JP6628121B2 - Polarizer manufacturing method and electron beam irradiation apparatus - Google Patents

Description

本発明は、偏光子、その製造方法および電子線照射装置に関する。   The present invention relates to a polarizer, a method for manufacturing the polarizer, and an electron beam irradiation device.

偏光子は、一定方向の偏波面の光だけを選択的に通すように設計された部材である。従来の偏光子としては、樹脂フィルムを延伸させた偏光フィルムがある。   A polarizer is a member designed to selectively pass only light having a polarization plane in a certain direction. As a conventional polarizer, there is a polarizing film obtained by stretching a resin film.

これに対し、金属配線とスペースを交互に並べたワイヤグリッド型偏光子が提案されている。ワイヤグリッド型偏光子では、金属配線に垂直に振動する電気ベクトルを持つような偏光を透過し、金属配線に平行に振動する電気ベクトルを持つ偏光を反射または吸収することにより、直線偏光を得ている。このようなワイヤグリッド型偏光子は、凹凸のあるマスター版を用いてリソグラフィ法、２光束干渉法、インプリント法等の様々な製法で製造されている。ただ配線の微細化が求められている現在では、凹凸のあるマスター版は、電子線描画装置によって製造されている。   On the other hand, a wire grid polarizer in which metal wirings and spaces are alternately arranged has been proposed. A wire grid polarizer transmits linearly polarized light by transmitting polarized light having an electric vector oscillating perpendicular to the metal wiring and reflecting or absorbing polarized light having an electric vector oscillating parallel to the metal wiring. I have. Such a wire grid type polarizer is manufactured by various manufacturing methods such as a lithography method, a two-beam interference method, and an imprint method using a master plate having irregularities. However, at present, where finer wiring is required, a master plate having irregularities is manufactured by an electron beam lithography apparatus.

この電子線描画装置は、矩形の開口部をもつ第１アパーチャを有しており、電子銃より照射される開口部より広範囲の電子線（電子ビーム）を通すことで矩形のビームを成形する。更に、第１アパーチャの下方に矩形の開口部をもつ第２アパーチャが設けられ、第１アパーチャ及び第２アパーチャを任意に重ねることで、自在にサイズ調整された矩形の電子線を成形している。サイズ調整された電子線は縮小レンズ、偏向レンズ、対物レンズを通過し目的の基板上に設けられたレジストの所定の位置へ所定のビームサイズの描画を行っている。   This electron beam drawing apparatus has a first aperture having a rectangular opening, and forms a rectangular beam by passing an electron beam (electron beam) in a wider range than the opening irradiated from the electron gun. Further, a second aperture having a rectangular opening is provided below the first aperture, and the first aperture and the second aperture are arbitrarily overlapped to form a rectangular electron beam whose size is freely adjusted. . The electron beam whose size has been adjusted passes through a reduction lens, a deflection lens, and an objective lens, and performs drawing of a predetermined beam size at a predetermined position of a resist provided on a target substrate.

ワイヤグリッド型偏光子の基板を描画する際には、電子線を偏光子の細線もしくは、スペースのサイズの矩形に成形させる。この後、偏向レンズによって、この矩形を一方向に偏向し、電子線をショット毎に照射して長手のパターンを形成させる。他の方向に関しては、ピッチ分偏向した後、同様に一方向に偏向を行う。この動作を偏向レンズの稼働範囲内で行う。偏向レンズの稼働範囲での描画が終了したら、適時ステージを動かして次の位置で、同様の作業を行い、ワイヤグリッド型偏光子の基板全体に対して、描画を行っている。   When drawing the substrate of the wire grid type polarizer, the electron beam is formed into a thin line of the polarizer or a rectangle having a space size. Thereafter, the rectangle is deflected in one direction by a deflection lens, and an electron beam is irradiated for each shot to form a long pattern. In the other direction, after the deflection by the pitch, the deflection is similarly performed in one direction. This operation is performed within the operating range of the deflecting lens. After drawing in the operating range of the deflecting lens is completed, the stage is moved at appropriate times and the same operation is performed at the next position to draw on the entire substrate of the wire grid polarizer.

上述した電子線描画方法では、１回のショットについて１つの矩形形状しか描画できないため、多段および多列に配置された矩形形状をもつワイヤグリッド型偏光子を製造する場合、長時間を必要とし、効率が悪い。   In the above-described electron beam drawing method, since only one rectangular shape can be drawn for one shot, it takes a long time to manufacture a wire grid polarizer having rectangular shapes arranged in multiple stages and multiple rows, ineffective.

このような場合、電子線を一括して照射することにより描画することも考えられるが、ショット毎に周期的な位置変動に伴なう欠陥が生じることも考えられる。   In such a case, drawing may be performed by collectively irradiating an electron beam, but a defect may occur due to a periodic position change for each shot.

特開昭６２−２６０３２２号公報JP-A-62-260322

本発明はこのような点を考慮してなされたものであり、精度の高い偏光子を短時間で製造することが可能な偏光子、その製造方法および電子線照射装置を提供することを目的とする。   The present invention has been made in view of such a point, and an object of the present invention is to provide a polarizer capable of manufacturing a highly accurate polarizer in a short time, a manufacturing method thereof, and an electron beam irradiation apparatus. I do.

本発明は、透明基板と、透明基板上に互いに平行に設けられた複数の細線とを有する偏光子の製造方法において、前記透明基板と細線用材料層とを有する積層体を準備する工程と、前記積層体上にレジスト層を形成する工程と、前記レジスト層上に電子線を照射して露光し、現像を施して、前記レジスト層にパターンを形成する工程と、前記レジスト層を介して前記積層体をエッチング加工する工程と、を備え、前記電子線を照射する工程は、電子線を矩形状の開口をもつ第１アパーチャを通過させる工程と、前記第１アパーチャを通過した電子線を複数の線状開口を有する第２アパーチャを通過させる工程と、前記第２アパーチャを通過した線状電子線を前記レジスト層に対してショット毎に照射しながら前記レジスト層に照射された複数の線状電子線を含む矩形状の単位領域を形成するとともに、前記線状電子線を偏光させて前記単位領域を多列および多段に形成する工程と、を有することを特徴とする偏光子の製造方法である。   The present invention is a method for manufacturing a polarizer having a transparent substrate and a plurality of fine wires provided in parallel with each other on the transparent substrate, wherein a step of preparing a laminate having the transparent substrate and a material layer for fine wires, Forming a resist layer on the laminate, irradiating the resist layer with an electron beam for exposure, developing, and forming a pattern on the resist layer; and Etching the laminated body, wherein the step of irradiating the electron beam includes the step of passing the electron beam through a first aperture having a rectangular opening, and the step of irradiating the plurality of electron beams through the first aperture. Passing through a second aperture having a linear opening, and irradiating the resist layer with a linear electron beam having passed through the second aperture while irradiating the resist layer with each shot. Forming a rectangular unit region including a linear electron beam, and polarizing the linear electron beam to form the unit regions in multiple rows and multiple stages. Is the way.

本発明は、前記単位領域は単位領域の一辺に直交する方向に沿って多列に、かつ単位領域の一辺に平行する方向に沿って多段に形成され、各段の隣り合う単位領域間の境界は、隣り合う段との間で互いに相違することを特徴とする偏光子の製造方法である。   The present invention is characterized in that the unit regions are formed in multiple rows along a direction orthogonal to one side of the unit region and in multiple stages along a direction parallel to one side of the unit region, and a boundary between adjacent unit regions of each stage. Is a method for manufacturing a polarizer, which is different from an adjacent step.

本発明は、各段の隣り合う単位領域間の境界は、隣り合う段との間で規則性をもって互いに相違することを特徴とする偏光子の製造方法である。   The present invention is a method for manufacturing a polarizer, wherein boundaries between adjacent unit regions of each step are different from each other with regularity between adjacent steps.

本発明は、各段の隣り合う単位領域間の境界は、隣り合う段との間で不規則な状態で互いに相違することを特徴とする偏光子の製造方法である。   The present invention is a method for manufacturing a polarizer, wherein boundaries between adjacent unit regions of each step are different from each other in an irregular state between adjacent steps.

本発明は、前記第２アパーチャを通過した線状電子線のショット毎の数を変化させ、単位領域を複数のショットの線状電子線により形成したことを特徴とする偏光子の製造方法である。   The present invention is a method for manufacturing a polarizer, wherein the number of linear electron beams passing through the second aperture is changed for each shot, and a unit region is formed by a plurality of linear electron beams. .

本発明は、前記単位領域はこの単位領域の一辺に対して傾斜する方向に沿って多列および多段に形成されていることを特徴とする偏光子の製造方法である。   The present invention is the method of manufacturing a polarizer, wherein the unit regions are formed in multiple rows and multiple stages along a direction inclined with respect to one side of the unit region.

本発明は、前記レジスト層の単位領域に対応して、複数の細線を含む単位細線領域が形成され、細線に平行する方向に互いに隣接する単位細線領域間の細線同士が連続することを特徴とする偏光子の製造方法である。   The present invention is characterized in that unit thin line regions including a plurality of thin lines are formed corresponding to the unit regions of the resist layer, and thin lines between unit thin line regions adjacent to each other in a direction parallel to the thin lines are continuous. This is a method for producing a polarizer.

本発明は、透明基板と、透明基板上に互いに平行に設けられた複数の細線とを有する偏光子を製造する電子線照射装置において、電子線を生成する電子銃と、電子線源からの電子線を通過させる矩形状の開口をもつ第１アパーチャと、前記第１アパーチャを通過した電子線を通過させる複数の線状開口を有する第２アパーチャと、前記第２アパーチャを通過した線状電子線を前記レジスト層に対してショット毎に照射しながら前記レジスト層に照射された複数の線状電子線を含む単位領域を形成するとともに、前記線状電子線を偏光させて前記単位領域を多列および多段に形成する偏向手段と、を備えたことを特徴とする偏光子の製造装置である。   The present invention relates to an electron beam irradiation apparatus for producing a polarizer having a transparent substrate and a plurality of thin wires provided in parallel with each other on the transparent substrate, an electron gun for generating an electron beam, and an electron beam from an electron beam source. A first aperture having a rectangular opening for passing a line, a second aperture having a plurality of linear openings for passing an electron beam passing through the first aperture, and a linear electron beam passing through the second aperture Forming a unit region including a plurality of linear electron beams irradiated on the resist layer while irradiating the resist layer on a shot-by-shot basis, and polarizing the linear electron beam to form the unit regions in multiple rows. And a deflecting means formed in multiple stages.

本発明は、透明基板と、透明基板上に互いに平行に設けられた複数の細線とを備えた偏光子において、前記細線は複数の線状開口を有するアパーチャを通過した線状電子線を透明基板上の細線用材料層に設けられたレジスト層に対してショット毎に照射しながら複数の電子線を含む単位領域を形成することにより得られ、単位領域に対応する単位細線領域内の細線の間隙は、隣り合う単位細線領域間の境界の幅と異なることを特徴とする偏光子である。   The present invention relates to a polarizer including a transparent substrate and a plurality of fine lines provided on the transparent substrate in parallel with each other, wherein the fine lines convert a linear electron beam passing through an aperture having a plurality of linear openings into a transparent substrate. A thin line gap in a unit thin line region obtained by forming a unit region including a plurality of electron beams while irradiating the resist layer provided in the upper thin line material layer for each shot, and corresponding to the unit region Is a polarizer characterized by having a width different from that of a boundary between adjacent unit thin line regions.

以上のように本発明によれば、偏光子を精度良くかつ短時間で製造することができる。   As described above, according to the present invention, a polarizer can be manufactured accurately and in a short time.

