JP6656265B2 - 表示装置およびその駆動方法 - Google Patents

Description

以下の開示は表示装置およびその駆動方法に関し、より詳しくは、有機ＥＬ（Electro Luminescence）素子などの電気光学素子を含む画素回路を備える表示装置およびその駆動方法に関する。

従来より、表示装置が備える表示素子としては、印加される電圧によって輝度や透過率が制御される電気光学素子と流れる電流によって輝度や透過率が制御される電気光学素子とがある。印加される電圧によって輝度や透過率が制御される電気光学素子の代表例としては液晶表示素子が挙げられる。一方、流れる電流によって輝度や透過率が制御される電気光学素子の代表例としては有機ＥＬ素子が挙げられる。有機ＥＬ素子は、ＯＬＥＤ（Organic Light-Emitting Diode）とも呼ばれている。自発光型の電気光学素子である有機ＥＬ素子を使用した有機ＥＬ表示装置は、バックライトおよびカラーフィルタなどを要する液晶表示装置に比べて、容易に薄型化・低消費電力化・高輝度化などを図ることができる。従って、近年、積極的に有機ＥＬ表示装置の開発が進められている。

有機ＥＬ表示装置の駆動方式として、パッシブマトリクス方式（単純マトリクス方式とも呼ばれる。）とアクティブマトリクス方式とが知られている。パッシブマトリクス方式を採用した有機ＥＬ表示装置は、構造は単純であるものの、大型化および高精細化が困難である。これに対して、アクティブマトリクス方式を採用した有機ＥＬ表示装置（以下「アクティブマトリクス型の有機ＥＬ表示装置」という。）は、パッシブマトリクス方式を採用した有機ＥＬ表示装置に比べて大型化および高精細化を容易に実現できる。

アクティブマトリクス型の有機ＥＬ表示装置には、複数の画素回路がマトリクス状に形成されている。アクティブマトリクス型の有機ＥＬ表示装置の画素回路は、典型的には、画素を選択する入力トランジスタと、有機ＥＬ素子への電流の供給を制御する駆動トランジスタとを含んでいる。なお、以下においては、駆動トランジスタから有機ＥＬ素子に流れる電流のことを「駆動電流」という場合がある。

図２３は、従来の一般的な画素回路９１の構成を示す回路図である。この画素回路９１は、表示部に配設されている複数のデータ線Ｓと複数の走査線Ｇとの各交差点に対応して設けられている。図２３に示すように、この画素回路９１は、２個のトランジスタＴ１，Ｔ２と、１個のコンデンサＣｓｔと、１個の有機ＥＬ素子ＯＬＥＤとを備えている。トランジスタＴ１は入力トランジスタであり、トランジスタＴ２は駆動トランジスタである。

トランジスタＴ１は、データ線ＳとトランジスタＴ２のゲート端子との間に設けられている。そのトランジスタＴ１に関し、走査線Ｇにゲート端子が接続され、データ線Ｓにソース端子が接続されている。トランジスタＴ２は、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤと直列に設けられている。そのトランジスタＴ２に関し、ハイレベル電源電圧ＥＬＶＤＤを供給する電源線にドレイン端子が接続され、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤのアノード端子にソース端子が接続されている。なお、ハイレベル電源電圧ＥＬＶＤＤを供給する電源線のことを以下「ハイレベル電源線」という。ハイレベル電源線にはハイレベル電源電圧と同じ符合ＥＬＶＤＤを付す。コンデンサＣｓｔについては、トランジスタＴ２のゲート端子に一端が接続され、トランジスタＴ２のソース端子に他端が接続されている。有機ＥＬ素子ＯＬＥＤのカソード端子は、ローレベル電源電圧ＥＬＶＳＳを供給する電源線に接続されている。なお、ローレベル電源電圧ＥＬＶＳＳを供給する電源線のことを以下「ローレベル電源線」という。ローレベル電源線にはローレベル電源電圧と同じ符合ＥＬＶＳＳを付す。また、ここでは、トランジスタＴ２のゲート端子と、コンデンサＣｓｔの一端と、トランジスタＴ１のドレイン端子との接続点のことを便宜上「ゲートノード」という。ゲートノードには符号ＶＧを付す。なお、一般的には、ドレインとソースのうち電位の高い方がドレインと呼ばれているが、本明細書の説明では、一方をドレイン，他方をソースと定義するので、ドレイン電位よりもソース電位の方が高くなることもある。

図２４は、図２３に示す画素回路９１の動作を説明するためのタイミングチャートである。時刻ｔ０１以前には、走査線Ｇは非選択状態となっている。従って、時刻ｔ０１以前には、トランジスタＴ１がオフ状態になっており、ゲートノードＶＧの電位は初期レベル（例えば、１つ前のフレームでの書き込みに応じたレベル）を維持している。時刻ｔ０１になると、走査線Ｇが選択状態となり、トランジスタＴ１がターンオンする。これにより、データ線ＳおよびトランジスタＴ１を介して、この画素回路９１が形成する画素（サブ画素）の輝度に対応するデータ電圧ＶｄａｔａがゲートノードＶＧに供給される。その後、時刻ｔ０２までの期間に、ゲートノードＶＧの電位がデータ電圧Ｖｄａｔａに応じて変化する。このとき、コンデンサＣｓｔは、ゲートノードＶＧの電位とトランジスタＴ２のソース電位との差であるゲート−ソース間電圧Ｖｇｓに充電される。時刻ｔ０２になると、走査線Ｇが非選択状態となる。これにより、トランジスタＴ１がターンオフし、コンデンサＣｓｔが保持するゲート−ソース間電圧Ｖｇｓが確定する。トランジスタＴ２は、コンデンサＣｓｔが保持するゲート−ソース間電圧Ｖｇｓに応じて有機ＥＬ素子ＯＬＥＤに駆動電流を供給する。その結果、駆動電流に応じた輝度で有機ＥＬ素子ＯＬＥＤが発光する。

ところで、有機ＥＬ表示装置においては、駆動トランジスタとして、典型的には薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）が採用される。しかしながら、薄膜トランジスタについては、閾値電圧にばらつきが生じやすい。表示部内に設けられている多数の駆動トランジスタに閾値電圧のばらつきが生じると、輝度のばらつきが生じるので表示品位が低下する。また、駆動トランジスタや有機ＥＬ素子は時間の経過とともに電圧−電流特性が劣化し、初期と同じ電圧を印加しても流れる電流が減少する。このため、時間の経過とともに輝度が徐々に低下する。さらに、有機ＥＬ素子の発光効率も経時劣化を起こすため、たとえ一定電流が有機ＥＬ素子に供給されたとしても、輝度の低下が起こる。これらの結果、焼き付きが生じる。そこで、駆動トランジスタの閾値電圧のばらつきや劣化を補償する処理、発光効率の経時劣化を含む有機ＥＬ素子の劣化を補償する処理が従来より行われている。

なお、本件発明に関連して、以下の先行技術文献が知られている。国際公開２０１４／２０８４５８号パンフレットには、駆動トランジスタおよび有機ＥＬ素子の双方の特性を検出し、駆動トランジスタの劣化および有機ＥＬ素子の劣化の双方が補償されるような大きさの駆動電流が有機ＥＬ素子に供給されるようにした有機ＥＬ表示装置の発明が開示されている。日本の特開２０１２−８３７７７号公報には、温度変化や経時劣化に応じたモニター素子（モニタ用の発光素子）の電極電位変化を発光素子にフィードバックして発光素子の輝度を一定に保つことができるようにした発光装置の発明が開示されている。日本の特開２００９−８０２５２号公報には、検出温度に応じて信号振幅基準電圧（映像信号振幅のうちの黒レベルを決定する電圧）と画素回路に与える信号値の振幅を決めるための信号値基準電圧とを変動させることによって高画質を維持しながら温度による輝度変動を補正できるようにした有機ＥＬ表示装置の発明が開示されている。

国際公開２０１４／２０８４５８号パンフレット 日本の特開２０１２−８３７７７号公報 日本の特開２００９−８０２５２号公報

ところで、有機ＥＬ素子は、その輝度（発光輝度）が温度に依存するという特性を有している。図２５は、有機ＥＬ素子の電圧−電流特性を示す図である。符号９２で示す曲線は、比較的低温時における電圧−電流特性を表し、符号９３で示す曲線は、比較的高温時における電圧−電流特性を表している。図２５から把握されるように、一定の電圧が有機ＥＬ素子に印加された場合、温度が高いほど当該有機ＥＬ素子に流れる電流が大きくなる。従って、温度が高いほど、有機ＥＬ素子の輝度は高くなる。このように、有機ＥＬ素子は、「温度が高いほど輝度が高くなる」という短期特性を有している。

有機ＥＬ素子は、上述のように短期的には温度が高いほど輝度が高くなるが、長期的には温度が高いほどストレスによる劣化が大きくなるため輝度は低下する。これについて、図２６を参照しつつ説明する。図２６は、有機ＥＬ素子の長期特性について説明するための図である。図２６において、横軸は時間を表し、縦軸は有機ＥＬ素子の輝度を表している。符号９４で示す直線は、比較的低温の状態下における時間と輝度との関係を表し、符号９５で示す直線は、比較的高温の状態下における時間と輝度との関係を表している。図２６より、温度に関わらず時間の経過に従って有機ＥＬ素子の輝度が低下することが把握される。また、図２６より、温度が高いほど輝度の低下の度合いが大きいことが把握される。このように、有機ＥＬ素子は、「温度が高いほど、温度による劣化に起因する輝度低下の度合いが大きくなる」という長期特性を有している。

有機ＥＬ素子は以上のような短期特性および長期特性を有しているので、仮に高温の際に短期特性のみを考慮して輝度が小さくなるように（有機ＥＬ素子に流れる電流が小さくなるように）補正が行われると、時間の経過に従って輝度が低くなりすぎる（ずなわち、暗くなりすぎる）ことになる。

国際公開２０１４／２０８４５８号パンフレットに開示された有機ＥＬ表示装置では、駆動トランジスタの劣化および有機ＥＬ素子の劣化の双方を補償する処理が行われているが、回路素子（駆動トランジスタ、有機ＥＬ素子）の特性を検出するためのモニタ（電流や電圧の測定）の間隔が適切に設定されていなければ、温度による劣化に起因する輝度低下が生じ得る。また、モニタの頻度を高くすれば、消費電力の増大が懸念される。特に近年、携帯型の表示装置に関し、ユーザーの使用時間の増大が顕著であることから、低消費電力化の要求が高まっている。

