JP6636306B2 - 接着シート、ダイシングテープ一体型接着シート、及び、半導体装置の製造方法 - Google Patents

Description

本発明は、接着シート、ダイシングテープ一体型接着シート、及び、半導体装置の製造方法に関する。

近年、電力の制御や供給を行うパワー半導体装置の普及が顕著となっている。パワー半導体装置には常に電流が流れるため、発熱量が大きい。それゆえ、パワー半導体装置に使用される接着剤は、高い放熱性を有することが望ましい。また、パワー半導体装置用の接着剤に限らず、一般的に、半導体装置に使用される接着剤は、高い放熱性を有することが望ましい。

放熱性を有する接着剤としては、例えば、導電性フィラーを含有させたものが挙げられる（例えば、特許文献１参照）。

特開２０１２−１４２３７０号公報

より高い熱伝導性を付与するには、接着剤に熱伝導性フィラーを高充填する方法が考えられる。しかしながら、熱伝導性フィラーの含有量を多くすると、相対的に樹脂成分が少なくなるため、接着力が低下することとなる。また、熱伝導性フィラーの含有量が多くなるほど弾性率が高くなり、応力緩和性が低下する。そのため、２つの接着対象物間の線膨張差（例えば、半導体チップとリードフレームとの線膨張差）により生じる応力によって、剥離が発生することとなる。

本発明は前記問題点に鑑みてなされたものであり、その目的は、高い熱伝導性を有し、且つ、接着後の剥離が抑制された接着シートを提供することにある。また、当該接着シートを有するダイシングテープ一体型接着シートを提供することにある。また、当該ダイシングテープ一体型接着シートを用いた半導体装置の製造方法を提供することにある。

本願発明者等は、前記従来の問題点を解決すべく、接着シートについて検討した。その結果、下記の構成を採用することにより、高い熱伝導性を有し、且つ、接着後の剥離が抑制されることを見出し、本発明を完成させるに至った。

すなわち、本発明に係る接着シートは、
銀被覆銅系フィラーと、
銀フィラーとを含有し、
前記銀被覆銅系フィラーは、フレーク状であり、且つ、平均長径が０．７μｍ以上であり、前記銀フィラーは、一次粒径が５００ｎｍ以下であることを特徴とする。

銀被覆銅系フィラーはフィラー間の物理的な接触だけで熱を伝達するため、接触部分の抵抗により高い熱伝導性を得ることは困難である。一方、粒径が５００ｎｍ以下の銀フィラーは比較的低温で焼結され、他の金属と化学的に結合するため、単純なフィラー同士の接触よりも高い熱伝導性が得られる。しかし、銀フィラー単体では、アスペクト比が小さいため、良好な熱伝導パスを形成することができない。そこでアスペクト比が大きな被覆フィラーと、それをつなぐための銀フィラーを併用することで、高い熱伝導性を得ることができる。また、単純な銅フィラーでは、銀に比べて表面に酸化膜が形成されやすいため、ナノ銀との化学結合を上手くとることが難しいが、銀で被覆することで良好な接合が得られる。
また、前記構成によれば、一次粒径が５００ｎｍ以下の銀フィラーと、フレーク状であり、且つ、平均長径が０．７μｍ以上の銀被覆銅系フィラーを含有する。つまり、銀フィラーと、銀フィラーよりもサイズの大きい銀被覆銅系フィラーとを含有する。従って、加熱することにより、銀フィラーと銀被覆銅系フィラーとの間で金属結合されることとなる。その結果、少ない含有量でも高い熱伝導性が得られる。
また、フィラーの含有量（銀フィラーと銀被覆銅系フィラーとの合計含有量）を少なくすることができるため、樹脂による化学的な接着力が向上する。また、銀フィラーが被着体の金属と合金を形成し化学的に接着する。従って、接着力を高く維持することができる。また、フィラーの含有量を少なくすることができるため、弾性率を低くすることができる。弾性率が低いため、応力緩和性に優れる。その結果、２つの接着対象物間の線膨張差（例えば、半導体チップとリードフレームとの線膨張差）により生じる応力によって、剥離が発生することを抑制できる。
また、銀被覆銅系フィラーは、銀フィラーに比較して低コストである点で優れる。

前記構成においては、熱硬化後の２６０℃での貯蔵弾性率が１０〜７００ＭＰａであることが好ましい。

熱硬化後の２６０℃での貯蔵弾性率が７００ＭＰａ以下であると、熱硬化後の貯蔵弾性率は比較的低く抑えられている。その結果、応力緩和性により優れる。また、熱硬化後の２６０℃での貯蔵弾性率が１０ＭＰａ以上であると、接着力に優れる。

前記構成においては、銅リードフレームに接着し、２００℃で１時間加熱した後の、２６０℃における前記銅リードフレームに対するせん断接着力をＡ、銀メッキされた銅リードフレームに接着し、２００℃で１時間加熱した後の、２６０℃における前記銀メッキされた銅リードフレームに対するせん断接着力をＢとしたとき、Ｂ／Ａが１．１以上であることが好ましい。

通常のエポキシ接着剤は、銅よりも銀の方が、接着力が低下して、信頼性で問題が起こることがある。しかしながら、前記Ｂ／Ａが１．１以上であると、銀に対して良好な接着力が得られることになり、銀メッキを施したリードフレームに対する信頼性が向上する。

前記構成においては、２００℃で１時間加熱した後のシート厚み方向の熱伝導率が３Ｗ／ｍ・Ｋ以上であることが好ましい。

２００℃で１時間加熱した後のシート厚み方向の熱伝導率が３Ｗ／ｍ・Ｋ以上であると、より放熱性に優れる。

前記構成においては、前記銀被覆銅系フィラーの重量をＣ、前記銀フィラーの重量をＤとしたとき、比Ｃ：Ｄが、９：１〜５：５の範囲内であることが好ましい。

前記比Ｃ：Ｄが、９：１〜５：５の範囲内であると、銀に対する接着性と熱伝導率が良好になる。銀フィラーが少なすぎると接着力や熱伝導率の向上効果が得られない。逆に銀フィラーが多すぎるとフィルムが硬くなりすぎてしまうため、低圧力での貼り付けが行えない。

前記構成において、前記銀被覆銅系フィラーにおける銀の被覆量は、前記銀被覆銅系フィラー全体の重量に対して、５〜３０重量％であることが好ましい。

前記被覆量が５重量％以上であると、良的に銅フィラーの表面を被覆することができ、銅の酸化を防ぐことで良好な熱伝導性が得られる。一方、前記被覆量が３０重量％以下であると、コストが上がるため被覆フィラーを使用するメリットが得られない。

前記構成において、前記銀被覆銅系フィラーの比表面積は、０．５〜１．５ｍ^２／ｇの範囲内であることが好ましい。

前記銀被覆銅系フィラーの比表面積が、１．５ｍ^２／ｇ以下であると、熱硬化前の接着シートにより柔軟性を持たせることができる。その結果、熱硬化前の接着力は、より優れる。また、前記銀被覆銅系フィラーの比表面積が、０．５ｍ^２／ｇ以上であると、フィラー同士の接点が多く得られるため良好な熱伝導率が得られる。

前記構成においては、前記被覆フィラーの個数換算平均粒子径をＥ、体積換算平均粒子径をＦとしたとき、Ｆ／Ｅが１０以下であることが好ましい。

前記Ｆ／Ｅが１０以下であると、フィラーの粒径分布がシャープとなり、粒径制御による接着シートの薄化が可能になる。ここで個数換算平均粒子径は、累積粒子分布曲線において累積粒子数の割合が５０％となる粒子径を示す。体積換算平均粒子径は、累積体積分布曲線において累積体積割合が５０％となる粒子径を示す。また、個数換算平均粒子径とは粒子数を基準にしているので、粒径の大きな粒子も小さな粒子も同じ１つと数えられるが、体積換算平均粒子径は体積を基準にしているので、粒径の大きな粒子は小さな粒子と比べて体積換算平均粒子径も大きくなる。つまり、Ｆ／Ｅが小さいほど粒度分布がシャープな粒子であることを示し、Ｆ／Ｅが大きいほど粒度分布が粒径の大きい側にブロードな粒子であることを意味する。

前記構成においては、エポキシ樹脂を含有することが好ましい。

エポキシ樹脂を含有すると、加熱により接着対象物を良好に接着することができる。

前記構成において、前記エポキシ樹脂は、可撓性骨格を有することが好ましい。

前記エポキシ樹脂が可撓性骨格を有すると、熱硬化後の接着シートにさらに柔軟性を持たせることができる。

前記構成においては、分散剤を含有していることが好ましい。

一次粒径が５００ｎｍ以下の銀フィラーは、凝集しやすい。従って、分散剤を含有していると、樹脂中でのフィラーの分散性が上がり、被覆フィラーとの接触が多くなり、良好にパスを形成することで熱伝導率が向上する。

前記構成において、前記分散剤は、カルボン酸基を有しており、酸価は２０以上であり、平均重量分子量が１０００以上のアクリル共重合体であることが好ましい。

分散剤の平均重量分子量が１０００以上のアクリル共重合体であると、熱安定性に優れる。また、前記分散剤が、カルボン酸基を有しており、且つ、酸価は２０以上であると、好適に銀フィラーの凝集を抑制することができる。

また、本発明に係るダイシングテープ一体型接着シートは、
ダイシングテープと、
前記接着シートとを有し、
前記ダイシングテープ上に前記接着シートが積層されていることを特徴とする。

前記ダイシングテープ一体型接着シートによれば、ダイシングテープと一体型であるため、ダイシングテープと貼り合わせる工程を省略することができる。また、前記接着シートを備えるため、高い熱伝導性を有し、且つ、接着後の剥離が抑制される。

