JP6617977B2 - Electromagnetic wave conversion plate - Google Patents

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Description

本発明は、電磁波変換プレートに関する。   The present invention relates to an electromagnetic wave conversion plate.

従来、メタマテリアルを用いた電磁波変換の構造として、サブ波長構造を持つメタマテリアル・ホイヘンス表面をプレート表面とすることで任意の方向への指向性を形成するプレート構造が提案されている。メタマテリアル・ホイヘンス表面は、波長に比べて小さい金属のパッチやスロットなどの構造体を単位セルとして、単位セルを周期的に配列する構造を持つ。メタマテリアル・ホイヘンス表面に入射した電磁波は、この構造との相互作用によって、任意の方向への指向性を形成するなどの電磁波変換をすることができる。電磁波変換プレートは、メタマテリアル・ホイヘンス表面を用いて入射電磁波を変換するプレート型の構造のことである。   Conventionally, as a structure for electromagnetic wave conversion using a metamaterial, a plate structure that forms directivity in an arbitrary direction by using a metamaterial Huygens surface having a sub-wavelength structure as a plate surface has been proposed. The surface of the metamaterial Huygens has a structure in which unit cells are periodically arranged with a structure such as a metal patch or slot smaller than the wavelength as a unit cell. The electromagnetic wave incident on the surface of the metamaterial Huygens can be converted into an electromagnetic wave such as forming directivity in an arbitrary direction by interaction with this structure. The electromagnetic wave conversion plate is a plate-type structure that converts incident electromagnetic waves using the metamaterial Huygens surface.

これまでに、上記の電磁波変換プレートとして、電界と相互作用する構造体と磁界と相互作用する構造体とが、プレート状の基盤のおもて面と裏面にそれぞれ平行に周期的に配置された構造(以下「単位電磁波プレート」という。)と、その単位セル構造が提案されている。   Up to now, as the electromagnetic wave conversion plate, a structure that interacts with an electric field and a structure that interacts with a magnetic field have been periodically arranged in parallel on the front surface and the back surface of the plate-like substrate, respectively. A structure (hereinafter referred to as “unit electromagnetic wave plate”) and its unit cell structure have been proposed.

図16は非特許文献1に述べられている、メタマテリアル・ホイヘンス表面の単位セルを示す模式図である。図16において、91は誘電体基板、92はストリップ導体素子、93はリング状導体素子であり、ストリップ導体素子92とリング状導体素子線93は其々誘電体基板の上面と下面に配置されている。このとき、ストリップ導体素子92の長手方向に電気ダイポールモーメントPeが形成され、リング状導体素子93に鎖交する方向(Z方向)に磁気ダイポールモーメントPmが形成される。両モーメントは互いに直交しており、入射する電界と磁界の振動方向を其々のダイポールモーメントの方向と一致させた時、入射電磁波は、効率良く変換される。   FIG. 16 is a schematic diagram showing a unit cell on the surface of the metamaterial Huygens described in Non-Patent Document 1. In FIG. 16, 91 is a dielectric substrate, 92 is a strip conductor element, and 93 is a ring-shaped conductor element. The strip conductor element 92 and the ring-shaped conductor element line 93 are arranged on the upper surface and the lower surface of the dielectric substrate, respectively. Yes. At this time, an electric dipole moment Pe is formed in the longitudinal direction of the strip conductor element 92, and a magnetic dipole moment Pm is formed in a direction (Z direction) interlinking with the ring-shaped conductor element 93. Both moments are orthogonal to each other, and incident electromagnetic waves are efficiently converted when the directions of vibration of the incident electric field and magnetic field coincide with the directions of the respective dipole moments.

図17は、図16に示したメタマテリアルの単位セルを周期的に配列した単位周期構造を示すものであり、単位セルの寸法を配列方向(y方向)に対して変化させることにより、入射電磁波を所望の方向に透過させることができる。   FIG. 17 shows a unit periodic structure in which unit cells of the metamaterial shown in FIG. 16 are periodically arranged. By changing the dimensions of the unit cells with respect to the arrangement direction (y direction), incident electromagnetic waves are obtained. Can be transmitted in a desired direction.

図18は図17に示したメタマテリアルの単位周期構造を、Z方向に積層することによって、すなわち、複数の誘電体基板をZ方向に重ね合わせて配置することによりメタマテリアル・ホイヘンス表面を実現したものである。   FIG. 18 shows the metamaterial Huygens surface by stacking the unit periodic structure of the metamaterial shown in FIG. 17 in the Z direction, that is, by arranging a plurality of dielectric substrates so as to overlap in the Z direction. Is.

図19は、図18のメタマテリアル・ホイヘンス表面へ入射波する電磁波の伝搬の様子を表す。94は入射電磁波を表し、95はメタマテリアル・ホイヘンス表面を透過後の透過電磁波である。図19に示すように、メタマテリアル・ホイヘンス表面により、メタマテリアル・ホイヘンス表面への入射電磁波は、透過後に所望の角度へ伝搬する。   FIG. 19 shows a state of propagation of an electromagnetic wave incident on the surface of the metamaterial Huygens in FIG. 94 represents an incident electromagnetic wave, and 95 represents a transmitted electromagnetic wave after passing through the surface of the metamaterial / Huigens. As shown in FIG. 19, the incident electromagnetic wave on the surface of the metamaterial / Huigens propagates to a desired angle after transmission by the surface of the metamaterial / Huigens.

小路将希、松本隆、真田篤志、宗秀哉、安藤篤也、杉山隆利、“ニアフィールドプレートによる2次元サブ波長フォーカシングについて”2015年電子情報通信学会総合大会、C−2−45、2015年3月Masayuki Koji, Takashi Matsumoto, Atsushi Sanada, Hideya Mune, Atsaya Ando, Takatoshi Sugiyama, “About Two-Dimensional Subwavelength Focusing with Near Field Plates” 2015 IEICE General Conference, C-2-45, March 2015 Carl Pfeiffer and Anthony Grbic, “Metamaterial Huygens’Surfaces: Tailoring Wave Fronts with Reflectionless Sheets”Physical Review Letters 110 197401 (2013)Carl Pfeiffer and Anthony Grbic, “Metamaterial Huygens’Surfaces: Tailoring Wave Fronts with Reflectionless Sheets” Physical Review Letters 110 197401 (2013)

しかしながら、電磁波の電界成分と磁界成分とは直交していることから、上記の技術で電磁波変換を行うには、単位電磁波変換プレートをプレート平面に垂直な方向に積層する必要があり部品の増加や多層構成となる等、複雑化する問題があった。   However, since the electric field component and the magnetic field component of the electromagnetic wave are orthogonal to each other, in order to perform electromagnetic wave conversion by the above technique, the unit electromagnetic wave conversion plate needs to be laminated in a direction perpendicular to the plate plane, and the number of components is increased. There has been a problem of complication such as a multi-layer structure.

