JP6654094B2 - センサモジュール及びセンサ装置の製造方法 - Google Patents

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Description

本発明は、センサモジュール及びセンサ装置の製造方法に関する。
従来の技術として、センサモジュール、コネクタ接続部及び取り付け部が絶縁性樹脂により一体に成形されたセンサ本体部を備えたセンサ装置が知られている(例えば、特許文献1参照。)。
このセンサモジュールは、リードフレームの部品実装面が露出するように絶縁性樹脂によってモールド樹脂部が成形され、この部品実装面にセンサエレメントが実装される。
特開2007−286015号公報
従来のセンサ装置のように、樹脂で封止されたセンサモジュールをさらに樹脂によるインサート成形を行う場合、センサモジュールと金型の位置ずれが生じると検出精度の低下やコネクタ接続部にコネクタが接続できないなどの不具合が生じる可能性がある。
従って本発明の目的は、センサモジュールをさらにインサート成形する際の金型とセンサモジュールの位置ずれを抑制するセンサモジュール及びセンサ装置の製造方法を提供することにある。
本発明の一態様は、検出対象の物理量を測定するセンサ素子と、インサート成形によってセンサ装置を形成する際の金型との位置決め用の複数の貫通孔が形成されたリードフレームと、リードフレームの複数の貫通孔が露出する複数の第1の切欠部が形成されるように、リードフレーム、及びセンサ素子を含む電子回路を封止樹脂によって封止した封止体と、を備えたセンサモジュールを提供する。
本発明によれば、センサモジュールをさらにインサート成形する際の金型とセンサモジュールの位置ずれを抑制することができる。
図1(a)は、実施の形態に係るセンサモジュールの一例を示す上面図であり、図1(b)は、センサモジュールの一例を示す側面図である。 図2は、実施の形態に係るセンサモジュールがインサート成形されたセンサ装置の一例を示す概略図である。 図3は、実施の形態に係るセンサモジュールがインサート成形される際にセットされる金型のキャビティ型の一例を示す概略図である。 図4(a)〜図4(c)は、実施の形態に係るセンサ装置の製造方法の一例を示す概略図である。
(実施の形態の要約)
実施の形態に係るセンサモジュールは、検出対象の物理量を測定するセンサ素子と、インサート成形によってセンサ装置を形成する際の金型との位置決め用の複数の貫通孔が形成されたリードフレームと、リードフレームの複数の貫通孔が露出する複数の第1の切欠部が形成されるように、リードフレーム、及びセンサ素子を含む電子回路を封止樹脂によって封止した封止体と、を備えて概略構成されている。
センサモジュールは、金型との位置決め用の複数の貫通孔を備えているので、この構成を採用しない場合と比べて、センサモジュールをさらにインサート成形する際の金型とセンサモジュールの位置ずれを抑制することができる。
[実施の形態]
(センサモジュール1の概要)
図1(a)は、実施の形態に係るセンサモジュールの一例を示す上面図であり、図1(b)は、センサモジュールの一例を示す側面図である。図2は、実施の形態に係るセンサモジュールがインサート成形されたセンサ装置の一例を示す概略図である。なお、以下に記載する実施の形態に係る各図において、図形間の比率は、実際の比率とは異なる場合がある。
センサモジュール1は、図1(a)、図1(b)及び図2に示すように、検出対象の物理量を測定するセンサ素子30と、インサート成形によってセンサ装置8を形成する際の金型との位置決め用の複数の貫通孔が形成されたリードフレーム4と、リードフレーム4の複数の貫通孔が露出する複数の第1の切欠部が形成されるように、リードフレーム4、及びセンサ素子30を含む電子回路3を封止樹脂によって封止した封止体7と、を備えて概略構成されている。
またセンサモジュール1は、センサ素子30が表面20aに配置されると共にリードフレーム4が裏面20bに接合され、複数の貫通孔及び複数の第1の切欠部に応じた複数の第2の切欠部を有する基板2を備えている。
この複数の貫通孔は、リードフレーム4の貫通孔41〜貫通孔44である。この貫通孔41〜貫通孔44は、本来は封止体7が形成する場所に形成されている。複数の第1の切欠部は、封止体7の切欠部71〜切欠部74である。複数の第2の切欠部は、基板2の切欠部21〜切欠部24である。なお貫通孔の数は、4つに限定されず、後述する金型との位置決めが可能な少なくとも2つ以上であれば良い。