図１は本発明の第１の実施の形態による偏光子の製造方法に用いられる電子線照射方法の概略を示す図。FIG. 1 is a view schematically showing an electron beam irradiation method used in a method for manufacturing a polarizer according to a first embodiment of the present invention. 図２はレジスト層に形成される電子線の単位領域を示す図。FIG. 2 is a diagram showing a unit region of an electron beam formed on a resist layer. 図３は偏光子の製造方法に用いられる電子線照射装置を示す図。FIG. 3 is a diagram showing an electron beam irradiation apparatus used in the method for manufacturing a polarizer. 図４（ａ）は偏光子の一例を示す平面図であり、図４（ｂ）は図４（ａ）のＡ−Ａ線断面図。FIG. 4A is a plan view illustrating an example of a polarizer, and FIG. 4B is a cross-sectional view taken along line AA of FIG. 4A. 図５（ａ）（ｂ）（ｃ）（ｄ）は偏光子の製造方法を示す図。5 (a), 5 (b), 5 (c) and 5 (d) are views showing a method for manufacturing a polarizer. 図６（ｅ）（ｆ）（ｇ）（ｈ）は偏光子の製造方法を示す図。6 (e), (f), (g), and (h) are views showing a method for manufacturing a polarizer. 図７は本発明の第２の実施の形態における電子線の単位領域を示す図。FIG. 7 is a diagram showing a unit region of an electron beam according to the second embodiment of the present invention. 図８は本発明の第３の実施の形態における電子線の単位領域を示す図。FIG. 8 is a diagram showing a unit region of an electron beam according to a third embodiment of the present invention. 図９は本発明の第４の実施の形態における電子線の単位領域を示す図。FIG. 9 is a diagram showing a unit area of an electron beam according to a fourth embodiment of the present invention. 図１０は本発明の第５の実施の形態における電子線の単位領域を示す図。FIG. 10 is a diagram showing a unit region of an electron beam according to a fifth embodiment of the present invention.

＜第１の実施の形態＞
以下、本発明の第１の実施の形態に係る偏光子、その製造方法、およびその製造装置について説明する。 <First embodiment>
Hereinafter, a polarizer according to a first embodiment of the present invention, a method for manufacturing the polarizer, and a device for manufacturing the polarizer will be described.

＜偏光子＞
まず、本発明に係る偏光子について説明する。 <Polarizer>
First, the polarizer according to the present invention will be described.

本発明に係る偏光子は、透過性を有する透明基板の上に、複数本の細線が並列に配置された偏光子であって、前記細線が配置された偏光領域の外側に、前記紫外光を遮光する遮光膜が形成されている。   The polarizer according to the present invention is a polarizer in which a plurality of thin wires are arranged in parallel on a transparent substrate having transparency, and the ultraviolet light is emitted outside a polarization region in which the thin wires are arranged. A light shielding film for shielding light is formed.

図４は、本発明に係る偏光子の一例を示す図であり、図４（ａ）はその概略平面図、図４（ｂ）は図４（ａ）のＡ−Ａ線断面図である。   4A and 4B are diagrams showing an example of the polarizer according to the present invention. FIG. 4A is a schematic plan view, and FIG. 4B is a cross-sectional view taken along line AA in FIG.

図４（ａ）（ｂ）に示すように、偏光子１０は、透明基板１と、透明基板１上に互いに平行に設けられた複数本の細線２とを有している。複数の細線２は偏光領域３を構成し、この偏光領域３の外周には、遮光膜４が形成されている。   As shown in FIGS. 4A and 4B, the polarizer 10 has a transparent substrate 1 and a plurality of fine wires 2 provided on the transparent substrate 1 in parallel with each other. The plurality of fine lines 2 constitute a polarization region 3, and a light-shielding film 4 is formed on the outer periphery of the polarization region 3.

このような構成を有するため、偏光子１０においては、遮光膜４が形成されている領域を挟持することができる。   With such a configuration, the polarizer 10 can sandwich the region where the light shielding film 4 is formed.

すなわち、偏光子１０においては、細線２が形成されている領域（偏光領域３）を挟持することなく、偏光子１０を光配向装置に固定することができ、それゆえ、挟持した部分から細線２の破損を連鎖的に引き起こしてしまうという不具合や、破損した細線部分から異物が発生してしまうという不具合を解消することができる。   That is, in the polarizer 10, the polarizer 10 can be fixed to the photo-alignment device without pinching the region where the thin line 2 is formed (the polarizing region 3). Can be solved, and the problem that foreign matter is generated from the damaged thin line portion can be solved.

また、上記のように、細線２が配置された偏光領域３の外周には、遮光膜４が形成されているため、偏光子１０においては、偏光領域３の外側の領域から、入射光、特に入射光のＳ波成分が透過してしまうことを抑制でき、消光比が大きく低下してしまうという不具合を抑制することができる。   Further, as described above, since the light-shielding film 4 is formed on the outer periphery of the polarization region 3 where the fine wires 2 are arranged, the polarizer 10 receives incident light, particularly, from the region outside the polarization region 3. The transmission of the S-wave component of the incident light can be suppressed, and the problem that the extinction ratio is greatly reduced can be suppressed.

以下、本発明に係る偏光子の各構成について詳細に説明する。   Hereinafter, each configuration of the polarizer according to the present invention will be described in detail.

（透明基板）
透明基板１としては、細線２を安定的に支持することができ、紫外光透過性に優れたものであり、露光光による劣化の少ないものとすることができるものであれば、特に限定されるものではない。例えば、光学研磨された合成石英ガラス、蛍石、フッ化カルシウムなどを用いることができるが、中でも合成石英ガラスを好ましく用いることができる。品質が安定しており、また、短波長の光、すなわち、高エネルギーの露光光を用いた場合であっても劣化が少ないからである。 (Transparent substrate)
The transparent substrate 1 is not particularly limited as long as it can stably support the fine wire 2, has excellent ultraviolet light transmittance, and can be less deteriorated by exposure light. Not something. For example, optically polished synthetic quartz glass, fluorite, calcium fluoride, and the like can be used, and among them, synthetic quartz glass can be preferably used. This is because the quality is stable and the deterioration is small even when short-wavelength light, that is, high-energy exposure light is used.

透明基板１の厚みとしては、偏光子１０の用途やサイズ等に応じて適宜選択することができる。   The thickness of the transparent substrate 1 can be appropriately selected according to the use and size of the polarizer 10.

（細線）
細線２は、偏光子１０において、入射光のＰ波成分を効率良く透過し、入射光のＳ波成分の透過率を低く抑える作用を奏するものであり、透明基板１の上に直線状に複数形成され、かつ、平行に配置されるものである。 (Thin line)
The thin line 2 has a function of efficiently transmitting the P-wave component of the incident light in the polarizer 10 and suppressing the transmittance of the S-wave component of the incident light to be low. Formed and arranged in parallel.

細線２を構成する材料は、所望の消光比およびＰ波透過率を得ることができるものであれば特に限定されるものではないが、例えば、アルミニウム、チタン、モリブデン、シリコン、クロム、タンタル、ルテニウム、ニオブ、ハフニウム、ニッケル、金、銀、白金、パラジウム、ロジウム、コバルト、マンガン、鉄、インジウム等の金属や合金、および、これらの酸化物、窒化物、または酸窒化物のいずれかを含有する材料を挙げることができる。中でも、モリブデンシリサイドを含有する材料から構成されていることが好ましい。   The material constituting the fine wire 2 is not particularly limited as long as a desired extinction ratio and P-wave transmittance can be obtained. For example, aluminum, titanium, molybdenum, silicon, chromium, tantalum, ruthenium Containing metals and alloys such as niobium, hafnium, nickel, gold, silver, platinum, palladium, rhodium, cobalt, manganese, iron, indium, and any of these oxides, nitrides, or oxynitrides Materials can be mentioned. Above all, it is preferable to be made of a material containing molybdenum silicide.

紫外線領域の短波長においても、消光比およびＰ波透過率を優れたものとすることができ、耐熱性、耐光性にも優れるからである。   This is because the extinction ratio and the P-wave transmittance can be excellent even at a short wavelength in the ultraviolet region, and the heat resistance and the light resistance are also excellent.

モリブデンシリサイドを含有する材料としては、例えば、モリブデンシリサイド（ＭｏＳｉ）、モリブデンシリサイド酸化物（ＭｏＳｉＯ）、モリブデンシリサイド窒化物（ＭｏＳｉＮ）、モリブデンシリサイド酸化窒化物（ＭｏＳｉＯＮ）等を挙げることができる。   Examples of the material containing molybdenum silicide include molybdenum silicide (MoSi), molybdenum silicide oxide (MoSiO), molybdenum silicide nitride (MoSiN), and molybdenum silicide oxynitride (MoSiON).

なお、細線２は、複数種の材料から構成されていてもよく、また、材料が異なる複数層から構成されていても良い。   Note that the thin wire 2 may be made of a plurality of types of materials, or may be made of a plurality of layers made of different materials.

細線２の厚みとしては、所望の消光比およびＰ波透過率を得ることができるものであれば特に限定されるものではないが、例えば、６０ｎｍ以上であることが好ましく、なかでも６０ｎｍ〜１６０ｎｍの範囲内であることが好ましく、特に８０ｎｍ〜１４０ｎｍの範囲内であることが好ましい。上記範囲であることにより、消光比およびＰ波透過率を優れたものとすることができるからである。   The thickness of the fine wire 2 is not particularly limited as long as the desired extinction ratio and P-wave transmittance can be obtained. For example, the thickness is preferably 60 nm or more, and particularly preferably 60 nm to 160 nm. It is preferably within the range, particularly preferably within the range of 80 nm to 140 nm. The reason for this is that the extinction ratio and the P-wave transmittance can be improved by being within the above ranges.

なお、上記細線の厚みは、断面視において、細線の長手方向および幅方向に垂直な方向の厚みのうち最大の厚みをいうものであり、細線が複数層から構成される場合には、全ての層を含む厚みをいうものである。   The thickness of the thin line refers to the maximum thickness in a direction perpendicular to the longitudinal direction and the width direction of the thin line in a cross-sectional view. It refers to the thickness including the layer.

また、上記細線の厚みは一の偏光子内に異なる厚みのものを含むものであっても良いが、通常、同一の厚みで形成される。   In addition, the thickness of the fine wires may include those having different thicknesses in one polarizer, but are usually formed with the same thickness.

細線２の本数および長さとしては、所望の消光比およびＰ波透過率を得ることができるものであれば特に限定されるものではなく、偏光子１０の用途等に応じて適宜設定されるものである。   The number and length of the fine wires 2 are not particularly limited as long as they can obtain a desired extinction ratio and P-wave transmittance, and are appropriately set according to the use of the polarizer 10 and the like. It is.

細線２のピッチ（図４（ａ）に示すＰ１）としては、所望の消光比およびＰ波透過率を得ることができるものであれば特に限定されるものではなく、直線偏光の生成に用いる光の波長等に応じて異なるものであるが、例えば、６０ｎｍ以上１４０ｎｍ以下の範囲内とすることができ、なかでも８０ｎｍ以上１２０ｎｍ以下の範囲内であることが好ましく、特に９０ｎｍ以上１１０ｎｍ以下の範囲内であることが好ましい。上記ピッチであることにより、消光比およびＰ波透過率に優れたものとすることができるからである。   The pitch of the fine lines 2 (P1 shown in FIG. 4A) is not particularly limited as long as a desired extinction ratio and P-wave transmittance can be obtained. The wavelength may vary depending on the wavelength of the film, but may be, for example, in the range of 60 nm to 140 nm, preferably in the range of 80 nm to 120 nm, and more preferably in the range of 90 nm to 110 nm. It is preferable that This is because the pitch can make the extinction ratio and the P-wave transmittance excellent.

