JP6640997B2 - Particle therapy equipment - Google Patents
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Description
この発明は、スキャニング照射で粒子線を照射して癌の治療を行う粒子線治療装置に関するものである。
BACKGROUND OF THE
従来の粒子線治療装置においては、加速器の出射点から照射点(アイソセンター)まで、媒質の散乱の影響が小さければ、偏向電磁石、四極電磁石、ドリフトスペースのビーム光学に従い、ビーム半径rは以下のとおり表わせる。
r=√(ε・β)In the conventional particle beam therapy apparatus, if the influence of the scattering of the medium is small from the emission point of the accelerator to the irradiation point (isocenter), the beam radius r is calculated according to the beam optics of the bending electromagnet, the quadrupole electromagnet, and the drift space as follows. It can be expressed as follows.
r = √ (ε · β)
ここで、εはビームエミッタンス、βはベータトロン関数である。加速器からのビームが時間によらず一定で、ビーム輸送系電磁石のパラメータが、xy方向(ビームが進む方向に垂直方向)に一定であるなら、アイソセンターでの半径は時間によらず一定である。アイソセンターでのビーム半径rに合わせて、ビーム輸送系の光学パラメータ(四極電磁石電流)を制御し、βを設定する。 Here, ε is a beam emittance, and β is a betatron function. If the beam from the accelerator is constant regardless of time and the parameters of the beam transport electromagnet are constant in the xy direction (perpendicular to the direction in which the beam travels), the radius at the isocenter is constant regardless of time. . The optical parameter (quadrupole magnet current) of the beam transport system is controlled according to the beam radius r at the isocenter, and β is set.
しかしながら、ビームを取り出すとき、出射制御に従い時間とともに、エネルギーに変更があると、ビーム中心位置が変わり、例えば、偏向電磁石の四極成分が変わるなど、ビーム半径rは、以下のように表せる。
r(t)=√(ε・β(t))However, when taking out the beam, if the energy is changed with time according to the emission control, the beam center position changes, for example, the quadrupole component of the bending electromagnet changes, and the beam radius r can be expressed as follows.
r (t) = √ (ε · β (t))
ここで、時間tとともに変化するベータトロン関数β(t)を以下、
β(t)=β0(1+k(t))、β(0)=β0
とし、また、時間t=0のビーム半径r(0)を
r(0)=r0=√(ε・β0)
とすると、r(t)は以下のようになる。
r(t)=√(ε・β(t))
=√(ε・β0(1+k(t))
=r0√(1+k(t))Here, the betatron function β (t) that changes with time t is
β (t) = β 0 (1 + k (t)), β (0) = β 0
And the beam radius r (0) at time t = 0 is given by r (0) = r 0 = √ (ε · β 0 )
Then, r (t) is as follows.
r (t) = √ (ε · β (t))
= √ (ε · β 0 (1 + k (t))
= R 0 √ (1 + k (t))
その結果、ビーム半径rは時間tに従い変化するため、アイソセンターでの照射線量が計画した値を得られないという問題があった。そこで、例えば、特許文献1では、四極電磁石で電流を制御し、ビーム径を安定にする方法が開示されている。
As a result, since the beam radius r changes with time t, there is a problem in that the irradiation dose at the isocenter cannot obtain a planned value. Therefore, for example,
しかしながら、四極電磁石で電流を制御する場合には、ビーム径変動データからビーム径を安定化させるためには、四極電磁石電流をどう変化させるか算出させる計算機(パターンデータ作成計算機システム)、そのデータを逐次四極電磁石電源に設定する装置(パターンデータ設定制御装置)、及び設定変動に即座に反応する早い電源装置(パターン電源)が必要であり、装置が複雑になるという問題があった。 However, when controlling the current with a quadrupole electromagnet, in order to stabilize the beam diameter from the beam diameter fluctuation data, a computer (pattern data creation computer system) for calculating how to change the quadrupole electromagnet current is used. A device (pattern data setting control device) for successively setting the quadrupole electromagnet power supply and a fast power supply device (pattern power supply) that responds immediately to the setting change are required, and there has been a problem that the device becomes complicated.