(基板2の構成)
基板2は、矩形状を有し、リードフレーム4の貫通孔41〜貫通孔44に対応する4つの隅に切欠部21〜切欠部24を有している。この切欠部21〜切欠部24は、例えば、図1(a)の上面視において正方形を有している。上述のようにリードフレーム4の貫通孔の数は、4つに限定されない。従って基板2の切欠部は、貫通孔に応じて4つの隅の少なくとも2つ以上に形成される。
この基板2は、例えば、プリント配線基板である。この基板2の表面20aには、センサ素子30を有する電子回路3が形成されている。また基板2の裏面20bには、リードフレーム4が接合されている。この接合は、一例として、接着剤によって行われるが溶接や半田による接合であっても良い。
電子回路3は、図1(a)に示すように、コネクタ端子5と電気的に接続されている。この電気的な接続は、例えば、ボンディングワイヤ法による金属性のワイヤ6を介して行われている。
(電子回路3の構成)
電子回路3は、一例として、センサ素子30、及びセンサ素子30の出力信号を増幅する増幅回路などを含んで構成されている。
センサ素子30は、検出した物理量を電気的な量に変換するセンサである。センサ素子30は、一例として、検出対象の接近に伴う磁場の変化を電気的な量に変換する磁気抵抗センサやホールセンサなどの磁気センサである。
なお変形例としてセンサ素子30は、例えば、加速度センサ素子、圧力センサ素子などであっても良い。
(リードフレーム4の構成)
図3は、実施の形態に係るセンサモジュールがインサート成形される際にセットされる金型のキャビティ型の一例を示す概略図である。
リードフレーム4は、例えば、打ち抜きやエッチングなどにより、細長い板形状に形成されている。またリードフレーム4は、例えば、アルミニウム、銅などの導電性を有する金属材料、又は真鍮などの合金材料を用いて形成される。なおリードフレーム4は、例えば、錫、ニッケル、金、銀などの金属材料を用いたメッキ処理が表面に施されていても良い。
リードフレーム4は、図1(a)及び図1(b)に示すように、基板2に接合されている。このリードフレーム4は、例えば、1枚の板であっても良いし、複数の板であっても良い。
このリードフレーム4は、4つの隅に円形状の貫通孔41〜貫通孔42が形成されている。この貫通孔41〜貫通孔44には、一例として、図3に示すように、金型9のキャビティ型90のキャビティ91に設けられたピン911〜ピン914が挿入される。なお貫通孔41〜貫通孔44の形状は、円形状に限定されず、矩形状などであっても良い。
リードフレーム4は、表面40の4つの隅が基板2の切欠部21〜切欠部24、及び封止体7の切欠部71〜切欠部74が形成されることにより、貫通孔41〜貫通孔44が露出している。
(コネクタ端子5の構成)
コネクタ端子5は、図1(a)及び図1(b)に示すように、封止体7の一側面から並んで突出している。このコネクタ端子5は、リードフレーム4と同じ材料で形成された7本のリードフレームを加工して形成されている。
コネクタ端子5は、電子回路3とワイヤ6を介して電気的に接続されている。そしてコネクタ端子5は、センサ装置8が接続されるコネクタのメス端子に挿入されるオス端子となる。
(封止体7の構成)
封止体7は、上述のように、モールド成形によって基板2、電子回路3及びリードフレーム4を一体とするものである。この封止体7は、例えば、PPS(Poly Phenylene Sulfide)樹脂やエポキシ樹脂を主成分に、シリカ充填材などを加えた熱硬化性成形材料が硬化したものである。本実施の形態では、熱硬化性成形材料としてエポキシ樹脂が使用される。封止体7は、例えば、主にセンサ素子30などを光、熱及び湿度などの環境から保護している。
この封止体7には、切欠部71〜切欠部74が形成されている。切欠部71及び切欠部72は、図1(a)に示すように、切欠部73及び切欠部74と形状が異なっている。
切欠部71及び切欠部72は、基板2の切欠部21及び切欠部22と同様に、図1(a)の上面視において正方形となっている。一方切欠部73及び切欠部74は、封止体7が基板2及びリードフレーム4とコネクタ端子5とを一体とするためにコネクタ端子5側に延長された矩形状となっている。
なお封止体7は、基板2、電子回路3及びリードフレーム4の周囲を覆うように形成されても良い。
(センサ装置8の構成)
