of the mold 103 has returned to its original shape. The same effect as in the above embodiment can be obtained by the imprint apparatus having the above configuration.

本実施形態では、モールド１０３として一般的な平板形状の物を使用可能であるため、モールド１０３の製造コストを抑えたい場合、サファイア等の難加工材をモールドに使用する場合等については特に好適である。   In the present embodiment, since a general flat plate-shaped product can be used as the mold 103, it is particularly suitable when the manufacturing cost of the mold 103 is desired to be reduced, or when a difficult-to-process material such as sapphire is used for the mold. is there.

（第５実施形態）
次に、本発明の第５実施形態に係るインプリント方法およびインプリント装置について説明する。第４実施形態では、モールドチャック１０２の構成によりモールド１０３の外周のＸ方向、Ｙ方向による剛性差をつけていた。これに対し、本実施形態では、モールド１０３自体の構成（厚みの分布）により剛性差をつけている点を特徴とする。 (Fifth embodiment)
Next, an imprint method and an imprint apparatus according to a fifth embodiment of the present invention will be described. In the fourth embodiment, the configuration of the mold chuck 102 makes a difference in the rigidity of the outer periphery of the mold 103 in the X and Y directions. On the other hand, the present embodiment is characterized in that a difference in rigidity is given by the configuration (distribution of thickness) of the mold 103 itself.

図１３は、モールド１０３と、ウエハ１０５上の樹脂１０４との接触による樹脂１０４の時間ごとの状態変化を示す概略平面図である。図１４は、上記のインプリント処理の一連の工程において、モールド１０３と、ウエハ１０５と、該ウエハ１０５上の樹脂１０４との各状態（形状）を時系列で示す概略断面図である。座標軸や矢印の向きが意味するところは、第１実施形態と同様である。図１３（ａ）は、モールド１０３と樹脂１０４とが接触する前の状態を示す図である。このとき、図１４（ａ）に示すように、パターン部１０３ａの中心部は、モールド形状可変機構１１４により、樹脂１０４側に近づくような、略球形状の凸形に変形している。また、ウエハ１０５は、ウエハ形状可変機構１１５により、図中Ｘ方向に延びる、樹脂１０４側に近づくような、凸形の円筒形状に変形している。   FIG. 13 is a schematic plan view showing a time-dependent state change of the resin 104 due to contact between the mold 103 and the resin 104 on the wafer 105. FIG. 14 is a schematic cross-sectional view showing each state (shape) of the mold 103, the wafer 105, and the resin 104 on the wafer 105 in a time series in a series of steps of the above-described imprint processing. The meaning of the coordinate axes and the directions of the arrows are the same as in the first embodiment. FIG. 13A is a diagram illustrating a state before the mold 103 and the resin 104 come into contact with each other. At this time, as shown in FIG. 14A, the central portion of the pattern portion 103a is deformed by the mold shape changing mechanism 114 into a substantially spherical convex shape approaching the resin 104 side. Further, the wafer 105 is deformed by the wafer shape variable mechanism 115 into a convex cylindrical shape that extends in the X direction in the figure and approaches the resin 104 side.

また、モールド１０３の４辺のうち、図中Ｙ方向に平行な対向する２辺は、厚さを増加させることによって剛性を高めた高剛性部５０１となっている。高剛性部５０１の寸法は各々厚さ１０ｍｍ、幅２０ｍｍである。この構造により、モールド１０３の外周の剛性は、Ｘ方向よりＹ方向の方が高くなる。モールドチャック１０２はメカチャックであり、高剛性部５０１を機械的に拘束する。さらに、ゴム製のベローズ（不図示）をもって、モールド１０３の薄肉部端面から図中Ｙ方向に気体が出入りする事を防ぐ構造となっている。基板チャック１０６は真空チャックである。基板チャック１０６は、図１５に示すように、図９のＸ軸とＹ軸とを逆にした構成を有する。   Of the four sides of the mold 103, two opposing sides parallel to the Y direction in the figure are high rigid portions 501 whose rigidity is increased by increasing the thickness. The dimensions of the high-rigidity portion 501 are 10 mm in thickness and 20 mm in width. With this structure, the rigidity of the outer periphery of the mold 103 is higher in the Y direction than in the X direction. The mold chuck 102 is a mechanical chuck and mechanically restrains the high-rigidity portion 501. Further, the bellows (not shown) made of rubber has a structure for preventing gas from entering and exiting in the Y direction in the figure from the end face of the thin portion of the mold 103. The substrate chuck 106 is a vacuum chuck. As shown in FIG. 15, the substrate chuck 106 has a configuration in which the X axis and the Y axis in FIG. 9 are reversed.

