JP6629920B2 - ガラス基板の製造方法、及びガラス基板製造装置 - Google Patents
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Description
ガラス原料を熔解して熔融ガラスをつくる熔解工程と、
清澄管内で前記熔融ガラスの清澄を行う清澄工程と、を備え、
前記清澄工程では、前記清澄管内に、前記熔融ガラスの液面の上方に気相空間が形成されるように前記熔融ガラスを流しながら清澄を行い、
前記清澄管内に、前記熔融ガラスの流れ方向に間隔をあけて配置された板部材の対を用いて、前記熔融ガラスの流れを部分的に妨げ、
前記板部材は、前記熔融ガラスの前記液面より下方の上下方向の異なる位置に設けられ、
前記対のうち、前記液面に最も接近して配置された第1の板部材の上端部と前記液面との第1の距離は、前記清澄管の内壁の底部に最も接近して配置された第2の板部材の下端部と前記底部との第2の距離よりも短く、
前記清澄工程では、前記流れ方向に沿って前記熔融ガラスの温度分布が形成されるよう前記熔融ガラスの加熱を行い、
前記熔融ガラスの温度が第1の温度である第1の流れ方向位置では、前記熔融ガラスの温度が、前記第1の温度より低い第2の温度である第2の流れ方向位置と比べ、前記第1の距離及び前記第2の距離が短い、ことを特徴とするガラス基板の製造方法。
ガラス原料を熔解して熔融ガラスをつくる熔解工程と、
清澄管内で前記熔融ガラスの清澄を行う清澄工程と、を備え、
前記清澄工程では、前記清澄管内に、前記熔融ガラスの液面の上方に気相空間が形成されるように前記熔融ガラスを流しながら清澄を行い、
前記清澄管内に、前記熔融ガラスの流れ方向に間隔をあけて配置された板部材の対を用いて、前記熔融ガラスの流れを部分的に妨げ、
前記板部材は、前記熔融ガラスの前記液面より下方の上下方向の異なる位置に設けられ、
前記対のうち、前記液面に最も接近して配置された第1の板部材の上端部と前記液面との第1の距離は、前記清澄管の内壁の底部に最も接近して配置された第2の板部材の下端部と前記底部との第2の距離よりも短く、
前記清澄工程では、前記流れ方向に沿って前記熔融ガラスの温度分布が形成されるよう前記熔融ガラスの加熱を行い、
前記流れ方向に沿って隣り合う前記板部材の間隔は、前記熔融ガラスの温度が第1の温度である第1の流れ方向位置において、前記第1の温度より低い第2の温度である第2の流れ方向位置よりも狭くなっている、ことを特徴とするガラス基板の製造方法。
ガラス原料を熔解して熔融ガラスをつくる熔解工程と、
清澄管内で前記熔融ガラスの清澄を行う清澄工程と、を備え、
前記清澄工程では、前記清澄管内に、前記熔融ガラスの液面の上方に気相空間が形成されるように前記熔融ガラスを流しながら清澄を行い、
前記清澄管内に、前記熔融ガラスの流れ方向に間隔をあけて配置された板部材の対を用いて、前記熔融ガラスの流れを部分的に妨げ、
前記板部材は、前記熔融ガラスの前記液面より下方の上下方向の異なる位置に設けられ、
前記対のうち、前記液面に最も接近して配置された第1の板部材の上端部と前記液面との第1の距離は、前記清澄管の内壁の底部に最も接近して配置された第2の板部材の下端部と前記底部との第2の距離よりも短く、
前記清澄工程では、前記液面の高さを変動させながら前記熔融ガラスを流し、
前記第2の距離は、前記液面の高さが最高位置にあるときの前記第1の距離よりも大きい、ことを特徴とするガラス基板の製造方法。
ガラス原料を熔解して熔融ガラスをつくる熔解工程と、
清澄管内で前記熔融ガラスの清澄を行う清澄工程と、を備え、
前記清澄工程では、前記清澄管内に、前記熔融ガラスの液面の上方に気相空間が形成されるように前記熔融ガラスを流しながら清澄を行い、