センサ装置8は、例えば、図2に示すように、本体80と、コネクタ部85と、を備えて概略構成されている。本体80及びコネクタ部85は、例えば、PPSなどの樹脂材料により形成されている。
本体80には、センサモジュール1がインサート成形されている。そして本体80は、例えば、図2に示すように、側面部81及び側面部82の上部に後述する金型のピンによって形成されたピン抜部83がピンに応じて形成されている。
このセンサ装置8は、例えば、磁性体が取り付けられた操作部の接近を検出する。この操作部は、一例として、ブレーキペダルなどである。
コネクタ部85は、筒形状を有している。このコネクタ部85には、センサモジュール1のコネクタ端子5が露出している。センサモジュール1をインサート成形した場合、金型9とセンサモジュール1との位置合わせが適切に行われないと、コネクタ端子5とコネクタ部85との相対的な位置が設計と異なり、コネクタがコネクタ部85に接続できない不具合が生じることがある。
(金型9の構成)
金型9は、一例として、図3に示すように、本体80の下部を形成するキャビティ型90と、本体80の上部を形成するコア部と、を備えて概略構成されている。
このキャビティ型90には、センサモジュール1の貫通孔41〜貫通孔44に挿入されるピン911〜ピン914が設けられている。このピン911及びピン914は、本体80の側面部81を形成するための側面凸形成部92の配置面920に設けられている。またピン912及びピン913は、側面部81の反対側の側面部82を形成するための側面凸形成部93の配置面930に設けられている。
センサモジュール1は、貫通孔41〜貫通孔44にピン911〜ピン914が挿入されると共に、下面11が配置面920及び配置面930に接触することでキャビティ型90に位置決めされる。
以下に、本実施の形態のセンサ装置8の製造方法について図4(a)〜図4(c)を参照しながら説明する。
(センサ装置8の製造方法)
センサ装置8の製造方法は、リードフレームに設けられた複数の貫通孔が露出する複数の第1の切欠部が形成されるように、リードフレーム、及びセンサ素子を含む電子回路を封止した封止体を有するセンサモジュールを準備し、金型の一方のキャビティ内に設けられた複数のピンをリードフレームの複数の貫通孔に挿入して金型の一方とセンサモジュールとの位置決めを行い、金型の他方を金型の一方と密着させて金型の内部に封止樹脂を射出して形成する方法である。
具体的には、図4(a)に示すように、リードフレーム4に設けられた貫通孔41〜貫通孔44が露出する切欠部71〜切欠部74が形成されるように、リードフレーム4、及びセンサ素子30を含む電子回路3を封止した封止体7を有するセンサモジュール1を準備する。なお本実施の形態のセンサモジュール1は、貫通孔41〜貫通孔44に対応する切欠部21〜切欠部24を有する基板2を備えている。
次に図4(b)に示すように、金型9の一方のキャビティ91内に設けられたピン911〜ピン914をリードフレーム4の貫通孔41〜貫通孔44に挿入してキャビティ型90とセンサモジュール1との位置決めを行う。
次に図4(c)に示すように、金型9の他方であるコア型95をキャビティ型90と密着させて金型9の内部に封止樹脂を射出し、この封止樹脂を硬化させて図2に示すセンサ装置8を形成する。
(実施の形態の効果)
本実施の形態に係るセンサモジュール1は、センサモジュール1をさらにインサート成形する際の金型9とセンサモジュール1の位置ずれを抑制することができる。このセンサモジュール1は、本来は基板2及び封止体7によって露出することがない貫通孔41〜貫通孔44が形成されると共に、この貫通孔41〜貫通孔44に金型9のキャビティ型90のピン911〜ピン914が挿入できるように基板2に切欠部21〜切欠部24が形成され、また封止体7に切欠部71〜切欠部74が形成されている。従ってセンサモジュール1は、金型9との位置決めが容易となり、この構成を採用しない場合と比べて、センサモジュール1をさらにインサート成形してセンサ装置8を製造する際の金型9との位置ずれを抑制することができる。
センサモジュール1は、金型9との位置ずれが抑制されるので、コネクタ部85とコネクタ端子5との相対的な位置ずれが抑制され、相手方のコネクタがコネクタ部85に接続できないなどの不具合を抑制することができる。