また、本発明に係る半導体装置の製造方法は、
前記ダイシングテープ一体型接着シートを準備する工程と、
前記ダイシングテープ一体型接着シートに半導体ウエハを貼り付ける工程と、
前記半導体ウエハを前記接着シートと共にダイシングして、接着シート付き半導体チップを形成する工程と、
前記接着シート付き半導体チップを前記ダイシングテープからピックアップする工程と、
ピックアップした前記接着シート付き半導体チップを被着体にダイボンドする工程とを含むことを特徴とする。

前記構成によれば、前記接着シートを用いているため、得られる半導体装置は、半導体チップからの熱を効率的に排熱できる。また、前記接着シートを用いているため、得られる半導体装置は、半導体チップと被着体とが剥離されることが抑制されている。

本実施形態に係るダイシングテープ一体型接着シートの断面模式図である。 本実施形態に係るダイシングテープ一体型接着シートを用いた半導体装置の製造方法を説明するための断面模式図である。 本実施形態に係るダイシングテープ一体型接着シートを用いた半導体装置の製造方法を説明するための断面模式図である。 本実施形態に係るダイシングテープ一体型接着シートを用いた半導体装置の製造方法を説明するための断面模式図である。 本実施形態に係るダイシングテープ一体型接着シートを用いた半導体装置の製造方法を説明するための断面模式図である。

本実施形態に係る接着シート、及び、ダイシングテープ一体型接着シートについて、以下に説明する。本実施形態に係る接着シートは、以下に説明するダイシングテープ一体型接着シートにおいて、ダイシングテープが貼り合わせられていない状態のものを挙げることができる。従って、以下では、ダイシングテープ一体型接着シートについて説明し、接着シートについては、その中で説明することとする。また、以下では、接着シートが、ダイボンドフィルムである場合について説明する。図１は、本実施形態に係るダイシングテープ一体型接着シートの断面模式図である。

（ダイシングテープ一体型接着シート）
図１で示されるように、ダイシングテープ一体型接着シート１０は、ダイシングテープ２０上にダイボンドフィルムとしての接着シート３０が積層された構成を有する。ダイシングテープ２０は基材２２上に粘着剤層２４を積層して構成されている。接着シート３０は、粘着剤層２４上に設けられている。
なお、本実施形態では、接着シート３０が、粘着剤層２４の表面の一部分上に積層されている場合について説明する。より具体的には、接着シート３０が、粘着剤層２４の半導体ウエハの貼付部分に対応する部分２６のみに形成された構成である場合について説明する。しかしながら、本発明はこの例に限定されない。本発明の接着シートは、粘着剤層の全面に積層された構成でもよい。また、半導体ウエハの貼付部分に対応する部分より大きく且つ粘着剤層の全面よりも小さい部分に積層された構成でもよい。なお、接着シートの表面（半導体ウエハに貼付される側の面）は、半導体ウエハに貼付されるまでの間、セパレータ等により保護されていてもよい。

（接着シート）
接着シート３０は、銀被覆銅系フィラーと、銀フィラーとを含有し、前記銀被覆銅系フィラーは、フレーク状であり、且つ、平均長径が０．７μｍ以上であり、前記銀フィラーは、一次粒径が５００ｎｍ以下である。

銀被覆銅系フィラーはフィラー間の物理的な接触だけで熱を伝達するため、接触部分の抵抗により高い熱伝導性を得ることは困難である。一方、粒径が５００ｎｍ以下の銀フィラーは比較的低温で焼結され、他の金属と化学的に結合するため、単純なフィラー同士の接触よりも高い熱伝導性が得られる。しかし、銀フィラー単体では、アスペクト比が小さいため、良好な熱伝導パスを形成することができない。接着シート３０によれば、アスペクト比が大きな被覆フィラーと、それをつなぐための銀フィラーを併用することで、高い熱伝導性を得ることができる。また、単純な銅フィラーでは、銀に比べて表面に酸化膜が形成されやすいため、ナノ銀との化学結合を上手くとることが難しいが、銀で被覆することで良好な接合が得られる。
また、接着シート３０によれば、一次粒径が５００ｎｍ以下の銀フィラーと、フレーク状であり、且つ、平均長径が０．７μｍ以上の銀被覆銅系フィラーを含有する。つまり、銀フィラーと、銀フィラーよりもサイズの大きい銀被覆銅系フィラーとを含有する。従って、加熱することにより、銀フィラーと銀被覆銅系フィラーとの間で金属結合されることとなる。その結果、少ない含有量でも高い熱伝導性が得られる。
また、フィラーの含有量（銀フィラーと銀被覆銅系フィラーとの合計含有量）を少なくすることができるため、樹脂による化学的な接着力が向上する。また、銀フィラーが被着体の金属と合金を形成し化学的に接着する。従って、接着力を高く維持することができる。また、フィラーの含有量を少なくすることができるため、弾性率を低くすることができる。弾性率が低いため、応力緩和性に優れる。その結果、２つの接着対象物間の線膨張差（例えば、半導体チップとリードフレームとの線膨張差）により生じる応力によって、剥離が発生することを抑制できる。
また、銀被覆銅系フィラーは、銀フィラーに比較して低コストである点で優れる。

前記銀被覆銅系フィラーの平均長径は、好ましくは、０．７μｍ以上であり、より好ましくは、１μｍ以上である。また、前記銀被覆銅系フィラーの平均長径は、接着フィルムの薄型化の観点から好ましくは１０μｍ以下であり、より好ましくは５μｍ以下である。
前記銀被覆銅系フィラーのアスペクト比は、好ましくは、１．５以上であり、より好ましくは、３以上である。２以上であると、銀被覆銅系フィラー同士が面接触し易く、導電パスが容易に形成される。前記アスペクト比は、大きい方が好ましいが、例えば、１００以下、５０以下である。
前記銀被覆銅系フィラーのアスペクト比は、平均長径の平均厚みに対する比（平均長径／平均厚み）である。
本明細書において、銀被覆銅系フィラーの平均長径は、接着シート３０の断面を走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）により観察し、ランダムに選んだ１００個の銀被覆銅系フィラーの長径を測定することで得られる平均値である。
また、銀被覆銅系フィラーの平均厚みは、接着シート３０の断面を走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）により観察し、ランダムに選んだ１００個の銀被覆銅系フィラーの厚みを測定することで得られる平均値である。

前記銀フィラーの一次粒径は、好ましくは４００ｎｍ以下であり、より好ましくは、３００ｎｍ以下である。また、前記銀フィラーの一次粒径は、小さいほど好ましいが、小さいフィラーは凝集しやすいという観点から、好ましくは１０ｎｍ以上であり、より好ましくは１００μｍ以下である。
銀フィラーの一次粒径は、凝集していない状態の１つ１つの銀フィラーの粒径をいい、次の方法で測定する。すなわち、接着シート３０の断面を走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）により観察し、ランダムに選んだ１００個の銀フィラーの粒径を測定することで得られる平均値である。

前記銀被覆銅系フィラーの重量をＣ、前記銀フィラーの重量をＤとしたとき、比Ｃ：Ｄが、９：１〜５：５の範囲内であることが好ましく、より好ましくは、８：２〜６：４である。前記比Ｃ：Ｄが、９：１〜５：５の範囲内であると、良好な熱伝導率と銀に対する接着力が得られる。

前記銀被覆銅系フィラーにおける銀の被覆量は、前記銀被覆銅系フィラー全体の重量に対して、５〜３０重量％であることが好ましく、より好ましくは、７〜２０重量％である。前記被覆量が５重量％以上であると、銅フィラー表面を均一に被覆できる。一方、前記被覆量が３０重量％以下であると、過剰な被覆によるコスト増加を抑制できる。

前記銀被覆銅系フィラーの比表面積は、０．５〜１．５ｍ^２／ｇの範囲内であることが好ましく、より好ましくは、０．７〜１．３ｍ^２／ｇの範囲内である。前記銀被覆銅系フィラーの比表面積が、１．５ｍ^２／ｇ以下であると、熱硬化前の接着シートにより柔軟性を持たせることができる。その結果、熱硬化前の接着力は、より優れる。また、前記銀被覆銅系フィラーの比表面積が、０．５ｍ^２／ｇ以上であると、フィラー同士の接触面積が上がり良好な熱伝導率が得られる。銀被覆銅系フィラーの比表面積は、ＢＥＴ法により求める。

前記被覆フィラーの個数換算平均粒子径をＥ、体積換算平均粒子径をＦとしたとき、Ｆ／Ｅが１０以下であることが好ましく、より好ましくは５以下である。前記Ｆ／Ｅが１０以下であると、フィラーの粒度分布がシャープとなり粒径制御により接着シートの薄膜化が可能になる。前記Ｆ／Ｅは、小さいほど好ましいが、粒度分布がシャープになりすぎるとフィラーの充填性が下がり、熱伝導性が低下するという観点から、例えば、１以上とすることができる。前記銀フィラーの個数換算平均粒子径Ｅ、及び、体積換算平均粒子径Ｆは、レーザ回折式粒度分布測定法により求める。

接着シート３０は、分散剤を含有することが好ましい。一次粒径が５００ｎｍ以下の銀フィラーは、凝集しやすい。従って、分散剤を含有していると、銀フィラーが好適に分散して接着剤の熱伝導性が向上する。