前記清澄管内に、前記熔融ガラスの流れ方向に間隔をあけて配置された板部材の対を用いて、前記熔融ガラスの流れを部分的に妨げ、
前記板部材は、前記熔融ガラスの前記液面より下方の上下方向の異なる位置に設けられ、
前記対のうち、前記液面に最も接近して配置された第1の板部材の上端部と前記液面との第1の距離は、前記清澄管の内壁の底部に最も接近して配置された第2の板部材の下端部と前記底部との第2の距離よりも短く、
前記清澄管内に、前記底部と間隔を開けずに配置される板部材は設けられていない、ことを特徴とするガラス基板の製造方法。
ガラス原料を熔解して熔融ガラスをつくる熔解装置と、
前記熔融ガラスの清澄が行われる清澄管を有する清澄装置と、を備え、
前記清澄管内では、前記熔融ガラスの液面の上方に気相空間が形成されるように前記熔融ガラスが流れながら清澄が行われ、
前記清澄管は、前記熔融ガラスの流れ方向に間隔をあけて配置され、前記熔融ガラスの流れを部分的に妨げる板部材の複数の対を有し、
前記対のそれぞれをなす2つの板部材は、前記熔融ガラスの前記液面より下方の上下方向の異なる位置に設けられ、
前記対のそれぞれのうち、前記液面に最も接近して配置された第1の板部材の上端部と前記液面との第1の距離は、前記清澄管の内壁の底部に最も接近して配置された第2の板部材の下端部と前記底部との第2の距離よりも短く、
前記清澄装置は、前記流れ方向に沿って前記熔融ガラスの温度分布が形成されるよう前記熔融ガラスの加熱を行い、
前記熔融ガラスの温度が第1の温度である第1の流れ方向位置では、前記熔融ガラスの温度が、前記第1の温度より低い第2の温度である第2の流れ方向位置と比べ、前記第1の距離及び前記第2の距離が短い、ことを特徴とするガラス基板製造装置。
(6)ガラス基板製造装置であって、
ガラス原料を熔解して熔融ガラスをつくる熔解装置と、
前記熔融ガラスの清澄が行われる清澄管を有する清澄装置と、を備え、
前記清澄管内では、前記熔融ガラスの液面の上方に気相空間が形成されるように前記熔融ガラスが流れながら清澄が行われ、
前記清澄管は、前記熔融ガラスの流れ方向に間隔をあけて配置され、前記熔融ガラスの流れを部分的に妨げる板部材の複数の対を有し、
前記対のそれぞれをなす2つの板部材は、前記熔融ガラスの前記液面より下方の上下方向の異なる位置に設けられ、
前記対のそれぞれのうち、前記液面に最も接近して配置された第1の板部材の上端部と前記液面との第1の距離は、前記清澄管の内壁の底部に最も接近して配置された第2の板部材の下端部と前記底部との第2の距離よりも短く、
前記清澄装置は、前記流れ方向に沿って前記熔融ガラスの温度分布が形成されるよう前記熔融ガラスの加熱を行い、
前記流れ方向に沿って隣り合う前記板部材の間隔は、前記熔融ガラスの温度が第1の温度である第1の流れ方向位置において、前記第1の温度より低い第2の温度である第2の流れ方向位置よりも狭くなっている、ことを特徴とするガラス基板製造装置。
(7)ガラス基板製造装置であって、
ガラス原料を熔解して熔融ガラスをつくる熔解装置と、
前記熔融ガラスの清澄が行われる清澄管を有する清澄装置と、を備え、
前記清澄管内では、前記熔融ガラスの液面の上方に気相空間が形成されるように前記熔融ガラスが流れながら清澄が行われ、
前記清澄管は、前記熔融ガラスの流れ方向に間隔をあけて配置され、前記熔融ガラスの流れを部分的に妨げる板部材の複数の対を有し、
前記対のそれぞれをなす2つの板部材は、前記熔融ガラスの前記液面より下方の上下方向の異なる位置に設けられ、
前記対のそれぞれのうち、前記液面に最も接近して配置された第1の板部材の上端部と前記液面との第1の距離は、前記清澄管の内壁の底部に最も接近して配置された第2の板部材の下端部と前記底部との第2の距離よりも短く、
前記清澄管内では、前記液面の高さが変動しながら前記熔融ガラスが流し、