この発明は、上記のような課題を解決するためになされたものであり、四極電磁石で電流を制御する場合であっても、簡便な装置で照射線量を精度よく得られる粒子線治療装置を提供することを目的としている。 The present invention has been made in order to solve the above-described problems, and provides a particle beam therapy apparatus capable of accurately obtaining an irradiation dose with a simple apparatus even when the current is controlled by a quadrupole electromagnet. It is intended to be.
この発明の粒子線治療装置は、荷電粒子ビームを絞る電磁石と、前記荷電粒子ビームをビーム軸に垂直な方向に走査するスキャニング電磁石と、前記スキャニング電磁石により走査する前記荷電粒子ビームであって、前記電磁石により目標ビーム径よりも小さなビーム径に所定の絞り係数に従い絞られた後の前記荷電粒子ビームを、前記目標ビーム径まで拡大する散乱体と、を備え、スキャニング照射で前記荷電粒子ビームを患部へ照射することを特徴とするものである。 The particle beam therapy apparatus according to the present invention is an electromagnet that narrows a charged particle beam, a scanning electromagnet that scans the charged particle beam in a direction perpendicular to a beam axis, and the charged particle beam that is scanned by the scanning electromagnet , the charged particle beam after it has been down in accordance with predetermined restriction factor than the target beam diameter smaller beam diameter by the electromagnet, a scatterer for enlarging to the target beam diameter, Bei give a, the charged particle beam scanning irradiation It is characterized by irradiating the affected part .
この発明によれば、荷電粒子ビームのビーム径を小さく絞った後、散乱体を用いて目的のビーム径まで広げることで、簡便にビーム径を安定化させることができる。 According to the present invention, the beam diameter of the charged particle beam can be easily stabilized by narrowing the beam diameter of the charged particle beam to a target beam diameter using a scatterer.
実施の形態1.
図1は、この発明の実施の形態1による粒子線治療装置100の構成を示す模式図である。図1に示すように、粒子線治療装置100は、荷電粒子ビームの供給源として、シンクロトロンである円形加速器20(以降、単に加速器と称する)と、治療室毎に設けられた照射装置13を備える照射系40と、加速器20と各治療室とをつなぎ、加速器20から荷電粒子ビームを各治療室の照射装置13に輸送する輸送系30とを備えている。そして、本発明の実施の形態1にかかる粒子線治療装置100に特徴的な構成は、各治療室に設けた照射装置13を備える照射系40において、輸送系30からの荷電粒子ビームを四極電磁石2g、2h、2iで絞り、スキャニング電磁石7a、7bでビーム軸に垂直方向に走査した後、散乱体8により散乱量を調整することで目標のビーム径にまで広げて、安定化したビームを照射点10に導くようにしたものである。
FIG. 1 is a schematic diagram showing a configuration of a particle
加速器20は、荷電粒子ビームが周回する軌道経路となる真空ダクト11、前段加速器1から供給された荷電粒子を真空ダクト11に入射するための入射装置3、荷電粒子が真空ダクト11内の周回軌道に沿って周回する荷電粒子ビームを形成するよう荷電粒子の軌道を偏向させるための偏向電磁石4a、4b、4c、4d、4e、4f、加速器20内で加速させた荷電粒子ビームを加速器20外に取り出し、輸送系30に出射するための出射装置5等を備えている。なお、偏向電磁石4には、偏向電磁石4の励磁電流を制御する偏向電磁石制御装置というように、各部を制御するための図示しない装置が備えられており、偏向電磁石制御装置などその他のコンポーネントを制御して加速器20全体を制御する加速器制御装置を備えている。ただし、本発明の技術思想においては、加速器20自体の制御を限定するものではないので、上記構成に限ることなく、安定して荷電粒子ビームを輸送系30に出射できるものであれば、種々の変形が許されることはいうまでもない。また、前段加速器1は、図では簡略化のためにひとつの機器のように記載しているが、実際には、陽子、炭素(重粒子)等の荷電粒子(イオン)を発生させるイオン源(イオンビーム発生装置)と、発生された荷電粒子を初期加速する線形加速器系とを備えている。そして、前段加速器1から加速器20に入射した荷電粒子は、高周波数の電界で加速され、磁石で曲げられながら、光速の約70〜80%まで加速される。
