JP6626418B2 - 半導体装置 - Google Patents
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Description
なお、図面は模式的または概念的なものであり、各部分の厚みと幅との関係、部分間の大きさの比率などは、必ずしも現実のものと同一とは限らない。また、同じ部分を表す場合であっても、図面により互いの寸法や比率が異なって表される場合もある。
また、本願明細書と各図において、既に説明したものと同様の要素には同一の符号を付して詳細な説明は適宜省略する。
図2は、実施形態に係る半導体装置1の回路ブロック図である。
電界効果トランジスタ10は、例えば、ディプレッション型のMISFET(Metal Insulator Semiconductor Field Effect Transistor)である。
チャネル層106は、バッファ層104の上に設けられている。
絶縁層120は、ゲート電極114を覆っている。ソース電極110の一部は、例えば、絶縁層120上に設けられ、ドレイン電極112に向かって延びている。
すなわち、ソース電極110とドレイン電極112とを結ぶ方向をX方向とすると、電極116のX方向における位置は、ゲート電極114のX方向における位置と、ドレイン電極112のX方向における位置と、の間にある。
より具体的には、電極116は、ゲート電極114と電極116との間のX方向における距離D1が、ドレイン電極112と電極116との間の距離D2よりも短くなるように、ゲート電極114に近接して設けられている。
基板102は、シリコン、炭化珪素、またはサファイアから構成されている。
バッファ層104は、例えば、複数の窒化アルミニウムガリウム層が積層された構造を有する。
チャネル層106は、例えば、アンドープの窒化ガリウムを含む。
バリア層108は、例えば、アンドープの窒化アルミニウムガリウムを含む。
ソース電極110、ドレイン電極112、およびゲート電極114は、アルミニウム、ニッケル、銅、またはチタンなどの金属を含む。
ゲート絶縁層118は、窒化シリコンなどの絶縁材料を含む。
絶縁層120は、酸化シリコンなどの絶縁材料を含む。
図2に表すように、実施形態に係る半導体装置1は、上述した電界効果トランジスタ10と、電荷蓄積素子としてのコンデンサ20と、を有する。
このため、本実施形態によれば、電界効果トランジスタ10に生じる電流コラプスを抑制し、電界効果トランジスタ10のオン抵抗の増加を抑制することが可能である。
図3は、実施形態の第1変形例に係る半導体装置2の回路ブロック図である。
半導体装置2は、コンデンサ20とは別の電荷蓄積素子としてのコンデンサ30をさらに備える点で、半導体装置1と異なる。
図4は、実施形態の第2変形例に係る半導体装置3の回路ブロック図である。
半導体装置3は、コンデンサ20に代えて、バリアブルコンデンサ21が設けられている点で、半導体装置2と異なる。
Claims (4)
- 半導体層に接続されたソース電極およびドレイン電極と、
前記半導体層の表面上に設けられ前記ソース電極と前記ドレイン電極との間に位置するゲート電極と、
前記ゲート電極と前記ドレイン電極との間の前記半導体層の表面上に絶縁層を介して設けられ、前記ドレイン電極と電気的に分離された第1電極と、
を有する電界効果トランジスタと、
前記第1電極と基準電位との間に接続された第1電荷蓄積素子と、
を備えた半導体装置であって、
前記第1電荷蓄積素子の前記第1電極側には、前記ドレイン電極への電圧印加前にあらかじめ正電荷が蓄積される半導体装置。 - 前記第1電荷蓄積素子の前記第1電極側に正電荷が蓄積されることで、前記第1電極の下方の前記半導体層におけるトラップに電子が捕獲される請求項1記載の半導体装置。
- 前記ゲート電極は、前記半導体層の上にゲート絶縁層を介して設けられ、
前記ゲート絶縁層は、窒化シリコンを含み、
前記半導体層は、窒化アルミニウムガリウムを含む請求項1または2に記載の半導体装置。 - 前記第1電荷蓄積素子は、コンデンサである請求項1〜3のいずれか1つに記載の半導体装置。
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