そこで、以下の開示は、消費電力の増大を抑制しつつ電気光学素子（典型的には有機ＥＬ素子）の温度による劣化（発光効率の低下）に起因する輝度低下を抑制することのできる表示装置を実現することを目的とする。

本発明の第１の局面は、電流によって輝度が制御される電気光学素子および前記電気光学素子に供給すべき電流を制御するための駆動トランジスタを回路素子として含む複数個の画素回路を備えた表示装置であって、
前記回路素子の特性を測定する特性測定処理と、前記複数個の画素回路を駆動する駆動処理とを行う画素回路駆動部と、
前記特性測定処理での測定結果に基づいて得られる特性データを保持する特性データ記憶部と、
前記特性データ記憶部に保持されている特性データに基づいて入力映像信号を補正することによって、前記複数個の画素回路に供給すべき映像信号を生成する補償演算処理部と、
温度を検出する温度検出部と、
前記温度検出部によって検出された検出温度に応じて、前記特性測定処理の実行頻度を制御する測定制御部と、
前記特性測定処理での測定結果に基づいて得られた特性データの値を、前記温度検出部により検出された該特性測定処理時の温度に基づき標準温度に対応する値に補正し、補正後の特性データを前記特性データ記憶部に格納する第１の特性データ補正部と、
前記特性データ記憶部に保持されている特性データの値を、前記温度検出部により検出された前記駆動処理時の温度に対応する値に補正する第２の特性データ補正部と
を備え、
前記測定制御部は、前記検出温度が高いほど前記特性測定処理の実行頻度を高くし、
前記補償演算処理部は、前記第２の特性データ補正部による補正後の特性データに基づいて前記入力映像信号を補正することによって、前記複数個の画素回路に供給すべき映像信号を生成することを特徴とする。

本発明の第２の局面は、本発明の第１の局面において、
前記測定制御部は、温度と前記特性測定処理の実行頻度との関係を表す第１の関係式を予め保持し、前記検出温度に基づいて前記第１の関係式から前記特性測定処理の実行頻度を決定することを特徴とする。

本発明の第３の局面は、本発明の第１の局面において、
前記複数個の画素回路の累積駆動時間を計測する累積駆動時間計測部を更に備え、
前記測定制御部は、前記累積駆動時間が短いほど前記特性測定処理の実行頻度を高くすることを特徴とする。

本発明の第４の局面は、本発明の第３の局面において、
前記測定制御部は、前記累積駆動時間と前記特性測定処理の実行頻度との関係を表す第２の関係式を予め保持し、前記累積駆動時間に基づいて前記第２の関係式から前記特性測定処理の実行頻度を決定することを特徴とする。

本発明の第５の局面は、本発明の第１の局面において、
前記温度検出部は、複数個設けられていることを特徴とする。

本発明の第６の局面は、本発明の第１の局面において、
前記温度検出部は、前記複数個の画素回路を含む表示パネルの内部に設けられていることを特徴とする。

本発明の第７の局面は、本発明の第１の局面において、
前記温度検出部は、前記複数個の画素回路を含む表示パネルの外部に設けられていることを特徴とする。

本発明の第８の局面は、本発明の第１の局面において、
前記電気光学素子は、有機発光ダイオードであることを特徴とする。
本発明の第９の局面は、本発明の第１の局面において、
前記特性データは、前記駆動トランジスタのオフセット値および前記駆動トランジスタのゲイン値を含み、
前記温度検出部により検出された前記特性測定処理時の温度が標準温度よりも高い場合には、前記第１の特性データ補正部は、前記特性測定処理での測定結果に基づいて得られたオフセット値を補正によって大きくして補正後のオフセット値を前記特性データ記憶部に格納し、かつ、前記特性測定処理での測定結果に基づいて得られたゲイン値を補正によって大きくして補正後のゲイン値を前記特性データ記憶部に格納し、
前記温度検出部により検出された前記特性測定処理時の温度が標準温度よりも低い場合には、前記第１の特性データ補正部は、前記特性測定処理での測定結果に基づいて得られたオフセット値を補正によって小さくして補正後のオフセット値を前記特性データ記憶部に格納し、かつ、前記特性測定処理での測定結果に基づいて得られたゲイン値を補正によって小さくして補正後のゲイン値を前記特性データ記憶部に格納することを特徴とする。
本発明の第１０の局面は、本発明の第１の局面において、
前記特性データは、前記電気光学素子のオフセット値および前記電気光学素子の劣化補正係数を含み、
前記温度検出部により検出された前記特性測定処理時の温度が標準温度よりも高い場合には、前記第１の特性データ補正部は、前記特性測定処理での測定結果に基づいて得られたオフセット値を補正によって大きくして補正後のオフセット値を前記特性データ記憶部に格納し、かつ、前記特性測定処理での測定結果に基づいて得られた劣化補正係数を補正によって小さくして補正後の劣化補正係数を前記特性データ記憶部に格納し、
前記温度検出部により検出された前記特性測定処理時の温度が標準温度よりも低い場合には、前記第１の特性データ補正部は、前記特性測定処理での測定結果に基づいて得られたオフセット値を補正によって小さくして補正後のオフセット値を前記特性データ記憶部に格納し、かつ、前記特性測定処理での測定結果に基づいて得られた劣化補正係数を補正によって大きくして補正後の劣化補正係数を前記特性データ記憶部に格納することを特徴とする。

本発明の第１１の局面は、電流によって輝度が制御される電気光学素子および前記電気光学素子に供給すべき電流を制御するための駆動トランジスタを回路素子として含む複数個の画素回路を備えた表示装置の駆動方法であって、
前記回路素子の特性を測定する特性測定処理を行いつつ前記複数個の画素回路を駆動する画素回路駆動ステップと、
前記特性測定処理での測定結果に基づいて得られる特性データを所定の特性データ記憶部に格納する特性データ記憶ステップと、
前記特性データ記憶部に保持されている特性データに基づいて入力映像信号を補正することによって、前記複数個の画素回路に供給すべき映像信号を生成する補償演算処理ステップと、
温度を検出する温度検出ステップと、
前記温度検出ステップで検出された検出温度に応じて、前記特性測定処理の実行頻度を制御する測定制御ステップと、
前記特性測定処理での測定結果に基づいて得られた特性データの値を、前記温度検出ステップで検出された該特性測定処理時の温度に基づき標準温度に対応する値に補正し、補正後の特性データを前記特性データ記憶部に格納する第１の特性データ補正ステップと、
前記特性データ記憶部に保持されている特性データの値を、前記温度検出ステップで検出された前記複数個の画素回路を駆動する時の温度に対応する値に補正する第２の特性データ補正ステップと
を含み、
前記測定制御ステップでは、前記検出温度が高いほど前記特性測定処理の実行頻度が高められ、
前記補償演算処理ステップでは、前記第２の特性データ補正ステップによる補正後の特性データに基づいて前記入力映像信号を補正することによって、前記複数個の画素回路に供給すべき映像信号が生成されることを特徴とする。

本発明の第１の局面によれば、回路素子（電気光学素子および駆動トランジスタ）の劣化を補償する機能を有する表示装置に、温度を検出する温度検出部と検出温度に応じて特性測定処理（回路素子の特性を取得するための電流モニタや電圧モニタ）の実行頻度を制御する測定制御部とが設けられる。そして、測定制御部は、検出温度が高いほど実行頻度が高くなり、検出温度が低いほど実行頻度が低くなるように、特性測定処理の実行頻度を調整する。このため、表示装置が高温の状態下で使用されていても、温度による劣化に起因する輝度低下が抑制される。また、特性測定処理の実行頻度が高くなるほど消費電力は増大するが、低温時には特性測定処理の実行頻度は低くされる。このため、特性測定処理を行うことに起因する消費電力の増大が抑制される。以上のように、消費電力の増大を抑制しつつ電気光学素子の温度による劣化（発光効率の低下）に起因する輝度低下を抑制することのできる表示装置が実現される。
また、特性測定処理で得られた特性データは、その値が標準温度での値に換算された状態で特性データ記憶部に保持される。そして、特性データ記憶部に保持されている特性データの値に対して、補償演算処理を行う時の温度に対応する値に換算する補正が施され、その補正後の特性データに基づいて入力映像信号が補正される。このように特性データは一旦その値が標準温度での値に換算された状態で保存されるので、温度の変動が大きくても補償の精度を保つことができる。

本発明の第２の局面によれば、回路素子の材料や製造プロセスなど様々な要因を考慮しつつ補償演算処理を行うことが可能となる。このため、より確実に、本発明の第１の局面と同様の効果が得られる。

本発明の第３の局面によれば、表示装置には画素回路の累積駆動時間を計測する累積駆動時間計測部が設けられる。そして、温度に加えて画素回路の累積駆動時間を考慮して特性測定処理の実行頻度が決定される。このため、画素回路の累積駆動時間に応じて、より好適に特性測定処理の実行頻度が決定される。これにより、消費電力の増大をより効果的に抑制しつつ電気光学素子の温度による劣化（発光効率の低下）に起因する輝度低下をより効果的に抑制することのできる表示装置が実現される。

本発明の第４の局面によれば、回路素子の材料や製造プロセスなど様々な要因を考慮しつつ補償演算処理を行うことが可能となる。このため、より確実に、本発明の第３の局面と同様の効果が得られる。

本発明の第５の局面によれば、表示パネル内の位置に関わらず、回路素子の劣化を充分に補償することが可能となる。

本発明の第６の局面によれば、温度検出部によって回路素子に近い部分の温度が検出されるので、補償の精度が向上する。

本発明の第７の局面によれば、温度検出部として一般的なセンサを採用することができる。また、表示パネルの構成に関して、従来の構成から変更を施す必要がなくなる。以上より、表示パネルの内部に温度検出部が設けられる構成と比較して、コストを低減することが可能となる。

本発明の第８の局面によれば、消費電力の増大を抑制しつつ電気光学素子の温度による劣化（発光効率の低下）に起因する輝度低下を抑制することのできる有機ＥＬ表示装置が実現される。