The
加速器20により加速された荷電粒子ビームは、HEBT(高エネルギービーム輸送:High Energy Beam Transport)系と称される輸送系30へと出射される。輸送系30は、荷電粒子ビームの輸送経路となる真空ダクト12と、荷電粒子ビームを収束させる四極電磁石2c、2d、2e、2fと、ビームを所定角度に偏向する偏向電磁石4gとを備えている。そして加速器20により十分にエネルギーが与えられ、真空ダクト12により作られた輸送経路内を進む荷電粒子ビームを、四極電磁石2c、2d、2e、2fで収束しながら、偏向電磁石4gで必要に応じて軌道を変え、指定された治療室に設けられた照射装置へと導く。
The charged particle beam accelerated by the
照射系40は、輸送系30から供給された荷電粒子ビームを照射対象である患者の患部の大きさや深さに応じた照射野に成形して患部へ照射する照射装置13を備えたものである。まず、照射装置13では、輸送系30からの荷電粒子ビームを四極電磁石2g、2h、2iで収束させて絞るが、このまま用いると、照射点10においてビーム半径rは時間tとともに変化する。
The
図2は、従来の四極電磁石2g、2h、2iのみを用いてビーム径を制御する粒子線治療装置における荷電粒子ビームの照射点10でのビーム半径の変化を示す。図2に示すように、照射点10において、荷電粒子ビームのビーム半径は、時間t1ではr11であったものが時間t3ではr13に変化する。つまり、荷電粒子ビームのビーム半径は、rbから最大径rb+Δrbまで変動し、ビーム径が時間と伴に変化することがわかる。FIG. 2 shows a change in the beam radius at the
図3は、この発明の実施の形態1による粒子線治療装置100における荷電粒子ビームの照射点10でのビーム半径の制御状態を示す。図3(a)は、荷電粒子ビームが散乱体8を通る前の四極電磁石2g、2h、2iで調整したビーム半径を示し、図3(b)は、四極電磁石2g、2h、2iで調整後の荷電粒子ビームを散乱体8に通した後のビーム半径の変化を示す。
FIG. 3 shows a control state of the beam radius at the
まず、図3(a)に示すように、四極電磁石2g、2h、2iにより荷電粒子ビームのビーム径を、ビーム径絞り係数cに従って、目標のビーム径よりも小さく絞る。このとき、照射点10において、荷電粒子ビームのビーム半径は、時間t1ではr21であったものが時間t3ではr23に変化する。つまり、荷電粒子ビームのビーム半径は、crbから最大半径c(rb+cΔrb)まで変動する。First, as shown in FIG. 3 (a), the beam diameter of the charged particle beam is reduced to be smaller than the target beam diameter by the
なお、粒子線治療装置においては、例えば、均一照射を実施したとき、「線治療装置の物理・技術的QAシステムガイドライン(粒子線QA2015)」(http://www.jastro.or.jp/news/detail.php?eid=00371)で、照射終了時の標的内の線量分布の平坦度が±3%の規格が提示されている。ビーム径の変動に関しての効果を見ると、σ=3mmの分布がガウシアンビームをΔx、Δy=3mmピッチ、各スポット同量で照射すると、図4に示すように均一になる。図4(a)は、上記条件で照射をしたときの線量分布(領域Sa)を示し、図4(b)は、図4(a)のBB線上での線量のプロファイルを示す。 In the particle therapy apparatus, for example, when uniform irradiation is performed, “Physical / technical QA system guidelines for particle therapy apparatus (particle beam QA2015)” (http://www.jastro.or.jp/news) In /detail.php?eid=00371), a standard is proposed in which the flatness of the dose distribution in the target at the end of irradiation is ± 3%. Looking at the effect on the variation of the beam diameter, the distribution of σ = 3 mm becomes uniform as shown in FIG. 4 when the Gaussian beam is irradiated with Δx, Δy = 3 mm pitch and the same amount of each spot. FIG. 4A shows a dose distribution (area Sa) when irradiation is performed under the above conditions, and FIG. 4B shows a dose profile on the BB line in FIG. 4A.