上記事情に鑑み、本発明は、電磁波変換プレートを単層で構成する技術を提供することを目的としている。   In view of the above circumstances, an object of the present invention is to provide a technique for configuring an electromagnetic wave conversion plate with a single layer.

本発明の一態様は、入射電磁波の波長を一辺の長さとする正方形に内包される形状を有する導体物質で形成された同じ大きさの導体構造を非導電性物質の基板のおもて面と裏面にのみ有する単位セルが、前記導体構造が有する形状に関する構造パラメータの値が単位セルごとに変化されて1次元的に複数個配置されている単位周期構造を、2次元的に複数個配置した電磁波変換プレートであって、前記電磁波変換プレートに入射された電磁波の透過電磁波の屈折角が電磁波変換プレートの平均屈折率に基づいて算出される屈折角とは異なるように、前記透過電磁波が制御されて放射される電磁波変換プレートである。   In one embodiment of the present invention, a conductor structure of the same size formed of a conductor material having a shape enclosed in a square having a length of one side of the wavelength of an incident electromagnetic wave is formed on a front surface of a substrate of a non-conductive substance. A plurality of unit periodic structures are arranged two-dimensionally in which unit cells having only the back surface are arranged one-dimensionally by changing the value of the structure parameter relating to the shape of the conductor structure for each unit cell. An electromagnetic wave conversion plate, wherein the transmitted electromagnetic wave is controlled such that a refraction angle of a transmission electromagnetic wave incident on the electromagnetic wave conversion plate is different from a refraction angle calculated based on an average refractive index of the electromagnetic wave conversion plate. The electromagnetic wave conversion plate emitted.

本発明の一態様は、上記の電磁波変換プレートであって、複数の前記単位セルが、基板側面同士が接して存在し、前記単位セルは、電磁波が入射する面のうち最も広い平面を裏面とする非導電性物質の基板と、前記基板の裏面に導体物質で形成された第一のパッチ状導体素子と、前記基板の裏面に導体物質で形成された第二のパッチ状導体素子と、前記基板の裏面に導体物質で形成され、前記第一のパッチ状導体素子と、前記第二のパッチ状導体素子との幅以下の長さの線幅を有する直線形状の第一の直線状導体素子と、前記基板のおもて面に導体物質で形成された第三のパッチ状導体素子と、前記基板のおもて面に導体物質で形成された第四のパッチ状導体素子と、前記基板のおもて面に導体物質で形成され、前記第三のパッチ状導体素子と、前記第四のパッチ状導体素子との幅以下の長さの線幅を有する直線形状の第二の直線状導体素子と、を有し、前記第一のパッチ状導体素子と、前記第二のパッチ状導体素子と、前記第三のパッチ状導体素子と、前記第四のパッチ状導体素子と、前記第一の直線状導体素子と、前記第二の直線状導体素子とが、前記単位セルの前記基板の表面の内側に内包されていて、前記第一のパッチ状導体素子と前記第二のパッチ状導体素子とが、第一の直線状導体素子によって接続されていて、前記第三のパッチ状導体素子と前記第四のパッチ状導体素子とが、第二の直線状導体素子によって接続されている。   One aspect of the present invention is the above-described electromagnetic wave conversion plate, wherein the plurality of unit cells are present in contact with the substrate side surfaces, and the unit cell has a back surface that is the widest plane among the surfaces on which electromagnetic waves are incident. A non-conductive material substrate, a first patch-like conductor element formed of a conductor material on the back surface of the substrate, a second patch-like conductor element formed of a conductor material on the back surface of the substrate, A linear first linear conductor element that is formed of a conductive material on the back surface of the substrate and has a line width that is less than or equal to the width of the first patch-like conductor element and the second patch-like conductor element. A third patch-like conductor element formed of a conductor material on the front surface of the substrate, a fourth patch-like conductor element formed of a conductor material on the front surface of the substrate, and the substrate A third patch-like conductor element formed of a conductor material on a front surface; A linear second linear conductor element having a line width less than the width of the fourth patch-like conductor element, and the first patch-like conductor element and the second patch-like conductor element The patch-like conductor element, the third patch-like conductor element, the fourth patch-like conductor element, the first linear conductor element, and the second linear conductor element are the unit. The first patch-like conductor element and the second patch-like conductor element are connected to each other by a first linear conductor element; The patch-like conductor element and the fourth patch-like conductor element are connected by a second linear conductor element.

本発明の一態様は、上記の電磁波変換プレートであって、複数の前記単位セルが、基板側面同士が接して存在し、前記単位セルは、電磁波が入射する面のうち最も広い平面を裏面とする非導電性物質の基板と、前記基板の裏面に導体物質で形成された第一のパッチ状導体素子と、前記基板の裏面に導体物質で形成された第二のパッチ状導体素子と、前記基板の裏面に導体物質で形成され、前記第一のパッチ状導体素子と、前記第二のパッチ状導体素子との幅以下の長さの線幅を有する直線形状の第一の直線状導体素子と、前記基板のおもて面に導体物質で形成された第三のパッチ状導体素子と、前記基板のおもて面に導体物質で形成された第四のパッチ状導体素子と、前記基板のおもて面に導体物質で形成され、前記第三のパッチ状導体素子と前記第四のパッチ状導体素子との幅以下の長さの線幅を有する直線形状の第二の直線状導体素子と、を有し、前記第一の直線状導体素子と、前記第二の直線状導体素子とが、前記単位セルの前記基板の表面の内側に内包されていて、前記第一のパッチ状導体素子と、前記第二のパッチ状導体素子と、前記第三のパッチ状導体素子と、前記第四のパッチ状導体素子の一部が前記単位セルの前記基板の端に接していて、前記第一のパッチ状導体素子と前記第二のパッチ状導体素子とが、第一の直線状導体素子によって接続されていて、前記第三のパッチ状導体素子と前記第四のパッチ状導体素子とが、第二の直線状導体素子によって接続されている。   One aspect of the present invention is the above-described electromagnetic wave conversion plate, wherein the plurality of unit cells are present in contact with the substrate side surfaces, and the unit cell has a back surface that is the widest plane among the surfaces on which electromagnetic waves are incident. A non-conductive material substrate, a first patch-like conductor element formed of a conductor material on the back surface of the substrate, a second patch-like conductor element formed of a conductor material on the back surface of the substrate, A linear first linear conductor element that is formed of a conductive material on the back surface of the substrate and has a line width that is less than or equal to the width of the first patch-like conductor element and the second patch-like conductor element. A third patch-like conductor element formed of a conductor material on the front surface of the substrate, a fourth patch-like conductor element formed of a conductor material on the front surface of the substrate, and the substrate A third patch-like conductor element formed of a conductor material on a front surface; A linear second linear conductor element having a line width less than or equal to the width of the fourth patch-like conductor element, and the first linear conductor element and the second linear conductor element A linear conductor element is included inside the surface of the substrate of the unit cell, and the first patch-like conductor element, the second patch-like conductor element, and the third patch-like conductor. An element and a part of the fourth patch-like conductor element are in contact with an end of the substrate of the unit cell, and the first patch-like conductor element and the second patch-like conductor element are the first The third patch-like conductor element and the fourth patch-like conductor element are connected by a second linear conductor element.