なお、上記細線のピッチは、幅方向に隣接する細線問のピッチの最大ピッチをいうものであり、細線が複数層から構成される場合には、全ての層を含むピッチをいうものである。   Note that the pitch of the fine lines refers to the maximum pitch between adjacent fine lines in the width direction, and when the fine lines are composed of a plurality of layers, refers to the pitch including all the layers.

また、上記細線のピッチは一の偏光子内に異なるピッチのものを含むものであっても良いが、通常、同一ピッチで形成される。   Further, the pitch of the fine wires may include those having different pitches in one polarizer, but are usually formed at the same pitch.

上記細線のデューティー比、すなわち、細線のピッチに対する幅の比（幅／ピッチ）としては、所望の消光比およびＰ波透過率を得ることができるものであれば特に限定されるものではないが、例えば、０．３以上０．６以下の範囲内とすることができ、なかでも０．３５以上０．４５以下の範囲内であることが好ましい。上記デューティー比であることにより、高いＰ波透過率を有したまま消光比に優れた偏光子とすることができ、さらに細線加工を容易にすることができるからである。   The duty ratio of the fine line, that is, the ratio of the width to the pitch of the fine line (width / pitch) is not particularly limited as long as a desired extinction ratio and P-wave transmittance can be obtained. For example, it can be in the range of 0.3 to 0.6, and preferably in the range of 0.35 to 0.45. With the duty ratio, a polarizer having an excellent extinction ratio can be obtained while maintaining a high P-wave transmittance, and fine wire processing can be further facilitated.

なお、上記細線の幅は、平面視において、細線の長手方向に垂直方向の長さをいうものであり、細線が複数層から構成される場合には、全ての層を含む幅をいうものである。   In addition, the width of the thin line refers to the length in the direction perpendicular to the longitudinal direction of the thin line in a plan view, and when the thin line includes a plurality of layers, refers to the width including all the layers. is there.

また、上記細線の幅は一の偏光子内に異なる幅のものを含むものであっても良いが、通常、同一幅で形成される。   In addition, the widths of the fine lines may include those having different widths in one polarizer, but are usually formed in the same width.

（偏光領域）
偏光領域３は、多数の細線が配置された領域であり、図４（ａ）（ｂ）に示す偏光子１０においては、遮光膜４によって周りを囲まれている。また、遮光膜４によって規定された領域が入射光が透過する領域であり、図４（ａ）（ｂ）に示す偏光子１０においては、入射光が透過する領域と偏光領域３が平面視で一致している。 (Polarization area)
The polarizing region 3 is a region where a large number of fine lines are arranged, and is surrounded by the light shielding film 4 in the polarizer 10 shown in FIGS. The region defined by the light-shielding film 4 is a region through which incident light is transmitted. In the polarizer 10 shown in FIGS. 4A and 4B, the region through which incident light is transmitted and the polarization region 3 are viewed in plan. Match.

本発明において、入射光が透過する領域を、偏光領域３よりも大きな領域とすることも可能である。より具体的には、細線２が、その長手方向（図４（ａ）に示すＹ方向）において遮光膜４に接続していない形態であっても良い。   In the present invention, the region through which the incident light is transmitted can be a region larger than the polarization region 3. More specifically, the thin wire 2 may not be connected to the light shielding film 4 in the longitudinal direction (the Y direction shown in FIG. 4A).

また、細線２の配列方向（平面視において、細線２の長手方向に垂直な方向、すなわち、図４（ａ）に示すＸ方向）において、末端の細線２と遮光膜４との問隔は、細線２同士の問隔よりも大きなサイズであってもよい。より具体的には、図４（ａ）（ｂ）において、図中右側末端の細線２の左側のエッジと遮光膜４の内縁側のエッジとの距離Ｐ２は、
細線２同士のピッチＰ１よりも大きなサイズであってもよい。
しかしながら、高い消光比を得るためには、図４（ａ）（ｂ）に示す偏光子１０のように、細線２は、その長手方向において遮光膜４に接続している形態であることが好ましい。偏光領域３の外側の細線２が存在しない領域、すなわち、入射光が透過するが偏光されない領域を、より小さくすることができ、入射光のＳ波成分が透過してしまうことを、より抑制できるからである。 Further, in the arrangement direction of the fine wires 2 (in a direction perpendicular to the longitudinal direction of the fine wires 2 in plan view, ie, the X direction shown in FIG. 4A), the distance between the terminal fine wires 2 and the light shielding film 4 is as follows. The size may be larger than the distance between the thin wires 2. More specifically, in FIGS. 4A and 4B, the distance P2 between the left edge of the thin line 2 at the right end and the inner edge of the light shielding film 4 in FIG.
The size may be larger than the pitch P1 between the thin wires 2.
However, in order to obtain a high extinction ratio, it is preferable that the thin wire 2 is connected to the light-shielding film 4 in the longitudinal direction as in the polarizer 10 shown in FIGS. . A region where the thin line 2 does not exist outside the polarization region 3, that is, a region where the incident light is transmitted but not polarized can be made smaller, and the transmission of the S-wave component of the incident light can be further suppressed. Because.

また、細線２の配列方向における末端の細線２と遮光膜４との問隔は、細線２同士の問隔と同じ大きさであることが好ましい。   In addition, it is preferable that the distance between the terminal fine line 2 and the light shielding film 4 in the arrangement direction of the fine lines 2 is the same as the distance between the fine lines 2.

より具体的には、図４（ａ）（ｂ）において、図中右側末端の細線２の左側のエッジと遮光膜４の内縁側のエッジとの距離Ｐ２は、細線２同士のピッチＰ１と同じ大きさであることが好ましい。同様に、図４（ａ）（ｂ）において、図中左側末端の細線２の右側のエッジと遮光膜４の内縁側のエッジとの問隔は、細線２同士の問隔Ｐ１と同じ大きさであることが好ましい。より高い消光比を得ることができるからである。   More specifically, in FIGS. 4A and 4B, the distance P2 between the left edge of the fine line 2 at the right end and the inner edge of the light-shielding film 4 is the same as the pitch P1 between the fine lines 2. Preferably, it is a size. Similarly, in FIGS. 4A and 4B, the distance between the right edge of the thin line 2 at the left end in the figure and the inner edge of the light shielding film 4 is the same as the distance P1 between the fine lines 2. It is preferable that This is because a higher extinction ratio can be obtained.

本発明においては、例えば、細線２を形成する工程と遮光膜４を形成する工程を同一工程にすることで、遮光膜４と細線２の位置関係を精度良く作製でき、遮光膜４のエッジの方向と細線２の方向を高精度に平行、または垂直に作製することができる。   In the present invention, for example, by making the process of forming the fine wire 2 and the process of forming the light-shielding film 4 the same process, the positional relationship between the light-shielding film 4 and the fine wire 2 can be accurately produced, and the edge of the light-shielding film 4 can be formed. The direction and the direction of the fine wire 2 can be manufactured with high precision in parallel or perpendicularly.

なお、上記のように、遮光膜４に細線２が接続している形態であれば、偏光子に照射される光により細線２に蓄積する熱を遮光膜４に分散させることや、帯電防止の効果を奏することもできる。   In addition, as described above, if the thin wire 2 is connected to the light-shielding film 4, heat accumulated in the thin wire 2 due to the light irradiated to the polarizer can be dispersed in the light-shielding film 4, and the light can be prevented from being charged. An effect can also be achieved.

また、遮光膜４に細線２が接続している形態であれば、偏光子１０の製造工程において、細線２を形成するための細いレジストパターン（細線パターン）を、遮光膜４を形成するための大面積のレジストパターン（遮光膜パターン）に接続させることができ、細線２を形成するための細いレジストパターン（細線パターン）が製造工程中で倒壊したり、剥離したりする不具合を、抑制することもできる。   In the case where the thin wire 2 is connected to the light shielding film 4, a thin resist pattern (thin line pattern) for forming the thin wire 2 is formed in the manufacturing process of the polarizer 10. It can be connected to a large-area resist pattern (light-shielding film pattern), and suppresses a problem that a thin resist pattern (fine line pattern) for forming the fine line 2 collapses or peels off in a manufacturing process. You can also.

（遮光膜）
遮光膜４は、偏光領域３の外側に形成され、入射光、特に入射光のＳ波成分が透過してしまうことを抑制するものである。 (Light shielding film)
The light-shielding film 4 is formed outside the polarization region 3 and suppresses transmission of incident light, particularly the S-wave component of the incident light.

本発明において、遮光膜４は、２４０ｎｍ以上３８０ｎｍ以下の波長の紫外光に対し、光学濃度が２．８以上の遮光性を有することが好ましい。   In the present invention, the light-shielding film 4 preferably has a light-shielding property having an optical density of 2.8 or more with respect to ultraviolet light having a wavelength of 240 nm or more and 380 nm or less.

光配向膜に配向規制力を付与するために照射される紫外光の波長範囲で、遮光膜４が高い遮光性を有することにより、消光比に優れた偏光子を提供することができるからである。   This is because the light-shielding film 4 has a high light-shielding property in a wavelength range of ultraviolet light that is applied to impart an alignment regulating force to the photo-alignment film, whereby a polarizer with an excellent extinction ratio can be provided. .

遮光膜４を構成する材料は、所望の光学濃度を得ることができるものであれば特に限定されるものではなく、例えば、アルミニウム、チタン、モリブデン、シリコン、クロム、タンタル、ルテニウム、ニオブ、ハフニウム、ニッケル、金、銀、白金、パラジウム、ロジウム、コバルト、マンガン、鉄、インジウム等の金属や合金、および、これらの酸化物、窒化物、または酸窒化物のいずれかを含有する材料を挙げることができる。中でも、モリブデンシリサイドを含有する材料を好適に挙げることができる。   The material constituting the light-shielding film 4 is not particularly limited as long as a desired optical density can be obtained. For example, aluminum, titanium, molybdenum, silicon, chromium, tantalum, ruthenium, niobium, hafnium, Metals and alloys such as nickel, gold, silver, platinum, palladium, rhodium, cobalt, manganese, iron and indium, and materials containing any of these oxides, nitrides, or oxynitrides it can. Among them, a material containing molybdenum silicide can be preferably mentioned.

遮光膜４を構成する材料が、モリブデンシリサイドを含有する材料から構成されている場合、遮光膜４の厚みが６０ｎｍ以上であれば、２４０ｎｍ以上３８０ｎｍ以下の波長の紫外光に対し、光学濃度が２．８以上の遮光性を有することができるからである。   When the material constituting the light-shielding film 4 is made of a material containing molybdenum silicide, if the thickness of the light-shielding film 4 is 60 nm or more, the optical density is 2 with respect to ultraviolet light having a wavelength of 240 nm or more and 380 nm or less. This is because it can have a light shielding property of .8 or more.

なお、遮光膜４は、複数種の材料から構成されていてもよく、また、材料が異なる複数層から構成されていても良い。   The light-shielding film 4 may be made of a plurality of types of materials, or may be made of a plurality of layers made of different materials.

また、遮光膜４を構成する材料は、細線２を構成する材料を含有することが好ましい。   Further, the material forming the light shielding film 4 preferably contains the material forming the fine wire 2.