図１３（ｂ）および図１４（ｂ）は、パターン部１０３ａと樹脂１０４とが接触を開始した状態を示す図である。上記実施形態と同様に、接触領域２０１は、略円形状となり、パターン部１０３ａの中心領域から外周領域に向かって等方的に樹脂充填が進む。図１３（ｃ）および図１４（ｃ）は、パターン部１０３ａの全域に樹脂１０４の充填が完了した状態を示す図である。充填完了後、上記実施形態と同様に、ＵＶ光照射により樹脂１０４が硬化される。また、これ以降、モールド形状可変機構１１４は、モールド１０３に対し印加する力を止め、ウエハ１０５は、裏面全体がウエハチャック１０６により吸着される。   FIGS. 13B and 14B are diagrams showing a state in which the pattern portion 103a and the resin 104 have started to contact. As in the above embodiment, the contact area 201 has a substantially circular shape, and the resin filling proceeds isotropically from the central area of the pattern portion 103a toward the outer peripheral area. FIGS. 13C and 14C are views showing a state where the resin 104 is completely filled in the entire area of the pattern portion 103a. After the filling is completed, the resin 104 is cured by UV light irradiation as in the above embodiment. Thereafter, the mold shape changing mechanism 114 stops the force applied to the mold 103, and the entire back surface of the wafer 105 is sucked by the wafer chuck 106.

図１３（ｄ）および図１４（ｄ）は、離型工程が進行している状態を示す図である。図１４（ｄ）に示すようにパターン部１０３ａは図中Ｙ方向に延びる略円筒形状に変形しながら離型工程が進行する。その際、パターン部１０３ａと樹脂１０４との間には、図１３（ｄ）に示すように図中Ｙ軸に平行な２本の直線形状の剥離界面が生じ、これらがお互い近づくように剥離が進行する。図１１（ｅ）および図１２（ｅ）は、離型工程が完了した状態を示す図である。モールド１０３を変形させていた離型力は失われ、モールド１０３の形状は元に戻っている。以上の構成によるインプリント装置によっても、上記実施形態と同様の効果を奏する。   FIGS. 13D and 14D are views showing a state in which the mold release step is in progress. As shown in FIG. 14D, the mold release process proceeds while the pattern portion 103a is deformed into a substantially cylindrical shape extending in the Y direction in the figure. At this time, between the pattern portion 103a and the resin 104, as shown in FIG. 13D, two linear peeling interfaces parallel to the Y axis in the figure are generated, and the peeling is performed so that they come closer to each other. proceed. FIG. 11E and FIG. 12E are views showing a state in which the mold release step has been completed. The mold releasing force that deformed the mold 103 is lost, and the shape of the mold 103 has returned to its original shape. The same effect as in the above embodiment can be obtained by the imprint apparatus having the above configuration.

本実施形態では、モールド１０３の高剛性部５０１をいわゆる「つかみしろ」として利用可能なため、離型力が特に大きく真空チャックや静電チャックが外れてしまう場合、真空中にて成形を行う場合等、強固な機械的拘束を行いたい場合については特に好適である。   In the present embodiment, since the high rigidity portion 501 of the mold 103 can be used as a so-called “grasping margin”, the release force is particularly large, and the vacuum chuck or the electrostatic chuck is detached. It is particularly suitable for a case where strong mechanical restraint is desired.