本発明の第１１の局面によれば、本発明の第１の局面と同様の効果を表示装置の駆動方法において奏することができる。

本発明の一実施形態に係るアクティブマトリクス型の有機ＥＬ表示装置の全体構成を示すブロック図である。 上記実施形態におけるソースドライバについて説明するための図である。 上記実施形態において、画素回路とソースドライバの一部（電流モニタ部として機能する部分）を示す回路図である。 上記実施形態において、電流モニタを行うための駆動方法について説明するためのタイミングチャートである。 上記実施形態において、電流測定期間における電流の流れについて説明するための図である。 上記実施形態において、電流測定期間における電流の流れについて説明するための図である。 上記実施形態において、データ電圧書き込み期間における電流の流れについて説明するための図である。 上記実施形態において、制御部内の詳細な構成を示すブロック図である。 温度と回路素子（トランジスタ、有機ＥＬ素子）の劣化速度との関係を示す図である。 上記実施形態において、温度とモニタ間隔との関係を示す図である。 上記実施形態において、補償演算処理部の構成を示すブロック図である。 上記実施形態における効果について説明するための図である。 上記実施形態における効果について説明するための図である。 時間の経過と回路素子の劣化速度との関係を示す図である。 上記実施形態の第１の変形例において、時間の経過とモニタ間隔との関係を示す図である。 上記第１の変形例に係るアクティブマトリクス型の有機ＥＬ表示装置の全体構成を示すブロック図である。 上記第１の変形例において、制御部内の詳細な構成を示すブロック図である。 上記実施形態の第２の変形例に係るアクティブマトリクス型の有機ＥＬ表示装置の全体構成を示すブロック図である。 上記実施形態の第３の変形例におけるソースドライバの機能ブロック図である。 上記第３の変形例において、画素回路とソースドライバの一部を示す回路図である。 上記第３の変形例において、電圧モニタ部の一構成例を示す図である。 上記第３の変形例において、電圧モニタを行うための駆動方法について説明するためのタイミングチャートである。 従来の一般的な画素回路の構成を示す回路図である。 図２３に示す画素回路の動作を説明するためのタイミングチャートである。 有機ＥＬ素子の電圧−電流特性を示す図である。 有機ＥＬ素子の長期特性について説明するための図である。

以下、添付図面を参照しつつ、本発明の一実施形態について説明する。なお、以下においては、ＭおよびＮは２以上の整数、ｉは１以上Ｎ以下の整数、ｊは１以上Ｍ以下の整数であると仮定する。また、以下においては、画素回路内に設けられている駆動トランジスタの特性のことを「ＴＦＴ特性」といい、画素回路内に設けられている有機ＥＬ素子の特性のことを「ＯＬＥＤ特性」という。

＜１．全体構成＞
図１は、本発明の一実施形態に係るアクティブマトリクス型の有機ＥＬ表示装置の全体構成を示すブロック図である。この有機ＥＬ表示装置は、有機ＥＬパネル１０と制御部２０とソースドライバ３０とによって構成されている。有機ＥＬパネル１０には、表示部１００，ゲートドライバ１１０，および温度センサ１２０が含まれている。すなわち、本実施形態においては、有機ＥＬパネル１０を構成する基板上にゲートドライバ１１０が形成されている。但し、ゲートドライバ１１０が有機ＥＬパネル１０の外部に設けられている構成を採用することもできる。制御部２０は、画像処理部２２とタイミングコントローラ２４とによって構成されている。画像処理部２２は、一般に「ＧＰＵ」と呼ばれるＬＳＩによって実現されている。タイミングコントローラ２４は、一般に「ＴＣＯＮ」と呼ばれるＬＳＩによって実現されており、ゲートドライバ１１０およびソースドライバ３０の動作を制御する。このように画像処理部２２とタイミングコントローラ２４とは別々のＬＳＩによって実現されているが、本明細書では、便宜上、それらをまとめて制御部２０として説明する。なお、本実施形態においては、ゲートドライバ１１０とソースドライバ３０とによって画素回路駆動部が実現され、温度センサ１２０によって温度検出部が実現されている。

表示部１００には、Ｍ本のデータ線Ｓ（１）〜Ｓ（Ｍ）およびこれらに直交するＮ本の走査線Ｇ１（１）〜Ｇ１（Ｎ）が配設されている。また、表示部１００には、Ｎ本の走査線Ｇ１（１）〜Ｇ１（Ｎ）と１対１で対応するように、Ｎ本のモニタ制御線Ｇ２（１）〜Ｇ２（Ｎ）が配設されている。走査線Ｇ１（１）〜Ｇ１（Ｎ）とモニタ制御線Ｇ２（１）〜Ｇ２（Ｎ）とは互いに平行になっている。さらに、表示部１００には、Ｎ本の走査線Ｇ１（１）〜Ｇ１（Ｎ）とＭ本のデータ線Ｓ（１）〜Ｓ（Ｍ）との交差点に対応するように、Ｎ×Ｍ個の画素回路１０２が設けられている。このようにＮ×Ｍ個の画素回路１０２が設けられることによって、Ｎ行×Ｍ列の画素マトリクスが表示部１００に形成されている。また、表示部１００には、ハイレベル電源電圧を供給するハイレベル電源線（不図示）と、ローレベル電源電圧を供給するローレベル電源線（不図示）とが配設されている。

なお、以下においては、Ｍ本のデータ線Ｓ（１）〜Ｓ（Ｍ）を互いに区別する必要がない場合にはデータ線には単に符号Ｓを付す。同様に、Ｎ本の走査線Ｇ１（１）〜Ｇ１（Ｎ）を互いに区別する必要がない場合には走査線には単に符号Ｇ１を付し、Ｎ本のモニタ制御線Ｇ２（１）〜Ｇ２（Ｎ）を互いに区別する必要がない場合にはモニタ制御線には単に符号Ｇ２を付す。

本実施形態におけるデータ線Ｓは、画素回路１０２内の有機ＥＬ素子を所望の輝度で発光させるための輝度信号（映像信号）を伝達する信号線として用いられるだけでなく、ＴＦＴ特性やＯＬＥＤ特性の検出用の電圧（以下、「測定用電圧」という。）を画素回路１０２に与えるための信号線およびＴＦＴ特性やＯＬＥＤ特性を表す電流であって後述する電流モニタ部３２０で測定可能な電流の経路となる信号線としても用いられる。

以下、図１に示す各構成要素の動作について説明する。温度センサ１２０は、その周囲の温度を検出して、検出温度を表す温度データＴＥを出力する。なお、温度センサ１２０の数については限定されないが、有機ＥＬパネル１０内での温度分布の不均一性を考慮して複数の温度センサ１２０が設けられることが好ましい。

制御部２０は、外部から送られる画像データＶＤｂとソースドライバ３０から出力されるモニタデータＭＯと温度センサ１２０から出力される温度データＴＥとを受け取り、モニタデータＭＯと温度データＴＥとに基づいて後述する補償演算処理を画像データＶＤｂに施すことによって、ソースドライバ３０に与えるためのデジタル映像信号（補償演算処理後の画像データ）ＶＤａを生成する。なお、モニタデータＭＯとは、ＴＦＴ特性やＯＬＥＤ特性を検出するために測定されたデータである。制御部２０は、また、ソースドライバ３０にデジタル映像信号ＶＤａおよびソース制御信号ＳＣＴＬを与えることによりソースドライバ３０の動作を制御し、ゲートドライバ１１０にゲート制御信号ＧＣＴＬを与えることによりゲートドライバ１１０の動作を制御する。ソース制御信号ＳＣＴＬには、ソーススタートパルス信号，ソースクロック信号，ラッチストローブ信号などが含まれている。ゲート制御信号ＧＣＴＬには、ゲートスタートパルス信号，ゲートクロック信号，アウトプットイネーブル信号などが含まれている。なお、デジタル映像信号ＶＤａ，ソース制御信号ＳＣＴＬ，およびゲート制御信号ＧＣＴＬは、通常、制御部２０内のタイミングコントローラ２４から出力される。

ゲートドライバ１１０は、Ｎ本の走査線Ｇ１（１）〜Ｇ１（Ｎ）およびＮ本のモニタ制御線Ｇ２（１）〜Ｇ２（Ｎ）に接続されている。ゲートドライバ１１０は、シフトレジスタおよび論理回路などによって構成されている。ゲートドライバ１１０は、制御部２０から出力されたゲート制御信号ＧＣＴＬに基づいて、Ｎ本の走査線Ｇ１（１）〜Ｇ１（Ｎ）およびＮ本のモニタ制御線Ｇ２（１）〜Ｇ２（Ｎ）を駆動する。

ソースドライバ３０は、Ｍ本のデータ線Ｓ（１）〜Ｓ（Ｍ）に接続されている。ソースドライバ３０は、データ線Ｓ（１）〜Ｓ（Ｍ）を駆動する動作と、データ線Ｓ（１）〜Ｓ（Ｍ）に流れる電流を測定する動作とを選択的に行う。すなわち、図２に示すように、ソースドライバ３０には、機能的には、データ線Ｓ（１）〜Ｓ（Ｍ）を駆動するデータ線駆動部３１０として機能する部分と、画素回路１０２からデータ線Ｓ（１）〜Ｓ（Ｍ）に出力された電流を測定する電流モニタ部３２０として機能する部分とが含まれている。電流モニタ部３２０は、データ線Ｓ（１）〜Ｓ（Ｍ）に流れる電流を測定し、測定値に基づくモニタデータＭＯを出力する。

以上のようにして、Ｎ本の走査線Ｇ１（１）〜Ｇ１（Ｎ），Ｎ本のモニタ制御線Ｇ２（１）〜Ｇ２（Ｎ），およびＭ本のデータ線Ｓ（１）〜Ｓ（Ｍ）が駆動されることによって、外部から送られた画像データＶＤｂに基づく画像が表示部１００に表示される。その際、モニタデータＭＯと温度データＴＥとに基づいて画像データＶＤｂに補償演算処理が施されることによって、駆動トランジスタの閾値電圧のばらつきや有機ＥＬ素子の劣化が補償される。