前記第2の距離は、前記液面の高さが最高位置にあるときの前記第1の距離よりも大きい、ことを特徴とするガラス基板製造装置。
(8)ガラス基板製造装置であって、
ガラス原料を熔解して熔融ガラスをつくる熔解装置と、
前記熔融ガラスの清澄が行われる清澄管を有する清澄装置と、を備え、
前記清澄管内では、前記熔融ガラスの液面の上方に気相空間が形成されるように前記熔融ガラスが流れながら清澄が行われ、
前記清澄管は、前記熔融ガラスの流れ方向に間隔をあけて配置され、前記熔融ガラスの流れを部分的に妨げる板部材の複数の対を有し、
前記対のそれぞれをなす2つの板部材は、前記熔融ガラスの前記液面より下方の上下方向の異なる位置に設けられ、
前記対のそれぞれのうち、前記液面に最も接近して配置された第1の板部材の上端部と前記液面との第1の距離は、前記清澄管の内壁の底部に最も接近して配置された第2の板部材の下端部と前記底部との第2の距離よりも短く、
前記清澄管内に、前記底部と間隔を開けずに配置される板部材は設けられていない、ことを特徴とするガラス基板製造装置。
(ガラス基板の製造方法の全体概要)
図1は、本実施形態のガラス基板の製造方法の工程の一例を示す図である。ガラス基板の製造方法は、熔解工程(ST1)、清澄工程(ST2)、均質化工程(ST3)、供給工程(ST4)、成形工程(ST5)、徐冷工程(ST6)、および、切断工程(ST7)を主に有する。この他に、研削工程、研磨工程、洗浄工程、検査工程、梱包工程等を有してもよい。製造されたガラス基板は、必要に応じて梱包工程で積層され、納入先の業者に搬送される。
清澄工程(ST2)では、熔融ガラスが昇温されることにより、熔融ガラス中に含まれる酸素、CO2あるいはSO2を含んだ泡が発生する。この泡が熔融ガラス中に含まれる清澄剤(酸化スズ等)の還元反応により生じた酸素を吸収して成長し、熔融ガラスの液面に浮上して放出される。その後、清澄工程では、熔融ガラスの温度を低下させることにより、清澄剤の還元反応により得られた還元物質が酸化反応をする。これにより、熔融ガラスに残存する泡中の酸素等のガス成分が熔融ガラス中に再吸収されて、泡が消滅する。清澄剤による酸化反応及び還元反応は、熔融ガラスの温度を制御することにより行われる。清澄工程(ST2)は、熔融ガラスを清澄管120内に流しながら行われる。
なお、清澄工程は、熔融ガラスに存在する泡を減圧雰囲気で成長させて脱泡させる減圧脱泡方式を用いることもできる。減圧脱泡方式は、清澄剤を用いない点で有効である。しかし、減圧脱泡方式は装置が複雑化及び大型化する。このため、清澄剤を用い、熔融ガラス温度を上昇させる清澄方法を採用することが好ましい。
また、清澄工程(ST2)では、後述する板部材の対を用いて熔融ガラスの流れを部分的に妨げて、熔融ガラスを撹拌する。清澄管120内を流れる熔融ガラスの滞在時間を長くして、熔融ガラスが脱泡される時間を十分に確保することにより、ガラス品質を高め、歩留まりを上げることができる。また、このような撹拌を行うことによって、熔融ガラスに混入した異質素地の熔融ガラスへの熔解や、熔融ガラス内の組成ムラの均一化が促進される。なお、板部材の対、及び板部材の対を用いた清澄工程(ST2)の詳細について、後で説明する。
供給工程(ST4)では、撹拌された熔融ガラスが成形装置に供給される。
成形工程(ST5)では、熔融ガラスをシートガラスに成形し、シートガラスの流れを作る。成形には、オーバーフローダウンドロー法が用いられる。
徐冷工程(ST6)では、成形されて流れるシートガラスが所望の厚さになり、内部歪が生じないように、さらに、反りが生じないように冷却される。
切断工程(ST7)では、徐冷後のシートガラスを所定の長さに切断することで、板状のガラス基板を得る。切断されたガラス基板はさらに、所定のサイズに切断され、目標サイズのガラス基板が作られる。