前記分散剤としては、例えば、酸価を有するものとアミン価を有するもの、その両方を有するものに大別される。酸価を有する分散剤としては、代表的なものとして、ＤＩＳＰＥＲＢＹＫ−１０２、ＤＩＳＰＥＲＢＹＫ−１１０、ＤＩＳＰＥＲＢＹＫ−１１１、ＤＩＳＰＥＲＢＹＫ−１７０、ＤＩＳＰＥＲＢＹＫ−１７１、ＤＩＳＰＥＲＢＹＫ−１７４、ＢＹＫ−Ｐ１０４、ＢＹＫ−Ｐ１０４Ｓ、ＢＹＫ−Ｐ１０５、ＢＹＫ−２２０Ｓ、ＥＦＫＡ ５０１０、ＥＦＫＡ ５０６５、ＥＦＫＡ ５０６６、ＥＦＫＡ ５０７０、ＳＯＬＳＰＥＲＳＥ ３０００、ＳＯＬＳＰＥＲＳＥ １６０００、ＳＯＬＳＰＥＲＳＥ １７０００、ＳＯＬＳＰＥＲＳＥ １８０００、ＳＯＬＳＰＥＲＳＥ ２１０００、ＳＯＬＳＰＥＲＳＥ ２７０００、ＳＯＬＳＰＥＲＳＥ ２８０００、ＳＯＬＳＰＥＲＳＥ ３６０００、ＳＯＬＳＰＥＲＳＥ ３６６００、ＳＯＬＳＰＥＲＳＥ ３８５００、ＳＯＬＳＰＥＲＳＥ ３９０００、ＳＯＬＳＰＥＲＳＥ ４１０００、アジスパーＰＮ−４１１、アジスパーＰＡ−１１１、ＡＲＵＦＯＮ ＵＣ−３０００、ＵＣ−３０８０、ＵＣ−３５１０、ＵＣ−５０８０、ＵＣ−５０２２等である。アミン価を有する分散剤としては、代表的なものとして、ＤＩＳＰＥＲＢＹＫ−１０８、ＤＩＳＰＥＲＢＹＫ−１０９、ＤＩＳＰＥＲＢＹＫ−１１２、ＤＩＳＰＥＲＢＹＫ−１１６、ＤＩＳＰＥＲＢＹＫ−１６１、ＤＩＳＰＥＲＢＹＫ−１６２、ＤＩＳＰＥＲＢＹＫ−１６３、ＤＩＳＰＥＲＢＹＫ−１６４、ＤＩＳＰＥＲＢＹＫ−１６６、ＤＩＳＰＥＲＢＹＫ−１６７、ＤＩＳＰＥＲＢＹＫ−１６８、ＤＩＳＰＥＲＢＹＫ−１８２、ＤＩＳＰＥＲＢＹＫ−１８３、ＤＩＳＰＥＲＢＹＫ−１８４、ＤＩＳＰＥＲＢＹＫ−１８５、ＤＩＳＰＥＲＢＹＫ−２０００、ＤＩＳＰＥＲＢＹＫ−２００８、ＤＩＳＰＥＲＢＹＫ−２００９、ＤＩＳＰＥＲＢＹＫ−２０５０、ＤＩＳＰＥＲＢＹＫ−２１５０、ＤＩＳＰＥＲＢＹＫ−２１５５、ＤＩＳＰＥＲＢＹＫ−２１６３、ＤＩＳＰＥＲＢＹＫ−２１６４、ＢＹＫ−９０７７、ＥＦＫＡ ４０４６、ＥＦＫＡ ４０４７、ＥＦＫＡ ４０１５、ＥＦＫＡ ４０２０、ＥＦＫＡ ４０５０、ＥＦＫＡ ４０５５、ＥＦＫＡ ４０６０、ＥＦＫＡ ４０８０、ＥＦＫＡ ４３００、ＥＦＫＡ ４３３０、ＥＦＫＡ ４４００、ＥＦＫＡ ４４０１、ＥＦＫＡ ４４０２、ＥＦＫＡ ４４０３、ＥＦＫＡ ４８００、ＳＯＬＳＰＥＲＳＥ ２００００等である。酸価とアミン価の両方を有する分散剤としては、代表的なものとして、ＡＮＴＩ−ＴＥＲＲＡ−Ｕ、ＡＮＴＩ−ＴＥＲＲＡ−２０５、ＤＩＳＰＥＲＢＹＫ−１０１、ＤＩＳＰＥＲＢＹＫ−１０６、ＤＩＳＰＥＲＢＹＫ−１３０、ＤＩＳＰＥＲＢＹＫ−１４０、ＤＩＳＰＥＲＢＹＫ−１４２、ＤＩＳＰＥＲＢＹＫ−１４５、ＤＩＳＰＥＲＢＹＫ−１８０、ＤＩＳＰＥＲＢＹＫ−２００１、ＤＩＳＰＥＲＢＹＫ−２０２０、ＤＩＳＰＥＲＢＹＫ−２０２５、ＤＩＳＰＥＲＢＹＫ−２０７０、ＢＹＫ−９０７６、ＥＦＫＡ ４００８、ＥＦＫＡ ４００９、ＥＦＫＡ ４０１０、ＥＦＫＡ ４４０６、ＥＦＫＡ ５０４４、ＥＦＫＡ ５２４４、ＥＦＫＡ ５０５４、ＥＦＫＡ ５０５５、ＥＦＫＡ ５０６３、ＥＦＫＡ ５０６４、ＳＯＬＳＰＥＲＳＥ １３２４０、ＳＯＬＳＰＥＲＳＥ １３９４０、ＳＯＬＳＰＥＲＳＥ ２４０００ＳＣ、ＳＯＬＳＰＥＲＳＥ ２４０００ＧＲ、ＳＯＬＳＰＥＲＳＥ ２６０００、ＳＯＬＳＰＥＲＳＥ ３１８４５、ＳＯＬＳＰＥＲＳＥ ３２０００、ＳＯＬＳＰＥＲＳＥ ３２５００、ＳＯＬＳＰＥＲＳＥ ３２５５０、ＳＯＬＳＰＥＲＳＥ ３４７５０、ＳＯＬＳＰＥＲＳＥ ３５１００、ＳＯＬＳＰＥＲＳＥ ３５２００、ＳＯＬＳＰＥＲＳＥ ３７５００、アジスパーＰＢ８２１、アジスパーＰＢ８２２、アジスパーＰＢ８８１等である。なかでも、カルボン酸基を有しており、酸価は２０以上であり、平均重量分子量が１０００以上のアクリル共重合体であることが好ましい。前記分散剤の平均重量分子量が１０００以上のアクリル共重合体であると、熱安定性に優れる。また、前記分散剤が、カルボン酸基を有しており、且つ、酸価は２０以上であると、好適に銀フィラーの凝集を抑制することができる。
なお、分散剤の重量平均分子量は、ＧＰＣ（ゲル・パーミエーション・クロマトグラフィー）により測定し、ポリスチレン換算により算出された値である。

接着シート３０は、熱硬化性樹脂などの硬化性樹脂を含むことが好ましい。これにより、熱安定性を向上できる。

硬化性樹脂としては、フェノール樹脂、アミノ樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、エポキシ樹脂、ポリウレタン樹脂、シリコーン樹脂、又は熱硬化性ポリイミド樹脂などが挙げられる。特に、半導体素子を腐食させるイオン性不純物などの含有が少ないエポキシ樹脂が好ましい。また、エポキシ樹脂の硬化剤としてはフェノール樹脂が好ましい。エポキシ樹脂等の熱可塑性樹脂を含有すると、加熱により接着対象物を良好に接着することができる。

エポキシ樹脂としては特に限定されず、例えばビスフェノールＡ型、ビスフェノールＦ型、ビスフェノールＳ型、臭素化ビスフェノールＡ型、水添ビスフェノールＡ型、ビスフェノールＡＦ型、ビフェニル型、ナフタレン型、フルオンレン型、フェノールノボラック型、オルソクレゾールノボラック型、トリスヒドロキシフェニルメタン型、テトラフェニロールエタン型などの二官能エポキシ樹脂や多官能エポキシ樹脂、又はヒダントイン型、トリスグリシジルイソシアヌレート型若しくはグリシジルアミン型などのエポキシ樹脂が用いられる。これらのエポキシ樹脂のうちビスフェノールＡ型エポキシ樹脂が特に好ましい。これらのエポキシ樹脂は、硬化剤としてのフェノール樹脂との反応性に富み、耐熱性などに優れるからである。

また、前記エポキシ樹脂は、可撓性骨格を有することが好ましい。前記エポキシ樹脂が可撓性骨格を有すると、熱硬化後の接着シートにさらに柔軟性を持たせることができる。前記可塑性骨格としては、例えば、非芳香族骨格を挙げることができ、例えば、長鎖脂肪族、ポリエーテル骨格、ポリエステル骨格、ポリスルホン骨格などが挙げられる。なかでも、熱的安定性と生産性の観点からポリエーテル骨格が好ましい。前記エポキシ樹脂のなかでも、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂であり、且つ、可撓性骨格を有するものが好ましい。

フェノール樹脂は、エポキシ樹脂の硬化剤として作用するものであり、例えば、フェノールノボラック樹脂、フェノールアラルキル樹脂、クレゾールノボラック樹脂、ｔｅｒｔ−ブチルフェノールノボラック樹脂、ノニルフェノールノボラック樹脂などのノボラック型フェノール樹脂、レゾール型フェノール樹脂、ポリパラオキシスチレンなどのポリオキシスチレンなどが挙げられる。これらのフェノール樹脂のうちフェノールノボラック樹脂、フェノールアラルキル樹脂が特に好ましい。半導体装置の接続信頼性を向上させることができるからである。

エポキシ樹脂とフェノール樹脂との配合割合は、例えば、エポキシ樹脂成分中のエポキシ基１当量当たりフェノール樹脂中の水酸基が０．５〜２．０当量になるように配合することが好適である。より好適なのは、０．８〜１．２当量である。即ち、両者の配合割合が前記範囲を外れると、十分な硬化反応が進まず、硬化物の特性が劣化し易くなるからである。

接着シート３０は、２５℃で液状の硬化性樹脂を含むことが好ましい。これにより、良好な低温貼りつき性が得られる。本明細書において、２５℃において液状とは、２５℃において粘度が５０００Ｐａ・ｓ未満であることをいう。一方、２５℃において固形とは、２５℃において粘度が５０００Ｐａ・ｓ以上であることをいう。なお、粘度は、Ｔｈｅｒｍｏ Ｓｃｉｅｎｔｉｆｉｃ社製の型番ＨＡＡＫＥ Ｒｏｔｏ ＶＩＳＣＯ１を用いて測定できる。