本発明の一態様は、上記の電磁波変換プレートであって、電気的又は機械的に前記単位セルの構造の一部を変化させる機構を備え、前記機構によってビームの特性を変更する。   One embodiment of the present invention is the above-described electromagnetic wave conversion plate, which includes a mechanism that electrically or mechanically changes a part of the structure of the unit cell, and changes the beam characteristics by the mechanism.

本発明の一態様は、上記の電磁波変換プレートであって、前記ビームの特性として屈折角を含む。   One embodiment of the present invention is the above-described electromagnetic wave conversion plate, which includes a refraction angle as a characteristic of the beam.

本発明により、電磁波変換プレートを単層で構成する技術を提供することが可能となる。   According to the present invention, it is possible to provide a technique for configuring an electromagnetic wave conversion plate with a single layer.

本願発明の第1の実施形態による電磁波変換プレート構造1の構成例1を示す図。The figure which shows the structural example 1 of the electromagnetic wave conversion plate structure 1 by 1st Embodiment of this invention. 単位周期構造11の構成の第一例を示す図。The figure which shows the 1st example of a structure of the unit periodic structure 11. FIG. 単位セル構造100の構成例を示した単位セル構造100の鳥瞰図。FIG. 3 is a bird's-eye view of the unit cell structure 100 showing a configuration example of the unit cell structure 100. 単位セル構造100に生じる電気ダイポールモーメント及び磁気ダイポールモーメントを示した単位セル構造100の鳥瞰図。3 is a bird's-eye view of the unit cell structure 100 showing the electric dipole moment and the magnetic dipole moment generated in the unit cell structure 100. FIG. 電磁波変換プレート構造1が、電磁波変換プレート構造1に垂直に入射する入射電磁波2の透過方向を変化させ、出射電磁波3として放射する電磁波変換の例を示す図。The figure which shows the example of electromagnetic wave conversion which the electromagnetic wave conversion plate structure 1 changes the permeation | transmission direction of the incident electromagnetic wave 2 which enters into the electromagnetic wave conversion plate structure 1 perpendicularly, and radiates | emits as the emitted electromagnetic wave 3. FIG. 単位周期構造11の構成の第二例を示す図。The figure which shows the 2nd example of a structure of the unit periodic structure 11. FIG. 本願発明の電磁波変換プレート構造1の構成例2を示す図。The figure which shows the structural example 2 of the electromagnetic wave conversion plate structure 1 of this invention. 本願発明の第2の実施形態による電磁波変換プレート構造1の電磁波変換を示す図。The figure which shows electromagnetic wave conversion of the electromagnetic wave conversion plate structure 1 by 2nd Embodiment of this invention. 本願発明の第3の実施形態による単位セル構造100に与えられた構造パラメータを示した単位セル構造100の鳥瞰図。The bird's-eye view of the unit cell structure 100 which showed the structural parameter given to the unit cell structure 100 by 3rd Embodiment of this invention. 本願発明の第3の実施形態による単位セル構造100の一つ目の等価回路。The 1st equivalent circuit of the unit cell structure 100 by the 3rd Embodiment of this invention. 本願発明の第3の実施形態による単位セル構造100の二つ目の等価回路。The 2nd equivalent circuit of the unit cell structure 100 by the 3rd Embodiment of this invention. 本願発明の第3の実施形態による単位セル構造100の等価回路のLsh及びCseのl依存性。FIG. 7 shows the dependence of Lsh and Cse on the equivalent circuit of the unit cell structure 100 according to the third embodiment of the present invention. 本願発明の第3の実施形態による単位セル構造100の等価回路のLsh及びCseのwx依存性。The wsh dependence of Lsh and Cse of the equivalent circuit of the unit cell structure 100 according to the third embodiment of the present invention. 本願発明の第3の実施形態による単位セル構造100の等価回路のLsh及びCseのwy依存性。The wy dependency of Lsh and Cse of the equivalent circuit of the unit cell structure 100 according to the third embodiment of the present invention. 本願発明の第3の実施形態による単位セル構造100の等価回路のCsh及びLseのy依存性。The y dependency of Csh and Lse of the equivalent circuit of the unit cell structure 100 according to the third embodiment of the present invention. 従来提案されているメタマテリアル・ホイヘンス表面の単位セルの模式図。The schematic diagram of the unit cell of the metamaterial Huygens surface proposed conventionally. 図16に示したメタマテリアルの単位セルを周期的に配列した従来提案されている単位周期構造。A conventionally proposed unit periodic structure in which unit cells of the metamaterial shown in FIG. 16 are periodically arranged. 図17に示したメタマテリアルの単位周期構造を、Z方向に積層した従来提案されているメタマテリアル・ホイヘンス表面。A conventionally proposed metamaterial-Huigens surface in which the unit material periodic structure of the metamaterial shown in FIG. 17 is laminated in the Z direction. 図18に示したメタマテリアル・ホイヘンス表面による入射電磁波の伝搬の様子。The state of propagation of incident electromagnetic waves by the metamaterial Huygens surface shown in FIG.

(第1の実施形態)
以下、図面を参照して、本発明の実施の形態について説明する。図1は、本発明の第1の実施形態における電磁波変換プレート構造1の構成例を示す図である。なお、電磁波変換プレート構造1は、電磁波変換プレートの一例である。
図1においては、第1の実施形態による電磁波変換プレート構造1のおもて面を示す平面視の図であり、電磁波変換プレート構造1の表面パターンの構成例が示されている。図1において、点線で囲まれた部分を単位周期構造11としてx軸方向及びy軸方向に周期的に並べることで本実施形態の電磁波変換プレート構造1が構成される。単位周期構造11は、図1において太線で囲まれた部分が表す単位セル構造100を配置することで構成される。それぞれの単位セル構造100内に形成された構造は、構造パラメータがそれぞれ異なっているものの同じ構成を有している。なお、単位セル構造100は、単位セルの一例である。
(First embodiment)
Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings. FIG. 1 is a diagram illustrating a configuration example of an electromagnetic wave conversion plate structure 1 according to the first embodiment of the present invention. The electromagnetic wave conversion plate structure 1 is an example of an electromagnetic wave conversion plate.
In FIG. 1, it is a figure of the planar view which shows the front surface of the electromagnetic wave conversion plate structure 1 by 1st Embodiment, and the structural example of the surface pattern of the electromagnetic wave conversion plate structure 1 is shown. In FIG. 1, the electromagnetic wave conversion plate structure 1 of the present embodiment is configured by periodically arranging portions surrounded by a dotted line as a unit periodic structure 11 in the x-axis direction and the y-axis direction. The unit periodic structure 11 is configured by arranging a unit cell structure 100 represented by a portion surrounded by a thick line in FIG. The structures formed in each unit cell structure 100 have the same configuration although the structure parameters are different. The unit cell structure 100 is an example of a unit cell.