図2に示す熔解槽101には、図示されないバーナー等の加熱手段が設けられている。熔解槽には清澄剤が添加されたガラス原料が投入され、熔解工程(ST1)が行われる。熔解槽101で熔融した熔融ガラスは、高温(例えば1300℃以上)に維持された状態で、移送管104を介して清澄管120に供給される。高温に維持された熔融ガラスを清澄管120に供給することで、熔融ガラスの粘度を低く保ち、清澄管120内を流れる熔融ガラスの流動性を高めることができる。
清澄管120では、熔融ガラスMGの温度を調整して、清澄剤の酸化還元反応を利用して熔融ガラスの清澄工程(ST2)が行われる。具体的には、清澄管120内の熔融ガラスが昇温されることにより、熔融ガラス中に含まれる酸素、CO2あるいはSO2を含んだ泡が、清澄剤の還元反応により生じた酸素を吸収して成長し、熔融ガラスの液面に浮上して気相空間に放出される。気相空間は、熔融ガラスの液面と、清澄管の内壁との間に形成されるように熔融ガラスを清澄管内に流すことで形成される。その後、熔融ガラスの温度を低下させることにより、清澄剤の還元反応により得られた還元物質が酸化反応をする。これにより、熔融ガラスに残存する泡中の酸素等のガス成分が熔融ガラス中に再吸収されて、泡が消滅する。清澄後の熔融ガラスは、移送管105を介して撹拌槽103に供給される。
撹拌槽103では、撹拌子103aによって熔融ガラスが撹拌されて均質化工程(ST3)が行われる。撹拌槽103で均質化された熔融ガラスは、ガラス供給管106を介して成形装置200に供給される(供給工程ST4)。
成形装置200では、オーバーフローダウンドロー法により、熔融ガラスからシートガラスSGが成形され(成形工程ST5)、徐冷される(徐冷工程ST6)。
切断装置300では、シートガラスSGから切り出された板状のガラス基板が形成される(切断工程ST7)。
次に、図3、図4を参照して、清澄管120の構成について説明する。図3は、本実施形態の清澄管120の構成を示す概略斜視図であり、図4は清澄管120の長手方向における鉛直断面図である。
図3、図4に示すように、清澄管120の長さ方向の両端及びその間の位置の外周面には、電極121a、121b、121cが設けられており、清澄管120の気相空間120a(図4参照)と接する壁には、図示されない排気管が設けられている。
なお、本実施形態では、清澄管120が白金族金属から構成されている場合を具体例として説明するが、清澄管120の一部が、耐火物や他の金属などから構成されていてもよい。
電極121a、121bの間では、脱泡処理が促進される温度に加熱される。具体的には、清澄管120の本体の最高温度が例えば、1600℃〜1750℃、より好ましくは1630℃〜1750℃となるように加熱され、移送管104から供給された熔融ガラスの最高温度は、脱泡に適した温度、例えば、1600℃〜1720℃、より好ましくは1620℃〜1720℃に加熱される。
電極121b、121cの間では、吸収処理が促進される温度に加熱される。具体的には、清澄管102の最高温度が例えば、1590℃〜1670℃、より好ましくは1620℃〜1670℃となるよう加熱され、清澄管102内を流れる熔融ガラスの最高温度は、吸収に適した温度1590℃〜1640℃、より好ましくは1610℃〜1640℃に加熱される。
また、通電加熱によって熔融ガラスの温度を制御することで、熔融ガラスの粘度を調節し、これにより清澄管120を通過する熔融ガラスの流速を調節することができる。
制御装置123は電源装置122が清澄管120に通電させる電流量を制御し、これにより清澄管120を通過する熔融ガラスの温度および流速を制御する。制御装置123は、CPU、メモリ等を含むコンピュータである。