遮光膜４を構成する材料が細線２を構成する材料を含有する場合、細線２を形成する工程で使用する装置や材料を、遮光膜４を形成する工程にも使用することができ、製造コストの削減になるからである。さらに、細線２を形成する工程と遮光膜４を形成する工程を同一工程にすることで、細線２と遮光膜４の相対位置精度を向上させることもできる。   When the material forming the light-shielding film 4 contains the material forming the fine wire 2, the apparatus and material used in the process of forming the fine wire 2 can be used in the process of forming the light-shielding film 4, and the manufacturing cost can be reduced. This is because of the reduction of Further, by making the process of forming the fine wire 2 and the process of forming the light shielding film 4 the same process, the relative positional accuracy between the fine wire 2 and the light shielding film 4 can be improved.

さらに、遮光膜４を構成する材料と細線２を構成する材料が、いずれもモリブデンシリサイドを含有する材料から構成されている場合は、遮光膜４において高い遮光性を有し、かつ、消光比およびＰ波透過率に優れた偏光子とすることができる。   Furthermore, when the material forming the light-shielding film 4 and the material forming the fine wire 2 are both made of a material containing molybdenum silicide, the light-shielding film 4 has high light-shielding properties, A polarizer having excellent P-wave transmittance can be obtained.

＜偏光子の製造方法＞
次に、本発明に係る偏光子の製造方法について説明する。 <Method for producing polarizer>
Next, a method for producing a polarizer according to the present invention will be described.

本発明に係る偏光子の製造方法は、透過性を有する透明基板の上に、複数本の細線、および、紫外光を遮光する遮光膜を有する偏光子の製造方法であって、前記透明基板の上に細線用材料層を形成した積層体を準備する工程と、前記細線用材料層の上にレジスト層を形成する工程と、細線パターンと遮光膜パターンを有するレジストパターンを形成する工程と、前記レジストパターンをエッチングマスクとして用いて前記積層体をエッチング加工する工程と、を備えるものである。   The method for producing a polarizer according to the present invention is a method for producing a polarizer having a plurality of fine wires and a light-shielding film that shields ultraviolet light, on a transparent substrate having transparency. Preparing a laminate having a fine wire material layer formed thereon, forming a resist layer on the fine wire material layer, forming a resist pattern having a fine wire pattern and a light-shielding film pattern, Etching the laminate using a resist pattern as an etching mask.

本発明においては、細線パターンと遮光膜パターンを有するレジストパターンを形成し、エッチングする、細線２を形成する工程と遮光膜４を形成する工程を同一工程にすることで、製造工程を短縮することができ、かつ、細線２と遮光膜４の相対位置精度を向上させることができる。   In the present invention, a resist pattern having a fine line pattern and a light-shielding film pattern is formed and etched, and the process of forming the fine line 2 and the process of forming the light-shielding film 4 are made the same, thereby shortening the manufacturing process. And the relative positional accuracy between the fine wire 2 and the light shielding film 4 can be improved.

また、細線２と遮光膜４を、同じ材料から構成することで、製造コストを低く抑えることもできる。   Further, by forming the fine wire 2 and the light shielding film 4 from the same material, the manufacturing cost can be reduced.

図５および図６は、本発明に係る偏光子の製造方法の一例を示す概略工程図である。   5 and 6 are schematic process diagrams illustrating an example of the method for producing a polarizer according to the present invention.

例えば、本発明に係る偏光子の製造方法を用いて偏光子１０を製造するには、図５（ａ）に示すように、まず、透明基板１の上に、細線２および遮光膜４を構成する材料からなる偏光材料層（細線用材料層）３１、および、偏光材料層３１をエッチング加工する際のハードマスクとして作用するハードマスク材料層３２を、順次形成した積層体１Ａを準備する。   For example, in order to manufacture the polarizer 10 using the method for manufacturing a polarizer according to the present invention, first, as shown in FIG. 5A, a thin wire 2 and a light shielding film 4 are formed on a transparent substrate 1. A laminated body 1A is prepared in which a polarizing material layer (fine wire material layer) 31 made of a material to be formed and a hard mask material layer 32 acting as a hard mask when etching the polarizing material layer 31 are sequentially formed.

次に、積層体１Ａ上に、レジスト成膜装置においてレジスト層３３を形成し（図５（ｂ））、電子線照射装置において電子線４０を照射し（図５（ｃ））、現像装置にて現像を施して、細線パターン３４ａと遮光膜パターン３４ｂを有するレジストパターン３４を形成する（図５（ｄ））。   Next, a resist layer 33 is formed on the laminated body 1A by a resist film forming apparatus (FIG. 5B), and is irradiated with an electron beam 40 by an electron beam irradiation apparatus (FIG. 5C), and is applied to the developing apparatus Then, a resist pattern 34 having a fine line pattern 34a and a light shielding film pattern 34b is formed (FIG. 5D).

本発明においては、後述のように例えば、半導体リソグラフィ用フォトマスクの製造に用いられる電子線描画装置を用いて、細線パターン３４ａと遮光膜パターン３４ｂ、さらに上記のアライメントマーク等を同一工程で作製することで、電子線描画装置の高精度な位置精度管理下でそれらの相対位置を制御できる。   In the present invention, as described later, for example, using an electron beam lithography apparatus used for manufacturing a photomask for semiconductor lithography, a fine line pattern 34a, a light-shielding film pattern 34b, and the above-described alignment marks are formed in the same step. This makes it possible to control their relative positions under high-accuracy position accuracy control of the electron beam lithography apparatus.

次に、エッチング装置において、レジストパターン３４をエッチングマスクに用いてハードマスク材料層３２をエッチング加工して、ハードマスクパターン３２Ｐを形成する（図６（ｅ））。例えば、ハードマスク材料層３２の材料にクロムを用いた場合には、塩素と酸素の混合ガスを用いたドライエッチングにより、ハードマスクパターン３２Ｐを形成することができる。   Next, in the etching apparatus, the hard mask material layer 32 is etched using the resist pattern 34 as an etching mask to form a hard mask pattern 32P (FIG. 6E). For example, when chromium is used as the material of the hard mask material layer 32, the hard mask pattern 32P can be formed by dry etching using a mixed gas of chlorine and oxygen.

次に、エッチング装置において、レジストパターン３４およびハードマスクパターン３２Ｐをエッチングマスクに用いて、偏光材料層３１をエッチング加工して、細線２と遮光膜４を有する偏光材料パターン３１Ｐを形成する（図６（ｆ））。例えば、偏光材料層３１の材料にモリブデンシリサイドを用いた場合には、ＳＦ６ガスを用いたドライエッチングにより、偏光材料パターン３１Ｐを形成することができる。   Next, in the etching apparatus, the polarizing material layer 31 is etched using the resist pattern 34 and the hard mask pattern 32P as an etching mask to form the polarizing material pattern 31P having the fine wire 2 and the light shielding film 4 (FIG. 6). (F)). For example, when molybdenum silicide is used as the material of the polarizing material layer 31, the polarizing material pattern 31P can be formed by dry etching using SF6 gas.

次に、剥離装置において、レジストパターン３４を除去し（図６（ｇ））、次いで、ハードマスクパターン３２Ｐを除去して、透明基板１の上に、複数本の細線２と遮光膜４を有する偏光子１０を得る（図６（ｈ））。   Next, in the peeling device, the resist pattern 34 is removed (FIG. 6G), then, the hard mask pattern 32P is removed, and the transparent substrate 1 has a plurality of fine wires 2 and a light shielding film 4. The polarizer 10 is obtained (FIG. 6 (h)).

なお、図５および図６に示す例においては省略しているが、本発明においては、大面積の透明基板１上に複数本の細線２と遮光膜４を形成し、その後、細線２が配置された偏光領域３の外側を切断して、所望のサイズおよび形態に切り出した偏光子１０を得ても良い。   Although omitted in the examples shown in FIGS. 5 and 6, in the present invention, a plurality of fine wires 2 and a light-shielding film 4 are formed on a large-area transparent substrate 1, and then the fine wires 2 are arranged. The outside of the polarized region 3 may be cut to obtain the polarizer 10 cut into a desired size and shape.

また、上記においては、レジストパターン３４を残した状態で偏光材料層３１をエッチング加工しているが、本発明においては、図６（ｅ）に示すハードマスクパターン３２Ｐを形成する工程の後、レジストパターン３４を除去し、ハードマスクパターン３２Ｐのみをエッチングマスクに用いて偏光材料層３１をエッチング加工して偏光材料パターン３１Ｐを形成してもよい。   In the above description, the polarization material layer 31 is etched while the resist pattern 34 is left. However, in the present invention, after the step of forming the hard mask pattern 32P shown in FIG. The pattern 34 may be removed, and the polarizing material layer 31 may be etched using only the hard mask pattern 32P as an etching mask to form the polarizing material pattern 31P.

また、上記においては、得られる偏光子１０として、ハードマスクパターン３２Ｐを除去した形態について説明したが、本発明においては、必要に応じてハードマスクパターン３２Ｐを全面又は部分的に残しておいても良い。   Further, in the above description, the form in which the hard mask pattern 32P is removed has been described as the obtained polarizer 10, but in the present invention, the hard mask pattern 32P may be left entirely or partially as needed. good.

例えば、図６（ｇ）に示す形態のように、ハードマスクパターン３２Ｐを全面に残した形態を、最終的に得られる偏光子の形態としてもよい。この場合、ハードマスクパターン３２Ｐを除去する工程を省くことができ、工程短縮の効果を奏することができる。   For example, a form in which the hard mask pattern 32P is left on the entire surface as in the form shown in FIG. 6G may be used as the form of the finally obtained polarizer. In this case, the step of removing the hard mask pattern 32P can be omitted, and the effect of shortening the step can be obtained.

また、上記においては、偏光材料層３１の上にハードマスク材料層３２を設ける形態について説明したが、本発明においては、ハードマスク材料層３２を設けずに、偏光材料層３１の上にレジスト層３３を形成し、レジストパターン３４をエッチングマスクに用いて偏光材料層３１をエッチング加工して、細線２と遮光膜４を有する偏光材料パターン３１Ｐを形成してもよい。   In the above description, the embodiment in which the hard mask material layer 32 is provided on the polarizing material layer 31 has been described. However, in the present invention, the resist layer is provided on the polarizing material layer 31 without providing the hard mask material layer 32. 33, the polarizing material layer 31 may be etched using the resist pattern 34 as an etching mask to form a polarizing material pattern 31P having the fine wire 2 and the light shielding film 4.

＜電子線照射方法＞
ここで、上記の図５（ｃ）で示したレジストパターン３４の形成に用いる方法は、所望の細線パターン３４ａと遮光膜パターン３４ｂを有するレジストパターン３４を形成することができる方法であれば用いることができるが、中でも、電子線を照射する方法が好ましい。 <Electron beam irradiation method>
Here, the method used for forming the resist pattern 34 shown in FIG. 5C should be used as long as the method can form the resist pattern 34 having the desired fine line pattern 34a and light shielding film pattern 34b. Among them, a method of irradiating an electron beam is preferable.

電子線を照射する方法によるレジストパターン形成は、半導体用のフォトマスク製造等で実績があり、例えば、ピッチが６０ｎｍ以上１４０ｎｍ以下の範囲の細線パターンを、所望の領域に精度良く形成することができるからである。また、細線パターン３４ａと遮光膜パターン３４ｂの相対位置精度も、半導体用のフォトマスク製造に求められる、ナノメートルレベルの精度とすることができるからである。   The formation of a resist pattern by a method of irradiating an electron beam has a track record in the production of photomasks for semiconductors and the like. For example, a fine line pattern having a pitch of 60 nm or more and 140 nm or less can be accurately formed in a desired region. Because. Further, the relative positional accuracy between the fine line pattern 34a and the light-shielding film pattern 34b can be set to the nanometer level required for manufacturing a semiconductor photomask.