接着シート３０は、熱可塑性樹脂を含むことが好ましい。熱可塑性樹脂としては、天然ゴム、ブチルゴム、イソプレンゴム、クロロプレンゴム、エチレン−酢酸ビニル共重合体、エチレン−アクリル酸共重合体、エチレン−アクリル酸エステル共重合体、ポリブタジエン樹脂、ポリカーボネート樹脂、熱可塑性ポリイミド樹脂、６−ナイロンや６，６−ナイロンなどのポリアミド樹脂、フェノキシ樹脂、アクリル樹脂、ＰＥＴやＰＢＴなどの飽和ポリエステル樹脂、ポリアミドイミド樹脂、又はフッ素樹脂などが挙げられる。これらの熱可塑性樹脂のうち、イオン性不純物が少なく耐熱性が高く、半導体素子の信頼性を確保できるアクリル樹脂が特に好ましい。

アクリル樹脂としては、特に限定されるものではなく、炭素数３０以下、特に炭素数４〜１８の直鎖若しくは分岐のアルキル基を有するアクリル酸又はメタクリル酸のエステルの１種又は２種以上を成分とする重合体（アクリル共重合体）などが挙げられる。前記アルキル基としては、例えばメチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、ｔ−ブチル基、イソブチル基、アミル基、イソアミル基、ヘキシル基、へプチル基、シクロヘキシル基、２−エチルヘキシル基、オクチル基、イソオクチル基、ノニル基、イソノニル基、デシル基、イソデシル基、ウンデシル基、ラウリル基、トリデシル基、テトラデシル基、ステアリル基、オクタデシル基、又はドデシル基などが挙げられる。

また、重合体（アクリル共重合体）を形成する他のモノマーとしては、特に限定されるものではなく、例えばアクリル酸、メタクリル酸、カルボキシエチルアクリレート、カルボキシペンチルアクリレート、イタコン酸、マレイン酸、フマール酸若しくはクロトン酸などの様なカルボキシル基含有モノマー、無水マレイン酸若しくは無水イタコン酸などの様な酸無水物モノマー、（メタ）アクリル酸２−ヒドロキシエチル、（メタ）アクリル酸２−ヒドロキシプロピル、（メタ）アクリル酸４−ヒドロキシブチル、（メタ）アクリル酸６−ヒドロキシヘキシル、（メタ）アクリル酸８−ヒドロキシオクチル、（メタ）アクリル酸１０−ヒドロキシデシル、（メタ）アクリル酸１２−ヒドロキシラウリル若しくは（４−ヒドロキシメチルシクロヘキシル）−メチルアクリレートなどの様なヒドロキシル基含有モノマー、スチレンスルホン酸、アリルスルホン酸、２−（メタ）アクリルアミド−２−メチルプロパンスルホン酸、（メタ）アクリルアミドプロパンスルホン酸、スルホプロピル（メタ）アクリレート若しくは（メタ）アクリロイルオキシナフタレンスルホン酸などの様なスルホン酸基含有モノマー、又は２−ヒドロキシエチルアクリロイルホスフェートなどの様な燐酸基含有モノマーが挙げられる。

アクリル樹脂のなかでも、重量平均分子量が１０万以上のものが好ましく、３０万〜３００万のものがより好ましく、５０万〜２００万のものがさらに好ましい。上記数値範囲内であると、接着性及び耐熱性に優れるからである。なお、重量平均分子量は、ＧＰＣ（ゲル・パーミエーション・クロマトグラフィー）により測定し、ポリスチレン換算により算出された値である。

接着シート３０中の熱可塑性樹脂及び硬化性樹脂の合計含有量は、好ましくは５重量％以上、より好ましくは１０重量％以上である。５重量％以上であると、フィルムとしての形状を保ちやすい。また、熱可塑性樹脂及び硬化性樹脂の合計含有量は、好ましくは７０重量％以下、より好ましくは６０重量％以下である。７０重量％以下であると、導電性を好適に発揮させることができる。

接着シート３０において、熱可塑性樹脂の重量／硬化性樹脂の重量が、５０／５０〜１０／９０であることが好ましく、４０／６０〜１５／８５であることがより好ましい。５０／５０より、熱可塑性樹脂の比率が多くなると、熱安定性が悪くなる傾向がある。一方、１０／９０より、熱可塑性樹脂の比率が少なくなると、フィルム化が難しくなる傾向がある。

接着シート３０は、用途に応じて前記銀被覆銅系フィラー及び前記銀フィラー以外のフィラーを含有していてもよい。前記フィラーの配合は、弾性率の調節等を可能とする。前記フィラーとしては、無機フィラー、有機フィラーが挙げられる。前記無機フィラーとしては、特に制限はなく、例えば、水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウム、炭酸カルシウム、炭酸マグネシウム、ケイ酸カルシウム、ケイ酸マグネシウム、酸化カルシウム、酸化マグネシウム、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、ほう酸アルミウィスカ、窒化ほう素、シリカ等が挙げられる。これらは、単独で又は２種以上を併用して用いることができる。

接着シート３０は、熱硬化促進剤を含むことが好ましい。これにより、エポキシ樹脂とフェノール樹脂等の硬化剤との熱硬化を促進できる。
前記熱硬化促進剤としては特に限定されないが、例えば、テトラフェニルホスホニウムテトラフェニルボレート（商品名；ＴＰＰ−Ｋ）、テトラフェニルホスホニウムジシアナミド（商品名；ＴＰＰ−ＤＣＡ）、テトラフェニルホスホニウムテトラ−ｐ−トリボレート（商品名；ＴＰＰ−ＭＫ）、トリフェニルホスフィントリフェニルボラン（商品名；ＴＰＰ−Ｓ）などのリン−ホウ素系硬化促進剤が挙げられる（いずれも北興化学工業(株)製）。
また、前記促進剤としては、例えば、２−メチルイミダゾール（商品名；２ＭＺ）、２−ウンデシルイミダゾール（商品名；Ｃ１１−Ｚ）、２−ヘプタデシルイミダゾール（商品名；Ｃ１７Ｚ）、１，２−ジメチルイミダゾール（商品名；１．２ＤＭＺ）、２−エチル−４−メチルイミダゾール（商品名；２Ｅ４ＭＺ）、２−フェニルイミダゾール（商品名；２ＰＺ）、２−フェニル−４−メチルイミダゾール（商品名；２Ｐ４ＭＺ）、１−ベンジル−２−メチルイミダゾール（商品名；１Ｂ２ＭＺ）、１−ベンジル−２−フェニルイミダゾール（商品名；１Ｂ２ＰＺ）、１−シアノエチル−２−メチルイミダゾール（商品名；２ＭＺ−ＣＮ）、１−シアノエチル−２−ウンデシルイミダゾール（商品名；Ｃ１１Ｚ−ＣＮ）、１−シアノエチル−２−フェニルイミダゾリウムトリメリテイト（商品名；２ＰＺＣＮＳ−ＰＷ）、２，４−ジアミノ−６−［２’−メチルイミダゾリル−（１’）］−エチル−ｓ−トリアジン（商品名；２ＭＺ−Ａ）、２，４−ジアミノ−６−［２’−ウンデシルイミダゾリル−（１’）］−エチル−ｓ−トリアジン（商品名；Ｃ１１Ｚ−Ａ）、２，４−ジアミノ−６−［２’−エチル−４’−メチルイミダゾリル−（１’）］−エチル−ｓ−トリアジン（商品名；２Ｅ４ＭＺ−Ａ）、２，４−ジアミノ−６−［２’−メチルイミダゾリル−（１’）］−エチル−ｓ−トリアジンイソシアヌル酸付加物（商品名；２ＭＡ−ＯＫ）、２−フェニル−４，５−ジヒドロキシメチルイミダゾール（商品名；２ＰＨＺ−ＰＷ）、２−フェニル−４−メチル−５−ヒドロキシメチルイミダゾール（商品名；２Ｐ４ＭＨＺ−ＰＷ）などのイミダゾール系硬化促進剤が挙げられる（いずれも四国化成工業（株）製）。
なかでも、フィルム状接着剤の保存性の観点から、潜在性に優れるテトラフェニルホスホニウムテトラフェニルボレート（商品名；ＴＰＰ−Ｋ）や、テトラフェニルホスホニウムジシアナミド（商品名；ＴＰＰ−ＤＣＡ）が好ましい。
また、フィルム状接着剤の保存性の観点から、潜在性に優れる２−フェニル−４，５−ジヒドロキシメチルイミダゾール（商品名；２ＰＨＺ−ＰＷ）が好ましい。

前記促進剤の含有量は適宜設定できるが、フィルム状接着剤の構成材料から導電性粒子を除いた材料の１００重量部に対して、０．６〜１５重量部が好ましく、０．８〜１０重量部がより好ましい。

接着シート３０は、前記成分以外にも、フィルム製造に一般に使用される配合剤、例えば、架橋剤などを適宜含有してよい。

接着シート３０は、通常の方法で製造できる。例えば、前記各成分を含有する接着剤組成物溶液を作製し、接着剤組成物溶液を基材セパレータ上に所定厚みとなる様に塗布して塗布膜を形成した後、該塗布膜を乾燥させることで、接着シート３０を製造できる。

接着剤組成物溶液に用いる溶媒としては特に限定されないが、前記各成分を均一に溶解、混練又は分散できる有機溶媒が好ましい。例えば、ジメチルホルムアミド、ジメチルアセトアミド、Ｎ-メチルピロリドン、アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノンなどのケトン系溶媒、トルエン、キシレンなどが挙げられる。塗布方法は特に限定されない。溶剤塗工の方法としては、例えば、ダイコーター、グラビアコーター、ロールコーター、リバースコーター、コンマコーター、パイプドクターコーター、スクリーン印刷などが挙げられる。なかでも、塗布厚みの均一性が高いという点から、ダイコーターが好ましい。