（第６実施形態）
次に、本発明の第６実施形態に係るインプリント方法およびインプリント装置について説明する。第５実施形態では、モールド１０３の４辺のうち、Ｙ方向に平行な対向する２辺の厚さを増加させることによってモールド１０３の外周のＹ方向の剛性をＸ方向の剛性よりも高くしていた。これに対して、本実施形態では、Ｘ方向とＹ方向との剛性差は小さくなるものの、モールド外周部においてＸ方向に一定の剛性を確保している点を特徴とする。 (Sixth embodiment)
Next, an imprint method and an imprint apparatus according to a sixth embodiment of the present invention will be described. In the fifth embodiment, the rigidity of the outer periphery of the mold 103 in the Y direction is made higher than the rigidity in the X direction by increasing the thickness of two opposing sides parallel to the Y direction among the four sides of the mold 103. Was. On the other hand, the present embodiment is characterized in that the rigidity difference between the X direction and the Y direction is reduced, but a constant rigidity is secured in the X direction at the outer periphery of the mold.

図１６は、モールド１０３と、ウエハ１０５上の樹脂１０４との接触による樹脂１０４の時間ごとの状態変化を示す概略平面図である。図１７は、上記のインプリント処理の一連の工程において、モールド１０３と、ウエハ１０５と、該ウエハ１０５上の樹脂１０４との各状態（形状）を時系列で示す概略断面図である。座標軸や矢印の向きが意味するところは、第１実施形態と同様である。図１６（ａ）は、モールド１０３と樹脂１０４とが接触する前の状態を示す図である。このとき、図１７（ａ）に示すように、金型１０３は、モールド形状可変機構１１４により、図中Ｙ方向に長軸を有し、樹脂１０４側に凸の略楕円球形状に変形した。上記実施形態と異なり、円筒状にならないのは、モールド１０３の剛性の差によるものである。   FIG. 16 is a schematic plan view showing a time-dependent state change of the resin 104 due to contact between the mold 103 and the resin 104 on the wafer 105. FIG. 17 is a schematic sectional view showing each state (shape) of the mold 103, the wafer 105, and the resin 104 on the wafer 105 in a time series in a series of steps of the imprint process. The meaning of the coordinate axes and the directions of the arrows are the same as in the first embodiment. FIG. 16A is a diagram illustrating a state before the mold 103 and the resin 104 come into contact with each other. At this time, as shown in FIG. 17A, the mold 103 was deformed by the mold shape changing mechanism 114 into a substantially elliptical spherical shape having a long axis in the Y direction in the figure and projecting toward the resin 104 side. Unlike the above embodiment, the reason why the shape is not cylindrical is due to a difference in rigidity of the mold 103.

本実施形態のモールド１０３の４辺のうち図中Ｙ方向に平行な対向する２辺に設けられた高剛性部５０１の寸法は各々厚さ１０ｍｍ、幅３０ｍｍであり、図中Ｘ方向に平行な対向する２辺に設けられた高剛性部５０１の寸法は各々厚さ１０ｍｍ、幅１０ｍｍである。高剛性部５０１のＸ方向の幅とＹ方向の差により、モールド１０３の外周の剛性は、Ｘ方向よりＹ方向の方が高くなる。ただし、第５実施形態の場合ほど剛性差はない。モールドチャック１０２は真空チャックであり、高剛性部５０１を吸着して保持する。基板チャック１０６は図９で示した構成を有する真空チャックである。   Among the four sides of the mold 103 of the present embodiment, the dimensions of the high-rigidity portions 501 provided on two opposing sides parallel to the Y direction in the figure are 10 mm in thickness and 30 mm in width, respectively, and are parallel to the X direction in the figure. The dimensions of the high-rigidity portions 501 provided on the two opposing sides are 10 mm in thickness and 10 mm in width, respectively. Due to the difference between the width of the high-rigidity portion 501 in the X direction and the Y direction, the rigidity of the outer periphery of the mold 103 is higher in the Y direction than in the X direction. However, there is no difference in rigidity as in the fifth embodiment. The mold chuck 102 is a vacuum chuck, and sucks and holds the high-rigidity portion 501. The substrate chuck 106 is a vacuum chuck having the configuration shown in FIG.