熔融ガラスの深さ方向に沿った第1板部材124の配置範囲は、深さ方向に沿った第2板部材125の配置範囲は異なっている。具体的に、第1板部材124は、熔融ガラスの液面Sに最も接近して配置される。第2板部材125は、清澄管120の内壁の底部(清澄管120の内壁の最下部)に最も接近して配置される。図4に示す例では、熔融ガラスの深さ方向に沿った第1板部材124の長さは、第2板部材125の長さより短く、例えば、第2板部材の長さの0.5倍〜1倍未満である。
第1板部材124及び第2板部材125は、図4に示す例のように、清澄管120の長さ方向と垂直な方向に延在していることが好ましい。
距離L1が、距離L2と等しい、あるいは距離L2より長いと、上層領域を流れる熔融ガラスの流速を低下させ難く、上層領域と下層領域で熔融ガラスの速度差を小さくすることが困難である。また、距離L2が距離L1より短いと、例えば、熔解槽から溶出したジルコニア等を多く含んだ、比重が大きい成分が清澄管120の底部に溜まりやすくなり、これに起因してガラス基板に脈理が生じるおそれがある。
なお、距離L1は0mmより長い。距離L1が0mmであると、すなわち、第1板部材124の上端部が、液面Sと同じ高さ、あるいは液面Sを超えて配置されていると、上端部の白金族金属が酸化されて揮発し、さらに揮発した白金族金属が還元されて析出し、析出物が熔融ガラス内に混入するという問題が生じやすい。このため、熔融ガラスの液面が後述するように変動する場合は、液面が最も低い位置となるときに距離L1が0mmより長くなるよう設定される。
なお、間隔Dが長すぎると、上層領域と下層領域の速度差を小さくする効果が低くなることから、間隔Dは、例えば、清澄管120の長さの1/3、好ましくは1/5以下の長さに設定される。間隔Dは、例えば、100〜400mmである。
一方で、このような板部材が清澄管120内に設けられていないことによって、下層領域を流れる熔融ガラスの流速が、上層領域を流れる熔融ガラスの流速に対して速くなり過ぎ、上層領域と下層領域の速度差が却って大きくなってしまう場合がある。このため、上記距離L2は、熔融ガラスの深さ領域のうち最下層40%の領域に相当する長さより短いことが好ましい。この場合、上記距離L2は、流れ方向に隣り合う第2板部材125同士の間隔より短いことが好ましく、さらに、上記間隔Dより短いことが好ましい。上記間隔Dに対する上記L2の比(L2/D)は、例えば、0.1〜0.7である。
本実施形態において製造されるガラス基板の大きさは、特に制限されないが、例えば縦寸法及び横寸法のそれぞれが、500mm〜3500mm、1500mm〜3500mm、1800〜3500mm、2000mm〜3500mmであり、2000mm〜3500mmであることが好ましい。
ガラス基板の厚さは、例えば、0.1〜1.1mmであり、より好ましくは0.75mm以下の極めて薄い矩形形状の板であり、例えば、0.55mm以下、さらには0.45mm以下の厚さがより好ましい。ガラス基板の厚さの下限値は、0.15mmが好ましく、0.25mmがより好ましい。
このようなガラス基板として、以下のガラス組成のガラス基板が例示される。つまり、以下のガラス組成のガラス基板が製造されるように、熔融ガラスの原料が調合される。
SiO2 55〜80モル%、
Al2O3 8〜20モル%、
B2O3 0〜12モル%、
RO 0〜17モル%(ROはMgO、CaO、SrO及びBaOの合量)。
ROのうち、MgOが0〜10モル%、CaOが0〜15モル%、SrOが0〜10%、BaOが0〜10%であることが好ましい。
また、上記ガラス組成のガラス基板におけるアルカリ金属酸化物の含有率は、0モル%以上0.4モル%以下であってもよい。
また、ガラス中で価数変動する金属の酸化物(酸化スズ、酸化鉄)を合計で0.05〜1.5モル%含み、As2O3、Sb2O3及びPbOを実質的に含まないということは必須ではなく任意である。