また、本発明においては、レジスト層３３が、ポジ型の電子線レジストから構成されており、細線パターン３４ａと遮光膜パターン３４ｂを有するレジストパターン３４を形成する工程が、所望の細線と所望の遮光膜が形成される位置以外のレジスト層３３に電子線を照射する工程であることが好ましい。   Further, in the present invention, the resist layer 33 is made of a positive type electron beam resist, and the step of forming the resist pattern 34 having the fine line pattern 34a and the light shielding film pattern 34b includes the step of forming the desired fine line and the desired light shielding. Preferably, the process is a process of irradiating the resist layer 33 other than the position where the film is formed with an electron beam.

より具体的には、細線パターン３４ａがラインアンドスペースパターンを構成しており、上記のラインアンドスペースパターンのスペースパターン部となる位置のレジスト層３３に電子線を照射する工程であることが好ましい。   More specifically, it is preferable that the fine line pattern 34a constitutes a line-and-space pattern, and the electron beam is irradiated onto the resist layer 33 at a position to be a space pattern portion of the line-and-space pattern.

上記の位置に電子線を照射する方法であれば、電子線を照射する面積を小さくすることができ、電子線照射工程の時問を短くすることができるからである。   This is because the method of irradiating the above position with the electron beam can reduce the area to be irradiated with the electron beam and shorten the time of the electron beam irradiation step.

上記について、より詳しく説明する。   The above will be described in more detail.

例えば、図４（ａ）（ｂ）に示す偏光子１０の細線２の幅が、細線２のピッチの半分の大きさである場合、ネガ型の電子線レジストを用いて、偏光子１０の細線パターンと遮光膜パターンを得ようとする場合、電子線照射する面積は、細線２全てを合わせた面積に遮光膜４の面積を加えた面積となる。   For example, when the width of the thin line 2 of the polarizer 10 shown in FIGS. 4A and 4B is half the pitch of the thin line 2, the thin line of the polarizer 10 is formed using a negative electron beam resist. When the pattern and the light-shielding film pattern are to be obtained, the area to be irradiated with the electron beam is the area obtained by adding the area of the light-shielding film 4 to the area of all the fine wires 2.

一方、ポジ型の電子線レジストを用いた場合、電子線照射する面積は、細線２のスペース部分の全てを合わせた面積、すなわち、概ね、細線２全てを合わせた面積で済み、遮光膜４の面積を照射する時問を削減できる。   On the other hand, when a positive-type electron beam resist is used, the area to be irradiated with the electron beam is an area in which all of the space portions of the fine lines 2 are combined, that is, an area in which all of the fine lines 2 are combined. The time when irradiating the area can be reduced.

次に図１乃至図３により電子線照射方法について更に説明する。図１乃至図３に示すように、レジスト層３３に細線パターン３４ａと遮光膜パターン３４ｂとを有するレジストパターン３４を形成するため、電子線照射装置を用いた電子線照射方法が使用される。   Next, the electron beam irradiation method will be further described with reference to FIGS. As shown in FIGS. 1 to 3, an electron beam irradiation method using an electron beam irradiation apparatus is used to form a resist pattern 34 having a fine line pattern 34a and a light shielding film pattern 34b on a resist layer 33.

このような電子線照射装置１１は、図１乃至図３に示すように、電子線４０を生成する電子銃１２と、電子銃１２から生成された電子線４０を通過させる矩形状開口１３ａをもつ第１アパーチャ１３と、第１アパーチャ１３を通過した電子線４０を偏向させる第１偏向器１４と、第１偏向器１４により偏向された電子線４０を通過させる複数の線状開口１５ａをもつ第２アパーチャ１５と、第２アパーチャ１５を通過した電子線４０を偏向させ、偏向した電子線４０を、上述した積層体１Ａの偏光材料層３１上に設けられたレジスト層３３に照射する第２偏向器１６とを備えている。   As shown in FIGS. 1 to 3, such an electron beam irradiation apparatus 11 has an electron gun 12 for generating an electron beam 40 and a rectangular opening 13 a for passing the electron beam 40 generated from the electron gun 12. A first aperture 13, a first deflector 14 for deflecting the electron beam 40 passing through the first aperture 13, and a plurality of linear openings 15 a for passing the electron beam 40 deflected by the first deflector 14. The second deflection that deflects the electron beam 40 that has passed through the second aperture 15 and the second aperture 15 and irradiates the deflected electron beam 40 to the resist layer 33 provided on the polarizing material layer 31 of the laminate 1A described above. And a vessel 16.

このうち第１アパーチャ１３は、単一の矩形状の開口１３ａをもち、第２アパーチャ１５は、複数の線状開口１５ａと、線状開口１５ａ間の線状マスク１５ｂとを有する。   The first aperture 13 has a single rectangular opening 13a, and the second aperture 15 has a plurality of linear openings 15a and a linear mask 15b between the linear openings 15a.

一般に電子銃１２から生成された電子線４０は、その中心付近のエネルギが大きく、周縁付近のエネルギは小さくなっている。   Generally, the energy of the electron beam 40 generated from the electron gun 12 is large near the center and small near the periphery.

このため電子銃１２から生成された電子線４０が矩形状の開口１３ａをもつ第１アパーチャ１３を通過することにより、電子線４０のうち、エネルギが大きい中心付近の電子線４０のみを使用することができる。   Therefore, when the electron beam 40 generated from the electron gun 12 passes through the first aperture 13 having the rectangular opening 13a, only the electron beam 40 near the center having a large energy among the electron beams 40 can be used. Can be.

次に第１アパーチャ１３を通過した電子線４０が複数の線状開口１５ａを有する第２アパーチャ１５を通過することにより、第２アパーチャ１５により複数の線状電子線４０ａを得ることができ、このようにして得られた線状電子線４０ａを積層体１Ａ上に設けられたレジスト層３３に照射することができる。   Next, the electron beam 40 passing through the first aperture 13 passes through the second aperture 15 having the plurality of linear openings 15a, so that the plurality of linear electron beams 40a can be obtained by the second aperture 15. The resist layer 33 provided on the laminate 1A can be irradiated with the linear electron beam 40a obtained as described above.

次にこのような構成からなる電子線照射装置１１を用いた電子線照射方法について説明する。   Next, an electron beam irradiation method using the electron beam irradiation apparatus 11 having such a configuration will be described.

図１乃至図３に示すように、電子銃１２から生成された電子線４０は第１アパーチャ１３の矩形状の開口１３ａを通過し、電子線４０のうちエネルギの大きな中心付近の電子線４０のみが選択される。   As shown in FIGS. 1 to 3, the electron beam 40 generated from the electron gun 12 passes through the rectangular opening 13 a of the first aperture 13, and only the electron beam 40 of the electron beam 40 near the center having a large energy is used. Is selected.

次に第１アパーチャ１３を通過した電子線４０は第１偏向器１４によって偏向されて第２アパーチャ１５に入る。次に電子線４０は第２アパーチャ１５の線状開口１５ａを通過し、複数の線状電子線４０ａを形成する。次に線状電子線４０ａは第２偏向器１６を経て偏向され、積層体１Ａ上に設けられたレジスト層３３に対して照射される。   Next, the electron beam 40 that has passed through the first aperture 13 is deflected by the first deflector 14 and enters the second aperture 15. Next, the electron beam 40 passes through the linear opening 15a of the second aperture 15 to form a plurality of linear electron beams 40a. Next, the linear electron beam 40a is deflected through the second deflector 16, and is irradiated on the resist layer 33 provided on the stacked body 1A.

この際、線状電子線４０ａは、レジスト層３３にショット毎に照射され、ショット毎に照射された線状電子線４０ａは、レジスト層３３上において、所定の数の線状電子線４０ａを含む矩形状の電子線の単位領域４０Ａを形成する（図２参照）。   At this time, the linear electron beam 40a is irradiated on the resist layer 33 for each shot, and the linear electron beam 40a irradiated on each shot includes a predetermined number of linear electron beams 40a on the resist layer 33. A rectangular electron beam unit area 40A is formed (see FIG. 2).

この場合、電子線の単位領域４０Ａに含まれる線状電子線４０ａは、レジスト層３３の電子レジストの型によって、細線２または細線２間のスペースに対応する。   In this case, the linear electron beam 40a included in the unit region 40A of the electron beam corresponds to the thin line 2 or the space between the thin lines 2 depending on the type of the electron resist of the resist layer 33.

図２において、レジスト層３３に形成された電子線の単位領域４０に含まれる線状電子線４０ａは、偏光子１０の細線２に対応して示されている。   In FIG. 2, the linear electron beam 40 a included in the unit region 40 of the electron beam formed on the resist layer 33 is shown corresponding to the thin line 2 of the polarizer 10.

また電子線の単位領域４０Ａは、偏光子１０の複数の細線２を含む単位細線領域２Ａに対応している。   The unit region 40A of the electron beam corresponds to the unit thin line region 2A including the plurality of thin lines 2 of the polarizer 10.

ところで第２アパーチャ１５の線状開口１５ａにより形成された線状電子線４０ａは、レジスト層３３上にショット毎に照射されて、電子線の単位領域４０Ａを形成する。この場合、線状電子線４０ａを照射する毎に第２偏向器１６により線状電子線４０ａを偏向させることにより、単位領域４０Ａをレジスト層３３上に図２の横方向に沿って（線状電子線４０ａに直交する方向に）多列に設けることができ、かつ図２の上下方向に沿って（線状電子線４０ａに平行に）多段に設けることができる。この場合、単位領域４０Ａは単位領域４０Ａの一辺４０ｂ、例えば左辺または右辺に直交する方向に多列に、かつ左辺または右辺に平行する方向に多段に配置されるということもできる。   By the way, the linear electron beam 40a formed by the linear opening 15a of the second aperture 15 is irradiated on the resist layer 33 every shot to form a unit region 40A of the electron beam. In this case, by deflecting the linear electron beam 40a by the second deflector 16 each time the linear electron beam 40a is irradiated, the unit region 40A is formed on the resist layer 33 along the lateral direction of FIG. It can be provided in multiple rows (in a direction perpendicular to the electron beam 40a), and can be provided in multiple stages along the vertical direction in FIG. 2 (parallel to the linear electron beam 40a). In this case, the unit areas 40A may be arranged in multiple rows in a direction orthogonal to one side 40b of the unit area 40A, for example, a left side or a right side, and in multiple stages in a direction parallel to the left side or the right side.

図２に示すように、電子線の単位領域４０Ａは、ショット毎に矩形状に形成され、各々の単位領域４０Ａは仮想上の垂直方向線４０Ｖおよび水平方向線４０Ｈにより区画され、各単位領域４０Ａが多段および多列に格子状に配置されている。   As shown in FIG. 2, an electron beam unit area 40A is formed in a rectangular shape for each shot, and each unit area 40A is partitioned by a virtual vertical line 40V and a horizontal line 40H. Are arranged in a grid pattern in multiple stages and multiple rows.

また偏光子１０の各細線２は、上述のように線状電子線４０Ａにより形成され、また単位領域４０Ａに対応して、複数の細線２を含む単位細線領域２Ａが形成される。この場合、細線２に平行する方向（図２の上下方向）に隣り合う単位細線領域２Ａ間の細線２は互いに連続して、上下方向に延びる一本の細線２を構成している。   Each thin line 2 of the polarizer 10 is formed by the linear electron beam 40A as described above, and a unit thin line region 2A including a plurality of thin lines 2 is formed corresponding to the unit region 40A. In this case, the thin lines 2 between the unit thin line regions 2A adjacent to each other in the direction parallel to the thin lines 2 (vertical direction in FIG. 2) form a single thin line 2 extending in the vertical direction.