＜２．画素回路およびソースドライバ＞
次に、画素回路１０２およびソースドライバ３０について詳しく説明する。ソースドライバ３０は、データ線駆動部３１０として機能するときには次のような動作を行う。ソースドライバ３０は、制御部２０から出力されたソース制御信号ＳＣＴＬを受け取り、Ｍ本のデータ線Ｓ（１）〜Ｓ（Ｍ）にそれぞれ目標輝度に応じた電圧（以下、「データ電圧」という）を印加する。このとき、ソースドライバ３０では、ソーススタートパルス信号のパルスをトリガーとして、ソースクロック信号のパルスが発生するタイミングで、各データ線Ｓに印加すべき電圧を示すデジタル映像信号ＶＤａが順次に保持される。そして、ラッチストローブ信号のパルスが発生するタイミングで、上記保持されたデジタル映像信号ＶＤａがアナログ電圧に変換される。その変換されたアナログ電圧は、データ電圧として全てのデータ線Ｓ（１）〜Ｓ（Ｍ）に一斉に印加される。ソースドライバ３０は、電流モニタ部３２０として機能するときには、データ線Ｓ（１）〜Ｓ（Ｍ）に測定用電圧を印加して、それによってデータ線Ｓ（１）〜Ｓ（Ｍ）に流れる電流をそれぞれ電圧に変換する。その変換後のデータは、モニタデータＭＯとしてソースドライバ３０から出力される。

図３は、画素回路１０２とソースドライバ３０の一部（電流モニタ部３２０として機能する部分）を示す回路図である。なお、図３には、ｉ行ｊ列目の画素回路１０２と、ソースドライバ３０のうちのｊ列目のデータ線Ｓ（ｊ）に対応する部分とが示されている。この画素回路１０２は、１個の有機ＥＬ素子（電気光学素子）ＯＬＥＤ，３個のトランジスタＴ１〜Ｔ３，および１個のコンデンサＣｓｔを備えている。トランジスタＴ１は画素を選択する入力トランジスタとして機能し、トランジスタＴ２は有機ＥＬ素子ＯＬＥＤへの電流の供給を制御する駆動トランジスタとして機能し、トランジスタＴ３は駆動トランジスタＴ２あるいは有機ＥＬ素子ＯＬＥＤの特性を検出するための電流測定を行うか否かを制御するモニタ制御トランジスタとして機能する。

トランジスタＴ１は、データ線Ｓ（ｊ）とトランジスタＴ２のゲート端子との間に設けられている。そのトランジスタＴ１に関し、走査線Ｇ１（ｉ）にゲート端子が接続され、データ線Ｓ（ｊ）にソース端子が接続されている。トランジスタＴ２は、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤと直列に設けられている。そのトランジスタＴ２に関し、トランジスタＴ１のドレイン端子にゲート端子が接続され、ハイレベル電源線ＥＬＶＤＤにドレイン端子が接続され、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤのアノード端子にソース端子が接続されている。トランジスタＴ３については、モニタ制御線Ｇ２（ｉ）にゲート端子が接続され、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤのアノード端子にドレイン端子が接続され、データ線Ｓ（ｊ）にソース端子が接続されている。コンデンサＣｓｔについては、トランジスタＴ２のゲート端子に一端が接続され、トランジスタＴ２のドレイン端子に他端が接続されている。有機ＥＬ素子ＯＬＥＤのカソード端子は、ローレベル電源線ＥＬＶＳＳに接続されている。なお、画素回路１０２内のトランジスタＴ１〜Ｔ３としては、酸化物ＴＦＴ（酸化物半導体をチャネル層に用いた薄膜トランジスタ）やアモルファスシリコンＴＦＴなどを採用することができる。酸化物ＴＦＴとしては、例えば、ＩｎＧａＺｎＯ（酸化インジウムガリウム亜鉛）を含むＴＦＴが挙げられる。酸化物ＴＦＴを採用することによって、例えば、高精細化や低消費電力化を図ることが可能となる。

図３に示すように、電流モニタ部３２０は、ＤＡ変換器（ＤＡＣ）３１，オペアンプ３２，コンデンサ３３，スイッチ３４，およびＡＤ変換器（ＡＤＣ）３５を含んでいる。オペアンプ３２，コンデンサ３３，およびスイッチ３４によって電流／電圧変換部３９が構成されている。なお、この電流／電圧変換部３９およびＤＡ変換器３１は、データ線駆動部３１０の構成要素としても機能する。

ＤＡ変換器３１の入力端子には、デジタル映像信号ＶＤａが与えられる。ＤＡ変換器３１は、デジタル映像信号ＶＤａをアナログ電圧に変換する。このアナログ電圧は、データ電圧または測定用電圧である。ＤＡ変換器３１の出力端子は、オペアンプ３２の非反転入力端子に接続されている。従って、オペアンプ３２の非反転入力端子には、データ電圧または測定用電圧が与えられる。オペアンプ３２の反転入力端子は、データ線Ｓ（ｊ）に接続されている。スイッチ３４は、オペアンプ３２の反転入力端子と出力端子との間に設けられている。コンデンサ３３は、スイッチ３４と並列に、オペアンプ３２の反転入力端子と出力端子との間に設けられている。スイッチ３４の制御端子には、ソース制御信号ＳＣＴＬに含まれる入出力制御信号ＤＷＴが与えられる。オペアンプ３２の出力端子は、ＡＤ変換器３５の入力端子に接続されている。

以上のような構成において、入出力制御信号ＤＷＴがハイレベルのときには、スイッチ３４はオン状態となり、オペアンプ３２の反転入力端子−出力端子間は短絡状態となる。このとき、オペアンプ３２はバッファアンプとして機能する。これにより、データ線Ｓ（ｊ）には、オペアンプ３２の非反転入力端子に与えられている電圧（データ電圧または測定用電圧）が印加される。入出力制御信号ＤＷＴがローレベルのときには、スイッチ３４はオフ状態になり、オペアンプ３２の反転入力端子と出力端子とはコンデンサ３３を介して接続される。このとき、オペアンプ３２とコンデンサ３３とは積分回路として機能する。これにより、オペアンプ３２の出力電圧（モニタ電圧Ｖｍｏ）は、データ線Ｓ（ｊ）に流れている電流に応じた電圧となる。ＡＤ変換器３５は、オペアンプ３２の出力電圧（モニタ電圧Ｖｍｏ）をデジタル値に変換する。変換後のデータはモニタデータＭＯとして制御部２０に送られる。

なお、本実施形態においてはデータ電圧を供給するための信号線と電流を測定するための信号線とが共用された構成となっているが、本発明はこれに限定されない。データ電圧を供給するための信号線と電流を測定するための信号線とがそれぞれ独立して設けられている構成を採用することもできる。また、画素回路１０２の構成についても、図３に示した構成以外の構成を採用することもできる。すなわち、本発明は、電流モニタ部３２０や画素回路１０２の具体的な回路構成については特に限定されない。

＜３．駆動方法＞
次に、電流モニタ（ＴＦＴ特性やＯＬＥＤ特性を検出するための電流測定）を行うための駆動方法について説明する。電流モニタが行われる期間については特に限定されない。例えば、表示期間中，垂直帰線期間中，装置の電源オン直後，装置の電源オフ時などに電流モニタを行うことができる。なお、以下において、電流モニタのための一連の処理が行われる期間のことを「モニタ処理期間」という。また、以下において、電流モニタの対象となっている行のことを「モニタ行」という。

図４は、電流モニタを行うための駆動方法について説明するためのタイミングチャートである。なお、図４では、ｉ行目について電流モニタが行われる例を示している。図４において、符号ＴＭで示す期間がモニタ処理期間である。モニタ処理期間ＴＭは、モニタ行においてＴＦＴ特性あるいはＯＬＥＤ特性を検出する準備が行われる期間（以下、「検出準備期間」という。）Ｔａと、特性を検出するための電流測定が行われる期間（以下、「電流測定期間」という。）Ｔｂと、モニタ行においてデータ電圧の書き込みが行われる期間（以下、「データ電圧書き込み期間」という。）Ｔｃとによって構成されている。

検出準備期間Ｔａには、走査線Ｇ１（ｉ）はアクティブな状態とされ、モニタ制御線Ｇ２（ｉ）は非アクティブな状態で維持される。これにより、トランジスタＴ１はオン状態となり、トランジスタＴ３はオフ状態で維持される。また、検出準備期間Ｔａには、データ線Ｓ（ｊ）に測定用電圧Ｖｍｇ（ｉ，ｊ）が印加される。なお、測定用電圧Ｖｍｇ（ｉ，ｊ）は或る固定の電圧を意味するのではなく、ＴＦＴ特性を検出する時とＯＬＥＤ特性を検出する時とで測定用電圧Ｖｍｇ（ｉ，ｊ）の大きさは異なる。すなわち、ここでの測定用電圧とは、ＴＦＴ特性測定用電圧およびＯＬＥＤ特性測定用電圧の両者を含む概念である。測定用電圧Ｖｍｇ（ｉ，ｊ）がＴＦＴ特性測定用電圧であれば、トランジスタＴ２はオン状態となる。測定用電圧Ｖｍｇ（ｉ，ｊ）がＯＬＥＤ特性測定用電圧であれば、トランジスタＴ２はオフ状態で維持される。

ところで、検出準備期間Ｔａにデータ線Ｓ（ｊ）に印加するＴＦＴ特性測定用電圧は、「ＴＦＴ特性測定用電圧＜有機ＥＬ素子ＯＬＥＤの閾値電圧＋トランジスタＴ２の閾値電圧」を満たすように設定される。このように設定することによって、電流測定期間Ｔｂに、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤに電流が流れず、トランジスタＴ２の特性のみを測定することができる。また、検出準備期間Ｔａにデータ線Ｓ（ｊ）に印加するＯＬＥＤ特性測定用電圧は、「ＯＬＥＤ特性測定用電圧＜有機ＥＬ素子ＯＬＥＤの閾値電圧＋トランジスタＴ２の閾値電圧」を満たすように設定される。このように設定することによって、電流測定期間Ｔｂに、トランジスタＴ２がオン状態にならず、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤの特性のみを測定することができる。