位置決め用の貫通孔は、コネクタ端子の配置や形状によっては形成できなかったり、形成できても強度が低下して封止樹脂の射出圧やコネクタの接続によって折れたり、変形する可能性がある。しかしセンサモジュール1は、コネクタ端子と比べて、貫通孔を形成しても強度が低下し難いリードフレーム4であって、さらに本来は封止体7が形成される場所に貫通孔が形成されているので、封止樹脂の射出圧や封止樹脂の硬化の際の応力によるリードフレーム4の変形を抑制することができる。
センサ素子が封止体によって覆われている場合、金型とセンサ素子との相対的な位置を合わせ難く、位置ずれが累積されて大きくなる。しかしセンサモジュール1は、センサ素子30に近い位置に貫通孔41及び貫通孔42を有しているので、センサ素子30と貫通孔41及び貫通孔42の位置ずれが離れている場合よりも小さい。従ってセンサモジュール1は、金型9とセンサ素子30との相対的な位置を高い精度で合わせることができる。そしてセンサ装置8は、金型9とセンサ素子30との位置が高い精度で合っているので、センサ素子30と本体80との相対的な位置ずれが抑制され、高い精度で検出対象を検出することができる。
なお変形例として、センサモジュール1は、基板2を備えず、リードフレーム4に電子回路3が形成される構成であっても良い。この場合、リードフレーム4は、電子回路3の配線として機能するので、電子回路3に応じて複数のリードフレームから構成される。そして配置された複数のリードフレームの隅に貫通孔が形成される。
以上、本発明のいくつかの実施の形態及び変形例を説明したが、これらの実施の形態及び変形例は、一例に過ぎず、特許請求の範囲に係る発明を限定するものではない。これら新規な実施の形態及び変形例は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、本発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更などを行うことができる。また、これら実施の形態及び変形例の中で説明した特徴の組合せの全てが発明の課題を解決するための手段に必須であるとは限らない。さらに、これら実施の形態及び変形例は、発明の範囲及び要旨に含まれると共に、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。
1…センサモジュール、2…基板、3…電子回路、4…リードフレーム、5…コネクタ端子、6…ワイヤ、7…封止体、8…センサ装置、9…金型、11…下面、20a…表面、20b…裏面、21〜24…切欠部、30…センサ素子、40…表面、41〜44…貫通孔、71〜74…切欠部、80…本体、81,82…側面部、83…ピン抜部、85…コネクタ部、90…キャビティ型、91…キャビティ、92,93…側面凸形成部、95…コア型、911〜914…ピン、920,930…配置面

Claims (3)

  1. 検出対象の物理量を測定するセンサ素子と、
    インサート成形によってセンサ装置を形成する際の金型との位置決め用の複数の貫通孔が形成されたリードフレームと、
    前記センサ素子が表面に配置されると共に前記リードフレームが裏面に接合され、前記複数の貫通孔に応じた複数の第2の切欠部を有する基板と、
    前記リードフレームの前記複数の貫通孔が露出すると共に前記複数の第2の切欠部に応じた複数の第1の切欠部が形成されるように、前記基板、前記リードフレーム、及び前記センサ素子を含む電子回路を封止樹脂によって封止した封止体と、
    を備えたセンサモジュール。
  2. 前記基板は、矩形状を有し、前記複数の貫通孔に対応する4つの隅の少なくとも2つの隅に前記第2の切欠部を有する、
    請求項に記載のセンサモジュール。
  3. リードフレームに設けられた複数の貫通孔が露出する複数の第1の切欠部が形成されるように、検出対象の物理量を測定するセンサ素子が表面に配置されると共に前記リードフレームが裏面に接合され、前記複数の貫通孔及び前記複数の第1の切欠部に応じた複数の第2の切欠部を有する基板、前記リードフレーム、及び前記センサ素子を含む電子回路を封止した封止体を有するセンサモジュールを準備し、
    金型の一方のキャビティ内に設けられた複数のピンを前記リードフレームの前記複数の貫通孔に挿入して前記金型の一方と前記センサモジュールとの位置決めを行い、
    前記金型の他方を前記金型の一方と密着させて前記金型の内部に封止樹脂を射出して形成する、
    センサ装置の製造方法。
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