しかしながら、中央のスポットビームのみσ=2.76mmと細くすると、中央が持ち上がり、図5に示すように、均一な照射ができない。図5(a)は、中央のスポットビームのみσ=2.76mmとした場合の線量分布(領域Sb)を示し、図5(b)は、図5(a)のCC線上での線量のプロファイルを示す。図より、線量の上昇分が3%となるため、ビーム径の変動は約8%以内(σ=3mm±0.24mm)に抑える必要があることがわかる。 However, if only the center spot beam is narrowed to σ = 2.76 mm, the center is lifted, and uniform irradiation cannot be performed as shown in FIG. FIG. 5A shows the dose distribution (region Sb) when only the central spot beam has σ = 2.76 mm, and FIG. 5B shows the dose profile on the CC line in FIG. 5A. Is shown. From the figure, it can be understood that the fluctuation of the beam diameter needs to be suppressed within about 8% (σ = 3 mm ± 0.24 mm) because the dose increase is 3%.
図6に、ビーム径絞り係数cを変化させたときの最大ビーム径の値を示す。ビーム径絞り係数cは、絞る前のビーム径を1とした場合の照射点でのビーム径の比率を表す。rb=3mm、Δrb=0.6mmとした。縦軸は散乱体を挿入した場合の照射点における最大ビーム径とした。図6に示すように、上記規格を満たすためには、絞り係数c=0.6以下に絞る必要がある。FIG. 6 shows the value of the maximum beam diameter when the beam diameter stop coefficient c is changed. The beam diameter stop coefficient c represents the ratio of the beam diameter at the irradiation point when the beam diameter before the stop is set to 1. r b = 3 mm and Δr b = 0.6 mm. The vertical axis represents the maximum beam diameter at the irradiation point when a scatterer is inserted. As shown in FIG. 6, in order to satisfy the above standard, it is necessary to reduce the aperture coefficient to c = 0.6 or less.
四極電磁石2g、2h、2iにより荷電粒子ビームのビーム径を、所定のビーム径絞り係数cに従って、目標のビーム径よりも小さく絞った後、図3(b)に示すように、スキャニング電磁石7a、7bの後に備えた散乱体8を用いて、目標のビーム径よりも小さく絞った荷電粒子ビームのビーム径を、目標のビーム径まで拡大する。
After the beam diameter of the charged particle beam is reduced by the
散乱体8による散乱半径rsは、
rs=L<θ>
で与えられる。Lは照射点から散乱体の距離、<θ>は散乱体での散乱角度である。このとき、散乱体を透過させたときの照射点でのビーム半径は、√((crb)2+rs 2)から最大半径√((crb+cΔrb)2+rs 2)まで変動する。The scattering radius r s of the
r s = L <θ>
Given by L is the distance of the scatterer from the irradiation point, and <θ> is the scattering angle at the scatterer. At this time, the beam radius at the irradiation point when a is transmitted through the scattering body varies to √ ((cr b) 2 + r s 2) maximum radius √ from ((cr b + cΔr b) 2 + r s 2).
つまり、散乱体の厚さ、又は散乱体から照射点までの距離を調整し、初期のビーム半径を、
√((crb)2+rs 2)=rb
となるようにすると、散乱体を透過させたときの照射点でのビーム半径は、rbから最大半径√(rb 2+c2Δrb(2rb+Δrb))まで変動することになる。In other words, the thickness of the scatterer, or adjust the distance from the scatterer to the irradiation point, the initial beam radius,
√ ((cr b) 2 + r s 2) = r b
When such a beam radius at the irradiation point when is transmitted through the scatterer will vary from r b to the maximum radius √ (r b 2 + c 2 Δr b (2r b + Δr b)).