電流測定期間Ｔｂには、走査線Ｇ１（ｉ）は非アクティブな状態とされ、モニタ制御線Ｇ２（ｉ）はアクティブな状態とされる。これにより、トランジスタＴ１はオフ状態となり、トランジスタＴ３はオン状態となる。ここで、測定用電圧Ｖｍｇ（ｉ，ｊ）がＴＦＴ特性測定用電圧であれば、上述したように、トランジスタＴ２はオン状態となり、かつ、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤに電流は流れない。従って、図５で符号６１で示す矢印のように、トランジスタＴ２を流れる電流が、トランジスタＴ３を介してデータ線Ｓ（ｊ）に出力される。この状態において、データ線Ｓ（ｊ）に流れている電流がソースドライバ３０内の電流モニタ部３２０によって測定される。一方、測定用電圧Ｖｍｇ（ｉ，ｊ）がＯＬＥＤ特性測定用電圧であれば、上述したようにトランジスタＴ２はオフ状態で維持され、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤに電流が流れる。すなわち、図６で符号６２で示す矢印のようにデータ線Ｓ（ｊ）からトランジスタＴ３を介して有機ＥＬ素子ＯＬＥＤに電流が流れ、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤが発光する。この状態において、データ線Ｓ（ｊ）に流れている電流がソースドライバ３０内の電流モニタ部３２０によって測定される。

データ電圧書き込み期間Ｔｃには、走査線Ｇ１（ｉ）はアクティブな状態とされ、モニタ制御線Ｇ２（ｉ）は非アクティブな状態とされる。これにより、トランジスタＴ１はオン状態となり、トランジスタＴ３はオフ状態となる。また、データ電圧書き込み期間Ｔｃには、データ線Ｓ（ｊ）には目標輝度に応じたデータ電圧が印加される。これにより、トランジスタＴ２はオン状態となる。その結果、図７で符号６３で示す矢印のように、トランジスタＴ２を介して有機ＥＬ素子ＯＬＥＤに駆動電流が供給される。これにより、駆動電流に応じた輝度で有機ＥＬ素子ＯＬＥＤが発光する。

＜４．制御部の処理＞
図８は、制御部２０内の詳細な構成を示すブロック図である。制御部２０には、パラメータ計算部２１０，第１の温度補正部２２０，パラメータテーブル２３０，第２の温度補正部２４０，モニタ制御部２５０，および補償演算処理部２６０が含まれている。なお、これらの構成要素は、それぞれ、画像処理部２２内およびタイミングコントローラ２４内のいずれに設けられていても良い。

制御部２０に与えられるモニタデータＭＯは、ＴＦＴ特性あるいはＯＬＥＤ特性を表すデータである。制御部２０では、そのモニタデータＭＯに基づいて得られるパラメータ値（補償用パラメータの値）を用いて、外部から送られる画像データＶＤｂに補償演算処理が施される。本実施形態においては、より詳しくは、パラメータ値として、ＴＦＴ特性の検出結果に基づいて得られるオフセット値（閾値電圧に相当する値）であるＴＦＴオフセット値，ＴＦＴ特性の検出結果に基づいて得られるゲイン値であるＴＦＴゲイン値，ＯＬＥＤ特性の検出結果に基づいて得られるオフセット値（閾値電圧に相当する値）であるＯＬＥＤオフセット値，およびＯＬＥＤ特性の検出結果に基づいて得られる劣化補正係数であるＯＬＥＤ劣化補正係数が用いられる。なお、図８では、パラメータ計算部２１０から出力されるパラメータ値には符号ＰＲ１を付し、第１の温度補正部２２０から出力されるパラメータ値には符号ＰＲ２を付し、パラメータテーブル２３０から取り出されるパラメータ値には符号ＰＲ３を付し、第２の温度補正部２４０から出力されるパラメータ値には符号ＰＲ４を付している。

以下、図８に示す各構成要素の動作について説明する。パラメータ計算部２１０は、モニタデータＭＯに基づいて、パラメータ値ＰＲ１を求める。このパラメータ計算部２１０では、パラメータ値ＰＲ１として、ＴＦＴオフセット値Ｖｔｈ＿ｒａｗ（ＴＦＴ），ＴＦＴゲイン値β＿ｒａｗ（ＴＦＴ），ＯＬＥＤオフセット値Ｖｔｈ＿ｒａｗ（ＯＬＥＤ），およびＯＬＥＤ劣化補正係数β＿ｒａｗ（ＯＬＥＤ）が求められる。

ここで、上記４つのパラメータ値の具体的な求め方の一例を説明する。上記４つのパラメータ値を求めるためには、各画素回路１０２につき４回の電流モニタの実行を要する。なお、ここでは、１回目および２回目の電流モニタではＴＦＴ特性の検出が行われ、３回目および４回目の電流モニタではＯＬＥＤ特性の検出が行われるものと仮定する。

トランジスタＴ２が飽和領域で動作するとき、一般に、トランジスタ２のゲート−ソース間電圧Ｖｇｓ，ドレイン電流Ｉｄ，閾値電圧Ｖｔｈ，およびゲインβの間には、次式（１）が近似的に成立する。
Ｉｄ＝（β／２）×（Ｖｇｓ−Ｖｔｈ）² ・・・（１）

１回目の電流モニタ時の電流測定期間ＴｂにおけるトランジスタＴ２のゲート−ソース間電圧および測定電流（電流モニタ部３２０によって測定された電流）をそれぞれＶｇｓ１およびＩ１で表し、２回目の電流モニタ時の電流測定期間ＴｂにおけるトランジスタＴ２のゲート−ソース間電圧および測定電流をそれぞれＶｇｓ２およびＩ２で表すと、上式（１）より、次式（２），（３）が成立する。
Ｉ１＝（β＿ｒａｗ（ＴＦＴ）／２）×（Ｖｇｓ１−Ｖｔｈ＿ｒａｗ（ＴＦＴ））²
・・・（２）
Ｉ２＝（β＿ｒａｗ（ＴＦＴ）／２）×（Ｖｇｓ２−Ｖｔｈ＿ｒａｗ（ＴＦＴ））²
・・・（３）

上式（２），（３）に基づく連立方程式を解くと、次式（４），（５）が得られる。

有機ＥＬ素子ＯＬＥＤのアノード−カソード間電圧Ｖｏ，電流Ｉｏ，閾値電圧Ｖｔｈ，およびゲインβの間には、次式（６）が近似的に成立する。ただし、Ｋは２以上３以下の定数である。
Ｉｏ＝β（Ｖｏ−Ｖｔｈ）^K ・・・（６）

３回目の電流モニタ時の電流測定期間Ｔｂにおける有機ＥＬ素子ＯＬＥＤのアノード−カソード間電圧および測定電流をそれぞれＶｏｍ３およびＩ３で表し、４回目の電流モニタ時の電流測定期間Ｔｂにおける有機ＥＬ素子ＯＬＥＤのアノード−カソード間電圧および測定電流をそれぞれＶｏｍ４，Ｉ４で表すと、上式（６）より、次式（７），（８）が成立する。
Ｉ３＝β＿ｒａｗ（ＯＬＥＤ）×（Ｖｏｍ３−Ｖｔｈ＿ｒａｗ（ＯＬＥＤ））^K
・・・（７）
Ｉ４＝β＿ｒａｗ（ＯＬＥＤ）×（Ｖｏｍ４−Ｖｔｈ＿ｒａｗ（ＯＬＥＤ））^K
・・・（８）

上式（７），（８）に基づく連立方程式を解くと、次式（９），（１０）が得られる。

以上のようにして、パラメータ計算部２１０は、モニタデータＭＯに基づき上式（４），（５）によってＴＦＴオフセット値Ｖｔｈ＿ｒａｗ（ＴＦＴ）およびＴＦＴゲイン値β＿ｒａｗ（ＴＦＴ）を求め、また、モニタデータＭＯに基づき上式（９），（１０）によってＯＬＥＤオフセット値Ｖｔｈ＿ｒａｗ（ＯＬＥＤ）およびＯＬＥＤ劣化補正係数β＿ｒａｗ（ＯＬＥＤ）を求める。

第１の温度補正部２２０は、温度データＴＥに基づいて、パラメータ値ＰＲ１を標準温度（例えば、２５度）での値に補正する（換算する）。補正によって得られたパラメータ値ＰＲ２は、パラメータテーブル２３０に格納される。これに関し、トランジスタについても有機ＥＬ素子についても、温度が高くなるにつれて閾値電圧は小さくなる。従って、ＴＦＴオフセット値およびＯＬＥＤオフセット値については、モニタ時の温度（温度データＴＥが示す温度）が標準温度よりも高い場合には、パラメータ計算部２１０で求められた値よりも大きな値をパラメータテーブル２３０に格納し、モニタ時の温度が標準温度よりも低い場合には、パラメータ計算部２１０で求められた値よりも小さな値をパラメータテーブル２３０に格納する。また、トランジスタのゲイン値は温度が高くなるにつれて小さくなる。従って、ＴＦＴゲイン値については、モニタ時の温度が標準温度よりも高い場合には、パラメータ計算部２１０で求められた値よりも大きな値をパラメータテーブル２３０に格納し、モニタ時の温度が標準温度よりも低い場合には、パラメータ計算部２１０で求められた値よりも小さな値をパラメータテーブル２３０に格納する。また、有機ＥＬ素子の劣化補正係数は温度が高くなるにつれて高くなる。従って、ＯＬＥＤ劣化補正係数については、モニタ時の温度が標準温度よりも高い場合には、パラメータ計算部２１０で求められた値よりも小さな値をパラメータテーブル２３０に格納し、モニタ時の温度が標準温度よりも低い場合には、パラメータ計算部２１０で求められた値よりも大きな値をパラメータテーブル２３０に格納する。

以上のようにして、第１の温度補正部２２０は、ＴＦＴオフセット値Ｖｔｈ＿ｒａｗ（ＴＦＴ）を標準温度での値に換算したＴＦＴオフセット値Ｖｔｈ（ＴＦＴ），ＴＦＴゲイン値β＿ｒａｗ（ＴＦＴ）を標準温度での値に換算したＴＦＴゲイン値β（ＴＦＴ），ＯＬＥＤオフセット値Ｖｔｈ＿ｒａｗ（ＯＬＥＤ）を標準温度での値に換算したＯＬＥＤオフセット値Ｖｔｈ（ＯＬＥＤ），およびＯＬＥＤ劣化補正係数β＿ｒａｗ（ＯＬＥＤ）を標準温度での値に換算したＯＬＥＤ劣化補正係数β（ＯＬＥＤ）をパラメータ値ＰＲ２としてパラメータテーブル２３０に格納する。