本実施形態によって製造されるガラス基板は、例えば以下の組成を含む無アルカリガラスからなることが好ましい。
本実施形態によって製造されるガラス基板のガラス組成として、例えば、次が挙げられる(質量%表示)。
SiO2:50〜70%(好ましくは、57〜64%)、Al2O3:5〜25%(好ましくは、12〜18%)、B2O3:0〜15%(好ましくは、6〜13%)を含み、さらに、次に示す組成を任意に含んでもよい。任意で含む成分として、MgO:0〜10%(好ましくは、0.5〜4%)、CaO:0〜20%(好ましくは、3〜7%)、SrO:0〜20%(好ましくは、0.5〜8%、より好ましくは3〜7%)、BaO:0〜10%(好ましくは、0〜3%、より好ましくは0〜1%)、ZrO2:0〜10%(好ましくは、0〜4%,より好ましくは0〜1%)が挙げられる。さらに、R’2O:0.10%を超え2.0%以下(ただし、R’はLi、NaおよびKから選ばれる少なくとも1種である)を含むことがより好ましい。
本実施形態によって製造されるガラス基板のヤング率として、例えば、72GPa以上が好ましく、75GPa以上がより好ましく、77GPa以上がより更に好ましい。
本実施形態によって製造されるガラス基板の歪率として、例えば、650℃以上が好ましく、680℃以上がより好ましく、700℃以上、720℃以上が更により好ましい。
本実施形態によって製造されるガラス基板の熱収縮率は、例えば、50ppm以下であり、好ましくは40ppm以下、より好ましくは30ppm以下、更により好ましくは20ppm以下である。熱収縮率を低減する前のガラス基板の熱収縮率の範囲としては、10ppm〜40ppmが好ましい。
また、本実施形態で製造されるガラス基板は、カバーガラス、磁気ディスク用ガラス、太陽電池用ガラス基板などにも適用することが可能である。
板部材の対126は、清澄管120内において、熔融ガラスの流れ方向のすべての領域に配置されていなくてもよく、流れ方向の一部の領域にだけ配置されていてもよい。例えば、電極121a、121bの間にだけ、板部材の対126は配置されていてもよい。
また、第1板部材124及び第2板部材125は、熔融ガラスの流れ方向に交互に配置されていなくてもよい。例えば、清澄管120内に、熔融ガラスの流れ方向に同じ種類の板部材が並んで配置された領域があってもよい。
101 熔解槽
102 清澄管
103 撹拌槽
103a 撹拌子
104、105 移送管
106 ガラス供給管
120 清澄管
120a 気相空間
121a、121b、121c 電極
122 電源装置
123 制御装置
124 第1板部材
125 第2板部材
126 板部材の対
200 成形装置
300 切断装置
MG 熔融ガラス
SG シートガラス
Claims (8)
- ガラス基板の製造方法であって、
ガラス原料を熔解して熔融ガラスをつくる熔解工程と、
清澄管内で前記熔融ガラスの清澄を行う清澄工程と、を備え、
前記清澄工程では、前記清澄管内に、前記熔融ガラスの液面の上方に気相空間が形成されるように前記熔融ガラスを流しながら清澄を行い、
前記清澄管内に、前記熔融ガラスの流れ方向に間隔をあけて配置された板部材の対を用いて、前記熔融ガラスの流れを部分的に妨げ、
前記板部材は、前記熔融ガラスの前記液面より下方の上下方向の異なる位置に設けられ、
前記対のうち、前記液面に最も接近して配置された第1の板部材の上端部と前記液面との第1の距離は、前記清澄管の内壁の底部に最も接近して配置された第2の板部材の下端部と前記底部との第2の距離よりも短く、
前記清澄工程では、前記流れ方向に沿って前記熔融ガラスの温度分布が形成されるよう前記熔融ガラスの加熱を行い、
前記熔融ガラスの温度が第1の温度である第1の流れ方向位置では、前記熔融ガラスの温度が、前記第1の温度より低い第2の温度である第2の流れ方向位置と比べ、前記第1の距離及び前記第2の距離が短い、ことを特徴とするガラス基板の製造方法。 - ガラス基板の製造方法であって、