以上のように本実施の形態によれば、第１アパーチャ１３を通った電子線４０が複数の線状開口１５ａを有する第２アパーチャ１５を通ることにより線状電子線４０ａが生成され、この線状電子線４０ａを積層体１Ａ上のレジスト層３３にショット毎に照射して複数の線状電子線４０ａを含む電子線の単位領域４０Ａを形成するとともに、第２偏向器１６によって線状電子線４０ａを偏向させることにより単位領域４０Ａを多列および多段に形成した。このことにより、レジスト層上に矩形状の単一の線状電子線を照射し、この単一の線状電子線を偏向させる場合に比べて偏光子１０の製造時間を大幅に削減することができる。   As described above, according to the present embodiment, the electron beam 40 passing through the first aperture 13 passes through the second aperture 15 having the plurality of linear openings 15a, thereby generating a linear electron beam 40a. The electron beam 40a is irradiated on the resist layer 33 on the laminate 1A for each shot to form an electron beam unit region 40A including a plurality of linear electron beams 40a, and the second deflector 16 uses the linear electron beam. By deflecting 40a, unit regions 40A were formed in multiple rows and multiple stages. This makes it possible to significantly reduce the manufacturing time of the polarizer 10 as compared with a case where a single rectangular linear electron beam is irradiated onto the resist layer and the single linear electron beam is deflected. it can.

＜第２の実施の形態＞
次に本発明の第２の実施の形態について図７により説明する。 <Second embodiment>
Next, a second embodiment of the present invention will be described with reference to FIG.

図１乃至図６に示す第１の実施の形態において、積層体１Ａ上に設けられたレジスト層３３に、垂直方向線４０Ｖと水平方向線４０Ｈにより区画され、複数の線状電子線４０ａを含む矩形状の電子線の単位領域４０Ａを形成するとともに、この単位領域４０Ａを多列および多段に配置される例を示したが、これに限らず各段の隣り合う単位領域４０Ａ間の境界４０Ｂを隣り合う段との間で互いに変えてもよい。   In the first embodiment shown in FIGS. 1 to 6, the resist layer 33 provided on the stacked body 1A is partitioned by a vertical line 40V and a horizontal line 40H and includes a plurality of linear electron beams 40a. The example in which the rectangular unit area 40A of the electron beam is formed and the unit areas 40A are arranged in multiple rows and multiple stages has been described. However, the present invention is not limited to this. You may change mutually between adjacent steps.

図１乃至図６に示す第１の実施の形態において、矩形状の電子線の単位領域４０Ａは垂直方向線４０Ｖと水平方向線４０Ｈにより区画されているため、各段の隣り合う単位領域４０Ａ間の境界は垂直方向線４０Ｖに一致する。   In the first embodiment shown in FIGS. 1 to 6, the unit area 40A of the rectangular electron beam is partitioned by the vertical line 40V and the horizontal line 40H, so that the space between adjacent unit areas 40A of each stage is provided. Is coincident with the vertical line 40V.

これに対して図７に示すように、各段の隣り合う単位領域４０Ａの境界４０Ｂの位置を１段目、２段目、３段目、・・・に応じて徐々に右側へずらしてもよい。   On the other hand, as shown in FIG. 7, even if the position of the boundary 40B of the unit area 40A adjacent to each stage is gradually shifted to the right according to the first stage, the second stage, the third stage,. Good.

図７において、各段の隣り合う単位領域４０Ａの境界４０Ｂの位置は隣り合う段、すなわち上下方向に隣接する段との間で徐々にずらされている。   In FIG. 7, the position of the boundary 40B between adjacent unit areas 40A of each stage is gradually shifted between adjacent stages, that is, vertically adjacent stages.

上述のように単位領域４０Ａは、レジスト層３３にショット毎に照射された複数の線状電子線４０ａからなるため、単位領域４０Ａ内において線状電子線４０ａ間の間隔は基本的に一定となる。   As described above, since the unit region 40A is composed of the plurality of linear electron beams 40a irradiated on the resist layer 33 for each shot, the interval between the linear electron beams 40a in the unit region 40A is basically constant. .

これに対して単位領域４０Ａの境界４０Ｂにおける線状電子線４０ａ間の間隔は、線状電子線４０ａのショット間で異なることがあり、単位領域４０Ａ間の境界４０Ｂの幅は単位領域４０Ａ内の線状電子線４０ａ間の間隔に対して多少変化する、例えば大きくなることがある。   On the other hand, the interval between the linear electron beams 40a at the boundary 40B of the unit region 40A may be different between shots of the linear electron beam 40a, and the width of the boundary 40B between the unit regions 40A is within the unit region 40A. The distance between the linear electron beams 40a may slightly change, for example, increase.

このような場合、単位領域４０Ａ間の境界４０Ｂは、細線２間のスペース２Ｂに対応しており、この境界４０Ｂが図７の上下方向に直線状に並ぶと、得られた偏光子１０の細線２間に単位領域４０Ａの境界４０Ｂに起因して上下方向に延びる直線状の幅広スペース２Ｂが形成され、この細線２間の幅広スペース２Ｂにより偏光子１０の偏光機能に支障が生じてしまう。   In such a case, the boundary 40B between the unit regions 40A corresponds to the space 2B between the thin lines 2, and when the boundaries 40B are linearly arranged in the vertical direction in FIG. 7, the thin line of the obtained polarizer 10 is obtained. A linear wide space 2B extending in the vertical direction is formed between the two due to the boundary 40B of the unit region 40A, and the wide space 2B between the fine wires 2 interferes with the polarizing function of the polarizer 10.

本実施の形態によれば、各段の隣り合う列間の単位領域４０Ａの境界４０Ｂの位置を隣り合う段との間で徐々に変化させることができ、このことにより、偏光子１０の細線２間に上下方向に延びる直線状の幅広スペース２Ｂが形成されることを未然に防ぐことができる。また、単位領域４０Ａ同士が同一の線状電子線４０ａのパターンを有するため、ショット毎に照射する線状電子線４０ａの本数を異ならせる必要がなく、露光データの作成が容易である。
なお、ここでは、隣り合う単位領域４０Ａ間の境界４０Ｂにおける線状電子線４０ａ間の間隔が、単位領域４０Ａ内の線状電子線４０ａ間の間隔に対して大きくなる例について、説明したが、これに限られず、境界４０Ｂにおける線状電子線４０ａ間の間隔が、単位領域４０Ａ内の線状電子線４０ａ間の間隔よりも小さくなる場合、また、変わらない場合もある。このような単位領域４０Ａ内と単位領域４０Ａ間の境界４０Ｂとにおける線状電子線４０ａ間の間隔の違いは、作製された偏光子１０においては、外観検査した際に細線２間の間隔の違い（単位領域４０同士のつなぎ部）として検出される。したがって、隣り合う単位領域４０Ａ間の境界４０Ｂの位置は、外観検査により認識し得る。第２の実施の形態においては、各段の隣り合う単位領域４０Ａ間の境界４０Ｂの位置を１段目、２段目、３段目、・・・毎に規則的にずらしているため、外観検査をすると、上下方向に隣接する段との間で規則的なつなぎ部が検出され得る。 According to the present embodiment, the position of the boundary 40B of the unit region 40A between the adjacent rows of each step can be gradually changed between the adjacent steps, and as a result, the thin line 2 of the polarizer 10 can be changed. It is possible to prevent a linear wide space 2B extending in the vertical direction from being formed therebetween. Further, since the unit regions 40A have the same pattern of the linear electron beams 40a, it is not necessary to change the number of the linear electron beams 40a to be irradiated for each shot, and it is easy to create exposure data.
Here, an example in which the interval between the linear electron beams 40a at the boundary 40B between the adjacent unit regions 40A is larger than the interval between the linear electron beams 40a within the unit region 40A has been described. The present invention is not limited to this, and the interval between the linear electron beams 40a at the boundary 40B may be smaller than the interval between the linear electron beams 40a in the unit region 40A, or may not change. The difference in the distance between the linear electron beams 40a in the unit region 40A and the boundary 40B between the unit regions 40A is due to the difference in the distance between the fine lines 2 in the manufactured polarizer 10 when the appearance inspection is performed. (A connection portion between the unit regions 40) is detected. Therefore, the position of the boundary 40B between the adjacent unit areas 40A can be recognized by an appearance inspection. In the second embodiment, the position of the boundary 40B between adjacent unit areas 40A of each stage is regularly shifted for each of the first, second, third,. When the inspection is performed, regular connection portions between the vertically adjacent steps can be detected.

＜第３の実施の形態＞
次に本発明の第３の実施の形態について図８により説明する。 <Third embodiment>
Next, a third embodiment of the present invention will be described with reference to FIG.

図１乃至図６に示す第１の実施の形態において、積層体１Ａ上に設けられたレジスト層３３に、垂直方向線４０Ｖと水平方向線４０Ｈにより区画され、複数の線状電子線４０ａを含む矩形状の電子線の単位領域４０Ａを形成するとともに、この単位領域４０Ａを多列および多段に配置される例を示したが、これに限らず各段の隣り合う単位領域４０Ａ間の境界４０Ｂを隣り合う段との間で互いに変えてもよい。   In the first embodiment shown in FIGS. 1 to 6, the resist layer 33 provided on the stacked body 1A is partitioned by a vertical line 40V and a horizontal line 40H and includes a plurality of linear electron beams 40a. The example in which the rectangular unit area 40A of the electron beam is formed and the unit areas 40A are arranged in multiple rows and multiple stages has been described. However, the present invention is not limited to this. You may change mutually between adjacent steps.

図１乃至図６に示す第１の実施の形態において、矩形状の電子線の単位領域４０Ａは垂直方向線４０Ｖと水平方向線４０Ｈにより区画されているため、各段の隣り合う単位領域４０Ａ間の境界は垂直方向線４０Ｖに一致する。   In the first embodiment shown in FIGS. 1 to 6, the unit area 40A of the rectangular electron beam is partitioned by the vertical line 40V and the horizontal line 40H, so that the space between adjacent unit areas 40A of each stage is provided. Is coincident with the vertical line 40V.

これに対して図８に示すように、各段の隣り合う単位領域４０Ａ間の境界４０Ｂの位置を１段目、２段目、３段目、・・・毎に不規則な状態でずらしてもよい。   On the other hand, as shown in FIG. 8, the position of the boundary 40B between adjacent unit areas 40A of each stage is shifted in an irregular state for each of the first, second, third,. Is also good.

図８において、各段の隣り合う単位領域４０Ａの境界４０Ｂの位置は隣り合う段、すなわち上下方向に隣接する段との間で不規則な状態でずらされている。   In FIG. 8, the position of the boundary 40B between the adjacent unit areas 40A of each step is shifted irregularly between the adjacent steps, that is, the vertically adjacent steps.

上述のように単位領域４０Ａは、レジスト層３３にショット毎に照射された複数の線状電子線４０ａからなるため、単位領域４０Ａ内において線状電子線４０ａ間の間隔は基本的に一定となる。   As described above, since the unit region 40A is composed of the plurality of linear electron beams 40a irradiated on the resist layer 33 for each shot, the interval between the linear electron beams 40a in the unit region 40A is basically constant. .