図１６（ｂ）および図１７（ｂ）は、パターン部１０３ａと樹脂１０４とが接触を開始した状態を示す図である。接触領域２０１は、図中Ｙ方向に長軸を有する略楕円形状となり、パターン部１０３ａの中心領域から外周領域に向かって準等方的に樹脂充填が進む。図１６（ｃ）および図１７（ｃ）は、パターン部１０３ａの全域に樹脂１０４の充填が完了した状態を示す図である。充填完了後、上記実施形態と同様に、ＵＶ光照射により樹脂１０４が硬化される。また、これ以降、モールド形状可変機構１１４は、モールド１０３に対し印加する力を止める。ここまでの工程において、ウエハ１０５は、裏面全体がウエハチャック１０６により吸着されている。   FIGS. 16B and 17B are diagrams showing a state in which the pattern portion 103a and the resin 104 have started to contact. The contact region 201 has a substantially elliptical shape having a major axis in the Y direction in the drawing, and the resin filling proceeds quasi-isotropic from the central region of the pattern portion 103a toward the outer peripheral region. FIGS. 16C and 17C are views showing a state where the resin 104 is completely filled in the entire area of the pattern portion 103a. After the filling is completed, the resin 104 is cured by UV light irradiation as in the above embodiment. After that, the mold shape changing mechanism 114 stops the force applied to the mold 103. In the steps so far, the entire back surface of the wafer 105 has been sucked by the wafer chuck 106.

図１６（ｄ）および図１７（ｄ）は、離型工程が進行している状態を示す図である。図１７（ｄ）に示すように金型１０３は樹脂１０４からみて凸の略楕円球形状に変形し、ウエハ１０５は、図中Ｙ方向に延びる略円筒形状に変形しながら離型工程が進行する。この時、ウエハ形状可変機構１１５は、ウエハ１０５に対してＺ軸方向に力を印加している。金型１０３の剛性の差による金型の変形量差がウエハ１０５の変形量により補われ、パターン部１０３ａと樹脂１０４との間には、図１６（ｄ）に示すように図中Ｙ軸に平行な２本の直線形状の剥離界面が生じ、これらがお互い近づくように剥離が進行する。図１６（ｅ）および図１７（ｅ）は、離型工程が完了した状態を示す図である。モールド１０３を変形させていた離型力は失われ、モールド１０３の形状は元に戻っている。以上の構成によるインプリント装置によっても、上記実施形態と同様の効果を奏する。   FIG. 16D and FIG. 17D are views showing a state where the mold release step is in progress. As shown in FIG. 17D, the mold 103 is deformed into a substantially elliptical spherical shape as viewed from the resin 104, and the release process proceeds while the wafer 105 is deformed into a substantially cylindrical shape extending in the Y direction in the figure. . At this time, the wafer shape variable mechanism 115 applies a force to the wafer 105 in the Z-axis direction. The difference in the amount of deformation of the mold due to the difference in the rigidity of the mold 103 is compensated for by the amount of deformation of the wafer 105, and between the pattern portion 103a and the resin 104, the Y-axis in FIG. Two parallel strip-shaped peeling interfaces are generated, and the peeling proceeds so that they come closer to each other. FIG. 16E and FIG. 17E are views showing a state in which the release step has been completed. The mold releasing force that deformed the mold 103 is lost, and the shape of the mold 103 has returned to its original shape. The same effect as in the above embodiment can be obtained by the imprint apparatus having the above configuration.

本実施形態では、モールド１０３の全周が高剛性部５０１によって構成されているため、モールド１０３全体としての剛性が非常に高い。このため、特にパターン全面に高い位置精度を求める場合、モールドチャック１０２の保持力が強くモールド１０３の歪が問題になる場合等については特に好適である。   In the present embodiment, since the entire periphery of the mold 103 is constituted by the high rigidity portion 501, the rigidity of the entire mold 103 is extremely high. For this reason, it is particularly preferable when high positional accuracy is required over the entire pattern, especially when the holding force of the mold chuck 102 is strong and distortion of the mold 103 poses a problem.

なお、剛性差をつける部材としてモールド１０３ではなく、ウエハ１０５を選択してもよいし、モールド１０３およびウエハ１０５の両方に剛性差をつけてもよい。また、剥離界面が十分に直線にならない場合は、モールド１０３およびウエハ１０５を補助的に変形させることも可能である。剛性差をつける方法として、モールド１０３の厚みを調整する方法とモールドチャック１０２による吸着力を調整する方法とを併用してもよい。   It should be noted that the wafer 105 may be selected instead of the mold 103 as a member for providing a difference in rigidity, or both the mold 103 and the wafer 105 may have a difference in rigidity. If the peeling interface is not sufficiently straight, the mold 103 and the wafer 105 can be deformed in an auxiliary manner. As a method of providing a difference in rigidity, a method of adjusting the thickness of the mold 103 and a method of adjusting the suction force by the mold chuck 102 may be used together.