ガラス原料を熔解して熔融ガラスをつくる熔解工程と、
清澄管内で前記熔融ガラスの清澄を行う清澄工程と、を備え、
前記清澄工程では、前記清澄管内に、前記熔融ガラスの液面の上方に気相空間が形成されるように前記熔融ガラスを流しながら清澄を行い、
前記清澄管内に、前記熔融ガラスの流れ方向に間隔をあけて配置された板部材の対を用いて、前記熔融ガラスの流れを部分的に妨げ、
前記板部材は、前記熔融ガラスの前記液面より下方の上下方向の異なる位置に設けられ、
前記対のうち、前記液面に最も接近して配置された第1の板部材の上端部と前記液面との第1の距離は、前記清澄管の内壁の底部に最も接近して配置された第2の板部材の下端部と前記底部との第2の距離よりも短く、
前記清澄工程では、前記流れ方向に沿って前記熔融ガラスの温度分布が形成されるよう前記熔融ガラスの加熱を行い、
前記流れ方向に沿って隣り合う前記板部材の間隔は、前記熔融ガラスの温度が第1の温度である第1の流れ方向位置において、前記第1の温度より低い第2の温度である第2の流れ方向位置よりも狭くなっている、ことを特徴とするガラス基板の製造方法。 - ガラス基板の製造方法であって、
ガラス原料を熔解して熔融ガラスをつくる熔解工程と、
清澄管内で前記熔融ガラスの清澄を行う清澄工程と、を備え、
前記清澄工程では、前記清澄管内に、前記熔融ガラスの液面の上方に気相空間が形成されるように前記熔融ガラスを流しながら清澄を行い、
前記清澄管内に、前記熔融ガラスの流れ方向に間隔をあけて配置された板部材の対を用いて、前記熔融ガラスの流れを部分的に妨げ、
前記板部材は、前記熔融ガラスの前記液面より下方の上下方向の異なる位置に設けられ、
前記対のうち、前記液面に最も接近して配置された第1の板部材の上端部と前記液面との第1の距離は、前記清澄管の内壁の底部に最も接近して配置された第2の板部材の下端部と前記底部との第2の距離よりも短く、
前記清澄工程では、前記液面の高さを変動させながら前記熔融ガラスを流し、
前記第2の距離は、前記液面の高さが最高位置にあるときの前記第1の距離よりも大きい、ことを特徴とするガラス基板の製造方法。 - ガラス基板の製造方法であって、
ガラス原料を熔解して熔融ガラスをつくる熔解工程と、
清澄管内で前記熔融ガラスの清澄を行う清澄工程と、を備え、
前記清澄工程では、前記清澄管内に、前記熔融ガラスの液面の上方に気相空間が形成されるように前記熔融ガラスを流しながら清澄を行い、
前記清澄管内に、前記熔融ガラスの流れ方向に間隔をあけて配置された板部材の対を用いて、前記熔融ガラスの流れを部分的に妨げ、
前記板部材は、前記熔融ガラスの前記液面より下方の上下方向の異なる位置に設けられ、
前記対のうち、前記液面に最も接近して配置された第1の板部材の上端部と前記液面との第1の距離は、前記清澄管の内壁の底部に最も接近して配置された第2の板部材の下端部と前記底部との第2の距離よりも短く、
前記清澄管内に、前記底部と間隔を開けずに配置される板部材は設けられていない、ことを特徴とするガラス基板の製造方法。 - ガラス基板製造装置であって、
ガラス原料を熔解して熔融ガラスをつくる熔解装置と、
前記熔融ガラスの清澄が行われる清澄管を有する清澄装置と、を備え、
前記清澄管内では、前記熔融ガラスの液面の上方に気相空間が形成されるように前記熔融ガラスが流れながら清澄が行われ、
前記清澄管は、前記熔融ガラスの流れ方向に間隔をあけて配置され、前記熔融ガラスの流れを部分的に妨げる板部材の複数の対を有し、
前記対のそれぞれをなす2つの板部材は、前記熔融ガラスの前記液面より下方の上下方向の異なる位置に設けられ、