パラメータテーブル２３０は、画素毎に、第１の温度補正部２２０で求められたパラメータ値ＰＲ２（ＴＦＴオフセット値Ｖｔｈ（ＴＦＴ），ＴＦＴゲイン値β（ＴＦＴ），ＯＬＥＤオフセット値Ｖｔｈ（ＯＬＥＤ），およびＯＬＥＤ劣化補正係数β（ＯＬＥＤ））を保持する。なお、本実施形態においては、このパラメータテーブル２３０によって特性データ記憶部が実現されている。

第２の温度補正部２４０は、温度データＴＥに基づいて、パラメータテーブル２３０から取り出したパラメータ値ＰＲ３を現在温度での値に補正する（換算する）。補正によって得られたパラメータ値ＰＲ４は、補償演算処理部２６０に与えられる。上述したようにパラメータテーブル２３０には標準温度に対応するパラメータ値（詳しくは、モニタ時温度でのパラメータ値を標準温度に換算することによって得られたパラメータ値）が格納されているので、この第２の温度補正部２４０では、補償演算処理部２６０で現在温度に応じた補償演算処理が行われるように、パラメータ値が補正される。概略的には、第１の温度補正部２２０での補正と逆の補正が行われる。例えば、ＴＦＴオフセット値に着目すると、現在温度（温度データＴＥが示す温度）が標準温度よりも高い場合には、補償演算処理部２６０に与える値をパラメータテーブル２３０から取り出した値よりも小さな値とし、現在温度が標準温度よりも低い場合には、補償演算処理部２６０に与える値をパラメータテーブル２３０から取り出した値よりも大きな値とする。なお、第２の温度補正部２４０でどのように補正（パラメータ値ＰＲ３からパラメータ値ＰＲ４への補正）を行うかは、補償演算処理部２６０でのパラメータ値ＰＲ４の用いられ方に依存する。

以上のようにして、第２の温度補正部２４０は、ＴＦＴオフセット値Ｖｔｈ（ＴＦＴ）を現在温度での値に換算したＴＦＴオフセット値Ｖｔｈ’（ＴＦＴ），ＴＦＴゲイン値β（ＴＦＴ）を現在温度での値に換算したＴＦＴゲイン値β’（ＴＦＴ），ＯＬＥＤオフセット値Ｖｔｈ（ＯＬＥＤ）を現在温度での値に換算したＯＬＥＤオフセット値Ｖｔｈ’（ＯＬＥＤ），およびＯＬＥＤ劣化補正係数β（ＯＬＥＤ）を現在温度での値に換算したＯＬＥＤ劣化補正係数β’（ＯＬＥＤ）をパラメータ値ＰＲ４として補償演算処理部２６０に与える。

モニタ制御部２５０は、温度データＴＥに基づいて、モニタ制御信号ＭＣＴＬを出力する。モニタ制御信号ＭＣＴＬの内容は、ゲート制御信号ＧＣＴＬおよびソース制御信号ＳＣＴＬを構成する信号の波形に反映される。これにより、温度に応じてモニタ間隔（電流モニタ部３２０による電流の測定が行われる間隔）が調整される。このモニタ間隔の調整について、図９および図１０を参照しつつ、以下に詳しく説明する。

図９は、温度と回路素子（トランジスタ、有機ＥＬ素子）の劣化速度との関係を示す図である。図９から把握されるように、温度が高くなるにつれて、回路素子の劣化速度は高くなる。このため、高温の状態下においては、或る行について電流モニタが行われてから当該行について再度電流モニタが行われるまでの期間が長いと、温度による回路素子の劣化が充分に補償されなくなる場合がある。すなわち、温度が高くなるにつれて、本来の輝度と補償演算処理によって得られる輝度との間の誤差（補償誤差）が許容範囲を超えやすくなる。なお、ここでの許容範囲とは、典型的には、輝度の劣化が人の目に知覚されない範囲のことである。

そこで、本実施形態においては、補償誤差が許容範囲を超えることがないよう、図１０に示すように、温度が高いほどモニタ間隔が小さくされる（換言すれば、温度が高いほどモニタ頻度が高められる）。このように、モニタ制御部２５０では、温度が高いほどモニタ間隔が小さくなり、温度が低いほどモニタ間隔が大きくなるように、モニタ間隔が調整される。例えば、高温（６０度）時には常温（２５度）時に比べて、トランジスタの劣化は２倍の速度で進行し、有機ＥＬ素子の劣化は４倍の速度で進行する（但し、製造プロセス，回路素子の材料，駆動条件などによって異なる）。このような温度による回路素子の劣化の進行度合いを考慮して、モニタ間隔を定めるようにすれば良い。

ところで、図１０では温度とモニタ間隔との関係を線形で表しているが、回路素子の劣化速度は当該回路素子の材料や製造プロセスなど様々な要因に依存する。従って、予め実験を行うことによって温度とモニタ間隔との関係を表す式（以下、「第１の関係式」という。）を用意しておき、温度データＴＥに基づいて当該第１の関係式からモニタ間隔を決定するのが好ましい。

補償演算処理部２６０は、画素回路１０２内の回路素子（駆動トランジスタＴ２，有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ）の劣化が補償されるよう、第２の温度補正部２４０から出力されたパラメータ値ＰＲ４に基づいて、外部から送られた画像データＶＤｂに補償演算処理を施す。補償演算処理によって得られた画像データ（デジタル映像信号）ＶＤａは制御部２０から出力されてソースドライバ３０に送られる。

ここで、図１１を参照しつつ、補償演算処理部２６０で行われる補償演算処理の一例を説明する。なお、ここでは、ＴＦＴオフセット値Ｖｔｈ’（ＴＦＴ）をＶｔ１で表し、ＴＦＴゲイン値β’（ＴＦＴ）をＢ１で表し、ＯＬＥＤオフセット値Ｖｔｈ’（ＯＬＥＤ）をＶｔ２で表し、ＯＬＥＤ劣化補正係数β’（ＯＬＥＤ）をＢ２で表す。補償演算処理部２６０は、ＬＵＴ（ルックアップテーブル）２６１，乗算部２６２，乗算部２６３，加算部２６４，加算部２６５，および乗算部２６６によって構成されている。また、補償演算処理部２６０には、補償用パラメータの値として、ＴＦＴゲイン値Ｂ１，ＯＬＥＤ劣化補正係数Ｂ２，ＴＦＴオフセット値Ｖｔ１，およびＯＬＥＤオフセット値Ｖｔ２が与えられる。以上のような構成において、外部から送られる画像データ（補償前画像データ）ＶＤｂは、以下のように補正される。

まず、ＬＵＴ２６１を用いて、補償前画像データＶＤｂにガンマ補正が施される。すなわち、補償前画像データＶＤｂが示す階調がガンマ補正によって制御電圧Ｖｃに変換される。乗算部２６２は、制御電圧ＶｃとＴＦＴゲイン値Ｂ１とを受け取り、それらを乗じて得られる値“Ｖｃ・Ｂ１”を出力する。乗算部２６３は、乗算部２６２から出力された値“Ｖｃ・Ｂ１”とＯＬＥＤ劣化補正係数Ｂ２とを受け取り、それらを乗じて得られる値“Ｖｃ・Ｂ１・Ｂ２”を出力する。加算部２６４は、乗算部２６３から出力された値“Ｖｃ・Ｂ１・Ｂ２”とＴＦＴオフセット値Ｖｔ１とを受け取り、それらを加算することによって得られる値“Ｖｃ・Ｂ１・Ｂ２＋Ｖｔ１”を出力する。加算部２６５は、加算部２６４から出力された値“Ｖｃ・Ｂ１・Ｂ２＋Ｖｔ１”とＯＬＥＤオフセット値Ｖｔ２とを受け取り、それらを加算することによって得られる値“Ｖｃ・Ｂ１・Ｂ２＋Ｖｔ１＋Ｖｔ２”を出力する。乗算部２６６は、加算部２６５から出力された値“Ｖｃ・Ｂ１・Ｂ２＋Ｖｔ１＋Ｖｔ２”と画素回路１０２内の寄生容量に起因するデータ電圧の減衰を補償するための係数Ｚとを受け取り、それらを乗じて得られる値“Ｚ（Ｖｃ・Ｂ１・Ｂ２＋Ｖｔ１＋Ｖｔ２）”を出力する。以上のようにして得られた値“Ｚ（Ｖｃ・Ｂ１・Ｂ２＋Ｖｔ１＋Ｖｔ２）”のデータが補償後画像データ（デジタル映像信号）ＶＤａとして補償演算処理部２６０から出力される。なお、以上の処理は一例であって、本発明はこれに限定されない。

＜５．効果＞
本実施形態によれば、回路素子（駆動トランジスタＴ２、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ）の劣化を補償する機能を有する有機ＥＬ表示装置に、温度を検出する温度センサ１２０と検出温度に応じてモニタ間隔を調整するモニタ制御部２５０とが設けられている。そして、モニタ制御部２５０は、温度が高いほどモニタ間隔が小さくなり、温度が低いほどモニタ間隔が大きくなるように、モニタ間隔を調整する。このため、たとえ有機ＥＬ表示装置が高温の状態下で使用されていても、温度による劣化に起因する輝度低下が抑制される。これについて、図１２および図１３を参照しつつ更に説明する。図１２には、本実施形態における高温および低温のそれぞれの状態下での時間の経過と輝度との関係を示している。図１２に示すように、高温時のモニタ間隔ｔ１は低温時のモニタ間隔ｔ２よりも小さくなっている。ここで、仮に高温時のモニタ間隔をｔ２にすると、時間の経過と輝度との関係は、図１３に示すようなものとなる。図１３より、電流モニタが行われる時点の直前には補償演算処理によって得られる輝度が本来の輝度よりも大きく低下していることが把握される。この点、本実施形態においては、高温の状態下ではモニタ頻度が高くなるので、図１２に示すように温度による劣化に起因する輝度低下が抑制される。また、モニタ頻度が高くなるほど消費電力は増大するが、本実施形態においては、低温時にはモニタ頻度は低くされる。このため、電流モニタを行うことに起因する消費電力の増大が抑制される。以上のように、本実施形態によれば、消費電力の増大を抑制しつつ有機ＥＬ素子ＯＬＥＤの温度による劣化（発光効率の低下）に起因する輝度低下を抑制することのできる有機ＥＬ表示装置が実現される。