（物品の製造方法）
物品としてのデバイス（半導体集積回路素子、液晶表示素子等）の製造方法は、上述したインプリント装置を用いて基板（ウエハ、ガラスプレート、フィルム状基板）にパターンを形成する工程を含む。さらに、該製造方法は、パターンを形成された基板をエッチングする工程を含みうる。なお、パターンドメディア（記録媒体）や光学素子などの他の物品を製造する場合には、該製造方法は、エッチングの代わりにパターンを形成された基板を加工する他の処理を含みうる。本実施形態の物品の製造方法は、従来の方法に比べて、物品の性能・品質・生産性・生産コストの少なくとも１つにおいて有利である。 (Production method)
A method for manufacturing a device (semiconductor integrated circuit element, liquid crystal display element, etc.) as an article includes a step of forming a pattern on a substrate (wafer, glass plate, film-like substrate) using the above-described imprint apparatus. Further, the manufacturing method may include a step of etching the substrate on which the pattern is formed. When manufacturing another article such as a patterned medium (recording medium) or an optical element, the manufacturing method may include another process of processing a substrate on which a pattern is formed instead of etching. The method of manufacturing an article according to the present embodiment is advantageous in at least one of the performance, quality, productivity, and production cost of the article, as compared with the conventional method.

以上、本発明の好ましい実施形態について説明したが、本発明は、これらの実施形態に限定されず、その要旨の範囲内で種々の変形および変更が可能である。   As described above, the preferred embodiments of the present invention have been described, but the present invention is not limited to these embodiments, and various modifications and changes can be made within the scope of the gist.

１００ インプリント装置
１０６ 基板ステージ
１１４ モールド形状可変手段
１１５ ウエハ形状可変手段
１１７ モールド保持機構
１１９ 制御部
REFERENCE SIGNS LIST 100 imprint apparatus 106 substrate stage 114 mold shape changing means 115 wafer shape changing means 117 mold holding mechanism 119 control unit

Claims (21)