基材セパレータとしては、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレン、ポリプロピレンや、フッ素系剥離剤、長鎖アルキルアクリレート系剥離剤などの剥離剤により表面コートされたプラスチックフィルムや紙などが使用可能である。接着剤組成物溶液の塗布方法としては、例えば、ロール塗工、スクリーン塗工、グラビア塗工などが挙げられる。また、塗布膜の乾燥条件は特に限定されず、例えば、乾燥温度７０〜１６０℃、乾燥時間１〜５分間で行うことができる。

接着シート３０の製造方法としては、例えば、前記各成分をミキサーにて混合し、得られた混合物をプレス成形して接着シート３０を製造する方法なども好適である。ミキサーとしてはプラネタリーミキサーなどが挙げられる。

接着シート３０は、熱硬化後の２６０℃での貯蔵弾性率が１０〜７００ＭＰａであることが好ましく、より好ましくは５０〜３５０ＭＰａである。熱硬化後の２６０℃での貯蔵弾性率が７００ＭＰａ以下であると、熱硬化後の貯蔵弾性率は比較的低く抑えられている。その結果、応力緩和性により優れる。また、熱硬化後の２６０℃での貯蔵弾性率が１０ＭＰａ以上であると、接着力に優れる。
なお、本明細書において、熱硬化後とは、１２０℃で１時間加熱し、且つ、その後１７５℃で１時間加熱した後のことをいう。

接着シート３０は、銅リードフレームに接着し、２００℃で１時間加熱した後の、２６０℃における前記銅リードフレームに対するせん断接着力をＡ、銀メッキされた銅リードフレームに接着し、２００℃で１時間加熱した後の、２６０℃における前記銀メッキされた銅リードフレームに対するせん断接着力をＢとしたとき、Ｂ／Ａが１．１以上であることが好ましく、より好ましくは、１．２以上である。前記Ｂ／Ａが１．１以上であると、銀に対して良好な信頼性を有することができる。また、前記Ｂ／Ａは大きいほど好ましいが、例えば、１０以下である。
前記Ｂ／Ａは、例えば、銀フィラーの添加量や粒径によりコントロールすることができる。

前記せん断接着力Ａは、銅への接着力確保の観点から、好ましくは、０．１〜３０ＭＰａであり、より好ましくは、０．５〜２０ＭＰａである。
また、前記せん断接着力Ｂは、銀への接着力確保の観点から、好ましくは、０．３〜３０ＭＰａであり、より好ましくは、０．７〜２５ＭＰａである。

接着シート３０は、２００℃で１時間加熱した後のシート厚み方向の熱伝導率が３Ｗ／ｍ・Ｋ以上であることが好ましく、より好ましくは、４Ｗ／ｍ・Ｋ以上である。２００℃で１時間加熱した後のシート厚み方向の熱伝導率が３Ｗ／ｍ・Ｋ以上であると、より放熱性に優れる。
前記熱伝導率は、前記銀被覆銅系フィラー及び前記銀フィラーの合計含有量や含有比率によりコントロールすることができる。

（ダイシングテープ）
図１に示すように、ダイシングテープ２０は、基材２２及び基材２２上に配置された粘着剤層２４を備える。

基材２２は、ダイシングテープ２０の強度母体となるものであり、紫外線透過性を有するものが好ましい。基材２２としては、例えば、低密度ポリエチレン、直鎖状ポリエチレン、中密度ポリエチレン、高密度ポリエチレン、超低密度ポリエチレン、ランダム共重合ポリプロピレン、ブロック共重合ポリプロピレン、ホモポリプロレン、ポリブテン、ポリメチルペンテンなどのポリオレフィン、エチレン−酢酸ビニル共重合体、アイオノマー樹脂、エチレン−（メタ）アクリル酸共重合体、エチレン−（メタ）アクリル酸エステル（ランダム、交互）共重合体、エチレン−ブテン共重合体、エチレン−ヘキセン共重合体、ポリウレタン、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレートなどのポリエステル、ポリカーボネート、ポリイミド、ポリエーテルエーテルケトン、ポリイミド、ポリエーテルイミド、ポリアミド、全芳香族ポリアミド、ポリフェニルスルフイド、アラミド（紙）、ガラス、ガラスクロス、フッ素樹脂、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、セルロース系樹脂、シリコーン樹脂、金属（箔）、紙などが挙げられる。

基材２２の表面は、隣接する層との密着性、保持性などを高める為、慣用の表面処理、例えば、クロム酸処理、オゾン暴露、火炎暴露、高圧電撃暴露、イオン化放射線処理などの化学的又は物理的処理、下塗剤（例えば、後述する粘着物質）によるコーティング処理を施すことができる。

基材２２の厚さは、特に制限されず適宜に決定できるが、一般的には５〜２００μｍ程度である。

粘着剤層２４の形成に用いる粘着剤としては特に制限されず、例えば、アクリル系粘着剤、ゴム系粘着剤などの一般的な感圧性接着剤を用いることができる。感圧性接着剤としては、半導体ウエハやガラスなどの汚染をきらう電子部品の超純水やアルコールなどの有機溶剤による清浄洗浄性などの点から、アクリル系ポリマーをベースポリマーとするアクリル系粘着剤が好ましい。

アクリル系ポリマーとしては、例えば、（メタ）アクリル酸アルキルエステル（例えば、メチルエステル、エチルエステル、プロピルエステル、イソプロピルエステル、ブチルエステル、イソブチルエステル、ｓ−ブチルエステル、ｔ−ブチルエステル、ペンチルエステル、イソペンチルエステル、ヘキシルエステル、ヘプチルエステル、オクチルエステル、２−エチルヘキシルエステル、イソオクチルエステル、ノニルエステル、デシルエステル、イソデシルエステル、ウンデシルエステル、ドデシルエステル、トリデシルエステル、テトラデシルエステル、ヘキサデシルエステル、オクタデシルエステル、エイコシルエステルなどのアルキル基の炭素数１〜３０、特に炭素数４〜１８の直鎖状又は分岐鎖状のアルキルエステルなど）及び（メタ）アクリル酸シクロアルキルエステル（例えば、シクロペンチルエステル、シクロヘキシルエステルなど）の１種又は２種以上を単量体成分として用いたアクリル系ポリマーなどが挙げられる。なお、（メタ）アクリル酸エステルとはアクリル酸エステル及び／又はメタクリル酸エステルをいい、本発明の（メタ）とは全て同様の意味である。

アクリル系ポリマーは、凝集力、耐熱性などの改質を目的として、必要に応じ、前記（メタ）アクリル酸アルキルエステル又はシクロアルキルエステルと共重合可能な他のモノマー成分に対応する単位を含んでいてもよい。この様なモノマー成分として、例えば、アクリル酸、メタクリル酸、カルボキシエチル（メタ）アクリレート、カルボキシペンチル（メタ）アクリレート、イタコン酸、マレイン酸、フマル酸、クロトン酸などのカルボキシル基含有モノマー；無水マレイン酸、無水イタコン酸などの酸無水物モノマー；（メタ）アクリル酸２−ヒドロキシエチル、（メタ）アクリル酸２−ヒドロキシプロピル、（メタ）アクリル酸４−ヒドロキシブチル、（メタ）アクリル酸６−ヒドロキシヘキシル、（メタ）アクリル酸８−ヒドロキシオクチル、（メタ）アクリル酸１０−ヒドロキシデシル、（メタ）アクリル酸１２−ヒドロキシラウリル、（４−ヒドロキシメチルシクロヘキシル）メチル（メタ）アクリレートなどのヒドロキシル基含有モノマー；スチレンスルホン酸、アリルスルホン酸、２−（メタ）アクリルアミド−２−メチルプロパンスルホン酸、（メタ）アクリルアミドプロパンスルホン酸、スルホプロピル（メタ）アクリレート、（メタ）アクリロイルオキシナフタレンスルホン酸などのスルホン酸基含有モノマー；２−ヒドロキシエチルアクリロイルホスフェートなどのリン酸基含有モノマー；アクリルアミド、アクリロニトリルなどが挙げられる。これら共重合可能なモノマー成分は、１種又は２種以上使用できる。これら共重合可能なモノマーの使用量は、全モノマー成分の４０重量％以下が好ましい。

更に、アクリル系ポリマーは、架橋させる為、多官能性モノマーなども、必要に応じて共重合用モノマー成分として含むことができる。この様な多官能性モノマーとして、例えば、ヘキサンジオールジ（メタ）アクリレート、（ポリ）エチレングリコールジ（メタ）アクリレート、（ポリ）プロピレングリコールジ（メタ）アクリレート、ネオペンチルグリコールジ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールジ（メタ）アクリレート、トリメチロールプロパントリ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールトリ（メタ）アクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサ（メタ）アクリレート、エポキシ（メタ）アクリレート、ポリエステル（メタ）アクリレート、ウレタン（メタ）アクリレートなどが挙げられる。これらの多官能性モノマーも１種又は２種以上用いることができる。多官能性モノマーの使用量は、粘着特性などの点から、全モノマー成分の３０重量％以下が好ましい。

アクリル系ポリマーは、単一モノマー又は２種以上のモノマー混合物を重合に付すことにより得られる。重合は、溶液重合、乳化重合、塊状重合、懸濁重合などの何れの方式で行うこともできる。清浄な被着体への汚染防止などの点から、低分子量物質の含有量が小さいのが好ましい。この点から、アクリル系ポリマーの数平均分子量は、好ましくは３０万以上、更に好ましくは４０万〜３００万程度である。

また、前記粘着剤には、ベースポリマーであるアクリル系ポリマーなどの数平均分子量を高める為、外部架橋剤を適宜に採用することもできる。外部架橋方法の具体的手段としては、ポリイソシアネート化合物、エポキシ化合物、アジリジン化合物、メラミン系架橋剤などのいわゆる架橋剤を添加し反応させる方法が挙げられる。外部架橋剤を使用する場合、その使用量は、架橋すべきベースポリマーとのバランスにより、更には、粘着剤としての使用用途によって適宜決定される。一般的には、前記ベースポリマー１００重量部に対して、５重量部程度以下、更には０．１〜５重量部配合するのが好ましい。更に、粘着剤には、必要により、前記成分のほかに、従来公知の各種の粘着付与剤、老化防止剤などの添加剤を用いてもよい。