図7に、従来の四極電磁石2g、2h、2iのみを用いてビーム径を制御する粒子線治療装置によるビーム径の変動14と、本発明の実施の形態1にかかる粒子線治療装置100によるビーム径の変動15の一例を示す。従来の粒子線治療装置と比べて、本発明の実施の形態にかかる粒子線治療装置100の方が、ビーム径の変動が小さいことがわかる。
FIG. 7 shows a
このように、所定のビーム径絞り係数cを最初に設定し、四極電磁石2g、2h、2iにより荷電粒子ビームのビーム径を小さく絞った後、目的のビーム径まで広げる散乱体8を選択し、設定することにより、簡便にビーム径を安定化させることができる。
In this way, the predetermined beam diameter stop coefficient c is set first, and the beam diameter of the charged particle beam is reduced to a small value by the
以上のように、この発明の実施の形態1における粒子線治療装置100では、四極電磁石2g、2h、2iにより荷電粒子ビームのビーム径を、所定のビーム径絞り係数cに従って、目標のビーム径よりも小さく絞った後、スキャニング電磁石7a、7bの下流側に備えた散乱体8を用いて、目標のビーム径よりも小さく絞った荷電粒子ビームのビーム径を、目標のビーム径まで拡大するようにしたので、簡便にビーム径を安定化させることができる。また、ビーム径の変動を抑えることにより、計画のとおりの照射ができる。
As described above, in the particle
実施の形態2.
実施の形態1では、スキャニング電磁石7a、7bの下流側に散乱体8を設けたが、実施の形態2では、スキャニング電磁石の上流側に散乱体を設けた場合について示す。
In the first embodiment, the
図8は、この発明の実施の形態2による粒子線治療装置101の構成を示す模式図である。図8に示すように、粒子線治療装置101では、スキャニング電磁石7a、7bの上流側で、四極電磁石2iとスキャニング電磁石7aの間に、散乱体8を備える。粒子線治療装置101のその他の構成については、実施の形態1の粒子線治療装置100と同様であり、対応する部分には同符号を付してその説明を省略する。
FIG. 8 is a schematic diagram showing a configuration of a particle beam therapy system 101 according to
散乱体8をスキャニング電磁石7a、7bの上流に設置すると、照射点10までの距離を長くとれるので、より薄い散乱体を採用でき、エネルギー損失を低減することができる。
If the
以上のように、この発明の実施の形態2における粒子線治療装置101では、四極電磁石2g、2h、2iにより荷電粒子ビームのビーム径を、所定のビーム径絞り係数cに従って、目標のビーム径よりも小さく絞った後、スキャニング電磁石7a、7bの上流側にに備えた散乱体8を用いて、目標のビーム径よりも小さく絞った荷電粒子ビームのビーム径を、目標のビーム径まで拡大するようにしたので、簡便にビーム径を安定化させることができるだけでなく、より薄い散乱体を採用でき、エネルギー損失を低減することができる。また、ビーム径の変動を抑えることにより、計画のとおりの照射ができる。
As described above, in the particle beam therapy system 101 according to
実施の形態3.