また、本実施形態においては、温度センサ１２０は有機ＥＬパネル１０内に設けられている。このため有機ＥＬパネルの外部に温度センサが設けられる構成と比較して、回路素子に近い部分の温度が検出されるので、補償の精度が向上する。また、複数の温度センサ１２０を設ける構成を採用することによって、有機ＥＬパネル１０内の位置に関わらず、回路素子の劣化を充分に補償することが可能となる。

＜６．変形例＞
以下、上記実施形態の変形例について説明する。

＜６．１ 第１の変形例＞
図１４は、時間の経過と回路素子（トランジスタ、有機ＥＬ素子）の劣化速度との関係を示す図である。図１４から把握されるように、時間の経過につれて回路素子の劣化速度は低くなる。換言すれば、回路素子の劣化の進行の程度は初期において大きい。そこで、本変形例においては、温度に加えて画素回路１０２の累積駆動時間を考慮してモニタ間隔が決定される。例えば図１５に示すように、初期においてはモニタ間隔は小さくされ、時間の経過につれて徐々にモニタ間隔は大きくされる。以下、これを実現するための構成について説明する。

図１６は、本変形例に係るアクティブマトリクス型の有機ＥＬ表示装置の全体構成を示すブロック図である。本変形例における有機ＥＬ表示装置には、上記実施形態における構成要素（図１参照）に加えてタイマー４０が設けられている。なお、このタイマー４０によって累積駆動時間計測部が実現されている。タイマー４０は、この有機ＥＬ表示装置の累積の動作時間（すなわち、画素回路１０２の累積駆動時間）を計測し、当該累積駆動時間を表す時間データＴＩを制御部２０に与える。制御部２０は、外部から送られる画像データＶＤｂとソースドライバ３０から出力されるモニタデータＭＯと温度センサ１２０から出力される温度データＴＥとタイマー４０から出力される時間データＴＩとを受け取り、モニタデータＭＯと温度データＴＥと時間データＴＩとに基づいて補償演算処理を画像データＶＤｂに施すことによって、ソースドライバ３０に与えるためのデジタル映像信号（補償演算処理後の画像データ）ＶＤａを生成する。それ以外の構成要素の動作については、上記実施形態と同様であるので、説明を省略する。

図１７は、本変形例における制御部２０内の詳細な構成を示すブロック図である。本変形例においては、モニタ制御部２５０は、温度データＴＥと時間データＴＩとに基づいて、モニタ制御信号ＭＣＴＬを出力する。これにより、温度および画素回路１０２の累積駆動時間に応じてモニタ間隔が調整される。詳しくは、「温度が高いほどモニタ間隔が小さくなり、温度が低いほどモニタ間隔が大きくなる」ように、かつ、「累積駆動時間が短いほどモニタ間隔が小さくなり、累積駆動時間が長いほどモニタ間隔が大きくなる」ように、モニタ間隔が調整される。

なお、回路素子の劣化速度は当該回路素子の材料や製造プロセスなど様々な要因に依存するので、累積駆動時間とモニタ間隔との関係を表す式（以下、「第２の関係式」という。）を用意しておき、時間データＴＩに基づいて当該第２の関係式からモニタ間隔を決定するのが好ましい。

本変形例によれば、有機ＥＬ表示装置には画素回路１０２の累積駆動時間を計測するタイマー４０が設けられている。そして、温度に加えて画素回路１０２の累積駆動時間を考慮してモニタ間隔が決定される。詳しくは、「温度が高いほどモニタ間隔が小さくなり、温度が低いほどモニタ間隔が大きくなる」ように、かつ、「累積駆動時間が短いほどモニタ間隔が小さくなり、累積駆動時間が長いほどモニタ間隔が大きくなる」ように、モニタ制御部２５０がモニタ間隔を調整する。このため、累積駆動時間に応じて、より好適にモニタ間隔が決定される。これにより、消費電力の増大をより効果的に抑制しつつ有機ＥＬ素子ＯＬＥＤの温度による劣化（発光効率の低下）に起因する輝度低下をより効果的に抑制することが可能となる。

＜６．２ 第２の変形例＞
図１８は、上記実施形態の第２の変形例に係るアクティブマトリクス型の有機ＥＬ表示装置の全体構成を示すブロック図である。上記実施形態においては、温度センサ１２０は有機ＥＬパネル１０内に設けられていた。これに対して、本変形例においては、有機ＥＬパネル１０の外部に温度センサ５０が設けられている。本変形例においても、温度センサ５０は、その周囲の温度を検出して、検出温度を表す温度データＴＥを出力する。その温度データＴＥは制御部２０に与えられる。温度センサ５０の設置場所以外の点については、上記実施形態と同様である。

本変形例によれば、温度センサ５０として一般的なセンサを採用することができる。また、有機ＥＬパネル１０の構成に関して、従来の構成から変更を施す必要がなくなる。すなわち、既存の有機ＥＬパネルを用いることができる。以上より、上記実施形態と比較して、コストを低減することが可能となる。

＜６．３ 第３の変形例＞
上記実施形態においては、有機ＥＬ表示装置には、画素回路１０２からデータ線Ｓ（１）〜Ｓ（Ｍ）に出力された電流を測定する機能を有するソースドライバ３０が設けられていた。すなわち、画素回路１０２内の回路素子（駆動トランジスタＴ２や有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ）の特性を得るために電流の測定が行われていた。しかしながら、本発明はこれに限定されず、画素回路１０２内の回路素子の特性を得るために電圧の測定が行われるようにしても良い（本変形例の構成）。

図１９は、本変形例におけるソースドライバ３０の機能ブロック図である。図１９に示すように、本変形例におけるソースドライバ３０には、機能的には、データ線Ｓ（１）〜Ｓ（Ｍ）を駆動するデータ線駆動部３１０とデータ線Ｓ（１）〜Ｓ（Ｍ）上の所定の位置の電圧を測定する電圧モニタ部３３０とが含まれている。

図２０は、画素回路１０２とソースドライバ３０の一部を示す回路図である。なお、図２０には、ｉ行ｊ列目の画素回路１０２と、ソースドライバ３０のうちのｊ列目のデータ線Ｓ（ｊ）に対応する部分とが示されている。本変形例においては、図２０に示すように、データ線Ｓ（ｊ）がデータ線駆動部３１０に接続された状態とデータ線Ｓ（ｊ）が電圧モニタ部３３０に接続された状態とを切り替えるための切り替え部３４０が設けられている。そして、制御部２０から切り替え部３４０に与えられる切替制御信号ＳＷに基づいて、データ線Ｓ（ｊ）は、データ線駆動部３１０または電圧モニタ部３３０のいずれかに接続される。

図２１は、電圧モニタ部３３０の一構成例を示す図である。図２１に示すように、この電圧モニタ部３３０には、増幅器３３１と定電流源３３２とが含まれている。このような構成において、定電流源３３２によって一定電流Ｉｏｌｅｄがデータ線Ｓ（ｊ）に供給されている状態で、ローレベル電源電圧ＥＬＶＳＳを有する電極と節点３３３との間の電圧が増幅器３３１によって増幅される。そして、増幅後の電圧がＡ／Ｄ変換器に与えられ、当該Ａ／Ｄ変換器によるＡ／Ｄ変換後のデジタルデータがモニタデータＭＯとして制御部２０に与えられる。

図２２は、本変形例において、電圧モニタ（ＴＦＴ特性やＯＬＥＤ特性を検出するための電圧測定）を行うための駆動方法について説明するためのタイミングチャートである。なお、図２２では、ｉ行目について電圧モニタが行われる例を示している。モニタ処理期間ＴＭは、検出準備期間Ｔａと、特性を検出するための電圧測定が行われる電圧測定期間Ｔｄと、データ電圧書き込み期間Ｔｃとによって構成されている。

検出準備期間Ｔａには、走査線Ｇ１（ｉ）はアクティブな状態とされ、モニタ制御線Ｇ２（ｉ）は非アクティブな状態で維持される。これにより、トランジスタＴ１はオン状態となり、トランジスタＴ３はオフ状態で維持される。また、検出準備期間Ｔａには、データ線Ｓ（ｊ）に測定用電圧Ｖｍｇ（ｉ，ｊ）が印加される。測定用電圧Ｖｍｇ（ｉ，ｊ）は、ＴＦＴ特性測定用電圧およびＯＬＥＤ特性測定用電圧のいずれかである。測定用電圧Ｖｍｇ（ｉ，ｊ）がＴＦＴ特性測定用電圧であれば、トランジスタＴ２はオン状態となる。測定用電圧Ｖｍｇ（ｉ，ｊ）がＯＬＥＤ特性測定用電圧であれば、トランジスタＴ２はオフ状態で維持される。

なお、上記実施形態と同様、検出準備期間Ｔａにデータ線Ｓ（ｊ）に印加するＴＦＴ特性測定用電圧は「ＴＦＴ特性測定用電圧＜有機ＥＬ素子ＯＬＥＤの閾値電圧＋トランジスタＴ２の閾値電圧」を満たすように設定され、検出準備期間Ｔａにデータ線Ｓ（ｊ）に印加するＯＬＥＤ特性測定用電圧は「ＯＬＥＤ特性測定用電圧＜有機ＥＬ素子ＯＬＥＤの閾値電圧＋トランジスタＴ２の閾値電圧」を満たすように設定される。

電圧測定期間Ｔｄには、走査線Ｇ１（ｉ）は非アクティブな状態とされ、モニタ制御線Ｇ２（ｉ）はアクティブな状態とされる。これにより、トランジスタＴ１はオフ状態となり、トランジスタＴ３はオン状態となる。この状態で、データ線Ｓ（ｊ）に定電流Ｉ＿ＦＩＸが供給される。定電流Ｉ＿ＦＩＸは、ＴＦＴ特性測定時には画素回路１０２からソースドライバ３０へと流れ、ＯＬＥＤ特性測定時にはソースドライバ３０から画素回路１０２へと流れる。検出準備期間Ｔａにデータ線Ｓ（ｊ）に対してＴＦＴ特性測定用電圧が印加されている場合には、ハイレベル電源電圧ＥＬＶＤＤを有する電極からトランジスタＴ２、Ｔ３を通過する電流がデータ線Ｓ（ｊ）に向かって流れる。検出準備期間Ｔａにデータ線Ｓ（ｊ）に対してＯＬＥＤ特性測定用電圧が印加されている場合には、データ線Ｓ（ｊ）からトランジスタＴ３と有機ＥＬ素子ＯＬＥＤとを通過する電流がローレベル電源電圧ＥＬＶＳＳを有する電極に流れる。ソースドライバ３０内の電圧モニタ部３３０は、この電圧測定期間Ｔｄに、データ線Ｓ（ｊ）上の所定の位置（図２１の節点３３３）の電圧を測定する。