基板上のインプリント材に型を用いてパターンを形成するインプリント方法であって、前記インプリント材が硬化した後、前記型と前記インプリント材とが剥離する境界を直線状とし、前記型に形成されたパターン領域において、２つの相対する前記境界が直線状を維持しつつ互いに近づくように、前記型と前記インプリント材とを引き離す工程を含むことを特徴とするインプリント方法。   An imprint method for forming a pattern using a mold on an imprint material on a substrate, wherein after the imprint material is cured, the boundary between the mold and the imprint material is linearized, and the mold is formed. An imprinting method, comprising: separating the mold and the imprint material so that the two opposing boundaries approach each other while maintaining a linear shape in the pattern region formed in (1). 前記工程において、前記型が前記境界において、該型の平面に対して平行に延びる軸を有する円筒形状に沿って、かつ、前記軸の方向から見て前記基板に向かって凸形に変形するように、前記型を変形させることを特徴とする請求項１に記載のインプリント方法。   In the step, the mold deforms at the boundary along the cylindrical shape having an axis extending parallel to the plane of the mold, and convexly toward the substrate when viewed from the direction of the axis. 2. The imprint method according to claim 1, wherein the mold is deformed. 前記工程において、前記基板が、前記型の凸形に変形した部分に対応して、前記型から前記基板を見て凹形に変形するように、前記基板を変形させることを特徴とする請求項２に記載のインプリント方法。   In the step, the substrate is deformed such that the substrate is deformed into a concave shape when the substrate is viewed from the die, corresponding to a portion of the die that is deformed into a convex shape. 2. The imprint method according to 2. 前記工程において、前記基板が、前記境界において、該基板の平面に対して平行に延びる軸を有する円筒形状に沿って、かつ、前記軸の方向から見て前記型に向かって凸形に変形するように、前記基板を変形させることを特徴とする請求項１に記載のインプリント方法。   In the step, the substrate is deformed at the boundary along the cylindrical shape having an axis extending parallel to the plane of the substrate and toward the mold as viewed from the direction of the axis. The method according to claim 1, wherein the substrate is deformed as described above. 前記工程において、前記型が、前記型の凸形に変形した部分に対応して、前記基板から前記型を見て凹形に変形するように、前記型を変形させることを特徴とする請求項４に記載のインプリント方法。   The method according to claim 1, wherein, in the step, the mold is deformed such that the mold is deformed into a concave shape when the mold is viewed from the substrate, corresponding to a portion of the mold deformed into a convex shape. 4. The imprint method according to 4. 前記型を変形させる方法として、前記型の剛性を調整することを含むことを特徴とする請求項２または請求項５に記載のインプリント方法。   6. The imprint method according to claim 2, wherein the method of deforming the mold includes adjusting the rigidity of the mold. 前記型を変形させる方法として、流体圧を用いることを含むことを特徴とする請求項２、請求項５または請求項６のうちいずれか１項に記載のインプリント方法。   7. The imprint method according to claim 2, wherein the method of deforming the mold includes using a fluid pressure. 前記型を変形させる方法として、接触による外力を用いることを含むことを特徴とする請求項２、請求項５または請求項６のうちいずれか１項に記載のインプリント方法。   7. The method according to claim 2, wherein the method of deforming the mold includes using an external force due to contact. 前記型を変形させる方法として、電場または磁場による遠隔力を用いることを含むことを特徴とする請求項２、請求項５または請求項６のうちいずれか１項に記載のインプリント方法。   7. The imprint method according to claim 2, wherein the method of deforming the mold includes using a remote force by an electric or magnetic field. 前記型の剛性の調整は、前記型を保持する型保持手段の吸着力の調整により行われることを特徴とする請求項６に記載のインプリント方法。   7. The imprint method according to claim 6, wherein the adjustment of the rigidity of the mold is performed by adjusting an attraction force of a mold holding unit that holds the mold. 前記型の剛性の調整は、前記型の厚みの調整により行われることを特徴とする請求項６または請求項１０に記載のインプリント方法。   The method according to claim 6, wherein the adjustment of the rigidity of the mold is performed by adjusting the thickness of the mold. 基板上のインプリント材に型を用いてパターンを形成するインプリント装置であって、
前記型を保持する型保持手段と、
前記基板を保持する基板保持手段と、
前記型保持手段に保持されている状態の前記型を変形させる型形状可変手段と、
前記基板保持手段に保持されている状態の前記基板を変形させる基板形状可変手段と、前記型と前記インプリント材とを引き離すときに、前記型と前記インプリント材とが剥離する境界を直線状とし、前記型に形成されたパターン領域において、２つの相対する前記境界が直線状を維持しつつ互いに近づくように、予め前記型保持手段、前記型形状可変手段または前記基板形状可変手段のうち少なくとも１つを制御する制御手段と、
を有することを特徴とするインプリント装置。 An imprint apparatus for forming a pattern using a mold on an imprint material on a substrate,
Mold holding means for holding the mold,
Substrate holding means for holding the substrate,
Mold shape changing means for deforming the mold held in the mold holding means,