これに対して単位領域４０Ａの境界４０Ｂの幅は、線状電子線４０ａのショット間で異なることがあり、単位領域４０Ａ間の境界４０Ｂの幅は単位領域４０Ａ内の線状電子線４０ａ間の間隔に対して多少変化する、例えば大きくなることがある。   On the other hand, the width of the boundary 40B of the unit region 40A may differ between shots of the linear electron beam 40a, and the width of the boundary 40B between the unit regions 40A may be different between the linear electron beams 40a in the unit region 40A. It may vary slightly with spacing, for example, may increase.

このような場合、単位領域４０Ａ間の境界４０Ｂは細線２間のスペース２Ｂに対応しており、この境界４０Ｂが図８の上下方向に直線状に並ぶと、得られた偏光子１０の細線２間に単位領域４０Ａの境界４０Ｂに起因して上下方向に延びる直線状の幅広スペース２Ｂが形成され、この細線２間の幅広スペース２Ｂにより偏光子１０の偏光機能に支障が生じてしまう。   In such a case, the boundary 40B between the unit regions 40A corresponds to the space 2B between the fine lines 2, and when the boundaries 40B are linearly arranged in the vertical direction in FIG. A linear wide space 2B extending in the vertical direction is formed between the boundaries 40B of the unit region 40A, and the wide space 2B between the fine wires 2 interferes with the polarizing function of the polarizer 10.

本実施の形態によれば、各段の隣り合う単位領域４０Ａの境界４０Ｂの位置を隣り合う段との間で不規則な状態に変化させることができ、このことにより、偏光子１０の細線２間に上下方向に延びる直線状の幅広スペースが形成されていることをより確実に防ぐことができる。なお、ここでは、隣り合う単位領域４０Ａ間の境界４０Ｂにおける線状電子線４０ａ間の間隔が、単位領域４０Ａ内の線状電子線４０ａ間の間隔に対して大きくなる例について、説明したが、第２の実施の形態と同様に、境界４０Ｂにおける線状電子線４０ａ間の間隔が、単位領域４０Ａ内の線状電子線４０ａ間の間隔よりも小さくなる、あるいは変わらなくてもよい。また、第３の実施形態により形成した偏光子１０においては、各段の隣り合う単位領域４０Ａの境界４０Ｂの位置は隣り合う段、すなわち上下方向に隣接する段との間で不規則な状態でずらされているから、外観検査をすると、上下方向に隣接する段との間で単位領域４０同士のつなぎ部が検出され得る。     According to the present embodiment, the position of the boundary 40B between the adjacent unit regions 40A of each step can be changed to an irregular state between the adjacent steps, and as a result, the thin line 2 of the polarizer 10 can be changed. It is possible to more reliably prevent a linear wide space extending in the vertical direction from being formed therebetween. Here, an example in which the interval between the linear electron beams 40a at the boundary 40B between the adjacent unit regions 40A is larger than the interval between the linear electron beams 40a within the unit region 40A has been described. Similarly to the second embodiment, the interval between the linear electron beams 40a at the boundary 40B may be smaller than the interval between the linear electron beams 40a in the unit region 40A, or may not be changed. Further, in the polarizer 10 formed according to the third embodiment, the position of the boundary 40B between the adjacent unit regions 40A of each step is irregular between the adjacent steps, that is, the steps adjacent in the vertical direction. Since they are shifted, when the appearance inspection is performed, a connection portion between the unit regions 40 can be detected between the adjacent vertically adjacent steps.

＜第４の実施の形態＞
次に本発明の第４の実施の形態について図９により説明する。 <Fourth embodiment>
Next, a fourth embodiment of the present invention will be described with reference to FIG.

図１乃至図６に示す第１の実施の形態において、積層体１Ａ上に設けられたレジスト層３３に、垂直方向線４０Ｖと水平方向線４０Ｈにより区画され、複数の線状電子線４０ａを含む矩形状の電子線の単位領域４０Ａを形成するとともに、この単位領域４０Ａを単位領域の左辺または右辺に直交する方向に多列に、かつ単位領域４０Ａの左辺または右辺に平行する方向に多段に配置される例を示したが、これに限らず単位領域４０Ａの一辺の４５°の傾斜をもった方向に多列に、単位領域４０Ａの一辺に対して４５°の傾斜をもった方向に多段に配置してもよい。   In the first embodiment shown in FIGS. 1 to 6, the resist layer 33 provided on the stacked body 1A is partitioned by a vertical line 40V and a horizontal line 40H and includes a plurality of linear electron beams 40a. A unit area 40A of a rectangular electron beam is formed, and the unit areas 40A are arranged in multiple rows in a direction orthogonal to the left side or the right side of the unit area and in multiple stages in a direction parallel to the left side or the right side of the unit area 40A. However, the present invention is not limited to this, but is not limited to this, and is arranged in multiple rows in a direction having a 45 ° inclination of one side of the unit region 40A, and in multiple stages in a direction having a 45 ° inclination to one side of the unit region 40A. It may be arranged.

図９において、レジスト層３３に複数の線状電子線４０ａをショット毎に照射することにより、矩形状の電子線の単位領域４０Ａが形成される。単位領域４０Ａは４辺により区画されており、この場合、単位領域４０の４辺はショット毎の切れ目４０Ｓに対応している。   In FIG. 9, a rectangular electron beam unit region 40A is formed by irradiating the resist layer 33 with a plurality of linear electron beams 40a for each shot. The unit area 40A is divided by four sides. In this case, the four sides of the unit area 40 correspond to the cuts 40S for each shot.

図２に示す実施の形態において、単位領域４０Ａは、単位領域４０Ａの一辺４０ｂ、例えば左辺または右辺に直交する方向に多列に、左辺または右辺に平行する方向に多段に配置されているが、図９に示す実施の形態において、単位領域４０Ａは単位領域の一辺、例えば一本の切れ目４０Ｓに対して４５°だけ傾斜した方向に多列に、かつ切れ目４０Ｓに対して４５°だけ傾斜した方向に多段に配置されている。   In the embodiment shown in FIG. 2, the unit regions 40A are arranged in multiple rows in a direction orthogonal to one side 40b of the unit region 40A, for example, the left side or the right side, and are arranged in multiple stages in a direction parallel to the left side or the right side. In the embodiment shown in FIG. 9, the unit areas 40A are arranged in multiple rows in a direction inclined by 45 ° with respect to one side of the unit area, for example, one cut 40S, and directions inclined by 45 ° with respect to the cut 40S. Are arranged in multiple stages.

このように単位領域４０Ａの一辺、例えば一本の切れ目４０Ｓに対して４５°だけ傾斜する方向に単位領域４０Ａを多列かつ多段に配置することにより、単位領域４０Ａを区画する切れ目４０Ｓが図９において線状電子線４０ａに平行する上下方向に連続して延びることはない。このため偏光子１０の細線２間に、単位領域４０Ａの切れ目４０Ｓに起因して上下方向に延びる直線状の幅広スペースが形成されることを確実に防止することができる。   By arranging the unit areas 40A in multiple rows and in multiple stages in a direction inclined by 45 ° with respect to one side of the unit area 40A, for example, one cut 40S, the cuts 40S defining the unit area 40A are formed as shown in FIG. Does not extend continuously in the vertical direction parallel to the linear electron beam 40a. Therefore, it is possible to reliably prevent a linear wide space extending in the vertical direction from being formed between the thin wires 2 of the polarizer 10 due to the cuts 40S of the unit region 40A.

＜第５の実施の形態＞
次に本発明の第５の実施の形態について図１０により説明する。 <Fifth embodiment>
Next, a fifth embodiment of the present invention will be described with reference to FIG.

図１乃至図６に示す第１の実施の形態において、積層体１Ａ上に設けられたレジスト層３３に、複数の線状電子線４０ａをショット毎に照射することにより、複数の線状電子線４０ａを含む矩形状の電子線の単位領域４０Ａを形成するとともに、この単位領域４０Ａを多列および多段に配置される例を示したが、これに限らず線状電子線４０ａの各ショットと、単位領域４０Ａは必ずしも対応する必要はない。   In the first embodiment shown in FIGS. 1 to 6, the resist layer 33 provided on the stacked body 1A is irradiated with a plurality of linear electron beams 40a for each shot, thereby forming a plurality of linear electron beams. Although the example in which the unit area 40A of the rectangular electron beam including the 40a is formed and the unit areas 40A are arranged in multiple rows and multiple stages is shown, each shot of the linear electron beam 40a is not limited thereto. The unit area 40A does not necessarily need to correspond.

図１０に示すように、電子線の単位領域４０Ａが横方向に多列に配置されている。また図示していないが、単位領域４０Ａは上下方向に多段に配置されている。   As shown in FIG. 10, electron beam unit areas 40A are arranged in multiple rows in the horizontal direction. Although not shown, the unit areas 40A are arranged in multiple stages in the vertical direction.

図１０において、複数の線状電子線４０ａをレジスト層３３上に照射することにより電子線の単位領域４０Ａが形成されるが、本実施例においては線状電子線４０ａの一回のショットは単位領域４０に必ずしも対応していない。   In FIG. 10, a plurality of linear electron beams 40a are irradiated on the resist layer 33 to form the electron beam unit area 40A. In this embodiment, one shot of the linear electron beam 40a is a unit. It does not necessarily correspond to the area 40.

例えば線状電子線４０ａの１回目のショットにより線状電子線４０ａの第１のグループ４１が形成され、この第１のグループ４１の線状電子線４０ａにより、図１０の左端から１つ目の単位領域４０Ａ全体が得られる。   For example, the first shot of the linear electron beam 40a forms a first group 41 of the linear electron beams 40a, and the first group 41 of the linear electron beams 40a forms the first group 41 from the left end in FIG. The entire unit area 40A is obtained.

次に線状電子線４０ａの２回目のショットにより、線状電子線４０ａの第２グループ４２が得られる。この第２グループ４２は少ない本数の線状電子線４０ａを含むため、図１０の左端から２つ目の単位領域４０Ａの一部のみを構成する。   Next, by the second shot of the linear electron beam 40a, a second group 42 of the linear electron beams 40a is obtained. Since the second group 42 includes a small number of linear electron beams 40a, it constitutes only a part of the second unit area 40A from the left end in FIG.

次に線状電子線４０ａの第３回目のショットにより、線状電子線４０ａの第３グループ４３が得られる。この第３グループ４２も少ない本数の線状電子線４０ａを含むため、左端から２つ目の単位領域４０Ａの一部を構成する。   Next, by the third shot of the linear electron beam 40a, a third group 43 of the linear electron beams 40a is obtained. Since the third group 42 also includes a small number of linear electron beams 40a, it constitutes a part of the second unit region 40A from the left end.

次に線状電子線４０ａの第４回目のショットにより、線状電子線４０ａの第４グループ４４が得られる。この第４グループ４４は多数本の線状電子線４０ａを含んでおり、左端から２つ目の単為領域４０Ａから３つ目の単位領域４０Ａまでまたいで延びている。   Next, by the fourth shot of the linear electron beam 40a, a fourth group 44 of the linear electron beams 40a is obtained. The fourth group 44 includes a large number of linear electron beams 40a and extends from the second unitary region 40A from the left end to the third unit region 40A.

次に線状電子線４０ａの第４回目のショットにより、線状電子線４０ａの第５グループ４５が得られる。この第５グループの線状電子線４０ａは中程度の本数の線状電子線４０ａを含み、左端から３つ目の単位領域４０Ａの残部を埋める。   Next, the fifth group 45 of the linear electron beams 40a is obtained by the fourth shot of the linear electron beams 40a. The fifth group of linear electron beams 40a includes a medium number of linear electron beams 40a, and fills the rest of the third unit region 40A from the left end.