図2は、単位周期構造11の具体例を表す。図中太線で囲まれた部分が単位セル構造100を表す。図2で表される単位周期構造11は、単位セル構造100を12個、1次元的に配列している。図2に示すx軸及びy軸はそれぞれ図1のx軸及びy軸と一致する。   FIG. 2 shows a specific example of the unit periodic structure 11. The unit surrounded by a thick line in the figure represents the unit cell structure 100. The unit periodic structure 11 shown in FIG. 2 has twelve unit cell structures 100 arranged one-dimensionally. The x axis and y axis shown in FIG. 2 coincide with the x axis and y axis of FIG. 1, respectively.

図3は、単位セル構造100の鳥瞰図である。図3に示すxyz座標において、x軸及びy軸はそれぞれ図1のx軸及びy軸と一致する。   FIG. 3 is a bird's eye view of the unit cell structure 100. In the xyz coordinates shown in FIG. 3, the x axis and the y axis coincide with the x axis and the y axis in FIG. 1, respectively.

単位セル構造100は、セル基板111と、第1のダンベル状導体構造120と、第2のダンベル状導体構造130とを備える。   The unit cell structure 100 includes a cell substrate 111, a first dumbbell-shaped conductor structure 120, and a second dumbbell-shaped conductor structure 130.

セル基板111は誘電体で構成される。   The cell substrate 111 is made of a dielectric material.

第1のダンベル状導体構造120はセル基板111のおもて面に導体物質で形成される導体構造で、入射電磁波の波長を一辺の長さとする正方形に内包される形状を有する、第1のパッチ状導体素子1201と、第2のパッチ状導体素子1202と、第1の直線状導体素子1203とを備える。第1のダンベル状導体構造120は、第1のパッチ状導体素子1201と、第2のパッチ状導体素子1202とが、第1の直線状導体素子1203によって接続された構造を有する。第1の直線状導体素子1203の線幅は、第1のパッチ状導体素子1201の幅(図3のx軸方向の長さ)より狭い。第1の直線状導体素子1203の線幅は、第2のパッチ状導体素子1202の幅(図3のx軸方向の長さ)よりも狭い。第1のパッチ状導体素子1201と、第2のパッチ状導体素子1202とは、同じ形と大きさとである。図3では、第1のダンベル状導体構造120の端がセル基板111の端に接続した状態を表しているが、第1のダンベル状導体構造120の端は、セル基板111の端に非接続でもよい。   The first dumbbell-shaped conductor structure 120 is a conductor structure formed of a conductive material on the front surface of the cell substrate 111, and has a shape enclosed in a square having the length of one side of the incident electromagnetic wave. A patch-shaped conductor element 1201, a second patch-shaped conductor element 1202, and a first linear conductor element 1203 are provided. The first dumbbell-shaped conductor structure 120 has a structure in which a first patch-shaped conductor element 1201 and a second patch-shaped conductor element 1202 are connected by a first linear conductor element 1203. The line width of the first linear conductor element 1203 is narrower than the width of the first patch conductor element 1201 (the length in the x-axis direction in FIG. 3). The line width of the first linear conductor element 1203 is narrower than the width of the second patch conductor element 1202 (the length in the x-axis direction in FIG. 3). The first patch-like conductor element 1201 and the second patch-like conductor element 1202 have the same shape and size. FIG. 3 shows a state in which the end of the first dumbbell-shaped conductor structure 120 is connected to the end of the cell substrate 111, but the end of the first dumbbell-shaped conductor structure 120 is not connected to the end of the cell substrate 111. But you can.

第2のダンベル状導体構造130は、セル基板111の裏面に導体物質で形成される導体構造で、入射電磁波の波長を一辺の長さとする正方形に内包される形状を有する、第3のパッチ状導体素子1301と、第4のパッチ状導体素子1302と、第2の直線状導体素子1303とを備える。第2のダンベル状導体構造130は、第3のパッチ状導体素子1301と、第4のパッチ状導体素子1302とが、第2の直線状導体素子1303によって接続された構造を有する。第2の直線状導体素子1303の線幅は、第3のパッチ状導体素子1301の幅(図3のx軸方向の長さ)より狭い。第2の直線状導体素子1303の線幅は、第4のパッチ状導体素子1302の幅(図3のx軸方向の長さ)よりも狭い。第3のパッチ状導体素子1301と、第4のパッチ状導体素子1302とは同じ形と大きさとである。図3では、第2のダンベル状導体構造130の端がセル基板111の端に接続した状態を表しているが、第2のダンベル状導体構造130の端は、セル基板111の端に非接続でもよい。   The second dumbbell-shaped conductor structure 130 is a conductor structure formed of a conductor material on the back surface of the cell substrate 111, and has a shape that is enclosed in a square having the length of one side of the incident electromagnetic wave as a third patch shape. A conductor element 1301, a fourth patch-like conductor element 1302, and a second linear conductor element 1303 are provided. The second dumbbell-shaped conductor structure 130 has a structure in which a third patch-shaped conductor element 1301 and a fourth patch-shaped conductor element 1302 are connected by a second linear conductor element 1303. The line width of the second linear conductor element 1303 is narrower than the width of the third patch conductor element 1301 (the length in the x-axis direction in FIG. 3). The line width of the second linear conductor element 1303 is narrower than the width of the fourth patch conductor element 1302 (the length in the x-axis direction in FIG. 3). The third patch-like conductor element 1301 and the fourth patch-like conductor element 1302 have the same shape and size. In FIG. 3, the end of the second dumbbell-shaped conductor structure 130 is connected to the end of the cell substrate 111, but the end of the second dumbbell-shaped conductor structure 130 is not connected to the end of the cell substrate 111. But you can.

第1のダンベル状導体構造120と第2のダンベル状導体構造130とは、第1のパッチ状導体素子1201の中心点と第2のパッチ状導体素子1202の中心点とを結ぶ線と、第3のパッチ状導体素子1301の中心点と第4のパッチ状導体素子1302の中心点とを結ぶ線とがねじれの位置になく平行である、ように配置される。
第2のダンベル状導体構造130は、第1のダンベル状導体構造120と同じ形と大きさとである。
The first dumbbell-shaped conductor structure 120 and the second dumbbell-shaped conductor structure 130 include a line connecting the center point of the first patch-shaped conductor element 1201 and the center point of the second patch-shaped conductor element 1202, The line connecting the center point of the third patch-like conductor element 1301 and the center point of the fourth patch-like conductor element 1302 is not parallel to the twisted position and is arranged in parallel.
The second dumbbell-shaped conductor structure 130 has the same shape and size as the first dumbbell-shaped conductor structure 120.

図4は、図3に示される単位セル構造100において、第1のダンベル状導体構造120と、第2のダンベル状導体構造130とから形成される磁気ダイポールモーメントPmと、電気ダイポールモーメントpe1及びpe2を示している。   FIG. 4 shows a magnetic dipole moment Pm and electric dipole moments pe1 and pe2 formed from the first dumbbell-shaped conductor structure 120 and the second dumbbell-shaped conductor structure 130 in the unit cell structure 100 shown in FIG. Is shown.