データ電圧書き込み期間Ｔｃには、走査線Ｇ１（ｉ）はアクティブな状態とされ、モニタ制御線Ｇ２（ｉ）は非アクティブな状態とされる。これにより、トランジスタＴ１はオン状態となり、トランジスタＴ３はオフ状態となる。また、データ電圧書き込み期間Ｔｃには、データ線Ｓ（ｊ）には目標輝度に応じたデータ電圧が印加される。これにより、トランジスタＴ２はオン状態となる。その結果、トランジスタＴ２を介して有機ＥＬ素子ＯＬＥＤに駆動電流が供給され、当該駆動電流に応じた輝度で有機ＥＬ素子ＯＬＥＤが発光する。

以上のように、補償演算処理のために電流の測定に代えて電圧の測定を行う構成を採用した場合にも、ＴＦＴ特性やＯＬＥＤ特性を取得することができ、その取得した情報に基づいて画像データＶＤｂに対して補償演算処理を施すことが可能となる。これにより、補償演算処理のために電圧の測定を行う構成を採用した有機ＥＬ表示装置において、消費電力の増大を抑制しつつ有機ＥＬ素子ＯＬＥＤの温度による劣化（発光効率の低下）に起因する輝度低下を抑制することが可能となる。

＜７．その他＞
本発明は、上記実施形態および上記各変形例に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で種々変形して実施することができる。例えば、上記実施形態および上記各変形例においては有機ＥＬ表示装置を例に挙げて説明したが、電流で駆動される自発光型表示素子を備えた表示装置であれば、有機ＥＬ表示装置以外の表示装置にも本発明を適用することができる。

また、上記実施形態および上記各変形例では、画素回路１０２（図３参照）内のトランジスタとしてｎチャネル型のトランジスタを採用しているが、ｐチャネル型のトランジスタを採用することもできる。

本願は、２０１５年１２月１４日に出願された「表示装置およびその駆動方法」という名称の日本出願２０１５−２４２８４８号に基づく優先権を主張する出願であり、この日本出願の内容は、引用することによって本願の中に含まれる。

１０…有機ＥＬパネル
２０…制御部
３０…ソースドライバ
５０，１２０…温度センサ
１００…表示部
１０２…画素回路
１１０…ゲートドライバ
２１０…パラメータ計算部
２２０…第１の温度補正部
２３０…パラメータテーブル
２４０…第２の温度補正部
２５０…モニタ制御部
２６０…補償演算処理部
３１０…データ線駆動部
３２０…電流モニタ部
３３０…電圧モニタ部
Ｔ１〜Ｔ３…トランジスタ
Ｃｓｔ…コンデンサ
ＯＬＥＤ…有機ＥＬ素子
Ｇ１（１）〜Ｇ１（Ｎ）…走査線
Ｇ２（１）〜Ｇ２（Ｎ）…モニタ制御線
Ｓ（１）〜Ｓ（Ｍ）…データ線
ＭＣＴＬ…モニタ制御信号
ＭＯ…モニタデータ
ＴＥ…温度データ
ＴＩ…時間データ

Claims (11)

1. 電流によって輝度が制御される電気光学素子および前記電気光学素子に供給すべき電流を制御するための駆動トランジスタを回路素子として含む複数個の画素回路を備えた表示装置であって、
   前記回路素子の特性を測定する特性測定処理と、前記複数個の画素回路を駆動する駆動処理とを行う画素回路駆動部と、
   前記特性測定処理での測定結果に基づいて得られる特性データを保持する特性データ記憶部と、
   前記特性データ記憶部に保持されている特性データに基づいて入力映像信号を補正することによって、前記複数個の画素回路に供給すべき映像信号を生成する補償演算処理部と、
   温度を検出する温度検出部と、
   前記温度検出部によって検出された検出温度に応じて、前記特性測定処理の実行頻度を制御する測定制御部と、
   前記特性測定処理での測定結果に基づいて得られた特性データの値を、前記温度検出部により検出された該特性測定処理時の温度に基づき標準温度に対応する値に補正し、補正後の特性データを前記特性データ記憶部に格納する第１の特性データ補正部と、
   前記特性データ記憶部に保持されている特性データの値を、前記温度検出部により検出された前記駆動処理時の温度に対応する値に補正する第２の特性データ補正部と
   を備え、
   前記測定制御部は、前記検出温度が高いほど前記特性測定処理の実行頻度を高くし、
   前記補償演算処理部は、前記第２の特性データ補正部による補正後の特性データに基づいて前記入力映像信号を補正することによって、前記複数個の画素回路に供給すべき映像信号を生成することを特徴とする、表示装置。
2. 前記測定制御部は、温度と前記特性測定処理の実行頻度との関係を表す第１の関係式を予め保持し、前記検出温度に基づいて前記第１の関係式から前記特性測定処理の実行頻度を決定することを特徴とする、請求項１に記載の表示装置。
3. 前記複数個の画素回路の累積駆動時間を計測する累積駆動時間計測部を更に備え、
   前記測定制御部は、前記累積駆動時間が短いほど前記特性測定処理の実行頻度を高くすることを特徴とする、請求項１に記載の表示装置。
4. 前記測定制御部は、前記累積駆動時間と前記特性測定処理の実行頻度との関係を表す第２の関係式を予め保持し、前記累積駆動時間に基づいて前記第２の関係式から前記特性測定処理の実行頻度を決定することを特徴とする、請求項３に記載の表示装置。
5. 前記温度検出部は、複数個設けられていることを特徴とする、請求項１に記載の表示装置。
6. 前記温度検出部は、前記複数個の画素回路を含む表示パネルの内部に設けられていることを特徴とする、請求項１に記載の表示装置。
7. 前記温度検出部は、前記複数個の画素回路を含む表示パネルの外部に設けられていることを特徴とする、請求項１に記載の表示装置。
8. 前記電気光学素子は、有機発光ダイオードであることを特徴とする、請求項１に記載の表示装置。
9. 前記特性データは、前記駆動トランジスタのオフセット値および前記駆動トランジスタのゲイン値を含み、
   前記温度検出部により検出された前記特性測定処理時の温度が標準温度よりも高い場合には、前記第１の特性データ補正部は、前記特性測定処理での測定結果に基づいて得られたオフセット値を補正によって大きくして補正後のオフセット値を前記特性データ記憶部に格納し、かつ、前記特性測定処理での測定結果に基づいて得られたゲイン値を補正によって大きくして補正後のゲイン値を前記特性データ記憶部に格納し、
   前記温度検出部により検出された前記特性測定処理時の温度が標準温度よりも低い場合には、前記第１の特性データ補正部は、前記特性測定処理での測定結果に基づいて得られたオフセット値を補正によって小さくして補正後のオフセット値を前記特性データ記憶部に格納し、かつ、前記特性測定処理での測定結果に基づいて得られたゲイン値を補正によって小さくして補正後のゲイン値を前記特性データ記憶部に格納することを特徴とする、請求項１に記載の表示装置。
10. 前記特性データは、前記電気光学素子のオフセット値および前記電気光学素子の劣化補正係数を含み、
    前記温度検出部により検出された前記特性測定処理時の温度が標準温度よりも高い場合には、前記第１の特性データ補正部は、前記特性測定処理での測定結果に基づいて得られたオフセット値を補正によって大きくして補正後のオフセット値を前記特性データ記憶部に格納し、かつ、前記特性測定処理での測定結果に基づいて得られた劣化補正係数を補正によって小さくして補正後の劣化補正係数を前記特性データ記憶部に格納し、
    前記温度検出部により検出された前記特性測定処理時の温度が標準温度よりも低い場合には、前記第１の特性データ補正部は、前記特性測定処理での測定結果に基づいて得られたオフセット値を補正によって小さくして補正後のオフセット値を前記特性データ記憶部に格納し、かつ、前記特性測定処理での測定結果に基づいて得られた劣化補正係数を補正によって大きくして補正後の劣化補正係数を前記特性データ記憶部に格納することを特徴とする、請求項１に記載の表示装置。
11. 電流によって輝度が制御される電気光学素子および前記電気光学素子に供給すべき電流を制御するための駆動トランジスタを回路素子として含む複数個の画素回路を備えた表示装置の駆動方法であって、
    前記回路素子の特性を測定する特性測定処理を行いつつ前記複数個の画素回路を駆動する画素回路駆動ステップと、
    前記特性測定処理での測定結果に基づいて得られる特性データを所定の特性データ記憶部に格納する特性データ記憶ステップと、
    前記特性データ記憶部に保持されている特性データに基づいて入力映像信号を補正することによって、前記複数個の画素回路に供給すべき映像信号を生成する補償演算処理ステップと、
    温度を検出する温度検出ステップと、
    前記温度検出ステップで検出された検出温度に応じて、前記特性測定処理の実行頻度を制御する測定制御ステップと、
    前記特性測定処理での測定結果に基づいて得られた特性データの値を、前記温度検出ステップで検出された該特性測定処理時の温度に基づき標準温度に対応する値に補正し、補正後の特性データを前記特性データ記憶部に格納する第１の特性データ補正ステップと、
    前記特性データ記憶部に保持されている特性データの値を、前記温度検出ステップで検出された前記複数個の画素回路を駆動する時の温度に対応する値に補正する第２の特性データ補正ステップと
    を含み、
    前記測定制御ステップでは、前記検出温度が高いほど前記特性測定処理の実行頻度が高められ、
    前記補償演算処理ステップでは、前記第２の特性データ補正ステップによる補正後の特性データに基づいて前記入力映像信号を補正することによって、前記複数個の画素回路に供給すべき映像信号が生成されることを特徴とする、駆動方法。

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