粘着剤層２４は放射線硬化型粘着剤により形成することができる。放射線硬化型粘着剤は、紫外線などの放射線の照射により架橋度を増大させてその粘着力を容易に低下させることができる。

図１に示す粘着剤層２４のワーク貼り付け部分に対応する部分２６のみを放射線照射することにより他の部分との粘着力の差を設けることができる。この場合、未硬化の放射線硬化型粘着剤により形成されている部分は接着シート３０と粘着し、ダイシングする際の保持力を確保できる。また、未硬化の放射線硬化型粘着剤により形成されている部分にウエハリングを固定できる。

放射線硬化型粘着剤は、炭素−炭素二重結合などの放射線硬化性の官能基を有し、かつ粘着性を示すものを特に制限なく使用することができる。放射線硬化型粘着剤としては、例えば、前記アクリル系粘着剤、ゴム系粘着剤などの一般的な感圧性粘着剤に、放射線硬化性のモノマー成分やオリゴマー成分を配合した添加型の放射線硬化型粘着剤を例示できる。

配合する放射線硬化性のモノマー成分としては、例えば、ウレタンオリゴマー、ウレタン（メタ）アクリレート、トリメチロールプロパントリ（メタ）アクリレート、テトラメチロールメタンテトラ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールトリ（メタ）アクリレート、ペンタエリストールテトラ（メタ）アクリレート、ジペンタエリストールモノヒドロキシペンタ（メタ）アクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサ（メタ）アクリレート、１，４−ブタンジオールジ（メタ）アクリレートなどが挙げられる。また放射線硬化性のオリゴマー成分はウレタン系、ポリエーテル系、ポリエステル系、ポリカーボネート系、ポリブタジエン系など種々のオリゴマーがあげられ、その分子量が１００〜３００００程度の範囲のものが適当である。放射線硬化性のモノマー成分やオリゴマー成分の配合量は、前記粘着剤層の種類に応じて、粘着剤層の粘着力を低下できる量を、適宜に決定することができる。一般的には、粘着剤を構成するアクリル系ポリマーなどのベースポリマー１００重量部に対して、例えば５〜５００重量部、好ましくは４０〜１５０重量部程度である。

また、放射線硬化型粘着剤としては、前記説明した添加型の放射線硬化型粘着剤のほかに、ベースポリマーとして、炭素−炭素二重結合をポリマー側鎖又は主鎖中もしくは主鎖末端に有するものを用いた内在型の放射線硬化型粘着剤が挙げられる。内在型の放射線硬化型粘着剤は、低分子成分であるオリゴマー成分などを含有する必要がなく、又は多くは含まない為、経時的にオリゴマー成分などが粘着剤在中を移動することなく、安定した層構造の粘着剤層を形成することができる為好ましい。

前記炭素−炭素二重結合を有するベースポリマーは、炭素−炭素二重結合を有し、かつ粘着性を有するものを特に制限なく使用できる。この様なベースポリマーとしては、アクリル系ポリマーを基本骨格とするものが好ましい。アクリル系ポリマーの基本骨格としては、前記例示したアクリル系ポリマーが挙げられる。

前記アクリル系ポリマーへの炭素−炭素二重結合の導入法は特に制限されず、様々な方法を採用できるが、炭素−炭素二重結合はポリマー側鎖に導入するのが分子設計が容易である。例えば、予め、アクリル系ポリマーに官能基を有するモノマーを共重合した後、この官能基と反応しうる官能基及び炭素−炭素二重結合を有する化合物を、炭素−炭素二重結合の放射線硬化性を維持したまま縮合又は付加反応させる方法が挙げられる。

これら官能基の組合せの例としては、カルボン酸基とエポキシ基、カルボン酸基とアジリジル基、ヒドロキシル基とイソシアネート基などが挙げられる。これら官能基の組合せのなかでも反応追跡の容易さから、ヒドロキシル基とイソシアネート基との組合せが好適である。また、これら官能基の組み合わせにより、前記炭素−炭素二重結合を有するアクリル系ポリマーを生成するような組合せであれば、官能基はアクリル系ポリマーと前記化合物のいずれの側にあってもよいが、前記の好ましい組み合わせでは、アクリル系ポリマーがヒドロキシル基を有し、前記化合物がイソシアネート基を有する場合が好適である。この場合、炭素−炭素二重結合を有するイソシアネート化合物としては、例えば、メタクリロイルイソシアネート、２−メタクリロイルオキシエチルイソシアネート、ｍ−イソプロペニル−α，α−ジメチルベンジルイソシアネートなどが挙げられる。また、アクリル系ポリマーとしては、前記例示のヒドロキシ基含有モノマーや２−ヒドロキシエチルビニルエーテル、４−ヒドロキシブチルビニルエーテル、ジエチレングルコールモノビニルエーテルのエーテル系化合物などを共重合したものが用いられる。

前記内在型の放射線硬化型粘着剤は、前記炭素−炭素二重結合を有するベースポリマー（特にアクリル系ポリマー）を単独で使用することができるが、特性を悪化させない程度に前記放射線硬化性のモノマー成分やオリゴマー成分を配合することもできる。放射線硬化性のオリゴマー成分などは、通常ベースポリマー１００重量部に対して３０重量部の範囲内であり、好ましくは０〜１０重量部の範囲である。

前記放射線硬化型粘着剤には、紫外線などにより硬化させる場合には光重合開始剤を含有させる。光重合開始剤としては、例えば、４−（２−ヒドロキシエトキシ）フェニル（２−ヒドロキシ−２−プロピル）ケトン、α−ヒドロキシ−α，α’−ジメチルアセトフェノン、２−メチル−２−ヒドロキシプロピオフェノン、１−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトンなどのα−ケトール系化合物；メトキシアセトフェノン、２，２−ジメトキシ−２−フェニルアセトフエノン、２，２−ジエトキシアセトフェノン、２−メチル−１−［４−（メチルチオ）−フェニル］−２−モルホリノプロパン−１などのアセトフェノン系化合物；ベンゾインエチルエーテル、ベンゾインイソプロピルエーテル、アニソインメチルエーテルなどのベンゾインエーテル系化合物；ベンジルジメチルケタールなどのケタール系化合物；２−ナフタレンスルホニルクロリドなどの芳香族スルホニルクロリド系化合物；１−フェノン−１，１―プロパンジオン−２−（ｏ−エトキシカルボニル）オキシムなどの光活性オキシム系化合物；ベンゾフェノン、ベンゾイル安息香酸、３，３’−ジメチル−４−メトキシベンゾフェノンなどのベンゾフェノン系化合物；チオキサンソン、２−クロロチオキサンソン、２−メチルチオキサンソン、２，４−ジメチルチオキサンソン、イソプロピルチオキサンソン、２，４−ジクロロチオキサンソン、２，４−ジエチルチオキサンソン、２，４−ジイソプロピルチオキサンソンなどのチオキサンソン系化合物；カンファーキノン；ハロゲン化ケトン；アシルホスフィノキシド；アシルホスフォナートなどが挙げられる。光重合開始剤の配合量は、粘着剤を構成するアクリル系ポリマーなどのベースポリマー１００重量部に対して、例えば０．０５〜２０重量部程度である。

また放射線硬化型粘着剤としては、例えば、特開昭６０−１９６９５６号公報に開示されている、不飽和結合を２個以上有する付加重合性化合物、エポキシ基を有するアルコキシシランなどの光重合性化合物と、カルボニル化合物、有機硫黄化合物、過酸化物、アミン、オニウム塩系化合物などの光重合開始剤とを含有するゴム系粘着剤やアクリル系粘着剤などが挙げられる。

前記放射線硬化型の粘着剤層２４中には、必要に応じて、放射線照射により着色する化合物を含有させることもできる。放射線照射により、着色する化合物を粘着剤層２４に含ませることによって、放射線照射された部分のみを着色することができる。放射線照射により着色する化合物は、放射線照射前には無色又は淡色であるが、放射線照射により有色となる化合物であり、例えば、ロイコ染料などが挙げられる。放射線照射により着色する化合物の使用割合は、適宜設定できる。

粘着剤層２４の厚さは、特に限定されないが、チップ切断面の欠け防止や接着シート３０の固定保持の両立性などの点よりは、１〜５０μｍ程度であるのが好ましい。好ましくは２〜３０μｍ、更には５〜２５μｍが好ましい。

ダイシングテープ一体型接着シート１０は、通常の方法で製造できる。例えば、ダイシングテープ２０の粘着剤層２４と接着シート３０とを貼り合わせることで、ダイシングテープ一体型接着シート１０を製造できる。

（半導体装置の製造方法）
本実施形態に係る半導体装置の製造方法は、
ダイシングテープ一体型接着シートを準備する工程と、
前記ダイシングテープ一体型接着シートに半導体ウエハを貼り付ける工程と、
前記半導体ウエハを前記接着シートと共にダイシングして、接着シート付き半導体チップを形成する工程と、
前記接着シート付き半導体チップを前記ダイシングテープからピックアップする工程と、
ピックアップした前記接着シート付き半導体チップを被着体にダイボンドする工程とを少なくとも含む。

以下、本実施形態に係る半導体装置の製造方法について、図２〜図５を参照しながら説明する。図２〜５は、本実施形態に係るダイシングテープ一体型接着シートを用いた半導体装置の製造方法を説明するための断面模式図である。