電気ダイポールモーメンpe1は、第1のダンベル状導体構造120に形成される。   The electric dipole moment pe1 is formed in the first dumbbell-shaped conductor structure 120.

電気ダイポールモーメンpe2は、第2のダンベル状導体構造130に形成される。   The electric dipole moment pe2 is formed in the second dumbbell-shaped conductor structure 130.

磁気ダイポールモーメントpmは、第1のダンベル状導体構造120と、第2のダンベル状導体構造130とによって図中zy平面に生じる環状電流によって生じる。第1のダンベル状導体構造120と、第2のダンベル状導体構造130とによって図中zy平面に生じる環状電流によって生じる。第1のダンベル状導体構造120と、第2のダンベル状導体構造130とは、第1のダンベル状導体構造120と第2のダンベル状導体構造130を接続する導体構造を有しない。しかしながら、第1のダンベル状導体構造120と、第2のダンベル状導体構造130とは、高周波理論によって説明されるリアクタンスやキャパシタンスを互いの構造間のセル基板111に有する。そのため、図4に示される、第1のダンベル状導体構造120と 第2のダンベル状導体構造130及び両ダンベル状導体構造に挟まれる空間によって等価的に閉回路を形成し、環状電流を生じる。したがって、磁気ダイポールモーメントは、前述の電気ダイポールモーメントに直交するように生じる。   The magnetic dipole moment pm is generated by an annular current generated in the zy plane in the drawing by the first dumbbell-shaped conductor structure 120 and the second dumbbell-shaped conductor structure 130. The first dumbbell-shaped conductor structure 120 and the second dumbbell-shaped conductor structure 130 are caused by an annular current generated in the zy plane in the drawing. The first dumbbell-shaped conductor structure 120 and the second dumbbell-shaped conductor structure 130 do not have a conductor structure that connects the first dumbbell-shaped conductor structure 120 and the second dumbbell-shaped conductor structure 130. However, the first dumbbell-shaped conductor structure 120 and the second dumbbell-shaped conductor structure 130 have the reactance and capacitance explained by the high frequency theory in the cell substrate 111 between the structures. Therefore, a closed circuit is equivalently formed by the space between the first dumbbell-shaped conductor structure 120, the second dumbbell-shaped conductor structure 130, and both dumbbell-shaped conductor structures shown in FIG. 4, and an annular current is generated. Therefore, the magnetic dipole moment is generated so as to be orthogonal to the aforementioned electric dipole moment.

前述の単位周期構造11は、第1のダンベル状導体構造120及び第2のダンベル状導体構造130の構造パラメータを変えた複数の単位セル構造100を、セルの側面同士が互いに接するように1次元的に配置したものである。   The unit periodic structure 11 described above includes a plurality of unit cell structures 100 in which the structural parameters of the first dumbbell-shaped conductor structure 120 and the second dumbbell-shaped conductor structure 130 are changed so that the side surfaces of the cells are in contact with each other. Are arranged.

前述の単位周期構造11は、第1のダンベル状導体構造120及び第2のダンベル状導体構造130の構造パラメータを変えた複数の単位セル構造100を、セル基板111の側面同士が互いに接するように1次元的に配置したものである。構造パラメータの異なる複数の単位セル構造100が並列されることで、大きさの異なる電気ダイポールモーメント及び磁気ダイポールモーメントが生じる。そのため、所望の方向に入射電磁波は透過させられる。   The unit periodic structure 11 described above includes a plurality of unit cell structures 100 in which the structural parameters of the first dumbbell-shaped conductor structure 120 and the second dumbbell-shaped conductor structure 130 are changed such that the side surfaces of the cell substrate 111 are in contact with each other. One-dimensionally arranged. A plurality of unit cell structures 100 having different structural parameters are arranged in parallel to generate electric dipole moments and magnetic dipole moments having different sizes. Therefore, incident electromagnetic waves are transmitted in a desired direction.

電磁波変換プレート構造1は、前述の単位周期構造11を平面内で2次元的に配置したものであり、単位周期構造11よりも大きな電気ダイポールモーメント及び磁気ダイポールモーメントを有する。
図5は、前述の電磁波変換プレート構造1が、電磁波変換プレート構造1に垂直に入射する入射電磁波2の透過方向を変化させ、出射電磁波3として放射する電磁波変換を例を示す図である。x軸及びz軸は、それぞれ図3のx軸及びz軸と同じ方向である。図5のkは入射電磁波の波数ベクトルを表す。波数ベクトルkは、z軸方向に平行である。図5のEyは、入射電磁波の電界成分を表し、図5のHxは入射電磁波の磁界成分を表す。
The electromagnetic wave conversion plate structure 1 is obtained by two-dimensionally arranging the unit periodic structures 11 in a plane, and has an electric dipole moment and a magnetic dipole moment larger than those of the unit periodic structure 11.
FIG. 5 is a diagram showing an example of the electromagnetic wave conversion in which the electromagnetic wave conversion plate structure 1 described above changes the transmission direction of the incident electromagnetic wave 2 incident perpendicularly to the electromagnetic wave conversion plate structure 1 and radiates as the outgoing electromagnetic wave 3. The x-axis and z-axis are the same directions as the x-axis and z-axis in FIG. 3, respectively. K in FIG. 5 represents the wave vector of the incident electromagnetic wave. The wave vector k is parallel to the z-axis direction. Ey in FIG. 5 represents the electric field component of the incident electromagnetic wave, and Hx in FIG. 5 represents the magnetic field component of the incident electromagnetic wave.

図5の結果は、本実施形態の電磁波変換プレート構造1は、従来の電磁波変換プレートのようにプレート面に垂直に単位セルを配置せずとも、一つ又は複数の単位セルを平面内に一次元的に配置した構造で電磁波を変換することを示す。   The result of FIG. 5 shows that the electromagnetic wave conversion plate structure 1 of the present embodiment is arranged such that one or a plurality of unit cells are primary in a plane without arranging unit cells perpendicular to the plate surface as in the conventional electromagnetic wave conversion plate. It shows that electromagnetic waves are converted with the originally arranged structure.