実施の形態1および実施の形態2では、荷電粒子ビームのビーム径を四極電磁石2g、2h、2iでビーム径を絞った後に散乱体8で拡大する場合について示したが、実施の形態3では、四極電磁石の代わりに偏向電磁石でビーム径を絞る場合について示す。
In the first and second embodiments, the case where the beam diameter of the charged particle beam is reduced by the
図9は、この発明の実施の形態3による粒子線治療装置102の構成を示す模式図である。図9に示すように、粒子線治療装置102では、輸送系31の下流端部において、荷電粒子ビームを偏向するために、四極電磁石2j、2k、2lと偏向電磁石4h、4iが設けられている。照射系42においては、偏向電磁石4iで偏向すると同時に目標のビーム径よりも小さく絞られた荷電粒子ビームを、直接、スキャニング電磁石7a、7bを経由した後、散乱体8により散乱量を調整し、目標のビーム径にまで広げて照射点10に導く構成としたものである。粒子線治療装置102のその他の構成については、実施の形態1の粒子線治療装置100と同様であり、対応する部分には同符号を付してその説明を省略する。
FIG. 9 is a schematic diagram showing a configuration of a particle
次に、この発明の実施の形態3による粒子線治療装置102の動作について、図を用いて説明する。図10は、粒子線治療装置102において、偏向電磁石4iが荷電粒子ビームのビーム径を小さく絞る動作を説明するための図である。図10(b)は、偏向電磁石4iの上面図であり、図10(a)は、図10(b)のAA線での矢視断面図である。
Next, the operation of the particle
図10(b)に示すように、荷電粒子ビームD1、D2、D3は、偏向電磁石4iにより偏向されるとともに、収束効果により荷電粒子ビームの径は小さく絞られる。これは、図10(a)に示すように、偏向電磁石4iにおいて、荷電粒子ビームの進行方向に対して垂直横方向で磁束Mの密度を調整することにより、偏向電磁石4iを出た荷電粒子ビームD1、D2、D3を収束させるものである。 As shown in FIG. 10B, the charged particle beams D1, D2, and D3 are deflected by the deflecting electromagnet 4i, and the diameter of the charged particle beam is narrowed down by the convergence effect. This is because, as shown in FIG. 10 (a), by adjusting the density of the magnetic flux M in the bending electromagnet 4i in a direction perpendicular to the traveling direction of the charged particle beam, the charged particle beam exiting the deflection electromagnet 4i is adjusted. D1, D2, and D3 are converged.
これにより、偏向電磁石4iで荷電粒子ビームを絞ることができることから、照射系42では四極電磁石が不要となり、装置の簡素化が可能となる。
As a result, the charged particle beam can be narrowed by the bending electromagnet 4i, so that the
以上のように、この発明の実施の形態3における粒子線治療装置102では、偏向電磁石4iにより荷電粒子ビームのビーム径を、所定のビーム径絞り係数cに従って、目標のビーム径よりも小さく絞った後、スキャニング電磁石7a、7bの上流側に備えた散乱体8を用いて、目標のビーム径よりも小さく絞った荷電粒子ビームのビーム径を、目標のビーム径まで拡大するようにしたので、簡便にビーム径を安定化させることができるだけでなく、さらに装置の簡素化が可能となる。また、ビーム径の変動を抑えることにより、計画のとおりの照射ができる。
As described above, in the particle
なお、本発明は、その発明の範囲内において、各実施の形態を自由に組み合わせたり、各実施の形態を適宜、変形、省略することが可能である。 In the present invention, each embodiment can be freely combined, or each embodiment can be appropriately modified or omitted within the scope of the invention.
2g、2h、2i 四極電磁石、4i 偏向電磁石、7a、7b スキャニング電磁石、8 散乱体、100、101、102 粒子線治療装置。 2g, 2h, 2i quadrupole electromagnet, 4i deflection electromagnet, 7a, 7b scanning electromagnet, 8 scatterers, 100, 101, 102 Particle beam therapy system.
Claims (6)
前記荷電粒子ビームをビーム軸に垂直な方向に走査するスキャニング電磁石と、
前記スキャニング電磁石により走査する前記荷電粒子ビームであって、前記電磁石により目標ビーム径よりも小さなビーム径に所定の絞り係数に従い絞られた後の前記荷電粒子ビームを、前記目標ビーム径まで拡大する散乱体と、を備え、
スキャニング照射で前記荷電粒子ビームを患部へ照射することを特徴とする粒子線治療装置。 An electromagnet for focusing the charged particle beam,
A scanning electromagnet that scans the charged particle beam in a direction perpendicular to the beam axis,
A the charged particle beam scanned by the scanning electromagnets, the charged particle beam after it has been down according to a predetermined aperture coefficient smaller beam diameter than the target beam diameter is expanded to the target beam diameter scattered by the electromagnet for example Bei and body, the,
A particle beam therapy apparatus , wherein the charged particle beam is irradiated to an affected part by scanning irradiation .
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