なお、線状電子線４０ａをショット毎に照射する際、第１アパーチャ１３を通過する電子線４０を第１偏向器１４を用いて偏向させ偏向した電子線４０を第２アパーチャ１５に向けることによってショット毎の線状電子線４０ａの本数を調整することができる。この場合、各ショット毎に形成される線状電子線４０ａの形状および間隔は互いに等しくなっている。   When irradiating the linear electron beam 40 a for each shot, the electron beam 40 passing through the first aperture 13 is deflected by using the first deflector 14 and the deflected electron beam 40 is directed to the second aperture 15. The number of linear electron beams 40a for each shot can be adjusted. In this case, the shapes and intervals of the linear electron beams 40a formed for each shot are equal to each other.

以上のように本実施の形態によれば、ショット毎の線状電子線４０ａの数を変化させ、単位領域４０Ａを複数のショットの線状電子線４０ａにより形成したので、ショット毎の線状電子線４０ａの間隙をより目立たなくすることができる。また線状電子線４０の第４グループ４４は隣り合う２つの単位領域４０Ａをまたいで形成されるため、隣り合う２つの単位領域４０Ａの境界４０Ｂの幅が広がったり、これに伴って細線２間のスペース２Ｂが過度に拡がることはない。
なお、第４、第５の実施の形態においても、隣り合う単位領域４０Ａ間の境界４０Ｂにおける線状電子線４０ａ間の間隔は、単位領域４０Ａ内の線状電子線４０ａ間の間隔に対して幅広に限られず、幅が狭い、または同じ場合もある。また、各段の隣り合う単位領域４０Ａの境界４０Ｂの位置は、作製された偏光子１０の外観検査において、細線２間の間隔の変化（単位領域４０同士のつなぎ部）として検出され得る。 As described above, according to the present embodiment, the number of the linear electron beams 40a for each shot is changed, and the unit region 40A is formed by the linear electron beams 40a of a plurality of shots. The gap between the lines 40a can be made less noticeable. In addition, since the fourth group 44 of the linear electron beams 40 is formed across the two adjacent unit regions 40A, the width of the boundary 40B between the two adjacent unit regions 40A is widened, and the width between the thin lines 2 is accordingly increased. Is not excessively expanded.
Also in the fourth and fifth embodiments, the interval between the linear electron beams 40a at the boundary 40B between the adjacent unit regions 40A is larger than the interval between the linear electron beams 40a in the unit region 40A. It is not limited to a wide one, and may be narrow or the same. In addition, the position of the boundary 40B between the adjacent unit regions 40A in each step can be detected as a change in the interval between the fine lines 2 (the joint between the unit regions 40) in the appearance inspection of the manufactured polarizer 10.

１ 透明基板
１Ａ 積層体
２ 細線
２Ａ 単位細線領域
３ 偏光領域
４ 遮光膜
１０ 偏光子
１１ 電子線照射装置
１２ 電子銃
１３ 第１アパーチャ
１３ａ 矩形状の開口
１４ 第１偏向器
１５ 第２アパーチャ
１５ａ 線状開口
１６ 第２偏向器
４０ 電子線
４０ａ 線状電子線
４０ｂ 一辺
４０Ａ 電子線の単位領域
４０Ｂ 境界
４０Ｈ 水平方向線
４０Ｓ ショットの切れ目
４０Ｖ 垂直方向線 REFERENCE SIGNS LIST 1 transparent substrate 1A laminated body 2 thin line 2A unit thin line region 3 polarizing region 4 light shielding film 10 polarizer 11 electron beam irradiation device 12 electron gun 13 first aperture 13a rectangular opening 14 first deflector 15 second aperture 15a linear Aperture 16 Second deflector 40 Electron beam 40a Linear electron beam 40b One side 40A Electron beam unit area 40B Boundary 40H Horizontal line 40S Shot break 40V Vertical line

Claims (6)

透明基板と、透明基板上に互いに平行に設けられた複数の細線とを有する偏光子の製造方法において、
前記透明基板と細線用材料層とを有する積層体を準備する工程と、
前記積層体上にレジスト層を形成する工程と、
前記レジスト層上に電子線を照射して露光し、現像を施して、前記レジスト層にパターンを形成する工程と、
前記レジスト層を介して前記積層体をエッチング加工する工程と、を備え、
前記電子線を照射する工程は、
電子線を矩形状の開口をもつ第１アパーチャを通過させる工程と、
前記第１アパーチャを通過した電子線を複数の線状開口を有する第２アパーチャを通過させる工程と、
前記第２アパーチャを通過した線状電子線を前記レジスト層に対してショット毎に照射しながら前記レジスト層に照射された複数の線状電子線で形成された露光パターンを含む矩形状の単位領域を形成するとともに、前記線状電子線を偏向させて前記単位領域を多列および多段に形成する工程と、
を有し、
前記単位領域は単位領域の一辺に直交する方向に沿って多列に、かつ単位領域の一辺に平行する方向に沿って多段に形成され、
各段の隣り合う単位領域間の境界は、隣り合う段との間で互いに相違し、
前記第２アパーチャを通過した線状電子線のショット毎の数を変化させ、単位領域を複数のショットの線状電子線により形成したことを特徴とする偏光子の製造方法。 In a method for manufacturing a polarizer having a transparent substrate and a plurality of fine lines provided in parallel with each other on the transparent substrate,
A step of preparing a laminate having the transparent substrate and the fine-wire material layer,
Forming a resist layer on the laminate,
A step of irradiating the resist layer with an electron beam, exposing and developing, and forming a pattern on the resist layer,
Etching the laminate through the resist layer,
The step of irradiating the electron beam,
Passing the electron beam through a first aperture having a rectangular opening;
Passing the electron beam passing through the first aperture through a second aperture having a plurality of linear openings;
A rectangular unit area including an exposure pattern formed by a plurality of linear electron beams irradiated on the resist layer while irradiating the resist layer with the linear electron beam passing through the second aperture for each shot And forming the unit regions in multiple rows and multiple stages by deflecting the linear electron beam;
Has,
The unit area is formed in multiple rows along a direction orthogonal to one side of the unit area, and is formed in multiple stages along a direction parallel to one side of the unit area,
The boundaries between adjacent unit areas of each stage are different from each other between adjacent stages,
A method for manufacturing a polarizer, wherein the number of linear electron beams passing through the second aperture is changed for each shot, and a unit region is formed by a plurality of linear electron beams. 各段の隣り合う単位領域間の境界は、隣り合う段との間で規則性をもって互いに相違することを特徴とする請求項１記載の偏光子の製造方法。   2. The method for manufacturing a polarizer according to claim 1, wherein boundaries between adjacent unit regions of each step are different from each other with regularity between adjacent steps. 各段の隣り合う単位領域間の境界は、隣り合う段との間で不規則な状態で互いに相違することを特徴とする請求項１記載の偏光子の製造方法。   2. The method for manufacturing a polarizer according to claim 1, wherein boundaries between adjacent unit regions of each step are different from each other in an irregular state between the adjacent steps. 透明基板と、透明基板上に互いに平行に設けられた複数の細線とを有する偏光子の製造方法において、
前記透明基板と細線用材料層とを有する積層体を準備する工程と、
前記積層体上にレジスト層を形成する工程と、
前記レジスト層上に電子線を照射して露光し、現像を施して、前記レジスト層にパターンを形成する工程と、
前記レジスト層を介して前記積層体をエッチング加工する工程と、を備え、
前記電子線を照射する工程は、
電子線を矩形状の開口をもつ第１アパーチャを通過させる工程と、
前記第１アパーチャを通過した電子線を複数の線状開口を有する第２アパーチャを通過させる工程と、
前記第２アパーチャを通過した線状電子線を前記レジスト層に対してショット毎に照射しながら前記レジスト層に照射された複数の線状電子線で形成された露光パターンを含む矩形状の単位領域を形成するとともに、前記線状電子線を偏向させて前記単位領域を多列および多段に形成する工程と、
を有し、前記単位領域はこの単位領域の一辺に対して傾斜する方向に沿って多列および多段に形成されていることを特徴とする偏光子の製造方法。 In a method for manufacturing a polarizer having a transparent substrate and a plurality of fine lines provided in parallel with each other on the transparent substrate,
A step of preparing a laminate having the transparent substrate and the fine-wire material layer,
Forming a resist layer on the laminate,
A step of irradiating the resist layer with an electron beam, exposing and developing, and forming a pattern on the resist layer,
Etching the laminate through the resist layer,
The step of irradiating the electron beam,
Passing the electron beam through a first aperture having a rectangular opening;
Passing the electron beam passing through the first aperture through a second aperture having a plurality of linear openings;
A rectangular unit area including an exposure pattern formed by a plurality of linear electron beams irradiated on the resist layer while irradiating the resist layer with the linear electron beam passing through the second aperture for each shot And forming the unit regions in multiple rows and multiple stages by deflecting the linear electron beam;
And wherein the unit regions are formed in multiple rows and multiple stages along a direction inclined with respect to one side of the unit region. 前記レジスト層の単位領域に対応して、複数の細線を含む単位細線領域が形成され、細線に平行する方向に互いに隣接する単位細線領域間の細線同士が連続することを特徴とする請求項１または４記載の偏光子の製造方法。   2. A unit thin line region including a plurality of thin lines is formed corresponding to the unit region of the resist layer, and thin lines between unit thin line regions adjacent to each other in a direction parallel to the thin lines are continuous. Or the manufacturing method of the polarizer of 4. 透明基板と、透明基板上に互いに平行に設けられた複数の細線とを有する偏光子を製造する電子線照射装置において、
電子線を生成する電子銃と、
前記電子銃からの電子線を通過させる矩形状の開口をもつ第１アパーチャと、
前記第１アパーチャを通過した電子線を通過させる複数の線状開口を有する第２アパーチャと、
前記第２アパーチャを通過した線状電子線をレジスト層に対してショット毎に照射しながら前記レジスト層に照射された複数の線状電子線で形成された露光パターンを含む単位領域を形成するとともに、前記線状電子線を偏向させて前記単位領域を多列および多段に形成する偏向手段と、を備え、
前記単位領域は単位領域の一辺に直交する方向に沿って多列に、かつ単位領域の一辺に平行する方向に沿って多段に形成され、
各段の隣り合う単位領域間の境界は、隣り合う段との間で互いに相違し、
前記第２アパーチャを通過した線状電子線のショット毎の数を変化させ、単位領域を複数のショットの線状電子線により形成したことを特徴とする電子線照射装置。 In an electron beam irradiation apparatus for manufacturing a polarizer having a transparent substrate and a plurality of fine wires provided in parallel with each other on the transparent substrate,
An electron gun for generating an electron beam;
A first aperture having a rectangular opening through which an electron beam from the electron gun passes;
A second aperture having a plurality of linear openings through which the electron beam passing through the first aperture passes;
Forming a unit region including the second exposure pattern formed linear electron beam passing through the aperture at a plurality of linear electron beam irradiated to the resist layer while irradiating every shot against Les resist layer And deflecting means for deflecting the linear electron beam to form the unit regions in multiple rows and multiple stages,
The unit area is formed in multiple rows along a direction orthogonal to one side of the unit area, and is formed in multiple stages along a direction parallel to one side of the unit area,
The boundaries between adjacent unit areas of each stage are different from each other between adjacent stages,
An electron beam irradiation apparatus, wherein the number of linear electron beams passing through the second aperture is changed for each shot, and a unit region is formed by the linear electron beams of a plurality of shots.

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