まず、ダイシングテープ一体型接着シート１０を準備する。

次に、図２に示すように、ダイシングテープ一体型接着シート１０に半導体ウエハ４０を貼り付ける。半導体ウエハ４０としては、シリコンウエハ、シリコンカーバイドウエハ、化合物半導体ウエハなどが挙げられる。化合物半導体ウエハとしては、窒化ガリウムウエハなどが挙げられる。

貼付方法としては、例えば、圧着ロールなどの押圧手段により押圧する方法などが挙げられる。貼付圧力としては、０．０５〜１０ＭＰａの範囲内であることが好ましい。また、貼付温度は特に限定されないが、例えば２３〜９０℃の範囲内であることが好ましい。

次に、図３に示すように、半導体ウエハ４０のダイシングを行う。つまり、半導体ウエハ４０を接着シート３０と共に所定のサイズに切断し、接着シート３０付き半導体チップ５０を形成する。ダイシングは、常法に従い行われる。また、本工程では、例えばダイシングテープ一体型接着シート１０まで切込みを行なうフルカットと呼ばれる切断方式などを採用できる。本工程で用いるダイシング装置としては特に限定されず、従来公知のものを用いることができる。半導体ウエハ４０は、ダイシングテープ一体型接着シート１０により固定されているので、チップ欠けやチップ飛びを抑制できると共に、半導体ウエハ４０の破損も抑制できる。

次に、図４に示すように、接着シート３０付き半導体チップ５０をダイシングテープ２０からピックアップする。ピックアップの方法としては特に限定されず、従来公知の種々の方法を採用できる。例えば、個々の半導体チップ５０をダイシングテープ２０側からニードルによって突き上げ、突き上げられた半導体チップ５をピックアップ装置によってピックアップする方法などが挙げられる。

ピックアップ条件としては、チッピング防止の点で、ニードル突き上げ速度を５〜１００ｍｍ／秒とすることが好ましく、５〜１０ｍｍ／秒とすることがより好ましい。

ピックアップは、粘着剤層２４が紫外線硬化型である場合、該粘着剤層２４に紫外線を照射した後に行ってもよい。これにより、粘着剤層２４の接着シート３０に対する粘着力が低下し、半導体チップ５０の剥離が容易になる。その結果、半導体チップ５０を損傷させることなくピックアップが可能となる。紫外線照射の際の照射強度、照射時間などの条件は特に限定されず、適宜必要に応じて設定すればよい。

次に、図５に示すように、ピックアップした半導体チップ５０を、接着シート３０を介して被着体６０にダイボンドする。被着体６０としては、リードフレーム、ＴＡＢフィルム、基板又は別途作製した半導体チップ等が挙げられる。被着体６０は、例えば、容易に変形されるような変形型被着体であってもよく、変形することが困難である非変形型被着体（半導体ウェハ等）であってもよい。

前記基板としては、従来公知のものを使用することができる。また、前記リードフレームとしては、Ｃｕリードフレーム、４２Ａｌｌｏｙリードフレーム等の金属リードフレームやガラスエポキシ、ＢＴ（ビスマレイミド−トリアジン）、ポリイミド等からなる有機基板を使用することができる。しかし、本発明はこれに限定されるものではなく、半導体チップをマウントし、半導体チップと電気的に接続して使用可能な回路基板も含まれる。

ダイボンド条件としては、圧力０．０１ＭＰａ〜５ＭＰａが好ましい。また、ダイボンド時の温度は特に限定されないが、例えば２３〜２００℃の範囲内であることが好ましい。

続いて、半導体チップ５０付き被着体６０を加熱することにより接着シート３０を熱硬化させて、半導体チップ５０と被着体６０とを固着させる。この際、接着シート３０中の銀フィラーを焼結させることが好ましい。加熱温度は、８０〜２００℃、好ましくは１００〜１７５℃、より好ましくは１００〜１４０℃で行うことができる。また、加熱時間は、０．１〜２４時間、好ましくは０．１〜３時間、より好ましくは０．２〜１時間で行うことができる。また、加熱硬化は、加圧条件下で行なってもよい。加圧条件としては、１〜２０ｋｇ／ｃｍ^２の範囲内が好ましく、３〜１５ｋｇ／ｃｍ^２の範囲内がより好ましい。加圧下での加熱硬化は、例えば、不活性ガスを充填したチャンバー内で行なうことができる。上記条件で加熱すると接着シート３０は充分に熱硬化する。その結果、その後のワイヤーボンディング工程で不具合が発生することを抑制することができる。

次に、被着体６０の端子部（インナーリード）の先端と半導体チップ５０上の電極パッド（図示しない）とをボンディングワイヤー７０で電気的に接続するワイヤーボンディング工程を行う。ボンディングワイヤー７０としては、例えば金線、アルミニウム線又は銅線などが用いられる。ワイヤーボンディングを行う際の温度は、２３〜３００℃、好ましくは２３〜２５０℃の範囲内で行われる。また、その加熱時間は数秒〜数分間（例えば、１秒〜１分間）行われる。結線は、前記温度範囲内となる様に加熱された状態で、超音波による振動エネルギーと印加加圧による圧着エネルギーの併用により行われる。

次に、必要に応じて、封止樹脂８０により半導体チップ５０を封止する封止工程を行う。本工程は、被着体６０に搭載された半導体チップ５０やボンディングワイヤー７０を保護する為に行われる。本工程は、封止用の樹脂を金型で成型することにより行う。封止樹脂８０としては、例えばエポキシ系の樹脂を使用する。樹脂封止の際の加熱温度は、好ましくは１６５℃以上、より好ましくは１７０℃以上であり、該加熱温度は、好ましくは１８５℃以下、より好ましくは１８０℃以下である。これにより、封止樹脂８０を硬化させる。なお、本封止工程では、シート状の封止用シートに半導体チップ５０を埋め込む方法（例えば、特開２０１３−７０２８号公報参照）を採用することもできる。また、金型による封止樹脂の成型以外にも、ケース型容器にシリコーンゲルを流し込むゲル封止型でもよい。

次に、必要に応じて、封止物を更に加熱をしてもよい（後硬化工程）。これにより、封止工程で硬化不足の封止樹脂８０を完全に硬化できる。本工程における加熱温度は、封止樹脂の種類により異なるが、例えば１６５〜１８５℃の範囲内であり、加熱時間は０．５〜８時間程度である。

上述した実施形態では、本発明の接着シートが、ダイボンドフィルムとしての接着シート３０である場合について説明したが、本発明の接着シートは、この例に限定されない。本発明の接着シートとしては、例えば、フリップチップ型半導体裏面用フィルム、半導体装置とヒートシンク間の接着シート、ＰｏＰパッケージ（Ｐａｃｋａｇｅ ｏｎ Ｐａｃｋａｇｅパッケージ）のパッケージ間接着シート、ＬＥＤチップ用の接着シート等を挙げることができる。
フリップチップ型半導体裏面用フィルムとは、フリップチップ接続された半導体チップの裏面（フリップチップ接続面とは反対側の面）に貼り付けられるフィルムである。
本発明の接着シートフリップチップ型半導体裏面用フィルムである場合、フリップチップ型半導体裏面用フィルムとしての機能を有する程度に組成や含有量を変更した上で、ダイボンドフィルムとしての接着シート３０と同様の構成を採用することができる。

以下、本発明に関し実施例を用いて詳細に説明するが、本発明はその要旨を超えない限り、以下の実施例に限定されるものではない。

実施例で使用した成分について説明する。
銀被覆銅系フィラー：三井金属工業社製の１２００ＹＰ（フレーク状、平均長径：２．３μｍ、銀の被覆量２０重量％、比表面積：０．５８ｍ^２／ｇ、個数換算平均粒子径：３．４μｍ、体積換算平均粒子径：１．４μｍ）
銀フィラー：ＤＯＷＡエレクトロニクス（株）製のＡｇ ｎａｎｏ ｐｏｗｄｅｒ−２（一次粒径：６０ｎｍ）
アクリル樹脂：根上工業社製のＷ−１１６．３（酸価：７．８）
フェノール樹脂：明和化成社製のＭＥＨ−７８００Ｈ
エポキシ樹脂：ＤＩＣ社製のＥＸＡ−４８５０（可撓性骨格として非芳香族骨格を含む）
硬化促進剤：四国化成社製の２ＰＨＺ−ＰＷ
分散剤：東亞合成社製のＵＣ−３０００（カルボン酸基を有するアクリル共重合体、酸価：７４、平均重量分子量：１００００）

［接着シートの作製］
表１に記載の配合比に従い、表１に記載の各成分をメチルエチルケトンに溶解して濃度４０〜５０重量％の接着剤組成物溶液を調製した。

調製した接着剤組成物溶液を、シリコーン離型処理した厚み５０μｍのポリエチレンテレフタレートフィルムに塗布した後、１３０℃で２分間乾燥させることにより、厚み２０μｍの接着シートを作製した。

［２６０℃における銅板に対するせん断接着力Ａの測定］
実施例、及び、比較例の接着シートを厚み５００μｍ、３ｍｍ×３ｍｍのシリコンチップに貼り合わせた。貼り合わせ条件は、接着シートにシリコンチップが張り付く温度（６０〜１５０℃）、速度１０ｍｍ／ｓｅｃ、圧力０．１５ＭＰａとした。その後、カッターナイフで接着シートをシリコンチップと同じサイズに切り抜いた。次に、窒素雰囲気下にて、１２０℃で１時間加熱し、さらに、２００℃で１時間加熱し、接着シートを硬化させた。以上により、せん断接着力測定用チップを作製した。
この測定用チップの接着剤面を厚み０．２μｍの銅リードフレーム（母材：ＭＦ２０２）に１５０℃で１秒間、１ＭＰａ保持して貼り合わせた。
せん断試験機（Ｄａｇｅ社製、Ｄａｇｅ４０００）を用いて、接着シートと銅リードフレームとのせん断接着力を測定した。せん断試験の条件は、測定速度５００μｍ／ｓ、測定ギャップ１００μｍ、ステージ温度２６０℃とした。測定は、測定ステージにサンプルを置いてから約２０秒後に行った。結果を表１に示す。