従来の電磁波変換プレートでは、単位セルを平面内に並べることで大きな電気ダイポールモーメントと大きな磁気ダイポールモーメントを得るには、単位セルの表面に垂直な方向に並べる必要があった。そのため、従来の電磁波の変換プレートは複雑な構造を有していた。
一方、本願発明の電磁波変換プレート構造1は、図3に示される単位セル構造100を有する。そのため、複数の単位セル構造100のそれぞれの電気ダイポールモーメントが互いに直列に存在し大きな電気ダイポールを形成するように配置した状態において、磁気ダイポールモーメントもまた直列に配置されて大きな磁気ダイポールを形成する。
したがって、本実施形態の電磁波変換プレート構造1は、図18に示される従来の電磁波変換プレートのようにプレート面に垂直に電磁波変換プレートを配置せずとも、単層の電磁波変換プレートで電磁波変換を可能とする。
In the conventional electromagnetic wave conversion plate, in order to obtain a large electric dipole moment and a large magnetic dipole moment by arranging the unit cells in a plane, it is necessary to arrange them in a direction perpendicular to the surface of the unit cell. Therefore, the conventional electromagnetic wave conversion plate has a complicated structure.
On the other hand, the electromagnetic wave conversion plate structure 1 of the present invention has a unit cell structure 100 shown in FIG. Therefore, in a state where the electric dipole moments of the plurality of unit cell structures 100 exist in series with each other to form a large electric dipole, the magnetic dipole moments are also arranged in series to form a large magnetic dipole.
Therefore, the electromagnetic wave conversion plate structure 1 of the present embodiment performs electromagnetic wave conversion with a single-layer electromagnetic wave conversion plate without arranging the electromagnetic wave conversion plate perpendicular to the plate surface as in the conventional electromagnetic wave conversion plate shown in FIG. Make it possible.

(変形例)
本実施形態の電磁波変換プレート構造1は、第1のダンベル状導体構造120の端と、第2のダンベル状導体構造130の端とが、セル基板111の端に非接続の単位セル構造100(以下「非接続の単位セル構造100A」という。)を備えてもよい。
図6は、複数個の非接続の単位セル構造100Aが、それぞれ構造パラメータをさまざまに変化させて一次元的に配置された構造を表す(以下「非接続の単位周期構造11A」という。)。
図7は、非接続の単位周期構造11Aを平面内(図中XY面内)で2次元的に配列した電磁波変換プレートである。
(Modification)
In the electromagnetic wave conversion plate structure 1 of the present embodiment, the unit cell structure 100 (the end of the first dumbbell-shaped conductor structure 120 and the end of the second dumbbell-shaped conductor structure 130 are not connected to the end of the cell substrate 111). (Hereinafter referred to as “unconnected unit cell structure 100A”).
FIG. 6 shows a structure in which a plurality of unconnected unit cell structures 100A are arranged one-dimensionally with various structural parameters changed (hereinafter referred to as “unconnected unit periodic structure 11A”).
FIG. 7 shows an electromagnetic wave conversion plate in which unconnected unit periodic structures 11A are two-dimensionally arranged in a plane (in the XY plane in the figure).

(第2の実施形態)
図8は、本発明の電磁波変換プレート構造1が、電磁波変換プレート構造1を挟んで光源と対称の位置に電磁波を集光する場合のシミュレーション結果を示す。電磁波変換プレート構造1は、z=100のxy面内に形成されている。電磁波は、図中(x、z)=(100、0)に存在する光源から、z軸負の方向に向かって放射される。電磁波変換プレート構造1を透過した電磁波は、電磁波変換プレート構造1が有する単位セル構造100の電気ダイポールモーメントと磁気ダイポールモーメントと相互作用する。そのため、透過電磁波の屈折角が、電磁波変換プレートの平均屈折率から算出される屈折角とは異なり、図中(x、z)=(100、200)の焦点に集められる。
(Second Embodiment)
FIG. 8 shows a simulation result in the case where the electromagnetic wave conversion plate structure 1 of the present invention condenses the electromagnetic wave at a position symmetrical to the light source with the electromagnetic wave conversion plate structure 1 interposed therebetween. The electromagnetic wave conversion plate structure 1 is formed in the xy plane with z = 100. The electromagnetic wave is radiated from the light source existing at (x, z) = (100, 0) in the figure toward the negative z-axis direction. The electromagnetic wave transmitted through the electromagnetic wave conversion plate structure 1 interacts with the electric dipole moment and the magnetic dipole moment of the unit cell structure 100 included in the electromagnetic wave conversion plate structure 1. Therefore, unlike the refraction angle calculated from the average refractive index of the electromagnetic wave conversion plate, the refraction angle of the transmitted electromagnetic wave is collected at the focal point of (x, z) = (100, 200) in the drawing.

(第3の実施形態)
図9は、図3に示される単位セル構造100に与えられた構造パラメータの具体例を示している。構造パラメータは、セル基板111のx軸方向長さLxと、y軸方向長さLyと、z軸方向長さLzと、単位セル構造100の第1のパッチ状導体素子1201のx軸方向の長さwxと、第1のパッチ状導体素子1201のy軸方向の長さwyと、第1の直線状導体素子1203のy軸方向の長さlと、第1の直線状導体素子1203のx軸方向の長さqとが与えられている。
(Third embodiment)
FIG. 9 shows a specific example of the structure parameters given to the unit cell structure 100 shown in FIG. The structural parameters include the x-axis direction length Lx, the y-axis direction length Ly, the z-axis direction length Lz of the cell substrate 111, and the x-axis direction length of the first patch-like conductor element 1201 of the unit cell structure 100. The length wx of the first patch-like conductor element 1201 in the y-axis direction, the length l of the first linear conductor element 1203 in the y-axis direction, and the length of the first linear conductor element 1203 A length q in the x-axis direction is given.

単位セル構造100は、図10又は図11に示される等価回路よって表される。
図10は、直列接続のキャパシタンスCseと、並列接続のインダクタンスLshとを備える単位セル構造100の等価回路を示す。
図11は、直列接続のインダクタンスLseと、並列接続のキャパシタンスCshとを備える単位セル構造100の等価回路を示す。
The unit cell structure 100 is represented by an equivalent circuit shown in FIG.
FIG. 10 shows an equivalent circuit of the unit cell structure 100 including a series-connected capacitance Cse and a parallel-connected inductance Lsh.
FIG. 11 shows an equivalent circuit of the unit cell structure 100 including a series-connected inductance Lse and a parallel-connected capacitance Csh.

図12は、単位セル構造100の構造パラメータlを1.0mmから2.0mmまで、0.05mm刻みで変化させたときの、電磁界解析から求められたLshとCseの値の変化を示している。ここで、wyはlに依存し、wy=8.0−l/2とした。l及びwy以外の構造パラメータは、固定値であり、Lx=8mm、Ly=16mm、Lz=1.524mm、q=0.2mm、wx=6mmとした。セル基板111の比誘電率εrを3とし、比透磁率μrを1とし、誘電正接tanδを0とした。Lsh及びCseがlに依存して変化していることがわかる。   FIG. 12 shows changes in Lsh and Cse values obtained from electromagnetic field analysis when the structural parameter l of the unit cell structure 100 is changed from 1.0 mm to 2.0 mm in increments of 0.05 mm. Yes. Here, wy depends on l, and wy = 8.0−l / 2. The structural parameters other than l and wy are fixed values, and Lx = 8 mm, Ly = 16 mm, Lz = 1.524 mm, q = 0.2 mm, and wx = 6 mm. The cell substrate 111 has a relative dielectric constant εr of 3, a relative magnetic permeability μr of 1, and a dielectric loss tangent tan δ of 0. It can be seen that Lsh and Cse change depending on l.