前記対のそれぞれのうち、前記液面に最も接近して配置された第1の板部材の上端部と前記液面との第1の距離は、前記清澄管の内壁の底部に最も接近して配置された第2の板部材の下端部と前記底部との第2の距離よりも短く、
前記清澄装置は、前記流れ方向に沿って前記熔融ガラスの温度分布が形成されるよう前記熔融ガラスの加熱を行い、
前記熔融ガラスの温度が第1の温度である第1の流れ方向位置では、前記熔融ガラスの温度が、前記第1の温度より低い第2の温度である第2の流れ方向位置と比べ、前記第1の距離及び前記第2の距離が短い、ことを特徴とするガラス基板製造装置。 - ガラス基板製造装置であって、
ガラス原料を熔解して熔融ガラスをつくる熔解装置と、
前記熔融ガラスの清澄が行われる清澄管を有する清澄装置と、を備え、
前記清澄管内では、前記熔融ガラスの液面の上方に気相空間が形成されるように前記熔融ガラスが流れながら清澄が行われ、
前記清澄管は、前記熔融ガラスの流れ方向に間隔をあけて配置され、前記熔融ガラスの流れを部分的に妨げる板部材の複数の対を有し、
前記対のそれぞれをなす2つの板部材は、前記熔融ガラスの前記液面より下方の上下方向の異なる位置に設けられ、
前記対のそれぞれのうち、前記液面に最も接近して配置された第1の板部材の上端部と前記液面との第1の距離は、前記清澄管の内壁の底部に最も接近して配置された第2の板部材の下端部と前記底部との第2の距離よりも短く、
前記清澄装置は、前記流れ方向に沿って前記熔融ガラスの温度分布が形成されるよう前記熔融ガラスの加熱を行い、
前記流れ方向に沿って隣り合う前記板部材の間隔は、前記熔融ガラスの温度が第1の温度である第1の流れ方向位置において、前記第1の温度より低い第2の温度である第2の流れ方向位置よりも狭くなっている、ことを特徴とするガラス基板製造装置。 - ガラス基板製造装置であって、
ガラス原料を熔解して熔融ガラスをつくる熔解装置と、
前記熔融ガラスの清澄が行われる清澄管を有する清澄装置と、を備え、
前記清澄管内では、前記熔融ガラスの液面の上方に気相空間が形成されるように前記熔融ガラスが流れながら清澄が行われ、
前記清澄管は、前記熔融ガラスの流れ方向に間隔をあけて配置され、前記熔融ガラスの流れを部分的に妨げる板部材の複数の対を有し、
前記対のそれぞれをなす2つの板部材は、前記熔融ガラスの前記液面より下方の上下方向の異なる位置に設けられ、
前記対のそれぞれのうち、前記液面に最も接近して配置された第1の板部材の上端部と前記液面との第1の距離は、前記清澄管の内壁の底部に最も接近して配置された第2の板部材の下端部と前記底部との第2の距離よりも短く、
前記清澄管内では、前記液面の高さが変動しながら前記熔融ガラスが流し、
前記第2の距離は、前記液面の高さが最高位置にあるときの前記第1の距離よりも大きい、ことを特徴とするガラス基板製造装置。 - ガラス基板製造装置であって、
ガラス原料を熔解して熔融ガラスをつくる熔解装置と、
前記熔融ガラスの清澄が行われる清澄管を有する清澄装置と、を備え、
前記清澄管内では、前記熔融ガラスの液面の上方に気相空間が形成されるように前記熔融ガラスが流れながら清澄が行われ、
前記清澄管は、前記熔融ガラスの流れ方向に間隔をあけて配置され、前記熔融ガラスの流れを部分的に妨げる板部材の複数の対を有し、
前記対のそれぞれをなす2つの板部材は、前記熔融ガラスの前記液面より下方の上下方向の異なる位置に設けられ、
前記対のそれぞれのうち、前記液面に最も接近して配置された第1の板部材の上端部と前記液面との第1の距離は、前記清澄管の内壁の底部に最も接近して配置された第2の板部材の下端部と前記底部との第2の距離よりも短く、
前記清澄管内に、前記底部と間隔を開けずに配置される板部材は設けられていない、ことを特徴とするガラス基板製造装置。
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