［２６０℃における銀板に対するせん断接着力Ｂの測定］
銅リードフレームに対するせん断接着力の測定と同様にして、せん断接着力測定用チップを作製した。
この測定用チップの接着剤面を厚み０．２μｍの銀メッキされた銅リードフレーム（母材：ＭＦ２０２、銀メッキの厚さ：１〜５μｍ）に１５０℃で１秒間、１ＭＰａ保持して貼り合わせた。
せん断試験機（Ｄａｇｅ社製、Ｄａｇｅ４０００）を用いて、接着シートと銀メッキされた銅リードフレームとのせん断接着力を測定した。せん断試験の条件は、銅リードフレームに対するせん断接着力の測定と同様とした。結果を表１に示す。
なお、表１には、Ｂ／Ａについても合わせて記載した。

［熱硬化後の２６０℃での貯蔵弾性率の測定］
実施例、及び、比較例の接着シートを、幅１０ｍｍ×長さ３０ｍｍ×厚さ４００μｍｍに積層した。次に、窒素雰囲気下にて、１２０℃で１時間加熱し、さらに、１７５℃で１時間加熱し、接着シートを硬化させた。
次に、粘弾性測定装置ＲＳＡ２（ＴＡインスツルメンツ社製）を用い、窒素雰囲気下にて、測定条件：昇温速度１０℃／分、周波数１Ｈｚ、チャック間距離２２．５ｍｍにて、貯蔵弾性率を測定した。結果を表１に示す。

（２００℃で１時間加熱した後の熱伝導率の測定）
まず、実施例、及び、比較例の接着シートを２００℃で１時間加熱して熱硬化させた。熱硬化は、窒素雰囲気下にて行った。
次に、熱硬化後のこれらの接着シートの熱伝導率の測定を行なった。熱伝導率は下記の式から求めた。結果を表１に示す。
（熱伝導率）＝（熱拡散係数）×（比熱）×（比重）

＜熱拡散係数＞.
まず、実施例、及び、比較例の接着シートを、窒素雰囲気下にて、２００℃で１時間加熱した。次に、２０ｍｍ角に切り出して、アイフェイズ・モバイル（アイフェイズ社製）を用いて熱拡散係数測定した。

＜比熱＞
ＤＳＣ（ＴＡ ｉｎｓｔｒｕｍｅｎｔ製、Ｑ−２０００）を用いてＪＩＳ−７１２３の規格に沿った測定方法によって求めた。

＜比重＞
電子天秤（株式会社島津製作所製、ＡＥＬ−２００）を用いてアルキメデス法によって測定した。

（吸湿リフロー信頼性試験）
実施例、及び、比較例の接着シートのそれぞれを、半導体ウェハにマウントした。半導体ウェハとしては、サイズが８インチであり、厚さが１００μｍになるまで裏面研削したものを用いた。研削条件及び貼り合わせ条件は下記の通りである。
＜ウェハ研削条件＞
研削装置：ディスコ社製、ＤＧＰ−８７６０
半導体ウェハ：８インチ径（厚さ７５０μｍから１００μｍに裏面研削）
＜貼り合わせ条件＞
貼り付け装置：日東精機製、ＤＲ−３０００ＩＩ
貼り付け速度計：１００ｍｍ／ｍｉｎ
貼り付け圧力：０．３ＭＰａ
貼り付け時のステージ温度：１００℃

次に、半導体ウェハをダイシングし半導体チップを形成した。ダイシングは２ｍｍ角のチップサイズとなる様にダイシングを行った。ダイシング条件は下記の通りである。なお、ダイシングに際しては、ダイシングテープとしてＰ２１３０Ｇ（日東電工（株）製）を用いた。
＜ダイシング条件＞
ダイシング装置：ディスコ社製、ＤＦＤ−６３６１
ダイシング速度：３０ｍｍ／秒
ダイシングブレード：ディスコ社製
Ｚ１：２０５Ｏ−ＨＥＤＤ
Ｚ２：２０５Ｏ−ＨＣＢＢ
回転数：４万ｒｐｍ
Ｚ２のダイシングテープへの切り込み量：２０μｍ
カット方式：ステップカット・Ａモード
チップサイズ：２ｍｍ角

更に、ダイシングテープの基材側からニードルによる突き上げ方式で、接着シート付きの半導体チップをピックアップした。ピックアップ条件は下記の通りである。
＜ピックアップ条件＞
ダイボンド装置：（株）新川製、装置名：ＳＰＡ−３００
ニードル本数：１本
ニードル突き上げ量：４００μｍ
ニードル突き上げ速度：５ｍｍ／秒
吸着保持時間：８０ｍｓ

ピックアップした半導体チップを銅リードフレームにダイボンドした。ダイボンド条件は、ステージ温度１３０℃、荷重０．１ＭＰａ、荷重時間１秒とした。銅リードフレーム（厚さ０．２μｍ、母材：ＭＦ２０２）を用いた。

次に、半導体チップがダイボンドされたＣｕリードフレームを、乾燥機にて１３０℃、１時間熱処理し、その後封止樹脂（日東電工（株）製、商品名；ＧＥ−７４７０ＬＡ）でパッケージングした。封止条件は成形温度１７５℃、成形時間９０秒とした。得られた半導体パッケージに対し、更に後硬化工程を行った。具体的には、加熱温度１７５℃、加熱時間１時間とした。これにより、半導体パッケージ（長さ５ｍｍ×幅５ｍｍ×厚さ０．７ｍｍ）を１０個作製した。
続いて、ＭＳＬ１、ＭＳＬ２それぞれの条件でパッケージを吸湿させた。ＭＳＬ１は８５℃×８５％ＲＨ×１６８時間の条件下で、ＭＳＬ２は８５℃×６０％ＲＨ×１６８時間の条件下で半導体パッケージの吸湿を行った。その後、予備加熱での温度１５０±３０℃、予備加熱時間９０秒、ピーク温度２６０℃以上、ピーク温度での加熱時間１０秒に設定したＩＲリフロー炉に、前記半導体パッケージを載置した。その後、半導体パッケージをガラスカッターで切断し、その断面を超音波顕微鏡で観察して、各接着シートと基板の境界における剥離の有無を確認した。確認は半導体チップ９個に対し行い、
ＭＳＬ１の条件で剥離発生率が５０％以下の場合を◎、ＭＳＬ２の条件で剥離発生率が５０％以下の場合を○、両方の場合において剥離発生率が５０％以上の場合を×として評価した。結果を表１に示す。

１０ ダイシングテープ一体型接着シート
２０ ダイシングテープ
２２ 基材
２４ 粘着剤層
３０ 接着シート
４０ 半導体ウエハ
５０ 半導体チップ
６０ 被着体
７０ ボンディングワイヤー
８０ 封止樹脂

Claims (13)

1. 銀被覆銅系フィラーと、
   銀フィラーとを含有し、
   前記銀被覆銅系フィラーは、フレーク状であり、且つ、平均長径が０．７μｍ以上であり、
   前記銀フィラーは、一次粒径が５００ｎｍ以下であり、
   熱硬化後の２６０℃での貯蔵弾性率が１０〜７００ＭＰａであることを特徴とする接着シート。
2. 銅リードフレームに接着し、２００℃で１時間加熱した後の、２６０℃における前記銅リードフレームに対するせん断接着力をＡ、銀メッキされた銅リードフレームに接着し、２００℃で１時間加熱した後の、２６０℃における前記銀メッキされた銅リードフレームに対するせん断接着力をＢとしたとき、Ｂ／Ａが１．１以上であることを特徴とする請求項１に記載の接着シート。
3. ２００℃で１時間加熱した後のシート厚み方向の熱伝導率が３Ｗ／ｍ・Ｋ以上であることを特徴とする請求項１又は２に記載の接着シート。
4. 前記銀被覆銅系フィラーの重量をＣ、前記銀フィラーの重量をＤとしたとき、比Ｃ：Ｄが、９：１〜５：５の範囲内であることを特徴とする請求項１〜３のいずれか１に記載の接着シート。
5. 前記銀被覆銅系フィラーにおける銀の被覆量は、前記銀被覆銅系フィラー全体の重量に対して、５〜３０重量％であることを特徴とする請求項１〜４のいずれか１に記載の接着シート。
6. 前記銀被覆銅系フィラーの比表面積は、０．５〜１．５ｍ^２／ｇの範囲内であることを特徴とする請求項１〜５のいずれか１に記載の接着シート。
7. 前記銀被覆銅系フィラーの個数換算平均粒子径をＥ、体積換算平均粒子径をＦとしたとき、Ｆ／Ｅが１０以下であることを特徴とする請求項１〜６のいずれか１に記載の接着シート。
8. エポキシ樹脂を含有することを特徴とする請求項１〜７のいずれか１に記載の接着シート。
9. 前記エポキシ樹脂は、可撓性骨格を有することを特徴とする請求項８に記載の接着シート。
10. 分散剤を含有していることを特徴とする請求項１〜９のいずれか１に記載の接着シート。
11. 前記分散剤は、カルボン酸基を有しており、酸価は２０以上であり、平均重量分子量が１０００以上のアクリル共重合体であることを特徴とする請求項１０に記載の接着シート。
12. ダイシングテープと、
    請求項１〜１１のいずれか１に記載の接着シートとを有し、
    前記ダイシングテープ上に前記接着シートが積層されていることを特徴とするダイシングテープ一体型接着シート。
13. 請求項１２に記載のダイシングテープ一体型接着シートを準備する工程と、
    前記ダイシングテープ一体型接着シートに半導体ウエハを貼り付ける工程と、
    前記半導体ウエハを前記接着シートと共にダイシングして、接着シート付き半導体チップを形成する工程と、
    前記接着シート付き半導体チップを前記ダイシングテープからピックアップする工程と、
    ピックアップした前記接着シート付き半導体チップを被着体にダイボンドする工程とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。

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