図13は、単位セル構造100の構造パラメータwxを5.8mmから8.0mmまで、0.1mm刻みで変化させたときの、電磁界解析から求められたLshとCseの値の変化を示している。ここで、wx以外の構造パラメータは、固定値であり、Lx=8mm、Ly=16mm、Lz=1.524mm、q=0.2mm、wy=7.5mmとした。セル基板111の比誘電率εrを3とし、比透磁率μrを1とし、誘電正接tanδを0とした。Lsh及びCseがwxに依存して変化していることがわかる。   FIG. 13 shows changes in Lsh and Cse values obtained from electromagnetic field analysis when the structural parameter wx of the unit cell structure 100 is changed from 5.8 mm to 8.0 mm in increments of 0.1 mm. Yes. Here, the structural parameters other than wx are fixed values, and Lx = 8 mm, Ly = 16 mm, Lz = 1.524 mm, q = 0.2 mm, and wy = 7.5 mm. The relative permittivity εr of the cell substrate 111 was 3, the relative permeability μr was 1, and the dielectric loss tangent tan δ was 0. It can be seen that Lsh and Cse change depending on wx.

図14は、単位セル構造100の構造パラメータwyを5.4mmから7.4mmまで、0.1mm刻みで変化させたときの、電磁界解析から求められたLshとCseの値の変化を示している。ここで、wy以外の構造パラメータは、固定値であり、Lx=8mm、Ly=16mm、Lz=1.524mm、q=0.2mm、wx=6.0mmとした。セル基板111の比誘電率εrを3とし、比透磁率μrを1とし、誘電正接tanδを0とした。Lsh及びCseがwyに依存して変化していることがわかる。   FIG. 14 shows changes in Lsh and Cse values obtained from electromagnetic field analysis when the structural parameter wy of the unit cell structure 100 is changed from 5.4 mm to 7.4 mm in increments of 0.1 mm. Yes. Here, the structural parameters other than wy are fixed values, and Lx = 8 mm, Ly = 16 mm, Lz = 1.524 mm, q = 0.2 mm, and wx = 6.0 mm. The relative permittivity εr of the cell substrate 111 was 3, the relative permeability μr was 1, and the dielectric loss tangent tan δ was 0. It can be seen that Lsh and Cse change depending on wy.

図15は、単位セル構造100の構造パラメータwyを3.5mmから5.3mmまで、0.1mm刻みで変化させたときの、電磁界解析から求められたLseとCshの値の変化を示している。ここで、wy以外の構造パラメータは、固定値であり、Lx=8mm、Ly=16mm、Lz=1.524mm、q=0.2mm、wx=6.0mmとした。セル基板111の比誘電率εrを3とし、比透磁率μrを1とし、tanδを0とした。Lse及びCshがwyに依存して変化していることがわかる。   FIG. 15 shows changes in Lse and Csh values obtained from electromagnetic field analysis when the structural parameter wy of the unit cell structure 100 is changed from 3.5 mm to 5.3 mm in increments of 0.1 mm. Yes. Here, the structural parameters other than wy are fixed values, and Lx = 8 mm, Ly = 16 mm, Lz = 1.524 mm, q = 0.2 mm, and wx = 6.0 mm. The cell substrate 111 has a relative dielectric constant εr of 3, a relative magnetic permeability μr of 1, and a tan δ of 0. It can be seen that Lse and Csh change depending on wy.

図12から図15までの結果は、本実施形態の単位セル構造100の等価回路の並列又は直列接続のキャパシタンス又はインダクタンスが、構造パラメータの値によって制御されることを示している。   The results from FIG. 12 to FIG. 15 show that the capacitance or inductance of the equivalent circuit of the unit cell structure 100 of this embodiment in parallel or series connection is controlled by the value of the structural parameter.

また、電気的又は機械的に単位セル構造100の構造の一部を変化させる機構を、本実施形態の単位セル構造100に付加することで、前述の構造パラメータの値は制御され、単位セル構造100を有する電磁波変換プレートは、この機構によって、電気的又は機械的に制御された電磁波の変換を行うことができる。なお、電磁波はビームの一例である。電磁波の変換は、ビームの特性を変更することの一例である。電磁波の変換とは、伝搬方向の変化や偏光特性の変化を表す。   Further, by adding a mechanism for changing a part of the structure of the unit cell structure 100 electrically or mechanically to the unit cell structure 100 of the present embodiment, the value of the structure parameter is controlled, and the unit cell structure The electromagnetic wave conversion plate having 100 can perform electromagnetic wave conversion controlled electrically or mechanically by this mechanism. The electromagnetic wave is an example of a beam. Electromagnetic wave conversion is an example of changing the characteristics of a beam. The conversion of electromagnetic waves represents a change in propagation direction or a change in polarization characteristics.

以上説明した少なくとも一つの実施形態によれば、電磁波変換プレートの作成において、電磁波変換プレートのプレート面に垂直な方向に前述の電磁波変換プレートを重ねる必要のない、電磁波変換プレートの複雑化を抑制する技術の提供が可能となる。   According to at least one embodiment described above, in the creation of the electromagnetic wave conversion plate, it is not necessary to overlap the electromagnetic wave conversion plate in a direction perpendicular to the plate surface of the electromagnetic wave conversion plate, and the electromagnetic wave conversion plate is prevented from being complicated. Technology can be provided.

また、プレート面に垂直な方向に重ねる必要がないために、電磁波プレート作成のためのリソグラフィの工程を減らすことができる。   In addition, since it is not necessary to overlap in the direction perpendicular to the plate surface, the lithography process for creating the electromagnetic wave plate can be reduced.

以上、この発明の実施形態について図面を参照して詳述してきたが、具体的な構成はこの実施形態に限られるものではなく、この発明の要旨を逸脱しない範囲の設計等も含まれる。したがって、本発明の範囲は、特許請求の範囲及びその均等範囲によってのみ規定されるものである。   The embodiment of the present invention has been described in detail with reference to the drawings. However, the specific configuration is not limited to this embodiment, and includes designs and the like that do not depart from the gist of the present invention. Therefore, the scope of the present invention is defined only by the claims and their equivalents.

