JP6645830B2 - 荷電粒子ビーム試料作製におけるカーテニングを低減させる方法およびシステム - Google Patents
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Description
・SEMに対して90度の角度で、最小限のカーテニングで観察することができる、HAR相互接続の深さ全体にわたる断面
・相互接続ホールを、最上部から最下部まで、SEMに対して90度の角度で、最小限のカーテニングで観察すること、さらに、ホールの垂直3D再構成を可能にすること
・試料の真の平面視
図8Aは、カーテニング効果を受けた試料断面を示す図である。この例では、断面が、垂直に向けられたFIBによって上下方向へミリングされた。密度が変化する繰返し構造体はカーテニング効果の原因となる。密度が変化する構造体は異なるミル速度を示す傾向があるためである。例えば、スルー・シリコン・バイア(TSV)などのホール102は、周囲のシリコン基板とは異なる密度を有する。カーテニングは、ある列の2つのホール間のエリアでFIBが走査されたときと、事実上ホールの下の列をミリングする、同じ列のホールにわたってFIBが走査されたときのミル速度の差によって引き起こされる。すなわち、FIBは、それぞれの走査においておおよそ同じ位置で、シリコンまたはホールの上を通る。これによって、ホールが存在する走査の位置は、ホールのない走査の位置よりも速くミリングされる。
Claims (10)
- 観察するために試料中の構造体の一部分を荷電粒子ビーム・システム内で露出させる方法であって、
バルク試料から、繰り返し配置された複数の高アスペクト比構造体を含む試料を抜き出すこと、
問題があるカーテニング効果の原因となる複数の高アスペクト比構造体を識別すること、
前記複数の高アスペクト比構造体の形状を分析すること、
前記複数の高アスペクト比構造体にわたってカーテニングを分散させるエイリアシング効果を最適化するためにミリング角度を傾斜させること、
前記複数の高アスペクト比構造体を露出させるために前記試料をミリングするときに、ホルダが、カーテニングを低減させる向きに前記試料を向かわせるように、前記試料を前記荷電粒子ビーム・システム内の前記ホルダに装着すること、
前記複数の高アスペクト比構造体にわたってカーテニングを分散させるエイリアシング効果を最適化させることによってカーテニングを低減させる方向に前記試料をミリングすることによって前記複数の高アスペクト比構造体を露出させること、および
前記複数の高アスペクト比構造体を画像化すること
を含む方法。 - カーテニングを低減させる方向に前記試料をミリングすることが、前記ホルダを回転させることを含む、請求項1に記載の方法。
- バルク試料から試料を抜き出すことが、少なくとも1本の回転軸を軸にして前記試料を回転させる能力を有するナノマニピュレータまたは他の装置を使用して、前記バルク試料から前記試料を抜き出すことを含む、請求項1または2に記載の方法。
- 前記高アスペクト比構造体が高アスペクト比ホールを含む、請求項1から3のいずれか一項に記載の方法。
- 前記試料をミリングすることが、イオン・ビームまたは電子ビームを用いて前記構造体をミリングすることを含む、請求項1から4のいずれか一項に記載の方法。
- 前記複数の高アスペクト比構造体を画像化することが、前記試料のミリングされた表面中の前記複数の高アスペクト比構造体を観察することを含む、請求項1から5のいずれか一項に記載の方法。
- バルク試料から、繰り返し配置された複数の高アスペクト比構造体を含む試料を抜き出し、
問題があるカーテニング効果の原因となる複数の高アスペクト比構造体を識別し、
前記複数の高アスペクト比構造体の形状を分析し、
前記複数の高アスペクト比構造体にわたってカーテニングを分散させるエイリアシング効果を最適化するためにミリング角度を傾斜させ、
試料プローブに前記試料を装着し、
観察するために前記試料中の前記複数の高アスペクト比構造体を露出させるために前記試料をミリングするときにカーテニングを低減させる向きに前記試料を配置し、
前記複数の高アスペクト比構造体にわたってカーテニングを分散させるエイリアシング効果を最適化させることによってカーテニングを低減させる方向に前記試料をミリングすることによって前記複数の高アスペクト比構造体を露出させ、
前記複数の高アスペクト比構造体を画像化する
ようにプログラムされた荷電粒子ビーム・システム。 - バルク試料から試料を抜き出すナノマニピュレータをさらに備える、請求項7に記載の荷電粒子ビーム・システム。
- 前記ナノマニピュレータが、前記バルク試料から前記試料プローブへ前記試料を移送するように適合された、請求項8に記載の荷電粒子ビーム・システム。
- 前記1つまたは複数の荷電粒子ビーム・カラムがイオン・ビーム・カラムまたは電子ビーム・カラムである、請求項7から9のいずれか一項に記載の荷電粒子ビーム・システム。
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