A substrate shape changing unit that deforms the substrate held in the substrate holding unit, and a boundary where the mold and the imprint material are separated when the mold and the imprint material are separated from each other. In the pattern region formed in the mold, at least one of the mold holding unit, the mold shape changing unit or the substrate shape changing unit in advance so that the two opposed boundaries approach each other while maintaining a straight line shape. Control means for controlling one;
An imprint apparatus comprising: 前記制御手段は、前記型と前記インプリント材とを引き離すときに、前記型が、前記境界において、該型の平面に対して平行に延びる軸を有する円筒形状に沿って、かつ前記軸の方向から見て前記基板に向かって凸形に変形するように、前記型保持手段または前記型形状可変手段のうち少なくとも１つを制御することを特徴とする請求項１２に記載のインプリント装置。   The control means is configured such that, when the mold and the imprint material are separated from each other, the mold is formed along a cylindrical shape having an axis extending parallel to a plane of the mold at the boundary, and a direction of the axis. 13. The imprint apparatus according to claim 12, wherein at least one of the mold holding unit and the mold shape changing unit is controlled so as to deform into a convex shape toward the substrate when viewed from above. 前記制御手段は、前記基板が、前記型の凸形に変形した部分に対応して、前記型から前記基板を見て凹形に変形するように、前記基板形状可変手段を制御することを特徴とする請求項１３に記載のインプリント装置。   The control unit controls the substrate shape changing unit such that the substrate deforms into a concave shape when the substrate is viewed from the mold, corresponding to a portion of the substrate deformed into a convex shape. The imprint apparatus according to claim 13, wherein: 前記制御手段は、前記型と前記インプリント材とを引き離すときに、前記基板が、前記境界において、該基板の平面に対して平行に延びる軸を有する円筒形状に沿って、かつ前記軸の方向から見て前記型に向かって凸形に変形するように、前記型保持手段または前記基板形状可変手段のうち少なくとも１つを制御することを特徴とする請求項１２に記載のインプリント装置。   The control means is configured such that when the mold and the imprint material are separated from each other, the substrate is, at the boundary, along a cylindrical shape having an axis extending parallel to a plane of the substrate, and in a direction of the axis. 13. The imprint apparatus according to claim 12, wherein at least one of the mold holding unit and the substrate shape changing unit is controlled so as to deform into a convex shape toward the mold when viewed from above. 前記制御手段は、前記型が、前記基板の凸形に変形した部分に対応して、前記基板から前記型を見て凹形に変形するように、前記型保持手段または前記型形状可変手段のうち少なくとも１つを制御することを特徴とする請求項１５に記載のインプリント装置。   The control means, the mold holding means or the mold shape variable means, so that the mold corresponds to a portion of the substrate that has been deformed into a convex shape, and deforms into a concave shape when viewing the mold from the substrate. 16. The imprint apparatus according to claim 15, wherein at least one of them is controlled. 前記制御手段は、前記型保持手段が前記型を保持する吸着力を調整して前記型を変形させることを特徴とする請求項１２ないし１６のうちいずれか１項に記載のインプリント装置。   The imprint apparatus according to any one of claims 12 to 16, wherein the control unit adjusts a suction force of the mold holding unit to hold the mold to deform the mold. 前記型形状可変手段または前記基板形状可変手段は、流体圧を用いて前記型または前記基板を変形させる流体圧印加手段であることを特徴とする請求項１２ないし１７のうちいずれか１項に記載のインプリント装置。   18. The method according to claim 12, wherein the mold shape changing unit or the substrate shape changing unit is a fluid pressure applying unit that deforms the mold or the substrate using a fluid pressure. Imprinting equipment. 前記型形状可変手段または前記基板形状可変手段は、接触による外力を用いて前記型または前記基板を変形させる駆動手段であることを特徴とする請求項１２ないし１７のうちいずれか１項に記載のインプリント装置。   18. The method according to claim 12, wherein the mold shape changing unit or the substrate shape changing unit is a driving unit that deforms the mold or the substrate using an external force due to contact. Imprint equipment. 前記型形状可変手段または前記基板形状可変手段は、電場または磁場による遠隔力を用いて前記型または前記基板を変形させる遠隔力印加手段であることを特徴とする請求項１２ないし１７のうちいずれか１項に記載のインプリント装置。   18. The method according to claim 12, wherein the mold shape changing means or the substrate shape changing means is a remote force applying means for deforming the mold or the substrate using a remote force by an electric or magnetic field. 2. The imprint apparatus according to claim 1. 請求項１ないし１１のうちいずれか１項に記載のインプリント方法、または、請求項１２ないし２０のうちいずれか１項に記載のインプリント装置を用いてパターン形成を基板上に行う工程と、
前記工程で前記パターン形成を行われた前記基板を加工する工程と、
を含むことを特徴とする物品の製造方法。 Imprinting method according to any one of claims 1 to 11, or a step of forming a pattern on a substrate using an imprint equipment as claimed in any one of claims 12 to 20 ,
Processing the substrate on which the pattern has been formed in the step,
A method for producing an article, comprising:
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