1…電磁波変換プレート構造, 2…入射電磁波、 3…出射電磁波、 11…単位周期構造, 11A…非接続の単位周期構造、 100…単位セル構造, 100A…非接続の単位セル構造、 111…セル基板, 120…第1のダンベル状導体構造, 130…第2のダンベル状導体構造 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Electromagnetic wave conversion plate structure, 2 ... Incident electromagnetic wave, 3 ... Outgoing electromagnetic wave, 11 ... Unit periodic structure, 11A ... Unconnected unit periodic structure, 100 ... Unit cell structure, 100A ... Unconnected unit cell structure, 111 ... Cell Substrate, 120 ... first dumbbell-shaped conductor structure, 130 ... second dumbbell-shaped conductor structure

Claims (3)

入射電磁波の波長を一辺の長さとする正方形に内包される形状を有する導体物質で形成された同じ大きさの導体構造を非導電性物質の基板のおもて面と裏面にのみ有する単位セルが、前記導体構造が有する形状に関する構造パラメータの値が単位セルごとに変化されて1次元的に複数個配置されている単位周期構造を、2次元的に複数個配置した電磁波変換プレートであって、
前記電磁波変換プレートに入射された電磁波の透過電磁波の屈折角が電磁波変換プレートの平均屈折率に基づいて算出される屈折角とは異なるように、前記透過電磁波が制御されて放射される、
電磁波変換プレート。
A unit cell having a conductor structure of the same size formed of a conductor material having a shape enclosed in a square having a side of the length of an incident electromagnetic wave only on the front surface and the back surface of the substrate of the non-conductive material. The electromagnetic wave conversion plate has a two-dimensionally arranged unit periodic structure in which a plurality of one-dimensionally arranged unitary structure values of the structure parameters of the conductor structure are changed for each unit cell,
The transmitted electromagnetic wave is controlled and radiated so that the refraction angle of the transmitted electromagnetic wave incident on the electromagnetic wave conversion plate is different from the refraction angle calculated based on the average refractive index of the electromagnetic wave conversion plate.
Electromagnetic wave conversion plate.
複数の前記単位セルが、基板側面同士が接して存在し、
前記単位セルは、
電磁波が入射する面のうち最も広い平面を裏面とする非導電性物質の基板と、
前記基板の裏面に導体物質で形成された第一のパッチ状導体素子と、
前記基板の裏面に導体物質で形成された第二のパッチ状導体素子と、
前記基板の裏面に導体物質で形成され、前記第一のパッチ状導体素子と、前記第二のパッチ状導体素子との幅以下の長さの線幅を有する直線形状の第一の直線状導体素子と、
前記基板のおもて面に導体物質で形成された第三のパッチ状導体素子と、
前記基板のおもて面に導体物質で形成された第四のパッチ状導体素子と、
前記基板のおもて面に導体物質で形成され、前記第三のパッチ状導体素子と、前記第四のパッチ状導体素子との幅以下の長さの線幅を有する直線形状の第二の直線状導体素子と、
を有し、
前記第一のパッチ状導体素子と、前記第二のパッチ状導体素子と、前記第三のパッチ状導体素子と、前記第四のパッチ状導体素子と、前記第一の直線状導体素子と、前記第二の直線状導体素子とが、前記単位セルの前記基板の表面の内側に内包されていて、
前記第一のパッチ状導体素子と前記第二のパッチ状導体素子とが、第一の直線状導体素子によって接続されていて、
前記第三のパッチ状導体素子と前記第四のパッチ状導体素子とが、第二の直線状導体素子によって接続されている、
請求項1に記載の電磁波変換プレート。
A plurality of the unit cells are present in contact with the substrate side surfaces,
The unit cell is
A substrate of a non-conductive substance with the back surface being the widest plane among the surfaces on which electromagnetic waves are incident
A first patch-like conductor element formed of a conductor material on the back surface of the substrate;
A second patch-like conductor element formed of a conductor material on the back surface of the substrate;
A linear first linear conductor formed of a conductive material on the back surface of the substrate and having a line width equal to or less than the width of the first patch-like conductor element and the second patch-like conductor element. Elements,
A third patch-like conductor element formed of a conductor material on the front surface of the substrate;
A fourth patch conductor element formed of a conductor material on the front surface of the substrate;
A second linear line formed of a conductive material on the front surface of the substrate and having a line width less than or equal to the width of the third patch-like conductor element and the fourth patch-like conductor element. A linear conductor element;
Have
The first patch-like conductor element, the second patch-like conductor element, the third patch-like conductor element, the fourth patch-like conductor element, and the first linear conductor element, The second linear conductor element is included inside the surface of the substrate of the unit cell,
The first patch-like conductor element and the second patch-like conductor element are connected by a first linear conductor element,
The third patch-like conductor element and the fourth patch-like conductor element are connected by a second linear conductor element,
The electromagnetic wave conversion plate according to claim 1.
複数の前記単位セルが、基板側面同士が接して存在し、
前記単位セルは、
電磁波が入射する面のうち最も広い平面を裏面とする非導電性物質の基板と、
前記基板の裏面に導体物質で形成された第一のパッチ状導体素子と、
前記基板の裏面に導体物質で形成された第二のパッチ状導体素子と、
前記基板の裏面に導体物質で形成され、前記第一のパッチ状導体素子と、前記第二のパッチ状導体素子との幅以下の長さの線幅を有する直線形状の第一の直線状導体素子と、
前記基板のおもて面に導体物質で形成された第三のパッチ状導体素子と、
前記基板のおもて面に導体物質で形成された第四のパッチ状導体素子と、
前記基板のおもて面に導体物質で形成され、前記第三のパッチ状導体素子と前記第四のパッチ状導体素子との幅以下の長さの線幅を有する直線形状の第二の直線状導体素子と、
を有し、
前記第一の直線状導体素子と、前記第二の直線状導体素子とが、前記単位セルの前記基板の表面の内側に内包されていて、
前記第一のパッチ状導体素子と、前記第二のパッチ状導体素子と、前記第三のパッチ状導体素子と、前記第四のパッチ状導体素子の一部が前記単位セルの前記基板の端に接していて、
前記第一のパッチ状導体素子と前記第二のパッチ状導体素子とが、第一の直線状導体素子によって接続されていて、
前記第三のパッチ状導体素子と前記第四のパッチ状導体素子とが、第二の直線状導体素子によって接続されている、
請求項1に記載の電磁波変換プレート。
A plurality of the unit cells are present in contact with the substrate side surfaces,
The unit cell is
A substrate of a non-conductive substance with the back surface being the widest plane among the surfaces on which electromagnetic waves are incident;
A first patch-like conductor element formed of a conductor material on the back surface of the substrate;
A second patch-like conductor element formed of a conductor material on the back surface of the substrate;
A linear first linear conductor formed of a conductive material on the back surface of the substrate and having a line width equal to or less than the width of the first patch-like conductor element and the second patch-like conductor element. Elements,
A third patch-like conductor element formed of a conductor material on the front surface of the substrate;
A fourth patch-like conductor element formed of a conductor material on the front surface of the substrate;
A linear second line formed of a conductive material on the front surface of the substrate and having a line width less than or equal to the width of the third patch-like conductor element and the fourth patch-like conductor element A conductor element;
Have
The first linear conductor element and the second linear conductor element are included inside the surface of the substrate of the unit cell,
The first patch-like conductor element, the second patch-like conductor element, the third patch-like conductor element, and a part of the fourth patch-like conductor element are edges of the substrate of the unit cell. In contact with
The first patch-like conductor element and the second patch-like conductor element are connected by a first linear conductor element,
The third patch-like conductor element and the fourth patch-like conductor element are connected by a second linear conductor element,
The electromagnetic wave conversion plate according to claim 1.
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