JP6639375B2 - 光変調器 - Google Patents
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Description
本発明の実施の形態1について、図面を用いて以下に説明する。図1は、実施の形態1に係る光変調器の構成図である。
次に、実施の形態2に係る光変調器について説明する。図13は、実施の形態2に係る光変調器の構成図である。なお、実施の形態2において、実施の形態1で説明したものと同一の構成要素については同一符号を付して説明は省略する。
次に、実施の形態3に係る光変調器について説明する。図17は、実施の形態3に係る光変調器の構成図である。なお、実施の形態3において、実施の形態2で説明したものと同一の構成要素については同一符号を付して説明は省略する。
Claims (16)
- 半導体レーザから入射された連続光に対して、電気信号により第1および第2の光導波路アームの量子井戸の屈折率を変化させることで位相変調を行うマッハツェンダー型の光変調器であって、
前記入射された連続光を分波させる光分波器と、
前記分波された連続光が伝搬する前記第1および第2の光導波路アームと、
前記第1および第2の光導波路アーム上の少なくとも一方に配置され、光にπの位相差を付加する光位相シフタと、
前記第1および第2の光導波路アームの後段に配置され、前記第1および第2の光導波路アームを伝搬する連続光を合波させる光合波器と、
前記第1および第2の光導波路アームにそれぞれ電気信号を入力する第1および第2の信号電極と、
前記第1および第2の信号電極の少なくとも一方に、シャントに接続された接合容量と、
前記接合容量に直流電圧を印加する直流電圧源と、
を備えた、光変調器。 - 前記第1および第2の光導波路アームに入力された電気信号をそれぞれ終端する第3および第4の信号電極と、
前記第3および第4の信号電極に対してそれぞれシャントに接続された第3および第4の接合容量と、
前記第3および第4の接合容量に直流電圧を印加する直流電圧源とをさらに備えた、請求項1記載の光変調器。 - 前記光位相シフタは、前記第1および第2の光導波路アーム上のいずれか一方の終端側に配置され、
前記接合容量は、前記第1の信号電極に対してシャントに接続され、
前記直流電圧源が前記接合容量に直流電圧を印加し前記接合容量の値を制御することで、前記第1の光導波路アームに入力される前記電気信号の振幅値が制御される、請求項1記載の光変調器。 - 前記光位相シフタは、前記第1および第2の光導波路アーム上のいずれか一方の終端側に配置され、
前記接合容量は、前記第1および第2の信号電極に対してそれぞれシャントに接続された第1および第2の接合容量を有し、
前記直流電圧源は、前記第1および第2の接合容量にそれぞれ直流電圧を印加する第1および第2の直流電圧源を有し、
前記第1および第2の直流電圧源が前記第1および第2の接合容量にそれぞれ直流電圧を印加し前記第1および第2の接合容量の値をそれぞれ制御することで、前記第1および第2の光導波路アームにそれぞれ入力される前記電気信号の振幅値が制御される、請求項1記載の光変調器。 - 前記接合容量と前記直流電圧源との間に、高周波において開放のインピーダンスを有する回路部品が配置される、請求項1記載の光変調器。
- 前記第1および第2の接合容量と前記第1および第2の直流電圧源との間に、高周波において開放のインピーダンスを有する回路部品がそれぞれ配置される、請求項4記載の光変調器。
- 前記接合容量は、p型半導体層とn型半導体層とのp−n接合を含む構造であり、逆バイアス印加により前記接合容量の値が制御される、請求項1記載の光変調器。
- 前記第1および第2の接合容量は、p型半導体層とn型半導体層とのp−n接合を含む構造であり、逆バイアス印加により前記第1および第2の接合容量の値が制御される、請求項4記載の光変調器。
- 前記接合容量は、前記信号電極とn型半導体層とのショットキー接合を含む構造であり、逆バイアス印加により前記接合容量の値が制御される、請求項1記載の光変調器。
- 前記第1および第2の接合容量は、それぞれ前記第1および第2の信号電極とn型半導体層とのショットキー接合を含む構造であり、逆バイアス印加により前記第1および第2の接合容量の値が制御される、請求項4記載の光変調器。
- 前記接合容量は、p型半導体層とi型活性層とn型半導体層とのp−i−n接合を含む構造であり、逆バイアス印加により前記接合容量の値が制御される、請求項1記載の光変調器。
- 前記第1および第2の接合容量は、p型半導体層とi型活性層とn型半導体層とのp−i−n接合を含む構造であり、逆バイアス印加により前記第1および第2の接合容量の値が制御される、請求項4記載の光変調器。
- 前記接合容量は、p型半導体層とi型活性層とn型半導体層とのp−i−n接合を含み、かつ前記第1および第2の光導波路アームのエピタキシャル構造と同じ構造であり、逆バイアス印加により前記接合容量の値が制御される、請求項1記載の光変調器。
- 前記第1および第2の接合容量は、p型半導体層とi型活性層とn型半導体層とのp−i−n接合を含み、かつ前記第1および第2の光導波路アームのエピタキシャル構造と同じ構造であり、逆バイアス印加により前記第1および第2の接合容量の値が制御される、請求項4記載の光変調器。
- 前記第1および第2の信号電極と、前記第3および第4の信号電極は、前記第1および第2の光導波路アームにおける同じ側の側方に配置された、請求項2記載の光変調器。
- 前記第1および第2の信号電極と、前記第1および第2の信号電極の終端側は、前記第1および第2の光導波路アームにおける同じ側の側方に配置された、請求項1記載の光変調器。
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